DE2944118C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2944118C2 DE2944118C2 DE19792944118 DE2944118A DE2944118C2 DE 2944118 C2 DE2944118 C2 DE 2944118C2 DE 19792944118 DE19792944118 DE 19792944118 DE 2944118 A DE2944118 A DE 2944118A DE 2944118 C2 DE2944118 C2 DE 2944118C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- laser light
- areas
- crystal
- substrate
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02387—Group 13/15 materials
- H01L21/02395—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/02546—Arsenides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/268—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792944118 DE2944118A1 (de) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792944118 DE2944118A1 (de) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2944118A1 DE2944118A1 (de) | 1981-05-14 |
| DE2944118C2 true DE2944118C2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1987-09-03 |
Family
ID=6084884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19792944118 Granted DE2944118A1 (de) | 1979-10-30 | 1979-10-30 | Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE2944118A1 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3406361A1 (de) * | 1984-02-22 | 1985-08-29 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Doppel-heterostruktur-laser und verfahren zu seiner herstellung |
| DE3407089A1 (de) * | 1984-02-27 | 1985-08-29 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung |
| DE3437120A1 (de) * | 1984-10-10 | 1986-04-10 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren zum herstellen von halbleiterschichten auf halbleiterkoerpern oder zur eindiffusion von stoerstellen im halbleiterkoerper |
| DE3741671A1 (de) * | 1987-12-09 | 1989-06-22 | Asea Brown Boveri | Cvd-verfahren zur randpassivierung bei halbleiterbauelementen |
-
1979
- 1979-10-30 DE DE19792944118 patent/DE2944118A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2944118A1 (de) | 1981-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4019219C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| EP0931332B1 (de) | Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander | |
| DE2732807C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes mit einer Einkristallstruktur | |
| DE3750076T2 (de) | Verfahren zur Veränderung der Eigenschften von Halbleitern. | |
| DE69515020T2 (de) | Verfahren zum Züchten eines Halbleiterkristalls | |
| DE2707693C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation | |
| DE2160450C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes | |
| DE3123234C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI | |
| DE3635279A1 (de) | Gasphasen-epitaxieverfahren fuer einen verbindungs-halbleiter-einkristall und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens | |
| DE102008019599A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes durch lokales Erwärmen einer oder mehrerer Metallisierungsschichten und mittels selektiven Ätzens | |
| DE2030805A1 (de) | Verfahren zur Ausbildung epitaxialer Kristalle oder Plattchen in ausgewählten Bereichen von Substraten | |
| DE3873283T2 (de) | Verfahren, um eine halbleitervorrichtung mit einem ungeordneten uebergitter herzustellen. | |
| DE1564191B2 (de) | Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen | |
| DE2509585C3 (de) | Halbleiterbauelement mit mehreren epitaktischen Halbleiterschichten, insbesondere Halbleiterlaser oder Feldeffektransistor, sowie Verfahren zu dessen Herstellung | |
| EP0009097B1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Isolationsstruktur in einem Halbleiterkörper | |
| DE3407089A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung | |
| DE2207056A1 (de) | Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase | |
| DE3502778A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer grossen einkristall-halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte kristall-halbleiteranordnung | |
| DE2944118C2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| DE3780327T2 (de) | Herstellungsverfahren einer halbleiter-kristallschicht. | |
| DE2157633C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von Zonen einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung | |
| DE10240056B4 (de) | Hochtemperaturstabiler Metallemitter sowie Verfahren zur Herstellung | |
| DE1564086B2 (de) | Verfahren zum herstellen eines halbleitersystems | |
| DE2522921A1 (de) | Molekularstrahl-epitaxie | |
| DE3124456C2 (de) | Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
| 8181 | Inventor (new situation) |
Free format text: NOLTING, HANS-PETER, DR.-ING., 1000 BERLIN, DE |
|
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |