DE2944118C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2944118C2
DE2944118C2 DE19792944118 DE2944118A DE2944118C2 DE 2944118 C2 DE2944118 C2 DE 2944118C2 DE 19792944118 DE19792944118 DE 19792944118 DE 2944118 A DE2944118 A DE 2944118A DE 2944118 C2 DE2944118 C2 DE 2944118C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
laser light
areas
crystal
substrate
atoms
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19792944118
Other languages
German (de)
English (en)
Other versions
DE2944118A1 (de
Inventor
Hans-Peter Dr.-Ing. 1000 Berlin De Nolting
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Institut fuer Nachrichtentechnik Heinrich Hertz Institute HHI
Original Assignee
Fraunhofer Institut fuer Nachrichtentechnik Heinrich Hertz Institute HHI
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Institut fuer Nachrichtentechnik Heinrich Hertz Institute HHI filed Critical Fraunhofer Institut fuer Nachrichtentechnik Heinrich Hertz Institute HHI
Priority to DE19792944118 priority Critical patent/DE2944118A1/de
Publication of DE2944118A1 publication Critical patent/DE2944118A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2944118C2 publication Critical patent/DE2944118C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367Substrates
    • H01L21/0237Materials
    • H01L21/02387Group 13/15 materials
    • H01L21/02395Arsenides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02538Group 13/15 materials
    • H01L21/02546Arsenides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26Bombardment with radiation
    • H01L21/263Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/268Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
DE19792944118 1979-10-30 1979-10-30 Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten Granted DE2944118A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792944118 DE2944118A1 (de) 1979-10-30 1979-10-30 Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792944118 DE2944118A1 (de) 1979-10-30 1979-10-30 Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2944118A1 DE2944118A1 (de) 1981-05-14
DE2944118C2 true DE2944118C2 (enrdf_load_stackoverflow) 1987-09-03

Family

ID=6084884

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792944118 Granted DE2944118A1 (de) 1979-10-30 1979-10-30 Verfahren zum herstellen strukturierter epitaxieschichten

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2944118A1 (enrdf_load_stackoverflow)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3406361A1 (de) * 1984-02-22 1985-08-29 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Doppel-heterostruktur-laser und verfahren zu seiner herstellung
DE3407089A1 (de) * 1984-02-27 1985-08-29 Siemens Ag Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung
DE3437120A1 (de) * 1984-10-10 1986-04-10 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen von halbleiterschichten auf halbleiterkoerpern oder zur eindiffusion von stoerstellen im halbleiterkoerper
DE3741671A1 (de) * 1987-12-09 1989-06-22 Asea Brown Boveri Cvd-verfahren zur randpassivierung bei halbleiterbauelementen

Also Published As

Publication number Publication date
DE2944118A1 (de) 1981-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4019219C2 (enrdf_load_stackoverflow)
EP0931332B1 (de) Verfahren zum trennen zweier materialschichten voneinander
DE2732807C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelementes mit einer Einkristallstruktur
DE3750076T2 (de) Verfahren zur Veränderung der Eigenschften von Halbleitern.
DE69515020T2 (de) Verfahren zum Züchten eines Halbleiterkristalls
DE2707693C3 (de) Verfahren zum Herstellen von dotierten Zonen einer bestimmten Leitungsart in einem Halbleitersubstrat mittels Ionenimplantation
DE2160450C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes
DE3123234C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines pn-Übergangs in einem Halbleitermaterial der Gruppe II-VI
DE3635279A1 (de) Gasphasen-epitaxieverfahren fuer einen verbindungs-halbleiter-einkristall und einrichtung zur durchfuehrung des verfahrens
DE102008019599A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Bauelementes durch lokales Erwärmen einer oder mehrerer Metallisierungsschichten und mittels selektiven Ätzens
DE2030805A1 (de) Verfahren zur Ausbildung epitaxialer Kristalle oder Plattchen in ausgewählten Bereichen von Substraten
DE3873283T2 (de) Verfahren, um eine halbleitervorrichtung mit einem ungeordneten uebergitter herzustellen.
DE1564191B2 (de) Verfahren zum herstellen einer integrierten halbleiterschaltung mit verschiedenen, gegeneinander und gegen ein gemeinsames siliziumsubstrat elektrisch isolierten schaltungselementen
DE2509585C3 (de) Halbleiterbauelement mit mehreren epitaktischen Halbleiterschichten, insbesondere Halbleiterlaser oder Feldeffektransistor, sowie Verfahren zu dessen Herstellung
EP0009097B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Isolationsstruktur in einem Halbleiterkörper
DE3407089A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur lichtinduzierten, fotolytischen abscheidung
DE2207056A1 (de) Verfahren zum selektiven epitaxialen Aufwachsen aus der flüssigen Phase
DE3502778A1 (de) Verfahren zur herstellung einer grossen einkristall-halbleiteranordnung und nach diesem verfahren hergestellte kristall-halbleiteranordnung
DE2944118C2 (enrdf_load_stackoverflow)
DE3780327T2 (de) Herstellungsverfahren einer halbleiter-kristallschicht.
DE2157633C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Zonen einer monolithisch integrierten Festkörperschaltung
DE10240056B4 (de) Hochtemperaturstabiler Metallemitter sowie Verfahren zur Herstellung
DE1564086B2 (de) Verfahren zum herstellen eines halbleitersystems
DE2522921A1 (de) Molekularstrahl-epitaxie
DE3124456C2 (de) Halbleiterbauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8181 Inventor (new situation)

Free format text: NOLTING, HANS-PETER, DR.-ING., 1000 BERLIN, DE

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee