DE2917221C2 - - Google Patents
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein optisches
Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem
Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf einer
Abbildungsfläche gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch
1.
Aufgrund des Aufbaus eines Halbleiterlasers und insbesondere
der Tatsache, daß sein lichtemittierender Bereich
nicht Kreisform wie im Falle eines Glaslasers sondern
Rechteckform aufweist, haben bei einem Halbleiterlaser die
in Richtung parallel zur Übergangszonenfläche desselben
emittierten Lichtstrahlen des Strahlenbündels und die in
Richtung senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers
emittierten Lichtstrahlen des Strahlenbündels unterschiedliche
Divergenzursprungspunkte, die einen gewissen
Abstand voneinander aufweisen, der als astigmatische
Differenz bezeichnet wird.
Ein optisches Abbildungssystem gemäß dem Oberbegriff von
Patentanspruch 1 ist durch die DE-OS 26 43 346 bekannt. Ein
solches bekanntes Abbildungssystem dient dazu, ein
Strahlenbündel, das von dem Halbleiterlaser emittiert wird,
auf der Abbildungsfläche, beispielsweise einem lichtempfindlichen
Aufzeichnungsmedium, abzubilden. Dieses lichtempfindliche
Aufzeichnungsmedium weist üblicherweise einen
sogenannten Aufzeichnungsschwellenwert auf. Dies bedeutet,
daß auf dem lichtempfindlichen Aufzeichnungsmedium nur dann
eine Information mittels des Strahlenbündels aufgezeichnet
werden kann, wenn die Spitzenintensität des Strahlenbündels
in der Aufzeichnungsfläche den Aufzeichnungsschwellenwert
übersteigt. Aus diesem Grunde werden mittels des bekannten
optischen Abbildungssystems die Lichtstrahlen des vom
Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels in möglichst
hohem Maße auf der Abbildungsfläche fokussiert. Dazu ist
vorgesehen, daß das Abbildungssystem in einer parallel zur
Übergangszonenfläche verlaufenden Ebene den innerhalb des
Halbleiterlasers liegenden Divergenzursprungspunkt konjugiert
zur Abbildungsfläche hält und in einer senkrecht zur
letztgenannten Ebene und somit senkrecht zur Übergangszonenfläche
verlaufenden Ebene den anderen der beiden
Divergenzursprungspunkte, der nahe der lichtemittierenden
Endfläche des Halbleiterlasers liegt, konjugiert zu derselben
Abbildungsfläche hält. Ein solches Abbildungssystem,
das beide Divergenzursprungspunkte scharf abbildet und in
diesem Sinne die astigmatische Differenz kompensiert, wird
als Abbildungssystem mit Korrektur der astigmatischen
Differenz bezeichnet. Allerdings ist bei einem Abbildungssystem
mit Korrektur der astigmatischen Differenz eine
sehr genaue Justierung der Linsen des Abbildungssystems
sowohl relativ zueinander als auch relativ zum
Halbleiterlaser und zur Abbildungsfläche notwendig, wobei
diese Justierung sowohl in der parallel zu der
Übergangszonenfläche verlaufenden Ebene als auch in der
senkrecht zur Übergangszonenfläche verlaufenden Ebene vorgenommen
werden muß. Eine derartige Justierung ist technisch
aufwendig und daher zeit- sowie kostenintensiv.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, das gattungsgemäße
Abbildungssystem derart auszubilden, daß es auf einfache
Weise zu justieren ist und dennoch hohe Abbildungsleistung
gewährleistet.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch das optische
Abbildungssystem gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Bei dem erfindungsgemäßen optischen Abbildungssystem wird
lediglich diejenige senkrecht zur optischen Achse verlaufende
Ebene, in der der Divergenzursprungspunkt der senkrecht
zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten
Lichtstrahlen liegt und die praktisch mit der lichtemittierenden
Endfläche des Halbleiterlasers zusammenfällt,
zur Abbildungsfläche konjugiert gehalten. Dies
bedeutet, daß lediglich einer der beiden Divergenzursprungspunkte
scharf abgebildet wird und der andere
Divergenzursprungspunkt nicht scharf abgebildet wird, sondern
in der Abbildungsfläche etwas defokussiert ist. Das
erfindungsgemäße optische Abbildungssystem arbeitet somit
ohne Korrektur der astigmatischen Differenz. Dies erleichtert
erheblich die Justierung. Ferner ist bei dem erfindungsgemäßen
optischen Abbildungssystem sowohl für die
Ebene senkrecht zur Übergangszonenfläche als auch für Ebene
parallel zur Übergangszonenfläche ein eigener Abbildungsmaßstab
vorgeschrieben. Durch diese Maßnahme ist dafür
gesorgt, daß in den beiden genannten Ebenen bzw. Richtungen
eine maximale Spitzenintensität im Bildpunkt erreicht wird,
und zwar auch für die vom Divergenzursprungspunkt in der
parallel zur Übergangszonenfläche verlaufenden Richtung
ausgehenden, unscharf abgebildeten Lichtstrahlen.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den
Unteransprüchen gekennzeichnet.
Die Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf die
Zeichnungen näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1A und 1B schematische Darstellungen zur Erläuterung
der Lichtemission eines Halbleiterlasers;
Fig. 2A eine Draufsicht auf ein Abbildungssystem für einen
Halbleiterlaser gemäß den Fig. 1A und 1B, wobei das
Abbildungssystem aus lediglich sphärischen Elementen
besteht und die Zeichenebene von Fig. 2A parallel zur
Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verläuft;
Fig. 2B eine Seitenansicht des Abbildungssystems gemäß Fig. 2A,
wobei die Zeichenebene senkrecht zur Übergangszonenfläche verläuft;
Fig. 2C mittels des Abbildungssystems gemäß den Fig. 2A und
2B abgebildete Lichtpunkte für verschiedene Lagen der
Abbildungsfläche;
Fig. 3 eine schematische Darstellung eines
Abbildungssystems zur Erläuterung der Grundlage der
Erfindung;
Fig. 4 schematisch die Beziehung zwischen dem
Divergenzwinkel eines Strahlenbündels und der Intensitätsverteilung
desselben;
Fig. 5 eine Seitenansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Abbildungssystems;
Fig. 6 ein Diagramm zur Erläuterung der Abhängigkeit der
Spitzenleistung vom Abbildungsmaßstab;
Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Ausführungsbeispiels
der Ausführungsform gemäß Fig. 5; und
Fig. 8A und 8B ein zweites Ausführungsbeispiel zu der
Ausführungsform gemäß Fig. 5.
In den Fig. 1A und 1B ist die Divergenz eines
Strahlenbündels eines Halbleiterlasers veranschaulicht,
wobei Fig. 1A eine Draufsicht auf einen Halbleiterlaser
ist, während Fig. 1B eine Seitenansicht des
Halbleiterlasers darstellt. In den Figuren bezeichnet die
Bezugszahl 1 einen Halbleiterlaser, während die Bezugszahl
2 dessen Übergangszonenfläche bezeichnet. Die Bezugszahl 4
bezeichnet den Divergenzursprungspunkt des Strahlenbündels
in einer zu der Übergangszonenfläche parallelen Richtung
(die nachstehend auch als "Horizontalrichtung" bezeichnet
ist), während die Bezugszahl 5 den Divergenzursprungspunkt
des Strahlenbündels in einer vertikal zu der
Übergangszonenfläche verlaufenden Richtung bezeichnet (die
nachstehend auch als "Vertikalrichtung" bezeichnet ist).
Der Divergenzursprungspunkt 4 in der Horizontalrichtung ist
nicht in der lichtemittierenden Endfläche des
Halbleiterlasers angeordnet, während der Divergenzursprungspunkt
5 in der Vertikalrichtung in der Nähe dieser
Endfläche angeordnet ist. Der Abstand zwischen den beiden
Divergenzursprungspunkten wird als astigmatische Differenz
bezeichnet.
Wenn versucht wird, aus einem solchen Strahlenbündel mit
einer astigmatischen Differenz unter Verwendung einer beispielsweise
sphärischen Linse einen Punkt abzubilden, weist
das fokussierte Strahlenbündel allenfalls nur in der
Horizontalrichtung oder nur in der Vertikalrichtung eine
maximale Strahleinschnürung auf.
In den Fig. 2A und 2B und 2C ist dies näher veranschaulicht,
wobei Fig. 2A eine Draufsicht und Fig. 2B eine
Seitenansicht darstellen. Wenn gemäß Fig. 2 ein
Strahlenbündel des Halbleiterlasers mittels einer Linse 6
gebündelt wird, ändert sich die Form des erhaltenen
Lichtpunktes mit der Lage der Abbildungsfläche. In Fig. 2C
sind unter (I), (II), (III) und (IV) die jeweiligen
Formänderungen des Lichtpunktes bei verschiedenen Lagen der
Abbildungsfläche veranschaulicht. Fig. 2C ist hierbei zu
entnehmen, daß die Strahleinschnürung in der Horizontalrichtung
bei der Position (II) vorhanden ist, während sie
in Vertikalrichtung bei der Position (IV) vorliegt.
Im folgenden sei angenommen, daß das optische
Abbildungssystem gemäß Fig. 3 aufgebaut ist und die hauptpunktbezogene
Objektweite, d. h. der Abstand zwischen dem
Ursprungspunkt der Lichtemission durch den Halbleiterlaser
und einem vorderen Hauptpunkt H der Linse 6, den Betrag z₀₁
aufweist, während die hauptpunktbezogene Bildweite, d. h.
der Abstand von dem hinteren Hauptpunkt H′ der Linse 6 bis
zu der Strahleinschnürung auf der Bildseite, durch den
Betrag z₁₂ gegeben ist.
Wenn die Amplitudenverteilung des Lasers im Ursprungspunkt
der Lichtemission U₀ (x₀, y₀) ist, läßt sich die
Amplitudenverteilung des Lasers in der Eintrittspupillenebene
der Linse folgendermaßen wiedergeben:
wobei die Wellenzahl k=2 π/λ ist und x₁ und y₁
Koordinaten in der Eintrittspupillenebene bezeichnen und
die Integration in der Lichtemissionsebene erfolgt.
Für die nachstehenden Erläuterungen wird die Gleichung
umgeschrieben, so daß sich ergibt:
Der Grund für die Umschreibung der Gleichung besteht darin,
daß bei einem rechteckigen Aufbau des
Lichtemissionsabschnittes des Halbleiterlasers und zwei in
der x-Richtung und der y-Richtung angenommenen, zueinander
orthogonalen Schnittrichtungen die Amplitudenverteilung in
bezug auf diese beiden orthogonalen Schnittrichtungen
jeweils unabhängig voneinander behandelt werden kann.
Wenn nun unter Verwendung dieser Amplitudenverteilung
U₁ (X₁) ein Lichtpunkt in der Abbildungsfläche (eine Ebene
im Abstand z₁₂) mittels der Linse 6 abgebildet wird, ist
die Amplitudenverteilung U₂ (x₂) in der Abbildungsfläche
durch die nachstehende Gleichung (2) gegeben:
Dabei ist f die Brennweite der Linse 6 und R(x₁) die
Pupillenfunktion der Linse 6.
Mit dem Durchmesser 2a der Eintrittspupille gilt für die
Pupillenfunktion (Rx₁):
Definiert ist:
Daraus läßt sich für die astigmatische Differenz As die
nachstehende Beziehung erhalten:
Durch Ausführung einer Zahlenrechnung unter Verwendung der
vorstehend wiedergegebenen Gleichungen (2) und (3) läßt
sich ein optisches Abbildungssystem angeben, das die
Spitzen- oder Mittelpunktintensität des fokussierten
Lichtpunktes in einer gewählten Abbildungsfläche (d. h., in
einer Ebene, wie sie in Fig. 2C unter (I), (II), (III) oder
(IV) dargestellt ist) maximal macht.
Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß das optische System
keine Korrektur der astigmatischen Differenz durchführt und
die Abbildungsfläche in die Position der maximalen
Strahleinschnürung in der Vertikalrichtung (y-Richtung)
gebracht wird. Daher hat der fokussierte Lichtpunkt auf der
Abbildungsfläche in Horizontalrichtung nicht seine maximale
Strahleinschnürung, sondern befindet sich in einem etwas
defokussierten Zustand. Erfindungsgemäß ist ferner vorgesehen,
daß die Mittelpunktintensität des fokussierten
Lichtpunktes sowohl in der Vertikalrichtung als auch in der
Horizontalrichtung (x-Richtung) einen Maximalwert erreicht.
Zur Ermittlung eines optimalen optischen Abbildungssystems
mit den vorstehend angegebenen Eigenschaften können jeweils
die Konstanten (wie etwa Brennweite, Blendenzahl usw.) des
optischen Abbildungssystems als Parameter geändert werden,
woraufhin sodann auf dieser Basis die numerische Berechnung
der Gleichung (2) zur Feststellung von Änderungen der
Mittelpunktintensität durchgeführt wird. Es läßt sich
jedoch das optimale Abbildungssystem analytisch durch
Umschreiben der Gleichung (2) in eine geeignete Gleichung
einer Ordnung, die im wesentlichen keine Probleme bei der
praktischen Verwendung aufwirft, ermitteln.
Zu diesem Zweck wird zunächst die Amplitudenverteilung
U₀ (x₀) des Ursprungspunktes der Lichtemission in Form ihrer
Fernfeld-Verteilung durch die nachstehende Gleichung
beschrieben:
wobei BS (x₁) die Amplitudenverteilung der Linse in der
Eintrittspupillenebene des Abbildungssystems bezeichnet.
Eine solche Umwandlung basiert auf der Tatsache, daß die
Messung der Amplitudenverteilung U₀ (x₀) am Ursprungspunkt
im allgemeinen sehr schwierig ist, da dessen Abmessungen
gewöhnlich in der Größenordnung von einigen wenigen µm
liegt und die Genauigkeit des gemessenen Ergebnisses somit
gering ist und da aufgrund unerwünschter Beugungseinflüsse
in dem Meßsystem die Ermittlung eines zutreffenden
Meßwertes schwierig ist, so daß, wenn statt dessen die
Fernfeld-Verteilung gemessen wird, die Messung wesentlich
erleichtert wird und mit zufriedenstellender Genauigkeit
durchführbar ist, wobei darüber hinaus weniger Meßfehler
auftreten, da die Messung ohne Zwischenfügung eines optischen
Systems durchgeführt wird. Aus diesem Grund wird die
Gleichung (2) folgendermaßen umgeschrieben.
Es sei nun angenommen, daß der Wellentyp des
Halbleiterlasers der Basiswellentyp TEMoo ist, so daß sich
Gleichung (4) allgemein in Form einer Gauß-Verteilung ausdrücken
läßt:
wobei BS eine Abkürzung für die Bündelöffnung bzw.
Strahlspreizung ist und w1x den Abstand von der Bündelachse
bezeichnet, bei dem die Intensität auf den Wert 1/e² abgefallen
ist. Durch Einsetzen von Gleichung (4′) in Gleichung
(5) läßt sich Gleichung (2) schließlich unter Verwendung
der einfach zu messenden Größe BS (x₁) folgendermaßen ausdrücken:
Nachstehend wird die Pupillenfunktion R (x₁) durch eine hermitesche
Gauß-Funktion entwickelt.
Dabei gilt
mit
Mit wa ist die Breite der Basis der hermiteschen Gauß-
Funktion bezeichnet.
Hn (ζ) ist ein hermitesches Polynom n'ter Ordnung, wie
z. B.:
H₀ (ζ) = 1
H₁ (ζ) = 2 ζ
H₂ (ζ) = 4 ζ² - 2
H₃ (ζ) = 8 ζ³ - 12 ζ
. . . . .
H₁ (ζ) = 2 ζ
H₂ (ζ) = 4 ζ² - 2
H₃ (ζ) = 8 ζ³ - 12 ζ
. . . . .
Der Entwicklungskoeffizient Bn läßt sich unter Verwendung
der orthogonalen Funktion Φn (x₁) aus der folgenden
Gleichung ermitteln:
Gemäß den im Rahmen der Erfindung durchgeführten
Berechnungen läßt sich der Koeffizient Bn in der nachstehend
aufgeführten Weise wiedergeben:
B₀ = 0.9428
B₁ = 0
B₂ = -2.51 × 10-4
B₃ = 0
. . . . .
B₁ = 0
B₂ = -2.51 × 10-4
B₃ = 0
. . . . .
Hieraus ergibt sich, daß Bn derart vorgegeben werden kann,
daß nur der Koeffizient B₀ Gewicht hat. Das heißt, durch
diese Tatsache ergibt sich, daß bei Entwicklung von R (x₁)
mit der orthogonalen Funktion Φn (x₁) gemäß Gleichung (7)
eine recht hohe Genauigkeit erzielbar ist, indem lediglich
der Term mit n=0 der Entwicklung verwendet wird. In diesem
Fall läßt sich Gleichung (6) folgendermaßen ausdrücken:
Dieses Integral läßt sich analytisch folgendermaßen lösen:
wobei gilt:
In der obigen Gleichung bezeichnet R₀ einen von der
Strahlachse aus gemessenen Winkel, bei dem die Intensität
des Strahlenbündels auf den Bruchteil 1/e² des
Maximalwertes gefallen ist, wenn das Strahlenbündel in
einer Ebene einfällt (siehe Fig. 4).
Hierbei läßt sich die Mittelpunkts- oder Spitzenintensität
I (x₂=0) ≡I₀ folgendermaßen ausdrücken:
Sodann wird eine Bedingung ermittelt, bei der der Wert von
I₀ in der Gleichung (9) maximal wird. Aus
läßt sich die folgende wichtige Beziehung erhalten:
K² = 1 + S² (10)
Das heißt, durch Auslegung des optischen Abbildungssystems
derart, daß die Gleichung (10) erfüllt ist, läßt sich ein
Maximalwert von I₀ in der Abbildungsfläche herstellen.
Hierbei wird die Gleichung (10) in bezug auf verschiedene
Größen des optischen Systems umgeformt, wozu der
Abbildungsmaßstab β des optischen Abbildungssystems sich
unter Verwendung von K in der folgenden Weise ermitteln
läßt:
Aus z₀₁ sin R₀ = w1x ergibt sich:
wobei F=f/2a ist, F die Blendenzahl bezeichnet und γ eine
Konstante darstellt, die den Wert γ≈2 aufweist.
Unter Verwendung der Gleichungen (8′) und (10) läßt sich
Gleichung (11) in folgende Gleichung für β umschreiben:
Die Bedeutung von Gleichung (12) besteht darin, daß bei
gegebener Intensitätsverteilung des von dem Halbleiterlaser
abgegebenen Strahlenbündels und Kenntnis der astigmatischen
Differenz As sich derjenige Abbildungsmaßstab β des optischen
Abbildungssystems aus der Gleichung (12) bestimmen
läßt, bei dem die Spitzenintensität des fokussierten
Lichtpunktes unter Verwendung eines keine Korrektur der
astigmatischen Differenz durchführenden optischen
Abbildungssystems auf einen Maximalwert gebracht ist. Die
Gleichung (12) wird derart abgeändert, daß sie sich in
Termen der effektiven Blendenzahl Feff in der nachstehend
wiedergegebenen Weise angeben läßt:
Nachstehend wird ein praktisch verwendbares optisches
Abbildungssystem näher beschrieben, das auf den vorstehend
erläuterten Gegebenheiten aufbaut.
In Fig. 5 ist ein Ausführungsbeispiel eines solchen optischen
Abbildungssystems veranschaulicht, das aus einer vorderen
sammelnden Linsengruppe 6a in Form einer Sammellinse
und einer hinteren sammelnden Linsengruppe 6b in Form einer
Abbildungslinse besteht, wobei die lichtemittierende
Endfläche des Halbleiterlasers im wesentlichen in der vorderen
Brennebene der vorderen Linsengruppe 6a liegt, während
die Abbildungsfläche 7 in dem hinteren Brennpunkt der
hinteren Linsengruppe 6b mit der Brennweite f₂ liegt. Wie
noch erläutert werden wird, hat die vordere Linsengruppe 6a
parallel und senkrecht zur Übergangszonenfläche verschiedene
Brennweiten, jedoch nur eine Brennebene.
Das von dem Halbleiterlaser in der Vertikalrichtung ausgehende
Strahlenbündel wird daher in der Abbildungsfläche 7
als im wesentlichen eingeschnürtes Strahlenbündel fokussiert,
da sich der Divergenzursprungspunkt des
Strahlenbündels in der Nähe der lichtemittierenden
Endfläche befindet, wie dies in Fig. 5 gezeigt ist. Das in
Horizontalrichtung verlaufende Strahlenbündel wird dagegen
in der Abbildungsfläche 7 nicht vollständig fokussiert, da
der Divergenzursprungspunkt eine von der Endfläche entfernt
liegende Position einnimmt und keine Korrektur der astigmatischen
Differenz durch das Abbildungssystem erfolgt. Bei
dem Abbildungssystem gemäß Fig. 5 wird die Gleichung (12′)
folgendermaßen ausgedrückt:
wobei β der Abbildungsmaßstab zwischen den zueinander konjugierten
Ebenen der Laser-Endfläche und der
Aufzeichnungsfläche ist, As den gemessenen Abstand von der
Endfläche bis zu dem Ursprungspunkt der Strahldivergenz in
Horizontalrichtung bezeichnet (da der Ursprungspunkt der
Strahldivergenz in Vertikalrichtung im wesentlichen in der
Endfläche liegt), F₂ die Blendenzahl der Linsengruppe 6b
angibt, die wegen z₁₂=f₂ gleich der effektiven Blendenzahl
Feff ist, und γ eine Konstante ist, die den Wert γ≈2
aufweist. Die Brennweiten der beiden Linsengruppen 6a und
6b werden bei diesem optischen System derart festgelegt,
daß die Abbildungsmaßstäbe gemäß Gleichung (12′′) ergeben.
Fig. 6 ist eine graphische Darstellung, die Änderungen der
Spitzenintensität in bezug auf Änderungen des Abbildungsmaßstabes
β veranschaulicht, und zwar unter der
Voraussetzung, daß die Divergenzwinkel des Halbleiterlasers
konstant sind und der Wert der astigmatischen Differenz As
als Parameter verwendet wird. Der aus den Gleichungen (12),
(12′) oder (12′′) zu ermittelnde Abbildungsmaßstab des optimalen
optischen Abbildungssystems ist jeweils der
Maximalwert der gezeigten Kurven. Außerdem ist aus dem
Schaubild ersichtlich, daß der Abbildungsmaßstab des optimalen
optischen Abbildungssystems sich in abnehmender
Richtung verschiebt, wenn der Betrag der astigmatischen
Differenz As hohe Werte annimmt.
Es sei davon ausgegangen, daß der Winkel, bei dem die
Intensität des Strahlenbündels des Halbleiterlasers auf den
Anteil 1/e² fällt, ein Winkel von 25° in der
Vertikalrichtung (R0 ⟂) und von 9° in der Horizontalrichtung
(R0′′) ist, wobei der Wert der astigmatischen Differenz
10 µm betragen soll.
Mit As=0 in der Vertikalrichtung und γ=2 ergibt sich
aus Gleichung (12′′)
β⟂=2 sin 25° · F₂ = 0.85 · F₂.
Mit As=10 µm und λ=0,8 µm ergibt sich für die
Horizontalrichtung:
Das gesamte Abbildungssystem hat somit unterschiedliche
Abbildungsmaßstäbe in der Vertikalrichtung und der
Horizontalrichtung.
In Fig. 7 ist der Aufbau eines solchen Abbildungssystems
schematisch dargestellt, wobei bei einer Brennweite f₂ der
Linsengruppe 6b die Brennweiten der Linsengruppe 6a folgendermaßen
gegeben sind:
Die objektseitigen Brennpunkte liegen beide in der Nähe der
lichtemittierenden Endfläche des Halbleiterlasers.
In den Fig. 8A und 8B ist jeweils eine Draufsicht und eine
Seitenansicht eines weiteren Ausführungsbeispiels eines
optimalen Abbildungssystems veranschaulicht, wobei in diesem
Fall die Linsengruppe 6a aus einer sphärischen Linse
6a′ und einem zylindrischen Strahlendehner 6a′′ besteht. In
Fig. 8A gilt der gestrichelte Strahlenverlauf für die
Abbildung der zueinander konjugierten Flächen aufeinander,
während der ausgezogene Strahlenverlauf für die Abbildung
des Ursprungspunktes in Horizontalrichtung gilt. Aus der
vorhergehenden Berechnung läßt sich die afokale
Vergrößerung Γ des zylindrischen Strahlendehners folgendermaßen
wiedergeben.
Hierbei ist ersichtlich, daß die Generatrix des zylindrischen
Strahlendehners parallel zu der Vertikalrichtung verläuft.
Hierbei können die Brennweite f₃ der Linse 6a′ und die
Brennweite f₂ der hinteren Linsengruppe 6b folgende
Beziehung zueinander aufweisen:
Durch Auswahl eines der beiden Werte f₃ und f₂ läßt sich
somit der jeweils andere auf übliche Weise ermitteln.
R₀⟂ = 35°
R0 = 12°
As = 50 µm
λ = 0.9 µm β = 0.14 · F₂
Γ = 8.2
R0 = 12°
As = 50 µm
λ = 0.9 µm β = 0.14 · F₂
Γ = 8.2
Wie vorstehend dargelegt, ist ein optimales optisches
Abbildungssystem zur Steigerung der Spitzenintensität
geschaffen worden, wobei der wesentliche charakteristische
Punkt darin zu sehen ist, daß für einen Halbleiterlaser,
dessen astigmatische Differenz nicht mittels des optischen
Abbildungssystems korrigiert wird, auf der Basis der
Intensitätsverteilung des ausgesandten Strahlenbündels und
des Betrages der astigmatischen Differenz optimale
Abbildungsmaßstäbe sowohl für die Vertikalrichtung als auch
die Horizontalrichtung angegeben werden können.
Im Rahmen der vorstehenden Beschreibung weist die Größe γ
einen Wert von annähernd 2 auf. Wie vorstehend beschrieben,
ändert sich dieser Wert jedoch geringfügig von Fall zu
Fall, da lediglich der erste Term aus den
Entwicklungstermen herausgegriffen ist. Der Wert von
γ liegt im allgemeinen in einem Bereich von 1,8 bis 2,2.
Das vorstehend beschriebene Optimalsystem kann in der
Praxis mit Werten im Bereich von 1,2 bis 3 problemlos
arbeiten.
Der vorstehenden Erläuterung liegt die Annahme eines
Halbleiterlasers vom TEMoo-Wellentyp zugrunde. Fortschrittliche
kurze Laser erzeugen Schwingungen eines
einzigen Wellentyps, der im wesentlichen der Wellentyp
TEMoo ist, was im Einklang mit den vorstehend beschriebenen
Analysen steht. Ein langer Laser erzeugt jedoch im allgemeinen
Schwingungen mit mehreren Wellentypen. Jedoch auch
im Fall von Schwingungen mit mehreren Wellentypen, bei
denen die Hauptkomponente nicht der Wellentyp TEMoo ist,
kann Übereinstimmung mit dem Optimalsystem innerhalb eines
Bereiches von γ=1,2 bis 3 erzielt werden.
Claims (4)
1. Optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von
einem Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf einer
Abbildungsfläche, wobei die in Richtung parallel zur
Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten
Lichtstrahlen des Strahlenbündels und die in Richtung senkrecht
zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten
Lichtstrahlen des Strahlenbündels unterschiedliche
Divergenzursprungspunkte aufweisen,
dadurch gekennzeichnet,
daß mittels des optischen Abbildungssystems (6, 6a, 6b) lediglich diejenige senkrecht zur optischen Achse verlaufende Ebene, in der der Divergenzursprungspunkt der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten Lichtstrahlen liegt, zu der Abbildungsfläche konjugiert ist,
daß das Abbildungssystem unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe senkrecht und parallel zur Übergangszonenfläche bewirkt,
daß der Abbildungsmaßstab β⟂ in der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung der Gleichung 1.2 sin R0 ⟂ · Feff⟂ ≦ β⟂ ≦ 3 · sin R0 ⟂ Feff⟂genügt, wobei R0 ⟂ einen Winkel bezeichnet, bei dem die auf den Maximalwert in Bündelmitte bezogene Intensität des Strahlenbündels in der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung zu 1/e² wird, und Feff⟂ die bildseitige effektive Blendenzahl des optischen Abbildungssystems ist und definiert ist als Feff⟂= Z12 ⟂/2a⟂ mit Z12 ⟂ gleich der hauptpunktbezogenen Bildweite und 2a⟂ gleich dem Durchmesser der Eintrittspupille des optischen Abbildungssystems, jeweils in der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung, und
daß der Abbildungsmaßstab β′′ in der parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung der Gleichung genügt, wobei R0′′ einen Winkel, bei dem die auf den Maximalwert in Bündelmitte bezogene Intensität des Strahlenbündels in der parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung zu 1/e² wird, Feff′′ die bildseitige effektive Blendenzahl des optischen Abbildungssystems ist und definiert ist als Feff′′=Z12′′/2a′′ mit Z12′′ gleich der hauptpunktbezogenen Bildweite und 2a′′ gleich dem Durchmesser der Eintrittspupille des optischen Abbildungssystems, jeweils in der parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung, As den Abstand zwischen den beiden Divergenzursprungspunkten bezeichnet und k=2 π/λ ist, wobei λ eine Wellenlänge bezeichnet.
daß mittels des optischen Abbildungssystems (6, 6a, 6b) lediglich diejenige senkrecht zur optischen Achse verlaufende Ebene, in der der Divergenzursprungspunkt der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers emittierten Lichtstrahlen liegt, zu der Abbildungsfläche konjugiert ist,
daß das Abbildungssystem unterschiedliche Abbildungsmaßstäbe senkrecht und parallel zur Übergangszonenfläche bewirkt,
daß der Abbildungsmaßstab β⟂ in der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung der Gleichung 1.2 sin R0 ⟂ · Feff⟂ ≦ β⟂ ≦ 3 · sin R0 ⟂ Feff⟂genügt, wobei R0 ⟂ einen Winkel bezeichnet, bei dem die auf den Maximalwert in Bündelmitte bezogene Intensität des Strahlenbündels in der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung zu 1/e² wird, und Feff⟂ die bildseitige effektive Blendenzahl des optischen Abbildungssystems ist und definiert ist als Feff⟂= Z12 ⟂/2a⟂ mit Z12 ⟂ gleich der hauptpunktbezogenen Bildweite und 2a⟂ gleich dem Durchmesser der Eintrittspupille des optischen Abbildungssystems, jeweils in der senkrecht zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung, und
daß der Abbildungsmaßstab β′′ in der parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung der Gleichung genügt, wobei R0′′ einen Winkel, bei dem die auf den Maximalwert in Bündelmitte bezogene Intensität des Strahlenbündels in der parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung zu 1/e² wird, Feff′′ die bildseitige effektive Blendenzahl des optischen Abbildungssystems ist und definiert ist als Feff′′=Z12′′/2a′′ mit Z12′′ gleich der hauptpunktbezogenen Bildweite und 2a′′ gleich dem Durchmesser der Eintrittspupille des optischen Abbildungssystems, jeweils in der parallel zur Übergangszonenfläche des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung, As den Abstand zwischen den beiden Divergenzursprungspunkten bezeichnet und k=2 π/λ ist, wobei λ eine Wellenlänge bezeichnet.
2. Optisches Abbildungssystem nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß es auf der dem Halbleiterlaser
zugewandten Seite eine vordere, sammelnde Linsengruppe
(6a), die ein anamorphotisches System bildet, sowie
bildseitig eine hintere, sammelnde Linsengruppe aufweist.
3. Optisches Abbildungssystem nach Anspruch 2, dadurch
gekennzeichnet, daß der Divergenzursprungspunkt des
Strahlenbündels in der senkrecht zur Übergangszonenfläche
des Halbleiterlasers verlaufenden Richtung in der
objektseitigen Brennebene der vorderen Linsengruppe (6a)
liegt.
4. Optisches Abbildungssystem nach Anspruch 2 oder 3,
dadurch gekennzeichnet, daß die vordere Linsengruppe (6a)
eine sphärische Linse (6a′) und einen Strahlendehner (6a′′)
aus Zylinderlinsen aufweist, dessen afokale Vergrößerung
Γ = β⟂/β′′ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5184478A JPS54143659A (en) | 1978-04-28 | 1978-04-28 | Image forming optical system for semiconductor laser |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2917221A1 DE2917221A1 (de) | 1979-11-08 |
DE2917221C2 true DE2917221C2 (de) | 1991-10-31 |
Family
ID=12898151
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19792917221 Granted DE2917221A1 (de) | 1978-04-28 | 1979-04-27 | Optisches bilderzeugungssystem fuer halbleiterlaser |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4253735A (de) |
JP (1) | JPS54143659A (de) |
DE (1) | DE2917221A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19623270A1 (de) * | 1996-06-11 | 1998-01-15 | Juergen Rebel | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche |
DE19834805A1 (de) * | 1998-08-01 | 2000-02-17 | Highyag Lasertechnologie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Symmetrisierung von Laserstrahlen von Laserdioden-Arrays |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4362367A (en) * | 1980-07-11 | 1982-12-07 | Rca Corporation | Miniaturized symmetrization optics for junction laser |
DE3044470A1 (de) * | 1980-11-26 | 1982-06-03 | Kernforschungsanlage Jülich GmbH, 5170 Jülich | Verfahren zur moeglichst gleichmaessigen ausleuchtung einer flaeche ausgehend von einem parallelstrahlenbuendel und vorrichtung der laser-diagnostik |
FR2498341A1 (fr) * | 1981-01-20 | 1982-07-23 | Thomson Csf | Dispositif optique detecteur d'ecart de focalisation et enregistreur lecteur optique comportant un tel dispositif |
JPS57196212A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-02 | Hitachi Ltd | Optical system for semiconductor laser |
CA1204199A (en) * | 1982-02-19 | 1986-05-06 | Shigeo Kubota | Optical apparatus |
US4530574A (en) * | 1982-07-28 | 1985-07-23 | Xerox Corporation | Beam collimation and focusing of multi-emitter or broad emitter lasers |
CA1208466A (en) * | 1982-07-28 | 1986-07-29 | Donald R. Scifres | Beam collimation and focusing of multi-emitter or broad emitter lasers |
JPS5933426A (ja) * | 1982-08-19 | 1984-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光アイソレ−タの入射側における結合装置 |
US4588269A (en) * | 1984-07-05 | 1986-05-13 | Eastman Kodak Company | Apparatus which shapes gaussian beams by spherical mirrors |
JPS6118918A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-27 | Ricoh Co Ltd | ビ−ム整形光学系 |
US4656641A (en) * | 1985-02-04 | 1987-04-07 | Xerox Corporation | Laser cavity optical system for stabilizing the beam from a phase locked multi-emitter broad emitter laser |
JPH0627904B2 (ja) * | 1986-02-06 | 1994-04-13 | 旭光学工業株式会社 | レーザービームの走査光学系 |
JPH0795156B2 (ja) * | 1986-02-14 | 1995-10-11 | オムロン株式会社 | マイクロ・レンズ装置 |
HU196518B (en) * | 1986-12-22 | 1988-11-28 | Itex Kutato Fejlesztoe Termelo | Method and apparatus for the transformation and formation of laser beam |
JP2656036B2 (ja) * | 1987-05-20 | 1997-09-24 | キヤノン株式会社 | 光ヘツド |
JPH01224721A (ja) * | 1988-03-04 | 1989-09-07 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置 |
US4942583A (en) * | 1988-06-17 | 1990-07-17 | Hewlett-Packard Company | Misalignment-tolerant, grating-tuned external-cavity laser |
JP2682675B2 (ja) * | 1988-11-07 | 1997-11-26 | 株式会社リコー | 走査光学系 |
JPH0315018A (ja) * | 1989-01-13 | 1991-01-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像走査記録装置のレーザ露光装置 |
GB8905289D0 (en) * | 1989-03-08 | 1989-04-19 | Crosfield Electronics Ltd | Reducing aberrations in radiation beams |
JP2980938B2 (ja) * | 1990-04-12 | 1999-11-22 | 株式会社ニデック | 半導体レーザー光を集光するためのレンズ系 |
US5095386A (en) * | 1990-05-01 | 1992-03-10 | Charles Lescrenier | Optical system for generating lines of light using crossed cylindrical lenses |
JP2559898B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1996-12-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 光ビーム走査装置 |
US5742038A (en) | 1990-09-28 | 1998-04-21 | Symbol Technologies, Inc. | Beam shaping for optical scanners |
JPH04305615A (ja) * | 1991-04-03 | 1992-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 異方屈折力単レンズ |
US5177750A (en) * | 1991-07-30 | 1993-01-05 | Hewlett-Packard Company | Misalignment-tolerant, grating-tuned external-cavity laser with enhanced longitudinal mode selectivity |
US5499262A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor laser light source unit |
US5636059A (en) * | 1995-02-08 | 1997-06-03 | Blue Sky Research, Incorporated | Cylindrical microlens external cavity for laser diode frequency control |
US5986744A (en) * | 1995-02-17 | 1999-11-16 | Nikon Corporation | Projection optical system, illumination apparatus, and exposure apparatus |
EP0867991B1 (de) * | 1997-03-27 | 2001-05-30 | Mitsui Chemicals, Inc. | Halbleiterlaser-Lichtquelle und Festkörperlaser |
US5844723A (en) * | 1997-04-11 | 1998-12-01 | Blue Sky Research | Laser diode assembly including a carrier-mounted crossed pair of cylindrical microlenses |
JP3435311B2 (ja) * | 1997-06-19 | 2003-08-11 | 松下電器産業株式会社 | 情報読み取り装置 |
US5973853A (en) * | 1998-05-06 | 1999-10-26 | Lucent Technologies, Inc. | Cruciform cylindrical lens for elliptical beam transformation |
DE19936230C2 (de) * | 1999-08-05 | 2001-07-12 | Lissotschenko Vitalij | Abbildungsvorrichtung |
US6301059B1 (en) * | 2000-01-07 | 2001-10-09 | Lucent Technologies Inc. | Astigmatic compensation for an anamorphic optical system |
US6478452B1 (en) * | 2000-01-19 | 2002-11-12 | Coherent, Inc. | Diode-laser line-illuminating system |
US20020107510A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-08-08 | Andrews Robert R. | Laser apparatus useful for myocardial revascularization |
US6907150B2 (en) * | 2001-02-07 | 2005-06-14 | Shipley Company, L.L.C. | Etching process for micromachining crystalline materials and devices fabricated thereby |
US6885786B2 (en) | 2001-02-07 | 2005-04-26 | Shipley Company, L.L.C. | Combined wet and dry etching process for micromachining of crystalline materials |
US20030021572A1 (en) * | 2001-02-07 | 2003-01-30 | Steinberg Dan A. | V-groove with tapered depth and method for making |
US6964804B2 (en) * | 2001-02-14 | 2005-11-15 | Shipley Company, L.L.C. | Micromachined structures made by combined wet and dry etching |
US20020195417A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-12-26 | Steinberg Dan A. | Wet and dry etching process on <110> silicon and resulting structures |
TWI248244B (en) * | 2003-02-19 | 2006-01-21 | J P Sercel Associates Inc | System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot |
US20040210277A1 (en) * | 2003-04-16 | 2004-10-21 | Hans Becker | Laser and light emitting diode body irradiator method and apparatus |
JP4732711B2 (ja) | 2003-05-23 | 2011-07-27 | アイピー・キューブ・パートナーズ・カンパニー・リミテッド | 結晶性材料をマイクロマシニングするためのエッチング方法、およびこれによって製造されたデバイス |
US20050245998A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Led Healing Light, Llc | Hand held pulse laser for therapeutic use |
US20130256286A1 (en) * | 2009-12-07 | 2013-10-03 | Ipg Microsystems Llc | Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths |
CN103345036B (zh) * | 2013-07-17 | 2015-04-01 | 中国科学院半导体研究所 | 柱透镜焦距调节装置 |
US10663700B2 (en) * | 2018-01-30 | 2020-05-26 | Coherent, Inc. | Achromatic astigmatic anamorphic objective |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1040792A (en) * | 1964-02-24 | 1966-09-01 | Nat Res Dev | Optical systems for lasers |
US3407294A (en) * | 1966-03-01 | 1968-10-22 | Lear Siegler Inc | Method for redistributing laser light |
US3805347A (en) * | 1969-12-29 | 1974-04-23 | Gen Electric | Solid state lamp construction |
JPS5760693B2 (de) * | 1974-02-12 | 1982-12-21 | Sony Corp | |
JPS50158288A (de) * | 1974-06-10 | 1975-12-22 | ||
US3974507A (en) * | 1975-09-29 | 1976-08-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Conversion of stripe-geometry junction laser emission to a spherical wavefront |
JPS5311590A (en) * | 1976-07-19 | 1978-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser device |
US4185891A (en) * | 1977-11-30 | 1980-01-29 | Grumman Aerospace Corporation | Laser diode collimation optics |
-
1978
- 1978-04-28 JP JP5184478A patent/JPS54143659A/ja active Pending
-
1979
- 1979-04-25 US US06/033,255 patent/US4253735A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-04-27 DE DE19792917221 patent/DE2917221A1/de active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19623270A1 (de) * | 1996-06-11 | 1998-01-15 | Juergen Rebel | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Halbleiterlaser emittierten Strahlenbündels auf eine Abbildungsfläche |
DE19623270C2 (de) * | 1996-06-11 | 1998-05-20 | Juergen Rebel | Adaptives optisches Abbildungssystem zur Abbildung eines von einem Laser emittierten Strahlenbündels |
DE19834805A1 (de) * | 1998-08-01 | 2000-02-17 | Highyag Lasertechnologie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Symmetrisierung von Laserstrahlen von Laserdioden-Arrays |
DE19834805C2 (de) * | 1998-08-01 | 2002-03-07 | Highyag Lasertechnologie Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Symmetrisierung von Laserstrahlen von Laserdioden-Arrays |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54143659A (en) | 1979-11-09 |
US4253735A (en) | 1981-03-03 |
DE2917221A1 (de) | 1979-11-08 |
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