DE2723914A1 - Lichtfuehler - Google Patents

Lichtfuehler

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    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer

Description

Beschreibung
Die Erfindung betrifft einen Lichtfühler und insbesondere einen Diinnschicht-Lichtfühler, der beispielsweise im Zusammenhang mit einer Lichtfühleranordnung eines Faksimile-Sendegerätes oder dgl. als photoelektrischer Wandler für ein ebenes Bild verwendet werden kann.
Bis jetzt wurden in einer Reihe angeordnete Silicium-Photodioden als photoelektrische Wandler bzw. als photoelektrische Fühler oder Sensoren für ein Faksimile-Sendegerät verwendet. Ein SiIicium-Einkristall kann jedoch nur bis zu einer bestimmten Grosse und Abmessung gefertigt werden. Daher ist es schwierig, eine lineare Anordnung von Silicium- Photodioden gross bzw. lang zu machen.
Dagegen kann eine Dünnschicht-Lichtfühleranordnung, bei der eine CdSe-Schicht, eine amorphe Se-As-Te-Dünnschicht oder dgl. als Lichtfühler verwendet wird, durch Vakuumaufdampfen hergestellt und daher lang und in grossen Abmessungen gefertigt werden. Eine bei einem solchen Lichtfühler verwendete, lichtdurchlässige Elektrode weist jedoch die Nachteile auf, dass der spezifische Widerstand einer solchen Elektrode im Vergleich zu einer Metallelektrode vergleichsweise hoch ist, so dass der Verdrahtungs- bzw. Leiterwiderstand hoch wird, wenn die lichtdurchlässige Elektrode als sehr dünne, feine Elektrode für die Verdrahtung vorliegt. Wenn weiterhin auch Teile der Elektrode über das für den Lichtsignaleinfall vorgesehene Fenster lichtdurchlässig bleiben,treten zusätzliche, unerwünschte Lichtsignale auf und werden mit den eigentlichen Lichtsignalen vermischt, so dass sich die Auflösung einer Bildaufnahme verschlechtert. Ein weiterer Nachteil besteht darin, dass bei der elektrischen Verbindung der lichtdurchlässigen Elektrode und eines Drahtleiters zwei Photoätz-Vorgänge hoher Genauigkeit zur einzelnen Ausbildung der Elektrode und des Drahts oder Verbindungsleiters erforderlich sind.
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Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Lichtfühler zu schaffen, der die genannten Nachteile bekannter Lichtfühler nicht aufweist und der leicht und mit hoher Genauigkeit und geringem Ausschuss hergestellt werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss durch den in Anspruch 1 angegebenen Lichtfühler gelöst.
Der in Anspruch 10 angegebene Lichtfühler löst ebenfalls die gestellte Aufgabe.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemässen Lichtfühler sind in den Unteransprüchen angegeben.
Der erfindungsgemässe Lichtfühler besitzt ein lichtdurchlässiges Elektrodenfenster für den Lichtsignaleinfall.
Bei dem erfindungsgemässen Lichtfühler ist eine der Elektroden aus einer Doppelschicht hergestellt, die aus einer lichtundurchlässigen Metall-Dünnschicht hoher Leitfähigkeit und einer lichtdurchlässigen Leiterschicht besteht, so dass es dadurch möglich ist, die Verdrahtung bzw. Verbindung zwischen einem lichtdurchlässigen Elektrodenfenster und einer Elektrode sehr genau, zuverlässig und einfach mit dem Selbstausrichtungs-Verfahren herzustellen.
Der erfindungsgemässe Dünnschicht-Lichtfühler weist also eine auf einer Oberfläche einer dünnen Photoleiterschicht aufgebrachte lichtdurchlässige Elektrode und eine auf der anderen Oberfläche der dünnen Photoleiterschicht aufgebrachte Gegen- bzw. Zählerelektrode auf. Mit Ausnahme eines Fensters für den Lichtsignal einf all ist die lichtdurchlässige Elektrode mit einer lichtundurchlässigen Dünnschicht überzogen. Der erfindungsgemässe Lichtfühler wird insbesondere im Zusammenhang mit einer Lichtfühleranordnung für ein Faksimile-Sendegerät oder dgl. verwendet.
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Die Erfindung wird nachstehend anhand der Zeichnungen beispielsweise näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine erfindungsgemässe Ausführungsform in Aufsicht,
Fig.2A bis 2F und 2A1 bis 21" Darstellungen zur Erläuterung der Herstellungsschritte der in Fig. 1 dargestellten Anordnung, wobei die Fig. 2A bis 2F Querschnitte entlang der in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie A-A1 und die Fig. 2A' bis 2F1 Querschnitte entlang der in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie B-B' darstellen,
Fig. 3 eine Schaltungsanordnung eines Faksimile-Sendegeräts, bei dem der erfindungsgemässe Lichtfühler verwendet wird, und
Fig. 4- ein Diagramm von SignalSchwingungsformen, die an verschiedenen Schaltungspunkten der in Fig. 3 dargestellten Schaltung auftreten.
Fig. 1 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung in Aufsicht. Auf der Oberfläche eines durchsichtigen Substrates 1 befinden sich ausgedehnte streifenförmige untere Elektroden 5 sowie eine Photoleiterschicht 7· Und auf der den unteren Elektroden
5 abgewandten Seite der Photoleiterschicht 7 liegt eine obere Elektrode 8, beispielsweise eine metallische Dünnschicht. Die Bereiche 6 sind lichtdurchlässige Elektrodenfenster, auf die Lichtsignale auffallen. Da die Dünnschicht der Photoleiterschicht 7 einen hohen elektrischen Widerstand aufweist, kann die Photoleiterschicht 7 selbst nicht auseinander geschnitten werden, und nur die unteren Elektroden 5 können unterteilt sein. Bei dem in Fig. 1 dargestellten Falle dringt das einfallende Licht von unterhalb der unteren Elektroden 5 her, d. h. von der Rückseite des Zeichnungsblattes her in das lichtdurchlässige Substrat 1 ein. Das lichtdurchlässige Elektrodenfenster
6 dient dazu, den Nutzungsgrad des Lichtes zu erhöhen. Wenn die untere Elektrode 5 aus einem lichtundurchlässigen und leitenden Material, beispielsweise aus einer metallischen Dünnschicht, besteht, kann der andere Teil mit Ausnahme des Fensters für den Einfall des Lichtsignals lichtundurchlässig gemacht werden. 709848/1204
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Als Substanz, aus der diese lichtundurchlassige Dünnschicht gebildet wird, kann irgendein Material verwendet werden. Besonders vorteilhaft sind Chrom, Titan, Silber, Aluminium, Gold, Beryllium, Wismut, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Eisen, Indium, Mangan, Molybdän, Niob, Nickel, Blei, Palladium, Platin, Rhodium, Zinn, Tantal, Vanadium, Wolfram, Zink und Zirkonium.
Als Material für die Photoleiterschicht sind zahlreiche Substanzen bekannt, die alle auch im Zusammenhang mit der vorliegenden Erfindung verwendet werden können. Vorteilhaft sind dabei insbesondere eine CdSe-Schicht, eine amorphe Se-As-Te-Schicht, eine CdS-Schicht, eine Te-Schicht, eine Se-Schicht, eine As2Se-Schicht, eine CdTe-Schicht, eine Sb2S,-Schicht, eine PbO-Schicht, eine PbS-Schicht, eine amorphe Siliciumschicht, eine amorphe Ge-Schicht, eine GaAs-Schicht, eine ZnTe-Scnicht und Gemische bzw. Kombinationen davon.
Als lichtdurchlässige Leiterschichten werden bereits bekannte lichtdurchlässige Leiterschichten verwendet. Zahlreiche dieser lichtdurchlässigen Leiterschichten bestehen im wesentlichen aus Zinnoxid, Indiumoxid und dgl. Als lichtdurchlässige Leiterschicht werden bekannte lichtdurchlässige Leiterschichten verwendet. Viele dieser lichtdurchlässigen Leiterschichten bestehen im wesentlichen aus Zinnoxid, Indiumoxid usw. Um die lichtdurchlässige Leiterschicht auszubilden, ist es erforderlich, das Substrat 1 auf eine hohe Temperatur von über 500° C zu erhitzen. Um nachteilige Effekte auf der Photoleiterschicht 7 zu vermeiden, wird die lichtdurchlässige Elektrode daher vorzugsweise schon vorher auf dem Substrat 1 ausgebildet.
Der erfindungsgemässe Lichtfühler kann beispielsweise mit dem nachfolgend beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Auf einen lichtdurchlässigen Substrat, beispielsweise auf Glas« wird eine lichtdurchlässige Leiterschicht und eine lichtundurchlässige metallische Dünnschicht jeweils übereinander ausgebildet. Nach Ausbildung der metallischen Dünnschicht wird die lichtdurchlässige Leiterschicht unter Verwendung der aus-
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gebildeten metallischen Dünnschicht als Maske aufgebracht. Danach werden Teile der metallischen Dünnschicht entfernt, um die lichtdurchlässigen Elektrodenfenster für den Lichtsignaleinfall zu bilden.
Anschliessend soll die vorliegende Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen im einzelnen erläutert werden.
Beispiel 1
Fig. 1 zeigt den Elektrodenaufbau eines Lichtfühlerbereichs mit einem amorphen Se-As-Te-Halbleitersystem, wobei lichtdurchlässige Elektrodenfenster für den Lichtsignaleinfall vorgesehen sind. Die Fig. 2A bis 2F und die Fig. 2A- bis 2F' zeigen Querschnitte durch den Lichtfühlerbereich und dienen der Erläuterung der Herstellungsschritte. Die Fig. 2A bis 2F zeigen Teilquerschnitte entlang der in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie A-A1 und die Fig. 2A' bis 2F' zeigen Teilquerschnitte entlang der ebenfalls in Fig. 1 eingezeichneten Schnittlinie B-B'. Auf der Oberfläche eines Glassubstrats 1 wird eine lichtdurchlässige Leiterschicht aus Zinnoxid 2 in einer Dicke von 1000 S. aufgebracht. Darauf wird dann eine 2000 Ä dicke Chromschicht 3 aufgebracht. Die lichtundurchlässigen, streifenförmigen Elektroden werden dadurch gebildet, dass die Chromschicht 3 an Stellen, die einen nicht erforderlichen bzw. nicht gewünschten Bereich 4 in Fig. 2B und Fig. 2B1 entsprechen, durch Photoätzen entfernt wird. Daraufhin wird die verbleibende Chromschicht 3 als Maske verwendet. Die lichtdurchlässige Leiterschicht 2 aus Zinnoxid wird an Stellen, die dem unnötigen Bereich 4 in Fig. 2C und Fig. 2C entsprechen, durch Sputter-Ätzen entfernt. Auf diese Weise werden die lichtundurchlässigen, streifenförmigen unteren Elektroden 5 (an der Stelle 5 in Fig. 2C und Fig. 2C) ausgebildet. Wenn die in dieser Weise ausgebildete Chromschicht 3 an den Endbereichen (den Stellen, die in Fig. 2D und Fig. 2D1 mit dem Bezugszeichen 6 versehen sind) der unteren Elektroden 5 photogeätzt wird,
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verbleibt die lichtdurchlässige Leiterschicht 2 aus Zinnoxid an den Endbereichen und bildet die lichtdurchlässigen Elektrodenfenster 6 für den Lichtsignaleinfall. Auf dem sich auf diese Weise ergebenden Substrat wird eine 4 iim dicke Se-As-Te-Photoleiterschicht 7 unter Verwendung einer Schattenmaske durch Aufdampfen ausgebildet. Darüberhinaus ist auf der Photoleiterschicht unter Verwendung einer Schattenmaske durch Aufdampfen eine Golddünnschicht aufgebracht. Von der Seite des Substrats her fällt das Licht ein. Da bei dieser Elektrodenanordnung alle Teile mit Ausnahme der für den Lichtsignaleinfall vorgesehenen, lichtdurchlässigen Elektrodenfenster 6 mit der Chromschicht bedeckt und lichtundurchlässig sind, treten ungewünschte Lichtsignalströme nicht auf und beeinflussen die eigentlichen Lichtsignalströme nicht, so dass die Auflösung bei der Bildaufnahme sehr gut ist. Auf Grund der Chromverdrahtung ist darüberhinaus auch der Verdrahtungs-Widerstand auch dann gering, wenn eine sehr dünne, feine Verdrahtung bzw. Leiterschicht vorliegt. Mit dem vorliegenden Ausführungsbeispiel kann der Elektrodenaufbau sehr einfach hergestellt werden und weist dennoch zwei erhebliche Vorteile, nämlich eine hohe Auflösung und einen geringen Verdrahtungswiderstand auf. Darüberhinaus ist es möglich, grosse Lichtfühlerflächen zu schaffen. Daher ist der erfindungsgemasse Lichtfühler besonders als Lichtfühler für ein Faksimilegerät geeignet. Bei dem vorliegenden, zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel liegen fünf lichtdurchlässige Elektrodenfenster vor. Selbstverständlich kann die Anzahl der Fenster auch beliebig erhöht werden.
Beispiel 2
Bei diesem Ausführungsbeispiel handelt es sich um eine CdSe-Schicht-Lichtfühleranordnung mit demselben Elektrodenaufbau wie beim Beispiel 1. Anstelle der Chromschicht 3 beim Ausführungsbeispiel 1 wird im vorliegenden Falle eine 1000 8 dicke Titanschicht, eine 2/um dicke CdSe-Schicht als Photoleiterschicht 7 und eine Aluminiumschicht als obere Elektrode 8 verwendet. Wie Fig. 1 und die Fig. 2A bis 2F und 2A1 bis 2F1 zeigen, werden die streifenförmigen unteren Elektroden 5 in
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Form einer Doppelschicht, die aus einer lichtdurchlässigen Leiterschicht 2 aus Zinnoxid und einer Titanschicht 3 bestehen, auf der Oberfläche des Glassubstrats 1 ausgebildet und die Titanschicht an den Endbereichen der Doppelschicht wird entfernt, um die lichtdurchlässigen Elektrodenfenster 6 zu bilden. Dabei wird dasselbe Verfahren wie beim Ausführungsbeispiel 1 angewandt. Bei einer Substrattemperatur von 150° C wird die CdSe-Schicht der Photoleiterschicht 7 danach dem Aufdampfverfahren unter Verwendung einer Schattenmaske in einem Vakuum von 3 x 10" Torr unterzogen. Nach Abschluss des AufdampfVerfahrens wird das gesamte Substrat in einer Sauerstoffatmosphäre bei Normaldruck 1 Stunde lang auf 350° C erhitzt, um die Rekristallisation der Photoleiterschicht 7 der CdSe-Schicht zu beschleunigen und zu unterstützen, und um die Empfindlichkeit hoch zu machen. Danach wird die obere Elektrode 8 der Aluminiumschicht auf der Photoleiterschicht 7 der CdSe-Schicht durch Aufdampfen unter Verwendung einer Schattenmaske ausgebildet, wobei das Glassubstrat 1 auf Zimmertemperatur gehalten wird.
Beispiel 3
Nachfolgend soll ein Beispiel für einen photoelektrischen Wandler beschrieben werden, der ein auf einem ebenen Aufzeichnungsmedium vorliegendes Bild unter Verwendung der erfindungsgemassen Lichtfühleranordnung in seitlich aufeinanderfolgende elektrische Signale umsetzt.
Bei Verwendung des erfindungsgemassen Lichtfühlers für einen Faksimile-Sender oder dgl., wird als photoelektrischer Wandler für das ebene Bild ein System verwendet, bei dem die erfindungsgemässe Lichtfühleranordnung geradlinig angeordnet ist. Die Abtastung der Ebene wird durch die elektrische Abtastung in einer bestimmten Richtung und die mechanische Verschiebung in einer zur elektrischen Abtastrichtung senkrechten Richtung durchgeführt. Ein solches System weist hinsichtlich der Arbeitsgeschwindigkeit, Länge der Lebensdauer usw. erhebliche Vorteile auf. 709848/1204
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Fig. 3 zeigt schematisch eine Ausführungsform für eine Schaltung, mit der die elektrische Umschaltung und Abtastung durchgeführt wird und Fig. 4 gibt die SignalSchwingungsformen wieder, die bei der in Fig. 3 dargestellten Schaltung auftreten.
Fig. 3 zeigt ein optisches System und eine elektrische Schaltungsanordnung. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist nur ein Teil einer Anordnung aus Lichtfühlern dargestellt, die jeweils fünf streifenförmige Elektroden aufweisen, wogegen der andere Teil weggelassen ist.
Fig. 3 zeigt eine Bildebene 9i einen geraden Bereich 10 zum Verbinden der photoelektrischen Umsetzung (dieser gerade Bereich erstreckt sich senkrecht zum Figurenblatt), eine Beleuchtungseinrichtung 11, eine Linse 12 und einen dem geraden Bereich 10 entsprechenden Abbildungsbereich 13 auf der erfindungsgemässen Lichtfühleranordnung 30. Schalter S^ bis Sc werden in den leitenden Zustand versetzt, wenn Signale N^ bis Nr jeweils anliegen und sonst sind diese Schalter S^ bis Sc nicht-leitend (beispielsweise können als Schalter Feldeffekttransistoren verwendet werden). Eine Abtastschaltung 14 bewirkt, dass ein Startsignal M, das an einem Eingang I0 anliegt, nacheinander an die Anschlüsse I^ bis lc gelegt wird (beispielsweise kann die Abtastschaltung 14 ein Schieberegister sein). Eine Abtaststeuerstufe 15 stellt ein Taktsignal L für den Betrieb der Abtastschaltung bereit. Eine Bereitstellungsstufe 16 für das Startsignal M liefert dieses an den Anschluss 1Q der Abtastschaltung während des Zeitraumes der elektrischen Abtastung und ein Verstärker 17 verstärkt die Ausgangssignale 0 für die streifenförmigen unteren Elektroden 5· Ein Ausgangsanschluss ist mit dem Bezugszeichen 18 versehen. Eine Spannungsquelle E liefert der oberen Elektrode 8 eine Vorspannung und legt sie auf ein positives (negatives) Potential. Weiterhin ist ein Widerstand R und ein Kondensator C vorgesehen. Die elektrische Abtastung wird entlang des geraden Bereichs in der zum Zeichenblatt senkrecht liegenden Richtung X vorge-
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nommen, wogegen die mechanische Abtastung senkrecht dazu in der Y-Richtung durchgeführt wird.
Die Arbeitsweise der in Fig. 3 dargestellten Schaltung wird nachfolgend anhand von Fig. 4 erläutert. Wenn das Startsignal M anliegt, wird die Abtastschaltung 14- durch das Taktsignal L mit einer Frequenz von 500 Hz betrieben, die Schalter S^ bis Sr werden nacheinander durch die Signale N,. bis Nr in den leitenden Zustand versetzt und das Ausgangssignal 0 gelangt zum Verstärker 17· Wenn die Helligkeitsverteilung an den Punkten b^ bis br auf dem geraden Bereich 10, der in Bildebene 9 liegt und der die Zeichenebene in 90° schneidet (vgl. K in Fig. 4-), ergeben sich Ausgangssignale 0, wie sie unter 0 in Fig. 4- dargestellt sind, und die Ausgangssignale am Ausgangsanschluss stimmen mit den Helligkeitszuständen auf der Geraden K überein.
Wie bereits erwähnt, werden mit dem erfindungsgemässen Lichtfühler folgende Wirkungen erzielt: Von den Lichtsignalen auf einem geraden Bereich einer Bildebene erhält man ein reelles Bild mit ausgezeichneten Abbildungseigenschaften und hoher Helligkeit und es kann eine photoelektrische Umsetzung des ebenen Bildes zeitlich hintereinander mit hoher Auflösung zusätzlich zu einer elektrischen Schaltung und Abtastung einer Photozellenanordnung und auch zusätzlich zu der mechanischen Abtastung in einer der elektrischen Abtastrichtung orthogonalen Richtung erzielt werden.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäss Fig. 3 wird eine Linse 12 verwendet. Es ist jedoch auch eine Anordnung möglich, bei der die Lichtfühleranordnung 30 ohne Verwendung von Linsen oder Abbildungseinrichtungen nahe bei der Bildebene 9 liegt.
Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen fällt das Einfalllicht von der Seite des Glassubstrates 1 her in die Lichtfühler. Es ist jedoch auch möglich, eine Anordnung zu verwenden, bei der das Eintrittslicht von der oberen Elektroden 8 her einfällt. Diese Ausbildung kann beispielsweise dadurch realisiert
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werden, dass Fenster in der oberen Elektrode 8 auf dieselbe Weise wie bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen und keine Fenster in den unteren Elektroden 5 ausgebildet werden. Bei den zuvor beschriebenen Ausführungsformen ist die untere Elektrode 5 streifenförmig. Selbstverständlich ist es auch möglich, die obere Elektrode 8 in Streifenform auszubilden.
Die Beschreibung des erfindungsgemässen Lichtfühlers macht also deutlich, dass dieser mit Elektroden hoher Auflösung und mit einem geringen Reihenwiderstand in einfacher Weise hergestellt werden kann. Darüberhinaus kann die Lichtfühleranordnung sehr gross bzw. lang ausgeführt werden, so dass der Lichtfühler als Lichtfühler für Faksimilegeräte usw. verwendet werden kann.
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Claims (13)

SCHIFF ν. FÜNER STREHL SCHÜBEL-HOPF EBBINGHAUS FINCK MARIAHILFPLATZ 2*3, MÖNCHEN 9O 2 7 2 *ί Q 1 A POSTADRESSE: POSTFACH Θ5Ο16Ο, D-BOOO MÖNCHEN 95 * I fcO5 IH HITACHI, LTD. DA-5457 26. Mai 1977 Lichtfühler Patentansprüche
1. Dünnschicht-Lichtfühler mit einer Elektrode aus einer auf einer Oberfläche einer dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten, lichtdurchlässigen Leiterschicht und einer auf der anderen Oberfläche der dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet , dass die lichtdurchlässige Leiterschicht-Elektrode (2) mit Ausnahme eines Fensters (6) für den Lichtsignaleinfall mit einer lichtundurchlässigen Dünnschicht (3) überzogen ist.
2. Lichtfühler nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtundurchlässige Dünnschicht (3) eine Metall-Dünnschicht hoher Leitfähigkeit ist.
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3. Lichtfühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metall-Dünnschicht (3) aus wenigstens einem der Metalle Chrom, Titan, Silber, Aluminium, Gold, Beryllium, Wismut, Cadmium, Kobalt, Kupfer, Eisen, Indiem, Mangan, Molybdän, Niob, Nickel, Blei, Palladium, Platin, Rhodium, Zinn, Tantal, Vanadium, Wolfram, Zink und Zirkonium besteht.
4. Lichtfühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metall-Dünnschicht (3) eine Chrom-Dünnschicht ist.
5. Lichtfühler nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Metall-Dünnschicht (3) eine Titan-Dünnschicht ist.
6. Lichtfühler nach einem der Ansprüche 1 bis 5i dadurch gekennzeichnet, dass die Gegenelektrode (8) eine Metall-Dünnschicht ist.
7· Lichtfühler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die als Gegenelektrode (8) dienende Metall-Dünnschicht eine Aluminium-Dünnschicht ist.
8. Lichtfühler nach einem der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Photoleiterschicht (7) aus wenigstens einer CdSe-Schicht, einer amorphen Se-As-Te-Schicht» einer CdS-Schicht, einer Te-Schicht, einer Se-Schicht, einer AspSe-Schicht, einer CdTe-Schicht, einer SbpSi-Schicht, einer PbO-Schicht, einer PbS-Schicht, einer amorphen Si-Schicht, einer amorphen Ge-Schicht, einer GaAs-Schicht, einer ZnTe-Schicht und/oder einer Schicht aus einer Mischung bzw. Kombination der genannten Schichten besteht .
9· Lichtfühler nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtundurchlassige Dünnschicht (3) mit der lichtdurchlässigen Leiterschichtelektrode (2) in Berührung steht.
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10. Dünnschicht-Lichtfühler mit einer Elektrode aus einer auf einer Oberfläche einer dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten, lichtdurchlässigen Leiterschicht und einer auf der anderen Oberfläche der dünnen Photoleiterschicht aufgebrachten Gegenelektrode, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtdurchlässige Leiterschicht-Elektrode (2) auf einem lichtdurchlässigen Substrat (1), eine lichtundurchlässige Dünnschicht (3) mit Ausnahme der Stellen, die einem Fenster (6) für den Lichtsignaleinfall entsprechen, auf der lichtdurchlässigen Leiterschicht-Elektrode (2), die dünne Photoleiterschicht (7) auf wenigstens dem Fenster (6) für den Lichtsignaleinfall in der lichtdurchlässigen Leiterschicht-Elektrode (2) und die Gegenelektrode (8) auf wenigstens einem Teil der dünnen Photoleiterschicht (7) aufgebracht ist.
11. Lichtfühler nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die lichtundurchlässige Dünnschicht (3) eine Metall-Dünnschicht hoher Leitfähigkeit ist.
12. Lichtfühler nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass die dünne Photoleiterschicht (7) auch auf einem Teil der lichtundurchlässigen Dünnschicht (3) vor gesehen ist.
13. Lichtfühler nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die als Gegenelektrode (8) dienende Metall-Dünnschicht eine Gold-Dünnschicht ist.
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