DE2556456C2 - Verfahren und Vorrichtung zur automatischen Ionenimplantation bei Halbleitern - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur automatischen Ionenimplantation bei Halbleitern

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Roger B. Austin Tex. Gault
Larry F. Templeton
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Accelerators Inc., Austin, Tex.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel

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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58140961A (ja) * 1982-02-17 1983-08-20 Hitachi Ltd ウエ−ハ搬送装置
US4672210A (en) * 1985-09-03 1987-06-09 Eaton Corporation Ion implanter target chamber
JPH044518A (ja) * 1990-04-20 1992-01-09 Yazaki Corp 誘導防止テープ電線
CN116631916B (zh) * 2023-07-14 2024-01-12 深圳快捷芯半导体有限公司 一种半导体硅片局部掺杂装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2860251A (en) * 1953-10-15 1958-11-11 Rauland Corp Apparatus for manufacturing semi-conductor devices
NL276412A (https=) * 1961-03-30
US3684904A (en) * 1969-04-24 1972-08-15 Gennady Vasilievich Galutva Device for precision displacement of a solid body
US3887811A (en) * 1971-10-08 1975-06-03 Radiant Energy Systems Electro mechanical alignment apparatus for electron image projection systems

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