DE2525287A1 - ASSOCIATIVE MEMORY - Google Patents

ASSOCIATIVE MEMORY

Info

Publication number
DE2525287A1
DE2525287A1 DE19752525287 DE2525287A DE2525287A1 DE 2525287 A1 DE2525287 A1 DE 2525287A1 DE 19752525287 DE19752525287 DE 19752525287 DE 2525287 A DE2525287 A DE 2525287A DE 2525287 A1 DE2525287 A1 DE 2525287A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory
lines
associative
line
underground
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19752525287
Other languages
German (de)
Other versions
DE2525287B2 (en
Inventor
Gerhard Wolf
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19752525287 priority Critical patent/DE2525287B2/en
Priority to FR7616685A priority patent/FR2313738A1/en
Priority to NL7606019A priority patent/NL7606019A/en
Priority to BE167631A priority patent/BE842604A/en
Publication of DE2525287A1 publication Critical patent/DE2525287A1/en
Publication of DE2525287B2 publication Critical patent/DE2525287B2/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F16/00Information retrieval; Database structures therefor; File system structures therefor
    • G06F16/90Details of database functions independent of the retrieved data types
    • G06F16/903Querying
    • G06F16/90335Query processing
    • G06F16/90339Query processing by using parallel associative memories or content-addressable memories

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Databases & Information Systems (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computational Linguistics (AREA)
  • Data Mining & Analysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Assoziativspeicher nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The invention relates to an associative memory according to the preamble of claim 1.

Integrierte Bausteine zum Aufbau von Assoziativspeichern sind bereits bekannt. (Vergleiche Datenblatt TT/uL Memory 93402 der Firma Fairchild Semiconductor vom Mai 1971). Der bekannte Baustein hat mit 16 Bit eine vergleichsweise geringe Speicherkapazität. Dem Versuch, die Kapazität zu erhöhen, hat in der Vergangenheit vor allem die Zahl der innerhalb eines Bausteins realisierbaren Verknüpfungs- bzw. Speieherglieder eine Grenze gesetzt» Durch die zunehmende Beherrschung der Integrationstechnik hat sich das Problem verlagert, so daß die Grenzen mehr und mehr durch die maximale Anzahl der äußeren Anschlüsse gegeben sind. Bekanntlich sind beim Assoziativspeicher wesentlich mehr Anschlüsse als beim linear adressierten SpeicherIntegrated modules for building associative memories are already known. (Compare data sheet TT / uL Memory 93402 of Fairchild Semiconductor from May 1971). The known module has a comparatively small storage capacity of 16 bits. The attempt to increase the capacity has in the past mainly been the number of within a building block feasible linkage or storage links a limit set »Due to the increasing mastery of integration technology, the problem has shifted, so that the limits more and more are given by the maximum number of external connections. As is known, are essential in associative memory more connections than with linearly addressed memory

d"5 e erforderlich, weil zusätzliche Leitungen für/Eingabe der Maske und für die Ausgabe der Treffersignale vorgesehen werden müssen. d " 5 e required because additional lines for / input of the mask and for the output of the hit signals have to be provided.

Zwar kann die Anzahl der äußeren Anschlüsse des Bausteins dadurch verringert werden, daß die Datenleitungen sowohl für die Eingabe als auch für die Ausgabe von Daten benutzt werden, daß die für die Anwahl der Speicherplätze erforderlichen Adressendecodierer innerhalb des Bausteins integriert werden und daß die Maske ebenfalls über die Datenleitungen zugeführt wird. Die zuletzt genannte Maßnahme bedingt die Bereitstellung eines Maskenregisters innerhalb des Bausteins, was jedoch den Schaltungs- und Zeitaufwand erhöht.It is true that the number of external connections of the module can be reduced in that the data lines are used for both input and output of data are used that are necessary for the selection of the memory locations Address decoders are integrated within the module and that the mask is also supplied via the data lines will. The last-mentioned measure requires the provision of a mask register within the module, which however the circuit and time expenditure increased.

VPA 75 E 2009 She/FdIVPA 75 E 2009 She / FdI

609850/0567609850/0567

Ausgehend von der Erkenntnis, daß sich die assoziative Verarbeitung der gespeicherten Daten in den weitaus überwiegenden Fällen nur über Teile des gesamten Inhalts von Speichern mittlerer oder hoher Kapazität erstreckt, liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, Maßnahmen anzugeben, die es gestatten, die innerhalb eines integrierten Bausteins realisierbare Speicherkapazität zu erhöhen, ohne daß die Anzahl der äußeren Anschlüsse ein tragbares Maß überschreitet.Proceeding from the knowledge that the associative processing of the stored data in the vast majority of cases only over parts of the entire content of memories medium or high capacity, the invention is based on the object of specifying measures that allow to increase the storage capacity that can be realized within an integrated module without reducing the number of external Connections exceeds an acceptable level.

Gemäß der Erfindung wird diese Aufgabe durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.According to the invention, this object is achieved by the in the characterizing Part of claim 1 specified measures solved.

Neben einem besonders günstigen Verhältnis der in einem einzelnen Speicherbaustein realisierbaren Kapazität zu der Anzahl der erforderlichen äußeren Anschlüsse bietet der hierarchisch organisierte Assoziativspeicher große Vorteile bei der Verarbeitung unabhängiger Tabellen bzw. Listen, insbesondere beim Sortieren von ungeordneten abgelegten Begriffen. Jede Adresse des Untergrund-Speichers bildet einen unabhängig assoziierbaren Bereich (vergleiche Patentanmeldung P 25 05 477.7).In addition to a particularly favorable ratio of the capacity that can be realized in a single memory module to the number The hierarchically organized associative memory offers great advantages for the required external connections Processing of independent tables or lists, especially when sorting unordered stored terms. Every The address of the underground memory forms an independently associable area (see patent application P 25 05 477.7).

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels näher beschrieben. Es zeigt Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des Grundprinzips,
Fig. 2 den inneren Aufbau eines Speicherbausteins.
The invention is described in more detail below with reference to an exemplary embodiment shown in the drawing. 1 shows a schematic illustration to explain the basic principle,
2 shows the internal structure of a memory module.

Die Fig. 1 zeigt den Assoziativspeicher gemäß der Erfindung als Block, von dem eine dünne Scheibe S1 abgetrennt und ein wenig nach oben gerückt ist. Diese Scheibe S1 soll die assoziative Oberfläche darstellen. Der restliche, größere Teil S2 des Blocks bezeichnet den linear adressierbaren, nicht assoziativen Untergrund-Speicher.Fig. 1 shows the associative memory according to the invention as a block from which a thin slice S1 is separated and a has moved up a little. This slice S1 is intended to represent the associative surface. The rest of the larger part S2 of the block denotes the linearly addressable, non-associative underground memory.

Der gesamte Datenaustausch zwischen dem Assoziativspeicher und VPA 75 E 2009The entire data exchange between the associative memory and the VPA 75 E 2009

609850/0567609850/0567

seiner Umwelt erfolgt allein über seine Oberfläche. Ein direkter Zugriff zum Untergrund-Speicher ist nicht möglich.its environment occurs solely through its surface. Direct access to the underground storage is not possible.

Zur Erleichterung des Verständnisses soll zunächst davon ausgegangen werden, daß die Oberfläche durch einen voll assoziativen Speicher gebildet wird, der beispielsweise aus 64 Wortzeilen zu je 8 Byte besteht. Den einzelnen Speicherzellen sind in bekannter Weise Vergleicher zugeordnet, die zeilenweise zusammenwirken und bei Übereinstimmung des Zeileninhaltes mit dem vorgegebenen Suchbegriff ein Treffersignal abgeben. Durch eine veränderbare Maske kann der Assoziationsbereich auf Teile der Wortzeilen, gegebenenfalls bis auf ein Bit, eingeengt werden. Für die Eingabe und Ausgabe von Daten können die Zeilen des Oberflächen-Speichers getrennt ausgewählt werden. Bei der Betriebsart "Assoziieren" werden alle Zeilen gleichzeitig erfaßt.To facilitate understanding it should first be assumed be that the surface is formed by a fully associative memory, for example from 64 word lines consists of 8 bytes each. The individual memory cells are assigned comparators in a known manner, which are line-by-line cooperate and if the content of the line matches the specified search term, a hit signal hand over. A changeable mask allows the association area to cover parts of the word lines, possibly except for one Bit to be constricted. The lines of the surface memory can be selected separately for the input and output of data will. In the "Associate" operating mode, all Lines captured at the same time.

Jeder Zeile des Oberflächen-Speichers sind 2n, beispielsweise 32, durch eine"Untergrund-Adresse" adressierbare Zeilen im Untergrund-Speicher zugeordnet. Die 2n Zeilen bilden einen Untergrund-Speicherbereich. Einander entsprechende Zeilen aller Untergrund-Speicherbereiche werden durch gleiche Untergrund-Adressen erfaßt und bilden eine Untergrund-Speicherebene. Each line of the surface memory is assigned 2 n , for example 32, lines in the underground memory which can be addressed by an "underground address". The 2 n lines form an underground storage area. Corresponding lines of all underground memory areas are detected by the same underground addresses and form an underground memory level.

Über die auf diese Weise geschaffene, sehr breite Schnittstelle zwischen dem Untergrund und der Oberfläche kann in einem Speicherzyklus der gesamte Inhalt des Oberflächen-Speichers parallel in die adressierte Untergrund-Speieherebene überführt oder umgekehrt von dort übernommen werden.The very broad interface between the subsurface and the surface created in this way can be used in one Storage cycle, the entire content of the surface storage is transferred in parallel to the addressed underground storage level or vice versa can be taken over from there.

Bei der Aufteilung des Gesamtspeichers in einzelne integrierte Bausteine mit möglichst hohsm Integrationsgrad ist es zweckmäßig, zur Verringerung der Anzahl der nach außen führendenWhen dividing the total memory into individual integrated modules with the highest possible degree of integration, it is advisable to to reduce the number of people leading to the outside world

VPA 75 E ?009VPA 75 E? 009

6 0 9850/05676 0 9850/0567

Anschlüsse die Schnittstelle zwischen der Oberfläche und dem Untergrund in das Innere des Bausteins zu verlegen.Connections the interface between the surface and to lay the subsurface in the interior of the building block.

Die Fig. 2 zeigt in schematischer Darstellung ein vorteilhaftes Ausführungsbeispiel mit einer Kapazität von 1024 Bit (1 K-Bit), wobei die nach der vorher erwähnten Annahme vorhandene Kapazität des Oberflächen-Speichers nicht mitgerechnet ist. Der Baustein enthält 64 Bitelemente AS, die in vier Zeilen zu Je 16 Bitelementen angeordnet sind. Die Zeilen, die innerhalb des Bausteins im allgemeinen nur Teilworte des Gesamtspeichers umfassen, sind für Lese- oder Schreibzyklen einzeln wählbar. Hierzu wird dem Baustein über die äußeren Anschlüsse 26 und 27 eine binär codierte Oberflächen-Adresse AA zugeführt, die durch den Decodierer DA in die Form 1 aus 4 umgewandelt wird. Ein dem Decodierer DA ebenfalls zugeführtes Inhibitsignal IN (Anschluß 25) ermöglicht die Auswahl eines bestimmten Bausteines bzw. einer Gruppe aus 4 Wortzeilen der Oberfläche des GesamtSpeichers,Fig. 2 shows a schematic representation of an advantageous Embodiment with a capacity of 1024 bits (1 K-bit), the existing capacity according to the previously mentioned assumption of the surface memory is not included. The block contains 64 bit elements AS, which are arranged in four lines of 16 Bit elements are arranged. The lines within the Blocks generally only comprise partial words of the total memory, can be selected individually for read or write cycles. For this purpose, a binary-coded surface address AA is fed to the module via the external connections 26 and 27, which by the decoder DA is converted into the form 1 of FIG. An inhibit signal IN (connection 25) enables the selection of a certain module or a group of 4 word lines of the surface of the total memory,

Unter der vorher gemachten Annahme, daß die Oberfläche eine selbständig speiche:aähige Anordnung darstellt, besteht Jedes ihrer Bitelemente aus einem Speicherelement zur Speicherung eines Datenbits und einem Vergleicher zum assoziativen Vergleich des gespeicherten Datenbits mit dem betreffenden Bit des Suchbegriffs. Die Ausgänge der einzelnen Vergleicher einer Zeile werden nach einer UND-Funktion verknüpft. Die Anschlüsse 21 bis 24 dienen zur Ausgabe der Treffersignale TRa. Über die Anschlüsse 17 bis 20 werden die Treffersignale TRi vorausgehender Bausteine zugeleitet. Läßt die vorgesehene Verknüpfungsschaltung eine verdrahtete UND-Verknüpfung zu, dann können einander entsprechende Treffer-Ausgangsleitungen einfach miteinander verbunden werden und die Treffer-Eingangsleitungen sind entbehrlich. Auf diese Leitungen kann auch dann verzichtet werden, wenn die Treffersignale von allen schließlich zu einer gemeinsamen Wortzeile zusammengefaßten Zeilen der Einzelbausteine durch ein zusätzliches äußeres UND-Glied verknüpft werden.Under the previously made assumption that the surface represents an independent storage: aähiges arrangement, everything exists their bit elements from a memory element for storing a data bit and a comparator for associative comparison of the stored data bit with the relevant bit of the search term. The outputs of the individual comparators of a Lines are linked according to an AND function. The connections 21 to 24 serve to output the hit signals TRa. About the Terminals 17 to 20 are preceded by the hit signals TRi Blocks forwarded. If the logic circuit provided allows a wired AND operation, then you can Corresponding hit output lines are simply connected to one another and the hit input lines are dispensable. These lines can also be dispensed with if the hit signals from all of them ultimately lead to one common word line combined lines of the individual modules linked by an additional outer AND element will.

VPA 75 E 2009VPA 75 E 2009

603850/0567603850/0567

Für je vier Bitelemente mit dem gleichen Stellenwert in den vier Zeilen der Oberfläche in einem Baustein steht ein Anschluß 1 bis 16 für die Eingabe oder Ausgabe von Daten (Bitlei.tungen) zur Verfügung. Weiterhin sind Anschlüsse 34 bis 49 für die Eingabe der veränderbaren Maske vorgesehen. Die zuletzt genannten Anschlüsse können eingespart werden, wenn dafür in den Baustein ein 16-stelliges Register für die Zwischenspeicherung der veränderbaren Maske integriert wird. Neben dem erhöhten Schaltungsaufwand vergrößert sich dabei auch der für einen Assoziationsvorgang insgesamt benötigte Zeitaufwand, weil in einem ersten Arbeitsschritt die Maske über die Bitleitungen eingespeichert werden muß, mindestens dann, wenn sich ihr Zustand gegenüber dem vorausgehenden Assoziationsvorgang geändert hat. For every four bit elements with the same value in the four lines of the surface in one block there is a connection 1 to 16 for the input or output of data (bit lines) to disposal. Furthermore, connections 34 to 49 are provided for the input of the changeable mask. The last The connections mentioned can be saved if there is a 16-digit register in the block for intermediate storage the changeable mask is integrated. In addition to the increased circuit complexity, the for an association process required a total of time, because in a first step the mask over the bit lines must be saved, at least when their state has changed compared to the previous association process.

Die binär codierten Anweisungen für die Bestimmung der Arbeitsmodi Lesen, Schreiben oder Assoziieren werden über die Anschlüsse 32 und 33 dem Decodierer DB zugeführt und von diesem entschlüsselt. Die Steuersignale wirken sowohl auf den Oberflächenais auch auf den Untergrund-Speicher ein.The binary-coded instructions for determining the reading, writing or associating working modes are provided via the connections 32 and 33 supplied to the decoder DB and decrypted by it. The control signals act both on the surface ais also on the underground storage.

Analog der Zuordnung eines Speicherbereichs mit 2 Zeilen zu jeder Zeile des OberflächenSpeichers in der Gesamtanordnung sind auch innerhalb eines Bausteins jeder Zeile des Oberflächen Speichers 2 Zeilen entsprechender Länge eines Untergrund-Teilspeichers US zugeordnet. Dem in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind 16 Speicherzeilen zugrundegelegt ( η = 4). Die für die Adressierung des Untergrund-Speichers US erforderlichen Untergrund-Adressen UA bestehen demgemäß aus 4 Bit, die an den Anschlüssen 28 bis 31 eingespeist werden. Für die Decodierung der Untergrund-Adressen UA ist grundsätzlich nur ein Adressendecodierer je Baustein notwendig. Zur Einsparung von internen Steuerleitungen kann es jedoch zweckmäßig sein, jedem Speicherbereich oder sogar nur einem Teil eines solchen einen eigenen Adressendecodierer beizuordnen. In der Fig. 2 ist kein Decodierer für die Untergrund-Adresse UA dargestellt.Analogous to the assignment of a memory area with 2 lines to each line of the surface memory in the overall arrangement there are also 2 lines of the corresponding length of an underground sub-memory within a module of each line of the surface memory Assigned to US. The exemplary embodiment shown in FIG. 2 is based on 16 memory lines (η = 4). The one for addressing the underground storage US underground addresses UA accordingly consist of 4 bits that are fed in at connections 28 to 31. Basically, only one address decoder per module is necessary for decoding the underground addresses UA. To the However, it can be useful to save internal control lines in each memory area or even just a part to assign its own address decoder to one of these. In Fig. 2 there is no decoder for the underground address UA shown.

VPA 75 E 2009 % VPA 75 E 2009 %

609850/0567609850/0567

Der Assoziativspeicher gemäß der Erfindung kann mit bipolaren oder mit unipolaren (MOS) Elementen, insbesondere auch als sogenannter CCD-Speicher hergestellt werden. In all diesen Fällen geben die Speicherelemente nichtflüchtige, d. h. statische oder quasistatische Lesesignale ab. Da der Inhalt einer adressierten Speicherebene des Untergrund-Speichers US ohnehin zur Verfugung steht, können die Speicherzellen in der Oberfläche entfallen. Die Oberfläche besorgt dann insoweit nur noch die Verbindung zur Außenwelt.The associative memory according to the invention can with bipolar or with unipolar (MOS) elements, in particular also as so-called CCD memories are produced. In all of these cases, the storage elements are non-volatile, i.e. H. static or quasi-static read signals. Since the content of an addressed storage level in the underground storage US is already available, the storage cells in the surface can be omitted. The surface then worries about that only the connection to the outside world.

Es sei noch erwähnt, daß es zur Ermittlung freier Speicherplätze beim Einschreiben neuer Daten zweckmäßig ist, eine Speicherzelle in jeder Wortzeile des Untergrund-Speichers für die Eintragung eines Belegtbit vorzusehen. Das Belegtbit bleibt erhalten, solange der Inhalt der betreffenden Wortzeile noch aktuell ist. Die Ermittlung freier Speicherplätze erfolgt durch einen assoziativen Suchvorgang, der durch entsprechende Festlegung der Maske auf die Inhalte der betreffenden Speicherzellen in der adressierten Speicherebene beschränkt ist.It should also be mentioned that it is advisable to use a Provide memory cell in each word line of the underground memory for the entry of an occupied bit. The busy bit is retained as long as the content of the relevant word line is still up-to-date. Free storage spaces are determined by means of an associative search process, which is carried out by correspondingly setting the mask on the contents of the relevant memory cells is limited in the addressed memory level.

2 Figuren2 figures

5 Patentansprüche5 claims

VPA 75 E 2009VPA 75 E 2009

609850/0567609850/0567

Claims (5)

-7-PatentansprUche -7 claims (i_j) Aus integrierten Bausteinen aufgebauter, hierarchisch organisierter Assoziativspeicher mit wortweisem (zeilenweisent) Zugriff und mit einem durch eine wählbare Maske zu bestimmenden Assoziationsbereich innerhalb der Worte, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Baustein in sich hierarchisch organisiert ist, derart, daß eine aus mehreren Zeilen bestehende assoziative Oberfläche mit zeilenweise zusammenwirkenden assoziativen Vergleichern vorgesehen ist, die Daten von außen aufnehmen oder nach außen abgeben oder mit einem jeder Zeile zugeordneten linear adressierbaren Untergrund-(Teil-) Speicher mit 2n unabhängig von den Zeilen der Oberfläche wählbaren Zeilen austauschen kann und daß jeder Baustein Decodierer zur Anwahl der Zeilen des Oberflächen-(Teil-) Speichere und der Untergrund-(Teil-) Speicher enthält,(i_j) Associative memory built up from integrated building blocks, hierarchically organized, with word-by-word (line-by-line) access and with an association area within the words to be determined by a selectable mask, characterized in that each building block is organized hierarchically in itself, in such a way that one consists of several lines existing associative surface is provided with associative comparators interacting line by line, which can receive data from the outside or output to the outside or with a linearly addressable underground (partial) memory with 2 n lines that can be selected independently of the lines of the surface and that each module contains a decoder for selecting the lines of the surface (partial) memory and the underground (partial) memory, 2. Assoziativspeicher nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß die Oberfläche eigene Speicherzellen aufweist.2. Associative memory according to claim 1, characterized in that that the surface has its own storage cells. 3. Assoziativspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in jedem Baustein Mittel vorgesehen sind, die beim Vorliegen des Befehls "Assoziieren11 alle Zeilen der Oberfläche bzw. des Oberflächen-(Teil-) Speichers gleichzeitig aktivieren.3. Associative memory according to claim 1 or 2, characterized in that means are provided in each module which, when the command "associate 11 " is present, activate all lines of the surface or of the surface (partial) memory at the same time. 4. Assoziativspeicher nach Anspruch 3»dadurch gekennzeichnet, daß in jeden Baustein ein über die Datenleitungen ladbares Maskenregister integriert ist.4. Associative memory according to claim 3 »characterized in that that a mask register that can be loaded via the data lines is integrated in each module. 5. Assoziativspeicher nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß bei der Eingabe5. Associative memory according to one of the preceding claims, characterized in that upon input VPA 75 E 2009VPA 75 E 2009 609850/0567609850/0567 eines neuen Wertes ein Belegtbit in einer bestimmten Speicherzelle der betreffenden Wortzeile gesetzt wird und daß freie Speicherplätze durch einen Assoziationsvorgang ermittelt werden, an dem durch entsprechende Maskierung nur die bestimmten Speicherzellen der adressierten Speieherebenen teilnehmen.of a new value an occupied bit in a specific memory cell the relevant word line is set and that free memory locations are determined by an association process, in which only the specific memory cells of the addressed storage levels participate through appropriate masking. VPA 75 E 2009VPA 75 E 2009 6098S0/05676098S0 / 0567
DE19752525287 1975-06-06 1975-06-06 ASSOCIATIVE MEMORY Withdrawn DE2525287B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752525287 DE2525287B2 (en) 1975-06-06 1975-06-06 ASSOCIATIVE MEMORY
FR7616685A FR2313738A1 (en) 1975-06-06 1976-06-02 Associative store consisting of integrated modules - is hierarchically organised with wordwise or linewise access (BE061276)
NL7606019A NL7606019A (en) 1975-06-06 1976-06-03 ASSOCIATIVE MEMORY.
BE167631A BE842604A (en) 1975-06-06 1976-06-04 ASSOCIATIVE MEMORY

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19752525287 DE2525287B2 (en) 1975-06-06 1975-06-06 ASSOCIATIVE MEMORY

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2525287A1 true DE2525287A1 (en) 1976-12-09
DE2525287B2 DE2525287B2 (en) 1977-03-24

Family

ID=5948464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19752525287 Withdrawn DE2525287B2 (en) 1975-06-06 1975-06-06 ASSOCIATIVE MEMORY

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE842604A (en)
DE (1) DE2525287B2 (en)
FR (1) FR2313738A1 (en)
NL (1) NL7606019A (en)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2712575A1 (en) * 1977-03-22 1978-09-28 Walter Dipl Ing Motsch ASSOCIATIVE STORAGE SYSTEM
EP0139816A1 (en) * 1983-09-23 1985-05-08 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for searching file data corresponding to a given search key with associative devices
DE3518818A1 (en) * 1984-05-25 1985-11-28 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo DATA PROCESSING DEVICE AND METHOD AND DEVICE FOR IMPLEMENTING DATA ELEMENTS

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0035787B1 (en) * 1980-03-11 1984-10-17 Siemens Aktiengesellschaft Hybrid associative memory and its applications, particularly for sorting memorised data
DE3009317C2 (en) * 1980-03-11 1981-11-26 SIEMENS AG AAAAA, 1000 Berlin und 8000 München Hybrid associative memory
DE3009329C2 (en) * 1980-03-11 1982-04-15 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Hybrid associative memory
DE3017700A1 (en) * 1980-05-08 1981-11-12 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München MONOLITHICALLY INTEGRATED DIGITAL COMPARATOR CIRCUIT

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2712575A1 (en) * 1977-03-22 1978-09-28 Walter Dipl Ing Motsch ASSOCIATIVE STORAGE SYSTEM
EP0139816A1 (en) * 1983-09-23 1985-05-08 Siemens Aktiengesellschaft Method and device for searching file data corresponding to a given search key with associative devices
DE3518818A1 (en) * 1984-05-25 1985-11-28 Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo DATA PROCESSING DEVICE AND METHOD AND DEVICE FOR IMPLEMENTING DATA ELEMENTS

Also Published As

Publication number Publication date
FR2313738B3 (en) 1979-02-23
NL7606019A (en) 1976-12-08
BE842604A (en) 1976-12-06
DE2525287B2 (en) 1977-03-24
FR2313738A1 (en) 1976-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2803989C2 (en) Digital data storage with random access
DE2350225C2 (en)
DE2617408C3 (en) Memory module for a data processing device with a memory hierarchy
DE2163342C3 (en) Hierarchical binary storage device
DE3834759C2 (en)
DE2131066C3 (en) Arrangement for addressing a table memory
DE69131972T2 (en) Storage control unit and storage unit
DE2753063C3 (en)
DE69535672T2 (en) Synchronous NAND DRAM architecture
EP0013737A1 (en) Multilevel storage hierarchy for a data processing system
DE2310631C3 (en) Storage hierarchy for a data processing system
DE4022885C2 (en) Method for moving storage areas and hierarchy storage system
DE3618136C2 (en)
DE2230103A1 (en) ADDRESSING DEVICE FOR A MEMORY
DE2926322C2 (en) Storage subsystem
DE2515099A1 (en) CIRCUIT FOR THE CONTINUOUS GENERATION OF A LONGITUDINAL PARITY WORD FOR THE MAIN MEMORY OF A DIGITAL COMPUTER
DE69519535T2 (en) Copy procedure for a DRAM page
DE2525287A1 (en) ASSOCIATIVE MEMORY
DE3024153A1 (en) STORAGE SUBSYSTEM
DE69321544T2 (en) Semiconductor memory device
DE19924288A1 (en) Integrated memory with global amplifiers, e.g. for SGRAM
EP0965083B1 (en) Memory with redundancy circuit
DE3851210T2 (en) Data bus control of ROM units in an information processing arrangement.
DE10107833A1 (en) Computer memory arrangement, such as a bust-flash memory, has buffer memories for both command and data memories to speed operation of a bus interface
DE69423113T2 (en) IMPROVED FIELD STORAGE

Legal Events

Date Code Title Description
BHN Withdrawal