DE2436908A1 - Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung fuer halbleiterlaser - Google Patents
Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung fuer halbleiterlaserInfo
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Description
Lichtstrablenkupplungsvorrichtung für Halbleiterlaser
Die Erfindung betrifft eine Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung
zur Strahlenbündelung von Laserstrahlen mit flächen Strahlenquerschnitten
am Ausgang eines Halbleiterlasers in Laserstrahlen mit einem im wesentlichen kreisrunden Strahlenquerschnitt.
In jüngster Zeit gewinnen Laser-Nachrichtensysteme mit optischen Fasern auf Grund der beachtlichen Erfolge bei der Entwicklung
von verlustarmen optischen Fasern und langlebigen Halbleiterlasern, die eine direkte Modulation eines Lichtstrahles
ohne elektro-optische Kristalle erlauben, zunehmend rasch an Bedeutung. Um einen Ausgangslaserstrahl wirksam an eine
optische Faser anschließen und den Strahl durch die Faser mit minimalen Verlusten hindurchleiten zu können, muß der Laserstrahl
eine Lichtfleckgröße von der Eigenschwingungsart entsprechend der Fortpflanzungsschwingungsart des Strahles in der
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ORIGINAL INSPECTED
optischen Paser "besitzen. In Gaslasern zum Beispiel kann
der Ausgangsstrahl leicht an eine optische Paser gekuppelt
werden, indem die lichtfleckgröße durch ein Mikroskopobjektiv
eingestellt wird, da der Laserstrahlquerschnitt im wesentlichen kreisförmig ist. Bei Halbleiterlasern ist es jedoch aus
folgenden Gründen schwierig, den Ausgangslaserstrahl verlustarm an eine optische Faser anzuschließen. In einem Halbleiterlaser
ist die aktive Zone in ihrer Stärke und Breite begrenzt, d.h. die Stärke beträgt 0,5 bis 1 Mikron und die Breite beträgt
10 bis 20 Mikron mit dem Ergebnis, daß der Querschnitt des Laserstrahles am Ausgangsende des Lasers eine flache Gestalt
parallel zur p-n-Übergangszone aufweist. Der Laserstrahl divergiert daher beträchtlich am Ausgangsende des Halbleiterlasers.
Zum Beispiel weist der Divergenzwinkel in der Ebene normal zur p-n-Übergangsebene, d.h. der Winkel bei dem die Ausgangslichtintensität
die Hälfte ihres maximalen Wertes annimmt, die Größe von + 15 bis 25° auf. Aus diesem Grunde war es bisher
unmöglich, den LaserstrahLverlustlos an die optische Faser
anzuschließen, unabhängig davon, wie dicht die optische Faser in Reihe an den Halbleiterlaser angeschlossen wurde.
Bei einer solchen Kupplung war es unvermeidbar, daß Anteile des Laserstrahles von der optischen Paser nicht erfaßt werden,
wodurch Strahlungsverluste entstanden. Da außerdem viele Übertragungsschwingungsarten
beim Lichteinfall auf die optische Faser vorhanden sind, wird die Wellenform des Lichtstrahles bei
einer Übertragung über längere Entfernungen gestört, wodurch eine wesentliche Zunahme der Übertragungskapazität ver* eitelt
wird.
In älteren Vorschlägen wurden im Zusammenhang mit dem vorstehen
den Problem zylindrische oder halbzylindrische Linsen verwendet. Ein solches Vorgeben ist aus folgendem Grund nicht befriedigend.
Angenommen, es wird ein Ausgangslaserstrahl mit einem flachen Querschnitt von 0,8 Mikron Stärke und 6 Mikron Breite an eine
optische Faser mit einer Lichtfleckgröße bei einer Eigenscnwin-
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gungsart von 4 Mikron unter Verwendung einer halbzylindrischen Linse angekuppelt, dann muß die Brennweite der halbzylindrischen
linse 6 Mikron in Richtung der Querschnittsstärke des Strahles und 109 Mikron in Richtung der Querschnittsbreite
betragen. In der Praxis ist es aber kaum durchführbar, eine halbzylindrische Linse mit einer derart kurzen Brennweite
herzustellen.
Nach einem weiteren älteren Vorschlag wird ein lichtbündelnder
Übertragungskörper verwendet, der solche Eigenschaften aufweist, daß die Brechwertverteilung in einer Ebene normal zur optischen
Achse des Lichtübertragungskörpers durch folgende Gleichung bestimmt ist.
n(x) = n0 (I-? ax ) (1)
wobei η der Brechwert in der Achse und "A" der Parameter für
die Lichtbündelung ist, der den Wert für die Änderung der Brechwertverteilung bestimmt.
Ein Lichtübertragungsmedium der Länge 1 dient als Linse, wenn
die Brennweite fx durch die Gleichung ausgedrückt werden kann
fx = 1/ (n0 /a sin -/«Ti) (2)
Eine derartige Linse besitzt eine lichtbündelnde Funktion in der
x-Richtung. Die Entwicklung der Gleichungen (1) und (2) ist in dem Aufsatz von H. Kogelnik in "Bell System Technical Journal"
Seiten 455 bis 493, Vol. 44, Nr. 1, März 1965 aufgezeigt.
Theoretisch kann die gewünschte Lichtfleckgröße durch die Verwendung
eines lichtbündelnden Übertragungskörpers erreicht werden, in welchem die Änderung in der Brechwertverteilung in zwei
Richtungen unterschiedlich ist, die senkrecht zueinander in einer Ebene normal zur Achse des Lichtübertragungskörpers ver-
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laufen. Bei einem solchen Körper müßte die Bedingung
a„ = 10.000 mm~2 und a,, = 35 mm""2 erfüllt sein. Dabei be-
zeichnen a und a Lichtbündelungsparameter, die die Änderungen
Jt y
in den Brechwertverteilungen in den Richtungen parallel zur Stärke bzw. Breite des Mchtstrahlenquerschnittes angeben,
der auf eine optische Easer auffällt. Obgleich die Bedingung für a erreichbar ist, läßt sich die Bedingung für ax praktisch
nicht herstellen. Bisher waren noch keine Techniken anwendbar, um einen Lichtübertragungskörper anzugeben, der den vorstehenden
Bedingungen genügt.
Es ist somit Aufgabe der Erfindung, eine Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung
anzugeben, die einen Lichtstrahl mit einem flachen Querschnitt in einen Lichtstrahl mit einem kreisrunden Querschnitt
bestimmter Größe bündelt. Dabei soll die Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung
Insbesondere zum weitgehend verlustlosen Anschluß von Laserlichtstrahlen mit einem flachen Querschnitt,
die von einem Halbleiterlaser abgestrahlt werden, an eine optische Faser geeignet sein.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen ersten Lichtübertragungskörper in der Nähe des Ausganges des Halbleiterlasers
und einem zweiten Lichtübertragungskörper, dessen optische Achse koaxial zur optischen Achse des ersten Lichtübertragungskörpers
liegt, wobei in der Ebene senkrecht zu den optischen Achsen des ersten und zweiten Lichtübertragungskörpers
die Brechwertverteilung im wesentlichen proportional im Quadrat zu dem Abstand von der optischen Achse in wenigstens einer von
zwei Richtungen (x, y) abnimmt und die Gradienten a und a
Jt y
für die Brechwertverteilung in dem ersten Lichtübertragungskörper die Bedingung a >a_ (wobei a= 0 sein kann) erfüllen,
* y y
während die Gradienten a_ und a_ in dem zweiten Lichtübertragungskörper
der Bedingung ax ^ a (wobei ax « 0 sein kann) genü
gen, und der Gradient a in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene
und der Gradient a in Richtung parallel zur p-n-Übergangsebene des Halbleiterlasers verläuft.
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_5_ 2436308
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Merkmalen der ünteransprüche und der nachfolgenden Beschreibung.
Fig. 1 zeigt in schematischer, perspektivischer Darstellung eine erste Ausführung nach der Erfindung, wobei die Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung
aus einem ersten lichtbündelnden Übertragungskörper 2 besteht, der zur Umwandlung eines
Ausgangslichtstrahles mit einem flachen Querschnitt eines Halbleiterlasers 1 in einem wärmeabführenden Teil 4 in einen
Lichtstrahl mit einem kreisrunden Querschnitt dient und weiter aus einem zweiten lichtbündelnden Übertragungskörper 3 besteht,
der zur Umwandlung des Lichtstrahles mit dem kreisrunden Querschnitt in einen Lichtstrahl mit einer bestimmten kleineren
Lichtfleckgröße dient. Die beiden lichtbündelnden Übertragungskörper
2 und 3 sind auf einem Trägerteil 5 in Reihe miteinander verbunden, so daß die Achse des AusgangsStrahles
des Halbleiterlasers 1 mit den optischen Achsen der lichtbündelnden Übertragungskörper 2 und 3 zusammenfällt. Das
Trägerteil 5 ist an das wärmeabführende Teil 4 gekuppelt.
Der erste Lichtübertragungskörper 2 wird wie folgt hergestellt. Ein Glasstab von 0,3 x 2,1 mm Querschnitt mit der Wirkung
einer Linse ist in einem Ionenaustauschverfahren hergestellt worden. (Bezüglich der Ionenaustauschverfahren' wird auf die
US-Patentschrift 3 657 586 verwiesen.) Gemäß diesem Verfahren
kann ein lichtübertragender Körper mit einer gewünschten Linsenfunktion durch die Wahl der Gestalt des Querschnittes des
Glasstabes, der Zeit und der Temperatur für den Ionenaustausch gewählt werden. Der in Fig. 1 gezeigte Glasstab wurde zur
Bildung des Lichtübertragungskörpers 2 in eine Länge von 2,5 mm geschnitten und derart angeordnet, daß sich seine Höhe bzw.
Stärke in der Richtung senkrecht zur Richtung der p-n-Übergangsebene
des Halbleiterlasers erstreckt. Damit ist bei dem Lichtübertragungskörper 2 der Wert ax entsprechend dem Wert na.n
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in Gleichung (1) als Maß für die Lichtbündelungswirkung in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene im wesentlichen gleich
4,6 mm , und zwar unter der Bedingung, daß der Brechwert η des Glasstabes 1,55 und die Differenz des Brechwertes Δη
zwischen Oberfläche und dem Zentrum der Linse 0,08 beträgt. Entsprechend ist der ¥ert a als der Wert "a" in Richtung
parallel zu der p-n-Übergangsebene im wesentlichen gleich
-2
0,1 mm » Die Brennweite in den beiden Richtungen sind 0,796 mm bzw. 2,87 mm. Die lichtbündelnde Wirkung des Glasstabes war daher in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene größer als in Richtung parallel dazu und ein Ausgangslaserstrahl mit einem flachen Querschnitt, der in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene divergiert, konnte in einen Lichtstrahl mit einem kreisrunden Querschnitt mit einem Radius von etwa 100 Mikron überführt werden. Der zweite Lichtübertragungskörper 3, der aus einem Glasstab mit einer Länge von 3,6 mm und einem Durchmesser von 0,8 mm bestand, wurde einem Ionenaustauschverfahren unterworfen (entsprechend dem britischen Patent 1 266 521). Der Lichtübertragungskörper besaß eine Brechwertverteilung symmetrisch zur Achse, und zwar waren nQ = 1,55, = 0,025, a = 0,19 mm und f = 1,48 mm. Mit dem zweiten
0,1 mm » Die Brennweite in den beiden Richtungen sind 0,796 mm bzw. 2,87 mm. Die lichtbündelnde Wirkung des Glasstabes war daher in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene größer als in Richtung parallel dazu und ein Ausgangslaserstrahl mit einem flachen Querschnitt, der in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene divergiert, konnte in einen Lichtstrahl mit einem kreisrunden Querschnitt mit einem Radius von etwa 100 Mikron überführt werden. Der zweite Lichtübertragungskörper 3, der aus einem Glasstab mit einer Länge von 3,6 mm und einem Durchmesser von 0,8 mm bestand, wurde einem Ionenaustauschverfahren unterworfen (entsprechend dem britischen Patent 1 266 521). Der Lichtübertragungskörper besaß eine Brechwertverteilung symmetrisch zur Achse, und zwar waren nQ = 1,55, = 0,025, a = 0,19 mm und f = 1,48 mm. Mit dem zweiten
Lichtübertragungskörper konnte ein Lichtstrahl mit einem Radius von 100 Mikron in einen Lichtstrahl 6 von einem Radius
von etwa 4 Mikron überführt werden.
In Fig. 2 ist in perspektivischer Darstellung eine zweite Ausführung
nach der Erfindung schematisch dargestellt. Die Lichtstrahlkupplungsvorrichtung bestehtjhierbei aus einem ersten
Lichtübertragungskörper 2, der einen Ausgangsstrahl mit einem flachen Querschnitt, abgegeben von einem Halbleiterlaser 1 in
einem wärmeabführenden Teil 4, in einen Lichtstrahl mit einem elliptischen Querschnitt überführt und einem zweiten Lichtübertragungskörper
3 der den Lichtstrahl mit dem elliptischen Querschnitt in einen Lichtstrahl mit einem kreisrunden Querschnitt
mit einer bestimmten Lichtfleckgröße umwandelt. Diese Licht-
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Übertragungskörper 2 und 3 sind in Reine auf einem Trägerteil
5 miteinander verbunden, das an das wärmeabführende Teil angekuppelt ist. .
Der erste Lichtübertragungskörper wies 0,5 mm in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene, 1,53 mm in Richtung parallel zur
p-n-Übergangsebene und 1,2 mm in Übertragungsrichtung auf.
_2 In diesem Lichtübertragungskörper war "a" = 1,7 mm in Rid»·
tung senkrecht zur p-n-Übergangsebene und 0,17 mm in Richtung parallel dazu, wobei nQ = 1,55 und Δη = 0,08 war. Die
Brennweiten in den beiden Richtungen betrugen 0,495 mm bzw. 3,3 mm.
Der Ausgangsstrahl mit einem flachen Querschnitt, abgestrahlt
von dem Halbleiterlaser 1, wurde daher in einen Lichtstrahl mit einem elliptischen Querschnitt übergeführt, dessen Hauptachse
340 Mikron in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene des Halbleiterlasers 1 und dessen lebenachse 280 Mikron
parallel zur p-n-Übergangsebene aufwies. Anders gesagt divergierte
der Lichtstrahl am Austrittsende des ersten Lichtübertragungskörpers 2 mit einem Winkel, der in Richtung der
Nebenachse etwas größer war als in Richtung der Hauptachse und zwar auf Grund der Wirkung der Lichtbrechung. In dem
zweiten Lichtübertragungskörper wird entgegengesetzt zum ersten Lichtübertragungskörper der Wert der änderung der
Brechwertverteilung über seinem Querschnitt in Richtung
parallel zur p-n-Übergangsebene größer gewählt als in Richtung senkrecht dazu. Der zweite Lichtübertragungskörper 3
wies 1,4 mm in Richtung senkrecht zur p-n-Übergangsebene, 0,83 mm in Richtung parallel dazu und 6 mm in Übertragungs-
—2 richtung auf. In dieser Vorrichtung war "a" = 0,07 mm in Richtung
senkrecht zu der p-n-Übergangsebene und 0,17 mm~ in Richtung para-llel dazu, wobei η = 1,55» Δη = 0,025 betrug
und die Brennweiten in den beiden Richtungen ergaben 2,44 mm bzw. 2,52 mm. In einem derartigen Lichtübertragungskörper
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wurde ein Lichtstrahl mit einem kreisrunden Querschnitt gleich einer PleckgröSe von etwa 4 Mikron erzielt.
Bei der zweiten Ausführung nach der Erfindung läßt sich der erste und zweite Lichtübertragungakörper leicht auf einem
Trägerteil 5 anbringen. Dabei wurde eine mechanisch stabile Anordnung dadurch erhalten, daß beide Lichtübertragungskörper
einen rechteckigen Querschnitt aufwiesen.
Es M klar, daß im Rahmen der hler offenbarten Erfindung viele
Variationen möglich sind. Beispielsweise besteht die Möglichkeit, daß, anstelle eines oder beider Lichtübertragungskörper 2 und
mit Linsenfunktionen lichtbündelnde Übertragungskörper benutzt werden, die eine Linsenfunktion nur in einer Richtung in der
Ebene des Querschnittes senkrecht zur Lichtübertragungsachse aufweisen, d.h., daß sogenannte ein-dimensionale Linsen verwendet
werden. In dem ersten Lichtübertragungskörper fällt die Richtung, in der die Linsenfunktion vorhanden ist, mit der
Richtung senkrecht zu der p-n-Übergangsebene des Halbleiterlasers zusammen und in dem zweiten Lichtübertragungskörper ist die
Linsenfunktion wirksam in Richtung parallel dazu, wobei der Ausgangslaserstrahl in einen Lichtstrahl mit einem kreisrunden
Querschnitt überführt wird, der der gewünschten Lichtfleckgröße angepaßt ist.
Gemäß der Erfindung kann ein transparentes Medium, das keine Linsenfunktion aufweist, zwischen dem Halbleiterlaser 1 und
dem ersten Lichtübertragungskörper 2 sowie zwischen dem ersten und zweiten Lichtübertragungskörper 2 und 3 angeordnet werden.
Sie erfindungsgemäßen Lichtstrahlenkupplungsvorrichtungen wurden vorstehend zur Lichtkupplung an optische Fasern beschrieben.
Darüber hinaus kann die erfindungsgemäße Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung in vielfacher Weise verwendet werden. Zum Beispiel
erlaubt die Erfindung bei geeigneter Wahl der optischen Eon-
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stauten des ersten und zweiten Liehtübertragungskörpers die Abgabe eines Lichtstrahles mit einem großen Querschnitt
an die freie Umgebung.
Wie vorstehend beschrieben, ist die Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung
nach der Erfindung in der Lage, einen Ausgangslaserstrahl mit einem flachen Querschnitt in einen Lichtstrahl mit
einem runden Querschnitt gleich der gewünschten Fleckgröße zu überführen und die Erfindung macht es daher möglich, die
Größe und das Gewicht der Vorrichtung wesentlich zu reduzieren, well sie nicht auf herkömmliche optische Linsen angewiesen ist.
Da außerdem zwei lichtbündelnde Übertragungskörper anstelle von einem Lichtübertragungskörper wie bei den entsprechenden bekannten
Vorrichtungen verwendet werden, kann eine starke Lichtbundelung erzielt werden. Außerdem 1st die erfindungsgemäße Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung mechanisch besonders
stabil und kann mit einem Halbleiterlaser in einer integrierten Einheit verwendet werden, ohne daß dadurch die Vorteile der
kleinen Größe und des leichten Gewichtes eines Halbleiterlasers eingebüßt werden.
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Claims (6)
- Patentansprüchefi^jßichtstrahlenkupplungsvorrichtung zur Strahlenbündelung von Laserstrahlen mit flachen Strahlenquerschnitten am Ausgang eines Halbleiterlasers in laserstrahlen mit einem im wesentlichen kreisrunden Strahlenquerschnitt, gekennzeichnet durch einen ersten Lichtübertragungskörper (2) in der Nähe des Ausganges des Halbleiterlasers (1) und einem zweiten Lichtübertragungskörper (3), dessen optische Achse koaxial zur optischen Achse des ersten Lichtübertragungskörpers liegt, wobei in der Ebene senkrecht zu den optischen Achsen des ersten- und zweiten Lichtübertragungskörpers die Brechwertverteilung im wesentlichen proportional im Quadrat zu dem Abstand von der optischen Achse in wenigstens einer von zwei Richtungen (x, y) abnimmt und die Gradienten a und a für dieJt yBrechwertverteilung in dem ersten Lichtübertragungskörper(2) die Bedingung ax ;> a (wobei a = 0 sein kann) erfüllen, während die Gradienten a und a· in dem zweiten* yLichtübertragungskörper (3) der Bedingung ax * a (wobei a_ = 0 sein kann) genügen, und der Gradient a in RichtungJv -Λsenkrecht zur p-n-Übergangsebene und der Gradient a in Richtung parallel zur p-n-Übergangsebene des Halbleiterlasers (1) verläuft.
- 2. Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Lichtübertragungskörper (2) den Laseraustrittsstrahl mit einem flachen Strahlquerschnitt in einen Strahl mit einem kreisrunden oder elliptischen Querschnitt bündelt und der zweite Lichtübertragungskörper(3) den Strahl mit dem elliptischen oder kreisrunden Strahlquereohnitt in einen Strahl mit einem kreisrunden Querschnittvon bestimmter Lichtfleckgröße bündelt.509808/1011 ~11~
- 3. Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie zwischen dem Ausgang des Halbleiterlasers und dem Eingang einer optischen Faser eingeschaltet ist.
- 4. Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Halbleiterlaser und dem ersten Lichtübertragungskörper und/oder zwischen dem ersten und dem zweiten Lichtübertragungskörper ein transparentes Lichtleitmedium ohne lichtbündelnde Eigenschaften eingeschaltet ist.
- 5. Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß beide Lichtübertragungskörper aus optischen Fasern mit rechteckigen Querschnitten bestehen.
- 6. Lichtstrahlenkupplungsvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Lichtübertragungskörper (2, 3) mit dem Halbleiterlaser (1) eine Baueinheit bilden, wobei das Trägerteil (5) für die beiden Lichtübertragungskörper an das Trägerteil (4) für den Halbleiterlaser anschließt.509808/101 1
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP48087348A JPS5041559A (de) | 1973-08-02 | 1973-08-02 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2436908A1 true DE2436908A1 (de) | 1975-02-20 |
DE2436908B2 DE2436908B2 (de) | 1979-02-08 |
DE2436908C3 DE2436908C3 (de) | 1985-11-21 |
Family
ID=13912357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2436908A Expired DE2436908C3 (de) | 1973-08-02 | 1974-07-31 | Vorrichtung zur Bündelung von Laserstrahlen |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3894789A (de) |
JP (1) | JPS5041559A (de) |
CA (1) | CA1015187A (de) |
DE (1) | DE2436908C3 (de) |
FR (1) | FR2239780B1 (de) |
GB (1) | GB1463744A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2451018A1 (de) * | 1973-12-03 | 1975-06-05 | Nippon Selfoc Co Ltd | Injektions-halbleiterlasereinrichtung |
DE2727841A1 (de) * | 1977-06-21 | 1979-01-04 | Precitronic | Laserlichtsender, insbesondere fuer schussimulationszwecke |
US5930429A (en) * | 1997-07-01 | 1999-07-27 | Hewlett-Packard Company | Micro-photonics module integrated on a single substrate |
DE10042904A1 (de) * | 2000-08-31 | 2002-03-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterlaserchip und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaserchips |
Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1487010A (en) * | 1975-04-01 | 1977-09-28 | Standard Telephones Cables Ltd | Laser stud mounts |
JPS51139644U (de) * | 1975-04-30 | 1976-11-10 | ||
JPS51153643U (de) * | 1975-05-30 | 1976-12-08 | ||
JPS5238939A (en) * | 1975-09-23 | 1977-03-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical coupler |
FR2334967A1 (fr) * | 1975-12-09 | 1977-07-08 | Labo Electronique Physique | Dispositif optique pour l'injection d'energie rayonnante dans une fibre optique et le couplage de plusieurs fibres |
JPS5360651A (en) * | 1976-11-12 | 1978-05-31 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser with optical fibers |
JPS5390474U (de) * | 1976-12-23 | 1978-07-24 | ||
JPS5740528Y2 (de) * | 1977-01-21 | 1982-09-06 | ||
GB1558527A (en) * | 1977-07-21 | 1980-01-03 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical fibre |
US4281891A (en) * | 1978-03-27 | 1981-08-04 | Nippon Electric Co., Ltd. | Device for excellently coupling a laser beam to a transmission medium through a lens |
DE2828802A1 (de) * | 1978-06-30 | 1980-01-10 | Siemens Ag | Koppelelement zum verkoppeln zweier wellenleiter miteinander |
FR2431141A1 (fr) * | 1978-07-10 | 1980-02-08 | Thomson Csf | Source de rayonnement optique comprenant un laser semi-conducteur et des moyens d'anamorphose du faisceau emis par ce laser |
US4257672A (en) * | 1978-12-28 | 1981-03-24 | International Business Machines Corporation | Optical coupler for connecting a light source to an optical transmission line |
US4355864A (en) * | 1980-03-26 | 1982-10-26 | Sperry Corporation | Magnetooptic switching devices |
US4640585A (en) * | 1983-04-28 | 1987-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor thin film lens |
US4575194A (en) * | 1984-03-26 | 1986-03-11 | Xerox Corporation | Semiconductor laser beam collimator |
US4665529A (en) * | 1986-05-19 | 1987-05-12 | Spectra-Physics, Inc. | Laser diode pumped solid state laser with miniaturized quick disconnect laser head |
US4762386A (en) * | 1986-09-02 | 1988-08-09 | Amp Incorporated | Optical fiber assembly including means utilizing a column load to compensate for thermal effects |
US4818053A (en) * | 1986-09-02 | 1989-04-04 | Amp Incorporated | Optical bench for a semiconductor laser and method |
US4752109A (en) * | 1986-09-02 | 1988-06-21 | Amp Incorporated | Optoelectronics package for a semiconductor laser |
US4762395A (en) * | 1986-09-02 | 1988-08-09 | Amp Incorporated | Lens assembly for optical coupling with a semiconductor laser |
US4873697A (en) * | 1986-09-29 | 1989-10-10 | Siemens Aktiengesellschaft | Narrowband laser transmitter having an external resonator from which the output power can be taken |
US4810069A (en) * | 1987-09-15 | 1989-03-07 | Hoya Corporation | Collimator optical system for effecting elliptical-to-circular conversion |
US4904036A (en) * | 1988-03-03 | 1990-02-27 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Subassemblies for optoelectronic hybrid integrated circuits |
GB2220501A (en) * | 1988-07-06 | 1990-01-10 | Plessey Co Plc | Coupling waveguides using transverse cylindrical lenses |
US5114513A (en) * | 1988-10-27 | 1992-05-19 | Omron Tateisi Electronics Co. | Optical device and manufacturing method thereof |
US6785440B1 (en) | 1992-04-16 | 2004-08-31 | Coherent, Inc. | Assembly for focusing and coupling the radiation produced by a semiconductor laser into optical fibers |
DE4238434A1 (de) * | 1992-04-16 | 1993-10-21 | Adlas Gmbh & Co Kg | Anordnung zur Bündelung und Einkopplung der von einem Halbleiterlaser erzeugten Strahlung in Lichtleitfasern |
US5261017A (en) * | 1992-11-17 | 1993-11-09 | Gte Laboratories Incorporated | Optical waveguide enhanced laser to fiber coupling |
US5581414A (en) * | 1993-02-22 | 1996-12-03 | Blue Sky Research Incorporated | Microlens assemblies and couplers |
DE4404525C1 (de) * | 1994-02-12 | 1995-02-23 | Ant Nachrichtentech | Anordnung zur Anpassung unterschiedlicher Feldverteilungen von Lichtstrahlen |
JP3006832B2 (ja) * | 1996-05-14 | 2000-02-07 | 日本電気株式会社 | 発光素子と光導波路の光結合構造 |
US5796525A (en) * | 1996-10-31 | 1998-08-18 | Lightpath Technologies, Inc. | Quadaxial gradient index lens |
US6213651B1 (en) * | 1999-05-26 | 2001-04-10 | E20 Communications, Inc. | Method and apparatus for vertical board construction of fiber optic transmitters, receivers and transceivers |
US6901221B1 (en) | 1999-05-27 | 2005-05-31 | Jds Uniphase Corporation | Method and apparatus for improved optical elements for vertical PCB fiber optic modules |
JP3941334B2 (ja) * | 2000-04-20 | 2007-07-04 | 株式会社日立製作所 | 光伝送モジュールおよびそれを用いた光通信システム |
US6839474B2 (en) * | 2000-11-16 | 2005-01-04 | Shipley Company, L.L.C. | Optical assembly for coupling with integrated optical devices and method for making |
US6888984B2 (en) | 2002-02-28 | 2005-05-03 | Sarnoff Corporation | Amorphous silicon alloy based integrated spot-size converter |
US6963682B2 (en) * | 2002-03-04 | 2005-11-08 | Corning Incorporated | Beam altering fiber lens device and method of manufacture |
JPWO2007057974A1 (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-30 | 東洋ガラス株式会社 | 発光素子・光ファイバ結合モジュール及び発光素子・光ファイバ結合モジュール用部品 |
EP3336590B1 (de) * | 2014-01-29 | 2019-03-13 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Vorrichtung zur kopplung von laser und glasfaser sowie system zur übertragung eines optischen signals und übertragungsverfahren |
US10509163B2 (en) | 2016-02-08 | 2019-12-17 | Skorpios Technologies, Inc. | High-speed optical transmitter with a silicon substrate |
US10732349B2 (en) | 2016-02-08 | 2020-08-04 | Skorpios Technologies, Inc. | Broadband back mirror for a III-V chip in silicon photonics |
US10234626B2 (en) * | 2016-02-08 | 2019-03-19 | Skorpios Technologies, Inc. | Stepped optical bridge for connecting semiconductor waveguides |
US10928588B2 (en) | 2017-10-13 | 2021-02-23 | Skorpios Technologies, Inc. | Transceiver module for optical communication |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3396344A (en) * | 1964-02-24 | 1968-08-06 | Nat Res Dev | Semiconductor laser array |
GB1266521A (de) * | 1968-03-15 | 1972-03-08 | ||
US3657586A (en) * | 1968-08-21 | 1972-04-18 | Nippon Selfoc Co Ltd | Cathode ray tube faceplate formed of graded index laminated plates |
DE2205728A1 (de) * | 1972-02-08 | 1973-08-16 | Licentia Gmbh | Optisches bauelement und verfahren zur herstellung eines solchen bauelementes |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3801181A (en) * | 1968-08-10 | 1974-04-02 | Nippon Selfoc Co Ltd | Gradient index light conductor |
US3819249A (en) * | 1970-10-02 | 1974-06-25 | Licentia Gmbh | Optical coupling arrangement |
US3779628A (en) * | 1972-03-30 | 1973-12-18 | Corning Glass Works | Optical waveguide light source coupler |
US3803511A (en) * | 1972-10-18 | 1974-04-09 | Int Standard Electric Corp | Gallium arsenide laser fiber coupling |
-
1973
- 1973-08-02 JP JP48087348A patent/JPS5041559A/ja active Pending
-
1974
- 1974-07-29 US US492770A patent/US3894789A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-07-31 DE DE2436908A patent/DE2436908C3/de not_active Expired
- 1974-08-01 GB GB3405774A patent/GB1463744A/en not_active Expired
- 1974-08-01 FR FR7426823A patent/FR2239780B1/fr not_active Expired
- 1974-08-01 CA CA206,115A patent/CA1015187A/en not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3396344A (en) * | 1964-02-24 | 1968-08-06 | Nat Res Dev | Semiconductor laser array |
GB1266521A (de) * | 1968-03-15 | 1972-03-08 | ||
US3657586A (en) * | 1968-08-21 | 1972-04-18 | Nippon Selfoc Co Ltd | Cathode ray tube faceplate formed of graded index laminated plates |
DE2205728A1 (de) * | 1972-02-08 | 1973-08-16 | Licentia Gmbh | Optisches bauelement und verfahren zur herstellung eines solchen bauelementes |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
In Betracht gezogens älteres Patent: DE-PS 23 65 130 * |
The Bell System Technical Journal, Bd. 44(1965), Nr. 3, S. 455-493 * |
The Bell System Technical Journal, Bd. 51(1972), Nr. 3, S. 573-594 * |
The Bell System Technical Journal, Vol. 51, 1972, S. 573-594 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2451018A1 (de) * | 1973-12-03 | 1975-06-05 | Nippon Selfoc Co Ltd | Injektions-halbleiterlasereinrichtung |
DE2727841A1 (de) * | 1977-06-21 | 1979-01-04 | Precitronic | Laserlichtsender, insbesondere fuer schussimulationszwecke |
US5930429A (en) * | 1997-07-01 | 1999-07-27 | Hewlett-Packard Company | Micro-photonics module integrated on a single substrate |
DE10042904A1 (de) * | 2000-08-31 | 2002-03-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterlaserchip und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaserchips |
DE10042904C2 (de) * | 2000-08-31 | 2003-03-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterlaserchip mit integriertem Strahlformer und Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterlaserchips mit integriertem Strahlformer |
US6836500B2 (en) | 2000-08-31 | 2004-12-28 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1463744A (en) | 1977-02-09 |
DE2436908C3 (de) | 1985-11-21 |
JPS5041559A (de) | 1975-04-16 |
FR2239780A1 (de) | 1975-02-28 |
US3894789A (en) | 1975-07-15 |
FR2239780B1 (de) | 1981-06-19 |
CA1015187A (en) | 1977-08-09 |
DE2436908B2 (de) | 1979-02-08 |
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