DE2424422A1

DE2424422A1 - METHOD AND DEVICE FOR CONTINUOUS TREATMENT OF WORKPIECES, IN PARTICULAR SEMICONDUCTOR DEVICES, WITH LIQUIDS

Info

Publication number: DE2424422A1
Application number: DE2424422A
Authority: DE
Inventors: Roland William Anderson; Harold Freeman Jones; David Lynn Ousterling
Original assignee: Allied Chemical Corp
Current assignee: Allied Corp
Priority date: 1973-05-21
Filing date: 1974-05-20
Publication date: 1974-12-12
Also published as: GB1460360A; JPS5020670A; US3869313A; FR2230421A1; DE7417527U; FR2230421B3; IT1014209B

Description

Dr. Hans-Heinridi WillralhDr. Hans-Heinridi Willralh

Dr. Dieter Weber Dipl.-Phys. Klaus SeiffertDr. Dieter Weber Dipl.-Phys. Klaus Seiffert

PATENTANWÄLTEPATENT LAWYERS

D — 62 WIESBADEN , 16,Mai 1974 Postfadi 1327 I I/dlD - 62 WIESBADEN, May 16, 1974 Postfadi 1327 I I / dl

Gustav-Freytag-Straße 25 <S (06121) 372720 Telegrammadresse: WILLPATENTGustav-Freytag-Straße 25 <S (06121) 372720 Telegram address: WILLPATENT

File 5400-1328File 5400-1328

Allied Chemical Corporation Morristown, New Jersey 07960 U,S.A,Allied Chemical Corporation Morristown, New Jersey 07960 U, S.A,

Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichenMethod and device for continuous

Behandlung von Werkstücken, insbesondere Halbleitereinrichtungen , mit FlüssigkeitenTreatment of workpieces, in particular semiconductor devices, with liquids

Priorität: vom 21, Mai 1973 in USA, Priority : May 21, 1973 in USA,

Serial-Number 362,621Serial number 362,621

Viele der speziellen Stufen bei der Herstellung elektronischer Halbleitereinrichtungen schliessen die Verwendung flüssiger Chemikalien ein. Nach bekannten Verfahren wurde versucht, kontinuierlich arbeitende Maschinen zur Durchführung der verschiedenen Stufen bei der Herstellung elektronischer Halbleitereinrichtungen zu bekommen, wie beispielsweise gemäß den USA-Patentschriften 3 219 509, 3.388 023, 3 630 804, 3 657 O49, 3 663 724 und 3 727 620,Many of the specialized stages in the manufacture of semiconductor electronic devices include the use of liquid chemicals a. According to known methods, attempts have been made to use continuously operating machines to carry out the various stages in the manufacture of semiconductor electronic devices, such as in the United States patents 3 219 509, 3,388 023, 3 630 804, 3 657 O49, 3 663 724 and 3 727 620,

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Offensichtlich wurden jedoch derartige Vorrichtungen aus Gründen der Komplexibilität, aus Wirtschaftlichkeitsgründen, aus Sicherheitsgründen, wegen des Fehlens reproduzierbarer Ergebnisse oder aus anderen Gründen von der Halbleiterindustrie kaum angenommen/ da die Praxis der Durchführung dieser Behandlungsstufen mit flüssigen chemikalien mit Hilfe kleiner Einzelansätze in der Industrie noch weit verbreitet ist. Diese ansatzweisen Verfahren werden in kleinen Kesseln durchgeführt, die gewöhnlich weniger als 19 1 (5 Gallonen) Flüssigkeit und typischerweise etwa 3,8 1 (1 Gallone) fassen. Die Werkstücke werden manuell durch die einzelnen Verfahrens stufen transportiert. Es v/erden Facharbeiter verwendet, um diese Verfahren nach Hethoden aufgrund erfolgreicher vergangener Erfahrungen durchzuführen. Auf die Arbeiter zurückzuführende Variable, wie über- oder Unterbehandlung, Verunreinigung, ungenaue Badzusamraensetzungen und dergleichen, werden wirtschaftlich unannehmbar. Die erhaltenen Ergebnisse sind nichtso gleichmäßig, wie dies erwünscht wäre. Außerdem wird die Umweltverschmutzung durch die Ausflüsse aus diesen Ansatzverfahr&n mit flüssigen Chemikalien eine zunehmende Belastung der Halbleiterhersteller .However, such devices have become apparent for reasons the complexity, for reasons of economy, for safety reasons, because of the lack of reproducible results or for other reasons hardly adopted by the semiconductor industry / since the practice of performing these treatment steps with liquid chemicals with the help of small individual approaches is still widespread in the industry. These rudimentary procedures are carried out in small boilers, which are common Hold less than 19 liters (5 gallons) of liquid and typically about 3.8 liters (1 gallon). The workpieces are carried out manually the individual process stages are transported. It v / earth skilled workers used to make these procedures after methods due to successful to carry out past experiences. To the workers Attributable variables, such as over- or under-treatment, contamination, inaccurate bath compositions and the like, become economically unacceptable. The results obtained are not as uniform as would be desired. In addition, the Pollution from the effluents from this approach semiconductor manufacturers are increasingly exposed to liquid chemicals.

Es ist daher ein Ziel der Erfindung, eine neue Apparatur zur kontinuierlichen und automatischen Behandlung von Werkstücken mit Flüssigkeiten zu erhalten, welche einfach ist xxid mit Hilfe derer auch Massenartikel gehandhabt und behandelt werden können und dabei gleichförmige Ergebnisse liefern. Ein anderes Ziel der Erfindung besteht darin, eine Apparatur des oben beschriebenen Typs zu erhalten, die besonders für die kontinuierliche e/utomatische Her-It is therefore an object of the invention to obtain a new apparatus for the continuous and automatic treatment of workpieces with liquids, which is simple and with the aid of which even bulk articles can be handled and treated while giving uniform results. Another object of the invention is to obtain an apparatus of the type described above which is particularly suitable for continuous automatic production

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stellung elektronischer Ilalbleitereinrichtungen geeignet ist.position of electronic semiconductor devices is suitable.

Hoch ein anderes Ziel der Erfindung besteht darin, eine kontinuierliche automatische Mathode zur Herstellung elektronischer Halbleitereinrichtungen zu erhalten, welche für Massenproduktion geeignet ist und gleichmäßige und reproduzierbare Ergebnisse liefert. Noch ein anderes Ziel der Erfindung ist es, ein verbessertes Verfahren zur Herstellung elektronischer Halbleitereinrichtungen zu erhalten, das die Umweltverschmutzung durch Ausflüsse im Vergleich mit bekannten· Verfahren herabsetzt. Andere Ziele und Vorteile der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung offenbar.Another object of the invention is to provide a continuous automatic mathode for manufacturing electronic semiconductor devices which is suitable for mass production and delivers uniform and reproducible results. Yet another object of the invention is to provide an improved method of manufacturing electronic semiconductor devices to preserve the pollution caused by discharges in the Reduced compared to known processes. Other goals and Advantages of the invention will become apparent from the following description.

Die Ziele und Vorteile der Erfindung erreicht man durch eine Apparatur zur kontinuierlichen Behandlung von Werkstücken, und diese Apparatur umfaßt mehrere Behandlungskammern, von denen wenigstens eine eine Eintauchkammer ist_r die eine Flüssigkeit enthält, und von denen wenigstens eine eine Sprühkammer ist, die mit Einrichtungen zum Besprühen von in der Kammer aufgehängten Werkstücken mit Flüssigkeit ausgestattet ist, Einrichtungen zur Kontrollierung der Temperatur der Behandlungsflüssigkeit in wenigstens einer Eintauchkammer, Einrichtungen zur Aufrechterhaltung der Zusammensetzungen des flüssigen Gemisches in wenigstens einer Eintauchkammer innerhalb vorbestimmter Grenzen und Beförderungseinrichtungen zur automatischen überführung der Werkstücke von Behandlungskammer zu Behandlungskammer und zur Senkung der Werkstücke durch das obere Teil der Behandlungskammer nach einem vorbestimmten Zeitplan.The objects and advantages of the invention are achieved by an apparatus for the continuous treatment of workpieces, and this apparatus comprises a plurality of treatment chambers, of which one is an immersion chamber is at least _r contains a liquid, and one of which is a spray chamber, at least provided with means for Spraying of workpieces suspended in the chamber with liquid, devices for controlling the temperature of the treatment liquid in at least one immersion chamber, devices for maintaining the compositions of the liquid mixture in at least one immersion chamber within predetermined limits and conveying devices for the automatic transfer of the workpieces from treatment chamber to treatment chamber and lowering the workpieces through the top of the treatment chamber on a predetermined schedule.

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Die Siele und Vorteile der Erfindung vom Standpunkt des Verfahrens erreicht man durch Behandlung der Werkstücke, besonders Halbleitereinrichtungen, indem man sie, insbesondere Halbleiterblättchen, automatisch und kontinuierlich vorbestimmten Folgen von Flüssigbehandlungen nach vorbestimmten Zeitplänen unterwirft, wobei jede vorbestimmte Folge von Flüssigkeitsbehandlungen wenigstens eine Sprühbehandlung und wenigstens eine Eintauchbehandlung einschließt, die Temperatur der Behandlungsflüssigkeit während wenigstens einer Eintauchbehandlung kontrolliert wird und die Zusammensetzung eines flüssigen Behandlungsgemisches in wenigstens einer Eintauchbe handlung innerhalb vorbestimmter Grenzen gehalten wird.The goals and advantages of the invention from a process standpoint can be achieved by treating the workpieces, especially semiconductor devices, in that they, especially semiconductor wafers, automatically and continuously subjected to predetermined sequences of liquid treatments according to predetermined schedules, each predetermined sequence of liquid treatments at least one spray treatment and at least one immersion treatment includes controlling the temperature of the treatment liquid during at least one immersion treatment, and the composition of a liquid treatment mixture in at least one immersion treatment within predetermined limits is held.

In der Zeichnung bedeutetIn the drawing means

Fig. 1 eine Frontalansicht der Apparatur, die die größeren Teile der Anlage zeigt, einschließlich der Einrichtungen zum vertikalen Anheben und für den Querantrieb, Transportbügel und Plättchenträger sowie der Lage der Behandlungskammern, der Chemikalienvorratsbehälter und der Luftverteilungsgebläse. Diese Figur zeigt die Fördereinrichtung in der oberen Lage.Fig. 1 is a front view of the apparatus showing the major parts of the plant, including the vertical means Lifting and for the transverse drive, transport bracket and wafer carrier as well as the location of the treatment chambers, the chemical storage container and the air distribution fan. This figure shows the conveyor in the upper position.

Fig. 2 ist eine Seitenansicht von links in Fig. 1.FIG. 2 is a left side view of FIG. 1.

Fig» 3 ist eine Seitenansicht von rechts in Fig, 1. In dieser Figur ist die Fördereinrichtung in der unteren Stellung gezeigt.Fig. 3 is a right side view of Fig. 1. In this Figure the conveyor is shown in the lower position.

Fig. 4 ist eine Draufsicht auf die Vorrichtung gemäß Fig. 1 und xeigt weitere Einzelheiten der Einrichtung für den QuerantriebFIG. 4 is a plan view of the device according to FIG. 1 and shows further details of the device for the transverse drive

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und auch die Lage der Behandlungskammern.and also the location of the treatment chambers.

Pig« 5 ist eine grafische Darstellung der Zeitregelungsfolge der verschiedenen Operationen, die während eines typischen Verarbeitungskreislaufs vor sich gehen.Pig «5 is a graphical representation of the timing sequence of the various operations that occur during a typical processing cycle going on.

Die Fig. 6a und 6b sind Leitungsschemen eines typischen Verarbeitungssystems. Figures 6a and 6b are line diagrams of a typical processing system.

Die Apparatur umfaßt ein Gehäuse 9 _f das raahrere Behandlungskammern enthält, von denen wenigstens eine eine Eintauchkammer ist und eine Flüssigkeit enthält und von denen wenigstens eine eine Sprühkammer ist, welche mit Einrichtungen zum Aufsprühen von Flüssigkeit auf die in der Kammer aufgehängten Werkstücke ausgestattet ist. Wenigstens zwei oder eine größere Zahl von Behandlungskammern können in irgendeiner Reihenfolge vorgesehen sein, je nach den Erfordernissen der in Rede stehenden speziellen Flüssigkeitsbehandlung.The apparatus comprises a housing _9f containing larger treatment chambers, at least one of which is an immersion chamber and contains a liquid and of which at least one is a spray chamber which is equipped with means for spraying liquid onto the workpieces suspended in the chamber. At least two or a greater number of treatment chambers can be provided in any order, depending on the requirements of the particular liquid treatment under discussion.

In der in Fig, 1 gezeigten Ausführungsform sind vier Behandlungskammern 34, 35, 36 und 37 vorgesehen, die unter einem Oberteil 33 abgesetzt sind. Die Behandlungskammer 34 ist eine Eintauchkammer und mit einem kontrollierten Erhitzer 67 ausgestattet, um die Temperatur der Behandlungsflüssigkeit in dieser Kammer einzustellen, wie am besten in Fig. 6A ersichtlich ist. Ein konstantes Flüssigkeitsvolumen in dem Behandlungstank 34 wird aufrechterhalten, indem das Ventil 59 geschlossen wird und man Flüssigkeit die Steigleitung 60 hoch durch Leitung 61 zu dem Abfluß 62 flies-In the embodiment shown in Figure 1 there are four treatment chambers 34, 35, 36 and 37 are provided, which are set off under an upper part 33. The treatment chamber 34 is an immersion chamber and equipped with a controlled heater 67 to adjust the temperature of the treatment liquid in this chamber, as best seen in Figure 6A. A constant Liquid volume in the treatment tank 34 is maintained, by closing valve 59 and flowing liquid up riser 60 through line 61 to drain 62.

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sen läßt. Die Behandlungskammer 34 wird mit flüsigen Chemikalien aus den Vorratsbehältern 53 und 54 durch die Leitungen 83 bzw.lets sen. The treatment chamber 34 is filled with liquid chemicals from the storage containers 53 and 54 through the lines 83 and

84 unter Verwendung von Füllpumpen 55 und 56 gespeist. Wenn diese Chemikalien in der Behandlungskammer 34 verwendet werden, können frische Erganzungschemikalien unter Verwendung von Zumesspumpen 57 und 58 zugegeben werden. Durch verständige Verwendung dieser Zumesspumpen kann die Zusammensetzung eines Flüssigkeitsgemisches in der Behandlungskammer 34 zwischen vorbestimmten Grenzen gehalten werden. Ein Stickstoffeinperlsystem, das einen Stickstoffbehälter 89, Ventile 90 und 91 und Leitungen 92 und 93 umfaßt, sorgt für ein Bewegen und außerdem für Einrichtungen zur Messung der Lösungshöhe in dem Eintauchbehälter 34 und auch in dem Eintauchbehälter 35. In der gezeigten Ausfuhrungsform wurde die Behandlungskammer 34 als eine chemische Behandlungskammer verwendet.84 are fed using fill pumps 55 and 56. If these chemicals are used in the treatment chamber 34, can fresh make-up chemicals can be added using metering pumps 57 and 58. Through wise use These metering pumps can have the composition of a liquid mixture are maintained in the treatment chamber 34 between predetermined limits. A nitrogen bubbling system that one Nitrogen reservoir 89, valves 90 and 91, and lines 92 and 93 provide agitation as well as facilities for measuring the height of the solution in the immersion container 34 and also in the immersion container 35. In the embodiment shown, the treatment chamber 34 is used as a chemical treatment chamber.

In den Fig. 1 und 6A ist die Behandlungskammer 35 eine andere Eintauchkammer und würde in der erläuterten Ausführungsform als eine Spülkammer verwendet werden. In dieser Funktion würde die Kammer 35 beispielsweise mit entionisiertem Wasser aus dem Vorratsbehälter 63 für entionisiertes Wasser und durch die LeitungIn FIGS. 1 and 6A, the treatment chamber 35 is a different immersion chamber and would in the illustrated embodiment as a rinsing chamber can be used. In this function, the chamber 35 would, for example, contain deionized water from the storage container 63 for deionized water and by pipe

85 mit Hilfe der Pumpe 64 gefüllt werden. Ein konstantes Wasservolumen hält man in der Verfahrenskammer 35 mit Hilfe einer überlaufleitung 65 aufrecht, die ebenfalls zu dem Ablauf 62 führt.85 can be filled with the aid of the pump 64. A constant volume of water is maintained in the process chamber 35 with the aid of an overflow line 65, which also leads to the drain 62.

Wie in den Fig. 1 und 6B ersichtlich ist, ist die Behandlungskammer 36 eine Sprühkammer, die in der gezeigten Ausführungsform auch als Spülkaminer dient. Eine Spülflüssigkeit, wie entionisertes Wasser, kann aus den-Sprühkopfen 68 und 69 eisgesprüht wer-As can be seen in Figures 1 and 6B, the treatment chamber is 36 shows a spray chamber, which in the embodiment shown also serves as a rinsing chimney. A rinse liquid, such as deionized Water, can be sprayed with ice from the spray heads 68 and 69

den. Die Sprühköpfe 68 und 69 werden von der Durchpumpleitung 86 gespeist, welche durch das Ventil 37 kontrolliert wird. Verbrauchte Flüssigkeit aus der Behandlungskammer 36 fließt durch Leitung 70 zu dem Vorratsbehälter 63 (s. die Fig. 6A und 6B).the. The spray heads 68 and 69 are from the pumping line 86, which is controlled by the valve 37. Consumed Liquid from the treatment chamber 36 flows through Line 70 to reservoir 63 (see Figures 6A and 6B).

Die Behandlungskammer 37 (Fig. 6B) ist auch eine Sprühkammer, die in der gezeigten Ausfuhrungsform als eine Trockenkammer verwendet werden kann. Das Trocknen erfolgt durch Besprühen des Gegenstandes mit einem fluorkohlenstoffhaltigen Lösungsmittel, wie mit Trichlortrifluoräthan oder mit einem azeotropen Gemisch von Trichlortrifluoräthan und Isopropanol. In dieser Kammer gehaltene Werkstücke werden mit Flüssigkeit durch die Sprühköpfe und 72 besprüht. Die versprühte Flüssigkeit wird von dem Abtrennbehälter 37 mit Hilfe der Pumpe 76 durch die Leitung 88 und das Filter 78 im Kreislauf geführt.The treatment chamber 37 (Fig. 6B) is also a spray chamber, which is used in the embodiment shown as a drying chamber can be. Drying is done by spraying the article with a fluorocarbon-containing solvent, such as with trichlorotrifluoroethane or with an azeotropic mixture of trichlorotrifluoroethane and isopropanol. Held in this chamber Workpieces are sprayed with liquid through the spray heads 72 and 72. The sprayed liquid is removed from the separation tank 37 guided with the aid of the pump 76 through the line 88 and the filter 78 in the circuit.

Wenn die Pumpe 76 nicht in Betrieb ist, werden die in der Behandlungskammer 37 gehaltenen Werkstücke durch Kondensation von fluorkohlenstoffhaltigen Lösungsmitteldämpfen, die von dem siedenden Sumpf 77 entwickelt werden, erhitzt (der Dampffluß ist durch die Pfeile von dem oberen Teil des Sumpfes 77 ausgehend gezeigt). Nicht auf den Werkstücken kondensierte Dämpfe werden durch Kondensorspulen 80 kondensiert, bevor sie aus der Behandlungskammer austreten. Versprühtes fluorkohlenstoffhaltiges Lösungsmittel und kondensiertes fluorkohlenstoffhaltiges Lösungsmittel, beide verunreinigt durch Wasser von den behandelten Werkstücken, werden aus der Behandlungskammer 37 zu dem Trennbehälter 73 abgelassen. Dort werden die Dämpfe durch Kühlspiralen 74 und 75 gekühlt,When the pump 76 is not in operation, those in the treatment chamber 37 held workpieces by condensation of fluorocarbon-containing Solvent vapors evolved from the boiling sump 77 are heated (the vapor flow is through the Arrows shown starting from the upper part of the sump 77). Vapors not condensed on the workpieces are generated by condenser coils 80 condenses before they exit the treatment chamber. Sprayed fluorocarbon solvent and condensed fluorocarbon solvent, both contaminated by water from the treated workpieces drained from the treatment chamber 37 to the separation tank 73. There the vapors are cooled by cooling spirals 74 and 75,

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In dem verunreinigten Lösungsmittel enthaltenes Wasser unterliegt in dem Behälter 73 einer Phasentrennung und wird durch Leitung 81 zu dem Ablauf 62 (Fig. 6A) entfernt. Von Wasser gereinigtes fluorkohlenstoffhaltiges Lösungsmittel aus dem Trennbehälter 73 fließt durch den Ablauf 79 zu dem siedenden Sumpf 77. Dieser Sumpf ist mit einem Erhitzer 82 ausgestattet, um Lösungsmitteldampf e zu entwickeln.Water contained in the contaminated solvent undergoes phase separation in the container 73 and is passed through conduction 81 to flow 62 (Fig. 6A) removed. Fluorocarbon-containing solvent purified of water from the separation tank 73 flows through the drain 79 to the boiling sump 77. This sump is equipped with a heater 82 for solvent vapor e to develop.

Bei einer bevorzugten Ausfuhrungsform sind die Behandlungskammern als entfernbare Formen vorgesehen, die gegeneinander ausgetauscht oder zugegeben oder entfernt werden können, um eine bestimmte festgelegte Folge von Behandlungskammern zu ergeben und so eine Flexibilität beim Betrieb zu bekommen.In a preferred embodiment, the treatment chambers are intended as removable forms that can be interchanged or added or removed to a specific to result in a defined sequence of treatment chambers and thus to get flexibility in operation.

Vorzugsweise schließt die Apparatur wenigstens zwei Eintauchkammern, wie die Kammern 34 und 35, die in der Zeichnung gezeigt sind, ein. Eine erwünschte Variation, die nicht gezeigt ist, besteht im Einschluß von Einrichtungen zur Rückführung der Behandlungsflüssigkeit in wenigstens einer Eintauchkammer.The apparatus preferably includes at least two immersion chambers, such as chambers 34 and 35 shown in the drawing. A desirable variation that is not shown consists in the inclusion of means for recycling the treatment liquid in at least one immersion chamber.

Jede Eintauchkammer, d. h. jede Kammer, in der ein Flüssigkeitskörper zum Zwecke des Eintauchens von Werkstücken darin gehalten wird, kann mit Einrichtungen versehen sein, die das Flüssigkeitsvolumen in der Kammer innerhalb vorbestimmter Grenzen automatisch halten.Each immersion chamber, i. H. any chamber in which a body of liquid is held for the purpose of immersing workpieces therein may be provided with means that automatically adjust the volume of liquid in the chamber within predetermined limits keep.

Bei einem typischen Ausstreifverfahren mit lichtelektrischen Widerständen sind vorzugsweise die erste und die zweite Kammer in der Folge Eintauchkammern, während die dritte Kalter eine Sprüh*-In a typical stripping process with photoelectric resistors The first and second chambers are preferably immersion chambers, while the third cold chamber is a spray * -

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kammer ist. Dies entspricht den Kamme5₁34, 35 und 36, die in den"Fig, 6A und 6B gezeigt sind.chamber is. This corresponds to the Kamme5 ₁ 34, 35 and 36, which are shown in "Figure 6A and 6B.

Ein wesentlicher Teil der Apparatur ist eine Fördereinrichtung für die automatische überführung der Werkstücke von Behandlungskammer zu Behandlungskammer und zur Absenkung der Werkstücke durch den oberen Teil der Behandlungskammern nach einer vorbestimmten Zeitregulierung,An essential part of the apparatus is a conveyor device for the automatic transfer of the workpieces from treatment chamber to treatment chamber and for lowering the workpieces through the upper part of the treatment chambers according to a predetermined time regulation,

Eine erläuternde Fördereinrichtung ist im einzelnen in den Fig. 1 bis 4 gezeigt und umfaßt sine Einrichtung zur vertikalen Anhebung, die aus einem linken Teil 10 und einem rechten Teil 11 zusammengesetzt ist. Die vertikalen Hebeteile 10 und 11 sind durch Hebestäbe 12 und 13 mit einer Querantriebseinrichtung verbunden. Die Querantriebseinrichtung besteht aus einer oberen und einer unteren Querkette 14 bzw. 15, die un das linke Kattenzahnrad 16 bzw. das rechte Kettenzahnrad 17 laufen. Das linke Kettenzahnrad ist mit dem Querantriebsmotör 18 über das angetriebene Sahnrad 19,. die angetriebene Kette 20 und den Querantrieb 21 verbunden. Verbunden mit den Querketten sind Transportarme 22, 23, 24, 25, 26 und 27. Auf den Transportarmen befestigt sind Flattchenbehälterträger 28, 29, 30, 31 und 32. Diese Plättchenbehälterträger, die korbartige Teile sind, erleichtern die Handhabung der Plättchen, die in Mulden oder Haltern getragen werden, die gewöhnlich als Plättchenboote bekannt sind. Die Körbe umfassen eine Reihe von Schlitzen und Rippen, die eine offene Gitterkonstruktion bilden. Die Körbe bestehen aus einem Material, das von der Behandlungsflüssigkeit nicht angegriffen wird,An illustrative conveyor is shown in detail in Figures 1 through 4 and includes its means for vertical elevation, which is composed of a left part 10 and a right part 11. The vertical lifting members 10 and 11 are connected by lifting rods 12 and 13 to a transverse drive device. The transverse drive device consists of an upper and a lower transverse chain 14 and 15, respectively, which unite the left sprocket 16 or the right chain sprocket 17 are running. The left sprocket is driven with the transverse drive motor 18 via the Creamer 19 ,. the driven chain 20 and the transverse drive 21 are connected. Connected to the cross chains are transport arms 22, 23, 24, 25, 26 and 27. Flattened container carriers 28, 29, 30, 31 and 32 are attached to the transport arms. the basket-like parts facilitate the handling of the plates, which are carried in hollows or holders, commonly known as platelets. The baskets comprise a series of slots and ribs that form an open grid construction. The baskets are made of a material which is not attacked by the treatment liquid,

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wie aus einem rostfreien Stahl, der mit einem Fluorpolymer überzogen ist. Die Träger sollten einen leichten Kontakt der Flüssigkeiten mit den Plättchen in den Körben und einen leichten Ablauf der Flüssigkeiten aus den Körben erlauben.like a stainless steel coated with a fluoropolymer is. The carrier should have a light contact of the liquids with the platelets in the baskets and a light one Allow the liquids to drain from the baskets.

Wie in Fig. 1 gezeigt ist, werden die Träger bis etwas oberhalb der Gegendecke 33 angehoben. Die Behandlungskammern 34, 35, 36 und 37 sind unterhalb der Gegendecke abgesetzt. Die BeIadungs- und Ent1ε d ungsStationen für die Apparatur werden von dem Gegendeckenbereich zwischen den Transportarmen 22 bzw. 27 gebildet.As shown in FIG. 1, the carriers are raised to a little above the counter-ceiling 33. The treatment chambers 34, 35, 36 and 37 are set off below the opposite ceiling. The cargo and Ent1ε d ungsstationen for the apparatus are from the counter-ceiling area between the transport arms 22 and 27, respectively.

Bsi einer bevorzugten Ausführungsform sind Einrichtungen vorgesehen, die eine Atmosphäre von reiner filtrierter Luft nahe der Stelle ergeben, wo die Werkstücke aus der Apparatur genommen werden, d. h. nahe der Entlad.ungsstation. In der in der Zeichnung und besonders in den Hg.l und 3 gezeigten Ausführungsform erfolgt dies mit einem System von Gebläsen und Prallwänden. Das Eingangsgebläse 38 wird von dem Motor 39 angetrieben und bläst reine Luft aus einem Filter (nicht gezeigt) in laminarem Strom in die rechte Luftverteilerzone der Apparatur, die der Bereich rechts von der Prallwand 45 ist, wie man in Fig. 1 sieht. Die Funktion dieses Luftstromes ist nicht nur die, eine reine Luftatmosphäre in der Entladestation zu bekommen, sondern auch die, LösungsmÄeldämpfe aus der Behandlungskammer 37 zu verdrängen, um sie schließlich durch erwünschte Kanäle abzusaugen. Das Luftverteilergebläse 40 saugt Luft aus der rechten Luftverteilerzone und schafft eine Zirkulation,, die "Luft aufwärts durch dieIn a preferred embodiment, devices are provided which result in an atmosphere of pure filtered air near the point where the workpieces are removed from the apparatus be, d. H. near the unloading station. In the in the drawing and particularly in FIGS. 1 and 3 embodiment shown this is done with a system of fans and baffles. The inlet fan 38 is driven by the motor 39 and blows clean air from a filter (not shown) in a laminar flow into the right air distribution zone of the apparatus which is the area to the right of the baffle 45, as can be seen in FIG. The function of this air flow is not just to create a pure air atmosphere in the unloading station, but also to displace the solvent vapors from the treatment chamber 37, in order to finally suck them off through desired channels. The air distribution fan 40 draws air from the right air distribution zone and creates a circulation of "the" air up through the

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linke Luftverteilerzone, die durch die Prallplatte 45 begrenzt ist, zu dem Sauggebläse 41 verteilt, welches dann die Luft aus dem System absaugt. Dämpfer 94 und 95 auf den Gebläsen 38 bzw. 40 ergeben eine Kontrolle über das Gleichgewicht der Luftverteilung in dem System. In der Zeichnung, besonders in den Figr 1 und 3, zeigen die Pfeile die Richtung des Luftzirkulationssystems ,left air distribution zone bounded by baffle plate 45 is distributed to the suction fan 41, which then sucks the air out of the system. Damper 94 and 95 on fans 38 and 40 provide control over the balance of air distribution in the system. In the drawing, especially in Figs 1 and 3, the arrows show the direction of the air circulation system ,

In dem unteren Vorderabschnitt der Apparatur sind entfernbare Platten 42 und 43 angebracht, die eine Wartung der Apparatur erleichtern, und ein Zugangstor 44 ist vorgesehen, hinter dem die Vorratsbehälter für die Chemikalien, die Chemikalienbeaufschlagungspumpen und die Chemikalienzumesspumpen (nicht gezeigt) liegen, Fig. 2 zeigt klarer die Lage des Absaug- oder Ventilatorgebläsemotors 47 und den hinteren Transportarm 46, der mit der Transportantriebeinrichtung in einer Position gegenüber dem Vorderarm 22 verbunden ist. In dieser Figur ist auch das Hinterkantenprofil der mittigen Luftprallwand 45 gezeigt. Der hintere Zuschnitt dieser Prallwand gestattet die überführung von Transportarmen und Plättchenbooten bzw. Plättchenkorbträgern von einer Behandlungskammer der Apparatur zur anderen.In the lower front section of the apparatus are removable Panels 42 and 43 are attached to facilitate maintenance of the apparatus, and an access gate 44 is provided behind which the Storage tanks for the chemicals, the chemical application pumps and the chemical metering pumps (not shown) are located, Fig. 2 shows more clearly the location of the suction or fan blower motor 47 and the rear transport arm 46, which with the Transport drive means is connected in a position opposite the forearm 22. In this figure is also the trailing edge profile the central air baffle 45 is shown. The rear cut of this baffle allows the transfer of transport arms and platelet basket carriers from one treatment chamber of the apparatus to another.

Die Lage des Luftverteilungsmotors 49 kann klar aus Fig. 3 entnommen werden. Auch ist in dieser Figur ein anderer Transportart 48 sichtbar, der auch mit der Transportantriebseinrichtung verbunden ist und hinter dem Transportarm 27 liegt.The location of the air distribution motor 49 can be clearly seen in FIG will. Another type of transport 48 is also visible in this figure, the one also with the transport drive device is connected and is behind the transport arm 27.

In Fig. 4 sind weitere Einzelheiten der QuerantriebseinrichtungIn Fig. 4 are further details of the transverse drive device

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zu sehen. Besonders sieht man das Antriebskettenrad 50, das Teil des Transportantriebs 21 ist und das über die Antriebskette 20 mit dem angetriebenen Kettenrad 19 verbunden ist.Die mittige Lage der Behandlungskammern 34, 35, 36 und 37 sowie das Lufteingangsfilter 51 und der Absauggebläseschacht 52 sind am besten in dieser Figur zu sehen.to see. You can especially see the drive sprocket 50, the Part of the transport drive 21 and which is connected to the driven sprocket 19 via the drive chain 20 Location of the treatment chambers 34, 35, 36 and 37 and the air inlet filter 51 and the exhaust fan duct 52 are best seen in this figure.

Die Apparatur nach der Erfindung kann auf irgendeinem Anwendungsgebiet eingesetzt werden, bei dem es erwünscht ist, kontinuierlich Werkstücke mit Flüssigkeiten zu behandeln. Sie ist besonders geeignet für Verfahren mit flüssigen Chemikalien, die bei der Herstellung elektronischer Halbleitereinrichtungen verwendet werden. Diese Verfahren können durch Einarbeiten in ein System des beschriebenen Typs in irgendeiner Zahl und Reihenfolge durchgeführt werden.The apparatus according to the invention can be used in any field of application can be used where it is desirable to continuously treat workpieces with liquids. She is special suitable for liquid chemical processes used in the manufacture of semiconductor electronic devices. These procedures can be performed in any number and order by being incorporated into a system of the type described will.

Die Verfahren mit flüssigen Chemikalien bei der Herstellung elektronischer Kalbleitereinrichtungen sind allgemein jene, die die Entfernung von etwas Material von dem Halbleitersubstrat einschliessen. Zu entfernendes Material kann entweder flüssig oder fest sein und kann entweder eine Verunreinigung, eine Schutzschicht oder eine Substratschicht gewesen sein. Das Material kann durch die flüssige Chemikalie entweder mit physikalischen oder chemischen Mitteln entfernt werden. Die Natur des zu entfernenden Materials kann organisch oder anorganisch sein oder Halbleitermaterial sein. Spezielle Beispiele für Verfahren der betrachteten Art mit flüssigen Chemikalien sind die Entfernung eines speziellen Materials über Waschverfahren, die Entfernung von Wasser ent-The liquid chemical processes in the manufacture of electronic caliper devices are generally those that do include removing some material from the semiconductor substrate. Material to be removed can be either liquid or solid and can either be an impurity, a protective layer or a substrate layer. The material can be either physical or by the liquid chemical chemical agents are removed. The nature of the material to be removed can be organic or inorganic, or semiconductor material be. Specific examples of processes of the type under consideration with liquid chemicals are the removal of a specific one Materials through washing processes, the removal of water

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weder durch Lösen oder durch FlüssigkeitsVerdrängung, die Entfernung organischer Polymerer lichtelektrischer Widerstandsmaterialien durch chemische Oxidation und Auflösung von Rückständen sowie die selektive Entfernung von Siliciumdioxid von Siliciumsubstraten durch geeignete Auswahl wässriger Lösungen. Diese Verfahren werden oft in Kategorien eingestuft, wie Reinigen, Polieren, Ätzen, Ausstreifen und Trocknen.neither by loosening nor by liquid displacement, the removal organic polymer photoelectric resistance materials by chemical oxidation and dissolution of residues and the selective removal of silicon dioxide from silicon substrates by appropriate selection of aqueous solutions. These procedures are often categorized as cleaning, polishing, etching, stripping, and drying.

ReinigenClean

Reinigen schließt gewöhnlich die Entferung von oberflächlichem Schmutz, Ölfilmen oder natürlichen Oxidschichten ein. Eine Vielzahl von Substraten kann hiervon betroffen sein. Halbleitersubstrate sind beispielsweise Plättchen (wafers) aus Materialien der Gruppe IV des Periodensystems der Elemente, wie aus Silicium und Germanium, oder Materialien der Gruppen IH-V, wie Galliumarsenid, Galliumphosphid, Galliumarsenidphosphid, Indiumaluminlumphosphid und andere. Dielektrische Substrate sind beispielsweise Aluminiumoxidvierecke, Saphirplättchen, Granatlegierungsplättchen oder dielektrische Außenschichten von Siliciumdioxid oder Siliciumnitrid auf Siliciumplättchen. Außerdem kommen Glasplatten in Betracht, die für Masken mit und ohne Photoemulsion oder metallische überzüge verwendet v/erden.Cleaning usually includes removal of the superficial Dirt, oil films or natural oxide layers. A wide variety of substrates can be affected. Semiconductor substrates are, for example, wafers made of materials from Group IV of the Periodic Table of the Elements, such as silicon and germanium, or Group IH-V materials such as gallium arsenide, gallium phosphide, gallium arsenide phosphide, indium aluminum phosphide and other. Dielectric substrates are, for example, aluminum oxide squares, sapphire platelets, and garnet alloy platelets or outer dielectric layers of silicon dioxide or silicon nitride on silicon wafers. Also come Glass plates are considered, which are used for masks with and without photo emulsion or metallic coatings.

Die Reinigungsflüssigkeiten können aus einem weiten Bereich von Materialien ausgewählt werden und hängen im wesentlichen von den zu entfernenden Verunreinigungen und der Verträglichkeit der Reinigungsflüssigkeit gegenüber dem Substrat ab. übliche Lösungs-The cleaning fluids can be selected from a wide range of materials and depend essentially on the impurities to be removed and the compatibility of the cleaning fluid compared to the substrate. usual solution

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mittel sind organische Lösungsmittel, wie Methyl- und Isopropy!alkohol, Aceton, Tri- und Tetrachloräthylen und Trichlortrifluoräthan. Wässriges Reinigen benutzt gewöhnlich Schwefelsäure, Salpetersäure,Chromsäure, Phosphorsäure, Chlorwasserstoffsäure, Fluorwasserstoffsäure und Kombinationen hiervon. Übliche Säuregemische sind Salpetersäure mit Schwefelsäure, Chromsäure mit Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid in Kombination entweder mit Schwefelsäure oder mit Chlorwasserstoffsäure oder mit Ammoniumhydroxid, Verdünnte wässrige Fluorwasserstoffsäure wird zur Entfernung von Oxidspuren verwendet. Die Reinigungsbedingungen können weitgehend variieren, wie von Raumtemperatur bis 100°C, und sie können die Verwendung verdünnter Reinigungsmittel oder konzentrierter Mittel einschliessen.Medium are organic solvents such as methyl and isopropyl alcohol, Acetone, tri- and tetrachlorethylene and trichlorotrifluoroethane. Aqueous cleaning usually uses sulfuric acid, Nitric acid, chromic acid, phosphoric acid, hydrochloric acid, Hydrofluoric acid and combinations thereof. Usual acid mixtures are nitric acid with sulfuric acid, chromic acid with Sulfuric acid and hydrogen peroxide in combination either with sulfuric acid or with hydrochloric acid or with ammonium hydroxide, Dilute aqueous hydrofluoric acid is used to remove trace oxide. The cleaning conditions can vary widely, such as from room temperature to 100 ° C, and they can use dilute detergents or more concentrated detergents Include funds.

Polierenpolishing

Chemisches Polieren ist die Methode, die eine Substratoberfläche durch selektive Auflösung von hohen Flecken oder Unregelmäßigkeiten auf der Oberfläche glättet. Die Spitzen werden leichter gelöst als tiefliegende Bereiche, und in letzteren tritt nur ein minimaler Angriff-ein. Polieren erfolgt gewöhnlich durch schnellen Angriff im Vergleich mit einem Ätzverfahren, Substratspitzen werden durch das Poliermittel chemisch angegriffen und gelöst.Chemical polishing is the method that a substrate surface by selective dissolution of high spots or irregularities smooths on the surface. The peaks are more easily loosened than deep-set areas, and only occurs in the latter minimal attack-a. Buffing is usually done quickly Attack in comparison with an etching process, substrate tips are chemically attacked and dissolved by the polishing agent.

Beispiele von Polierverfahren sind das Polieren von Siliciumsubstraten entweder mit Chromsäure + Fluorwasserstoffsäure oder mit Salpetersäure und Essigsäure, gemischt mit Fluorwasserstoffsäure, Die Chrom- oder Salpetersäure oxidieren \ 3hl das SiIi-Examples of polishing methods are polishing silicon substrates either with chromic acid + hydrofluoric acid or with nitric acid and acetic acid mixed with hydrofluoric acid, The chromic or nitric acid oxidize the silicon

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cium, welches sich dann in der Fluorwasserstoffsäure auflöst. Wenn Essigsäure verwendet wird, ist sie ein nichtwässriges Verdünnungsmittel mit weiterer Polierwirkung. Die Menge an Fluorwasserstoffsäure in einem Poliermittel ist relativ gering. Die Oxidationsmittelmenge ist hoch. Diese Verfahrenstype ist mild exotherm und wird allgemein irgendwo zwischen Raumtemperatur und 60 bis 8O⁰C durchgeführt. Andere Beispiele von Polierverfahren sind die Wirkung von Wasserstoffperoxid-Fluorwasserstoffsäure auf Germanium und die Wirkung von Natriumhypochlorit auf Galliumarsenid.cium, which then dissolves in hydrofluoric acid. When acetic acid is used, it is a non-aqueous diluent with an additional buffing effect. The amount of hydrofluoric acid in a polishing agent is relatively small. The amount of oxidizing agent is high. This type of method is mild exothermic and is generally carried out anywhere between room temperature and 60 to 8O ⁰ C. Other examples of polishing methods are the effect of hydrogen peroxide-hydrofluoric acid on germanium and the effect of sodium hypochlorite on gallium arsenide.

litzenstranded

Ätzen betrifft allgemein Methoden zur schnellen, vollständigen und scharf begrenzten Entfernung bestimmter freiliegender Bereiche von metallischen oder dielektrischen Filmen über Oxidation und/oder Auflösung. Viele Ätzstufen werden bei der Herstellung von Halbleitern verwendet. Oftmals ist es erwünscht, selektiv eine Schicht wegzuätzen, ohne eine benachbarte Schutzschicht oder die Substratschicht anzugreifen. Das üblichste Beispiel ist das Ätzen von "Fenstern" durch eine Siliciumdioxidschicht (SiO₂) herab bis zum metallischen Siliciumsubstrat. Die SiO₂-Schicht wird durch Oxidieren der Siliciumoberfläche gebildet. Organische lichtelektrische Widerstandsschüaten werden oben auf dem Oxid aufgebracht. Es wird ein Bild entwickelt, das Teile des Oxids bedeckt, wobei bloße Oxidbereiehe zurückbleiben_r die dem Angriff durch das Ätzbad ausgesetzt sind. Ein übliches Ätzmittel ist eine Lösung, die Fluorwasserstoffsäure enthältEtching generally relates to methods of rapidly, completely and sharply delimited removal of certain exposed areas from metallic or dielectric films via oxidation and / or dissolution. Many stages of etching are used in the manufacture of semiconductors. It is often desirable to selectively etch away a layer without attacking an adjacent protective layer or the substrate layer. The most common example is the etching of "windows" through a silicon dioxide (SiO ₂ ) layer down to the metallic silicon substrate. The SiO ₂ layer is formed by oxidizing the silicon surface. Organic photoelectric resistors are deposited on top of the oxide. There is developed an image covering the parts of the oxide, wherein mere Oxidbereiehe remain _r the attack are exposed by the etching bath. A common etchant is a solution containing hydrofluoric acid

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und irdt Arnraoniumfluorid gepuffert ist. Dieses Material, das manchmal als gepuffertes Oxidätzmittel bezeichnet wird, greift das freiliegende SiO₂ an und löst ss weg bis zu dem Siliciumsubstrat, greift dieses aber nicht an. Das Ätzmittel greift also SiO₂, nicht aber Silicium oder die restlichen lichtelektrischen Widerstandsbereiche an.and ammonium fluoride is buffered. This material, sometimes referred to as a buffered oxide etchant, attacks the exposed SiO ₂ and dissolves it away to the silicon substrate, but does not attack it. The etchant attacks SiO ₂ , but not silicon or the remaining photoelectric resistance areas.

Ätzzusammensetzungen in der üblichen Verwendung enthalten 3 bis 10 Gsw.-% Fluorwasserstoffsäure, 15 bis 40 Gew.-% Ammoniumfluorid und den Rest Wasser. Die angewendeten Temperaturen liegen gewöhnlich nahe umgebungstemperatur, bei 18 bis 30°C und selten bis zu 50°C. Ätzgeschwindigkeiten von 500 bis 1500 & Oxid/min sind üblich.Etching compositions in common use contain 3 to 10 wt% hydrofluoric acid, 15 to 40 wt% ammonium fluoride and the rest of the water. The temperatures used are usually close to ambient temperature, around 18 to 30 ° C and rarely up to 50 ° C. Etch speeds from 500 to 1500 & oxide / min are common.

Das gepufferte Oxidätzverfahren ist eines der üblichsten und wichtigsten Verfahren mit flüssigen Chemikalien bei der Halbleiterherstellung. Ein einzelner integrierter Stromkreis kann durch solct ein Verfahren 10 bis 12 mal gehen, wenn verschiedene "Fenster"-Ätzungen erforderlich sind.The buffered oxide etch process is one of the most common and important liquid chemical processes used in semiconductor manufacturing. A single integrated circuit can go through such a process 10 to 12 times when different "window" etches required are.

Andere Ätzverfahren innerhalb des Erfindungsgedankens schliessen verdünnte Fluorwasserstoffsäuren (0,5 bis 5 Gew,-%ig) zur Entfernung von Oxidfilmen, Wasserstoffperoxid- + Schwefelsäurelösungen zum Ätzen von Nickelfilmen oder Galliumarsenidsubstratan, Wasserstoffperoxid- + Fluorwasserstoffsäure zum Ätzen von Germanium, Gemische von Salpetersäure, Fluorwasserstoffsäure und Essigsäure zum Grobätzen von Silicium ein. Unter Rückfluß siedende Phosphorsäure wird zum Ätzen von dielektrischen Schich-Other etching processes close within the scope of the invention dilute hydrofluoric acids (0.5 to 5% by weight) for removal of oxide films, hydrogen peroxide + sulfuric acid solutions for etching nickel films or gallium arsenide substrates, Hydrogen peroxide + hydrofluoric acid for etching germanium, mixtures of nitric acid, hydrofluoric acid and acetic acid for coarse etching silicon. Refluxing phosphoric acid is used to etch dielectric layers

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ten aus Siliciumnitrit und zum selektiven Ätzen von Silicium mit geringem Angriff auf benachbartes SiO₂ verwendet.th made of silicon nitride and used for selective etching of silicon with little attack on neighboring SiO ₂ .

Einige Ätzmittel werden für spezielle Kristallebenen ausgewählt und sind sogenannte anisotrope Ätzmittel. Ein Beispiel ist KOH in Isopropylalkohol bei Rückflußbedingungen von etwa 80°C. Dieses Ätzmittel ist selektiv für eine Ebene von Silicium und ist brauchbar zur Isolierung von Strom-Some etchants are selected for specific crystal planes and are so-called anisotropic etchants. A An example is KOH in isopropyl alcohol under reflux conditions of about 80 ° C. This etchant is selective for one level of silicon and is useful for isolating electricity

' gegen—
kreisen / einander. Während des Biichtens nichtelektrischer Widerstandsüberzüge verwendete Bildmasken werden oftmals hergestellt, indem man auf einem Glasplattenschutzdraht einen dünnen Metallfilm aufbringt. Der Film, entweder Chrom, Metall oder transparentes Eisenoxid, kann mit Säurelösungen, wie Chlorwasserstoffsäure, geätzt werden.' against-
circle / each other. Image masks used during the overlaying of non-electrical resistive coatings are often made by applying a thin metal film to a glass plate guard wire. The film, either chromium, metal, or transparent iron oxide, can be etched with acid solutions such as hydrochloric acid.

Ausstreifen von lichtelektrischem WiderstandsmaterialStripping out photoelectric resistance material

Ein anderes häufig wiederholtes Verfahren bei der Herstellung von Halbleitern ist das Ausstreifen von lichtelektrischen Widerstandsrückständen. Das belichtete lichtelektrische Widerstandsmaterial wird verwendet, um die zu ätzenden Flächen zu begrenzen. Nach dem Ätzen wird das lichtelektrische Widerstandsmaterial in einem oxidierenden Medium ausgestreift. Das lichtelektrische Widerstandsmaterial muß vollständig entfernt werden, da das typische anschließende Verfahren eine Diffusion kontrollierter Mengen anorganischer VerunreiniguBSsn durch die Oxidfenster bei 1100 bis 1300°C ist. Lichtelektrisches Widerstandsmaterial muß den Ätzsäuren widerstehen, da sie in "Ausstreifsäuren" schwierig zu ent-Another frequently repeated process in manufacture of semiconductors is the stripping out of photoelectric resistance residues. The exposed photoelectric resistance material is used to limit the areas to be etched. After the etching, the photoelectric resistance material becomes stripped in an oxidizing medium. The photoelectric resistor material must be complete removed, as the typical subsequent process involves diffusion of controlled amounts of inorganic contaminants through the oxide window is at 1100 to 1300 ° C. Photoelectric resistance material must correspond to the caustic acids resist, as they are difficult to remove in "stripping acids"

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fernen sind· Die meisten flüssigen chemischen Medien für das Ausstreifen von lichtelektrischem Widerstandsmaterial sind Gemische, die Schwefel satire enthalten. Heiße konzentrierte Schwefelsäure ist zum Ausstreifen geeignet, obwohl es üblicher ist, 1 bis 5 Gew.-^ eines Oxydationsmittels, wie Chromsäure oder Wasserstoffperoxid, einzuarbeiten. Gemische von Schwefelsäure und Wasserstoffperoxid können mit und ohne Wasser verwendet werden. Solche Gemische wurden mit 60 bis 99,95 Gew.-^o, vorzugsweise 70 bis 98 Gew.-^ und stärker bevorzugt mit 80 bis 9^,5 Gew.-^ Schwefelsäure (i00$iger Grundlage), 0,05 bis 25 Gew.-#, vorzugsweise 0,2 bis 10 Gew.-% und stärker bevorzugt mit 0,5 bis 5 Gew.-^ Wasserstoffperoxid (iOO$iger Grundlage) und mit 0 bis 39,95 Gew.-^, vorzugsweise mit 1,8 bis 29,8 Gew«-$ und stärker bevorzugt mit 5 bis 19,5 Gew.-$ Wasser verwendet. Typische Ausstreiftemperatüren sind 80 bis 14O°C und üblicher 80-100°C«are distant · Most liquid chemical media for the stripping of photoelectric resistance material are mixtures containing sulfur satire. Hot concentrated Sulfuric acid is suitable for stripping, although it is more common to add 1 to 5% by weight of an oxidizing agent, such as chromic acid or hydrogen peroxide. Mixtures of sulfuric acid and hydrogen peroxide can can be used with and without water. Such mixtures were with 60 to 99.95 wt .- ^ o, preferably 70 to 98 wt .- ^ and more preferably with 80 to 9.5 wt% sulfuric acid (100 $ basis), 0.05 to 25 wt. #, preferably 0.2 to 10% by weight and more preferably 0.5 to 5% by weight Hydrogen peroxide (100 $ base) and from 0 to 39.95 Wt .- $, preferably 1.8 to 29.8 wt .- $ and stronger preferably used with 5 to 19.5 wt .- $ water. Typical stripping temperatures are 80 to 140 ° C and more usually 80-100 ° C «

Heiße Schwefelsäurelösungen sind verträglich mit den meisten Substraten, wie Silicium und Siliciumdioxid, doch nicht dort, wo für die Stromkreisverbindungen Metallisierungen vorfanden sind. Eine Klasse organischer Ausstreifmittel auf der Grundlage von chlorierten Lösungsmitteln, wie Tetrachloräthylen und o-Dichldrbenzol, und auch Phenol, φ) luol sul fonsäuren und oberflächenaktive Mittel, streifen lichtelektrische Widerstandsmaterialien bei 100 bis 14θ C mit minimalem schädlichem Angriff auf die Aluminiummetallisierungsschicht aus. Die Gegenwart von etwas Feuchtigkeit, weniger als 1 $ Wasser,Hot sulfuric acid solutions are compatible with most substrates, such as silicon and silicon dioxide, but not there where metallizations were found for the circuit connections. A class of organic stripping agents based on of chlorinated solvents, such as tetrachlorethylene and o-dichlorobenzene, and also phenol, φ) luene sulphonic acids and surfactants, graze photoelectric resistive materials at 100 to 14θ C with minimal harmful Attack on the aluminum metallization layer. the Presence of some moisture, less than $ 1 water,

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ist "bei dieser Art von Ausstreifmitteln erforderlich, was dazu führt, daß konzentrierte Säure aus den Toluolsulfonsäuren und oberflächenaktiven Stoffen die funktioneile Komponente sein kann·is "what is required with this type of stripping agent leads to concentrated acid from the toluenesulfonic acids and surface-active substances can be the functional component

Eine Säurerezeptur, die keine hohe Temperatur für schnellen Angriff des polymeren lichtelektrischen Widerstandsmaterials braucht , ist konzentrierte Schwefelsäure mit einem Gehalt von 1 bis 2 Gew.-^ Chromsäure + 1 bis 5 Gew.-^ Salpetersäure. An acid formulation that does not require high temperature for rapid attack of the polymer photoelectric resistive material is concentrated sulfuric acid with a content of 1 to 2 wt .- ^ chromic acid + 1 to 5 wt .- ^ nitric acid.

Allen obigen.Ausstreifverfahren ist eine Stufenfolge gemein, nämlich Ausstreifen, Spülen und Trocknen. Die üblichen Probleme sind das Wegwerfen der Ausstreiflösung und des Spülauslaufs. Mit Chrom verunreinigtes Spülwasser kann nicht ohne Behandlung weggeworfen werden« Mit Phenol und Lösungsmittel verunreinigtes Spülwasser sollte nicht in die Kanalisation abgegeben werden. Methoden zur Vermeidung dieser Probleme können mit Vorteil in automatisierten Bearbeitungsanlagen des beschriebenen Typs praktiziert werden. Vorteile, die eine solche Anlage bietet, sind optimale Ausnutzung durch öhemikalien, geeignete Spülzyklen und das Sammeln schädlicher Ausflüsse.A sequence of stages is common to all of the above. namely, stripping, rinsing and drying. The usual Problems are throwing away the stripping solution and the Rinsing outlet. Rinse water contaminated with chromium cannot be thrown away without treatment «With phenol and solvent Contaminated rinse water should not be discharged into the sewer system. Methods to avoid this Problems can be practiced to advantage in automated processing systems of the type described. Advantages, Such a system offers optimal utilization through chemicals, suitable rinsing cycles and that Collecting harmful effluents.

Die polymeren lichtelektrischen Widerstandsmaterialien bei diesen Ausstreifverfahren sind organische Materialien, die »ichtaktivierte Katalysatoren entweder für ein VernetzenThe polymeric photoelectric resistive materials in these stripping processes are organic materials that »Ichtactivated catalysts either for crosslinking

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(negativ arbeitende lichtelektrische Widerstandene terialien) oder für einen Polymerabbau (positiv arbeitende lichtelektrische Widerstandsmaterialien) enthalten. Im Handel erhältliche Beispiele sind Kodak's KPL- und KPR-Produkte (teilweise mit Zimtsäure veresterter Polyvinylalkohol).(negative working photoelectric resistance materials) or for polymer degradation (positive working photoelectric resistance materials). Commercially available Examples are Kodak's KPL and KPR products (polyvinyl alcohol partially esterified with cinnamic acid).

Sgülen.Sink.

Spülen ist ein Verfahren mit flüssigen Chemikalien, das verwendet wird, nachdem die oben beschriebenen Verfahren durchgeführt wurden. Der Zweck des Spülens besteht darin, Rückstände aus den vorausgehenden Stufen zu verdünnen und zu entfernen. Es ist üblich, mit sehr reinem Wasser zu spülen, um in Wasser lösliche Rückstände zu entfernen, und mit organischen Lösungsmitteln zu spülen, wie mit fluorkohlenstoffhaltigen Lösungsmitteln, um nicht im Wasser lösliche Rückstände zu entfernen. In einigen Fällen ist auch beabsichtigt, Flüssigkeitsverdrängungsspülen zu benützen, d.h. unmischbare Lösungsmittel zu benützen, um wässrige Rückstände wegzuspülen, wo eine Zweiphasentrennung das Auslaufvolumen auf ein Minimum herabsetzt.Flushing is a process that uses liquid chemicals after following the procedures outlined above. The purpose of rinsing is to remove any residue to dilute and remove from the previous stages. It is common to rinse with very pure water, to remove water-soluble residues and to rinse with organic solvents such as fluorocarbons Solvents to remove residues that are not soluble in water. In some cases it is also intended Use liquid displacement flushing, i.e. using immiscible solvents to flush away aqueous residues, where a two-phase separation takes up the outlet volume reduced to a minimum.

Spezielle Beispiele von Spülverfahren, wie sie nach Stufenfolgen zum Ausstreifen von Widerstandsmaterialien verwendet werden, sind ein Spülen mit Wasser nach einem Ausstreifen mit HgSCK-HgO-, ein Spülen mit Trichlortrifluoräthan-Isopropylalkohol (vorzugsweise in der Form eines azeotropen Gemisches) als Lösungsmittel für organische AusstreifresteSpecific examples of flushing procedures used after a series of steps to strip out resistance materials are rinsing with water after stripping with HgSCK-HgO-, rinsing with trichlorotrifluoroethane-isopropyl alcohol (preferably in the form of an azeotropic mixture) as a solvent for organic stripping residues

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und ein Spülen mit einem zweiphasigen Lösungsmittel aus Trichlortrifluoräthan für saure Ausstreifrückstände (wie HpSOr-CrO ). Lösungsmittel-Spülverfahren sind von besonderem Interesse, wo normale wässrige Spülausflüsse nicht gut durch einfache Säureneutralisation behandelt werden können. Lösungsmittelspülen gestattet das Sammeln eines Auslaufkonzentrats im Gegensatz zu großen Volumina von verunreinigtem Spülwasser. Das Auslaufkonzentrat kann in der gleichen Weise wie die verbrauchte Ausstreiflösung gesammelt, behandelt, wiedereingesetzt oder weggeworfen werden.and a two-phase solvent rinse Trichlorotrifluoroethane for acidic stripping residues (such as HpSOr-CrO). Solvent purging methods are special Interest where normal aqueous irrigation effluents are not treated well by simple acid neutralization can be. Solvent flush allows for the collection of a leak concentrate as opposed to large volumes of contaminated rinse water. The leak concentrate can be used in the same way as that Stripping solution collected, treated, reinstated or thrown away.

Die Trennung von Rückständen aus dem Losungsraittelspülmittel kann relativ einfach sein. Niedrig siegende Spüllösungsmittel können aue hochsiedenden organischen Ausstreifmitteln durch einfache Destillation gewonnen werden. Oder die wässrigen sauren Rückstände können von dem unmischbaren Spüllösungsmittel durch Schwerkrafttrennung abgetrennt werden, und das Lösungsmittel kann wiederverwendet werden. In beiden Fällen werden Ausstreifrückstände in einer Konzentratform angesammelt. Die Trennmethoden sind nicht so brauchbar, wenn Wasser als Spülmittel verwendet wird.The separation of residues from the solvent detergent can be relatively easy. Low boiling rinse solvents can also use high boiling organic stripping agents can be obtained by simple distillation. Or the aqueous acidic residue may be from that Immiscible flushing solvents can be separated by gravity separation and the solvent can be reused will. In both cases, slippage residue will be accumulated in a concentrate form. The separation methods are not as useful when using water as a detergent.

Trocknendry

Die Endstufe in vielen Verfahren ist das Trocknen. Trocknen besteht in der Entfernung aller Flüssigkeiten, ob nunThe final stage in many processes is drying. Drying consists in removing all liquids, whether now

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organischer oder wässriger Natur« Im wesentlichen versteht man jedoch unter Trocknen die Entfernung von Wasser. Die Anwendung von Hitze oder erhitzter^tuft ist eine Methode zur Trocknung, doch können die Ergebnisse ungleichmäßig sein und übermäßig viel Zeit oder Hitze fordern·organic or watery in nature «essentially understands however, one removes water while drying. The application of heat or heated tuft is one method drying, but results may be uneven and require excessive time or heat

Trockenverfahren mit flüssigen Chemikalien können durchgeführt werden, indem man die unerwünschte Flüssigkeit entweder mit einer flüchtigeren, schneller trocknenden Flüssigkeit löst oder verdrängt. Beispielsweise können Wasser oder eine hochsiedende organische Flüssigkeit durch ein geeignetes niedrig siedendes Lösungsmittel, wie Aceton oder Methylalkohol, gelöst oder verdünnt werden· Die restliche Aceton- oder Alkohollösung verdampft leicht in Luft, und die resultierenden Teile sind dann im wesentlichen trocken und frei von Flüssigkeiten.Dry processes with liquid chemicals can be done by removing the unwanted liquid either with a more volatile, faster drying liquid dissolves or represses. For example, water or a high-boiling organic liquid can be replaced by a suitable Low boiling solvents, such as acetone or methyl alcohol, can be dissolved or diluted · The remaining Acetone or alcohol solution readily evaporates in air and the resulting parts are then essentially dry and free from liquids.

Die Trockenflüssigkeit wird allmählich mit der ursprünglichen Flüssigkeit verunreinigt, was als Ergebnis zu einem schlechten Trocknen führt· Herkömmliche Dampfentfettungsmethoden verbessern diese Ergebnisse. Ein Dampfentfetter ist ein Behälter, in dem eine siedende Flüssigkeit unter totalem Rückfluß gehalten wird. Die mit Flüssigkeit benetzten Teile müssen kühler als die siedende Flüssigkeit sein. Es tritt Kondensation von Dämpfen auf den kühlen Teilen ein, die in der Dampfzone liegen.The dry liquid is gradually contaminated with the original liquid, which as a result increases results in poor drying · Conventional steam degreasing methods improve these results. A vapor degreaser is a container that holds a boiling liquid is kept under total reflux. The parts wetted with liquid must be cooler than the boiling parts Be liquid. Condensation of vapors occurs on the cool parts that are in the vapor zone.

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Die Kondensation wird fortgesetzt, bis die Teile auf der Dampftemperatur sich befinden. Wenn das Verfahren geeignet ausgewählt wird, befindet sich keine Flüssigkeit mehr auf den Teilen, und es können trockene Teile aus der Dampfzone entfernt werden. Aceton oder Alkohol könnten die siedende Flüssigkeit sein, mit Ausnahme der Tatsache, daß diese Materialien den Nachteil besitzen, entflammbar zu sein. Gängige, nicht entflammbare Lösungsmittel, die verwendet werden können, sind die Fluorkohlenstoffe, wie Trichlortrifluoräthan und fluorkohlenstoffhaltige Lösungsmittel. Eine übliche Folge für das Trocknen von Halbleiterblättchen ist das Eintauchen der wasserfeuchten Blättchen in Aceton oder Alkohol und anschließende Dampfspülung in Trichlortrifluoräthan. Ein solches Trockenverfahren würde zwei Stufen oder Behandlungskammern innnerhalb des oben beschriebenen Systems erfordern.The condensation continues until the parts are at vapor temperature. If the procedure is appropriate is selected, there is no more liquid on the parts and dry parts can be removed from the steam zone removed. Acetone or alcohol could be the boiling liquid, except for the fact that these materials have the disadvantage of being flammable. Common, non-flammable solvents that are used are the fluorocarbons, such as trichlorotrifluoroethane and fluorocarbon solvents. A common sequence for drying semiconductor wafers is the immersion of the water-dampened papers in acetone or alcohol and subsequent steam rinsing in Trichlorotrifluoroethane. Such a dry process would two stages or treatment chambers within that described above Systems require.

Ein alternatives Trockenverfahren, das mit den beschriebenen Systemen vereinbar ist, wäre eine einstufige Flüssigkeit sverdrängung, bei der ein unter Rückfluß siedendes Lösungsmittel verwendet wird, um physikalisch die unmischbare, höhersiedende Missigkeit zu verdrängen. Die unerwünschte Flüssigkeit wird in einer Trennvorrichtung, der unter der Schwerkraft die beiden Phasen getrennt werden, entfernt. Für diese Ausführungsform ist nur eine Stufe (Behandlungskammer) erforderlich. Flüssigkeitsversprühen und anschliessende Dampfspülung erwies sich bei dieser Ausführungsform als am vorteilhaftesten. _ 24 -An alternative drying process that works with the described Systems would be a single stage liquid displacement, which uses a refluxing solvent to physically remove the immiscible, to suppress higher-boiling displeasure. The unwanted one Liquid is removed in a separation device which separates the two phases under the force of gravity. For this embodiment there is only one stage (treatment chamber) necessary. Liquid spraying and subsequent steam rinsing turned out to be in this embodiment as most beneficial. _ 24 -

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Bevorzugte_AusführungsformPreferred embodiment

Eine erläuternde Ausführungsform, wie sie durch die Leitungsdiagramme der Figuren 6^ und 6"B beschrieben ist, ist für das Ausstreifen von lichtelektrischem Widerstandsmaterial unter Verwendung eines Gemisches von Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure bestimmt.An illustrative embodiment, as described by the line diagrams of Figures 6-1 and 6 "B , is for the stripping of photoresist material using a mixture of hydrogen peroxide and sulfuric acid.

Zu. bestimmten Zeiten gibt ein Arbeiter ein Behältnis für überzogene Plättchen in einen Plättchenbehältnisträger an der Beladungsstation und entfernt ein ähnliches Behältnis mit vollständig ausgestreiften, rückstandsfreien, trockenen Plättchen in einem anderen Träger an der Entladestation. Die automatische Überführungsstation, die die Einrichtungen zum vertikalen Anheben und zum Querantrieb umfaßt, führt die Plättchenbehälter nacheinander von der Ladestation und durch die Behandlungskammern 3^» 35» 3<J, 37 und bringt die Behälter mit den nachbehandelten Plättchen zu der Entladestationc Die Folge der Einzelstufen, die während dieses typischen Kreislaufs (k Minuten) durchlaufen werden, ist in Fig. 5 gezeigt. Zu Beginn des Kreislaufs hebt die vertikale Hebeeinrichtung die Querantriebseinrichtung und verbindet die Transportarme und die Plättchenbehältnisträger in Aufwärtsrichtung· Während dieser Hebebewegung nimmt der Transportarm (22 - s. Fig. 1) an der Hinterseite der Ladestation einen Plättchenbehältnis träger mit einen Plättchenbehältnis an der Ladestation auf. Wenn die ober· Be-To. At certain times, a worker places a container for coated wafers in a wafer container carrier at the loading station and removes a similar container with fully stripped, residue-free, dry wafers in another carrier at the unloading station. The automatic transfer station, which includes the devices for vertical lifting and transverse drive, leads the wafer containers one after the other from the loading station and through the treatment chambers 3 ^ »35» 3 <J, 37 and brings the containers with the post-treated wafers to the unloading station Individual stages that are run through during this typical cycle (k minutes) are shown in FIG. At the beginning of the cycle, the vertical lifting device lifts the transverse drive device and connects the transport arms and the wafer holder in the upward direction.During this lifting movement, the transport arm (22 - see Fig. 1) on the rear of the charging station picks up a holder with a holder on the charging station . When the upper loading

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wegung des vertikalen Hebemechanismus beendet ist, bewegt die Querantriebseinrichtung die Transportbacken und die Plattchenbehältnisträger in Richtung von links nach rechts. Diese. Querbewegung wird angehalten, wenn der Plättchenbehältnisträger von einer Verfahrensstation zur nächsten bewegt wurde. An diesem Punkt steht der Plättchenbehältnisträger, der an der Ladestation aufgenommen wurde, direkt oberhalb der Behandlungskammer 3k» Der Plättchenbehältnisträger, der in der Behandlungskammer 3k war, steht nun direkt oberhalb der Behandlungskammer 35 (usw.). Während der Zeit, während derer die Querantriebseinrichtung ihre Bewegung beendet, führen Zumeßpumpen 57 und 58 kleine Mengen von frischem Wasserstoffperoxid und von frischer Schwefelsäure dem Verfahrensbehälter 3k zu, um eine vorbestimmte Konzentration von Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure darin aufrecht zu erhalten.movement of the vertical lifting mechanism is completed, the transverse drive device moves the transport jaws and the plate container carrier in the direction from left to right. These. Transverse movement is stopped when the wafer container carrier has been moved from one processing station to the next. At this point, the wafer container carrier that was picked up at the loading station is directly above the treatment chamber 3k. The wafer container carrier that was in the treatment chamber 3k is now directly above the treatment chamber 35 (etc.). During the time the transverse drive mechanism is stopping, metering pumps 57 and 58 supply small amounts of fresh hydrogen peroxide and fresh sulfuric acid to the process vessel 3k to maintain a predetermined concentration of hydrogen peroxide and sulfuric acid therein.

Nachdem die Querantriebseinrichtung ihre Bewegung von links nach rechts beendet hat,senkt die vertikale Hebeeinrichtung die Plättchenbehältnisträger in die verschiedenen Behandlungskammern ab. Während der Abwärtsbewegung wird der Plättchenbehältnisträger, der vorher in der Behandlungskammer 37 war, von seinem Transportann gelöst und in die Entladestation gesetzt. Am Ende der Abwärtsbewegung der vertikalen Hebeeinrichtung werden die Plussigkeitssprühkopfe in den Verfahrensbehältern 36 und 37 betätigt, um Flüssigkeiten auf die Gegenstände zu sprühen.After the transverse drive has finished moving from left to right, the vertical elevator lowers the wafer holder carriers into the various treatment chambers away. During the downward movement, the wafer holder, which was previously in the treatment chamber 37, detached from its transport and into the unloading station set. At the end of the downward movement of the vertical elevator are the positive spray heads in the process containers 36 and 37 operated to spray liquids on the objects.

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Die restliche Zeit in dem Kreislauf ist den anderen Verfahrenes tuf en gewidmet. In der Behandlungskammer 34 wird von überzogenen Plättchen deren lichtelektrisches Widerstandsmaterial durch die chemische Wirkung des Gemisches
von Wasserstoffperoxid und Schwefelsäure ausgestreift.
In der Behandlungskammer 35 wird die Schwefelsäurelösung
von den Plättchen durch verunreinigtes Wasser aus dem Vorratsbehälter 63 weggewaschen. In der Behandlungskammer werden die Plättchen weiter von restlicher Schwefelsäurelösung durch Besprühen mit frischem entionisiertem Wasser gereinigt. In der Behandlungskammer 37 werden die mit Wasser befeuchteten Plättchen mit Hilfe eines fluorkohlenstoffhaltigen Lösungsmittels getrocknet, das ein Azeotrop von Trichlortrifluoräthan und Isopropanol umfaßt.The rest of the time in the cycle is devoted to the other process steps. In the treatment chamber 34, the photoelectric resistance material of the coated platelets becomes due to the chemical action of the mixture
stripped of hydrogen peroxide and sulfuric acid.
In the treatment chamber 35, the sulfuric acid solution
washed away from the platelets by contaminated water from the reservoir 63. In the treatment chamber, the platelets are further cleaned of residual sulfuric acid solution by spraying with fresh deionized water. In the treatment chamber 37, the wafers moistened with water are dried with the aid of a fluorocarbon-containing solvent which comprises an azeotrope of trichlorotrifluoroethane and isopropanol.

Am Ende des Kreislaufs beginnt die vertikale Hebeeinrichtung ihre Aufwärtsbewegung, und ein neuer Kreislauf beginnt. Elektrische Schaltung von Systemen des beschriebenen Typs, um die nach Zeitplan eingestellten Zyklen zu bekommen,
liegt für den Elektrofachmann im allgemeinen Fachwissen
und ist nicht Teil der Erfindung. Die Apparatur kann
gegenüber der beschriebenen Ausführungsform modifiziert
werden, wie auf der Hand liegt, und sie kann Plattenzeitregler, Einstellscheiben und Anzeigelichter einschließen, die dem Betreuer eine augenblickliche Ablesung des Verfahrens- und Kreislaufstandes ermöglichen. Außerdem können Alarm- und Warnlichter vorgesehen sein, um anzuzeigen,At the end of the cycle, the vertical elevator begins its upward movement and a new cycle begins. Electrical switching of systems of the type described to get the cycles set according to the schedule,
lies in general specialist knowledge for the electrician
and is not part of the invention. The apparatus can
modified compared to the embodiment described
as is obvious, and it may include platen timers, dials, and indicator lights that allow the supervisor to instantly read the status of the procedure and circulation. In addition, alarm and warning lights can be provided to indicate

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wenn der Betreuer eine Korrektur vornehmen muß, wie beispielsweise wenn er Chemikalien oder Lösungsmittel in den Vorratsbehältern nachfüllen muß, oder wenn er fertig behandelte Plättchen aus der Entladestatxon entfernen muß_o Sicherungen können vorgesehen sein, um eine Zerstörung entweder der Werkstücke oder der Anlagen zu verhindern.if the supervisor has to make a correction, for example if he has to refill chemicals or solvents in the storage containers, or if he has to remove finished wafers from the unloading station _o Fuses can be provided to prevent destruction of either the workpieces or the systems.

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Claims

Process for the continuous treatment of ¥ identifiable

- en

pieces, in particular semiconductor devices, characterized in that that he

a) automatically and continuously predetermined the workpieces according to a predetermined time control Undergoes fluid treatments,

b) the workpieces at least one within the predetermined liquid treatments Subjecting it to spray treatment and at least one immersion treatment,

c) the temperature of the treatment liquid during at least one immersion treatment under control, keeps and

d) the composition of the liquid treatment mixture holds within predetermined limits during at least one immersion treatment.

2. The method according to claim 1, characterized in that the liquid treatment with an immersion treatment begins.

3 · Method according to claim 1 and 2, characterized in that it consists of two successive immersion treatment

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lungs begins, which is followed by a spray treatment.

k. Device for carrying out the method according to claims 1 to 3 »characterized by several treatment chambers, of which at least one is an immersion chamber containing liquid and at least one is a spray chamber which is equipped with devices for spraying liquid onto the pieces suspended in the chamber is equipped, devices for controlling the temperature of the treatment liquid in at least one immersion chamber, devices for maintaining the composition of the liquid mixture in at least one immersion chamber within predetermined limits and conveying devices for the automatic transfer of the workpieces from treatment chamber to treatment chamber and for lowering the workpieces through the upper part of the Treatment chambers according to a specific time schedule.

5 · Apparatus according to claim 4, characterized in that the treatment chambers are removable units which oppose one another can be exchanged.

6. Apparatus according to claim k and 5, characterized in that it has at least two immersion chambers.

7. Device according to claim h to 6, characterized in that it has devices that automatically

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fluid volume within the immersion chamber or chambers keep within the predetermined limits.

8. Apparatus according to claim k to 7 »characterized in that it has in the vicinity of the point where the workpieces are removed from the apparatus, means for creating an atmosphere of pure, filtered air.

9. Apparatus according to claim h to 8, characterized in that the first treatment chamber is an immersion chamber.

10. Apparatus according to claim 4 to 9 »characterized in that the first and second treatment chambers are immersion chambers and the third chamber is a spray chamber.

11. The device according to claim 4 to 10, characterized in that that at least one spray chamber with facilities for Return of the treatment liquid sprayed in this chamber Is provided.

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