DE2408166A1 - Randschicht-diode und verfahren zu ihrer herstellung - Google Patents

Randschicht-diode und verfahren zu ihrer herstellung

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molybdenum
silicon
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diode
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Application number
DE19742408166
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Inventor
Robert T Aquino
Alan J Carlan
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Infineon Technologies Americas Corp
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International Rectifier Corp USA
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
    • H10D64/60—Electrodes characterised by their materials
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FR2218656A1 (en) 1974-09-13

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