DE2352605A1

DE2352605A1 - DEVICE FOR THE DEPOSITION OF SEMI-CONDUCTIVE FILMS

Info

Publication number: DE2352605A1
Application number: DE19732352605
Authority: DE
Inventors: Hiroyuki Kobayashi
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1972-10-19
Filing date: 1973-10-19
Publication date: 1974-05-09
Also published as: DE2352605B2; US3854447A; JPS5342230B2; GB1451803A; CA1012447A; JPS4963381A

Description

Dr. D₀ Thomsen PA'Dr. D ₀ Thomsen PA '

W. Weinkauff Telefon w 53021* W. Weinkauff Telephone w 53021 *

Dr.I.Ruch ^⁰²¹² ooc oen cDr.I.Ruch ^ ⁰²¹² ooc oen c

Telex 5-24303 topaf 23 5 2 605Telex 5-24303 topaf 23 5 2 605

PATENTANWÄLTEPATENT LAWYERS

München: Frenkfuri/M.:Munich: Frenkfuri / M .:

Dr. rer. nat. D. Thomson Dlpl.-lng. W. Weinkauf?Dr. rer. nat. D. Thomson Dlpl.-lng. W. Buying wine?

Dr. rer. nat. S. Ruch (Fuchshohl 71)Dr. rer. nat. S. Ruch (Fuchshohl 71)

8000 München 2 Kalser-LuciwSg-Plais® 19. Oktober 19738000 Munich 2 Kalser-LuciwSg-Plais® October 19, 1973

Matsushita Electric Industrial Company, LimitedMatsushita Electric Industrial Company, Limited

Osaka* JapanOsaka * Japan

Vorrichtung zum Abscheiden von HalbleiterdünnschichtenDevice for the deposition of semiconductor thin films

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Epitaxialab-scheidung aus flüssiger Phase und insbesondere eine Vorrich-.tung, die sich für eine Massenproduktion von Halbleiterelementen (wafers) mit epitaxial aus flüssiger Phase aufgewachsenen Schichten eignet»The invention relates to a device for epitaxial deposition from the liquid phase and in particular to a device. which are in favor of mass production of semiconductor elements (wafers) with epitaxially grown from the liquid phase Layers suitable »

Das Flüssigphasenepitaxialverfahren hat sich als sehr ge-819/1025 The liquid phase epitaxial method has proven to be very useful

eignet für die Herstellung von Halbleiterelementen hoher Qualität erwiesen. Es sind schon verschiedene Vorrichtungen für die Epitaxialabseheidung aus flüssiger Phase entwickelt worden, und vielfach ist eine Vorrichtung mit einem verschiebbaren Substrathalter verwendet worden, weil mit dieser sehr einheitliche Halbleiterelemente mit aufgewachsenen Schichten reproduzierbar herstellbar sind.Proven to be suitable for the production of high quality semiconductor elements. There are already different devices for the Liquid phase epitaxial separation has been developed, and In many cases, a device with a displaceable substrate holder has been used, because with this very uniform semiconductor elements can be reproducibly produced with grown layers.

Zunächst sollen die bekannten derartigen Verfahren unter Bezugnahme auf die Figuren 1a bis 1d der Zeichnungen beschrieben werden.The known methods of this type will first be described with reference to FIGS. 1a to 1d of the drawings will.

Die Figuren 1a bis 1d sind Querschnitte von vier herkömmlichen Vorrichtungen, von denen jede einen verschiebbaren Substrathalter aufweist. In Figur 1a ist eine sehr typische solche Vorrichtung gezeigt, die einen Lösungshalter 101 und einen Substrathalter 102, der verschiebbar in innigem Kontakt mit der Bodenfläche des Lösungshalters 101 angeordnet ist, aufweist. Der verschiebbare Substrathalter 102 igelst eine Vertiefung 105 zur Aufnahme eines Substrats 106 auf. Der Lösungshalter weist eine Anzahl von Bohrungen 103 auf, von denen jede eine Lösung 104, die das epitaxial auf dem Substrat 106 abzuscheidende Material enthält, enthält. Bei der Verwendung dieser bekannten Vorrichtung wird die Temperatur der Lösung auf den gewünschten Wert erhöht* wonach der verschiebbare Substrathalter 102 in der Pfeilrichtung verschoben wird,, um das SubstratFigures 1a to 1d are cross sections of four conventional ones Devices each of which has a slidable substrate holder. In Figure 1a is a very typical one Such a device is shown comprising a solution holder 101 and a substrate holder 102 which are slidably in intimate contact is arranged with the bottom surface of the solution holder 101. The displaceable substrate holder 102 encapsulates a recess 105 for receiving a substrate 106. The solution holder has a number of bores 103, each of which a solution 104 containing the material to be epitaxially deposited on the substrate 106 contains. When using this known device, the temperature of the solution is increased to the desired value * after which the displaceable substrate holder 102 is shifted in the direction of the arrow around the substrate

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in Kontakt mit der Lösung zu bringen, und die Lösung wird abkühlen gelassen, damit eine epitaxiale Schicht auf dem Substrat aufwachsen kann. Nach der Beendigung der ersten Epitaxialabscheidung wird der verschiebbare Substrathalter weiter verschöben, um weitere Kontakte Lösung/Substrat herzustellen, so daß nacheinander Epitaxialschichten aus der flüssigen Phase auf dem Substrat aufwachsen. Diese Vorrichtung ist in der US-PS 3 565 702 sowie auf Seite 109 von "the Applied Physics Letters", Band 17, Nr. 3, 1970, beschrieben.in contact with the solution, and the solution will cool left to allow an epitaxial layer on the substrate can grow up. After the completion of the first epitaxial deposition, the sliding substrate holder is moved further, in order to produce further contacts solution / substrate, so that one after the other epitaxial layers from the liquid phase grow on the substrate. This device is shown in U.S. Patent 3,565,702 and on page 109 of "the Applied Physics Letters ", Vol. 17, No. 3, 1970.

Vor einiger Zeit ist diese Methode verbessert worden, d.h. es wurde die sogenannte "Gleitmethode" ("sliding method") von Miller et al., die im einzelnen in "J.Appl.Phys.", Band 43, Nr. 6', Seite 2817, Juni 1972, beschrieben ist, entwickelt.This method has been improved some time ago, ie the so-called "sliding method" by Miller et al., Which is described in detail in "J.Appl.Phys.", Volume 43, No. 6 ', Page 2817, June 1972, is developed.

Obwohl die mit diesen Vorrichtungen erhaltenen Halbleiterbauelemente ausgezeichnete kristalline Eigenschaften besitzen, weisen sie einige Nachteile auf, von denen einer darin besteht, daß diese Vorrichtungen sich nicht für eine Massenproduktion von Halbleiterbauelementen eignen. Es ist daher auch schon versucht worden, Vorrichtungen, die sieh für eine Massenproduktion eignen, zu entwickeln. In den Figuren 1b bis Td sind zu diesem Zweck entwickelte bekannte Vorrichtungen dargestellt. Figur 1b zeigt eine Vorrichtung, die derjenigen von. Figur 1a gleicht mit der Abweichung, daß ein verschiebbarer Substrathalter 112 mehrere Vertiefungen, die jede ein Substrat 116 auf-Although the semiconductor components obtained with these devices have excellent crystalline properties, they have several disadvantages, one of which is that these devices are not suitable for mass production of semiconductor devices. So it is attempts have been made to make devices that look for mass production suitable to develop. In Figures 1b to Td are known devices developed for this purpose are shown. Figure 1b shows an apparatus similar to that of. Figure 1a with the difference that a displaceable substrate holder 112 is similar to a plurality of depressions, each of which holds a substrate 116.

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zunehmen vermag, aufweist. Beim Betrieb dieser Vorrichtung wird , dei* verschiebbare Substrathalter 112 in Pfeilrichtung verschoben, so daß gleichzeitig mehrere Kontakte Substrat/Lösung erzielt werden. Figur 1c zeigt eine Vorrichtung., bei der zwei Vorrichtungen gemäß Figur 1b übereinander angeordnet sind, so daß eine für eine Massenproduktion geeignetere Vorrichtung erhalten wird. Jede der Vorrichtungen der Figuren 1b und 1c weist jedoch Nachteile auf, da sie einen umfangreichen Ofen und ein großes Volumen an Lösungen erfordern. Ein weiterer Nachteil liegt darin,- daß die aufgewachsenen Schichten leicht heterogene kristalline Eigenschaften besitzen, weil es gewöhnlich sehr schwierig ist, innerhalb eines umfangreichen Ofens eine homogene Temperatur aufrechtzuerhalten. In Figur 1d ist eine weitere bekannte Vorrichtung für eine Massenproduktion von Halbleiterbauelementen gezeigt. Der Unterschied zwischen den in den Figuren 1b und 1d gezeigten Vorrichtungen liegt darin, daß in der letzteren der Lösungshalter 1^1 nur eine einzige Aushöhlung aufweist. Die mit dieser Vorrichtung verbun-'denen Nachteile liegen darin, daß eine sehr lange Betriebszeit und ein ziemlich langer Öfen erforderlich sind, wodurch es leicht zu Schwankungen der Mengenverhältnisse der Bestandteile der Lösung und zu horizontalen Temperaturgradienten kommen kann.able to increase, has. When operating this device, the displaceable substrate holder 112 is displaced in the direction of the arrow, so that several substrate / solution contacts are achieved at the same time. Figure 1c shows a device. In the two devices are arranged one above the other according to FIG. 1b, so that a device which is more suitable for mass production is obtained. Each of the The devices of Figures 1b and 1c, however, have disadvantages, as they require a large furnace and a large volume of solutions. Another disadvantage is - that the grown up Layers have slightly heterogeneous crystalline properties because it is usually very difficult to within one extensive oven to maintain a homogeneous temperature. In Figure 1d is another known device for mass production of semiconductor components shown. The difference between the devices shown in Figures 1b and 1d is that in the latter the solution holder 1 ^ 1 only one has only one cavity. Those connected with this device Disadvantages are that it requires a very long operating time and a fairly long furnace, which makes it easy to fluctuations in the proportions of the components of the solution and horizontal temperature gradients can occur.

Aufgabe der Erfindung ist daher eine Vorrichtung zur Epitaxialabscheidung aus flüssiger Phase, die die obigen Nachteile nicht aufweist. Eine Vorrichtung gemäß der Erfindung ist ursprünglich mit wenigstens einer axial zu ihr angeordneten Aushöhlung zur AufnahmeThe object of the invention is therefore an apparatus for epitaxial deposition from the liquid phase, which does not have the above disadvantages. A device according to the invention is originally with at least one axially arranged cavity for receiving it

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einer das'epitaxial auf einer Anzahl von Substraten abzuscheidenden Materials ausgebildet. Die Vorrichtung weist eine Anzahl übereinander angeordneter Platten* von-denen jede wenigstens eine Vertiefung zur Aufnahme der Substratplatte aufweist und die so angeordnet sind, daß sie alternierend relativ zu den übrigen Platten verschiebbar sind, so daß die Substrate in den Vertiefungen der verschiebbaren Platten in Kontakt mit der Lösung kommen und gleichzeitig die in einer Bohrung der gleitbaren Platten enthaltene Lösung in Kontakt mit dem.Substrat in den Vertiefungen der stationären Platten kommen, auf. Wegen der Gedrungenheit dieser Vorrichtung können leicht epitaxiale Aufwachsungen auf einer Anzahl getrennter Substrate erhalten werden. In der Praxis liegt die Dicke der Platten beispielsweise in einem Bereich von 0,8 bis 1,5 mm, und die Größe jeder Vertiefung zur Aufnahme eines Substrats ergibt sich aus derjenigen des aufzunehmenden Substrats. Aus der obigen Beschreibung ergibt sich, daß die Verwendung der Vorrichtung gemäß der Erfindung eine Anzahl von Vorteilen mit sich bringt. Der Temperaturgradient ist wegen der sehr geringen Größe sehr klein, und Über jedem Substrat befindet sich nur eine dünne Schicht aus der Lösung, so daß die epitaxial aufgewachsene Schicht Über das ganze Halbleiterbauelement eine sehr gleichmäßige Dicke besitzt und eine nur geringe Menge an Lösung erforderlich ist« Außerdem kann das Epitaxialwachstum leicht in kurzer Betriebszeit als Massenproduktion erhalten werden. Durch die kurze Betriebszeit wird es wiederum möglich, die Verunreinigung'der Lösung zu verringern/a die'epitaxially formed on a number of substrates to be deposited material. The device has a number of plates arranged one above the other, each of which has at least one recess for receiving the substrate plate and which are arranged in such a way that they are alternately displaceable relative to the remaining plates, so that the substrates in the recesses of the displaceable plates are in contact come with the solution and at the same time the solution contained in a bore of the sliding plates come into contact with the substrate in the wells of the stationary plates. Because of the compactness of this device, epitaxial growths can easily be obtained on a number of separate substrates. In practice, the thickness of the plates is, for example, in a range from 0.8 to 1.5 mm, and the size of each recess for receiving a substrate is determined by that of the substrate to be received. From the above description it appears that the use of the device according to the invention has a number of advantages. The temperature gradient is very small because of its very small size, and there is only a thin layer of the solution over each substrate, so that the epitaxially grown layer has a very uniform thickness over the entire semiconductor component and only a small amount of solution is required « In addition, the epitaxial growth can be easily mass-produced in a short operating time. The short operating time makes it possible in turn to reduce the contamination of the solution /

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und es wird ein gleichmäßiges Aufwachsen erzielt, weil es zu keinen Schwankungen der Mengenverhältnisse der Bestandteile der Lösung kommt; Wenn aber die Oberfläche der Lösung verunreinigt sein sollte, so beeinträchtigt das das erhaltene Halbleiterbauelement nicht, weil die verunreinigte Lösung nicht verwendet wird. Aus der obigen Beschreibung der Erfindung ergibt sich, daß die jedes der Substrate bedeckende Lösungsschicht sehr dünn, beispielsweise etwa 1 mm dick ist. Versuche haben gezeigt, daß die Dicke einer aus einer gesättigten Lösung von Ga-GaP epitaxial aufgewachsenen Schicht mit zunehmender Tiefe der das Substrat bedeckenden Lösungsschicht zunimmt. In Figur 2 ist die Beziehung zwischen beiden Größen dargestellt. In diesem Fall haben Yariationen der Tiefe der Lösung die Eigenschaften der erhaltenen Schichten nicht beeinträchtigt. In "J. Appl. Phys., Band 43, April 1972, Seite "1394" ^{isfc von} Blum et al. eine Vorrichtung zur Epitaxialabscheidung aus flüssiger Phase, durch die das Aufwachsen von reproduzierbar einheitlichen und glatten Schichten unter Verwendung einer dünnen, das Substrat bedeckenden Lösungsschicht möglich wird, beschrieben. In dieser Veröffentlichung ist angegeben, daß eine Diffusionsdiode mit aufgewachsener Al Ga As-Schicht von überlegenen Leuchteigenschaften unter Verwendung einer Lösungsschicht von nur etwa 0,8 mm hergestellt worden ist.and uniform growth is achieved because there are no fluctuations in the proportions of the components of the solution; However, if the surface of the solution should be contaminated, this does not affect the semiconductor component obtained because the contaminated solution is not used. From the above description of the invention it can be seen that the layer of solution covering each of the substrates is very thin, for example about 1 mm thick. Experiments have shown that the thickness of a layer epitaxially grown from a saturated solution of Ga — GaP increases with increasing depth of the solution layer covering the substrate. The relationship between the two quantities is shown in FIG. In this case, variations in the depth of the solution did not affect the properties of the layers obtained. In "J. Appl. Phys., Volume 43, April 1972, page" 1394 " ^{isfc by} Blum et al., A device for epitaxial deposition from liquid phase, through which the growth of reproducibly uniform and smooth layers using a thin substrate In this publication it is stated that a diffusion diode having a grown Al Ga As layer of superior luminous properties has been manufactured using a solution layer of only about 0.8 mm.

Gegenstand der Erfindung isfc eise Vorrichtung zur Abscheidung epitaxialer Schichten auf einer Anzahl von Substraten aus einerThe subject of the invention is a device for deposition epitaxial layers on a number of substrates from one

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flüssigen Phase, die einen wärmefesten Ofen;, ein in den Ofen einsetzbares wärmefestes Rohr; und ein in das wärmefeste Rohr einsetzbares Epitaxialwachstumsschiff mit wenigstens einer axial dazu angeordneten Aushöhlung, die eine Lösung des epitaxial auf einer Anzahl von Substraten abzuscheidenden Materials enthält, wobei das Schiff eine Anzahl flacher, übereinander angeordneter Glieder, die jedes mit wenigstens einer Vertiefung für die Aufnahme des Substrats ausgebildet ist, aufweist und alternierende Glieder dieser .AnzatLLxan.-flachen Gliedern so angeordnet sind, -daß sie relativ zu den restlichen flachen Gliedern bewegt werden können, um eine Anzahl von Kontakten zwischen Substrat und Lösung herzustellen, aufweist.liquid phase comprising a refractory furnace; a refractory tube insertable into the furnace; and one insertable into the heat-resistant pipe Epitaxial growth ship with at least one cavity arranged axially thereto, which has a solution of the epitaxial contains a number of substrates to be deposited material, the ship being a number of flat ones arranged one above the other Links, each with at least one recess for receiving of the substrate is formed, having and alternating members of these .AnzatLLxan.-flat members are arranged so that -that they can be moved relative to the rest of the flat members to make a number of contacts between substrate and solution to produce, has.

In den Zeichnungen sind:In the drawings are:

Figuren 1a bis 1d Querschnitte durch bekannte Vorrichtungen zum Flussigphasenepitaxialaufwachsen,Figures 1a to 1d cross sections through known devices for liquid phase epitaxial growth,

Figur"2 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der' epitaxial auf einem Substrat aufgewachsenen Schicht und der Tiefe der das Substrat bedeckenden Lösung, .Figure "2 is a graph showing the relationship between the layer epitaxially grown on a substrate and the depth of the layer covering the substrate Solution, .

Figur 3a ein Längsschnitt durch eine erste bevorzugte AusfUhrungsform einer Vorrichtung gemäß der Erfindung zum Flüssigphasenepitaxialaufwachsen vor dem Kontakt Substrat/Lösung,FIG. 3a shows a longitudinal section through a first preferred embodiment an apparatus according to the invention for liquid phase epitaxial growth prior to contact Substrate / solution,

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Figur 3b ein Längsschnitt durch die erste bevorzugte AusfUhrungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung, die das Substrat in Kontakt mit der Lösung zeigt, nachdem alternierende Platten um einen halben Kreis um die Längsachse der Vorrichtung gedreht sind,FIG. 3b shows a longitudinal section through the first preferred embodiment after the device according to the invention showing the substrate in contact with the solution alternating plates are rotated half a circle around the longitudinal axis of the device,

Figuren 4a und 4b perspektivische Ansichten von Ober- und Unterseite eines Glieds der ersten bevorzugten Ausführüngsform der Vorrichtung gernäß der Erfindung, wie sie in Figur 3a gezeigt ist,FIGS. 4a and 4b are perspective views from the top and bottom a member of the first preferred embodiment of the device according to the invention, as shown in Figure 3a,

Figuren 4c und 4d perspektivische Ansichten der Oberseite eines anderen Glieds der ersten bevorzugten Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung, wie sie in Figur 3a gezeigt ist,Figures 4c and 4d are perspective views of the top of another member of the first preferred embodiment the device according to the invention, as shown in Figure 3a,

Figuren 4e und 4f perspektivische Ansichten der Ober-; und Unterseite eines weiteren Glieds der ersten bevorzugten AusfUhrungsform der Vorrichtung gemäß der · Erfindung, wie sie in Figur 3a gezeigt ist,Figures 4e and 4f perspective views of the top; and bottom of a further member of the first preferred embodiment of the device according to the Invention as shown in Figure 3a,

Figuren 4g und 4h eine perspektivische Ansicht und eine Draufsicht auf ein weiteres Glied der ersten bevorzugten Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung,-wie sie in Figur 3a gezeigt ist,FIGS. 4g and 4h show a perspective view and a plan view to a further member of the first preferred embodiment of the device according to the invention, -like it is shown in Figure 3a,

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Figuren 5a und 5b eine perspektivische Ansicht und eine Draufsicht auf eine Modifikation des in Figur 4c gezeigten Glieds, , FIGS. 5a and 5b show a perspective view and a plan view to a modification of the link shown in Figure 4c,,

Figuren 5c und 5d eine perspektivische Ansicht und eine Draufsicht auf eine Modifikation des in Figur 4g gezeigten Glieds, Figures 5c and 5d a perspective view and a plan view of a modification of the link shown in Figure 4g,

Figuren 6a und 6b eine perspektivische Ansicht und eine Draufsicht auf eine weitere Modifikation des in Figur 4c gezeigten Glieds,FIGS. 6a and 6b show a perspective view and a plan view on a further modification of the in Figure 4c shown link,

Figuren 6c und 6d eine perspektivische Ansicht und eine Draufsieht auf eine weitere Modifikation des in Figur 4g gezeigten Glieds,Figures 6c and 6d are a perspective view and a plan view on a further modification of the in Figure 4g shown link,

Figuren Ta, Jb, 7c und 7d eine perspektivische Ansicht, Draufsicht, perspektivische Bodendarstellung und Bodenansicht einer Modifikation des Glieds von Figur 6a, Figures Ta, Jb, 7c and 7d show a perspective view, top view, perspective bottom view and bottom view of a modification of the link of Figure 6a,

Figuren 7e, 7f* 7g und 7h eine perspektivische Ansicht der Oberseite, eine Draufsicht, eine perspektivische Ansicht der Unterseite und eine Bodenansicht einer Modifikation des Glieds von Figur 6c,Figures 7e, 7f * 7g and 7h a perspective view of the Top, a top view, a perspective view of the bottom and a bottom view of a Modification of the link of Figure 6c,

Figur 8a eine perspektivische Ansicht einer zweiten bevorzug-4098 19/1025FIG. 8a is a perspective view of a second preferred 4098 19/1025

ten Ausführungsforni einer Vorrichtung gemäß der Erfindung, th embodiment of a device according to the invention,

Figuren 8b bis 8e perspektivische Ansichten von Gliedern der Ausführungsform von Figur 8a.,Figures 8b to 8e perspective views of members of the Embodiment of Figure 8a.,

Figur 8f ein Längsschnitt durch die in Figur 8a gezeigte AusfUhrungsform einer Vorrichtung gemäß der Erfindung vor dem Kontakt Substrat/Lösung,FIG. 8f shows a longitudinal section through the embodiment shown in FIG. 8a of a device according to the invention before the substrate / solution contact,

Figur 8g ein Längsschnitt durch die Vorrichtung von Figur 8a, die das Substrat in Kontakt mit der Lösung nach der Verschiebung zeigt.Figure 8g shows a longitudinal section through the device of Figure 8a, which the substrate in contact with the solution after Shift shows.

Zunächst soll die Erfindung unter Bezugnahme auf die Figuren 3a bis 4h näher beschrieben werden. Figur 3a zeigt einen Längsschnitt durch eine erste bevorzugte Ausführungsform einer Vor-* richtung gemäß der Erfindung mit einsm wärmefesten Rohr 11 zur Aufnahme eines dem Epitaxialaufwachsen dienenden Schiffs JJO. Das Rohr 11 und die Teile des SsSi iffte30 sind aus wärmefestem Material, wie Quarz, Bornitrid, Graphit hoher Reinheit und dergl., hergestellt. Das wärmefeste Rohr 11 befindet sich in einem (nicht gezeigten) wärmefesten Ofen, der auf eine gewünschte Temperatur aufgeheizt werden kann. Der Boden 12 des wärmefesten Rohrs 11 ist unter Bildung eines dünnwandigen Lochs 15a zur Aufnahme eines Thermoelementes 17 teilweise nach innen eingebuchtet. In der ge-First, the invention with reference to the figures 3a to 4h are described in more detail. Figure 3a shows a longitudinal section through a first preferred embodiment of a * direction according to the invention with Einsm heat-resistant tube 11 to Image of a ship JJO used for epitaxial growth. That Tube 11 and the parts of the SsSi iffte30 are made of heat-resistant material, such as quartz, boron nitride, high-purity graphite and the like. The heat-resistant tube 11 is placed in a heat-resistant furnace (not shown) which is heated to a desired temperature can be heated. The bottom 12 of the heat-resistant tube 11 is forming a thin-walled hole 15a for receiving a Thermocouple 17 partially indented inward. In the ge

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zeigten AusfUhrungsform ist das Loch 15 In der Mitte des Bodens des Rohrs 11 angeordnet, so daß das Thermoelement 17 so. dicht wie möglich an einer Lösung 31 und an den Substraten 33 angeordnet ist. Das Thermoelement 17 zeigt nur in etwa deren Temperatur an, was jedoch ausreichend ist. Das Rohr 11 weist an seiner inneren Bödenfläche einen langgestreckten Vorsprung 13, durch den ein Basisteil 6o, das einem untersten Glied des Wachstumsschiffs 30 entspricht, an seinem Umfang gehaltert wird, auf.shown embodiment is the hole 15 in the middle of the bottom of the tube 11 arranged so that the thermocouple 17 so. as close as possible to a solution 31 and to the substrates 33 is. The thermocouple 17 shows only approximately their temperature, which is sufficient, however. The tube 11 has on its inner Bottom surface an elongated projection 13 through which a base part 6o, which is a lowermost link of the growth ship 30 corresponds to its scope is held on.

Die Figuren 4e und 4f zeigen das Basisteil 60, in dem zwei Vertiefungen 63 und 65 in der Oberfläche einer Basisplatte 69 ausgebildet sind und das in der Mitte eine Stange 6-1 trägt. Die Vertiefung 65 dient der Aufnahme des Substrats 33,.· und die Vertiefung 63 bildet einen Boden einer Aushöhlung 35* Die beiden Vertiefungen sind in gleichen Abständen vom Mittelpunkt der Basisplatte 69 angeordnet und liegen in^: der gezeigten Ausführungsform symmetrisch zum Mittelpunkt der Basisplatte 69. Die Stange 61 ist im mittleren Teil der Oberfläche der Basisplatte 69 befestigt und erstreckt sich axial dazu. Sie ist so ausgebildet, daß sie eine Anzahl drehbarer und stationärer Glieder 50 bzw. 70 in ihrer Mitte zu tragen vermag. Ein Schaft 62 dient der Abstützung der stationären Glieder an ihrem Umfang relativ zu dem Basisteil 60 und hat L-Form, wobei der kürzere Arm an einem Teil des Umfangs der Basisplatte 69 befestigt ist und der längere Arm sieh in der gleichen Richtung wie die in der Mitte angeordnete Stange 61 erstreckt. Der längere Arm trägt die stationären Glieder 70, durch deren Bohrungen 72 er ge-FIGS. 4e and 4f show the base part 60 in which two recesses 63 and 65 are formed in the surface of a base plate 69 and which carries a rod 6-1 in the middle. The recess 65 serves to receive the substrate 33, · and the recess 63 forms a bottom of a cavity 35 * The two recesses are at equal distances from the center of the base plate disposed 69 and are ^in. The embodiment shown symmetrically to the center of the base plate 69. The rod 61 is fixed in the central part of the surface of the base plate 69 and extends axially thereto. It is designed to support a number of rotatable and stationary members 50 and 70, respectively, in its center. A shaft 62 is used to support the stationary members at their periphery relative to the base part 60 and is L-shaped with the shorter arm attached to part of the periphery of the base plate 69 and the longer arm looking in the same direction as that in FIG Central rod 61 extends. The longer arm carries the stationary members 70, through whose bores 72 it is

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führt ist, so daß die Glieder 70 am Umfang relativ zu dem Basisteil 60 fixiert sind, weil die in der Mitte angeordnete Stange 61 die Glieder 70 an den zentralen Bohrungen 71 hält. In der Unterfläche der Basisplatte 69 ist eine langgestreckte Vertiefung 67, die dem langgestreckten Vorsprung 13 des Rohrs 11 dicht angepaßt ist, ausgebildet, so daß das Basisteil 6o mit seinem Umfang stationär zu dem Rohr 11 gehalten wird. Die Unterfläche der Basisplatte 69 weist eine Vertiefung 68 in der langgestreckten Vertiefung 67 zur Aufnahme des oberen Wandteils des Lochs 15 auf. In der dargestellten AusfUhrungsform der Vorrichtung ist die konkave Einbuchtung 68 im Mittelteil der Bodenfläche angeordnet.is so that the members 70 circumferentially relative to the base part 60 are fixed because the centrally arranged rod 61 holds the links 70 at the central bores 71. In the lower surface the base plate 69 is an elongated recess 67, which the elongated projection 13 of the tube 11 is closely matched is formed so that the base part 6o is held stationary with respect to the pipe 11 with its periphery. The lower surface of the base plate 69 has a recess 68 in the elongated recess 67 for receiving the upper wall part of the hole 15. In the illustrated embodiment of the device is the concave one Indentation 68 arranged in the central part of the bottom surface.

In den Figuren 4a und 4b ist ein Kappenglied 4o gezeigt. Der mittlere Teil einer Kappenplatte 49 weist eine kreisförmige Bohrung 41 zur Aufnahme der Stange 61 des Basisteils 60 auf. Die Kappenplatte 49 weist außerdem eine Bohrung 43 zur Ausbildung der Aushöhlung 35 sowie eine Vertiefung 47 in ihrer Oberfläche zur Aufnahme einer Antriebswelle 15, durch die das Kappenglied 40 um die zentrale Stange des Basisteils 60 gedreht werden kann, auf. Die Antriebswelle 15 wird durch geeignete (nicht gezeigte) Einrichtungen, die außerhalb des Rohrs 11 angeordnet sind, gedreht. Zum Drehen der drehbaren Glieder 50 um die zentrale Stange 61 ist ein L-förmiger Schaft 42 vorgesehen, dessen kürzerer Arm an einem Teil des Umfangs der Kappenplatte 49 befestigt ist und dessen längerer Arm sich abwärts axial zu der öffnungsrichtung der Vertiefung 47 in der Kappe erstreckt. Der längere Arm desA cap member 4o is shown in FIGS. 4a and 4b. The middle part of a cap plate 49 has a circular bore 41 for receiving the rod 61 of the base part 60. the Cap plate 49 also has a bore 43 for training the cavity 35 and a recess 47 in its surface for receiving a drive shaft 15 through which the cap member 40 can be rotated about the central rod of the base part 60, on. The drive shaft 15 is rotated by suitable means (not shown) arranged outside the tube 11. To rotate the rotatable members 50 about the central rod 61, an L-shaped shaft 42 is provided, the shorter arm of which is attached to part of the periphery of the cap plate 49 and the longer arm thereof extends axially downward toward the opening direction the recess 47 in the cap extends. The longer arm of the

4 098 19/10254,098 19/1025

Schafts 42 trägt die drehbaren Glieder 50, deren Bohrungen 52 er durchsetzt, so daß die Antriebswelle die drehbaren Glieder 50 über das Kappenglied 4o um die zentrale Stange 6-1 drehen kann.Shaft 42 carries the rotatable members 50, the bores 52 of which he penetrated so that the drive shaft can rotate the rotatable members 50 via the cap member 4o about the central rod 6-1.

In den Figuren 4c und 4d ist ein drehbares Glied 50 gezeigt. Dieses Glied hat in seiner Oberfläche eine Vertiefung 55 zur Auf_r nähme des Substrats 33 und eine Bohrung 53 zur Ausbildung der Aushöhlung 35. Die Vertiefungen 55 und die Bohrungen 53 sind in gleichen Abständen vom Mittelpunkt des Glieds 50 angeordnet und liegen in der dargestellten AusfUhrurigsform symmetrisch zum Mittelpunkt des Glieds 50. In der Mitte des Glieds 50 ist eine Bohrung 51 ausgebildet, durch die die Stange 61 des Basisteils dicht und drehbar geführt ist. Ein Vorsprung 54 erstreckt sich radial vom Umfang des Glieds 50 und weist eine kreisförmige Bohrung 52 auf, durch die der Schaft 42 des Kappenglieds 40 dicht passend geführt ist und eine Drehung der drehbaren Glieder 50 ermöglicht.A rotatable member 50 is shown in FIGS. 4c and 4d. This element has in its surface a recess 55 for at _r would take the substrate 33 and a bore 53 for forming the cavity 35. The recesses 55 and the holes 53 are arranged at equal distances from the center of the member 50 and are in the illustrated export Obergurig form symmetrical to the center of the link 50. In the middle of the link 50 a bore 51 is formed through which the rod 61 of the base part is guided in a sealed and rotatable manner. A protrusion 54 extends radially from the periphery of the member 50 and has a circular bore 52 through which the shaft 42 of the cap member 40 is snugly guided and enables the rotatable members 50 to rotate.

Die Figuren 4g und .4h veranschaulichen ein stationäres Glied 70, das dem drehbaren Glied 50 entspricht mit der Abweichung, daß ein Vorsprung 74 sich von einer anderen Stelle des Umfangs als der Vorsprung 54, relativ zu den Vertiefungen 55 bzw. 75 erstreckt.Figures 4g and 4h illustrate a stationary member 70, which corresponds to the rotatable member 50 with the difference that a projection 74 extends from a different location on the circumference than the projection 54, relative to the recesses 55 and 75, respectively.

In der ersten bevorzugten Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung müssen die VorsprUnge 54 und 74 derart angeordnet sein, daß sie die Drehung der-drehbaren Glieder um einen Halbkreis um die Sisange 61 des Basisteils'6o, um einen vollständigenIn the first preferred embodiment of the device according to the invention, the projections 54 and 74 must be arranged in this way be that they rotate the rotatable members around a semicircle around the sisange 61 of the base part'6o, around a complete

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Kontakt Substrat/Lösung herzustellen, nicht verhindern. In der ersten, in Figur 3a gezeigten bevorzugten Ausführungsform einer Vorrichtung gemäß der Erfindung ist auch eine Einrichtung 20 zum Rühren der Lösung, um sie gleichmäßig zu machen und zum Dotieren , der Lösung 31 mit einer Verunreinigung aus dem Dampfzustand vorgesehen. Die Rühreinrichtung 20 wird durch geeignete (nicht gezeigte) Mittel außerhalb des Rohrs 11 gedreht. Der obere Teil des hohlen Rohrs 24 trägt eine Kammer 23, in der eine geeignete Verunreinigung von verhältnismäßig hohem Dampfdruck enthalten ist. Die Kammer 23 und die Lösung 31 stehen über öffnungen 26 und 27 des hohlen Rohrs 24 miteinander in Verbindung. Am unteren Teil des hohlen Rohrs 24 sind RUhrschaufeln 28 befestigt.Establish contact between substrate / solution, not prevent. In the first, shown in figure 3a preferred embodiment of a device according to the invention, the solution is also a means 20 for stirring the solution, to make them more uniform and for doping, 31 with an impurity from the vapor state are provided. The agitator 20 is rotated outside the tube 11 by suitable means (not shown). The upper part of the hollow tube 24 carries a chamber 23 in which a suitable contaminant of relatively high vapor pressure is contained. The chamber 23 and the solution 31 are connected to one another via openings 26 and 27 of the hollow tube 24. Stirrer blades 28 are attached to the lower part of the hollow tube 24.

Für'den Betrieb der in den Figuren 3a bis 4h veranschaulichten ersten bevorzugten Ausführungsform einer Vorrichtung gemäß der Erfindung werden geeignete Substrate 33 in die Vertiefungen 65, 55 und 75 des Basisteils 60, der drehbaren Glieder 50 bzw. der stationären Glieder 70 eingebracht. Dann werden die drehbaren Glieder 50 und die stationären Glieder 70 alternierend über dem Basisteil 60 angeordnet und das Kappenteil 40 wird über dieser Anordnung angeordnet, wodurch das Wachstumsschiff 30 gebildet wird. In diesem Fall ist das Wachstumsschiff 30 so ausgebildet, daß es die Aushöhlung 35 aufweist, was dadurch erfolgt, daß die Vertiefungen 65, 55 und 75 in Flucht zueinander liegen. Dann wird eine geeignete, die epitaxial abzuscheidenden Materialien enthaltende Beschickung in die Aushöhlung 35 eingebracht, und das Schiff 30 wird in dasFor the operation of the illustrated in Figures 3a to 4h First preferred embodiment of a device according to the invention, suitable substrates 33 are placed in the recesses 65, 55 and 75 of base 60, rotatable members 50 and stationary, respectively Links 70 introduced. Then the rotatable links 50 and the stationary members 70 are alternately arranged over the base part 60 and the cap part 40 is arranged over this arrangement, thereby forming the growth ship 30. In this case, the growth vessel 30 is designed to make the cavity 35 has, which takes place in that the depressions 65, 55 and 75 are in alignment with each other. A suitable charge is then made containing the materials to be epitaxially deposited placed in the cavity 35, and the ship 30 is inserted into the

4 09819/1025 ■ \4 09819/1025 ■ \

Jl- 'Jl- '

wärmefeste Rohr 11 so eingesetzt, daß der langgestreckte Vorsprung 13 dicht von der Vertiefung 67 umfaßt wird, so daß das Schiff 30 an seinem Umfang fixiert wird. Die Antriebswelle 15 wird eingesetzt, wie in Figur 3a gezeigt, und das wärmefeste Rohr 11 wird in einen geeigneten (nicht gezeigten)" Ofen einge-; .setzt. Danach wird die Temperatur des Wachstumsschiffs 30 über das Rohr 11 auf einen gewünschten Wert eingestellt. Bei dieser Temperatur geht das abzuscheidende Material in Lösung, und die Lösung 31 wird dann durch die Einrichtung 20 gerührt, so daß sie einheitlich wird und gleichzeitig mit einer geeigneten Verunreinigung dotiert. Dann wird die Einrichtung 20 aus dem Rohr herausgezogen. Die Antriebswelle I5 wird durch geeignete (nicht gezeigte) Mittel so gedreht, daß sie sowohl das Kappenglied kO als auch" die drehbaren Glieder"50 um einen Halbkreis um die Stange 61 des Easisteils 60 entgegen dem Uhrzeigersinn dreht, so daß jedes der Substrate 33 in den Vertiefungen 55 in Kontakt mit der Lösung in jeder-der Bohrungen 73 gelängt, während die in jeder der Bohrungen 53 enthaltene Lösung in Kontakt mit den Substraten in den Vertiefungen 75 kommt. In Figur.- 3b sind im Längsschnitt die Substrate.in Kontakt mit der Lösung gezeigt. Danach wird die Temperatur langsam mit vorgegebener Geschwindigkeit gesenkt, so daß gleichzeitig auf mehreren Substraten ein expitaxiales Aufwachsen erfolgt, und nach Beendigung;dieses . Aufwachsens werden die drehbaren Glieder im Uhrzeigersinn gedreht, um die Lösungen von den Substraten zu. trennen. Nachdem die Temperatur der Vorrichtung ausreichend niedrig, beispielsweise Raumtemperatur, ist, werden die Halbleitexele-heat-resistant tube 11 inserted so that the elongated projection 13 is tightly encompassed by the recess 67, so that the ship 30 is fixed on its periphery. The drive shaft 15 is inserted as shown in Figure 3a, and the heat-resistant tube 11 is placed in a suitable furnace (not shown). Thereafter, the temperature of the growth vessel 30 is adjusted via the tube 11 to a desired value. At this temperature the material to be deposited goes into solution and the solution 31 is then stirred by the device 20 so that it becomes uniform and at the same time doped with a suitable impurity, the device 20 is then withdrawn from the tube and the drive shaft 15 is passed through rotated suitable means (not shown) so that it rotates both the cap member kO and "the rotatable members" 50 counterclockwise around a semicircle around the rod 61 of the base part 60 so that each of the substrates 33 in the recesses 55 are in contact with the solution in each of the bores 73, while the solution contained in each of the bores 53 comes into contact with the substrates in the depressions 75 t. In Figure 3b, the substrates are shown in contact with the solution in longitudinal section. The temperature is then slowly reduced at a predetermined rate, so that an expitaxial growth takes place on several substrates at the same time, and after completion, this. During growth, the rotatable members are rotated clockwise to draw the solutions from the substrates. separate. After the temperature of the device is sufficiently low, for example room temperature, the semiconductor elements are

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mente mit den epitaxial aufgewachsenen Schichten aus der Vorrichtung genommen.elements with the epitaxially grown layers from the device taken.

Wenn" auch die Vertiefung 75 und die Bohrung, 73 eines stationären Glieds 70 der besprochenen Ausführungsform symmetrisch zum Mittelpunkt eines solchen Glieds angeordnet sind, so dient diese Anordnung lediglieh der Veranschaulichung und unterliegt nur der Bedingung, daß jedes von ihnen in gleichem Abstand von dem Mittelpunkt angeordnet ist. Das gleiche gilt für die anderen Glieder der Vorrichtung. In der besprochenen ersten Ausführungsform der Vorrichtung können geeignete Einrichtungen vorgesehen werden, um mehrere Schichten epitaxial auf den Substraten 33 aufwachsen zu lassen. Diese Einrichtung ist im Boden der Aushöhlung 35 vorgesehen und dient zum Abziehen der Lösung nach Beendigung eines ersten epitaxial en Auf Wachsens, so daß auf jedem Substrat ein weiteres epitaxiales Aufwachsen bewirkt werden kann, indem man neue Lösung in die leergelaufene Aushöhlung 35 einbringt. Die neue Lösung wird in einer geeigneten Einrichtung über der Aus- höhlung 35 in Bereitschaft gehalten.If "also the recess 75 and the bore, 73 of a stationary Link 70 of the embodiment discussed are arranged symmetrically to the center of such a link, this serves Arrangement is for illustrative purposes only and is subject to Condition that each of them is equidistant from the center. The same goes for the other links the device. In the first embodiment discussed Suitable devices can be provided in the device in order to grow a plurality of layers epitaxially on the substrates 33 allow. This device is provided in the bottom of the cavity 35 and serves to withdraw the solution after the completion of an initial epitaxial growth so that one on each substrate further epitaxial growth can be effected by new solution is introduced into the empty cavity 35. the new solution will be in a suitable facility above the hollow 35 held in readiness.

Die Figuren 5a und 5b zeigen Modifikationen des in Figur 4c (Figuren 5a und 5b) bzw. des in Figur 4g (Figuren 5c und 5d) gezeigten Glieds. In diesem Fall sind Modifikationen der durch die Figuren 4a und 4e veranschaulichten Glieder nicht gezeigt, sie können jedoch leicht unter Berücksichtigung der Figuren 4a bzw. 4e aus den Figuren 5a und 5c abgeleitet werden. Das durch Figur 5aFIGS. 5a and 5b show modifications of the link shown in FIG. 4c (FIGS. 5a and 5b) and the link shown in FIG. 4g (FIGS. 5c and 5d). In this case, modifications of the members illustrated by FIGS. 4a and 4e are not shown, but they can easily be derived from FIGS. 5a and 5c taking into account FIGS. 4a and 4e, respectively. The through Figure 5a

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veranschaulichte modifizierte Glied 250 ist mit zwei Vertiefungen 255 und 256 ausgebildet, von denen jedes der Aufnahme eines Substrats dient, sowie mit zwei Bohrungen 253 und 254, von denen jede einen Teil einer Aushöhlung zur Aufnahme einer Lösung bildet. Auch das durch die Figur.5c veranschaulichte modifizierte Glied 270 ist mit zwei Vertiefungen 275 und 276, die jede der Aufnahme eines Substrats dienen, und zwei Bohrungen 275 und 27^, die jede einen Teil einer Aushöhlung zur Aufnahme einer Lösung bilden, ausgebildet. Bei diöser AusfUhrungsform einer Vorrichtung gemäß der Erfindung ist die Anzahl der erzeugten Elemente mit aufgewachsenen Schichten doppelt so groß wie bei der ersten bevorzugten AusfUhrungsform. Auch kann durch die HinzufUgung weiterer Bohrungen und Vertiefungen für jedes der Glieder der Figuren 5a und 5c die Anzahl von Elementen mit epitaxial aufgewachsenen Schichten auf mehr als das Dreifache der in der ersten AusfUhrungsform erhaltenen erhöht werden. Bei einer solchen modifizierten AusfUhrungsform der ersten bevorzugten AusfUhrungsform der Vorrichtung kann in jedem Bodenteil der Aushöhlungen eine Einrichtung zum Ablaufehlassen einer Lösung und über jeder Aushöhlung eine Einrichtung zur Bereitstellung von Lösungen die in die leergelaufene Aushöhlung eingebracht werden sollen, vorgesehen werden.The illustrated modified link 250 is two-dimple 255 and 256, each of which accommodates a substrate serves, as well as with two bores 253 and 254, each of which forms part of a cavity for receiving a solution. Even is modified link 270 illustrated by Figure 5c with two recesses 275 and 276, which each serve to receive a substrate, and two bores 275 and 27 ^, each one Form part of a cavity for receiving a solution. In the diöser embodiment of a device according to the invention, the number of elements produced is also grown Layers twice as large as in the first preferred embodiment. By adding further bores and recesses for each of the links in FIGS. 5a and 5c, the number of elements with epitaxially grown layers to more than three times that obtained in the first embodiment increase. In such a modified embodiment of the first preferred embodiment of the device can be in each Bottom part of the cavities a device for drainage a solution and above each excavation a facility for deployment of solutions introduced into the empty cavity should be provided.

In den Figuren 6a bis 6d sind zwei Arten von Gliedern, die in einer weiteren Modifikation der ersten bevorzugten AusfUhrungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung verwendet werden können, gezeigt. Die durch die Figuren 6a und 6c veranschaulichten GliederIn Figures 6a to 6d, two types of links are shown in a further modification of the first preferred embodiment of the device according to the invention can be used. The links illustrated by Figures 6a and 6c

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sind Modifikationen der durch'die Figuren 4c bzw. 4g gezeigten Glieder. Die Figuren 6b und 6d sind Draufsichten auf die in den Figuren 6a und 6c perspektivisch dargestellten Glieder. Jedes der durch die Figuren 6a und 6c veranschaulichten Glieder weist eine Bohrung mehr als die durch die Figuren 4c und 4g veranschaulichten Glieder auf. Modifikationen des Kappenglieds 40 von Figur 4a und des.Basisteils 6o von Figur 4e sind nicht gezeigt, können aber leicht unter Berücksichtigung der Figuren 4a und 4e aus den Figuren 6a und 6c hergeleitet werden. Für den Betrieb der Vorrichtung werden in jede Vertiefung 355 und 375 Substrate eingelegt, und eine erste Beschickung wird in die erste, von den Bohrungen 354 und 374 gebildete Aushöhlung und eine zweite Beschickung in eine zweite, von den Bohrungen 353 und 373 gebildete Aushöhlung eingebracht. Dann wird die Temperatur des Wachsturasschiffs auf einen gewünschten Wert erhöht, so daß erste und zweite Beschickung in Lösung gehen und eine erste und eine zweite Lösung bilden. Ein modifiziertes Kappenglied wird durch eine geeignete Einrichtung · gleich der Antriebswelle 15 von Figur 3a gedreht, und diese Drehung verursacht ihrerseits eine Drehung der Glieder 350 um die Längsachse des Schiffs. Im vorliegenden Fall werden beispielsweise die Glieder 35° U"¹ 90 Grad im Uhrzeigersinn gedreht, so daß jedes der Substrate in den Vertiefungen 355 der Glieder 350 in Kontakt mit der ersten Lösung in den Bohrungen 374 der Glieder 370 gebracht wird. Die in jeder der Bohrungen 354 enthaltene Lösung wird in Kontakt mit den Substraten in den Vertiefungen 375 gebracht, so dafi ein erster Kontakt Substrat/Lösung erzielt" wird.are modifications of the members shown by FIGS. 4c and 4g, respectively. Figures 6b and 6d are top views of the members shown in perspective in Figures 6a and 6c. Each of the links illustrated by Figures 6a and 6c has one more bore than the links illustrated by Figures 4c and 4g. Modifications of the cap member 40 from FIG. 4a and the base part 6o from FIG. 4e are not shown, but can easily be derived from FIGS. 6a and 6c taking into account FIGS. 4a and 4e. To operate the device, substrates are placed in each recess 355 and 375, and a first charge is introduced into the first cavity formed by the bores 354 and 374 and a second charge is introduced into a second cavity formed by the bores 353 and 373. Then the temperature of the guard ship is increased to a desired level so that first and second feeds go into solution and form first and second solutions. A modified cap member is rotated by suitable means like the drive shaft 15 of Figure 3a, and this rotation in turn causes the members 350 to rotate about the longitudinal axis of the ship. In the present case, for example, the members 35 ° U " ^{1 are} rotated 90 degrees clockwise so that each of the substrates in the recesses 355 of the members 350 is brought into contact with the first solution in the bores 374 of the members 370 The solution containing bores 354 is brought into contact with the substrates in the depressions 375, so that a first substrate / solution contact is achieved.

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Nach der Beendigung des ersten epitaxialen Aufwachsens werden die Glieder 350 entgegen deni Uhrzeigersinn um einen Halbkreis gedreht, ßo daß es zu einem zweiten Kontakt Substrat/Lösung in der oben beschriebenen Weise kommt.After the completion of the first epitaxial growth, the members 350 are rotated counterclockwise through a semicircle, so that there is a second substrate / solution contact in the manner described above.

Die Figuren'7a bis 7h zeigen eine Modifikation des in Figur 6a gezeigten Glieds (Figuren 7a bis 7<3) und eine Modifikation des. durch Figur 6c veranschaulichten Glieds (Figuren 7e bis 7h). Ein Glied 450 (Figuren 7a bis 7d) entspricht dem Glied 350 (Figuren 6a und 6b) mit der Abweichung, daß es mit einer Vertiefung 454 (Figuren 7c und ¹Jd) in der Bodenflache entsprechend der Bohrung 354 des Glieds 350 ausgebildet ist/ Das Glied 470 (Figuren 7e bis 7h) entspricht dem Glied 370 (Figuren 6e und 6d)- mit der Abweichung, daß es mit einer Vertiefung 474 (Figuren 7g und Th) in der Bodenfläche entsprechend der Bohrung 37^ (-Figuren 6e und 6d) des letzteren ausgebildet ist. In dieser Ausführungsform dienen die Vertiefungen 454 und 4'74 der Aufnahme einer Verunreinigung. Beim Betrieb werden in jede der Vertiefungen 455 (Figuren 7a und 7b) und 475 (Figuren 7e und 7f) Substrate eingelegt. Dann wird in die durch die Bohrungen 453 (Figuren Ta bis 7d) und 473 (Figuren 7e bis Th) gebildete Aushöhlung eine Beschickung-eingebracht. Das Wachstumsschiff wird in einen geeigneten (nicht gezeigten) Ofen eingebracht. Dann wird die Temperatur des Schiffs auf einen gewünscht en. Wert erhöht, so daß die Materialien unter Bildung einer Lösung in Lösung gehen.. Danach werden die Glieder. 450 entgegen dem Uhrzeigersinn um 90° um die- Mittelachse gedreht, so daß ein ersterFIGS. 7a to 7h show a modification of the link shown in FIG. 6a (FIGS. 7a to 7 <3) and a modification of the link illustrated by FIG. 6c (FIGS. 7e to 7h). A member 450 (Figures 7a to 7d) corresponds to the element 350 (Figures 6a and 6b), except that it (7c and ¹ Jd figures) is formed in the bottom surface corresponding to the bore 354 of the member 350 with a recess 454 / The Link 470 (Figures 7e to 7h) corresponds to link 370 (Figures 6e and 6d) - with the difference that it has a recess 474 (Figures 7g and Th) in the bottom surface corresponding to the hole 37 ^ (Figures 6e and 6d) of the latter is formed. In this embodiment, the depressions 454 and 4'74 serve to receive a contamination. During operation, substrates are placed in each of the depressions 455 (FIGS. 7a and 7b) and 475 (FIGS. 7e and 7f). A charge is then introduced into the cavity formed by the bores 453 (FIGS. Ta to 7d) and 473 (FIGS. 7e to Th). The growth ship is placed in a suitable oven (not shown). Then the temperature of the ship is desired to one. The value increases so that the materials go into solution to form a solution .. After that, the limbs. 450 rotated counterclockwise by 90 ° about the central axis, so that a first

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,- 20 -, - 20 -

Kontakt Substrat/Lösung in der oben im Zusammenhang mit der ersten bevorzugten AusfUhrungsform (Figuren 6a bis 6d) beschriebenen Weise hergestellt wird. Nach Beendigung des ersten epitaxialen Auf Wachsens werden die Glieder 450 ura 90° entgegen dem Uhrzeigersinn gedreht, um die Lösung mit der Verunreinigung zu dotieren. Dann werden die Glieder 450 um 90° im Uhrzeigersinn gedreht, um einen zweiten Kontakt Substrat/Lösung herzustellen. Die so erhaltenen zweiten, epitaxial aufgewachsenen Schichten unterscheiden sich in charakteristischer Weise von den ersten.Contact substrate / solution in the above related to the first preferred embodiment (Figures 6a to 6d) described manner will be produced. After finishing the first epitaxial growth the links are rotated 450 ura 90 ° counterclockwise, to dope the solution with the impurity. Then the links 450 are rotated 90 ° clockwise, a second Contact substrate / solution to make. The second epitaxially grown layers obtained in this way differ in characteristic of the first.

Die Figuren 8a bis 8f veranschaulichen eine zweite bevorzugte Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung, Ein Schiff 800 für ein epitaxiales Aufwachsen bildet eine.. Aushöhlung 895, die axial zu der Vorrichtung verläuft und der Aufnahme einer Lösung 870 dient. Das Schiff 800 weist ein Basisglied 841, eine Anzahl stationärer, sieh quer zu der Vorrichtung erstreckender Glieder 831 und eine Anzahl verschiebbarer Glieder 821 auf, die alternierend übereinander auf dem Basisglied 841 angeordnet sind, sowie ein Kappenglied 81I über der.Anordnung. Das Schiff 800 ist von einem geeigneten (nicht gezeigten) Gehäuse, mit einer Bohrung in seiner Deckfläche, die einen Teil der Aushöhlung 895 bildet und Anschlägen zur Begrenzung der horizontalen Bewegung der stationären Glieder 83I, des Basisglieds 841 und des Kappenglieds 811 umgeben. Die Deckfläche des Basisglieds 841 bildet eine Vertiefung 845, die einen Teil der Aushöhlung 895 bildet, und eine Vertiefung 84? zur Aufnahme eines der Substrate 860. Jedes der sich querFigures 8a to 8f illustrate a second preferred one Embodiment of the device according to the invention, a ship 800 for epitaxial growth forms a .. cavity 895, which runs axially to the device and the inclusion of a solution 870 is used. The ship 800 has a base member 841, a number of stationary, see extending transversely of the device Members 831 and a number of slidable members 821, the are arranged alternately one above the other on the base member 841, and a cap member 81I over the arrangement. The ship is 800 from a suitable housing (not shown), with a bore in its top surface, which forms part of the cavity 895 and stoppers for restricting the horizontal movement of the stationary members 83I, the base member 841 and the cap member 811 surround. The top surface of the base member 841 defines a recess 845 which forms part of the cavity 895 and a recess 84? for receiving one of the substrates 860. Each of the transverse

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zu der Vorrichtung.erstreckenden stationären Glieder 8j51 weist eine Vertiefung 837 in seiner Deckfläche zur-Aufnahme eines der Substrate 860 auf und ist mit einer Bohrung 835, die einen Teil der Aushöhlung 895 bildet, versehen. Jedes der quer zu der Vorrichtung verschiebbaren Glieder 821 weist eine Vertiefung 823 in seiner Deckfläche zur Aufnahme eines der Substrate 860 und eine Bohrung 825, die einen Teil der Aushöhlung 895 bildet, auf. Die Bohrungen 825 und 835 sind an einander gegenüberliegenden Seiten hinsichtlich der. Aushöhlung 895 angeordnet. Das Kappenglied 8IT weist eine Bohrung 815 auf, die einen Teil der Aushöhlung 895 bildet. Vorzugsweise ist jedes der sich quer zu der Vorrichtung erstreckenden stationären und verschiebbaren Glieder rechtwinklig; jede der Bohrungen und Vertiefungen hat einen kreisförmigen Querschnitt, jede der Bohrungen und jede der Vertiefungen haben gleichen Abstand von beispielsweise 1 cm voneinander," und die Dicke jedes der stationären und verschiebbaren Glieder beträgt beispielsweise etwa 0,8 bis 1,5 mm.to the device. extending stationary members 8j51 a recess 837 in its top surface for receiving one of the Substrates 860 and is provided with a hole 835 forming a part the cavity 895 is provided. Each of the transverse to the device displaceable member 821 has a recess 823 in its top surface for receiving one of the substrates 860 and a Bore 825 which forms part of the cavity 895 on. the Bores 825 and 835 are on opposite sides with regard to the. Cavity 895 arranged. The cap link 8IT has a bore 815 that forms part of the cavity 895 forms. Preferably, each of the stationary and slidable members extending transversely of the device is rectangular; each of the bores and depressions has a circular cross-section, each of the bores and each of the depressions have equal distance of, for example, 1 cm from each other, "and the The thickness of each of the stationary and slidable members is, for example, about 0.8 to 1.5 mm.

Für den Betrieb der Vorrichtung wird in jede der Vertiefungen ein Substrat 860 eingelegt, das Schiff 800 wird wie oben beschrie·* ben zusammengesetzt, und die Quelle der abzuscheidenden Materialien wird in die Aushöhlung 895 eingebracht. Dann wird das Schiff in ein geeignetes Gehäuse eingebracht und in einen geeigneten (nicht gezeigten) Ofen eingesetzt, und seine Temperatur wird auf einen gewünschten Wert erhöht. Bei dieser Temperatur löst sich die Quelle der abzuscheidenden Materialien unter Bildung einer Lösung. DanachFor the operation of the device is in each of the wells a substrate 860 is inserted, the ship 800 is described as above * ben composed, and the source of the materials to be deposited is inserted into cavity 895. Then the ship turns into a suitable housing introduced and in a suitable (not shown) Furnace is inserted and its temperature is raised to a desired value. At this temperature the source dissolves of the materials to be deposited to form a solution. Thereafter

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werden die verschiebbaren Glieder durch geeignete (nicht gezeigte) Einrichtungen gleichzeitig in Pfeilrichtung (Figur 8f} verschoben, so daß jedes der Substrate in den Vertiefungen 823 in Kontakt mit der Lösung gebracht wird, während die Lösung in jeder der Bohrungen 825 in Kontakt mit jedem der Substrate in den Vertiefungen 837 und 847 gebracht wird. Dann wird die Lösung mit vorbestimmter Geschwindigkeit gekühlt, so daß gleichzeitig auf den Substraten epitaxiale Aufwachsungen erfolgen.the slidable links are secured by suitable (not shown) Devices moved simultaneously in the direction of the arrow (Figure 8f}, so that each of the substrates in the recesses 823 are in contact with the solution is brought while the solution is in each of the holes 825 is brought into contact with each of the substrates in the wells 837 and 847. Then the solution is predetermined with Cooled speed, so that epitaxial growths take place on the substrates at the same time.

• Beispiel I • Example I

i'i '

Dieses Beispiel beschreibt die Herstellung einer elektrolumineszenten p-n-Junktionsdiode und insbesondere das Aufwachsen einer epitaxialen p-Typ-GaP-schicht auf n-Typ-GaP-schichten in der ersten bevorzugten AusfUhrungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung. Vor dem oben erwähnten epitaxialen Aufwachsenlassen wird ein n-Typ-GaP-Einkristall unter hohem Druck hergestellt, wonach auf einem von dem Einkristall abgeschnittenen Plättchen unter Verwendung der ersten bevorzugten AusfUhrungsform der Vorrichtung eine GaP-Schioht vom η-Typ epitaxial aufwachsen gelassen wird. Die verwendete Lösung enthält 20 g Ga, 2 g polykristallines GaP und 2 mg Tellur. Nach der Herstellung der Halbleiterelemente, die jedes eine GaP-Schicht vom η-Typ auf dem GaP-Substrat tragen, wird, noch, wie unten beschrieben, eine epitaxiale GaP-Schieht vom p-Typ auf jeder der GaP-Schichten vom η-Typ abgeschieden. Eine Anzahl solcher Elemente wird in die Vertiefungen 65 (Figur 4e), 75 (Figur 4g) und 55 (Figur 4c) eingelegt. Das Epitaxialschiff 30This example describes the manufacture of an electroluminescent p-n junction diode and especially growing up an epitaxial p-type GaP layer on n-type GaP layers in the first preferred embodiment of the device according to FIG Invention. Before the above-mentioned epitaxial growth, an n-type GaP single crystal is produced under high pressure, after which on a plate cut off from the single crystal using the first preferred embodiment of the device a η-type GaP layer is epitaxially grown will. The solution used contains 20 g of Ga, 2 g of polycrystalline GaP and 2 mg tellurium. After the production of the semiconductor elements, each of which has a GaP layer of the η-type on the GaP substrate, is still, as described below, an epitaxial GaP layer from p-type deposited on each of the η-type GaP layers. A number such elements is in the recesses 65 (Figure 4e), 75 (Figure 4g) and 55 (Figure 4c) inserted. The epitaxial ship 30

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wird zusammengestellt, wie für die erste bevorzugte Ausftthrungsform besehrieb'eri. Bas in die Aushöhlung 35 eingebrachte Material enthält 20 g Ga, 2 g polykriställines GaP und 30 ing Ga₂Oy Danach wird das Schiff 30 in das Rohr 11 so eingesetzt, daß die langgestreckte Vertiefung 67 des Basisteils 60 in Eingriff mit dem Vorsprung 13 des Rohrs 11 kommt. Ein Verunreinigungsmetall von hohem Dampfdruck, in diesem Beispiel Zink, wird in die Kammer 23 eingebracht, und die Rühreinrichtung. 2o wird angeordnet ,wie in Fig, 3a gezeigt. Schließlieh wird die Aushöhlung 35 mit dem Deekel 19 abgedeckt. Die Luft in dem Rohr 11 wird vollständig durch Wasserstoff hoher Reinheit ersetzt, und das Rohr 11 wird in einen geeigneten Ofen eingebracht. Die Temperatur der- Vorrichtung wird auf etwa 1020⁰C erhöht, und die dann gebildete Lösung 31 wird mit der Rühreinrichtung 20 gerührt, bis die Lösung einheitlich ist. Bei dieser Temperatur gelangt das in der Kammer 23 befindliehe Zink aus.dem Dampfzustand in die. Lösung, so daß die Lösung mit einer vorbestimmten Konzentration an Zink dotiert wird. Nach ausreichendem Rühren der Lösung wird die Rühreinrichtung 20 aus dem Rohr 11 gezogen. Danach wird die Antriebswelle 15 durch eine geeignete Einrichtung entgegen dem Uhrzeigersinn gedreht, so daß gleichzeitig eine Anzahl der drehbaren Glieder 50 über das Kappenglied 40 gedreht werden und in der oben im Zusammenhang mit der ersten bevorzugten Ausführungsform ein Kontakt zwischen Substrat und Lösung hergestellt wird. In diesem Beispiel haben sowohl die drehbaren als auch die stationären Glieder eine Dicke von 1 mm, so daß die die Substrate bedeckende Lösung natürlichis compiled as described for the first preferred embodiment. The material introduced into the cavity 35 contains 20 g of Ga, 2 g of polycrystalline GaP and 30 ing of Ga ₂ Oy. Thereafter, the vessel 30 is inserted into the tube 11 so that the elongated recess 67 of the base part 60 engages with the projection 13 of the tube 11 is coming. A high vapor pressure contaminant metal, in this example zinc, is introduced into chamber 23 and the agitator. 2o is arranged as shown in Fig. 3a. Finally, the cavity 35 is covered with the cover 19. The air in the tube 11 is completely replaced with high purity hydrogen, and the tube 11 is placed in a suitable furnace. The temperature of the device is increased to about 1020 ^° C., and the solution 31 which is then formed is stirred with the stirring device 20 until the solution is uniform. At this temperature, the zinc in the chamber 23 escapes from the vapor state into the. Solution so that the solution is doped with a predetermined concentration of zinc. After the solution has been sufficiently stirred, the stirring device 20 is pulled out of the tube 11. Thereafter, the drive shaft 15 is rotated counterclockwise by suitable means so that at the same time a number of the rotatable members 50 are rotated over the cap member 40 and in the above in connection with the first preferred embodiment a contact between substrate and solution is established. In this example, both the rotatable and stationary members are 1 mm thick so that the solution covering the substrates is natural

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eine Tiefe von 1 πππ hat. Danach wird die Temperatur mit einer Geschwindigkeit von 2,5°C/min gesenkt, so daß Epitaxialschichten auf den Substraten aufwachsen. Wenn die Temperatur auf etwa 800°C gesenkt ist, werden die drehbaren Glieder im Uhrzeigersinn gedreht, um die Substrate von der Lösung zu trennen. Die so erhaltenen Epitaxialschichten sind p-Typ-Sehichten und haben eine freiehas a depth of 1 πππ. After that, the temperature is set with a Speed decreased by 2.5 ° C / min, so that epitaxial layers grow on the substrates. When the temperature has dropped to around 800 ° C, the rotatable links are rotated clockwise, to separate the substrates from the solution. The so obtained Epitaxial layers are p-type layers and have a free one

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Trägerkonzentration von 5 x 10 ' Elektronen je cm . Nachdem-die Temperatur auf Raumtemperatur gesenkt ist, werden die Elemente aus der Vorrichtung genommen und dann einem Mesa-Ätzverfahren und, nachdem ohmisch Elektroden daran befestigt sind, in der üblichen Weise angerissen und zu Pellets von Halbleitervorrichtungen zerschnitten. Auf diese'Weise werden elektrolumineszente Dioden, die durch einen Durchlaßstrom von 3 mA rotes Li-cht emittieren, erhalten.Carrier concentration of 5 x 10 'electrons per cm. After the Temperature is lowered to room temperature, the elements are taken out of the device and then a mesa etching process and, after electrodes are ohmically attached thereto, scribed in the usual manner and cut into pellets of semiconductor devices. In this way, electroluminescent diodes, which emit red light through a forward current of 3 mA, obtain.

Example II

Dieses Beispiel beschreibt die Herstellung einer anderen elektrolumineszenten Diode von hoher Lumineszenz in einer Modifikation der ersten bevorzugten Ausführungsform der Vorrichtung gemäß der Erfindung. In diesem Beispiel werden als Substrate spiegelgeätzte, mit Tellur mit 10 Elektronen Je cnr dotierte GaAs-Elemente vom η-Typ verwendet. Die Substrate werden .in die Vertiefungen 355 (Figur.6a), 375 (Figur 6c) und die Vertiefung des modifizierten Basisteils von Figur 4e eingelegt. Das Schiff wird zusammengestellt, wie für die erste bevorzugte Ausführungsform der Vor-This example describes the manufacture of another electroluminescent High luminescence diode in a modification of the first preferred embodiment of the device according to FIG Invention. In this example, mirror-etched, GaAs elements doped with tellurium with 10 electrons per cnr η-type used. The substrates are .in the depressions 355 (Figure 6a), 375 (Figure 6c) and the recess of the modified Inserted the base part of Figure 4e. The ship is put together as for the first preferred embodiment of the

409819/1025 ' " ■409819/1025 '"■

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richtung gemäß der Erfindung beschrieben. Die modifizierte Form der ersten bevorzugten AusfUhrungsform weist natürlich zwei Lösung enthaltende Aushöhlungen auf.direction according to the invention described. The modified form The first preferred embodiment naturally has two solutions containing cavities.

Die Lösung in der ersten Aushöhlung enthält 20 g Ga₁ 2 g GaAs, 9 mg Al und eine geringe Menge an Si als Verunreinigung, und die Lösung in der zweiten Aushöhlung enthält 20 g Ga, 2 g GaAs, 18O mg Al und eine geringe Menge an Si als Verunreinigung. Das zusammen* / gestellte Schiff wird in das Rohr 11 so eingesetzt, daß die lang* gestreckte Vertiefung 6f des modifizierten Basisteils in Eingriff mit dem Vorsprung 13 des Rohrs 11 kommt. Die Luft in dem Rohr 11 wird vollständig durch Wasserstoff hoher Reinheit ersetzt, und das Rohr 11 wird in einen geeigneten Ofen eingebracht. Die Temperatur der Vorrichtung wird auf 86o°C erhöht, wobei die Materialien in beiden Aushöhlungen schmelzen. Nach ausreichendem Erhitzen der Vorrichtung, d.h. nach Senken ihres Temperaturgradienten auf ein Minimum, wird die Antriebswelle 15 durch geeignete Mittel beispielsweise im Uhrzeigersinn um 90° gedreht, so daß sich gleichzeitig die rotierenden Glieder 350 über die modifizierte Kappe um 90° drehen und ein erster Kontakt Substrat/Lösung erzielt wird, wie im einzelnen im Zusammenhang mit der dritten bevorzugten Ausführungsform beschrieben. In diesem Beispiel hat jedes der drehbaren und der stationären Glieder (350» 370) eine Dicke von etwa 1 mm, so daß die die Substrate bedeckende Lösung eine Tiefe von ebenfalls etwa 1 mm hat. Danach wird die Temperatur erstens mit der Geschwindigkeit von 15⁰C je Minute, zweitens js Minute so, daßThe solution in the first cavity contains 20 g of Ga _1, 2 g of GaAs, 9 mg of Al and a small amount of Si as an impurity, and the solution in the second cavity contains 20 g of Ga, 2 g of GaAs, 180 mg of Al and a small amount of Si as an impurity. The assembled ship is inserted into the tube 11 so that the elongated recess 6f of the modified base part engages with the projection 13 of the tube 11. The air in the tube 11 is completely replaced with high purity hydrogen, and the tube 11 is placed in a suitable furnace. The temperature of the device is raised to 86o ° C, melting the materials in both cavities. After sufficient heating of the device, ie after lowering its temperature gradient to a minimum, the drive shaft 15 is rotated by suitable means, for example clockwise by 90 °, so that at the same time the rotating members 350 rotate through the modified cap by 90 ° and a first contact Substrate / solution is achieved as described in detail in connection with the third preferred embodiment. In this example, each of the rotatable and stationary members (350-370) is about 1 mm thick so that the solution covering the substrates is also about 1 mm deep. Thereafter, the temperature is firstly at the rate of 15 ⁰ C per minute, secondly every minute so that

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in der Lösung enthaltenes Silicium erstens als Donator und zweitens als Akzeptor in zwei Schichten eingebracht wird, so daß nacheinander GaAlAs-Schichten vom η-Typ und vom p-Typ auf dem GaAs-Substrat vom η-Typ abgeschieden werden, verringert. Danach werden die drehbaren Glieder 350 entgegen dem Uhrzeigersinn um einen Halbkreis um die Längsachse des Schiffs gedreht, so daß ein zweiter Kontakt Lösung/Substrat hergestellt wird. Nachdem die Temperatur der Lösung 840°G erreicht hat, wird sie mit einer Geschwindigkeit von 2°C/min gesenkt, so daß ein epitaxiales Aufwachsen auf der GaAlAs-Sehieht vom p-Typ erfolgt. Die durch den ersten Kontakt Substrat/ Lösung aufgewachsene Epitaxialschicht hat eine p-n-Junktion, und das Molverhältnis von in der Schicht enthaltenem (AlAs) zu (GaAsAl) beträgt etwa 1:5· Die durch den zweiten Kontakt Substrat/ Lösung aufgewachsene Epitaxialschicht hat ein Molverhältnis (AlAs) zu (GaAsAl) von 1:2 und auch eine größere EnergielUcke. Demzufolge hat die ·erhaltene elektrolumineszente Diode, weil die Innenabsorption von in der p-n-Junktion emittiertem Licht wegen der-großen Energielücke gesenkt ist, einen hohen Grad an Leuchtdichte.silicon contained in the solution is introduced firstly as a donor and secondly as an acceptor in two layers, so that GaAlAs layers of η-type and p-type are deposited successively on the GaAs substrate of η-type. Thereafter, the rotatable members 350 are rotated counterclockwise through a semicircle about the longitudinal axis of the ship, so that a second solution / substrate contact is made. After the temperature of the solution reaches 840 ° G, it is lowered at a rate of 2 ° C / min so that epitaxial growth occurs on the p-type GaAlAs face. The epitaxial layer grown through the first substrate / solution contact has a pn junction, and the molar ratio of (AlAs) to (GaAsAl) contained in the layer is about 1: 5. The epitaxial layer grown through the second substrate / solution contact has a molar ratio (AlAs) to (GaAsAl) of 1: 2 and also a larger energy gap. Accordingly, since the internal absorption of light emitted in the pn junction is decreased because of the large energy gap, the electroluminescent diode obtained has a high degree of luminance.

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Claims

(ι.Λ device for the deposition of epitaxial layers a number of substrates from a liquid phase by .

a heat-resistant oven; ,

a heat-resistant tube insertable in the furnace; and an epitaxial growth vessel insertable in the heat-resistant tube with at least one cavity arranged axially thereto, in which a solution of the epitaxial on a number of Substrates to be deposited material is contained, the ship a number of flat, superposed members, each of which is formed with at least one recess for receiving a substrate, and alternating Links of this number of flat links are arranged so "that they move relative to the remaining flat links can be used to make a number of contacts between substrate and solution. ·

2. Device for the deposition of epitaxial layers on a Number of substrates from a liquid phase according to claim 1 ", marked by

a heat-resistant furnace j ■ - "■ -.

a heat-resistant tube insertable in the furnace; an epitaxial growth vessel which can be inserted into the heat-resistant tube and has a longitudinal axis and which has at least one axial

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to the axis arranged cavity, which a solution of on a number of substrates containing material to be epitaxially deposited, is formed, wherein the ship a number of members displaceable in the transverse direction of the device, each of which has at least a first recess for receiving a substrate and at least one first bore to form a part of this at least has a cavity and the transversely movable members are movable about the longitudinal axis and the at least one first recess and bore are equidistant from the center of the member, and

a number of stationary members extending transversely of the device, each of which has at least one "recess" for receiving it at least one second substrate and at least one bore for forming part of the at least one Having cavity, each of the at least one side depressions and holes equidistant from the center point of this member are removed, the movable and the stationary members alternately coaxially one above the other are arranged so that at least one first and at least one second bore form the at least one cavity and at least the one first and at least the one second recess arranged axially in at least one straight line are so that movement of the transversely extending movable members make contact with the substrate in at least a first well with the solution in the little

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at least causes a second bore and at the same time causes a contact of the solution in the at least one first bore with the substrate in the at least one second recess _s and further movements of the transverse movable members cause a number of substrate / solution contacts,
having. ·. ..

■ - a

3. Device according to claim 2, characterized gekennzeichne _s t that the Epitaxialwachstumsschiff pochs

a flat base that is in intimate contact with a coaxially first end of the set of movable and stationary members is arranged, - -

At least two indentations in its first surface of the flat base part except that part where a central rod is supported. of them at least. @ine recording the ¹ sub "strate dientj while the recess and-erö slnon BodQis door which forms at least one cavity and dis ^ VortiefuB QSB & ΐϊ equal distances from Mittelpuefefe AESS OoenoB BssIstoisSo · gb = - sorted sindj, wherein.

the central bar at the central part UQT BrmtQn Obarfläclae "too flat base portion and extending to Publ ~ sotilal su voltage directions of the recesses in u®r ar & tsn ObcsyflächQ @ r ° stretches and vorgesshen'iat for supporting the movable UNOE stationary members at their middle parts ₀ a shaft made of ϋκΙοάΡΟΒ üqt fastened to the base plate

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ORIGINAL INSPECTED

stationary members with respect to the base; and first fixing means formed in a second surface of the base plate so as to be in tight engagement with a second pixelation means for the base formed in the inner bottom surface of the heat-resistant tube , can come into action ₅
having.

4. Apparatus according to claim 3 * characterized in that the flat base is circular, the shaft is L-shaped and with its shorter arm on one Part of the perimeter of the base part is attached, while its longer Arm extends in the same direction as the central rod,

each of the recesses has a circular cross-section, and & ii first Fijtiereinrichfcung for the base oin © VortiefVng. is.

a flat, coaxial in Innigaro KosiisaBi? taife öe © second end © Sa.is £ «s the dretibisr ^ si 'URi; sfeafei.osi ^ PQfö (flSG ^ ej? gMgQ ^ Tdnetes Kappent « member has ^

the middle part diaa @ F flaolaoH Ka] 5> pQ sin © fereisfSrmigs Mittel » hole for the rotatable fefnatai® dos "central rod of the base» member has ^

the fish cap

ORIGINAL INSPECTiO

a hole to form at least one cavity 'has' the cap, in addition to the central bore, has at least one recess in a first surface for receiving a drive shaft which is used to move the cap around the central rod of the base part, and

a movable shaft attached to the cap for moving the transversely movable members about the central rod of the base member having.

6. Apparatus according to claim 5 * characterized in that the flat cap is circular,

the movable shaft is L-shaped with the shorter arm on one Part of the circumference of the cap is attached and the longer arm extends axially in the opening direction of the recess in the cap, and where

each cap bore and cap recess has a circular cross-section owns.

7 · Device according to claim 2, characterized in that except for the first hole in the middle of the transversely movable one Members at least one first recess is formed in these members in a first of their surfaces,. in the central part of each of the transversely movable members the first central bore is designed for tight and moveable fitting of the central rod of the base part, this first hole in each of the transversely displaceable

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Members are formed except for the portion of the first central bore

a protrusion extending radially from a side edge of the movable member and having a circular bore through the a movable shaft of a cap member tightly fitting and rotatable about a central rod of the base part the movable Limbs.

8. Apparatus according to claim 7 *, characterized in that each of the movable members is a circular plate and each of the first bores and first recesses is a circular one Has cross-section.

9 · Device according to claim 2, characterized in that in the members running in the transverse direction, in addition to a second central bore, at least one second recess in a first their surfaces are formed,

the central portion of each of the transverse stationary members forms the second central bore so that they are closely supported by a central rod of the base part, the second bore is formed in each of the transverse stationary members in addition to the central bore, and a protrusion extending radially from a side edge of the stationary member and having a bore through which the fixation shaft of the base portion tightly supports the stationary member so that it is circumferentially fixed with respect to the base member is"

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10. Apparatus according to claim 9 *, characterized in that each of the stationary members is a circular plate and each of the second bores and the second recesses is one has a circular cross-section.

11, device according to claim 2 _fl, characterized in that each of the transversely displaceable members still has at least one third recess in its second surface ^ the first and the third recess are arranged at equal distances from the center of the member ^ each of the in the transverse direction extending stationary members still has at least a fourth recess in their second surface, the second and fourth recess are arranged at equal distances from the center of the stationary member and the rotatable and the stationary members are arranged alternately one above the other, so that the third and the veined recess are axially positioned in at least one straight line ⁰ ₀ "

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