DE2339150A1 - Monolithisch integrierbare serienregelschaltung - Google Patents

Monolithisch integrierbare serienregelschaltung

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Hans Dipl Ing Keller
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    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices

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Description

DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GESELLSCH1IFt MIT BESCHRÄNKTER HAFTUNG
FREIBURG I. BR.
Monolithisch, integrierbare Serienrege !schaltung
Die Erfindung beschäftigt sich mit einem Problem, das bei batteriebetriebenen Geräten mit einer SerienregeIsehaltung dann auftritt, wenn ein nur zeitweise eingeschalteter Verbraucher an diese angeschlossen ist. Diese Art der Spannungsversorgung tritt beispielsweise bei elektronischen Uhren, Personenruf empfängern, Filmkameras oder Warnanlagen auf.
Sofern diese Geräte eine möglichst konstante Versorgungsspannung benötigen, werden sie aus Silberoxyd- oder Quecksilber-
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batterien betrieben, deren Spannungskonstanz jedoch in vielen Fällen noch nicht ausreicht. Außerdem gibt es diese Batterien in gleicher Bauform mit unterschiedlicher Nennspannung, so daß der Benutzer leicht versehentlich einen weniger geeigneten Batterietyp in sein Gerät einsetzen kann. Daher besteht Bedarf an einer Serienregelschaltung, die eine von der Batteriespannung unabhängige Ausgangsspannung liefert und selbst, insbesondere bei unbelastetem Ausgang, nur vernachlässigbar wenig Strom verbraucht.
Das bedeutet beispielsweise bei einer Serienregelschaltung für Armbanduhren, deren elekfcromechanischer Wandler durch Impulsströme von 1 mAr IO ms Dauer und 1 Hz Folgefrequenz mit einem mittleren Strom von IO .uA betrieben wird, daß die Eigenstromaufnahme der unbelasteten Serienregelschaltung kleiner als 1 ,uA sein sollte.
Bei Filmkameras tritt dieses Problem ebenfalls auf, da dort der Fotowiderstand und der Stellmotor für die belichtungsabhängige Einstellung der Blende oder ein Belichtungsanzeigeinstrument nur zeitweise in Betrieb sind, so daß in den Benutzungspausen die Serienregelschaltung ebenfalls sehr wenig Eigenstromverbrauch aufweisen muß.
Bei Personenrufempfängern ist das Empfangsteil zwar ständig eingeschaltet, jedoch werden die Rufsignale, beispielsweise eine Blinklampe oder ein Summer nur bei Einfall eines entsprechenden Eingangssignals abgegeben, so daß während der Rufpausen die Serienregelschaltung ebenfalls möglichst wenig Eigenstromverbrauch aufweisen sollte.
Die Serienregelschaltung nach der Erfindung geht von dem Aufbau üblicher Serienregelschaltungen aus, wie er in Fig. 1
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schematisch dargestellt ist. Der dort gezeigte Längstransistor Tl liegt mit seinem Emitter an der Eingangsklemme für die schwankende Eingangsspannung U und mit seinem Kollektor an der Klemme für die geregelte Ausgangsspannung U^. Die Basis des Längstransistors Tl wird im Sinne der Konstanthaltung der Ausgangsspannung U. durch Vergleich eines an dem ohmschen Spannungsteiler Rl, R2 abgegriffenen Teiles der geregelten Ausgangsspannung mit einer Referenzspannung vom Regelverstärker V gesteuert. Die Referenzspannungsquelle ist in Fig. 1 nicht gesondert gezeichnet, da sie im Regelverstärker V meist als Basis-Emitter-Schwellspannung eines Transistors enthalten ist.
Der Eigenstromverbrauch der ausgangsseitig unbelasteten Serienrege Isohaltung setzt sich im wesentlichen aus dem im Spannungsteiler Rl, R2 fließenden Strom Il und aus den im Regelverstärker fließenden Strömen 12 und 13 zusammen. Um den Strom Il möglichst klein zu halten, muß man die Spannungsteilerwiderstände Rl und R2 möglichst groß machen. Da aber über einen der beiden Widerstände der toleranzbehaftete Eingangsstrom des Regelverstärkers fließt und damit das Teilerverhältnis beeinflußt, dürfen die Widerstände je nach den Toleranζforderungen an die · geregelte Ausgangsspannung einen Höchstwert nicht überschreiten. Außerdem beanspruchen bei einer integrierten Schaltung hochohmige Widerstände sehr viel Kristallfläche. Die Größe der Ströme 12 und 13 wird dadurch bestimmt, daß der Regelverstärker bei belasteter Serienregelschaltung genügend Basisstrom für den Längstransistor Tl liefern muß. Ihr Minimalwert wird durch die realisierbaren Stromverstärkungen und Widerstandswerte begrenzt.
Die Aufgabe der Erfindung besteht daher darin, eine monolithisch integrierbare Serienregelschaltung zum Erzeugen einer konstanten, insbesondere in der Größenordnung von 1 V liegenden, ge-
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regelten Ausgangsspannung aus einer schwankenden Eingangsspannung, insbesondere aus der Spannung von Trockenbatterien, als Speisespannung eines zeitweise eingeschalteten Verbrauchers anzugeben, deren Querstrcm bei nichteingeschaltetem Verbraucher möglichst klein, insbesondere kleiner als 0,5 ^uA sein soll. Diese Aufgabe wird von der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung gelöst, Die Erfinder gehen dabei von der Erkenntnis aus, den Regelverstärker nur dann mit Strom zu speisen, wenn der Verbraucher aus der geregelten Spannungsquelle Strom entnimmt, und ihn gewissermaßen in den Strompausen zu "sperren". Dadurch wird der Eigenstromverbrauch der Serienregelschaltung drastisch gesenkt.
Weiterbildungen und Ausfuhrungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen gekennzeichnet und werden zusammen mit der Erfindung anhand der in der Zeichnung dargestellten weiteren Fig. 2 bis 6 näher erläutert.
Fig. 2 zeigt ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 3 zeigt das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit einem zweistufigen Regelverstärker,.
Fig. 4 zweigt eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels nach Fig. 3,
Fig. 5 zeigt ein zweites Ausführungsbeispiel der Erfindung und
Fig. 6 zeigt das Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 mit einem dreistufigen Regelverstärker.
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Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 ist die Basis des Längstransistors Tl mit der Basis des ersten Zusatztransistors T2 verbunden, der von derselben Leitungsart wie der Längstransistor ist und dessen Emitter über den Widerstand R4 mit dem Emitter des Längstransistors verbunden ist. Ferner ist die Basis-Emitter-Strecke des zweiten Zusatztransistors T3 der Kollektor-Emitter-Strecke des Längstransistors über den Emitterwiderstand R3 parallelgeschaltet, wobei der zweite Zusatztransistor ebenfalls von derselben Leitungsart wie der Längstransistor Tl ist, also im Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 ein npn-Transistor.
Die Kollektoren der beiden Zusatztransistoren T2, T3 sind miteinander verbunden und speisen gemeinsam den Regelverstärker V mit Strom. Hierbei führt der erste Zusatztransistor T2 dem Regelverstärker einen umso höheren Strom zu, je größer der im an den Ausgangsklemmen angeschlossenen Verbraucher fließende Strom ist, während der zweite Zusatztränsistor T3 einen umso höheren Strom zuführt, je größer die Differenz zwischen der Eingangsspannung U^ und der Ausgangsspannung tL ist. Der in der Serienregelschaltung nach der Erfindung fließende Querstrom richtet sich somit nach dem Strombedarf des angeschlossenen Verbrauchers.
Anstatt den Emitter des zweiten Zusatztransistors T3 über den Widerstand R3 mit dem Emitter des Längstransistors Tl zu verbinden, kann der Emitter des zweiten Zusatztransistors T3 auch direkt mit dem Emitter des ersten Zusatztransistors T2 verbunden werden, wie es im Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 gezeigt ist oder er kann auch an einem Abgriff des Widerstandes R4 angeschlossen werden.
Die Fig. 3 zeigt das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit einem
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zweistufigen Regelverstärker. Dieser besteht aus den Transistoren T4 und T5r die von zur Leitungsart des Längs transistors Tl komplementärer Leitungsart sind, also in Fig. 3 pnp-Transistoren. Die Basis des Transistors T4 der ersten Stufe liegt am Abgriff des aus den Widerständen Rl und R2 gebildeten Spannungsteilers, während die Basis des Transistors T5 der zweiten Stufe galvanisch am Kollektor des Transistors T4 angeschlossen ist. Die beiden Emitter sind mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden, der mit dem positiven Pol der zu regelnden Spannung identisch ist. Der Emitter des zweiten Zusatztransistors T3 liegt, wie bereits oben erwähntP am Emitter des ersten Zusatztransistors T2 und somit über den Widerstand R4 am Emitter des Längstransistors Tl. Selbstverständlich sind beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 -die beiden anderen bereits erwähnten Möglichkeiten der Anschaltung des Emitters des zweiten Zusatztransistors T3 ebenfalls möglich.
Die Fig. 4 zeigt das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit einem ebenfalls zweistufigen Regelverstärker und der Speisung dieses Regelverstärkers durch die beiden Zusatztransistoren T2 und T3 über eine Stromspiegelschaltung. Unter Stromspiegelschaltung, wird dabei die bekannte Schaltung zur Erzeugung von einander gleichen oder proportionalen Strömen verstanden (vgl. die Zeitschrift "Funk-Technik", 1973f Seiten 313 und 314), bei der der Kollektorstrom eines Transistors, dessen Basis mit dem Kollektor verbunden ist, den Kollektorstrom weiterer zugeordneter Transistoren bestimmt, deren Basis-Emitter-Strecke der Basis-Emitter-Strecke des erstgenannten Transistors jeweils parallelgeschaltet ist. In »onolithisch integrierten Schaltungen führt dies zu einem Multikollektortransistor, wie er auch für als Ersatz hochohmiger Widerstände dienende KonstantStromquellen bekannt ist, vgl. beispielsweise "IEEE Journal of Solid-state Circuits"«. April 1972, Seiten 105 bis 111, insbesondere Fig. 8 und 9 auf Seite 107.
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Im Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 besteht die Stromspiegelschaltung aus den Transistoren T7r T8 und T9, die von zur Leitungsart des Längstransistors Tl komplementärer Leitungsart sind. Hierbei ist die Basis des Transistors T7 mit dessen Kollektor verbunden und liegt an den beiden Kollektoren der Transistoren T2 und T3. Der in diesem Transistor über dessen Emitter-Kollektor-Strecke fließende Strom tritt aufgrund der stromspiegelnden Eigenschaft dieser Schaltung gegebenenfalls mit einem Proportionalitätsfaktor ebenso im Xcllektorkreis der Transistoren T8 und T9 auf, die mit ihren Basis-Emitter-Strecken der Basis-Emitter-Strecke des Transistors T7 parallelgeschaltet sind.
Der Regelverstärker besteht im Ausführungsbeispiel nach Fig. aus den Transistoren TIl und T12, die von derselben Leitungsart wie der Längs transistor Tl sind,- und ist somit zweistufig. Die erste Stufe mit dem Transistor TIl wird an dessen Basis über den Emitterfolgertransistor TlO vom Abgriff des Spannungstellers Rl, R2 gesteuert, wobei 4er Transistor TlO von derselben Leitungsart wie die Transistoren der Stromspiegelschaltung ist.
Der Emitter des Transistors TIl der ersten Regelverstärkerstufe liegt am Pol der geregelten Ausgangsspannung, ebenso wie der Kollektor des Emitterfolgertransistors TlO. Der Kollektor des Transistors T12 der zweiten Regelverstärkerstufe liegt am Schaltungsnullpunkt, an dem auch die Emitter der Transistoren T7, T8r T9 der Stromspiegelschaltung angeschlossen sind. Der Kollektor des Transistors TIl steuert die Basis des Transistors T12 und der Emitter des Transistors T12 die Basis des Längstransistors Tl. Der Kollektor des Transistors T8 speist die Basis des Transistors T12 und der Kollektor des Transistors T9 die Basis des Transistors TIl mit einem von den beiden Zusatztransistoren T2 und T3 bestimmten Strom. Als interne Referenz-
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spannung für den Regelverstärker wirkt im Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 die Differenz der Basis-Emitter-Schwellspannungen der Transistoren TlO und TIl.
Die Wirkungsweise der in Fig. 4 gezeigten Schaltung ist folgende: Es sei vorausgesetzt, daß an den Ausgangsklemmen ein Verbraucher angeschlossen ist und dieser eingeschaltet ist. Wird nun die Eingangsspannung U_ eingeschaltet, so wird der zweite
JZf
Zusatztransistor T3 von der Differenz zwischen Ausgangs- und Eingangs spannung angesteuert, so daß der sich entsprechend einstellende Kollektorstrom den Transistor T7 der Stromspiegelschaltung ansteuern kann und damit die Transistoren T8, T9 und T12 geöffnet werden. Der Emitter strom des Transistors T12 öffnet die Basis des Längstransistors, so daß an die Last Strom fließen kann. Durch den dadurch erhöhten Spannungsabfall an der Basis-Emitter-Strecke des Längstransistors Tl wird der erste Zusatztransistor T2 leitend und liefert einen zusätzlichen Strom an die Stromspiegelschaltung, was wiederum dazu führt, daß der Regelverstärker einen erhöhten Basisstrom dem Längstransistor Tl zuführt. Je nach Größe des im Verbraucher fließenden Stromes wird also der dem Regelverstärker zugeführte Strom vom Transi- · stör T2 entsprechend gesteuert, während der vom Zusatztransistor T3 dem Regelverstärker zugeführte Strom umso größer ist, je höher die Differenz zwischen Eingangs- und Ausgangsspannung wird.
Hierbei kann auch der Fall auftreten, daß diese Differenz kleiner als die Basis-Emitter-Schwellspannung des zweiten Zusatztransistors T3 ist, so daß dieser keinen speisenden Strom mehr liefert. Dies ist jedoch nicht nachteilig, da der Zusatztransistor T3 auf jeden Fall im Einschaltmoment seine Funktion immer erfüllt.
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In Fig. 5 ist das Prinzip eines zweiten Ausführungsbeispiels der Erfindung gezeigt, bei der der zweite Zusatztransistor ein zur Leitungsart des Längstransistors Tl komplementärer Transistor T3f istr dessen Kollektor an der Basis des Längstransistors liegt, dessen Basis über den Basiswiderstand R31 mit dem Emitter des Längstransistors verbunden ist und dessen Emitter den Regelverstärker V mit Strom speist. Der erste Zusatztransistor T2 ist dagegen in der gleichen Weise geschaltet wie beim ersten Ausführungsbeispiel nach den Fig. 2 bis 4.
In Fig. 6 ist eine entsprechend dem Prinzip von Fig. 5 aufgebaute Serienregelschaltung gezeigt, bei der der Regelverstärker Jf^ dreistufig 1st, wobei die zweite Stufe aus einem unsymmetrischen Differenzverstärker besteht, und der Regelverstärker wiederum von einer Stromspiegelschaltung gespeist wird. Der Regelverstärker besteht aus der ersten Stufe mit dem Transistor TIl, der zweiten Stufe mit dem unsymmetrischen Differenzverstärker der Transistoren T12, Tl3 und T14 und aus der dritten Stufe mit dem Transistor T5f der von zur Leitungsart des Längstransistors Tl komplementärer Leitungsart ist, während die Transistoren TIl, Tl2, Tl3, Tl4 von derselben Leitungsart wie der Längstransistor Tl sind.
Die Basis des Transistors TIl wird wiederum von dem Emitterfolgertransistor TlO wie bei Fig. 4 angesteuert. Der Kollektor des Transistors TIl steuert die Basis des Transistors T12, dessen Emitter zusammen mit dem Emitter des Transistors Tl3 vom dritten Zusatztransistor T14 gesteuert wird, wobei die Kollektor-Emitter-Strecke dieses Transistors von den beiden Emittern über den Widerstand R5 zum Emitter des Längstransistors Tl führt. Die Basis des dritten Zusatztransistors T14 liegt an der Basis des Längstransistors Tl, an der Basis des ersten Zusatztransistors T2 und am Kollektor des zweiten Zu-
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satztransistors T3f. Der Kollektor des Transistors Tl3 liegt am Schaltungsnullpunkt, während der Kollektor des Transistors T12 die Basis des Transistors T5 steuert, dessen Emitter am Schaltungsnullpunkt und dessen Kollektor an der Basis des Längstransistors Tl liegt.
Der aus den Transistoren Tl2 und Tl3 gebildete Differenzverstärker ist somit ein unsymmetrischer Differenzverstärker, da lediglich in seiner einen Hälfte ein Signal abgenommen wird und auch nur diese Hälfte mit einem Kollektorwiderstand (Transistor T5) versehen ist.
Die Transistoren T7r T8 und T9 der Stromspiegelschaltung sind in gleicher Weise geschaltet wie im Ausführungsbeispiel nach Fig. 4, d. h. die Basis des Transistors T7 ist mit dessen Kollektor verbunden, die Basis-Emitter-Strecken der Transistoren T8 und T9 sind der Basis-Emitter-Strecke des Transistors T7 parallelgeschaltet, der Kollektor des Transistors T8 speist die Basis des Transistors T12 und der Kollektor des Transistors T9 die Basis des Transistors TIl mit Strom. Der zweite Zusatztransistor T3r dagegen speist die Basis des Längstransistors Tl direkt mit Strom.
Wie eine anhand derFig. 6 realisierte Schaltung gezeigt hat, ist es aus Gründen der Schwingsicherheit wünschenswert, daß der Transistor T5 keine zu hohe Stromverstärkung aufweist. Es kann daher zweckmäßig sein, diesem Transistor einen zweiten Kollektor zuzuordnen, der mit dessen Basis verbunden wird, wie dies in Fig. 6 gestrichelt eingezeichnet ist. Ferner kann es erforderlich sein, der Basis-Emitter-Strecke des Zusatztransistors T31 zur Unterdrückung von Schwingneigung den Kondensator C parallelzuschalten, wie dies in Fig. 6 ebenfalls gestrichelt eingezeichnet ist. Auch kann der Spannungsteiler Rl, R2 über eine Flußdiode am Schaltungsnullpunkt angeschlossen sein.
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Es ist in Weiterbildung der Erfindung auch möglich, die Zu- · satztransistoren T2, T3f T31, Tl 4 mit mindestens einem weiteren Kollektor zu versehen und über diesen Kollektor eine andere als die vom ersten jeweiligen Kollektor mit Strom gespeiste Stufe des Regelverstärkers V direkt oder über eine Stromspiegelschaltung mit Strom zu speisen« Auch können z. B. im Falle der Fig. 3 die Zusatztransistoren T2 und T3 zu einem einzigen Transistor mit zwei Kollektoren zusammengefaßt werden, deren einer den Rege!verstärker V direkt und deren anderer ihn über eine Stromspiegelschaltung steuert. Auch in Fig. 2 kann diese Vereinigung der Zusatztransistoren T2r T3 vorgenommen werden.
Aufgrund des der Erfindung zugrundeliegenden Prinzips der in Abhängigkeit vom Laststrom und der Eingangs-Ausgangsspannungs-Differenz gesteuerten Stromspeisung lassen sich Serienregelschaltungen realisieren, deren Eigenstromverbrauch bei abgeschalteter Last äußerst niedrig ist und z. B. im Bereich von einigen hundert Nano-Ampere liegt. Aufgrund dieser vorteilhaften Eigenschaft der erfindungsgemäßen Serienregelschaltung kann diese bei monolithischer Integrierung zusammen mit einer billigen, aber nicht spannungskonstanten Trockenbatterie im selben Gehäuse untergebracht werden. Dadurch können sich weitere Vorteile dahingehend ergeben, daß der für eine andernfalls größervolumige Batterie vorgesehene Raum anderweitig genutzt werden kann.
13 Patentansprüche
3 Blatt Zeichnungen
mit 6 Figuren
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Claims (13)

  1. Fl 766 H. Keller et al 60-2
    PATENTANSPRÜCHE
    ( 1.)Monolithisch integrierbare Serienregelschaltung zum Erzeugen — einer konstanten, insbesondere in der Größenordnung von 1 V liegendenr geregelten Ausgangsspannung aus einer schwankenden Eingangs spannung,- insbesondere aus der Spannung von
    Trockenbatterien,, als Speisespannung eines zeitweise eingeschalteten Verbrauchers f wobei der Emitter eines Längstransistors mit einer Eingangsklemme und dessen Kollektor mit
    einer Ausgangsklemme der Serienregelschaltung verbunden ist und dessen Basisstrom von einem Regelverstärker durch Vergleich eines direkt oder über einen Emitterfolger an einem
    ohmschen Spannungsteiler abgegriffenen Teiles der geregelten Ausgangsspannung mit einer Referenzspannung im Sinne der
    Konstanthaltung der Ausgangsspannung gesteuert wird, dadurch gekennzeichnet,- daß an die Basis des Längstransistors (Tl)
    die Basis eines ersten Zusatztransistors (T2) der Leitungsart des Längstransistors angeschlossen ist, daß der Emitter des ersten Zusatztransistors über einen Widerstand (R4) mit dem Emitter des Längstransistors verbunden ist, daß der
    Kollektor des ersten Zusatztransistors direkt oder über
    eine Stromspiegelschaltung mindestens eine Stufe des Regelverstärkers (V) mit Strom speist, daß die Basis-Emitter-Strecke ernes zweiten Zusatztransistors (T3, T31) über einen Widerstand (R3, R31) der Kollektor-Emitter-Strecke des
    Längstransistors parallelgeschaltet ist und daß der Kollektor des zweiten Zusatztransistors direkt oder über eine
    Stromspiegelschaltung mindestens eine Stufe des Regelverstärkers oder die Basis des Längstransistors mit Strom
    speist.
  2. 2. Serienregelschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Zusatztransistor (T2) den Regelverstär-
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    ker (V) mit umso höherem Strom speist, je größer der Verbraucherstrom ist, und daß der zweite Zusatztransistor (T3, T31) den Regelverstärker mit umso höherem Strom speist, je größer die Differenz zwischen Eingangsspannung (U_) und Ausgangsspannung (U.) 1st.
  3. 3. Serienregelschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Zusatztransistor (T3) von derselben Leitungsart wie die des Längstransistors ist und über einen Emitterwiderstand (R3) an dessen Emitter liegt.
  4. 4. Serienregelschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelverstärker (V) mindestens zweistufig ist und·mindestens zwei in Kaskade geschaltete Transistoren enthält und daß der erste und zweite Zusatztransistor (T2, T3) die Basis des Transistors der letzten Stufe direkt mit Strom speisen.
  5. 5. Serienregelschaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelverstärker aus zwei in Kaskade geschalteten Transistoren (T4, T5) von zur Leitungsart des Längstransistors (Tl) komplementärer Leitungsart besteht (Fig. 3).
  6. 6. Serienregelschaltung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Regelverstärker zweistufig ist und aus zwei in Kaskade geschalteten Transistoren (TIl, T12) von derselben Leitungsart wie der Längstransistor (Tl) besteht, daß der Eingang des Regelverstärkers über einen Emitterfolgertransistor (TlO) von zur Leitungsart des Längstransistors komplementärer Leitungsart am Abgriff des Spannungsteilers (Rl, R2) liegt und daß die Basen der beiden Transistoren des Regelverstärkers über eine Stromspiegelschaltung (T7, T8, T9) mit Strom gespeist sind (Fig. 4).
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  7. 7. Serienregelschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Zusatztransistor (T31) von zur Leitungsart des Längstransistors (Tl) komplementärer Leitungsart ist und über einen Basiswiderstand (R31) an 'dessen Emitter liegt (Fig. 5).
  8. 8. Serienregelschaltung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnetr daß der Regelverstärker dreistufig mit einer unsymmetrischen Differenzverstärkerstufe (T12, Tl3) als zweiter Stufe ist, daß der Eingang des Re ge lver stärke rs über einen EmitteT-folgertranslstor (TlO) von zur Leitungsart des Längstransistors (Tl) komplementärer Leitungsart mit dem Abgriff des Spannungsteilers (Rl, R2) verbunden ist, daß die dritte Stufe des Regelverstärkers ebenfalls aus einem komplementären Transistor (T5) besteht, daß als gemeinsame Emitterstromquelle der unsymmetrischen Differenzverstärkerstufe ein dritter Zusatztransistor (T14) dient, der die beiden Emitter über seinen Kollektor mit umso höherem Strom speist, je größer der Verbraucherstrom ist, und dessen Basis an der Basis des Längstransistors (Tl) und dessen Emitter über einen Widerstand (R5) am Emitter des Längstransistors angeschlossen ist, und daß die Basis des Transistors (TU) der ersten Stufe des Regelverstärkers und die Basis des an seinem Ausgang mit der dritten Stufe verbundenen Differenzverstärkertransistors (T12) über eine Stromspiegelschaltung (T7, T8, T9) mit Strom gespeist ist (Fig. 6) .
  9. 9. Serienregelschaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Transistor (T5) der dritten Stufe des Regelverstärkers einen zweiten Kollektor aufweist, der mit dessen Basis verbunden ist.
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  10. 10. Serienregelschaltung nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Basis-Eraitter-Strecke des zweiten Zusatztransistors (T31) ein Kondensator (C) parallelgeschaltet ist.
  11. 11. Serienregelschaltung nach einem der Ansprüche 7 bis IO, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler (Rl, R2) über eine Flußdiode mit dem Schaltungsnullpunkt verbunden ist.
  12. 12. Serienregelschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der Zusatztransistoren (T2, T3, T3*, T14} mindestens einen weiteren Kollektor aufweist, der eine andere als die vom ersten Kollektor gespeiste Stufe des Regelverstärkers (V) direkt oder über eine Stromspiegelschaltung mit Strom speist.
  13. 13. Monolithisch integrierte Serienregelschaltung zur Regelung der Nennspannung einer Trockenbatterie nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß die integrierte Schaltung zusammen mit der Trockenbatterie in einem' gemeinsamen Gehäuse untergebracht ist.
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    Leerseite
DE19732339150 1973-08-02 1973-08-02 Monolithisch integrierbare Serienregelschaltung Expired DE2339150C3 (de)

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