DE2262475C3 - Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers - Google Patents
Verfahren zum Betrieb eines LichtverstärkersInfo
- Publication number
- DE2262475C3 DE2262475C3 DE2262475A DE2262475A DE2262475C3 DE 2262475 C3 DE2262475 C3 DE 2262475C3 DE 2262475 A DE2262475 A DE 2262475A DE 2262475 A DE2262475 A DE 2262475A DE 2262475 C3 DE2262475 C3 DE 2262475C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- light
- amplifier
- area
- intensity
- threshold value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/11—Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
- H01S3/1123—Q-switching
- H01S3/113—Q-switching using intracavity saturable absorbers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0601—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium comprising an absorbing region
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers, der einen mit einem einzigen
langgestreckten PN-Übergang ausgestatteten Halbleiterkristall enthält, auf dem zu einer Seite des PN-Übergangs
eine einzige großflächige Elektrode angebracht ist, während sich auf der anderen Seite des
PN-Übergangs in Lichtdurchgangsrichtung hintereinander eine Vielzahl von Elektroden befindet, die
an voneinander unabhängigen Stromquellen angeschlossen sind.
Es ist eine mit Elektroden in vorstehend beschriebener Weise ausgestattete Halbleiteranordnung bekannt
(DT-AS 12 20 054), welche mit voneinander unabhängigen Pumpströmen arbeitet, die entsprechend
logischen Informationen so gesteuert sind, daß stimuliertes Laserausgangslicht erzeugt wird,
wenn alle Pumpströme zusammengenommen einen Schwellenwert übersteigen, während unkohärentes,
diffuses Ausgangslicht erhalten wird, sofern die Summe der Pumpströme den Schwellenwert nicht erreicht.
Diese zwei Zustände werden als Binärinformation gewertet und benutzt.
Es ist ferner ein Laseroszillator mit räumlich dem obigen Lichtverstärker veigleichbarer Halbleiter- und
Elektrodenanordnung bekannt (CH-PS 4 35 478), bei dem Intensität und Richtung des abgestrahlten Laserlichts
gesteuert werden. Bei dieser Anordnung erfolgt die Lichtabstrahlung in der Ebene des PN-Übergangs
des Halbleiters im Bereich derjenigen Elektroden, die in Durchlaßrichtung gepolt sind. In
den Absorptionsbereichen wird die Lichtstrahlung unterdrückt.
Der Erfindung liegt gegenüber den bekannten Betriebsverfahren der bekannten Halbleiteranordnungen
die Aufgabe zugrunde, den Lichtverstärker so zu betreiben, daß das parallel zur PN-Ubergangsschicht
an einem Ende auf die Anordnung auftreffende Licht bei entsprechender Ansteuerung der
Elektroden am anderen Ende nur dann verstärkt austritt, wenn die Eingangsintensität einen gegebenen
Schwellenwert überschreitet. Dabei soll die Intensität des austretenden Lichts einen gegebenen Sättigungswert
nicht überschreiten. Schwellenwert und Sättigungswert sollen dabei bestimmte gewünschte
Größen annehmen können.
Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß jeweils zwei aufeinanderfolgende Elektroden und der zugehörige
Halbleiterbereich durch unterschiedliche positive Aussteuerströme derart angesteuert werden, daß
einer der beiden benachbarten Bereiche einen Verstärkungsbereich und der andere einen sättigbaren
Absorptionsbere'ch darstellen, und daß das zu verstärkende Licht so eingestrahlt wird, daß es zuerst
in einen Verstärkungsbereich eintritt.
Die Eigenschaften, das Prinzip, sowie Aufbau und Wirkungsweise der Erfindung werden nachfolgend
nun in Verbindung mit den Figuren der Zeichnung
ao erklärt. Es zeigt
Fig. 1 ein Schaubiild zur Erläuterung herkömmlicher
Lichtverstärker mit einem Schwellenwert in der Eingangs-Ausgangscharakteristik,
F i g. 2 eine graphische Darstellung des Verstärkungs- und des Dämpfungskoeffizienten zur Erläuterung der Arbeitsweise des in F i g. 1 dargestellten Lichtverstärkers,
F i g. 2 eine graphische Darstellung des Verstärkungs- und des Dämpfungskoeffizienten zur Erläuterung der Arbeitsweise des in F i g. 1 dargestellten Lichtverstärkers,
Fig. 3 ein graphisches Schaubild, das die Eingangs-Ausgangscharakiieristik
des in F i g. 1 gezeigten Lichtverstärkers wiedergibt,
F i g. 4 eine perspektivische Ansicht eines Ausführungsbeispiels der Erfindung,
F i g. 5 eine vergrößerte Darstellung eines Ausschnitts aus der F i g. 4,
Fig. 6A und 6B Stirnansicht und Schnitt nach
der Linie6ß-6ß in Fig. 6A des Lichtverstärkers
aus der F i g. 4, aus welchen ein Verstärkungsbereich und ein sättigbarer Absorptionsbereich erkennbar
sind,
F i g. 7 ein graphisches Schaubild der Eingangs-Ausgangscharakteristik
des Verstärkungsbereiches und des sättigbaren Absorptionsbereiches bezogen auf einen Betrag /, der proportional zu einem Treiberstrom
ist, welcher als Parameter verwendet ist, F i g. 8 ein Diagramm mit charakteristischen Kurven
für / = 30 und / == 0,05 in F i g. 6 zur Erläuterung des Auftretens des Schwellenwertes,
F i g. 9 ein die Schemaschaltung der Erfindung darstellendes
Blockschaltbild,
Fig. 10 ein Diagramm der Eingangs-Ausgangscharakteristik
eines einstufigen Verstärkers (Kurve a) gemäß F i g. 8, eines zweistufigen Verstärkers
(Kurve b) und eines fünfstufigen Verstärkers (Kurve c) in Kaskadenschaltung und
Fig. 11 ein Blockschaltbild des Lichtverstärkers mit fünf hintereinandergeschalteten Stufen gemäß
der Erfindung.
Um das Wesen und die Vorteile der Erfindung klar herauszustellen, wird zunächst der Stand der
Technik beschrieben. In der Fig. 1 ist ein aktives Material 1, das Laserwirkung hat, und ein sättigbares
Absorptionsmaterial 2, das Sättigungscharakteristik in seinen Dämpfungskoeffizienten hat, gleichmäßig
in einem Trägerkristall enthalten. Beispielsweise sind Neodym (Nd3+) und Uranoxyd (UOj+) als aktives
Material und als Absorptionsmaterial in Glas enthalten. Mit der Ziffer3 ist in Fig. 1 ein ankommender
Lichtstrahl und mit Ziffer 4 ein abgehender Licht-
strahl bezeichnet. Die Wirkungsweise des Lichtver- P-leitender Galliumarsenid-Halbleiter, 8 ein N-lei-
»tärkers ist nun folgendermaßen. F i g. 2 zeigt den tender Galliumarsenid-Halbleiter und 9 die zwischen
Verstärkungskoeffizienten ag des aktiven Materials ihnen liegende Ubergangsfläche. Um einen Verstärker
je Längeneinheit und den Dämpfungskoeffizien- in einem Streifenübertragungssystem zu bilden, wird
ten X1 des sättigbaren Absorptionsmaterials, der einen 5 der Mittelbereich einer Isolierschicht 10 aus SiO2,
Dämpfungskoeffizienten «„ hat, welcher dem System die auf die P-Typenschicht 7 aufgedampft ist. in
eigen ist. Die Schnittpunkte A und B der beiden Form einer streifen förmigen Nut ausgeätzt, worauf
Kurven »g und at sind ein instabiler Punkt und ein dann leitende Elektroden 11 bis 20 aufgedampft werstabiler
Punkt. Wenn nämlich das dem Verstärker den, die voneinander jeweils elektrisch isoliert sind,
zugeführte Licht seiner Intensität nach geringfügig io wie dies Fig. 5 deutlich erkennen läßt. Auschlußleiunter
dem Wert SA (entsprechend Punkt A) ist, so tungen 21 bis 30 führen zu den Elektroden 11 bis 20.
arbeitet der Verstärker als Dämpfungssystem, denn Das eintretende Licht 3 wird dem Mittelbereich der
es gilt Ci1 größer als <x?, und das vom Verstärker Übergangsfläche 9 an der Eintrittsfläche 5 zugeführt,
weitergeleitete Licht wird geschwächt. Die Knten- auf der sich keine Isolierschicht 10 aus SiO1, befindet,
sitätsabnahme ist um so stärker, je mehr «t den 15 und das Eintrittslicht wird verstärkt und tritt als
Wert af übersteigt, wodurch das Licht verringert AustrittsHchtstrahl 4 an der Austrittsfläche 6 wieder
wird. Wenn der Verstärker ausreichend lang ist, aus. Die PN-Übergangsbereiche, die von den leitenkann
die an seinem Ende vorhandene Lichtintensität den Elektroden 11 bis 20 aus ausgesteuert werden,
bis auf 0 gedämpft sein. Ist jedoch das Licht seiner werden in der nachfolgenden Beschreibung mit 31
Intensität noch geringfügig größer als SA, wenn es 20 bis 40 (siehe Fig. 6B) bezeichnet. Die Bereiche31,
auf den Verstärker trifft, dann tritt das umgekehrte 33, 35, 37 und 39 sind Verstärkungsbereiche, die je-Phänomen
ein, und das Licht wird bei seinem Durch- weils dieselben Verstärkungseigenschaften haben, die
gang durch den Verstärker in seiner Intensität ver- Bereiche 32, 34, 36, 38 und 40 sättigbare Absorpstärkt.
Wenn jedoch die Lichtintensität den Wert SB tionsbereiche mit denselben Sättigungseigenschaften,
entsprechend dem Schnittpunkt B überschreitet, von 25 Die Verstärkungscharakteristik und die sättigbare Abwelchem
ab der Verstärker wieder als dämpfendes Sorptionscharakteristik der jeweiligen Bereiche wird
System wirkt, tritt erneut die Dämpfungseigenschaft durch die Aussteuerströme beeinflußt,
in Wirkung, so daß das übertragene Licht schließlich Funktionell kann der Lichtverstärker der Fig.4 mit der Intensität S8 am Verstärkerausgang austritt. so betrachtet werden, daß jeweils ein Verstärkungs-Die Eingangs-Ausgangscharakteristik dieses Verstär- 30 bereich 31 und ein sättigbarer Absorptionsbereich 32 kers ist in der F i g. 3 dargestellt, und die Lichtinten- einen Verstärker ausmachen, dessen Eingangs-Aussität SA stellt den Schwellenwert dar. gangscharakteristik einen Schwellenwert hat, wobei
in Wirkung, so daß das übertragene Licht schließlich Funktionell kann der Lichtverstärker der Fig.4 mit der Intensität S8 am Verstärkerausgang austritt. so betrachtet werden, daß jeweils ein Verstärkungs-Die Eingangs-Ausgangscharakteristik dieses Verstär- 30 bereich 31 und ein sättigbarer Absorptionsbereich 32 kers ist in der F i g. 3 dargestellt, und die Lichtinten- einen Verstärker ausmachen, dessen Eingangs-Aussität SA stellt den Schwellenwert dar. gangscharakteristik einen Schwellenwert hat, wobei
Unter den Bestimmungsgrößen für den Schwellen- mehrere Verstärker dieser Art mit denselben Einwert
befinden sich materialbedingte Konstanten, und gangs-Ausgangscharakteristiken in Kaskade geschallediglich
die Dichte des Materials gibt eine Möglich- 35 tet sind mit dem Ziel, die Schwellenwertcharakkeit,
den Schwellenwert zu steuern. Aber auch die teristik zu verbessern.
Beeinflussung des Schwellenwertes durch Verän- Die Wirkungsweise soll nun im einzelnen be-
derung der Dichte ist den Einflüssen des Herstel- schrieben werden. Es werden zunächst die Zonen 31
lungsprozesses unterworfen, und nach der Herstel- und 32 betrachtet. Der Einfachheit der Erläuterung
lung liegt der Schwellenwert fest und kann weder ge- 40 wegen wird angenommen, daß die Längen L1 und L2
steuert noch nachjustiert werden. der Bereiche 31 und 32 einander gleich sind
Es ist deshalb nicht leicht, einen gewünschten (L1= L2 = L entsprechend Fig. 6B). Der Bereich
Schwellenwert SA und einen gewünschten Sättigungs- 31 wird" mit einer Stromdichte Z1 über die Zufüh-
wert S11 zu erhalten. In der Praxis jedoch wird ge- rungsleitung 21 positiv ausgesteuert, während der
fordert, daß der Verstärker Hilfsmittel aufweist, die 45 Bereich 32 positiv mit einer Stromdichte /2 über die
eine leichte Einstellung des Schwellenwertes ermög- Leitung 22 ausgesteuert wird. Um die Stromdich-
lichen. ten /,, /., zu normieren, wird eine Stromdichte /0 ver-
Um die Nachteile und Schwierigkeiten der bis- wendet.Dabei ist die Stromdichte ;n das 1/e-fache des
herigen Lichtverstärker zu überwinden, wird gemäß Stromes, bei dem der Verstärkungskoeffizient «g
der Erfindung ein Verfahren zum Betrieb eines einen 50 gleich dem Dämpfungskoeffizienten an ist; »e« ist die
Halbleiter verwendenden Lichtverstärkers geschaf- Basis des natürlichen Logarithmus. Nachfolgend wird
fen, bei dem der Halbleiter-Laser mit PN-Übergang der so normierte Strom / = ///'„ benutzt,
elektrisch in zwei Abschnitte unterteilt ist. Die bei- Bei einem Ausführungsbeispiel eines Halbleiterden Abschnitte werden gesondert erregt und in einen lasers können die Eingangs-Ausgangs-Charakteristi-Verstärkungsabschnitt und in einen sätti^baren Ab- 55 ken des Verstärkungsbereiches 31 und des sättigbaren sorptionsabschnitt je nach der Größe des Treiber- Absorptionsbereiches 32 wie in F i g. 7 dargestellt Stroms unterschieden. Die beiden Abschnitte sind werden mit dem Strom I als Parameter. In diesem miteinander verbunden und bilden den Lichtverstär- Fall ist die Länge L der Bereiche 31 und 32 300 μΐη, kcr; durch den Treiberstrom erhält er einen Steuer- während die innere Dämpfung λ(Ι jedes Bereiches 31 baren Schwellenwert, und eine Vielzahl von Stufen 60 und 32 50 cm~' ist.
elektrisch in zwei Abschnitte unterteilt ist. Die bei- Bei einem Ausführungsbeispiel eines Halbleiterden Abschnitte werden gesondert erregt und in einen lasers können die Eingangs-Ausgangs-Charakteristi-Verstärkungsabschnitt und in einen sätti^baren Ab- 55 ken des Verstärkungsbereiches 31 und des sättigbaren sorptionsabschnitt je nach der Größe des Treiber- Absorptionsbereiches 32 wie in F i g. 7 dargestellt Stroms unterschieden. Die beiden Abschnitte sind werden mit dem Strom I als Parameter. In diesem miteinander verbunden und bilden den Lichtverstär- Fall ist die Länge L der Bereiche 31 und 32 300 μΐη, kcr; durch den Treiberstrom erhält er einen Steuer- während die innere Dämpfung λ(Ι jedes Bereiches 31 baren Schwellenwert, und eine Vielzahl von Stufen 60 und 32 50 cm~' ist.
derartiger Lichtverstärker ist in Kaskade geschaltet. An der Ordinate ist die Ausgangslichtintensität an-
wodurch die Schwellcnwertcharaktcristik verbessert getragen für den Verstärkungsbereich, bei dem
wird. Nachfolgend wire! an Hand der Zeichnung die />c ist, und die Eingangslichtintensität für den sät-
Erfindung im einzelnen beschrieben. tigbarcn Absorptionsbereich, bei dem /<e ist, wäh-
Fig. 4 zeigt ein Ausfiihrungsbeispiel der Erfin- 65 rend an der Abszisse die Eingangslichtintensität für
dung. Mit 5 und 6 sind die Eintritts- bzw. Austritts- den Verstärkungsbereich und die Ausgngslicht-
fläche für das Licht bezeichnet, die mit lichthofver- intensität für den sättigbaren Absorptionsbereich an-
hinrlernden Filmschichten versehen sind, 7 ist ein gegeben sind.
22
Die Fig. 8 zeigt die Kurven für / = 30 und / = 0,05 aus F i g. 7, die zum Nachweis des Schwellenwertes
im Lichtverstärker (F i g. 9) benutzt werden, der einen Verstärkungsbereich (/ = 30, d. h.
/j = 30 /„) und einen sättigbaren Absorptionsbereich
(/ = 0,05, d. h. j2 = 0,05 /0) in Hintereinanderschaltung
hait. Die Schnittpunkte der beiden Kurven / = 30 und / = 0,05 sind mit A' und B' bezeichnet,
und die Werte auf der Abszisse entsprechen P/ und PB'. Dem Lichtverstärker gemäß F i g. 9 wird zunächst
ein Eingangslichtstrahl 3 der Intensität P0 zugeleitet,
welche der Bedingung P/<CP0<Pß' genügt.
Die Intensität P1 des aus dem Verstärkungsbereich 31 austretenden Lichtstrahls 41 kann bei
Verwendung der Kurve für / = 30 (siehe F i g. 8) an der Ordinate abgenommen werden. Der austretende
Lichtstrahl der Intensität P1 tritt dann in flen
sättigbaren Absorptionsbereich 32 ein, und die Intensität des austretenden Lichtstrahls 42 aus dem Bereich
32 kann als Intensität P2 an der Abszisse bei ao Verwendung der Kurve für / = 0,05 abgelesen werden.
Da P2
P0<P/ ist oder
k
k
g
ist, hat der Lichtverstärker mit dem
ist, hat der Lichtverstärker mit dem
2 0
Aufbau gemäß F i g. 9 eine verstärkende Wirkung gegenüber dem eintretenden Licht von der Intensität
P0. Wenn P0 = P/ (oder P0 = P8'), dann wird, wie
sich aus Fig. 8 ablesen läßt, P2 = P0, was mit anderen
Worten bedeutet, daß das einfallende Licht 3 weder verstärkt noch abgeschwächt wird. Wenn
d <P dß
g
, wird P2<P0, so daß
, wird P2<P0, so daß
0/
^8
20
der Verstärker aus F i g. 9 eine dämpfende Wirkung hat. Folglich ist der Wert P/ der Schwellenwert der
Verstärkung für das einfallende Licht 3, während der Wert PB' den Sättigungswert darstellt. Damit der Verstärker
den Schwellenwert hat, ist es erforderlich, eine derartige Kombination des Aussteuerstromes
auszuwählen, daß die charakteristischen Kurven des Verstärkungsbereichs und des sättigbaren Absorptionsbereichs
einander schneiden wie in Fig. 7.
Bei einer Kombination von / = 50 und / = 0,5 schneiden die Charakteristiken einander (außerhalb
der Figur), so daß Verstärkung vorhanden ist. Wenn jedoch der Schwellenwert sehr niedrig ist, dann ist
die Kombination in der Praxis im Hinblick auf Störrauschen unbrauchbar. Der Schwellwert P/ und der
Sättigungspunkt Pß' für die Verstärkung können durch ausgewählte Kombination der Aussteuerströme
des Verstärkungsbereichs und des sättigbaren Absorptionsbereichs nach Wahl gesteuert werden.
Eine Größe / = 30 entspricht einer Stromdichte / = 6000 A/cm8 bei einer absoluten Temperatur von
77° K. Dieser Stromdichtewert ist leicht zu erzielen.
Die voranstehende Beschreibung läßt erkennen, daß mit der Erfindung die Schwierigkeiten, die mit
der Arbeitswellenlänge zusammenhängen, wenn unterschiedliche aktive und sättigbare absorbierende
Materialien verwendet werden, ausgeschaltet werden können, wenn der Verstärkungsbereich und der sättigbare
Absorptionsbereich aus demselben Halbleiter-Laser mit PN-Übergang aufgebaut sind. Außerdem
wird der Schwellenwert nicht mehr durch die Dichte, die Relaxationszeit und die Übergangswahrscheinlichkeit
des verwendeten Materials bestimmt, sondern Schwellenwert und Sättigungswert für die Verstärkung
können auf einfache Weise durch die Intensität des Aussteuerstroms im Verstärkungsbereich und im
sättigbaren Absorptionsbereich gesteuert werden. Ein Lichtverstärker von äußerst kleinen Abmessungen
mit einem Schwellenwert, der durch den HaIbleiter-PN-Ubergang
beeinflußbar ist, ist für den Einsatz in Licht-PCM-Kommunikationssystemen, Lichtregenerationssystemen
und optischen Faserübertragungsleitungen u. dgl. von hohem Nutzen.
Hierzu 5 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers, der einen mit einem einzigen langgestreckten PN-Übergang ausgestatteten Halbleiterkristall enthält, auf dem zu einer Seite des PN-Ubergangs eine einzige großflächige Elektrode angebracht ist, während sich auf der anderen Seite des PN-Übergangs in Lichtdurchgangsrichtung hintereinander eine Vielzahl von Elektroden befindet, die an voneinander unabhängigen Stromquellen angeschlossen sind, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwei aufeinanderfolgende Elektroden (31," 32...; 39, 4C) und der zugehörige Halbleiterbereich durch unterschiedliche positive Aussteuerströme (Z1, /2) derart ausgesteuert werden, daß einer der beiden benachbarten Bereiche einen Verstärkungsbereich und der andere einen sättigbaren Absorptionsbereich darstellen, und daß das zu verstärkende Licht so eingestrahlt wird, daß es zuerst in einen Verstärkungsbereich eintritt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10262771A JPS5242358B2 (de) | 1971-12-20 | 1971-12-20 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2262475A1 DE2262475A1 (de) | 1973-06-28 |
DE2262475B2 DE2262475B2 (de) | 1975-02-27 |
DE2262475C3 true DE2262475C3 (de) | 1975-10-16 |
Family
ID=14332462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2262475A Expired DE2262475C3 (de) | 1971-12-20 | 1972-12-20 | Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3828231A (de) |
JP (1) | JPS5242358B2 (de) |
DE (1) | DE2262475C3 (de) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3955082A (en) * | 1974-09-19 | 1976-05-04 | Northern Electric Company Limited | Photodiode detector with selective frequency response |
US3975751A (en) * | 1974-09-19 | 1976-08-17 | Northern Electric Company Limited | Monolithic light-emitting diode and modulator |
JPS51151574U (de) * | 1975-05-28 | 1976-12-03 | ||
JPS56118386A (en) * | 1980-02-25 | 1981-09-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Optical repeater |
JPS57139981A (en) * | 1981-02-25 | 1982-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light emitting device |
JPS57145388A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Control method for laser light generation |
JPS5850790A (ja) * | 1981-09-19 | 1983-03-25 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体デバイス |
US4628273A (en) * | 1983-12-12 | 1986-12-09 | International Telephone And Telegraph Corporation | Optical amplifier |
CA1251845A (en) * | 1984-08-06 | 1989-03-28 | Ian D. Henning | Optical amplification |
JPS61135189U (de) * | 1984-10-25 | 1986-08-22 | ||
US4791636A (en) * | 1985-10-30 | 1988-12-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method for driving the same |
JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
US5175643A (en) * | 1991-09-30 | 1992-12-29 | Xerox Corporation | Monolithic integrated master oscillator power amplifier |
US6111472A (en) * | 1998-08-19 | 2000-08-29 | Hughes Electronics Corporation | Quasi-optical amplifier |
US6687461B1 (en) * | 1998-11-04 | 2004-02-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Active optical lattice filters |
US6445495B1 (en) | 1999-03-22 | 2002-09-03 | Genoa Corporation | Tunable-gain lasing semiconductor optical amplifier |
US6512629B1 (en) | 1999-03-22 | 2003-01-28 | Genoa Corporation | Low-noise, high-power optical amplifier |
US6891664B2 (en) | 1999-03-22 | 2005-05-10 | Finisar Corporation | Multistage tunable gain optical amplifier |
US6822787B1 (en) * | 1999-04-26 | 2004-11-23 | Finisar Corporation | Lasing semiconductor optical amplifier with optical signal power monitor |
US6801555B1 (en) | 1999-04-26 | 2004-10-05 | Finisar Corporation | Lasing semiconductor optical amplifier with output power monitor and control |
US6647041B1 (en) | 2000-05-26 | 2003-11-11 | Finisar Corporation | Electrically pumped vertical optical cavity with improved electrical performance |
US7046434B1 (en) | 2000-12-14 | 2006-05-16 | Finisar Corporation | Optical crossbar using lasing semiconductor optical amplifiers |
US7110169B1 (en) | 2000-12-14 | 2006-09-19 | Finisar Corporation | Integrated optical device including a vertical lasing semiconductor optical amplifier |
US6853658B1 (en) | 2000-12-14 | 2005-02-08 | Finisar Corporation | Optical logical circuits based on lasing semiconductor optical amplifiers |
US6560010B1 (en) | 2000-12-14 | 2003-05-06 | Genoa Corporation | Broadband gain-clamped semiconductor optical amplifier devices |
US7065300B1 (en) | 2000-12-14 | 2006-06-20 | Finsiar Corporation | Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier |
US6765715B1 (en) * | 2001-03-09 | 2004-07-20 | Finisar Corporation | Optical 2R/3R regeneration |
US6707600B1 (en) | 2001-03-09 | 2004-03-16 | Finisar Corporation | Early warning failure detection for a lasing semiconductor optical amplifier |
US6909536B1 (en) | 2001-03-09 | 2005-06-21 | Finisar Corporation | Optical receiver including a linear semiconductor optical amplifier |
US6829405B1 (en) * | 2001-03-09 | 2004-12-07 | Finisar Corporation | Reconfigurable optical add-drop multiplexer |
US6943939B1 (en) | 2002-03-19 | 2005-09-13 | Finisar Corporation | Optical amplifier with damped relaxation oscillation |
JP2003348021A (ja) * | 2002-05-28 | 2003-12-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信器および光通信システム |
GB2390475A (en) * | 2002-07-02 | 2004-01-07 | Kamelian Ltd | Control of the Gain of a Semiconductor Optical Amplifier |
JP4439193B2 (ja) * | 2003-03-20 | 2010-03-24 | 富士通株式会社 | 半導体光増幅器及び光増幅方法 |
US7042657B2 (en) * | 2003-08-28 | 2006-05-09 | Board Of Regents The University Of Texas System | Filter for selectively processing optical and other signals |
US7443902B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-10-28 | California Institute Of Technology | Laser-based optical switches and logic |
US7480319B2 (en) * | 2003-10-15 | 2009-01-20 | California Institute Of Technology | Optical switches and logic and methods of implementation |
US7351601B2 (en) * | 2003-10-15 | 2008-04-01 | California Institute Of Technology | Methods of forming nanocavity laser structures |
JP4282573B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2009-06-24 | シャープ株式会社 | 半導体光増幅駆動装置 |
JP4350757B2 (ja) * | 2007-01-23 | 2009-10-21 | シャープ株式会社 | 半導体光増幅素子および半導体光増幅素子駆動装置 |
GB2465754B (en) * | 2008-11-26 | 2011-02-09 | Univ Dublin City | A semiconductor optical amplifier with a reduced noise figure |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3303431A (en) * | 1964-02-10 | 1967-02-07 | Ibm | Coupled semiconductor injection laser devices |
GB1053033A (de) * | 1964-04-03 | |||
US3467906A (en) * | 1967-06-14 | 1969-09-16 | Rca Corp | Constant-gain low-noise light amplifier |
US3551842A (en) * | 1968-03-27 | 1970-12-29 | Rca Corp | Semiconductor laser having high power output and reduced threshold |
US3724926A (en) * | 1971-08-09 | 1973-04-03 | Bell Telephone Labor Inc | Optical pulse modulator |
-
1971
- 1971-12-20 JP JP10262771A patent/JPS5242358B2/ja not_active Expired
-
1972
- 1972-12-18 US US00315834A patent/US3828231A/en not_active Expired - Lifetime
- 1972-12-20 DE DE2262475A patent/DE2262475C3/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US3828231A (en) | 1974-08-06 |
DE2262475B2 (de) | 1975-02-27 |
DE2262475A1 (de) | 1973-06-28 |
JPS5242358B2 (de) | 1977-10-24 |
JPS4868188A (de) | 1973-09-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2262475C3 (de) | Verfahren zum Betrieb eines Lichtverstärkers | |
DE60015431T2 (de) | Quelle von optischen Pulsen und Verfahren zur Kompression optischer Pulse | |
DE2165006C3 (de) | Halbleiterlaser | |
DE2238336C3 (de) | Optischer Impulsmodulator | |
DE2710813A1 (de) | Heterostruktur-halbleiterlaser | |
DE112015005885B4 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
DE1278037B (de) | Optischer Sender mit einer Halbleiterdiode als stimulierbarem Medium | |
DE1297250B (de) | Optischer Zender mit einem Halbleiterdioden-Medium | |
DE2643503A1 (de) | Injektionslaser | |
DE1951857A1 (de) | Elektrolumineszenzdiode | |
DE1464711C3 (de) | Diodenlaser | |
DE4034187A1 (de) | Optisches halbleiterelement | |
DE2727793A1 (de) | Injektionslaser | |
DE1191040B (de) | Optischer Sender oder Verstaerker mit Halbleiterdiode, die einen in Flussrichtung belasteten PN-UEbergang zur Injektion von Ladungstraegern aufweist | |
DE2942204A1 (de) | Halbleiter-lichtverstaerker | |
EP0598855B1 (de) | Optisch steuerbarer halbleiterlaser | |
DE2710701C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
Esser | ‘Foundations of Social Theory’oder ‘Foundations of Sociology’? | |
DE2118350A1 (de) | Verfahren zur Beseitigung von Rauschen in einer Übertragungskette und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens | |
DE1162405B (de) | Kryotrontorschaltung mit zwei Parallelkryotrons | |
DE1523537A1 (de) | Reiner Stroemungsmittelfunktionsverstaerker | |
EP0235550A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE1489253B2 (de) | Optischer Sender mit einem entartet dotierten Halbleiter als stimulierbarem Medium | |
DE3809440C2 (de) | Bistabiler Halbleiterlaser | |
DE2716749A1 (de) | Optoelektronische einrichtung mit regelung der lichtausbreitung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8328 | Change in the person/name/address of the agent |
Free format text: BEHN, K., DIPL.-ING., PAT.-ANW., 8134 POECKING |