DE2224468A1 - Etching glass/silica coatings - using carbon tetrafluoride plasma and photoresist mask - Google Patents
Etching glass/silica coatings - using carbon tetrafluoride plasma and photoresist maskInfo
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Abstract
Description
Verfahren zum Ätzen von vorzugsweise Glas-bzw. Siliciumdioxydschichten Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ätzen von vorzugsweise Glas- bzw. Silciumdioxydschichten in einer Umgebung aus einem Kohlenstofftetrafluorid-Plasma, wobei auf der zu ätzenden Schicht ein Fotoresistmaterial aufgebracht, die Fotoresistschicht maskiert und anschliessend der so geschaffene Aufbau in eine evakuierbare Kammer gebracht wird. Method for etching preferably glass or. Silicon dioxide layers The invention relates to a method for etching preferably glass or silicon dioxide layers in an environment of a carbon tetrafluoride plasma, with on the to be etched Layer applied a photoresist material, masked the photoresist layer and then the structure thus created is placed in an evacuable chamber.
Bei der Herstellung integrierter Schaltkreise ist es häufig notwendig, mehrere Ieiterschichten auf der Oberfläche der integrierten Schaltung anzubringen. Die Leiterschichten stehen in ~Verbindung mit mehreren Elementen, die in der Trägerschicht des integrierten Schaltkreises angeordnet sind. Derartige Leitungsverbindungen sind auf der Oberfläche einer dielektrischen Schicht in Form eines Metallisationsmusters angebracht. Eine geeignete dielektrische Schicht besteht aus Siliciumdioxyd, das auch in allgemeiner Form nachfolgend als Glas bezeichnet wird. In einer solchen Glasschicht sind Löcher angebracht, um die Leitungsverbindung zwischen den einzelnen Leitern einer Schicht und den Halbleiterelementen in der Trägerschicht herzustellen. Um weitere Anschlüsse vorzusehen, die nicht in der ersten Leiterschicht untergebracht werden können, wird eine weitere Isolationsschicht in der Regel aus reinem oder dotiertem Siliciumdioxyd auf der ersten Leiterschicht angeordnet. Durch diese Isolationsschicht werden Löcher geätzt, um zwischen einer Leiterschicht und nachfolgenden Leiterschichten Kontaktverbindungen herstellen zu können. Anschliessend wird eine weitere Leiterschicht auf der Isolatlonsschicht angebracht, die in die Löcher eingreift und damit die Verbindung zu der darunterliegenden Leiterschicht herstellt.When manufacturing integrated circuits, it is often necessary to to apply several conductive layers on the surface of the integrated circuit. The conductor layers are connected to several elements in the carrier layer of the integrated circuit are arranged. Such line connections are on the surface of a dielectric layer in the form of a metallization pattern appropriate. A suitable dielectric layer consists of silicon dioxide, which is also more generally Shape is hereinafter referred to as glass. There are holes in such a layer of glass attached to the line connection between the individual conductors of a layer and manufacture the semiconductor elements in the carrier layer. To get more connections to be provided that cannot be accommodated in the first conductor layer another insulation layer, usually made of pure or doped silicon dioxide arranged on the first conductor layer. This insulation layer creates holes etched to create contact connections between a conductor layer and subsequent conductor layers to be able to manufacture. A further conductor layer is then placed on top of the insulating layer attached, which engages in the holes and thus the connection to the one below Produces conductor layer.
Es sind verschiedene Verfahren bekannt, um derartige, Löcher in de-r Glasschicht vorzusehen. Ein allgemein angewandtes Ätzverfahren verwendet eine Fotoresistschicht, die auf der Glasschicht angeordnet und mit einem entsprechenden Maskierungsmuster versehen ist.Various methods are known to remove such holes in de-r Provide glass layer. A commonly used etching process uses a photoresist layer, which are arranged on the glass layer and with a corresponding masking pattern is provided.
Die Glasschicht wird dann entsprechend der Maskierung mit Hilfe eines wässrigen Ätzmittels aus Ammoniumfluorid und Fluorwasserstoffsäure entfernt. DieseS bekannte Verfahren hat zumindest zwei Nachteile. Zum ersten wird das für die Leiterschichten in der Regel verwendete Aluminium von dem Ätzmittel angegriffen.The glass layer is then masked using a aqueous ammonium fluoride and hydrofluoric acid etchant removed. This known method has at least two disadvantages. The first is that for the conductor layers usually used aluminum attacked by the etchant.
Die Aluminiumverbindung, die sich aufgrund dieser chemischen Reaktion mit dem Ätzmittel ergibt, stellt ein gutes, dielektrischen Material dar, sodass die ohmischen Kontaktverbindungen zwischen den Leiterschichten bzw. den Leiterschichten und den Kontaktanschlüssen nicht die gewünschte Qualität aufweisen. Wenn der Ätzvorgang zu lange andauert, wird das Aluminium am Boden der Löcher völlig zerstört. Diese nachteiligen Einflüsse können durch eine sorgfältige Oberwachung des Ätzschrittes und durch das Aufbringen einer einheitlich dicken Glisschlcht gleichmässiger Zusammensetzung verringert werden. Da jedoch die Dicke der Glasschicht in der Regel sehr ungleichmässig ist, kann sich an einer Stelle der Schicht eine ausreichende Ätzung ergeben, während an einer- anderen Stelle der Schicht zu lange geätzt wird.The aluminum compound that is formed as a result of this chemical reaction with the etchant makes a good dielectric material, so the ohmic contact connections between the conductor layers or the conductor layers and the contact terminals are not have the desired quality. If the etching process goes on for too long, the aluminum at the bottom of the holes will go completely destroyed. These adverse influences can be avoided by careful monitoring the etching step and by applying a uniformly thick glass layer more evenly Composition can be reduced. However, as the thickness of the glass layer usually If the layer is very uneven, there may be a sufficient amount at one point of the layer Etching result, while at another point of the layer is etched too long.
Ein weiteres bekanntes Verfahren zur Herstellung von Löchern in Glasschichten lässt sich verwirklichen, indem eine Fotoresistschicht auf der Glasschicht angebracht und daraus in bekannter Weise die gewünschte Maske gebildet wird. Anschliessend wird der integrierte Schaltkreis in einer Argonatmosphäre einem Zerstäubungsverfahren unterzogen. Dieses Verfahren hat zumindest drei Nachteile.Another known method of making holes in layers of glass can be realized by applying a layer of photoresist to the glass layer and the desired mask is formed therefrom in a known manner. Afterward the integrated circuit is sputtered in an argon atmosphere subjected. This method has at least three disadvantages.
Der erste Nachteil ergibt sich aus der mit der Argonzerstäubung verbundenen Erwärmung, die eine Polymerisation der Fotoresistschicht bewirkt, wodurch diese nach dem Anbringen der Löcher schwer wiederzuentfernen ist. Als zweiter Nachteil der-Argonzerstäubung kann angegebe werden, dass das auf der Bodenfläche der Löcher freiliegende Aluminium entfernt wird. Wenn die Glasschicht jedoch gleichmässig zusammengesetzt und-gleichmässig dick ist, lässt sich dieser Nachteil durch eine sorgfältige Steuerung verringern. Als dritter Nachteil wird der verhältnismässig hohe Leistungsbedarf für die Argonzerstäubung angesehen.The first disadvantage arises from that associated with argon sputtering Heating that causes the photoresist layer to polymerize, causing it difficult to remove after the holes have been made. The second disadvantage The argon sputtering can be stated to be on the bottom surface of the holes exposed aluminum is removed. However, if the glass layer is composed evenly and is evenly thick, this disadvantage can be overcome by careful control to decrease. The third disadvantage is the relatively high power requirement viewed for argon sputtering.
Ein drittes Verfahren zur Herstellung von Löchern in Glasschichten uzfasst das Oberziehen der Glasoberfläche eines integrierten Schaltkreises mit einer dünnen Aluminiumschicht. Anschliessend wird ein Fot###'stst auf der Aluminium schicht angebracht und diese Fotor stschicht in die gewünschte wünschte Maske überführt. Darauf wird das Aluminium in einem Ätzschritt durch die Öffnungen in der Fotoresistmaske weggeätzt und die Glasoberfläche freigelegt. Der auf diese Weise vorbereitete Aufbau wird nunmehr einem Kohlenstofftetrafluorid- Plasma ausgesetzt. Dabei wirkt die Aluminiummaske als Ätzmaske für die Glasschicht, da das Kohlenstofftetrafluorid (CF4) das Aluminium nicht angreift. Dies hat zur Folge, dass- auch die Leiterschicht aus Aluminium nicht beschädigt wird, wenn die Glasschicht mit Löchern versehen ist. Das Energieniveau bei der Verwendung von Kohlenstofftetrafluorid-Plasma ist zumindest um eine Grössenordnung kleiner als das Energieniveau wie es für die Argonzerstäubung benötigt wird. Nach dem Anbringen der Löcher in der Glasschicht wird die noch vorhandene Fotoresistmaske und die Aluminiumätzmaske entfernt.A third method of making holes in layers of glass Includes the covering of the glass surface of an integrated circuit with a thin aluminum layer. A photo is then placed on the aluminum layer attached and this photo layer in the desired wish Mask transferred. The aluminum is then etched through the openings etched away in the photoresist mask and exposed the glass surface. The one on this A well-prepared structure is now exposed to a carbon tetrafluoride plasma. The aluminum mask acts as an etching mask for the glass layer, as the carbon tetrafluoride (CF4) does not attack aluminum. As a result, the conductor layer too made of aluminum is not damaged if the glass layer is provided with holes. The energy level when using carbon tetrafluoride plasma is at least an order of magnitude smaller than the energy level for argon atomization is needed. After the holes have been made in the glass layer, the remaining Photoresist mask and aluminum etch mask removed.
Dieses Ätzverfahren hat ebenfalls Nachteile. Der hauptsächliche Nachteil ist in der grösseren Anzahl der Verfahrensschritte zusehen die notwendig sind um die Metallätzmaske vorzusehen. Ein weiterer Nachteil ist in der Notwendigkeit des Entfernens der Metallätzmaske zu sehen, nachdem die Bearbeitung mit dem Kohlenstofftetrafluorid-Plasma erfolgt ist. Für die Beseitigung dieser Metallätzmaske, die als Ätzbegrenzung wirksam ist, muss ein flüssiges Ätzmittel Verwendung finden.This etching process also has disadvantages. The main disadvantage can be seen in the larger number of procedural steps that are necessary to provide the metal etching mask. Another disadvantage is the need for the Removing the metal etch mask can be seen after machining with the carbon tetrafluoride plasma is done. For the elimination of this metal etch mask, which is effective as an etch stop a liquid etchant must be used.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung von Löchern in dielektrischen Schichten, vorzugsweise Glas- bzw. Siliciumdioxydschichten vorzusehen, mit dem sich die Nachteile der bekannten Verfahren vermeiden lassen. Dabei sollen insbesondere die unter dem Glas- bzw. der Siliciumdioxydschicht liegenden Schicht, bzw. Schichten, beim Herstellen der Löcher nicht beschädigtwerden. Schliesslich soll das Verfahren zur Herstellung der Löcher in Glas- bzw. Siliciumdioxydschichten nur eine einzige Ätzmaske Ätzmaske erforderlich machen.The invention is based on the object of a method for production of holes in dielectric layers, preferably glass or silicon dioxide layers provide with which the disadvantages of the known methods can be avoided. In particular, those lying under the glass or silicon dioxide layer should be used Layer, or layers, are not damaged when making the holes. In the end is said to be the process for producing holes in layers of glass or silicon dioxide just a single etch mask Make etching mask necessary.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäss dadurch gelöst, dass die Kammer auf weniger als ungefähr 1/10 Torr derart evakuiert wird, dass der Restsauerstoff nicht ausreicht, um die Fotoresistschicht anzugreifen, dass Kohlenstofftetrafluorid in die Kammer bis zu einem Druck von etwa 8/10 Torr eingeführt wird, und dass das Kohlenstofftetrafluorid mit einer hochfrequenten Energie bis zur Ausbildung eines Plasmas erregt wird.According to the invention, this object is achieved in that the chamber evacuated to less than about 1/10 Torr such that the residual oxygen not enough to attack the photoresist layer that carbon tetrafluoride is introduced into the chamber to a pressure of about 8/10 Torr, and that the Carbon tetrafluoride with a high frequency energy to form a Plasmas is excited.
Bei einer besonderen Ausführungsform der Erfindung wird eine auf einer Trägerschicht angeordnete Glasschicht mit einer Fotoresistschicht überzogen, die in bekannter Weise in eine Maske überführt wird. Der derart ausgebildete Aufbau wird anschliessend in einer evakuierbaren-Kammer untergebracht, die bis zu einem Druck evakuiert wird, bei welchem der Restsauerstoff in der Kammer in seiner Konzentration soweit abgesunken ist, dass nicht mehr genügend Sauerstoff zur Verfügung steht, um die Fotoresistschicht in der Kammer zu entfernen. Dieser Unterdruck ist weniger als etwa 1/10 Torr. Anschliessend wird Kohlenstofftetrafluorid in die Kammer eingeführt, bis sich ein Druck von etwa 8/10 Torr ausbildet. In diesem Zustand wird das Kohlenstofftetrafluorid mit einer angelegten, hohen Frequenz -erregt, bis das CF4-Gas in ein Plasma übergeführt wird.In a particular embodiment of the invention, one on one Carrier layer arranged glass layer coated with a photoresist layer, the is transferred in a known manner into a mask. The structure formed in this way is then housed in an evacuable chamber that can hold up to one Pressure is evacuated at which the residual oxygen in the chamber in its concentration has sunk so far that there is no longer enough oxygen available, to remove the photoresist layer in the chamber. This negative pressure is less than about 1/10 torr. Then carbon tetrafluoride is introduced into the chamber, until a pressure of about 8/10 Torr develops. In this state, the carbon tetrafluoride becomes -excited with an applied, high frequency until the CF4 gas is converted into a plasma will.
Die Hochfrequenzenergie wird mit Hilfe von Elektroden zugeführt, die auf gegenüberliegenden Seiten an der Kammer angebracht sind. Zwischen den Elektroden baut sich ein hochfrequentes, elektrisches Feld auf. Die erregten Molekülreste, die sich bei dieser Aufspaltung ergeben, unabhängig davon ob sie freier oder ionischer Natur sind, reagieren chemisch mit dem Glas, das in den Öffnungen der Fotoresistschicht freiliegt. Aufgrund der Evakuierung der Kammer ist nicht nicht genügend Sauerstoff vorhanden, um die Fotoresistschicht abzulösen, sodass die Fotoresistschicht selbst als Ätzmaske für die Glasschicht wirksam ist. Die Temperatur, bei welcher dieser Ätzvorgang abläuft, reicht nicht aus, um eine Polarisation des Fotoresistmaterials zu bewirken, wodurch ein Entfernen dieser Fotoresistschicht wesentlich schwieriger wäre als wenn keine Plasmaätzung Verwendung finden würde. Damit entstehen auch keine Schwierigkeiten bei der Entfernung der Fotoresistschicht, im Gegensatz zu dem bekannten Argonzerstäubungsverfahren. Die für die Erzeugung des Plasmas notwendige Energie beträgt grössenordnungsmässig nur etwa die Hälfte der Energie, die bei einem Argonzerstäubungsverfahren notwendig ist. Ausserdem sei darauf hingewiesen, dass bei einem Argonzerstäubungsverfahren Temperaturen erreicht werden, bei denen die Fotoresistschicht polymerisiert und somit schwierig zu entfernen ist. Das Verfahren gemäss der Erfindung stellt also ein Atzverfahren dar, das sehr wirtschaftlich einsetzbar ist und von besonderem Vorteil ist, da eine zusätzliche Metallablagerung und'das Anbringen einer zusätzlichen Fotoresistschicht, einschliesslich deren Bearbeitung, entfällt.The high frequency energy is supplied with the help of electrodes that are attached to the chamber on opposite sides. Between the electrodes A high-frequency electric field builds up. The excited molecular residues which result from this splitting, regardless of whether they are more free or more ionic Are nature, react chemically with the glass that is in the openings of the photoresist layer exposed. Due to the evacuation of the chamber is not not enough Oxygen is present to peel off the photoresist layer, so that the photoresist layer is effective even as an etching mask for the glass layer. The temperature at which this etching process is not sufficient to polarize the photoresist material to effect, making removal of this photoresist layer much more difficult would be as if no plasma etching were used. This also means none Difficulty in removing the photoresist layer, contrary to the known one Argon sputtering process. The energy required to generate the plasma is on the order of magnitude only about half the energy that is required in an argon atomization process necessary is. It should also be noted that in an argon sputtering process Temperatures can be reached at which the photoresist layer polymerizes and thus difficult to remove. The method according to the invention thus provides an etching process that can be used very economically and is special The advantage is that there is an additional metal deposit and the attachment of an additional Photoresist layer, including its processing, is omitted.
Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch der nachfolgenden Beschreibung eines Rusführudgs beispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeit. ng.Further advantages and features of the invention also emerge from the following description of a Rusführudgs example in connection with the claims and time. ng.
Es zeigen: Fig. 1 einen Schnitt durch einen Teil einer integrierten Schaltung, die gemäss der Erfindung bearbeitet ist; Fig. 2 einen Schnitt durch die Reaktionskammer, in w tcher das Verfahren gemäss der Erfindung durchfAhrbar ist.They show: FIG. 1 a section through part of an integrated Circuit processed according to the invention; Fig. 2 is a section through the Reaction chamber in which the method according to the invention can be carried out.
Gemäss Fig. 1 ist eine kristalline Tffägrschicl 10 aus einem N-leitenden Silicium mit P-leitenden F#-)tusior#;bereichen 12 reichen 12 versehen. Dieser P-leitende Bereich 12 stellt einen Widerstand dar. Ferner ist in der Trägerschicht eine wannenförmige Zone 14 aus P--leitendem Material vorgesehen, die ebenfalls durch eine Diffusion hergestellt ist. In dieser wannenföriiigen Zone 14 ist durch Diffusion ein Quellenbereich 16 und ein Senkenbereich 18 aus N+ -leitendem Material ausgebildet. Die Torisolation 20 befindet sich auf der Oberfläche der. wannenförmigen Zone 14 zwischen dem Quellen- und Senkenbereich 16 bzw. 18. Auf dieser Torisolation ist die Torelektrode 22 ausgebildet. Dieser Aufbau stellt einen Oberflächen-Feldeffekttransistor dar.According to Fig. 1, a crystalline Tffägrschicl 10 is made of an N-conductive Silicon with P-type F # -) tusior #; areas 12 range 12 provided. This P-conductive region 12 represents a resistor. It is also in the carrier layer a tub-shaped zone 14 made of P-conductive material is provided, which is also through a diffusion is established. In this tannenföriiigen zone 14 is by diffusion a source region 16 and a drain region 18 are formed from N + -conducting material. The gate insulation 20 is located on the surface of the. tub-shaped zone 14 between the source and sink area 16 and 18 respectively. On this gate insulation is the gate electrode 22 is formed. This structure represents a surface field effect transistor represent.
Auf der Oberfläche der Trägerschicht 10 ist eine Sil-iciumdioxydschicht bzw. Glasschicht 24 vorgesehen, in der über dem Widerstandsbereich 12, sowie dem Quellen- Senken- und Torbereich des Feldeffekttransistors Öffnungen vorgesehen sind. Auf der Glasschicht 24 sind AluminiumLeiterschichten 26 angebracht, die durch die Löcher mit dem Widers#tandsbereich und dem Feleffekttransistor in Verbindung stehen.On the surface of the carrier layer 10 is a silicon dioxide layer or glass layer 24 is provided in which above the resistance area 12, as well as the Source, sink and gate area of the field effect transistor openings are provided. On the glass layer 24 aluminum conductor layers 26 are attached, which are through the Holes are connected to the resistance area and the field effect transistor.
Es ist offensichtlich, dass abweichendvon der Darstellung gemäss Fig. 1 mehrere der dargestellten Halbleiterelemente sowie auch andere Halbleiterelemente in der Trägerschicht angebracht sein können. Ober der Aluminium-Leiterschicht 26 ist eine weitere Glasschicht 28 angebracht. Diese Glasschicht 28 kann entweder aus reinem Glas oder Phossil-Glas bestehen. Um eine weitere nicht dargestellte Leiterschicht auf der Glasschicht 28 anzubringen, können in der Glasschicht Löcher vorgesehen sein, die zu bestimmten Punkten auf der Aluminium-Leiterschicht 26 gemäss dem Schaltungsaufbau eines integrierten Schaltkreises verlaufen. Eine Fotoresistschicht 30 wird über der Glasschicht 28 angebracht und mit Öffnungen an derjenigen Stelle versehen, an der in der Glasschicht 28 die Löcher angebracht werden sollen.It is obvious that, deviating from the representation according to FIG. 1 several of the semiconductor elements shown, as well as other semiconductor elements can be attached in the carrier layer. Above the aluminum conductor layer 26 a further glass layer 28 is attached. This glass layer 28 can be made of either pure glass or phossil glass. To another conductor layer, not shown to be attached to the glass layer 28, holes can be provided in the glass layer be that at certain points on the aluminum conductor layer 26 according to the circuit structure of an integrated circuit. A layer of photoresist 30 is over attached to the glass layer 28 and provided with openings at that point the holes are to be made in the glass layer 28.
Die bisher beschriebenen Verfahrensschritte sind allgemein bekannt bekannt. Nachdem der soweit beschriebene Aufbau auf der Trägerschicht 10 ausgebildet ist, wird dieser gemäss der Erfindung auf einem Träger 32 in einer evakuierbaren Reaktionskammer 34 angeordnet. Die Reaktionskammer 34 kann in herkömmlicher Weise ausgebildet sein und besteht aus Quarz. Nach dem Einbringen des zu bearbeitenden Halbleiteraufbaus wird die Reaktionskammer 34 durch den Stutzen 36 evakuiert, nachdem die Einlassöffnung 40 verschlossen ist.The method steps described so far are generally known known. After the structure described so far has been formed on the carrier layer 10, this is according to the invention on a carrier 32 in an evacuable reaction chamber 34 arranged. The reaction chamber 34 can be configured in a conventional manner and is made of quartz. After introducing the semiconductor structure to be processed the reaction chamber 34 is evacuated through the port 36 after the inlet opening 40 is locked.
Durch diese Evakuierung wird der Druck in der Reaktionskammer 34 auf weniger als etwa 1/10 Torr abgesenkt, sodass der Anteil des Restsauerstoffs in der Reaktionskammer 34 sehr gering ist. Dieses Vakuum wird beibehalten und Kohlenstofftetrafluorid (CF4) in Gasform in die Reaktionskammer 34 durch die Einlassöffnung 40 solange zugeführt, bis sich ein konstanter Druck von etwa 8/10 Torr aufgebaut hat. Da immernoch das Vakuum an der Reaktionskammer wirksam ist, tritt kontinuierlich das Kohlenstofftetrafluorid-Gas in die Reaktionskammer ein, um den gewünschten Druck aufrechtzuerhalten. Anschliessend wird sodann hochfrequente, elektrische Energie über Elektroden 42 und 44 zugeführt, die an der Reaktionskammer 34 angebracht sind. Diese elektrische Energie kann von einem Oszillator 46 geliefert werden. Durch den Einfluss der hochfrequenten Energie erfährt das CF4-Gas eine Zerlegung, wobei die Produkte dieser Zerlegung das Glas wegätzen, das durch die Öffnungen in der Fotoresistschicht 30 freiliegt. Aufgrund des kontinuierlich wirkenden Vakuums werden die Ätzprodukte entfernt und der gewünschte Druck aufrechterhalten. Die Fotoresistschicht 30 schützt die Glasschicht 28 in den bedeckten Bereichen vor dem Einwirken des Kohlenstofftetrafluorid-Plasmas. Bei diesem Ätzvorgang tritt nur eine geringfügige Unterschneidung auf, wobei auch das Kohlenstofftetrafluorid-Plasma die Aluminiumschicht 26 unter der Glasschicht 28 nicht beeinträchtigt, da das Aluminium keinerlei chemische Reaktion Reaktion mit dem CF4-Plasma eingeht oder von diesem angegriffen wird. Ein zu langes Ätzen hat keinen nachteiligen Einfluss auf irgendwelche Teile der integrierten Schaltung.This evacuation increases the pressure in the reaction chamber 34 less than about 1/10 Torr, so that the proportion of residual oxygen in the Reaction chamber 34 is very small. This vacuum is maintained and carbon tetrafluoride (CF4) is supplied in gaseous form into the reaction chamber 34 through the inlet opening 40 as long as until a constant pressure of about 8/10 Torr has built up. Still that If vacuum is effective on the reaction chamber, the carbon tetrafluoride gas continuously enters into the reaction chamber to maintain the desired pressure. Afterward high-frequency electrical energy is then supplied via electrodes 42 and 44, attached to the reaction chamber 34. This electrical energy can be from an oscillator 46 can be supplied. Due to the influence of high frequency energy the CF4 gas undergoes a decomposition, the products of this decomposition being the glass etch away any exposed through the openings in photoresist layer 30. Because of of the continuously acting vacuum, the etching products are removed and the desired Maintain the pressure. The photoresist layer 30 protects the glass layer 28 in the covered areas before exposure to the carbon tetrafluoride plasma. With this one Only a slight undercut occurs in the etching process, with the carbon tetrafluoride plasma as well does not affect the aluminum layer 26 under the glass layer 28 because the aluminum no chemical reaction Reacts with the CF4 plasma or is attacked by it. Too long etching has no adverse effect to any part of the integrated circuit.
Die Konzentration des Restsauerstoffes ist genügend gering, dass sie die Fotoresistschicht 30 nicht nennenswert beeinflusst. Dadurch wirkt die Fotoresistschicht 30 als Atzmaske für die Glasschicht 28. Obwohl geringe Polymerisationserscheinungen in der Fotoresistschicht 30 auftreten können, stellen diese keine Schwierigkeit bei der Beseitigung der Fotoresistschicht dar, nachdem die Plasmaätzung abgeschlossen ist. Obwohl die Wand der aus Quarz bestehenden Reaktionskammer 34 ebenfalls von der Ätzung beeinträchtigt wird, kann man jedoch davon ausgehen, dass aufgrund der Wandstärke dies keinen Nachteil darstellt, da die zu ätzenden Glasschichten 28 um ein vielfaches dünner als die Wandstärken der Reaktionskammer sind, und diese somit sehr lange benutzt werden kann, bevor sie ersetzt werden muss, PatentanspruchThe concentration of the residual oxygen is low enough that they does not affect the photoresist layer 30 appreciably. This is how the photoresist layer works 30 as an etching mask for the glass layer 28. Although slight signs of polymerization may occur in the photoresist layer 30, these do not pose any problem in removing the photoresist layer after the plasma etch is complete is. Although the wall of the quartz reaction chamber 34 is also of the etching is impaired, but it can be assumed that due to the Wall thickness, this is not a disadvantage, since the glass layers to be etched are 28 µm are many times thinner than the wall thickness of the reaction chamber, and thus this can be used for a very long time before it has to be replaced, patent claim
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