DE2057538A1 - Verfahren zur Herstellung eines Thermogenerators - Google Patents

Description

Verfahren zur Herstellung eines Thermogenerators.

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Thermoelementen, insbesondere von Thermogeneratoren für kleine Leistungen, mit Thermoelementschenkein unterschiedlichen Leitungstyps. Die Schenkel sind in abwechselnder Reihenfolge nebeneinander auf einem elektrisch isolierenden Träger thermisch parallel und elektrisch in Reihe angeordnet.

In Thermogeneratoren sind im allgemeinen Thermoelemente so vereinigt, daß jeweils die heißen oder kalten Verbindungsstellen in einer Ebene liegen, die zugleich die Heiß- bzw. Kaltseite des Thermogenerators ist. Jedes Thermoelement besteht aus einem Schenkelpaar aus thermoelektrisch wirksamem Material mit unterschiedlicher Thermokraft. Pur die Thermoelementschenkel wird vorzugsweise p- bzw. η-leitendes, thermoelektrisch wirksames Halbleitermaterial benutzt. Durch Kontaktbrücken aus elektrisch und thermisch leitendem Material werden die Schenkel jeweils an ihrer Heiß- und Kaltseite so verbunden, daß alle Schenkel elektrisch in Reihe und thermisch parallel liegen. Sowohl auf der Heiß- als auch auf der Kaltseite der Thermoelemente ist im allgemeinen ein Wärmeaustauscher aufgesetzt, der durch eine Schicht aus thermisch leitendem und elektrisch isolierendem Material von den Kontaktbrücken getrennt ist.

Durch entsprechende Gestaltung der Thermoelementschenkel, insbesondere des Verhältnisses von Schenkellänge zu Schenkelquerschnitt kann der Wirkungsgrad des Thermogenerators optimiert werden. Pur Thermogeneratoren kleiner Leistung ergeben sich damit für geringe Schenkellängen auch entsprechend kleine Schenkelquerschnitte, die den Aufbau eines solchen Thermogenerators

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schwierig machen. Solche Thermogeneratoren mit kleiner Leistmg, etwa im Leistungsbereich von wenigen 100 ^uW, können in der Regelungs- und Meßtechnik und als Energieversorgungssysteme in der Medizin, beispielsweise für Herzschrittmacher, eingesetzt werden.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, einen Thermogenerator für kleine Leistungen mit Thermoelementschenkein aus Halbleitermaterial mit entsprechend geringem Querschnitt zu verbessern und seine Herstellung zu erleichtern.

Bekannt ist ein Thermogenerator kleiner Leistung als Energieversorgung für einen Herzschrittmacher von Th. F.Hursen in "IECEG 68, Record", Seiten 765 bis 772, bei dem als Energiequelle für die Heißseite des Thermogenerators ein radioaktives Isotop mit entsprechender Abschirmung verwendet ist. Die Thermoelementschenkel dieses Thermogenerators bestehen aus etwa 23 cm langen und 0,05 mm starken Metalldrähten. Die heißen Lötstellen dieser Drähte sind auf die Abschirmung des Isotops aufgedrückt und die Drähte sind um das Isotop herumgewickelt. Als Isolation werden Glasfasern verwendet, die mit den drahtformigen Thermoelementschenkeln zu einem Band verwoben sind. Die Herstellung dieses Thermogenerators ist kompliziert und schwierig. Als Material für die Drähte der Schenkel werden Nickel-Chrom- und Konstantanlegierungen mit einer geringen thermoelektrischen Effektivität verwendet. Der Wirkungsgrad dieses Thermogenerators ist dementsprechend gering.

Ein Thermogenerator mit Thermoelementen, die auf einem bandförmigen Träger aus Glasfiber angeordnet sind, ist aus der US-Patentschrift 2519 785 bekannt. Die beispielsweise aus Wismuttellurid bestehenden Schenkel sind unter Verwendung entsprechender Masken auf dem Isolator aufgesprüht. Der bandförmige Träger ist jeweils abwechselnd mit einer elektrisch isolierenden Zwischenlage und einer Kupferzwischenlage, die zur Wärmeabführung dient, auf einem Hohlzylinder aufgewickelt. Aufgesprühte Halbleiterverbindungen ergeben jedoch nur schlechthaftende Schichten mit ungünstigen elektrischen Eigenschaften. Außerdem ist die thermische

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Zersetzung von Wismuttellurid nur durch "besondere Maßnahmen vermeidbar.

Aus der deutschen Patentschrift 1071 177 ist außerdem das getrennte Aufdampfen der thermoelektrischen Materialkomponenten nach dem Mehrtemperaturverfahren bekannt. Die aus Wismuttellurid BigTe, bestehenden Schenkel sind als dünne Aufdampfschichten aus dem gleichen Material auf einen elektrisch nicht und thermisch schlechtleitenden Träger aufgetragen. Den erforderlichen Leitfähigkeitstyp der beiden Schenkel jedes der Elemente erhält man jeweils durch Aufdampfen eines entsprechenden Dotierungsstoffes . Die Homogenisierung erfolgt anschließend durch Tempern. Dies ist jedoch schwierig, weil einerseits ein Eindiffundieren des Dotierungsstoffes erst bei verhältnismäßig hohen Temperaturen stattfindet und andererseits die Komponenten des Schenkelmaterials bereits bei geringen Temperaturen verdampfen. Als Kontaktkörper ist ebenfalls eine Aufdampfschicht vorgesehen. Die gesamte Anordnung bildet eine Säule.

Es ist auch bereits vorgeschlagen worden (Patentanmeldung P 1900 405.8- VPA 68/1737), einen Thermogenerator mit Schenkellängen von wenigen Millimetern und Schenkelquerschnitten von

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etwa 10 bis 2000 jum herzustellen. Bei diesem Thermogenerator sind sowohl die Schenkel als auch die Kontaktbrücken aufgedampft.

Es kann auch jeweils das obere Ende eines der Thermoelementschenkel das obere Ende eines benachbarten Thermoelementschenkeis überlappen. In gleicher Weise überlappen sich das untere Ende eines der Thermoelementschenkel mit dem unteren Ende eines Schenkels des benachbarten Thermoelementes. Außerdem kann jeder Thermoelementschenkel am oberen und unteren Ende mit Vorsprüngen versehen sein, die in entgegengesetzter Richtung seitlich vom Thermoelementschenkel abstehen, wobei sich die Vorsprünge benachbarter Thermoelementschenkel gegenseitig zur Kontaktbrücke überlappen. Die aufgedampften Thermoelementschenkel und die Kontaktbrücken bilden ein mäanderförmiges Band.

Als Träger kann eine bandförmige hochtemperaturbeständige Kunststoffolie verwendet werden. Es können praktisch beliebig viele

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Thermoelementachenkel zu einem Thermogenerator vereinigt werden. Der Platzbedarf eines solchen Thermogenerators wird durch Aufwickeln des Bandes zu einer Spirale geringgehalten.

Es wurde nun erkannt, daß ein solcher Thermogenerator noch verbessert werden kann, wenn es gelingt,eine Strukturänderung des aufgedampften Halbleitermaterials und gegebenenfalls auch des aufgedampften Brückenmaterials nach dem Auftragen auf den isolierenden Träger herbeizuführen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß auf den Träger ein Schenkelmaterial aus einem Verbindungshalbleiter auf- ^ gedampft und anschließend durch Temperung einer Strukturänderung unterzogen wird. Durch die Temperung tritt eine Umwandlung der amorphen Phase der Halbleiterverbindung in eine kristalline Phase ein, die auch äußerlich an den aufgedampften Schenkeln erkennbar ist. Durch diese Umwandlung tritt eine so wesentliche Verbesserung der thermoelektrischen Eigenschaften des aufgedampften Materials ein, daß praktisch die Eigenschaften des kompakten Ausgangsmaterials erreicht werden.

Es hat sich erwiesen, daß man durch die Anwendung der Blitzverdampfung (Flash-Verdampfung) der Halbleiterverbindung nach der Erfindung eine stö'chiometrische Abscheidung erhält. Diese Art der Verdampfung hat gegenüber anderen möglichen Verfahren, beispielsweise dem erwähnten Mehrtemperaturverfahren, außerdem " noch den Vorteil, daß es einfacher durchgeführt werden kann, weniger Aufwand erfordert und bei gewissen Substanzen sogar ein wesentlich besseres Schenkelmaterial ergibt.

Darüber hinaus wurde gefunden, daß auch ein Gehalt der Halbleiterverbindung an Dotierungsstoff keinen oder wenigstens keinen merklichen Einfluß auf die Zusammensetzung des nach dem vorgenannten Verfahren aufgedampften Materials hat. Nach dem Aufdampfprozeß liegt das Schenkelmaterial im wesentlichen in amorpher Form vor. Durch die anschließende Wärmebehandlung nach der Erfindung tritt eine Phasenumwandlung ein, die im wesentlichen abhängig ist von der Matrix und durch den Dotierungsstoff

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nicht beeinflußt wird. Eine mögliche Verminderung der Dotierungskonzentration während des VerdampfungsVorganges kann dadurch kompensiert werden, daß der Gehalt an Dotierungsstoff im Ausgangsmaterial entsprechend höher gewählt wird. Auch die gegenüber den Komponenten der Halbleiterverbindung höhere Verdampfungstemperatur des Dotierungsstoffes, beispielsweise des Indiums, muß berücksichtigt werden. Diese Voraussetzung -ist aber bei der Flash- -Verdampfung bereits erfüllt, bei der der Verdampfer auf einer Temperatur gehalten wird, die im allgemeinen wesentlich über der Verdampfungstemperatur der einzelnen Bestandteile der Halbleiterverbindung gehalten wird.

Ein wesentlicher Einfluß auf die Struktur der aufgedampften Schenkel ist dadurch gegeben, daß man durch die blitzartige Verdampfung in Verbindung mit der niedrigen Temperatur des ungeheizten Trägermaterials eine stöchiometrische Abscheidung erhält und das aufgedampfte Material zwar im wesentlichen amorph, aber nicht als Gemisch der einzelnen Komponenten, sondern als Halbleiterverbindung vorliegt.

Zum Aufdampfen der beiden Schenkel eines Thermoelementes mit entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp kann der gleiche Verbindungshalbleiter, jedoch mit verschiedenen Dotierungsstoffen verwendet werden. Es kann beispielsweise zunächst unter Verwendung einer entsprechenden Maske eine p-dotierte Halbleiterverbindung aufgedampft werden. Anschließend wird die Maske ausgewechselt oder bei symmetrischer Anordnung der aufgedampften Schenkel mit den Verbindungsbrücken die Maske nur umgedreht und die gleiche, jedoch jetzt η-dotierte Halbleiterverbindung aufgedampft.

Die Körnung des Ausgangsmaterials wird ausreichend klein gewählt, damit eine blitzartige Verdampfung sichergestellt ist und ein Zerspritzen des Materials im wesentlichen vermieden wird.

Die Kontaktbrücken der als mäanderförmiges Band aufgedampften Thermoelementschenkel können parallel und in einem vorgegebenen Abstand von der seitlichen Begrenzung des Trägers liegen, der zweckmäßig aus Kunststoff, vorzugsweise Polyimid, bestehen kann.

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Die Kunststoffolie kann spiralförmig zu einer Rolle aufgewickelt werden, oder es können auch mehrere Kunststoffolien aufeinandergeschichtet sein, wobei Thermoelementschenkel aufeinanderfolgender Kunststoffolien durch die Folien selbst gegeneinander elektrisch isoliert sind

Eine besonders vorteilhafte weitere Ausgestaltung des Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß beide Flachseiten des Trägers mit Thermoelementen versehen werden. In diesem Falle kann auf den Träger mit den Thermoelementen eine dünne Schicht aus elektrisch isolierendem Material, beispielsweise aus Siliziumoxid, aufgedampft oder aufgesprüht werden.

Die Stirnflächen der Rollen oder die Seitenflächen der aufeinandergeschichteten Kunststoffolien können mit Gießharz vergossen, und auf die Stirnflächen der Rolle oder die Seitenflächen der aufeinandergeschichteten Folien können Wärmeaustauscher aufgesetzt sein. Zur Verbesserung des Wärmekontaktes kann auf das Gießharz noch eine Metallschicht aufgebracht sein. Dabei kann unter Berücksichtigung der Strahlenschutzvorschriften für die Heißseite des Thermogenerators ein Radioisotop, beispielsweise Plutonium-238, verwendet werden.

Zur weiteren Erläuterung der Erfindung wird auf die Zeichnung Bezug genommen, in der als Ausführungsbeispiel eine Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach der Erfindung veranschaulicht ist. In Fig.1 ist der Aufbau einer Verdampfungsanlage schematisch veranschaulicht. Die Fig.2 und 3 zeigen einen Schnitt bzw. eine Draufsicht der Anordnung der Träger auf einer Trommel. In Fig.4 ist die Anordnung der Schenkel eines Thermogenerators auf dem bandförmigen Träger dargestellt.

Nach Fig.1 befindet sich auf der Grundplatte 2 eines nicht dargestellten Vakuumgefäßes eine Halterung 4, die zugleich als Stromzuführung für einen Verdampfer 6 dient,und die beispielsweise aus Kupfer bestehen kann.

Der Verdampfer 6 soll beispielsweise als Schiffchen gestaltet sein. Er ist mittels einer Elektrode 8 schwenkbar und in der

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Höhe verstellbar an der Zuführung 4 befestigt und kann vorzugsweise aus Wolfram oder Molybdän oder auch aus Tantal bestehen. Zur Zuführung der gekörnten Halbleiterverbindung dient ein Kupferrohr 10, das mittels einer Halterung 12 an einer weiteren Elektrode 14 befestigt ist, die selbst an einer zweiten Halterung 16 angebracht ist. Die genannten Teile sollen zweckmäßig aus einem wärmebeständigen Material bestehen und zusätzlich, beispielsweise mittels einer Flüssigkeit, gekühlt sein. Zur Vorgabe der gekörnten Halbleiterverbindung ist ein an sich bekannter Wendelförderer 18 vorgesehen. Die rohrförmige Ausgangsöffnung des Wendelförderers 18 liegt über einer trichterförmigen Erweiterung des Zuführungsrohres 10, dessen Ende sich über dem Ve rdampfungs schiffchen 6 befindet. TJm den Verdampfer 6 ist eine Blende 20 angebracht, die zweckmäßig aus nichtrostendem Stahl bestehen kann und an ihrem oberen Ende mit einer Durchtrittsöffnung für das im Schiffchen 6 verdampfte Halbleitermaterial versehen ist. Das von der Bodenfläche des Verdampfers 6 etwa geradlinig abdampfende Material gelangt in einem gestrichelt angedeuteten Winkelbereich durch die Öffnung der Blende zur Zylindermantelfläche einer Trommel 22, die ebenfalls aus nicht rostendem Stahl bestehen kann, und die um ihre Achse 24 drehbar gelagert ist. Auf der Außenfläche des Hohlzylinders 26 der Trommel 22 sind die Träger für das aufzudampfende Material angeordnet und mittels Spannsegmenten 28 festgeklemmt. Mit der Drehung der Trommel, die kontinuierlich oder schrittweise bewegt werden kann, gelangen jeweils nacheinander neue Teile der Träger für das aufzudampfende Halbleitermaterial vor die öffnung der Blende 20 und werden mit dem Halbleitermaterial aus dem Verdampfer 6 bedampft.

Der Durchmesser der Trommel 22 kann beispielsweise 360 mm betragen. Dann können jeweils bandförmige Träger von 1 m Länge über seinen Umfang in Achsrichtung der Trommel nebeneinander angeordnet werden.

Wie im Schnitt durch die Zylinderwand 26 der Trommel 22 nach Pig.2 dargestellt ist, sollen auf der Trommel 26 fünf Spannsegmente 28 in Achsrichtung der Trommel nebeneinander angeordnet

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sein, mit denen die Masken auf der Mantelfläche des Zylinders 26 festgeklemmt werden. In die Bänder werden mit einer entsprechenden Vorrichtung Löcher eingestanzt mit einem Durchmesser von beispielsweise 0,32 mm und einem Abstand von beispielsweise 70 mm, die zur Halterung und zur Fixierung der Bänder dienen. In diese Löcher greifen entsprechende Stifte 30 mit einem Durchmesser von 0,3 mm ein, die mittels einer Schraubverbindung 32 in der Zylinderwand 26 befestigt sind. Auch die Segmente 28 werden mittels Stifte 34 fixiert, die ebenfalls mittels entsprechender Schraubverbindungen 36 in der Zylinderwand 26 befestigt sind. Diese etwas dickeren Stifte 34 greifen in ent- ^ sprechende Bohrungen 38 der Masken und Segmente ein.

In der Draufsicht nach Fig.3 sind auch die als Träger dienenden Kunststoffbänder 40 dargestellt. Die Spannsegmente reichen jeweils über eine Teillänge des Umfanges der Trommel 22. Auf den Trägern 40 ist jeweils über einer Teillänge einer der Schenkel angedeutet. Die dargestellten Schlitze 44 befinden sich in einer entsprechenden Maske, die beispielsweise aus rostfreiem Stahl bestehen kann und mit den Segmenten 28 auf dem Träger befestigt wird. Das aufzudampfende Material gelangt durch die Schlitze 44 in der Maske 42 auf die Kunststoffträger 40.

Einen Teil eines Thermoelementes mit p-leitenden Schenkeln 46 bis 48 und η-leitenden Schenkeln 50 bis 52 zeigt Fig.4. Die P Schenkel sind mit entsprechenden Brücken 54 bis 58 und zwei Anschlußkontakten 59 und 60 auf einem Träger 40 angeordnet, der zweckmäßig aus einer Kunststoffolie bestehen kann. Die Folie kann beispielsweise 7,5 mm breit und 12 farn dick sein. Da für eine genaue Fixierung des Bandes 40 und der zugehörigen Maske 42 gesorgt ist, können die Schenkel mit den zugehörigen Brücken in zwei aufeinanderfolgenden Arbeitsgängen aufgedampft werden, zwischen denen lediglich die entsprechende Maske umgedreht wird. Dann werden beispielsweise im ersten Arbeitsgang die p-leitenden Schenkel 46 bis 48 mit den angrenzenden Brücken 54 bis 58 sowie dem Anschlußkontakt 59 aufgedampft. Anschließend wird die Maske umgedreht, und es werden die η-leitenden Schenkel 50 bis 52 aufgedampft. Im zweiten Arbeitsgang wird auf das Brückenmaterinl

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Es können aber auch jeweils nur die p-leitenden Schenkel 46 bis 48 und in einem weiteren Arbeitsgang nur die η-leitenden Schenkel 50 bis 52 aufgedampft und anschließend in einem weiteren Arbeitsgang die Brücken 28 bis 32 und die Anschlußkontakte 59 und 60 aufgedampft werden.

Vor dem Aufdampfen werden die Träger 40 in einem flüssigen Reinigungsmittel vorzugsweise mittels Ultraschall gereinigt und anschließend zweckmäßig im Vakuum ausgeheizt, beispielsweise bei einer Temperatur von 180 G etwa eine Stunde.

Zusätzlich kann zweckmäßig noch eine Vorbehandlung innerhalb der Vakuumanlage vorgesehen sein. Durch Glimmen in Argonatmosphäre bei einem Druck von ca. 10"" Torr und einem Glimmstrom von 150 mA während etwa 10 min kann vorteilhaft diese weitere Behandlung des Trägers durchgeführt werden. Die Glimmbehandlung wird zweckmäßig auch vor jedem folgenden Arbeitsgang, nämlich vor dem Aufdampfen der zweiten Schenkel und gegebenenfalls vor dem Aufdampfen der Brücken bzw. der Anschlußkontakte durchgeführt.

Für die Durchführung des Aufdampfprozesses sind wichtig: das Vakuum, die Materialkörnung, die Verdampfertemperatur. Die Ver-

—5 dampfung wird zweckmäßig bei einem Druck von etwa 10 Torr durchgeführt. Die Schichtdicke richtet sich nach der Gestaltung und Ausdehnung der Einzelelemente auf dem Träger. Sie kann wäh- " rend der Aufdampfung z.B. mit einem geeichten Schwingquarz, festgestellt werden oder nach der Aufdampfung mittels eines Interferenzmikroskops an Gläsern gemessen werden, die am Trommelumfang angebracht sind und mitbedampft werden.

Dagegen werden die zu wählende Materialkörnung und die Verdampfertemperatur im wesentlichen von dem zu verdampfenden Material bestimmt. Wird die Temperatur zu niedrig gewählt, so tritt die erforderliche blitzarti-ge Verdampfung nicht ein. Ist die Temperatur zu hoch, so springt ein wesentlicher Teil des Materials aus dem Tiegel heraus und man erhält keine kontrol- · lierte Verdampfung. ₁₀

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Sollen beispielsweise Schenkel aus einer p-leitenden Zink-Antimonidverbindung (ZnSb) hergestellt werden, die aus 34,6 Gew-# Zink und 64,3 Gew-$ Antimon bestehen und zur Verbesserung der p-Leitfähigkeit noch Spuren von p-dotierenden Stoffen, beispielsweise 1,0 Gew-$ Zinn und 0,1 Gew-$ Silber, enthalten kann, so wird bei dem erwähnten Vakuum die Temperatur des Verdampfungstiegels zweckmäßig wenigstens auf 900⁰C, vorzugsweise auf etwa 1000°0, gehalten. Die Körnung des ZnSb wird vorzugsweise etwa zwischen 0,1 und 0,6, insbesondere 0,2 bis 0,4 mm, gewählt. Die Schichtdicke wird bei einer Schenkelgestaltung nach Fig.4 etwa 0,5 bis 4,0 jum, insbesondere etwa 1 bis 2 jam, gewählt.

Mit diesen Bedingungen erhält man aufgedampfte Schenkel mit einem Seebeck-Koeffizienten von etwa oC = 820 /uV/°C bei einer Temperatur von 50⁰C und einem spezifischen elektrischem Widerstand ρ von etwa 25 bis 100 Ohmcm bei Zimmertemperatur. Mit einer anschließenden Wärmebehandlung nach der Erfindung von beispielsweise 2 Std. bei 240⁰C im Vakuum haben sich mit der Phasenumwandlung diese Faktoren auf OC = 146 /uV/°0 und p= 2,44*10 ^J Ohmcm geändert. Es wird somit der Seebeckkoeffizient zwar etwa um den Faktor 5 verkleinert, die elektrische Leitfähigkeit aber um vier Größenordnungen erhöht, so daß die Effektivität erheblich verbessert wird.

Damit erreicht das mit dem Verfahren nach der Erfindung hergestellte Schenkelmaterial annähernd die Werte des Ausgangsmaterials, die (λ= 175 UV/°C und = 1,8·10~⁵ Ohmcm betragen.

19 Patentansprüche
4 Figuren

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Claims (18)

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   Patentansprüche

   Verfahren zur Herstellung von Thermoelementen, insbesondere von Thermogeneratoren für kleine Leistungen, mit Thermoelementschenkeln unterschiedlichen Leitungstyps, die in abwechselnder Reihenfolge nebeneinander auf einem elektrisch isolierenden Träger thermisch parallel und elektrisch in Reihe angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, daß Verbindungshalbleiter als Schenkelmaterial aufgedampft und anschließend durch Temperung einer Strukturänderung unterzogen werden.
2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Komponenten der Verbindung durch Blitzverdampfung (Flash- -Verdampfung) bei gleicher Temperatur aufgebracht werden.
3. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Dotierungsstoff enthaltender Verbindungshalbleiter verdampft wird.
4. 4· Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß zum Aufdampfen der Schenkel unterschiedlichen Leitungstyps die gleiche halbleitende Verbindung mit verschiedenen Dotierungsstoffen verwendet wird.
5. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß als Verbindungshalbleiter Zink-Antimonid (ZnSb) aufgedampft wird.
6. 6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Verdampfungsbehälter auf einer Temperatur von wenigstens etwa 900⁰C, vorzugsweise etwa 1000⁰C, gehalten wird.
7. 7· Verfahren nach Anspruch 5» dadurch gekennzeichnet, daß für das zu verdampfende Material eine Körnung von etwa 0,1 bis 0,6 mm, vorzugsweise 0,2 bis 0,4 mm, gewählt wird.

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8. 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7» bei dem als Träger für die Schenkel eine Kunststoffolie gewählt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger vor dem Aufbringen der Halbleiterverbindung durch Ultraschall gereinigt wird.
9. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger im Vakuum ausgeheizt wird.
10. 10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9» dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Flachseiten des Trägers (40) mit Thermoelementen bedampft werden.
11. 11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekenn-" zeichnet, daß auf die Thermoelemente einer Isolationsschicht aufgedampft oder aufgesprüht wird.
12. 12. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß in einer Vakuumkammer eine Verdampfungsanlage mit einem Verdampfer (6) und der entsprechenden Heizeinrichtung (4,8,14,16) und einer Fördereinrichtung (10,18) zur Zuführung der gekörnten Halbleiterverbindung sowie eine relativ zum Verdampfer (6) bewegliche Unterlage (26) für den Träger (40) vorgesehen ist.
13. 13. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Fördereinrichtung ein Wendelförderer (18) vorgesehen ist.
14. * 14. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß um den Verdampfer (6) eine Blende (20) angeordnet ist, die zwischen dem Verdampfer (6) und dem Träger (36) für die aufzudampfende Halbleiterverbindung mit einer Öffnung versehen ist.
15. 15. Anordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Unterlage (26) für den Träger ein um seine Achse (24) drehbarer Zylinder vorgesehen ist.

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16. 16. Anordnung nach Anspruch 15» dadurch gekennzeichnet, daß auf dem Zylindermantel mehrere Träger für die Halbleiterverbindung und in Umfangsrichtung nebeneinander angeordnet sind, die jeweils durch eine Maske mit dem Profil (44) der aufzudampfenden Schenkel abgedeckt sind.
17. 17. Anordnung nach einem der Ansprüche 15 und 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Zylindermantel (26) mit Stiften (30) zur Fixierung des Trägers versehen ist.
18. 18. Anordnung nach einem der Ansprüche 15 und 16, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Kanten des Trägers und die Maske durch Spannsegmente (28) auf dem Zylindermantel überdeckt sind, die ebenfalls durch im Zylindermantel angeordnete Stifte (34) fixiert sind.

    19· Anordnung nach einem der Ansprüche 15 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß ein einziger Träger in Form einer Schraubenlinie auf dem Zylinder (26) angeordnet ist.

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