DE2039255A1 - Ohmsche Kontakte auf planaren Halbleiterbauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents

Ohmsche Kontakte auf planaren Halbleiterbauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung

Info

Publication number
DE2039255A1
DE2039255A1 DE19702039255 DE2039255A DE2039255A1 DE 2039255 A1 DE2039255 A1 DE 2039255A1 DE 19702039255 DE19702039255 DE 19702039255 DE 2039255 A DE2039255 A DE 2039255A DE 2039255 A1 DE2039255 A1 DE 2039255A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
zone
contacted
zones
intermediate layer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19702039255
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Sandhu Jagtar Jingh
Alan Platt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2039255A1 publication Critical patent/DE2039255A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes

Landscapes

  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
DE19702039255 1969-08-27 1970-08-07 Ohmsche Kontakte auf planaren Halbleiterbauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung Pending DE2039255A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US85337569A 1969-08-27 1969-08-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2039255A1 true DE2039255A1 (de) 1971-03-04

Family

ID=25315871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19702039255 Pending DE2039255A1 (de) 1969-08-27 1970-08-07 Ohmsche Kontakte auf planaren Halbleiterbauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS4921461B1 (https=)
BE (1) BE755371A (https=)
CA (1) CA939829A (https=)
DE (1) DE2039255A1 (https=)
FR (1) FR2059695B1 (https=)
GB (1) GB1313386A (https=)
NL (1) NL7012464A (https=)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3753774A (en) * 1971-04-05 1973-08-21 Rca Corp Method for making an intermetallic contact to a semiconductor device
JPS508865U (https=) * 1973-05-19 1975-01-29

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1030540A (en) * 1964-01-02 1966-05-25 Gen Electric Improvements in and relating to semi-conductor diodes
GB1170185A (en) * 1967-07-28 1969-11-12 Hitachi Ltd Electrode Structure of a Semiconductor Device.
ES364975A1 (es) * 1968-03-22 1971-02-16 Rca Corp Un dispositivo semiconductor.

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4921461B1 (https=) 1974-06-01
CA939829A (en) 1974-01-08
GB1313386A (en) 1973-04-11
BE755371A (fr) 1971-02-01
NL7012464A (https=) 1971-03-02
FR2059695B1 (https=) 1973-12-21
FR2059695A1 (https=) 1971-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2640525C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer MIS-Halbleiterschaltungsanordnung
DE2745857C2 (https=)
DE2618445C2 (de) Verfahren zum Herstellen eines bipolaren Transistors
DE2729171C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE2618733A1 (de) Halbleiterbauelement mit heterouebergang
EP0005185B1 (de) Verfahren zum gleichzeitigen Herstellen von Schottky-Sperrschichtdioden und ohmschen Kontakten nach dotierten Halbleiterzonen
DE7233274U (de) Polykristalline siliciumelektrode fuer halbleiteranordnungen
DE2125303A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiteranordnung
DE2423846A1 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiter-bauelements
DE2641752A1 (de) Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors
DE2633714C2 (de) Integrierte Halbleiter-Schaltungsanordnung mit einem bipolaren Transistor und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0006510A1 (de) Verfahren zum Erzeugen aneinander grenzender, unterschiedlich dotierter Siliciumbereiche
DE3223230A1 (de) Halbleitervorrichtung und verfahren zu ihrer herstellung
DE1950069B2 (de) Verfahren zum Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE2849373A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE2617293B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE3039009C2 (de) Sperrschicht-Feldeffekttransistor
DE2616857A1 (de) Verfahren zur herstellung von halbleiterbauelementen
DE2752335B2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors mit einem vertikalen Kanal
DE1564086A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitersystemen
DE2219696A1 (de) Verfahren zur Isolationsbereichsbildung
DE2039255A1 (de) Ohmsche Kontakte auf planaren Halbleiterbauelementen und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE69033515T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
DE2510951C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer monolithisch integrierten Halbleiterschaltung
DE2050955B2 (de) Verfahren zur herstellung eines feldeffekttransistors