DE202018104349U1 - Lichtabgabevorrichtungs-Package - Google Patents

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Abstract

Lichtabgabevorrichtungs-Package, umfassend eine Leiterrahmen-Einheit (2) mit einer Leiterrahmen-Oberseite (201), und eine der Leiterrahmen-Oberseite (201) gegenüberliegende Leiterrahmen-Unterseite (202); gekennzeichnet durch:Eine Formschicht (3), welche die Leiterrahmen-Einheit (2) derart umschließt, dass die Leiterrahmen-Oberseite (201) und die Leiterrahmen-Unterseite (202) von der Formschicht (3) freiliegen, wobei die Formschicht (3) eine Formschicht-Unterseite (33) aufweist, die zu der Leiterrahmen-Unterseite (202) koplanar ist und diese nicht bedeckt, und eine Formschicht-Umgebungsfläche (31), die sich von der Formschicht-Unterseite (33) nach oben erstreckt zum Umschließen der Leiterrahmen-Einheit (2), sowie eine Vielzahl von Lötnuten (34), die jeweils von der Formschicht-Unterseite (33) eingerückt und zwischen der Leiterrahmen-Einheit (2) und der Formschicht-Umgebungsfläche (31) angeordnet ist, wobei jede der Lötnuten (34) ein erstes Ende (341) aufweist, welches die Leiterrahmen-Einheit (2) berührt, und ein zweites Ende (342), das sich an der Formschicht-Umgebungsfläche (31) öffnet, wobei die Leiterrahmen-Einheit (2) in Bezug auf die Formschicht-Umgebungsfläche (31) nicht freiliegend ist; undeine auf der Leiterrahmen-Oberseite (201) der Leiterrahmen-Einheit(2) angeordnete Lichtabgabevorrichtung (4).

Description

  • Die Offenbarung betrifft ein Lichtabgabevorrichtungs-Package, insbesondere ein Lichtabgabevorrichtungs-Package mit einer Vielzahl von Lötnuten.
  • Eine Leuchtdiode hat den Vorteil, dass sie eine relativ geringe Größe, eine hohe Energieeffizienz, eine lange Lebensdauer, einen niedrigen Stromverbrauch und eine kurze Anlaufzeit usw. aufweist, so dass sie anstelle einer herkömmlichen Lichtquelle (wie etwa eine Glühlampe) im Bereich der Elektrolumineszenz bereits in großem Umfang eingesetzt wird. Dennoch kann die Zuverlässigkeit eines Lichtabgabevorrichtungs-Package noch erhöht werden.
  • Um die Packagedichte einer Lichtabgabevorrichtung zu erhöhen und die Packagegröße zu verringern, ist ein herkömmliches Halbleiterbauelementgehäuse mit einem QFN-(Quad flat no-lead)-Leiterrahmen an einer Unterseite des QFN-Leiterrahmen mit Lötstellen versehen. Wenn die Lötstellen des herkömmlichen Halbleiterbauelementgehäuses jedoch dazu bestimmt sind, mit externen Bauelementen elektrisch verbunden zu werden, kann die Qualität der Lötstellen und die Vollständigkeit der elektrischen Verbindung zwischen den Lötstellen und den externen Bauteilen nicht einfach durch eine Sichtprüfung kontrolliert werden.
  • Daher besteht eine Aufgabe der Offenbarung darin, ein LED-Package bereitzustellen, das mindestens einen der Nachteile des Standes der Technik beseitigen kann.
  • Gemäß der Offenbarung umfasst das LED-Package eine Leiterrahmen-Einheit, eine erste Formschicht und eine Leichtvorrichtung.
  • Die Leiterrahmen-Einheit weist eine Leiterrahmen-Oberseite und eine der Leiterrahmen-Oberseite gegenüberliegende Leiterrahmen-Unterseite auf.
  • Die Formschicht umschließt die Leiterrahmen-Einheit so, dass die Leiterrahmen-Oberseite und die Leiterrahmen-Unterseite von der Formschicht freiliegen. Die Formschicht weist eine zu der Leiterrahmen-Unterseite koplanare und diese nicht bedeckende Formschicht-Unterseite auf, eine Formschicht-Umgebungsfläche, die sich von der Formschicht-Unterseite nach oben erstreckt und die Leiterrahmen-Einheit umgibt, sowie eine Vielzahl von Lötnuten. Jede der Lötnuten ist von der Formschicht-Unterseite eingerückt und zwischen der Leiterrahmen-Einheit und der Formschicht-Umgebungsfläche angeordnet, wobei jede der Lötnuten ein erstes Ende auf, das die Leiterrahmen-Einheit berührt, und ein zweites Ende, das an der Formschicht-Umgebungsfläche offen ist. Die Leiterrahmen-Einheit ist in Bezug auf die Formschicht-Umgebungsfläche nicht freiliegend.
  • Die Lichtabgabevorrichtung ist auf der Leiterrahmen-Oberseite der Leiterrahmen-Einheit angeordnet.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der Offenbarung werden anhand der folgenden detaillierten Beschreibung der Ausgestaltungen unter Bezugnahme auf die Begleitzeichnungen ersichtlich, wobei:
    • 1 eine perspektivische Draufsicht einer ersten Ausgestaltung eines Lichtabgabevorrichtungs-Package gemäß der Offenbarung ist;
    • 2 eine perspektivische Unteransicht der ersten Ausgestaltung ist;
    • 3 eine schematische Querschnittsansicht entlang der in 1 dargestellt Linie III-III ist;
    • die 4A bis 4E perspektivische Ansichten sind, die aufeinanderfolgende Schritte eines Verfahrens zur Herstellung der ersten Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package veranschaulichen;
    • 5 eine schematische Querschnittsansicht entlang der in 4E dargestellten Linie V-V ist;
    • 6 eine perspektivische Draufsicht einer offenbarungsgemäßen zweiten Ausgestaltung eines Lichtabgabevorrichtungs-Package ist;
    • 7 eine schematische Querschnittsansicht entlang der in 6 dargestellten Linie VII-VII ist;
    • 8 eine schematische Querschnittsansicht der ersten Ausgestaltung ist, die überdies eine untere Galvanisierschicht umfasst;
    • 9 eine schematische Querschnittsansicht der in 8 dargestellten ersten Ausgestaltung ist, die zudem eine obere Galvanisierschicht umfasst;
    • 10 eine schematische Querschnittsansicht der in 8 dargestellten ersten Ausgestaltung ist, die zudem eine Nut-Galvanisierschicht umfasst; und
    • 11 eine schematische Querschnittsansicht der in 9 dargestellten ersten Ausgestaltung ist, die zudem eine Nut-Galvanisierschicht umfasst.
  • Bevor die Offenbarung detailliert beschrieben wird, wird darauf hingewiesen, dass Referenznummern oder die letzten Stellen der Referenznummern, wo dies für zweckmäßig erachtet wurde, in den Figuren wiederholt worden sind, um übereinstimmende oder vergleichbare Elemente zu bezeichnen, die optional ähnliche Eigenschaften aufweisen.
  • Wie in den 1 bis 3 dargestellt, umfasst eine erste offenbarungsgemäße Ausgestaltung eines Lichtabgabevorrichtungs-Package eine Leiterrahmen-Einheit 2, eine Formschicht 3 und eine Lichtabgabevorrichtung 4.
  • Die Leiterrahmen-Einheit 2 ist aus einem Metallmaterial gefertigt, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Kupfer, einer Kupferbasislegierung, einer Eisen-Nickel-Legierung und Kombinationen davon. Die Leiterrahmen-Einheit 2 weist ein Leiterrahmen-Oberseite 201 auf, die dazu dient, die Lichtabgabevorrichtung 4 zu tragen, und eine der Leiterrahmen-Oberseite 201 gegenüberliegende Leiterrahmen-Unterseite 202.
  • Die Leiterrahmen-Einheit 2 umfasst insbesondere mindestens zwei voneinander beabstandete Kontaktelektroden 21. Die Kontaktelektroden 21 weisen jeweils Obere Enden 211 auf, welche die Leiterrahmen-Oberseite 201 bilden, und Untere Enden 212, welche die Leiterrahmen-Unterseite 202 bilden. Jede der Kontaktelektroden 21 weist eine zwischen der Leiterrahmen-Oberseite 201 und der Leiterrahmen-Unterseite 202 quer verbundene Elektroden-Umgebungsfläche 213 auf. Gemäß dieser Ausgestaltung ist die von der Leiterrahmen-Oberseite 201 getragene Lichtabgabevorrichtung 4 an dem oberen Ende 211 mindestens einer der Kontaktelektroden 21 angeordnet. Zu beachten ist, dass mehr als zwei Kontaktelektroden 21 verwendet werden können und dass die Anzahl entsprechend den Erfordernissen der Lichtabgabevorrichtung 4 festgelegt werden kann. Gemäß dieser Ausgestaltung umfasst die Leiterrahmen-Einheit 2 zwei der Kontaktelektroden 21.
  • Die Formschicht 3 weist einen auf der Leiterrahmen-Oberseite 201 angeordneten Abschnitt 36 auf, der das obere Ende 211 jeder der Kontaktelektroden 21 teilweise nicht bedeckt, um eine von der Formschicht 3 freiliegende Montagebereich 35 zu bilden.
  • Die Formschicht 3 umschließt die Leiterrahmen-Einheit 2 so, dass die Leiterrahmen-Oberseite 201 und die Leiterrahmen-Unterseite 202 von der Formschicht 3 freiliegen. Die Formschicht 3 kann z.B. direkt auf der Leiterrahmen-Einheit 2 aufgeformt sein. Die Formschicht 3 weist eine Formschicht-Unterseite 33 auf, die koplanar zu der Leiterrahmen-Unterseite 202 ist und diese nicht bedeckt, eine sich von der Formschicht-Unterseite 33 nach oben erstreckende Formschicht-Umgebungsseite 31, welche die Leiterrahmen-Einheit 2 umschließt, eine der Formschicht-Unterseite 33 gegenüberliegende Formschicht-Oberseite 32, und eine Vielzahl von Lötnuten 34, die als Solder Seen Terminals (SSTs) bekannt sind. Jede der Lötnuten 34 ist von der Formschicht-Unterseite 33 eingerückt und zwischen der Leiterrahmen-Einheit 2 und der Formschicht-Umgebungsfläche 31 angeordnet. Jede der Lötnuten 34 hat ein erstes Ende 341, das die Leiterrahmen-Einheit 2 berührt, und ein zweites Ende 342, das an der Formschicht-Umgebungsfläche 31 offen ist. Die Leiterrahmen-Einheit 2 ist in Bezug auf die Formschicht-Umgebungsfläche 31 nicht freiliegend. Gemäß dieser Ausgestaltung wird die Formschicht 3 zwischen die Kontaktelektroden 21 gefüllt und erstreckt sich um die Elektroden-Umgebungsflächen 213 der Kontaktelektroden 21. Jede der Kontaktelektroden 21 berührt mindestens ein erstes Ende 341 der Lötnuten 34. Die Elektroden-Umgebungsfläche 213 jeder der Kontaktelektroden 21 kann einen freiliegenden Flächenabschnitt 214 aufweisen, der in einer entsprechenden Lötnut (34) von der Formschicht 3 freiliegt. Gemäß dieser Ausgestaltung hat der freiliegende Flächenabschnitt 214 jeder der Kontaktelektroden 21 relativ zu der Formschicht-Umgebungsfläche 31 nach innen eine konkave Form. Alternativ kann der freiliegende Flächenabschnitt 214 jeder der Kontaktelektroden 21 geneigt sein. Die konkave oder schräge Form der freiliegenden Flächenabschnitt 214 jeder der Kontaktelektroden 21 unterstützt den direkten Fluss einer Flüssigkeit oder eines Kolloids, wie z.B. eines leitfähigen Klebstoffs oder Lötmaterials, das an den unteren Enden 212 der Kontaktelektroden 21 aufgetragen wird.
  • Die Lichtabgabevorrichtung 4 umfasst mindestens ein Leuchtelement 41, bei dem es sich um eine Leuchtdiode oder eine Laserdiode usw. handeln kann. Gemäß dieser Ausgestaltung ist das Leuchtelement 41 in dem Montagebereich 35 an dem oberen Ende 201 einer der Kontaktelektroden 21 der Leiterrahmen-Einheit 2 angeordnet und durch einen Draht 42 mit der anderen der Kontaktelektroden 21 elektrisch verbunden.
  • Wie in 1 dargestellt und oben erwähnt, kann das in die Lötnuten 34 verbrachte und mit der Leiterrahmen-Einheit 2 verbundene Lötmittel (nicht dargestellt) mithilfe der Lötnuten 34 auch dann durch eine Sichtprüfung kontrolliert werden, wenn die Leiterrahmen-Einheit 2 nicht von der Formschicht-Umgebungsfläche 31 freiliegt.
  • Gemäß einer Ausgestaltung ist die Formschicht 3 mindestens an den oberen Enden 211 der Kontaktelektroden 21 lichtreflexiv. Daher kann der Abschnitt der Formschicht 3, der auf der Leiterrahmen-Oberseite 201 angeordnet ist und der das obere Ende 211 jeder der Kontaktelektroden 21 teilweise nicht bedeckt, mehrfache Reflexionen des von dem Leuchtelement 41 emittierten Lichts erzeugen, so dass die Lichtauskopplungseffizienz des Leuchtelements 41 erhöht werden kann.
  • Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung der ersten Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package beschrieben.
  • Wie in 4A dargestellt, wird zuerst ein elektrisch leitfähiges Substrat geätzt, das aus einem Material gefertigt werden kann, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Kupfer, einer Kupferbasislegierung, einer Eisen-Nickel-Legierung und Kombinationen davon, um ein Leiterrahmen-Halbfertigprodukt 100A zu bilden.
  • Das Leiterrahmen-Halbfertigprodukt 100A umfasst einen Rahmungsabschnitt 101, eine Vielzahl voneinander beabstandeter Verbindungsabschnitte 102 und eine Vielzahl der Leiterrahmen-Einheiten 2, welche der Rahmungsabschnitt 101 umschließt und die jeweils die zwei voneinander beabstandeten Kontaktelektroden 21 umfassen. Die Kontaktelektroden 21 sind in einer Reihe angeordnet, wobei jede der Kontaktelektroden 21 das obere Ende 211 und das untere Ende 212 aufweist. Eine Anzahl der Verbindungsabschnitte 102 ist zwischen zwei benachbarten Kontaktelektroden 21 unterschiedlicher Leiterahmen-Einheiten 2 verbunden, und die restlichen Verbindungsabschnitte 102 sind zwischen den Kontaktelektroden 21 und dem Rahmungsabschnitt 101 verbunden. D.h., für jede der Kontaktelektroden 21 jeder der Leiterrahmen-Einheiten 2 gibt es mindestens einen Verbindungsabschnitt 102, der zwischen der Kontaktelektrode 21 und einer der Kontaktelektroden 21 einer benachbarten Leiterrahmen-Einheit 2 verbunden ist, und es gibt mindestens einen Verbindungsabschnitt 102, der zwischen der Kontaktelektrode 21 und dem Rahmungsabschnitt 101 verbunden ist. Folglich sind der Rahmungsabschnitt 101, die Kontaktelektroden 21 und die Verbindungsabschnitte 102 des Leiterrahmen-Halbfertigprodukts 100A einstückig ausgebildet.
  • Anschließend wird das Leiterrahmen-Halbfertigprodukt 100A in eine Form (nicht dargestellt) verbracht; anschließend wird ein aus Epoxid- oder Siliziumharz bestehendes polymeres Verkapselungsmaterial in den Spalt 210 zwischen den Kontaktelektroden 21 und dem Rahmungsabschnitt 101 gefüllt, das die Verbindungsabschnitte 102 und einen Teil der oberen Enden 211 der Kontaktelektroden 21 bedeckt, anschließend folgt das Aushärten des Verkapselungsmaterials, so dass die Formschicht 3 gebildet wird. Die 4B und 4C sind jeweils Draufsichten und Unteransichten des mit der Formschicht 3 versehenen Leiterrahmen-Halbfertigprodukts 100A.
  • Dann werden die Verbindungsabschnitte 102 abgeätzt, um die Lötnuten 34 auszubilden, die von der Formschicht-Unterseite 33 eingerückt sind (wie in 4D dargestellt). Die Kontaktelektroden 21 sind voneinander beabstandet.
  • Anschließend wird das Leuchtelement 41 der Lichtabgabevorrichtung 4 für jede der Leiterrahmen-Einheiten 2 auf einer der Kontaktelektroden 21 angeordnet, wonach der Draht 42 zwischen dem Leuchtelement 41 und der anderen der Kontaktelektroden 21 verbunden wird.
  • Wie ebenfalls in 5 dargestellt, ist eine Vielzahl der Lichtabgabevorrichtungs-Packages (zwei sind dargestellt) mittels Dicing entlang einer Reißlinie (nicht dargestellt) vereinzelt, die in einem in der Formschicht 3 ausgebildeten Dicing-Bereich (X) definiert ist.
  • Alternativ kann die Formschicht 3 einen unteren Abschnitt und einen oberen Abschnitt umfassen, wobei der untere Abschnitt und der obere Abschnitt mittels unterschiedlicher Formen nacheinander ausgebildet werden können. Der untere Abschnitt erstreckt sind um die Elektroden-Umgebungsflächen 213 der Kontaktelektroden 21 und weist die Formschicht-Unterseite 33 auf, die koplanar zu den unteren Enden 212 der Kontaktelektroden 21 ist, und die Formschicht-Oberseite 32, die koplanar zu den oberen Enden 211 der Kontaktelektroden 21 ist. Der an dem unteren Abschnitt ausgebildete obere Abschnitt bedeckt teilweise die oberen Enden 211 der Kontaktelektroden 21. Wenn der untere und der obere Abschnitt nicht gleichzeitig geformt werden, können sie optional aus dem gleichen oder aus unterschiedlichen polymeren Verkapselungsmaterialien gefertigt werden. Optional können in den zur Herstellung des oberen Abschnitts der Formschicht 3 verwendeten polymeren Verkapselungsmaterialien lichtreflektierende Partikel enthalten sein, so dass die Formschicht 3 lichtreflexiv ist. Somit kann die Lichtauskopplungseffizienz des Leuchtelements 41 erhöht werden. Da die Form(en)und die lichtreflektierenden Partikel an sich nicht die wesentlichen Merkmale der Offenbarung und Fachleuten gut bekannt sind, werden der Kürze halber diesbezüglich keine weiteren Details genannt.
  • In den 6 und 7 ist die zweite Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package gemäß der Offenbarung dargestellt. Das Lichtabgabevorrichtungs-Package weist eine ähnliche Struktur wie die der ersten Ausgestaltung auf, wobei die Formschicht-Oberseite 32 koplanar zu der Leiterrahmen-Oberseite 201 ist. Überdies umfasst das Lichtabgabevorrichtungs-Package eine Verkapselungsschicht 5, welche die Formschicht-Oberseite 32, die Leiterrahmen-Oberseite 201 der Leiterrahmen-Einheit 2 und die Lichtabgabevorrichtung 4 verkapselt.
  • Da die Formschicht-Oberseite 32 koplanar zu den oberen Enden 211 der Kontaktelektroden 21 ist und die Formschicht-Unterseite 33 koplanar zu den untere Enden 212 der Kontaktelektroden 21, ist die Leiterrahmen-Einheit 2 zusammen mit der Formschicht 3 plattenförmig. Das Leuchtelement 4 ist an dem oberen Ende 211 einer der Kontaktelektroden 21 angeordnet und durch den Draht 42 mit der anderen der Kontaktelektroden 21 elektrisch verbunden. Die Verkapselungsschicht 5 kann aus einem Verkapselungsmaterial hergestellt sein, das ausgewählt ist aus Silizium- oder Epoxydharz usw. Die Verkapselungsschicht 5 kann ein Fluoreszenzmaterial enthalten. Das Verkapselungsmaterial ist Fachleuten gut bekannt und wird der Kürze halber an dieser Stelle nicht beschrieben.
  • Ein Verfahren zur Herstellung der zweiten Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package ähnelt dem der ersten Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package, wobei die Formschicht-Oberseite 32 der Formschicht 3 so geformt ist, dass sie koplanar zu der Leiterrahmen-Oberseite 201 der Leiterrahmen-Einheit 2 ist. Nachdem eine Vielzahl der Lichtabgabevorrichtungen 4 und eine Vielzahl der Drähte 42 angeordnet worden ist und vor dem Vereinzeln einer Vielzahl der Lichtabgabevorrichtungs-Packages wird die Verkapselungsschicht 5 ausgebildet, so dass sie die Formschicht-Oberseite 32, die Leiterrahmen-Oberseiten 201 der Leiterrahmen-Einheiten 2 und die Lichtabgabevorrichtungen 4 einkapselt.
  • Wie im Falle der Lötnuten 34 können die Qualität und die Vollständigkeit der elektrischen Verbindung zwischen den Lötstellen der Lötung und den externen Bauteilen durch eine Sichtprüfung kontrolliert werden.
  • Zu beachten ist, dass die erste und die zweite Ausgestaltung zudem ein Filmplattierungsverfahren umfassen können, der nach der Ausbildung der Formschicht 3 durchgeführt wird. Bei der Leiterrahmen-Einheit 2 jedes vereinzelten Lichtabgabevorrichtungs-Packages kann mindestens eine Galvanisierschicht, die aus einem von dem Material der Leiterrahmen-Einheit 2 verschiedenen Material besteht, mindestens auf der Leiterrahmen-Unterseite 202, der Leiterrahmen-Oberseite 201 oder dem freiliegenden Flächenabschnitt 214 aufgebracht sein. Die Galvanisierschicht kann aus einem Metall oder einer Legierung bestehen. Genauer gesagt, kann die Galvanisierschicht aus einem Material hergestellt werden, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Nickel, Palladium, Silber, Gold und Kombinationen davon; sie kann in Form einer Einzelschicht oder einer mehrschichtigen Struktur aufgebracht werden. Durch die Galvanisierschicht können die Haftung der Leiterrahmen-Einheit an dem Draht 42 und die Zuverlässigkeit des Lichtabgabevorrichtungs-Package nach dem Lötverfahren erhöht werden.
  • Wie in 8 dargestellt, umfasst die erste Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package in einer Ausführungsform zudem eine untere Galvanisierschicht 61, die auf der Leiterrahmen-Unterseite 202 der Leiterrahmen-Einheit 2 aufgebracht ist und aus einem Material gefertigt sein kann, das sich von dem der Leiterrahmen-Einheit 2 unterscheidet.
  • Wie in 9 dargestellt, kann die erste Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package zudem eine obere Galvanisierschicht 62 umfassen, die auf einem Teil der Leiterrahmen-Oberseite 201 der in 8 dargestellten Leiterrahmen-Einheit 2 aufgebracht ist, die nicht durch die Formschicht 3 bedeckt ist.
  • Wie in 10 dargestellt, umfasst die in 8 dargestellte erste Ausgestaltung des Lichtabgabevorrichtungs-Package zudem eine Nut-Galvanisierschicht 63, die auf den freiliegenden Flächenabschnitten 214 der Elektroden-Umgebungsflächen 213 der Kontaktelektroden 21 aufgebracht ist und aus einem von dem Material der Leiterrahmen-Einheit 2 verschiedenen Material gefertigt sein kann.
  • Wie in 11 dargestellt, kann die Nut-Galvanisierschicht 63 alternativ auf den freiliegenden Flächenabschnitten 214 der Elektroden-Umgebungsflächen 213 der Kontaktelektroden 21 aufgebracht werden (siehe 9).
  • Aufgrund der Integrierung der Lötnuten 34 in das offenbarungsgemäße Lichtabgabevorrichtungs-Package können somit die Qualität der Lötung und die Vollständigkeit der elektrischen Verbindungen zwischen den Lötstellen und den externen Bauteilen mittels einer Sichtprüfung kontrolliert werden.
  • In der obigen Beschreibung wurden für ein gründliches Verständnis der Ausgestaltungen zahlreiche spezifische Einzelheiten erläutert. Der Fachmann wird jedoch erkennen, dass eine oder mehrere andere Ausgestaltungen verwirklicht werden können, wenn einige dieser Einzelheiten weggelassen werden. Zudem wird darauf hingewiesen, dass Verweisungen in dieser Beschreibung auf „eine Ausgestaltung“, eine Ausgestaltung mit Angabe einer Ordnungszahl usw. bedeuten, dass ein bestimmtes Merkmal, eine Struktur oder Eigenschaft in die Anwendung der Offenbarung einbezogen werden kann. Ferner ist zu beachten, dass in der Beschreibung mitunter verschiedene Merkmale in einer einzigen Ausgestaltung, Figur oder deren Erläuterung zusammengefasst wurden, um die Offenbarung zu straffen und das Verständnis der verschiedenen erfindungsgemäßen Aspekte zu unterstützen, und dass bei der Anwendung der Offenbarung gegebenenfalls ein oder mehrere Merkmale oder spezielle Details einer Ausgestaltung zusammen mit einem oder mehreren Merkmalen oder speziellen Details einer anderen Ausgestaltung verwendet werden können.

Claims (12)

  1. Lichtabgabevorrichtungs-Package, umfassend eine Leiterrahmen-Einheit (2) mit einer Leiterrahmen-Oberseite (201), und eine der Leiterrahmen-Oberseite (201) gegenüberliegende Leiterrahmen-Unterseite (202); gekennzeichnet durch: Eine Formschicht (3), welche die Leiterrahmen-Einheit (2) derart umschließt, dass die Leiterrahmen-Oberseite (201) und die Leiterrahmen-Unterseite (202) von der Formschicht (3) freiliegen, wobei die Formschicht (3) eine Formschicht-Unterseite (33) aufweist, die zu der Leiterrahmen-Unterseite (202) koplanar ist und diese nicht bedeckt, und eine Formschicht-Umgebungsfläche (31), die sich von der Formschicht-Unterseite (33) nach oben erstreckt zum Umschließen der Leiterrahmen-Einheit (2), sowie eine Vielzahl von Lötnuten (34), die jeweils von der Formschicht-Unterseite (33) eingerückt und zwischen der Leiterrahmen-Einheit (2) und der Formschicht-Umgebungsfläche (31) angeordnet ist, wobei jede der Lötnuten (34) ein erstes Ende (341) aufweist, welches die Leiterrahmen-Einheit (2) berührt, und ein zweites Ende (342), das sich an der Formschicht-Umgebungsfläche (31) öffnet, wobei die Leiterrahmen-Einheit (2) in Bezug auf die Formschicht-Umgebungsfläche (31) nicht freiliegend ist; und eine auf der Leiterrahmen-Oberseite (201) der Leiterrahmen-Einheit(2) angeordnete Lichtabgabevorrichtung (4).
  2. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterrahmen-Einheit (2) mindestens zwei voneinander beabstandete Kontaktelektroden (21) umfasst, die jeweils obere Enden (211) aufweisen, welche die Leiterrahmen-Oberseite (201) bilden, und untere Enden (212), welche die Leiterrahmen-Unterseite (202) bilden, wobei jede der Kontaktelektroden (21) eine Elektroden-Umgebungsfläche (213) aufweist, die zwischen den Leiterrahmen-Oberseiten und -Unterseiten (201, 202) quer verbunden ist, wobei die Formschicht (3) zwischen die Kontaktelektroden (21) gefüllt ist und sich um die Elektroden-Umgebungsflächen (213) der Kontaktelektroden (21) erstreckt und jede der Kontaktelektroden (21) mindestens eine der Lötnuten (34) berührt.
  3. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Formschicht (3) einen Abschnitt (36) aufweist, der auf der Leiterrahmen-Oberseite (201) angeordnet ist und das obere Ende (211) jeder der Kontaktelektroden (21) teilweise nicht bedeckt, um einen Montagebereich (35) zu bilden, der bezüglich der Formschicht (3) freiliegt, wobei die Lichtabgabevorrichtung (4) in diesem Montagebereich (35) angeordnet ist.
  4. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Formschicht (3) mindestens an den oberen Enden (211) der Kontaktelektroden (21) lichtreflexiv ist.
  5. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Formschicht (3) eine der Formschicht-Unterseite (33) gegenüberliegende eine Formschicht-Oberseite (32) aufweist, die koplanar zu der Leiterrahmen-Oberseite (201) der Leiterrahmen-Einheit (2) ist, wobei das Lichtabgabevorrichtungs-Package zudem eine Verkapselungsschicht (5) aufweist, welche die Formschicht-Oberseite (32), die Leiterrahmen-Oberseite (201) der Leiterrahmen-Einheit (2) und die Lichtabgabevorrichtung (4) verkapselt.
  6. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach einem der Ansprüche 1 bis 5, zudem gekennzeichnet durch eine untere Galvanisierschicht (61), die auf der Leiterrahmen-Unterseite (202) der Leiterrahmen-Einheit (2) aufgebracht ist und aus einem Material gefertigt ist, das sich von dem der Leiterrahmen-Einheit (2) unterscheidet.
  7. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach einem der Ansprüche 1 bis 6, zudem gekennzeichnet durch eine obere Galvanisierschicht (62), die in einem Bereich der Leiterrahmen-Oberseite (201) der Leiterrahmen-Einheit (2) aufgebracht ist, wo die Leiterrahmen-Oberseite (201) nicht von der Formschicht (3) bedeckt ist, wobei die obere Galvanisierschicht (62) aus einem Material gefertigt ist, das sich von dem der Leiterrahmen-Einheit (2) unterscheidet.
  8. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Elektroden-Umgebungsfläche (213) jeder der Kontaktelektroden (21) einen freiliegenden Flächenabschnitt (214) aufweist, der in einer entsprechenden Lötnut (34) von der Formschicht (3) freiliegt.
  9. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass der freiliegende Flächenabschnitt (214) relativ zu der Formschicht-Umgebungsfläche (213) in eine nach Innen weisende Richtung konkav ausgebildet ist.
  10. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach Anspruchs 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Lichtabgabevorrichtungs-Package zudem eine Nut-Galvanisierschicht (63) umfasst, die auf dem freiliegenden Flächenabschnitt (214) der Elektroden-Umgebungsfläche (213) aufgebracht ist und aus einem Material gefertigt ist, das sich von dem der Leiterrahmen-Einheit (2) unterscheidet.
  11. Lichtabgabevorrichtungs-Package nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Leiterrahmen-Einheit (2) aus einem Metallmaterial gefertigt ist, das ausgewählt ist aus der Gruppe bestehend aus Kupfer, einer Kupferbasislegierung, einer Eisen-Nickel-Legierung und Kombinationen davon.
  12. Vorgeformte Leiterrahmen-Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Formschicht (3) direkt auf der Leiterrahmen-Einheit (2) aufgeformt ist.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7150547B2 (ja) * 2018-09-27 2022-10-11 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP7450466B2 (ja) * 2020-06-22 2024-03-15 スタンレー電気株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20220078982A (ko) 2020-12-04 2022-06-13 이수빈 빨대가 꽂히는 마스크
TWM624922U (zh) * 2021-12-13 2022-03-21 長華科技股份有限公司 具有切割對位記號的導線架元件
JP2024001800A (ja) * 2022-06-22 2024-01-10 スタンレー電気株式会社 発光装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077278A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US10177292B2 (en) * 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
KR101624854B1 (ko) * 2014-10-10 2016-05-27 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 프리몰딩 리드프레임을 이용한 반도체 패키지
JP5900586B2 (ja) * 2014-12-08 2016-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置

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