DE2005990C3 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE2005990C3 DE2005990C3 DE19702005990 DE2005990A DE2005990C3 DE 2005990 C3 DE2005990 C3 DE 2005990C3 DE 19702005990 DE19702005990 DE 19702005990 DE 2005990 A DE2005990 A DE 2005990A DE 2005990 C3 DE2005990 C3 DE 2005990C3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- recipient
- rod
- support surfaces
- bearing blocks
- degrees
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 6
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/28—Controlling or regulating
- C30B13/285—Crystal holders, e.g. chucks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702005990 DE2005990B2 (de) | 1970-02-10 | 1970-02-10 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes |
| FR7103907A FR2078241A5 (en:Method) | 1970-02-10 | 1971-02-05 | |
| NL7101700A NL7101700A (en:Method) | 1970-02-10 | 1971-02-09 | |
| CA104,967A CA954423A (en) | 1970-02-10 | 1971-02-10 | Non-crucible zone melting of a crystalline rod |
| BE762747A BE762747A (fr) | 1970-02-10 | 1971-02-10 | Installation de fusion par zones sans creuset d'un barreau cristallin |
| JP588671A JPS5319524B1 (en:Method) | 1970-02-10 | 1971-02-10 | |
| GB2102971A GB1293775A (en) | 1970-02-10 | 1971-04-19 | Improvements in or relating to non-crucible zone melting apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19702005990 DE2005990B2 (de) | 1970-02-10 | 1970-02-10 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2005990A1 DE2005990A1 (de) | 1971-08-19 |
| DE2005990B2 DE2005990B2 (de) | 1977-12-08 |
| DE2005990C3 true DE2005990C3 (en:Method) | 1978-08-24 |
Family
ID=5761867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19702005990 Granted DE2005990B2 (de) | 1970-02-10 | 1970-02-10 | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines kristallinen stabes |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5319524B1 (en:Method) |
| BE (1) | BE762747A (en:Method) |
| CA (1) | CA954423A (en:Method) |
| DE (1) | DE2005990B2 (en:Method) |
| FR (1) | FR2078241A5 (en:Method) |
| GB (1) | GB1293775A (en:Method) |
| NL (1) | NL7101700A (en:Method) |
-
1970
- 1970-02-10 DE DE19702005990 patent/DE2005990B2/de active Granted
-
1971
- 1971-02-05 FR FR7103907A patent/FR2078241A5/fr not_active Expired
- 1971-02-09 NL NL7101700A patent/NL7101700A/xx unknown
- 1971-02-10 JP JP588671A patent/JPS5319524B1/ja active Pending
- 1971-02-10 BE BE762747A patent/BE762747A/xx unknown
- 1971-02-10 CA CA104,967A patent/CA954423A/en not_active Expired
- 1971-04-19 GB GB2102971A patent/GB1293775A/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA954423A (en) | 1974-09-10 |
| DE2005990A1 (de) | 1971-08-19 |
| NL7101700A (en:Method) | 1971-08-12 |
| FR2078241A5 (en:Method) | 1971-11-05 |
| BE762747A (fr) | 1971-08-10 |
| JPS5319524B1 (en:Method) | 1978-06-21 |
| DE2005990B2 (de) | 1977-12-08 |
| GB1293775A (en) | 1972-10-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE1187098B (de) | Verfahren zum Herstellen von Koerpern aus hochgereinigtem Halbleitermaterial | |
| DE2005990C3 (en:Method) | ||
| DE1444530B2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von stabförmigem, einkristallinen Halbleitermaterial | |
| DE2627862C2 (de) | Elektronenstrahler | |
| DE1173622B (de) | Verfahren zum einseitigen Verschmelzen von Glasrohren mittels Gasbrenner derart, dass am verschlossenen Rohrende eine optische Linse entsteht, und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens | |
| DE2422077A1 (de) | Induktionsheizspule zum tiegelfreien zonenschmelzen | |
| DE2501050A1 (de) | Verfahren zum formwalzen von metallischem werkstoff | |
| DD265610A5 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausbauchen und haerten von glastafeln | |
| DE1265708B (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
| DE1188042B (de) | Vorrichtung zum tiegellosen Zonenschmelzen eines stabfoermigen kristallinen Halbleiterkoerpers | |
| DE1519872A1 (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
| DE4039546C2 (en:Method) | ||
| DE1073161B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Belegen von optischen Teilen, z. B. Linsen, mit interferenzfähigen Schichten durch Aufdampfen im Vakuum | |
| DE1121281B (de) | Schmelzanlage zum Schmelzen von Metallen unter reduziertem Druck | |
| DE1596469B2 (de) | Verfahren und vorrichtung zur herstellung von flachglas | |
| DE1752747A1 (de) | Vorrichtung zum Schweissen duennwandiger,in einer Richtung stark ausgedehnter Profile | |
| AT223659B (de) | Verfahren zur Herstellung von versetzungsfreiem einkristallinem Silizium durch tiegelfreies Zonenschmelzen | |
| DE1596469C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Flachglas | |
| CH396424A (de) | Verfahren zur Herstellung von einkristallinem Halbleitermaterial | |
| DE1181840B (de) | Elektronenstrahlschmelzofen | |
| DE2263632A1 (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen | |
| DE1928013C (de) | Verfahren zum Herstellen einer Katho denstrahlrohre mit Alkalihalogenidschirm | |
| DE1519903A1 (de) | Verfahren mit tiegelfreien Zonenschmelzen eines kristallinen Stabes | |
| DE1264399B (de) | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenschmelzen | |
| DE1047815B (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Verringern der beim Schmelzschweissen im Vorschubverfahren entstehenden Spannungen |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
| 8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |