DE19953300A1 - Instrument for detecting charged particles; has high energy particle detector that deflects low energy particles to low energy particle detector using negatively biased casing - Google Patents

Instrument for detecting charged particles; has high energy particle detector that deflects low energy particles to low energy particle detector using negatively biased casing

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DE19953300A1
DE19953300A1 DE1999153300 DE19953300A DE19953300A1 DE 19953300 A1 DE19953300 A1 DE 19953300A1 DE 1999153300 DE1999153300 DE 1999153300 DE 19953300 A DE19953300 A DE 19953300A DE 19953300 A1 DE19953300 A1 DE 19953300A1
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energy
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DE1999153300
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Keneth H Braun
Neil S Casa
Paul J Duval
Stephen W Into
Ira Rosenberg
Vladimir Vayner
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Schlumberger Technologies Inc
Original Assignee
Schlumberger Technologies Inc
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    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor

Abstract

The instrument has a detector (22) for high energy particles and a detector (20) for low energy particles. The high energy particle detector deflects low energy particles to the low energy particle detector by using a negatively biased casing. It is further from the specimen (5) than the low energy detector and deflects particles that have passed the low energy detector back to it. An Independent claim is also included for an instrument and a method for detecting high energy charged particles.

Description

Die Erfindung betrifft ein Instrument zum Detektieren von geladenen Teil chen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. The invention relates to an instrument for detecting charged part surfaces according to the preamble of claim 1.

Es sind verschiedene Instrumente bekannt, die sich zum Ableiten der Ei genschaften einer Probe auf die Emission geladener Teilchen von der Probe stüt zen. There are known various instruments that support alarm is for deriving the egg properties of a sample to the charged particle emission from the sample zen. Beispiele solcher Instrumente sind ein Elektronenmikroskop (z. B. ein Raster elektronenmikroskop "SEM") und ein fokussiertes Ionenstrahlmikroskop, die einen geladenen Teilchenstrom auf die Probe richten, sowie ein Massenspektrometer, das verschiedene wohlbekannte Einrichtungen zum Erzeugen der Emission der geladenen Teilchen von der Probe verwendet. Examples of such instruments are an electron microscope (z. B. a scanning electron microscope "SEM") and a focused ion beam microscope, which direct a charged particle beam onto the sample, and a mass spectrometer, the various well-known means for generating the emission of charged particles from the sample used.

Die nachfolgenden Ausführungen beziehen sich beispielhaft auf ein SEM, sind jedoch ohne weiteres auch auf andere Instrumente wie etwa auf die obener wähnten anwendbar und übertragbar. The following information relates example, to an SEM, but are also applicable to other instruments such as the RAISED mentioned and immediately applicable.

Ein SEM arbeitet in der Weise, daß es einen Primärabtastelektronenstrahl erzeugt, der auf eine Probe auftrifft, von der eine Oberfläche abgebildet werden soll. An SEM operates in such a manner that it generates a Primärabtastelektronenstrahl incident on a sample from a surface to be imaged. Im Ergebnis werden von der Probenoberfläche Rückstreu- und Sekundär elektronen emittiert, deren jeweilige Trajektorien entlang des (als Axialrichtung bezeichneten) Strahls liegen und unter Winkeln von ihm divergieren. As a result, electrons are emitted from the sample surface backscatter and secondary whose respective trajectories along the (axial direction as indicated) and beam are at angles diverging from it. Die emittier ten Elektronen werden von einem in der Nähe der Probenoberfläche angeordne ten Detektor gesammelt. The emittier th electrons are collected by an attached arrange close to the sample surface th detector. Der Detektor erzeugt ein Signal von der während des Bestrahlens mit dem Elektronenstrahl gesammelten Elektronenemission von der Probenoberfläche. The detector produces a signal from the collected with the electron beam during the irradiation electron emission from the sample surface. Das Signal von dem Detektor wird verwendet, um ein Bild der Oberfläche auf einem Videobildschirm anzuzeigen. The signal from the detector is used to display an image of the surface on a video screen.

Eine typische Anordnung der Hauptkomponenten eines SEMs ist sche matisch in Fig. 6 gezeigt. A typical arrangement of the major components of a specific SEMs schematically in Fig. 6 is shown. Die Elektronenquelle 2 erzeugt einen Elektronenstrahl 3 , der durch aufeinander ausgerichtete Öffnungen an den gegenüberliegenden En den des Rohrs 4 auf die Probe 5 gerichtet ist. The electron source 2 generates an electron beam 3 which the of the tube 4 is directed to the specimen 5 through aligned openings at the opposite En. Der Detektor 6 sammelt die von der Probe 5 emittierten Elektronen. The detector 6 collects the light emitted from the sample 5 electrons. Der Strahl 3 wird durch die Stigmator-Spulen 7 , durch die Ausrichtspulen 9 , durch die Abtastspulen 11 a und 11 b und durch die Linse 13 gesteuert. The beam 3 is controlled by the stigmator coil 7, by the Ausrichtspulen 9, by the sense coils 11 a and 11 b and through the lens. 13 Die Funktion dieser Komponenten ist wohlbekannt. The function of these components is well known. Kurz ge sagt, dienen die Stigmator-Spulen 7 zur Korrektur der Form des Strahls. Short ge says, 7 serve the stigmator coils for correcting the shape of the beam. Die Aus richtspulen 9 dienen zum Ausrichten des Strahls auf das Rohr 4 . From the directing coils 9 serve to align the beam on the tube. 4 Die Abtastspulen 11 a bzw. 11 b lenken den Elektronenstrahl 3 in einer zur Strahlrichtung senkrech ten Ebene in zwei Richtungen, wie etwa in einer x-Richtung und in einer y-Rich tung, ab. The sense coils 11 a and 11 b deflect the electron beam 3 in a senkrech th to the beam direction plane in two directions, such as processing in an x-direction and in a y-Rich decreases. SEMs können jede dieser Komponenten mehr als einmal enthalten. SEMs each of these components may contain more than once.

Die Linse 13 dient dazu, den Elektronenstrahl zum Ermöglichen einer hochauflösenden Abbildung auf einen sehr kleinen Fleck zu fokussieren. The lens 13 serves to focus the electron beam to enable a high-resolution imaging to a very small spot. Wie wohlbekannt ist, kann die Linse 13 eine magnetische oder eine elektrostatische Linse oder eine Kombination beider sein. As is well known, the lens 13 may be a magnetic or electrostatic lens or a combination of both. Genauer kann die Linse 13 eine Immer sionslinse sein, die, wie schematisch in Fig. 6 gezeigt ist, einen ringförmigen, ka nalförmigen magnetischen Polschuh mit einem Linseninnenpol 15 , einem Linsen außenpol 17 und einer Wicklungsspule 19 in dem Kanal enthält. More specifically, the lens 13 may be an immersion lens, which, as schematically shown in Fig. 6, an annular, outer pole 17 and a coil bobbin 19 includes ka nalförmigen magnetic pole piece with a Linseninnenpol 15, a lens in the channel.

Wegen seiner hohen Auflösung und Abbildungsgenauigkeit besitzt ein SEM viele Anwendungen. Because of its high resolution and imaging accuracy an SEM has many applications. Die Abbildung wird durch Erfassen eines Signals wie etwa der Elektronenemission von der Probe ausgeführt. The imaging is performed by detecting a signal, such as the electron emission from the sample. Die in SEMs verwendeten Detektoren umfassen Halbleiter, Szintillatoren, Mikrokanalplatten, Mikrosphären platten und Gasionendetektoren. The detectors used in SEMs include semiconductors, scintillators, microchannel plates, microspheres, slabs and gas ion detectors. Diese Detektoren können sowohl Rückstreu- als auch Sekundärelektronen sammeln (wobei dieser Begriff hier synonym mit detek tieren, lesen, abtasten verwendet wird), wobei ihr Ausgangssignal eine zusam mengefaßte Angabe beider liefert. These detectors can collect both backscatter and secondary electron (which term here animals synonymous with Detek, read, scan is used), with its output of both together provides a quantitative indication seized. Für bestimmte Anwendungen ist es jedoch nützlich, gleichzeitig getrennte Angaben der Rückstreuelektronen und der Sekun därelektronen zu erhalten. However, for certain applications, it is useful to have the same därelektronen separate to the back-scattered electrons and the seconding.

US 5 493 116 offenbart eine Anordnung zum gleichzeitigen Erhalten ge trennter Angaben der Rückstreuelektronen und der Sekundärelektronen. US 5,493,116 discloses an arrangement for simultaneously obtaining ge severed to the backscattered electrons and the secondary electrons. Über der Probenoberfläche befinden sich ein oberer und ein unterer Detektor, wobei eine Geometrie verwendet wird, die eine räumliche Filterwirkung erzeugt, so daß der untere Detektor im wesentlichen die Sekundärelektronen liest, während der obere Detektor im wesentlichen die Rückstreuelektronen liest. Above the sample surface, an upper and a lower detector, in which a geometry is used, which generates a spatial filtering effect, so that the lower detector essentially reads the secondary electrons, while the upper detector essentially reads the back-scattered electrons. Zu dieser räumlichen Filterwirkung kommt eine Energiefilterwirkung hinzu, die verhindert, daß die Sekundärelektronen den oberen Detektor erreichen. At this spatial filtering effect of an energy filter effect is added which prevents the secondary electrons reach the upper detector. Genauer ist die untere Ober fläche des oberen Detektors negativ um etwa -300 V vorgespannt, so daß die nie derenergetischen Sekundärelektronen von dem oberen Detektor abgestoßen werden, während die hochenergetischen Rückstreuelektronen im wesentlichen unbeeinflußt bleiben. More specifically, the lower upper surface of the upper detector is negatively biased to about -300 V, so that the secondary electrons never derenergetischen are repelled by the upper detector, while the high-energy backscatter electrons remain substantially unaffected. Die Energie der Rückstreuelektronen kann gleich der Ener gie des Elektronenstrahls sein, während die Sekundärelektronen eine wesentlich niedrigere Energie haben. The energy of the backscattered electrons can be equal to the Ener gy of the electron beam, while the secondary electrons have a much lower energy. Falls die Energie des Elektronenstrahls z. If the energy of the electron beam z. B. 1000 eV beträgt, sind die Sekundärelektronen gemäß der herkömmlichen Definition jene Elektronen, deren Energie unter 50 eV liegt, während Rückstreuelektronen jene sind, deren Energie über 50 eV bis zu 1000 eV liegt. B. is 1000 eV, the secondary electrons according to the conventional definition of those electrons whose energy is below 50 eV, whereas back-scattered electrons are those whose energy is up to 1000 eV 50 eV are.

Obgleich diese Anordnung erfolgreich verhindert, daß die Sekundärelek tronen den oberen Detektor erreichen, besitzt sie mehrere Nachteile. Although this arrangement successfully prevents the Sekundärelek neutrons reach the upper detector, it has several disadvantages. Wenn z. If z. B. die Sekundärelektronen von dem oberen Detektor, dem RSE-Detektor, nach unten abgestoßen werden, gehen sie "verloren", da die aktive Fläche des unteren Detektors, des SE-Detektors, nach unten zeigt und sie nicht sammeln kann. As the secondary electrons from the upper detector, the detector RSE, are repelled to go down, they "lost" since the active surface of the lower detector, SE detector points down and they can not collect. Da die Geometrie außerdem so beschaffen ist, daß der obere Detektor unter einem beträchtlichen Abstand von der Probe entfernt oben im Rohr angeordnet ist, kann er einen signifikanten Prozentsatz der Rückstreuelektronen nicht sammeln. Because the geometry is also such that the upper detector is positioned at a substantial distance away from the sample top of the tube, it can not collect a significant percentage of the backscattered electrons. Ferner werden bei dieser Geometrie und/oder bei anderen bekannten Geometrien auch die axial bzw. achsnah (z. B. innerhalb 10° der Strahlachse) liegenden Sekundär elektronen nicht gesammelt. Furthermore, in this geometry and / or with other known geometries also axially or close to the axis (z. B. within 10 ° of the beam axis) lying secondary electrons are not accumulated.

Aufgabe der Erfindung ist es, ein Instrument nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, das ermöglicht, durch Bereitstellen einer Zweimodus- Erfassungsfähigkeit für geladene Teilchen gleichzeitig getrennte Angaben der hö herenergetischen geladenen Teilchen und der niederenergetischen geladenen Teilchen zu erhalten. The object of the invention is to provide an instrument according to the preamble of claim 1, which allows to obtain by providing a detection capability of the bimodal charged particle simultaneously to the separate hö herenergetischen charged particles and the low energy charged particles.

Diese Aufgabe wird entsprechend dem kennzeichnenden Teil des An spruchs 1 gelöst. This object is achieved according to the characterizing part of the on claim 1.

Hierdurch lassen sich nicht nur höherenergetische und niederenergetische geladene Teilchen unabhängig und gleichzeitig detektieren, sondern es ist auch möglich, das Sammeln aller emittierten geladenen Teilchen zu maximieren, die Anzahl der gesammelten niederenergetischen geladenen Teilchen ohne Vermin dern der Anzahl der gesammelten höherenergetischen geladenen Teilchen zu maximieren, geladene Teilchen zu sammeln, die bei einer Zwei-Modus-Elektro nendetektion andernfalls verlorengehen würden, und das Sammeln der emittierten geladenen Teilchen mit axialen und achsnahen Trajektorien zu maximieren. In this way, not only higher energy and low-energy charged particles can be independently and simultaneously detect, but it is also possible to maximize the collection of all emitted charged particles, the number of the collected low-energy charged particles without Vermin countries the number of the collected high-energy charged particles to maximize to collect charged particles nendetektion would otherwise be lost in a two-mode electric and to maximize the collection of the emitted charged particles with axial and paraxial trajectories.

Ein Instrument, das von einer Probe emittierte höherenergetische und niederenergetische geladene Teilchen detektiert, umfaßt einen Detektor für hö here Energie, der die höherenergetischen geladenen Teilchen detektiert, und ei nen Detektor für niedrigere Energie, der die niederenergetischen geladenen Teil chen detektiert. An instrument that detects light emitted from a sample higher-energy and low-energy charged particles, a detector for hö here energy which detects the high-energy charged particles, and ei NEN detector for lower energy which detects the low-energy charged part chen. Eine Ablenkeinrichtung ist so beschaffen, daß sie die niederener getischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie ablenkt, während der Detektor für niedrigere Energie so beschaffen ist, daß er die abge lenkten niederenergetischen geladenen Teilchen detektiert. A deflector is arranged so that it deflects the niederener Getian charged particles to the detector for lower energy, while the detector for lower energy is such that it detects the abge deflected low energy charged particles.

Der Detektor für höhere Energie kann so beschaffen sein, daß er die nie derenergetischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie ab lenkt, während der Detektor für niedrigere Energie so beschaffen sein kann, daß er die abgelenkten niederenergetischen geladenen Teilchen detektiert. The detector for higher energy can be so designed that it never draws derenergetischen charged particles to the detector for lower energy, while the detector for lower energy can be so designed that it detects the deflected low energy charged particles.

Der Detektor für höhere Energie kann eine Einrichtung enthalten, die die niederenergetischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie ablenkt, wobei der Detektor für niedrigere Energie auf die Ablenkeinrichtung aus gerichtet sein kann. The detector for higher energy may include means for deflecting the low-energy charged particles to the detector for lower energy, said detector for lower energy may be directed to the deflection direction.

Die niederenergetischen geladenen Teilchen können in neu emittierte geladene Teilchen umgesetzt werden, die auf den Detektor für niedrigere Energie ausgerichtet sind, während der Detektor für niedrigere Energie in der Weise aus gerichtet sein kann, daß er die neu emittierten geladenen Teilchen sammelt. The low energy charged particles can be implemented in new emitted charged particles, which are aligned to the detector for lower energy, while the detector for lower energy in such a manner may be directed from that it collects the newly issued charged particles. Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschrei bung und den Unteransprüchen zu entnehmen. Further embodiments of the invention are given in the following Descripti and the dependent claims.

Die Endung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildun gen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert. The ending is explained below with reference to the appended Some images are illustrated embodiments.

Fig. 1 ist ein schematischer Querschnitt eines SEMs mit einem Instrument, das einen Sekundärelektronendetektor und einen Detektor für Rückstreu elektronen umfaßt; Fig. 1 is a schematic cross section of a SEM with an instrument, the electron a secondary electron detector, and a detector for backscattered comprises;

Fig. 2A, 2B zeigen weitere Ausführungsformen des Instruments; Figs. 2A, 2B show other embodiments of the instrument;

Fig. 3 bis 5 zeigen jeweils weitere Ausführungsformen des Instruments; FIGS. 3 to 5 each show further embodiments of the instrument;

Fig. 6 zeigt ein bekanntes SEM. Fig. 6 shows a prior art SEM.

Fig. 1 sowie die nachfolgenden Figuren identifizieren die Komponenten des SEMs, die mit Ausnahme der Detektoren, die für jede Ausführungsform ein zeln bezeichnet sind, die gleichen Komponenten sind, wie sie in Fig. 6 mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet sind. Fig. 1 and the subsequent figures identify the components of the SEMs with the exception of the detectors, in the individually designated for each embodiment, the same components as designated in Fig. 6 with the same reference numerals. In Fig. 1 ist eine Anordnung zweier De tektoren in der Nähe der Probe 5 gezeigt. In Fig. 1 an arrangement of two detectors De is shown close to the sample 5. Der Begriff "Detektoreinheit", wie er hier verwendet wird, umfaßt einen Detektor, dh die aktive Vorrichtung, die wie die zuvor aufgelisteten Vorrichtungen die Elektronen sammelt, und sein Gehäuse. The term "detection unit", as used herein, includes a detector that is, the active device which collects as the devices listed above, the electrons and its housing. Die Vorderseite des Gehäuses ist zum Belichten des Detektors offen. The front of the housing is open to expose the detector. Der Rest des Gehäuses ist typischerweise geschlossen. The remainder of the housing is typically closed. Der Detektor und das Gehäuse sind voneinander isoliert. The detector and the casing are isolated from each other. Bekannt ist es, daß das Gehäuse normalerweise geerdet ist, während der Detektor für einen Rückstrahlungsdetektor ("RSE"-Detektor) negativ und für einen Sekundärelektronendetektor ("SE"-Detektor) positiv vorgespannt ist. it that the housing is normally grounded, while the detector for a return radiation detector ( "RSE" detector) ( "SE" detector) is negative and for a secondary electron detector positively biased is known. Die aktive Fläche der Detektoreinheit liegt an der Vorderseite des Gehäuses. The active area of ​​the detector unit is located at the front of the housing.

Insbesondere zeigt Fig. 1 eine Anordnung, bei der die planaren Detek toreinheiten Rücken an Rücken liegen. In particular, FIG. 1 shows an arrangement in which the planar Detek gate units are back to back. Der Detektor 20 ist ein RSE-Detektor, während der Detektor 22 ein SE-Detektor ist. The detector 20 is a RSE detector, while the detector 22 is a SE detector. Die Vorderseite 20 a des RSE-De tektors 20 zeigt nach unten zu der Probe 5 , während die Vorderseite 22 a des SE- Detektors 22 nach oben zu der Elektronenquelle 2 zeigt. The front face 20 a of the RSE De tektors 20 pointing downwards to the sample 5, while the front side 22 a of the SE detector 22 shows upward toward the electron source. 2 Über dem SE-Detektor 22 liegt eine Ablenkeinrichtung 24 . Is above the SE detector 22 a deflector 24th

Wenn die Rückstreuelektronen von der Probe 5 emittiert werden, werden diejenigen, die innerhalb eines Akzeptanzwinkels außeraxial liegen, durch den RSE-Detektor 20 gesammelt. If the backscattered electrons are emitted from the sample 5, are those that lie within an acceptance angle off-axis, collected by the RSE detector 20th Die axialen und achsnahen Sekundärelektronen werden von der Ablenkeinrichtung 24 abgestoßen und somit zum SE-Detektor 22 gelenkt. The axial and near-axis secondary electrons are repelled by the deflector 24 and thus directed to the detector SE 22nd

Die Detektoren 20 und 22 sind zusammen mit der Ablenkeinrichtung 24 in der Nähe der Probe 5 auf den unteren Teil des SEMs ausgerichtet. The detectors 20 and 22 are aligned with the deflector 24 in the vicinity of the sample 5 to the lower part of the SEMs. Die Lokalisie rung dieser Bauteile ist in bestimmtem Umfang durch Gehäusebetrachtungen be stimmt, da sie in dem in einem zuvor konstruierten SEM noch zur Verfügung ste henden Raum untergebracht werden müssen. The localize tion of these components is true to a certain extent by housing considerations be, since they must be accommodated in the ste in a previously constructed SEM still available Henden space. Weitere Betrachtungen können die Sammeleffizienz und die Art der interessierenden Elektronen betreffen. Other considerations may affect the collection efficiency and the type of interest electrons. Zum Bei spiel sollte der Innendurchmesser der Ablenkeinrichtung 24 so nah wie möglich bei dem Durchmesser des Strahls 3 liegen, ohne jedoch den Strahl zu stören. When playing for the internal diameter of the deflector 24 should be as close as possible to the diameter of the beam 3, but without interfering with the jet. Bei dieser Anordnung werden zum Maximieren der Sammlung von Sekundärelektro nen durch die Ablenkeinrichtung 24 sogar achsnahe Elektronen zum Detektor 22 abgestoßen. With this arrangement, even close to the axis to the electron detector 22 are repelled to maximize the collection of secondary electron NEN by the deflector 24th Die Innendurchmesser der zwischen der Probe 5 und der Ablenkein richtung 24 liegenden Detektoren 20 und 22 sollten andererseits verhältnismäßig größer als der der Ablenkeinrichtung 24 sein, um zu ermöglichen, daß axiale und achsnahe Elektronen (die zusammen als "nahezu axial" bezeichnet werden) die Nähe der Ablenkeinrichtung 24 erreichen, so daß sie zum Detektor 22 gelenkt werden können. The inner diameter of between the sample 5 and the deflector 24 detectors located 20 and 22 should on the other hand relatively greater than that of the deflector 24 may be to allow axial and near-axis electrons (together be referred to as "near-axial") the closeness reach the deflection device 24, so that they can be directed to the detector 22nd Außerdem sollte die aktive Fläche des Detektors 20 groß genug bemessen sein, um einen ausreichenden Akzeptanzraumwinkel zu schaffen. In addition, the active surface of the detector 20 should be sized large enough to provide sufficient acceptance solid angle. Au ßerdem können diese Komponenten auch höher in dem Rohr angeordnet werden. Au ßerdem these components may be located higher in the tube. Für einige Anwendungen wird z. For some applications, such will. B. eine Anordnung bevorzugt, bei der es wün schenswert ist, mehr nahezu axiale Elektronen zu sammeln. B. a preferred arrangement in which it is Wanting's worth to collect more nearly axial electrons.

Die Ablenkeinrichtung 24 ist in der Zeichnung als planar gezeigt. The deflector 24 is shown in the drawing as planar. Dies dient jedoch lediglich zur Vereinfachung der Darstellung der Erfindung in der Zeichnung. However, this is merely for ease of illustration of the invention in the drawing. Tatsächlich kann die Ablenkeinrichtung 24 beliebig geformt sein und eine beliebige mit einem Spannungspotential beaufschlagte leitende Oberfläche sein. Indeed, the deflector 24 can be of any shape, and be any charged with a voltage potential conductive surface. Die Form ist wegen der Sammeleffizienz in einer wohlbekannten Weise op timiert. The shape is timiert because of the collection efficiency in a well known manner op. Die Spannung an der Ablenkeinrichtung 24 kann eingestellt werden und wird in der Weise angepaßt, daß das Sammeln optimiert wird. The voltage on the deflector 24 can be adjusted, and is adjusted in such a way that the collection is optimized. Die Detektoren 20 und 22 sind ebenfalls planar gezeigt, wobei sie jedoch kompakt, mehrteilig, ko nisch oder sphärisch sein können oder irgendeine andere Form besitzen können. The detectors 20 and 22 are also shown planar, although it compact, multi-piece, ko may be cally or spherical or may have any other shape. Die Gehäuse der Detektoren 20 und 22 stehen in der Darstellung im Kontakt mit einander. The housing of the detectors 20 and 22 are in the representation in contact with each other. Jedoch können sie ebenfalls voneinander beabstandet sein. However, they may also be spaced apart.

Eine Abwandlung der in Fig. 1 gezeigten Anordnung besteht darin, die Ablenkeinrichtung 24 , die die Sekundärelektronen ablenkt, gegen ein Konvertie rungstarget auszutauschen, das die Sekundärelektronen anzieht, so daß sie auf seine Oberfläche auftreffen. A modification of the arrangement shown in Fig. 1 is to replace the deflector 24 which deflects the secondary electrons approximate target against a Konvertie which attracts the secondary electrons such that they impinge on its surface. Das Konvertierungstarget besteht aus einem Material mit einer niedrigen Elektronen-Austrittsarbeit (dh der Energie, die erforderlich ist, um die am wenigsten fest gebundenen Elektronen abzulösen) oder ist mit einem solchen Material beschichtet. The conversion target consists of a material with a low electron work (ie, the energy that is required to peel the least tightly bound electron) or is coated with such a material. Solche Materialien sind dem Fachmann auf dem Gebiet wohlbekannt, so daß keine Einzelheiten erforderlich sind. Such materials are well known to those skilled in the art, so that no details are required. Das Konvertie rungstarget ist geerdet oder mit einem Potential (z. B. mit der gleichen Spannung wie das Rohr) vorgespannt, das die geladenen Teilchen (z. B. die Elektronen) zum Target hin beschleunigt. The Konvertie approximate target is biased to ground or to a potential (for. Example, the same voltage as the tube), the (electron z. B.) accelerating the charged particles to the target out. Im Ergebnis des folgenden Aufpralls werden von der Oberfläche des Konvertierungstargets neue Sekundär- und Rückstreuelektronen emittiert, wobei diese durch die Potentialdifferenz zwischen dem Konvertie rungstarget und dem Detektor zum Detektor 22 abgelenkt werden. As a result, the following impact new secondary and backscattered electrons are emitted from the surface of the conversion target, said approximate target by the potential difference between the Konvertie and are deflected to the detector for detecting the 22nd Die Wirkung des Ablenkens der neu emittierten Elektronen kann durch zwischen dem Konver tierungstarget und dem Detektor liegende Beschleunigungsvorrichtungen erhöht werden, die, wie ein Gitter oder ein Rohr, sämtlich wohlbekannt sind. The effect of deflecting the newly emitted electrons can tierungstarget through between the convergence and the detector lying be increased acceleration devices, such as a grating or a tube, are all well known. Es wird an gemerkt, daß ein gesondertes Konstruktionselement für das Konvertierungstarget in Fig. 1 nicht genauer gezeigt ist, da es lediglich an die Stelle der Ablenkeinrich tung 24 treten würde. It is noted that a separate construction element for the conversion target in Fig. 1 is not shown in detail, since it merely processing the place of the deflection Rich would take effect 24.

Wie im Kontext klar ist, bezieht sich der Begriff "Innendurchmesser" nicht nur auf die Abmessung, sondern auch auf die Konstruktion, die diese Abmessung definiert. As is clear from the context, the term "internal diameter" not only on the size, but also to the structure defining this dimension.

Der Innendurchmesser der Ablenkeinrichtung 24 ist kleiner als der der Detektoren 20 und 22 . The internal diameter of the deflector 24 is smaller than that of the detectors 20 and 22nd Tatsächlich sollte der Innendurchmesser der Ablenkein richtung 24 so klein wie möglich sein, jedoch weiter ermöglichen, daß der Strahl 3 ohne Störung die Probe 5 erreicht. In fact, the inner diameter of the deflector 24 should be as small as possible and further enable that the beam 3 without interference reaches the sample. 5 Diese Bemessung ermöglicht, daß die Ablenk einrichtung 24 die Maximalzahl an axialen Sekundärelektronen zum SE-Detektor 22 lenkt. This sizing allows the deflection device 24, the maximum number of axial secondary electrons to the SE detector 22 deflects. Außerdem sollte die aktive Fläche des SE-Detektors 22 groß genug sein, um die Maximalzahl der mittels der Ablenkeinrichtung 24 zu ihm gelenkten Se kundärelektronen zu sammeln. In addition, the active area of the SE detector 22 should be large enough to collect the maximum number of kundärelektronen by means of the deflection device 24 directed to him Se. Ähnlich sollte die aktive Fläche des RSE-Detektors 20 so groß wie möglich sein, um die Maximalzahl der von der Probe 5 zu ihm emittierten Rückstreuelektronen zu sammeln. Similarly, the active area of the RSE detector 20 should be as large as possible in order to collect the maximum number of electrons emitted from the sample 5 to him backscattered electrons.

In Fig. 2A ist der RSE-Detektor 30 der obere Detektor, während der SE- Detektor 32 der untere Detektor ist. In Fig. 2A the RSE detector 30 is the upper detector, while the SE detector 32 is the lower detector. Die Detektoren sind mit den Vorderseiten zu einander angeordnet. The detectors are arranged with the front sides to each other. Das Gehäuse 31 des RSE-Detektors 30 ist negativ vorge spannt. The housing 31 of the RSE detector 30 is negatively biased. Die negative Vorspannung an dem Detektor 30 kann von der negativen Vorspannung an seinem Gehäuse verschieden sein. The negative bias voltage to the detector 30 may be different than the negative bias on its housing. Zum Beispiel ist die negative Vorspannung an dem Gehäuse einstellbar, wobei sie in der Weise angepaßt wird, daß sie das Sammeln optimiert, während die negative Vorspannung am Detektor 30 in der Weise eingestellt wird, daß sie die Energie der an jedem Detektor ge sammelten Elektronen steuert. For example, the negative bias to the housing is adjustable, being adapted in such a way that during the negative bias voltage is set in such a way at the detector 30, it optimizes the collection, in that it controls the power of the ge at each detector accumulated electrons ,

Bei dieser Anordnung werden lediglich axiale und achsnahe Elektronen gesammelt. In this arrangement, axial and paraxial electrons are merely collected. Was die Sekundärelektronen betrifft, lenkt sie die negative Vorspan nung an dem Gehäuse des RSE-Detektors 30 zum SE-Detektor 32 . As for the secondary electrons, it directs the negative voltage Vorspan to the housing of the RSE detector 30 for detecting SE 32nd Natürlich be einflußt die negative Vorspannung die Rückstreuelektronen nicht signifikant. Of course, be the negative bias does not influence the backscattered electrons significant.

Ein optionaler Zusatz zu der obenbeschriebenen Anordnung ist die Ver wendung einer negativ vorgespannten zylindrischen Ablenkeinrichtung 34 . An optional addition to the above-described arrangement is the Ver application of a negatively biased cylindrical deflection device 34th Sie liegt in dem Zwischenraum zwischen den Detektoren 30 und 32 an deren Umfang. It is located in the space between the detectors 30 and 32 at the periphery thereof. Ihre Funktion besteht darin, aus dem Zwischenraum herauslaufende Elektronen abzulenken. Their function is to distract from the space running out electrons. Diese andernfalls "verlorenen" Elektronen werden zurück zum De tektor 32 gelenkt, wo sie helfen, die gesammelten Elektronen zu maximieren. These otherwise "lost" electrons are directed back to De Tektor 32, where they help to maximize the collected electrons.

Fig. 2A zeigt die Detektoren 30 und 32 in dem Rohr 4 , wobei die exakte Lage jedoch von verschiedenen Faktoren in bezug auf die spezifische Anordnung des besonderen SEMs abhängt, in dem die Erfindung angewendet wird. Fig. 2A shows the detectors 30 and 32 in the pipe 4, but the exact position depends on various factors relating to the specific arrangement of the particular SEMs in which the invention is applied. Somit beschränkt dieses Gehäuse die Abmessung des Außendurchmessers des De tektors auf den Innendurchmesser des Rohrs 4 . Thus, this housing limits the size of the outer diameter of the De tektors to the inner diameter of the pipe. 4 Im Gegensatz dazu zeigt Fig. 2B den RSE-Detektor 40 und den SE-Detektor 42 , die einander gegenüberliegen, mit dem negativ vorgespannten Gehäuse 41 , so, wie dies oben für die Spulen 30 und 32 und für das Gehäuse 31 in Fig. 2A beschrieben wurde. In contrast, Fig. 2B shows the RSE detector 40 and the SE detector 42, which oppose each other, with the negatively biased housing 41, as described above for the coils 30 and 32 and for the housing 31 in Fig. 2A described. Die Detektoren 40 und 42 liegen jedoch außerhalb des Rohrs 4 und sind somit nicht durch dessen Ab messungen beschränkt. The detectors 40 and 42 are outside the tube 4 and are thus not limited by its From measurements. Genauer kann der Außendurchmesser des RSE-Detek tors 40 und des SE-Detektors 42 größer als der Innendurchmesser des Rohrs 4 sein. More specifically, the outer diameter of the RSE Detek gate 40 and the SE detector 42 may be larger than the inner diameter of the pipe. 4 Die große Größe ermöglicht eine größere aktive Detektorfläche, die wunsch gemäß eine größere Anzahl von Elektronen sammelt. The large size allows a larger active detector surface that collects desired a larger number of electrons. Optional kann außerdem eine zu der Ablenkeinrichtung 34 in Fig. 2A ähnliche negativ vorgespannte zylin drische Ablenkeinrichtung 44 verwendet werden. Optionally, also a view similar to deflector 34 in Fig. 2A negatively biased zylin-cylindrical deflector 44 may be used.

Wie oben in Verbindung mit dem Detektor 24 aus Fig. 1 diskutiert wurde, können die Ablenkeinrichtungen 34 und 44 in den Fig. 2A und 2B durch Konvertie rungstargets ersetzt werden. As discussed above in connection with the detector 24 of FIG. 1, the deflection directions can be 34 and 44 in FIGS. 2A and 2B is replaced by approximately Konvertie targets.

Fig. 3 zeigt eine Anordnung der Detektoren 50 und 52 , die in dem Sinn, daß die Detektoren unter dem Rohr 4 liegen, daß der RSE-Detektor 50 über dem SE-Detektor 52 liegt und daß das Gehäuse 51 des RSE-Detektors 50 negativ vor gespannt ist, allgemein ähnlich zu den Detektoren 40 und 42 aus Fig. 2B ist. Fig. 3 shows an arrangement of the detectors 50 and 52, in the sense that the detectors lie under the pipe 4 that the RSE detector is above the SE detector 52 50 and the housing 51 of the RSE detector 50 negative is mainly stretched, generally similar to the detectors 40 and 42 of FIG. 2B. Der untere Detektor, der SE-Detektor 52 , ist jedoch geneigt, so daß sein Innendurch messer in der Nähe der Probe 5 liegt, während sein Außendurchmesser in der Nähe des RSE-Detektors 50 liegt. However, the lower detector, the SE detector 52 is inclined, so that its internal diameter is close to the sample 5, while its outer diameter is located in the vicinity of the RSE detector 50th Die Form des SE-Detektors 52 kann konisch, sphärisch oder mehrteilig oder irgendeine andere wohlbekannte Form sein. The shape of the SE detector 52 may be conical, spherical or multi-piece or any other well-known form.

Diese Anordnung besitzt mehrere Vorteile. This arrangement has several advantages. Während die Sekundärelektro nen von dem RSE-Detektor 40 und von seinem Gehäuse in Fig. 2B abgestoßen werden, geht z. While the secondary electron NEN be repelled by the RSE detector 40 and its housing in Fig. 2B, z is. B. eine signifikante Anzahl bei Durchlaufen in Längsrichtung und beim Herauslaufen aus dem Zwischenraum zwischen den zwei Detektoren "verloren". B. "lost" a significant number when running through in the longitudinal direction and in the running out of the interspace between the two detectors. Die geneigte Konfiguration des SE-Detektors 52 in Fig. 3 ermöglicht jedoch, seinen Außendurchmesser in die Nähe der Ebene des RSE-Detektors 50 zu legen, um die Größe des Zwischenraums, durch den die Sekundärelektronen entweichen können, zu minimieren. However, the inclined configuration of the SE detector 52 in Fig. 3 allows to put its outer diameter in the vicinity of the plane of the RSE detector 50 to minimize the size of the gap, through the escape of the secondary electrons. Somit ist es vorteilhaft, wenn der SE-Detektor 52 einen größeren Außendurchmesser als der RSE-Detektor 50 besitzt. Thus, it is advantageous if the SE detector 52 has a larger outer diameter than the RSE detector 50th Außer dem kann durch Neigen des SE-Detektors 52 seine aktive Fläche vergrößert wer den, um den Elektronensammelwirkungsgrad zu erhöhen. Apart from the its active area can be increased by tilting the SE detector 52 who the to increase the electron collection efficiency. Außerdem ist der RSE- Detektor 50 für die Rückstreuelektronen über einen größeren Akzeptanzraumwin kel "sichtbar". In addition, the RSE is detector 50 "visible" for the backscattered electrons over a wider angle Akzeptanzraumwin.

Zur Anpassung an Gehäusebeschränkungen oder aus anderen Gründen, wie sie etwa oben diskutiert wurden, können die Komponenten 50 und 52 außer dem in dem Rohr 4 nach oben verschoben werden. For adaptation to housing constraints or other reasons, as discussed as above, the components can be moved apart from the 50 and 52 in the pipe 4 upward.

In Fig. 4 ist der SE-Detektor 60 zylindrisch und liegt unterhalb des ebenen RSE-Detektors 62 . In FIG. 4, the SE detector 60 is cylindrical and is located below the planar detector 62 RSE. Dadurch, daß das Gehäuse negativ vorgespannt ist, ist der RSE-Detektor 62 ähnlich zu dem RSE-Detektor 50 aus Fig. 3. Der RSE-Detektor 62 besitzt einen weiteren Akzeptanzwinkel, wobei jedoch infolge seiner Ausrich tung wahrscheinlich weniger der von ihm abgestoßenen Sekundärelektronen von dem SE-Detektor 60 gesammelt werden. Characterized in that the housing is negatively biased, the RSE detector 62 is similar to the RSE detector 50 of Fig. 3. The RSE detector 62 has a wider acceptance angle, but due to its Reg likely tung less of the repelled from it secondary electrons collected from the SE detector 60th Um das Auftreten "verlorener" Elektro nen zu reduzieren, kann aber der Zwischenraum zwischen den zwei Detektoren minimiert werden. In order to "lost" to reduce the occurrence of electric NEN, but the space between the two detectors can be minimized.

In Fig. 5 sind der RSE-Detektor 70 und der SE-Detektor 72 mit den Vor derseiten zueinander angeordnet, wobei sie jedoch beide eine konische oder sphärische Form besitzen. In Fig. 5 the RSE detector 70 and the SE detector 72 are arranged with the advantages of the sides to each other, they, however, both have a conical or spherical shape. Das Gehäuse 71 ist negativ vorgespannt. The housing 71 is negatively biased. Mit Aus nahme dessen, daß der obere Detektor, der RSE-Detektor 50 aus Fig. 3, von der ebenen Form in eine konische oder sphärische Form abgewandelt wurde, ist Fig. 5 ähnlich zu Fig. 3. Eine solche Anordnung kann eine optimierte Sammeleffi zienz schaffen. From 5 with exception of the fact that the upper detector, the RSE detector 50 of FIG. 3, was modified from the flat form in a conical or spherical shape, Fig. Similar to Fig. 3. Such an arrangement, an optimized Sammeleffi create efficiency. Da für den oberen und für den unteren Detektor die gleiche Kom ponente verwendet werden kann, kann dies außerdem die Herstellung erleichtern und zu niedrigeren Kosten führen. Since the same Kom component can be used for the upper and for the lower detector, it can also facilitate the production and lead to lower costs.

Für die Detektoren können in bezug auf das Rohr verschiedene vertikale Stellungen verwendet werden, wobei der Zwischenraum zwischen den Detektoren ebenfalls verändert werden kann. For the detectors different vertical positions may be used with respect to the tube, the space between the detectors may also be varied. Außerdem können die horizontale Lage der Detektoren und der Ablenkeinrichtung in bezug zueinander ebenso wie die Be messung der aktiven Fläche verändert werden. In addition, the horizontal position of the detectors and the deflection direction in relation to each other as well as the loading of the active area measurement can be changed. In ähnlicher Weise können die Spannungen an den Detektoren, an der Ablenkeinrichtung und am Gehäuse ein gestellt werden. Similarly, the voltages at the detectors can be placed on one of the deflecting device and the housing. In gewissem Umfang hängen die Änderungen von Gehäusene benbedingungen ab, wobei in gewissem Umfang die Art der interessierenden Messung, dh axiale, außeraxiale, Sekundär- oder Rückstreuelektronen usw., die Geometrie vorschreibt. To some extent, depend on the changes Gehäusene from benbedingungen, wherein some extent the type of interest measurement, ie axial, off-axis, secondary or backscattered electrons, etc., prescribed by the geometry. Wenigstens teilweise in Abhängigkeit von dem erwarteten Ergebnis könnte jeder Detektor durch unterteilte Detektoren oder getrennte De tektoren ersetzt werden. At least partially a function of the expected result of each detector could be replaced by detectors divided detectors or separate De. Außerdem könnte der Detektor anstatt entlang des Strahls außermittig angeordnet sein. Moreover, the detector could be located off-center rather than along the beam.

Claims (21)

1. Instrument zum Detektieren von geladenen Teilchen, die von einer Probe emittiert werden, wobei ein Detektor für höhere Energie zum Detektieren der höherenergetischen geladenen Teilchen und ein Detektor für niedrigere Energie zum Detektieren der niederenergetischen geladenen Teilchen vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet , daß der Detektor für höhere Energie die niederenergetischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie ablenkt, und der Detektor für niedrigere Energie die abgelenkten niederenergetischen geladenen Teilchen detektiert. 1. Instrument for detecting charged particles emitted from a sample, a detector for higher energy to detect the high-energy charged particles and a detector for lower energy are provided for detecting the low energy charged particles, characterized in that the detector for higher energy deflects the low-energy charged particles to the detector for lower energy, and the detector for lower energy detects the deflected low energy charged particles.
2. Instrument nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der De tektor für höhere Energie die niederenergetischen geladenen Teilchen mit einem negativ vorgespannten Gehäuse ablenkt. 2. Instrument according to claim 1, characterized in that the de deflects Tektor for higher energy, the low-energy charged particles with a negatively biased housing.
3. Instrument nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der De tektor für höhere Energie, der weiter von der Probenoberfläche entfernt ist als der Detektor für niedrigere Energie, die niederenergetischen geladenen Teilchen ablenkt, um niederenergetische geladene Teilchen, die an dem Detektor für niedrigere Energie vorbeigelaufen sind, zurück zu ihm abzulenken. 3. Instrument according to claim 2, characterized in that the de deflects Tektor for higher energy, which is further away from the sample surface as the detector for lower energy, the low energy charged particles to low-energy charged particles to the detector for lower energy walked past, back to distract him.
4. Instrument nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeich net, daß der Detektor für niedrigere Energie die abgelenkten niederenergetischen geladenen Teilchen mit einer aktiven Fläche detektiert, die in der Weise ausgerichtet ist, daß sie der höherenergetischen Elektrode gegenüberliegt. 4. Instrument according to one of claims 1 to 3, characterized in that the detector for lower energy detects the deflected low energy charged particles with an active surface which is oriented in such a manner that it is opposed to the higher-energy electrode.
5. Instrument nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die aktive Fläche der niederenergetischen Elektrode positiv vorgespannt ist. 5. An instrument according to claim 4, characterized in that the active surface of the low-energy electrode is positively biased.
6. Instrument nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeich net, daß der Detektor für niedrigere Energie konisch oder sphärisch geformt ist, wobei sein Innendurchmesser näher bei der Probe und sein Außendurchmesser näher bei dem Detektor für höhere Energie liegt. 6. Instrument according to one of claims 1 to 5, characterized in that the detector for lower energy is conically or spherically shaped, with its inner diameter is closer to the sample, and its outer diameter is closer to the detector for higher energy.
7. Instrument nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Au ßendurchmesser des Detektors für niedrigere Energie größer als der Außen durchmesser des Detektors für höhere Energie ist. 7. An instrument according to claim 6, characterized in that the Au is ßendurchmesser of the detector for lower energy larger than the outer diameter of the detector for higher energy.
8. Instrument nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeich net, daß der Innendurchmesser des Detektors für höhere Energie kleiner als ein Innendurchmesser des Detektors für niedrigere Energie ist. 8. Instrument according to one of claims 1 to 7, characterized in that the inner diameter of the detector for higher energy smaller than an inner diameter of the detector for lower energy.
9. Instrument nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeich net, daß an einem Umfang eines Zwischenraums zwischen dem Detektor für hö here Energie und dem Detektor für niedrigere Energie eine Ablenkeinrichtung an geordnet ist. 9. Instrument according to one of claims 1 to 8, characterized in that on a circumference of a space between the detector and the detector energy hö here for lower energy, a deflector is arranged on.
10. Instrument nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeich net, daß das Instrument ein Rasterelektronenmikroskop ist, die geladenen Teil chen Elektronen sind, die höherenergetischen Elektronen Rückstreuelektronen sind und die niederenergetischen Elektronen Sekundärelektronen sind. 10. Instrument according to one of claims 1 to 9, characterized in that the instrument is a scanning electron microscope, the charged portion chen electrons, the higher energy electrons are backscattered electrons and low-energy electrons are secondary electrons.
11. Instrument zum Detektieren von höherenergetischen und niederener getischen geladenen Teilchen, die von einer Probe emittiert werden, wobei ein Detektor für höhere Energie zum Detektieren der höherenergetischen geladenen Teilchen und ein Detektor für niedrigere Energie zum Detektieren der niederenergetischen geladenen Teilchen vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß der Detektor für höhere Energie eine Einrichtung enthält, die die nieder energetischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie ablenkt und der Detektor für niedrigere Energie auf die Ablenkeinrichtung ausgerichtet ist. 11. Instrument for detecting high-energy and niederener Getian charged particles emitted from a sample, a detector for higher energy to detect the high-energy charged particles and a detector for lower energy are provided for detecting the low energy charged particles, characterized in that the detector for higher energy includes means for deflecting the low-energy charged particles to the detector for lower energy and lower energy detector is focused on the deflector.
12. Instrument nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekenn zeichnet, daß das Instrument ein Rasterelektronenmikroskop ist, die geladenen Teilchen Elektronen sind, die höherenergetischen Elektronen Rückstreuelektronen sind und die niederenergetischen Elektronen Sekundärelektronen sind. 12. Instrument according to one of claims 1 to 11, characterized in that the instrument is a scanning electron microscope, the charged particles are electrons, the higher energy electrons are backscattered electrons and low-energy electrons are secondary electrons.
13. Instrument zum Detektieren von höherenergetischen und niederener getischen geladenen Teilchen, die von einer Probe emittiert werden, wobei ein Detektor für höhere Energie zum Detektieren der höherenergetischen geladenen Teilchen, ein Detektor für niedrigere Energie zum Detektieren der niederenergeti schen geladenen Teilchen vorgesehen sind, dadurch gekennzeichnet, daß eine Einrichtung, die die niederenergetischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie ablenkt, vorgesehen und der Detektor für niedrigere Energie auf die Ablenkeinrichtung ausgerichtet ist. , In 13th instrument for detecting high-energy and niederener Getian charged particles emitted from a sample, a detector for higher energy to detect the high-energy charged particles, a detector for lower energy for detecting the niederenergeti rule charged particles are provided characterized is that a device which deflects the low energy charged particles to the detector for lower energy provided and aligned, the detector for lower energy to the deflector.
14. Instrument nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Ab lenkeinrichtung eine Fläche mit einem angelegten elektrischen Potential ist. 14. An instrument according to claim 13, characterized in that the steering device from a surface with an applied electric potential.
15. Instrument nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, daß sowohl der Detektor für höhere Energie als auch der Detektor für niedrigere Ener gie zwischen der Probe und der Ablenkeinrichtung liegt. 15. The instrument of claim 13 or 14, characterized in that both the detector for higher energy and the detector for lower Ener energy between the sample and the deflector.
16. Instrument nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekenn zeichnet, daß die Ablenkeinrichtung auf einem Umfang eines Zwischenraums zwi schen dem Detektor für höhere Energie und dem Detektor für niedrigere Energie liegt. 16. Instrument according to one of claims 13 to 15, characterized in that the deflection means on a circumference of a space Zvi rule the detector for higher energy and the detector for energy is lower.
17. Instrument nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekenn zeichnet, daß das Instrument ein Rasterelektronenmikroskop ist, die geladenen Teilchen Elektronen sind, die höherenergetischen Elektronen Rückstreuelektronen sind und die niederenergetischen Elektronen Sekundärelektronen sind. 17. Instrument according to one of claims 13 to 16, characterized in that the instrument is a scanning electron microscope, the charged particles are electrons, the higher energy electrons are backscattered electrons and low-energy electrons are secondary electrons.
18. Verfahren zum Detektieren höherenergetischer geladener Teilchen und niederenergetischer geladener Teilchen, die von einer Probe emittiert werden, das die folgenden Schritte umfaßt: 18. A method for detecting higher-energy charged particles and low-energy charged particles emitted from a sample, comprising the steps of:
Detektieren der höherenergetischen geladenen Teilchen mit einem De tektor für höhere Energie, Detecting the higher-energy charged particles with a De Tektor for higher energy,
Detektieren der niederenergetischen geladenen Teilchen mit einem De tektor für niedrigere Energie und Detecting the low energy charged particles with a De Tektor for lower energy, and
Einrichten des Detektors für höhere Energie in der Weise, daß er die nie derenergetischen geladenen Teilchen zum Detektor für niedrigere Energie ablenkt, Setting of the detector for higher energy in such a way that it deflects the charged particles to the detector never derenergetischen for lower energy,
und Einrichten des Detektors für niedrigere Energie in der Weise, daß er die abgelenkten niederenergetischen geladenen Teilchen detektiert. and setting the detector to lower energy in such a way that it detects the deflected low energy charged particles.
19. Verfahren zum Detektieren höherenergetischer geladener Teilchen und niederenergetischer geladener Teilchen, die von einer Probe emittiert werden, das die folgenden Schritte umfaßt: 19. A method for detecting higher-energy charged particles and low-energy charged particles emitted from a sample, comprising the steps of:
Detektieren der höherenergetischen geladenen Teilchen mit einem De tektor für höhere Energie, Detecting the higher-energy charged particles with a De Tektor for higher energy,
Detektieren der niederenergetischen geladenen Teilchen mit einem De tektor für niedrigere Energie und Detecting the low energy charged particles with a De Tektor for lower energy, and
Ablenken der niederenergetischen geladenen Teilchen zu dem Detektor für niedrigere Energie mit einer Ablenkeinrichtung und Ausrichten des Detektors für niedrigere Energie auf die Ablenkeinrichtung. Deflecting the low-energy charged particles to the detector for lower energy having a deflection device and orienting the detector for lower energy to the deflector.
20. Instrument, das von einer Probe emittierte höherenergetische gela dene Teilchen und niederenergetische geladene Teilchen detektiert, mit 20 instrument that detects light emitted from a sample higher energy gela dene particles and low-energy charged particles, with
einem Detektor für höhere Energie zum Detektieren der höherenergeti schen geladenen Teilchen, a detector for higher energy for detecting the höherenergeti rule charged particles,
einem Detektor für niedrigere Energie zum Detektieren der niederenerge tischen geladenen Teilchen; a detector for lower energy for detecting the charged particles niederenerge tables; und and
einer Einrichtung zum Konvertieren der niederenergetischen geladenen Teilchen in neu emittierte geladene Teilchen, die auf den Detektor für niedrigere Energie gerichtet sind, wobei der Detektor für niedrigere Energie auf die Konver tierungseinrichtung ausgerichtet ist. a means for converting the low-energy charged particles in newly issued charged particles are directed to the detector for lower energy, said detector for lower energy is focused on the convergence tierungseinrichtung.
21. Verfahren zum Detektieren höherenergetischer geladener Teilchen und niederenergetischer geladener Teilchen, die von einer Probe emittiert werden, das die folgenden Schritte umfaßt: 21. A method for detecting higher-energy charged particles and low-energy charged particles emitted from a sample, comprising the steps of:
Vorsehen eines Detektors für höhere Energie zum Detektieren der höher energetischen geladenen Teilchen, Providing a detector for higher energy to detect the high-energy charged particles,
Vorsehen eines Detektors für niedrigere Energie zum Detektieren der nie derenergetischen geladenen Teilchen und Providing a detector for lower energy for detecting the charged particles and never derenergetischen
Konvertieren der niederenergetischen geladenen Teilchen in neu emit tierte geladene Teilchen, die auf den Detektor für niedrigere Energie gerichtet sind, und Ausrichten des Detektors für niedrigere Energie auf die Konvertierungs einrichtung. Convert the low-energy charged particles in newly formatted emit charged particles are directed to the detector for lower energy, and alignment of the detector for lower energy means to the conversion.
DE1999153300 1998-11-19 1999-11-05 Instrument for detecting charged particles; has high energy particle detector that deflects low energy particles to low energy particle detector using negatively biased casing Withdrawn DE19953300A1 (en)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10156275A1 (en) * 2001-11-16 2003-06-05 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Detector arrangement and detection method
EP1703537A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Analysing system and charged particle beam device
US7427752B2 (en) 2002-11-15 2008-09-23 Micromass Uk Limited Mass spectrometer
EP1703538B1 (en) * 2005-03-17 2008-11-12 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device for high spatial resolution and multiple perspective imaging
DE10351010B4 (en) * 2002-11-15 2009-09-24 Micromass Uk Ltd. mass spectrometry
EP2503586A3 (en) * 2011-03-22 2014-12-31 JEOL Ltd. Electron detecting mechanism and charged particle beam system equipped therewith

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4790393B2 (en) * 2005-11-30 2011-10-12 日本電子株式会社 Electron detector and beam device provided with the same
WO2019100600A1 (en) * 2017-11-21 2019-05-31 Focus-Ebeam Technology (Beijing) Co., Ltd. Low voltage scanning electron microscope and method for specimen observation

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8602177A (en) * 1986-08-27 1988-03-16 Philips Nv Electrons detection with energy discrimination.
US4958079A (en) * 1989-02-21 1990-09-18 Galileo Electro-Optics Corps. Detector for scanning electron microscopy apparatus
JP3291880B2 (en) * 1993-12-28 2002-06-17 株式会社日立製作所 Scanning electron microscopy
JP3434165B2 (en) * 1997-04-18 2003-08-04 株式会社日立製作所 Scanning electron microscope

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10156275A1 (en) * 2001-11-16 2003-06-05 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Detector arrangement and detection method
DE10156275B4 (en) * 2001-11-16 2006-08-03 Leo Elektronenmikroskopie Gmbh Detector arrangement and detection method
US7427752B2 (en) 2002-11-15 2008-09-23 Micromass Uk Limited Mass spectrometer
DE10351010B4 (en) * 2002-11-15 2009-09-24 Micromass Uk Ltd. mass spectrometry
EP1703537A1 (en) * 2005-03-17 2006-09-20 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Analysing system and charged particle beam device
US7439500B2 (en) 2005-03-17 2008-10-21 Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh Analyzing system and charged particle beam device
EP1703538B1 (en) * 2005-03-17 2008-11-12 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Charged particle beam device for high spatial resolution and multiple perspective imaging
EP2503586A3 (en) * 2011-03-22 2014-12-31 JEOL Ltd. Electron detecting mechanism and charged particle beam system equipped therewith

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