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DE19845316C2 - Stapelbares Ball-Grid-Array-Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents

Stapelbares Ball-Grid-Array-Halbleitergehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung

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DE19845316C2
DE19845316C2 DE1998145316 DE19845316A DE19845316C2 DE 19845316 C2 DE19845316 C2 DE 19845316C2 DE 1998145316 DE1998145316 DE 1998145316 DE 19845316 A DE19845316 A DE 19845316A DE 19845316 C2 DE19845316 C2 DE 19845316C2
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein stapelbares Ball-Grid-Array-(BGA-)Halbleitergehäuse (Kugel-Gitter- Matrix-Halbleitergehäuse) und ein Verfahren zu dessen Her­ stellung.

Viele Firmen unternehmen gegenwärtig große Anstrengun­ gen, hoch integrierte Gehäuse mit hoher Pinanzahl (Kontakt­ zahl), wie zum Beispiel ein BGA-Halbleitergehäuse, bei dem eine Mehrzahl von Lotkugeln, die an einem Substrat ange­ bracht sind, als externe Anschlüsse verwendet werden, zu erzeugen. Ein Micro-BGA-Halbleitergehäuse, hergestellt, indem eine Mehrzahl von Lotkugeln durch Erwärmen in einem Ofen an einer oberen oder einer unteren Oberfläche eines Substrats angebracht werden, hat dahingehend Vorteile, daß dessen Produktivität erhöht wird und daß die externen An­ schlüsse bei Einwirkung von außen kaum verformt werden, da jeder der externen Anschlüsse eine Kugelform aufweist.

Nun wird mit Bezug auf die beigefügte Fig. 1 die Struk­ tur eines BGA-Halbleitergehäuses gemäß dem Stand der Technik beschrieben, wie er z. B. aus der Schrift US 5,477,611 be­ kannt ist.

In Fig. 1 ist ein Elastomer 2 an einer mittigen Positi­ on einer oberen Oberfläche eines Halbleiterchips 1 ange­ bracht und ein Klebstoffharz 3 mit hohem Haftvermögen auf dem Elastomer 2 geformt. Eine Mehrzahl von Metalleiterbah­ nen, die elektrische Signale übertragen, ist auf dem Kleb­ stoffharz 3 angebracht und ein Endteil jeder der Metallei­ terbahnen ist mit einer Metallzuleitung 4b verbunden, die mit einer auf einem Randteil der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1 geformten Kontaktfläche 6 verbunden ist. Ein Lötstopplack 5 bedeckt die Metalleiterbahnen 4a und das Klebstoffharz 3 abgesehen von Teilen der Metalleiterbahnen, auf denen Lotkugeln angebracht werden, und eine Kapselung 7 bedeckt die obere Oberfläche des Halbleiterchips 1 und die Metallzuleitungen 4b, die nicht mit dem Lötstopplack 5 be­ deckt sind. Zusätzlich sind auf den Metalleiterbahnen 4a leitende Kugeln 8 geformt und dienen als Ausgangsanschlüsse.

Da die leitenden Kugeln jedoch nur an einer Seite von Oberflächen des Gehäuses freigelegt sind (in Fig. 1 sind die leitenden Kugeln an dessen oberer Oberfläche freigelegt), ist es mit dem so ausgestatteten BGA-Halbleitergehäuse un­ möglich, ein stapelbares Gehäuse hoher Packungsdichte zu erzeugen.

Die vorliegende Erfindung richtet sich folglich auf ein Halbleitergehäuse, das Probleme infolge von Beschränkungen und Nachteilen des Stands der Technik umgeht.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein stapel­ bares BGA-Halbleitergehäuse und ein Verfahren zu dessen Herstellung bereitzustellen, die Vorteile des BGA-Gehäuses gemäß dem Stand der Technik wie keine Verformung äußerer Zuleitungen, Eignung für das Gehäuse mit hoher Pinanzahl und hervorragende Leitfähigkeit aufrechterhalten und auch die Dichte bestückter Halbleitergehäuse erhöhen.

Zusätzliche Merkmale und Vorteile der Erfindung werden in der folgenden Beschreibung dargestellt und werden zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch Umsetzen der Erfindung in die Praxis erfahren werden. Die Aufgaben und andere Vorteile der Erfindung werden durch die insbesondere sowohl in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüchen als auch in den beigefügten Figuren darge­ stellte Struktur verwirklicht und erreicht.

Die Erfindung beinhaltet ein stapelbares BGA-Halb­ leitergehäuse: ein Trägerglied, ausgestattet mit einer Trägerplatte, einem auf einem Oberteil der Trägerplatte entlang deren Randteil geformten Trägerrahmen, an oberen und unteren Oberflächen des Trägerrahmens freigelegten Metallmustern, an einem Unterteil der Trägerplatte geformten und mit den Me­ tallmustern verbundenen Metalleiterbahnen, einem Lötstopp­ lack, der die Metalleiterbahnen abschirmt, und durch teil­ weises Freilegen der Metalleiterbahnen geformten Verbin­ dungsteilen; einen auf der Trägerplatte des Trägerglieds angebrachten Halbleiterchip, der auf einem Randteil von dessen oberer Oberfläche Kontaktflächen aufweist; an einem Oberteil des Halbleiterchips angebrachte Metalleiterbahnen; Metallzuleitungen, die mit Endteilen der Metalleiterbahnen und den Kontaktflächen des Halbleiterchips verbunden sind und zu einer Außenseite des Halbleiterchips verlaufen, um dadurch mit oberen Oberflächen der Metallmuster verbunden zu werden; eine Mehrzahl von leitenden Kugeln, die an den Me­ talleiterbahnen angebracht sind; einen Lötstopplack, der die Metalleiterbahnen bedeckt; und eine Kapselung die die Metal­ leiterbahnen, die Metallzuleitungen, die Metallmuster und Teile der oberen Oberfläche des Halbleiterchips bedeckt.

Außerdem wird ein Verfahren zur Herstellung eines sta­ pelbaren BGA-Halbleitergehäuses bereitgestellt, das beinhal­ tet: Formen eines Trägerglieds, das eine Trägerplatte, einen auf einem Oberteil der Trägerplatte entlang deren Randteil geformten Trägerrahmen, an oberen und unteren Oberflächen des Trägerrahmens freigelegte Metallmuster, an einem Unter­ teil der Trägerplatte geformte und mit den Metallmustern verbundene Metalleiterbahnen, einen Lötstopplack, der die Metallleiterbahnen abschirmt, und durch teilweises Freilegen der Metalleiterbahnen geformte Verbindungsteile beinhaltet; Anbringen der Metallmuster auf einem Halbleiterchip, der auf einem Randteil von dessen oberer Oberfläche Kontaktflächen aufweist; Formen eines Lötstopplacks auf den Metalleiterbah­ nen; Freilegen von Teilen oberer Oberflächen der Metallei­ terbahnen durch teilweises Entfernen des Lötstopplacks;

Anbringen des Halbleiterchips auf der Trägerplatte; Formen von Metalleiterbahnen und Metallzuleitungen durch Anbringen der Metallmuster an den Kontaktflächen des Halbleiterchips; Verbinden eines Endteils jeder der Metallzuleitungen mit oberen Oberflächen der Metallmuster; Abdecken der Metallzu­ leitungen, der Kontaktflächen und von Teilen des Halbleiter­ chips mit einer Kapselung; und Anbringen leitender Kugeln an entsprechenden freigelegten Teilen der Metalleiterbahnen des Oberteils des Halbleiterchips.

Die beigefügten Figuren zeigen Ausführungsformen der Erfindung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, die Prinzipien der Erfindung zu erklären.

Fig. 1 ist ein vertikaler Schnitt durch ein BGA-Halb­ leitergehäuse gemäß dem Stand der Technik;

Fig. 2 ist ein vertikaler Schnitt durch ein stapelbares BGA-Halbleitergehäuse gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 3 ist ein vertikaler Schnitt durch ein stapelbares BGA-Halbleitergehäuse gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 4 ist ein vertikaler Schnitt durch gestapelte BGA- Halbleitergehäuse unter Verwenden eines stapelbaren BGA- Halbleitergehäuses gemäß der vorliegenden Erfindung; und

Fig. 5A bis 5H sind Diagramme des Herstellungsprozes­ ses für ein stapelbares BGA-Halbleitergehäuse gemäß der vorliegenden Erfindung.

Nun wird im Detail auf die bevorzugten Ausführungsfor­ men der vorliegenden Erfindung Bezug genommen, für die in den beigefügten Figuren Beispiele dargestellt sind.

Fig. 2 zeigt ein stapelbares BGA-Halbleitergehäuse gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung.

Zunächst wird ein Trägerglied 21 bereitgestellt, in dem eine Halbleiterchipvorrichtung plaziert wird. Die Struktur des Trägerglieds 21 ist folgende. Ein Trägerrahmen 25 vorbe­ stimmter Höhe ist entlang einem Randbereich auf einer Trä­ gerplatte 23 geformt. Metalleiterbahnen 24a mit demselben Muster wie Metalleiterbahnen 4a, die auf einer oberen Ober­ fläche des Halbleiterchips 1 geformt werden, sind an einer unteren Oberfläche der Trägerplatte 23 angebracht. Außerdem verhindert ein Lötstopplack 27, der die Metalleiterbahnen 24a und die Trägerplatte 23 bedeckt, daß leitende Kugeln, externe Anschlüsse und die Metalleiterbahnen 24a kurzge­ schlossen werden und schützt die Metalleiterbahnen 24a vor Einwirkung von außen. Der Lötstopplack 27 wird teilweise entfernt, um dadurch Teile der Metalleiterbahnen 24a freizu­ legen. Freigelegte Teile der Metalleiterbahnen 24a sind hier Verbindungsteile 24b. Die Verbindungsteile 24b entsprechen jeweils leitenden Kugeln 8a, die auf den auf dem Halbleiter­ chip 1 angebrachten Metalleiterbahnen 4a geformt sind.

Ferner sind Metallmuster 26, die zu Leiterbahnen wer­ den, in den Trägerrahmen 25, der die vorbestimmte Höhe auf­ weist und entlang dem Randbereich auf der Trägerplatte 23 geformt ist, gelegt. Die Metallmuster 26 sind mit einem Ende jeder der Metalleiterbahnen 24a verbunden. Das andere Ende jedes der Metallmuster 26 ist an der oberen Oberfläche des Trägerrahmens 25 freigelegt.

Als nächstes wird die Struktur des BGA-Halbleiterchip­ gehäuses erklärt. Der Halbleiterchip 1 ist durch einen Kleb­ stoff auf der Trägerplatte 23 des Trägerglieds 21 und an einer Innenseite des Trägerrahmens 25 angebracht. Ein Ela­ stomer 2 ist an einem Mittelteil der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1 angebracht und ein Klebstoffharz 3 mit hohem Haftvermögen ist auf dem Elastomer 2 geformt. Die Metalleiterbahnen 4a, die elektrische Signale übertragen, sind auf dem Klebstoffharz 3 angebracht und Endteile der Metalleiterbahnen 4a sind mit Metallzuleitungen 4b verbun­ den, die mit auf einem Randteil der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1 geformten Kontaktflächen 6 verbunden sind und zu einer Außenseite des Halbleiterchips 1 verlaufen, um mit Oberflächen der Metallmuster 26 verbunden zu sein.

Ein Lötstopplack 5 bedeckt die obere Oberfläche des Klebstoffharzes 3 und die gesamten Metalleiterbahnen 4a außer den Teilen, an denen die Lotkugeln angebracht sind. Außerdem bedeckt eine Kapselung 28 freigelegte Teile der oberen Oberfläche des Halbleiterchips 1, die Metallzuleitun­ gen 4b und den Oberteil des Trägerrahmens 25. Die leitenden Kugeln 8a sind an den vorbestimmten Teilen der Metalleiter­ bahnen 4a angebracht.

Signale, die vom Halbleiterchip über dessen Kontakt­ flächen ausgegeben werden, können somit über die mit den Metalleiterbahnen 4a verbundenen leitenden Kugeln 8a und die am unteren Teil des Trägerglieds 21 geformten Verbindungs­ teile 24b nach außen übertragen werden.

Das bedeutet, daß die Signalübertragung vom Halbleiter­ chip 1 und externen Schaltungen über die leitenden Kugeln 8a am Oberteil des Halbleiterchips 1 und die Verbindungsteile 24b an dessen Unterteil ermöglicht werden kann, um so gesta­ pelte Halbleitergehäuse herstellen zu können.

Fig. 3 ist ein vertikaler Schnitt durch ein stapelbares BGA-Halbleitergehäuse gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Die Struktur der zweiten Ausführungsform ist abgesehen davon, daß leitende Kugeln 8b auch an den freigelegten Tei­ len, das heißt den Verbindungsteilen 24b der Metalleiterbah­ nen 24a am Unterteil des Trägerglieds 21 angebracht sind, dieselbe wie die der ersten Ausführungsform. Da gemäß dem BGA-Halbleitergehäuse der zweiten Ausführungsform die Signa­ le über die leitenden Kugeln 8a und die leitenden Kugeln 8b zu den Ober- und Unterteilen des Halbleiterchips 1 übertra­ gen werden, wird es möglich, eine Mehrzahl stapelbarer BGA- Halbleitergehäuse gemäß der ersten oder zweiten Ausführungs­ form der vorliegenden Erfindung zu stapeln und somit nimmt die Packungsdichte des Gehäuses zu.

Fig. 4 zeigt gestapelte BGA-Halbleitergehäuse unter Verwenden des stapelbaren BGA-Halbleitergehäuses gemäß der ersten Ausführungsfarm der vorliegenden Erfindung.

Wie darin gezeigt, wird eine Mehrzahl von stapelbaren BGA-Halbleitergehäusen 100, 110, 120, 130 gestapelt. Leiten­ de Kugeln 108a, die auf einer oberen Oberfläche des Gehäuses 100 geformt sind, entsprechen jeweils Verbindungsteilen 24b einer unteren Oberfläche des BGA-Halbleitergehäuses 110. Leitenden Kugeln 118a, die auf einer oberen Oberfläche des Gehäuses 110 der zweiten Lage geformt sind, entsprechen jeweils Verbindungsteilen 24b einer unteren Oberfläche des BGA-Halbleitergehäuses 120. Zusätzlich entsprechen auf einer oberen Oberfläche des stapelbaren BGA-Halbleitergehäuses 120 der dritten Lage geformte leitende Kugeln 128a jeweils Ver­ bindungsteilen 24b einer unteren Oberfläche des stapelbaren BGA-Halbleitergehäuses 130 der vierten Lage. Fig. 4 zeigt die vier gestapelten BGA-Gehäuse, aber die Anzahl von BGA- Gehäusen kann von Benutzer gewählt werden. Auf dem stapelba­ ren BGA-Halbleitergehäuse 130 geformte leitende Kugeln 138a dienen als externe Anschlüsse, die Signale zu den externen Schaltungen übertragen, indem sie auf Kontaktflächen einer Leiterplatte plaziert werden.

Nun wird das Verfahren zur Herstellung des stapelbaren BGA-Halbleiterchipgehäuses gemäß der vorliegenden Erfindung mit Bezug auf die beigefügten Figuren beschrieben.

In Fig. 5A wird zunächst das Trägerglied 21 bereitge­ stellt. Das Trägerglied 21 beinhaltet: die Trägerplatte 23, die Metalleiterbahnen 24a, von denen jeweils ein Endteil in der Trägerplatte 23 liegt und die an der unteren Oberfläche der Trägerplatte 23 geformt sind und zu einer oberen Ober­ fläche der Trägerplatte 23 verlaufen, den Lötstopplack 27, der die Metalleiterbahnen 24a abgesehen von vorbestimmten Teilen von diesen, das heißt den Verbindungsteilen 24b, bedeckt, den Trägerrahmen 25 vorbestimmter Höhe, der entlang dem Randteil auf der Trägerplatte 23 geformt ist, und die im Trägerrahmen 25 geformten Metallmuster 26, von denen jeweils ein Endteil an der oberen Oberfläche des Trägerrahmens 25 freigelegt und der andere Endteil mit den Metalleiterbahnen 24a verbunden ist, die auf der obere Oberfläche der Träger­ platte 23 verlaufend geformt sind.

Wie in Fig. 5B gezeigt, wird das Elastomer 2, auf des­ sen oberer und unterer Oberfläche das Klebstoffharz 3 aufge­ bracht ist, auf dem Halbleiterchip 1, der auf einem Randteil seiner oberen Oberfläche Kontaktflächen zur Eingabe/Ausgabe von Signalen aufweist, angebracht und die Metallmuster 4 werden auf dem Elastomer 2 angebracht. Ein Endteil jedes der Metallmuster 4 wird am Elastomer 2 angebracht und deren anderer Endteil wird zu einer Außenseite des Elastomers 2 verlaufend geformt. An den Endteilen der Metallmuster 4, die zur Außenseite des Elastomers 2 verlaufend geformt sind, werden Kerben geformt, so daß auch bei einer leichten Ein­ wirkung die Endteile der Metallmuster 4 angrenzend an die Kerben abgeschnitten werden. Als nächstes wird auf den Me­ tallmustern 4 und dem Klebstoffharz 3 der Lötstopplack 5 geformt.

Als nächstes wird der Halbleiterchip 1 von Fig. 5B wie in Fig. 5C gezeigt im Trägerglied 21 von Fig. 5A plaziert.

In Fig. 5D werden die auf dem Halbleiterchip 1 geform­ ten Kontaktflächen 6 unter Verwenden eines Bondwerkzeugs 30 mit den vorbestimmten Teilen der Metallmuster 4 verbunden, indem die vorbestimmten Teile der Metallmuster 4 nach unten gedrückt werden. Fig. 5D geht aus Fig. 30 hervor um zu zei­ gen, wie die Kontaktflächen 6 mit den Metallzuleitungen verbunden werden. Die Teile der Metallmuster 4, die auf der oberen Oberfläche des Elastomers 2 geformt sind, sind hier die Metalleiterbahnen 4a und deren Teile, die mit den Kon­ taktflächen 6 an deren Außenseiten verbunden werden, sind die Metallzuleitungen 4b.

Danach werden in Fig. 5E äußere Endteile der Kerben der Metallzuleitungen 4b, die sich in Richtung der Außenseite des Halbleiterchips 1 erstrecken, durch das Bondwerkzeug 30 abgeschnitten und außerdem werden die Endteile der Metallzu­ leitungen 4b durch Verwenden des Bondwerkzeugs 30 mit den oberen Oberflächen der Metallmuster 26 verbunden, die im Trägerrahmen 25 liegen.

In Fig. 5F wird die Kapselung 28 so geformt, daß sie die Metalleiterbahnen 4a und die auf den Halbleiterchip 1 geformten und mit dem Lötstopplack 5 bedeckten Metallzulei­ tungen 4b bedeckt. Als nächstes wird der auf den Metallei­ terbahnen 4a geformte Lötstopplack 5 teilweise entfernt, um so Teile der Metalleiterbahnen 4a freizulegen.

In Fig. 5G werden die leitenden Kugeln 8a auf den frei­ gelegten Teilen der Metalleiterbahnen 4a plaziert und es wird ein Reflow-Prozeß auf diese angewandt, um so die lei­ tenden Kugeln 8a an den Metalleiterbahnen 4a anzubringen.

Durch Ausführen der Prozesse von Fig. 5A bis 5G wird das stapelbare BGA-Halbleitergehäuse gemäß der ersten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung fertiggestellt.

Ferner wird zusätzlich der Prozeß von Fig. 5H durchge­ führt, um so das stapelbare BGA-Halbleitergehäuse gemäß der zweiten Ausführungsform zu erzeugen. Das bedeutet, daß die leitenden Kugeln 8b auf den Verbindungsteilen 24b plaziert werden und der Reflow-Prozeß auf diese angewandt wird, um die leitenden Kugeln 8b an den Verbindungsteilen 24b anzu­ bringen.

Wie oben beschrieben, hält das stapelbare BGA-Halb­ leitergehäuse der vorliegenden Erfindung die Vorteile des herkömmlichen BGA-Gehäuses wie z. B. keine Verformung der äußeren Zuleitungen, und Eignung für Gehäuse mit hoher Pinanzahl aufrecht und erhöht zusätzlich die Packungsdichte von Halbleitergehäusen.

Claims (8)

1. Stapelbares BGA-Halbleitergehäuse, das umfaßt:
einen Träger (21), der eine Trägerplatte (23), einen auf einem Oberteil der Trägerplatte (23) entlang deren Rand­ teil geformten Trägerrahmen (25), an oberen und unteren Oberflächen des Trägerrahmens (25) freigelegte Metallmuster (26), an einem Unterteil der Trägerplatte (23) geformte und mit den Metallmustern (26) verbundene erste Metalleiter­ bahnen (24a), eine erste Lötstoppschicht (27), die die er­ sten Metalleiterbahnen (24a) abschirmt, und durch teilweises Freilegen der ersten Metalleiterbahnen (24a) geformte Ver­ bindungsteile (24b) beinhaltet;
einen Halbleiterchip (1), der auf der oberen Oberfläche der Trägerplatte (23) des Trägers (21) angebracht ist und der auf seinem oberen Rand Kontaktflächen (6) aufweist;
zweite Metalleiterbahnen (4a), die auf einem Oberteil des Halbleiterchips (1) angebracht sind;
Metallzuleitungen (4b), die mit Endteilen der zweiten Metalleiterbahnen (4a) und den randseitigen Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (1) verbunden sind und zu einer Außenseite des Halbleiterchips (1) verlaufen, um so mit oberen Oberflächen der Metallmuster (26) verbunden zu sein;
eine Mehrzahl von leitenden Kugeln (8a), die an den zweiten Metalleiterbahnen (4a) am oberen Teil des Halblei­ terchips (1) angebracht sind; wobei die Kugeln (8a) jeweils den Verbindungsteilen (24b) auf der unteren Oberfläche der Trägerplatte (23) entsprechen.
eine zweite Lötstoppschicht (5), die die zweiten Metal­ leiterbahnen (4a) bedeckt; und
eine Kapselung (28), die die zweiten Metalleiterbahnen (4a), die Metallzuleitungen (4b), die Metallmuster (26) auf der oberen Oberfläche des Trägerrahmens (25) und Teile der oberen Oberfläche des Halbleiterchips (1) bedeckt.
2. Gehäuse nach Anspruch 1, worin eine Mehrzahl von leitenden Kugeln (8b) an den Verbin­ dungsteilen (24b) an der unteren Oberfläche der Trägerplatte (23) befestigt ist.
3. Gehäuse nach Anspruch 1, worin die zweiten Metalleiter­ bahnen (4a) durch ein Elastomer (2) am Oberteil des Halblei­ terchips (1) befestigt sind.
4. Verfahren zur Herstellung eines stapelbaren BGA-Halb­ leiterchipgehäuses gemäß den Ansprüchen 1-3 mit den Schrit­ ten:
Formen eines Trägers (21), der eine Trägerplatte (23), einen auf einem Oberteil der Trägerplatte (23) entlang deren Randteil geformten Trägerrahmen (25), an oberen und unteren Oberflächen des Trägerrahmens (25) freigelegte Metallmuster (26), an einem Unterteil der Trägerplatte (23) geformte und mit den Metallmustern (26) verbundene erste Metalleiterbah­ nen (24a), eine erste Lötstoppschicht (27), die die ersten Metalleiterbahnen (24a) abschirmt, und durch teilweises Freilegen der ersten Metalleiterbahnen (24a) geformte Ver­ bindungsteile (24b) beinhaltet;
Anbringen von weiteren Metallmustern (4) auf einem Halbleiterchip (1), der auf seinem oberen Rand Kontaktflä­ chen (6) aufweist, wobei die weiteren Metallmuster (4) zwei­ te Metalleiterbahnen (4a) und Metallzuleitungen (4b) umfas­ sen;
Formen einer zweiten Lötstoppschicht (5) auf den zwei­ ten Metalleiterbahnen (4a);
Freilegen von Teilen oberer Oberflächen der zweiten Metalleiterbahnen (4a) durch teilweises Entfernen der zwei­ ten Lötstoppschicht (5);
Anbringen des Halbleiterchips (1) auf der oberen Ober­ fläche der Trägerplatte (23);
Formen der zweiten Metalleiterbahnen (4a) und Metallzu­ leitungen (4b) durch Anbringen der weiteren Metallmuster (4) an den randseitigen Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (1);
Verbinden eines Endteils jeder der Metallzuleitungen (4b) mit oberen Oberflächen der ersten Metallmuster (26)
Aufbringen einer Kapselung (28) zur Bedeckung der wei­ teren Metallmuster (4) und der randseitigen Kontaktflächen (6) des Halbleiterschips (1); und
Anbringen leitender Kugeln (8a) an entsprechenden frei­ gelegten Teilen der zweiten Metalleiterbahnen (4a) des obe­ ren Teils des Halbleiterchips (1).
5. Verfahren nach Anspruch 4, worin der Schritt Anbringen der weiteren Metallmuster (4) auf dem Halbleiterchip (1) umfaßt:
Anbringen eines Elastomers (2), auf dessen Ober- und Unterseiten ein Klebstoffharz (3) mit hohem Haftvermögen aufgebracht ist, arg der oberen Oberfläche des Halbleiter­ chips (1); und
Anbringen der weiteren Metallmuster (4) auf dem Elasto­ mer (2).
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, worin der Schritt Anbringen der weiteren Metallmuster (4) an den randseitigen Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (1) ein Prozeß ist, bei dem vorbestimmte Teile der weiteren Metallmuster (4) mit einem Bondwerkzeug (30) nach unten gedrückt werden und das Bondwerkzeug (30) in jede Richtung bewegt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4-6, worin der Schritt Anbringen der leitenden Kugeln (8a) an den zweiten Metalleiterbahnen (4a) des Oberteils des Halbleiterchips (1) umfaßt:
Plazieren der leitenden Kugeln (8a) auf den freigeleg­ ten Teilen der zweiten Metalleiterbahnen (4a); und
Anwenden eines Fließlöt-Prozesses auf die leitenden Kugeln (8a).
3. Verfahren nach Anspruch 7, worin leitende Kugeln (8b) auf den Verbindungsteilen (24b) an der unteren Oberfläche der Trägerplatte (23) plaziert werden und ein Fließlöt- Prozeß auf die leitenden Kugeln (8b) angewendet wird.
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