DE19808446C2 - Halbleiter-Lichtemissionselement mit Stromdiffusionsschicht und Verfahren zum Herstellen desselben - Google Patents
Halbleiter-Lichtemissionselement mit Stromdiffusionsschicht und Verfahren zum Herstellen desselbenInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiter-Lichtemissionselement,
wie beispielsweise eine Leuchtdiode mit Stromdiffusionsschicht und ein Verfah
ren zum Herstellen desselben.
Gewöhnlich wird ein Halbleiter-Lichtemissionselement, das aus AlGaInP-Halblei
termaterial hergestellt ist, als ein Emissionselement für sichtbares Licht aus
verschiedenen Gründen eingesetzt. Das heißt, das AlGaInP-Material hat vorteil
hafte Eigenschaften, indem es mit einem GaAs-Substrat gitteranpaßbar ist und
einen großen Bandabstand bei einem Direktübergang unter den III-V-Gruppe-
Verbindungshalbleitern aufweist. Insbesondere kann bei einer Leuchtdiode
(LED), die Licht in dem direkten Übergang in dem Bereich von 550 bis 690 nm
emittiert, eine hohe Emissionswirksamkeit erhalten werden.
Jedoch weist ein herkömmliches Halbleiter-Lichtemissionselement eines Oberflä
chenemissionstyps, das aus AlGaInP-Material hergestellt ist, ein Problem hin
sichtlich der Lichtausgangswirksamkeit auf. Dieses Problem wird mittels einer
in Fig. 10 als ein Beispiel gezeigten herkömmlichen LED beschrieben.
Die in Fig. 10 gezeigte herkömmliche LED umfaßt eine Halbleiter-Mehrschicht
struktur 1212 aus einer ersten Überzugsschicht 123 aus n-Typ-AlGaInP, einer
GaInP-Aktivschicht 124 und einer zweiten Überzugsschicht 125 aus p-
Typ-AlGaInP, gebildet auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 121.
Eine p-Seitenelektrode 1211 ist auf dem Mittenteil der p-
Typ-Überzugschicht 125 gebildet, und eine n-Seitenelek
trode 1210 ist auf der Rückfläche des n-Typ-Substrates
121 gebildet.
Licht, das in der GaInP-Aktivschicht 124 erzeugt wird, die
einen Lichtemissionsteil der LED bildet, wird über den
Teil der Oberfläche der p-Typ-Überzugschicht 125 abgege
ben, wo die p-Seitenelektrode 1211 nicht gebildet ist. Um
die Emissionswirksamkeit dieser LED zu steigern, muß ein
von der p-Seitenelektrode 1211 fließender Strom über die
GaInP-Aktivschicht 124 verteilt werden. Da jedoch tatsächlich der
spezifische Widerstand der p-Typ-AlGaInP-Überzugschicht
125 groß ist, verteilt sich der Strom lediglich auf einen kleinen
Bereich der p-Typ-Überzugschicht 125, und somit emittiert
lediglich der Teil der GaInP-Aktivschicht 12a, der direkt
unter der p-Seitenelektrode 1211 gelegen ist, Licht. Als
ein Ergebnis ist in der in Fig. 10 gezeigten herkömmli
chen LED die Lichtausgangswirksamkeit über die obere
Oberfläche der LED extrem niedrig.
Zum Überwindung des obigen Problems schlägt die US 5 008 718
ein Halbleiter-Lichtemissionselement vor, bei
dem eine GaP-Stromdiffusionsschicht vorgesehen ist, um
ein Verteilen des Stromes in einem weiteren Bereich zu er
lauben. Das in dieser Publikation vorgeschlagene Halblei
ter-Lichtemissionselement wird anhand der Fig. 11 näher
beschrieben.
Dieses Halbleiter-Lichtemissionselement ist eine LED, die
eine Halbleiter-Mehrschichtstruktur 1312 aus einer ersten
Überzugschicht 133 aus n-Typ-AlGaInP, einer GaInP-Aktivschicht
134 und einer zweiten Überzugschicht 135 aus p-
Typ-AlGaInP, gebildet auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 131,
umfaßt. Die p-Typ-GaP-Stromdiffusionsschicht 136 ist auf
der Halbleiter-Mehrschichtstruktur 1312 gebildet. Eine p-
Seitenelektrode 1311 ist auf dem Mittenteil der p-Typ-
GaP-Stromdiffusionsschicht 136 angeordnet, und eine n-
Seitenelektrode 1310 ist auf der gesamten Rückfläche des
n-Typ-Substrates 131 vorgesehen.
In einem derartigen Halbleiter-Lichtemissionselement ist
der spezifische Widerstand der p-Typ-GaP-Stromdiffusions
schicht 136 kleiner als derjenige der zweiten Überzug
schicht 135 aus dem p-Typ-AlGaInP, und somit kann ein
Strom in der p-Typ-Stromdiffusionsschicht verteilt werden. Eine
Lichtemission wird daher in einem weiteren Bereich der
GaInP-Aktivschicht 134 erhalten, was die Emissionswirk
samkeit steigert. Darüber hinaus ist der Bandabstand der
p-Typ-GaP-Stromdiffusionsschicht 136 größer als derjenige
der zweiten Überzugschicht 135 aus p-Typ-AlGaInP. Wenn
demgemäß in der Aktivschicht 134 erzeugtes Licht von der
Seite der p-Seitenelektrode 1311 auszugeben ist, verläuft
das emittierte Licht durch die p-Typ-Stromdiffusions
schicht 136, ohne absorbiert zu werden. Dies steigert
weiter die Emissionswirksamkeit.
Jedoch verursacht die Verwendung von GaP für die Strom
diffusionsschicht in dem in der Fig. 11 gezeigten her
kömmlichen Halbleiter-Lichtemissionselement die folgenden
Probleme.
Das erste Problem liegt darin, daß die GaP-Schicht nicht
in der Lage ist, eine gute Kristallinität zu liefern. Da
sich Ga-Atome stark mit P-Atomen in dem GaP-Kristall binden,
diffundieren bzw. wandern die Ga-Atome geringfügig auf
der Wachstumsoberfläche des Kristalles, was zu einem in
selartigen Wachstum und nicht einem guten schichtartigem
Wachstum des Kristalles führt. Dies begünstigt die Erzeu
gung von Kristalldefekten, was die Kristallinität der
GaP-Schicht vermindert und somit deren spezifischen Wi
derstand erhöht. Als ein Ergebnis nehmen die Emissions
wirksamkeit und die Zuverlässigkeit des sich ergebenden
Halbleiter-Lichtemissionselementes ab.
Das zweite Problem liegt darin, daß die Gitterkonstante
der GaP-Schicht merklich von derjenigen des GaAs-Substra
tes und der AlGaInP-Halbleiterschichten verschieden ist,
welche mit dem GaAs-Substrat gitterangepaßt sind. Während
die Gitterkonstante von GaAs den Wert 0,565 nm hat, ist
diejenige von GaP durch 0,545 nm gegeben, was eine Gitter
fehlanpassung von -3,54% hervorruft. Diese Gitterfehl
anpassung führt zu dem oben beschriebenen ersten Problem.
Das heißt, es werden Kristalldefekte in dem GaP-Kristall
erzeugt, und somit ist die Kristallinität vermindert. Als
ein Ergebnis nehmen hinsichtlich des ersten Problemes die
Emissionswirksamkeit und die Zuverlässigkeit des sich er
gebenden Halbleiter-Lichtemissionselementes ab.
Das dritte Problem liegt darin, daß die Gitterfehlanpas
sung von GaP mit GaAs, die oben als das zweite Problem
erwähnt ist, nachteilhaft den Lichtemissionsteil beein
trächtigt. Da Versetzungen aufgrund der Gitterfehlanpas
sung von -3,54% auftreten, werden Kristalldefekte in der
Aktivschicht als dem Lichtemissionsteil, den Überzug
schichten und dergleichen erzeugt. Dies bewirkt die Er
zeugung von Rekombinationszentren ohne Emission. Als ein
Ergebnis nehmen die Emissionswirksamkeit und die Zuverlässigkeit
des sich ergebenden Halbleiter-Lichtemissionselementes merklich ab.
Aus DE 196 22 704 A1 ist ein Epitaxial-Wafer bekannt, bei dem Epitaxialschich
ten aus GaAsP gebildet sind. In Patent Abstracts of Japan: JP 08056017 A ist
eine Stromführungsschicht gezeigt, deren Zusammensetzung nicht angegeben
ist, die aber aus AlGaAs oder GaAsP bestehen dürfte. Weiterhin ist in Patent Ab
stracts of Japan: JP 08172218 A ein Halbleiter-Lichtemissionselement beschrie
ben, bei dem eine Stromdiffusionsschicht auf einer Emissionsschicht und unter
halb einer Elektrode vorgesehen ist. Diese Diffusionsschicht, die nicht näher er
läutert ist, dürfte aus AlGaAs oder GaAsP bestehen. Patent Abstracts of Japan:
JP 09008347 A beschreibt ein Herstellungsvefahren für eine Leuchtdiode, wobei
aber auf die Zusammensetzung der einzelnen Schichten nicht näher eingegangen
wird. EP 0 334 637 A2 ist eine Halbleitervorrichtung entnehmbar, bei der eine
InGaAlP-Schicht auf einer GaAs-Schicht vorgesehen ist, während in US 4,987,096
eine Aktivschicht aus InGaP für einen Halbleiterlaser vorgeschlagen
wird.
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiter-Lichtemissionselement
zu schaffen, das die obigen Schwierigkeiten auf einfache Weise überwindet; aus
serdem soll ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Halbleiter-Lichtemissi
onselementes angegeben werden.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Halbleiter-Lichtemissionsele
ment mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 und durch ein Verfahren mit
den Merkmalen des Patentanspruches 10 gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprü
chen.
In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung verändert sich der In-Molenbruch x
der Stromdiffusionsschicht in der Dickenrichtung von dieser.
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die Aktivschicht
aus (AlyGa1-y)zIn1-zP (0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1), (AlpGa1-p)As (0 ≦ p ≦ 1) oder
InqGa1-qAs (0 ≦ q ≦ 1) hergestellt.
In noch einem anderen Ausführungsbeiespiel der Erfindung sind ein Paar von
Elektroden gebildet, wobei das Substrat, die Halbleiter-Mehrschichtstruktur
und die
Stromdiffusionsschicht dazwischen gelegen sind, und eine
Stromsperrschicht ist vorgesehen, um einer der Elektroden
gegenüberzuliegen, die auf der Seite der Stromdiffusions
schicht ist, wobei die Stromdiffusionsschicht zwischen
der einen der Elektroden und der Stromsperrschicht ange
ordnet ist.
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist die Elektrode auf der Seite der Stromdiffusions
schicht auf einem Mittenteil der Stromdiffusionsschicht
gebildet, um Licht über einen Randteil der Stromdiffusi
onsschicht auszugeben.
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist die Elektrode auf der Seite der Stromdiffusions
schicht auf einem Randteil der Stromdiffusionsschicht ge
bildet, die einen Mittenteil hiervon umgibt, um Licht
über den Mittenteil der Stromdiffusionsschicht auszuge
ben.
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist die Stromsperrschicht aus einem Material einschließ
lich Ga1-aInaP (0 < a < 1) hergestellt.
Gemäß noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfin
dung ist die Stromsperrschicht aus einem Al enthaltenden
Verbindungshalbleiter hergestellt.
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung
ist die Stromsperrschicht aus AlbGa1-bAs (0 ≦ b ≦ 1) oder
(AlcGa1-c)dIn1-dP (0 ≦ c ≦ 1, 0 ≦ d ≦ 1) hergestellt.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung ist ein Verfah
ren zum Herstellen eines Halbleiter-Lichtemissionselemen
tes vorgesehen. Das Halbleiter-Lichtemissionselement um
faßt: ein Substrat, eine Halbleiter-Mehrschichtstruktur
mit wenigstens einer ersten Überzugschicht eines ersten
Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht und einer zwei
ten Überzugschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, ge
bildet in dieser Reihenfolge auf dem Substrat, eine
Stromsperrschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, gebildet
auf einem Teil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur, eine
Stromdiffusionsschicht aus
Ga1-xInxP (0,2 ≦ x ≦ 0,4) des zweiten Leitfähigkeitstyps, ge
bildet auf der die Stromsperrschicht bedeckenden Halblei
ter-Mehrschichtstruktur, und zwei Elektroden, von denen
eine auf der Stromdiffusionsschicht gebildet ist, um der
Stromsperrschicht über die Stromdiffusionsschicht gegen
überzuliegen, und von denen die andere auf einer Oberflä
che des Substrates vorgesehen ist. Das Verfahren umfaßt
die folgenden Schritte: Bilden der Halbleiter-Mehr
schichtstruktur auf dem Substrat und Erzeugen einer
Schutzschicht aus einem Material, das kein Al enthält,
und einer Schicht zum Erzeugen der Stromsperrschicht,
hergestellt aus einem Al enthaltenden Verbindungshalblei
ter, auf der Halbleiter-Mehrschichtstruktur und Bilden
der Stromsperrschicht auf einem Teil der Halbleiter-Mehr
schichtstruktur durch selektives Ätzen der Schicht zum
Erzeugen der Stromsperrschicht.
In einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird der
Schritt des Ätzens der Schicht zum Bilden der Stromsperr
schicht so durchgeführt, daß die Stromsperrschicht auf
einem Mittenteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur er
zeugt wird.
In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung wird
der Schritt des Ätzens der Schicht zum Bilden der Strom
sperrschicht so durchgeführt, daß die Stromsperrschicht
auf einem Randteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur ge
bildet wird, die den Mittenteil hiervon umgibt.
In noch einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung
wird eine AlbGa1-bAs-Schicht (0 ≦ b ≦ 1) oder eine
(AlcGa1-c)dIn1-dP-Schicht (0 ≦ c ≦ 1, 0 ≦ d ≦ 1) als die
Stromsperrschicht verwendet.
Somit ermöglicht die hier beschriebene Erfindung die Vor
teile des (1) Vorsehens eines Halbleiter-Lichtemissions
elementes, das stark die Emissionswirksamkeit und die Zu
verlässigkeit des Elements steigern kann, und des (2) Vorse
hens eines Verfahrens zum Herstellen eines solchen Halb
leiter-Lichtemissionselementes.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen nä
her erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittdarstellung des Halbleiter-
Lichtemissionselementes von Beispiel 1
gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 2 einen Graph, der die Beziehung zwischen
dem In-Molenbruch x von Ga1-xInxP und der
Gitterfehlanpassung mit GaAs veranschau
licht,
Fig. 3 einen Graph, der die Beziehung zwischen
dem In-Molenbruch x von Ga1-xInxP und dem
Bandabstand Eg veranschaulicht,
Fig. 4 eine Schnittdarstellung eines Halbleiter-
Lichtemissionselementes von Beispiel 2
gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 5 eine Schnittdarstellung eines Halbleiter-
Lichtemissionselementes von Beispiel 3
gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 6 eine Schnittdarstellung eines Halbleiter-
Lichtemissionselementes von Beispiel 4
gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 7 eine Schnittdarstellung eines Halbleiter-
Lichtemissionselementes von Beispiel 5
gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 8A bis 8C Schnittdarstellungen, die einen Her
stellungsprozeß eines Halbleiter-Licht
emissionselementes von Beispiel 6 gemäß
der vorliegenden Erfindung veranschauli
chen,
Fig. 9A bis 9C Schnittdarstellungen, die einen Her
stellungsprozeß eines Halbleiter-Licht
emissionselementes von Beispiel 7 gemäß
der vorliegenden Erfindung veranschauli
chen,
Fig. 10 eine Schnittdarstellung eines herkömmli
chen Halbleiter-Lichtemissionselementes,
und
Fig. 11 eine Schnittdarstellung eines anderen
herkömmlichen Halbleiter-Lichtemissions
elementes.
Zunächst wird die Funktion der vorliegenden Erfindung nä
her erläutert.
Gemäß der vorliegenden Erfindung verteilt sich ein Strom in ei
ner auf einer Halbleiter-Mehrschichtstruktur gebildeten
Ga1-xInxP-Stromdiffusionsschicht (0,2 ≦ x ≦ 0,4), so daß Licht
in einem weiteren Bereich einer Aktivschicht erzeugt
wird. Die GaInP-Stromdiffusionsschicht umfaßt In-Atome
mit einem Radius, der größer als der der P-Atome ist.
Derart große In-Atome blockieren leicht eine Bewegung der
P-Atome während des Kristallwachstums von GaInP, und so
mit wird eine leichte Erzeugung von Kristalldefekten ver
hindert. Darüber hinaus ist die Gitterfehlanpassung von
GaInP mit einem GaAs-Substrat und einer auf dem GaAs-Sub
strat gebildeten Halbleiterschicht klein im Vergleich mit
derjenigen von GaP. Dies verhindert eine leichte Erzeu
gung von Kristalldefekten nicht nur in der Stromdiffusi
onsschicht selbst, sondern auch in der Aktivschicht als
dem Lichtemissionsteil, den Überzugschichten und derglei
chen.
Wenn der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht 0,2 ≦ x
≦ 0,4 beträgt, kann von der GaInP- oder AlGaInP-Aktiv
schicht emittiertes Licht durch die Stromdiffusions
schicht verlaufen, ohne absorbiert zu werden. Darüber
hinaus kann die Erzeugung von Kristalldefekten aufgrund
der Gitterfehlanpassung mit dem GaAs-Substrat und der auf
dem GaAs-Substrat gebildeter Halbleiterschicht reduziert
werden.
Wenn der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht 0,2 ≦ x
< 0,27 beträgt, ist der Bandabstand der Stromdiffusions
schicht im wesentlichen der gleiche wie derjenige von
GaP. Demgemäß wird von der Aktivschicht emittiertes Licht
nicht in der Stromdiffusionsschicht absorbiert. Die
Stromdiffusionsschicht verschlechtert sich daher nicht
aufgrund einer Lichtabsorption.
Durch graduelles Verändern des In-Molenbruches x der
Stromdiffusionsschicht in der Dickenrichtung wird eine
Gitterverzerrung graduell entlastet. Auf diese Weise kann
die Gitterverzerrung reduziert werden.
Wenn das graduelle Verändern der In-Molenbrüche x der
Stromdiffusionsschicht 0,2 ≦ x ≦ 0,4 beträgt, kann von der
GaInP- oder AlGaInP-Aktivschicht emittiertes Licht durch
die Stromdiffusionsschicht verlaufen, ohne absorbiert zu
werden. Darüber hinaus kann die Erzeugung von Kristallde
fekten aufgrund der Gitterfehlanpassung mit dem GaAs-Sub
strat und der auf dem GaAs-Substrat gebildeten Halblei
terschicht reduziert werden.
Wenn die graduell veränderten In-Molenbrüche x der Strom
diffusionsschicht 0,2 ≦ x < 0,27 betragen, ist der Bandab
stand der Stromdiffusionsschicht im wesentlichen der
gleiche wie derjenige von GaP. Demgemäß wird von der Ak
tivschicht emittiertes Licht nicht in der Stromdiffusi
onsschicht absorbiert. Die Stromdiffusionsschicht wird
daher aufgrund der Lichtabsorption nicht verschlechtert.
Für die Aktivschicht können Verbindungshalbleiter, bei
spielsweise (AlyGa1-y)zIn1-zP (0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1),
AlpGa1-pAs (0 ≦ p ≦ 1) und InqGa1-qAs (0 ≦ q ≦ 1) verwendet
werden. Durch Verwenden dieser Materialien kann der Lich
temissionsteil mit einer verringerten Anzahl von Kri
stalldefekten erhalten werden.
Eine Stromsperrschicht kann gebildet werden, um einer
Elektrode gegenüberzuliegen, die auf der Stromdiffusions
schicht als eine Elektrode des Paares von Elektroden ge
bildet ist, die angeordnet sind, um das Substrat, die
Halbleiter-Mehrschichtstruktur und die Stromdiffusions
schicht einzuschließen, wobei die Stromdiffusionsschicht
zwischen der Stromsperrschicht und der Elektrode gelegen
ist. Bei dieser Anordnung fließt ein Strom zu dem Teil
der Stromdiffusionsschicht, wo die Stromsperrschicht
nicht darunter gebildet ist. Da somit ein Strom wirksam
zu dem gewünschten Bereich der Aktivschicht geleitet ist,
ist die Emissionswirksamkeit in dem Bereich erhöht. Da
keine Elektrode über dem Bereich gebildet ist, wo Licht
emittiert wird, ist die Lichtausgabewirksamkeit über den
Teil der Stromdiffusionsschicht, auf dem keine Elektrode
gebildet ist, gesteigert.
Wenn beispielsweise die Elektrode auf dem Mittenteil der
Stromdiffusionsschicht gebildet wird und die Stromsperr
schicht gestaltet ist, um der Elektrode über die Strom
diffusionsschicht gegenüberzuliegen, wird ein Strom zu
dem Randteil der Aktivschicht geleitet, was die Emissi
onswirksamkeit in dem Randteil steigert und somit die
Lichtausgabewirksamkeit über den Randteil der Stromdiffu
sionsschicht, auf dem keine Elektrode gebildet ist, er
höht.
Wenn alternativ die Elektrode auf dem Randteil der Strom
diffusionsschicht, der den Mittenteil hiervon umgibt, ge
bildet ist und die Stromsperrschicht vorgesehen ist, um
der Elektrode über die Stromdiffusionsschicht gegenüber
zuliegen, wird ein Strom zu dem Mittenteil der Aktiv
schicht geleitet, was die Emissionswirksamkeit in dem
Mittenteil erhöht und somit die Lichtausgabewirksamkeit
über den Mittenteil der Stromdiffusionsschicht, auf dem
keine Elektrode gebildet ist, steigert.
Wenn die Stromsperrschicht aus Ga1-aInaP (0 < a < 1) her
gestellt ist, nimmt die Gitterfehlanpassung der Strom
sperrschicht mit dem GaAs-Substrat und der auf dem GaAs-
Substrat gebildeten Halbleiterschicht ab, um so die Er
zeugung von Kristalldefekten zu reduzieren.
Alternativ kann die Stromsperrschicht aus einem Verbin
dungshalbleiter, der Al enthält, hergestellt sein, wie
beispielsweise aus AlbGa1-bAs (0 ≦ b ≦ 1) und
(AlcGa1-c)dIn1-dP (0 ≦ c ≦ 1, 0 ≦ d ≦ 1), und eine derarti
ge Stromsperrschicht kann auf der Halbleiter-Mehrschicht
struktur über einer Schutzschicht gebildet sein, die aus
einem Material hergestellt ist, das kein Al enthält.
Dies ermöglicht es, die Stromsperrschicht an einer ge
wünschten Stelle durch selektives Ätzen der Schutzschicht
und der Stromsperrschicht zu bilden.
Im folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand von
Beispielen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnun
gen beschrieben.
In Beispiel 1 wird ein AlGaInP-Halbleiter-Lichtemissions
element beschrieben, das eine Ga1-xInxP-Stromdiffusions
schicht (0,2 ≦ x ≦ 0,4) enthält. Fig. 1 ist eine Schnittdar
stellung des Halbleiter-Lichtemissionselementes von Bei
spiel 1.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement ist eine LED, die
eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 2 (beispielsweise Si-Kon
zentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa 0,5 µm) enthält,
gebildet auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 1. Auf der Puffer
schicht 2 ist eine Halbleiter-Mehrschichtstruktur 12 aus
einer n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Über
zugschicht 3 (beispielsweise y = 0,5, z = 0,5, Si-Konzen
tration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm), einer
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Aktivschicht 4
(beispielsweise y = 0, z = 0,5, Dicke: etwa 0,5 µm) und
einer p-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Über
zugschicht 5 (beispielsweise y = 0,5 z = 0,5, Zn-Konzen
tration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm) gebildet. Eine
p-Typ-Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Stromdiffusionsschicht 6 (bei
spielsweise x = 0,40, Zn-Konzentration: 5 × 1018 cm-3,
Dicke: etwa 5,0 µm) ist auf der Halbleiter-Mehrschicht
struktur 12 gebildet. Eine p-Seitenelektrode 11 ist auf
dem Mittenteil der p-Typ-Stromdiffusionsschicht 6 gebil
det, und eine n-Seitenelektrode 10 ist auf der gesamten
Rückfläche des n-Typ-Substrates 1 gebildet.
Da das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels
die Ga1-xInxP-(x = 0,40)Stromdiffusionsschicht 6 umfaßt,
kann die Gitterverzerrung reduziert werden, wie dies un
ten anhand der Fig. 2 beschrieben ist.
Fig. 2 ist ein Graph, der die Beziehung zwischen dem In-
Molenbruch x von Ga1-xInxP und der Gitterfehlanpassung von
Ga1-xInxP bezüglich GaAs veranschaulicht. Wie aus der
Fig. 2 zu ersehen ist, ist die Gitterkonstante von
Ga1-xInxP an diejenige von GaAs angepaßt, d. h., die Git
terfehlanpassung dazwischen beträgt 0, wenn der In-Molen
bruch x etwa 0,49 mißt. Die Gitterfehlanpassung der
Ga1-xInxP-Stromdiffusionsschicht 6 mit GaAs beträgt in
diesem Beispiel (x = 0,40) etwa -0,6%. Somit ist in die
sem Beispiel die Gitterverzerrung um etwa 83% im Ver
gleich mit dem in Fig. 13 gezeigten herkömmlichen Halb
leiter-Lichtemissionselement reduziert, in welchem die
Gitterfehlanpassung der GaP-Stromdiffusionsschicht mit
GaAs etwa -3,54% beträgt.
In dem Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels
ist die Stromdiffusionsschicht 6 aus Ga1-xInxP (x = 0,40)
hergestellt, während die Aktivschicht 4 aus
(AlyGa1-y)zIn1-zP (y = 0, z = 0,5) hergestellt ist. Bei
dieser Anordnung wird in der Aktivschicht 4 erzeugtes
Licht nicht in der Stromdiffusionsschicht 6 absorbiert.
Dies wird im folgenden anhand der Fig. 3 beschrieben.
Fig. 3 ist ein Graph, der den In-Molenbruch x von
Ga1-xInxP und den Bandabstand Eg von Ga1-xInxP veranschau
licht. Wie aus der Fig. 3 zu ersehen ist, ist, wenn der
In-Molenbruch x von Ga1-xInxP durch 0 < x < 0,27 gegeben
ist, der X-Übergang, der ein indirekter Übergang ist,
freigelegt. Daher wird der im wesentlichen gleiche
Handabstand wie derjenige von GaP, d. h. Eg = 2,27 eV, er
halten. Wenn der In-Molenbruch x von Ga1-xInxP durch 0,27
< x < 1 gegeben ist, wird ein Γ-Übergang, der ein direk
ter Übergang ist, freigelegt. Daher ist der Bandabstand
kleiner als derjenige von GaP. In diesem Beispiel beträgt
der Bandabstand Eg der Ga1-xInxP-(x = 0,40)Stromdiffusi
onsschicht 6 etwa 2,0 eV, was größer als der Bandabstand
der Aktivschicht 4, d. h. Eg = 1,9 eV, ist. Somit kann das
in der Aktivschicht 4 erzeugte Licht über die Oberseite
des Halbleiter-Lichtemissionselementes ausgegeben werden,
ohne durch die Stromdiffusionsschicht 6 absorbiert zu
werden.
Damit kann in dem Halbleiter-Lichtemissionselement dieses
Beispiels die Anzahl der Kristalldefekte in der Stromdif
fusionsschicht 6 reduziert werden, und die Anzahl der
aufgrund einer Versetzung in der Aktivschicht 4 als dem
Lichtemissionsteil erzeugten Defekte und dergleichen kann
merklich verringert werden. Dies steigert stark die Emis
sionswirksamkeit und die Zuverlässigkeit des Elementes.
Da darüber hinaus das in der Aktivschicht 4 erzeugte
Licht nicht in der Stromdiffusionsschicht 6 absorbiert
wird, nimmt die Emissionswirksamkeit nicht ab, und auch
die Kennlinien oder Eigenschaften des Halbleiter-Licht
emissionselementes aufgrund einer Lichtabsorption werden
nicht verschlechtert. Wenn tatsächlich das Halbleiter-
Lichtemissionselement eine rote LED mit einer Wellenlänge
von 650 nm ist, wird die Emissionswirksamkeit um etwa
20% im Vergleich mit einem herkömmlichen Element gestei
gert, und die Zuverlässigkeit wird erhöht, da die Zeit,
die erforderlich ist, bis sich die Leuchtstärke auf eine
Hälfte bei einer Ansteuerung von 20 mA bei 60°C redu
ziert, auf etwa das 1,5-fache vergrößert ist.
In diesem Beispiel können die Molenbrüche y und z von dem
die n-Typ-Überzugschicht bildenden (AlyGa1-y)zIn1-zP, der
Aktivschicht und der p-Typ-Überzugschicht geeignet geän
dert werden. Dies gilt auch für die folgenden Beispiele.
Das erfindungsgemäße Halbleiter-Lichtemissionselement ist
nicht auf die in diesem Beispiel beschriebenen LEDs be
schränkt, sondern kann auch, wie in den folgenden Bei
spielen beschrieben werden wird, auf eine beliebige ande
re Form angewandt werden, solange es ein Oberflächenemis
sionstyp-Halbleiter-Lichtemissionselement ist, das ein
Verbindungshalbleitermaterial verwendet, das eine Git
teranpassung mit dem GaAs-Substrat hat.
In einem Halbleiter-Lichtemissionselement von Beispiel 2
ist der In-Molenbruch x der Ga1-xInxP-Stromdiffusions
schicht verschieden von demjenigen in Beispiel 1. Fig. 4
ist eine Schnittdarstellung des Halbleiter-Lichtemissi
onselementes von Beispiel 2.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement von diesem Beispiel
ist eine LED, die eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 22 (bei
spielsweise Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa
0,5 µm) umfaßt, die auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 21 ge
bildet ist. Auf der Pufferschicht 22 ist eine Halbleiter-
Mehrschichtstruktur 212 aus einer n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-
(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 23 (beispielsweise y
= 1,0, z = 0,5, Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke:
etwa 1,0 µm), einer (AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦
1)Aktivschicht 24 (beispielsweise y = 0,45, z = 0,5, Dic
ke: etwa 0,5 µm) und einer p-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦
1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 25 (beispielsweise y = 1,0, z
= 0,5, Zn-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa
1,0 µm) gebildet. Eine p-Typ-Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Strom
diffusionsschicht 26 (beispielsweise x = 0,2, Zn-Konzen
tration: 5 × 1018 cm-3, Dicke: etwa 5,0 µm) ist auf der
Halbleiter-Mehrschichtstruktur 212 gebildet. Eine p-Sei
tenelektrode 211 ist auf dem Mittenteil der p-Typ-Strom
diffusionsschicht 26 gebildet, und eine n-Seitenelektrode
210 ist auf der gesamten Rückfläche des n-Typ-Substrates
21 gebildet.
Da das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispieles
die Ga1-xInxP-(x = 0,2)Stromdiffusionsschicht 26 umfaßt,
beträgt die Gitterfehlanpassung etwa -2,1%, wie dies aus
der Fig. 2 zu ersehen ist. Dies bedeutet, daß die Gitter
verzerrung von diesem Beispiel um etwa 40% im Vergleich
mit dem Fall des in Fig. 13 gezeigten herkömmlichen Halb
leiter-Lichtemissionselementes reduziert ist, bei welchem
die Gitterfehlanpassung der GaP-Stromdiffusionsschicht
mit GaAs etwa -3,54% beträgt.
Obwohl der Effekt der Reduzierung der Gitterverzerrung in
diesem Beispiel kleiner als derjenige ist, der in Bei
spiel 1 erhalten wird, kann in diesem Beispiel der
Bandabstand der Stromdiffusionsschicht größer gemacht
werden als in Beispiel 1. Wie aus der Fig. 3 zu beobach
ten ist, ist der Bandabstand Eg der Ga1-xInxP-(x = 0,2)Stromdiffusionsschicht
26 im wesentlichen der gleiche wie
derjenige von GaP, d. h. 2,27 eV, was größer als der
Bandabstand Eg der Aktivschicht 24, d. h. 2,18 eV, ist.
Demgemäß wird in der Aktivschicht 24 erzeugtes grünes
Licht nicht in der Stromdiffusionsschicht 26 absorbiert,
sondern über die Oberseite des Halbleiter-Lichtemissions
elementes ausgegeben.
Somit kann in dem Halbleiter-Lichtemissionselement von
diesem Beispiel die Erzeugung von Kristalldefekten in der
Stromdiffusionsschicht 26 reduziert werden. Diese stei
gert stark die Emissionswirksamkeit und die Zuverlässig
keit des Elementes. Da darüber hinaus grünes Licht, das
in der Aktivschicht 24 erzeugt ist, in der Stromdiffusi
onsschicht 26 nicht absorbiert wird, nimmt die Emissions
wirksamkeit nicht ab, und auch die Eigenscharten des
Halbleiter-Lichtemissionselementes verschlechtern sich
nicht aufgrund einer Lichtabsorption. Wenn tatsächlich
das Halbleiter-Lichtemissionselement eine grüne LED mit
einer Wellenlänge von 550 nm ist, ist die Emissionswirk
samkeit um etwa 30% im Vergleich mit einem herkömmlichen
Element verbessert, und die Zuverlässigkeit ist gestei
gert, da die Zeit, die erforderlich ist, bis sich die
Leuchtstärke auf eine Hälfte bei einer Ansteuerung von
20 mA bei 60°C verringert, um etwa das Zweifache erhöht
ist.
In einem Halbleiter-Lichtemissionselement von Beispiel 3
wird der In-Molenbruch x der Ga1-xInxP-Stromdiffusions
schicht graduell in der Dickenrichtung verändert, und
InqGa1-qAs (0 ≦ y ≦ 1) wird als Aktivschicht verwendet.
Fig. 5 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiter-Licht
emissionselementes von Beispiel 3.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement von diesem Beispiel
ist eine LED, die eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 62 (bei
spielsweise Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3 Dicke: etwa
0,5 µm) umfaßt, die auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 61 ge
bildet ist. Auf der Pufferschicht 62 ist eine Halbleiter-
Mehrschichtstruktur 612 aus einer n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-
(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 63 (beispielsweise
y = 0,5, z = 0,5, Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke:
etwa 1,0 µm), einer InqGa1-qAs-(0 ≦ q ≦ 1)Aktivschicht 64
(beispielsweise q = 0,6, Dicke: etwa 0,5 µm) und einer p-
Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht
65 (beispielsweise y = 0,5, z = 0,5, Zn-Konzentration: 5
× 1017 cm-3 Dicke: etwa 1,0 µm) gebildet. Eine p-Typ-
Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Stromdiffusionsschicht 66 (beispiels
weise x = 0,4 → 0,2, Zn-Konzentration: 5 × 1018 cm-3,
Dicke: etwa 5,0 µm) ist auf der Halbleiter-Mehrschicht
struktur 612 gebildet. Eine p-Seitenelektrode 611 ist auf
dem Mittenteil der p-Typ-Stromdiffusionsschicht 66 gebil
det, und eine n-Seitenelektrode 610 ist auf der gesamten
Rückfläche des n-Typ-Substrates 61 gebildet.
In diesem Beispiel wird der In-Molenbruch x der Ga1-xInxP-
Stromdiffusionsschicht 66 graduell vor etwa 0,4 bis etwa
0,2 in der Dickenrichtung ausgehend von der Seite der p-
Typ-Überzugschicht 65 verändert. Die Gitterverzerrung
aufgrund einer Gitterfehlanpassung kann daher graduell
reduziert werden, so daß das Auftreten einer Gitterver
zerrung in dem Lichtemissionsteil minimiert werden kann.
In dem Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels
ist der Bandabstand Eg der Ga1-xInxP-(x = 0,4 → 0,2)
Stromdiffusionsschicht 66 größer als derjenige der
InqGa1-qAs-(q = 0,6)Aktivschicht 64. Daher kann in der Ak
tivschicht 64 erzeugtes Infrarotlicht über die Oberseite
des Halbleiter-Lichtemissionselementes ausgegeben werden,
ohne in der Stromdiffusionsschicht 66 absorbiert zu wer
den.
Somit ist in dem Halbleiter-Lichtemissionselement dieses
Beispiels die Gitterverzerrung verringert, und die Emissionswirksamkeit
sowie die Zuverlässigkeit sind merklich
verbessert. Da darüber hinaus das in der Aktivschicht 64
erzeugte Infrarotlicht nicht in der Stromdiffusions
schicht 66 absorbiert wird, nimmt die Emissionswirksam
keit nicht ab, und auch die Eigenschaften des Halbleiter-
Lichtemissionselementes verschlechtern sich nicht auf
grund der Lichtabsorption. Wenn tatsächlich das Halblei
ter-Lichtemissionselement eine Infrarot-LED mit einer
Wellenlänge von 950 nm ist, ist die Emissionswirksamkeit
um etwa 30% gesteigert, und die Zuverlässigkeit ist er
höht, da die Zeit, die erforderlich ist, bis sich die
Leuchtstärke auf eine Hälfte bei einer Ansteuerung von
20 mA bei 60°C reduziert, auf das etwa 1,8-fache erhöht
ist.
In diesem Beispiel kann der Molenbruch q von dem die Ak
tivschicht bildenden InqGa1-qAs in geeigneter Weise verän
dert werden. Eine InqGa1-qAs-(0 ≦ q ≦ 1)Schicht kann als
die n-Typ- und p-Typ-Überzugschichten verwendet werden.
In Beispiel 4 wird ein AlGaInP-Halbleiter-Lichtemissions
element beschrieben, in welchem eine Stromsperrschicht
auf dem Mittenteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur ge
bildet ist und in welchem die Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Strom
diffusionsschicht über der Stromsperrschicht gebildet
ist. Fig. 6 ist eine Schnittdarstellung des Halbleiter-
Lichtemissionselementes von Beispiel 4.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels ist
eine LED, die eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 82 (bei
spielsweise Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa
0,5 µm) umfaßt, die auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 81 ge
bildet ist. Auf der Pufferschicht 82 ist eine Halbleiter-
Mehrschichtstruktur 812 aus einer n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-
(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 83 (beispielsweise y
= 1,0, z = 0,5, Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke:
etwa 1,0 µm), einer (AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦
1)Aktivschicht 84 (beispielsweise y = 0,15, z = 0,5, Dic
ke: etwa 0,5 µm) und einer p-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦
1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 85 (beispielsweise y = 1,0, z
= 0,5, Zn-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa
1,0 µm) gebildet.
Eine n-Typ-Ga1-aInaP-(0 < a < 1)Stromsperrschicht 88 (bei
spielsweise a = 0,2, Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dic
ke: etwa 0,5 µm) ist auf dem Mittenteil der Halbleiter-
Mehrschichtstruktur 812 gebildet. Eine p-Typ-Ga1-xInxP-(0,2
≦ x ≦ 0,4)Stromdiffusionsschicht 86 (beispielsweise x =
0,2, Zn-Konzentration: 5 × 1018 cm-3, Dicke: etwa 5,0 µm)
ist über der Halbleiter-Mehrschichtstruktur 812 gebildet,
um dadurch die Stromsperrschicht 88 zu bedecken. Eine p-
Seitenelektrode 811 ist auf dem Mittenteil der p-Typ-
Stromdiffusionsschicht 86 gegenüber zu der Stromsperr
schicht 88 auf der Stromdiffusionsschicht 86 gebildet,
und eine n-Seitenelektrode 810 ist auf der gesamten Rück
fläche des n-Typ-Substrates 81 gebildet.
In diesem Beispiel ist die Stromsperrschicht 88 auf dem
Mittenteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur 812 gebil
det, und die Stromdiffusionsschicht 86 ist über der
Stromsperrschicht 88 gebildet. Bei dieser Anordnung
fließt ein von der p-Seitenelektrode 811 kommender Strom
zu dem Randteil der Stromdiffusionsschicht 86. Dies stei
gert weiter die Lichtausgabewirksamkeit über den Randteil
der Stromdiffusionsschicht 86, auf dem die p-Seitenelek
trode 811 nicht gebildet ist. Da darüber hinaus die
Stromsperrschicht 88 aus n-Typ-Ga1-aInaP (0 < a < 1) her
gestellt ist, dient sie zum Verringern der Gitterverzer
rung und zum Steigern der Emissionswirksamkeit und der
Zuverlässigkeit des Elementes, ähnlich wie die Stromdif
fusionsschicht 86. Wenn tatsächlich das Halbleiter-Licht
emissionselement eine orange LED mit einer Wellenlänge
von 610 nm ist, ist die Emissionswirksamkeit um etwa 30%
gesteigert, und die Zuverlässigkeit ist erhöht, da die
Zeit, die erforderlich ist, bis sich die Leuchtstärke auf
eine Hälfte bei einer Ansteuerung von 20 mA bei 60°C
verringert, auf etwa das 2,5-fache erhöht ist.
In diesem Beispiel ist die Stromsperrschicht auf dem Mit
tenteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur gebildet, um
einen Strom daran zu hindern, zu dem Mittenteil des Lich
temissionsteiles zu fließen.
In diesem Beispiel ist die Strom
sperrschicht leitend mit dem gleichen Leitfähigkeitstyp
wie derjenige des Substrates. Alternativ kann die Strom
sperrschicht aus einem isolierenden Material hergestellt
sein. Dies gilt auch für das weiter unten zu beschreiben
de Beispiel 6.
In Beispiel 5 wird ein AlGaInP-Halbleiter-Lichtemissions
element beschrieben, bei dem eine Stromsperrschicht auf
dem Randteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur gebildet
ist, die den Mittenteil hiervon umgibt, und bei dem die
Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Stromdiffusionsschicht ist über der
Stromsperrschicht gebildet. Fig. 7 ist eine Schnittdar
stellung des Halbleiter-Lichtemissionselementes von
Beispiel 5.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement von diesem Beispiel
ist eine LED, die eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 92 (bei
spielsweise Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3 Dicke: etwa
0,5 µm) umfaßt, welche auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 91
gebildet ist. Auf der Pufferschicht 92 ist eine Halblei
ter-Mehrschichtstruktur 912 aus einer n-Typ-
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 93
(beispielsweise y = 1,0, z = 0,5, Si-Konzentration: 5 ×
1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm), einer (AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦
y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Aktivschicht 94 (beispielsweise y = 0,4,
z = 0,5, Dicke: etwa 0,5 µm) und einer p-Typ-
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 95
(beispielsweise y = 1,0, z = 0,5, Zn-Konzentration: 5 ×
1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm) gebildet.
Eine n-Typ-Ga1-aInaP-(0 < a < 1)Stromsperrschicht 98 (bei
spielsweise a = 0,2, Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dic
ke: etwa 0,5 µm) wird auf dem Randteil der Halbleiter-
Mehrschichtstruktur 912 gebildet, die den Mittenteil
hiervon umgibt. Eine p-Typ-Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Stromdif
fusionsschicht 96 (beispielsweise x = 0,2, Zn-Konzentra
tion: 5 × 1018 cm-3, Dicke: etwa 5,0 µm) wird über der
Halbleiter-Mehrschichtstruktur 912 gebildet, die die
Stromsperrschicht 98 bedeckt. Eine p-Seitenelektrode 911
wird auf dem Randteil der p-Typ-Stromdiffusionsschicht 96
gebildet, die den Mittenteil hiervon umgibt, und eine n-
Seitenelektrode 910 wird auf der gesamten Rückfläche des
n-Typ-Substrates 91 gebildet.
Bei diesem Beispiel wird die Stromsperrschicht 98 auf dem
Randteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur 912 gebildet,
die den Mittenteil hiervon umgibt, und die Stromdiffusi
onsschicht 96 ist über der Stromsperrschicht 98 gebildet.
Bei dieser Anordnung wird ein von der p-Seitenelektrode
911 fließender Strom in den Mittenteil der Stromdiffusi
onsschicht 96 konzentriert. Dies steigert weiter die
Lichtausgabewirksamkeit über dem Mittenteil der Stromdif
fusionsschicht 96, auf dem die p-Seitenelektrode 911
nicht gebildet ist. Da darüber hinaus die Stromsperr
schicht 98 aus n-Typ-Ga1-aInaP (0 < a < 1) hergestellt
ist, dient sie zum Verringern der Gitterverzerrung und
zum Steigern der Emissionswirksamkeit sowie der Zuverläs
sigkeit des Elementes, ähnlich wie die Stromdiffusions
schicht 96. Wenn tatsächlich das Halbleiter-Lichtemis
sionselement eine grüne LED mit einer Wellenlänge von
550 nm ist, wird die Emissionswirksamkeit um etwa 35%
gesteigert, und die Zuverlässigkeit ist erhöht, da die
Zeit, die erforderlich ist, bis sich die Leuchtstärke auf
eine Hälfte bei einer Ansteuerung mit 20 mA bei 60°C ver
ringert, auf etwa das 2-7-fache gesteigert ist.
In diesem Beispiel wird die Stromsperrschicht auf dem
den Mittenteil umgebenden Randteil der Halblei
ter-Mehrschichtstruktur gebildet, um einen Strom daran zu
hindern, zu dem Randteil des Lichtemissionsteiles zu
fließen.
In diesem
Beispiel ist die Stromsperrschicht mit dem gleichen Leit
fähigkeitstyp wie demjenigen des Substrates leitend. Al
ternativ kann die Stromsperrschicht aus einem isolieren
den Material hergestellt sein. Dies gilt auch für das
weiter unten zu beschreibende Beispiel 7.
Im Beispiel 6 wird ein AlGaInP-Halbleiter-Lichtemissions
element beschrieben, bei dem eine Stromsperrschicht aus
einem Al enthaltenden Verbindungshalbleiter, wie bei
spielsweise (AlcGa1-c)dIn1-dP-(0 ≦ c ≦ 1, 0 ≦ d ≦ 1) auf
dem Mittenteil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur gebil
det ist, und die Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Stromdiffusions
schicht ist über der Stromsperrschicht gebildet. Fig. 8C
ist eine Schnittdarstellung des Halbleiter-Lichtemis
sionselementes von Beispiel 6.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels ist
eine LED, die eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 102 (bei
spielsweise Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa
0,5 µm) aufweist, die auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 101
angeordnet ist. Auf der Pufferschicht 102 ist eine Halb
leiter-Mehrschichtstruktur 1012 aus einer n-Typ-
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 103
(beispielsweise y = 1,0, z = 0,5, Si-Konzentration: 5 ×
1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm), einer (AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦
y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Aktivschicht 104 (beispielsweise y =
0,45, z = 0,5, Dicke: etwa 0,5 µm) und einer p-Typ-
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 105
(beispielsweise y = 1,0, z = 0,5, Zn-Konzentration: 5 ×
1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm) gebildet.
Eine p-Typ-Ga1-rInrP-(0 < r < 1)Schutzschicht 109 (bei
spielsweise r = 0,2, Zn-Konzentration: 5 × 1018 cm-3, Dic
ke: etwa 0,5 µm) ist auf der Halbleiter-Mehrschichtstruk
tur 1012 gebildet. Eine n-Typ-(AlcGa1-c)dIn1-dP-(0 ≦ c ≦ 1,
0 ≦ d ≦ 1)Stromsperrschicht 108 (beispielsweise c = 0,2,
d = 0,5, Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa
0,5 µm) ist auf der Schutzschicht 109 gebildet. Eine p-
Typ-Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)Stromdiffusionsschicht 106 (bei
spielsweise x = 0,2, Zn-Konzentration: 5 × 1018 cm-3, Dic
ke: etwa 5,0 µm) ist über der Halbleiter-Mehrschicht
struktur 1012 gebildet, die die Stromsperrschicht 108
überdeckt. Eine p-Seitenelektrode 1011 ist auf dem Mit
tenteil der p-Typ-Stromdiffusionsschicht 106 gebildet,
die der Stromsperrschicht 108 auf der Stromdiffusions
schicht 106 gegenüberliegt, und eine n-Seitenelektrode
1010 ist auf der gesamten Rückfläche des n-Typ-Substrates
101 gebildet.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels
wird beispielsweise in der folgenden Weise hergestellt:
Zunächst werden, wie in Fig. 8A gezeigt ist, die n-Typ- GaAs-Pufferschicht 102, die n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-Über zugschicht 103, die (AlyGa1-y)zIn1-zP-Aktivschicht 104, die p-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-Überzugschicht 105, die p-Typ- Ga1-rInrP-Schutzschicht 109 und eine Schicht 108a zum Bil den der Stromsperrschicht, die aus n-Typ-(AlcGa1-c)dIn1-dP hergestellt ist, sequentiell auf dem n-Typ-GaAs-Substrat 101 erzeugt.
Zunächst werden, wie in Fig. 8A gezeigt ist, die n-Typ- GaAs-Pufferschicht 102, die n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-Über zugschicht 103, die (AlyGa1-y)zIn1-zP-Aktivschicht 104, die p-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-Überzugschicht 105, die p-Typ- Ga1-rInrP-Schutzschicht 109 und eine Schicht 108a zum Bil den der Stromsperrschicht, die aus n-Typ-(AlcGa1-c)dIn1-dP hergestellt ist, sequentiell auf dem n-Typ-GaAs-Substrat 101 erzeugt.
Dann wird, wie in Fig. 8B gezeigt ist, die Schicht 108a
zum Bilden der Stromsperrschicht geätzt, um lediglich den
Teil zurückzulassen, der auf dem Mittenteil der Schutz
schicht 109 gelegen ist, damit so die Stromsperrschicht
108 gebildet wird. Bei diesem Ätzen wird ein Ätzmittel
mit einer von Al abhängigen Ätzgeschwindigkeit, wie bei
spielsweise ein Phosphorsäure-(H3PO4-)Ätzmittel verwen
det. Durch Verwenden eines derartigen Ätzmittels können
die Schicht 108a zum Bilden der Stromsperrschicht, die
aus einem Al enthaltenden Verbindungshalbleiter herge
stellt ist, und die Schutzschicht 109, die aus einem Ma
terial hergestellt ist, das kein Al enthält, selektiv ge
ätzt werden, um das Ätzen zu stoppen, wenn es die Schutz
schicht 109 erreicht.
Danach wird, wie in Fig. 8C gezeigt ist, die p-Typ-
Ga1-xInxP-Stromdiffusionsschicht 106 auf der sich ergeben
den Struktur aufgewachsen, und die n-Seitenelektrode 1010
sowie die p-Seitenelektrode 1011 werden gebildet, um so
das Halbleiter-Lichtemissionselement zu vervollständigen.
Somit ist in dem Halbleiter-Lichtemissionselement dieses
Beispiels die Stromsperrschicht 108 aus Al enthaltendem
(AlcGa1-c)dIn1-dP (c = 0,2, d = 0,5) hergestellt. Ein se
lektives Ätzen ist daher zwischen der Stromsperrschicht
108 und der Ga1-rInrP-(r = 0,2)Schutzschicht 109 möglich.
Dies steigert merklich die Ausbeute bei dem Fertigungs
prozeß und verringert die Herstellungskosten.
Im Beispiel 7 wird ein AlGaInP-Halbleiter-Lichtemissions
element beschrieben, bei dem eine Stromsperrschicht aus
einem Al enthaltenden Verbindungshalbleiter, wie bei
spielsweise AlbGa1-bAs (0 ≦ b ≦ 1) auf dem Randteil der
Halbleiter-Mehrschichtstruktur gebildet ist, die den Mit
tenteil hiervon umgibt, und die Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)
Stromdiffusionsschicht wird über der Stromsperrschicht
gebildet. Fig. 9 ist eine Schnittdarstellung des Halb
leiter-Lichtemissionselementes von Beispiel 7.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels ist
eine LED, die eine n-Typ-GaAs-Pufferschicht 112 (bei
spielsweise Si-Konzentration: 5 × 1017 cm-3 Dicke: etwa
0,5 µm) umfaßt, die auf einem n-Typ-GaAs-Substrat 111 ge
bildet ist. Auf der Pufferschicht 112 wird eine Halblei
ter-Mehrschichtstruktur 1112 aus einer n-Typ-
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 113
(beispielsweise y = 1,0, z = 0,5, Si-Konzentration: 5 ×
1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm), einer (AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦
y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Aktivschicht 114 (beispielsweise y =
0,4, z = 0,5, Dicke: etwa 0,5 µm) und einer p-Typ-
(AlyGa1-y)zIn1-zP-(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1)Überzugschicht 115
(beispielsweise y = 1,0, z = 0,5, Zn-Konzentration: 5 ×
1017 cm-3, Dicke: etwa 1,0 µm) gebildet.
Eine p-Typ-Ga1-rInrP-(0 < r < 1)Schutzschicht 119 (bei
spielsweise r = 0,2, Zn-Konzentration: 5 × 1018 cm-3, Dic
ke: etwa 0,5 µm) wird auf der Halbleiter-Mehrschicht
struktur 1222 gebildet. Eine n-Typ-AlbGa1-bAs-(0 ≦ b ≦ 1)
Stromsperrschicht 118 (beispielsweise b = 0,2, Si-Konzen
tration: 5 × 1017 cm-3, Dicke: etwa 0,5 µm) wird auf dem
den Mittenteil umgebenden Randteil der Schutz
schicht 119 gebildet. Eine p-Typ-Ga1-xInxP-(0,2 ≦ x ≦ 0,4)
Stromdiffusionsschicht 116 (beispielsweise x = 0,2, Zn-
Konzentration: 5 × 1018 cm-3, Dicke: etwa 5,0 µm) wird
über der die Stromsperrschicht 118 bedeckenden Halblei
ter-Mehrschichtstruktur 1112 gebildet. Eine p-Seiten
elektrode 1111 wird auf dem Randteil der p-Typ-Stromdif
fusionsschicht 116 gebildet, der den Mittenteil hiervon
umgibt, gegenüber zu der Stromsperrschicht 118 auf der
Stromdiffusionsschicht 116, und eine n-Seitenelektrode
1110 wird auf der gesamten Rückfläche des n-Typ-Substra
tes 111 gebildet.
Das Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels
wird beispielsweise in der folgenden Weise hergestellt.
Zunächst werden, wie in Fig. 9A gezeigt ist, die n-Typ-
GaAs-Pufferschicht 112, die n-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-Über
zugschicht 113, die (AlyG1-y)zIn1-zP-Aktivschicht 114, die
p-Typ-(AlyGa1-y)zIn1-zP-Überzugschicht 115, die p-Typ-
Ga1-rInrP-Schutzschicht 119 und eine Schicht 118a zum Bil
den der Stromsperrschicht, hergestellt aus n-Typ-
AlbGa1-bAs, sequentiell auf dem n-Typ-GaAs-Substrat 111
erzeugt.
Dann wird, wie in Fig. 9B gezeigt ist, die Schicht 118a
zum Bilden der Stromsperrschicht geätzt, um lediglich den
auf dem Randteil der Schutzschicht 119, der den Mitten
teil hiervon umgibt, gelegenen Teil zurückzulassen, damit
die Stromsperrschicht 118 gebildet wird. Bei diesem Ätzen
wird ein Ätzmittel mit einer von Al abhängigen Ätzge
schwindigkeit, wie beispielsweise ein Phosphorsäure
(H3PO4)-Ätzmittel verwendet. Unter Verwendung eines der
artigen Ätzmittels können die Schicht 118a zum Erzeugen
der Stromsperrschicht, die aus einem Al enthaltenden Ver
bindungshalbleiter hergestellt ist, und die Schutzschicht
119, die aus einem Material hergestellt ist, das kein Al
enthält, selektiv geätzt werden, um das Ätzen zu stoppen,
wenn es die Schutzschicht 119 erreicht.
Danach wird, wie in Fig. 9C gezeigt ist, die p-Typ-
Ga1-xInxP-Stromdiffusionsschicht 116 auf der sich ergeben
den Struktur aufgewachsen, und die n-Seitenelektrode 1110
sowie die p-Seitenelektrode 1111 werden gebildet, um das
Halbleiter-Lichtemissionselement zu vervollständigen.
In dem Halbleiter-Lichtemissionselement dieses Beispiels
ist die Stromsperrschicht 118 aus einem Al enthaltenden
AlbGa1-bAs (b = 0,2) hergestellt. Ein selektives Ätzen ist
daher möglich zwischen der Al enthaltenden Stromsperr
schicht 118 und der Ga1-rInrP-(r = 0,2)Schutzschicht 119,
die kein Al enthält. Dies steigert merklich die Ausbeute
in dem Fertigungsprozeß und reduziert die Herstellungsko
sten.
Wie oben beschrieben ist, kann erfindungsgemäß die Git
terverzerrung in der Stromdiffusionsschicht vermindert
werden. Dies reduziert nicht nur die Erzeugung von Kri
stalldefekten in der Stromdiffusionsschicht selbst, son
dern verhindert auch die Erzeugung von Kristalldefekten
in dem Lichtemissionsteil der Aktivschicht und derglei
chen. Als ein Ergebnis sind die Emissionswirksamkeit und
die Zuverlässigkeit merklich gesteigert.
Claims (13)
1. Halbleiter-Lichtemissionselement, umfassend:
ein Substrat (1, 21),
eine Halbleiter-Mehrschichtstruktur (12, 212) mit wenigstens einer er sten Überzugschicht (3, 23) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer Aktivschicht (4, 24) und einer zweiten Überzugschicht (5, 25) eines zweiten Leitfähigkeit styps, die in dieser Reihenfolge auf dem Substrat (1, 21) gebildet sind, und
eine Stromdiffusionsschicht (6, 26), die auf der Halbleiter-Mehrschicht struktur (12, 212) vorgesehen ist, wobei
die Stromdiffusionsschicht (6, 26) aus einem Ga1-xInxP (0 < x < 1) Mate rial des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht (6, 26) und die Zusammensetzung der Aktivschicht (4, 24) derart gewählt sind, dass der Bandabstand der Stromdiffusionsschicht (6, 26) größer als der Bandabstand der Aktivschicht (4, 24) ist, so dass durch die Aktivschicht (4, 24) emittiertes Licht durch die Stromdiffusionsschicht (6, 26) verläuft, ohne absorbiert zu werden, und die Gitterverzerrung reduziert sowie die Kristallinität der Stromdiffusionsschicht erhöht ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht zwischen 0,2 und 0,4 liegt.
ein Substrat (1, 21),
eine Halbleiter-Mehrschichtstruktur (12, 212) mit wenigstens einer er sten Überzugschicht (3, 23) eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer Aktivschicht (4, 24) und einer zweiten Überzugschicht (5, 25) eines zweiten Leitfähigkeit styps, die in dieser Reihenfolge auf dem Substrat (1, 21) gebildet sind, und
eine Stromdiffusionsschicht (6, 26), die auf der Halbleiter-Mehrschicht struktur (12, 212) vorgesehen ist, wobei
die Stromdiffusionsschicht (6, 26) aus einem Ga1-xInxP (0 < x < 1) Mate rial des zweiten Leitfähigkeitstyps gebildet ist, und der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht (6, 26) und die Zusammensetzung der Aktivschicht (4, 24) derart gewählt sind, dass der Bandabstand der Stromdiffusionsschicht (6, 26) größer als der Bandabstand der Aktivschicht (4, 24) ist, so dass durch die Aktivschicht (4, 24) emittiertes Licht durch die Stromdiffusionsschicht (6, 26) verläuft, ohne absorbiert zu werden, und die Gitterverzerrung reduziert sowie die Kristallinität der Stromdiffusionsschicht erhöht ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht zwischen 0,2 und 0,4 liegt.
2. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, dass sich der In-Molenbruch x der Stromdiffusionsschicht (26) in ei
ner Dickenrichtung von dieser verändert.
3. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, dass die Aktivschicht (4, 24) aus (AlyGa1-y)zIn1-zP
(0 ≦ y ≦ 1, 0 ≦ z ≦ 1), (AlpGa1-p)As (0 ≦ p ≦ 1) oder InqGa1-qAs (0 ≦ q ≦ 1) her
gestellt ist.
4. Halbleiter-Lichtemissionselement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da
durch gekennzeichnet, dass ein Paar von Elektroden vorgesehen ist, wobei
das Substrat (1), die Halbleiter-Mehrschichtstruktur (12) und die Stromdiffusi
onsschicht (6) dazwischen gelegen sind, und dass eine Stromsperrschicht so
angeordnet ist, dass sie einer der Elektroden gegenüber liegt, die auf der Seite
der Stromdiffusionsschicht gelegen ist, wobei die Stromdiffusionsschicht zwi
schen der einen Elektrode und der Stromsperrschicht angeordnet ist.
5. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Elektrode auf der Seite der Stromdiffusionsschicht (6) auf
einem Mittenteil der Stromdiffusionsschicht (6) gebildet ist, um Licht über ei
nen Randteil der Stromdiffusionsschicht (6) auszugeben.
6. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Elektrode auf der Seite der Stromdiffusionsschicht (6) auf
einem einen Mittenteil hiervon umgebenden Randteil der Stromdiffusions
schicht (6) gebildet ist, um Licht über den Mittenteil der Stromdiffusions
schicht auszugeben.
7. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Stromsperrschicht aus einem Ga1-aInaP (0 < a < 1) enthal
tenden Material hergestellt ist.
8. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 4, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Stromsperrschicht aus einem Al enthaltenden Verbindungs
halbleiter hergestellt ist.
9. Halbleiter-Lichtemissionselement nach Anspruch 8, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Stromsperrschicht aus AlbGa1-bAs (0 < b ≦ 1) oder
(AlcGa1-c)dIn1-dP (0 < c ≦ 1, 0 < d ≦ 1) hergestellt ist.
10. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Lichtemissionselementes um
fassend: ein Substrat (101), eine Halbleiter-Mehrschichtstruktur (1012) mit we
nigstens einer ersten Überzugschicht (103) eines ersten Leitfähigkeitstyps, ei
ner Aktivschicht (104) und einer zweiten Überzugschicht (105) eines zweiten
Leitfähigkeitstyps, die in dieser Reihenfolge auf dem Substrat (101) gebildet
sind, eine Stromsperrschicht (108) eines ersten Leitfähigkeitstyps, die auf ei
nem Teil der Halbleiter-Mehrschichtstruktur (1012) gebildet ist, eine Stromdif
fusionsschicht (106), die aus einem Ga1-xInxP (0 < x < 1) Material eines zwei
ten Leitfähigkeitstyps hergestellt ist, das auf der Halbleiter-Mehrschichtstruk
tur (1012) gebildet ist und die Stromsperrschicht (108) bedeckt, und ein Paar
von Elektroden (1010, 1011), von denen eine Elektrode (1011) auf der Stromdif
fusionsschicht (106) gebildet ist, um der Stromsperrschicht (108) über die
Stromdiffusionsschicht (106) gegenüberzuliegen und von denen die andere
Elektrode (1010) auf einer Oberfläche des Substrates (101) gebildet ist,
wobei der zwischen 0,2 und 0,4 liegende In-Molenbruch x der Stromdiffusions
schicht (106) und die Zusammensetzung der Aktivschicht (4, 24) derart gewählt
sind, dass der Bandabstand der Stromdiffusionsschicht (6, 26) größer als der
Bandabstand der Aktivschicht (4, 24) ist, so dass durch die Aktivschicht (4, 24)
emittiertes Licht durch die Stromdiffusionsschicht (106) verläuft, ohne absor
biert zu werden, und die Gitterverzerrung reduziert sowie die Kristallinität der
Stromdiffusionsschicht erhöht ist und wobei das Verfahren die folgenden
Schritte aufweist:
Erzeugen der Halbleiter-Mehrschichtstruktur (1012) auf dem Substrat (101) und Bilden einer Schutzschicht (109) aus einem Material, das kein Al enthält, und einer Schicht zum Erzeugen der Stromsperrschicht (108) aus ei nem Al enthaltenden Verbindungshalbleiter auf der Halbleiter-Mehrschicht struktur (1012), und
Bilden der Stromsperrschicht (108) auf einem Teil der Halbleiter-Mehr schichtstruktur (1012) durch selektives Ätzen der Schicht zum Erzeugen der Stromsperrschicht (108).
Erzeugen der Halbleiter-Mehrschichtstruktur (1012) auf dem Substrat (101) und Bilden einer Schutzschicht (109) aus einem Material, das kein Al enthält, und einer Schicht zum Erzeugen der Stromsperrschicht (108) aus ei nem Al enthaltenden Verbindungshalbleiter auf der Halbleiter-Mehrschicht struktur (1012), und
Bilden der Stromsperrschicht (108) auf einem Teil der Halbleiter-Mehr schichtstruktur (1012) durch selektives Ätzen der Schicht zum Erzeugen der Stromsperrschicht (108).
11. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Lichtemissionselementes nach
Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Ätzens der
Schicht zum Bilden der Stromsperrschicht (108) so durchgeführt wird, dass die
Stromsperrschicht (108) auf einem Mittenteil der Halbleiter-Mehrschichtstruk
tur (1012) gebildet wird.
12. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Lichtemissionselementes nach
Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, dass der Schritt des Ätzens
der Schicht zum Bilden der Stromsperrschicht (108) so durchgeführt wird, dass
die Stromsperrschicht (108) auf einem einen Mittenteil umgebenden Randteil
der Halbleiter-Mehrschichtstruktur (1012) gebildet wird.
13. Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Lichtemissionselementes nach
einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass eine
AlbGa1-bAs (0 < b ≦ 1)-Schicht oder (AlcGa1-c)dIn1-dP (0 < c ≦ 1, 0 < d ≦ 1)-
Schicht als die Stromsperrschicht verwendet wird.
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Representative=s name: MUELLER HOFFMANN & PARTNER PATENTANWAELTE MBB, DE Effective date: 20150126 |
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