DE19703221A1 - Kondensatorstruktur und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Kondensatorstruktur und Verfahren zu deren Herstellung

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Description

Die Erfindung betrifft einen Kondensator und insbesondere eine Kondensa­ torstruktur, sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.
STAND DER TECHNIK
Eine herkömmliche Kondensatorstruktur und ein herkömmliches Verfahren zur Herstellung derselben wird mit Bezug auf die Zeichnung beschrieben. Fig. 6 ist ein Layout eines herkömmlichen Kondensators.
Wie in Fig. 6 gezeigt, umfaßt die herkömmliche Kondensatorstruktur eine Wortleitung 1, einen aktiven Bereich 2 senkrecht zur Wortleitung 1, eine Vielzahl von Knotenkontakten 3, die auf dem aktiven Bereich 2 zwischen der jeweiligen Wortleitung 1 gebildet sind, und eine Vielzahl von Kondensatoren 4, die mit dem jeweiligen Knotenkontakt 3 verbunden sind und die in dersel­ ben Richtung mit den aktiven Bereichen 2 gebildet sind.
Fig. 7 ist ein Schnitt im wesentlichen nach Linie A-A′ in Fig. 6.
Wie in Fig. 7 gezeigt, umfaßt der Kondensator einen ersten Isolationsfilm 6, einen zweiten Isolationsfilm 7, Speicherknoten 8, einen dielektrischen Film 9 und einer Plattenelektrode 10. Der erste Isolationsfilm 6 ist mit Kontaktlö­ chern auf einem Halbleitersubstrat 5 ausgebildet, das die aktiven Bereiche 2 in einem gewissen Abstand aufweist. Auf dem ersten Isolationsfilm 6 ist ein zweiter Isolationsfilm 7 ausgebildet. Die Speicherknoten 8 sind auf dem zweiten Isolationsfilm 7 entlang einer Basis der Kontaktlöcher ausgebildet und erstrecken sich zu einer gewissen Höhe. Ein dielektrischer Film 9 ist auf der gesamten Oberfläche der Speicherknoten 8 ausgebildet. Eine Plattenelek­ trode 10 ist auf dem dielektrischen Film 9 ausgebildet.
Die Fig. 8a bis 8e sind Schnitte im wesentlichen entlang der Linie A-A′ in Fig. 6 und zeigen Herstellungsschritte eines herkömmlichen Kondensators.
Wie in Fig. 8a dargestellt, werden der erste Isolationsfilm 6, der zweite Iso­ lationsfilm 7 und ein erster empfindlicher Film 11, wie z. B. ein Photoresist- Film oder dergleichen, sequentiell auf dem Substrat 5 mit dem aktiven Be­ reich 2 ausgebildet. Dann wird der erste empfindliche Film 11 gemustert. Daraufhin werden Knotenkontaktlöcher 12 in einem gewissen Abstand durch selektives Entfernen des zweiten Isolationsfilms 7 und des ersten Isolations­ films 6 gebildet, wobei der gemusterte, empfindliche Film 11 als Maske ver­ wendet wird.
Wie in Fig. 8b dargestellt, wird der erste empfindliche Film 11 entfernt und dann werden eine erste Polysiliziumschicht 13, ein dritter Isolationsfilm 14 und ein zweiter empfindlicher Film 15 nacheinander auf der gesamten Ober­ fläche der Knotenkontaktlöcher 12 ausgebildet. Der zweite empfindliche Film 15 wird dann gemustert. Der dritte Isolationsfilm 14 und die erste Polysilizi­ umschicht 13 werden selektiv entfernt unter Verwendung des gemusterten zweiten empfindlichen Films 15 als Maske, um den zweiten Isolationsfilm 7 teilweise freizulegen.
Wie in Fig. 8c gezeigt, wird der zweite empfindliche Film 15 entfernt, um eine zweite Polysiliziumschicht 16 auf der gesamten Oberfläche des freige­ legten zweiten Isolationsfilms 7 einschließlich des dritten Isolationsfilms 14 zu bilden. Danach wird die zweite Polysiliziumschicht 16 mit einem Rückätz­ prozeß geätzt, um Seitenwandabstandsstücke aus der zweiten Polysilizium­ schicht 16 zu beiden Seiten des dritten Isolationsfilms 14 zu bilden.
Wie in Fig. 8d gezeigt, wird der dritte Isolationsfilm 14 mit einem Ätzverfah­ ren entfernt, um die Speicherknoten zu bilden. Wie in Fig. 8e gezeigt, wird der dielektrische Film 9 auf der gesamten Oberfläche der Speicherknoten ausgebildet, und die Plattenelektrode 10 wird abschließend auf dem dielektri­ schen Film 9 gebildet, um den Kondensator zu vervollständigen.
Die herkömmliche Kondensatorstruktur und das herkömmliche Verfahren zur Herstellung desselben haben den Nachteil, daß die Fläche des Kondensators zu klein ist, um einen Kondensator mit großer Kapazität herzustellen. Aus diesem Grund ist der herkömmliche Kondensator nicht für Vorrichtungen ge­ eignet, die eine große Kapazität aufweisen.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Fläche eines Kon­ densators zu vergrößern.
Um diese Aufgabe zu lösen und weitere Vorteile zu erreichen, umfaßt der er­ findungsgemäße Kondensator ein Substrat mit einem ersten Graben (trench) und einen zweiten Graben, einen ersten Speicherknoten mit einem ersten Körper und einem ersten Flansch, einen zweiten Speicherknoten mit einem zweiten Körper und einem zweiten Flansch, einem dielektrischen Film, der auf der gesamten Oberfläche des ersten und zweiten Speicherknoten ausgebil­ det ist, und einer Plattenelektrode, die auf dem dielektrischen Film ausgebil­ det ist. Der erste Körper ist auf dem Substrat entlang einer Basis des ersten Grabens ausgebildet und erstreckt sich bis zu einer gewissen Höhe, und der erste Flansch ist ausgebildet, um sich bis zu einer gewissen Länge vom ersten Körper wegzuerstrecken. Der zweite Körper ist entlang einer Basis des zwei­ ten Grabens ausgebildet und erstreckt sich höher als der erste Körper, und der zweite Flansch ist ausgebildet, um sich bis zu einer gewissen Länge vom zweiten Körper wegzuerstrecken. Die ersten und zweiten Flansche weisen ei­ ne oktagonale Form auf. Der zweite Flansch ist auf oder über einem oberen Teil des ersten Flansch angeordnet und überlappt den ersten Flansch teilwei­ se.
ZEICHNUNG
Die Erfindung wird im folgenden beispielsweise anhand der Zeichnung im einzelnen näher erläutert, in dieser zeigen:
Fig. 1 ein Layout eines Kondensators entsprechend einem ersten und einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung,
Fig. 2 einen Schnitt, im wesentlichen nach Linie B-B′ in Fig. 1 entsprechend dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfin­ dung,
Fig. 3a bis 3g Schnitte, im wesentlichen nach Linie B-B′ in Fig. 1 zur Veranschaulichung von Herstellungsschritten für einen Kondensator entsprechend dem ersten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung,
Fig. 4 einen Schnitt, im wesentlichen nach Linie B-B′ in Fig. 1 entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel der Er­ findung,
Fig. 5a bis 5g Schnitte, im wesentlichen nach Linie B-B′ in Fig. 1 zur Veranschaulichung von Herstellungsschritten für einen Kondensator entsprechend dem zweiten Ausführungsbei­ spiel der Erfindung,
Fig. 6 ein Layout eines herkömmlichen Kondensators,
Fig. 7 ein Schnitt, im wesentlichen nach Linie A-A′ in Fig. 1 und
Fig. 8a bis 8e Schnitte, im wesentlichen nach Linie A-A′ in Fig. 1 zur Veranschaulichung von Herstellungsschritten für einen Kondensator.
BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSBEISPIELE
Fig. 4 zeigt ein Layout eines Kondensators entsprechend einem ersten und einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie Fig. 4 zeigt, umfaßt die Kondensatorstruktur eine Wortleitung 20, einen aktiven Bereich 21 senkrecht zur Wortleitung 20, eine Vielzahl von Knoten­ kontakten 22, die auf dem aktiven Bereich 21 zwischen der jeweiligen Wort­ leitung 20 gebildet sind, und eine Vielzahl von ersten und zweiten Kondensa­ toren 23, 24, die mit den jeweiligen Knotenkontakten 22 verbunden sind.
Ein durch eine gestrichelte Linie eingefaßter Bereich schließt einen ersten Kondensator 23 ein und ein von einer durchgezogenen Linie eingefaßter Be­ reich schließt den zweiten Kondensator 24 ein. Die ersten und zweiten Kon­ densatoren 23 und 24 weisen eine miteinander überlappende schwebende Struktur oder Floatingstruktur auf.
Fig. 2 ist ein Schnitt durch eine Kondensatorstruktur entsprechend dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung im wesentlichen nach Linie B-B′ in Fig. 1.
Wie Fig. 2 zeigt, ist ein erster Isolationsfilm 26 mit ersten und zweiten Kon­ taktlöchern auf einem Halbleitersubstrat 25 mit dem aktiven Bereich 21 aus­ gebildet. Ein zweiter Isolationsfilm 27 ist auf dem ersten Isolationsfilm 26 ausgebildet. Ein erster Speicherknoten umfaßt einen Körper 28a und einen ersten Flansch 28b. Der erste Körper 28a ist so auf dem ersten Isolationsfilm 26 entlang einer Basis des ersten Kontaktlochs gebildet, daß er sich bis zu einer gewissen Höhe erstreckt. Der erste Flansch 28b ist so ausgebildet, daß er sich bis zu einer gewissen Länge von dem ersten Körper 28a wegerstreckt. Weiter umfaßt ein zweiter Speicherknoten einen zweiten Körper 29a, einen zweiten Flansch 29b, und einen gebogenen Bereich 29c. Der zweite Körper 29a ist so entlang einer Basis des zweiten Kontaktlochs ausgebildet, daß er sich höher als der erste Körper 28a erstreckt. Der zweite Flansch 29b ist so ausgebildet, daß er sich bis zu einer gewissen Länge vom zweiten Körper 29a wegerstreckt. Der gekrümmte Bereich 29c ist zwischen dem zweiten Körper 29a und dem zweiten Flansch 29b ausgebildet. Ein dielektrischer Film 30 ist auf der gesamten Oberfläche des ersten und zweiten Speicherknotens ausge­ bildet. Eine Plattenelektrode 31 ist abschließend auf dem dielektrischen Film 30 ausgebildet.
Dabei sind die ersten und zweiten Flansche 28b und 29b mit oktagonalen Formen ausgebildet. Der zweite Flansch 29b ist auf oder über einem oberen Teil des ersten Flansches 28a angeordnet und überlappt einen Teil des ersten Flansches 28b.
Die Fig. 3a bis 3g sind Schnitte, im wesentlichen entlang Linie B-B′ in Fig. 1 und veranschaulichen Herstellungsschritte für einen Kondensator entspre­ chend dem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Wie in Fig. 3a gezeigt, werden der erste Isolationsfilm 26, der zweite Isolationsfilm 27, ein dritter Isolationsfilm 32 und eine erste Polysiliziumschicht 33 nacheinander auf dem Halbleitersubstrat 25 gebildet, das den aktiven Bereich 21 aufweist. Die erste Polysiliziumschicht 33 wird dann gemustert, um den ersten Speicherknoten­ bereich festzulegen. Der erste Isolationsfilm 26 umfaßt einen dielektrischen Zwischenschichtfilm (ILD-Film). Der zweite Isolationsfilm 27 umfaßt einen Nitridfilm, und der dritte Isolationsfilm 32 umfaßt einen Oxidfilm.
Wie in Fig. 3b dargestellt, wird eine vierter Isolationsfilm 34 auf der gesam­ ten Oberfläche der gemusterten ersten Polysiliziumschicht 33 und dem dritten Isolationsfilm 32 ausgebildet. Dann wird der vierte Isolationsfilm 34 mit ei­ nem ersten empfindlichen Film 35 beschichtet. Hierbei umfaßt der vierter Isolationsfilm 34 einen Oxidfilm. Daraufhin wird der erste Knotenkontaktbe­ reich auf der ersten Polysiliziumschicht 33 festgelegt und der zweiten Kno­ tenkontaktbereich wird auf dem dritten Isolationsfilm 32 festgelegt, durch Mustern des ersten empfindlichen Films 35.
Wie in Fig. 3c dargestellt, werden der vierte Isolationsfilm 34, die erste Po­ lysiliziumschicht 33, der dritte Isolationsfilm 32, der zweite Isolationsfilm 27 und der erste Isolationsfilm 26 nacheinander unter Benutzung des ersten empfindlichen Films 35 als Maske entfernt, um den aktiven Bereich 21 des Substrats 25 freizulegen. Als Folge davon ist ein erster Knotenkontakt 36 gebildet. Ein zweiter Knotenkontakt 37 wird gebildet durch sequentielles ent­ fernen des vierten Isolationsfilms 34, des dritten Isolationsfilms 32, des zweiten Isolationsfilms 27 und des ersten Isolationsfilms 26.
Wie in Fig. 3d gezeigt, wird der erste empfindliche Film 35 entfernt und dann wird eine zweite Polysiliziumschicht 38 auf der gesamten Oberfläche der er­ sten und zweiten Knotenkontakte 36 und 37 und dem vierten Isolationsfilm 34 ausgebildet. Ein Isolationsmaterial 39 wird in die ersten und zweiten Knotenkontakte 36, 37 mittels eines SOG-Prozesses eingefüllt. Dabei schließt das Isolationsmaterial 39 ein SOG-Material ein.
Wie in Fig. 3e gezeigt, werden die zweite Polysiliziumschicht 38 und das Isolationsmaterial 39 mit einem zweiten empfindlichen Film 40 beschichtet. Der zweite empfindliche Film wird gemustert, um einen zweiten Speicherkno­ tenbereich festzulegen. Dann werden die zweite Polysiliziumschicht 38, der vierte Isolationsfilm 34 und einiges von dem Isolationsmaterial 39 unter Be­ nutzung des gemusterten zweiten empfindlichen Films 40 als Maske entfernt, um einen Teil der ersten Polysiliziumschicht 33 freizulegen.
Wie in Fig. 3f gezeigt, werden der zweite empfindliche Film 40, daß verblei­ bende Isolationsmaterial 39, der vierte Isolationsfilm 34 und der dritte Isola­ tionsfilm 32 entfernt, um den ersten und zweiten Speicherknoten auszubilden. Wie in Fig. 3g gezeigt, wird der dielektrische Film 30 auf der gesamten Oberfläche des ersten und zweiten Speicherknotens ausgebildet, und die Plattenelektrode 31 wird auf dem dielektrischen Film 30 ausgebildet. Infolge dessen ist die Ausbildung des ersten und zweiten Kondensators abgeschlos­ sen.
Fig. 4 ist ein Schnitt im wesentlichen entlang Linie B-B′ in Fig. 1 entspre­ chend dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie in Fig. 4 dargestellt, ist ein erster Isolationsfilm 56 mit ersten und zwei­ ten Kontaktlöchern auf einem Halbleitersubstrat 55 mit aktiven Bereichen 51 ausgebildet. Ein erster Speicherknoten 58 schließt einen ersten Körper 58a, einen ersten Flansch 58b und einen gekrümmten Bereich 58c ein. Der erste Körper 58a ist entlang einer Basis des ersten Kontaktlochs auf dem ersten Isolationsfilm 56 ausgebildet und erstreckt sich bis zu einer gewissen Höhe. Der erste Flansch 58b ist so ausgebildet, daß er sich bis zu einer gewissen Länge von dem ersten Körper 58a wegerstreckt. Der gekrümmte Bereich 58c ist zwischen dem ersten Körper 58a und dem ersten Flansch 58b angeordnet. Ein zweiter Speicherknoten 59 umfaßt einen zweiten Körper 59a und einen zweiten Flansch 59b. Der zweite Körper 59a ist entlang einer Basis des zweiten Kontaktlochs ausgebildet und erstreckt sich bis auf gleiche Höhe mit einer Basis oder Unterseite des ersten Flansches 58b. Der zweite Flansch 59b ist so ausgebildet, daß er sich bis zu einer gewissen Länge von einer vorbe­ stimmten, nach unten versetzten Position an einem oberen Abschnitt des zweiten Körpers 59a wegerstreckt. Ein dielektrischer Film 60 ist auf der ge­ samten Oberfläche der ersten und zweiten Speicherknoten 58 und 59 ausge­ bildet. Eine Plattenelektrode 61 ist auf dem dielektrischen Film 60 ausgebil­ det.
Dabei sind die ersten und zweiten Flansche 58b und 59b mit oktagonalen Formen gebildet. Der erste Flansch 58b ist über einem oberen Abschnitt des zweiten Flansches 59b angeordnet und überlappt einen Teil des zweiten Flan­ sches 59b. Außerdem weist der zweite Flansch 59b die gleiche Höhe wie der obere Teil des ersten Körpers 58a des ersten Speicherknotens 58 auf.
Die Fig. 5a bis 5g sind Schnitte im wesentlichen entlang Linie B-B′ in Fig. 1 und veranschaulichen Verfahrensschritte zur Herstellung eines Kondensators entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Wie in Fig. 5a gezeigt, werden der erste Isolationsfilm 56, ein zweiter Isola­ tionsfilm 57 und ein dritter Isolationsfilm 62 nacheinander auf dem Halblei­ tersubstrat 55 mit dem aktiven Bereich 51 ausgebildet. Dann wird der dritter Isolationsfilm 62 gemustert, um den zweiten Speicherknotenbereich festzule­ gen. Der erste Isolationsfilm umfaßt einen dielektrischen Zwischenschichtiso­ lationsfilm (ILD-Film), der zweite Isolationsfilm 57 umfaßt einen Nitridfilm und der dritte Isolationsfilm 62 umfaßt einen Oxidfilm.
Wie in Fig. 5b gezeigt, wird ein vierter Isolationsfilm 64 auf der gesamten Oberfläche des gemusterten dritten Isolationsfilms 62 und des zweiten Isola­ tionsfilms 57 ausgebildet. Dann wird der vierter Isolationsfilm mit einem er­ sten empfindlichen Film 65 beschichtet. Dabei umfaßt der vierter Isolations­ film 64 einen Nitridfilm. Daraufhin wird der zweite Knotenkontaktbereich auf dem dritten Isolationsfilm 62 und der erste Knotenkontaktbereich auf dem zweiten Isolationsfilm 57 durch Mustern des ersten empfindlichen Films 65 festgelegt.
Wie in Fig. 5c gezeigt, werden der vierter Isolationsfilm 64, der dritter Isola­ tionsfilm 62, der zweiter Isolationsfilm 57 und der erste Isolationsfilm 56 nacheinander unter Benutzung des ersten empfindlichen Films 65 als Maske entfernt, um einen zweiten Knotenkontakt 64 zu bilden. Ein erster Knoten­ kontakt 66 wird durch sequentielles Entfernen des vierten Isolationsfilms 67, des zweiten Isolationsfilms 57 und des ersten Isolationsfilms 56 gebildet.
Wie in Fig. 5d gezeigt, wird der erste empfindliche Film 65 entfernt und dann wird eine Polysiliziumschicht 63 auf der gesamten Oberfläche der ersten und zweiten Knotenkontakte 66, 67 und dem vierten Isolationsfilm 64 gebildet. Ein Isolationsmaterial 69 wird in die ersten und zweiten Knotenkontakte mittels eines SOG-Prozesses eingefüllt. Dabei schließt das Isolationsmaterial 69 ein SOG-Material ein.
Wie in Fig. 5e dargestellt, werden das Isolationsmaterial 69 und die Polysili­ ziumschicht 63 mit einem zweiten empfindlichen Film 70 beschichtet. Der zweite empfindliche Film 70 wird gemustert, um einen ersten Speicherkno­ tenbereich festzulegen. Dann werden die Polysiliziumschicht 63 und ein Teil des Isolationsmaterials 69 unter Benutzung des gemusterten zweiten emp­ findlichen Films 70 als Maske entfernt, um einen Teil des vierten Isolati­ onsfilms 64 frei zu legen.
Wie in Fig. 5f gezeigt, werden der zweite empfindliche Film 70, daß verblei­ bende Isolationsmaterial 69, der vierte Isolationsfilm 64 und der zweite Iso­ lationsfilm 57 entfernt, um den ersten und zweiten Speicherknoten auszubil­ den. Wie in Fig. 5g dargestellt, wird der dielektrische Film 60 auf der gesam­ ten Oberfläche der ersten und zweiten Speicherknoten ausgebildet und die Plattenelektrode 61 wird auf dem dielektrischen Film 60 ausgebildet. Infolge dessen ist die Ausbildung von ersten und zweiten Kondensatoren abgeschlos­ sen.
Obwohl bei den beschriebenen Ausführungsbeispielen die Körper der Spei­ cherknoten in Kontaktlöchern angeordnet sind, die in einem Isolationsfilm auf einem Substrat ausgebildet sind, läßt sich der erfindungsgemäße Konden­ sator bzw. die erfindungsgemäße Kondensatorstruktur auch dann verwirkli­ chen, wenn die Körper der Speicherknoten in Gräben (trench) im Substrat an­ geordnet werden.
Die erfindungsgemäße Kondensatorstruktur und das erfindungsgemäße Ver­ fahren zur Herstellung derselben weisen die folgenden Vorteile auf.
Da die ersten und zweiten Speicherknoten so ausgebildet sind, daß sie sich miteinander überlappen, wird die Fläche des Kondensators genügend groß, um an eine Vorrichtung mit großer Kapazität angepaßt werden zu können. Durch die überlappende Anordnung der Flansche der Speicherknoten läßt sich also die Kondensatorfläche zur Vergrößerung seiner Kapazität wesentlich vergrößern, ohne das die Abstände der einzelnen Speicherknoten vergrößert werden müssen.

Claims (11)

1. Kondensator mit
  • - einem einen ersten Graben und einen zweiten Graben aufweisenden Substrat (25),
  • - einem einen ersten Körper (28a) und einen ersten Flansch (28b) aufweisenden ersten Speicherknoten (28), wobei der erste Körper (28a) bis zu einer gewissen Höhe auf dem Substrat entlang einer Basis des ersten Grabens verlängert ist und der erste Flansch (28b) bis zu einer gewissen Länge vom ersten Körper wegverlängert ist,
  • - einem einen zweiten Körper (29a) und einen zweiten Flansch (29b) aufweisenden zweiten Speicherknoten (29), wobei der zweite Kör­ per (29a) höher als der erste Körper (28a) entlang einer Basis des zweiten Grabens verlängert ist und der zweite Flansch (29b) bis zu einer gewissen Länge vom zweiten Körper wegverlängert ist,
  • - einem dielektrischen Film (30), der auf der gesamten Oberfläche des ersten und zweiten Speicherknotens (28, 29) ausgebildet ist und
  • - einer Plattenelektrode (31), die auf dem dielektrischen Film (30) ausgebildet ist.
2. Kondensator mit
  • - einem Halbleitersubstrat (25),
  • - einem ersten Isolationsfilm (26), der ein erstes Kontaktloch und ei­ ne zweites Kontaktloch aufweist und auf dem Halbleitersubstrat (25) ausgebildet ist,
  • - einem zweiten Isolationsfilm (27) auf dem ersten Isolationsfilm (26),
  • - einem einen ersten Körper (28a) und einen ersten Flansch (28b) aufweisenden ersten Speicherknoten (28), wobei der erste Körper (28a) bis zu einer gewissen Höhe auf dem ersten Isolationsfilm (26) entlang einer Basis des ersten Kontaktlochs verlängert ist und der erste Flansch (28b) bis zu einer gewissen Länge vom ersten Körper (28a) wegverlängert ist,
  • - einem einen zweiten Körper (29a), einen zweiten Flansch (29b) und einen gekrümmten Bereich (29c) zwischen dem zweiten Körper (29a) und dem zweiten Flansch (29b) aufweisenden zweiten Spei­ cherknoten (29), wobei der zweite Körper (29a) höher als der erste Körper (28a) entlang einer Basis des zweiten Kontaktlochs verlän­ gert ist und der zweite Flansch (29b) bis zu einer gewissen Länge vom zweiten Körper (29a) wegverlängert ist,
  • - einem dielektrischen Film (30), der auf der gesamten Oberfläche des ersten und zweiten Speicherknotens (28, 29) ausgebildet ist, und
  • - einer Plattenelektrode (31), die auf dem dielektrischen Film (30) ausgebildet ist.
3. Kondensator mit
  • - einem Halbleitersubstrat (55),
  • - einem ersten Isolationsfilm (56), der ein erstes Kontaktloch und ein zweites Kontaktloch aufweist und auf dem Halbleitersubstrat (55) ausgebildet ist,
  • - einem einen ersten Körper (58a), einen ersten Flansch (58b) und ei­ nen gekrümmten Bereich (58c) zwischen dem ersten Körper (58a) und dem ersten Flansch (58b) aufweisenden ersten Speicherknoten (58), wobei der erste Körper (58a) bis zu einer gewissen Höhe auf dem ersten Isolationsfilm (56) entlang einer Basis des ersten Kon­ taktlochs verlängert ist und der erste Flansch (58b) bis zu einer gewissen Länge von dem ersten Körper (58a) wegverlängert ist,
  • - einem einen zweiten Körper (59a) und einen zweiten Flansch (59b) aufweisenden zweiten Speicherknoten (59), wobei der Körper (59a) bis zu derselben Höhe wie die Unterseite des ersten Flansches (58b) entlang einer Basis des zweiten Kontaktlochs verlängert ist und der zweite Flansch (59b) zu einer gewissen Länge von einer vorbe­ stimmten Lage abwärts an einem oberen Abschnitt des zweiten Körpers (59a) wegverlängert ist,
  • - einem dielektrischen Film (60), der auf der gesamten Oberfläche der ersten und zweiten Speicherknoten (58, 59) ausgebildet ist, und
  • - einer Plattenelektrode (61), die auf dem dielektrischen Film (60) ausgebildet ist.
4. Kondensator nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten und zweiten Flansche (28b, 58b, 29b, 59b) mit einer oktago­ nalen Form ausbildet sind.
5. Kondensator nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der jeweils höher liegende Flansch (29b, 59b) über einem oberen Ab­ schnitt des anderen Flansches (29b, 59b) angeordnet ist und mit diesem in einem gewissen Bereich überlappt.
6. Kondensator nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Flansch (59b) mit der selben Höhe ausgebildet ist wie ein oberer Ab­ schnitt des ersten Körpers (58a) des ersten Speicherknotens (58).
7. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators mit folgenden Schritten:
  • - Sequentielles Ausbilden eines ersten Isolationsfilms (26), eines zweiten Isolationsfilms (27), eines dritten Isolationsfilms (32) und einer ersten Polysiliziumschicht (33) auf einem Halbleitersubstrat (26),
  • - Festlegen eines ersten Speicherknotenbereichs durch Mustern der ersten Polysiliziumschicht (33),
  • - Ausbilden eines vierten Isolationsfilm (34) auf der gesamten Ober­ fläche der gemusterten ersten Polysiliziumschicht (33) und dem dritten Isolationsfilm (32),
  • - Festlegen eines ersten Knotenkontaktbereichs auf der gemusterten ersten Polysiliziumschicht (33) und eines zweiten Knotenkontakt­ bereichs auf dem dritten Isolationsfilm (32) durch Beschichten des vierten Isolationsfilms (34) mit einem ersten empfindlichen Film (35),
  • - Ausbilden eines ersten Knotenkontakts durch sequentielles entfer­ nen des vierten Isolationsfilms (34), der ersten Polysiliziumschicht (33), des dritten Isolationsfilms (32), des zweiten Isolationsfilms (27) und des ersten Isolationsfilms (26) unter Benutzung des ersten empfindlichen Films (35) als Maske,
  • - Ausbilden eines zweiten Knotenkontakts durch Entfernen des vier­ ten Isolationsfilms (34), des dritten Isolationsfilms (32), des zwei­ ten Isolationsfilms (27) und des ersten Isolationsfilms (26),
  • - Ausbilden einer zweiten Polysiliziumschicht (38) auf der gesamten Oberfläche der ersten und zweiten Knotenkontakte und dem vierten Isolationsfilm (34) nach Entfernen des ersten empfindlichen Films (35),
  • - Einfüllen eines Isolationsmaterials (39) in den ersten und zweiten Knotenkontakt,
  • - Festlegen eines zweiten Speicherknotenbereichs durch Beschichten des Isolationsmaterials und der zweiten Polysiliziumschicht mit ei­ nem zweiten empfindlichen Film (40) und Mustern des zweiten empfindlichen Films (40),
  • - Freilegen eines Teils der ersten Polysiliziumschicht (33) durch Ent­ fernen eines Teils der zweiten Polysiliziumschicht (38), des vierten Isolationsfilms (34) und des Isolationsmaterials unter Benutzung des gemusterten zweiten empfindlichen Films (40) als Maske,
  • - Ausbilden erster und zweiter Speicherknoten durch entfernen des verbleibenden Isolationsmaterials, des vierten Isolationsfilms und des dritten Isolationsfilms nach entfernen des zweiten empfindli­ chen Films (40),
  • - Ausbilden eines dielektrischen Films (30) auf der gesamten Ober­ fläche der ersten und zweiten Speicherknoten und
  • - Ausbilden einer Plattenelektrode (31) auf dem dielektrischen Film (30).
8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Isolationsfilm einen ILD-Film einschließt, daß der zweite Isolations­ film (27) einen Nitridfilm einschließt, und daß der vierte Isolationsfilm (34) einen Oxidfilm einschließt.
9. Verfahren zum Herstellen eines Kondensators mit folgenden Schritten:
  • - Sequentielles Ausbilden eines ersten Isolationsfilms (56), eines zweiten Isolationsfilms (57) und eines dritten Isolationsfilms (62) auf einem Halbleitersubstrat (55),
  • - Festlegen eines zweiten Speicherknotenbereichs durch Mustern des dritten Isolationsfilms (62),
  • - Ausbilden eines vierten Isolationsfilms (64) auf der gesamten Oberfläche des gemusterten dritten Isolationsfilms (62) und des zweiten Isolationsfilms (57),
  • - Festlegen eines zweiten Knotenkontaktbereichs auf dem gemuster­ ten dritten Isolationsfilm und eines ersten Knotenkontaktbereichs auf dem zweiten Isolationsfilm durch Beschichten des vierten Iso­ lationsfilms (64) mit einem ersten empfindlichen Film (65),
  • - Ausbilden eines zweiten Knotenkontakts durch sequentielles Ent­ fernen des vierten Isolationsfilms (64), des dritten Isolationsfilms (62), des zweiten Isolationsfilms (57) und des ersten Isolations­ films (56) unter Benutzung des ersten empfindlichen Films (65) als Maske und Ausbilden eines ersten Knotenkontakts durch sequen­ tielles Entfernen des vierten Isolationsfilms (64), des zweiten Iso­ lationsfilms (57) und des ersten Isolationsfilms (56),
  • - Ausbilden einer Polysiliziumschicht (63) auf der gesamten Oberflä­ che des ersten und zweiten Knotenkontakts und des vierten Isolati­ onsfilms (64) nach Entfernen des ersten empfindlichen Films (65),
  • - Einfüllen eines Isolationsmaterials in die ersten und zweiten Kno­ tenkontakte,
  • - Festlegen eines ersten Speicherknotenbereichs durch Beschichten des Isolationsmaterials (69) und der Polysiliziumschicht (63) mit einem zweiten empfindlichen Film (70) und Mustern des zweiten empfindlichen Films (70),
  • - Freilegen eines Teils des vierten Isolationsfilms (64) durch Entfer­ nen eines Teils der Polysiliziumschicht (63) und des Isolationsma­ terials (69) unter Benutzung des gemusterten zweiten empfindli­ chen Films (70) als Maske,
  • - Ausbilden erster und zweiter Speicherknoten durch Entfernen des verbleibenden Isolationsmaterials, des vierten Isolationsfilms (64) und des dritten Isolationsfilms (62) nach Entfernen des zweiten empfindlichen Films,
  • - Ausbilden eines dielektrischen Films (60) auf der gesamten Ober­ fläche der ersten und zweiten Speicherknoten und
  • - Ausbilden einer Plattenelektrode (61) auf dem dielektrischen Film (60).
10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Isolationsfilm einen ILD-Film einschließt, daß der zweite Isolations­ film (57) und der vierter Isolationsfilm (64) einen Nitridfilm ein­ schließt, und daß der dritte Isolationsfilm (62) einen Oxidfilm ein­ schließt.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Isolationsmaterial ein SOG-Material einschließt.
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