DE19652810A1 - Solar cell with p=n barrier type semiconductor layer - Google Patents
Solar cell with p=n barrier type semiconductor layerInfo
- Publication number
- DE19652810A1 DE19652810A1 DE19652810A DE19652810A DE19652810A1 DE 19652810 A1 DE19652810 A1 DE 19652810A1 DE 19652810 A DE19652810 A DE 19652810A DE 19652810 A DE19652810 A DE 19652810A DE 19652810 A1 DE19652810 A1 DE 19652810A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- contacting
- foils
- metallic
- semiconductor layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 claims 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und betrifft weiter ein Verfahren zum Herstellen eines aus mehreren Solarzellen zusammengesetzten Solarmoduls gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 6. Die Erfindung betrifft auch eine Solarzelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 12 sowie ein aus mehreren Solarzellen zusammengesetztes Solarmodul gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 13.The invention relates to a method for producing a solar cell according to the The preamble of claim 1 and further relates to a method for manufacturing a solar module composed of several solar cells according to the The invention also relates to a solar cell according to the preamble of claim 12 and one of several solar cells Composite solar module according to the preamble of claim 13.
Regenerative Energien gewinnen zunehmend an Bedeutung. Dabei kommt der Photovoltaik eine Schlüsselrolle zu, da es mit ihr möglich ist, Sonnenlicht unmittelbar in elektrischen Strom umzuwandeln. Die bisher übliche Herstellung von Solarzellen ist außerordentlich aufwendig, insbesondere was die Kontaktierung von deren Halbleiterschichten anbelangt, die arbeitsintensive und kostenaufwendige Lötvorgänge erfordert. Des weiteren werden die Halbleiterschichten der Solarzellen üblicherweise zwischen Glasplatten untergebracht und mit Rahmen versehen, was die Solarzellen und insbesondere die aus diese zusammengesetzten Solarmodule außerordentlich schwer und teuer macht.Renewable energies are becoming increasingly important. Here comes the Photovoltaics play a key role as it is possible to use sunlight to convert directly into electrical current. The usual production of solar cells is extremely complex, especially what the Contacting of their semiconductor layers, the labor-intensive and requires expensive soldering processes. Furthermore, the Semiconductor layers of the solar cells usually between glass plates housed and framed what the solar cells and especially the solar modules composed of these are extraordinary heavy and expensive.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kostengünstigeres Verfahren zum Herstellen von Solarzellen sowie Solarmodulen anzugeben. Der Erfindung liegt weiter die Aufgabe zugrunde, kostengünstige Solarzellen bzw. Solarmodule zu schaffen.The invention has for its object a cheaper method to specify for the production of solar cells and solar modules. The invention is based on the task of cost-effective solar cells or To create solar modules.
Die das Verfahren zum Herstellen einer Solarzelle betreffende Erfindungsaufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die erfindungsgemäß vorgesehenen Folien, die die Halbleiterschicht und die Kontaktierungen sandwichartig zwischen sich aufnehmen, sind kostengünstig herstellbar, mit Leiterbahnen versehbar und verarbeitbar.The one relating to the method of manufacturing a solar cell Invention object is solved with the features of claim 1. The foils provided according to the invention, the semiconductor layer and the Sandwiching contacts between them is inexpensive can be manufactured, provided with conductor tracks and processed.
Die Unteransprüche 2 bis 5 sind auf vorteilhafte Durchführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens gerichtet.The sub-claims 2 to 5 are advantageous embodiments of the directed method according to the invention.
Der das Verfahren zum Herstellen eines aus mehreren Solarzellen zusammengesetzten Solarmoduls betreffende Teil der Erfindungsaufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 6 gelöst. Danach können die Folien in einfacher Weise derart mit Leiterbahnen ausgebildet werden, daß zwischen je zwei Folien eine Vielzahl von Solarzellen bzw. Halbleiterschichten nebeneinander sandwichartig aufgenommen wird und dabei gleichzeitig zweckentsprechend kontaktiert wird.Which is the process of making one from multiple solar cells composite solar module is part of the object of the invention solved with the features of claim 6. After that, the slides in are formed in such a simple manner with conductor tracks that between each two films a variety of solar cells or semiconductor layers is sandwiched side by side and at the same time is contacted appropriately.
Die Unteransprüche 7 bis 11 sind auf vorteilhafte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines Solarmoduls gerichtet.The subclaims 7 to 11 are advantageous developments of the Method according to the invention for producing a solar module directed.
Die Lösung des auf eine Solarzelle gerichteten Teils der Erfindungsaufgabe ist im Anspruch 12 gekennzeichnet.The solution to the part of the invention task directed to a solar cell is characterized in claim 12.
Der Anspruch 13 kennzeichnet die Lösung des auf ein Solarmodul gerichteten Teils der Erfindungsaufgabe, das mit den Merkmalen des Anspruchs 14 und 15 in vorteilhafter Weise weitergebildet wird.The claim 13 characterizes the solution of the directed towards a solar module Part of the object of the invention, which has the features of claims 14 and 15 is further developed in an advantageous manner.
Die Erfindung wird im folgenden anhand schematischer Zeichnungen beispielsweise und mit weiteren Einzelheiten erläutert.The invention is described below with the aid of schematic drawings for example and explained in more detail.
Es stellen dar:They represent:
Fig. 1 einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform einer Solarzelle, Fig. 1 shows a cross section through a first embodiment of a solar cell,
Fig. 2 einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform einer Solarzelle, Fig. 2 shows a cross section through a second embodiment of a solar cell,
Fig. 3 einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform eines Solarmoduls, Fig. 3 shows a cross section through a first embodiment of a solar module,
Fig. 4 einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform eines Solarmoduls, Fig. 4 shows a cross section through a second embodiment of a solar module,
Fig. 5 eine Untenansicht einer mit Leiterbahnen versehenen, in dem Solarmodul gemäß den Fig. 3 und 4 verwendeten Oberfolie und Figure 5 is provided. A bottom view of a with conductor tracks, in the solar module shown in FIGS. 3 and 4, the upper film used and
Fig. 6 eine Aufsicht auf eine mit Leiterbahnen versehene, für die Solarmodule gemäß den Fig. 3 und 4 verwendete Unterfolie. Fig. 6 is a plan view of a lead-provided, according to the solar modules FIGS. 3 and 4 under film used.
Fig. 1 zeigt eine Halbleiterschicht 2, wie sie in an sich bekannter Weise für Solarzellen verwendet wird, d. h. innerhalb der beispielsweise ein p-n Übergang bzw. eine Sperrschicht ausgebildet ist, die bei Lichtbestrahlung leitend wird, wobei die freigesetzten Ladungsträger von der über der Sperrschicht wirksamen elektrischen Spannung bewegt werden, so daß über an der Ober- und Unterseite der Halbleiterschicht 2 befindliche elektrische Kontakte elektrische Leistung abgenommen werden kann. Fig. 1 shows a semiconductor layer 2, as per se known manner is used for solar cells in, ie in the example, a pn junction or a barrier layer is formed, which becomes conductive upon light irradiation, the released charge carriers effective from the over the barrier layer electrical voltage are moved so that electrical power can be taken off via the top and bottom of the semiconductor layer 2 electrical contacts.
Der an der Oberseite der Halbleiterschicht 2 vorgesehene, weiter unten erläuterte metallische Streifenkontakt ist mit 4 bezeichnet, der an Unterseite vorgesehene metallische Flächenkontakt ist mit 6 bezeichnet.The metallic strip contact provided on the upper side of the semiconductor layer 2 and explained further below is designated by 4, the metallic surface contact provided on the underside is designated by 6.
Wie aus Fig. 1 weiter ersichtlich, ist die Halbleiterschicht 2 zwischen einer Oberfolie 8 und einer Unterfolie 10 sandwichartig eingepackt. Dabei ist die die Oberseite der Anordnung bildende Oberfolie 8 an ihrer Unterseite mit einer Leiterbahn 12 versehen, die im dargestellten Beispiel gleichzeitig den metallischen Streifenkontakt 4 bildet und über die Halbleiterschicht 2 hinaus in der Figur nach rechts verlängert ist. Ganz ähnlich ist die Oberseite der Unterfolie 10 mit einer Leiterbahn 14 versehen, die gleichzeitig den Flächenkontakt 6 bildet und gemäß Fig. 1 nach links über die Halbleiterschicht 2 hinaus verlängert ist. Die beiden Folien 8 und 10, die vorteilhafterweise aus permoplastischem Material bestehen, werden um die Halbleiterschicht 2 herum thermisch miteinander verschweißt, wobei zusätzlich jeweils eine Anschlußleitung 16 und 18 unmittelbar in Berührung mit einer jeweiligen Leiterbahn 12 und 14 kommt.As further seen in FIG. 1, the semiconductor layer 2 between an upper sheet 8 and a lower film 10 is wrapped sandwich. The upper film 8 forming the upper side of the arrangement is provided on its underside with a conductor track 12 which, in the example shown, simultaneously forms the metallic strip contact 4 and is extended beyond the semiconductor layer 2 to the right in the figure. The top surface of the film is provided with a circuit trace 14 10 Similarly, the same time forms the surface contact 6 and FIG. 1 to the left over the semiconductor layer 2 is extended beyond. The two foils 8 and 10 , which advantageously consist of permoplastic material, are thermally welded to one another around the semiconductor layer 2 , a connecting line 16 and 18 additionally coming into direct contact with a respective conductor track 12 and 14 .
Die Leiterbahnen 12 und 14 können auf jedwelche geeignete Art auf die Folien 8 und 10 aufgebracht werden, beispielsweise durch Bedrucken, durch galvanisches Abscheiden usw. Das Verschweißen der Folien 8 und 10 geschieht vorteilhafterweise in einer beheizten Preßform, wobei die Folien mit den Leiterbahnen gleichzeitig fest auf die Halbleiterschicht 2 aufgedrückt werden, so daß ein sicherer Kontakt zwischen den Leiterbahnen und der Halbleiterschicht entsteht. Dieser Kontakt kann durch das Aufbringen von Leitpaste, leitfähigem Kleber usw. unterstützt werden. Die Folien 8 und 10 müssen nicht notwendigerweise thermisch miteinander verschweißt werden; sie können auch miteinander verklebt werden.The conductor tracks 12 and 14 can be applied to the films 8 and 10 in any suitable manner, for example by printing, by electrodeposition, etc. The welding of the films 8 and 10 is advantageously carried out in a heated press mold, the films being fixed to the conductor tracks at the same time are pressed onto the semiconductor layer 2 , so that a reliable contact between the conductor tracks and the semiconductor layer is produced. This contact can be supported by applying conductive paste, conductive adhesive, etc. The films 8 and 10 do not necessarily have to be thermally welded to one another; they can also be glued together.
Die Folien werden zweckentsprechend ausgewählt; die Oberfolie 8 muß möglichst lichtdurchlässig sein und darf an ihrer Oberfläche Licht nur wenig reflektieren, so daß das Licht zwischen den metallischen Streifenkontakten 4 hindurch (vgl. Fig. 5) in die Halbleiterschicht 2 bis zur Sperrschicht eindringen kann. The foils are selected appropriately; the upper film 8 must be as translucent as possible and may only reflect light slightly on its surface, so that the light can penetrate between the metallic strip contacts 4 (see FIG. 5) into the semiconductor layer 2 up to the barrier layer.
Die Unterfolie 10 kann aus stabiler und biegesteifer Folie bestehen, so daß sie gleichzeitig eine Tragstruktur für die gesamte Solarzelle bildet.The lower film 10 can consist of a stable and rigid film, so that it simultaneously forms a support structure for the entire solar cell.
Die Ausführungsform gemäß Fig. 2 gleicht der Ausführungsform gem. Fig. 1 bis auf den Unterschied, daß die Halbleiterschicht 2 auf ein Metallplättchen 20 aufgebracht ist, beispielsweise auf das Metallplättchen 20 aufgesintert ist, so daß das Metallplättchen 20 einen großflächigen Unterseitenkontakt für die Halbleiterschicht 2 bildet und gleichzeitig als stabilisierendes Tragelement dient.The embodiment according to FIG. 2 is the same as the embodiment according to FIG. Fig. 1 except for the difference that the semiconductor layer 2 is applied to a metal plate 20 , for example, is sintered onto the metal plate 20 , so that the metal plate 20 forms a large-area underside contact for the semiconductor layer 2 and at the same time serves as a stabilizing support element.
Fig. 3 zeigt, wie mehrere Solarzellen gemäß Fig. 1 nebeneinander angeordnet zu einem Solarmodul verbunden sind. Wie ersichtlich, ist die in der Oberfolie 8 ausgebildete Leiterbahn 12 der linken Solarzelle mit der an der Unterfolie 10 ausgebildeten, der mittleren Solarzelle zugeordneten Leiterbahn 14 verbunden. Ganz ähnlich ist die der mittleren Solarzelle zugeordnete Leiterbahn 12 der Oberfolie 8 mit der der rechten Solarzelle zugeordneten Leiterbahn 14 der Unterfolie 10 verbunden. Die beiden Folien 8 und 10 sind in den Bereichen zwischen den Solarzellen miteinander verschweißt bzw. miteinander verbunden, so daß jeweils eine sichere Kontaktierung zwischen den Leiterbahnen erfolgt. Wie ersichtlich, ist auf diese Weise eine Reihenschaltung der Solarzellen gebildet, so daß sich deren Spannungen addieren. FIG. 3 shows how a plurality of solar cells according to FIG. 1 are arranged side by side to form a solar module. As can be seen, the conductor track 12 of the left solar cell formed in the top film 8 is connected to the conductor track 14 formed on the bottom film 10 and assigned to the middle solar cell. The conductor track 12 of the upper film 8 assigned to the middle solar cell is connected in a very similar manner to the conductor track 14 of the lower film 10 assigned to the right solar cell. The two foils 8 and 10 are welded or connected to one another in the areas between the solar cells, so that a reliable contact is made between the conductor tracks. As can be seen, a series connection of the solar cells is formed in this way, so that their voltages add up.
Die Ausführungsform des Solarmoduls gemäß Fig. 4 gleicht der der Fig. 3 mit dem einzigen Unterschied, daß die Halbleiterschichten 2 nicht unmittelbar von den Leiterbahnen 14 der Unterfolie kontaktiert werden, sondern auf Metallplättchen 20 aufgebracht sind, die eine großflächige Kontaktierung und eine mechanische Stabilisierung bilden.The embodiment of the solar module according to FIG. 4 is the same as that of FIG. 3 with the only difference that the semiconductor layers 2 are not contacted directly by the conductor tracks 14 of the lower film, but rather are applied to metal plates 20 which form large-area contacting and mechanical stabilization .
Durch geeignete Dimensionierung der Verbindungsbereiche zwischen den einzelnen Solarzellen, in denen die Folien miteinander verschweißt sind, können scharnierartige Verbindungsbereiche geschaffen werden, so daß die gesamten Module zusammenrollbar sind.By appropriate dimensioning of the connection areas between the individual solar cells in which the foils are welded together, hinge-like connection areas can be created so that the entire modules can be rolled up.
Fig. 5 zeigt eine Oberfolie 8 in Unteransicht. Gestrichelt dargestellt sind die einzelnen Halbleiterschichten 2 (Fig. 3 und 4) zugeordneten Bereiche 22. Wie ersichtlich, sind die Leiterbahnen 12 jeweils kammartig ausgebildet, wobei die Zinken 24 des Kamms sich über die Halbleiterschichten (Bereiche 22) erstrecken und die Basis 26 des Kamms sich einseitig über die Halbleiterschicht bzw. den Bereich 22 hinaus erstreckt. Fig. 5 shows a top film 8 in bottom view. The regions 22 assigned to the individual semiconductor layers 2 ( FIGS. 3 and 4) are shown in dashed lines. As can be seen, the conductor tracks 12 are each comb-shaped, the teeth 24 of the comb extending over the semiconductor layers (regions 22 ) and the base 26 of the comb extending on one side beyond the semiconductor layer or the region 22 .
Fig. 6 zeigt die Unterfolie 10 mit den Leiterbahnen 14, die jeweils den Bereichen 22 entsprechende rechteckige Felder bilden, sich jedoch mit Bereichen 28 nach links über das jeweilige Feld 22 bzw. die zugeordnete Halbleiterschicht hinaus erstrecken. Fig. 6 shows the bottom film 10 with the conductor tracks 14, which each form the regions 22 corresponding rectangular fields, however, extend to regions 28 to the left over the respective array 22 or the associated semiconductor layer also.
Durch sandwichartiges Anordnen der Halbleiterschichten 2 (mit oder ohne Metallplättchen 20) zwischen der Oberfolie 8 und der Unterfolie 10 wird die Anordnung gemäß Fig. 3 bzw. 4 erreicht. Die beiden Folien 8 und 10 werden mit den dazwischen aufgenommenen Halbleiterschichten 2 in einem geeigneten Werkzeug zusammengepreßt, wodurch eine elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnen 12 und 14 und den Halbleiterschichten 2 der einzelnen Solarzellen erfolgt und die Basen 26 der kammartigen Leiterbahnen 12 die überstehenden Bereiche 28 der Leiterbahnen 14 kontaktieren. Auf diese Weise ist eine Reihenschaltung zwischen den in Fig. 5 und 6 zeilenartig nebeneinander angeordneten Bereichen 22 erreicht, wobei die Zeilen einander parallel geschaltet sind. Es versteht sich, daß die Solarzellen gruppenweise in Reihe und parallel geschaltet werden können, entsprechend wie es den jeweiligen Anforderungen entspricht. Es ist keinerlei Verlötung erforderlich.The arrangement according to FIGS . 3 and 4 is achieved by sandwiching the semiconductor layers 2 (with or without metal platelets 20 ) between the upper film 8 and the lower film 10 . The two foils 8 and 10 are pressed together with the semiconductor layers 2 accommodated therebetween in a suitable tool, as a result of which an electrical connection is made between the conductor tracks 12 and 14 and the semiconductor layers 2 of the individual solar cells and the bases 26 of the comb-like conductor tracks 12 protrude the areas 28 of the Contact tracks 14 . In this way, a series connection is achieved between the regions 22 arranged next to one another in rows in FIGS. 5 and 6, the rows being connected in parallel with one another. It goes without saying that the solar cells can be connected in groups in series and in parallel, in accordance with the respective requirements. No soldering is required.
Insgesamt wird mit der Erfindung ein Weg aufgezeigt, Solarzellen und Solarmodule kostengünstig und industriell herzustellen.Overall, the invention shows a way, solar cells and Manufacture solar modules inexpensively and industrially.
Claims (15)
einer Halbleiterschicht (2), innerhalb der in Dickenrichtung eine p-n Sperrschicht vorhanden ist, wobei die zur Bestrahlung mit Licht vorgesehene Oberseite der Halbleiterschicht mit metallischen Streifenkontakten (4) und die Unterseite mit wenigstens einem metallischen Flächenkontakt (6) versehen ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Unterfolie (10) aus nichtleitendem Material mit einer Leiterbahn (14) zur Kontaktierung des metallischen Flächenkontaktes (6) versehen wird,
daß eine Oberfolie (8) mit einer Leiterbahn (12) zur Kontaktierung der metallischen Streifenkontakte (4) versehen wird,
daß die Halbleiterschicht (2) sandwichartig zwischen den Folien angeordnet wird und daß die Folien um die Halbleiterschicht herum miteinander verbunden werden, wobei ein elektrischer Anschluß der Halbleiterschicht an die Leiterbahnen erfolgt.1. A method of manufacturing a solar cell with
a semiconductor layer ( 2 ) within which there is a pn barrier layer, the upper side of the semiconductor layer intended for irradiation with light being provided with metallic strip contacts ( 4 ) and the lower side being provided with at least one metallic surface contact ( 6 ),
characterized in that
a bottom film ( 10 ) made of non-conductive material is provided with a conductor track ( 14 ) for contacting the metallic surface contact ( 6 ),
that an upper film ( 8 ) is provided with a conductor track ( 12 ) for contacting the metallic strip contacts ( 4 ),
that the semiconductor layer ( 2 ) is sandwiched between the foils and that the foils are connected to one another around the semiconductor layer, the semiconductor layer being electrically connected to the conductor tracks.
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Unterfolie (10) aus nichtleitendem Material mit einer Leiterbahn (14) zur Kontaktierung der metallischen Flächenkontakte versehen wird
daß eine Oberfolie (8) mit einer Leiterbahn (12) zur Kontaktierung der metallischen Streifenkontakte (4) versehen wird,
daß die Halbleiterschichten (2) sandwichartig zwischen den Folien angeordnet werden und die Folien um die Halbleiterschichten herum miteinander verbunden werden, wobei ein elektrischer Anschuß der Halbleiterschichten an die Leiterbahnen erfolgt.6. A method for producing a solar module composed of a plurality of solar cells, each solar cell having a semiconductor layer ( 2 ) within which there is a pn barrier layer in the thickness direction, the upper side of which is intended for irradiation with light and has metallic strip contacts ( 4 ) and the lower side with at least a metallic surface contact ( 6 ) is provided,
characterized in that
a bottom film ( 10 ) made of non-conductive material is provided with a conductor track ( 14 ) for contacting the metallic surface contacts
that an upper film ( 8 ) is provided with a conductor track ( 12 ) for contacting the metallic strip contacts ( 4 ),
that the semiconductor layers ( 2 ) are sandwiched between the foils and the foils are connected to one another around the semiconductor layers, the semiconductor layers being electrically connected to the conductor tracks.
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Unterfolie (10) aus nichtleitendem Material mit einer Leiterbahn (14) zur Kontaktierung des metallischen Flächenkontaktes (6) versehen ist,
daß eine Oberfolie (8) mit einer Leiterbahn (12) zur Kontaktierung der metallischen Streifenkontakte (4) versehen ist,
daß die Halbleiterschicht (2) sandwichartig zwischen den Folien aufgenommen ist und daß die Folien um die Halbleiterschicht herum miteinander verbunden sind, so daß ein elektrischer Anschluß der Halbleiterschicht an die Leiterbahnen erfolgt.12. Solar cell with a semiconductor layer ( 2 ) within which there is a pn barrier layer in the thickness direction, the upper side of the semiconductor layer intended for irradiation with light being provided with metallic strip contacts ( 4 ) and the underside with at least one metallic surface contact ( 6 ),
characterized in that
a bottom film ( 10 ) made of non-conductive material is provided with a conductor track ( 14 ) for contacting the metallic surface contact ( 6 ),
that an upper film ( 8 ) is provided with a conductor track ( 12 ) for contacting the metallic strip contacts ( 4 ),
that the semiconductor layer ( 2 ) is sandwiched between the foils and that the foils are connected to one another around the semiconductor layer, so that the semiconductor layer is electrically connected to the conductor tracks.
dadurch gekennzeichnet, daß
eine Unterfolie (10) aus nichtleitendem Material mit einer Leiterbahn (14) zur Kontaktierung der metallischen Flächenkontakte (4) versehen ist,
daß eine Oberfolie (8) mit einer Leiterbahn (12) zur Kontaktierung der metallischen Streifenkontakte (4) versehen ist,
daß die Halbleiterschichten (2) sandwichartig zwischen den Folien angeordnet sind und die Folien um die Halbleiterschichten herum miteinander verbunden sind, so daß ein elektrischer Anschluß der Halbleiterschichten an die Leiterbahnen erfolgt.13. A solar module composed of a plurality of solar cells, in which each solar cell has a semiconductor layer ( 2 ) within which a pn barrier layer is present in the thickness direction, the upper side of which is intended for irradiation with light and has metallic strip contacts ( 4 ) and the lower side with at least one metallic surface contact ( 18 ) is provided,
characterized in that
a bottom film ( 10 ) made of non-conductive material is provided with a conductor track ( 14 ) for contacting the metallic surface contacts ( 4 ),
that an upper film ( 8 ) is provided with a conductor track ( 12 ) for contacting the metallic strip contacts ( 4 ),
that the semiconductor layers ( 2 ) are sandwiched between the foils and the foils are connected to one another around the semiconductor layers, so that the semiconductor layers are electrically connected to the conductor tracks.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19652810A DE19652810A1 (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Solar cell with p=n barrier type semiconductor layer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19652810A DE19652810A1 (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Solar cell with p=n barrier type semiconductor layer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19652810A1 true DE19652810A1 (en) | 1998-07-02 |
Family
ID=7815229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19652810A Withdrawn DE19652810A1 (en) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | Solar cell with p=n barrier type semiconductor layer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE19652810A1 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10021531C1 (en) * | 2000-05-03 | 2001-12-06 | Zsw | Electrical thin-film component e.g. photovoltaic module has connection points between conductor path terminal regions and external terminal elements embedded between carrier layer and encapsulation layer |
| EP2519453A2 (en) * | 2009-12-28 | 2012-11-07 | Global Solar Energy, Inc. | Integrated thin film solar cell interconnection |
| US9362433B2 (en) | 2013-01-28 | 2016-06-07 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Photovoltaic interconnect systems, devices, and methods |
| US9385254B2 (en) | 2012-04-17 | 2016-07-05 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Integrated thin film solar cell interconnection |
| WO2019078770A1 (en) | 2017-10-16 | 2019-04-25 | Jb Ecotech Ab | Tape for interconnecting single solar cells into solar cell modules |
| DE102018120248A1 (en) * | 2018-08-20 | 2020-02-20 | EnBW Energie Baden-Württemberg AG | Process for the interconnection of solar cells, associated solar cell string and associated solar module |
| WO2021096412A1 (en) | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Sticky Solar Power Ab | Method to interconnecting strings of solar cells into solar cell modules |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3235493A1 (en) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Interconnection for solar cells |
| DE3423172A1 (en) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR BATTERY |
| DE4018013A1 (en) * | 1990-06-05 | 1991-12-12 | Siemens Ag | Solar cell contact prodn. giving tight fit - by sealing transparent plastics film between transparent conductive oxide and wire mesh |
-
1996
- 1996-12-18 DE DE19652810A patent/DE19652810A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3235493A1 (en) * | 1982-09-24 | 1984-03-29 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Interconnection for solar cells |
| DE3423172A1 (en) * | 1983-06-22 | 1985-01-10 | Hitachi, Ltd., Tokio/Tokyo | METHOD FOR PRODUCING A SOLAR BATTERY |
| DE4018013A1 (en) * | 1990-06-05 | 1991-12-12 | Siemens Ag | Solar cell contact prodn. giving tight fit - by sealing transparent plastics film between transparent conductive oxide and wire mesh |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10021531C1 (en) * | 2000-05-03 | 2001-12-06 | Zsw | Electrical thin-film component e.g. photovoltaic module has connection points between conductor path terminal regions and external terminal elements embedded between carrier layer and encapsulation layer |
| US8993364B2 (en) | 2009-02-02 | 2015-03-31 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Integrated thin film solar cell interconnection |
| US9236513B2 (en) | 2009-02-02 | 2016-01-12 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Integrated thin film solar cell interconnection |
| US9385255B2 (en) | 2009-02-02 | 2016-07-05 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Integrated thin film solar cell interconnection |
| EP2519453A2 (en) * | 2009-12-28 | 2012-11-07 | Global Solar Energy, Inc. | Integrated thin film solar cell interconnection |
| EP2519453A4 (en) * | 2009-12-28 | 2014-10-15 | Hanergy Hi Tech Power Hk Ltd | Integrated thin film solar cell interconnection |
| US9385254B2 (en) | 2012-04-17 | 2016-07-05 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Integrated thin film solar cell interconnection |
| US9362433B2 (en) | 2013-01-28 | 2016-06-07 | Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited | Photovoltaic interconnect systems, devices, and methods |
| WO2019078770A1 (en) | 2017-10-16 | 2019-04-25 | Jb Ecotech Ab | Tape for interconnecting single solar cells into solar cell modules |
| DE102018120248A1 (en) * | 2018-08-20 | 2020-02-20 | EnBW Energie Baden-Württemberg AG | Process for the interconnection of solar cells, associated solar cell string and associated solar module |
| WO2021096412A1 (en) | 2019-11-14 | 2021-05-20 | Sticky Solar Power Ab | Method to interconnecting strings of solar cells into solar cell modules |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE10239845C1 (en) | Electrode for photovoltaic cells, photovoltaic cell and photovoltaic module | |
| DE10121895B4 (en) | Solar cell module and method of manufacture | |
| DE3303312A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING IMPROVED PHOTOCELL COMPONENTS AND SOLAR CELL | |
| DE102009002823A1 (en) | Solar cell, this solar cell comprehensive solar module and method for their preparation and for producing a contact foil | |
| DE3520423C2 (en) | ||
| DE4000089A1 (en) | Solar cell with two semiconductor layers - has coupling electrode on main surface of first semiconductor layer, insulated from second one | |
| DE102007035883A1 (en) | Solar module, has rear contact solar cells arranged at distance along translation direction, where contact surface is not overlapped with another contact surface when former surface is shifted to distance in translation direction | |
| WO2007128342A1 (en) | Solar cell module and procedure for the manufacture of solar cell modules | |
| DE19652810A1 (en) | Solar cell with p=n barrier type semiconductor layer | |
| EP4233097A1 (en) | Solar cell module | |
| DE4201571C2 (en) | Method for producing a solar cell that is partially transparent to light and a corresponding solar module | |
| EP0351531A2 (en) | Electronic module | |
| WO2009010052A2 (en) | Module, and method for the production thereof | |
| DE3415672C2 (en) | ||
| DE3529341A1 (en) | Solar cell module | |
| DE3622223A1 (en) | Method for producing an electronic network module | |
| DE102019004013A1 (en) | Process for producing a textile-adapted energy converter and device for carrying out the process | |
| DE2758851A1 (en) | CONTROL DEVICE FOR A SWITCHING ARRANGEMENT AND SWITCHING MATRIX USING THIS CONTROL DEVICE | |
| WO2012171680A2 (en) | Solar cell module and a method for producing same | |
| DE19814780A1 (en) | Photovoltaic solar module | |
| DE3328899A1 (en) | Method of producing an electrically conducting front contact for photovoltaic cells | |
| DE102011110799A1 (en) | Substrate for the construction of electronic elements | |
| EP0614601A1 (en) | Method of manufacturing circuit boards | |
| DE102020203510A1 (en) | Thin film solar module and manufacturing process | |
| DE102011088476A1 (en) | Solar module and method for producing such |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |