DE19648066C2 - Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für Halbleiterwafer - Google Patents
Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für HalbleiterwaferInfo
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 107
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title claims description 96
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 71
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 43
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 13
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 10
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 101100400998 Caenorhabditis elegans mel-26 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 210000001217 buttock Anatomy 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000009828 non-uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine chemisch-
mechanische Poliervorrichtung für einen Halbleiterwafer bzw.
eine Halbleiterscheibe und insbesondere auf eine chemisch-
mechanische Poliervorrichtung, die die Oberfläche des Halblei
terwafers gleichmäßig zu polieren und den Polierzustand bzw. -
abtrag zu steuern vermag indem ein oder mehrere Rotationstrom
meln bzw. -walzen, die jeweils in ein Poliertuch eingewickelt
und auf der Oberseite einer Aufnahmeeinrichtung betätigbar sind, vor
gesehen und mit Trägern, die die Rotationstrommeln anzuheben
und abzusenken vermögen, verbunden werden.
Entsprechend der Tendenz zu höherer Integration von Halbleiter
bauelementen wird ein Halbleiterbauelement hergestellt, indem
zahlreiche Schichten auf einem begrenzten Bereich eines Halb
leitersubstrates gestapelt werden. Um die Oberfläche eines so
hergestellten hochintegrierten Halbleiterbauelementes planar zu
gestalten, wird eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung
(CMP-Vorrichtung) verwendet. Das heißt, die CMP-Vorrichtung
dient nicht nur zur Planarisierung des Halbleitersubstrates,
sondern auch für eine globale Planarisierung eines hochinte
grierten Musters auf dem Halbleitersubstrat.
Anhand der Fig. 1A und 1B soll im folgenden zunächst eine her
kömmliche CMP-Vorrichtung gemäß US 5,232,875 in Einzelheiten
erläutert werden.
Ein Polierkissen (Polierteller) 10 hat eine planare Oberseite 11, an deren
Rand eine vertikale Sperrwand 13 vorgesehen ist. Auf der plana
ren Oberseite des Polierkissens 10 befindet sich ein Poliertuch
12 mit einer vorbestimmten Dicke und einer Vielzahl von Löchern
18, und es wird durch die Sperrwand 13 geschützt. Das Polier
kissen 10 ist mit einer Antriebsanordnung 14 verbunden, und ei
ne Aufschlämmung 5 ist von einer (nicht gezeigten) Aufschläm
mungszufuhr auf das Poliertuch 12 gespeist.
Ein Träger 1 hält einen auf seiner Unterseite zu polierenden
Halbleiterwafer 2 nach unten, und ein Stützkissen 3 ist zwi
schen den so gehaltenen Halbleiterwafer 2 und die planare Un
terseite 4 des Trägers 1 eingefügt. Der Träger 1 liegt über dem
Poliertuch 12 auf dem Polierkissen 10. Ein elastisches oder fe
derndes Polster 17 umgibt die Innenseite der Sperrwand 13 und
entspricht elastischen oder federnden Höckern 16, die an beiden
Seiten des Trägers 1 ausgebildet sind.
Wenn beim Polieren die Aufschlämmung 5 auf die Oberseite 12 des
Polierkissens 10 zugeführt wird, bedeckt die Aufschlämmung 5
kleine Löcher 18 des Poliertuches 12. Das Polierkissen 10 wird
durch die Rotationskraft der Antriebsanordnung 14 in Drehung
versetzt, und der Träger 1, an dessen Unterseite der Halblei
terwafer 2 angebracht ist, führt verschiedene Bewegungen auf
dem Polierkissen 10 aus, wie beispielsweise eine Rückwärts- und
Vorwärtsbewegung, eine Drehbewegung oder eine Bewegung in be
liebiger Richtung. Gemäß diesen Bewegungen wird die Aufschläm
mung 5 auf den Halbleiterwafer 2 und das Poliertuch 12 ge
schichtet, und durch Abrieb wird die Oberfläche des Halbleiter
wafers 2 poliert.
Die herkömmliche CMP-Vorrichtung zeigt jedoch das Problem, daß
der Polierzustand bzw. -abtrag des Halbleiterwafers während des
Polierens nicht gemessen werden kann.
Da zusätzlich der Wafer lediglich durch die Drehung des Polier
kissens mit dem auf das Poliertuch gebrachten Träger poliert
wird, kann der Polierzustand bzw. -abtrag des Halbleiterwafers
nicht gesteuert werden. Außerdem können nicht mehrere Wafer
gleichzeitig poliert werden.
Anhand der Fig. 2A und 2B soll im folgenden ein anderes Bei
spiel einer herkömmlichen CMP-Vorrichtung gemäß der ungeprüften
japanischen Patentveröffentlichung 7-66160 A erläutert werden.
Ein Halbleiterwafer A ist über einen Vakuumanschluß 34 auf einer Absorbierrolle 20 festge
legt, die in einer Aussparung 24a der Oberseite eines Substrat-Aufnahmeeinrichtung
24 angeordnet ist, welche um die Achse 22 rotiert.
Die Mantelfläche einer Rotationstrommel 26 berührt den Halblei
terwafer A, radial durchdringende Löcher 40 sind auf der Man
telfläche der Rotationstrommel 26 gebildet, und ein Poliertuch
38 ist um die Mantelfläche gewickelt. Wenn die Rotationstrommel
26 die Oberseite des Wafers A berührt, kann die Rotationstrom
mel 26 vorwärts und rückwärts durch einen Träger 28 bewegt wer
den, der an beiden Enden der Rotationstrommel 26 angebracht
ist.
Während des Polierens wird eine Aufschlämmung zu der Rotation
strommel 26 über einen Aufschlämmungszufuhrschlauch 36 gespeist
und dann auf das Poliertuch 38 über die durchdringenden Löcher
40 geschichtet. Sodann wird Reibung zwischen dem Poliertuch 38
und der Oberfläche des Halbleiterwafers A erzeugt, so daß der
Polierbetrieb fortschreitet.
Jedoch kann die CMP-Vorrichtung lediglich einen Teil des Po
lierzustandes bzw. -abtrages messen, und da der Halbleiterwafer
lediglich rotiert, kann während des Polierens ein Unterschied
im Polierzustand bzw. -abtrag hervorgerufen werden, der zwi
schen dem mittleren Teil und dem Randteil des Wafers verursacht
ist, und das Polieren wird aufgrund der Differenz in der Kraft
ungleichmäßig durchgeführt, die verursacht wird, wenn die Rota
tionstrommel eine Vorwärts-Rückwärts-Bewegung ausführt. Da zu
sätzlich jeder Halbleiterwafer nacheinander poliert wird, ist
die Produktivität niedrig, und es ist unmöglich, eine Massen
produktion zu erzielen.
Eine Poliervorrichtung zur gleichzeitigen Bearbeitung von meh
reren Halbleiterwafern wird in DE 43 92 793 T1 beschrieben. Die
Vorrichtung weist einzelne Poliereinheiten auf, die Waferträger
und Polierarme umfassen. Die Waferträger fixieren die Wafer mit
Unterdruck an einer unteren ebenen Fläche, so daß die zu polie
renden Waferoberflächen ebenfalls nach unten zeigen. Die ein
zelnen Waferträger werden von den entsprechenden Polierarmen
über der Oberfläche eines Polierkissens auf einem Kreisbogen
hin- und herbewegt. Die Polierarme ermöglichen zusätzlich eine
vertikale Bewegung der Waferträger, wodurch die zu bearbeiten
den Waferoberflächen in Richtung des Polierkissens bewegt und
der Druck der Wafer auf das Polierkissens variiert werden kann.
Auf diese Weise kann mit dieser Poliervorrichtung ein gesteuer
ter Poliervorgang durchgeführt werden. Aufgrund der Komplexität
der hierfür notwendigen technischen Einrichtungen, insbesondere
der mechanischen und hydraulischen Komponenten der einzelnen
Polierarme und Waferträger, sowie der damit verbundenen Steuer
ung ist die Bereitstellung, der Betrieb und die Wartung der
hier beschriebenen Vorrichtung aufwendig und teuer. Des weite
ren kann diese Komplexität zu einer erhöhten Anzahl von Störun
gen während des Betriebes führen. Zusätzlich kann die Art des
Poliervorganges zu einem ungleichmäßigen Polieren führen, da
das Hin- und Herbewegen der Polierarme über dem Polierkissen
Schwankungen des auf die zu polierenden Oberflächen der Wafer
einwirkenden Drucks verursacht. Dieses Bewegungsmuster der Po
lierarme kann auch zu einer uneinheitlichen Verteilung der ver
wendeten Aufschlämmung oder einer Ansammlung einer grobkörnigen
Mischung der Aufschlämmung und des Abriebs von den Waferober
flächen führen, wodurch ebenfalls ein schlechteres Polierergeb
nis verursacht wird. Eine Einrichtung zur Entfernung überflüs
siger Aufschlämmung ist hier nicht vorgesehen. Des weiteren ist
ein gleichzeitiges Zuführen unterschiedlicher Aufschlämmungen
sowie die Verwendung eines Polierkissens, dessen Oberfläche Be
reiche unterschiedlicher Oberflächenbeschaffenheit aufweist,
nicht beschrieben.
Um ein möglichst gleichmäßiges Polieren zu ermöglichen, wird in
EP 0 439 124 A2 ein spezielles rotierendes Polierkissen be
schrieben, dessen kreisförmige Polierfläche Lücken aufweist.
Die Dichte der Lücken ist abhängig vom radialen Abstand zur
Mitte des Polierkissens, wobei mit zunehmendem Abstand auch die
Dichte der Lücken größer wird. Auf diese Weise wird bei einem
Poliervorgang, bei dem die kreisförmige Polierfläche des Po
lierkissens mittig auf die kreisförmige zu polierende Oberflä
che eines Wafers aufgesetzt wird, ein konstanter radiusunabhän
giger Kontakt zwischen Polierfläche und Waferoberfläche er
zeugt. Dadurch soll ein gleichmäßiger Abrieb auf der Waferober
fläche gewährleistet werden. Hierfür ist aber eine exakte Posi
tionierung des Polierkissens über dem Wafer notwendig. Dagegen
führt eine ungenaue Positionierung des Polierkissens zu einem
sehr ungleichmäßigen Polierergebnis auf der Waferoberfläche.
Des weiteren kann diese uneinheitliche Oberflächenbeschaffen
heit des Polierkissens eine ungleichmäßige Verteilung einer
Aufschlämmung verursachen, wodurch das Polieren der Waferober
flächen beeinträchtigt wird.
Eine andere Lösung für dieses Problem ist in DE 195 40 626 A1
zu finden. Hier wird die Waferoberfläche mit einer zylinderför
migen rotierenden Poliertrommel poliert, wobei die beschriebene
Poliervorrichtung eine beliebige Bewegung der Oberfläche des
Wafers parallel zur Trommel ermöglicht. In Verbindung mit einer
Kontrolle und Steuerung des Anpressdrucks der Trommel auf die
Waferoberfläche soll ein gleichmäßiges Polieren, insbesondere
in den Randbereichen des Wafers, ermöglicht werden. Allerdings
ist eine Einrichtung zur Entfernung der für den Poliervorgang
notwendigen Aufschlämmung nicht vorgesehen, weshalb auch hier
eine ungleichmäßige Verteilung der Aufschlämmung entstehen oder
eine grobkörnige Mischung der Aufschlämmung und des Abriebes
von der Waferoberfläche sich ansammeln kann. Dies kann zu einem
ungleichmäßigen Polieren des Wafers führen. Des weiteren ist
ein gleichzeitiges Polieren mehrerer Halbleiterwafer hier nicht
vorgesehen.
Eine Vorrichtung zur Vermeidung von Deformationen der Oberflä
che von Halbleiterwafern bei deren Polierung ist in JP 7-58 066 A
(Abstract) beschrieben. Die Vorrichtung umfaßt eine Trageein
richtung, deren Oberfläche Vertiefungen aufweist, um die ein
zelnen Wafer aufzunehmen. In der Trageeinrichtung können sich
die Wafer mit ihren Randbereichen gegen die Ränder dieser Ver
tiefungen abstützen, wenn sie unter Druck poliert werden. Da
durch sollen Deformationen, die durch Druck- oder Spannungs
überhöhungen in den Randbereichen des Wafers entstehen können,
vermieden werden. Einrichtungen zur Messung und/oder Steuerung
der Polierung sowie Aufschlämmungseinrichtungen sind in Verbin
dung mit dieser Vorrichtung nicht beschrieben.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine CMP-
Vorrichtung für Halbleiterwafer vorzusehen, die gleichzeitig
die Oberflächen einer Vielzahl von Halbleiterwafern polieren
kann, wobei der Polierzustand bzw. -abtrag während des Polie
rens gemessen und gesteuert werden kann. Außerdem soll die CMP-
Vorrichtung Schwankungen des auf zu polierende Halbleiterwafer
einwirkenden Drucks vermeiden, die ein ungleichmäßiges Polieren
der Oberflächen der Halbleiterwafer verursachen. Des weiteren
soll die CMP-Vorrichtung eine Optimierung des Polierens durch
eine zeitgleiche Verwendung unterschiedlicher Aufschlämmungen
und/oder eine zeitgleiche Verwendung von Poliereinrichtungen,
die unterschiedliche Poliereigenschaften aufweisen, ermögli
chen. Zusätzlich soll die CMP-Vorrichtung eine gleichmäßige
Verteilung der Aufschlämmung auf den Halbleiterwafern sowie ei
ne einfache Entfernung des polierten Materials erlauben.
Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die vorliegende Erfindung eine
chemisch-mechanische Poliervorrichtung mit den Merkmalen des
Patentanspruchs 1 vor.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den
Unteransprüchen.
Eine erfindungsgemäße CMP-Vorrichtung für einen Halbleiterwafer
hat also eine drehbare Aufnahmeeinrichtung, in deren planarer Ober
seite eine Vielzahl von Aussparungen ausgebildet ist, um je
weils darin einen Halbleiterwafer zu halten, eine Vielzahl von
Rotationstrommel-Poliereinheiten, die auf der Aufnahmeeinrichtung an
geordnet werden können, um die Oberfläche der Halbleiterwafer
planar zu gestalten, einen Träger, der mit den Enden jeder Ro
tationstrommel verbunden ist, um die Rotationstrommel anzuheben
und abzusenken, und einen Aufschlämmungs-Applikator, der über
jeder Rotationstrommel gelegen ist, um dort eine Aufschlämmung
aufzutragen.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin
dung kann das Oberteil der Aufnahmeeinrichtung so gebildet werden,
daß es eine abgestufte Oberfläche aufweist, die zum Mittenteil
hin ansteigt. Beim Polieren fallen von den Halbleiterwafern er
zeugte Überbleibsel die abgestufte Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung
herunter, und demgemäß werden die Überbleibsel bzw. der Abtrag
leicht entfernt, was dazu führt, daß ein reiner Halbleiterwafer
erhalten wird.
Die Erfindung schafft also eine chemisch-mechanische Poliervor
richtung für einen Halbleiterwafer, die die Oberfläche des
Halbleiterwafers polieren und den Polierzustand
bzw. -abtrag steuern kann, indem mehrere Rotationstrommeln, de
ren jede, in ein Poliertuch eingewickelt ist, auf der Oberseite
einer Aufnahmeeinrichtung vorgesehen und mit Trägern, die eine Verti
kalbewegung auszuführen vermögen, an beiden Enden jeder Rotati
onstrommel verbunden werden. Die Vorrichtung hat eine drehbare
Aufnahmeeinrichtung, in deren planarer Oberseite eine Vielzahl von
Aussparungen ausgebildet ist, um jeweils einen Halbleiterwafer aufzu
nehmen, eine Vielzahl von drehbaren Poliereinheiten, die auf
der Aufnahmeeinrichtung gelegen sind, um die Oberfläche der Halblei
terwafer planar zu gestalten, einen Träger, der an den Endpunk
ten der umlaufenden Poliereinheiten, die eine Vertikalbewegung
ausführen können, angeschlossen ist, und einen Aufschlämmungs-
Applikator, der über den umlaufenden Poliereinheiten gelegen
ist, um darauf eine Aufschlämmung aufzutragen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher er
läutert. Es zeigen:
Fig. 1A und 1B Darstellungen eines Ausführungsbeispiels einer
herkömmlichen CMP-Vorrichtung,
Fig. 2A und 2B Darstellungen einer anderen herkömmlichen CMP-Vorrichtung,
Fig. 3A und 3B eine Draufsicht bzw. einen Schnitt längs einer
Linie a-a' einer CMP-Vorrichtung für einen Halbleiterwafer
gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung und
Fig. 4 eine Schnittdarstellung einer CMP-Vorrichtung für einen
Halbleiterwafer gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung.
Wie in den Fig. 3A und 3B gezeigt ist, werden in der Oberseite
einer Aufnahmeeinrichtung 102 mehrere kreisförmige Aussparungen 102a
gebildet, um jeweils darin einen Halbleiterwafer 2 aufzunehmen,
und auf einem Mittenteil einer Unterseite hiervon ist vertikal
integriert eine Antriebswelle 108 vorgesehen, die einen hohlen
mittleren Teil hat und mit einem in der Aufnahmeeinrichtung ausgebil
deten zentralen Loch 102b in Verbindung steht.
Über der Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung 102 sind mehrere Polier
einheiten 110 (in der Zeichnung drei Poliereinheiten) angeord
net, die jeweils eine Rotationstrommel 101 umfassen. Die Rota
tionstrommeln 101 sind durch Poliertücher 103a, 103b und 103c
umwickelt. Die Rotationstrommeln 101 haben jeweils eine ent
sprechende Rotationsachse 104 und ein Ende jeder Rotationsachse
104 ist drehbar mit einem Träger 106 verbunden, der mit einem
Kugellager 106a ausgerüstet ist, und das andere Ende hiervon
ist ebenfalls drehbar mit einem Träger 106' verbunden, der ein
Kugellager enthält und in dem zentralen Teil der Aufnahmeeinrichtung
102 angeordnet ist. Die seitliche Länge der Rotationstrommel
101 ist ausreichend, um genügend den Durchmesser des Halbleiterwafers
2 zu bedecken. An einer Seite der Rotationsachse 104
jeder Rotationstrommel ist ein Antriebsmotor 104a angeschlos
sen, der die Rotationsachse 104 entsprechend extern zugeführter
elektrischer, Energie bzw. Leistung zu drehen vermag.
Oberhalb jeder Rotationstrommel 101 ist ein Aufschlämmungs-
Applikator 105a gelegen, der einen Aufschlämmungs-Applikator-
Auslaß 107a so lang wie der Durchmesser des in den Aussparungen
102a auf der Aufnahmeeinrichtung 102 angeordneten Halbleiterwafers 2
hat. Der Aufschlämmungs-Applikator 105a speist einen Schauer an
Aufschlämmung 107 zu der Rotationstrommel 101 über den Auf
schlämmungs-Applikator-Auslaß 107a. Zwei weitere Aufschläm
mungs-Applikatoren 105a und 105b führen die gleiche Funktion
aus.
Das Ende der Rotationstrommel 101 kann von den Trägern 106,
106' getrennt sein, indem die mit den Trägern 106, 106' verbun
denen Rotationsachsen 104 getrennt werden.
Wenn während des Polierens die Aufschlämmung 107 zu der Rotati
onstrommel 101 jeder Poliereinheit 110 über den Aufschlämmungs-
Applikator-Auslaß 107a gespeist wird und die Poliertücher 103a,
103b, 103c beschichtet, wird die Aufnahmeeinrichtung 102 mit der Viel
zahl von in dessen Aussparungen 102a angeordneten Halbleiterwa
fern 2 durch die Rotationskraft der Antriebswelle 108 gedreht,
und demgemäß beginnen die Halbleiterwafer 2 sich weiter zu drehen. Dann
werden die Oberflächen der Halbleiterwafer 2 durch die Polier
tücher 103a, 103b, 103c, die die Rotationstrommeln umhüllen,
auf denen die Aufschlämmung 107 geschichtet ist, berührt und
dadurch poliert.
Zusätzlich kann der Polierzustand bzw. -abtrag der Waferober
fläche gesteuert werden, während jede Rotationstrommel 101 den
auf die Oberfläche des Halbleiterwafers 2 einwirkenden Druck
steigern oder vermindern kann, indem eine Vertikalbewegung der
Träger 106, 106' vorgenommen wird.
Da der Halbleiterwafer 2 mittels der Aufnahmeeinrichtung 102 weitergedreht und
poliert wird, kann die Oberfläche des Halbleiterwafers 2, der
durch die Oberfläche der Rotationstrommel 101 kontaktiert ist,
unvoreingenommen poliert werden. Außerdem wird
das Polieren unter der Bedingung ausgeführt, daß die Aufschläm
mung gleichmäßig auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterwa
fers 2 ausgebreitet ist, und das polierte Material wird einfach
von der Aufnahmeeinrichtung 102 nach außen entfernt.
Bei dem oben beschriebenen Polierablauf kann ein anderer Po
lierprozeß ausgeführt werden, indem andere Poliertücher 103a,
103b, 103c auf jeder Rotationstrommel verwendet werden und eine
andere Art einer Aufschlämmung zugeführt wird.
Fig. 4 ist eine Schnittdarstellung, die eine CMP-Vorrichtung für
einen Halbleiterwafer gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel
der vorliegenden Erfindung zeigt. Der Oberseitenteil der Aufnahmeeinrichtung
109 ist so gebildet, daß er eine schräge oder abge
stufte Oberfläche 109a hat, die aufwärts zu dem Mittenteil der Aufnahmeeinrichtung
109 geneigt ist.
Während des Polierens läuft das durch den Halbleiterwafer 2 er
zeugte Abriebmaterial längs der schrägen oder abgestuften Ober
fläche 109a der Aufnahmeeinrichtung 109 nach unten und wird leicht
entfernt, was zu der Erzielung eines reineren Halbleiterwafers
führt.
Die Rotationstrommel 101 hat eine kegelförmige Gestalt, wobei
beide Enden verschiedene Durchmesser aufweisen, sie kann jedoch
auch in einer zylindrischen Walzengestalt mit einem gleichmäßi
gen Durchmesser hergestellt werden. Die Rotationstrommel 101
kann von den Trägern 106, 106' getrennt sein, indem die Rotati
onsachse 104, die mit den Trägern 106, 106' verbunden ist, ab
getrennt wird.
Wie oben erläutert ist, hat die erfindungsgemäße CMP-Vorrich
tung für einen Halbleiterwafer den Vorteil, daß der Polierzu
stand bzw. -abtrag des Halbleiterwafers während des Polierens
gemessen und gesteuert werden kann, und die Oberfläche des
Halbleiterwafers kann poliert werden, da die Ober
fläche des Halbleiterwafers von der Oberfläche der Rotation
strommel berührt wird.
Da zusätzlich eine geforderte Menge an Aufschlämmung über den
Aufschlämmungs-Applikator als ein Schauer zugeführt ist, kann
der Verbrauch an Aufschlämmung reduziert werden.
Da weiterhin mehrere Halbleiterwafer gleichzeitig poliert wer
den können, kann die Produktivität in großem Ausmaß gesteigert
werden, und der Polierzustand oder -abtrag der Halbleiterwafer
kann gemessen und gesteuert werden.
Claims (8)
1. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für Halbleiterwa
fer, mit:
einer Aufnahmeeinrichtung (102) zur Aufnahme der Halbleiter wafer (2), und
einer Vielzahl von Poliereinheiten (110), die über einer Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) angeordnet sind, wobei jede Poliereinrichtung (110) eine um ihre Längsachse drehbare Rotationstrommel (101) umfaßt, um die Oberflächen der Halblei terwafer (2) zu polieren, wobei die Rotationstrommel (101) eine Länge aufweist, die wenigstens einem Durchmesser des Halblei terwafers (2) entspricht, wobei
jede der Poliereinrichtungen (110) mit einer vertikal ver fahrbaren Trägereinrichtung (106, 106') verbunden ist, um den Polierabtrag der Halbleiterwaferoberflächen zu steuern, indem der Druck der Rotationstrommel (101) auf zu polierende Oberflä chen der Halbleiterwafer (2) durch eine Vertikalbewegung der Trägereinrichtung (106, 106') variiert wird, und
jeder der Poliereinheiten (110) ein Aufschlämmungs-Applikator (105a, 107a) zugeordnet ist, um den Rotationstrommeln eine Auf schlämmung (107) zuführen,
die Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) dazu geeignet ist, mehrere Halbleiterwafer (102a) gleichzeitig so aufzuneh men, daß die zu polierenden Oberflächen der Halbleiterwafer (2) poliert werden, und
die Aufnahmeeinrichtung (102) relativ zu den Poliereinrich tungen (101) um eine zur Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) vertikale Mittelachse drehbar ist, um die gesamte zu po lierende Oberfläche jedes Halbleiterwafers (2) durch Kontakt mit wenigstens einer der Rotationstrommeln (101) zu polieren, und die vertikale Mittelachse nicht durch einen der zu polie renden Halbleiterwafer (2) verläuft.
einer Aufnahmeeinrichtung (102) zur Aufnahme der Halbleiter wafer (2), und
einer Vielzahl von Poliereinheiten (110), die über einer Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) angeordnet sind, wobei jede Poliereinrichtung (110) eine um ihre Längsachse drehbare Rotationstrommel (101) umfaßt, um die Oberflächen der Halblei terwafer (2) zu polieren, wobei die Rotationstrommel (101) eine Länge aufweist, die wenigstens einem Durchmesser des Halblei terwafers (2) entspricht, wobei
jede der Poliereinrichtungen (110) mit einer vertikal ver fahrbaren Trägereinrichtung (106, 106') verbunden ist, um den Polierabtrag der Halbleiterwaferoberflächen zu steuern, indem der Druck der Rotationstrommel (101) auf zu polierende Oberflä chen der Halbleiterwafer (2) durch eine Vertikalbewegung der Trägereinrichtung (106, 106') variiert wird, und
jeder der Poliereinheiten (110) ein Aufschlämmungs-Applikator (105a, 107a) zugeordnet ist, um den Rotationstrommeln eine Auf schlämmung (107) zuführen,
die Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) dazu geeignet ist, mehrere Halbleiterwafer (102a) gleichzeitig so aufzuneh men, daß die zu polierenden Oberflächen der Halbleiterwafer (2) poliert werden, und
die Aufnahmeeinrichtung (102) relativ zu den Poliereinrich tungen (101) um eine zur Oberfläche der Aufnahmeeinrichtung (102) vertikale Mittelachse drehbar ist, um die gesamte zu po lierende Oberfläche jedes Halbleiterwafers (2) durch Kontakt mit wenigstens einer der Rotationstrommeln (101) zu polieren, und die vertikale Mittelachse nicht durch einen der zu polie renden Halbleiterwafer (2) verläuft.
2. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach Anspruch 1, bei der
in der Oberfläche der Aufnahmenein
richtung (102) mehrere Aussparungen ausgebildet sind, um darin
jeweils einen Halbleiterwafer (2) aufzunehmen.
3. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An
sprüche 1 oder 2, wobei wenigstens einer
der Aufschlämmungs-Applikatoren (105a, 107a) einen Auslaß
(107a) aufweist, der mindestens dem Durchmesser des Halbleiter
wafers (2) entspricht.
4. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An
sprüche 1 bis 3, wobei die Rotationstrom
mel (101) aufweist:
eine äußere Mantelfläche (103a, 103b, 103c), die dazu geeig net ist, die Aufschlämmung (107) so aufzunehmen, daß die Halb leiterwafer durch die Rotationstrommel poliert werden,
eine Rotationsachse (104), die mit einem Mittenteil der Rota tionstrommel (101) verbunden ist, und
einen mit einem Ende der Rotationsachse (104) verbundenen An triebsmotor (104a).
eine äußere Mantelfläche (103a, 103b, 103c), die dazu geeig net ist, die Aufschlämmung (107) so aufzunehmen, daß die Halb leiterwafer durch die Rotationstrommel poliert werden,
eine Rotationsachse (104), die mit einem Mittenteil der Rota tionstrommel (101) verbunden ist, und
einen mit einem Ende der Rotationsachse (104) verbundenen An triebsmotor (104a).
5. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An
sprüche 1 bis 4, bei der die Rotationstrom
mel (101) konisch gestaltet ist.
6. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An
sprüche 1 bis 5, wobei wenigstens einer
der Aufschlämmungs-Applikatoren (105a, 107a) eine unterschied
liche Art an Aufschlämmung (107) zuführen kann.
7. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An
sprüche 1 bis 6, bei der wenigstens einer
der Aufschlämmungs-Applikatoren (105a, 107a) einen Auslaß (107)
hat, der länger als der Durchmesser des Halbleiterwafers (2)
ist.
8. Chemisch-mechanische Poliervorrichtung nach einem der An
sprüche 1 bis 7, wobei die Oberfläche der
Aufnahmeeinrichtung (102) so gestaltet ist, daß sie eine schrä
ge oder abgestufte Oberfläche aufweist, die zu ihrem Mittenteil
hin ansteigt (vergl. Fig. 4).
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019960027605A KR100202659B1 (ko) | 1996-07-09 | 1996-07-09 | 반도체웨이퍼의 기계화학적 연마장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19648066A1 DE19648066A1 (de) | 1998-01-22 |
DE19648066C2 true DE19648066C2 (de) | 2002-01-31 |
Family
ID=19465756
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19648066A Expired - Fee Related DE19648066C2 (de) | 1996-07-09 | 1996-11-20 | Chemisch-mechanische Poliervorrichtung für Halbleiterwafer |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5707274A (de) |
JP (1) | JP3072508B2 (de) |
KR (1) | KR100202659B1 (de) |
DE (1) | DE19648066C2 (de) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |