DE1514362C

DE1514362C - Field effect transistor

Info

Publication number: DE1514362C
Authority: DE
Inventors: John Aaron Somerville Scott Joseph Hurlong Newark Kuznetzoff Philip Somerville N J Olmstead (V St A )
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Publication date: 1971-06-03

Description

Die Erfindung betrifft einen Feldeffekttransistor liegenden Bereich des Körpers 23. Dieser Bereich als mit halbleitendem Kanal, an den eine Quellenelek- Kanal 31 wird bezeichnet.The invention relates to a field effect transistor lying area of the body 23. This area as with a semiconducting channel to which a Quellenelek channel 31 is designated.

trode und eine Abflußelektrode angeschlossen sind, Der Kanal wird als η-Halbleiter angenommen, datrode and a drainage electrode are connected, the channel is assumed to be η-semiconductors because

und mit einer durch einen Isolator, der sich über die die Abflußströme durch den Kanal Elektronenströme gesamte Fläche zwischen Quellenelektrode und Ab- 5 sind. Der Kanal 31 kann einen Elektronenüberschuß flußelektrode erstreckt, gegenüber dem Kanal ge- besitzen, wenn keine Spannung an der Steuerelektrennten Steuerelektrode. trode anliegt, oder es kann im Kanal 31 durch An-and with one through an insulator, which is over the the outflow currents through the channel electron currents total area between the source electrode and Ab- 5. The channel 31 can have an excess of electrons Flux electrode extends opposite to the channel when there is no voltage on the control electronics Control electrode. trode is applied, or it can be in channel 31 by connecting

Es sind Feldeffekttransistoren (z. B. aus der USA.- legen einer positiven Spannung an das Gitter ein Patentschrift 3 056 888) bekannt, bei denen die Elektronenüberschuß induziert werden. Der Isolator Quellenelektrode, der Kanal und die Abflußelektrode io 29 besteht vorzugsweise aus Siliziumoxyd, obwohl in einer gemeinsamen Ebene an der Kristalloberfläche auch andere Isolatoren verwendet werden können,
abschließen und bei denen die Steuerelektrode vom Der Isolator 29 weist zwei Stufen oder BereicheField effect transistors are known (e.g. from the USA - a patent specification 3,056,888 applies a positive voltage to the grid), in which the electron excess is induced. The insulator source electrode, the channel and the drain electrode io 29 are preferably made of silicon oxide, although other insulators can also be used in a common plane on the crystal surface,
complete and in which the control electrode from The insulator 29 has two stages or areas

Kanal durch eine Isolierschicht gleichmäßiger Dicke unterschiedlicher Dicke 29a und 29b auf. Der Isolagetrennt ist. tor 29 ist über dem neben der Quellenelektrode 25Channel through an insulating layer of uniform thickness of different thicknesses 29a and 29b . The isolation is separated. Gate 29 is above that next to source electrode 25

Der Nutzfrequenzbereich eines solchen Feldeffekt- 15 liegenden Abschnitt des Kanals 31 dünner (Bereich transistors läßt sich nach.oben erweitern, wenn man 29a) und-über dem neben der Abflußelektrode 27 die Steuerelektrode etwas "von der Abflußelektrode liegenden Abschnitt des Kanals 31 dicker (Bereich entfernt und in Richtung auf die Quellenelektrode hin 296). Dieser dickere Bereich erbringt bei allen Ausversetzt, so daß ein der Abflußelektrode benachbarter führungsformen der Erfindung eine verbesserte Be-Teil des Kanals nicht von der Steuerelektrode über- ao triebsstabilität.The useful frequency range of such a field effect - 15 lying section of the channel 31 thinner (the transistor area can be expanded above if you 29a) and - above the section of the channel 31 lying next to the drain electrode 27, the control electrode somewhat "thicker from the drain electrode (area away and in the direction of the source electrode 296. This thicker area produces offset in all cases, so that a guide of the invention adjacent to the drain electrode does not have an improved operating stability from the control electrode.

deckt wird. Es hat sich jedoch gezeigt, daß bei derart Eine vorzugsweise metallische Steuerelektrode 33is covered. However, it has been shown that with such a preferably metallic control electrode 33

ausgebildeten Feldeffekttransistoren sich die Betriebs- liegt auf dem Isolator 29, der sie vom Kanal 31 trennt, charakteristika mit der Zeit und in Abhängigkeit von Die Steuerelektrode 33 kann sich lediglich über den der Umgebungstemperatur verändern können. Diese dünneren Bereich 29 a des Isolators 29 erstrecken. Veränderungen sind vermutlich auf Bewegungen und 35 Vorzugsweise überdeckt sie sowohl den dünneren als Konzentrationsänderungen von Ionen an oder in der auch den dickeren Bereich des Isolators 29. ■
Fläche des Isolators über dem nicht vom Gitter über- Eine niederohmige Quellenelektrode 35 aus Metallformed field effect transistors are operating on the insulator 29, which separates them from the channel 31, characteristics over time and as a function of the control electrode 33 can only change over the ambient temperature. This thinner area 29 a of the insulator 29 extend. Changes are presumably due to movements and 35. It preferably covers both the thinner and concentration changes of ions on or in the thicker area of the insulator 29. ■
The area of the insulator above which is not covered by the grid. A low-resistance source electrode 35 made of metal

deckten Kanalabschnitt zurückzuführen. steht in ohmschem Kontakt mit dem Quellenbereichcovered canal section. is in ohmic contact with the source area

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die 25, und eine niederohmige, metallische Abflußelek-Stabilität derartiger Feldeffekttransistoren zu verbes- 30 trode 37 steht in ohmschem Kontakt mit dem Absern. Diese Aufgabe wird bei einem Feldeffekttran- flußbereich 27. Eine Isolierschicht 30 überdeckt die sistor mit halbleitendem Kanal, an den eine Quellen- Oberfläche des Körpers 23 neben der Quellen-, Abelektrode und eine Abflußelektrode angeschlossen fluß- und Steuerelektrode.The invention is based on the object, the 25, and a low-resistance, metallic drainage element stability Such field effect transistors to be improved 30 is in ohmic contact with the shedding. This task is performed in the case of a field effect inflow region 27. An insulating layer 30 covers the sistor with a semiconducting channel to which a source surface of the body 23 next to the source, discharge electrode and a drain electrode connected to the flow and control electrode.

sind, und mit einer durch einen Isolator, der sich über Das erste Ausführungsbeispiel 21 kann mit einemare, and with one by an insulator that extends over the first embodiment 21 can with a

die gesamte Fläche zwischen Quellenelektrode und 35 Schaltkreis 39 betrieben werden. Ein Leiter 41 verbin-Abflußelektrode erstreckt, gegenüber dem Kanal ge- det die Quellenelektrode 35 mit Erde 43, eine Steuertrennten Steuerelektrode, erfindungsgemäß dadurch leitung 45 verbindet die Steuerelektrode 33 mit über gelöst, daß der Isolator an dem neben der Abfluß- eine Vorspannungsquelle 47 und eine in Reihe hierelektrode liegenden Abschnitt des Kanals dicker und mit geschaltete Signalquelle 49 mit der Erde 43, und an dem neben der Quellenelektrode liegenden Kanal- 40 ein Leiter 51 verbindet die Abflußelektrode 37 über abschnitt dünner ist und daß sich die Steuerelektrode eine Spannungsquelle 53 und einen Lastwiderstand 55 über den dünneren Bereich des Isolators erstreckt. mit Erde 43. .the entire area between the source electrode and 35 circuit 39 can be operated. A conductor 41 connects drainage electrode extends, opposite the channel, the source electrode 35 with earth 43, a control separator Control electrode, according to the invention thereby line 45 connects the control electrode 33 with over solved that the insulator on the next to the drain a bias source 47 and a series here electrode lying section of the channel thicker and with switched signal source 49 to earth 43, and At the channel 40 lying next to the source electrode, a conductor 51 connects the drainage electrode 37 via section is thinner and that the control electrode has a voltage source 53 and a load resistor 55 extends over the thinner area of the insulator. with earth 43..

In unterschiedlichen Ausgestaltungen der Erfin- Die an die Steuerelektrode 33 angelegte SpannungIn different embodiments of the invention, the voltage applied to the control electrode 33

dung kann die Steuerelektrode sich ebenfalls über ist hauptsächlich auf dem über dem dünneren Isoladen dickeren Bereich des Isolators erstrecken, oder 45 torbereich 29 a liegenden Teil der Steuerelektrode es kann über dem dickeren Isolatorbereich auch ein wirksam und ändert den von der Quellenelektrode 25 getrennter Leiter angeordnet sein, der wahlweise auch zur Abflußelektrode 27 fließenden Strom. Der über an die Steuerelektrode angeschlossen sein kann. dem dickeren Isolatorbcreich 296 liegende Steuer-The control electrode can also extend over is mainly on the thicker area of the insulator over the thinner insulator, or the part of the control electrode located above the thicker insulator area, it can also be an effective and changes the conductor separated from the source electrode 25 , the optionally also flowing to the drain electrode 27 current. Which can be connected to the control electrode via. the thicker isolator area 296 lying control

Die Erfindung ist im folgenden an Hand der Dar- elektrodcntcil wirkt hauptsächlich als eine unter Vorstellungen von Ausführungsbeispiclcn näher erläutert. 50 spannung stehende, elektrostatische Abschirmung zur Es zeigt weiteren Stabilisierung des Arbeitsverhaltens desThe invention is described below with reference to the Dar- electrodcntcil acts mainly as a concept explained in more detail by Ausführungsbeispiclcn. 50 live, electrostatic shielding It shows further stabilization of the working behavior of the

Fig. 1 teils im Schnitt und teils in perspektivischer Transistors.
Ansicht eine erste Ausführungsform der Erfindung, Das verstärkte Ausgangssignal kann über demFig. 1 partly in section and partly in perspective transistor.
View a first embodiment of the invention, the amplified output signal can above the

Fig. 2 eine zweite Ausführungsform der Erfindung Lastwiderstand 55 an Anschlüssen 57 abgenommen im Schnitt und 55 werden. Die in F i g. 1 gezeigte Polarität der Vor-2 shows a second embodiment of the invention, load resistor 55 removed from connections 57 on average and 55 will be. The in F i g. 1 shown polarity of the

Fig. 3 eine dritte Ausführungsform der Erfindung spannung und Stromquellen ist zum Betrieb eines im Schnitt. Transistors 21 mit n-leitcndcm Kanal bestimmt.Fig. 3 is a third embodiment of the invention voltage and current sources for operating a on average. Transistor 21 with n-conductive channel is determined.

Einander entsprechende Teile sind in den Figuren Fig. 2 zeigt eine zweite Ausführungsform 61 derCorresponding parts are shown in the figures. FIG. 2 shows a second embodiment 61 of the

durchweg mit gleichen Bezugsziffern verschen. Erfindung, die ähnlich der in Fig. 1 gezeigten Aus-give away with the same reference numbers throughout. Invention, which is similar to the embodiment shown in Fig. 1

Fig. I zeigt eine Ausführungsform 21 der F.rfin- 60 führungsform 21 ist, abgesehen davon, daß sich die dung, die einen Isolator aufweist, der in Richtung des Steuerelektrode 33 lediglich über den dünneren Be-Stromflusscs durch den Kanal eine abgestufte Dicke reich 29α des Isolators 29 erstreckt und daß cine gebesitzt. Die Anordnung 21 enthält einen Halbleiter- trennte Elektrode 63 über dem dickeren Bereich 29 ft körper 23 aus P-Silizium, eine Quelle 25 und einen des Isolators 29 liegt. Wie gezeigt, ist die Elektrode Abfluß 27, die beide aus n-leitcndem Silizium be- 65 63 mit einem leiter 65 verbunden,
stehen und im Abstand voneinander im Körper 23 Die zweite Ausführungsform 61 kann in dem anFig. I shows an embodiment 21 of the embodiment 21 is, apart from the fact that the manure, which has an insulator, which extends in the direction of the control electrode 33 only over the thinner Be current flow through the channel, a graduated thickness rich 29α of the insulator 29 extends and that cine possessed. The arrangement 21 contains a semiconductor-separated electrode 63 over the thicker area 29 ft body 23 made of P-silicon, a source 25 and one of the insulator 29 lies. As shown, the electrode drain 27, both made of n-conducting silicon, is 65 63 connected to a conductor 65,
stand and at a distance from each other in the body 23 The second embodiment 61 can in the

angeordnet sind. Ein Isolator 29 überdeckt den zwi- Hand Fig. I beschriebenen Schaltkreis 39 betrieben sehen Quellenelektrode 25 und Abflußelektrode 27 werden, wobei die Elektrode 63 und der Leiter 65are arranged. An insulator 29 overlies the intermediate Hand Fig. 39 described circuit I see operated source electrode 25 and drain electrode 27 are, the electrode 63 and the conductor 65

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offen sind. Wahlweise kann der Leiter 65 unmittelbar Bei solchen polykristallinen Strukturen wird der Isoan den Leiter 45 angeschlossen werden, so daß lator vorzugsweise durch Dampfniederschlag herge-Steuerelektrode 33 und Elektrode 65 dieselbe Span- stellt. Ebenfalls können bei Anordnungen mit polynung aufweisen. kristallinen Kanälen das Kanalmaterial auf demare open. Optionally, the conductor 65 can be used directly. In such polycrystalline structures, the isoane the conductor 45 are connected, so that the lator control electrode preferably by vapor deposition 33 and electrode 65 have the same clamping position. In the case of arrangements with polynung exhibit. crystalline channels the channel material on the

Nach einer anderen Alternative kann die zweite 5 Isolator oder der Isolator auf dem Kanal nieder-Ausführungsform61 mit dem in Fig. 1 gezeigten geschlagen werden.According to another alternative, the second 5 insulator or the insulator on the channel down-embodiment61 be beaten with that shown in Fig. 1.

Schaltkreis 39 betrieben werden, wobei aber die Die Herstellweise von Feldeffekttransistoren mitCircuit 39 are operated, but the method of manufacturing field effect transistors with

Elektrode 63 über den Leiter 65 mehr oder weniger isolierter Steuerelektrode ist ähnlich denen, die zur negativ gegenüber der Steuerelektrode 33 gehalten Herstellung ebener, bipolarer Transistoren und einwird, ίο heitlicher, monolitischer Anordnungen verwendetElectrode 63 over the conductor 65 more or less insulated control electrode is similar to those used for is held negative with respect to the control electrode 33. Production of planar, bipolar transistors and a, ίο uniform, monolithic arrangements used

Fig. 3 zeigt eine dritte Ausführungsform71 der werden. Die Verfahren der Störstoffdiffusion können Erfindung, die ähnlich der ersten Ausführungsform verwendet werden, und die geometrischen Abmcs-21 (Fig. 1) ist, abgesehen davon, daß sich die sungen können durch präzise Abdeckung und photo-Steuerelektrode 33 nur über den dünneren Bereich lithographische Verfahren festgelegt werden.
29 a des Isolators 29 erstreckt und daß der dickere 15 Die Herstellung eines solchen Elements mit abge-Bereich29/> des Isolators 29 nicht überdeckt ist. Die stuftem Isolator kann gemäß folgendem Verfahren dritte Ausführungsform 71 kann in dem in F i g. 1 vorgenommen werden: Ein leicht dotiertes p-leitcndes gezeigten Schaltkreis 39 betrieben werden. Siliziumscheibchen von etwa 2,5 cm DurchmesserFig. 3 shows a third embodiment 71 of the. The method of impurity diffusion can be used in the invention, which is similar to the first embodiment, and the geometrical Abmcs-21 (Fig. 1) is, apart from the fact that the solutions can be lithographic through precise cover and photo-control electrode 33 only over the thinner area Procedure to be established.
29 a of the insulator 29 extends and that the thicker 15 The production of such an element with abge area29 /> of the insulator 29 is not covered. The stepped isolator can be constructed in accordance with the following method, third embodiment 71, in the manner shown in FIG. 1: A lightly doped p-conducting circuit 39 shown can be operated. Silicon wafers about 2.5 cm in diameter

Die verbesserte Betriebsstabilität des in den An- und 0,018 cm Dicke wird an einer Seite poliert, und Sprüchen gekennzeichneten Feldeffekttransistors 20 die Oberfläche wird in einem Ofen, der eine Dampfwird dadurch erreicht, daß bei diesem eine versetzte atmosphäre zur Erzeugung eines Oxyd-Flächenüber-Steuerelektrode und ein dickerer Isolator über dem zugs enthält, bei ungefähr 900° C stark oxydiert. Der neben der Abflußelektrode liegenden Kanalabschnitt gebildete Oxydüberzug wird dann auf ausgewählten, vorgesehen sind. Die Betriebsstabilität ist ferner durch Abdeckung festgelegten Flächen unter Verdurch Anbringen einer elektrostatischen Abschirmung 25 wendung von photolithographischen Verfahren wegin Form einer Elektrode 63 verbessert (F i g. 2). geätzt.The improved operational stability of the in the an and 0.018 cm thickness is polished on one side, and Proverbs marked field effect transistor 20 the surface is in a furnace, which is a steam achieved in that in this an offset atmosphere to generate an oxide surface over control electrode and contains a thicker insulator over the cable, heavily oxidized at about 900 ° C. the The oxide coating formed next to the drainage electrode is then applied to selected, are provided. The operational stability is furthermore caused by covering defined areas Attaching an electrostatic shield 25 using photolithographic processes Improved shape of an electrode 63 (Fig. 2). etched.

Diese Stabilisierung kann durch Anlegen einer Span- Danach wird das Scheibchen bei ungefähr 1050° CThis stabilization can be achieved by applying a chip

nung an den Leiter 65 modifiziert werden, wie im 10 Minuten lang in einer Atmosphäre erhitzt, die Zusammenhang mit F i g. 2 beschrieben wurde. Bei ein n-Dotiermittel, z. B₁. Phosphor, enthält, wodurch der Ausführungsform nach F i g. 1 ist der dickere 30 Quellen- und Abflußbereich im Abstand von etwa Isolator durch die Steuerelektrode überdeckt, die 25 Mikron dort geschaffen werden, wo das Scheibeine unter Spannung stehende Abschirmung darstellt. chen nicht durch das Oxyd abgedeckt ist. Die gesamtetion to the conductor 65 can be modified, such as heated for 10 minutes in an atmosphere associated with FIG. 2 has been described. In the case of an n-type dopant, e.g. B ₁ . Contains phosphorus, whereby the embodiment according to FIG. 1, the thicker source and drainage area is covered by the control electrode at a distance of approximately insulator, which is created 25 microns where the disc is a live shield. is not covered by the oxide. The whole

Der in F i g. 1 gezeigte Schaltkreis 39 ist nur bei- übrige Oxydschicht wird dann entfernt.
spielsweise für alle verwendbaren Schaltkreise gezeigt. Anschließend wird das Scheibchen bei ungefährThe in F i g. The circuit 39 shown in FIG. 1 is only the remaining oxide layer is then removed.
for example shown for all usable circuits. Then the slice is at approximately

Andere Schaltkreise können zum Betrieb einer oder 35 900° C in einem nassen Sauerstoffgas etwa 5 Stimmehrerer Ausführungsformen der Erfindung benutzt den lang erhitzt, bis sich eine andere, zweite Oxydwerden. Beispielsweise kann der Schaltkreis ein schicht von ungefähr 0,4 Mikron Dicke gebildet hat. Vefstärkerkreis in einem Hochfrequenzempfänger Das Scheibchen wird dann auf Zimmertemperatur sein. Weiterhin kann jede Signal- und Spannungs- abgekühlt und erneut bei ungefähr 400° C in trokquelle 49 und 47 ein Gleichstrom-, Niederfrequenz- 40 kenem Wasserstoffgas für etwa 5 Minuten erhitzt, wechselstrom- oder Hochfrequenzwechselstromsignal um die gewünschte Kanaleigenschaft zu erzielen, liefern. Bei einer solchen Betriebsweise können die Die zweite Oxydschicht wird über dem Quellen- und Anordnung und der in F i g. 1 gezeigte Schaltkreis Abflußbereich selektiv durch Ätzen entfernt,
als ein Mischer arbeiten. Die über dem Kanal liegende Oxydschicht wirdOther circuits can be used to operate one or 35,900 ° C in a wet oxygen gas which is used for long periods of time until another, second oxide is used. For example, the circuit may have a layer approximately 0.4 microns thick. Amplifier circuit in a high-frequency receiver The disc will then be at room temperature. Furthermore, each signal and voltage can be cooled and re-supplied at about 400 ° C in dry sources 49 and 47 with a direct current, low frequency 40 kenem hydrogen gas heated for about 5 minutes, alternating current or high frequency alternating current signal to achieve the desired channel characteristic. In such an operation, the second oxide layer is applied over the source and arrangement and the one shown in FIG. 1 circuit shown drain area selectively removed by etching,
work as a mixer. The oxide layer overlying the canal becomes

In den Figuren ist der Halbleiterkörper 23 elek- 45 dann unter Verwendung einer Reihe photolithotrisch nicht angeschlossen. Jedoch kann an ihn eben- graphischer Arbeitsschritte und partieller Ätzvorfalls eine Vorspannung, entweder mit einem deich- gänge abgestuft, um die Oxyddicke zu reduzieren, strom- oder einem Wechselstromsignal angelegt wer- Die Anzahl dieser Arbeitsvorgänge hängt von der den: dadurch entsteht ein Hilfssignaleingang. Wenn geforderten Anzahl von Oxydstufen ab. Beim vorder Halbleiterkörper 23 dünn ist und einen den Ver- 50 liegenden Beispiel wurden zwei Stufen an jeder hältnissen entsprechenden ohmschen Widerstand auf- Einheit vorgesehen mit einer Dicke von 0,2 und weist, kann auch eine Hilfssteuerclektrode als Hilfs- 0,4 Mikron und mit einer Länge von ungefähr 6,4 und signaleingang gegenüber der Steuerelektrode 33 an 17,2 Mikron Länge. Auf das gesamte Scheibchen wird ihm angeordnet werden. Metall aufgedampft, das danach selektiv von allenIn the figures, the semiconductor body 23 is then electrical 45 using a series of photolithotrics not connected. However, he can also be faced with graphical work steps and partial etching a preload, either with a dike stepped in order to reduce the oxide thickness, The number of these operations depends on the den: this creates an auxiliary signal input. If required number of oxide levels. At the front Semiconductor body 23 is thin and an example 50 have two stages at each ohmic resistance corresponding to the relevant conditions - provided with a thickness of 0.2 and has an auxiliary control electrode as auxiliary 0.4 micron and with a length of about 6.4 and signal input opposite control electrode 33 at 17.2 microns in length. On the entire slice be ordered to him. Metal vapor-deposited, which then selectively from all

Die beschriebenen Ausführungsformen der Erfin- 55 Flächen des Scheibchens weggeätzt wird mit Ausdung können Strukturen aufweisen, bei denen der nähme oberhalb des Quellcnbereiches, des Abfluß-Kanal aus einem Einkristall gebildet ist, z. B. un- bereichcs und der abgestuften Oxydbereiche. Das mittelbar als Einkristall oder durch Aufwachsen auf über dem abgestuften Oxyd zwischen dem Qucllcncincm Einkristallkörpcr hergestelltes Silizium. Bei und Abflußbereich liegende Metall bildet die Stcuersolehcn Einkristallstrukturcn kann der Isolator aus 60 elektrode des Transistors. Das Scheibchen wird dann einer Dampfphase niedergeschlagen werden oder bei in getrennte Einheiten oder Teile geschnitten. Die einigen Materialien, wie Silizium, durch thermische Einheiten oder Teile werden auf einem geeigneten Oxydation gezüchtet werden. Träger befestigt und Leitungen daran angeschlossen,The described embodiments of the invention are etched away with the surface of the wafer may have structures in which it would be above the source area, the drainage channel is formed from a single crystal, e.g. B. un-areas and the graded oxide areas. The indirectly as a single crystal or by growing on over the graduated oxide between the source Single crystal body made of silicon. Metal lying near and drainage area forms the Stcuersolehcn Single crystal structures can form the insulator from 60 electrode of the transistor. The slice will then a vapor phase or cut into separate units or parts. the some materials, like silicon, through thermal units or parts are made on a suitable one Oxidation are grown. Girders attached and lines connected to them,

Die Ausführungsformen der Erfindung können /. B. durch Thermokompression. Nach Anbringen ebenfalls Strukturen mit einem Kanal aus einem poly- 65 der Anschlüsse werden die Einheiten eingekapselt,
kristallinen Material aufweisen, wie z. B. Kadmium- Die Feldeffekttransistoren, wie sie in den An-The embodiments of the invention can /. B. by thermocompression. After attaching structures with a channel from a poly- 65 of the connections, the units are encapsulated,
have crystalline material, such as. B. Cadmium- The field effect transistors, as they are in the

sulfid, Kadmiiimsclinid oder Tellur, die vorzugsweise Sprüchen gekennzeichnet sind, behielten nach einer durch Niederschlugen von Dampf erzeugt werden. Betriebsdauer von 162 Stunden bei Zimmertempera-sulfide, cadmium sclinide or tellurium, which are preferably marked with sayings, retained after one generated by the precipitation of steam. Operating time of 162 hours at room temperature

tür und 16,5 Volt Spannung zwischen Quellen- und Abflußelektrode und —22,5 Volt Spannung zwischen Quellenelektrode und Steuerelektrode innerhalb 8 °/o ihre ursprünglichen Betriebscharakteristiken bei. Dies stellt eine. Stabilitätsverbesserung gegenüber dem Durchschnitt vergleichbarer Feldeffekttransistoren um mindestens einen Faktor zwei dar. Bei höheren Betriebstemperaturen war der Stabilitätsunterschied zwischen den bekannten Feldeffekttransistoren und den Feldeffekttransistoren, wie sie in den Ansprüchen gekennzeichnet sind, noch bemerkenswerter.door and 16.5 volts between the source and drain electrodes and -22.5 volts between Source electrode and control electrode within 8% maintain their original operating characteristics. This represents a. Stability improvement compared to the Average of comparable field effect transistors by at least a factor of two. With higher Operating temperatures was the difference in stability between the known field effect transistors and the field effect transistors, as they are characterized in the claims, even more remarkable.

Ferner zeichnen sie sich durgfi eine höhere Ausgangsimpedanz, eine höhere Efarchbruchsspannung zwischen Quellenelektrode und Abflußelektrodc und durch eine niedrigere Rückkopplungskapazität zwisehen Steuerelektrode und Abflußelektrode aus.They also feature a higher output impedance, a higher electric fracture voltage between the source electrode and the drain electrodec and due to a lower feedback capacitance between the control electrode and the drainage electrode.

Claims

Patent claims:

1. Field effect transistor with a bisecting channel to which a source electrode and a drain electrode are connected, and with a control electrode separated from the channel by an insulator which extends over the entire area between the source electrode and drain electrode, characterized in that the insulator (29 ) is thicker on the section of the channel (31) located next to the drain electrode and thinner on the channel section located next to the source electrode and that the control electrode (33) extends over the thinner area (29 a) of the insulator.

2. Field effect transistor according to claim 1, characterized in that the control electrode (33) also extends over the thicker area (29 b) of the insulator (29).

3. Field effect transistor according to claim 1, characterized in that a separate conductor (63) is arranged over the thicker region (29 b) of the insulator.

4. Field effect transistor according to claim 3, characterized in that the control electrode (33) located above the thinner area (29 a) is connected to the separate conductor (63) located above the thicker area (29 b) of the insulator.

5. Field effect transistor according to claim 1 or 3, characterized in that the control electrode (33) asymmetrically between the source and drain electrode (41, 51) is such that a Part of the control electrode (33) is opposite a portion of the source electrode (25) and that there is no control electrode opposite a channel section adjoining the drainage electrode (27).

6. Field effect transistor according to one or more of the preceding claims, characterized by a voltage supply device connected to the source electrode and the drain electrode ' (53) to create a flow of charge carriers in the channel from the source electrode is directed towards the drainage electrode.

1 sheet of drawings