DE1474490A1 - Magnetisches Duennschichtspeicherelement sowie Verfahren zum koinzidenten Auslesen einer aus diesen Duennschichtspeicherelementen bestehenden Speichermatrix - Google Patents

Magnetisches Duennschichtspeicherelement sowie Verfahren zum koinzidenten Auslesen einer aus diesen Duennschichtspeicherelementen bestehenden Speichermatrix

Info

Publication number
DE1474490A1
DE1474490A1 DE19651474490 DE1474490A DE1474490A1 DE 1474490 A1 DE1474490 A1 DE 1474490A1 DE 19651474490 DE19651474490 DE 19651474490 DE 1474490 A DE1474490 A DE 1474490A DE 1474490 A1 DE1474490 A1 DE 1474490A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
current
thin
read
storage element
memory
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651474490
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Zinn Werner Dipl-Phys Dr
Kneer Dr Godrik
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of DE1474490A1 publication Critical patent/DE1474490A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
DE19651474490 1965-09-06 1965-09-06 Magnetisches Duennschichtspeicherelement sowie Verfahren zum koinzidenten Auslesen einer aus diesen Duennschichtspeicherelementen bestehenden Speichermatrix Pending DE1474490A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DES0099262 1965-09-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1474490A1 true DE1474490A1 (de) 1970-04-23

Family

ID=7522099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651474490 Pending DE1474490A1 (de) 1965-09-06 1965-09-06 Magnetisches Duennschichtspeicherelement sowie Verfahren zum koinzidenten Auslesen einer aus diesen Duennschichtspeicherelementen bestehenden Speichermatrix

Country Status (4)

Country Link
BE (1) BE686497A (enrdf_load_stackoverflow)
DE (1) DE1474490A1 (enrdf_load_stackoverflow)
FR (1) FR1491059A (enrdf_load_stackoverflow)
NL (1) NL6612104A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0271017A3 (en) * 1986-12-08 1990-03-28 Honeywell Inc. Magnetic film memory cell or sensor magnetic film memory cell or sensor

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0271017A3 (en) * 1986-12-08 1990-03-28 Honeywell Inc. Magnetic film memory cell or sensor magnetic film memory cell or sensor

Also Published As

Publication number Publication date
FR1491059A (fr) 1967-08-04
NL6612104A (enrdf_load_stackoverflow) 1967-03-07
BE686497A (enrdf_load_stackoverflow) 1967-03-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2614165C2 (de) Magnetowiderstandsmagnetkopf
DE2442565C2 (de) Signalwandler für einen magnetischen Lesekopf
DE2263077C3 (de) Magnetoresistives Bauelement
DE112013003224B4 (de) Speicherzelle basierend auf dem Spin-Hall-Effekt
DE112011103750B4 (de) Nichtflüchtiger Magnettunnelübergang-Transistor
EP1141960B1 (de) Schreib-/lesearchitektur für mram
DE102016006651A1 (de) Schaltvorrichtung mit spannungsgesteuerter magnetanisotropie, die einen externen ferromagnetischen vormagnetisierungsfilm verwendet
EP1105878A2 (de) Speicherzellenanordnung und verfahren zu deren herstellung
DE10314812A1 (de) Magnetische Kleinbereichs-Speichervorrichtungen
DE112012004304B4 (de) Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher mit Mehrbit-Spinmomenttransfer mit einem einzelnen Stapel von Magnettunnelübergängen
DE4020604A1 (de) Duennschicht-magnetspeicheranordnung und verfahren zur eliminierung des kriechens von magnetischen domaenen in speicherzellen einer solchen speicheranordnung
DE102006008264A1 (de) MRAM Zelle mit Domänenwandumschaltung und Feldauswahl
DE1236580B (de) Angabenspeicher
DE1174359B (de) Bistabile Kippschaltung, die eine Flaeche aus einem duennen, anisotropen, ferromagnetischen Film benutzt
DE19823826A1 (de) MRAM-Speicher sowie Verfahren zum Lesen/Schreiben digitaler Information in einen derartigen Speicher
DE2409323B2 (de) Magnetoresistiver Wiedergabekopf
DE69736463T2 (de) Vorrichtung zum erfassen eines magnetfeldes
DE1282714B (de) Einrichtung zur Speicherung von Binaerwerten
DE1189138B (de) Datenspeicherelement
DE10342359A1 (de) MRAM mit zwei Schreibleitern
DE1474490A1 (de) Magnetisches Duennschichtspeicherelement sowie Verfahren zum koinzidenten Auslesen einer aus diesen Duennschichtspeicherelementen bestehenden Speichermatrix
DE1257203B (de) Aus duennen magnetischen Schichten bestehendes Speicherelement
DE1499853A1 (de) Cryoelektrischer Speicher
DE3021502C2 (de) Anzeigevorrichtung
DE2156278A1 (de) Magneto-elektrischer Wandler zum Abfühlen von magnetischen Bläschendomänen