DE1439701A1 - Trimming of power transistors - Google Patents
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims description 3
- 239000006187 pill Substances 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N bromomethane Chemical compound BrC GZUXJHMPEANEGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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Description
Beschneiden von. Leistungstransisuoren.Trimming. Performance transisuors.
Sei der Herstellung you Bauelementen ist es eine Schwierigkeit, am fertigen Bauelement die Kontaktelektroden zu beschneiden, was oft aus Montage gründen unumgänglich ist. Die dafür bekannten Vorrichtungjen haben meist den offensteht!iehen Nachteil, daß die auftretenden Scherkräfte sich, im Bauelement &uf die apröd» unterlage der !Elektrode übertragen und daß diese dann MaterialSprünge verursachen, wodurch das Bauelement nicht mehr funktionsfähig ist. # r When producing components, it is difficult to cut the contact electrodes on the finished component, which is often unavoidable for assembly reasons. The devices known for this usually have the disadvantage that the shear forces that occur are transferred in the component to the surface of the electrode and that these then cause material cracks, so that the component is no longer functional. # r
Besonders dringlich ist ein« "befriedigende I/Öiungf1dieser Auf«* gäbe beim Bau von iöistunsstransisfeoren, Jn dem Fall wird*itie Kollektorpille so beschnitten, daß die wf.lrmeer»eu3ende Kolloktorsperrschicht aur besseren Wärmeableitung mösiichs* dicht ÄTif die Grundplatte aufgelötet werden kann. Das Abr heben des Pillenmattrials gelingt (pxt lait eisern Fräser mit 9ίη€ίΤ Siarichtuas·» in äEspecially urgent is a '' satisfactory I / Öiungf one of these on, "* would be the construction of iöistunsstransisfeoren, Jn is the case * cropped itie collector pill that wf.lrmeer" eu3ende Kolloktorsperrschicht close aur better heat dissipation mösiichs * ÄTif the base plate are soldered Abr lifting of the pill material succeeds (pxt lait iron cutter with 9ίη € ίΤ Siarichtuas · »in Ä
009813/0836009813/0836
—Η"** ..... ψ, BAD ORlGiNAU -—Η "** ..... ψ , BAD ORlGiNAU -
warme 'Schneide fceranjef ührt wird. Jn einer einfacheren Vorrichtung wird dio La^ierun^spillo durch, ein 3ch.ri3verlr.uf eniea besser abgeschnitten. Sine Verbesserung dieser Vorrichtung" ist die Anordnung von zwei frontal ge gene inander geführten Messerachneiden. Die Kristallunterla^e der Legierunsspille wird dabei weniger von Scherkräften belastet. Jedoch das -Messerpaar, läßt sich nicht so gleichartig ausbilden, wie es notwendig wäre. Jede Sehneidenoberflache'weist eine andere ßatihigkeit auf, ipodurch jedes i'esser auch eine andere Gegenkraft ia Lesierungematerial findet» Zudem kann auch nicht erwartet werden, daß die KeilwiaM der beiden Schneiden völlig übereinstimmen, womit in gewisser Weise such noch die in diesem SJuaa&meanang sehr wichtig« (lüte der Sehneidk*a%·»;* zusaaaenhängt· Wegen &#r tin^leichmäSige» Rekristallation mit seinen KristalleineChinesen und Lunkern und wegen der sieh stets bildenden G&tydhaut auf derLegierpille kann in den selteten Fällen alt einem homogenen Schneidgut gerechnet wenden. Seibet bei Vorlag« einea solchen homogenen Schneidgutes wird schon allein wegen der wenigen erwahaten OaVoIX-lioiaBtenhelten der Mssaar» da« Sohneidstdi iron den "oeidea gegeneinander geführte!? Messer in irgendeine Richtung «jedrückt werden. .Da aber alle bekannten BescrtiieiduagSVorrichtun^erL eine feste Yerduksning des Bauele^enteo mit rjeiner Aui'n^üme gernein~ oais h^b^n, worden im Baunleine;^ die spröden Unterlagen tierwarm 'cutting edge is fceranjef led. In a simpler device, the La ^ ierun ^ spillo is better cut off by a 3ch.ri3verlr.uf eniea. An improvement of this device is the arrangement of two frontally inclined knife cutters. The crystal base of the alloy pellet is less stressed by shear forces. shows a different ability, through which every eater also finds a different counterforce ia reading material "In addition, it cannot be expected that the wedgewiaM of the two cutting edges completely coincide, which means that in a certain way the one in this SJuaa & meanang is very important" (Lüte the Sehneidk * a% · »; * hangs together · Because of &# r tin ^ easy» recrystallization with its crystal lines and cavities and because of the constantly forming G & tydhaut on the alloy pill can in rare cases turn into a homogeneous product to be cut. Seibet on presentation « Such a homogeneous product to be sliced is required simply because of the few OaVoIX-lioiaBtenhel ten of the Mssaar »da« Sohneidstdi iron the "oeidea led against each other !? Knife in any direction. But since all known BescrtiieiduagSVorrichtun ^ erL a firm Yerduksning des Bauele ^ enteo with rjeiner Aui'n ^ üme like in ~ oais h ^ b ^ n, in the construction line; ^ the brittle documents animal
909313/0620909313/0620
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U39701U39701
Eontaktelektroden den Druck auffangen müssen und inascr mebr oder minder star?"« Zerstörungen durch Brücke oder Hi3se aufweisen.Contact electrodes must absorb the pressure and inascr mebr or less star? "" Destruction by bridge or Have sleeve.
Diesem Übeletaod 1st dadurch abzuhelfen, daß das Bauelement auf eine Aufnahme gelegt wird, die in einer Ebene deren EShe über dem Bauelement feetlegbar let» frei beweglich ist. Die Kontaktelektrode, die nun von beide» Seiten von Keeaern ait einer bestirnten Kraft angegriffen wird> kann nun in der Auflageebeno in die Richtung deß gering;eten Widerstandes aumreichen, dealt ist die Unterlage nun von allen Scherkräften befreit, lie Schneidkeile des Messerpaejcs werden vorteilhRfterweiae ao ausgebildet, daß die untere Schneidebeno parallel zur Oberfläche des Bauelements liegt und di· obere Sehneidebene kellförmis dazu angewinkelt 1st. 351··ο obere Schneidebene nnfi bein Bescnneidungsvorjjftiig eis« Verforntmgearbeit leistoht die dabei auftretenden (Wgenkr&fte sind jatur oberhalt) deeThis problem can be remedied by placing the component on a receptacle which can be moved freely in a plane where it can be placed above the component. The contact electrode, which is now attacked from both sides by keys with a certain force, can now reach in the direction of the slight resistance in the support plane; once the base is now freed from all shear forces, the cutting wedges of the knife assembly are advantageous ao designed so that the lower cutting plane is parallel to the surface of the component and the upper cutting plane is angled in a cellular shape to it. 351 ·· ο upper cutting plane nnfi leg Bescnneidungsvorjjftiig ice "Verforntmgearbeit leistoh t occurring (Wgenkr & forces are jatur Upper halt) dee
wlrkeaa, d.h.« im BeaolsaisldeRTifallstück, das wird.wlrkeaa, i.e. «in the BeaolsaisldeRTifallstück, the will.
beim Huhsel&t* 41Λ Selbtmgskrgft* χα ttiaäe.m. UoA tu» «la n von w«iöi3«a' aäfirU&sslÄgut« xe uatÄrAttekft».» x-lit wat Huhsel & t * 41Λ Selbtmgskrgft * χα ttiaäe.m. UoA do »« la n von w «iöi3« a 'aäfirU & sslÄgut «xe uatÄrAttekft». » x-lit w
sich, die Sclsiwldkeile mit Alkohol au benetzen.moisten the wedges with alcohol.
Vorrichtung hat sich beaoni^reDevice has beaoni ^ re
BAD ORIGINALBATH ORIGINAL
haft bei Legierunsstransistoratf vorzugsweise bei Leistung- ι transistoren bewährt, lerade in diesem Fall ist es aus Wärae&bleitungBgründe notwendig die Köllektorsperrscbicht dicht über der rekristallisierten Halterschicht auf der massiven Grundplatte au kontaktieren. 'by way of at Legierunsstransistoratf preferably at Leistung- ι transistors proven lerade in this case, it is the contact of Köllektorsperrscbicht Wärae & bleitungBgründe necessary just above the recrystallized layer holder on the massive base plate au. '
. Dan Brinzip der Erflhdung wird nun in der Fiß« ausführlich dargestellt« Auf einem Amboß 1 ist eine Aufnahme 2 für das Bauelement in diesem Fall ein Ltgierungatranaistor mit dem BasiJ&leeh 3 und dsm Halbltitrerkristall M- frei beweglich. Jksm Bsni»leraent kann b#i8p|.el8weis» durch eine ÖfLtagdUss eraf ihrsr Aufnalame, die ©iae dor Baelsblechföna entsprechende x . The principle of the invention is now shown in detail in the Fiß. On an anvil 1 is a receptacle 2 for the component, in this case a Ltgierungatranaistor with the base 3 and the semi-titre crystal M- freely movable. Jksm Bsni »leraent can b # i8p | .el8weis» through an ÖfLtagdUss get your admission name, the © iae dor Baelsblechföna corresponding x
* Aussparung hat, fixiert wtrden. Die mit dem Druok p^ und Pg * Has recess, would be fixed. Those with the Druok p ^ and Pg
Sfesssr 6 \ufid 7 sind ungleich weit in dieSfesssr 6 \ ufid 7 are unequally far into the
tlagedrimgen9 da sie unterschiedlich« Keil- «izskel haben. Aus dleeeai drunä hat sich dis Aufnahm· 2 aus der Mitte entsprechend dem resultierenden Drück p. ver-tlagedrimgen 9 because they have different "wedge" izskels. From dleeeai drunä, the recording · 2 from the center has become corresponding to the resulting pressure p. ver
809813/0620809813/0620
BADBATH
Claims (2)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DET0026621 | 1964-07-18 | ||
| DET0026621 | 1964-07-18 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1439701A1 true DE1439701A1 (en) | 1969-03-27 |
| DE1439701B2 DE1439701B2 (en) | 1971-02-25 |
| DE1439701C DE1439701C (en) | 1973-04-05 |
Family
ID=
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE1439701B2 (en) | 1971-02-25 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) |