DE1180852B - Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-UEbergang - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halbleiter-anordnungen mit wenigstens einem durch Legieren erzeugten pn-UEbergang

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DE1180852B
DE1180852B DES76191A DES0076191A DE1180852B DE 1180852 B DE1180852 B DE 1180852B DE S76191 A DES76191 A DE S76191A DE S0076191 A DES0076191 A DE S0076191A DE 1180852 B DE1180852 B DE 1180852B
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Dipl-Geophys Alfred Ottmann
Otto Wild
Dipl-Phys Dr Heinz Dorendorf
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FR911025A FR1334855A (fr) 1961-10-09 1962-10-02 Procédé pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteur comportant au moins une jonction pn produite par alliage
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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FR1231538A (fr) * 1958-08-01 1960-09-29 Philips Nv Procédé pour la fabrication de dispositifs semi-conducteurs avec électrodes contenant de l'aluminium
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