DE1136671B - Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze - Google Patents

Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze

Info

Publication number
DE1136671B
DE1136671B DEN18268A DEN0018268A DE1136671B DE 1136671 B DE1136671 B DE 1136671B DE N18268 A DEN18268 A DE N18268A DE N0018268 A DEN0018268 A DE N0018268A DE 1136671 B DE1136671 B DE 1136671B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
crucible
stirrer
melt
axis
disc
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN18268A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Boudewijn Okkerse
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1136671B publication Critical patent/DE1136671B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
    • C30B15/30—Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
    • C30B15/305—Stirring of the melt

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
DEN18268A 1959-05-05 1960-05-02 Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze Pending DE1136671B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL238923 1959-05-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1136671B true DE1136671B (de) 1962-09-20

Family

ID=19751706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN18268A Pending DE1136671B (de) 1959-05-05 1960-05-02 Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze

Country Status (4)

Country Link
CH (1) CH401916A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
DE (1) DE1136671B (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
GB (1) GB954200A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
NL (1) NL238923A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE528916A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1953-05-18
DE1032852B (de) * 1953-11-24 1958-06-26 Siemens Und Halske Ag Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Halbleiterkristallen nach dem Kristallziehverfahren aus der Schmelze

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE528916A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html) * 1953-05-18
DE1032852B (de) * 1953-11-24 1958-06-26 Siemens Und Halske Ag Verfahren und Einrichtung zur Herstellung von Halbleiterkristallen nach dem Kristallziehverfahren aus der Schmelze

Also Published As

Publication number Publication date
GB954200A (en) 1964-04-02
NL238923A (GUID-C5D7CC26-194C-43D0-91A1-9AE8C70A9BFF.html)
CH401916A (de) 1965-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2242111C3 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Gußstücken mit gerichtet erstarrtem Gefüge
DE112016003796B4 (de) Vorrichtung zum Ziehen eines Einkristalls und Verfahren zum Ziehen eines Einkristalls
DE1282602B (de) Verfahren zur Herstellung von eine oder mehrere Hohlkehlen aufweisenden Zwillingskristallen in einer Schmelze
DE1256202B (de) Verfahren zum Herstellen homogener stabfoermiger Kristalle aus einer Schmelze
DE3709731A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur einkristallzuechtung
DE1166486B (de) Vorrichtung zum Behandeln von Halbleitergrundstoffen im hochfrequenten Induktionsfeld in einem Tiegel
DE1136671B (de) Schmelztiegel mit einem Ruehrer zum Aufziehen von kristallinen Staeben aus einer Schmelze
DE1596539B2 (de) Vorrichtung zur Herstellung von Tafelglas
DE1090770B (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit nahe nebeneinander liegenden aufgeschmolzenen Elektroden
DE2604351C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen, bei dem eine Siliciumschicht auf einem Substrat angebracht wird
DE3709729A1 (de) Vorrichtung zur einkristallzuechtung
DE102010030124B4 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silizium-Blöcken sowie nach dem Verfahren hergestellter Silizium-Block
DE1941968B2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von einkristallen
DE3785638T2 (de) Verfahren zur Züchtung von Kristallen aus Halbleiterverbindungen.
DE964708C (de) Verfahren zum Herstellen von Zonen unterschiedlicher Dotierung in Halbleiterkristallen durch Ziehen des Kristalls aus der Schmelze
DE68908929T2 (de) Verfahren und Tiegel zur Herstellung einer ternären, heteroepitaktischen Schicht auf einer binären Schicht.
DE69015983T2 (de) Verfahren zur Ziehung eines Siliciumeinkristalles.
DE1498929B2 (de) Bearbeitungsvorrichtung fuer roehrenoder zylinderfoermige gefaesse
DE2654674C3 (de) Eismaschine'insbesondere für den Hausgebrauch
DE1943280C (de) Gießvorrichtung
DE2452215A1 (de) Verfahren zur herstellung eines einkristalls grossen querschnittes, vorrichtung zum durchfuehren dieses verfahrens und durch dieses verfahren erhaltene einkristalle
DE712140C (de) Zufuehrung der Fluessigkeit zu einer Schleudermaschine
DE1419208B2 (de) Vorrichtung zum ziehen von kristallen aus einer schmelze
DE3115389A1 (de) Schiffchen zum epitaktischen anwachsen mehrerer schichten aus der fluessigkeitsphase und verfahren zum anwachsen mit hilfe des schiffchens
DE1052150B (de) Ruehr- und Schneidvorrichtung fuer Kaesewannen