DE112022002908A5 - Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils - Google Patents

Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils Download PDF

Info

Publication number
DE112022002908A5
DE112022002908A5 DE112022002908.0T DE112022002908T DE112022002908A5 DE 112022002908 A5 DE112022002908 A5 DE 112022002908A5 DE 112022002908 T DE112022002908 T DE 112022002908T DE 112022002908 A5 DE112022002908 A5 DE 112022002908A5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
radiation
semiconductor component
emitting semiconductor
producing
emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112022002908.0T
Other languages
English (en)
Inventor
Christopher Wiesmann
Heribert Wankerl
Laura Kreiner
Rainer Butendeich
Sandra Sobczyk
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Ams Osram International GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ams Osram International GmbH filed Critical Ams Osram International GmbH
Publication of DE112022002908A5 publication Critical patent/DE112022002908A5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0025—Processes relating to coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
DE112022002908.0T 2021-09-15 2022-08-11 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils Pending DE112022002908A5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102021123818.8 2021-09-15
DE102021123818.8A DE102021123818A1 (de) 2021-09-15 2021-09-15 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials
PCT/EP2022/072588 WO2023041266A1 (de) 2021-09-15 2022-08-11 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112022002908A5 true DE112022002908A5 (de) 2024-03-21

Family

ID=83193234

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102021123818.8A Withdrawn DE102021123818A1 (de) 2021-09-15 2021-09-15 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials
DE112022002908.0T Pending DE112022002908A5 (de) 2021-09-15 2022-08-11 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102021123818.8A Withdrawn DE102021123818A1 (de) 2021-09-15 2021-09-15 Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil, verfahren zur auswahl eines dielektrischen schichtenstapels und verfahren zur auswahl eines konversionsmaterials

Country Status (4)

Country Link
KR (1) KR20240052996A (de)
CN (1) CN117941084A (de)
DE (2) DE102021123818A1 (de)
WO (1) WO2023041266A1 (de)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006035388A2 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Phosphor-converted led with luminance enhancement through light recycling
JP2010505250A (ja) 2006-09-29 2010-02-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング オプトエレクトロニクス素子
DE102007025092A1 (de) 2007-05-30 2008-12-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzdiodenchip
JP5415433B2 (ja) 2007-10-25 2014-02-12 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 偏光発光装置
CN102239578B (zh) * 2008-12-02 2015-06-03 皇家飞利浦电子股份有限公司 Led组件
EP2323184A1 (de) * 2009-11-13 2011-05-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED-Anordnung
KR102415331B1 (ko) * 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
JP7048873B2 (ja) * 2017-07-25 2022-04-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
CN110890453B (zh) * 2018-09-07 2021-08-27 群创光电股份有限公司 显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN117941084A (zh) 2024-04-26
KR20240052996A (ko) 2024-04-23
DE102021123818A1 (de) 2023-03-16
WO2023041266A1 (de) 2023-03-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112018000431A5 (de) Halbleiterlaser und Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterlasers
DE112020000398A5 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE112020004606A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112018002299A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112021002987A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112021002204A5 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE112019005944A5 (de) Optoelektronisches halbleiterlaserbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterlaserbauelements
DE112019004212A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112019004099A5 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips
DE112022002908A5 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauteil und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterbauteils
DE112021001645A5 (de) Leuchtstoff, Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs und strahlungsemittierendes Bauelement
DE112020004041A5 (de) Halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines halbleiterchips
DE112022002802A5 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
DE112022001462A5 (de) Verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips und strahlungsemittierender halbleiterchip
DE112022000789A5 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE112021003806A5 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements und optoelektronisches bauelement
DE112017003749A5 (de) Strahlungsemittierender Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips, strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
DE112020005345A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, anordnung von optoelektronischen halbleiterbauelementen, optoelektronische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelementes
DE112021002655A5 (de) Strahlung emittierendes halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines strahlung emittierenden halbleiterbauelements
DE112022003956A5 (de) Leuchtstoff, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement
DE112021002697A5 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE112019005410A5 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterchips
DE112022003005A5 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
DE112022004173A5 (de) Leuchtstoff, leuchtstoffmischung, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement
DE112020000393A5 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed