DE112021004176T5 - Pixeltreiberschaltung, treiberverfahren dafür und anzeigesubstrat - Google Patents

Pixeltreiberschaltung, treiberverfahren dafür und anzeigesubstrat Download PDF

Info

Publication number
DE112021004176T5
DE112021004176T5 DE112021004176.2T DE112021004176T DE112021004176T5 DE 112021004176 T5 DE112021004176 T5 DE 112021004176T5 DE 112021004176 T DE112021004176 T DE 112021004176T DE 112021004176 T5 DE112021004176 T5 DE 112021004176T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrically connected
transistor
node
light
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE112021004176.2T
Other languages
English (en)
Inventor
Weixing Liu
Kuanjun PENG
Bin Qin
Xue DONG
Fangzhen Zhang
Wanpeng TENG
Tieshi WANG
Wanzhi CHEN
Kai Guo
Chunfang Zhang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of DE112021004176T5 publication Critical patent/DE112021004176T5/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04—Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421—Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426—Layout of electrodes and connections
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0804—Sub-multiplexed active matrix panel, i.e. wherein one active driving circuit is used at pixel level for multiple image producing elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/08—Details of timing specific for flat panels, other than clock recovery
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Pixeltreiberschaltung, umfassend eine Datenschreibschaltung, eine Leuchtsteuerschaltung und einen LED-Chip. Die Datenschreibschaltung ist elektrisch mit einem ersten Abtastsignalanschluss, einem Datensignalanschluss und einem ersten Knoten verbunden. Die Leuchtsteuerschaltung ist elektrisch mit dem ersten Knoten, einem Freigabesignalanschluss, einem ersten Spannungssignalanschluss und einem zweiten Knoten verbunden ist. Die Leuchtsteuerschaltung dazu konfiguriert ist, ein an dem ersten Spannungssignalanschluss empfangenes erstes Spannungssignal an den zweiten Knoten zu übertragen. Der LED-Chip ist elektrisch mit dem zweiten Knoten und einem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden. Der LED-Chip umfasst mehrere Leuchtteile. Der LED-Chip ist dazu konfiguriert, die mehreren Leuchtteile unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten und eines an dem zweiten Spannungssignalanschluss empfangenen zweiten Spannungssignals die Leuchtteile derart anzusteuern, dass entweder die mehreren Leuchtteile jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren oder mindestens zwei Leuchtteile innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht emittieren.

Description

  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der am 31. Mai 2021 eingereichten chinesischen Patentanmeldung mit der Anmeldenummer 202110605113.4, deren gesamter Inhalt durch Bezugnahme in diese Anmeldung aufgenommen wird.
  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf das Gebiet der Anzeigetechnik und insbesondere auf eine Pixeltreiberschaltung, ein Treiberverfahren dafür und ein Anzeigesubstrat.
  • Stand der Technik
  • Light Emitting Diode (kurz LED) wird aufgrund von vielen Vorteilen, wie hoher Effizienz, hoher Helligkeit, hoher Zuverlässigkeit, Energieeinsparung und schneller Reaktion, häufig in traditionellen Displays, augennahen Displays, 3D-Displays (3 Dimensionen, Englisch: 3 Dimension) und transparenten Displays und anderen Bereichen verwendet.
  • Offenbarung der Erfindung
  • In einem Aspekt wird eine Pixeltreiberschaltung bereitgestellt. Die Pixeltreiberschaltung umfasst eine Datenschreibschaltung, eine Leuchtsteuerschaltung und einen LED-Chip. Die Datenschreibschaltung ist elektrisch mit einem ersten Abtastsignalanschluss, einem Datensignalanschluss und einem ersten Knoten verbunden. Die Datenschreibschaltung ist dazu konfiguriert, als Reaktion auf ein am ersten Abtastsignalanschluss empfangenes erstes Abtastsignal ein am Datensignalanschluss empfangenes Datensignal an den ersten Knoten zu übertragen. Die Leuchtsteuerschaltung ist elektrisch mit dem ersten Knoten, einem Freigabesignalanschluss, einem ersten Spannungssignalanschluss und einem zweiten Knoten verbunden. Die Leuchtsteuerschaltung ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens und eines durch den Freigabesignalanschluss übertragenen Freigabesignals das an dem ersten Spannungssignalanschluss empfangene erste Spannungssignal an den zweiten Knoten zu übertragen. Der LED-Chip ist elektrisch mit dem zweiten Knoten und einem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden. Der LED-Chip umfasst eine Basis und mehrere Leuchtteile, die auf einer Seite der Basis angeordnet sind. Der LED-Chip ist dazu konfiguriert, die mehreren Leuchtteile unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten und eines an dem zweiten Spannungssignalanschluss empfangenen zweiten Spannungssignals derart anzusteuern, dass entweder die mehreren Leuchtteile jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren oder mindestens zwei Leuchtteile innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht emittieren.
  • In einigen Ausführungsformen umfassen die mehreren Leuchtteile mindestens einen ersten Leuchtteil und mindestens einen zweiten Leuchtteil, wobei die erste Bondelektrode des ersten Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist und die zweite Bondelektrode des ersten Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist. Die erste Bondelektrode des zweiten Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden, und die zweite Bondelektrode des zweiten Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Leuchtsteuerschaltung einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor. Die Steuerelektrode des ersten Transistors ist elektrisch mit dem Freigabesignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des ersten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Spannungssignalanschluss verbunden, und die zweite Elektrode des ersten Transistors ist elektrisch mit einem dritten Knoten verbunden. Der Steuerelektrode des zweiten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden, die erste Elektrode des zweiten Transistors ist elektrisch mit dem dritten Knoten verbunden und die zweite Elektrode des zweiten Transistors ist elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Pixeltreiberschaltung ferner eine erste Rücksetzkompensationsschaltung. Die erste Rücksetzkompensationsschaltung ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss, dem zweiten Abtastsignalanschluss, dem ersten Knoten, dem zweiten Knoten, dem dritten Knoten und dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden; die erste Rücksetzkompensationsschaltung ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung des ersten Abtastsignals und eines an dem zweiten Abtastsignalanschluss empfangenen zweiten Abtastsignals die Pixeltreiberschaltung zurückzusetzen und eine Schwellenspannungskompensation für den zweiten Transistor durchzuführen.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die erste Rücksetzkompensationsschaltung einen dritten Transistor, einen vierten Transistor, einen fünften Transistor, einen sechsten Transistor und einen ersten Kondensator. Der Steuerelektrode des dritten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des dritten Transistors ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden und die zweite Elektrode des dritten Transistors ist elektrisch mit einem vierten Knoten verbunden. Die Steuerelektrode des vierten Transistors ist elektrisch mit dem zweiten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des vierten Transistors ist elektrisch mit dem dritten Knoten verbunden und die zweite Elektrode des vierten Transistors ist elektrisch mit einem fünften Knoten verbunden. Die Steuerelektrode des fünften Transistors ist elektrisch mit dem zweiten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des fünften Transistors ist elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden und die zweite Elektrode des fünften Transistors ist elektrisch mit dem fünften Knoten verbunden. Die Steuerelektrode des sechsten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des sechsten Transistors ist elektrisch mit dem vierten Knoten verbunden und die zweite Elektrode des sechsten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden. Ein erster Anschluss des ersten Kondensators ist elektrisch mit dem vierten Knoten verbunden, und ein zweiter Anschluss des ersten Kondensators ist elektrisch mit dem fünften Knoten verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Pixeltreiberschaltung ferner eine Vielzahl von Schalttransistoren. Die erste Bondelektrode des Leuchtteils ist über mindestens einen Schalttransistor elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden, und/oder die zweite Bondelektrode des Leuchtteils ist über mindestens einen Schalttransistor elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen ist die Anzahl der Leuchtteile gleich der Anzahl der Vielzahl von Schalttransistoren. Die erste Bondelektrode des Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden, und die zweite Bondelektrode des Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss durch einen Schalttransistor verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen ist die Anzahl der Leuchtteile kleiner als die Anzahl der Vielzahl von Schalttransistoren. Die erste Bondelektrode eines Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden und ist elektrisch mit der ersten Bondelektrode des anderen Leuchtteils durch mindestens einen Schalttransistor verbunden. Die zweite Bondelektrode eines Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss durch mindestens einen Schalttransistor verbunden und ist elektrisch mit der ersten Bondelektrode des anderen Leuchtteils durch mindestens einen Schalttransistor verbunden. Die zweite Bondelektrode des anderen Leuchtteils ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Leuchtsteuerschaltung einen siebten Transistor und einen achten Transistor. Die Steuerelektrode des siebten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden, die erste Elektrode des siebten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Spannungssignalanschluss verbunden und die zweite Elektrode des siebten Transistors ist elektrisch mit einem sechsten Knoten verbunden. Die Steuerelektrode des achten Transistors ist elektrisch mit dem Freigabesignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des achten Transistors ist elektrisch mit dem sechsten Knoten verbunden und die zweite Elektrode des achten Transistors ist elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Pixeltreiberschaltung ferner eine zweite Rücksetzkompensationsschaltung. Die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss, dem ersten Knoten und dem sechsten Knoten verbunden; die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ist dazu konfiguriert, als Reaktion auf das erste Abtastsignal eine Schwellenspannungskompensation für den siebten Transistor durchzuführen. Die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ist auch elektrisch mit einem Anfangssignalanschluss sowie mindestens einem von einem dritten Abtastsignalanschluss und einem vierten Abtastsignalanschluss verbunden, und die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ist ferner dazu konfiguriert, als Reaktion auf ein am dritten Abtastsignalanschluss empfangenes drittes Abtastsignal oder auf ein am vierten Abtastsignalanschluss empfangenes viertes Abtastsignal ein am Anfangssignalanschluss empfangenes Anfangssignal an den ersten Knoten zu übertragen, um den ersten Knoten zurückzusetzen.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die zweite Rücksetzkompensationsschaltung einen elften Transistor und einen zweiten Kondensator. Die Steuerelektrode des elften Transistors ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des elften Transistors ist elektrisch mit einem siebten Knoten verbunden und die zweite Elektrode des elften Transistors ist elektrisch mit dem sechsten Knoten verbunden. Ein erster Anschluss des zweiten Kondensators ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden, und ein zweiter Anschluss des zweiten Kondensators ist elektrisch mit dem siebten Knoten verbunden. Die Steuerelektrode des siebten Transistors ist über den zweiten Kondensator elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden. In dem Fall, dass die zweite Rücksetzkompensationsschaltung auch elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss verbunden ist, umfasst die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ferner einen neunten Transistor. Die Steuerelektrode des neunten Transistors ist elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des neunten Transistors ist elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss verbunden und die zweite Elektrode des neunten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden. In dem Fall, dass die zweite Rücksetzkompensationsschaltung auch elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss verbunden ist, umfasst die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ferner einen zehnten Transistor. Der Steuerelektrode des zehnten Transistors ist elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des zehnten Transistors ist elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss verbunden, und die zweite Elektrode des zehnten Transistors ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst die Datenschreibschaltung einen zwölften Transistor. Die Steuerelektrode des zwölften Transistors ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden, die erste Elektrode des zwölften Transistors ist elektrisch mit dem Datensignalanschluss verbunden und die zweite Elektrode des zwölften Transistors ist elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden.
  • In einem anderen Aspekt wird ein Treiberverfahren für die in einem der obigen Ausführungsformen beschriebene Pixeltreiberschaltung bereitgestellt. Das Treiberverfahren umfasst: eine Datenschreibphase und eine Leuchtphase. In der Datenschreibphase wird die Datenschreibschaltung als Reaktion auf das am ersten Abtastsignalanschluss empfangene erste Abtastsignal dazu eingeschaltet, das am Datensignalanschluss empfangene Datensignal an den ersten Knoten zu übertragen. In der Leuchtphase wird die Leuchtsteuerschaltung unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens und des am Freigabesignalanschluss empfangenen Freigabesignals dazu eingeschaltet, das am ersten Spannungssignalanschluss empfangene erste Spannungssignal an den zweiten Knoten zu übertragen; unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten und des am zweiten Spannungssignalanschluss empfangenen zweiten Spannungssignals emittieren entweder die mehreren Leuchtteile in dem LED-Chip jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht, oder zumindest zwei Leuchtteile emittieren innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht.
  • In noch einem weiteren Aspekt wird ein Anzeigesubstrat bereitgestellt. Das Anzeigesubstrat umfasst: ein Substrat; und eine Vielzahl von Pixeltreiberschaltungen, wie in irgendeiner der oben erwähnten Ausführungsformen beschrieben. Auf einer Seite des Substrats ist die Vielzahl von Pixeltreiberschaltungen angeordnet. Bei den mehreren Leuchtteilen, die in dem LED-Chip in der Pixeltreiberschaltung enthalten sind, umfasst jeder Leuchtteil eine erste Halbleiterschicht, eine Quantenmuldenschicht und eine zweite Halbleiterschicht, die hintereinander gestapelt sind; die Dotierungstypen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht sind unterschiedlich. Der Leuchtteil umfasst ferner mindestens eine der ersten Bondelektrode und der zweiten Bondelektrode. Die erste Bondelektrode ist elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht des Leuchtteils verbunden. Die zweite Bondelektrode ist elektrisch mit der zweiten Halbleiterschicht des Leuchtteils verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der LED-Chip ferner eine Basis. Die mehreren Leuchtteile, die in dem LED-Chip enthalten sind, befinden sich auf der gleichen Seite der Basis.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Leuchtteil die erste Bondelektrode und die zweite Bondelektrode. Die ersten Bondelektroden, die in unterschiedlichen Leuchtteilen enthalten sind, sind unterschiedlich, und die zweiten Bondelektroden, die in unterschiedlichen Leuchtteilen enthalten sind, sind unterschiedlich.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der Leuchtteil eine Vielzahl von Sub-Leuchtteilen, die in Reihe angeordnet sind. Jeder Sub-Leuchtteil umfasst eine erste Sub-Halbleiterschicht, eine erste Sub-Quantenmuldenschicht und eine zweite Sub-Halbleiterschicht, die hintereinander gestapelt sind. Die erste Sub-Halbleiterschicht eines Sub-Leuchtteils ist elektrisch mit der ersten Bondelektrode des Leuchtteils verbunden.
  • Die zweite Sub-Halbleiterschicht des anderen Sub-Leuchtteils ist elektrisch mit der zweiten Bondelektrode des Leuchtteils verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen sind, in dem Fall, dass die mehreren Leuchtteile mindestens einen ersten Leuchtteil und mindestens einen zweiten Leuchtteil umfassen, die erste Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils und die zweite Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils elektrisch mit einer zweiten Bondelektrode verbunden, sowie die zweite Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils und die erste Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils elektrisch mit einer anderen zweiten Bondelektrode verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der LED-Chip ferner eine Vielzahl von Verbindungen. Die erste Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils ist mit der zweiten Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils durch eine Verbindung elektrisch verbunden. Die erste Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils ist mit der zweiten Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils durch eine Verbindung elektrisch verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen umfasst der erste Leuchtteil mehrere erste Sub-Leuchtteile, die in Reihe angeordnet sind, und der zweite Leuchtteil umfasst mehrere zweite Sub-Leuchtteile, die in Reihe angeordnet sind. Jeder erste Sub-Leuchtteil umfasst eine dritte Sub-Halbleiterschicht, eine zweite Sub-Quantenmuldenschicht und eine vierte Sub-Halbleiterschicht, die hintereinander gestapelt sind; jeder zweite Sub-Leuchtteil umfasst eine fünfte Sub-Halbleiterschicht, eine dritte Sub-Quantenmuldenschicht und eine sechste Sub-Halbleiterschicht, die hintereinander gestapelt sind. Die dritte Sub-Halbleiterschicht eines ersten Sub-Leuchtteils ist elektrisch mit der einen zweiten Bondelektrode verbunden und ist auch elektrisch mit der sechsten Sub-Halbleiterschicht eines zweiten Sub-Leuchtteils verbunden. Die fünfte Sub-Halbleiterschicht eines zweiten Sub-Leuchtteils ist elektrisch mit der anderen zweiten Bondelektrode verbunden und ist auch elektrisch mit der vierten Sub-Halbleiterschicht eines ersten Sub-Leuchtteils verbunden.
  • In einigen Ausführungsformen sind die ersten Halbleiterschichten von mindestens zwei Leuchtteilen in einer integrierten Struktur und sind elektrisch mit derselben ersten Bondelektrode verbunden.
  • Figurenliste
  • Um die technischen Lösungen in der vorliegenden Offenbarung deutlicher zu veranschaulichen, werden im Folgenden kurz die Zeichnungen vorgestellt, die in einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung verwendet werden. Offensichtlich zeigen die Zeichnungen in der folgenden Beschreibung nur einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung. Für den Fachmann auf dem Gebiet können auf der Grundlage dieser Zeichnungen andere Zeichnungen erhalten werden. Außerdem sollen die Zeichnungen in der folgenden Beschreibung als schematische Diagramme betrachtet werden und stellen keine Beschränkungen hinsichtlich der tatsächlichen Größe des Produkts, des tatsächlichen Verfahrensablaufs, der tatsächlichen Zeitfolgen von Signalen und dergleichen, welche in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung enthalten sind, dar.
    • 1 ist ein Beziehungsdiagramm zwischen Stromdichte und Lichtausbeute einer LED gemäß einer Implementierung;
    • 2 ist ein Strukturdiagramm eines Anzeigesubstrats gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 3 ist ein Strukturdiagramm einer Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 4 ist ein Strukturdiagramm einer weiteren Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 5 ist ein Schaltungsdiagramm einer anderen Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 6 ist ein Ersatzschaltbild der in 5 gezeigten Pixeltreiberschaltung unter der Leuchtbedingung;
    • 7 ist ein weiteres Ersatzschaltbild der in 5 gezeigten Pixeltreiberschaltung unter der Leuchtbedingung;
    • 8 ist ein Zeitsteuerungsdiagramm gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, das der in 5 gezeigten Pixeltreiberschaltung entspricht;
    • 9 ist ein Strukturdiagramm einer weiteren Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 10 ist ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 11 ist ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 12 ist ein Schaltungsdiagramm einer weiteren Pixeltreiberschaltung gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 13 ist ein Zeitsteuerungsdiagramm gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, das der in 10-11 gezeigten Pixeltreiberschaltung entspricht;
    • 14 ist ein Strukturdiagramm eines LED-Chips gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 15 ist ein Strukturdiagramm eines weiteren LED-Chips gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 16 ist eine Schnittsansicht des in 15 gezeigten LED-Chips entlang der A-A'-Richtung;
    • 17 ist ein Strukturdiagramm eines weiteren LED-Chips gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 18 ist eine Schnittsansicht des in 17 gezeigten LED-Chips entlang der B-B'-Richtung;
    • 19 ist ein Strukturdiagramm eines weiteren LED-Chips gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 20 ist eine Schnittsansicht des in 19 gezeigten LED-Chips entlang der C-C'-Richtung;
    • 21 ist ein Strukturdiagramm eines weiteren LED-Chips gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 22 ist ein Strukturdiagramm eines weiteren LED-Chips gemäß einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung;
    • 23 ist eine Schnittsansicht des in 22 gezeigten LED-Chips entlang der D-D'-Richtung.
  • Ausführliche Ausführungsformen
  • Die technischen Lösungen in einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden nachstehend in Verbindung mit den Zeichnungen klar und vollständig beschrieben. Offensichtlich sind die beschriebenen Ausführungsformen nur einige der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, nicht alle. Alle anderen Ausführungsformen, die vom Fachmann auf dem Gebiet auf der Grundlage der in der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Ausführungsformen erhalten werden, gehören zum Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung.
  • In der gesamten Beschreibung und den Ansprüchen sind, sofern der Kontext nichts anderes erfordert, der Begriff „umfassen (comprise)“ und seine andere Formen wie die dritte Person Singular „umfasst (comprises)“ und die Partizipialform „umfassend (comprising)“ als eine offene, enthaltende Bedeutung zu interpretieren, d.h. "einschließlich, aber nicht beschränkt auf'. Im Text der Beschreibung sollen die Begriffe „eine Ausführungsform (one embodiment)“, „einige Ausführungsformen (some embodiments)“, „exemplarische Ausführungsformen (exemplary embodiments)“, „Beispiel (example)“, „spezifische Beispiele (specific example)“, oder „einige Beispiele (some examples)“ und dergleichen angeben, dass spezifische Merkmale, Strukturen, Materialien oder Eigenschaften, die sich auf diese Ausführungsform oder dieses Beispiel beziehen, in mindestens einer Ausführungsform oder mindestens einem Beispiel der vorliegenden Offenbarung enthalten sind. Schematische Darstellungen der obigen Begriffe beziehen sich nicht notwendigerweise auf dieselbe Ausführungsform oder dasselbe Beispiel. Darüber hinaus können die spezifischen Merkmale, Strukturen, Materialien oder Eigenschaften auf jede geeignete Weise in einer oder mehreren Ausführungsformen oder Beispielen enthalten sein.
  • Im Folgenden werden die Begriffe „erster“ und „zweiter“ nur zu beschreibenden Zwecken verwendet und können nicht so verstanden werden, dass sie eine relative Bedeutung angeben oder implizieren, oder die Anzahl der angegebenen technischen Merkmale implizit angeben. Somit kann ein als „erstes“ und „zweites“ Merkmal definiertes Merkmal explizit oder implizit eines oder mehrere dieser Merkmale umfassen. In der Beschreibung der Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bedeutet „mehrere“, sofern nicht anders angegeben, zwei oder mehr.
  • Bei der Beschreibung einiger Ausführungsformen ist es möglich, den Ausdruck „verbinden“ und seine Ableitungen zu verwenden. Beispielsweise kann der Begriff „verbinden“ beim Beschreiben einiger Ausführungsformen verwendet werden, um anzuzeigen, dass zwei oder mehr Elemente in direktem physischen oder elektrischen Kontakt miteinander stehen. Die hierin offenbarten Ausführungsformen sind nicht notwendigerweise durch den Kontext hierin beschränkt.
  • „Mindestens eines von A, B und C“ hat die gleiche Bedeutung wie „mindestens eines von A, B oder C“ und beide umfassen die folgenden Kombinationen von A, B und C: nur A, nur B, nur C, eine Kombination von A und B, eine Kombination von A und C, eine Kombination von B und C und eine Kombination von A, B und C.
  • „A und/oder B“ umfasst die folgenden drei Kombinationen: nur A, nur B und eine Kombination von A und B.
  • Wie hierin verwendet, wird der Begriff „wenn“ wahlweise so interpretiert, dass er je nach Kontext „wenn“ oder „bei“ oder „als Reaktion auf das Bestimmen“ oder „als Reaktion auf das Erfassen“ bedeutet. In ähnlicher Weise werden die Ausdrücke „wenn bestimmt wird, dass ...“ oder „wenn [die angegebene Bedingung oder das angegebene Ereignis] erfasst wird“ wahlweise so ausgelegt, dass sie je nach Kontext „beim Bestimmen ...“ oder „als Reaktion auf das Bestimmen ...“, oder „beim Erfassen [der angegebenen Bedingung oder des angegebenen Ereignis]“, oder als Reaktion auf Erfassen von [der angegebenen Bedingung oder des angegebenen Ereignis]" bedeuten.
  • Die Verwendung von „geeignet für“ oder „konfiguriert ist“ bedeutet hier eine offene und inklusive Sprache, die keine Vorrichtung ausschließt, die für die Durchführung zusätzlicher Aufgaben oder Schritte geeignet oder konfiguriert ist.
  • Darüber hinaus soll die Verwendung von „basieren auf‟ offen und umfassend sein, da ein Prozess, ein Schritt, eine Berechnung oder eine andere Aktion, die „auf“ einer oder mehreren angegebenen Bedingungen oder Werten „basiert“, in der Praxis auf zusätzlichen Bedingungen basieren kann oder über die angegebenen Werte hinaus sein kann.
  • Wie in diesem Text verwendet, umfasst „etwa“ oder „ungefähr“ den angegebenen Wert sowie Mittelwerte innerhalb des akzeptablen Abweichungsbereichs von dem angegebenen Wert, wobei der akzeptable Abweichungsbereich von einem Fachmann auf dem Gebiet unter Berücksichtigung der betroffenen Messung und der mit der Messung einer bestimmten Größe verbundenen Fehler (d.h. Einschränkungen des Messsystems) bestimmt wird.
  • Beispielhafte Ausführungsformen werden hierin unter Bezugnahme auf Querschnitts- und/oder Planansichten der idealisierten beispielhaften Zeichnungen beschrieben. In den Zeichnungen sind die Dicken von Schichten und Bereichen der Deutlichkeit halber vergrößert. Dementsprechend werden Abweichungen in der Form von den Zeichnungen beispielsweise als Ergebnis von Herstellungstechniken und/oder Toleranzen in Betracht gezogen. Daher sollten beispielhafte Ausführungsformen nicht als auf die hierin veranschaulichten Formen von Bereichen beschränkt ausgelegt werden, sondern sollen Abweichungen in der Form enthalten, die beispielsweise aus der Herstellung resultieren. Beispielsweise weist ein als Rechteck dargestellter Ätzbereich typischerweise gekrümmte Merkmale auf. Somit sind die in den Zeichnungen veranschaulichten Bereiche in Wesentlichen schematisch und ihre Formen sollen nicht die tatsächliche Form eines Bereichs einer Vorrichtung veranschaulichen und sollen auch den Umfang beispielhafter Ausführungsformen nicht einschränken.
  • Die in den durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Schaltungen verwendeten Transistoren können Dünnschichttransistoren, Feldeffekttransistoren oder andere Schaltelemente mit den gleichen Eigenschaften sein, und die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung werden beschrieben, indem Dünnschichttransistoren als Beispiele genommen werden.
  • In einigen Ausführungsformen ist der Steuerelektrode jedes Transistors, der in der Pixeltreiberschaltung verwendet wird, die Gate-Elektrode des Transistors, die erste Elektrode ist eine von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors und die zweite Elektrode ist die andere von der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode des Transistors. Da die Source-Elektrode und die Drain-Elektrode des Transistors symmetrisch aufgebaut sein können, kann kein struktureller Unterschied zwischen der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode vorliegen, d.h. in den Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung gibt es möglicherweise keinen strukturellen Unterschied zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode des Transistors. Wenn der Transistor beispielsweise ein P-Typ-Transistor ist, ist die erste Elektrode des Transistors die Source-Elektrode, und die zweite Elektrode des Transistors ist die Drain-Elektrode; wenn der Transistor beispielsweise ein N-Typ-Transistor ist, ist die erste Elektrode des Transistors die Drain-Elektrode, und die zweite Elektrode des Transistors ist die Source-Elektrode.
  • In den durch die Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Schaltungen stellt ein „Knoten“ keine tatsächliche Komponente dar, sondern die Zusammenflusspunkte relevanter elektrischer Verbindungen in dem Schaltplan, das heißt, diese Knoten sind die Knoten, die den Zusammenflusspunkten verwandter elektrischer Verbindungen im Schaltplan entsprechen.
  • In einer Ausführung ist die Beziehung zwischen der Lichtausbeute einer LED und der durch die LED fließenden Stromdichte wie in 1 gezeigt. Aus 1 ist ersichtlich, dass bei einer niedrigeren Stromdichte, wie z. B. der Stromdichte von J1 bis J2, die durch die LED fließende Stromdichte geringer ist und die Lichtausbeute der LED geringer ist. Bei höheren Stromdichten wie J2 bis J3 ist die Lichtausbeute der LED höher.
  • Im Stand der Technik hat die LED eine große Leuchtfläche, was leicht die durch die LED fließende Stromdichte reduziert, wodurch die Lichtausbeute der LED reduziert wird. Wenn jedoch die Stromdichte erhöht wird, um die Lichtausbeute der LED zu erhöhen, ist es einfach, den Energieverbrauch zu erhöhen. Wenn die LED über lange Zeit eine hohe Lichtausbeute beibehält, arbeitet sie außerdem lange Zeit unter der Bedingung hoher Stromdichte, wodurch die Temperatur der LED ansteigt und das Phänomen der Wärmeansammlung auftritt, und somit die Stabilität der LED-Struktur beeinträchtigt wird, so dass die Lichtausbeute der LED reduziert wird.
  • Darauf basierend stellen einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung ein Anzeigesubstrat 1000 bereit. Wie in 2 gezeigt, umfasst das Anzeigesubstrat 1000 ein Substrat 200 und mehrere Pixeltreiberschaltungen 100, die auf einer Seite des Substrats 200 angeordnet sind. Die mehreren Pixeltreiberschaltungen 100 kooperieren miteinander, um es zu ermöglichen, dass das Anzeigesubstrat 1000 Bilder anzeigt.
  • Es gibt verschiedene Typen des oben erwähnten Substrats 200, die entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt und eingestellt werden können.
  • Beispielsweise kann das Substrat 200 ein starres Substrat sein. Das starre Substrat kann beispielsweise ein Glassubstrat oder ein PMMA (Polymethyl methacrylate)-Substrat und dergleichen sein.
  • Beispielsweise kann das Substrat 200 ein flexibles Substrat sein. Das flexible Substrat kann zum Beispiel ein PET (Polyethylene terephthalate)-Substrat, ein PEN (Polyethylene naphthalate two formic acid glycol ester)-Substrat oder ein PI (Polyimide)-Substrat usw. sein. Dabei kann das Anzeigesubstrat 1000 ein flexibles Anzeigesubstrat sein.
  • In einigen Beispielen kann, wie in 2 gezeigt, das Anzeigesubstrat 1000 ferner umfassen eine Vielzahl von Gate-Leitungen GL, eine Vielzahl von Datenleitungen DL und eine Vielzahl von Leuchtsteuersignalleitungen EL, die auf einer Seite des Substrats 200 angeordnet sind. Eine Vielzahl von Gate-Leitungen GL kann sich entlang der ersten Richtung X erstrecken, eine Vielzahl von Datenleitungen DL kann sich entlang der ersten Richtung X erstrecken, und eine Vielzahl von Leuchtsteuersignalleitungen EL kann sich entlang der ersten Richtung X erstrecken.
  • Dabei kreuzen sich die erste Richtung X und die zweite Richtung Y Der eingeschlossene Winkel zwischen der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y kann entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt und eingestellt werden. Beispielsweise kann der eingeschlossene Winkel zwischen der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y 85°, 89° oder 90° usw. betragen.
  • Beispielsweise können die obigen mehreren Pixeltreiberschaltungen 100 in mehreren Reihen entlang der ersten Richtung X und in mehreren Spalten entlang der zweiten Richtung Y angeordnet sein.
  • Beispielhaft können die Pixeltreiberschaltungen 100, die in einer Reihe entlang der ersten Richtung X angeordnet sind, als Pixeltreiberschaltungen in der gleichen Reihe 100 bezeichnet werden, und die Pixeltreiberschaltungen 100, die in einer Spalte entlang der zweiten Richtung Y angeordnet sind, können als Pixeltreiberschaltungen in der gleichen Spalte 100 bezeichnet werden. Die Pixeltreiberschaltungen in der gleichen Reihe 100 können beispielsweise elektrisch mit mindestens einer Gate-Leitung GL und mindestens einer Leuchtsteuersignalleitung EL verbunden sein; und die Pixeltreiberschaltungen in der gleichen Spalte 100 können beispielsweise elektrisch mit einer Datenleitung DL verbunden. Dabei können die Anzahl von Gate-Leitungen GL und die Anzahl von Leuchtsteuersignalleitungen EL, die elektrisch mit den Pixeltreiberschaltungen 100 verbunden sind, gemäß der Struktur der Pixeltreiberschaltungen 100 bestimmt werden.
  • Die Pixeltreiberschaltung 100 kann ein Abtastsignal von der Gate-Leitung GL, ein Datensignal von der Datenleitung DL und ein Freigabesignal von der Leuchtsteuersignalleitung EL empfangen und Licht emittieren.
  • In einigen Beispielen umfasst die Pixeltreiberschaltung 100, wie in 3-5 und 9-12 gezeigt, eine Datenschreibschaltung 1, eine Leuchtsteuerschaltung 2 und einen LED-Chip 3, wobei die Datenschreibschaltung 1 elektrisch mit der Leuchtsteuerschaltung 2 verbunden ist und die Leuchtsteuerschaltung 2 elektrisch mit dem LED-Chip 3 verbunden ist.
  • Beispielhaft umfasst der LED-Chip 3, wie in 5 und 14-23 gezeigt, eine Vielzahl von Leuchtteilen 32.
  • Beispielhaft umfasst der LED-Chip 3 ferner, wie in 5 und 14-23 gezeigt, eine Basis 31. Dabei kann die Vielzahl von Leuchtteilen 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, auf derselben Seite der Basis 31 angeordnet sein. Das heißt, die oben erwähnte Vielzahl von Leuchtteilen 32 gehört zu demselben LED-Chip 3.
  • Es sei angemerkt, dass die oben erwähnte Leuchtsteuerschaltung 2 das erste Spannungssignal an den zweiten Knoten N2 übertragen kann. Der obige LED-Chip 32 kann die oben erwähnte Vielzahl von Leuchtteilen 32 unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten N2 und des an dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS empfangenen zweiten Spannungssignals derart anzusteuern, dass entweder die Vielzahl von Leuchtteilen 32 jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren oder mindestens zwei Leuchtteile 32 innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht emittieren.
  • Hinsichtlich der elektrischen Verbindungsbeziehung zwischen der Datenschreibschaltung 1, der Leuchtsteuerschaltung 2 und dem LED-Chip 3 sowie hinsichtlich der Struktur der Datenschreibschaltung 1 und der Leuchtsteuerschaltung 2 wird auf die verwandten Erläuterung unten Bezug genommen, und hier wird dies nicht wiederholt.
  • Die Strukturtypen des oben erwähnten LED-Chips 3 umfassen verschiedene Typen. Beispielsweise kann der Strukturtyp des LED-Chips 3 eine Frontmontagestruktur, eine vertikale Struktur oder eine Flip-Chip-Struktur sein.
  • Unter Bezugnahme auf den Aufbau des LED-Chips 3 in Flip-Chip-Struktur als Beispiel wird der Aufbau des obigen LED-Chips 3 schematisch anhand 14-23 beschrieben.
  • Die oben erwähnten LED-Chips 3 umfassen verschiedene Typen, die entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt und eingestellt werden können.
  • Beispielsweise kann der LED-Chip 3 ein Submillimeter-LED-Chip (Mini Light Emitting Diode, kurz Mini-LED) oder ein Mikro-LED-Chip (Micro Light Emitting Diode, kurz Mikro-LED) sein.
  • Die oben erwähnte Basis 31 umfasst verschiedene Typen, die entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt und eingestellt werden können.
  • Beispielhaft kann die Basis 31 beispielsweise eine Galliumphosphid(GaP)-Basis, eine Galliumarsenid(GaAs)-Basis, eine Siliziumbasis, eine Siliziumkarbidbasis oder eine Saphirbasis sein.
  • Optional kann, nachdem der LED-Chip 3 an die Leuchtsteuerschaltung 2 in der Pixeltreiberschaltung 100 gebunden ist, die Basis 31 in dem LED-Chip 3 abgezogen werden, so dass der LED-Chip 3 in der Pixeltreiberschaltung 100 nur mehrere Leuchtteile 32 enthalten. Nachdem der LED-Chip 3 an die Leuchtsteuerschaltung 2 in der Pixeltreiberschaltung 100 gebunden ist, kann natürlich auch die Basis 31 beibehalten werden. Insbesondere kann man entsprechend den tatsächlichen Anforderungen die Wahl treffen.
  • Beispielhaft umfasst jeder Leuchtteil 32, wie in 14-16 gezeigt, eine erste Halbleiterschicht 321, eine Quantenmuldenschicht (Multiple Quantum Well, kurz MQW) 322 und eine zweite Halbleiterschicht 323, die hintereinander gestapelt sind. Dabei ist die erste Halbleiterschicht 321 näher an der Basis 31 als die Quantenmuldenschicht 322. Die erste Halbleiterschicht 321 und die Quantenmuldenschicht 322 können zum Beispiel in direktem Kontakt sein, und die Quantenmuldenschicht 322 und die zweite Halbleiterschicht 323 können zum Beispiel in direktem Kontakt sein.
  • Beispielsweise kann das Material der Quantenmuldenschicht 322 Galliumnitrid (GaN) sein.
  • Optional sind die Dotierungstypen der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 unterschiedlich.
  • Beispielsweise kann das Material der ersten Halbleiterschicht 321 ein Halbleitermaterial vom P-Typ sein, und dementsprechend kann das Material der zweiten Halbleiterschicht 323 ein Halbleitermaterial vom N-Typ sein. Alternativ kann das Material der ersten Halbleiterschicht 321 ein Halbleitermaterial vom N-Typ sein, und dementsprechend kann das Material der zweiten Halbleiterschicht 323 ein Halbleitermaterial vom P-Typ sein.
  • Die Materialien der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 umfassen verschiedene Materialien, die entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt und eingestellt werden können. Beispielsweise sind die intrinsischen Halbleitermaterialien in der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 gleich, und die intrinsischen Halbleitermaterialien können irgendeines von GaN, GaP, Aluminiumgalliumarsenid (AlGaAs) und Aluminiumgalliumindiumphosphid (AlGaInP) sein.
  • Es sei angemerkt, dass der Typ der Basis 31 in dem LED-Chip 3 gemäß den Materialien der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 in dem oben erwähnten Leuchtteil 32 bestimmt werden kann.
  • Im Fall des Anlegens unterschiedlicher Spannungen an die erste Halbleiterschicht 321 und die zweite Halbleiterschicht 323 zum Erzeugen eines elektrischen Felds zwischen den beiden, kann der Leuchtteil 32 grünes Licht oder blaues Licht emittieren, wenn die intrinsischen Halbleitermaterialien der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 GaN sind; und der Leuchtteil 32 kann rotes Licht emittieren, wenn die intrinsischen Halbleitermaterialien der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323 GaP, AlGaAs oder AlGaInP sind.
  • Es sei angemerkt, dass im Fall des Anlegens unterschiedlicher Spannungen an die erste Halbleiterschicht 321 und die zweite Halbleiterschicht 323 zum Erzeugen eines elektrischen Felds zwischen den beiden, d.h. im Fall des Bildens eines PN-Übergangs mit einer Potentialbarriere zwischen der ersten Halbleiterschicht 321 und der zweiten Halbleiterschicht 323, die Minoritätsträger und die Majoritätsträger beim Rekombinieren in den überlappenden Bereichen der ersten Halbleiterschicht 321, der Quantenmuldenschicht 322 und der zweiten Halbleiterschicht 323 entlang der Stapelrichtung die redundante Energie in Form von Licht freisetzen können, wodurch elektrische Energie direkt in Lichtenergie umgewandelt wird. Daher sind die überlappenden Bereichen der drei entlang der Stapelrichtung im Wesentlichen die Leuchtbereiche der Leuchtteile 32, und die Fläche der überlappenden Bereichen der drei entlang der Stapelrichtung ist im Wesentlichen die Leuchtfläche der Leuchtteile 32.
  • Wie in 14-23 gezeigt, sind beispielhaft die Quantenmuldenschichten 322 in beliebigen zwei benachbarten Leuchtteile 32 der obigen mehreren Leuchtteile 32 unabhängig voneinander angeordnet, und die zweiten Halbleiterschichten 323 in beliebigen zwei benachbarten Leuchtteile 32 der obigen mehreren Leuchtteile 32 sind unabhängig voneinander angeordnet. Das bedeutet, dass jeder Leuchtteil 32 entsprechend einen Leuchtbereich aufweisen kann. Der LED-Chip 3 umfasst mehrere Leuchtteile 32, die entsprechend mehrere unabhängige Leuchtbereiche aufweisen.
  • Wie in 14-23 gezeigt, umfasst jeder Leuchtteil 32 beispielhaft ferner mindestens eine von einer ersten Bondelektrode 324 und einer zweiten Bondelektrode 325. Das heißt, der Leuchtteil 32 kann nur die erste Bondelektrode 324 enthalten. Alternativ kann der Leuchtteil 32 nur die zweite Bondelektrode 325 umfassen. Alternativ kann der Leuchtteil 32 eine erste Bondelektrode 324 und eine zweite Bondelektrode 325 umfassen.
  • Beispielsweise kann die Form der orthographischen Projektion der ersten Bondelektrode 324 auf die Basis 31 die Form eines Streifens oder Blocks darstellen, und die orthographische Projektionsfläche ist relativ groß. Die Form der orthographischen Projektion der zweiten Bondelektrode 325 auf die Basis 31 kann auch die Form eines Streifens oder Blocks darstellen, und die orthographische Projektionsfläche ist relativ groß. Optional ist die orthografische Projektionsfläche der ersten Bondelektrode 324 auf die Basis 31 bzw. die orthografische Projektionsfläche der zweiten Bondelektrode 325 auf die Basis 31 beide größer als die orthografische Projektionsfläche der zweiten Halbleiterschicht 323 auf die Basis 31, damit das spätere Binding und elektrische Verbinden des LED-Chips 3 mit anderen Schaltungsstrukturen erleichtert wird.
  • Wie in 14-23 gezeigt, kann optional die erste Bondelektrode 324 elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht 321 des entsprechenden Leuchtteils 32 verbunden sein und die zweite Bondelektrode 325 kann mit der zweiten Halbleiterschicht 321 des entsprechenden Leuchtteils 32 verbunden sein.
  • Beispielsweise kann der Leuchtteil 32, in dem Fall, dass der Leuchtteil 32 nur die erste Bondelektrode 324 umfasst, die zweite Bondelektrode 325 mit anderen Leuchtteilen 32 teilen. In dem Fall, dass der Leuchtteil 32 nur die zweite Bondelektrode 325 umfasst, kann der Leuchtteil 32 die erste Bondelektrode 324 mit anderen Leuchtteilen 32 teilen.
  • Wie beispielsweise in 14-23 gezeigt liegt die orthographische Projektion der zweiten Halbleiterschicht 323 auf die Basis 31 innerhalb des Bereichs der orthographischen Projektion der ersten Halbleiterschicht 321 auf die Basis 31; und die orthographische Projektion der Quantenmuldenschicht 322 auf die Basis 31 befindet sich im Bereich der orthografischen Projektion der ersten Halbleiterschicht 321 auf die Basis 31. Dies erleichtert die elektrische Verbindung zwischen der ersten Bondelektrode 324 und der ersten Halbleiterschicht 321.
  • Nachdem jeder Leuchtteil 32 unter Verwendung einer von der ersten Bondelektrode 324 und der zweiten Bondelektrode 325 elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden ist, und unter Verwendung der anderen von der ersten Bondelektrode 324 und der zweiten Bondelektrode 325 elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden ist, können zumindest zwei Leuchtteile 32 der obigen mehreren Leuchtteile 32 unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals und des zweiten Spannungssignals angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren; oder einer der Leuchtteile 32 wird in einem bestimmten Zeitraum angesteuert, um Licht zu emittieren, und der andere der Leuchtteile 32 wird in dem nächsten Zeitraum angesteuert, um Licht zu emittieren.
  • Da der LED-Chip 3 mehrere Leuchtteile 32 umfasst, ist die Fläche des jedem Leuchtteil 32 entsprechenden Leuchtbereichs kleiner als die Gesamtfläche des LED-Chips 3. Auf diese Weise kann, wenn der Leuchtteil 32 unter Verwendung des gleichen Spannungssignals wie im Stand der Technik angesteuert wird, um Licht zu emittieren, die Stromdichte, die durch den Leuchtteil 32 fließt, erhöht werden und die Lichtausbeute des Leuchtteils 32 sowie des LED-Chips 3 wird auch erhöht.
  • Auf dieser Grundlage können, wenn der LED-Chip 3 eine niedrigere Graustufe (beispielsweise 0 nit bis 500 nit) anzeigen muss, die oben erwähnten mehreren Leuchtteile 32 angesteuert werden, um Licht in unterschiedlichen Zeiträumen zu emittieren, d.h. die Leuchtteile 32 können jeweils angesteuert werden, um der Reihe nach Licht zu emittieren. Auf diese Weise kann die Situation vermeiden werden, dass die Temperatur des LED-Chips 3 aufgrund einer langen Lichtemissionszeit eines bestimmten Leuchtteils 32 ansteigt, was der Verbesserung des Phänomens der Wärmeansammlung förderlich ist, Weiterhin wird vermieden, dass die Lichtausbeute des LED-Chips 3 durch das Phänomen der Wärmeansammlung abnimmt.
  • In dem Fall, dass der LED-Chip 3 eine höhere Graustufe (zum Beispiel über 500 nit) anzeigen muss, können mindestens zwei Leuchtteile 32 der mehreren Leuchtteilen 32 angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren. Dabei kann die Stromdichte, die durch die mindestens zwei Leuchtteile 32 fließt, eine relativ niedrige Stromdichte sein, wie beispielsweise die Stromdichte von J1 bis J2 in 1, und die mindestens zwei Leuchtteile 32 können insgesamt eine Anzeige mit höheren Graustufen realisieren. Auf diese Weise kann die durch jeden Leuchtteil 32 fließende Stromdichte verringert werden; selbst wenn die mindestens zwei Leuchtteile 32 Licht für eine lange Zeit emittieren müssen, können auch die Erzeugung von mehr Wärme und der Temperaturanstieg des LED-Chips 3 vermieden werden, was vorteilhaft ist, um das Phänomen der Wärmeansammlung zu verbessern, wodurch die Verringerung der Lichtausbeute des LED-Chips 3 aufgrund der Wärmeansammlung vermieden wird.
  • Daher umfasst der LED-Chip 3 beim durch einige Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellten Anzeigesubstrat 1000 aufgrund der Konfiguration der Struktur des LED-Chips 3 in der Pixeltreiberschaltung 100 eine Vielzahl von Leuchtteilen 32, die selbstständig Licht emittieren können, so dass jeder Leuchtteil 32 eine kleinere Leuchtfläche aufweist, was vorteilhaft die durch den Leuchtteil 32 fließende Stromdichte erhöht und somit die Lichtausbeute des LED-Chips 3 verbessert.
  • Außerdem können während des Anzeigeprozesses des Anzeigesubstrats 100 gemäß dem anzuzeigenden Bildschirm mehrere Leuchtteile 32 in dem LED-Chip 3 angesteuert werden, um der Reihe nach Licht zu emittieren, oder zumindest zwei Leuchtteile 32 in dem LED-Chip 3 können angesteuert werden, um Licht gleichzeitig zu emittieren. Auf diese Weise kann, wenn die durch den Leuchtteil 32 fließende Stromdichte relativ groß ist, die Situation vermieden werden, dass der Leuchtteil 32 für eine lange Zeit Licht emittiert; und wenn der Leuchtteil 32 für eine lange Zeit Licht emittiert, kann dann die Situation vermieden werden, dass die durch den Leuchtteil 32 fließende Stromdichte relativ groß ist, damit kann der Temperaturanstieg des LED-Chips 3 vermieden werden, was vorteilhaft ist, um das Phänomen der Wärmeansammlung zu verbessern, wodurch die Verringerung der Lichtausbeute des LED-Chips 3 aufgrund der Wärmeansammlung vermieden wird.
  • Hier gibt es viele Möglichkeiten, die mehreren Leuchtteile 32 anzuordnen, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, und die Anordnung kann entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt werden.
  • In einigen Ausführungsformen gibt es eine Lücke zwischen den ersten Halbleiterschichten 321 in beliebigen zwei benachbarten Leuchtteilen 32, und es gibt eine Lücke zwischen den Quantenmuldenschichten 322 in beliebigen zwei benachbarten Leuchtteilen 32, und es gibt eine Lücke zwischen den zweiten Halbleiterschichten 323 in beliebigen zwei benachbarten Leuchtteilen 32, wie in 14-21 gezeigt. Das heißt, die mehreren Leuchtteile 32 sind unabhängig voneinander angeordnet, was eine flexible Steuerung der Leuchtzustände von unterschiedlichen Leuchtteilen 32 erleichtert.
  • Basierend darauf gibt es mehrere Verbindungsbeziehungen zwischen der ersten Halbleiterschicht 321 und der ersten Bondelektrode 324 des jeweiligen Leuchtteils 32 und mehrere Verbindungsbeziehungen zwischen der zweiten Halbleiterschicht 323 und der zweiten Bondelektrode 325 des jeweiligen Leuchtteils 32. Diese Verbindungsbeziehungen können entsprechend den tatsächlichen Anforderungen ausgewählt und eingestellt werden.
  • In einigen Beispielen und wie in 14-16 gezeigt, umfasst jeder Leuchtteil 32 eine erste Bondelektrode 324 und eine zweite Bondelektrode 325. Darüber hinaus sind die ersten Bondelektroden 324, die in unterschiedlichen Leuchtteilen 32 enthalten sind, unterschiedlich, und die zweiten Bondelektroden 325, die in unterschiedlichen Leuchtteilen 32 enthalten sind, sind unterschiedlich.
  • Das heißt, bei mehreren Leuchtteilen 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, teilen unterschiedliche Leuchtteile 32 weder die erste Bondelektrode 324 noch teilen sie die zweite Bondelektrode 325. Die ersten Bondelektroden 324, die in unterschiedlichen Leuchtteilen 32 enthalten sind, sind unabhängig voneinander angeordnet, und die zweiten Bondelektroden 325, die in unterschiedlichen Leuchtteilen 32 enthalten sind, sind unabhängig voneinander angeordnet.
  • Wie beispielhaft in 14-16 gezeigt, umfasst jeder Leuchtteil 32 ferner eine Schichtwechselelektrode 326. Der LED-Chip 3 umfasst ferner eine Einkapselungsschicht 33, die auf einer von der Basis 31 entfernten Seite der Schichtwechselelektrode 326 angeordnet ist. Dabei ist eine Passivierungsschicht zwischen der Schichtwechselelektrode 326 und der zweiten Halbleiterschicht 323 angeordnet; die orthografische Projektion der ersten Halbleiterschicht 321 jedes Leuchtteils 32 auf die Basis 31 befindet sich beispielsweise im Bereich der orthografischen Projektion der Passivierungsschicht auf die Basis 31. Die erste Bondelektrode 324 und die zweite Bondelektrode 325 sind auf einer von der Basis 31 entfernten Seite der Einkapselungsschicht 33 angeordnet. Die orthographische Projektion der ersten Halbleiterschicht 321 jedes Leuchtteils 32 auf die Basis 31 liegt beispielsweise innerhalb des Bereichs der orthographischen Projektion der Einkapselungsschicht 33 auf die Basis 31.
  • Wie beispielsweise in 16 gezeigt steht die Schichtwechselelektrode 326 durch die Passivierungsschicht in direktem Kontakt mit der zweiten Halbleiterschicht 323, um eine elektrische Verbindung zu realisieren. Da die orthographische Projektion der Schichtwechselelektrode 326 auf die Basis 31 nicht mit der orthographischen Projektion der zweiten Halbleiterschicht 323 auf die Basis 31 überlappt, kann die Schichtwechselelektrode 326 zum Schichtwechseln der zweiten Halbleiterschicht 323 verwendet werden, und die zweite Halbleiterschicht 323 wird in den anderen Bereich geführt, um eine nachfolgende elektrische Verbindung mit der zweiten Bondelektrode 325 zu erleichtern.
  • Wie beispielsweise in 16 gezeigt, steht die erste Bondelektrode 324 durch die Einkapselungsschicht 33 und die Passivierungsschicht in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 321, um eine elektrische Verbindung zu realisieren. Die zweite Bondelektrode 325 steht durch die Einkapselungsschicht 33 mit der Schichtwechselelektrode 326 in direktem Kontakt, und die zweite Bondelektrode 325 ist elektrisch mit der zweiten Halbleiterschicht 323 durch die Schichtwechselelektrode 326 verbunden.
  • Optional ist das Material der Schichtwechselelektrode 326 ein Material mit relativ hoher Lichtdurchlässigkeit. Beispielsweise ist das Material der Schichtwechselelektrode 326 Indium-Zinn-Oxid (Indium Tin Oxide, kurz ITO).
  • Durch Anordnen der Vielzahl von Leuchtteilen 32 unabhängig voneinander und Einstellen der ersten Bondelektroden 324 und der zweiten Bondelektroden 325, die in verschiedenen Leuchtteilen 32 enthalten sind, unabhängig voneinander, ist es bequem, die unabhängige Steuerung der Leuchtzustand jedes Leuchtteils 32 zu realisieren.
  • In diesem Beispiel und wie in 17 und 18 gezeigt kann mindestens ein Leuchtteil 32 in den obigen Leuchtteilen 32 beispielsweise mehrere in Reihe angeordnete Sub-Leuchtteile 32a umfassen. Der Leuchtteil 32 hier kann als Hochspannungs-Leuchtteil bezeichnet werden; und die Spannungsdifferenz zwischen der ersten Bondelektrode 324 und der zweiten Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 kann ein Vielfaches der Spannungsdifferenz zwischen der ersten Bondelektrode 324 und der zweiten Bondelektrode 325 der verbleibenden Leuchtteile 32 sein. Die Struktur der verbleibenden Leuchtteile 32 umfasst keine Vielzahl von Sub-Leuchtteilen 32a. In dem Fall, dass unter der Vielzahl von Leuchtteilen 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, jeder Leuchtteil 32 eine Vielzahl von Sub-Leuchtteilen 32a umfasst, die in Reihe angeordnet sind, kann der LED-Chip 3 als Hochspannungschip bezeichnet werden.
  • Wie beispielsweise in 17 und 18 gezeigt, umfasst jeder Sub-Leuchtteil 32a eine erste Sub-Halbleiterschicht 321a, eine erste Sub-Quantenmuldenschicht 322a und eine zweite Sub-Halbleiterschicht 323a, die hintereinander gestapelt sind. Dabei gibt es eine Lücke zwischen den ersten Sub-Halbleiterschichten 321a in beliebigen zwei benachbarten Sub-Leuchtteilen 32a, und es gibt eine Lücke zwischen den ersten Sub-Quantenmuldenschichten 322a in beliebigen zwei benachbarten Sub-Leuchtteilen 32a, und es gibt eine Lücke zwischen den zweiten Sub-Halbleiterschichten 323a in beliebigen zwei benachbarten Sub-Leuchtteilen 32a. Das heißt, die mehreren Sub-Leuchtteile 32a sind unabhängig voneinander vorgesehen.
  • Wie in 17 und 18 gezeigt, ist optional die erste Sub-Halbleiterschicht 321a eines Sub-Leuchtteils 32a elektrisch mit der ersten Bondelektrode 324 des zugeordneten Leuchtteils 32 verbunden. Die zweite Sub-Halbleiterschicht 323a des anderen Sub-Leuchtteils 32a ist elektrisch mit der zweiten Bondelektrode 325 des zugeordneten Leuchtteils 32 verbunden.
  • Die Beziehung zwischen dem obigen einen Sub-Leuchtteil 32a und dem obigen anderen Sub-Leuchtteil 32a steht im Zusammenhang mit der Anzahl der Sub-Leuchtteile 32a, die im Leuchtteil 32 enthalten sind.
  • Es sei angemerkt, dass, wie in 17 und 18 gezeigt, jeder Sub-Leuchtteil 32a ferner zum Beispiel eine Sub-Schichtwechselelektrode 326a umfassen kann, die elektrisch mit der zweiten Sub-Halbleiterschicht 323a verbunden ist.
  • Wie in 17 und 18 gezeigt umfasst der Leuchtteil 32 beispielsweise zwei Sub-Leuchtteile 32a. Hierbei kann der Leuchtteil 32 eine Überbrückungselektrode 327 umfassen.
  • Ein Anschluss der obigen Überbrückungselektrode 327 kann elektrisch mit der Sub-Schichtwechselelektrode 326a des einen Sub-Leuchtteils 32a verbunden sein und kann dann durch diese Sub-Schichtwechselelektrode 326a elektrisch mit der zweiten Sub-Halbleiterteilschicht 323a des einen Sub-Leuchtteils 32a verbunden sein. Der andere Anschluss der Überbrückungselektrode 327 kann durch die Passivierungsschicht elektrisch mit der ersten Sub-Halbleiterschicht 321a des anderen Sub-Leuchtteils 32a verbunden sein.
  • Auf diese Weise können der eine Sub-Leuchtteil 32a und der andere Sub-Leuchtteil 32a eine Schichtwechselverbindung durch die Überbrückungselektrode 327 realisieren und ferner die Reihenanordnung realisieren. Während des Vorgangs des Ansteuerns des Leuchtteils 32 zum Emittieren von Licht kann das elektrische Signal nacheinander durch die erste Bondelektrode 324 des Leuchtteils 32, die erste Sub-Halbleiterschicht 321a des einen Sub-Leuchtteils 32a, die Sub-Schichtwechselelektrode 326a des einen Sub-Leuchtteils 32a, die Überbrückungselektrode 327, die erste Sub-Halbleiterschicht 321a des anderen Sub-Leuchtteils 32a, die Sub-Schichtwechselelektrode 326a des anderen Sub-Leuchtteils 32a sowie die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 hindurchgehen, wodurch die zwei Sub-Leuchtteile 32a angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren.
  • Als weiteres Beispiel umfasst der Leuchtteil 32 drei Sub-Leuchtteile 32a. Dabei kann der Leuchtteil 32 zwei Überbrückungselektroden 327 umfassen. Der oben erwähnte eine Sub-Leuchtteil 32a kann durch eine Überbrückungselektrode 327 in Reihe mit dem dritten Sub-Leuchtteil 32a angeordnet sein, und der dritte Sub-Leuchtteil 32a kann durch eine weitere Überbrückungselektrode 327 in Reihe mit dem anderen Sub-Leuchtteil 32a angeordnet sein. Dabei kann die Art und Weise der elektrischen Verbindung zwischen zwei benachbarten Sub-Leuchtteilen 32a auf die Beschreibung in dem obigen Beispiel verwiesen werden und wird hier nicht wiederholt.
  • Die orthografische Projektion der oben erwähnten Überbrückungselektroden 327 auf die Basis 31 umfasst verschiedene Formen, die gemäß den Anordnungspositionen der Sub-Leuchtteile 32a eingestellt werden können.
  • Beispielsweise umfasst die Form der orthographischen Projektion der Überbrückungselektroden 327 auf die Basis 31 eine Streifenform, eine U-Form oder eine H-Form und dergleichen.
  • In einigen anderen Beispielen umfassen die mehreren Leuchtteile 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, mindestens einen ersten Leuchtteil 32b und mindestens einen zweiten Leuchtteil 32c, wie in 19-21 gezeigt. Das heißt, die Anzahl der ersten Leuchtteile 32b kann eins oder mehr sein, und die Anzahl der zweiten Leuchtteile 32c kann eins oder mehr sein.
  • Wie in 19-20 gezeigt, sind beispielsweise die erste Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b und die zweite Halbleiterschicht 323 des zweiten Leuchtteils 32c elektrisch mit einer zweiten Bondelektrode 325c verbunden. Das heißt, die erste Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b und die zweite Halbleiterschicht 323 des zweiten Leuchtteils 32c teilen sich eine zweite Bondelektrode 325c.
  • Wie in 19 und 20 gezeigt ist die zweite Bondelektrode 325c in diesem Beispiel beispielsweise die zweite Bondelektrode 325c des zweiten Leuchtteils 32c. Da natürlich die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325c auch elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b verbunden ist, kann die zweite Bondelektrode 325c auch als die erste Bondelektrode 324 des ersten Leuchtteils 32b betrachtet werden. Bei dieser Offenbarung ist nur der klaren Darstellung der Struktur des LED-Chips 3 halber die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325c in den zweiten Leuchtteil 32c unterteilt.
  • Wie in 19 und 20 gezeigt sind beispielsweise die zweite Halbleiterschicht 323 des ersten Leuchtteils 32b und die erste Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c elektrisch mit einer anderen zweiten Bondelektrode 325b verbunden. Das heißt, die zweite Halbleiterschicht 323 des ersten Leuchtteils 32b und die erste Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c teilen sich eine weitere zweite Bondelektrode 325b.
  • Wie in 19 und 20 gezeigt ist die zweite Bondelektrode 325b in diesem Beispiel beispielsweise die zweite Bondelektrode 325b des ersten Leuchtteils 32b. Da natürlich die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325b auch elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c verbunden ist, kann die zweite Bondelektrode 325b auch als die erste Bondelektrode 324 des zweiten Leuchtteils 32c betrachtet werden. Bei dieser Offenbarung ist nur der klaren Darstellung der Struktur des LED-Chips 3 halber die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325b in den ersten Leuchtteil 32b unterteilt.
  • Während der Übertragung des elektrischen Signals kann das elektrische Signal von der zweiten Bondelektrode 325c des zweiten Leuchtteils 32c sequentiell durch die erste Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b und die zweite Halbleiterschicht 323 des ersten Leuchtteils 32b zu der zweiten Bondelektrode 325b des ersten Leuchtteils 32b übertragen werden, so dass der erste Leuchtteil 32b zur Lichtemission angesteuert werden kann. Alternativ kann das elektrische Signal von der zweiten Bondelektrode 325b des ersten Leuchtteils 32b sequentiell durch die erste Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c und die zweite Halbleiterschicht 323 des zweiten Leuchtteils 32c zu der zweiten Bondelektrode 325c des zweiten Leuchtteils 32c übertragen werden, so dass der zweite Leuchtteil 32c zur Lichtemission angesteuert werden kann.
  • Die obige Anordnung des ersten Leuchtteils 32b und des zweiten Leuchtteils 32c kann als umgekehrte Vorspannungsanordnung bezeichnet werden. Durch Einstellen der Übertragungsrichtung des elektrischen Signals können der erste Leuchtteil 32b und der zweite Leuchtteil 32c dazu gebracht werden, abwechselnd Licht zu emittieren.
  • In dem Fall, dass die obigen mehreren Leuchtteilen 32 eine Vielzahl von ersten Leuchtteilen 32b und eine Vielzahl von zweiten Leuchtteilen 32c umfasst, können die Vielzahl von ersten Leuchtteilen 32b und die Vielzahl von zweiten Leuchtteilen 32c in mehrere Gruppen unterteilt werden, wobei jede Gruppe einen ersten Leuchtteil 32b und einen zweiten Leuchtteil 32c umfasst, und der erste Leuchtteil 32b und der zweite Leuchtteil 32c in umgekehrter Richtung vorgespannt sind.
  • Natürlich können für den ersten Leuchtteil 32b und den zweiten Leuchtteil 32c auch andere Anordnungsverfahren verwendet werden, solange die umgekehrte Vorspannungsanordnung des ersten Leuchtteils 32b und des zweiten Leuchtteils 32c realisiert.
  • In diesem Beispiel umfasst der LED-Chip 3 ferner zum Beispiel eine Vielzahl von Verbindungen 34, wie in 19 und 20 gezeigt.
  • Wie beispielsweise in 19 gezeigt, ist bei dem ersten Leuchtteil 32b und dem zweiten Leuchtteil 32c in umgekehrter Vorspannungsanordnung die erste Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b durch eine Verbindung 34 mit der zweiten Halbleiterschicht 323 des zweiten Leuchtteils 32c elektrisch verbunden.
  • Wie in 20 gezeigt, steht optional ein Anschluss der Verbindung 34 durch die Passivierungsschicht in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b, um eine elektrische Verbindung zu realisieren. Der andere Anschluss der Verbindung 34 ist elektrisch mit der Schichtwechselelektrode 326 des zweiten Leuchtteils 32c verbunden und kann ferner durch die Schichtwechselelektrode 326 mit der zweiten Halbleiterschicht 323 des zweiten Leuchtteils 32c elektrisch verbunden sein.
  • Auf diese Weise wird auch die elektrische Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b und der zweiten Halbleiterschicht 323 des zweiten Leuchtteils 32c, sowie die elektrische Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht 321 des ersten Leuchtteils 32b und der entsprechenden zweiten Bondelektrode 325c realisiert.
  • Wie in 19 und 20 gezeigt, ist beispielsweise bei dem ersten Leuchtteil 32b und dem zweiten Leuchtteil 32c in umgekehrter Vorspannungsanordnung die erste Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c durch eine Verbindung 34 mit der zweiten Halbleiterschicht 323 des ersten Leuchtteils 32b elektrisch verbunden.
  • Wie in 19 und 20 gezeigt, steht optional ein Anschluss der Verbindung 34 durch die Passivierungsschicht in direktem Kontakt mit der ersten Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteil 32c, um eine elektrische Verbindung zu realisieren. Der andere Anschluss der Verbindung 34 ist elektrisch mit der Schichtwechselelektrode 326 des ersten Leuchtteils 32b verbunden und kann ferner durch die Schichtwechselelektrode 326 mit der zweiten Halbleiterschicht 323 des ersten Leuchtteils 32b elektrisch verbunden sein.
  • Auf diese Weise wird auch die elektrische Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c und der zweiten Halbleiterschicht 323 des ersten Leuchtteils 32b, sowie die elektrische Verbindung zwischen der ersten Halbleiterschicht 321 des zweiten Leuchtteils 32c und der entsprechenden zweiten Bondelektrode 325b realisiert.
  • Es gibt viele Arten von Materialien für die Verbindung 34, die entsprechend den tatsächlichen Bedürfnissen ausgewählt und eingestellt werden können. Beispielsweise kann das Material der Verbindung 34 Chrom (Cr), Titan (Ti) und dergleichen sein. Beispielsweise ist das Material der Verbindung 34 das gleiche wie das der Überbrückungselektrode 327 in einigen obigen Beispielen.
  • Die orthografische Projektion der oben erwähnten Verbindung 34 auf die Basis 31 umfasst verschiedene Formen, die gemäß der relativen Positionsbeziehung zwischen dem ersten Leuchtteil 32b und dem zweiten Leuchtteil 32c bestimmt werden können.
  • Beispielsweise umfasst die Form der orthographischen Projektion der Verbindung 34 auf die Basis 31 eine Streifenform, eine U-Form oder eine H-Form und dergleichen.
  • In diesem Beispiel umfasst der oben erwähnte erste Leuchtteil 32b, wie in 21 gezeigt, beispielsweise eine Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen 32bb, die in Reihe angeordnet sind, wobei jeder erste Sub-Leuchtteil 32bb eine dritte Sub-Halbleiterschicht 321b, eine zweite Sub-Quantenmuldenschicht 322b und eine vierte Sub-Halbleiterschicht 323b umfasst, die hintereinander gestapelt sind. Die Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen 32bb sind beispielsweise unabhängig voneinander angeordnet.
  • Wie in 21 gezeigt, umfasst der zweite Leuchtteil 32c zum Beispiel eine Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteilen 32cc, die in Reihe angeordnet sind, wobei jeder zweite Sub-Leuchtteil 32cc eine fünfte Sub-Halbleiterschicht 321c, eine dritte Sub-Quantenmuldenschicht 322c und eine sechste Sub-Halbleiterschicht 323c umfasst, die hintereinander gestapelt sind. Die Vielzahl von zweiten Leuchtteilen 32c sind beispielsweise unabhängig voneinander angeordnet.
  • Wie in 21 gezeigt ist die dritte Sub-Halbleiterschicht 321b eines der ersten Sub-Leuchtteile 32bb in der Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen 32bb beispielsweise elektrisch mit der entsprechenden zweiten Bondelektrode 325c verbunden und mit der sechsten Sub-Halbleiterschicht 323c eines der zweiten Sub-Leuchtteile 32cc in der Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteilen 32cc elektrisch verbunden.
  • Hier ist der erste Sub-Leuchtteil 32bb der erste Sub-Leuchtteil 32bb in der Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen 32bb, der zuerst ein elektrisches Signal empfängt. Das heißt, im Prozess der elektrischen Signalübertragung wird das elektrische Signal, nachdem es durch die oben erwähnte entsprechende zweite Bondelektrode 325b hindurchgegangen ist, zuerst zu diesem ersten Sub-Leuchtteil 32bb übertragen und dann zu den verbleibenden ersten Sub-Leuchtteilen 32bb übertragen. Der zweite Sub-Leuchtteil 32cc ist der zweite Sub-Leuchtteil 32cc in der Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteilen 32cc, der am letzten das elektrische Signal empfängt. Das heißt, in dem Prozess der elektrischen Signalübertragung wird das elektrische Signal zuerst durch andere zweite Sub-Leuchtteile 32cc und dann durch den zweiten Sub-Leuchtteil 32cc und dann zu der oben erwähnten entsprechenden zweiten Bondelektrode 325b übertragen.
  • Es sei angemerkt, dass die zweite Bondelektrode 325c in diesem Beispiel beispielsweise die zweite Bondelektrode 325 des zweiten Sub-Leuchtteils 32cc ist. Da natürlich die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325c auch elektrisch mit der dritten Sub-Halbleiterschicht 321b des ersten Sub-Leuchtteils 32bb verbunden ist, kann die zweite Bondelektrode 325c auch als die erste Bondelektrode 324 des ersten Sub-Leuchtteils 32bb betrachtet werden. Bei dieser Offenbarung ist nur der klaren Darstellung der Struktur des LED-Chips 3 halber die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325c in den zweiten Sub-Leuchtteil 32cc unterteilt.
  • Wie in 21 gezeigt, ist beispielsweise die fünfte Sub-Halbleiterschicht 321c eines der zweiten Sub-Leuchtteile 32cc der obigen Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteilen 32cc elektrisch mit der entsprechenden anderen zweiten Bondelektrode 325b verbunden und ist mit der vierten Sub-Halbleiterschicht 323b eines der ersten Sub-Leuchtteile 32bb der obigen Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen 32bb elektrisch verbunden.
  • Hier ist der zweite Sub-Leuchtteils 32cc der zweite Sub-Leuchtteils 32cc in der Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteils 32cc, der zuerst ein elektrisches Signal empfängt. Das heißt, im Prozess der elektrischen Signalübertragung wird das elektrische Signal, nachdem es durch die oben erwähnte entsprechende zweite Bondelektrode 325b hindurchgegangen ist, zuerst zu diesem zweiten Sub-Leuchtteils 32cc übertragen und dann zu den verbleibenden zweiten Sub-Leuchtteils 32cc übertragen. Der erste Sub-Leuchtteil 32bb ist der erste Sub-Leuchtteil 32bb in der Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteil 32bb, der am letzten das elektrische Signal empfängt. Das heißt, in dem Prozess der elektrischen Signalübertragung wird das elektrische Signal zuerst durch andere ersten Sub-Leuchtteil 32bb und dann durch den ersten Sub-Leuchtteil 32bb und dann zu der oben erwähnten entsprechenden zweite Bondelektroden 325b übertragen.
  • Es sei angemerkt, dass die zweite Bondelektrode 325b in diesem Beispiel beispielsweise die zweite Bondelektrode 325b des ersten Sub-Leuchtteil 32bb ist. Da natürlich die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325b auch elektrisch mit der fünften Sub-Halbleiterschicht 321c des zweiten Sub-Leuchtteils 32cc verbunden ist, kann die zweite Bondelektrode 325b auch als die erste Bondelektrode 324 des zweiten Sub-Leuchtteils 32cc betrachtet werden. Bei dieser vorliegenden Offenbarung ist nur der klaren Darstellung der Struktur des LED-Chips 3 halber die oben erwähnte zweite Bondelektrode 325b in den ersten Sub-Leuchtteil 32bb unterteilt.
  • Optional kann sich unter der Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen 32bb das Verbindungsverfahren zwischen den beliebigen zwei benachbarten ersten Sub-Leuchtteilen 32bb auf das Verbindungsverfahren zwischen den beliebigen benachbarten zwei Sub-Leuchtteilen 32a in den oben genannten einigen Ausführungsformen beziehen. Und unter der Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteils 32cc kann sich das Verbindungsverfahren zwischen den beliebigen zwei benachbarten zweiten Sub-Leuchtteils 32cc auf das Verbindungsverfahren zwischen den beliebigen benachbarten zwei Sub-Leuchtteilen 32a in den oben genannten einigen Ausführungsformen beziehen. Hier wird es nicht wiederholt.
  • In einigen anderen Ausführungsformen ist wie in 22 und 23 gezeigt die Quantenmuldenschicht 322 in jeweiligem Leuchtteil 32 unabhängig vorgesehen, und die zweite Halbleiterschicht 323 in dem Leuchtteil 32 ist unabhängig vorgesehen, und die erste Halbleiterschicht 321 der mindestens zwei Leuchtteilen 32 liegt in einer integrierten Struktur vor.
  • Basierend darauf kann die erste Halbleiterschicht 321 der oben erwähnten mindestens zwei Leuchtteile 32 elektrisch mit derselben ersten Bondelektrode 324 verbunden sein, wie in 22 und 23 gezeigt. Das heißt, die mindestens zwei Leuchtteile 32 teilen sich eine erste Bondelektrode 324.
  • Im Prozess der elektrischen Signalübertragung kann das elektrische Signal gleichzeitig durch die erste Bondelektrode 324 zu den ersten Halbleiterschichten 321 der mindestens zwei Leuchtteile 32 übertragen werden. Durch Steuern der Verbindungsbeziehung zwischen den zweiten Bondelektroden 325 der mindestens zwei Leuchtteile 32 und dem zweiten Knoten N2 oder dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS können die mindestens zwei Leuchtteile 32 angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren, oder die mindestens zwei Leuchtteile 32 werden angesteuert, dass sie jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren.
  • Durch Anordnen der ersten Halbleiterschicht 321 in mindestens zwei Leuchtteilen 32 als integrierte Struktur ist es möglich, sowohl ein Mustern der ersten Halbleiterschicht 321 zu vermeiden, wodurch der Herstellungs- und Bildungsprozess des LED-Chips 3 vereinfacht wird, als auch die Anzahl der ersten Bondelektroden 324 zu reduzieren, wodurch die Struktur des LED-Chips 3 vereinfacht wird.
  • Wie beispielsweise in 22 und 23 gezeigt, hat die erste Halbleiterschicht 321 in der Vielzahl von Leuchtteilen 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, eine integrale Struktur. Auf diese Weise kann, nachdem das Material der ersten Halbleiterschicht 321 auf einer Seite der Basis 31 gebildet wurde, die erste Halbleiterschicht 321 einer Vielzahl von Leuchtteilen 32 gebildet werden, was den Prozess der Musterungsbehandlung weiter reduziert und förderlich für eine weitere Vereinfachung des Herstellungsprozesses des LED-Chips 3 ist.
  • Die Struktur der oben erwähnten Pixeltreiberschaltung 100 wird unten schematisch unter Bezugnahme auf die 3-5 und 9-12 beschrieben.
  • In einigen Beispielen und wie in 3-5 und 9-12 gezeigt, ist die Datenschreibschaltung 1, die in der oben erwähnten Pixeltreiberschaltung 100 enthalten ist, mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1, dem Datensignalanschluss Data und dem ersten Knoten N1 elektrisch verbunden. Die Datenschreibschaltung 1 ist dazu konfiguriert, das an dem Datensignalanschluss Data empfangene Datensignal als Reaktion auf das an dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 empfangene erste Abtastsignal an den ersten Knoten N1 zu übertragen.
  • Wenn beispielsweise der Pegel des ersten Abtastsignals der Pegel ist, der zum Einschalten der Datenschreibschaltung 1 erforderlich ist, kann die Datenschreibschaltung 1 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden, das Datensignal empfangen und an den ersten Knoten N1 senden, um den ersten Knoten N1 zu laden.
  • In einigen Beispielen und wie in 3-5 und 9-12 gezeigt ist die Leuchtsteuerschaltung 2, die in der oben erwähnten Pixeltreiberschaltung 100 enthalten ist, elektrisch mit dem ersten Knoten N1, dem Freigabesignalanschluss EM, dem ersten Spannungssignalanschluss VDD und dem zweiten Knoten N2 verbunden. Die Leuchtsteuerschaltung 2 ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung der Spannung am ersten Knoten N1 und des von Freigabesignalanschluss EM übertragenen Freigabesignals das erste Spannungssignal, das an dem ersten Spannungssignalanschluss VDD empfangen wird, an den zweiten Knoten N2 zu übertragen.
  • Wenn beispielsweise die Spannung des ersten Knotens N1 die Spannung ist, die zum Einschalten der Leuchtsteuerschaltung 2 erforderlich ist, und der Pegel des Freigabesignals der Pegel ist, der zum Einschalten der Leuchtsteuerschaltung 2 erforderlich ist, kann die Leuchtsteuerschaltung 2 unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens N1 und des Freigabesignals eingeschaltet werden und das erste Spannungssignal empfangen und an den zweiten Knoten N2 übertragen.
  • In einigen Beispielen und wie in 22 und 23 gezeigt ist der LED-Chip 3, der in der Pixeltreiberschaltung 100 enthalten ist, elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 und dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden, wobei der LED-Chip 3 mehrere Leuchtteile 32 umfasst. Der LED-Chip 3 ist dazu konfiguriert, die mehreren Leuchtteile 32 unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten und des an dem zweiten Spannungssignalanschluss empfangenen zweiten Spannungssignals derart anzusteuern, dass entweder die mehreren Leuchtteile jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren oder mindestens zwei Leuchtteile innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht emittieren.
  • Beispielsweise befindet sich innerhalb eines gleichen Zeitraums das erste Spannungssignal auf einem hohen Pegel und das zweite Spannungssignal auf einem niedrigen Pegel; oder das erste Spannungssignal liegt auf einem niedrigen Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals liegt auf einem hohen Pegel. Das heißt, innerhalb eines gleichen Zeitraums gibt es eine Spannungsdifferenz zwischen dem ersten Spannungssignal und dem zweiten Spannungssignal. Unter der Zusammenwirkung zwischen dem ersten Spannungssignal und dem zweiten Spannungssignal kann zwischen dem zweiten Knoten N2 und dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS ein elektrisches Signal zum Ansteuern des Leuchtteils 32 zum Emittieren von Licht erzeugt werden. Das elektrische Signal kann jeweils unterschiedliche Leuchtteile 32 in unterschiedlichen Zeiträumen ansteuern, um Licht zu emittieren, oder mindestens zwei Leuchtteile 32 innerhalb eines gleichen Zeitraums ansteuern, um Licht gleichzeitig zu emittieren.
  • Die vorteilhaften Wirkungen, die durch die in einigen Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung bereitgestellte Pixeltreiberschaltung 100 erzielt werden, sind die gleichen wie diejenigen, die durch das in einigen Ausführungsformen bereitgestellte Anzeigesubstrat 1000 erzielt werden können, und werden hier nicht wiederholt.
  • Es sei angemerkt, dass die in diesem Text erwähnte „elektrische Verbindung“ eine direkte elektrische Verbindung oder eine indirekte elektrische Verbindung sein kann, die je nach tatsächlichem Bedarf ausgewählt und eingestellt werden kann.
  • In einigen Ausführungsformen und wie in 5 gezeigt, umfassen die mehreren Leuchtteile 32 mindestens einen ersten Leuchtteil 32b und mindestens einen zweiten Leuchtteil 32c.
  • In einigen Beispielen und wie in 5 gezeigt ist die erste Bondelektrode 324 des ersten Leuchtteils 32b elektrisch mit dem oben erwähnten zweiten Knoten N2 verbunden, und die zweite Bondelektrode 325 des ersten Leuchtteils 32b ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden. Die erste Bondelektrode 324 des zweiten Leuchtteils 32c ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden, und die zweite Bondelektrode 325 des zweiten Leuchtteils 32c ist elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden.
  • Hier können strukturell die erste Bondelektrode 324 des ersten Leuchtteils 32b und die zweite Bondelektrode 325 des zweiten Leuchtteils 32c die gleiche Bondelektrode sein, und die zweite Bondelektrode 325 des ersten Leuchtteils 32b und die erste Bondelektrode 324 des zweiten Leuchtteils 32c können strukturell die gleiche Bondelektrode sein. Für Details kann auf die Beschreibungen in einigen der vorhergehenden Ausführungsformen verwiesen werden, und hier wird nicht wiederholt.
  • Aus dem Obigen ist es ersichtlich, dass der erste Leuchtteil 32b und der zweite Leuchtteil 32c in umgekehrter Richtung vorgespannt sind. Auf diese Weise kann, wenn das erste Spannungssignal auf einem hohen Pegel ist und das zweite Spannungssignal auf einem niedrigen Pegel ist, der erste Leuchtteil 32b unter der Wirkung zwischen dem ersten Spannungssignal und dem zweiten Spannungssignal Licht emittieren. Wenn das erste Spannungssignal auf einem niedrigen Pegel ist und das zweite Spannungssignal auf einem hohen Pegel ist, kann der zweite Leuchtteil 32c unter der Wirkung zwischen dem ersten Spannungssignal und dem zweiten Spannungssignal Licht emittieren. Das heißt, während des Anzeigeprozesses des LED-Chips 3 können der erste Leuchtteil 32b und der zweite Leuchtteil 32c abwechselnd Licht emittieren.
  • Wenn der LED-Chip 3 eine niedrigere Graustufe anzeigen muss, können auf diese Weise der erste Leuchtteil 32b und der zweite Leuchtteil 32c angesteuert werden, um jeweils Licht in unterschiedlichen Zeiträumen zu emittieren. Damit kann der Temperaturanstieg des LED-Chips 3 vermieden werden, der durch die lange Leuchtzeit des ersten Leuchtteils 32b oder des zweiten Leuchtteils 32c verursacht wird, was der Verbesserung des Phänomens der Wärmeansammlung förderlich ist. Weiterhin wird vermieden, dass die Lichtausbeute des LED-Chips 3 durch das Phänomen der Wärmeansammlung abnimmt.
  • Außerdem ist es durch die umgekehrte Vorspannungsanordnung des ersten Leuchtteils 32b und des zweiten Leuchtteils 32c vorteilhaft, die Anzeigelebensdauer des LED-Chips 3 zu verbessern.
  • Wie in 5 gezeigt ist beispielsweise die elektrische Verbindung zwischen der ersten Bondelektrode 324 des ersten Leuchtteils 32b und dem zweiten Knoten N2 eine direkte elektrische Verbindung. Die elektrische Verbindung zwischen der zweiten Bondelektrode 325 des ersten Leuchtteils 32b und dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS ist eine direkte elektrische Verbindung. Die elektrische Verbindung zwischen der ersten Bondelektrode 324 des zweiten Leuchtteils 32c und dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS ist eine direkte elektrische Verbindung. Die elektrische Verbindung zwischen der zweiten Bondelektrode 325 des zweiten Leuchtteils 32c und dem zweiten Knoten N2 ist eine direkte elektrische Verbindung.
  • Basierend auf der Anordnung des Leuchtteils 32 in dem LED-Chip 3 kann die Leuchtsteuerschaltung 2 in einigen Beispielen, wie in 1 gezeigt, umfassen: einen ersten Transistor T1 und einen zweiten Transistor T2, wobei der erste Transistor T1 beispielsweise ein N-Typ-Transistor ist und der zweite Transistor T2 beispielsweise ein P-Typ-Transistor ist.
  • Wie in 5 gezeigt ist die Steuerelektrode des ersten Transistors T1 beispielsweise elektrisch mit dem Freigabesignalanschluss EM verbunden, die erste Elektrode des ersten Transistors T1 ist elektrisch mit dem ersten Spannungssignalanschluss VDD verbunden und die zweite Elektrode des ersten Transistors T1 ist elektrisch verbunden mit dem dritten Knoten N3 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel der Pegel des durch den Freigabesignalanschluss EM übertragenen Freigabesignals ein hoher Pegel ist, kann der erste Transistor T1 unter der Steuerung des Freigabesignals eingeschaltet werden und das erste Spannungssignal empfangen und an den dritten Knoten N3 übertragen.
  • Wie in 5 gezeigt ist beispielsweise die Steuerelektrode des zweiten Transistors T2 elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden, die erste Elektrode des zweiten Transistors T2 ist elektrisch mit dem dritten Knoten N3 verbunden und die zweite Elektrode des zweiten Transistors T2 ist elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel die Spannung des ersten Knotens N1 auf einem niedrigen Pegel liegt, kann der zweite Transistor T2 unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens N1 eingeschaltet werden und das erste Spannungssignal von dem dritten Knoten N3 zu dem zweiten Knoten N2 übertragen.
  • Wie in 5 gezeigt kann die Datenschreibschaltung 1 in einigen Beispielen einen zwölften Transistor T12 umfassen, wobei der zwölfte Transistor T12 beispielsweise ein N-Typ-Transistor ist.
  • Wie in 5 gezeigt ist beispielsweise die Steuerelektrode des zwölften Transistors T12 elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 verbunden, die erste Elektrode des zwölften Transistors T12 ist elektrisch mit dem Datensignalanschluss Data verbunden, und die zweite Elektrode des zwölften Transistors T12 ist elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel der Pegel des ersten Abtastsignals, das von dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 übertragen wird, auf einem hohen Pegel liegt, kann der zwölfte Transistor T12 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden, um das Datensignal zu empfangen und an den ersten Knoten N1 zu übertragen, um den ersten Knoten N1 zu laden.
  • Außerdem kann in einigen Beispielen, wie in 4 und 5 gezeigt, die Pixeltreiberschaltung 100 ferner eine erste Rücksetzkompensationsschaltung 4 umfassen. Die erste Rücksetzkompensationsschaltung 4 ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1, dem zweiten Abtastsignalanschluss Gate2, dem ersten Knoten N1, dem zweiten Knoten N2, dem dritten Knoten N3 und dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden. Die erste Rücksetzkompensationsschaltung 4 ist dazu konfiguriert, unter der Steuerung des ersten Abtastsignals und eines an dem zweiten Abtastsignalanschluss Gate2 empfangenen zweiten Abtastsignals die Pixeltreiberschaltung 100 zurückzusetzen und die Schwellenspannungskompensation für den zweiten Transistor T2 durchzuführen.
  • Durch Zurücksetzen der Pixeltreiberschaltung 100 und die Schwellenspannungskompensation für den zweiten Transistor T2 wird es vorteilhaft ermöglicht, dass der zweite Transistor T2 in der Leuchtsteuerschaltung 2 innerhalb eines entsprechenden Zeitraums gut leitend ist, und dass der zweite Transistor T2 das erste Spannungssignal verlustfreie übertragt, so dass eine genaue Steuerung des Leuchtzustands des ersten Leuchtteils 32b oder des zweiten Leuchtteils 32c vorteilhaft erreicht wird.
  • In einigen Beispielen kann die erste Rücksetzkompensationsschaltung 4, wie in 5 gezeigt, umfassen: einen dritten Transistor T3, einen vierten Transistor T4, einen fünften Transistor T5, einen sechsten Transistor T6 und einen ersten Kondensator C1, wobei der dritte Transistor T3 und der vierte Transistor T4 beispielsweise beide Transistoren vom N-Typ sind und der fünfte Transistor T5 und der sechste Transistor T6 beispielsweise beide Transistoren vom P-Typ sind.
  • Wie in 5 gezeigt ist die Steuerelektrode des dritten Transistors T3 beispielsweise elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 verbunden, die erste Elektrode des dritten Transistors T3 ist elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden, und die zweite Elektrode des dritten Transistors T3 ist elektrisch mit dem vierten Knoten N4 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel der Pegel des ersten Abtastsignals ein hoher Pegel ist und der Pegel des zweiten Spannungssignals ein niedriger Pegel ist, kann der dritte Transistor T3 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden und das zweite Spannungssignal empfangen und an den vierten Knoten N4 übertragen, um den vierten Knoten N4 zu entladen und zurückzusetzen.
  • Wie in 5 gezeigt ist die Steuerelektrode des vierten Transistors T4 beispielsweise elektrisch mit dem zweiten Abtastsignalanschluss Gate2 verbunden, die erste Elektrode des vierten Transistors T4 ist elektrisch mit dem dritten Knoten N3 verbunden und die zweite Elektrode des vierten Transistors T4 ist mit dem fünften Knoten N5 elektrisch verbunden.
  • Wenn beispielsweise der Pegel des zweiten Abtastsignals ein hoher Pegel ist, kann der vierte Transistor T4 unter der Steuerung des zweiten Abtastsignals eingeschaltet werden, um das Signal von dem dritten Knoten N3 zu dem fünften Knoten N5 zu übertragen.
  • Wie in 5 gezeigt ist beispielsweise die Steuerelektrode des fünften Transistors T5 elektrisch mit dem zweiten Abtastsignalanschluss Gate2 verbunden, die erste Elektrode des fünften Transistors T5 ist elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden und die zweite Elektrode des fünften Transistors T5 ist mit dem fünften Knoten N5 elektrisch verbunden.
  • Wenn beispielsweise der Pegel des zweiten Abtastsignals ein niedriger Pegel ist, kann der fünfte Transistor T5 unter der Steuerung des zweiten Abtastsignals eingeschaltet werden, um das Signal von dem zweiten Knoten N2 zu dem fünften Knoten N5 zu übertragen.
  • Wie in 5 gezeigt ist die Steuerelektrode des sechsten Transistors T6 beispielsweise elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 verbunden, die erste Elektrode des sechsten Transistors T6 ist elektrisch mit dem vierten Knoten N4 verbunden und die zweite Elektrode des sechsten Transistors T6 ist elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel der Pegel des ersten Abtastsignals ein niedriger Pegel ist, kann der sechste Transistor T6 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden, um das Signal von dem vierten Knoten N4 zu dem ersten Knoten N1 zu übertragen.
  • Wie in 5 gezeigt ist beispielsweise der erste Anschluss des ersten Kondensators C1 elektrisch mit dem vierten Knoten N4 verbunden, und der zweite Anschluss des ersten Kondensators C1 ist elektrisch mit dem fünften Knoten N5 verbunden. Nachdem der vierte Knoten N4 zurückgesetzt wurde, bleibt die Spannungsdifferenz zwischen dem vierten Knoten N4 und dem fünften Knoten N5 im Wesentlichen unverändert.
  • Das Treiberverfahren der Pixeltreiberschaltung wird in Kombination mit der Struktur der in 5 gezeigten Pixeltreiberschaltung sowie dem in 8 gezeigten Zeitsteuerungsdiagramm unten schematisch beschrieben.
  • In einigen Beispielen umfasst das Treiberverfahren der Pixeltreiberschaltung in der Anzeigephase eines Rahmens: eine Datenschreibphase S1, eine Kompensationsphase S2 und eine Leuchtphase S3, wobei die Leuchtphase S3 beispielsweise eine erste Leuchtphase S31 und eine zweite Leuchtphase S32 umfasst.
  • In der Datenschreibphase S 1 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein hoher Pegel, der Pegel des zweiten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein hoher Pegel und der Pegel des Datensignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein hoher Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel.
  • Als Reaktion auf das am ersten Abtastsignalanschluss Gate1 empfangene erste Abtastsignal wird der zwölfte Transistor T12 in der Datenschreibschaltung 1 eingeschaltet, um das am Datensignalanschluss Data empfangene Datensignal an den ersten Knoten N1 zu übertragen. Da der Pegel des Datensignals ein hoher Pegel ist, kann hierbei der erste Knoten N1 mit dem Datensignal geladen werden, so dass die Spannung des ersten Knotens N1 auf einem hohen Pegel liegt.
  • Außerdem wird in dieser Phase der dritte Transistor T3 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet und empfängt das zweite Spannungssignal mit niedrigem Pegel und überträgt es an den vierten Knoten N4, um den vierten Knoten N4 zurückzusetzen. Der vierte Transistor T4 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 wird unter der Steuerung des zweiten Abtastsignals eingeschaltet, der erste Transistor T1 in der Leuchtsteuerschaltung 2 wird unter der Steuerung des Freigabesignals eingeschaltet und der erste Transistor T1 kann das erste Spannungssignal mit hohem Pegel empfangen und an den dritten Knoten N3 übertragen, der vierte Transistor T4 kann das erste Spannungssignal von dem dritten Knoten N3 an den fünften Knoten N5 übertragen, um den fünften Knoten N5 zurückzusetzen. Das heißt, in dieser Phase wird auch der erste Kondensator C1 zurückgesetzt.
  • In der Kompensationsphase S2 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein hoher Pegel, der Pegel des zweiten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein niedriger Pegel und der Pegel des Datensignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein hoher Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel.
  • Der dritte Transistor T3 und der vierte Transistor T4 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 werden eingeschaltet gehalten, der fünfte Knoten N5 leckt Elektrizität und der Spannungswert des ersten Spannungssignals fällt auf VData-Vth_tft2, wobei VData den Spannungswert des Datensignals darstellt und Vth_tft2 die Schwellenspannung des zweiten Transistors T2 darstellt.
  • In der ersten Leuchtphase S31 in der Leuchtphase S3 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein niedriger Pegel, der Pegel des zweiten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Datensignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel.
  • Der vierte Transistor T4 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 bleibt eingeschaltet, und der sechste Transistor T6 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 wird unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet.
  • Der erste Transistor T1 in der Leuchtsteuerschaltung 2 wird unter der Steuerung des Freigabesignals eingeschaltet. Zu diesem Zeitpunkt ist die Spannungsdifferenz Vgs zwischen der Steuerelektrode und der ersten Elektrode des zweiten Transistors T2 in der Leuchtsteuerschaltung 2 die Differenz zwischen der Spannung von der vierten Knoten N4 und der Spannung des fünften Knotens N5, d.h. Vgs = Vss- (VData - Vth_tft2). Zu diesem Zeitpunkt wird der zweite Transistor T2 in der Leuchtsteuerschaltung 2 eingeschaltet. Die Leuchtsteuerschaltung 2 überträgt das an dem ersten Spannungssignalanschluss VDD empfangene erste Spannungssignal an den zweiten Knoten N2.
  • Da der Pegel des ersten Spannungssignals ein hoher Pegel ist und der Pegel des zweiten Spannungssignals ein niedriger Pegel ist, kann daher der erste Leuchtteil 32b im LED-Chip 3 unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals und des zweiten Spannungssignals Licht emittieren, und der zweite Leuchtteil 32c kann in einem ausgeschalteten Zustand sein.
  • Wenn die Anzahl der ersten Leuchtteile 32b eins ist, kann der eine erste Leuchtteil 32b angesteuert werden, um Licht zu emittieren; wenn die Anzahl der ersten Leuchtteile 32b zumindest zwei ist, können die zumindest zwei erste Leuchtteile 32b angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren.
  • Nimmt man die Anzahl der ersten Leuchtteile 32b von ein als Beispiel, so ist das Ersatzschaltbild der Pixeltreiberschaltung 100 wie in 6 gezeigt, und der Strom I, der durch den ersten Leuchtteil 32b fließt, ist: I = 1 2 k ( Vgs − V th_tft 2 ) 2 = 1 2 k ( Vss − V Data ) 2 .
    Figure DE112021004176T5_0001
  • In der zweiten Leuchtphase S32 in der Leuchtphase S3 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein niedriger Pegel, der Pegel des zweiten Abtastsignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Datensignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein hoher Pegel.
  • Der sechste Transistor T6 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 bleibt eingeschaltet, und der fünfte Transistor T5 in der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 wird unter der Steuerung des zweiten Abtastsignals eingeschaltet.
  • Der erste Transistor T1 in der Leuchtsteuerschaltung 2 wird in einem Ein-Zustand gehalten. Da sich die Spannungsdifferenz Vgs zwischen der Steuerelektrode und der ersten Elektrode des zweiten Transistors T2 in der Leuchtsteuerschaltung 2 nicht ändert, bleibt der zweite Transistor T2 eingeschaltet.
  • Da der Pegel des ersten Spannungssignals ein niedriger Pegel ist und der Pegel des zweiten Spannungssignals ein hoher Pegel ist, kann daher unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals und des zweiten Spannungssignals der zweite Leuchtteil 32c im LED-Chip 3 Licht emittieren, und der erste Leuchtteil 32b kann in einem Aus-Zustand sein.
  • Wenn die Anzahl der zweiten Leuchtteile 32c eins ist, kann der eine zweite Leuchtteil 32c angesteuert werden, um Licht zu emittieren; wenn die Anzahl der zweiten Leuchtteil 32c zumindest zwei ist, können die zumindest zwei zweiten Leuchtteile 32c angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren.
  • Nimmt man die Anzahl der zweiten Leuchtteile 32c von ein als Beispiel, so ist das Ersatzschaltbild der Pixeltreiberschaltung 100 wie in 7 gezeigt, und der Strom I, der durch den zweiten Leuchtteile 32c fließt, ist immer noch: I = 1 2 k ( Vss − V Data ) 2 .
    Figure DE112021004176T5_0002
  • In der Leuchtphase S3 hat der Strom, der durch den ersten Leuchtteil 32b oder den zweiten Leuchtteil 32c fließt, nichts mit der Schwellenspannung des zweiten Transistors T2 zu tun, das heißt, durch Setzen der ersten Rücksetzkompensationsschaltung 4 kann die Schwellenspannung des zweiten Transistors T2 kompensiert werden, um eine Beeinflussung des Leuchtzustands des ersten Leuchtteils 32b oder des zweiten Leuchtteils 32c zu vermeiden, und somit die Anzeigestabilität des LED-Chips 3 zu verbessern, wodurch die Probleme mit ungleichmäßiger und/oder instabiler Anzeigehelligkeit vermieden werden.
  • Wie aus dem Obigen ersichtlich ist, können die mehreren Leuchtteile 32 in dem LED-Chip 3 während des Anzeigeprozesses der Pixeltreiberschaltung 100 jeweils angesteuert werden, um Licht in unterschiedlichen Zeiträumen zu emittieren, oder zumindest zwei Leuchtteile 32 werden angesteuert, um Licht in dem gleichen Zeitraum zu emittieren.
  • In einigen Ausführungsformen und wie in 10-12 gezeigt, umfasst die Pixeltreiberschaltung 100 ferner eine Vielzahl von Schalttransistoren SW. Bei den mehreren Leuchtteilen 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind, ist die erste Bondelektrode 324 des Leuchtteils 32 durch mindestens einen Schalttransistor SW elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden; und/oder die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 ist durch mindestens einen Schalttransistor SW elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden.
  • Beispielsweise kann die erste Bondelektrode 324 des Leuchtteils 32 durch einen oder mehrere Schalttransistoren SW elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein, und die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 kann direkt mit der zweiten Spannungssignalanschluss VSS elektrisch verbunden sein. Oder die erste Bondelektrode 324 des Leuchtteils 32 kann direkt elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein, und die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 kann durch einen oder mehrere Schalttransistoren SW elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden sein. Oder die erste Bondelektrode 324 des Leuchtteils 32 kann durch einen oder mehrere Schalttransistoren SW elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein, und die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 kann durch einen oder mehrere Schalttransistoren SW mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS elektrisch verbunden.
  • In einigen Beispielen und wie in 12 gezeigt ist die Anzahl der mehreren Schalttransistoren SW gleich der Anzahl der mehreren Leuchtteile 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind. Hierbei kann die erste Bondelektrode 324 jedes Leuchtteils 32 direkt elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein, und die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils 32 kann durch einen Schalttransistor SW elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden sein.
  • In diesem Beispiel können sich mindestens zwei Leuchtteile 32 bei den obigen mehreren Leuchtteilen 32 zum Beispiel dieselbe erste Bondelektrode 324 teilen. In diesem Fall können die ersten Halbleiterschichten 321 der mindestens zwei Leuchtteile 32 eine integrale Struktur darstellen.
  • Durch Bereitstellen eines Schalttransistors SW zwischen jedem Leuchtteil 32 und dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS kann der Einschaltzustand des entsprechenden Leuchtteils 32 mit dem Schalttransistor SW gesteuert werden, und dann kann der Einschaltzustand mehrerer Leuchtteile 32 mit verschiedenen Schalttransistoren SW unabhängig gesteuert werden, so dass die mehreren Leuchtteile 32 Licht in unterschiedlichen Zeiträumen emittieren können oder zumindest zwei Leuchtteile 32 Licht innerhalb eines gleichen Zeitraums emittieren können.
  • In einigen Beispielen und wie in 10 und 11 gezeigt ist die Anzahl der mehreren Schalttransistoren SW größer als die Anzahl der mehreren Leuchtteile 32, die in dem LED-Chip 3 enthalten sind. Dabei kann die erste Bondelektrode 324 eines Leuchtteils 32 direkt elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden sein und durch mindestens einen Schalttransistor SW elektrisch mit der ersten Bondelektrode 324 des anderen Leuchtteils 32 verbunden sein. Die zweite Bondelektrode 325 des Leuchtteils kann auch durch mindestens einen Schalttransistor SW elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden sein und durch mindestens einen Schalttransistor SW elektrisch mit der ersten Bondelektrode 324 eines anderen Leuchtteils 32 verbunden sein. Die zweite Bondelektrode 325 des anderen Leuchtteils 32 kann direkt elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden sein.
  • Die mehreren Leuchtteile 32 sind beispielsweise unabhängig voneinander angeordnet, und jeder Leuchtteil 32 umfasst eine erste Bondelektrode 324 und eine zweite Bondelektrode 325, und unterschiedliche Leuchtteile 32 teilen sich keine gemeinsame Bondelektrode.
  • Durch Verwendung des Schalttransistors SW sowie Einstellung der Verbindungsbeziehung zwischen unterschiedlichen Leuchtteilen 32 und dem zweiten Knoten N2 bzw. dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS kann eine unabhängige Steuerung des Einschaltzustands jeweiliges Leuchtteils 32 realisiert werden und dann kann der Einschaltzustand mehrerer Leuchtteile 32 unter Verwendung der unterschiedlichen Schalttransistoren SW unabhängig gesteuert werden, so dass die mehreren Leuchtteile 32 Licht in unterschiedlichen Zeiträumen emittieren können oder mindestens zwei Leuchtteile 32 Licht innerhalb eines gleichen Zeitraums emittieren können.
  • Wie in 10 gezeigt, ist beispielsweise die Anzahl der Schalttransistoren SW drei und die Anzahl der Leuchtteile 32 zwei. Die oben erwähnten drei Schalttransistoren SW können beispielsweise jeweils als der erste Schalttransistor SW1, der zweite Schalttransistor SW2 und der dritte Schalttransistor SW3 bezeichnet werden, und die oben erwähnten zwei Leuchtteile 32 können jeweils als der erste der Leuchtteile 32d und als der zweite der Leuchtteile 32e bezeichnet werden.
  • Wie in 10 gezeigt, ist beispielsweise die erste Bondelektrode 324 des ersten der Leuchtteile 32d direkt elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und die zweite Bondelektrode 325 des ersten der Leuchtteile 32d ist über den ersten Schalttransistor SW1 mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS elektrisch verbunden, und durch den dritten Schalttransistor SW3 mit der ersten Bondelektrode 324 des zweiten der Leuchtteile 32e elektrisch verbunden. Die erste Bondelektrode 324 des zweiten der Leuchtteile 32e ist auch durch den zweiten Schalttransistor SW2 elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und die zweite Bondelektrode 325 des zweiten der Leuchtteile 32e kann direkt elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden.
  • Optional emittiert der erste der Leuchtteile 32d Licht, wenn der erste Schalttransistor SW1 eingeschaltet ist, der zweite Schalttransistor SW2 ausgeschaltet ist und der dritte Schalttransistor SW3 ausgeschaltet ist; der zweite der Leuchtteile 32e emittiert Licht, wenn der erste Schalttransistor SW1 ausgeschaltet ist, der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist und der dritte Schalttransistor SW3 ausgeschaltet ist.
  • Wenn der erste Schalttransistor SW1 ausgeschaltet ist, der zweite Schalttransistor SW2 ausgeschaltet ist und der dritte Schalttransistor SW3 eingeschaltet ist, emittieren der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e gleichzeitig Licht und sie sind in Reihe geschaltet angeordnet. Wenn der erste Schalttransistor SW1 eingeschaltet ist, der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist und der dritte Schalttransistor SW3 ausgeschaltet ist, emittieren der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e gleichzeitig Licht und sie sind parallel geschaltet angeordnet.
  • Durch Einstellen der Schaltzustände des ersten Schalttransistors SW1, des zweiten Schalttransistors SW2 und des dritten Schalttransistors SW3 kann eine unabhängige Steuerung der obigen zwei Leuchtteile 32 realisiert werden. Beispielsweise kann einer der zwei Leuchtteile 32 angesteuert werden, um Licht zu emittieren, oder die zwei Leuchtteile 32 können angesteuert werden, um nacheinander Licht zu emittieren, oder die zwei Leuchtteile 32 können angesteuert werden, um gleichzeitig Licht zu emittieren. Da es mehrere Leuchtmodi gibt, kann die kombinierten Leuchtmodi der Leuchtteile 32 gemäß der tatsächlichen Treiberfähigkeit der Pixeltreiberschaltung 100 und der Gesamtleistungsverbrauchsanforderung ausgewählt werden.
  • Wie in 11 gezeigt, beträgt beispielsweise die Anzahl der Schalttransistoren SW sechs und die Anzahl der Leuchtteile 32 drei. Die oben erwähnten sechs Schalttransistoren SW können jeweils als der erste Schalttransistor SW1, der zweite Schalttransistor SW2, der dritte Schalttransistor SW3, der vierte Schalttransistor SW4, der fünfte Schalttransistor SW5 und der sechste Schalttransistor SW6 bezeichnet werden. Die oben erwähnten drei Leuchtteile 32 können beispielsweise jeweils als der erste der Leuchtteile 32d, der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f.
  • Wie in 11 gezeigt, ist beispielsweise die erste Bondelektrode 324 des ersten der Leuchtteile 32d direkt elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und die zweite Bondelektrode 325 des ersten der Leuchtteile 32d ist durch den ersten Schalttransistor SW1 mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS elektrisch verbunden und durch den dritten Schalttransistor SW3 elektrisch mit der ersten Bondelektrode 324 des zweiten der Leuchtteile 32e verbunden. Die erste Bondelektrode 324 des zweiten der Leuchtteile 32e ist auch durch den zweiten Schalttransistor SW2 elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden; die zweite Bondelektrode 325 des zweiten der Leuchtteile 32e kann direkt elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS verbunden sein, und ist durch den fünften Schalttransistor SW5 mit der ersten Bondelektrode 324 des dritten der Leuchtteile 32f elektrisch verbunden. Die erste Bondelektrode 324 des dritten der Leuchtteile 32f ist auch durch den vierten Schalttransistor SW4 und den zweiten Schalttransistor SW2 elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden, und die zweite Bondelektrode 325 des dritten der Leuchtteile 32f kann direkt mit dem zweiten Spannungssignalanschluss VSS elektrisch verbunden sein.
  • Wenn der erste Schalttransistor SW1 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittiert optional der erste der Leuchtteile 32d Licht. Wenn der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist, der sechste Schalttransistor SW6 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittiert der zweite der Leuchtteile 32e Licht. Wenn der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist, der vierte Schalttransistor SW4 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittiert der dritte der Leuchtteile 32f Licht.
  • Wenn der dritte Schalttransistor SW3 eingeschaltet ist, der sechste Schalttransistor SW6 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittieren der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e gleichzeitig Licht, und sie sind in Reihe geschaltet angeordnet. Wenn der erste Schalttransistor SW1 eingeschaltet ist, der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist, der sechste Schalttransistor SW6 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittieren der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e gleichzeitig Licht, und sie sind parallel geschaltet angeordnet. Durch Einstellen der Schaltzustände verschiedener Schalttransistoren SW können der erste der Leuchtteile 32d und der dritte der Leuchtteile 32f natürlich gleichzeitig Licht emittieren, und die beiden sind in Reihe oder parallel geschaltet angeordnet. Durch Einstellen der Schaltzustände verschiedener Schalttransistoren SW können der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f gleichzeitig Licht emittieren, und die beiden sind in Reihe oder parallel geschaltet angeordnet. Hier wird es nicht wiedergeholt.
  • Wenn der dritte Schalttransistor SW3 eingeschaltet ist, der fünfte Schalttransistor SW5 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittieren der erste der Leuchtteile 32d, der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f gleichzeitig Licht, und die drei sind in Reihe geschaltet angeordnet. Wenn der erste Schalttransistor SW1 eingeschaltet ist, der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist, der vierte Schalttransistor SW4 eingeschaltet ist, der sechste Schalttransistor SW6 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittieren der erste der Leuchtteile 32d, der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f gleichzeitig Licht, und die drei sind parallel geschaltet angeordnet. Wenn der zweite Schalttransistor SW2 eingeschaltet ist, der dritte Schalttransistor SW3 eingeschaltet ist, der vierte Schalttransistor SW4 eingeschaltet ist, der sechste Schalttransistor SW6 eingeschaltet ist und die anderen Schalttransistoren SW ausgeschaltet sind, emittieren der erste der Leuchtteile 32d, der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f gleichzeitig Licht, dabei sind der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e in Reihe geschaltet angeordnet, der erste der Leuchtteile 32d und der dritte der Leuchtteile 32f sind parallel geschaltet angeordnet, und der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f sind parallel geschaltet angeordnet. Durch Einstellen der Schaltzustände verschiedener Schalttransistoren SW können, im Fall, dass der erste der Leuchtteile 32d, der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f gleichzeitig Licht emittieren, der erste der Leuchtteile 32d und der dritte der Leuchtteile 32f in Reihe geschaltet angeordnet sein, und der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e parallel geschaltet angeordnet sein und der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f parallel geschaltet angeordnet sein; oder es ist auch möglich, dass der zweite der Leuchtteile 32e und der dritte der Leuchtteile 32f in Reihe geschaltet angeordnet sind, und der erste der Leuchtteile 32d und der zweite der Leuchtteile 32e bzw. der erste der Leuchtteile 32d und der dritte der Leuchtteile 32f parallel geschaltet angeordnet sind. Hier wird es nicht wiedergeholt.
  • Durch Einstellen der Schaltzustände verschiedener Schalttransistoren SW können die Leuchtzustände verschiedener Leuchtteile 32 unabhängig gesteuert werden. Da es mehrere Leuchtmodi gibt, kann die kombinierten Leuchtmodi der Leuchtteile 32 gemäß der tatsächlichen Treiberfähigkeit der Pixeltreiberschaltung 100 und der Gesamtleistungsverbrauchsanforderung ausgewählt werden.
  • Basierend auf der Anordnung des Leuchtteils 32 in dem LED-Chip 3 kann die Leuchtsteuerschaltung 2 in einigen Beispielen wie in 10-12 gezeigt einen siebten Transistor T7 und einen achten Transistor T8 umfassen. Dabei sind beispielsweise der siebte Transistor T7 und der achte Transistor T8 beide Transistoren vom P-Typ.
  • In einigen Beispielen und wie in 10-12 gezeigt ist die Steuerelektrode des siebten Transistors T7 elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden, die erste Elektrode des siebten Transistors T7 ist elektrisch mit dem ersten Spannungssignalanschluss VDD verbunden, und die zweite Elektrode des siebten Transistors T7 ist elektrisch mit dem sechsten Knoten N6 verbunden.
  • Wenn beispielsweise die Spannung des ersten Knotens N1 auf einem niedrigen Pegel liegt, kann der siebte Transistor T7 unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens N1 eingeschaltet werden, um das erste Spannungssignal zu empfangen und an den sechsten Knoten N6 zu übertragen.
  • Wie in 10-12 gezeigt, ist die Steuerelektrode des achten Transistors T8 beispielsweise elektrisch mit dem Freigabesignalanschluss EM verbunden, die erste Elektrode des achten Transistors T8 ist elektrisch mit dem sechsten Knoten N6 verbunden, und die zweite Elektrode des achten Transistors T8 ist elektrisch mit dem zweiten Knoten N2 verbunden.
  • Wenn beispielsweise der Pegel des vom Freigabesignalanschluss EM übertragenen Freigabesignals ein niedriger Pegel ist, kann der achte Transistor T8 unter der Steuerung des Freigabesignals eingeschaltet werden, und das erste Spannungssignal vom sechsten Knoten N6 zum zweiten Knoten N2 übertragen.
  • In einigen Beispiele und wie in 10-12 gezeigt kann die Datenschreibschaltung 1 einen zwölften Transistor T12 umfassen, wobei der zwölfte Transistor T12 beispielsweise ein Transistor vom P-Typ ist.
  • Wie in 10-12 gezeigt, ist die Steuerelektrode des zwölften Transistors T12 beispielsweise elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 verbunden, die erste Elektrode des zwölften Transistors T12 ist elektrisch mit dem Datensignalanschluss Data verbunden und der zweite Elektrode des zwölften Transistors T12 ist elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel der Pegel des von dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 übertragenen ersten Abtastsignals ein niedriger Pegel ist, kann der zwölfte Transistor T12 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden, um das Datensignal zu empfangen und an den ersten Knoten N1 zu übertragen, um den ersten Knoten N1 zu laden.
  • Außerdem kann in einigen Beispielen wie in 9-12 gezeigt die Pixeltreiberschaltung 100 ferner eine zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 umfassen. Die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 ist elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1, dem ersten Knoten N1 und dem sechsten Knoten N6 verbunden. Die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 ist dazu konfiguriert, in Reaktion auf das erste Abtastsignal eine Schwellenspannungskompensation für den siebten Transistor T7 durchzuführen.
  • Wie in 9-12 gezeigt, kann die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 beispielsweise auch elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss Vint und mindestens einem von dem dritten Abtastsignalanschluss Gate3 und dem vierten Abtastsignalanschluss Gate4 verbunden sein. Die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 ist auch dazu konfiguriert, in Reaktion auf das am dritten Abtastsignalanschluss Gate3 empfangene dritte Abtastsignal oder das am vierten Abtastsignalanschluss Gate4 empfangene vierte Abtastsignal das am Anfangssignalanschluss Vint empfangene Anfangssignal an den ersten Knoten N1 zu übertragen, um den ersten Knoten N1 zurückzusetzen.
  • Beispielsweise ist in dem Fall, dass die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss Gate3 verbunden ist, die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 dazu konfiguriert, in Reaktion auf das am dritten Abtastsignalanschluss Gate3 empfangene dritte Abtastsignal das am Anfangssignalanschluss Vint empfangene Anfangssignal an den ersten Knoten N1 zu übertragen, um den ersten Knoten N1 zurückzusetzen, und in dem Fall, dass die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss Gate4 verbunden ist, ist die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 dazu konfiguriert, in Reaktion auf das am vierten Abtastsignalanschluss Gate4 empfangene vierte Abtastsignal das am Anfangssignalanschluss Vint empfangene Anfangssignal an den ersten Knoten N1 zu übertragen, um den ersten Knoten N1 zurückzusetzen.
  • Durch Zurücksetzen des ersten Knotens N1 und Kompensieren der Schwellenspannung des siebten Transistors T7 ist es vorteilhaft, den siebten Transistor T7 in der Leuchtsteuerschaltung 2 innerhalb eines entsprechenden Zeitraums gut leitend zu machen, so dass der Transistor T7 zweckmäßig das erste Spannungssignal verlustfrei überträgt, was für eine genaue Steuerung den Leuchtzustand des Leuchtteils 32 hilfreich ist.
  • In einigen Beispielen und wie in 10-12 gezeigt, umfasst die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 einen neunten Transistor T9, wenn die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 auch elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss Gate3 verbunden ist. Der neunte Transistor T9 ist beispielsweise ein Transistor vom P-Typ.
  • Wie in 10-12 gezeigt, ist beispielsweise die Steuerelektrode des neunten Transistors T9 elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss Gate3 verbunden, die erste Elektrode des neunten Transistors T9 ist elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss Vint verbunden, und die zweiten Elektrode des neunten Transistors T9 ist elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden.
  • Wenn beispielsweise der Pegel des dritten Abtastsignals ein niedriger Pegel ist, kann der neunte Transistor T9 unter der Steuerung des dritten Abtastsignals eingeschaltet werden, das Anfangssignal empfangen und an den ersten Knoten N1 übertragen, um den ersten Knoten N1 zurückzusetzen.
  • In einigen Beispielen und wie in 10-12 gezeigt, umfasst die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 einen zehnten Transistor T10, wenn die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 auch elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss Gate4 verbunden ist. Der zehnte Transistor T10 ist beispielsweise ein Transistor vom P-Typ.
  • Wie in 10-12 gezeigt, ist beispielsweise die Steuerelektrode des zehnten Transistors T10 elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss Gate4 verbunden, die erste Elektrode des zehnten Transistors T10 ist elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss Vint verbunden und die zweite Elektrode des zehnten Transistors T10 ist elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden.
  • Wenn zum Beispiel der Pegel des vierten Abtastsignals ein niedriger Pegel ist, kann der zehnte Transistor T10 unter der Steuerung des vierten Abtastsignals eingeschaltet werden, das Anfangssignal empfangen und an den ersten Knoten N1 übertragen, um den ersten Knoten N1 zurückzusetzen.
  • In einigen Beispielen und wie in 10-12 gezeigt, umfasst die zweite Rücksetzkompensationsschaltung 5 ferner einen elften Transistor T11 und einen zweiten Kondensator C2, wobei der elfte Transistor T11 beispielsweise ein Transistor vom P-Typ ist.
  • Wie in 10-12 gezeigt, ist beispielsweise die Steuerelektrode des elften Transistors T11 elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss Gate1 verbunden, die erste Elektrode des elften Transistors T11 ist elektrisch mit dem siebten Knoten N7 verbunden und die zweite Elektrode des elften Transistors T11 ist elektrisch mit dem sechsten Knoten N6 verbunden.
  • Wenn beispielsweise der Pegel des ersten Abtastsignals ein niedriger Pegel ist, kann der elfte Transistor T11 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden, um das Signal von dem siebten Knoten N7 zu dem sechsten Knoten zu übertragen.
  • Wie in 10-12 gezeigt, ist beispielsweise der erste Anschluss des zweiten Kondensators C2 elektrisch mit dem ersten Knoten N1 verbunden, und der zweite Anschluss des zweiten Kondensators C2 ist elektrisch mit dem siebten Knoten N7 verbunden, wobei die Steuerelektrode des siebten Transistors T7 elektrisch mit dem ersten Knoten N1 durch den zweiten Kondensator C2 verbunden ist.
  • Das Treiberverfahren der Pixeltreiberschaltung wird in Kombination mit der Struktur der in 10-12 gezeigten Pixeltreiberschaltung sowie dem in 13 gezeigten Zeitsteuerungsdiagramm unten schematisch beschrieben.
  • In einigen Beispielen umfasst das Treiberverfahren der Pixeltreiberschaltung in der Anzeigephase eines Rahmens eine Rücksetzphase 11, eine Datenschreibphase t2 und eine Leuchtphase t3.
  • In der Rücksetzphase t1 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein hoher Pegel, der Pegel des dritten Abtastsignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des vierten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Datensignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein hoher Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel.
  • Der neunte Transistor T9 in der zweiten Rücksetzkompensationsschaltung 5 ist unter der Steuerung des dritten Abtastsignals eingeschaltet, empfängt und überträgt das Anfangssignal an den ersten Knoten N1 und setzt den ersten Knoten N1 zurück.
  • In der Datenschreibphase t2 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein niedriger Pegel, der Pegel des dritten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des vierten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des Datensignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein hoher Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel.
  • Als Reaktion auf das am ersten Abtastsignalanschluss Gate1 empfangene erste Abtastsignal wird der zwölfte Transistor T12 in der Datenschreibschaltung 1 eingeschaltet, um das am Datensignalanschluss Data empfangene Datensignal an den ersten Knoten N1 zu übertragen. Da der Pegel des Datensignals ein hoher Pegel ist, kann hierbei der erste Knoten N1 mit dem Datensignal geladen werden, so dass die Spannung des ersten Knotens N1 auf einem hohen Pegel liegt.
  • Außerdem kann in dieser Phase der elfte Transistor T11 in der zweiten Rücksetzkompensationsschaltung 5 unter der Steuerung des ersten Abtastsignals eingeschaltet werden, um eine Kompensation für die Schwellenspannung des siebten Transistors T7 zu realisieren. Zu diesem Zeitpunkt ist die Spannung des siebten Knotens N7 VDD + Vth_tft7, wobei VDD den Spannungswert des ersten Spannungssignals darstellt und Vth_tft7 die Schwellenspannung des siebten Transistors T7 darstellt.
  • In der Leuchtphase t3 ist der Pegel des ersten Abtastsignals ein hoher Pegel, der Pegel des dritten Abtastsignals ist ein hoher Pegel, der Pegel des vierten Abtastsignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des Freigabesignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des Datensignals ist ein niedriger Pegel, der Pegel des ersten Spannungssignals ist ein hoher Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel.
  • Der achte Transistor T8 in der Leuchtsteuerschaltung 2 wird unter der Steuerung des Freigabesignals eingeschaltet.
  • Der zehnte Transistor T10 in der zweiten Rücksetzkompensationsschaltung 5 wird unter der Steuerung des vierten Abtastsignals eingeschaltet, empfängt und überträgt das Anfangssignal an den ersten Knoten N1, so dass die Spannung des ersten Knotens N1 von VData auf Vint springt. Zu diesem Zeitpunkt springt die Spannung des siebten Knotens N7 auf VDD + Vth_tft7 - (VData - Vint), der siebte Transistor T7 befindet sich in einem gesättigten Zustand und die Spannungsdifferenz Vsg zwischen der ersten Elektrode und der Steuerelektrode des siebten Transistors T7 ist die Differenz zwischen dem Spannungswert des ersten Spannungssignals und der Spannung des ersten Knotens N7, das heißt Vsg=VDD-[VDD+Vth_tft7- (VData-Vint) ]=VData-Vint-Vth_tft7. Die Leuchtsteuerschaltung 2 überträgt das an dem ersten Spannungssignalanschluss VDD empfangene erste Spannungssignal an den zweiten Knoten N2.
  • In diesem Beispiel ist der Pegel des ersten Spannungssignals ein hoher Pegel und der Pegel des zweiten Spannungssignals ist ein niedriger Pegel. Durch Steuern des Schaltzustands des Schalttransistors SW können mehrere Leuchtteile 32 angesteuert werden, um Licht jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen zu emittieren, oder mindestens zwei Leuchtteile 32 können angesteuert werden, um Licht innerhalb eines gleichen Zeitraums zu emittieren.
  • Wenn man beispielsweise einen der Leuchtteile 32 zur Lichtemission ansteuert, beträgt der Strom I, der durch den Leuchtteil 32 fließt, wie folgt: I = k ( Vgs − V th_tft 7 ) 2 = k ( Vsg + V th_tft 7 ) = k ( V Data − V int ) 2 .
    Figure DE112021004176T5_0003
  • In der Leuchtphase S3 hat der durch den Leuchtteil 32 fließende Strom nichts mit der Schwellenspannung des siebten Transistors T7 zu tun, d.h. durch Einstellen der zweiten Rücksetzkompensationsschaltung 5 kann die Schwellenspannung des siebten Transistors T7 kompensiert werden, um es zu vermeiden, den Leuchtzustand des Leuchtteils 32 zu beeinflussen. Auf diese Weise wird die Anzeigestabilität des LED-Chips 3 verbessert, und die Probleme mit ungleichmäßiger und/oder instabiler Anzeigehelligkeit werden vermieden.
  • Die Obigen sind nur konkrete Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung, aber der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung ist nicht darauf beschränkt. Jegliche Änderungen oder Ersetzungen, an die der Fachmann auf dem Gebiet innerhalb des in der vorliegenden Offenbarung offenbarten technischen Umfangs denkt, sollen durch den Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung abgedeckt sein. Daher soll der Schutzumfang der vorliegenden Offenbarung durch den Schutzumfang der Ansprüche bestimmt werden.

Claims (21)

  1. Pixeltreiberschaltung, umfassend: eine Datenschreibschaltung, die elektrisch mit einem ersten Abtastsignalanschluss, einem Datensignalanschluss und einem ersten Knoten verbunden ist, wobei die Datenschreibschaltung dazu konfiguriert ist, als Reaktion auf ein am ersten Abtastsignalanschluss empfangenes erstes Abtastsignal ein am Datensignalanschluss empfangenes Datensignal an den ersten Knoten zu übertragen; eine Leuchtsteuerschaltung, die elektrisch mit dem ersten Knoten, einem Freigabesignalanschluss, einem ersten Spannungssignalanschluss und einem zweiten Knoten verbunden ist, wobei die Leuchtsteuerschaltung dazu konfiguriert ist, unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens und eines durch den Freigabesignalanschluss übertragenen Freigabesignals ein an dem ersten Spannungssignalanschluss empfangenes erstes Spannungssignal an den zweiten Knoten zu übertragen; und einen LED-Chip, der elektrisch mit dem zweiten Knoten und einem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist, wobei der LED-Chip mehrere Leuchtteile umfasst, wobei der LED-Chip dazu konfiguriert ist, die mehreren Leuchtteile unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten und eines an dem zweiten Spannungssignalanschluss empfangenen zweiten Spannungssignals derart anzusteuern, dass entweder die mehreren Leuchtteile jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren oder mindestens zwei Leuchtteile innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht emittieren.
  2. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 1, wobei die mehreren Leuchtteile mindestens einen ersten Leuchtteil und mindestens einen zweiten Leuchtteil umfassen, wobei eine erste Bondelektrode des ersten Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und eine zweite Bondelektrode des ersten Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist, wobei eine erste Bondelektrode des zweiten Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist, und eine zweite Bondelektrode des zweiten Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist.
  3. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 2, wobei die Leuchtsteuerschaltung einen ersten Transistor und einen zweiten Transistor umfasst, wobei eine Steuerelektrode des ersten Transistors elektrisch mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des ersten Transistors elektrisch mit dem ersten Spannungssignalanschluss verbunden ist, und eine zweite Elektrode des ersten Transistors elektrisch mit einem dritten Knoten verbunden ist, wobei eine Steuerelektrode des zweiten Transistors elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist, eine erste Elektrode des zweiten Transistors elektrisch mit dem dritten Knoten verbunden ist, und eine zweite Elektrode des zweiten Transistors elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist.
  4. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 3, umfassend ferner eine erste Rücksetzkompensationsschaltung, wobei die erste Rücksetzkompensationsschaltung elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss, einem zweiten Abtastsignalanschluss, dem ersten Knoten, dem zweiten Knoten, dem dritten Knoten und dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist; die erste Rücksetzkompensationsschaltung dazu konfiguriert ist, unter der Steuerung des ersten Abtastsignals und eines an dem zweiten Abtastsignalanschluss empfangenen zweiten Abtastsignals die Pixeltreiberschaltung zurückzusetzen und eine Schwellenspannungskompensation für den zweiten Transistor durchzuführen.
  5. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 4, wobei die erste Rücksetzkompensationsschaltung umfasst: einen dritten Transistor, einen vierten Transistor, einen fünften Transistor, einen sechsten Transistor und einen ersten Kondensator, wobei eine Steuerelektrode des dritten Transistors elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des dritten Transistors elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist und eine zweite Elektrode des dritten Transistors elektrisch mit einem vierten Knoten verbunden ist, wobei eine Steuerelektrode des vierten Transistors elektrisch mit dem zweiten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des vierten Transistors elektrisch mit dem dritten Knoten verbunden ist und eine zweite Elektrode des vierten Transistors elektrisch mit einem fünften Knoten verbunden ist, wobei eine Steuerelektrode des fünften Transistors elektrisch mit dem zweiten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des fünften Transistors elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist und eine zweite Elektrode des fünften Transistors elektrisch mit dem fünften Knoten verbunden ist, wobei eine Steuerelektrode des sechsten Transistors elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des sechsten Transistors elektrisch mit dem vierten Knoten verbunden ist und eine zweite Elektrode des sechsten Transistors elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist, wobei ein erster Anschluss des ersten Kondensators elektrisch mit dem vierten Knoten verbunden ist, und ein zweiter Anschluss des ersten Kondensators elektrisch mit dem fünften Knoten verbunden ist.
  6. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 1, umfassend ferner eine Vielzahl von Schalttransistoren, wobei eine erste Bondelektrode des Leuchtteils über mindestens einen Schalttransistor elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und/oder wobei eine zweite Bondelektrode des Leuchtteils über mindestens einen Schalttransistor elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist.
  7. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 6, wobei die Anzahl der Leuchtteile gleich der Anzahl der Vielzahl von Schalttransistoren ist, wobei die erste Bondelektrode des Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist, und die zweite Bondelektrode des Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss durch einen Schalttransistor verbunden ist.
  8. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 6, wobei die Anzahl der Leuchtteile kleiner als die Anzahl der Vielzahl von Schalttransistoren ist, wobei die erste Bondelektrode eines Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist und elektrisch mit der ersten Bondelektrode des anderen Leuchtteils durch mindestens einen Schalttransistor verbunden ist, wobei die zweite Bondelektrode eines Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss durch mindestens einen Schalttransistor verbunden ist und elektrisch mit der ersten Bondelektrode des anderen Leuchtteils durch mindestens einen Schalttransistor verbunden ist, wobei die zweite Bondelektrode des anderen Leuchtteils elektrisch mit dem zweiten Spannungssignalanschluss verbunden ist.
  9. Pixeltreiberschaltung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, wobei die Leuchtsteuerschaltung einen siebten Transistor und einen achten Transistor umfasst, wobei eine Steuerelektrode des siebten Transistors elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist, eine erste Elektrode des siebten Transistors elektrisch mit dem ersten Spannungssignalanschluss verbunden ist und eine zweite Elektrode des siebten Transistors elektrisch mit einem sechsten Knoten verbunden ist, wobei eine Steuerelektrode des achten Transistors elektrisch mit dem Freigabesignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des achten Transistors elektrisch mit dem sechsten Knoten verbunden ist und eine zweite Elektrode des achten Transistors elektrisch mit dem zweiten Knoten verbunden ist.
  10. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 9, umfassend ferner eine zweite Rücksetzkompensationsschaltung, wobei die zweite Rücksetzkompensationsschaltung elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss, dem ersten Knoten und dem sechsten Knoten verbunden ist; die zweite Rücksetzkompensationsschaltung dazu konfiguriert ist, als Reaktion auf das erste Abtastsignal eine Schwellenspannungskompensation für den siebten Transistor durchzuführen, wobei die zweite Rücksetzkompensationsschaltung auch elektrisch mit einem Anfangssignalanschluss sowie mindestens einem von einem dritten Abtastsignalanschluss und einem vierten Abtastsignalanschluss verbunden ist; die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ferner dazu konfiguriert ist, als Reaktion auf ein am dritten Abtastsignalanschluss empfangenes drittes Abtastsignal oder auf ein am vierten Abtastsignalanschluss empfangenes viertes Abtastsignal ein am Anfangssignalanschluss empfangenes Anfangssignal an den ersten Knoten zu übertragen, um den ersten Knoten zurückzusetzen.
  11. Pixeltreiberschaltung nach Anspruch 10, wobei die zweite Rücksetzkompensationsschaltung einen elften Transistor und einen zweiten Kondensator umfasst, wobei eine Steuerelektrode des elften Transistors elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des elften Transistors elektrisch mit einem siebten Knoten verbunden ist und eine zweite Elektrode des elften Transistors elektrisch mit dem sechsten Knoten verbunden ist, wobei ein erster Anschluss des zweiten Kondensators elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist, und ein zweiter Anschluss des zweiten Kondensators elektrisch mit dem siebten Knoten verbunden ist, wobei eine Steuerelektrode des siebten Transistors durch den zweiten Kondensator elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist, wobei in dem Fall, dass die zweite Rücksetzkompensationsschaltung auch elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss verbunden ist, die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ferner einen neunten Transistor umfasst, wobei eine Steuerelektrode des neunten Transistors elektrisch mit dem dritten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des neunten Transistors elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss verbunden ist und eine zweite Elektrode des neunten Transistors elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist; wobei in dem Fall, dass die zweite Rücksetzkompensationsschaltung auch elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss verbunden ist, die zweite Rücksetzkompensationsschaltung ferner einen zehnten Transistor umfasst, wobei eine Steuerelektrode des zehnten Transistors elektrisch mit dem vierten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des zehnten Transistors elektrisch mit dem Anfangssignalanschluss verbunden ist, und eine zweite Elektrode des zehnten Transistors elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist.
  12. Pixeltreiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei die Datenschreibschaltung einen zwölften Transistor umfasst, wobei eine Steuerelektrode des zwölften Transistors elektrisch mit dem ersten Abtastsignalanschluss verbunden ist, eine erste Elektrode des zwölften Transistors elektrisch mit dem Datensignalanschluss verbunden ist und eine zweite Elektrode des zwölften Transistors elektrisch mit dem ersten Knoten verbunden ist.
  13. Treiberverfahren für die Pixeltreiberschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, umfassend: eine Datenschreibphase und eine Leuchtphase, wobei in der Datenschreibphase die Datenschreibschaltung als Reaktion auf das am ersten Abtastsignalanschluss empfangene erste Abtastsignal dazu eingeschaltet wird, das am Datensignalanschluss empfangene Datensignal an einen ersten Knoten zu übertragen, wobei in der Leuchtphase die Leuchtsteuerschaltung unter der Steuerung der Spannung des ersten Knotens und des am Freigabesignalanschluss empfangenen Freigabesignals dazu eingeschaltet wird, das am ersten Spannungssignalanschluss empfangene erste Spannungssignal an den zweiten Knoten zu übertragen, wobei unter der Zusammenwirkung des ersten Spannungssignals von dem zweiten Knoten und des am zweiten Spannungssignalanschluss empfangenen zweiten Spannungssignals entweder die mehreren Leuchtteile in dem LED-Chip jeweils in unterschiedlichen Zeiträumen Licht emittieren, oder zumindest zwei Leuchtteile innerhalb eines gleichen Zeitraums Licht emittieren.
  14. Anzeigesubstrat, umfassend: ein Substrat; und eine Vielzahl von Pixeltreiberschaltungen nach einem der Ansprüche 1 bis 12, die auf einer Seite des Substrats angeordnet sind, wobei bei den mehreren Leuchtteilen, die in dem LED-Chip in der Pixeltreiberschaltung enthalten sind, jeder Leuchtteil eine erste Halbleiterschicht, eine Quantenmuldenschicht und eine zweite Halbleiterschicht umfasst, die hintereinander gestapelt sind, wobei die Dotierungstypen der ersten Halbleiterschicht und der zweiten Halbleiterschicht unterschiedlich sind, wobei der Leuchtteil ferner mindestens eine der ersten Bondelektrode und der zweiten Bondelektrode umfasst, wobei die erste Bondelektrode elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht des Leuchtteils verbunden ist, wobei die zweite Bondelektrode elektrisch mit der zweiten Halbleiterschicht des Leuchtteils verbunden ist.
  15. Anzeigesubstrat nach Anspruch 14, wobei der LED-Chip ferner eine Basis umfasst, wobei sich die mehreren Leuchtteile, die in dem LED-Chip enthalten sind, auf der gleichen Seite der Basis befinden.
  16. Anzeigesubstrat nach Anspruch 14 oder 15, wobei der Leuchtteil die erste Bondelektrode und die zweite Bondelektrode umfasst, wobei die ersten Bondelektroden, die in unterschiedlichen Leuchtteilen enthalten sind, unterschiedlich sind, und die zweiten Bondelektroden, die in unterschiedlichen Leuchtteilen enthalten sind, unterschiedlich sind.
  17. Anzeigesubstrat nach Anspruch 16, wobei der Leuchtteil eine Vielzahl von Sub-Leuchtteilen umfasst, die in Reihe angeordnet sind, wobei jeder Sub-Leuchtteil eine erste Sub-Halbleiterschicht, eine erste Sub-Quantenmuldenschicht und eine zweite Sub-Halbleiterschicht umfasst, die hintereinander gestapelt sind, wobei die erste Sub-Halbleiterschicht eines Sub-Leuchtteils elektrisch mit der ersten Bondelektrode des Leuchtteils verbunden ist, wobei die zweite Sub-Halbleiterschicht des anderen Sub-Leuchtteils elektrisch mit der zweiten Bondelektrode des Leuchtteils verbunden ist.
  18. Anzeigesubstrat nach Anspruch 14 oder 15, wobei in dem Fall, dass die mehreren Leuchtteile mindestens einen ersten Leuchtteil und mindestens einen zweiten Leuchtteil umfassen, die erste Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils und die zweite Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils elektrisch mit einer zweiten Bondelektrode verbunden sind, und die zweite Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils und die erste Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils elektrisch mit einer anderen zweiten Bondelektrode verbunden sind.
  19. Anzeigesubstrat nach Anspruch 18, wobei der LED-Chip ferner eine Vielzahl von Verbindungen umfasst, wobei die erste Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils mit der zweiten Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils durch eine Verbindung elektrisch verbunden ist, wobei die erste Halbleiterschicht des zweiten Leuchtteils mit der zweiten Halbleiterschicht des ersten Leuchtteils durch eine Verbindung elektrisch verbunden ist.
  20. Anzeigesubstrat nach Anspruch 18 oder 19, wobei der erste Leuchtteil eine Vielzahl von ersten Sub-Leuchtteilen umfasst, die in Reihe angeordnet sind, und der zweite Leuchtteil eine Vielzahl von zweiten Sub-Leuchtteilen umfasst, die in Reihe angeordnet sind, wobei jeder erste Sub-Leuchtteil eine dritte Sub-Halbleiterschicht, eine zweite Sub-Quantenmuldenschicht und eine vierte Sub-Halbleiterschicht umfasst, die hintereinander gestapelt sind; jeder zweite Sub-Leuchtteil eine fünfte Sub-Halbleiterschicht, eine dritte Sub-Quantenmuldenschicht und eine sechste Sub-Halbleiterschicht umfasst, die hintereinander gestapelt sind, wobei die dritte Sub-Halbleiterschicht eines ersten Sub-Leuchtteils elektrisch mit der einen zweiten Bondelektrode verbunden ist und auch elektrisch mit der sechsten Sub-Halbleiterschicht eines zweiten Sub-Leuchtteils verbunden ist, wobei die fünfte Sub-Halbleiterschicht eines zweiten Sub-Leuchtteils elektrisch mit der anderen zweiten Bondelektrode verbunden ist und auch elektrisch mit der vierten Sub-Halbleiterschicht eines ersten Sub-Leuchtteils verbunden ist.
  21. Anzeigesubstrat nach einem der Ansprüche 14 oder 15, wobei die ersten Halbleiterschichten von mindestens zwei Leuchtteilen in einer integrierten Struktur sind und elektrisch mit derselben ersten Bondelektrode verbunden sind.
DE112021004176.2T 2021-05-31 2021-11-22 Pixeltreiberschaltung, treiberverfahren dafür und anzeigesubstrat Pending DE112021004176T5 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110605113.4 2021-05-31
CN202110605113.4A CN115482769A (zh) 2021-05-31 2021-05-31 像素驱动电路及其驱动方法、显示基板
PCT/CN2021/132151 WO2022252508A1 (zh) 2021-05-31 2021-11-22 像素驱动电路及其驱动方法、显示基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE112021004176T5 true DE112021004176T5 (de) 2023-06-01

Family

ID=84322829

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112021004176.2T Pending DE112021004176T5 (de) 2021-05-31 2021-11-22 Pixeltreiberschaltung, treiberverfahren dafür und anzeigesubstrat

Country Status (5)

Country Link
US (2) US12008960B2 (de)
JP (1) JP2024526002A (de)
CN (1) CN115482769A (de)
DE (1) DE112021004176T5 (de)
WO (1) WO2022252508A1 (de)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230091644A1 (en) * 2021-09-22 2023-03-23 Apple Inc. Super pixel architecture for high dynamic range

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101058116B1 (ko) 2009-12-08 2011-08-24 삼성모바일디스플레이주식회사 화소 회로 및 유기 전계 발광 표시 장치
JP5240581B2 (ja) * 2009-12-28 2013-07-17 カシオ計算機株式会社 画素駆動装置、発光装置及びその駆動制御方法、並びに、電子機器
JP2012113245A (ja) * 2010-11-26 2012-06-14 Canon Inc 表示装置
CN103000132B (zh) 2012-12-13 2015-05-06 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路及显示面板
CN103325340B (zh) * 2013-06-25 2015-07-01 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、像素电路驱动方法及显示装置
CN103413519B (zh) * 2013-07-18 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、阵列基板和显示装置
CN103366682B (zh) 2013-07-25 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 一种交流驱动oled电路、驱动方法及显示装置
CN104464644A (zh) 2015-01-05 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 一种像素结构、显示面板和显示装置
CN104700776B (zh) * 2015-03-25 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、显示装置
CN104732926B (zh) 2015-04-03 2017-03-22 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、有机电致发光显示面板及显示装置
CN108885855A (zh) * 2016-01-13 2018-11-23 深圳云英谷科技有限公司 显示设备和像素电路
US10021762B1 (en) * 2017-06-30 2018-07-10 Innolux Corporation Display device
CN207097427U (zh) 2017-11-07 2018-03-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled像素驱动电路、阵列基板及显示装置
CN109935207B (zh) 2017-12-15 2021-04-13 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、像素电路和显示装置及其驱动方法
CN110503917A (zh) 2018-05-16 2019-11-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 像素驱动电路及具有像素驱动电路的显示装置
US11710445B2 (en) * 2019-01-24 2023-07-25 Google Llc Backplane configurations and operations
CN112102771B (zh) * 2019-06-17 2022-02-25 京东方科技集团股份有限公司 像素电路、驱动方法和显示装置
CN110459164B (zh) 2019-07-26 2020-12-08 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路及显示装置
TWI737072B (zh) 2019-12-10 2021-08-21 友達光電股份有限公司 顯示畫素的驅動裝置及驅動方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022252508A1 (zh) 2022-12-08
US12008960B2 (en) 2024-06-11
JP2024526002A (ja) 2024-07-17
US20230274696A1 (en) 2023-08-31
US20240282263A1 (en) 2024-08-22
CN115482769A (zh) 2022-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE69829084T2 (de) Elektrolumineszenzanzeige mit aktiver Matrix mit zwei TFTs und Speicherkondensator pro Bildelement
DE69838780T2 (de) Stromgesteuerte emissionsanzeigevorrichtung, verfahren zu deren ansteuerung und herstellungsverfahren
DE102012112130B4 (de) Organische lichtemittierende Anzeigevorrichtung mit Signalleitungen zum Übertragen sowohl von Datensignalen als auch Erfassungssignalen
DE102013114454B4 (de) Leuchtdioden-Anzeigevorrichtung
DE69914302T2 (de) Elektrolumineszierende anzeigevorrichtungen mit aktiver matrix
DE69829353T2 (de) Anzeigegerät
DE10360454B4 (de) Organische Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix und Verfahren zu deren Herstellung
DE102017128738A1 (de) Anzeigetafel, elektronisches Gerät und Prüfverfahren
DE102018131255A1 (de) Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung
DE102016203060B4 (de) Array-substrat und verfahren zum bilden desselben
DE10357472A1 (de) Organisches Doppeltafel-Elektrolumineszenzdisplay und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112009001882T5 (de) OLED-Anzeige mit aktiver Matrix und Treiber hierfür
DE102017114882A1 (de) Pixeltreiberschaltung, Pixelmatrix, Treibverfahren und organisches Leuchtemissionsanzeigefeld
DE102018121224A1 (de) Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung
DE112021002392T5 (de) Arraysubstrat und Anzeigevorrichtung
DE112021002400T5 (de) Arraysubstrate, Anzeigefelder und Anzeigevorrichtungen davon
DE112021004176T5 (de) Pixeltreiberschaltung, treiberverfahren dafür und anzeigesubstrat
DE102018114175A1 (de) Anordnung für ein Display und Verfahren
DE112021001804T5 (de) Anzeigesubstrat, herstellungsverfahren dafür und anzeigevorrichtung
WO2024056886A1 (de) Optoelektronisches bauelement, verfahren zum betreiben eines optoelektronischen bauelements und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements
WO2020115042A1 (de) Optoelektronische leuchtvorrichtung mit einem pwm-transistor und verfahren zum herstellen oder steuern einer optoelektronischen leuchtvorrichtung
WO2018219868A1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement
US20220190203A1 (en) Display device and method of repairing display device
DE102021126369A1 (de) Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung
DE102017125237A1 (de) Halbleiterlaserarray und Halbleiterlaserarrayschaltungsanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed