DE112014000519T5 - Metal-insulator-metal capacitor fabrication techniques - Google Patents

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Mauro J. Kobrinsky
Robert L. Bristol
Michael C. Mayberry
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    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
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    • H01L27/22Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including components using galvano-magnetic effects, e.g. Hall effects; using similar magnetic field effects
    • H01L27/222Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM
    • H01L27/224Magnetic non-volatile memory structures, e.g. MRAM comprising two-terminal components, e.g. diodes, MIM elements

Abstract

Es werden Techniken und eine Struktur zum Bereitstellen eines MIM-Kondensators mit einem im Allgemeinen gerippten Profil offenbart. Die gerippte Topographie wird unter Verwendung selbstorganisierender Opfermaterialien bereitgestellt, welche im Ergebnis in Reaktion auf eine Behandlung (Wärme oder eine andere geeignete Anregung) eine Struktur erzeugen, welche auf ein Dielektrikumsmaterial übertragen wird, in welchem der MIM-Kondensator gebildet wird.
Das selbstorganisierende Material kann zum Beispiel eine Schicht eines Materials mit gerichteter Selbstanordnung sein, welches sich in Reaktion auf Wärme oder eine andere Anregung in zwei abwechselnde Phasen segregiert, wobei eine der Phasen dann selektiv gegenüber der anderen Phase geätzt werden kann, um die gewünschte Struktur bereitzustellen. The self-assembling material can be, for example, a layer of a material with directed self-assembly which segregates into two alternating phases in response to heat or other excitation, one of the phases then being selectively etched with respect to the other phase to provide the desired structure . In einem anderen beispielhaften Fall ist das selbstorganisierende Material eine Schicht eines Materials, welches sich zu isolierten Inseln verbindet, wenn es erwärmt wird. In another exemplary case, the self-assembling material is a layer of material that combines into isolated islands when heated. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist, können die offenbarten Techniken zum Beispiel angewendet werden, um die Kapazität je Flächeneinheit zu erhöhen, welche durch Ätzen tieferer Kondensatorgräben/-öffnungen skaliert werden kann. As can be seen in light of the present disclosure, the disclosed techniques can be used, for example, to increase the capacitance per unit area, which can be scaled by etching deeper capacitor trenches / openings. Techniques and a structure for providing an MIM capacitor having a generally ribbed profile are disclosed. Techniques and a structure for providing an MIM capacitor having a generally ribbed profile are disclosed. The ribbed topography is provided using self-organizing sacrificial materials which, as a result, produce a structure in response to a treatment (heat or other suitable excitation) which is transferred to a dielectric material in which the MIM capacitor is formed. The ribbed topography is provided using self-organizing sacrificial materials which, as a result, produce a structure in response to a treatment (heat or other suitable excitation) which is transferred to a dielectric material in which the MIM capacitor is formed.
The self-assembling material may be, for example, a layer of self-assembly oriented material which segregates into two alternating phases in response to heat or other excitation, and then one of the phases may be selectively etched over the other phase to provide the desired structure , In another exemplary case, the self-assembling material is a layer of material that combines to form isolated islands when heated. The self-assembling material may be, for example, a layer of self-assembly oriented material which segregates into two alternating phases in response to heat or other excitation, and then one of the phases may be selectively etched over the other phase to provide the Desired structure, In another exemplary case, the self-assembling material is a layer of material that combines to form isolated islands when heated. For example, as can be seen in the light of the present disclosure, the disclosed techniques may be used to increase the capacitance per unit area, which may be scaled by etching lower capacitor trench / openings. For example, as can be seen in the light of the present disclosure, the disclosed techniques may be used to increase the capacitance per unit area, which may be scaled by etching lower capacitor trench / openings.
Figure DE112014000519T5_0001

Description

  • HINTERGRUNDBACKGROUND
  • Der Entwurf von integrierten Schaltungen (Integrated Circuits, ICs) in Prozessknoten im tiefen Submikrometerbereich (z. B. 32 nm und darunter) bringt eine Anzahl nicht unbedeutender Probleme mit sich und ICs mit kapazitiven Strukturen sind besonderen Komplikationen ausgesetzt gewesen, z. B. jenen in Bezug auf eine ausreichende Stromversorgung für integrierte Vorrichtungen. Immer weitere Fortschritte in den Technologiegenerationen verschärfen solche Probleme gewöhnlich.The design of integrated circuits (ICs) in deep submicron process nodes (e.g., 32 nm and below) involves a number of significant problems, and capacitive-structure ICs have been subject to particular complications, e.g. For example, those relating to sufficient power supply for integrated devices. More and more advances in technology generations usually exacerbate such problems.
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
  • 1 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer beispielhaften integrierten Schaltung, welche einen planaren MIM-Kondensator auf Plattenbasis umfasst. 1 FIG. 10 is a side cross-sectional view of an exemplary integrated circuit including a planar MIM capacitor on a board basis. 1 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer beispielhaften integrierten Schaltung, welche einen planaren MIM-Kondensator auf Plattenbasis umfasst. 1 FIG. 10 is a side cross-sectional view of an exemplary integrated circuit including a planar MIM capacitor on a board basis. 1 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer beispielhaften integrierten Schaltung, welche einen planaren MIM-Kondensator auf Plattenbasis umfasst. 1 FIG. 10 is a side cross-sectional view of an exemplary integrated circuit including a planar MIM capacitor on a board basis. 1 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer beispielhaften integrierten Schaltung, welche einen planaren MIM-Kondensator auf Plattenbasis umfasst. 1 FIG. 10 is a side cross-sectional view of an exemplary integrated circuit including a planar MIM capacitor on a board basis.
  • 2 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC), welche gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 2 FIG. 12 is a side cross-sectional view of an integrated circuit (IC) configured in accordance with one embodiment of the present invention. FIG. 2 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC), welche gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 2 FIG. 12 is a side cross-sectional view of an integrated circuit (IC) configured in accordance with one embodiment of the present invention. FIG. 2 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC), welche gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 2 FIG. 12 is a side cross-sectional view of an integrated circuit (IC) configured in accordance with one embodiment of the present invention. FIG. 2 ist eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC), welche gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 2 FIG. 12 is a side cross-sectional view of an integrated circuit (IC) configured in accordance with one embodiment of the present invention. FIG.
  • 3 veranschaulicht die IC der 2 3 veranschaulicht die IC der 2 3 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (Directed Self-Assembly, DSA) gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. after the deposition of a layer with directed self-assembly (DSA) according to one embodiment of the present invention. 3 3 illustrates the IC of illustrates the IC of 2 2 after depositing a Directed Self-Assembly (DSA) layer according to an embodiment of the present invention. after depositing a Directed Self-Assembly (DSA) layer according to an embodiment of the present invention.
  • 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention. 4 veranschaulicht die IC der 3 nach dem Behandeln der DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 4 illustrates the IC of 3 after treating the DSA layer according to an embodiment of the present invention.
  • 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention. 5 veranschaulicht die IC der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 illustrates the IC of 4 after selectively etching the same according to an embodiment of the present invention.
  • 5' ist eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (Scanning Electron Microscope, SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC nach dem selektiven Ätzen einer DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 ' FIG. 10 is an angled perspective scanning electron micrograph (SEM) photograph of an exemplary IC after selective etching of a DSA layer in accordance with an embodiment of the present invention. FIG. 5' ist eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (Scanning Electron Microscope, SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC nach dem selektiven Ätzen einer DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 ' FIG. 10 is an angled perspective scanning electron micrograph (SEM) photograph of an exemplary IC after selective etching of a DSA layer in accordance with an embodiment of the present invention. FIG. 5' ist eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (Scanning Electron Microscope, SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC nach dem selektiven Ätzen einer DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 ' FIG. 10 is an angled perspective scanning electron micrograph (SEM) photograph of an exemplary IC after selective etching of a DSA layer in accordance with an embodiment of the present invention. FIG. 5' ist eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (Scanning Electron Microscope, SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC nach dem selektiven Ätzen einer DSA-Schicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 5 ' FIG. 10 is an angled perspective scanning electron micrograph (SEM) photograph of an exemplary IC after selective etching of a DSA layer in accordance with an embodiment of the present invention. FIG.
  • 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. 6 veranschaulicht die IC der 5 nach dem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 6 illustrates the IC of 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention.
  • 7 veranschaulicht die IC der 6 7 veranschaulicht die IC der 6 7 veranschaulicht die IC der 6 nach dem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. after further etching the same to expose the structured passivation layer according to an embodiment of the present invention. 7 7th illustrates the IC of illustrates the IC of 6 6th after further etching the same to expose the patterned passivation layer according to an embodiment of the present invention. after further etching the same to expose the patterned passivation layer according to an embodiment of the present invention.
  • 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention. 7' veranschaulicht die IC der 7 nach dem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 7 ' illustrates the IC of 7 after further structuring the same according to an embodiment of the present invention.
  • 7'' und 7''' 7'' und 7''' 7'' und 7''' sind eine perspektivische SEM-Aufnahme von oben bzw. eine abgewinkelte perspektivische SEM-Aufnahme einer beispielhaften IC nach dem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 3 is a perspective SEM image from above or an angled perspective SEM image of an exemplary IC after the further etching of the same to expose the structured passivation layer according to an embodiment of the present invention. 7 '' 7 '' and other 7 ''' 7 '' ' FIG. FIG. 4 is a top perspective SEM photograph and an angled SEM perspective view, respectively, of an exemplary IC after further etching it to expose the patterned passivation layer according to one embodiment of the present invention. 4 is a top perspective SEM photograph and an angled SEM perspective view, respectively, of an exemplary IC after further etching it to expose the patterned passivation layer according to one embodiment of the present invention. FIG. FIG.
  • 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention. 8 veranschaulicht die IC der 7 nach dem Abscheiden eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 8th illustrates the IC of 7 after depositing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor according to an embodiment of the present invention.
  • 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention. 9 veranschaulicht die IC der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 9 illustrates the IC of 8th after depositing a passivation layer according to an embodiment of the present invention.
  • 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 10 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Abscheiden einer Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 10 illustrates the IC of 2 after depositing a sacrificial layer according to an embodiment of the present invention.
  • 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention. 11 veranschaulicht die IC der 2 nach dem Erwärmen der Opferschicht gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 11 illustrates the IC of 2 after heating the sacrificial layer according to an embodiment of the present invention.
  • 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention. 12 veranschaulicht die IC der 11 nach dem Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 12 illustrates the IC of 11 after etching the same according to an embodiment of the present invention.
  • 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention. 13 ist ein Schaubild mit experimentellen Daten, welches die Kapazität als eine Funktion einer Kondensatorfläche für eine existierende integrierte Schaltung, die wie jene der 1 konfiguriert ist, und für eine IC darstellt, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. 13 is a graph with experimental data showing the capacitance as a function of a capacitor area for an existing integrated circuit, like those of the 1 is configured and represents an IC configured in accordance with an embodiment of the present invention.
  • 14 veranschaulicht ein Computersystem, welches gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit IC-Strukturen oder Vorrichtungen realisiert ist, die unter Anwendung der offenbarten Techniken zur Herstellung von Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatoren hergestellt werden. 14 FIG. 12 illustrates a computer system implemented in accordance with an exemplary embodiment of the present invention with integrated circuit structures or devices fabricated using the disclosed techniques for fabricating metal-insulator-metal (MIM) capacitors.
  • Zur klareren Darstellung ist möglicherweise nicht in jeder Zeichnung jede Komponente gekennzeichnet. Ferner sind die Figuren nicht notwendigerweise maßstabsgetreu dargestellt und sollen die beanspruchte Erfindung nicht auf die speziellen dargestellten Konfigurationen beschränken, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist. Zum Beispiel kann, obwohl in einigen Figuren allgemein gerade Linien, rechte Winkel und glatte Flächen dargestellt sind, eine tatsächliche Realisierung der offenbarten Techniken zu weniger als perfekten geraden Linien, rechten Winkeln führen und einige Elemente können eine Oberflächentopographie aufweisen oder auf andere Weise nicht glatt sein, wenn in der Praxis Einschränkungen in der Verarbeitungsanlage und den Materialien vorliegen. Kurz ausgedrückt, die Figuren dienen lediglich dazu, beispielhafte Strukturen darzustellen.For clarity, each component may not be labeled in each drawing. Furthermore, the figures are not necessarily drawn to scale and are not intended to limit the claimed invention to the specific configurations illustrated, as may be seen in light of the present disclosure. For example, although in some figures generally straight lines, right angles, and smooth surfaces are shown, actual implementation of the disclosed techniques may result in less than perfect straight lines, right angles, and some elements may have a surface topography or otherwise be non-smooth if there are restrictions in the processing plant and materials in practice. In short, the Figures serve only to represent exemplary structures.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION
  • Es werden Techniken und Strukturen zum Bereitstellen eines Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensators mit einem im Allgemeinen gerippten Profil offenbart. Die gerippte Topographie wird unter Verwendung selbstorganisierender Materialien bereitgestellt, welche im Ergebnis in Reaktion auf eine Behandlung (z. B. mit Wärme oder einer anderen geeigneten Anregung) eine Struktur erzeugen, welche auf ein Dielektrikumsmaterial übertragen wird, in welchem der MIM-Kondensator gebildet wird. Das selbstorganisierende Material kann zum Beispiel eine Opferschicht eines Materials mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) sein, welches sich in Reaktion auf Wärme, Lösungsmittel oder eine andere Anregung in zwei abwechselnde Phasen segregiert, wobei eine der Phasen dann selektiv gegenüber der anderen Phase geätzt werden kann, um die gewünschte Struktur bereitzustellen. In einem anderen beispielhaften Fall ist das selbstorganisierende Material eine Opferschicht eines Materials, welches sich zu isolierten Inseln verbindet, wenn es in ausreichendem Maße erwärmt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist, können die offenbarten Techniken zum Beispiel angewendet werden, um die Kapazität je Flächeneinheit zu erhöhen, welche durch Ätzen tieferer Kondensatorgräben/-öffnungen skaliert werden kann. Im Lichte der vorliegenden Offenbarung werden zahlreiche Konfigurationen und Variationen ersichtlich.Techniques and structures for providing a metal-insulator-metal (MIM) capacitor having a generally ribbed profile are disclosed. The ribbed topography is provided using self-assembling materials which, as a result, produce a structure in response to treatment (eg, with heat or other suitable excitation) which is transferred to a dielectric material in which the MIM capacitor is formed , The self-assembling material may be, for example, a sacrificial layer of Directed Self-Assembly (DSA) material which segregates into two alternating phases in response to heat, solvent or other excitation, whereby one of the phases may then be selectively etched over the other phase. to provide the desired structure. In another exemplary case, the self-assembling material is a sacrificial layer of a material that joins into isolated islands when heated sufficiently. For example, as can be seen in the light of the present disclosure, the disclosed techniques may be used to increase the capacitance per unit area, which may be scaled by etching lower capacitor trench / openings. In the light of the present disclosure, numerous configurations and variations will become apparent.
  • ALLGEMEINER ÜBERBLICK GENERAL OVERVIEW
  • Wie bereits angeführt, gibt es eine Anzahl nicht unbedeutender Probleme, die entstehen können und bei der Stromversorgung für IC-Vorrichtungen Komplikationen hervorrufen können. In einem Versuch, einige dieser Probleme anzugehen, können dem Verbindungsstapel in einer obersten Passivierungsschicht einer gegebenen IC Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatoren auf Plattenbasis hinzugefügt werden. Man betrachte zum Beispiel 1 Wie bereits angeführt, gibt es eine Anzahl nicht unbedeutender Probleme, die entstehen können und bei der Stromversorgung für IC-Vorrichtungen Komplikationen hervorrufen können. In einem Versuch, einige dieser Probleme anzugehen, können dem Verbindungsstapel in einer obersten Passivierungsschicht einer gegebenen IC Metall-Isolator-Metall(MIM)-Kondensatoren auf Plattenbasis hinzugefügt werden. Man betrachte zum Beispiel 1 , welche eine seitliche Querschnittsansicht einer beispielhaften IC ist, die einen planaren MIM-Kondensator auf Plattenbasis umfasst. 10, which is a side cross-sectional view of an exemplary IC that includes a plate-based planar MIM capacitor. Wie zu sehen ist, umfasst der MIM-Kondensator auf Plattenbasis eine untere Elektrodenplatte und eine obere Elektrodenplatte mit einer dazwischen angeordneten Dielektrikumsmaterialschicht. As can be seen, the plate-based MIM capacitor includes a lower electrode plate and an upper electrode plate with a layer of dielectric material therebetween. Die Überlappungsfläche der zwei Elektrodenplatten ist in der Figur durch die gestrichelten Linien angezeigt. The overlap area of ​​the two electrode plates is indicated in the figure by the dashed lines. As noted, there are a number of significant problems that can arise and cause complications in the power supply for IC devices. As noted, there are a number of significant problems that can arise and cause complications in the power supply for IC devices. In an attempt to address some of these problems, metal-insulator-metal (MIM) plate-based capacitors may be added to the interconnect stack in a top passivation layer of a given IC. In an attempt to address some of these problems, metal-insulator-metal (MIM) plate-based capacitors may be added to the interconnect stack in a top passivation layer of a given IC. For example, consider For example, consider 1 1 5 which is a side cross-sectional view of an exemplary IC including a planar MIM capacitor on a board basis. 5 which is a side cross-sectional view of an exemplary IC including a planar MIM capacitor on a board basis. As can be seen, the plate-based MIM capacitor includes a bottom electrode plate and an upper electrode plate with a dielectric material layer disposed therebetween. As can be seen, the plate-based MIM capacitor includes a bottom electrode plate and an upper electrode plate with a dielectric material layer disposed therebetween. The overlapping area of the two electrode plates is indicated by the dashed lines in the figure. The overlapping area of ​​the two electrode plates is indicated by the dashed lines in the figure.
  • Mit jeder neuen Technologiegeneration ist es jedoch im Allgemeinen erforderlich, die Gesamtkapazität je Flächeneinheit auf dem Chip zu erhöhen, zum Beispiel um für eine ausreichende Stromversorgung integrierter Vorrichtungen zu sorgen. Dies kann zum Beispiel besonders im Fall integrierter Spannungsregler gelten. Wenn man versucht, den erwähnten steigenden Bedarf für eine höhere Kapazität je Flächeneinheit zu bedienen, indem man lediglich die Anzahl der Kondensatorplattenpaare des in 1 Mit jeder neuen Technologiegeneration ist es jedoch im Allgemeinen erforderlich, die Gesamtkapazität je Flächeneinheit auf dem Chip zu erhöhen, zum Beispiel um für eine ausreichende Stromversorgung integrierter Vorrichtungen zu sorgen. Dies kann zum Beispiel besonders im Fall integrierter Spannungsregler gelten. Wenn man versucht, den erwähnten steigenden Bedarf für eine höhere Kapazität je Flächeneinheit zu bedienen, indem man lediglich die Anzahl der Kondensatorplattenpaare des in 1 dargestellten MIM-Kondensators auf Plattenbasis erhöht (z. B. von zwei auf drei, drei auf fünf usw.), werden leider die Herstellungskosten und die IC-Masse erhöht. Unfortunately, the plate-based MIM capacitor shown is increased (e.g., from two to three, three to five, etc.), the manufacturing cost and the IC bulk are unfortunately increased. However, with each new generation of technology, it is generally necessary to increase the total capacity per unit area on the chip, for example to provide sufficient power to integrated devices. However, with each new generation of technology, it is generally necessary to increase the total capacity per unit area on the chip, for example to provide sufficient power to integrated devices. This may apply, for example, especially in the case of integrated voltage regulators. This may apply, for example, especially in the case of integrated voltage regulators. If one tries to serve the mentioned increasing demand for a higher capacity per unit area, by only the number of the capacitor plate pairs of the in If one tries to serve the mentioned increasing demand for a higher capacity per unit area, by only the number of the capacitor plate pairs of the in 1 1 Unfortunately, because of the plate-based MIM capacitor shown (eg, from two to three, three to five, etc.), unfortunately, manufacturing costs and IC bulk are increased. Unfortunately, because of the plate-based MIM capacitor shown (eg, from two to three, three to five, etc.), unfortunately, manufacturing costs and IC bulk are increased.
  • Daher und gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden Techniken zum Bereitstellen eines MIM-Kondensators mit einem im Allgemeinen gerippten Profil offenbart. In einigen Ausführungsformen kann ein MIM-Kondensator wie hierin beschrieben zum Beispiel als eine dreischichtige Struktur konfiguriert sein – zwei Elektrodenschichten mit einer dazwischen angeordneten High-k-Dielektrikumsschicht. In einigen Ausführungsformen kann ein solcher MIM-Kondensator zum Beispiel über oder innerhalb einer integrierten Schaltung (IC) abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden. In einigen Ausführungsformen kann ein MIM-Kondensator, der wie hierin beschrieben konfiguriert ist, zum Beispiel dadurch mit einem im Allgemeinen gerippten Profil versehen werden, dass er über einer darunter liegenden IC-Schicht (z. B. einer Passivierungsschicht) abgeschieden oder auf andere Weise gebildet wird, die eine gerippte Fläche aufweist. Das Bereitstellen einer solchen gerippten Passivierungsschicht kann in einigen Ausführungsformen unter Verwendung einer zweidimensionalen Matrix mit gerichteter Selbstausrichtung (DSA) erfolgen. Die DSA kann strukturiert sein und eine solche Struktur kann gemäß einer Ausführungsform anschließend auf eine darunter liegende Passivierungsschicht übertragen werden. Danach kann über der resultierenden Oberflächentopographie der strukturierten Passivierungsschicht ein MIM-Kondensator gebildet werden.Therefore, and in accordance with one embodiment of the present invention, techniques for providing an MIM capacitor having a generally ribbed profile are disclosed. For example, in some embodiments, an MIM capacitor as described herein may be configured as a three-layered structure - two electrode layers with a high-k dielectric layer interposed therebetween. For example, in some embodiments, such an MIM capacitor may be deposited or otherwise formed over or within an integrated circuit (IC). For example, in some embodiments, an MIM capacitor configured as described herein may be provided with a generally ribbed profile by depositing over an underlying IC layer (eg, a passivation layer) or otherwise is formed, which has a ribbed surface. Providing such a corrugated passivation layer may, in some embodiments, be accomplished using a two-dimensional directionally self-aligned (DSA) matrix. The DSA may be structured and such a structure may then be transferred to an underlying passivation layer according to one embodiment. Thereafter, an MIM capacitor may be formed over the resulting surface topography of the patterned passivation layer.
  • In einigen anderen Ausführungsformen kann das Bereitstellen einer gerippten Passivierungsschicht unter Verwendung einer Opferschicht/eines Opferfilms erfolgen, welche(r) in Reaktion auf eine Wärmebehandlung agglomeriert oder sich auf andere Weise zu Inseln vereinigt. Die resultierende Struktur kann gemäß einer solchen Ausführungsform anschließend auf eine darunter liegende Passivierungsschicht übertragen werden. Danach kann über der resultierenden Oberflächentopographie, die durch die strukturierte Passivierungsschicht bereitgestellt wird, ein MIM-Kondensator gebildet werden. In einigen wiederum anderen Ausführungsformen können Lithographietechniken angewendet werden, um eine strukturierte Resistschicht bereitzustellen, welche beim Bereitstellen einer gerippten Passivierungsschichttopographie verwendet werden kann, über welcher ein MIM-Kondensator gebildet werden kann. Kurz ausgedrückt, sind im Lichte der vorliegenden Offenbarung zahlreiche Konfigurationen und Variationen ersichtlich.In some other embodiments, providing a ribbed passivation layer may be accomplished using a sacrificial layer / film that agglomerates or otherwise unifies to form islands in response to a heat treatment. The resulting structure may then be transferred to an underlying passivation layer according to such an embodiment. Thereafter, an MIM capacitor may be formed over the resulting surface topography provided by the patterned passivation layer. In some other embodiments, lithography techniques may be employed to provide a patterned resist layer that may be used in providing a ribbed passivation layer topography over which an MIM capacitor may be formed. In short, in the light of the present Revelation numerous configurations and variations evident.
  • In einigen Fällen können die offenbarten Techniken zum Beispiel angewendet werden, um einen gerippten MIM-Kondensator bereitzustellen, welcher gemäß einigen Ausführungsformen die Gesamtkapazität je Flächeneinheit auf dem Chip für eine gegebene IC verbessert. Zum Beispiel kann ein gerippter MIM-Kondensator, der wie hierin beschrieben konfiguriert ist, in einigen beispielhaften Ausführungsformen eine vierfache oder höhere Steigerung der Kapazität je Flächeneinheit im Vergleich zu einem planaren MIM-Kondensator auf Plattenbasis wie jenem der 1 aufweisen. exhibit. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist, können unter Anwendung der hierin beschriebenen Techniken größere oder kleinere Verbesserungen der Kapazität je Flächeneinheit erreicht werden, falls erwünscht. As can be seen in light of the present disclosure, using the techniques described herein, greater or lesser improvements in capacity per unit area can be achieved, if desired. For example, in some cases, the disclosed techniques may be used to provide a ridge MIM capacitor that, in some embodiments, improves the total on-chip per unit area capacity for a given IC. For example, in some cases, the disclosed techniques may be used to provide a ridge MIM capacitor that, in some part, improves the total on-chip per unit area capacity for a given IC. For example, in some example embodiments, a finned MIM capacitor configured as described herein may have a four times or more increase in capacitance per unit area as compared to a planar MIM type of plate-based capacitor such as that of FIG For example, in some example, a finned MIM capacitor configured as described in may have a four times or more increase in capacitance per unit area as compared to a planar MIM type of plate-based capacitor such as that of FIG 1 1 exhibit. exhibit. As will be appreciated in the light of the present disclosure, greater or lesser capacitance per unit area improvements can be achieved using the techniques described herein, if desired. As will be appreciated in the light of the present disclosure, greater or lesser capacitance per unit area improvements can be achieved using the techniques described in, if desired.
  • In einigen Ausführungsformen kann ein MIM-Kondensator wie hierin beschrieben in einer IC enthalten sein, zum Beispiel um die Stromversorgung für eine oder mehrere integrierte Vorrichtungen zu unterstützen. Wie ferner im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist, können einige Ausführungsformen zum Beispiel bei der IC-Herstellung in Prozessknoten des tiefen Submikrometerbereichs (z. B. 32 nm und darunter; 22-nm-Knoten und darunter; 14-nm-Knoten und darunter; 10-nm-Knoten und darunter usw.) angewendet werden. Es sollte jedoch angemerkt werden, dass die offenbarten Techniken im Allgemeinen unabhängig von Prozess-/Technologieknoten zu betrachten sind und daher nicht auf die Anwendung in irgendeinem speziellen Prozess-/Technologieknoten beschränkt sein sollen. Andere geeignete Anwendungen der offenbarten Techniken hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich.In some embodiments, an MIM capacitor as described herein may be included in an IC, for example to assist powering one or more integrated devices. For example, as will be appreciated in the light of the present disclosure, some embodiments may be used in IC fabrication in deep submicron process nodes (e.g., 32 nm and below, 22 nm nodes and below, 14 nm nodes, and including 10nm nodes and below, etc.). It should be noted, however, that the disclosed techniques are generally to be considered independent of process / technology nodes and therefore should not be limited to application in any particular process / technology node. Other suitable applications of the disclosed techniques will depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • In einigen Fällen können die offenbarten Techniken einfach zum Beispiel in vorhandene Herstellungslinien integriert werden und es können vorhandene Anlagen, vorhandenes Wissen, vorhandene Infrastruktur usw. genutzt werden. In einigen Fällen können die offenbarten Techniken einfach skaliert werden, um die Kapazität je Flächeneinheit zu erhöhen, zum Beispiel: (1) durch Erhöhen der Tiefe/Höhe der gerippten Topographie, über welcher ein gegebener MIM-Kondensator zu bilden ist; und/oder (2) durch Hinzufügen weiterer gerippter MIM-Kondensatorschichten (wobei z. B. jede Schicht eine Kapazität je Flächeneinheit aufweist, die mehrfach höher als die eines planaren MIM-Kondensators wie auf Plattenbasis jenes der 1 ist). is). Ferner können in einigen Ausführungsformen Kostensenkungen realisiert werden, zum Beispiel durch: (1) Vermeiden oder ansonsten Minimieren zusätzlicher/unnötiger Lithographieoperationen und/oder (2) Herstellen einer gewünschten Oberflächentopographie unter Verwendung einer Passivierungsschicht, die in einer gegebenen IC bereits vorhanden sein kann. Furthermore, in some embodiments, cost reductions can be realized, for example by: (1) avoiding or otherwise minimizing additional / unnecessary lithography operations and / or (2) producing a desired surface topography using a passivation layer that may already be present in a given IC. Des Weiteren können einige Ausführungsformen von Verbesserungen profitieren, zum Beispiel von High-k-Dielektrikumsmaterialien (z. B. des Leckstroms, der Dicke, der Dielektrizitätskonstante usw.). In addition, some embodiments may benefit from improvements such as high-k dielectric materials (e.g., leakage current, thickness, dielectric constant, etc.). In some cases, the disclosed techniques may be easily integrated, for example, into existing manufacturing lines, and existing equipment, knowledge, existing infrastructure, etc. may be utilized. In some cases, the disclosed techniques may be easily integrated, for example, into existing manufacturing lines, and existing equipment, knowledge, existing infrastructure, etc. may be utilized. In some cases, the techniques disclosed may be readily scaled to increase the capacitance per unit area, for example: (1) by increasing the depth / height of the ridge topography over which a given MIM capacitor is to be formed; In some cases, the techniques disclosed may be readily scaled to increase the capacitance per unit area, for example: (1) by increasing the depth / height of the ridge topography over which a given MIM capacitor is to be formed; and / or (2) by adding further finned MIM capacitor layers (wherein, for example, each layer has a capacitance per unit area several times higher than that of a planar MIM capacitor such as a plate-based one and / or (2) by adding further finned MIM capacitor layers (wherein, for example, each layer has a capacitance per unit area several times higher than that of a planar MIM capacitor such as a plate-based one 1 1 is). is). Further, in some embodiments, cost reductions may be realized, for example by: (1) avoiding or otherwise minimizing additional / unnecessary lithography operations and / or (2) producing a desired surface topography using a passivation layer that may already be present in a given IC. Further, in some part, cost reductions may be realized, for example by: (1) avoiding or otherwise minimizing additional / unnecessary lithography operations and / or (2) producing a desired surface topography using a passivation layer that may already be present in a given IC. Further, some embodiments may benefit from improvements, for example, high-k dielectric materials (eg, leakage current, thickness, dielectric constant, etc.). Further, some may benefit from improvements, for example, high-k dielectric materials (eg, leakage current, thickness, dielectric constant, etc.).
  • Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung weiter zu erkennen ist, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Anwendung der offenbarten Techniken zum Beispiel durch Querschnittsanalyse und/oder Materialanalyse einer gegebenen IC oder anderen Vorrichtung detektiert werden, welche eine MIM-Kondensatorstruktur umfasst, die im Allgemeinen konfiguriert ist, wie hierin beschrieben. As will be further appreciated in light of the present disclosure, and in accordance with one or more embodiments, the application of the disclosed techniques may be detected, for example, by cross-sectional analysis and / or material analysis of a given IC or other device comprising an MIM capacitor structure, generally is configured as described herein.
  • METHODIK UND STRUKTUR METHODOLOGY AND STRUCTURE
  • 2 bis 9 veranschaulichen einen Verfahrensablauf zum Bilden einer IC 100 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist, kann die IC 100 in jedem Abschnitt des beschriebenen Verfahrensablaufs zusätzliche, weniger und/oder andere Elemente oder Komponenten als die hierin beschriebenen umfassen und die beanspruchte Erfindung soll nicht auf irgendwelche speziellen Konfigurationen – anfängliche, Zwischen- und/oder Endkonfigurationen – der IC 100 beschränkt sein, sondern kann mit zahlreichen Konfigurationen in zahlreichen Anwendungen angewendet werden. 2 to 9 illustrate a process flow for forming an IC 100 according to an embodiment of the present invention. As can be seen in the light of the present disclosure, the IC 100 in any portion of the described methodology, include additional, fewer, and / or different elements or components than those described herein, and the claimed invention is not intended to cover any specific configurations - initial, intermediate and / or end configurations - of the IC in any portion of the described methodology, include additional, fewer, and / or different elements or components than those described in, and the claimed invention is not intended to cover any specific configurations - initial, intermediate and / or end configurations - of the IC 100 100 but can be used with numerous configurations in numerous applications. but can be used with numerous configurations in numerous applications.
  • Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 Der Verfahrensablauf kann wie in 2 beginnen, welche eine seitliche Querschnittsansicht einer integrierten Schaltung (IC) 100 ist, die gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung konfiguriert ist. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 eine Schicht eines Isolatormaterials (z. B. eines Zwischenschichtdielektrikums oder ILD (Inter-Layer Dielectric) 110 umfassen. Die offenbarten Techniken können mit einem beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Isolatormaterialien der ILD 110 (z. B. einem Low-k-, High-k- oder sonstigen Material) realisiert werden. (e.g. a low-k, high-k or other material). Zum Beispiel kann das ILD For example, the ILD 110 110 in einigen beispielhaften Ausführungsformen eines oder mehreres umfassen aus: (1) einem Oxid, z. in some exemplary embodiments, one or more of: (1) an oxide, e.g. B. Siliciumdioxid (SiO 2 ), Siliciumoxid (SiO), kohlenstoffdotiertem SiO 2 usw.; Silicon dioxide (SiO 2 ), silicon oxide (SiO), carbon-doped SiO 2, etc .; (2) einem Nitrid, z. (2) a nitride, e.g. B. Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ) usw.; Silicon nitride (Si 3 N 4 ) etc .; (3) einem Polymer, z. (3) a polymer, e.g. B. Benzocyclobuten (BCB), einem photodefinierbaren (permanenten oder sonstigen) Resist, z. B. benzocyclobutene (BCB), a photo-definable (permanent or other) resist, e.g. B. SU-8 usw.; B. SU-8 etc .; (4) einem Phosphosilicatglas (PSG); (4) a phosphosilicate glass (PSG); (5) einem Fluorosilicatglas (FSG); (5) a fluorosilicate glass (FSG); (6) einem Organosilicatglas (OSG), z. (6) an organosilicate glass (OSG), e.g. B. Silsesquioxan, Siloxan usw.; E.g., silsesquioxane, siloxane, etc .; (7) einer Kombination beliebiger der vorstehenden und/oder (8) einem beliebigen anderen geeigneten Dielektrikumsmaterial, welches für ein gewünschtes Maß an Isolation sorgen kann, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist. (7) any combination of any of the foregoing and / or (8) any other suitable dielectric material that can provide a desired level of isolation, as will be appreciated in light of the present disclosure. In einigen Ausführungsformen kann das ILD In some embodiments, the ILD 110 110 im Wesentlichen nichtporös sein, während das ILD essentially non-porous, while the ILD 110 110 in anderen Ausführungsformen mit einem beliebigen Maß an Porosität bereitgestellt werden kann, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. in other embodiments, it can be provided with any degree of porosity as desired for a given application or end use application. The procedure can be as in The procedure can be as in 2 2 which is a side cross-sectional view of an integrated circuit (IC) which is a side cross-sectional view of an integrated circuit (IC) 100 100 that is configured according to an embodiment of the present invention. that is configured according to an embodiment of the present invention. As you can see, the IC As you can see, the IC 100 100 a layer of insulator material (eg, an inter-layer dielectric or ILD (Inter-Layer Dielectric)) a layer of insulator material (eg, an inter-layer dielectric or ILD (Inter-Layer Dielectric)) 110 110 include. include. The disclosed techniques can be combined with any of a wide variety of ILD insulating materials The disclosed techniques can be combined with any of a wide variety of ILD insulating materials 110 110 (eg a low-k, high-k or other material). (eg a low-k, high-k or other material). For example, the ILD For example, the ILD 110 110 in some example embodiments of one or more of: (1) an oxide, eg Silicon dioxide (SiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), carbon-doped SiO 2, etc .; in some example of one or more of: (1) an oxide, eg silicon dioxide (SiO 2 ), silicon oxide (SiO 2 ), carbon-doped SiO 2, etc .; (2) a nitride, eg Silicon nitride (Si 3 N 4 ), etc .; (2) a nitride, eg silicon nitride (Si 3 N 4 ), etc .; (3) a polymer, eg B. Benzocyclobuten (BCB), a photodefinable (permanent or other) resist, z. (3) a polymer, e.g. B. Benzocyclobutene (BCB), a photodefinable (permanent or other) resist, e.g. Eg SU-8, etc .; Eg SU-8, etc .; (4) a phosphosilicate glass (PSG); (4) a phosphosilicate glass (PSG); (5) a fluorosilicate glass (FSG); (5) a fluorosilicate glass (FSG); (6) an organosilicate glass (OSG), eg Silsesquioxane, siloxane, etc .; (6) to organosilicate glass (OSG), eg silsesquioxane, siloxane, etc .; (7) a combination of any of the foregoing and / or (8) any other suitable dielectric material which can provide a desired level of isolation, as will be appreciated in the light of the present disclosure. (7) a combination of any of the foregoing and / or (8) any other suitable dielectric material which can provide a desired level of isolation, as will be appreciated in the light of the present disclosure. In some embodiments, the ILD In some of the ILD 110 110 in the Essentially nonporous while the ILD in the Essentially nonporous while the ILD 110 110 in other embodiments may be provided with any degree of porosity as desired for a given intended application or end use. in other may be provided with any degree of porosity as desired for a given intended application or end use.
  • In einigen Fällen kann das ILD 110, wie gewünscht, zum Beispiel auf einem Substrat, einem Wafer oder einer anderen geeigneten Fläche abgeschieden werden. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung zu erkennen ist, kann eine beliebige aus einem breiten Bereich von geeigneten Abscheidungstechniken angewendet werden, z. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: physikalische Abscheidung aus der Gasphase (Physical Vapor Deposition, PVD); chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD), Schleuderbeschichten/Aufschleudern (Spin-on Deposition, SOD) und/oder eine Kombination beliebiger der vorstehenden. Wie weiter zu erkennen ist, kann das ILD 110 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Andere geeignete Konfigurationen, Materialien, Abscheidungstechniken und/oder Dicken für das ILD 110 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und sind im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. In some cases, the ILD In some cases, the ILD 110 110 may be deposited on a substrate, wafer, or other suitable surface as desired. may be deposited on a substrate, wafer, or other suitable surface as desired. As can be seen in the light of the present disclosure, any of a wide range of suitable deposition techniques may be employed, eg For example, but not necessarily limited to: physical vapor deposition (PVD); As can be seen in the light of the present disclosure, any of a wide range of suitable deposition techniques may be employed, eg For example, but not necessarily limited to: physical vapor deposition (PVD); chemical vapor deposition (CVD), spin-on deposition (SOD), and / or a combination of any of the foregoing. chemical vapor deposition (CVD), spin-on deposition (SOD), and / or a combination of any of the foregoing. As you can see, the ILD As you can see, the ILD 110 110 with any given thickness as desired for a given intended application or end use. with any given thickness as desired for a given intended application or end use. Other suitable configurations, materials, deposition techniques, and / or thicknesses for the ILD Other suitable configurations, materials, deposition techniques, and / or thicknesses for the ILD 110 110 depend on a given application and are apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and are apparent in light of the present disclosure.
  • In einigen Fällen können in dem ILD 110 eine oder mehrere Verbindungen 120 In einigen Fällen können in dem ILD 110 eine oder mehrere Verbindungen 120 In einigen Fällen können in dem ILD 110 eine oder mehrere Verbindungen 120 In einigen Fällen können in dem ILD 110 eine oder mehrere Verbindungen 120 angeordnet sein. be arranged. In einigen Fällen können mehrere ILD-Schichten In some cases, multiple ILD layers can be used 110 110 vorgesehen sein, welche jeweils eine oder mehrere Verbindungen be provided which each have one or more connections 120 120 aufweisen. exhibit. Gemäß einigen Ausführungsformen kann eine gegebene Verbindung According to some embodiments, a given connection may 120 120 beliebige aus einem weiten Bereich von elektrisch leitfähigen Materialien umfassen, wie z. include any of a wide range of electrically conductive materials, such as. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: Kupfer (Cu); B., but not necessarily limited to: copper (Cu); Aluminium (Al); Aluminum (Al); Silber (Ag); Silver (Ag); Nickel (Ni); Nickel (Ni); Gold (Au); Gold (Au); Titan (Ti); Titanium (Ti); Wolfram (W); Tungsten (W); Ruthenium (Ru); Ruthenium (Ru); Kobalt (Co); Cobalt (Co); Chrom (Cr); Chromium (Cr); Eisen (Fe); Iron (Fe); Hafnium (Hf); Hafnium (Hf); Tantal (Ta); Tantalum (Ta); Vanadium (V); Vanadium (V); Molybdän (Mo); Molybdenum (Mo); Palladium (Pd); Palladium (Pd); Platin (Pt) und/oder eine Legierung oder Kombination beliebiger der vorstehenden. Platinum (Pt) and / or an alloy or combination of any of the foregoing. Ferner sei angemerkt, dass die Verbindungsmaterialien metallisch oder nichtmetallisch sein können und in einigen Fällen Polymermaterialien umfassen können. It should also be noted that the connection materials can be metallic or non-metallic and in some cases can include polymeric materials. Zu diesem Zweck kann für die ein oder mehreren Verbindungen This can be done for one or more connections 120 120 der IC the IC 100 100 jedes Material verwendet werden, welches ein geeignetes Maß an elektrischer Leitfähigkeit aufweist. any material can be used which has an appropriate level of electrical conductivity. Auch kann es in einigen Fällen wünschenswert sein, zwischen eine gegebene Verbindung Also, in some cases it may be desirable between a given connection 120 120 und ein ILD and an ILD 110 110 eine Sperrschicht und/oder eine Haftschicht einzubauen. to incorporate a barrier layer and / or an adhesive layer. Zum Beispiel kann es in einigen Fällen, in denen eine gegebene Verbindung For example, in some cases there may be a given compound 120 120 zum Beispiel Cu umfasst, wünschenswert sein, zwischen eine solche Verbindung for example, including Cu, it would be desirable to interpose such a connection 120 120 und das ILD and the ILD 110 110 eine Barriere- und/oder eine Haftschicht einzubauen, welche ein Material wie z. to incorporate a barrier and / or an adhesive layer, which is a material such. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, Tantal (Ta); B., but not necessarily limited to, tantalum (Ta); Tantalnitrid (TaN); Tantalum nitride (TaN); Titannitrid (TiN) usw. umfasst. Titanium nitride (TiN), etc. includes. Andere geeignete Metalle/Materialien für eine gegebene Verbindung Other suitable metals / materials for a given compound 120 120 , eine optionale Sperrschicht und/oder eine optionale Haftschicht hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. , an optional barrier layer and / or an optional adhesive layer depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. In some cases, in the ILD In some cases, in the ILD 110 110 one or more connections one or more connections 120 120 be arranged. be arranged. In some cases, multiple ILD layers can be used In some cases, multiple ILD layers can be used 110 110 be provided, which in each case one or more compounds be provided, which in each case one or more compounds 120 120 exhibit. exhibit. According to some embodiments, a given connection According to some given connection 120 120 any of a wide range of electrically conductive materials, such as. For example, but not necessarily limited to: copper (Cu); any of a wide range of electrically conductive materials, such as. For example, but not necessarily limited to: copper (Cu); Aluminum (Al); Aluminum (Al); Silver (Ag); Silver (Ag); Nickel (Ni); Nickel (Ni); Gold (Au); Gold (Au); Titanium (Ti); Titanium (Ti); Tungsten (W); Tungsten (W); Ruthenium (Ru); Ruthenium (Ru); Cobalt (Co); Cobalt (Co); Chromium (Cr); Chromium (Cr); Iron (Fe); Iron (Fe); Hafnium (Hf); Hafnium (Hf); Tantalum (Ta); Tantalum (Ta); Vanadium (V); Vanadium (V); Molybdenum (Mo); Molybdenum (Mo); Palladium (Pd); Palladium (Pd); Platinum (Pt) and / or an alloy or combination of any of the foregoing. Platinum (Pt) and / or an alloy or combination of any of the foregoing. It should also be appreciated that the bonding materials may be metallic or non-metallic, and in some instances may include polymeric materials. It should also be appreciated that the bonding materials may be metallic or non-metallic, and in some instances may include polymeric materials. For this purpose, for the one or more connections For this purpose, for the one or more connections 120 120 the IC the IC 100 100 Any material that has a suitable level of electrical conductivity can be used. Any material that has a suitable level of electrical conductivity can be used. Also, in some cases it may be desirable between a given connection Also, in some cases it may be desirable between a given connection 120 120 and an ILD and an ILD 110 110 to install a barrier layer and / or an adhesive layer. to install a barrier layer and / or an adhesive layer. For example, in some cases, there may be a given connection For example, in some cases, there may be a given connection 120 120 For example, Cu comprises, be desirable, between such a compound For example, Cu comprises, be desirable, between such a compound 120 120 and the ILD and the ILD 110 110 to incorporate a barrier and / or an adhesive layer containing a material such. to incorporate a barrier and / or an adhesive layer containing a material such. B. without necessarily being limited thereto, tantalum (Ta); B. without necessarily being limited case, tantalum (Ta); Tantalum nitride (TaN); Tantalum nitride (TaN); Titanium nitride (TiN), etc. includes. Titanium nitride (TiN), etc. includes. Other suitable metals / materials for a given compound Other suitable metals / materials for a given compound 120 120 , an optional barrier layer and / or an optional adhesive layer will depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. , an optional barrier layer and / or an optional adhesive layer will depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • In einigen Fällen können die offenbarten Techniken mit beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Verbindungszusammenhängen und Strukturen vereinbar sein. Einige beispielhafte solcher Strukturen können umfassen, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: Einfach-Damaszener-Strukturen; Doppel-Damaszener-Strukturen (z. B. eine Leitung mit einer darunter liegenden Durchkontaktierung); anisotrope Strukturen; isotrope Strukturen und/oder beliebige andere gewünschte IC-Strukturen, Verbindungen oder andere leitfähige Strukturen. Auch können gemäß einer Ausführungsform die Abmessungen einer gegebenen Verbindung 120 angepasst werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Andere geeignete Konfigurationen für eine gegebene Verbindung 120 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. In some cases, the disclosed techniques may be compatible with any of a wide variety of interconnection contexts and structures. In some cases, the disclosed techniques may be compatible with any of a wide variety of interconnection contexts and structures. Some exemplary such structures may include, but are not necessarily limited to: single damascene structures; Some exemplary such structures may include, but are not necessarily limited to: single damascene structures; Dual damascene structures (eg, a lead with an underlying via); Dual damascene structures (eg, a lead with an underlying via); anisotropic structures; anisotropic structures; Isotropic structures and / or any other desired IC structures, compounds or other conductive structures. Isotropic structures and / or any other desired IC structures, compounds or other conductive structures. Also, according to one embodiment, the dimensions of a given connection Also, according to one embodiment, the dimensions of a given connection 120 120 as desired for a given intended application or end use. as desired for a given intended application or end use. Other suitable configurations for a given connection Other suitable configurations for a given connection 120 120 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • In einigen Fällen können das ILD 110 und seine eine oder mehreren Verbindungen 120 In einigen Fällen können das ILD 110 und seine eine oder mehreren Verbindungen 120 In einigen Fällen können das ILD 110 und seine eine oder mehreren Verbindungen 120 In einigen Fällen können das ILD 110 und seine eine oder mehreren Verbindungen 120 ein Verfahren der chemisch-mechanischen Planarisierung (CMP) oder ein(e) beliebige(s) andere(s) geeignete(s) Polier/Planarisierungs-Technik/Verfahren durchlaufen, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird. undergo a chemical mechanical planarization (CMP) process or any other suitable polishing / planarization technique (s), as will become apparent in light of the present disclosure. Die Planarisierung der IC The planarization of the IC 100 100 kann zum Beispiel durchgeführt werden, um jeglichen unerwünschten Überschuss des Folgenden zu entfernen: (1) einer gegebenen Verbindung for example, can be done to remove any undesirable excess of: (1) a given compound 120 120 und/oder (2) eines ILD and / or (2) an ILD 120 120 . . In einigen Fällen kann die IC In some cases the IC 100 100 zum Beispiel eine teilweise verarbeitete IC mit einer oder mehreren Vorrichtungen und/oder Metallschichten sein. for example, a partially processed IC with one or more devices and / or metal layers. Im Lichte der vorliegenden Offenbarung werden zahlreiche geeignete Konfigurationen ersichtlich. Numerous suitable configurations will be apparent in light of the present disclosure. In some cases, the ILD In some cases, the ILD 110 110 and his one or more connections and his one or more connections 120 120 undergoing a chemical-mechanical planarization (CMP) process or any other suitable polishing / planarization technique (s), as will become apparent in light of the present disclosure. undergoing a chemical-mechanical planarization (CMP) process or any other suitable polishing / planarization technique (s), as will become apparent in light of the present disclosure. The planarization of the IC The planarization of the IC 100 100 For example, to remove any undesirable excess of the following: (1) a given compound For example, to remove any undesirable excess of the following: (1) a given compound 120 120 and / or (2) an ILD and / or (2) to ILD 120 120 , In some cases, the IC , In some cases, the IC 100 100 for example, a partially processed IC with one or more devices and / or metal layers. for example, a partially processed IC with one or more devices and / or metal layers. In the light of the present disclosure, numerous suitable configurations will become apparent. In the light of the present disclosure, numerous suitable configurations will become apparent.
  • Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 Wie in 2 weiter zu sehen ist, kann die IC 100 eine Passivierungsschicht 130 umfassen. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von dem darunter liegenden ILD 110 und/oder der einen oder den mehreren Verbindungen 120 bereitgestellt wird. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 130 über dem ILD 110 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren angeordnet werden, zum Beispiel, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: chemischer Abscheidung aus der Gasphase (CVD); arranged using any of a wide range of deposition techniques / processes, for example, but not necessarily limited to: chemical vapor deposition (CVD); physikalischer Abscheidung aus der Gasphase (PVD) (z. B. Sputtern); physical deposition from the gas phase (PVD) (e.g. sputtering); Schleuderbeschichten/Aufschleudern (SOD); Spin coating / spin coating (SOD); Elektronenstrahlverdampfung; Electron beam evaporation; Atomschichtabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) und/oder einer Kombination beliebiger der vorstehenden. Atomic Layer Deposition (ALD) and / or a combination of any of the foregoing. Andere geeignete Abscheidungstechniken/-verfahren für die Passivierungsschicht Other suitable deposition techniques / processes for the passivation layer 130 130 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. As in As in 2 2 can be seen further, the IC can be seen further, the IC 100 100 a passivation layer a passivation layer 130 130 include. include. In some embodiments, the passivation layer In some of the passivation layer 130 130 are deposited as a substantially conformal layer covering the topography of the underlying ILD are deposited as a substantially conformal layer covering the topography of the underlying ILD 110 110 and / or the one or more compounds and / or the one or more compounds 120 120 provided. provided. As will become apparent in the light of the present disclosure, and in accordance with one or more embodiments, the passivation layer As will become apparent in the light of the present disclosure, and in accordance with one or more, the passivation layer 130 130 over the ILD over the ILD 110 110 may be arranged using any of a wide range of deposition techniques, for example, but not necessarily limited to: chemical vapor deposition (CVD); may be arranged using any of a wide range of deposition techniques, for example, but not necessarily limited to: chemical vapor deposition (CVD); Physical vapor deposition (PVD) (eg. Sputtering); Physical vapor deposition (PVD) (e.g. sputtering); Spin coating / spin coating (SOD); Spin coating / spin coating (SOD); Electron beam evaporation; Electron beam evaporation; Atomic Layer Deposition (ALD) and / or a combination of any of the foregoing. Atomic Layer Deposition (ALD) and / or a combination of any of the foregoing. Other suitable deposition techniques / methods for the passivation layer Other suitable deposition techniques / methods for the passivation layer 130 130 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Passivierungsschicht 130 Gemäß einer Ausführungsform kann die Passivierungsschicht 130 als eine Schicht/ein Film einer Dicke im Bereich von der Dicke eines einzigen aufbauenden Atoms (dh eine Monoschicht) bis zu einer Dicke einer Schicht/eines Films abgeschieden werden, wie sie für eine gegebene Anwendung gewünscht wird. deposited as a layer / film of a thickness ranging from the thickness of a single constituent atom (ie, a monolayer) to a thickness of layer / film as desired for a given application. Zum Beispiel kann die Passivierungsschicht For example, the passivation layer 130 130 in einigen beispielhaften Ausführungsformen mit einer Dicke im Bereich von etwa 1.000 nm bis 2.000 nm oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 1.000 nm bis 1.200 nm oder mehr, etwa 1.200 nm bis 1.400 nm oder mehr, etwa 1.400 nm bis 1.600 nm oder mehr, etwa 1.600 nm bis 1.800 nm oder mehr, etwa 1.800 nm bis 2.000 nm oder mehr oder einem beliebigen anderen Teilbereich innerhalb des Bereichs von etwa 1.000 nm bis 2.000 nm oder mehr) abgeschieden werden. in some exemplary embodiments, having a thickness in the range of about 1,000 nm to 2,000 nm or more (e.g., in the range of about 1,000 nm to 1,200 nm or more, about 1,200 nm to 1,400 nm or more, about 1,400 nm to 1,600 nm or more, about 1,600 nm to 1,800 nm or more, about 1,800 nm to 2,000 nm or more, or any other subrange within the range of about 1,000 nm to 2,000 nm or more). In einigen anderen beispielhaften Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht In some other exemplary embodiments, the passivation layer can 130 130 mit einer Dicke im Bereich von etwa 1.000 nm oder weniger bereitgestellt werden. with a thickness in the range of about 1,000 nm or less. In einigen Fällen kann die Passivierungsschicht In some cases the passivation layer 130 130 eine im Wesentlichen einheitliche Dicke über einer solchen Topographie aufweisen. have a substantially uniform thickness over such topography. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, da die Passivierungsschicht However, the claimed invention is not limited to this as the passivation layer 130 130 in einigen anderen Fällen mit einer nicht einheitlichen oder anderweitig variierenden Dicke bereitgestellt werden kann. in some other cases may be provided with a non-uniform or otherwise varying thickness. Zum Beispiel kann in einigen Fällen ein erster Abschnitt der Passivierungsschicht For example, in some cases a first portion of the passivation layer can be used 130 130 eine Dicke innerhalb eines ersten Bereichs aufweisen, während ein zweiter Abschnitt derselben eine Dicke innerhalb eines zweiten, anderen Bereichs aufweist. have a thickness within a first range, while a second portion thereof has a thickness within a second, different range. Andere geeignete Konfigurationen und/oder Dickenbereiche für die Passivierungsschicht Other suitable configurations and / or thickness ranges for the passivation layer 130 130 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the passivation layer According to one embodiment, the passivation layer 130 130 as a layer / film of a thickness ranging from the thickness of a single constituent atom (ie, a monolayer) to a thickness of a layer / film as desired for a given application. as a layer / film of a thickness ranging from the thickness of a single constituent atom (ie, a monolayer) to a thickness of a layer / film as desired for a given application. For example, the passivation layer For example, the passivation layer 130 130 in some example embodiments, having a thickness in the range of about 1,000 nm to 2,000 nm or more (eg, in the range of about 1,000 nm to 1,200 nm or more, about 1,200 nm to 1,400 nm or more, about 1,400 nm to 1,600 nm or more, about 1,600 nm to 1,800 nm or more, about 1,800 nm to 2,000 nm or more, or any other portion within the range of about 1,000 nm to 2,000 nm or more). in some example, having a thickness in the range of about 1,000 nm to 2,000 nm or more (eg, in the range of about 1,000 nm to 1,200 nm or more, about 1,200 nm to 1,400 nm or more, about 1,400 nm to 1,600 nm or more, about 1,600 nm to 1,800 nm or more, about 1,800 nm to 2,000 nm or more, or any other portion within the range of about 1,000 nm to 2,000 nm or more). In some other exemplary embodiments, the passivation layer In some other example, the passivation layer 130 130 with a thickness in the range of about 1000 nm or less. with a thickness in the range of about 1000 nm or less. In some cases, the passivation layer may be In some cases, the passivation layer may be 130 130 have a substantially uniform thickness over such a topography. have a substantially uniform thickness over such a topography. However, the claimed invention is not limited thereto because the passivation layer However, the claimed invention is not limited because the passivation layer 130 130 in some other cases may be provided with a non-uniform or otherwise varying thickness. in some other cases may be provided with a non-uniform or otherwise varying thickness. For example, in some cases, a first portion of the passivation layer For example, in some cases, a first portion of the passivation layer 130 130 have a thickness within a first region while a second portion thereof has a thickness within a second, different region. have a thickness within a first region while a second portion thereof has a thickness within a second, different region. Other suitable configurations and / or thickness ranges for the passivation layer Other suitable configurations and / or thickness ranges for the passivation layer 130 130 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Passivierungsschicht 130 Gemäß einer Ausführungsform kann die Passivierungsschicht 130 ein beliebiges aus einem weiten Bereich von Dielektrikumsmaterialien umfassen, z. comprise any of a wide range of dielectric materials, e.g. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: (1) ein Oxid, z. B. but not necessarily limited to: (1) an oxide, e.g. B. Siliciumdioxid (SiO 2 ), Aluminiumoxid (Al 2 O 3 ) usw.; E.g. silicon dioxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), etc .; (2) ein Nitrid, z. (2) a nitride, e.g. B. Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ); B. silicon nitride (Si 3 N 4 ); (3) ein Carbid, z. (3) a carbide, e.g. B. Siliciumcarbid (SiC); B. silicon carbide (SiC); (4) ein Cyanid, z. (4) a cyanide, e.g. B. Siliciumcyanid (SiCN); B. silicon cyanide (SiCN); (5) ein Oxynitrid, z. (5) an oxynitride, e.g. B. Siliciumoxynitrid (SiO x N y ) und/oder (6) eine Kombination beliebiger der vorstehenden (z. B. SiCN/SiN usw.). Silicon oxynitride (SiO x N y ) and / or (6) a combination of any of the above (e.g., SiCN / SiN, etc.). In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht In some embodiments, the passivation layer 130 130 als eine Kombination von zwei oder mehr Schichten unterschiedlicher Materialien konfiguriert sein. be configured as a combination of two or more layers of different materials. In einigen Fällen und gemäß einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht In some cases and in accordance with some embodiments, the passivation layer may 130 130 gradiert sein, so dass ihre Zusammensetzung zum Beispiel über die Dicke der Schicht variiert. be graded so that their composition varies, for example, over the thickness of the layer. Andere geeignete Materialien und/oder Konfigurationen für die Passivierungsschicht Other suitable materials and / or configurations for the passivation layer 130 130 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the passivation layer According to one embodiment, the passivation layer 130 130 comprise any of a wide range of dielectric materials, eg For example, without necessarily being limited thereto: (1) an oxide, eg Silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), etc .; comprise any of a wide range of dielectric materials, eg For example, without necessarily being limited case: (1) an oxide, eg Silica (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), etc .; (2) a nitride, eg Silicon nitride (Si 3 N 4 ); (2) a nitride, eg silicon nitride (Si 3 N 4 ); (3) a carbide, eg Silicon carbide (SiC); (3) a carbide, eg silicon carbide (SiC); (4) a cyanide, eg For example, silicon cyanide (SiCN); (4) a cyanide, eg For example, silicon cyanide (SiCN); (5) an oxynitride, eg Silicon oxynitride (SiO x N y ) and / or (6) a combination of any of the foregoing (eg, SiCN / SiN, etc.). (5) an oxynitride, eg Silicon oxynitride (SiO x N y ) and / or (6) a combination of any of the foregoing (eg, SiCN / SiN, etc.). In some embodiments, the passivation layer In some of the passivation layer 130 130 be configured as a combination of two or more layers of different materials. be configured as a combination of two or more layers of different materials. In some cases, and in accordance with some embodiments, the passivation layer In some cases, and in accordance with some, the passivation layer 130 130 be graded so that their composition varies over the thickness of the layer, for example. be graded so that their composition varies over the thickness of the layer, for example. Other suitable materials and / or configurations for the passivation layer Other suitable materials and / or configurations for the passivation layer 130 130 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 Wie in 2 außerdem zu sehen ist, kann die IC 100 gegebenenfalls eine Hartmaskenschicht 140 umfassen. In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht 140 als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht abgeschieden werden, welche die Topographie bedeckt, die von der darunter liegenden Passivierungsschicht 130 bereitgestellt wird. Gemäß einigen Ausführungsformen kann die Hartmaskenschicht 140 unter Anwendung beliebiger eines weiten Bereichs von Abscheidungstechniken/-verfahren auf dem ILD 110 abgeschieden werden, zum Beispiel, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: chemischer Abscheidung aus der Gasphase (CVD); for example, but not necessarily limited to: chemical vapor deposition (CVD); physikalischer Abscheidung aus der Gasphase (PVD) (z. B. Sputtern); physical deposition from the gas phase (PVD) (e.g. sputtering); Schleuderbeschichten/Aufschleudern (SOD); Spin coating / spin coating (SOD); Elektronenstrahlverdampfung und/oder einer Kombination beliebiger der vorstehenden. Electron beam evaporation and / or a combination of any of the foregoing. Andere geeignete Abscheidungstechniken/-verfahren für die Hartmaskenschicht Other suitable deposition techniques / processes for the hard mask layer 140 140 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. As in As in 2 2 can also be seen, the IC can also be seen, the IC 100 100 optionally a hardmask layer optionally a hard mask layer 140 140 include. include. In some cases, the hard mask layer In some cases, the hard mask layer 140 140 are deposited as a substantially conformal layer covering the topography, that of the underlying passivation layer are deposited as a substantially conformal layer covering the topography, that of the underlying passivation layer 130 130 provided. provided. According to some embodiments, the hardmask layer According to some of the hard mask layer 140 140 using any of a wide range of deposition techniques / techniques on the ILD using any of a wide range of deposition techniques / techniques on the ILD 110 110 for example, but not necessarily limited to: chemical vapor deposition (CVD); for example, but not necessarily limited to: chemical vapor deposition (CVD); physical vapor deposition (PVD) (eg sputtering); physical vapor deposition (PVD) (eg sputtering); Spin coating / spin coating (SOD); Spin coating / spin coating (SOD); Electron beam evaporation and / or a combination of any of the above. Electron beam evaporation and / or a combination of any of the above. Other suitable hard mask layer deposition techniques / techniques Other suitable hard mask layer deposition techniques / techniques 140 140 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Hartmaskenschicht 140 als eine Schicht/ein Film einer Dicke im Bereich von der Dicke eines einzigen aufbauenden Atoms (dh eine Monoschicht) bis zu einer Dicke einer Schicht/eines Films abgeschieden werden, wie sie für eine gegebene Anwendung gewünscht wird. Zum Beispiel kann die Hartmaskenschicht 140 Gemäß einer Ausführungsform kann die Hartmaskenschicht 140 als eine Schicht/ein Film einer Dicke im Bereich von der Dicke eines einzigen aufbauenden Atoms (dh eine Monoschicht) bis zu einer Dicke einer Schicht/eines Films abgeschieden werden, wie sie für eine gegebene Anwendung gewünscht wird. Zum Beispiel kann die Hartmaskenschicht 140 Gemäß einer Ausführungsform kann die Hartmaskenschicht 140 als eine Schicht/ein Film einer Dicke im Bereich von der Dicke eines einzigen aufbauenden Atoms (dh eine Monoschicht) bis zu einer Dicke einer Schicht/eines Films abgeschieden werden, wie sie für eine gegebene Anwendung gewünscht wird. Zum Beispiel kann die Hartmaskenschicht 140 Gemäß einer Ausführungsform kann die Hartmaskenschicht 140 als eine Schicht/ein Film einer Dicke im Bereich von der Dicke eines einzigen aufbauenden Atoms (dh eine Monoschicht) bis zu einer Dicke einer Schicht/eines Films abgeschieden werden, wie sie für eine gegebene Anwendung gewünscht wird. Zum Beispiel kann die Hartmaskenschicht 140 in einigen beispielhaften Ausführungsformen mit einer Dicke im Bereich von etwa 10 Å bis 1.000 Å oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 200 Å bis 500 Å oder mehr, etwa 500 Å bis 800 Å oder mehr oder einem beliebigen anderen Teilbereich innerhalb des Bereichs von etwa 10 Å bis 1.000 Å oder mehr) abgeschieden werden. in some exemplary embodiments with a thickness in the range of about 10 Å to 1,000 Å or more (e.g. in the range of about 200 Å to 500 Å or more, about 500 Å to 800 Å or more, or any other subrange within the Range from about 10 Å to 1,000 Å or more). In einigen Fällen kann die Hartmaskenschicht In some cases the hard mask layer can 140 140 eine im Wesentlichen einheitliche Dicke über einer solchen Topographie aufweisen. have a substantially uniform thickness over such topography. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt, da die Hartmaskenschicht However, the claimed invention is not limited to this as the hard mask layer 140 140 in einigen anderen Fällen mit einer nicht einheitlichen oder anderweitig variierenden Dicke bereitgestellt werden kann. in some other cases may be provided with a non-uniform or otherwise varying thickness. Zum Beispiel kann in einigen Fällen ein erster Abschnitt der Hartmaskenschicht For example, in some cases, a first portion of the hard mask layer 140 140 eine Dicke innerhalb eines ersten Bereichs aufweisen, während ein zweiter Abschnitt derselben eine Dicke innerhalb eines zweiten, anderen Bereichs aufweist. have a thickness within a first range, while a second portion thereof has a thickness within a second, different range. In einigen Ausführungsformen kann die optionale Hartmaskenschicht In some embodiments, the optional hard mask layer 140 140 als eine Einzelschicht realisiert sein, während die optionale Hartmaskenschicht be implemented as a single layer, while the optional hard mask layer 140 140 in einigen anderen Ausführungsformen als mehrere Schichten (z. B. eine Bischicht, eine Trischicht usw.) realisiert sein kann. may be implemented as multiple layers (e.g., a bi-layer, a tri-layer, etc.) in some other embodiments. Andere geeignete Konfigurationen und/oder Dickenbereiche für die Hartmaskenschicht Other suitable configurations and / or thickness ranges for the hard mask layer 140 140 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the hardmask layer According to one embodiment, the hard mask layer 140 140 as a layer / film of a thickness ranging from the thickness of a single constituent atom (ie, a monolayer) to a thickness of a layer / film as desired for a given application. as a layer / film of a thickness ranging from the thickness of a single constituent atom (ie, a monolayer) to a thickness of a layer / film as desired for a given application. For example, the hard mask layer For example, the hard mask layer 140 140 in some example embodiments, having a thickness in the range of about 10 Å to 1000 Å or more (eg, in the range of about 200 Å to 500 Å or more, about 500 Å to 800 Å or more, or any other portion within the Range of about 10 Å to 1,000 Å or more). in some example, having a thickness in the range of about 10 Å to 1000 Å or more (eg, in the range of about 200 Å to 500 Å or more, about 500 Å to 800 Å or more, or any other portion within the range of about 10 Å to 1,000 Å or more). In some cases, the hard mask layer In some cases, the hard mask layer 140 140 have a substantially uniform thickness over such a topography. have a substantially uniform thickness over such a topography. However, the claimed invention is not limited thereto because the hardmask layer However, the claimed invention is not limited because the hard mask layer 140 140 in some other cases may be provided with a non-uniform or otherwise varying thickness. in some other cases may be provided with a non-uniform or otherwise varying thickness. For example, in some cases, a first portion of the hardmask layer For example, in some cases, a first portion of the hard mask layer 140 140 have a thickness within a first region while a second portion thereof has a thickness within a second, different region. have a thickness within a first region while a second portion thereof has a thickness within a second, different region. In some embodiments, the optional hard mask layer In some, the optional hard mask layer 140 140 be realized as a single layer, while the optional hard mask layer be realized as a single layer, while the optional hard mask layer 140 140 in some other embodiments, as multiple layers (eg Bischicht, a Trischicht etc.) can be realized. in some other, as multiple layers (eg Bischicht, a Trischicht etc.) can be realized. Other suitable configurations and / or thickness ranges for the hardmask layer Other suitable configurations and / or thickness ranges for the hard mask layer 140 140 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Hartmaskenschicht 140 Gemäß einer Ausführungsform kann die Hartmaskenschicht 140 ein beliebiges aus einem weiten Bereich von Dielektrikumsmaterialien umfassen, z. comprise any of a wide range of dielectric materials, e.g. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: (1) Siliciumnitrid (Si 3 N 4 ); B. but not necessarily limited to: (1) silicon nitride (Si 3 N 4 ); (2) Siliciumdioxid (SiO 2 ); (2) silicon dioxide (SiO 2 ); (3) Siliciumoxynitrid (SiO x N y ); (3) silicon oxynitride (SiO x N y ); (4) Siliciumcyanid (SiCN); (4) silicon cyanide (SiCN); (5) ein siliciumreiches Polymer mit einer Si-Konzentration von mindestens etwa 20% (z. B. im Bereich von etwa 30% bis 60% oder mehr; etwa 40% bis 50% oder mehr usw.), z. (5) a silicon-rich polymer having a Si concentration of at least about 20% (e.g. in the range of about 30% to 60% or more; about 40% to 50% or more, etc.), e.g. B. Silsesquioxan, Siloxan usw.; E.g., silsesquioxane, siloxane, etc .; (6) Titannitrid (TiN) und/oder (7) eine Kombination beliebiger der vorstehenden. (6) titanium nitride (TiN) and / or (7) a combination of any of the above. In einigen Fällen kann das eine oder können die mehreren Materialien, umfassend eine gegebene Hartmaskenschicht In some cases, the one or more materials comprising a given hard mask layer 140 140 , zumindest teilweise von dem Material (den Materialien) abhängen, welche die darunter liegende Passivierungsschicht depend at least in part on the material (s) that make up the underlying passivation layer 130 130 umfasst. includes. Andere geeignete Materialien der optionalen Hartmaskenschicht Other suitable materials of the optional hard mask layer 140 140 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the hardmask layer According to one embodiment, the hard mask layer 140 140 comprise any of a wide range of dielectric materials, eg For example, but not necessarily limited to: (1) silicon nitride (Si 3 N 4 ); comprise any of a wide range of dielectric materials, eg For example, but not necessarily limited to: (1) silicon nitride (Si 3 N 4 ); (2) silica (SiO 2 ); (2) silica (SiO 2 ); (3) silicon oxynitride (SiO x N y ); (3) silicon oxynitride (SiO x N y ); (4) silicon cyanide (SiCN); (4) silicon cyanide (SiCN); (5) a silicon-rich polymer having a Si concentration of at least about 20% (eg in the range of about 30% to 60% or more, about 40% to 50% or more, etc.), eg Silsesquioxane, siloxane, etc .; (5) a silicon-rich polymer having a Si concentration of at least about 20% (eg in the range of about 30% to 60% or more, about 40% to 50% or more, etc.), eg silsesquioxane, siloxane , Etc .; (6) titanium nitride (TiN) and / or (7) a combination of any of the above. (6) titanium nitride (TiN) and / or (7) a combination of any of the above. In some cases, the one or more materials may include a given hardmask layer In some cases, the one or more materials may include a given hard mask layer 140 140 , at least partially, depend on the material (s) underlying the passivation layer , at least partially, depend on the material (s) underlying the passivation layer 130 130 includes. includes. Other suitable materials for the optional hardmask layer Other suitable materials for the optional hard mask layer 140 140 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 Der Verfahrensablauf kann wie in 3 und 4 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 2 nach dem Abscheiden bzw. Behandeln einer Schicht mit gerichteter Selbstanordnung (DSA) 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 zum Beispiel ein Block-Copolymer-Material umfassen, welches sich zum Beispiel selbst organisiert/selbst anordnet, wenn es einer nicht abtragenden Behandlung/einem nicht abtragenden Verfahren ausgesetzt wird. Einige solche Behandlungen können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: (1) Erwärmen/Erhitzen der DSA-Schicht 150 auf eine ausreichende Temperatur (z. B. im Bereich von etwa 100°C bis 140°C) und/oder (2) Aussetzen der DSA-Schicht 150 einer geeigneten Lösungsmittelumgebung, z. a suitable solvent environment, e.g. B. einem inerten Gas (z. B. Stickstoff oder N 2 ; Argon oder Ar; Helium oder He usw.), welche einen Partialdruck eines Lösungsmittels (z. B. Toluol oder C 7 H 8 ) aufweist. B. an inert gas (e.g. nitrogen or N 2 ; argon or Ar; helium or He, etc.) which has a partial pressure of a solvent (e.g. toluene or C 7 H 8 ). Andere geeignete nicht abtragende Behandlungstechniken für eine gegebene DSA-Schicht Other suitable non-ablative treatment techniques for a given DSA layer 150 150 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. The procedure can be as in The procedure can be as in 3 3 and other 4 4th be continued, which the IC be continued, which the IC 100 100 of the of the 2 2 after depositing or treating a self-assembly layer (DSA) after depositing or treating a self-assembly layer (DSA) 150 150 according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention. In some embodiments, the DSA layer In some of the DSA layer 150 150 For example, a block copolymer material may be self-organized / self-imposed, for example, when subjected to a non-abrasive treatment / non-abrasive process. For example, a block copolymer material may be self-organized / self-imposed, for example, when subjected to a non-abrasive treatment / non-abrasive process. Some such treatments may include, but are not necessarily limited to: (1) heating / heating the DSA layer Some such treatments may include, but are not necessarily limited to: (1) heating / heating the DSA layer 150 150 to a sufficient temperature (eg in the range of about 100 ° C to 140 ° C) and / or (2) exposure of the DSA layer to a sufficient temperature (eg in the range of about 100 ° C to 140 ° C) and / or (2) exposure of the DSA layer 150 150 a suitable solvent environment, eg An inert gas (eg, nitrogen or N 2 , argon or Ar, helium or He, etc.) which has a partial pressure of a solvent (eg, toluene or C 7 H 8 ). a suitable solvent environment, eg An inert gas (eg, nitrogen or N 2 , argon or Ar, helium or He, etc.) which has a partial pressure of a solvent (eg, toluene or C 7 H 8 ). Other suitable non-ablative treatment techniques for a given DSA layer Other suitable non-ablative treatment techniques for a given DSA layer 150 150 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • In jedem dieser Fälle können die DSA-Komponenten-Materialien 150a und 150b der DSA-Schicht 150 In jedem dieser Fälle können die DSA-Komponenten-Materialien 150a und 150b der DSA-Schicht 150 In jedem dieser Fälle können die DSA-Komponenten-Materialien 150a und 150b der DSA-Schicht 150 In jedem dieser Fälle können die DSA-Komponenten-Materialien 150a und 150b der DSA-Schicht 150 In jedem dieser Fälle können die DSA-Komponenten-Materialien 150a und 150b der DSA-Schicht 150 In jedem dieser Fälle können die DSA-Komponenten-Materialien 150a und 150b der DSA-Schicht 150 nach der Behandlung eine Mikrophasentrennung durchlaufen, sich also in zwei segregierte Phasen trennen, was gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen dazu führt, dass eine im Allgemeinen geordnete Nanostruktur gebildet wird (z. B. mit periodischer, quasiperiodischer, Kurzbereichs-, zufälliger Ordnung usw.). undergo a micro-phase separation after the treatment, i.e. separate into two segregated phases, which according to one or more embodiments leads to the formation of a generally ordered nanostructure (e.g. with periodic, quasi-periodic, short-range, random order, etc.) . Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, kann der Volumenanteil der beiden DAS-Komponenten As can be seen in light of the present disclosure, the volume fraction of the two DAS components 150a 150a und and 150b 150b zum Beispiel bestimmen, ob sich aus der Selbstorganisation eine Matrix von im Allgemeinen zylindrischen Löchern oder eine Matrix von im Allgemeinen zylindrischen Strukturen ergibt. for example, determine whether the self-assembly results in an array of generally cylindrical holes or an array of generally cylindrical structures. Im Lichte der vorliegenden Offenbarung werden zahlreiche Konfigurationen und Variationen ersichtlich. Numerous configurations and variations will become apparent in light of the present disclosure. In each of these cases, the DSA components materials In each of these cases, the DSA components materials 150a 150a and other 150b 150b the DSA layer the DSA layer 150 150 undergo microphase separation after treatment, thus separating into two segregated phases, resulting, according to one or more embodiments, in forming a generally ordered nanostructure (eg, with periodic, quasi-periodic, short-range, random ordering, etc.). undergo microphase after treatment, thus separating into two segregated phases, resulting, according to one or more separation, in forming a generally ordered nanostructure (eg, with periodic, quasi-periodic, short-range, random ordering, etc.). , As can be seen in the light of the present disclosure, the volume fraction of the two DAS components As can be seen in the light of the present disclosure, the volume fraction of the two DAS components 150a 150a and other 150b 150b For example, determine whether self-assembly results in a matrix of generally cylindrical holes or a matrix of generally cylindrical structures. For example, determine whether self-assembly results in a matrix of generally cylindrical holes or a matrix of generally cylindrical structures. In the light of the present disclosure, numerous configurations and variations will become apparent. In the light of the present disclosure, numerous configurations and variations will become apparent.
  • Zu diesem Zweck und gemäß einigen Ausführungsformen können einige beispielhafte geeignete Materialien für die DSA-Schicht 150 Zu diesem Zweck und gemäß einigen Ausführungsformen können einige beispielhafte geeignete Materialien für die DSA-Schicht 150 umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: Poly(styrol-b-methylmethacrylat); include, but are not limited to: poly (styrene-b-methyl methacrylate); Poly(styrol-b-ethylenoxid); Poly (styrene-b-ethylene oxide); Poly(styrol-b-lactid); Poly (styrene-b-lactide); Poly(propylenoxid-b-styrol-co-4-vinylpyridin); Poly (propylene oxide-b-styrene-co-4-vinylpyridine); Poly(styrol-b-4-vinylpyridin); Poly (styrene-b-4-vinylpyridine); Poly(styrol-b-dimethylsiloxan); Poly (styrene-b-dimethylsiloxane); Poly(styrol-b-methacrylat); Poly (styrene-b-methacrylate); Poly(methylmethacrylat-bn-nonylacrylat) und/oder eine Kombination beliebiger der vorstehenden. Poly (methyl methacrylate-bn-nonylacrylate) and / or a combination of any of the above. In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht In some embodiments, the DSA layer 150 150 ein Block-Copolymer umfassen, welches zum Beispiel zwei, drei, vier oder mehr Blöcke umfasst. a block copolymer comprising, for example, two, three, four or more blocks. In einigen Fällen kann die Schicht In some cases the layer can 150 150 ein Homopolymer und/oder ein Gemisch aus Polymeren (welche z. B. selbst Blöcke, Gemische, Homopolymere usw. sein können) umfassen. a homopolymer and / or a mixture of polymers (which, for example, can themselves be blocks, mixtures, homopolymers, etc.). In einigen beispielhaften Fällen kann die DSA-Schicht In some exemplary cases, the DSA layer 150 150 ein aufgeschleudertes Material umfassen, welches eine kolloidale Suspension von Nanopartikeln aufweist (z. B. Polystyrol-Latex oder PSL, Kügelchen). comprise a spin-on material which has a colloidal suspension of nanoparticles (e.g. polystyrene latex or PSL, beads). In einigen weiteren Fällen kann die Schicht In some other cases, the layer can 150 150 ein oder mehrere Nichtpolymerphasen-Materialien (z. B. metallische Komponenten wie Beta-Ti-Cr) umfassen, welche sich nach einer Behandlung (z. B. Erwärmen, Behandlung mit Lösungsmittel usw.) segregieren. one or more non-polymer phase materials (e.g. metallic components such as Beta-Ti-Cr) which segregate after treatment (e.g. heating, treatment with solvent, etc.). In einem allgemeineren Sinn kann jedes Material verwendet werden, welches sich in Reaktion auf eine Behandlung (z. B. Erwärmen, Kühlen, Zentripetalkraft, Aussetzen einer geeigneten Lösungsmittelumgebung usw.) in verschiedene Phasen segregiert, die anschließend in Bezug aufeinander geätzt werden können, um eine gewünschte Struktur bereitzustellen. In a more general sense, any material can be used which, in response to a treatment (e.g. heating, cooling, centripetal force, exposure to an appropriate solvent environment, etc.) segregates into different phases which can then be etched with respect to one another provide a desired structure. Andere geeignete Materialien für die Opferschicht Other suitable materials for the sacrificial layer 150 150 hängen von Faktoren wie einer gegebenen Anwendung und einer verfügbaren Verarbeitungsanlage ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. will depend on factors such as a given application and processing equipment available and will be apparent in light of the present disclosure. For this purpose, and in accordance with some embodiments, some example suitable materials for the DSA layer For this purpose, and in accordance with some, some example suitable materials for the DSA layer 150 150 include, but are not limited to: poly (styrene-b-methyl methacrylate); include, but are not limited to: poly (styrene-b-methyl methacrylate); Poly (styrene-b-ethylene oxide); Poly (styrene-b-ethylene oxide); Poly (styrene-b-lactide); Poly (styrene-b-lactide); Poly (propylene oxide-b-styrene-co-4-vinylpyridine); Poly (propylene oxide-b-styrene-co-4-vinylpyridine); Poly (styrene-b-4-vinylpyridine); Poly (styrene-b-4-vinylpyridines); Poly (styrene-b-dimethylsiloxane); Poly (styrene-b-dimethylsiloxane); Poly (styrene-b-methacrylate); Poly (styrene-b-methacrylate); Poly (methyl methacrylate-bn-nonyl acrylate) and / or a combination of any of the foregoing. Poly (methyl methacrylate-bn-nonyl acrylate) and / or a combination of any of the foregoing. In some embodiments, the DSA layer In some of the DSA layer 150 150 a block copolymer comprising, for example, two, three, four or more blocks. a block copolymer comprising, for example, two, three, four or more blocks. In some cases, the layer may In some cases, the layer may 150 150 a homopolymer and / or a mixture of polymers (which, for example, may themselves be blocks, blends, homopolymers, etc.). a homopolymer and / or a mixture of polymers (which, for example, may themselves be blocks, blends, homopolymers, etc.). In some exemplary cases, the DSA layer may In some exemplary cases, the DSA layer may 150 150 comprise a spin-on material comprising a colloidal suspension of nanoparticles (eg polystyrene latex or PSL, beads). comprise a spin-on material comprising a colloidal suspension of nanoparticles (e.g. polystyrene latex or PSL, beads). In some other cases, the layer may In some other cases, the layer may 150 150 comprise one or more non-polymer phase materials (eg, metallic components such as beta-Ti-Cr) which segregate after treatment (eg, heating, solvent treatment, etc.). comprise one or more non-polymer phase materials (eg, metallic components such as beta-Ti-Cr) which segregate after treatment (eg, heating, solvent treatment, etc.). In a more general sense, any material that segregates into various phases in response to treatment (eg, heating, cooling, centripetal force, exposure to a suitable solvent environment, etc.) that can subsequently be etched with respect to each other may be used to provide a desired structure. In a more general sense, any material that segregates into various phases in response to treatment (eg, heating, cooling, centripetal force, exposure to a suitable solvent environment, etc.) that can subsequently be etched with respect to each other may be used to provide a desired structure. Other suitable materials for the sacrificial layer Other suitable materials for the sacrificial layer 150 150 depend on factors such as a given application and processing equipment available and will become apparent in light of the present disclosure. Depend on factors such as a given application and processing equipment available and will become apparent in light of the present disclosure.
  • In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 (z. B. vor dem Erhitzen, wie in 3 In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 (z. B. vor dem Erhitzen, wie in 3 In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 (z. B. vor dem Erhitzen, wie in 3 In einigen Ausführungsformen kann die DSA-Schicht 150 (z. B. vor dem Erhitzen, wie in 3 ) als ein Film abgeschieden werden, zum Beispiel durch Schleuderbeschichten/Aufschleudern (SOD) oder eine beliebige andere Abscheidungstechnik/ein beliebiges anderes Abscheidungsverfahren, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird. ) deposited as a film, for example by spin coating / spin coating (SOD) or any other deposition technique / method, as will be apparent in light of the present disclosure. Ferner kann die DSA-Schicht Furthermore, the DSA layer 150 150 gemäß einigen Ausführungsformen als eine Schicht/ein Film einer beliebigen gegebenen Dicke abgeschieden werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung erwünscht. may be deposited as a layer / film of any given thickness, according to some embodiments, as desired for a given application or end use application. Zum Beispiel kann die DSA-Schicht For example, the DSA layer 150 150 in einigen Fällen vor dem Erhitzen eine im Wesentlichen formangepasste Schicht sein, welche die Topographie bedeckt, die von der optionalen Hartmaskenschicht in some cases, prior to heating, a substantially conformal layer covering the topography represented by the optional hard mask layer 140 140 (falls vorhanden) und/oder der Passivierungsschicht (if present) and / or the passivation layer 130 130 bereitgestellt wird. provided. Nach dem Erhitzen (z. B. wie in After heating (e.g. as in 4 4th ) kann die DSA-Schicht ) the DSA layer can 150 150 in einigen Ausführungsformen eine Dicke im Bereich von etwa 10 Å bis 10.000 Å oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 200 Å bis 500 Å, etwa 500 Å bis 800 Å oder mehr oder einem beliebigen anderen Teilbereich im Bereich von etwa 10 Å bis 10.000 Å oder mehr) aufweisen. in some embodiments, a thickness in the range of about 10 Å to 10,000 Å or more (e.g., in the range of about 200 Å to 500 Å, about 500 Å to 800 Å or more, or any other sub-range in the range of about 10 Å to 10,000 Å or more). Andere geeignete Konfigurationen und/oder Dickenbereiche für die DSA-Schicht Other suitable configurations and / or thickness ranges for the DSA layer 150 150 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. In some embodiments, the DSA layer In some of the DSA layer 150 150 (eg, before heating, as in (eg, before heating, as in 3 3 ) can be deposited as a film, for example by spin coating (SOD) or any other deposition technique / deposition technique, as will become apparent in the light of the present disclosure. ) can be deposited as a film, for example by spin coating (SOD) or any other deposition technique / deposition technique, as will become apparent in the light of the present disclosure. Furthermore, the DSA layer Furthermore, the DSA layer 150 150 according to some embodiments, as a layer / film of any given thickness, as for a given intended application or End use desired. according to some as a layer / film of any given thickness, as for a given intended application or end use desired. For example, the DSA layer For example, the DSA layer 150 150 in some cases prior to heating, may be a substantially conformal layer covering the topography of the optional hardmask layer In some cases prior to heating, may be a substantially conformal layer covering the topography of the optional hard mask layer 140 140 (if any) and / or the passivation layer (if any) and / or the passivation layer 130 130 provided. provided. After heating (eg as in After heating (eg as in 4 4th ) can the DSA layer ) can the DSA layer 150 150 in some embodiments, has a thickness in the range of about 10 Å to 10,000 Å or more (eg, in the range of about 200 Å to 500 Å, about 500 Å to 800 Å, or any other portion in the range of about 10 Å to 10,000 Å or more). in some of, has a thickness in the range of about 10 Å to 10,000 Å or more (eg, in the range of about 200 Å to 500 Å, about 500 Å to 800 Å, or any other portion in the range of about 10 Å to 10,000 Å or more). Other suitable configurations and / or thickness ranges for the DSA layer Other suitable configurations and / or thickness ranges for the DSA layer 150 150 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 Als Nächstes kann der Verfahrensablauf wie in 5 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 4 nach dem selektiven Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Schicht 150 selektiv so geätzt worden, dass die DSA-Komponente has been selectively etched so that the DSA component 150b 150b entfernt/weggeätzt und die DSA-Komponente removed / etched away and the DSA component 150a 150a auf der Fläche der IC on the face of the IC 100 100 zurückgelassen worden ist. has been left behind. Es sei jedoch angemerkt, dass die beanspruchte Erfindung nicht darauf beschränkt ist, da in einigen anderen Ausführungsformen die DSA-Schicht It should be noted, however, that the claimed invention is not limited thereto, as in some other embodiments the DSA layer 150 150 alternativ selektiv so geätzt werden kann, dass die DSA-Komponente alternatively, can be selectively etched so that the DSA component 150a 150a entfernt wird, während die DSA-Komponente is removed while the DSA component 150b 150b auf der IC on the IC 100 100 zurückbleibt. remains behind. In jedem Fall führt das selektive Ätzen der DSA-Schicht In any case, the selective etching of the DSA layer results 150 150 gemäß einer Ausführungsform zu einer strukturierten DSA-Schicht according to one embodiment to a structured DSA layer 150' 150 ' auf der Fläche der IC on the face of the IC 100 100 . . Next, the procedure as in Next, the procedure as in 5 5 be continued, which the IC be continued, which the IC 100 100 of the of the 4 4th after the selective etching thereof according to an embodiment of the present invention. after the selective etching thereof according to an embodiment of the present invention. As you can see, the DSA layer is As you can see, the DSA layer is 150 150 been selectively etched so that the DSA component been selectively etched so that the DSA component 150b 150b removed / etched and the DSA component removed / etched and the DSA component 150a 150a on the surface of the IC on the surface of the IC 100 100 has been left behind. has been left behind. It should be noted, however, that the claimed invention is not limited thereto because in some other embodiments the DSA layer It should be noted, that the claimed invention is not limited because in some other however the DSA layer 150 150 Alternatively, it can be selectively etched so that the DSA component Alternatively, it can be selectively etched so that the DSA component 150a 150a is removed while the DSA component is removed while the DSA component 150b 150b on the IC on the IC 100 100 remains. remains. In either case, selective etching results in the DSA layer In either case, selective etching results in the DSA layer 150 150 according to one embodiment, to a structured DSA layer According to one embodiment, to a structured DSA layer 150 ' 150 ' on the surface of the IC on the surface of the IC 100 100 , ,
  • In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 In einigen Ausführungsformen, bei denen die DSA-Schicht 150 zum Beispiel Poly(styrol-b-methylmethacrylat) (PS-b-PMMA) umfasst, kann die DSA-Komponente 150b (z. B. PMMA) selektiv weggeätzt werden, wobei eine strukturierte Schicht 150' der DSA-Komponente 150a (z. B. PS) zurückgelassen wird. Man betrachte zum Beispiel 5' , welche eine abgewinkelte perspektivische rasterelektronenmikroskopische (SEM) Aufnahme einer beispielhaften IC 100 nach dem selektiven Ätzen einer DSA-Schicht after the selective etching of a DSA layer 150 150 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist. according to an embodiment of the present invention. Wie zu sehen ist, ist die DSA-Komponente As can be seen is the DSA component 150b 150b selektiv weggeätzt worden, wobei eine strukturierte Schicht has been selectively etched away, leaving a structured layer 150' 150 ' der DSA-Komponente the DSA component 150a 150a zurückgelassen worden ist, welche mehrere darin ausgebildete Aussparungen/Löcher has been left which has a plurality of recesses / holes formed therein 152 152 aufweist. having. In some embodiments, where the DSA layer In some, where the DSA layer 150 150 For example, poly (styrene-b-methyl methacrylate) (PS-b-PMMA), the DSA component For example, poly (styrene-b-methyl methacrylate) (PS-b-PMMA), the DSA component 150b 150b (eg, PMMA) are selectively etched away, using a patterned layer (eg, PMMA) are selectively etched away, using a patterned layer 150 ' 150 ' the DSA component the DSA component 150a 150a (eg PS) is left behind. (eg PS) is left behind. For example, consider For example, consider 5 ' 5 ' , which is an angled perspective scanning electron micrograph (SEM) image of an exemplary IC , which is an angled perspective scanning electron micrograph (SEM) image of an exemplary IC 100 100 after selectively etching a DSA layer after selectively etching a DSA layer 150 150 according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention. As can be seen, the DSA component is As can be seen, the DSA component is 150b 150b selectively etched away, using a patterned layer selectively etched away, using a patterned layer 150 ' 150 ' the DSA component the DSA component 150a 150a has been left, which has several recesses / holes formed therein has been left, which has several recesses / holes formed therein 152 152 having. having.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann das selektive Ätzen der DSA-Schicht 150 unter Anwendung eines beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzverfahren und einer beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzchemien durchgeführt werden. Zum Beispiel können zum Wegätzen einer DSA-Komponente 150b , welche PMMA umfasst, einige geeignete Ätzverfahren/Ätzchemien umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung von Ultraviolett(UV)-Strahlung, gefolgt vom Anwenden von Essigsäure (C 2 H 4 O 2 ); und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von Sauerstoff (O 2 ) und Argon (Ar) mit niedriger Vorspannung. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien für eine gegebene DSA-Schicht 150 Gemäß einer Ausführungsform kann das selektive Ätzen der DSA-Schicht 150 unter Anwendung eines beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzverfahren und einer beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzchemien durchgeführt werden. Zum Beispiel können zum Wegätzen einer DSA-Komponente 150b , welche PMMA umfasst, einige geeignete Ätzverfahren/Ätzchemien umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung von Ultraviolett(UV)-Strahlung, gefolgt vom Anwenden von Essigsäure (C 2 H 4 O 2 ); und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von Sauerstoff (O 2 ) und Argon (Ar) mit niedriger Vorspannung. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien für eine gegebene DSA-Schicht 150 Gemäß einer Ausführungsform kann das selektive Ätzen der DSA-Schicht 150 unter Anwendung eines beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzverfahren und einer beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzchemien durchgeführt werden. Zum Beispiel können zum Wegätzen einer DSA-Komponente 150b , welche PMMA umfasst, einige geeignete Ätzverfahren/Ätzchemien umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung von Ultraviolett(UV)-Strahlung, gefolgt vom Anwenden von Essigsäure (C 2 H 4 O 2 ); und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von Sauerstoff (O 2 ) und Argon (Ar) mit niedriger Vorspannung. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien für eine gegebene DSA-Schicht 150 Gemäß einer Ausführungsform kann das selektive Ätzen der DSA-Schicht 150 unter Anwendung eines beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzverfahren und einer beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzchemien durchgeführt werden. Zum Beispiel können zum Wegätzen einer DSA-Komponente 150b , welche PMMA umfasst, einige geeignete Ätzverfahren/Ätzchemien umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung von Ultraviolett(UV)-Strahlung, gefolgt vom Anwenden von Essigsäure (C 2 H 4 O 2 ); und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von Sauerstoff (O 2 ) und Argon (Ar) mit niedriger Vorspannung. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien für eine gegebene DSA-Schicht 150 Gemäß einer Ausführungsform kann das selektive Ätzen der DSA-Schicht 150 unter Anwendung eines beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzverfahren und einer beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzchemien durchgeführt werden. Zum Beispiel können zum Wegätzen einer DSA-Komponente 150b , welche PMMA umfasst, einige geeignete Ätzverfahren/Ätzchemien umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung von Ultraviolett(UV)-Strahlung, gefolgt vom Anwenden von Essigsäure (C 2 H 4 O 2 ); und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von Sauerstoff (O 2 ) und Argon (Ar) mit niedriger Vorspannung. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien für eine gegebene DSA-Schicht 150 Gemäß einer Ausführungsform kann das selektive Ätzen der DSA-Schicht 150 unter Anwendung eines beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzverfahren und einer beliebigen aus einer breiten Vielfalt von Ätzchemien durchgeführt werden. Zum Beispiel können zum Wegätzen einer DSA-Komponente 150b , welche PMMA umfasst, einige geeignete Ätzverfahren/Ätzchemien umfassen, ohne darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung von Ultraviolett(UV)-Strahlung, gefolgt vom Anwenden von Essigsäure (C 2 H 4 O 2 ); und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von Sauerstoff (O 2 ) und Argon (Ar) mit niedriger Vorspannung. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien für eine gegebene DSA-Schicht 150 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the selective etching of the DSA layer According to one embodiment, the selective etching of the DSA layer 150 150 using any of a wide variety of etching techniques and any of a wide variety of etching chemistries. using any of a wide variety of etching techniques and any of a wide variety of etching chemistries. For example, to route away a DSA component For example, to route away a DSA component 150b 150b comprising some PMMA / etch chemistries including, but not limited to: (1) a wet etch process using ultraviolet (UV) radiation followed by the use of acetic acid (C 2 H 4 O 2 ); comprising some comprising PMMA / etch chemistries including, but not limited to: (1) a wet etch process using ultraviolet (UV) radiation followed by the use of acetic acid (C 2 H 4 O 2 ); and / or (2) a dry etching process using oxygen (O 2 ) and low bias argon (Ar). and / or (2) a dry etching process using oxygen (O 2 ) and low bias argon (Ar). However, the claimed invention is not so limited and other suitable etch processes and / or chemistries for a given DSA layer However, the claimed invention is not so limited and other suitable etch processes and / or chemistries for a given DSA layer 150 150 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 6 Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 6 fortgesetzt werden, welche die IC continue which the IC 100 100 der the 5 5 nach einem weiteren Ätzen derselben gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. illustrated after further etching the same in accordance with an embodiment of the present invention. Wie zu sehen ist, ist die IC As can be seen, the IC is 100 100 zum Beispiel geätzt worden, um die Struktur der Aussparungen/Löcher for example has been etched to structure the recesses / holes 152 152 der strukturierten DSA-Schicht the structured DSA layer 150' 150 ' in die Passivierungsschicht into the passivation layer 130 130 zu übertragen, wodurch eine strukturierte Passivierungsschicht to be transferred, creating a structured passivation layer 130' 130 ' gebildet wird, die darin mehrere Aussparungen is formed that has several recesses therein 132 132 aufweist. having. Wie weiter zu sehen ist, kann es in einigen Fällen, in welchen die IC As can be seen further, in some cases in which the IC 100 100 eine optionale Hartmaskenschicht an optional hard mask layer 140 140 umfasst, wünschenswert sein, vor dem Ätzen der Passivierungsschicht may be desirable prior to etching the passivation layer 130 130 durch die volle Dicke einer solchen Hartmaskenschicht through the full thickness of such a hard mask layer 140 140 hindurch zu ätzen (wodurch eine strukturierte Hartmaskenschicht to etch through (creating a structured hard mask layer 140' 140 ' zurückgelassen wird), um für die vorstehend erwähnte Strukturübertragung zu sorgen. is left behind) to provide the aforementioned structure transfer. Subsequently, the procedure as in Subsequently, the procedure as in 6 6th be continued, which the IC be continued, which the IC 100 100 of the of the 5 5 after further etching the same according to an embodiment of the present invention. after further etching the same according to an embodiment of the present invention. As you can see, the IC is As you can see, the IC is 100 100 For example, the structure of the recesses / holes has been etched For example, the structure of the recesses / holes has been etched 152 152 the structured DSA layer the structured DSA layer 150 ' 150 ' into the passivation layer into the passivation layer 130 130 to transfer, creating a structured passivation layer to transfer, creating a structured passivation layer 130 ' 130 ' is formed, which has several recesses is formed, which has several recesses 132 132 having. having. As can be seen further, in some cases where the IC As can be seen further, in some cases where the IC 100 100 an optional hard mask layer an optional hard mask layer 140 140 may be desirable before etching the passivation layer may be desirable before etching the passivation layer 130 130 through the full thickness of such a hardmask layer through the full thickness of such a hard mask layer 140 140 etch through (thereby forming a patterned hardmask layer etch through (thereby forming a patterned hard mask layer 140 ' 140 ' left) to provide for the above-mentioned pattern transfer. left) to provide for the above-mentioned pattern transfer.
  • Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der Hartmaskenschicht 140 Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der Hartmaskenschicht 140 (falls vorhanden) und/oder der Passivierungsschicht (if present) and / or the passivation layer 130 130 selektiv ist (z. B. gegenüber dem Material der strukturierten DSA-Schicht is selective (e.g. towards the material of the structured DSA layer 150' 150 ' ). ). Einige geeignete Ätzverfahren/-chemien können umfassen, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: (1) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung einer Ätzchemie auf Fluor(F)-Basis (z. B. Schwefelhexafluorid oder SF 6 ; Tetrafluorkohlenstoff oder CF 4 usw.) und/oder (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung einer Ätzchemie auf Chlor(Cl 2 )-Basis. Some suitable etching processes / chemistries may include, but are not necessarily limited to: (1) a dry etching process using a fluorine (F) -based etch chemistry (e.g., sulfur hexafluoride or SF 6 ; tetrafluorocarbon or CF 4 , etc.) and / or (2) a dry etching process using a chlorine (Cl 2 ) -based etch chemistry. Die beanspruchte Erfindung ist jedoch nicht darauf beschränkt und andere geeignete Techniken und/oder Ätzverfahren/-chemien zum Übertragen der Struktur der strukturierten DSA-Schicht However, the claimed invention is not limited to this and other suitable techniques and / or etching processes / chemistries for transferring the structure of the structured DSA layer 150' 150 ' in eine strukturierte Passivierungsschicht in a structured passivation layer 130' 130 ' hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. Thus, and according to one embodiment, it may be desirable to use, for example, an etch chemistry that is used to etch the material of the hardmask layer Thus, and according to one embodiment, it may be desirable to use, for example, an etch chemistry that is used to etch the material of the hard mask layer 140 140 (if any) and / or the passivation layer (if any) and / or the passivation layer 130 130 is selective (eg, to the material of the patterned DSA layer is selective (eg, to the material of the patterned DSA layer 150 ' 150 ' ). ). Some suitable etching techniques / chemistries may include, but are not necessarily limited to: (1) a dry etch process using a fluorine (F) -based etch chemistry (eg, sulfur hexafluoride or SF 6 , carbon tetrafluoride or CF 4 , etc.) and / or (2) a dry etching process using a chlorine (Cl 2 ) -based etch chemistry. Some suitable etching techniques / chemistries may include, but are not necessarily limited to: (1) a dry etch process using a fluorine (F) -based etch chemistry (eg, sulfur hexafluoride or SF 6 , carbon tetrafluoride or CF 4 , etc. ) and / or (2) a dry etching process using a chlorine (Cl 2 ) -based etch chemistry. However, the claimed invention is not limited thereto and other suitable techniques and / or etching techniques / chemistries for transferring the structure of the patterned DSA layer However, the claimed invention is not limited and other suitable techniques and / or etching techniques / chemistries for transferring the structure of the patterned DSA layer 150 ' 150 ' into a structured passivation layer into a structured passivation layer 130 ' 130 ' depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' Anschließend kann der Verfahrensablauf wie in 7 fortgesetzt werden, welche die IC 100 der 6 nach einem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht 130' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Wie zu sehen ist, kann die IC 100 geätzt werden, um die strukturierte DSA-Schicht 150' (z. B. die verbleibende DSA-Komponente 150a ) und, falls vorhanden, die verbleibende strukturierte Hartmaskenschicht 140' zu entfernen. Somit und gemäß einer Ausführungsform kann es wünschenswert sein, zum Beispiel eine Ätzchemie zu verwenden, welche für ein Ätzen des Materials der strukturierten Hartmaskenschicht 140' (falls vorhanden) und/oder der verbleibenden DSA-Komponente 150a der strukturierten DSA-Schicht 150' selektiv ist (z. B. gegenüber dem Material der Passivierungsschicht is selective (e.g. towards the material of the passivation layer 130 130 ). ). Einige geeignete Ätzverfahren und -chemien können umfassen, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: (1) ein Nassätzverfahren unter Verwendung einer Ätzchemie auf Fluor(F)-Basis oder einer Ätzchemie auf Chlor(Cl 2 )-Basis; Some suitable etching processes and chemistries may include, but are not necessarily limited to: (1) a wet etching process using a fluorine (F) -based etch chemistry or a chlorine (Cl 2 ) -based etch chemistry; (2) ein Trockenätzverfahren unter Verwendung eines Plasmas auf Sauerstoff(O 2 )-Basis und/oder (3) eine Kombination beliebiger der vorstehenden. (2) a dry etching method using an oxygen (O 2 ) -based plasma, and / or (3) a combination of any of the above. Andere geeignete Ätzverfahren und/oder -chemien hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. Other suitable etching methods and / or chemistries depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. Subsequently, the procedure as in Subsequently, the procedure as in 7 7th be continued, which the IC be continued, which the IC 100 100 of the of the 6 6th after further etching them to expose the patterned passivation layer after further etching them to expose the patterned passivation layer 130 ' 130 ' illustrated in accordance with an embodiment of the present invention. illustrated in accordance with an embodiment of the present invention. How to see is, the IC can How to see is, the IC can 100 100 etched to the structured DSA layer etched to the structured DSA layer 150 ' 150 ' (eg the remaining DSA component (eg the remaining DSA component 150a 150a ) and, if present, the remaining patterned hardmask layer ) and, if present, the remaining patterned hard mask layer 140 ' 140 ' to remove. to remove. Thus, and according to one embodiment, it may be desirable to use, for example, an etch chemistry that is used to etch the material of the patterned hardmask layer Thus, and according to one embodiment, it may be desirable to use, for example, an etch chemistry that is used to etch the material of the patterned hard mask layer 140 ' 140 ' (if available) and / or the remaining DSA component (if available) and / or the remaining DSA component 150a 150a the structured DSA layer the structured DSA layer 150 ' 150 ' is selective (eg, to the material of the passivation layer is selective (eg, to the material of the passivation layer 130 130 ). ). Some suitable etch methods and chemistries may include, but are not necessarily limited to: (1) a wet etch process using a fluorine (F) -based etch chemistry or a chlorine (Cl 2 ) -based etch chemistry; Some suitable etch methods and chemistries may include, but are not necessarily limited to: (1) a wet etch process using a fluorine (F) -based etch chemistry or a chlorine (Cl 2 ) -based etch chemistry; (2) a dry etching method using an oxygen (O 2 ) -based plasma and / or (3) a combination of any of the above. (2) a dry etching method using an oxygen (O 2 ) -based plasma and / or (3) a combination of any of the above. Other suitable etching techniques and / or chemistries will depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. Other suitable etching techniques and / or chemistries will depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • 7'' und 7'' und 7''' 7 '' ' sind eine perspektivische SEM-Aufnahme von oben bzw. eine abgewinkelte perspektivische SEM-Aufnahme einer beispielhaften IC are a perspective SEM image from above and an angled perspective SEM image of an exemplary IC 100 100 nach dem weiteren Ätzen derselben zum Freilegen der strukturierten Passivierungsschicht after further etching the same to expose the structured passivation layer 130' 130 ' gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. according to an embodiment of the present invention. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht As can be seen, the structured passivation layer 130' 130 ' für eine IC for an IC 100 100 mit einer im Allgemeinen gerippten Fläche sorgen, über welcher zum Beispiel ein MIM-Kondensator with a generally ribbed surface over which, for example, a MIM capacitor 200 200 zu bilden ist (der nachstehend erörtert wird). (which will be discussed below). 7 '' 7 '' and other 7 ''' 7 '' ' FIG. FIG. 4 is a top perspective SEM photograph and an angled SEM perspective view of an exemplary IC, respectively. 4 is a top perspective SEM photograph and an angled SEM perspective view of an exemplary IC, respectively. FIG FIG 100 100 after further etching the same to expose the structured passivation layer after further etching the same to expose the structured passivation layer 130 ' 130 ' according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention. As you can see, the structured passivation layer As you can see, the structured passivation layer 130 ' 130 ' for an IC for an IC 100 100 provide a generally ribbed area over which, for example, an MIM capacitor provide a generally ribbed area over which, for example, an MIM capacitor 200 200 to be formed (which will be discussed below). to be formed (which will be discussed below).
  • Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 Wieder zurückehrend zu 7 , können die Abmessungen der Aussparungen 132 , die in der Passivierungsschicht 130 gebildet werden, gemäß einer Ausführungsform für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. Zum Beispiel kann in einigen beispielhaften Fällen der Durchmesser/die Breite ,CD' einer gegebenen Aussparung 132 im Bereich von etwa 10 nm bis 100 nm oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 20 nm bis 40 nm oder mehr, etwa 40 nm bis 60 nm oder mehr, etwa 60 nm bis 80 nm oder mehr oder in einem beliebigen anderen Teilbereich im Bereich von etwa 10 nm bis 100 nm oder mehr) liegen. in the range of about 10 nm to 100 nm or more (e.g. in the range of about 20 nm to 40 nm or more, about 40 nm to 60 nm or more, about 60 nm to 80 nm or more, or any other Subrange in the range from about 10 nm to 100 nm or more). Auch kann in einigen beispielhaften Fällen die Tiefe/Höhe ,h' im Bereich von etwa 10 nm bis 1.000 nm oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 100 nm bis 400 nm oder mehr, etwa 400 nm bis 700 nm oder mehr, etwa 700 nm bis 1.000 nm oder mehr oder in einem beliebigen anderen Teilbereich im Bereich von etwa 10 nm bis 1.000 nm oder mehr) liegen. In some exemplary cases, the depth / height 'h' can also be in the range from approximately 10 nm to 1,000 nm or more (e.g. in the range from approximately 100 nm to 400 nm or more, approximately 400 nm to 700 nm or more, about 700 nm to 1,000 nm or more or in any other subrange in the range from about 10 nm to 1,000 nm or more). Ferner kann in einigen beispielhaften Fällen der Abstand ,p' zwischen angrenzenden oder auf andere Weise benachbarten Aussparungen Further, in some exemplary cases, the spacing 'p' between adjacent or otherwise adjacent recesses may be 132 132 im Bereich von etwa 10 nm bis 100 nm oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 20 nm bis 40 nm oder mehr, etwa 40 nm bis 60 nm oder mehr, etwa 60 nm bis 80 nm oder mehr oder in einem beliebigen anderen Teilbereich im Bereich von etwa 10 nm bis 100 nm oder mehr) liegen. in the range of about 10 nm to 100 nm or more (e.g. in the range of about 20 nm to 40 nm or more, about 40 nm to 60 nm or more, about 60 nm to 80 nm or more, or any other Subrange in the range from about 10 nm to 100 nm or more). Turning back to Turning back to 7 7th , the dimensions of the recesses can , the dimensions of the recesses can 132 132 that in the passivation layer that in the passivation layer 130 130 may be adjusted for a given intended application or end use according to one embodiment. may be adjusted for a given intended application or end use according to one embodiment. For example, in some example cases, the diameter / width 'CD' of a given recess For example, in some example cases, the diameter / width 'CD' of a given recess 132 132 in the range of about 10 nm to 100 nm or more (eg in the range of about 20 nm to 40 nm or more, about 40 nm to 60 nm or more, about 60 nm to 80 nm or more or in any other Subrange in the range of about 10 nm to 100 nm or more). in the range of about 10 nm to 100 nm or more (eg in the range of about 20 nm to 40 nm or more, about 40 nm to 60 nm or more, about 60 nm to 80 nm or more or in any other subrange in the range of about 10 nm to 100 nm or more). Also, in some example cases, the depth / height, h 'may range from about 10 nm to 1000 nm or more (eg, in the range of about 100 nm to 400 nm or more, about 400 nm to 700 nm or more, about 700 nm to 1000 nm or more or in any other subrange in the range of about 10 nm to 1000 nm or more). Also, in some example cases, the depth / height, h 'may range from about 10 nm to 1000 nm or more (eg, in the range of about 100 nm to 400 nm or more, about 400 nm to 700 nm or more, about 700 nm to 1000 nm or more or in any other subrange in the range of about 10 nm to 1000 nm or more). Further, in some example cases, the distance, p ', between adjacent or otherwise adjacent recesses Further, in some example cases, the distance, p ', between adjacent or otherwise adjacent recesses 132 132 in the range of about 10 nm to 100 nm or more (eg in the range of about 20 nm to 40 nm or more, about 40 nm to 60 nm or more, about 60 nm to 80 nm or more or in any other Subrange in the range of about 10 nm to 100 nm or more). in the range of about 10 nm to 100 nm or more (eg in the range of about 20 nm to 40 nm or more, about 40 nm to 60 nm or more, about 60 nm to 80 nm or more or in any other subrange in the range of about 10 nm to 100 nm or more).
  • Wie jedoch im Lichte der vorliegenden Offenbarung ferner ersichtlich wird, kann die Tiefe/Höhe einer gegebenen Aussparung 132 zumindest teilweise von einem oder mehrerem aus Folgendem abhängen: (1) der CD dieser Aussparung 132; (2) der Dicke der Passivierungsschicht 130 und/oder (3) dem Abscheidungsverfahren/der Abscheidungstechnik, das/die zum Bilden der (nachstehend erörterten) MIM-Kondensatorstruktur 200 über der strukturierten Passivierungsschicht 130' anzuwenden ist. In einigen beispielhaften Ausführungsformen kann eine gegebene Aussparung 132 mit einem Seitenverhältnis (z. B. Verhältnis Tiefe/Höhe ,h' zu Breite/Durchmesser ,CD') im Bereich von etwa 1-zu-1 bis 10-zu-1 (z. B. etwa 10-zu-1 oder weniger; etwa 5-zu-1 oder weniger; etwa 2-zu-1 oder weniger; etwa 1-zu-1 oder weniger usw.) versehen sein. Andere geeignete Abmessungsbereiche und/oder Seitenverhältnisse für die Aussparungen 132 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. However, as will become apparent in the light of the present disclosure, the depth / height of a given recess However, as will become apparent in the light of the present disclosure, the depth / height of a given recess 132 132 depend, at least in part, on one or more of the following: (1) the CD of that slot depend, at least in part, on one or more of the following: (1) the CD of that slot 132 132 ; ; (2) the thickness of the passivation layer (2) the thickness of the passivation layer 130 130 and / or (3) the deposition method / technique that forms the MIM capacitor structure (discussed below) and / or (3) the deposition method / technique that forms the MIM capacitor structure (discussed below) 200 200 above the structured passivation layer above the structured passivation layer 130 ' 130 ' is applicable. is applicable. In some example embodiments, a given recess In some example, given recess 132 132 having an aspect ratio (eg, depth / height, h 'to width / diameter, CD' ratio) in the range of about 1-to-1 to 10-to-1 (eg, about 10-to-1 or less than or equal to about 5 to 1 or less, about 2 to 1 or less, about 1 to 1 or less, etc.). having an aspect ratio (eg, depth / height, h 'to width / diameter, CD' ratio) in the range of about 1-to-1 to 10-to-1 (eg, about 10-to-1 or less than or equal to about 5 to 1 or less, about 2 to 1 or less, about 1 to 1 or less, etc.). Other suitable dimensions and / or aspect ratios for the recesses Other suitable dimensions and / or aspect ratios for the recesses 132 132 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 7' veranschaulicht die IC der 7 nach einem weiteren Strukturieren derselben gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. In einigen Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht 130' zum Beispiel weiter strukturiert werden, um eine strukturierte Passivierungsschicht 130'' bereitzustellen. Wie zu sehen ist, kann die strukturierte Passivierungsschicht 130'' eine oder mehrere darin ausgebildete Aussparungen 132' aufweisen (die z. B. entlang einer gegebenen Aussparung 132 ausgebildet sind). Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können beliebige der hierin erörterten Techniken, zum Beispiel in Bezug auf das Bilden der Aussparungen 132 (z. B. in den oben in Bezug auf 3 bis 6 erörterten Abschnitten des Verfahrensablaufs), hier im Zusammenhang des Bilden der Aussparungen discussed sections of the process flow), here in connection with the formation of the recesses 132' 132 ' genauso angewendet werden. can be applied in the same way. In einigen beispielhaften Fällen kann die strukturierte Passivierungsschicht In some exemplary cases, the structured passivation layer 130'' 130 '' für eine gerippte Fläche sorgen, die durch eine zweifache Rippenbildung gekennzeichnet ist, über welcher ein (nachstehend erörterter) MIM-Kondensator provide a ribbed surface characterized by a double rib formation over which a MIM capacitor (discussed below) 200 200 zu bilden ist. is to be formed. Andere geeignete Konfigurationen für die strukturierte Passivierungsschicht Other suitable configurations for the structured passivation layer 130'' 130 '' hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. 7 ' 7 ' illustrates the IC of illustrates the IC of 7 7th after further structuring the same according to another embodiment of the present invention. after further structuring the same according to another embodiment of the present invention. In some cases, the structured passivation layer In some cases, the structured passivation layer 130 ' 130 ' For example, further structured to a structured passivation layer For example, further structured to a structured passivation layer 130 '' 130 '' provide. provide. As you can see, the structured passivation layer As you can see, the structured passivation layer 130 '' 130 '' one or more recesses formed therein one or more recesses formed therein 132 ' 132 ' (eg, along a given recess (eg, along a given recess 132 132 are formed). are formed). As will become apparent in the light of the present disclosure, and in accordance with one or more embodiments, any of the techniques discussed herein may be used, for example, with respect to forming the recesses As will become apparent in the light of the present disclosure, and in accordance with one or more, any of the techniques discussed in may be used, for example, with respect to forming the recesses 132 132 (For example, in terms of the above (For example, in terms of the above 3 3 to to 6 6th discussed sections of the procedure), here in the context of forming the recesses discussed sections of the procedure), here in the context of forming the recesses 132 ' 132 ' be applied in the same way. be applied in the same way. In some exemplary cases, the structured passivation layer In some exemplary cases, the structured passivation layer 130 '' 130 '' provide a ribbed area characterized by a double ribbing over which an MIM capacitor (discussed below) provide a ribbed area characterized by a double ribbing over which an MIM capacitor (discussed below) 200 200 is to be formed. is to be formed. Other suitable configurations for the structured passivation layer Other suitable configurations for the structured passivation layer 130 '' 130 '' depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 8 veranschaulicht die IC 100 der 7 nach dem Abscheiden eines MIM-Kondensators 200 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. according to an embodiment of the present invention. Wie zu sehen ist, kann der MIM-Kondensator in einigen Ausführungsformen im Allgemeinen als eine Trischichtstruktur/ein Trischichtfilm gebildet werden, umfassend zum Beispiel: (1) eine untere leitfähige Schicht As can be seen, in some embodiments, the MIM capacitor may generally be formed as a tri-layer structure / film comprising, for example: (1) a lower conductive layer 210 210 (z. B. eine untere MIM-Elektrode); (e.g., a lower MIM electrode); eine Dielektrikumsschicht a dielectric layer 220 220 , die auf der unteren leitfähigen Schicht that are on the lower conductive layer 210 210 angeordnet ist (z. B. eine Isolator-Zwischenschicht); is disposed (e.g., an interlayer insulator); und (3) eine obere leitfähige Schicht and (3) a top conductive layer 230 230 (z. B. eine obere MIM-Elektrode). (e.g. a top MIM electrode). Es sei jedoch angemerkt, dass die beanspruchte Erfindung nicht darauf beschränkt ist. It should be noted, however, that the claimed invention is not limited thereto. Zum Beispiel kann in einigen anderen Ausführungsformen eine gegebene IC For example, in some other embodiments, a given IC 100 100 einen MIM-Kondensator a MIM capacitor 200 200 umfassen, welcher ferner umfasst: (1) eine zusätzliche Dielektrikumsschicht (die z. B. wie die Dielektrikumsschicht which further comprises: (1) an additional dielectric layer (e.g., like the dielectric layer 220 220 konfiguriert ist), die über der oberen leitfähigen Schicht configured) that is above the top conductive layer 230 230 ausgebildet ist; is trained; und (2) eine zusätzliche elektrisch leitfähige Schicht (die z. B. wie die leitfähige Schicht and (2) an additional electrically conductive layer (e.g., like the conductive layer 210 210 / / 230 230 konfiguriert ist), die über der zusätzlichen Dielektrikumsschicht ausgebildet ist. configured) formed over the additional dielectric layer. Somit kann in einigen Fällen eine Metall-Isolator-Metall-Isolator-Metall(MIMIM)-Struktur bereitgestellt werden. Thus, in some cases, a metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) structure can be provided. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen, kann für eine weitere Stapelung/Schichtung angrenzender Paare von Dielektrikums- und elektrisch leitfähigen Schichten gesorgt werden, um die Konfiguration des MIM-Kondensators As will become apparent in light of the present disclosure, and in accordance with one or more embodiments, further stacking / layering of adjacent pairs of dielectric and electrically conductive layers may be provided to complete the configuration of the MIM capacitor 200 200 zu erweitern, wie für eine gegebene Anwendung oder Endverwendung gewünscht. expand as desired for a given application or end use. Andere geeignete Konfigurationen für den MIM-Kondensator Other suitable configurations for the MIM capacitor 200 200 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. 8th 8th illustrates the IC illustrates the IC 100 100 of the of the 7 7th after depositing an MIM capacitor after depositing an MIM capacitor 200 200 according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention. As can be seen, in some embodiments, the MIM capacitor may generally be referred to as a tri-layer structure / a trilayer film are formed, comprising, for example: (1) a lower conductive layer As can be seen, in some part, the MIM capacitor may generally be referred to as a tri-layer structure / a trilayer film are formed, comprising, for example: (1) a lower conductive layer 210 210 (eg, a lower MIM electrode); (eg, a lower MIM electrode); a dielectric layer a dielectric layer 220 220 placed on the lower conductive layer placed on the lower conductive layer 210 210 arranged (eg an insulator intermediate layer); arranged (eg an insulator intermediate layer); and (3) an upper conductive layer and (3) an upper conductive layer 230 230 (eg, an upper MIM electrode). (eg, an upper MIM electrode). It should be noted, however, that the claimed invention is not limited thereto. It should be noted, however, that the claimed invention is not limited. For example, in some other embodiments, a given IC For example, in some other given IC 100 100 a MIM capacitor a MIM capacitor 200 200 which further comprises: (1) an additional dielectric layer (such as the dielectric layer, for example which further comprises: (1) an additional dielectric layer (such as the dielectric layer, for example 220 220 configured) over the upper conductive layer configured) over the upper conductive layer 230 230 is trained; is trained; and (2) an additional electrically conductive layer (eg, such as the conductive layer and (2) an additional electrically conductive layer (eg, such as the conductive layer 210 210 / / 230 230 configured) formed over the additional dielectric layer. configured) formed over the additional dielectric layer. Thus, in some instances, a metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) structure can be provided. Thus, in some instances, a metal-insulator-metal-insulator-metal (MIMIM) structure can be provided. As will become apparent in the light of the present disclosure, and in accordance with one or more embodiments, further stacking / stacking of adjacent pairs of dielectric and electrically conductive layers may be provided to configure the MIM capacitor As will become apparent in the light of the present disclosure, and in accordance with one or more, further stacking / stacking of adjacent pairs of dielectric and electrically conductive layers may be provided to configure the MIM capacitor 200 200 as desired for a given application or end use. as desired for a given application or end use. Other suitable configurations for the MIM capacitor Other suitable configurations for the MIM capacitor 200 200 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können die untere leitfähige Schicht 210 und/oder die obere leitfähige Schicht 230 Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können die untere leitfähige Schicht 210 und/oder die obere leitfähige Schicht 230 Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können die untere leitfähige Schicht 210 und/oder die obere leitfähige Schicht 230 Gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen können die untere leitfähige Schicht 210 und/oder die obere leitfähige Schicht 230 ein beliebiges aus einem weiten Bereich elektrisch leitfähiger Materialien umfassen, z. comprise any of a wide range of electrically conductive materials, e.g. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: Titan (Ti); B., but not necessarily limited to: titanium (Ti); Titannitrid (TiN); Titanium nitride (TiN); Tantal (Ta); Tantalum (Ta); Ruthenium (Ru) und/oder eine Kombination beliebiger der vorstehenden. Ruthenium (Ru) and / or a combination of any of the above. Ferner und gemäß einer oder mehreren Ausführungsformen kann die Dielektrikzumsschicht Further, and in accordance with one or more embodiments, the dielectric layer may 220 220 ein beliebiges aus einem weiten Bereich von High-k-Dielektrikumsmaterialien umfassen, z. comprise any of a wide range of high-k dielectric materials, e.g. B., ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein: Zirconiumdioxid (ZrO 2 ); B., but not necessarily limited to: zirconia (ZrO 2 ); Tantalpentoxid (Ta 2 O 5 ); Tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ); Aluminiumoxid (Al 2 O 3 ); Aluminum oxide (Al 2 O 3 ); Titandioxid (TiO 2 ); Titanium dioxide (TiO 2 ); Hafniumoxid (HfO 2 ); Hafnium oxide (HfO 2 ); Lanthanoxid (La 2 O 3 ); Lanthanum oxide (La 2 O 3 ); Strontiumtitanat (SrTiO 3 ) und/oder eine Kombination beliebiger der vorstehenden. Strontium titanate (SrTiO 3 ) and / or a combination of any of the above. Andere geeignete Materialien für die untere leitfähige Schicht Other suitable materials for the lower conductive layer 210 210 , die Dielektrikumsschicht , the dielectric layer 220 220 und/oder die obere leitfähige Schicht and / or the top conductive layer 230 230 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one or more embodiments, the lower conductive layer According to one or more, the lower conductive layer 210 210 and / or the upper conductive layer and / or the upper conductive layer 230 230 comprise any of a wide range of electrically conductive materials, eg For example, but not necessarily limited to, titanium (Ti); Any of a wide range of electrically conductive materials, eg For example, but not necessarily limited to, titanium (Ti); Titanium nitride (TiN); Titanium nitride (TiN); Tantalum (Ta); Tantalum (Ta); Ruthenium (Ru) and / or a combination of any of the foregoing. Ruthenium (Ru) and / or a combination of any of the foregoing. Further, and in accordance with one or more embodiments, the dielectric layer Further, and in accordance with one or more of the dielectric layer 220 220 comprise any of a wide range of high-k dielectric materials, eg For example, but not necessarily limited to: zirconia (ZrO 2 ); comprise any of a wide range of high-k dielectric materials, eg For example, but not necessarily limited to: zirconia (ZrO 2 ); Tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ); Tantalum pentoxide (Ta 2 O 5 ); Alumina (Al 2 O 3 ); Alumina (Al 2 O 3 ); Titanium dioxide (TiO 2 ); Titanium dioxide (TiO 2 ); Hafnium oxide (HfO 2 ); Hafnium oxide (HfO 2 ); Lanthanum oxide (La 2 O 3 ); Lanthanum oxide (La 2 O 3 ); Strontium titanate (SrTiO 3 ) and / or a combination of any of the foregoing. Strontium titanate (SrTiO 3 ) and / or a combination of any of the foregoing. Other suitable materials for the lower conductive layer Other suitable materials for the lower conductive layer 210 210 , the dielectric layer , the dielectric layer 220 220 and / or the upper conductive layer and / or the upper conductive layer 230 230 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Auch können, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, beliebige der verschiedenen Schichten des MIM-Kondensators 200 unter Anwendung beliebiger aus einem weiten Bereich von Techniken über der strukturierten Passivierungsschicht Auch können, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, beliebige der verschiedenen Schichten des MIM-Kondensators 200 unter Anwendung beliebiger aus einem weiten Bereich von Techniken über der strukturierten Passivierungsschicht Auch können, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, beliebige der verschiedenen Schichten des MIM-Kondensators 200 unter Anwendung beliebiger aus einem weiten Bereich von Techniken über der strukturierten Passivierungsschicht 230' 230 ' abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden. deposited or otherwise formed. Einige beispielhafte geeignete Techniken können, ohne notwendigerweise darauf beschränkt zu sein, umfassen: Sputter-Abscheidung; Some exemplary suitable techniques may include, but are not necessarily limited to: sputter deposition; chemische Abscheidung aus der Gasphase (CVD); chemical vapor deposition (CVD); Atomschichtabscheidung (ALD) und/oder eine Kombination dieser. Atomic Layer Deposition (ALD) and / or a combination of these. Andere geeignete Abscheidungstechniken für die untere leitfähige Schicht Other suitable deposition techniques for the lower conductive layer 210 210 , die Dielektrikumsschicht , the dielectric layer 220 220 und/oder die obere leitfähige Schicht and / or the top conductive layer 230 230 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, any of the various layers of the MIM capacitor may be used Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, any of the various layers of the MIM capacitor may be used 200 200 using any of a wide range of techniques over the structured passivation layer using any of a wide range of techniques over the structured passivation layer 230 ' 230 ' deposited or otherwise formed. deposited or otherwise formed. Some example suitable techniques may include, but are not necessarily limited to: sputter deposition; Some example suitable techniques may include, but are not necessarily limited to: sputter deposition; chemical vapor deposition (CVD); chemical vapor deposition (CVD); Atomic layer deposition (ALD) and / or a combination of these. Atomic layer deposition (ALD) and / or a combination of these. Other suitable deposition techniques for the lower conductive layer Other suitable deposition techniques for the lower conductive layer 210 210 , the dielectric layer , the dielectric layer 220 220 and / or the upper conductive layer and / or the upper conductive layer 230 230 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die untere leitfähige Schicht 210 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel in einigen Ausführungsformen die untere leitfähige Schicht 210 Gemäß einer Ausführungsform kann die untere leitfähige Schicht 210 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel in einigen Ausführungsformen die untere leitfähige Schicht 210 Gemäß einer Ausführungsform kann die untere leitfähige Schicht 210 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel in einigen Ausführungsformen die untere leitfähige Schicht 210 Gemäß einer Ausführungsform kann die untere leitfähige Schicht 210 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel in einigen Ausführungsformen die untere leitfähige Schicht 210 eine Dicke im Bereich von etwa 10 Å bis 50 Å oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 10 Å bis 30 Å oder mehr, etwa 30 Å bis 50 Å oder mehr oder in irgendeinem anderen Teilbereich im Bereich von etwa 10 Å bis 50 Å oder mehr) aufweisen. a thickness in the range of about 10 Å to 50 Å or more (e.g., in the range of about 10 Å to 30 Å or more, about 30 Å to 50 Å or more, or any other sub-range in the range of about 10 Å to 50 Å or more). In einigen Fällen kann die untere leitfähige Schicht In some cases the lower conductive layer can 210 210 als ein Film/eine Schicht bereitgestellt werden, welche(r) im Wesentlichen an die Topographie formangepasst ist, die von der darunter liegenden strukturierten Passivierungsschicht can be provided as a film / layer which is essentially adapted in shape to the topography of the underlying structured passivation layer 130' 130 ' bereitgestellt wird. provided. Auch kann es, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, wünschenswert sein, sicherzustellen, dass die Dicke der unteren leitfähigen Schicht Also, as will become apparent in light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the lower conductive layer 210 210 nicht so übermäßig groß ist, dass sie: (1) vollständig eine gegebene Aussparung is not so excessively large as to: (1) completely fill a given recess 132 132 füllt oder auf andere Weise den Eingang einer gegebenen Aussparung fills or otherwise fills the entrance of a given recess 132 132 versperrt; blocked; und/oder (2) verhindert, dass die Dielektrikumsschicht and / or (2) prevents the dielectric layer 220 220 und/oder die obere leitfähige Schicht and / or the top conductive layer 230 230 in einer gegebenen gewünschten Dicke bereitgestellt werden. can be provided in a given desired thickness. Andere geeignete Dickenbereiche und/oder Konfigurationen für die untere leitfähige Schicht Other suitable thickness ranges and / or configurations for the lower conductive layer 210 210 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the lower conductive layer According to one embodiment, the lower conductive layer 210 210 with any given thickness as desired for a given intended application or end use. with any given thickness as desired for a given intended application or end use. For example, in some embodiments, the lower conductive layer For example, in some of the lower conductive layer 210 210 a thickness in the range of about 10 Å to 50 Å or more (eg, in the range of about 10 Å to 30 Å or more, about 30 Å to 50 Å or more, or in any other subrange in the range of about 10 Å to about 50 Å or more). a thickness in the range of about 10 Å to 50 Å or more (eg, in the range of about 10 Å to 30 Å or more, about 30 Å to 50 Å or more, or in any other subrange in the range of about 10 Å to about 50 Å or more). In some cases, the lower conductive layer In some cases, the lower conductive layer 210 210 be provided as a film / layer which is substantially conformed to the topography of the underlying structured passivation layer be provided as a film / layer which is substantially conformed to the topography of the underlying structured passivation layer 130 ' 130 ' provided. provided. Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the lower conductive layer Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the lower conductive layer 210 210 not so excessively large is that they: (1) completely a given recess not so excessively large is that they: (1) completely a given recess 132 132 fills or otherwise the entrance of a given recess fills or otherwise the entrance of a given recess 132 132 barred; barred; and / or (2) prevents the dielectric layer and / or (2) prevents the dielectric layer 220 220 and / or the upper conductive layer and / or the upper conductive layer 230 230 be provided in a given desired thickness. be provided in a given desired thickness. Other suitable thickness ranges and / or configurations for the lower conductive layer Other suitable thickness ranges and / or configurations for the lower conductive layer 210 210 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die Dielektrikumsschicht 220 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel kann die Dielektrikumsschicht 220 Gemäß einer Ausführungsform kann die Dielektrikumsschicht 220 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel kann die Dielektrikumsschicht 220 Gemäß einer Ausführungsform kann die Dielektrikumsschicht 220 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel kann die Dielektrikumsschicht 220 Gemäß einer Ausführungsform kann die Dielektrikumsschicht 220 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel kann die Dielektrikumsschicht 220 in einigen Ausführungsformen eine Dicke im Bereich von etwa 10 Å bis 50 Å oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 10 Å bis 30 Å oder mehr, etwa 30 Å bis 50 Å oder mehr oder in irgendeinem anderen Teilbereich im Bereich von etwa 10 Å bis 50 Å oder mehr) aufweisen. in some embodiments, a thickness in the range of about 10 Å to 50 Å or more (e.g., in the range of about 10 Å to 30 Å or more, about 30 Å to 50 Å or more, or any other subrange in the range of about 10 Å to 50 Å or more). In einigen Fällen kann die Dielektrikumsschicht In some cases the dielectric layer can 220 220 als ein Film/eine Schicht bereitgestellt werden, welche(r) im Wesentlichen an die Topographie formangepasst ist, die von der darunter liegenden unteren leitfähigen Schicht can be provided as a film / layer which is substantially shaped to match the topography of the underlying lower conductive layer 210 210 bereitgestellt wird; provided; jedoch ist die beanspruchte Erfindung nicht darauf beschränkt, da in einigen anderen Fällen die Dielektrikumsschicht however, the claimed invention is not so limited as in some other cases the dielectric layer 220 220 möglicherweise nicht als eine formangepasste Schicht bereitgestellt wird. may not be provided as a conformal layer. Auch kann es, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, wünschenswert sein, sicherzustellen, dass die Dicke der Dielektrikumsschicht Also, as will become apparent in light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the dielectric layer 220 220 nicht so übermäßig groß ist, dass sie: (1) vollständig eine gegebene Aussparung is not so excessively large as to: (1) completely fill a given recess 132 132 füllt oder auf andere Weise den Eingang einer gegebenen Aussparung fills or otherwise fills the entrance of a given recess 132 132 versperrt; blocked; und/oder (2) verhindert, dass die untere leitfähige Schicht and / or (2) prevents the lower conductive layer 210 210 und/oder die obere leitfähige Schicht and / or the top conductive layer 230 230 in einer gegebenen gewünschten Dicke bereitgestellt werden. can be provided in a given desired thickness. Andere geeignete Dickenbereiche und/oder Konfigurationen für die Dielektrikumsschicht Other suitable thickness ranges and / or configurations for the dielectric layer 220 220 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the dielectric layer According to one embodiment, the dielectric layer 220 220 with any given thickness as desired for a given intended application or end use. with any given thickness as desired for a given intended application or end use. For example, the dielectric layer For example, the dielectric layer 220 220 in some embodiments, a thickness in the range of about 10Å to 50Å or more (eg, in the range of about 10Å to 30Å or more, about 30Å to 50Å or more, or in any other subrange in the range of about 10 Å to 50 Å or more). in some, a thickness in the range of about 10Å to 50Å or more (eg, in the range of about 10Å to 30Å or more, about 30Å to 50Å or more, or in any other subrange in the range of about 10 Å to 50 Å or more). In some cases, the dielectric layer In some cases, the dielectric layer 220 220 be provided as a film / layer which is substantially conformed to the topography of the underlying lower conductive layer be provided as a film / layer which is substantially conformed to the topography of the underlying lower conductive layer 210 210 provided; provided; however, the claimed one is Invention is not limited thereto, as in some other cases, the dielectric layer However, the claimed one is Invention is not limited, as in some other cases, the dielectric layer 220 220 may not be deployed as a shape-matched layer. may not be deployed as a shape-matched layer. Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the dielectric layer Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the dielectric layer 220 220 not so excessively large is that they: (1) completely a given recess not so excessively large is that they: (1) completely a given recess 132 132 fills or otherwise the entrance of a given recess fills or otherwise the entrance of a given recess 132 132 barred; barred; and / or (2) prevents the lower conductive layer and / or (2) prevents the lower conductive layer 210 210 and / or the upper conductive layer and / or the upper conductive layer 230 230 be provided in a given desired thickness. be provided in a given desired thickness. Other suitable thickness ranges and / or configurations for the dielectric layer Other suitable thickness ranges and / or configurations for the dielectric layer 220 220 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann die obere leitfähige Schicht 230 mit einer beliebigen gegebenen Dicke bereitgestellt werden, wie für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung gewünscht. Zum Beispiel in einigen Ausführungsformen die obere leitfähige Schicht 230 eine Dicke im Bereich von etwa 1 Å bis 20 Å oder mehr (z. B. im Bereich von etwa 1 Å bis 10 Å oder mehr, etwa 10 Å bis 20 Å oder mehr oder in irgendeinem anderen Teilbereich im Bereich von etwa 1 Å bis 20 Å oder mehr) aufweisen. In einigen Fällen kann die obere leitfähige Schicht 230 als ein Film/eine Schicht bereitgestellt werden, welche(r) im Wesentlichen an die Topographie formangepasst ist, die von der darunter liegenden Dielektrikumsschicht 220 bereitgestellt wird. Auch kann es, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, wünschenswert sein, sicherzustellen, dass die Dicke der oberen leitfähigen Schicht 230 nicht so übermäßig groß ist, dass sie verhindert, dass die untere leitfähige Schicht is not so excessively large that it prevents the lower conductive layer from forming 210 210 und/oder die Dielektrikumsschicht and / or the dielectric layer 220 220 in einer gegebenen gewünschten Dicke bereitgestellt werden. can be provided in a given desired thickness. Andere geeignete Dickenbereiche und/oder Konfigurationen für die obere leitfähige Schicht Other suitable thickness ranges and / or configurations for the top conductive layer 230 230 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. According to one embodiment, the upper conductive layer According to one embodiment, the upper conductive layer 230 230 with any given thickness as desired for a given intended application or end use. with any given thickness as desired for a given intended application or end use. For example, in some embodiments, the upper conductive layer For example, in some of the upper conductive layer 230 230 a thickness in the range of about 1 Å to 20 Å or more (eg, in the range of about 1 Å to 10 Å or more, about 10 Å to 20 Å or more, or in any other range in the range of about 1 Å to about 20 Å or more). a thickness in the range of about 1 Å to 20 Å or more (eg, in the range of about 1 Å to 10 Å or more, about 10 Å to 20 Å or more, or in any other range in the range of about 1 Å to about 20 Å or more). In some cases, the upper conductive layer In some cases, the upper conductive layer 230 230 be provided as a film / layer that is substantially conformed to the topography of the underlying dielectric layer be provided as a film / layer that is substantially conformed to the topography of the underlying dielectric layer 220 220 provided. provided. Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the upper conductive layer Also, as will become apparent in the light of the present disclosure, it may be desirable to ensure that the thickness of the upper conductive layer 230 230 not so excessively large is that it prevents the lower conductive layer not so excessively large is that it prevents the lower conductive layer 210 210 and / or the dielectric layer and / or the dielectric layer 220 220 be provided in a given desired thickness. be provided in a given desired thickness. Other suitable thickness ranges and / or configurations for the upper conductive layer Other suitable thickness ranges and / or configurations for the upper conductive layer 230 230 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 9 veranschaulicht die IC 100 der 8 nach dem Abscheiden einer Passivierungsschicht 160 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Wie zu sehen ist, kann die Passivierungsschicht 160 in einigen Ausführungsformen über der Topographie abgeschieden oder auf andere Weise gebildet werden, die teilweise oder vollständig durch den MIM-Kondensator 200 bereitgestellt wird. provided. Wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer Ausführungsform kann die Passivierungsschicht As can be seen in light of the present disclosure, and according to an embodiment, the passivation layer may 160 160 ein beliebiges der verschiedenen Materialien umfassen und/oder unter Anwendung einer/eines beliebigen der verschiedenen Abscheidungstechniken/-verfahren abgeschieden werden, die zum Beispiel oben in Bezug auf die Passivierungsschicht any of the various materials can comprise and / or be deposited using any of the various deposition techniques / processes, for example, above with respect to the passivation layer 130 130 angegeben sind. are specified. In einigen Fällen kann es sich bei der Passivierungsschicht In some cases it can be with the passivation layer 160 160 um dasselbe Material wie bei der Passivierungsschicht the same material as for the passivation layer 130 130 handeln und deswegen lediglich um eine erweiterte Passivierungsschicht act and therefore only an extended passivation layer 130 130 , in welcher der MIM-Kondensator , in which the MIM capacitor 200 200 ausgebildet ist. is trained. 9 9 illustrates the IC illustrates the IC 100 100 of the of the 8th 8th after depositing a passivation layer after depositing a passivation layer 160 160 according to an embodiment of the present invention. According to an embodiment of the present invention. As you can see, the passivation layer As you can see, the passivation layer 160 160 in some embodiments, deposited or otherwise formed over the topography partially or completely through the MIM capacitor in some, deposited or otherwise formed over the topography partially or completely through the MIM capacitor 200 200 provided. provided. As can be seen in light of the present disclosure, and in one embodiment, the passivation layer As can be seen in light of the present disclosure, and in one embodiment, the passivation layer 160 160 include any of the various materials and / or deposited using any of the various deposition techniques / techniques, for example, above with respect to the passivation layer include any of the various materials and / or deposited using any of the various deposition techniques / techniques, for example, above with respect to the passivation layer 130 130 are indicated. are indicated. In some cases, the passivation layer may be In some cases, the passivation layer may be 160 160 the same material as the passivation layer the same material as the passivation layer 130 130 and therefore only an extended passivation layer and therefore only an extended passivation layer 130 130 , in which the MIM capacitor , in which the MIM capacitor 200 200 is trained. is trained.
  • Wie ferner im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer Ausführungsform kann die Dicke der Passivierungsschicht 160 für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 160 Wie ferner im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer Ausführungsform kann die Dicke der Passivierungsschicht 160 für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 160 Wie ferner im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer Ausführungsform kann die Dicke der Passivierungsschicht 160 für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 160 Wie ferner im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird, und gemäß einer Ausführungsform kann die Dicke der Passivierungsschicht 160 für eine gegebene angestrebte Anwendung oder Endverwendung angepasst werden. In einigen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht 160 zum Beispiel als eine im Wesentlichen formangepasste Schicht über der Topographie abgeschieden werden, die von der oberen leitfähigen Schicht for example, deposited as a substantially conformal layer over the topography created by the top conductive layer 230 230 des MIM-Kondensators of the MIM capacitor 200 200 bereitgestellt wird. provided. In einigen anderen Ausführungsformen kann die Passivierungsschicht In some other embodiments, the passivation layer 160 160 zum Beispiel unter Anwendung von Planarisierungstechniken (z. B. Schleuderbeschichten/Aufschleudern oder SOD) abgeschieden werden. for example, using planarization techniques (e.g., spin coating / spin coating or SOD). In einigen Fällen, bei denen ein formangepasstes Abscheidungsverfahren angewendet wird, kann die Planarisierung der Passivierungsschicht In some cases where a conformal deposition process is used, planarization of the passivation layer can be used 160 160 zum Beispiel unter Anwendung eines Verfahrens des chemisch-mechanischen Planarisierens (CMP) oder einer/eines beliebigen anderen geeigneten Polier/Planarisierungs-Technik/Verfahrens erfolgen, wie im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich wird. for example, using a chemical mechanical planarization (CMP) method or any other suitable polishing / planarization technique / method, as will be apparent in light of the present disclosure. In einigen Fällen können die Passivierungsschicht In some cases, the passivation layer 160 160 und die Passivierungsschicht and the passivation layer 130 130 als eine Einzelschicht konfiguriert sein, innerhalb welcher der MIM-Kondensator be configured as a single layer within which the MIM capacitor 200 200 bereitgestellt sein kann. can be provided. Andere geeignete Materialien, Dickenbereiche und/oder Abscheidungstechniken für die Passivierungsschicht Other suitable materials, thickness ranges and / or deposition techniques for the passivation layer 160 160 hängen von einer gegebenen Anwendung ab und werden im Lichte der vorliegenden Offenbarung ersichtlich. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. As further apparent in light of the present disclosure, and in one embodiment, the thickness of the passivation layer As further apparent in light of the present disclosure, and in one embodiment, the thickness of the passivation layer 160 160 adapted for a given intended application or end use. adapted for a given intended application or end use. In some embodiments, the passivation layer In some of the passivation layer 160 160 For example, a substantially conformal layer may be deposited over the topography from the top conductive layer For example, a substantially conformal layer may be deposited over the topography from the top conductive layer 230 230 of the MIM capacitor of the MIM capacitor 200 200 provided. provided. In some other embodiments, the passivation layer In some other part, the passivation layer 160 160 For example, using planarization techniques (eg, spin coating / spin coating or SOD). For example, using planarization techniques (eg, spin coating / spin coating or SOD). In some cases where a conformal deposition technique is used, the passivation layer can be planarized In some cases where a conformal deposition technique is used, the passivation layer can be planarized 160 160 for example, using a chemical-mechanical planarization (CMP) process or any other suitable polishing / planarization technique / process, as will become apparent in the light of the present disclosure. for example, using a chemical-mechanical planarization (CMP) process or any other suitable polishing / planarization technique / process, as will become apparent in the light of the present disclosure. In some cases, the passivation layer In some cases, the passivation layer 160 160 and the passivation layer and the passivation layer 130 130 be configured as a single layer, within which the MIM capacitor be configured as a single layer, within which the MIM capacitor 200 200 can be provided. can be provided. Other suitable materials, thickness ranges and / or deposition techniques for the passivation layer Other suitable materials, thickness ranges and / or deposition techniques for the passivation layer 160 160 depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure. depend on a given application and will be apparent in light of the present disclosure.
  • In einigen Fällen können die offenbarten Techniken gemäß einigen Ausführungsformen angewendet werden, um die Passivierungsschicht 160 zu strukturieren. In einigen solchen Fällen kann ein MIM-Kondensator über einer gegebenen Passivierungsschicht 160 In einigen Fällen können die offenbarten Techniken gemäß einigen Ausführungsformen angewendet werden, um die Passivierungsschicht 160 zu strukturieren. In einigen solchen Fällen kann ein MIM-Kondensator über einer gegebenen Passivierungsschicht 160 In einigen Fällen können die offenbarten Techniken gemäß einigen Ausführungsformen angewendet werden, um die Passivierungsschicht 160 zu strukturieren. In einigen solchen Fällen kann ein MIM-Kondensator über einer gegebenen Passivierungsschicht 160 In einigen Fällen können die offenbarten Techniken gemäß einigen Ausführungsformen angewendet werden, um die Passivierungsschicht 160 zu strukturieren. In einigen solchen Fällen kann ein MIM-Kondensator über einer gegebenen Passivierungsschicht 160 gebildet werden, die mit einer gerippten Fläche versehen ist, wie verschiedenfach hierin beschrieben. which is provided with a ribbed surface, as variously described herein. In some cases, the disclosed techniques may be applied to the passivation layer, in accordance with some embodiments In some cases, the disclosed techniques may be applied to the passivation layer, in accordance with some 160 160 to structure. to structure. In some such cases, an MIM capacitor may over a given passivation layer In some such cases, an MIM capacitor may over a given passivation layer 160 160 formed with a ribbed surface, as variously described herein. formed with a ribbed surface, as variously described.
  • Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegebenen MIM-Kondensators 200 mit (einem) anderen Teil(en) der IC 100 elektrisch zu verbinden. Also, in some embodiments, further ILD layers may 110 Auch können in einigen Ausführungsformen weitere ILD-Schichten 110 und/oder (eine) Verbindung(en) 120 über einem gegebenen MIM-Kondensator 200 eingebaut werden. In einigen solchen Fällen können eine oder mehrere Strukturen (z. B. Durchkontaktierungen usw.) eingebaut werden, zum Beispiel um leitfähige Schichten 210 und/oder 230 (oder eine andere leitfähige Schicht) eines gegeb