Verfahren zur Herstellung von Selen-Gleichrichtern Es ist bekannt,
bei Selen-Gleichrichtern die Halbleiterschicht aus mehreren Schichten von Selen
aufzubauen, wobei diese Schichten verschiedenen Gehalt an Zusätzen zur Förderung
der Sperrschichtbildung aufweisen. Das Hauptpatent 1060 053 betrifft ein spezielles
Verfahren dieser Art zur Herstellung von Gleichrichtern, bei denen der Halbleiter
mehrschichtig aus Selen mit Halogenzusatz aufgebaut ist und. die der späteren Sperrschicht
benachbart liegende Schicht bzw. bei mehr als zweischichtigem Aufbau die benachbart
aufeinanderfolgend liegenden Schichten bis auf eine oder mehrere letzte Schichten
einen solchen Zusatz eines die Sperrschichtbildung fördernden Metalls oder anderen
Stoffes in solcher Menge enthalten,, daß dadurch die Leitfähigkeit der der späteren
Sperrschicht benachbart liegenden Schicht bzw. Schichten gegenüber derjenigen der
oder den von der späteren Sperrschicht entfernter liegenden Halbleiterschichten
herabgesetzt wird.Process for the manufacture of selenium rectifiers It is known
in selenium rectifiers, the semiconductor layer made up of several layers of selenium
build up, with these layers promoting different content of additives
of barrier formation. The main patent 1060 053 relates to a special one
Process of this type for the manufacture of rectifiers in which the semiconductor
is composed of multiple layers of selenium with added halogen and. that of the later barrier layer
adjacent layer or, in the case of more than two-layer construction, the adjacent one
successive layers except for one or more last layers
such an addition of a barrier layer-promoting metal or others
Contained in such an amount, that thereby the conductivity of the later
Barrier layer adjacent layer or layers opposite that of the
or the semiconductor layers located further away from the later barrier layer
is reduced.
Durch einen solchen Aufbau des Gleichrichters soll der zugesetzte
Stoff auf möglichst einfache und wirksame Weise für die Sperrschichtbildung zur
Wirkung kommen.With such a construction of the rectifier the added
The simplest and most effective way of creating a barrier layer
Effect come.
Zweck der vorliegenden Erfindung ist eine solche Lenkung des für die
Förderung der Sperrschichtbildung bereits. in die Halbleiterschicht eingebrachten
Mittels, insbesondere bei einem Verfahren der in dem Hauptpatent angegebenen Art,
daß die Wanderung dieses Stoffes in die für die Sperrschichtbildung in Frage kommende
Zone weitgehend begünstigt, gleichzeitig aber einer Abwanderung des die Sperrschichtbildung
begünstigenden Stoffes in den anderen Teil der Halbleiterschicht nach der Trägerelektrode
zu vorgebeugt wird. Diesem Teil der Halbleiterschicht kommt im wesentlichen nur
noch die Funktion als elektrischer Leiter zu. Er soll aus diesem Grunde eine möglichst
gute Leitfähigkeit behalten, und daher dürfen die die Leitfähigkeit begünstigenden
Stoffe, wie z. B. die Halogenverbindungen, nicht nachteilig beeinträchtigt werden.
Die Einwanderung der die Sperrschichtbildung begünstigenden Stoffe in die der Deckelektrode
nahe Zone wird im allgemeinen durch einen thermischen oder/und elektrischen Behandlungsprozeß
des Gleichrichters herbeigeführt. Befindet sich aber der die Sperrschichtbildung
begünstigende Stoff bereits in der Halbleiterschicht, so hat er bei einer solchen
thermischen oder/und elektrischen Behandlung auch die Neigung, in nachteiliger Weise
in die nur als elektrischer Leiter zu erhaltende Halbleiterschicht abzuwandern.
Diesem Mangel läßt sich bei dem Verfahren nach der Erfindung dadurch vorbeugen,
daß bei einer thermischen und/oder elektrischen Behandlung, wobei eine Wärmewirkung
der letzteren Behandlung ausgenutzt wird, wohl derjenige Teil der Halbleiterschicht,
nahe dem die Sperrschichtbildung stattfindet, auf die erwünschte erhöhte Temperatur
für die Formierung des Gleichrichters gebracht, gleichzeitig aber an der Gleichrichteranordnung
dafür Sorge getragen wird, daß der andere Teil der Halbleiterschicht durch gleichzeitige
künstliche- Kühlung auf einer wesentlich niedrigeren Temperatur gehalten wird. Es
wird also ein Temperaturgradient zwischen der späteren Sperrschicht und den nach
der Trägerelektrode zu liegenden Teilen des Halbleiters erzeugt. Hierdurch wird
die Abwanderung des die Sperrschichtbildung fördernden Stoffes in diese leitend
zu erhaltende Halbleiterschicht gewissermaßen gebremst bzw. ihr vorgebeugt. Die
Kühlung der Halbleiterschicht kann dadurch erfolgen, daß die Gleichrichteranordnung
auf einen Körper aufgelegt wird, der eine große Wärmekapazität hat oder/ und gegebenenfalls
noch künstlich gekühlt wird. Eine solche künstliche Kühlung kann durch ein geeignetes
strömendes gasförmiges oder flüssiges Mittel oder gegebenenfalls auch durch ein
verdampfungsfähiges Mittel erfolgen, wobei ein solches Mittel eine entsprechend
niedrige Verdampfungstemperatur haben muß, damit die gewünschten Betriebsbedingungen
bei der Formier rung des Gleichrichters erreicht werden können.The purpose of the present invention is such a steering of the
Promotion of barrier formation already. introduced into the semiconductor layer
By means, in particular in a process of the type specified in the main patent,
that the migration of this substance into the one in question for the formation of the barrier layer
Zone largely favored, but at the same time a migration of the barrier layer formation
favoring substance in the other part of the semiconductor layer after the carrier electrode
to be prevented. This part of the semiconductor layer essentially only comes
still function as an electrical conductor. For this reason, he should do one as possible
retain good conductivity, and therefore those favoring conductivity are allowed to
Substances such as B. the halogen compounds, are not adversely affected.
The migration of the substances that promote the formation of the barrier layer into the top electrode
near zone is generally produced by a thermal and / or electrical treatment process
the rectifier brought about. But there is the barrier layer formation
favoring substance already in the semiconductor layer, so he has in such
thermal and / or electrical treatment also has the tendency to disadvantageously
migrate into the semiconductor layer, which can only be preserved as an electrical conductor.
In the method according to the invention, this deficiency can be prevented by
that in a thermal and / or electrical treatment, with a thermal effect
the latter treatment is used, probably that part of the semiconductor layer,
near which the barrier formation takes place, to the desired elevated temperature
brought for the formation of the rectifier, but at the same time on the rectifier arrangement
care is taken that the other part of the semiconductor layer by simultaneous
artificial cooling is kept at a much lower temperature. It
So there is a temperature gradient between the later barrier layer and the one after
the carrier electrode generated to lying parts of the semiconductor. This will
the migration of the substance promoting the formation of the barrier layer into this conductive
To a certain extent, the semiconductor layer to be obtained is slowed down or prevented. the
The semiconductor layer can be cooled in that the rectifier arrangement
is placed on a body that has a large heat capacity and / or, if applicable
is still artificially cooled. Such artificial cooling can be carried out by a suitable
flowing gaseous or liquid medium or optionally also through a
Vaporizable agent take place, such a means a corresponding
must have a low evaporation temperature in order to achieve the desired operating conditions
can be achieved in the formation of the rectifier.
Das Kühlmittel kann auch unmittelbar auf die Trägerplatte des Gleichrichters
wirken.The coolant can also be applied directly to the rectifier carrier plate
works.