DE10320135B4 - A method for positioning of Bumpmasken - Google Patents

A method for positioning of Bumpmasken

Info

Publication number
DE10320135B4
DE10320135B4 DE2003120135 DE10320135A DE10320135B4 DE 10320135 B4 DE10320135 B4 DE 10320135B4 DE 2003120135 DE2003120135 DE 2003120135 DE 10320135 A DE10320135 A DE 10320135A DE 10320135 B4 DE10320135 B4 DE 10320135B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
mask
structure
position
relative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE2003120135
Other languages
German (de)
Other versions
DE10320135A1 (en
Inventor
Sven Hansen
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH, DE
Original Assignee
SUESS MICROTEC LITHOGRAPHY
Suess Microtec Lithography GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SUESS MICROTEC LITHOGRAPHY, Suess Microtec Lithography GmbH filed Critical SUESS MICROTEC LITHOGRAPHY
Priority to DE2003120135 priority Critical patent/DE10320135B4/en
Publication of DE10320135A1 publication Critical patent/DE10320135A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE10320135B4 publication Critical patent/DE10320135B4/en
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05BCONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00Program-control systems
    • G05B2219/30Nc systems
    • G05B2219/45Nc applications
    • G05B2219/45027Masking, project image on wafer semiconductor, photo tracer

Abstract

Verfahren zum Positionieren einer teildurchlässigen Maske (1) relativ zu einem Substrat (2), die im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind und jeweils mindestens eine Struktur, vorzugsweise eine Justiermarke (11 bzw. 21), zum Ausrichten der Maske (1) relativ zu dem Substrat (2) aufweisen, durch optische Bestimmung der Position der Justiermarke (21) des Substrats (2) relativ zur Position der Struktur (11) der Maske (1) mit den Schritten: Method for positioning a partially transparent mask (1) relative to a substrate (2) which are arranged substantially parallel to each other and each at least one structure, preferably an alignment mark (11 or 21) for aligning the mask (1) relative to the have substrate (2), by optical determination of the position of the alignment mark (21) of the substrate (2) relative to the position of the structure (11) of the mask (1) comprising the steps of:
(a) Bewegen der Maske (1) oder des Substrats (2) im Wesentlichen in ihrer Ebene, (A) moving the mask (1) or the substrate (2) substantially in its plane,
(b) Zusammensetzen eines Gesamtbilds der Struktur (21) des Substrats (2) aus den während der Bewegung der Maske (1) und/oder des Substrats (2) durch die freien Strukturen (13) der Maske (1) sichtbaren Teilbildern der Substratstruktur (21), (B) assembling an overall image of the structure (21) of the substrate (2) from the during movement of the mask (1) and / or the substrate (2) by the free structure (13) of the mask (1) visible part images of the substrate structure (21)
(c) Bestimmen der Position der Struktur (21) des Substrats aus dem Gesamtbild der Substratstruktur (21), (C) determining the position of the structure (21) of the substrate from the overall picture of the substrate structure (21),
(d) Bestimmen der Position der Struktur (11) der Maske (1), und (D) determining the position of the structure (11) of the mask (1), and
(e) Ausrichten der Maske (1) relativ... (E) aligning the mask (1) relative ...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Positionieren einer nahezu vollständig bedeckten, zB verchromten Maske zu einem Substrat. The invention relates to a method for positioning a virtually completely covered, eg chrome mask to a substrate.
  • Vor dem Belichten eines Substrates durch eine Maske im Rahmen der Fertigung von Halbleiterbauelementen muss zunächst die Maske zum Substrat positioniert werden. First, the mask must be positioned to the substrate prior to exposure of a substrate through a mask as part of the manufacture of semiconductor devices. Dies geschieht üblicherweise in einem Maskaligner bzw. einer Maskenpositioniereinrichtung. This is usually done in a mask aligner or a Maskenpositioniereinrichtung. Hierbei weisen sowohl die Maske als auch das Substrat Justiermarken auf, mit deren Hilfe die Maske zum Substrat ausgerichtet werden kann. Here, both the mask and the substrate alignment marks have, by means of which the mask can be aligned to the substrate. Dies ist problemlos möglich, wenn die Maske im Wesentlichen transparent ist, wenn also die Justiermarke auf dem Substrat durch die Maske hindurch sichtbar ist. This is easily possible, when the mask is substantially transparent, that is, when the alignment mark is visible on the substrate through the mask. Werden allerdings Masken verwendet, die nahezu vollständig bedeckt, zB verchromt, sind, was beispielsweise bei Bumpmasken für Positivresist der Fall ist, ist das Ausrichten dieser Maske zum Substrat nach dem herkömmlichen einfachen Verfahren nicht möglich, sofern auf den Masken keine transparenten Teilabschnitte vorgesehen sind, durch die die Justiermasken des Substrats sichtbar sind. However, if masks are used, which are almost completely covered, such as chrome, which is the case for example with Bumpmasken for positive resist, the alignment of the mask to the substrate by the conventional simple method is not possible if no transparent portions are provided on the masks, through which are visible the Justiermasken of the substrate.
  • Anstelle des üblicherweise verwendeten Chroms oder anderer Bedeckungsmaterialien kann ein Maskenmaterial benutzt werden, welches im infraroten bzw. sichtbaren Bereich des Lichts transparent ist, um so die Positionierung der Maske zum Substrat zu ermöglichen. a mask material may be used instead of chromium commonly used or other covering materials, which is transparent in the infrared or visible range of light, so as to allow the positioning of the mask to the substrate. Ein solches Maskenmaterial muss allerdings Licht im UV-Bereich, mit dem der Photoresist belichtet wird, absorbieren und/oder reflektieren. However, such mask material must absorb and / or reflect light in the UV range to which the photoresist is exposed. Masken, die ein Maskenmaterial mit diesen Eigenschaften verwenden, haben den Nachteil, dass sie sehr teuer sind. Masks that use a mask material with these properties, have the disadvantage that they are very expensive.
  • In einem bekannten Verfahren zum Positionieren der üblicherweise verwendeten, nahezu vollständig bedeckten Masken zu einem Substrat wird ein spezieller Maskenhalter eingesetzt, der das Herausfahren der Maske aus dem Objektfeld des Mikroskops ermöglicht. In a known method for positioning the masks commonly used, almost completely covered with a substrate, a special mask holder is used, which allows the moving out of the mask of the object field of the microscope. Ein solcher Maskenhalter wird auch als "Large Clearfield"-Maskenhalter bezeichnet. Such a mask holder is also known as "Large Clearfield" -Maskenhalter. Bei diesem bekannten Verfahren fährt die Maske zunächst vollständig aus dem Objektfeld des Mikroskops heraus. In this known process, the mask first moves completely out of the object field of the microscope. Um die optische Weglänge der Maske auszugleichen, muss das Substrat in Richtung der optischen Achse des Mikroskops, also senkrecht zur Ebene des Substrats, in den Arbeitsabstand des Mikroskops verschoben werden. In order to compensate the optical path length of the mask, the substrate must be in the optical axis direction of the microscope, ie perpendicular to the plane of the substrate, are moved to the working distance of the microscope. Nachdem die Justiermarken auf dem Substrat durch eine Bildverarbeitung erkannt und die Positionen der Justiermarken des Substrats bestimmt wurden, wird das Substrat in seine Ausgangslage zurückgebracht. After the alignment marks detected on the substrate by an image processing and the positions of the alignment marks of the substrate have been determined, the substrate is returned to its starting position. Anschließend wird die Maske wieder über das Substrat gefahren, die Justiermarken auf der Maske durch die Bildverarbeitung erkannt und die Positionen der Justiermarken der Maske bestimmt. Subsequently, the mask is moved back over the substrate, the alignment marks on the mask detected by the image processing, and determines the positions of the alignment marks of the mask. Die Maske und das Substrat können nun anhand der Positionen der jeweiligen Justiermarken zueinander ausgerichtet werden, und der Photoresist auf dem Substrat kann anschließend belichtet werden. The mask and the substrate can now be aligned with reference to the positions of the respective alignment marks to each other, and the photoresist on the substrate can then be exposed.
  • Diese Verfahren hat die folgenden Nachteile: This method has the following disadvantages:
    • – Um das Ausrichten von Maske und Substrat mit einer hohen Genauigkeit ausführen zu können, muss das Mikroskop sehr genau zum Substrat ausgerichtet sein, die optische Achse des Mikroskops muss also möglichst genau senkrecht zur Ebene des Substrats sein. - In order to perform the alignment of mask and substrate with a high accuracy, the microscope must be very accurately aligned to the substrate, the optical axis of the microscope must therefore be to the plane of the substrate as closely as possible at right angles. Diese Ausrichtung muss auch während der Bewegung des Substrats zum Fokussieren des Mikroskops erhalten bleiben. This alignment must be maintained even during the movement of the substrate for focusing the microscope.
    • – Das Heraus- und Hereinfahren der Maske führt zu Verunreinigungen von Maske und Substrat. - to remove and driving of the mask leads to contamination of the mask and substrate.
    • – Das Positionieren ist wegen des Heraus- und Hereinfahrens der Maske sehr zeitaufwendig. - Positioning is very time consuming because of to remove and driving the mask.
    • – Der komplizierte Aufbau des speziellen "Large Clearfield"-Maskenhalters führt zu einer erhöhten Ausfallwahrscheinlichkeit des Maskaligners. - The complicated structure of the special "Large Clearfield" -Maskenhalters leads to an increased probability of default of the mask aligner.
    • – Wird ein Thermochuck (dh eine Thermo-Einspannvorrichtung) zur Run-out-Kompensation eingesetzt, ist der thermische Kontakt von Maske zu Wafer stark eingeschränkt. - (ie, a thermal jig) used for run-out compensation a thermal chuck, the thermal contact of the mask to wafer severely limited. Eine stabile Regelung des "Run Out", dh des Verlustes der Maßhaltigkeit, ist dadurch schwer bzw. nicht zu realisieren. Stable control of the "Run Out", ie the loss of dimensional accuracy is therefore difficult or impossible to achieve.
  • Die US-A-5 204 739 beschreibt ein Verfahren zum Positionieren einer teildurchlässigen Maske relativ zu einem Substrat, die im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind und jeweils mindestens eine Struktur zum Ausrichten der Maske relativ zu dem Substrat aufweisen. The US-A-5,204,739 describes a method for positioning a partially transparent mask have relative to a substrate that are arranged substantially parallel to each other and each at least one structure for aligning the mask relative to the substrate. Die Positionierung erfolgt durch optische Bestimmung der Position der Justiermarke des Substrats relativ zur Position der Struktur der Maske. The positioning is done by optical determination of the position of the alignment mark of the substrate relative to the position of the structure of the mask.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zu Grunde, ein verbessertes Verfahren zum Positionieren nahezu vollständig bedeckter Masken zu einem Substrat bereitzustellen, das die oben beschriebenen Probleme löst. The invention is therefore based on the object to provide an improved method of positioning almost completely covered masks to a substrate which solves the problems described above. Insbesondere soll durch das erfindungsgemäße Verfahren bei der Verwendung einer herkömmlichen bedeckten Maske das Herausfahren der Maske während des Positioniervorgangs vermieden bzw. unnötig werden. In particular, should be avoided by the inventive method with the use of a conventional covered mask, the retracting of the mask during the positioning or unnecessary.
  • Die Aufgabe wird durch die in den Ansprüchen enthaltenen Merkmalen gelöst. The object is solved by the features contained in the claims.
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf dem Grundgedanken, die durch die freien Strukturen der fast vollständig bedeckten Maske sichtbaren Teilbilder der Struktur, wie zB der Justiermarke, des Substrats durch Bewegen der Maske relativ zum Substrat oder umgekehrt des Substrats relativ zur Maske zu einem Gesamtbild zusammenzusetzen und somit die Position der Struktur des Substrats bestimmen zu können. The present invention is based on the basic idea, which visible through the free structures of almost completely covered mask part images of the structure, such as the alignment mark of the substrate to assemble by moving the mask relative to the substrate or vice versa of the substrate relative to the mask to form an overall image and thus to determine the position of the structure of the substrate. Im erfindungsgemäßen Verfahren wird also nur die Maske oder das Substrat relativ geringfügig bewegt; In the inventive method, therefore, only the mask or the substrate is relatively slightly moved; ein vollständiges Entfernen der Maske ist nicht erforderlich. complete removal of the mask is not required.
  • Die Bewegung nur des Substrats bei feststehender Maske ist insbesondere bei teiltransparenten Masken vorteilhaft, da die Maskenbewegung (Scannen) zu einem Vermischen der Brechungsindexkanten führt. The movement only of the substrate at a fixed mask is particularly advantageous when partially transparent mask, since the mask movement (scanning) leads to a mixing of the refractive index edges.
  • Im Gegensatz zu den bekannten Verfahren mit dem "Large Clearfield"-Maskenhalter hat das erfindungsgemäße Verfahren folgende Vorteile: In contrast to the known method with the "Large Clearfield" -Maskenhalter process of the invention has the following advantages:
    • – Da auf das vollständige Ausfahren der Maske, der sogenannten Clearfeld-Bewegung verzichtet werden kann, verkürzt sich die zum Positionieren der Maske benötigte Zeit erheblich. - As to the full extension of the mask, the so-called Clear-field motion may be omitted, the time required for positioning of the mask is reduced considerably.
    • – Durch die geringere Bewegung der Maske werden deutlich weniger Partikel erzeugt, die Verunreinigung von Maske und Substrat wird also deutlich verringert. - Due to the lower movement of the mask significantly fewer particles are generated, the contamination of the mask and substrate is thus significantly reduced.
    • – Die genaue Ausrichtung des Mikroskops zu der Maske und dem Substrat ist weniger kritisch. - The exact alignment of the microscope to the mask and the substrate is less critical.
    • – Die Regelung für die "Run Out"-Kompensation mit einem Thermochuck ist es deutlich einfacher bzw. überhaupt erst möglich. - The regime of "Run Out" compensation with a thermochuck it is much easier and sometimes at all possible.
    • – Da auf den relativ komplizierten speziellen "Large Clearfield"-Maskenhalter verzichtet werden kann, verringert sich die Ausfallwahrscheinlichkeit des Maskaligners deutlich. - There is no need for the relatively complicated special "Large Clearfield" -Maskenhalter, the probability of default of the mask aligner significantly reduced.
  • Die Erfindung wird nachstehend mit Bezug auf die anliegenden Zeichnungen näher erläutert; The invention is explained in more detail below with reference to the accompanying drawings; es zeigen: show it:
  • 1 1 einen schematischen Querschnitt einer Einrichtung zum Positionieren einer Maske zu einem Substrat und a schematic cross section of a device for positioning a mask relative to a substrate and
  • 2 2 eine vergrößerte schematische Querschnittsansicht einer nahezu vollständig verchromten Maske und eines darunter angeordneten Substrats mit einer Justiermarke. is an enlarged schematic cross-sectional view of an almost completely chrome mask and a substrate arranged thereunder with an alignment mark.
  • Gemäß According to 1 1 wird eine nahezu vollständig verchromte Maske is an almost completely chrome mask 1 1 durch einen Maskenhalter by a mask holder 3 3 getragen und ist über einem Substrat (zB Wafer) carried by and above a substrate (eg, wafer) 2 2 , das an einen Substrathalter Which to a substrate holder 4 4 , beispielsweise einem Chuck, befestigt ist, angeordnet. , For example a chuck, is fixed, arranged. Die Maske The mask 1 1 und das Substrat and the substrate 2 2 weisen Strukturen, zB Bumpstrukturen oder Justiermarken have structures, such as alignment marks or Bumpstrukturen 11 11 bzw. or. 21 21 , auf, die durch ein Mikroskop , On which through a microscope 5 5 beobachtet werden können und mit deren Hilfe die Ausrichtung bzw. Positionierung der Maske zum Substrat erfolgt. can be observed and is carried out with the aid of which the alignment or positioning of the mask to the substrate.
  • Die bedeckte Maske weist freie Strukturen The mask covered has free structures 13 13 auf, die zB zur Abbildung auf dem Substrat vorgesehen sind. on, for example, are provided for imaging onto the substrate. In In 2 2 ist schematisch auf der Oberfläche der Maske is shown schematically on the surface of the mask 1 1 die Anordnung bedeckter Abschnitte the arrangement of covered portions 12 12 und freier Strukturen and free structures 13 13 gezeigt. shown. Durch die freien Strukturen By the free structures 13 13 der Maske ist ein Teilbild des Substrats the mask is a part of image of the substrate 2 2 zu erkennen. to recognize. Dieses Teilbild ist allerdings stark eingeschränkt und reicht nicht dazu aus, die Position der Justiermarke This field, however, is severely limited and out is not enough to determine the position of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 genau zu bestimmen. to determine exactly. Wird aber die Maske in der X- und/oder Y-Richtung, also parallel zur Maskenebene, bewegt, kann aus den durch die freien Strukturen However, the mask in the X and / or Y-direction, that is, moved parallel to the mask plane can be prepared from the free by the structures 13 13 der Maske the mask 1 1 während der Bewegung sichtbaren Teilbildern der Justiermarke visible during the movement of partial images of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 ein Gesamtbild zusammengesetzt werden. an overall picture to be assembled. Hierzu wird das stark eingeschränkte Teilbild der Justiermarke For this, the very limited partial image of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 während der Bewegung der Maske during the movement of the mask 1 1 aufintegriert. integrated.
  • Diese Aufintegration kann sowohl softwaretechnisch als auch hardwaretechnisch gelöst werden. This upward integration can be achieved both by software and hardware technology. Eine softwaretechnische Lösung besteht darin, Einzelbilder während der Bewegung der Maske elektronisch zu erfassen und die gespeicherten Einzelbilder zu einem Gesamtbild zu addieren; A software technical solution is to capture still images during the movement of the mask electronically and to add the stored frames to form an overall image; bei einer hardwaretechnischen Lösung erfolgt die Beobachtung während der Bewegung mit einer Belichtungszeit, die lange genug ist, um ein Gesamtbild der Justiermarke In a hardware solution, the technical observation takes place during the movement with an exposure time that is long enough to an overall image of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 mit der gewünschten Qualität zu erhalten. to obtain the desired quality.
  • Die Bewegung der Maske erfolgt vorzugsweise sowohl in die X- als auch in die Y-Richtung, beispielsweise in Form eines Mäanders oder kreis- oder spiralförmig. The movement of the mask is preferably carried out in both the X and the Y-direction, for example in the form of a meander or a circular or spiral shape. Um ein möglichst vollständiges Bild der Justiermarke A complete picture of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 erhalten zu können, wird die Maske to be eligible, the mask is 1 1 um einen Betrag bewegt, der mindestens der typischen Länge der verchromten Abschnitte moved by an amount which is at least the typical length of the chrome portions 12 12 der Maske the mask 1 1 im Bereich der Position der Justiermarke in the range of the position of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 in Bewegungsrichtung entspricht, bevorzugt entspricht die Bewegungsstrecke mindestens der Abmessung der Justiermarke corresponds to the movement direction, preferably the moving distance at least equal to the dimension of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 in der Bewegungsrichtung. in the direction of movement. Die Bewegung der Maske The movement of the mask 1 1 kann auch periodisch und versetzt wiederholt werden. may also be repeated periodically and treated.
  • Die Ausleuchtung des aufintegrierten Bildes ist auf Grund der unterschiedlichen freien Strukturen der Maske The illumination of the aufintegrierten image is due to the different structures of the mask-free 1 1 im Allgemeinen nicht gleichmäßig. generally not uniform. Das Gesamtbild der Justiermarke The overall image of the alignment mark 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 kann daher mit einer modernen Bildverarbeitungssoftware nachbearbeitet werden, obwohl moderne Bildverarbeitungssoftware auch Bildstrukturen ohne Nachbearbeitung erkennen kann. can be reworked with a modern image processing software therefore, although modern image processing software can also detect image structures without finishing. Eine solche Nachbearbeitung führt zu einer Erhöhung der Genauigkeit der Positionsbestimmung der Justiermarke Such post-processing results in an increase in the accuracy of the positioning of the alignment 21 21 des Substrats of the substrate 2 2 , da sowohl Ungleichmäßigkeiten in der Ausrichtung des Gesamtbildes ausgeglichen werden können, als auch eventuell fehlende Strukturen der Justiermarke Since both irregularities in the alignment of the entire image can be compensated, as well as any missing structures of the alignment mark 21 21 nachträglich ergänzt werden können. can be added subsequently.
  • Im beschriebenen Ausführungsbeispiel wird die Maske in der Maskenebene geringfügig bewegt, während das Substrat nicht bewegt werden muss. In the described embodiment the mask in the mask plane is slightly moved while the substrate need not be moved.
  • Im Rahmen der Erfindung kommt es jedoch nur auf die Relativbewegung von Maske und Substrat an, dh es ist auch möglich, während der Justierung nur das Substrat geringfügig in seiner Ebene zu bewegen und die Maske in ihrer Position festzuhalten; However, in the invention it is only the relative movement of the mask and substrate, that is, it is also possible, during calibration only slightly to move the substrate in its plane and to hold the mask in position; oder beide Elemente, das Substrat sowie die Maske in ihrer jeweiligen Ebene relativ zueinander zu bewegen. moving either or both elements, the substrate and the mask in its respective plane relative to each other.

Claims (7)

  1. Verfahren zum Positionieren einer teildurchlässigen Maske ( Method for positioning a partially transparent mask ( 1 1 ) relativ zu einem Substrat ( ) (Relative to a substrate 2 2 ), die im Wesentlichen parallel zueinander angeordnet sind und jeweils mindestens eine Struktur, vorzugsweise eine Justiermarke ( ) Which are arranged substantially parallel to each other and each at least one structure, preferably an alignment mark ( 11 11 bzw. or. 21 21 ), zum Ausrichten der Maske ( ), (For aligning the mask 1 1 ) relativ zu dem Substrat ( ) (Relative to the substrate 2 2 ) aufweisen, durch optische Bestimmung der Position der Justiermarke ( ) Which (by optical determination of the position of the alignment mark 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) relativ zur Position der Struktur ( ) (Relative to the position of the structure 11 11 ) der Maske ( () Of the mask 1 1 ) mit den Schritten: (a) Bewegen der Maske ( ) Comprising the steps of: (a) moving said mask ( 1 1 ) oder des Substrats ( ) Or the substrate ( 2 2 ) im Wesentlichen in ihrer Ebene, (b) Zusammensetzen eines Gesamtbilds der Struktur ( ) Substantially in its plane, (b) assembling an overall image of structure ( 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) aus den während der Bewegung der Maske ( ) From (during the movement of the mask 1 1 ) und/oder des Substrats ( () And / or of the substrate 2 2 ) durch die freien Strukturen ( ) (By the free structures 13 13 ) der Maske ( () Of the mask 1 1 ) sichtbaren Teilbildern der Substratstruktur ( ) Visible part images of the substrate structure ( 21 21 ), (c) Bestimmen der Position der Struktur ( ), (C) determining the position of the structure ( 21 21 ) des Substrats aus dem Gesamtbild der Substratstruktur ( ) Of the substrate from the overall picture of the substrate structure ( 21 21 ), (d) Bestimmen der Position der Struktur ( ), (D) determining the position of the structure ( 11 11 ) der Maske ( () Of the mask 1 1 ), und (e) Ausrichten der Maske ( ), And (e) aligning the mask ( 1 1 ) relativ zu dem Substrat ( ) (Relative to the substrate 2 2 ) durch Vergleichen der in Schritt (c) bestimmten Position der Struktur ( () Is determined by comparing in step (c) position of the structure 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) und der in Schritt (d) bestimmten Position der Struktur ( (), And in step (d) certain position of the structure 11 11 ) der Maske ( () Of the mask 1 1 ). ).
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Maske ( The method of claim 1, wherein the mask ( 1 1 ) und/oder das Substrat ( () And / or the substrate 2 2 ) um einen Betrag, der mindestens der typischen Länge der bedeckten Abschnitte ( ) By an amount of (at least the typical length of the covered portions 12 12 ) der Maske ( () Of the mask 1 1 ) im Bereich der Position der Struktur ( ) (In the position of the structure 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) in Bewegungsrichtung, bevorzugt mindestens der Größe der Struktur ( ) In the direction of movement, preferably at least the size of the structure ( 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) entspricht, bewegt wird. ) Corresponds to, is moved.
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Bewegung der Maske ( The method of claim 1 or 2, wherein the movement of the mask ( 1 1 ) und/oder des Substrats ( () And / or of the substrate 2 2 ) auf einer Mäanderbahn in der Maskenebene oder Substratebene erfolgt. ) Is carried on a meandering path in the mask plane or substrate plane.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Bewegung der Maske ( The method of claim 1, 2 or 3, wherein the movement of the mask ( 1 1 ) und/oder des Substrats ( () And / or of the substrate 2 2 ) periodisch und versetzt wiederholt wird. ) Is periodically and repeatedly added.
  5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei während der Bewegung der Maske ( Method according to one of the preceding claims, wherein during the movement of the mask ( 1 1 ) und/oder des Substrats ( () And / or of the substrate 2 2 ) eine Vielzahl von Teilbildern elektronisch gespeichert und zum Erzeugen des Gesamtbilds der Struktur ( a plurality of partial images stored electronically and) (for producing the total image of the structure 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) verrechnet, vorzugsweise aufintegriert, werden. ) Charged, preferably integrated up to be.
  6. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die unterschiedliche Ausleuchtung des Gesamtbilds der Struktur ( Method according to one of the preceding claims, wherein the different illumination of the entire image of structure ( 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) durch Bildbearbeitung ausgeglichen oder ignoriert wird. ) Is compensated by image processing or ignored.
  7. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei fehlende Strukturen der Struktur ( Method according to one of the preceding claims, wherein structures of the lack of structure ( 21 21 ) im Gesamtbild der Struktur ( ) (A total image of the structure 21 21 ) des Substrats ( () Of the substrate 2 2 ) durch Bildbearbeitung ergänzt oder ignoriert werden. ) Are complemented by image processing or ignored.
DE2003120135 2003-05-06 2003-05-06 A method for positioning of Bumpmasken Expired - Fee Related DE10320135B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003120135 DE10320135B4 (en) 2003-05-06 2003-05-06 A method for positioning of Bumpmasken

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2003120135 DE10320135B4 (en) 2003-05-06 2003-05-06 A method for positioning of Bumpmasken

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10320135A1 DE10320135A1 (en) 2004-12-02
DE10320135B4 true DE10320135B4 (en) 2006-02-23

Family

ID=33394171

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2003120135 Expired - Fee Related DE10320135B4 (en) 2003-05-06 2003-05-06 A method for positioning of Bumpmasken

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE10320135B4 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204739A (en) * 1992-02-07 1993-04-20 Karl Suss America, Inc. Proximity mask alignment using a stored video image

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5204739A (en) * 1992-02-07 1993-04-20 Karl Suss America, Inc. Proximity mask alignment using a stored video image

Also Published As

Publication number Publication date
DE10320135A1 (en) 2004-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0687956B2 (en) Illumination device
EP0023231B1 (en) Optical lithographic method and apparatus for copying a pattern onto a semiconductor wafer
DE3447489C2 (en) Method and apparatus for projection exposure
DE4324849C2 (en) Video system for generating a color video image on a screen
DE69735016T2 (en) Lithographic apparatus with two object holders
DE3106539C2 (en) grid lens
DE3546587C2 (en)
EP0173849B1 (en) Laser lithography
DE60305779T2 (en) microscope
EP0610183B1 (en) Exposure device
DE4439557C2 (en) Method and apparatus for calibrating the magnification of zoom lens systems
DE3313111C2 (en) Projection device and method for projecting a negative
EP1570315B1 (en) Method for adjusting an optical imaging property of a projection objective of a microlithographic projection exposure apparatus
DE3114682C2 (en)
DE102004035595B4 (en) A method for adjusting a projection objective
DE69933973T2 (en) A catadioptric optical system and exposure apparatus equipped
DE69835050T2 (en) Device for adjusting an illumination field
DE60127036T2 (en) Line width compensation using spatial variations of the partial coherence
EP1456891B1 (en) Imaging device in a projection exposure facility
DE3805363A1 (en) Screen printing process and apparatus thereof for IMPLEMENTATION
DE10329332B4 (en) Crystallization method and mask for sequentially and transverse solidifying device, this benutzend
DE19721688B4 (en) Surface detecting means and method for surface detection
DE60021293T2 (en) Dose control for correcting the line width variation along the scan direction
DE4419521A1 (en) Alignment method and device for an exposure process
DE19949044A1 (en) Apparatus and fine positioning of a component and the coordinate measuring machine with a device for fine positioning of a component

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R082 Change of representative

Representative=s name: PRINZ & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANWAE, DE

R082 Change of representative

Representative=s name: PRINZ & PARTNER MBB PATENTANWAELTE RECHTSANWAE, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: SUESS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH, 85748 GARCHING, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee