DE10313202B3 - Vorrichtung und Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern Download PDFInfo
- Publication number
- DE10313202B3 DE10313202B3 DE2003113202 DE10313202A DE10313202B3 DE 10313202 B3 DE10313202 B3 DE 10313202B3 DE 2003113202 DE2003113202 DE 2003113202 DE 10313202 A DE10313202 A DE 10313202A DE 10313202 B3 DE10313202 B3 DE 10313202B3
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- wafer
- edge
- semiconductor wafer
- light sources
- camera
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
- G01N21/9503—Wafer edge inspection
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
- G01N2021/8822—Dark field detection
- G01N2021/8825—Separate detection of dark field and bright field
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/06—Illumination; Optics
- G01N2201/061—Sources
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
- G01N2201/10—Scanning
- G01N2201/103—Scanning by mechanical motion of stage
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Die Kanteninspektion an Halbleiterwafern soll so verbessert werden, dass der bisher erforderliche materielle Aufwand für eine gleichzeitige Front- und Rückseiteninspektion der Kantenflächen und die dafür anfallenden Kosten gesenkt werden. Zudem soll eine Fortsetzung eines Defektes um die Kante des Halbleiterwafers herum einfach und sicher erkannt werden. Dem Halbleiterwafer (2) ist in seinem Randbereich an einer seiner gegenüberliegenden ebenen Flächen ein Planspiegel (23) benachbart, auf den das Beleuchtungssystem und die Kamera ebenso gerichtet sind wie auf den Randbereich der anderen ebenen Fläche des Halbleiterwafers (2). DOLLAR A Es erfolgt eine Bildaufnahme von den Kantenflächen simultan in direkter Kamerasicht von einem Teil der Kantenflächen und als Spiegelbild von dem übrigen Teil der Kantenflächen.
Description
- Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern mit einem Beleuchtungssystem zur Kantenbeleuchtung und einer Kamera zur Aufnahme eines Kantenbildes. Ferner bezieht sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern durch Bildaufnahme von front- und rückseitigen Kantenflächen des Halbleiterwafers.
- Die Kanten von Halbleiterwafern werden bekanntermaßen entweder manuell, z. B. durch Halten des Wafers mit einer Vakuumpinzette im Strahlenbündel einer Lichtquelle inspiziert oder aber es werden Vorrichtungen bestehend aus einem Aufnahmetisch und einer auf den beleuchteten Waferrand gerichteten Kamera, verwendet. Die Beleuchtung kann sowohl als Hellfeld- oder als Dunkelfeldbeleuchtung ausgebildet sein.
- Derartige Lösungen sind z. B aus der WO 02/059960 A1 und der
EP 1001460 B1 bekannt, wobei letztere die Beleuchtung der Waferkante des auf einer neigbaren Plattform aufliegenden Wafers mit einem Infrarotstrahl und die Überwachung mit mindestens einer Infrarotvideokamera vorsieht. - Von Nachteil für eine gleichzeitige Front- und Rückseiteninspektion ist es, dass die Kamerasicht beim Einsatz einer Infrarotvideokamera nur etwa die Hälfte der Kantenfläche des Halbleiterwafers abdeckt und deshalb eine weitere Infrarotvideokamera zum Einsatz kommen muss, um den übrigen Teil sichtbar zu machen.
- Ausgehend hiervon ist es Aufgabe der Erfindung, die eingangs genannte Vorrichtung so zu verbessern, dass der bisher erforderliche materielle Aufwand für eine gleichzeitige Front- und Rückseiteninspektion der Kantenflächen des Halbleiterwafers und die dafür anfallenden Kosten gesenkt werden. Zudem soll ein Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern so verbessert werden, dass eine Fortsetzung eines Defektes um die Kante des Halbleiterwafers herum einfach und sicher erkannt werden kann.
- Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe durch eine Vorrichtung zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern gelöst mit
- – einem Beleuchtungssystem, dessen Lichtquellen geneigt zur ebenen Frontseite des Halbleiterwafers angeordnet sind und die den frontseitigen Teil der Waferkante direkt beleuchten,
- – einem im Randbereich des Halbleiterwafers befindlichen Planspiegel, der parallel zur ebenen Rückseite des Wafers so angeordnet ist, dass die Lichtquellen auf ihn gerichtet sind und der so den rückseitigen Teil der Waferkante beleuchtet,
- – einer Kamera, die derart angeordnet ist, dass sie die frontseitige Kantenfläche des Wafers direkt und gleichzeitig die rückseitige Kantenfläche des Wafers über den Planspiegel als gespiegeltes Bild aufnimmt.
- Als Kamera kann eine Zeilenkamera dienen, die mit der Rotationsposition des Halbleiterwafers synchronisiert ist.
- Das Beleuchtungssystem verzichtet auf Laserstrahlungsquellen und kombiniert in vorteilhafter Weise eine Hellfeld- mit einer Dunkelfeldbeleuchtung, bestehend aus Lichtquellen, die mit resistverträglichem weißen oder roten Licht arbeiten. Dadurch kann auf Spezialkameras verzichtet werden. Die Beleuchtungscharakteristik ist auf unterschiedliche Reflexionseigenschaften des Halbleiterwafers automatisch einstellbar und die Beleuchtungsstärken der einzelnen Lichtquellen sind umschaltbar.
- In einer vorteilhaften Ausgestaltung ist die Kanteninspektion mit der Funktion eines Prealigners zu kombinieren, indem zur Aufnahme und Ausrichtung des Halbleiterwafers ein Drehtisch vorgesehen ist, und konzentrisch zu dem Drehtisch absenkbare Trägerelemente für den Halbleiterwafer und exzentrisch gelagerte Anstellelemente angeordnet sind, die zur Zentrierung des Halbleiterwafers mit einer definierten Kraft zueinander synchron rotierend gegen die Waferkante schließen. Vorteilhaft wirkt sich aus, wenn die Trägerelemente als Punktauflagen für den Halbleiterwafer ausgebildet sind.
- Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist aber auch so konzipiert, dass eine Nachrüstung bestehender Inspektionssysteme kostengünstig mit geringem Platzbedarf möglich ist. Zu diesem Zweck kann der Anbau an einen bereits vorhandenen Prealigner erfolgen, der die für die Inspektion erforderliche Zentrierung, Rotation und Notch-Ausrichtung ausführt.
- Die obenstehende Aufgabe wird ferner erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern gelöst, wobei
- – der frontseitige Teil der Waferkante des Halbleiterwafers direkt von den Lichtquellen eines Beleuchtungssystems beleuchtet wird,
- – der rückseitige Teil der Waferkante gleichzeitig indirekt von den Lichtquellen über einen parallel zur Rückseite des Wafers angeordneten Planspiegel beleuchtet wird,
- – eine Bildaufnahme beider Kantenflächen simultan erfolgt, und
- – die Frontseite der Waferkante in direkter Kameraansicht und die Rückseite der Waferkante als Spiegelbild aufgenommen wird.
- Von den zu gleichen Kantenpositionen gehörigen simultan aufgenommenen Bildern werden die Bilder von der Frontseite benachbart zu den Bildern von der Rückseite abgebildet.
- In einer bevorzugten Ausgestaltungsvariante der Erfindung ist vorgesehen, dass die bei rotierendem Halbleiterwafer entlang seines Umfanges simultan aufgenommenen Bilder der Kantenflächen in Teilstücke unterteilt und als sogenannte Kantenabwicklung abgebildet werden.
- Die gleichzeitige, mit geringem technischen Aufwand erfolgende und damit kostengünstige Erfassung aller Kantenflächen beider Waferseiten hat den Vorteil, dass deren visuelle oder automatische Auswertung in einem Arbeitsgang ohne Umschaltvorgänge ausgeführt werden kann, da das auszuwertende Bild die Kantenflächen beider Waferseiten als Einheit mit exakter gegenseitiger Zuordnung enthält. Das als Kantenabwicklung dargestellte Bild ist auf einen Blick erfassbar und kann sowohl zur Identifizierung von mechanischen Defekten als auch zur Inspektion des Belackungsabstandes zum Waferrand benutzt werden.
- Die Erfindung soll nachstehend anhand der schematischen Zeichnung näher erläutert werden. Es zeigen:
-
1 eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Kanteninspektion -
2 eine Draufsicht auf zentrierende Elemente einer Zentriervorrichtung mit einem ausgerichteten Halbleiterwafer -
3 eine graphische Darstellung eines front- und rückseitigen Kantenbildabschnittes vom Notch-Bereich -
4 den Randbereich des Halbleiterwafers mit den zu inspizierenden Kantenflächen - Die erfindungsgemäße Vorrichtung gemäß
1 besteht aus einem Drehtisch1 zur gesteuerten, kontinuierlichen Rotation und zur Winkelpositionierung eines Halbleiterwafers2 , einer automatischen Zentriervorrichtung, einem Beleuchtungssystem und einem Kamerasystem. - Konzentrisch zu dem Drehtisch
1 sind Hubstößel3 ,4 und5 als Übergabeträger für den Halbleiterwafer2 und exzentrisch gelagerte Anstellelemente6 ,7 ,8 und9 angeordnet, die zur Zentrierung des Halbleiterwafers2 zueinander synchron rotierend mit kraftbegrenztem Kantenandruck gegen die Waferkante10 schließen. Die Hubstößel3 ,4 und5 sind auf einer gemeinsamen, durch einen Kurbelantrieb11 vertikal verstellbaren Grundplatte12 befestigt und besitzen an ihrem oberen freien Ende reibungsarme Ablageflächen13 ,14 und15 , auf denen der Halbleiterwafer2 punktuell aufliegt. Die exzentrisch gelagerten Anstellelemente6 ,7 ,8 und9 sind zueinander justiert und werden von einem gemeinsamen Zahnriementrieb16 synchron angetrieben, wobei ein Antriebsmotor17 zur Einstellung einer definierten Kantenandruckkraft bei der Zentrierung mit einer Rutschkupplung18 an den Zahnriementrieb16 gekoppelt ist. Möglich ist die Realisierung eines gleichsinnigen oder eines gegensinnigen Laufes. Die Übergabe des in einer oberen Position aufgelegten Halbleiterwafers2 an den Drehtisch1 erfolgt, nachdem der Halbleiterwafer2 mit Hilfe der Anstellelemente6 ,7 ,8 und9 in eine zentrierte Position geschoben wurde, die Anstellelemente6 ,7 ,8 und9 von der Waferkante10 zurückgenommen sind und der Übergabeträger abgesenkt ist, ohne dass dabei von den Ablageflächen13 ,14 und15 rotatorische Momente aufgenommen werden müssen. - Beim Absenken bzw. das Anheben des Übergabeträgers mit Hilfe des Kurbelantriebes
11 übernehmen Positionsschalter die Steuerung der Stoppfunktion in den Extremlagen, wobei die Bewegung zusätzlich durch den Sinus-Scheitelpunkt des Kurbelantriebes11 stark verlangsamt ist. - Das ebenso wie das Kamerasystem an einer Trägerplatte
19 befestigte Beleuchtungssystem arbeitet mit Weißlicht und umfasst zwei Halogen-Strahler20 ,21 zur Dunkelfeld- und eine LED-Leuchte22 zur Hellfeldbeleuchtung, wobei die Beleuchtungscharakteristik auf spezifische Objekteigenschaften, insbesondere der Reflexionseigenschaften des Halbleiterwafers automatisch einstellbar ist und die Beleuchtungsstärken der einzelnen Beleuchtungsquellen umschaltbar sind. Möglich ist auch die Verwendung einer roten Beleuchtung. Die beiden Halogen-Strahler20 ,21 und die LED-Leuchte22 sind geneigt zu einer der ebenen Flächen des Halbleiterwafers2 (Frontseite FS) angeordnet und beleuchten einen Teil der Kantenflächen der Waferkante10 . Der anderen ebenen Fläche des Halbleiterwafers2 (Rückseite RS) ist an dessen Rand ein Planparallelspiegel23 im Abstand von 1 bis 3 mm parallel benachbart, auf den sowohl die zwei Halogen-Strahler20 ,21 und die LED-Leuchte22 zur Beleuchtung der übrigen Kantenflächen der Waferkante10 als auch eine für das Kamerasystem vorgesehene Graustufen-Zeilenkamera24 gerichtet sind. Das Kamerasystem, das die rückseitigen Kantenflächen des Halbleiterwafers2 über den Planparallelspiegel23 als gespiegeltes Bild aufnimmt, ist außerdem mit einer direkten Kamerasicht auf die Frontseite FS des Halbleiterwafers2 gerichtet, wobei die Kameraoptik zur simultanen front- und rückseitigen Bildaufnahme der Kantenflächen so ausgelegt ist, dass Front- und Rückseite FS, RS im Schärfentiefenbereich liegen. Die Kameraachse KA ist vorzugsweise unter 45° zu den ebenen Flächen des Halbleiterwafers2 ausgerichtet. Außerdem besteht für die Zeilenkamera24 eine Synchronisation mit der Rotationsposition des Halbleiterwafers2 , d. h. der Beginn der Bildaufzeichnung erfolgt zu einer definierten Rotationsposition des Halbleiterwafers. Damit sind das Bild und die Notch N einer bestimmten Rotationsposition zugeordnet, wodurch eine definierte Korrektur der Notchlage aber auch eine Übergabe des Halbleiterwafers2 nach Beendigung der Inspektion mit einer definierten Notch-Ausrichtung (Prealigner-Funktion) möglich ist. - Von der Kamera besteht eine Verbindung zu einem nicht dargestellten Monitor, auf dem von den simultan aufgenommenen Bildern gleicher Kantenpositionen, die Bilder von der Frontseite FS benachbart zu den Bildern von der Rückseite RS abgebildet werden. Eine graphische Darstellung von aufgenommenen Kantenflächen ist für den Notch-Bereich des Halbleiterwafers
2 der selbsterklärenden3 zu entnehmen. - Der zugehörige Randbereich des Halbleiterwafers, in dem die Kantenflächen durch die Flächengrenzen a–e bestimmt sind, ist in
4 dargestellt. - Da der Monitor nur eine begrenzte seitliche Ausdehnung hat, werden die bei rotierendem Halbleiterwafer
2 entlang seines Umfanges als Kantenabwicklung simultan aufgenommenen Bilder der Kantenflächen in Teilstücke unterteilt und als Bildstreifen, in denen die Kantenflächen der Front und Rückseite FS, RS nebeneinander liegen, abgebildet. Der Graphik nach3 entsprechend würde ein dem Notch-Bereich benachbarter Umfangabschnitt als gleichartiges Kantenbild z. B. unterhalb des dargestellten Umfangabschnittes abgebildet werden. Eine solche Darstellung von z. B. 6 Streifenbildern, bei der die Notch N an den Anfang des obersten Streifenbildes gelegt ist und eine Winkelskala die Umfangsposition kennzeichnet, hat den Vorteil, dass zusätzlich zur Anwendung üblicher automatischer Bildauswerteverfahren sofort eine manuelle Inspektion auf einen Blick zur Markierung und Klassifizierung der Defekte sowie die Abspeicherung der Defektkoordinaten und die Erzeugung eines Report-Files möglich ist. Die Art der bildlichen Darstellung gewährleistet auch ein automatisches Vermessen des Belackungsabstandes durch die Vermessung von Bildkonturen (Rückseitenbild der Waferkante10 als markanter Kontrast zum hellen Spiegel), eingeschlossen die Ermittlung von minimaler und maximaler Randbreite (Exzentrizität der Kantenentlackung) und die Lokalisierung der Kanten-Extrempunkte. Zentrierfehler sind aus einer Positionsänderung der Waferkante10 im Streifenbild erkennbar. Ferner ist es bei Bedarf möglich, die Waferkodierung abzulesen, wodurch ein sonst dafür vorgesehenes Gerät eingespart werden kann. - Aus dem dargestellten Bild ist auch ersichtlich, ob die Notch N mit einem der Anstellelemente
6 ,7 ,8 und9 zusammentrifft. Für diesen Fall ist die Wiederholung der Zentrierung mit einer anderen Winkelausrichtung des Halbleiterwafers2 erforderlich. Dazu wird der Halbleiterwafer2 um einige Grad (z. B. 10°) gegenüber der aufgrund der Startposition des Drehtisches1 bekannten ursprünglichen Ablageposition verdreht und nach dem Anheben mit Hilfe des Übergabeträgers, wie bereits beschrieben, neu zentriert und wieder auf dem Drehtisch1 abgelegt.
Claims (10)
- Vorrichtung zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern mit – einem Beleuchtungssystem, dessen Lichtquellen (
20 ,21 ,22 ) geneigt zur ebenen Frontseite (FS) des Halbleiterwafers (2 ) angeordnet sind und die den frontseitigen Teil der Waferkante (10 ) direkt beleuchten, – einem im Randbereich des Halbleiterwafers (2 ) befindlichen Planspiegel (23 ), der parallel zur ebenen Rückseite des Wafers (2 ) so angeordnet ist, dass die Lichtquellen (20 ,21 ,22 ) auf ihn gerichtet sind und der so den rückseitigen Teil der Waferkante (10 ) beleuchtet, – einer Kamera (24 ), die derart angeordnet ist, dass sie die frontseitige Kantenfläche des Wafers (2 ) direkt und gleichzeitig die rückseitige Kantenfläche des Wafers (2 ) über den Planspiegel (23 ) als gespiegeltes Bild aufnimmt. - Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der als Kamera eine Zeilenkamera (
24 ) dient, die mit der Rotationsposition des Halbleiterwafers (2 ) synchronisiert ist - Vorrichtung nach Anspruch 2, bei der das Beleuchtungssystem eine Hellfeld- mit einer Dunkelfeldbeleuchtung, bestehend aus Lichtquellen (
20 ,21 ,22 ), die mit weißem oder rotem Licht arbeiten, kombiniert. - Vorrichtung nach Anspruch 3, bei der die Beleuchtungscharakteristik des Beleuchtungssystems auf unterschiedliche Reflexionseigenschaften des Halbleiterwafers (
2 ) einstellbar ist. - Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4, bei der die Beleuchtungsstärken der einzelnen Lichtquellen (
20 ,21 ,22 ) umschaltbar sind. - Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei der zur Aufnahme und Ausrichtung des Halbleiterwafers (
2 ) ein Drehtisch (1 ) vorgesehen ist, und dass konzentrisch zu dem Drehtisch (1 ) absenkbare Trägerelemente für den Halbleiterwafer (2 ) und exzentrisch gelagerte Anstellelemente (6 –9 ) angeordnet sind, die zur Zentrierung des Halbleiterwafers (2 ) mit einer definierten Kraft zueinander synchron rotierend gegen die Waferkante (10 ) schließen. - Vorrichtung nach Anspruch 6, bei der die Trägerelemente als Punktauflagen für den Halbleiterwafer (
2 ) ausgebildet sind. - Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern, wobei – der frontseitige Teil der Waferkante des Halbleiterwafers direkt von den Lichtquellen eines Beleuchtungssystems beleuchtet wird, – der rückseitige Teil der Waferkante gleichzeitig indirekt von den Lichtquellen über einen parallel zur Rückseite des Wafers angeordneten Planspiegel beleuchtet wird, – eine Bildaufnahme beider Kantenflächen simultan erfolgt, und – die Frontseite der Waferkante in direkter Kameraansicht und die Rückseite der Waferkante als Spiegelbild aufgenommen wird.
- Verfahren nach Anspruch 8, bei dem von den zur gleichen Kantenposition gehörigen simultan aufgenommenen Bildern die Bilder von der Frontseite benachbart zu den Bildern von der Rückseite abgebildet werden.
- Verfahren nach Anspruch 9, bei dem die bei rotierendem Halbleiterwafer entlang seines Umfanges simultan aufgenommenen Bilder der Kantenflächen in Teilstücke unterteilt und abgebildet werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003113202 DE10313202B3 (de) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2003113202 DE10313202B3 (de) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10313202B3 true DE10313202B3 (de) | 2004-10-28 |
Family
ID=33038750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2003113202 Expired - Fee Related DE10313202B3 (de) | 2003-03-21 | 2003-03-21 | Vorrichtung und Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10313202B3 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008001171A1 (de) | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Nanophotonics Ag | Inspektionssytem und -verfahren für die optische Untersuchung von Objektkanten, insbesondere von Waferkanten |
DE102008041135A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Nanophotonics Ag | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
WO2011006688A1 (de) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Hseb Dresden Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur kanten- und oberflächeninspektion |
US8089622B2 (en) | 2007-03-19 | 2012-01-03 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Device and method for evaluating defects in the edge area of a wafer and use of the device in inspection system for wafers |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19708582A1 (de) * | 1997-03-03 | 1998-09-10 | Bauer Ernst & Sohn Gmbh Co Kg | Qualitätskontrolle für Kunststeine |
DE19716468C2 (de) * | 1997-04-21 | 1999-07-08 | Autronic Bildverarbeitung | Einrichtung zur Oberflächeninspektion, insbesondere von Holz |
US5940174A (en) * | 1996-10-16 | 1999-08-17 | Wea Manufacturing Inc. | Optical disc inspection equalization system and method |
WO2002059960A1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Applied Vision Technology Co., Ltd. | Apparatus and method of inspecting semiconductor wafer |
-
2003
- 2003-03-21 DE DE2003113202 patent/DE10313202B3/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5940174A (en) * | 1996-10-16 | 1999-08-17 | Wea Manufacturing Inc. | Optical disc inspection equalization system and method |
DE19708582A1 (de) * | 1997-03-03 | 1998-09-10 | Bauer Ernst & Sohn Gmbh Co Kg | Qualitätskontrolle für Kunststeine |
DE19716468C2 (de) * | 1997-04-21 | 1999-07-08 | Autronic Bildverarbeitung | Einrichtung zur Oberflächeninspektion, insbesondere von Holz |
WO2002059960A1 (en) * | 2001-01-26 | 2002-08-01 | Applied Vision Technology Co., Ltd. | Apparatus and method of inspecting semiconductor wafer |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8089622B2 (en) | 2007-03-19 | 2012-01-03 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Device and method for evaluating defects in the edge area of a wafer and use of the device in inspection system for wafers |
DE102008001171A1 (de) | 2008-04-14 | 2009-10-22 | Nanophotonics Ag | Inspektionssytem und -verfahren für die optische Untersuchung von Objektkanten, insbesondere von Waferkanten |
DE102008001171B4 (de) * | 2008-04-14 | 2010-09-09 | Nanophotonics Ag | Inspektionssytem und -verfahren für die optische Untersuchung von Objektkanten, insbesondere von Waferkanten |
DE102008041135A1 (de) | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Nanophotonics Ag | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
DE102008041135B4 (de) * | 2008-08-08 | 2011-08-25 | NanoPhotonics AG, 55129 | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch |
WO2011006688A1 (de) * | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Hseb Dresden Gmbh | Vorrichtung und verfahren zur kanten- und oberflächeninspektion |
DE102009026186A1 (de) * | 2009-07-16 | 2011-01-27 | Hseb Dresden Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Kanten- und Oberflächeninspektion |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2251268B1 (de) | Vorrichtung zum Erkennen von Erhebungen und/oder Vertiefungen auf Flaschen, insbesondere in einer Etikettiermaschine | |
EP1386141B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur berührungsfreien untersuchung eines gegenstandes, insbesondere hinsichtlich dessen oberflächengestalt | |
EP1130384B1 (de) | Inspektionsmaschine | |
DE10222119B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Einstellen der relativen Lage zwischen einem zu bedruckenden Substrat und einem Druckmuster | |
DE102007024525B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Bewertung von Defekten am Randbereich eines Wafers | |
DE102007010225B4 (de) | Verfahren zur Aufnahme von hochauflösenden Bildern von Defekten auf der Oberseite des Waferrandes | |
DE69735943T2 (de) | Methode zum anordnen von bauteilen auf einem träger mit kalibrierungsverfahren und vorrichtung dafür | |
DE102004004761A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Inspektion eines Wafers | |
EP2511648B1 (de) | Messanordnung und Verfahren zur Bestimmung mindestens der Crimphöhe eines Leitercrimps | |
DE69907344T2 (de) | Automatische Einrichtung zum Nachweis von Druckfehlern zum Beispiel auf metallisiertes Bahnmaterial | |
DE19708582A1 (de) | Qualitätskontrolle für Kunststeine | |
DE102013111761B4 (de) | Verfahren und Scanner zum berührungslosen Ermitteln der Position und dreidimensionalen Form von Produkten auf einer laufenden Fläche | |
WO1989008836A1 (en) | Process for detecting faulty areas on pressed parts or other workpieces, and device for implementing the process | |
WO1998012543A1 (de) | Verfahren und anordnung zur automatischen optischen qualitätskontrolle von flachen, ebenen produkten | |
DE10313202B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Kanteninspektion an Halbleiterwafern | |
WO2007039559A1 (de) | Vorrichtung zur aufnahme von mehreren bildern von scheibenförmigen objekten | |
DE19838410A1 (de) | Montageplattform für transparentes Substrat, Kratzerinspektionsvorrichtung für transparentes Substrat, Vorrichtung und Verfahren für die Abschrägungsinspektion eines transparenten Substrats und Verfahren zur Inspektion eines transparenten Substrats | |
WO2015022271A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum erfassen von defekten einer ebenen oberfläche | |
EP2679339B1 (de) | Vorrichtung zur Abbildung und Überprüfung eines Fräsprofils sowie Verfahren zum Bestimmen von Korrekturwerten für Werkzeugpositionen bei einem Fräsvorgang | |
DE102021200617A1 (de) | Verfahren zum anpassen einer helligkeit einer beleuchtung in einer bearbeitungsvorrichtung | |
EP0538233A2 (de) | Anordnung zum Prüfen der Versiegelung von Isolierglasscheiben | |
DE10131665A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Inspektion des Randbereichs eines Halbleiterwafers | |
EP2545594B1 (de) | Prüfeinrichtung und ein prüfverfahren | |
DE102008041135B4 (de) | Inspektionsvorrichtung- und Verfahren für die optische Untersuchung von Objektoberflächen, insbesondere einer Wafernotch | |
DE69314129T2 (de) | Prüfsystem zur Kontrolle des Verlegens eines Bandes oder einer Schicht aus fluoreszierendem Material auf einem Metallstück |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8100 | Publication of the examined application without publication of unexamined application | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |