DE10245632A1 - Layered component with quantum well structure for yellow light emission, includes reflective layer which returns fraction of the light reflected from the exit structures, back to light exit structures, before it can return into active layer - Google Patents

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Abstract

Between active layer (4) and light exit structures (60), a reflective layer (70) intervenes. This has a number of beam windows (71). Through these, electromagnetic radiation produced in the active layer, reaches exit layer (6). The reflective layer returns a fraction of the light reflected from the exit structures, back to structures (60), before it can return into active layer (4). An Independent claim is included for the method of manufacture.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 und auf ein Verfahren zu dessen Herstellung.The invention relates to a Component emitting electromagnetic radiation according to the generic term of claim 1 and a method for its production.

Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein Bauelement zu schaffen, dessen Auskopplung des im Bauelement erzeugten Lichtes verbessert ist. Es soll ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Bauelements angegeben werden.The object of the invention is in creating a component, the coupling of which in the component generated light is improved. It's supposed to be a manufacturing process of such a component can be specified.

Diese Aufgabe wird durch ein Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 1 gelöst. Ein Verfahren zu dessen Herstellung ist in Anspruch 14 angegeben. Bevorzugte Weiterbildungen des Bauelements und des Verfahrens sind in den Ansprüchen 2 bis 13 und 15 bis 21 angegeben.This task is performed using a component solved the features of claim 1. A process for that Production is specified in claim 14. Preferred further training of the component and the method are in claims 2 to 13 and 15 to 21 indicated.

Die Erfindung eignet sich besonders bevorzugt für Bauelemente auf Basis von Phosphid-III-V-Verbindungshalbleitermaterial und hier insbesondere für solche, die im gelben Spektralbereich emittieren. Hierunter fallen vorliegend insbesondere solche Chips, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschicht, die in der Regel eine Schichtfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem Phosphid-III-V-Verbindungshalbleitermaterial-System InxAlyGal1–x–yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Die aktive Schicht kann hierbei beispielsweise einen herkömmlichen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfach-Quantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder eine Mehrfach-Quantentopfstruktur (MQW-Strukur) aufweisen.The invention is particularly preferably suitable for components based on phosphide III-V compound semiconductor material and here in particular for those which emit in the yellow spectral range. In the present case, this includes in particular those chips in which the epitaxially produced semiconductor layer, which generally has a layer sequence of different individual layers, contains at least one individual layer which contains a material from the phosphide-III-V compound semiconductor material system In x Al y Gal 1 –X – y P with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1. The active layer can have, for example, a conventional pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure).

Die erste Halbleiterschicht eines ersten Leitungstyps kann eine einzelne Schicht oder eine mehrere Schichten aufweisende Schichtenfolge sein. Das gleiche gilt für die zweite Halbleiterschicht eines zweiten Leitungstyps.The first semiconductor layer one The first line type can be a single layer or a multiple Layers have layers sequence. The same applies to the second Semiconductor layer of a second conductivity type.

Unter lateral ist im vorliegenden Zusammenhang lateral in Bezug auf die Schichtebenen der Halbleiterschichtfolge zu verstehen.Below is lateral in the present Relationship laterally with respect to the layer planes of the semiconductor layer sequence to understand.

Bei der erfindungsgemäßen Struktur eines Bauelements wird die in den Strahlungserzeugungszonen erzeugte Strahlung von dort isotrop ausgesandt. Der Teil der Strahlung, der nach Vorne ausgesandt wird, passiert zu einem großen Teil die partielle Spiegelschicht und wird dann entweder ausgekoppelt oder unter einem anderen Winkel von der Auskoppelstruktur reflektiert. Durch die partielle Spiegelschicht wird zumindest ein großer Teil dieser reflektierten Strahlung einfach oder mehrfach in der Strahlungsauskoppelschicht reflektiert, so dass die Auskoppelwahrscheinlichkeit, vor allem bei Strahlung im gelben Spektralbereich steigt. Bei gelbes Licht emittierenden Halbleiterchips wird gegenüber herkömmlichen Strukturen mit den erfindungsgemäßen Strukturen nahezu eine Verdoppelung der Helligkeit erreicht.In the structure according to the invention one component is the one generated in the radiation generation zones Radiation is emitted isotropically from there. The part of the radiation that sent out forward happens to a large extent the partial mirror layer and is then either coupled out or reflected from the decoupling structure at a different angle. At least a large part is due to the partial mirror layer this reflected radiation once or several times in the radiation coupling-out layer reflected, so the decoupling probability, especially with radiation in the yellow spectral range increases. With yellow light emitting semiconductor chips is compared to conventional structures with the structures according to the invention brightness almost doubled.

Besondere Vorteile, Ausführungsformen und Weiterbildungen ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 3 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Particular advantages, embodiments and further developments result from the following in connection with the 1 to 3 explained embodiments. Show it:

1 eine schematische Schnittdarstellung eines ersten Ausführungsbeispieles; 1 is a schematic sectional view of a first embodiment;

2 eine schematische Schnittdarstellung eines zweiten Ausführungsbeispieles, und 2 is a schematic sectional view of a second embodiment, and

3 eine schematische Schnittdarstellung eines dritten Ausführungsbeispieles. 3 is a schematic sectional view of a third embodiment.

Gleiche und gleichwirkende Bestandteile der verschiedenen Ausführungsbeispiele sind jeweils mit den gleichen Bezugszei chen versehen. Zu den Ausführungsbeispielen gemäß den 2 und 3 werden nur die Unterschied zum Ausführungsbeispiel gemäß 1 erläutert.Identical and equivalent components of the various exemplary embodiments are each provided with the same reference characters. To the embodiments according to the 2 and 3 only the difference to the embodiment according to 1 explained.

Bei dem Bauelement von 1 weist eine Schichtfolge 2 auf einem GaAs-Substrat 10, an dessen von der Schichtfolge 2 abgewandten Seite eine Kontaktschicht 11 angeordnet ist, eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht 4 auf, die zwischen einer ersten Schicht 3 eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Schicht 5 eines zweiten Leitungstyps angeordnet ist. Der zweiten Halbleiterschicht 5 ist gesehen von der aktiven Schicht 4 eine Strahlungsauskoppelschicht 6 mit dreidimensionalen Strahlungsauskoppelstrukturen 60 nachgeordnet. Die Strahlungsauskoppelstrukturen können alternativ in einer eigens dazu auf der Strahlungsauskoppelschicht 6 aufgebrachten Schicht 61 ausgebildet sein (2). In beiden Fällen sind sie beispielsweise mittels Ätzen oder mechanischem Bearbeiten, wie Sägen oder Schleifen, hergestellt.With the component from 1 has a layer sequence 2 on a GaAs substrate 10 , on which of the layer sequence 2 facing away from a contact layer 11 is arranged, an active layer generating electromagnetic radiation 4 on that between a first layer 3 a first conduction type and a second layer 5 a second conduction type is arranged. The second semiconductor layer 5 is seen from the active layer 4 a radiation decoupling layer 6 with three-dimensional radiation decoupling structures 60 downstream. The radiation decoupling structures can alternatively be in a specially for this on the radiation decoupling layer 6 applied layer 61 be trained ( 2 ). In both cases, they are produced, for example, by means of etching or mechanical processing, such as sawing or grinding.

Die erste Schicht 3 ist beispielsweise eine n-InGaAlP-Confinementschicht und die zweite Schicht 5 ist beispielsweise eine p-InGaAlP-Confinementschicht. Die aktive Schicht ist beispielsweise eine auf InGaAlP basierende Mehrfach-Quantentopfstruktur, die Licht aus dem gelben Spektralbereich erzeugt. Solche Strukturen sind dem Fachmann bekannt und werden von daher an dieser Stelle nicht näher erläutert.The first layer 3 is, for example, an n-InGaAlP confinement layer and the second layer 5 is for example a p-InGaAlP confinement layer. The active layer is, for example, a multiple quantum well structure based on InGaAlP, which generates light from the yellow spectral range. Such structures are known to the person skilled in the art and are therefore not explained in more detail here.

Die Strahlungsauskoppelschicht besteht beispielsweise aus GaP oder zu einem wesentlichen Bestandteil aus GaP.The radiation decoupling layer exists for example made of GaP or an essential component GaP.

Zwischen der aktiven Schicht 4 und den Strahlungsauskoppelstrukturen 60 ist eine Spiegelschicht 7 angeordnet, die eine Mehrzahl von Strahlungsfenstern 71 aufweist, durch die in der aktiven Schicht 4 erzeugte elektromagnetische Strahlung in die Strahlungsauskoppelschicht 6 gelangt. Die Spiegelschicht 7 reflektiert zumindest einen Teil derjenigen elektromagneti schen Strahlung, welche von den Strahlungsauskoppelstrukturen 60 in den Halbleiterchip 1 zurück reflektiert wird, wieder zu den Strahlungsauskoppelstrukturen 60 hin, bevor sie wieder in die aktive Schicht 4 eindringen würde.Between the active layer 4 and the radiation decoupling structures 60 is a mirror layer 7 arranged which a plurality of radiation windows 71 has through which in the active layer 4 generated electromagnetic radiation in the radiation decoupling layer 6 arrives. The mirror layer 7 reflects at least a portion of that electromagnetic radiation from the radiation decoupling structures 60 in the semiconductor chip 1 is reflected back, back to the radiation decoupling structures 60 before going back into the active layer 4 would penetrate.

Die aktive Schicht 4 weist eine Mehrzahl von voneinander beabstandeten Strahlungserzeugungszonen 41 auf, denen jeweils mindestens ein Strahlungsfenster 71 zugeordnet ist, das mit der zugehörigen Strahlungserzeugungszone 41 überlappt.The active layer 4 has a plurality of spaced-apart radiation generation zones 41 on which each have at least one radiation window 71 is assigned that with the associated radiation generation zone 41 overlaps.

Wie bei dem Ausführunsbeispiel von 1 zu erkennen ist jedem Strahlungsfenster 71 eine einzige Strahlungserzeugungszone 41 zugeordnet, deren laterale Ausdehnung im Wesentlichen auf das zugehörige Strahlungsfenster 71 begrenzt ist.As with the example of 1 you can see every radiation window 71 a single radiation generation zone 41 assigned, their lateral extent essentially to the associated radiation window 71 is limited.

Bei dem in 2 gezeigten Ausführungsbeispiel ist jedem Strahlungsfenster 71 eine einzige Strahlungserzeugungszone 41 zugeordnet, deren laterale Ausdehnung kleiner ist als die des zugeordneten Strahlungsfensters 71.At the in 2 The exemplary embodiment shown is each radiation window 71 a single radiation generation zone 41 assigned, whose lateral extent is smaller than that of the assigned radiation window 71 ,

Vorzugsweise sind die Ränder der Strahlungsfenster 71 jeweils gegenüber den Rändern der Strahlungserzeugungszonen 41 in lateraler Richtung zurückgezogen sind, derart, dass die Strahlungserzeugungszonen 41 jeweils kleiner sind als das jeweils zugeordnete Strahlungsfenster 71.The edges of the radiation windows are preferably 71 in each case opposite the edges of the radiation generation zones 41 are retracted in the lateral direction, such that the radiation generating zones 41 are each smaller than the respectively assigned radiation window 71 ,

Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass vor dem Aufbringen der Spiegelschicht 7 eine elektrisch leitend dotierte Schicht aufgebracht wird, deren elektrische Leitfähigkeit zur Ausbildung einer Stromblendenschicht 8 außerhalb von vorgesehenen Stromfenstern 81 beispielsweise mittels Ionenimplantation zerstört wird.This is achieved, for example, in that before the mirror layer is applied 7 an electrically conductive doped layer is applied, the electrical conductivity of which forms a current diaphragm layer 8th outside of designated power windows 81 is destroyed, for example by means of ion implantation.

Bei einer anderen Vorgehensweise wird vor dem Aufbringen der Spiegelschicht 7 eine elektrisch nicht leitende Schicht, insbesondere eine undotierte Halbleiterschicht aufgebracht, die zur Ausbildung der Stromblendenschicht 8 im Bereich der vor gesehenen Stromfenster 81 entfernt wird. In die entfernten Bereichen reicht dann die elektrisch leitende Auskoppelschicht 6 hinein. Man vergleiche hierzu die 3.Another procedure is before applying the mirror layer 7 an electrically non-conductive layer, in particular an undoped semiconductor layer, which is used to form the current diaphragm layer 8th in the area of the current window seen before 81 Will get removed. The electrically conductive coupling-out layer then extends into the removed areas 6 into it. Compare the 3 ,

Die Stromblendenschichten können alternativ auch auf der von der aktiven Schicht 4 abgewandten Seite der Spiegelschicht angeordnet sein. Die erstgenannte Alternative ist aber die bevorzugte Lösung.The current aperture layers can alternatively also be on the active layer 4 side of the mirror layer facing away. The former alternative is the preferred solution.

Bei einer anderen Alternative ist die Spiegelschicht 7 vertikal zur Spiegelschichtebene im Wesentlichen elektrisch isolierend oder zumindest schlecht elektrisch leitend, so dass die Strahlungsfenster 71 gleichzeitig als Stromfenster wirken und die Strahlungserzeugungszonen 41 definieren. Man vergleiche 1.Another alternative is the mirror layer 7 vertical to the mirror layer plane essentially electrically insulating or at least poorly electrically conductive, so that the radiation window 71 act simultaneously as a current window and the radiation generation zones 41 define. Compare 1 ,

Die Spiegelschicht 7 besteht in allen Fällen beispielsweise aus Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid.The mirror layer 7 in all cases consists of silicon oxide and / or silicon nitride, for example.

Bei einem Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips gemäß 1 wird nach einem epitaktischen Aufwachsen der ersten Schicht 3, der aktiven Schicht 4 und der zweiten Schicht 5 mittels MOVPE die Spiegelschicht 7 aufgebracht. Letzteres erfoglt beispielsweise mittels chemischer Dampfphasenabscheidung(CVD = Chemical Vapor Deposition) oder mittels Plasmaabscheidung (PVD = Plasma Vapor Deposition), Fototechnik und Naß- und/oder Trockenchemie. Nachfolgend wird vorzugsweise mittels MOVPE oder auch mittels eines anderen geeigneten Verfahrens die Strahlungsauskoppelschicht 6 mit dreidimensionalen Strahlungsauskoppelstrukturen 60 aufgebracht. Die Spiegelschicht ist hierbei beispielsweise eine partielle Siliziumoxidschicht und/oder Siliziumnitridschicht. Sie kann auch eine mit Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid beschichteter partieller Metallspiegel sein. Der Bedeckungsgrad ist vorzugsweise bei ca. 80%.According to a method for producing a semiconductor chip 1 becomes after an epitaxial growth of the first layer 3 , the active layer 4 and the second layer 5 with MOVPE the mirror layer 7 applied. The latter is carried out, for example, by means of chemical vapor deposition (CVD = Chemical Vapor Deposition) or by means of plasma deposition (PVD = Plasma Vapor Deposition), photographic technology and wet and / or dry chemistry. The radiation decoupling layer is then preferably made using MOVPE or another suitable method 6 with three-dimensional radiation decoupling structures 60 applied. The mirror layer is, for example, a partial silicon oxide layer and / or silicon nitride layer. It can also be a partial metal mirror coated with silicon oxide and / or silicon nitride. The degree of coverage is preferably around 80%.

Die Erfindung ist nicht auf Halbleiterchips eingeschränkt, sondern läßt sich überall dort vorteilhafte einsetzen, wo Licht ausgekoppelt werden muß und die oben dargelegten Probleme vorliegen. Denkbar ist beispielsweise der Einsatz auch bei organischen Leuchtdioden-Bauelementen.The invention is not limited to semiconductor chips, but rather can be anywhere use advantageous where light must be coupled and the Problems set out above exist. For example, it is conceivable the use also with organic light emitting diode components.

Claims (19)

Elektromagnetische Strahlung emittierendes Bauelement (1) mit einer Schichtfolge (2), – die eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Schicht (4) aufweist, – die aktive Schicht (4) zwischen einer ersten Schicht (3) eines ersten Leitungstyps und einer zweiten Schicht (5) eines zweiten Leitungstyps angeordnet ist, und – der zweiten Schicht (5) gesehen von der aktiven Schicht (4) eine Strahlungsauskoppelschicht (6) mit dreidimensionalen Strahlungsauskoppelstrukturen (60) nachgeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass – zwischen der aktiven Schicht (4) und den Strahlungsauskoppelstrukturen (60) eine Spiegelschicht (7) angeordnet ist, – die Spiegelschicht (7) eine Mehrzahl von Strahlungsfenstern (71) aufweist, durch die in der aktiven Schicht (4) erzeugte elektromagnetische Strahlung in die Strahlungsauskoppelschicht (6) gelangt, – die Spiegelschicht (7) zumindest einen Teil derjenigen elektromagnetischen Strahlung, welche von den Strahlungsauskoppelstrukturen (60) in das Bauelement (1) zurück reflektiert wird, wieder zu den Strahlungsauskoppelstrukturen (60) hin reflektiert, bevor er wieder in die aktive Schicht (4) eindringen würde.Component emitting electromagnetic radiation ( 1 ) with a layer sequence ( 2 ), - the active layer generating electromagnetic radiation ( 4 ), - the active layer ( 4 ) between a first layer ( 3 ) of a first line type and a second layer ( 5 ) of a second conduction type, and - the second layer ( 5 ) seen from the active layer ( 4 ) a radiation decoupling layer ( 6 ) with three-dimensional radiation decoupling structures ( 60 ) is subordinate, characterized in that - between the active layer ( 4 ) and the radiation decoupling structures ( 60 ) a mirror layer ( 7 ) is arranged, - the mirror layer ( 7 ) a plurality of radiation windows ( 71 ) through which in the active layer ( 4 ) generated electromagnetic radiation in the radiation decoupling layer ( 6 ) arrives, - the mirror layer ( 7 ) at least a portion of the electromagnetic radiation emitted by the radiation decoupling structures ( 60 ) in the component ( 1 ) is reflected back, back to the radiation decoupling structures ( 60 ) reflected before returning to the active layer ( 4 ) would penetrate. Bauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (4) eine Mehrzahl von voneinander beabstandeten Strahlungserzeugungszonen (41) aufweist, denen jeweils mindestens ein Strahlungsfenster (71) zugeordnet ist, das mit der zugehörigen Strahlungserzeugungszone (41) überlappt.Component according to claim 1, characterized in that the active layer ( 4 ) a plurality of spaced apart radiation generation zones ( 41 ), each of which has at least one radiation window ( 71 ) that is associated with the associated radiation generation zone ( 41 ) overlaps. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass jedem Strahlungsfenster (71) eine einzige Strahlungserzeu gungszone (41) zugeordnet ist, deren laterale Ausdehnung im Wesentlichen auf das zugehörige Strahlungsfenster (71) begrenzt ist.Component according to claim 2, characterized in that each radiation window ( 71 ) a single radiation generation zone ( 41 ) is assigned, the lateral extent of which essentially extends to the associated radiation window ( 71 ) is limited. Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß jedem Strahlungsfenster (71) eine einzige Strahlungserzeugungszone (41) zugeordnet ist, deren laterale Ausdehnung kleiner ist als die des zugeordneten Strahlungsfensters (71).Component according to Claim 2, characterized in that each radiation window ( 71 ) a single radiation generation zone ( 41 ) is assigned, the lateral extent of which is smaller than that of the assigned radiation window ( 71 ). Hableiterchip nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ränder der Strahlungsfenster (71) jeweils gegenüber den Rändern der Strahlungserzeugungszonen (41) in lateraler Richtung zurückgezogen sind, derart, dass die Strahlungserzeugungszonen (41) jeweils kleiner sind als das jeweils zugeordnete Strahlungsfenster (71).Semiconductor chip according to Claim 4, characterized in that the edges of the radiation windows ( 71 ) in each case opposite the edges of the radiation generation zones ( 41 ) are withdrawn in the lateral direction in such a way that the radiation generation zones ( 41 ) are smaller than the respective assigned radiation window ( 71 ). Bauelement nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (7) vertikal zur Spiegelschichtebene im Wesentlichen elektrisch isolierend oder zumindest schlecht elektrisch leitend ist, derart, dass die Strahlungsfenster (71) gleichzeitig als Stromfenster (73) wirken und die Strahlungserzeugungszonen (41) definieren.Component according to at least one of Claims 1 to 4, characterized in that the mirror layer ( 7 ) is essentially electrically insulating or at least poorly electrically conductive vertically to the mirror layer plane, such that the radiation windows ( 71 ) simultaneously as a current window ( 73 ) act and the radiation generation zones ( 41 ) define. Bauelement nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (7) Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid, insbesondere eine Siliziumoxidschicht und/oder eine Siliziumnitridschcht aufweist.Component according to claim 5 or 6, characterized in that the mirror layer ( 7 ) Has silicon oxide and / or silicon nitride, in particular a silicon oxide layer and / or a silicon nitride layer. Bauelement nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegelschicht (7) eine Stromblendenschicht (8) aufweist oder zwischen der Spiegelschicht (7) und der aktiven Schicht (4) eine Stromblendenschicht (8) angeordnet ist, die elek trisch isolierend oder schlecht elektrisch leitend ist und in den Bereichen der Stromfenster (81) eine demgegenüber erhöhte elektrische Leitfähigkeit oder Aussparungen aufweist.Component according to claim 6 or 7, characterized in that the mirror layer ( 7 ) a current aperture layer ( 8th ) or between the mirror layer ( 7 ) and the active layer ( 4 ) a current aperture layer ( 8th ) is arranged, which is electrically insulating or poorly electrically conductive and in the areas of the current window ( 81 ) has an increased electrical conductivity or recesses. Bauelement nach mindestens einem der vorherigen Ansprüche dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (4) eine auf Phophid-III-V-Verbindungshalbleitermaterial basierende Schicht aufweist.Component according to at least one of the preceding claims, characterized in that the active layer ( 4 ) has a layer based on Phophid-III-V compound semiconductor material. Bauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (4) eine auf InGaP, AlGaP oder InGaAlP basierende Schicht aufweist.Component according to claim 9, characterized in that the active layer ( 4 ) has a layer based on InGaP, AlGaP or InGaAlP. Bauelement nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass die aktive Schicht (4) Licht aus dem gelben Spektralbereich aussendet.Component according to claim 9 or 10, characterized in that the active layer ( 4 ) Emits light from the yellow spectral range. Verfahren zum Herstellen eines Bauelements nach Anspruch 10 oder 11, bei dem nach einem epitaktischen Aufwachsen der ersten Schicht (3), der aktiven Schicht (4) und der zweiten Schicht (5) die Spiegelschicht (7) aufgebracht wird und nachfolgend mittels Epitaxie die Strahlungsauskoppelschicht (6) mit dreidimensionalen Strahlungsauskoppelstrukturen (60) aufgebracht wird.A method of manufacturing a component according to claim 10 or 11, wherein after epitaxially growing the first layer ( 3 ), the active layer ( 4 ) and the second layer ( 5 ) the mirror layer ( 7 ) is applied and then the radiation decoupling layer (epitaxy) 6 ) with three-dimensional radiation decoupling structures ( 60 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Spiegelschicht (7) mittels chemischer Dampfphasenabscheidung (CVD = Chemical Vapor Deposition) oder mittels Plasmaabscheidung (PVD = Plasma Vapor Deposition), Fototechnik und Naß- und/oder Trokkenchemie hergestellt wird.The method of claim 12, wherein the mirror layer ( 7 ) by means of chemical vapor deposition (CVD = Chemical Vapor Deposition) or by means of plasma deposition (PVD = Plasma Vapor Deposition), photographic technology and wet and / or dry chemistry. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, bei dem die Spiegelschicht eine partielle Siliziumoxidschicht und/oder Siliziumnitridschicht ist.The method of claim 11 or 12, wherein the Mirror layer a partial silicon oxide layer and / or silicon nitride layer is. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, bei dem die Spiegelschicht eine mit Siliziumoxid und/oder Siliziumnitrid beschichteter partieller Metallspiegel ist.The method of claim 11 or 12, wherein the Mirror layer one coated with silicon oxide and / or silicon nitride partial metal mirror is. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, bei dem die Fensterschicht einen Bedeckungsgrad kleiner oder gleich 80% aufweist.Method according to one of claims 11 to 15, wherein the Window layer has a degree of coverage less than or equal to 80%. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16 unter Rückbezug auf einen der Ansprüche 9 bis 12, bei dem die Strahlungsauskoppelschicht aus GaP besteht oder zu einem wesentlichen Bestandteil aus GaP besteht.Method according to one of claims 11 to 16 with reference back to one of the claims 9 to 12, in which the radiation coupling-out layer consists of GaP or consists essentially of GaP. Verfahren nach Anspruch 12 zur Herstellung eines Bauelements nach Anspruch 8 oder nach einem auf Anspruch 8 zurückbezogenen Anspruch, bei dem vor oder nach dem Aufbringen der Spiegelschicht eine elektrisch leitend dotierte Schicht aufgebracht wird, deren elektrische Leitfähigkeit zur Ausbildung der Stromblendenschicht außerhalb der vorgesehenen Stromfenster zerstört wird.A method according to claim 12 for producing a Component according to claim 8 or according to one of claim 8 Claim in which before or after the application of the mirror layer an electrically conductive doped layer is applied, the electric conductivity to form the current aperture layer outside of the intended current window destroyed becomes. Verfahren nach Anspruch 12 zur Herstellung eines Bauelements nach Anspruch 8 oder nach einem auf Anspruch 8 zurückbezogenen Anspruch, bei dem vor oder nach dem Aufbringen der Spiegelschicht eine elektrisch nicht leitend Schicht, insbesondere eine undotierte Halbleiterschicht aufgebracht wird, die zur Ausbildung der Stromblendenschicht im Bereich der vorgesehenen Stromfenster entfernt wird.A method according to claim 12 for producing a Component according to claim 8 or according to one of claim 8 Claim in which before or after the application of the mirror layer an electrically non-conductive layer, in particular an undoped one Semiconductor layer is applied, which is used to form the current aperture layer is removed in the area of the intended power window.
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