DE10231194A1 - Lead frame for a sonde magnetic field sensor on a semiconductor chip reduces eddy current production by magnetic fields - Google Patents

Lead frame for a sonde magnetic field sensor on a semiconductor chip reduces eddy current production by magnetic fields

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DE10231194A1
DE10231194A1 DE2002131194 DE10231194A DE10231194A1 DE 10231194 A1 DE10231194 A1 DE 10231194A1 DE 2002131194 DE2002131194 DE 2002131194 DE 10231194 A DE10231194 A DE 10231194A DE 10231194 A1 DE10231194 A1 DE 10231194A1
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Abstract

A lead frame for a sonde magnetic field sensor (128) on a semiconductor chip (124) comprises a conductive chip island (110) to mount the chip and lead pins (116a-d) for connection to the chip. The chip island is so formed as to reduce eddy currents produced by the recorded magnetic field. Independent claims are also included for magnetic field sensors as above.

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Magnetfeldsensoren und spezieller auf Träger für Halbleiterchips mit einer Magnetfeldsonde. The present invention relates to magnetic field sensors and more particularly to a carrier for a semiconductor chip with a magnetic field probe.
  • Mageetfeldsensoren und insbesondere integrierte Magnetfeldsensoren werden heutzutage in vielen Bereichen eingesetzt. Mageetfeldsensoren and in particular integrated magnetic field sensors are used today in many areas. Ein solcher Magnetfeldsensor umfaßt typischerweise einen Halbleiterchip mit einer Magentfeldsonde, der auf einem sogenannten Anschlußleitungsrahmen (Leadframe) befestigt ist. Such a magnetic field sensor typically includes a semiconductor chip having a Magentfeldsonde, the so-called on a lead frame (lead frame) is fixed. Unter einem Anschlußleitungsrahmen ist eine Anordnung zu verstehen, die im wesentlichen aus einem Blättchen, das nachfolgend auch als eine Chipinsel bezeichnet wird, und Zuleitungen (Pins) bzw. Anschlußbeinchen besteht. Under a lead frame is to be understood an arrangement which consists essentially of a leaflet, which is also referred to as a chip island, and leads (pins) and connecting legs consists. Bei herkömmlichen Plastikgehäusen wird ein vereinzelter Chip auf dem Anschlußleitungsrahmen, d. In conventional plastic packages a singulated chip on the lead frame, d. h, genauer gesagt auf der Chipinsel, befestigt. h, more precisely on the chip island, attached. Die Zuleitungen sind typischerweise von der Chipinsel getrennt bzw. freigestanzt, wobei eine Massezuleitung zumeist auf der Chipinsel verbleibt. The leads are typically separated from the chip island or punched, wherein a ground lead mostly remains on the chip island.
  • Alle Teile des Anschlußleitungsrahmens hängen über einen äußeren Rahmen zusammen. All parts of the lead frame are related by an outer frame. Elektrische Verbindungen zwischen speziell dafür vorgesehenen Anschlußbereichen (Pads) am Chip und den jeweils zugeordneten Zuleitungen werden typischerweise mittels eines Bondens hergestellt, wobei ein feiner Draht meist unter Anwendung von Ultraschallenergie und erhöhter Temperatur zur Verbindung der Anschlußbereiche und Anschlußbeinchen angeschweißt wird. Electrical connections between specially designated terminal regions (pads) on the chip and the respectively associated cables are typically produced by a bonding, wherein a fine wire is welded usually under application of ultrasonic energy and elevated temperature to connect the terminal portions and terminal pins. Zur weiteren Herstellung wird die gesamte Anordnung mit einer Plastikvergußmasse umspritzt, so daß dieselbe weitgehend von Umwelteinflüssen geschützt ist. For further preparation, the entire assembly is molded with a Plastikvergußmasse, so that the same is largely protected from environmental influences. Nach dem Entfernen von Plastikgraten (Flashes) wird die integrierte Schaltung samt den Zuleitungen von dem äußeren Rahmen des Anschlußleitungsrahmens freigestanzt und verpackt. After removing Plastikgraten (flashes), the integrated circuit including the feed lines of the outer frame of the lead frame is punched out and packaged. Der Anschlußleitungsrahmen weist zumindest zwei Funktionen auf, indem zum einen die Lage der integrierten Schaltungen während des Umspritzens mit Plastikvergußmasse fixiert ist und zweitens die elektrischen Kontakte der integrierten Schaltungen nach außen geführt werden. The lead frame has at least two functions by the location of the integrated circuits is fixed during the insert molding with Plastikvergußmasse firstly and secondly, the electrical contacts of the integrated circuits are led to the outside. Daher sollte der Anschlußleitungsrahmen vorzugsweise gut leitfähig und eine gute Lötbarkeit aufweisen. Therefore, the lead frame should preferably be highly conductive and have good solderability. Im Stand der Technik weist der Anschlußleitungsrahmen typischerweise eine Kupferlegierung auf. In the prior art typically has the lead frame on a copper alloy.
  • Die oben beschriebenen Magnetfeldsensoren werden heutzutage zunehmend zur Erfassung immer höherer Frequenzen verwendet. The magnetic field sensors described above are increasingly used these days to record ever higher frequencies. Schaltsensoren für Antiblockiersysteme (ABS), Kurbel- oder Nockenwelle erfassen Magnetpulse bis etwa 10 kHz, wobei es mittelfristig vorgesehen ist, Zählraten von 50 kHz zu erreichen. Switch sensors for anti-lock braking systems (ABS), crankshaft or camshaft detect magnetic pulses to about 10 kHz, which is the medium provided to achieve count rates of 50 kHz. Bei linearen integrierten Hallsensoren, die beispielsweise für eine elektronische Ventilsteuerung (EVALVE-Steuerungen) oder für eine berührungslose Messung von Strom vorgesehen sind, ist es ebenso wünschenswert, ähnlich hohe Frequenzen exakt zu erfassen. For linear integrated Hall sensors, which are provided for example for an electronic valve timing (eValve controls) or for a non-contact measurement of current, it is also desirable to detect similarly high frequencies exactly.
  • Für hohe Frequenzen, dh über einer Frequenz von etwa 1 kHz, der zu messenden Magnetfelder bilden sich bei integrierten Hallsonden in allen leitfähigen Schichten der integrierten Schaltung, insbesondere im Siliziumsubstrat und im Anschlußleitungsrahmen, Wirbelströme aus. For high frequencies, ie a frequency of about 1 kHz, of the measured magnetic fields are formed from in integrated Hall sensors in all the conductive layers of the integrated circuit, particularly in the silicon substrate and the lead frame, eddy currents.
  • Die durch das angelegtes Hochfrequenz-Magnetfeld hervorgerufenen Wirbelströme erzeugen selbst wieder ein sekundäres Magnetfeld, das sich dem zu messenden Magnetfeld überlagert und einen dynamischen Fehler erzeugt. The caused by the applied radio frequency magnetic field, eddy currents themselves produce a secondary magnetic field again that the superimposed magnetic field to be measured and generates a dynamic error.
  • Die oben beschriebene Beeinträchtigung kann als eine Spezialität von integrierten Magnetfeldsensoren angesehen werden, wobei unter Magnetfeldsensoren sämtliche Sensoren zu verstehen sind, die für ihre Funktion oder die Erweiterung ihrer Funktion ein Magnetfeld messen. The drawback described above can be considered as a specialty of integrated magnetic field sensors, wherein all of the sensors are to be understood by magnetic field sensors to measure a magnetic field for its operation or the expansion of their function. Insbesondere umfassen Magnetfeldsensoren auch Stromsensoren, die einen Strom aufgrund des Magnetfelds, das von diesem erzeugt wird, messen, oder Positionssensoren, die die Position eines Elements über ein von der Position abhängiges Magnetfeld messen. In particular, magnetic field sensors comprise current sensors, which measure a current due to the magnetic field generated by this, or position sensors which measure the position of an element of a position dependent magnetic field. Ferner können Magnetfeldsensoren auch eine Vorrichtung umfassen, die bei einer potentialfreien Datenübertragung mittels eines Magnetfelds verwendet wird, wobei Daten eines ersten Schaltkreises als Strom ein Magnetfeld erzeugen und von einem zum ersten Schaltkreis potentialfreien zweiten Schaltkreis erfaßt werden. Further, magnetic field sensors may also comprise a device that is used in a potential-free data transmission by means of a magnetic field, wherein data of a first circuit generating a current, a magnetic field and are detected by a potential-free to the first circuit second circuit. Dies kann als das magnetische Analogon zum Optokoppler angesehen werden. This can be considered the magnetic analog of the optocoupler.
  • Magnetfeldsensoren können beispielsweise integrierte Hallsonden sein, die auf Magnetfeldkomponenten senkrecht zur Chipoberfläche reagieren, wie beispielsweise MAGFETs. Magnetic field sensors, for example, be integrated Hall sensors that react to magnetic field components perpendicular to the chip surface, such as MAGFETs. Ferner können Magnetfeldsensoren auch Sensoren umfassen, die empfindlich auf Feldkomponenten parallel zur Chipoberfläche sind, wie beispielsweise GMR-Sensoren (Giant-magnetoresistive-Sensoren). Further magnetic field sensors can also include sensors that are sensitive parallel to the chip surface to field components such as GMR sensors (giant magnetoresistive sensors).
  • Derzeit ist es für spezielle Anwendungen zur Vermeidung von Wirbelstromeinflüssen bekannt, Gehäuseformen aus nichtmagnetischer Keramik vorzusehen, auf denen lediglich minimale Leiterbahnstrukturen aufgebracht sind. Currently, it is known for special applications to avoid eddy current influences to provide housing forms from non-magnetic ceramic, are applied to which only minimal interconnect structures. Dabei wird der Chip direkt auf das Keramiksubstrat geklebt, so daß aufgrund der kleinen Leiterbahnen lediglich geringe Wirbelstromeinflüsse auftreten können. In this case, the chip is bonded directly to the ceramic substrate, so that due to the small conductor tracks, small eddy current effects occur only. Nachteilig dabei ist, daß ein derartiges Gehäuse sehr kostenaufwendig ist, was insbesondere bei einer Massenproduktion von entscheidender Bedeutung sein kann. it is disadvantageous that such housing is very expensive, which can in particular be in mass production is crucial. Folglich werden diese Gehäuse lediglich für spezielle Anwendungen verwendet, wobei ein Keramikgehäuse für hochvolumige Produkte mit niedrigem Preis ökonomisch nicht vertretbar ist. Consequently, these housings are used only for special applications, where a ceramic package for high-volume products with low price is not justifiable economically.
  • Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Konzept zu schaffen, um einen kostengünstigen Magnetfeldsensor zur genauen Erfassung von Hochfrequenz-Magnetfeldern zu ermöglichen. The object of the present invention is to provide a concept to allow for a low cost magnetic field sensor for accurate detection of high-frequency magnetic fields.
  • Diese Aufgabe wird durch einen Anschlußleitrahmen gemäß Anspruch 1, einen Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15 und einen Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 20 gelöst. This object is achieved by a Anschlußleitrahmen according to claim 1, a magnetic field sensor according to claim 15 and a magnetic field sensor according to claim 20th
  • Die vorliegende Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß ein kostengünstiger und hochfrequenztauglicher Magnetfeldsensor dadurch realisiert werden kann, daß bei dem Magnetfeldsensor ein Chip-Träger verwendet werden kann, der aus einem leitfähigen Material gebildet ist, das im Gegensatz zu dem im Stand der Technik verwendeten Keramikmaterial preisgünstig ist, sofern Maßnahmen an dem Träger und/oder dem Magnetfeldsensor getroffen werden, um einen Wirbelstrom zu unterdrücken. The present invention is based on the recognition that a low-cost and high-frequency-compatible magnetic sensor can be realized in that in the magnetic field sensor, a chip carrier may be used which is formed of a conductive material which, in contrast to that used in the prior art ceramic material is inexpensive, provided measures to the support and / or the magnetic field sensor are made to suppress an eddy current.
  • Zum Reduzieren eines Einflusses der Wirbelströme weist der Träger für den Chip ein zusätzliches Merkmal auf, durch das ein durch die Wirbelströme hervorgerufenes Magnetfeld am Ort der Sonde geringer ist als bei dem Träger, der dieses zusätzliches Merkmal nicht aufweist. To reduce an influence of the eddy currents, the carrier for the chip to an additional feature by which an evoked by the eddy currents magnetic field at the probe location is less than the carrier, which does not have this additional feature. Dabei kann sowohl ein Einfluß von Magnetfeldkomponenten senkrecht zu der Chipoberfläche eines anzubringenden Chips als auch ein Einfluß einer Magnetfeldkomponente parallel zu der Chipoberfläche reduziert werden. Both an influence of magnetic field components can be reduced perpendicular to the chip surface of a chip to be mounted and an influence of a magnetic field component parallel to the chip surface.
  • Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, daß bei einer Herstellung die im Stand der Technik bekannten Herstellungsschritte und Einrichtungen verwendet werden können, wobei lediglich geringfügige zusätzliche Schritte, beispielsweise zum Erzeugen von Ausnehmungen in dem Träger, notwendig sind. An advantage of the present invention is that known in the prior art manufacturing steps and devices can be used in manufacture, with only slight additional steps, for example for generating recesses in the support, are necessary. Dadurch werden ein schneller Anlauf einer Produktion und geringe Kosten bei der Herstellung erreicht. Thus enabling quick startup of a production and low cost are achieved in manufacturing.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel ist der Träger ein Anschlußleitungsrahmen, bei dem eine Chipinsel eine oder mehrere Ausnehmungen aufweist. In one embodiment, the carrier is a lead frame in which a chip island has one or more recesses. Eine Ausnehmung kann beispielsweise mittig auf der Chipinsel angeordnet sein, so daß in einem Bereich der Chipinsel, auf dem ein Chip befestigt wird, keine Wirbelströme auftreten können. A recess may be arranged for example centrally on the chip island, so that may occur in a region on which a chip is attached to the chip island, no eddy currents. Das Erzeugen einer solchen Ausneh mung kann auf eine einfache Weise erreicht werden, wodurch die Herstellungskosten gering gehalten werden können. The generation of such Ausneh mung can be achieved in a simple manner, whereby the manufacturing cost can be kept low. Ferner kann der Anschlußleitungsrahmen ein kostengünstiges Material, wie beispielsweise Kupfer oder eine Kupferlegierung, aufweisen. Further, the lead frame may be a low cost material, such as copper or a copper alloy, having.
  • Ferner kann bei einem Ausführungsbeispiel eine oder mehrere längliche Ausnehmungen bzw. Schlitze auf der Chipinsel vorgesehen sein, die den Träger vollständig durchtrennen können, von einem seitlichen Umfang in den Träger hineinführen können, oder in einem Bereich innerhalb des Trägers angeordnet sein können. Further, in one embodiment, one or more elongated recesses or slots may be provided on the chip island, which may completely sever the carrier, can in result of a lateral extent in the carrier or may be disposed in a region within the carrier. Ferner können auf einer Chipinsel mehrere unterschiedliche Ausnehmungen vorgesehen sein, um eine Struktur zur Reduzierung eines Wirbelstroms zu bilden. Further, a plurality of different recesses may be provided in order to form a structure for reducing an eddy current on a chip island. Beispielsweise kann zusätzlich zu einer mittig angeordneten großflächigen Ausnehmung mehrere längliche Ausnehmungen vorgesehen sein, die mit der großflächigen Ausnehmung verbunden sein können. For example, a plurality of elongated recesses may be provided in addition to a centrally arranged large-surface recess which can be connected to the large-scale recess. Bei einem Ausführungsbeispiel kann die Chipinsel eine Ausnehmung mit einem konvexen Umfang aufweisen, die beispielsweise durch eine erste Ausnehmung in der Mitte des Trägers, die beispielsweise ein Loch oder eine quadratische Ausnehmung umfassen kann, und länglichen Ausnehmungen gebildet wird, die sich von der ersten Ausnehmung in Richtung zu dem seitlichen Umfang des Trägers hin erstrecken. In one embodiment, the chip island may have a recess having a convex periphery, which is formed for example by a first recess in the center of the carrier, which may comprise, for example, a hole or a square recess and elongate recesses extending from the first recess in extend toward the peripheral side of the wearer. Dies weist den Vorteil auf, daß ein hoher Grad einer Unterdrückung von Wirbelströmen erreicht wird, wobei dennoch eine große mechanische Stabilität erreicht werden kann. This has the advantage that a high degree of rejection is achieved by eddy currents while still providing a large mechanical stability can be achieved.
  • Vorzugsweise werden die länglichen Ausnehmungen angeordnet, um eine symmetrische Unterteilung des Trägers zu erreichen, wodurch der Einfluß aufgrund von Wirbelströmen auf eine effektive Weise reduziert wird. Preferably, the elongate recesses are arranged to obtain a symmetrical dividing of the carrier, whereby the influence due to eddy currents is reduced in an effective manner.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel können die länglichen Ausnehmungen ferner derart angeordnet sein, daß sich eine mäanderförmige Struktur in einem Bereich des Trägers ergibt. In one embodiment, the elongate recesses may also be arranged such that there is a meandering structure in a region of the wearer. Vorzugsweise wird dieser Bereich dort gewählt, wo die Magnet feldsonde angeordnet werden soll. Preferably, this range is selected, where the magnetic field probe is to be disposed. Das Vorsehen einer mäanderförmigen Struktur ermöglicht, daß ein Chip lediglich auf den dünn ausgebildeten Balken der Mäanderstruktur angeordnet werden kann, wodurch sich eine Verbesserung der mechanischen Zuverlässigkeit ergibt. The provision of a meander-shaped structure allows a chip can be placed on the thinly formed bar of the meander pattern only, resulting in an improvement in mechanical reliability.
  • Der Anschlußleitungsrahmen kann ferner zur Reduzierung der Wirbelströme ein schlecht leitendes Material aufweisen. The lead frame may have a poorly conductive material further to reduce the eddy currents. Der Bereich der Leitfähigkeit umfaßt vorzugsweise einen Bereich, dessen untere Grenze durch die Eigenleitfähigkeit des Halbleitermaterials des auf dem Anschlußleitungsrahmen angeordneten Chips und dessen obere Grenze durch die Leitfähigkeit von Kupfer oder einer Kupferlegierung gegeben ist. The range of the conductivity preferably comprises a range whose lower limit is given by the intrinsic conductivity of the semiconductor material of which is arranged on the lead frame chips, and the upper limit by the conductivity of copper or a copper alloy. Beispielsweise kann ein spezifischer Widerstand des Anschlußleitungsrahmens höher als eine für Halbleiter typische Eigenleitfähigkeit von 10 –3 Ωcm sein. For example, a specific resistance of the lead frame may be higher than for a typical semiconductor intrinsic conductivity of 10 -3 ohm-cm. Bei einem Ausführungsbeispiel kann auch lediglich die Chipinsel ein schlecht leitendes Material aufweisen, so daß die restlichen Elemente des Anschlußleitungsrahmens, und insbesondere die Zuleitungen, eine hohe Leitfähigkeit aufweisen können. In one embodiment, also only the chip island may comprise a poorly conducting material so that the remaining elements of the lead frame, and, in particular, the leads can have a high conductivity.
  • Ferner kann zur Reduzierung der Wirbelströme der Träger für den Chip eine geringere Dicke als im Stand der Technik, beispielsweise geringer als 200 μm, aufweisen. Further, to reduce the eddy currents, the carrier for the chip may have a smaller thickness than in the prior art, for example less than 200 microns, have. Vorzugsweise kann auch eine Dicke der Chipinsel geringer als eine Dicke der Zuleitungen sein. Preferably, a thickness of the chip island may be less than a thickness of the leads. Dadurch wird ermöglicht, daß der Träger einen hohen ohmschen Widerstand aufweist, während der elektrische Widerstand der Zuleitungen gering gehalten ist. This makes it possible that the carrier has a high ohmic resistance, while the electrical resistance of the supply lines is kept small.
  • Eine weitere Möglichkeit einer Reduzierung des Einflusses von Wirbelströmen kann bei einem Ausführungsbeispiel erreicht werden, indem der Chip mit der Magnetfeldsonde auf der Chipinsel exzentrisch angeordnet ist. A further possibility of reducing the influence of eddy currents can be achieved in one embodiment by the chip is arranged eccentrically to the magnetic field sensor on the chip island. Vorzugsweise wird die Sonde dabei in einer Position nahe an dem seitlichem Rand des Trägers angeordnet, bei der der Verlauf eines durch die Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds einen Nulldurchgang auf weist. Preferably, the probe is disposed in a position close to the lateral edge of the carrier, in which the course of the eddy currents induced by the magnetic field passes through zero at points. Dies ermöglicht eine wirksame und sehr kostengünstige Reduzierung der Wirbelstromeinflüsse auf die Magnetfeldsonde. This allows an effective and very cost reduction of eddy current effects on the magnetic field probe.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel eines Magnetfeldsensors gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Träger für den Chip ein Zwischensubstrat oder eine Schaltungsplatine umfassen, wobei der Chip mit der Magnetfeldsonde mittels einem oder mehreren Höckern auf dem Substrat oder der Schaltungsplatine befestigbar ist. In one embodiment, a magnetic field sensor according to the present invention, the carrier may include an intermediate for the chip substrate or a circuit board, wherein the chip with the magnetic field probe with one or more protuberances can be fastened on the substrate or the circuit board. Die Höcker ermöglichen sowohl die mechanische Befestigung des Chips auf dem Zwischensubstrat oder der Schaltungsplatine als auch ein elektrisches Verbinden von Anschlußflächen des Chips mit jeweils zugeordneten Anschlußbereichen des Substrats. The bumps provide both mechanical fixation of the chip on the intermediate substrate or the circuit board and an electrical connecting terminal areas of the chip, each with associated connecting portions of the substrate.
  • Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Preferred embodiments of the present invention are explained in detail below with reference to the accompanying drawings. Es zeigen: Show it:
  • 1a 1a eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Chipinsel eine kreisrunde Ausnehmung aufweist; a schematic representation of a lead frame according to an embodiment of the present invention, in which a die pad has a circular recess;
  • 1b 1b eine schematische Querschnittdarstellung des Anschlußleitungsrahmens gemäß a schematic cross-sectional view of the lead frame according to 1a 1a ; ;
  • 2 2 ein Schaubild zur Darstellung eines Verlaufs eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds in einem kreisrunden Träger; a diagram showing a waveform of a magnetic field caused by eddy currents in a circular carrier;
  • 3 3 ein weiteres Schaubild zur Darstellung eines Verlaufs eines durch Wirbelströme in einem kreisrunden Träger hervorgerufenen Magnetfelds; another diagram for illustrating a course of an induced eddy currents in a circular carrier magnetic field;
  • 4 4 ein Schaubild zur Darstellung eines Verlaufs eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds in einem ringförmig ausgebildeten Träger; a diagram showing a waveform of a caused by eddy currents magnetic field in a ring-shaped support;
  • 5 5 eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Chipinsel eine kreisrunde Ausnehmung mit radial angeordneten Schlitzen aufweist; a schematic representation of a lead frame according to an embodiment of the present invention, in which a die pad has a circular recess having radially disposed slots;
  • 6 6 eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine Chipinsel einen mäanderförmig ausgebildeten Bereich aufweist; a schematic representation of a lead frame according to another embodiment of the present invention, in which a die pad having a meander shaped portion;
  • 7 7 eine schematische Darstellung eines Anschlußleitungsrahmens gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung, bei dem eine auf einem Chip angeordnete Sonde bezüglich der Chipinsel exzentrisch angeordnet ist, wobei die Chipinsel ferner seitliche Ausnehmungen und rechtwinklig dazu angeordnete horizontale Schlitze aufweist; a schematic representation of a lead frame according to another embodiment in which a arranged on a chip probe with respect to the chip island is eccentrically arranged, wherein the chip island further comprises lateral recesses and arranged at right angles to horizontal slots of the present invention;
  • 8a 8a eine schematische Darstellung eines weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung, bei der Höcker zur Verbindung des Chips mit einem Träger vorgesehen sind; a schematic representation of another embodiment of the present invention are provided in the bumps for connecting the chip to a carrier;
  • 8b 8b eine schematische Querschnittdarstellung des Ausführungsbeispiels von a schematic cross-sectional view of the embodiment of 8a 8a ; ; und and
  • 9 9 ein Schaubild, bei dem ein Verlauf eines durch Wirbelströme in Höckern hervorgerufenen Magnetfelds in Abhängigkeit von einer Entfernung zu den Höckern dargestellt ist. a graph in which a course of induced eddy currents in the magnetic field cusps is shown as a function of a distance to the bumps.
  • Im folgenden wird unter Bezugnahme auf In the following, with reference to 1a 1a ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt. An embodiment of the present invention will be explained. 1a 1a zeigt einen Anschlußleitungsrahmen shows a lead frame 100 100 , der eine Chipinsel Having a chip island 110 110 aufweist, die über zwei seitlich an der Chipinsel which are connected via two laterally on the chip island 110 110 angeordnete Stege webs arranged 112a 112a und and 112b 112b mit einem Außenrahmen with an outer frame 114 114 des Anschlußleitungsrahmens of the lead frame 110 110 verbunden sind. are connected. Ferner weist der Anschlußleitungsrahmen Zuleitungen (Pins) Further, the lead frame leads (pins) 116a 116a - d d auf, die an einer Innenseite des Außenrahmens in that on an inner side of the outer frame 114 114 angeordnet sind. are arranged. Die Zuleitungen erstrecken sich von der Innenseite des Außenrahmens The leads extend from the inside of the outer frame 114 114 zu der Chipinsel to the chip island 110 110 hin, wobei ein Ende der Zuleitung out, one end of the lead 116a 116a , die als Massezuleitung verwendbar ist, mit der Chipinsel Which is useful as a ground lead, with the chip island 110 110 verbunden ist. connected is. Der Anschlußleitungsrahmen ist leitfähig ausgebildet und weist vorzugsweise ein Metall, wie beispielsweise Kupfer, auf, das einerseits preisgünstig ist, und andererseits eine gute elektrische Leitfähigkeit der Zuleitungen und eine Wärmeankopplung eines auf der Chipinsel The lead frame is formed conductive and preferably comprises a metal such as copper, on the one hand is inexpensive, and on the other hand a good electrical conductivity of the leads and a thermal coupling of a on the chip island 110 110 aufzubringenden Chips ermöglicht. applied chips possible. Wie es weiter unten näher erklärt wird, kann bei einem Ausführungsbeispiel der Anschlußleitungsrahmen unterschiedliche Materialien aufweisen, um für Teile desselben unterschiedliche Leitfähigkeit bereitzustellen. As will be explained in more detail below, may have different materials in one embodiment of the lead frame to provide for parts of the same of different conductivity.
  • Wie es in As shown in 1a 1a gezeigt ist, sind bei den Zuleitungen is shown, with the feed lines 116a 116a - d d Trennbereiche separating regions 118a 118a - d d vorgesehen, in denen die Zuleitungen provided in which the leads 116a 116a - d d durchtrennt werden können, um nach einer Befestigung des Chips auf der Chipinsel can be severed in order for a mounting of the chip on the chip island 110 110 und einem Vergießen der Anordnung die Chipinsel and a casting of the arrangement, the chip island 110 110 mit dem darauf befestigten Chip und die Zuleitungen with the chip and the leads mounted thereon 116a 116a - d d von dem Außenrahmen of the outer frame 114 114 abzutrennen. separate. Ferner sind bei den Stegen Further, in the webs 112a 112a und and 112b 112b Trennbereiche separating regions 120a 120a und and 120b 120b zum Abtrennen der Chipinsel for separating the chip island 110 110 von dem Außenrahmen of the outer frame 114 114 vorgesehen. intended.
  • Gemäß According to 1a 1a weist die Chipinsel , the chip island 110 110 ferner einen Chipaufnahmebereich Further, a chip receiving area 122 122 auf, auf dem ein Chip , on which a chip 124 124 mit einer Sonde with a probe 128 128 befestigbar ist. can be attached. Der Chip the chip 124 124 kann jeden bekannten Magnetfeldsensorchip umfassen und beispielsweise als Material Silizium aufweisen. may comprise any known magnetic field sensor chip and have, for example as the material silicon. Bei den beschriebenen Ausführungsbeispie len weist der Chip In the described Ausführungsbeispie len, the chip 124 124 eine quadratische Form auf, wobei derselbe jedoch nicht darauf beschränkt ist und jede andere Form umfassen kann. a square shape, however, the same is not limited thereto and any other form may include. Wie es ferner in Further, as in 1a 1a zu erkennen ist, weist der Chip It can be seen, the chip 124 124 eine Anschlußfläche a pad 134 134 auf, die über einen Draht , which via a wire 136 136 mit der Zuleitung to the lead 116b 116b verbunden ist. connected is. Obwohl in Although in 1a 1a lediglich eine Anschlußfläche gezeigt ist, weist der Chip only a pad is shown, the chip 124 124 typischerweise mehrere Anschlußflächen auf, die jeweils mit den zugeordneten Zuleitungen verbunden sind. typically several connecting areas, which are respectively connected to the associated leads.
  • Zur erfindungsgemäßen Reduzierung von Wirbelstromeinflüssen weist die Chipinsel For the novel reduce eddy current influences, the chip island 110 110 eine Ausnehmung a recess 126 126 auf, die bei diesem Ausführungsbeispiel ein kreisrundes Loch umfaßt. , which comprises a circular hole in this embodiment. Die Lage und der Durchmesser der Ausnehmung The position and the diameter of the recess 126 126 ist bei diesem Ausführungsbeispiel so gewählt, daß der Umfang der Ausnehmung is in this embodiment chosen so that the periphery of the recess 126 126 den Rand des Chipaufnahmebereichs the edge of the chip receiving area 122 122 berührt. touched. Dadurch entstehen in dem Chipaufnahmebereich This results in the chip receiving area 122 122 vier Segmente, die nach einem Befestigen des Chips four segments, for a fastening of the chip 124 124 denselben tragen. have the same. Zum Befestigen des Chips kann ein Haftmittel, wie beispielsweise ein Kleber, verwendet werden, das als Klebepunkte To attach the chip may be an adhesive, such as glue, are used as the adhesive dots 132 132 punktförmig in den jeweiligen Segmenten des Chipaufnahmebereichs point-shaped in the respective segments of the chip receiving area 122 122 aufgebracht wird. is applied. Bei dem gezeigten Ausführungsbeispiel wird die kreisrunde Ausnehmung In the illustrated embodiment, the circular recess 126 126 aus der Mitte der Chipinsel from the center of the chip island 110 110 herausgestanzt, wobei jedes bekannte Verfahren, wie beispielsweise ein Ätzen, zum Erzeugen der Ausnehmung verwendet werden kann. punched, and any known method such as etching can be used to produce the recess.
  • Der Chip the chip 124 124 wird vorzugsweise bezüglich der kreisrunden Ausnehmung is preferably relative to the circular recess 126 126 derart plaziert, daß eine auf dem Chip placed such that an on-chip 124 124 angeordnete Magnetfeldsonde direkt über dem Mittelpunkt der kreisrunden Ausnehmung arranged magnetic field probe right above the midpoint of the circular recess 126 126 angeordnet ist. is arranged. Dadurch ist der Sensor maximal weit von dem umgebenden leitfähigen Material entfernt. Thus, the sensor is maximum far away from the surrounding conductive material. Dies ermöglicht, daß die Magnetfeldsonde eine minimale Beeinflussung durch Wirbelströme This allows the magnetic field probe minimal influence by eddy currents 130 130 erfährt, die in der Chipinsel learns that in the chip island 110 110 aufgrund eines zu messenden Magnetfelds erzeugt werden. be generated due to a magnetic field to be measured.
  • Obwohl die Ausnehmung Although the recess 126 126 bei diesem Ausführungsbeispiel eine kreisrunde Form aufweist, kann dieselbe auch andere Formen, beispielsweise ein rechteckige Form, aufweisen. in this embodiment has a circular shape, may have the same other shapes such as a rectangular shape, having. Dabei ist zu beachten, daß auf der Chipinsel It should be noted that on the chip island 110 110 genügend Platz verbleibt, um den Chip enough space is left around the chip 124 124 an seinen Ecken an die Chipinsel at its corners to the chip island 110 110 zu kleben, ohne daß ein Kleber von der Chipunterseite hervorquillt. to bond without an adhesive oozes from the chip bottom. Bei anderen Ausführungsbeispielen kann auch eine kreisrunde Ausnehmung In other embodiments, a circular recess can 126 126 mit einem Durchmesser vorgesehen sein, der kleiner als eine Breite des Chips be provided with a diameter which is smaller than a width of the chip 124 124 ist, um das Hervorquellen des Klebers zu vermeiden. is to avoid the emergence sources of the adhesive.
  • Da die Chipinsel Since the chip island 110 110 rund um den Chip herum geschlossen ist, können sich in der Chipinsel is closed around around the chip can be located in the chip island 110 110 Wirbelstromschleifen Eddy current loops 130 130 zwar ausbilden, wodurch zwar ein sekundäres Magnetfeld erzeugt wird, das jedoch geringer als ein durch Wirbelströme erzeugtes Magnetfeld ist, das sich für den Fall einer Chipinsel ohne Ausnehmung ergibt. indeed form whereby while a secondary magnetic field is generated which is however smaller than a signal generated by eddy currents magnetic field that arises for the case of a chip island without recess. Da der Chip eine endliche Dicke von beispielsweise bis zu 0,7 mm aufweisen kann, sind prinzipiell auch Feldkomponenten parallel zur Chipoberfläche vorhanden, die kleiner als jene senkrecht zur Chipoberfläche sind. Since the chip may have a finite thickness, for example up to 0.7 mm, are in principle also field components parallel to the chip surface present which are smaller than those perpendicular to the chip surface. Diese können Sensoren, die empfindlich auf Feldkomponenten parallel zur Chipoberfläche sind, wie beispielsweise GMR-Sensoren (GMR-Sensor = Giant-magneto-resistiver Sensor), beeinflussen. These can be sensors that are parallel to the chip surface sensitive to field components such as GMR sensors affect (GMR sensor = Giant magneto-resistive sensor). Auch für diese Sensoren wird erfindungsgemäß durch das Reduzieren der Wirbelströme eine Verminderung der Beeinflussung gegenüber einer bekannten Chipinsel erreicht. Even for these sensors is inventively achieved by reducing the eddy currents, a reduction of interference against a known chip island. Folglich stellt die in der Chipinsel Consequently, in the chip island 110 110 bereitgestellte Ausnehmung provided recess 126 126 ein konstruktives Merkmal zum Reduzieren eines Einflusses der Wirbelströme auf die Magnetfeldsonde a design feature to reduce an influence of the eddy currents on the magnetic field probe 128 128 bezogen auf eine Chipinsel, die das konstruktive Merkmal nicht aufweist. based on a chip island which does not have the feature in construction.
  • Zur Verdeutlichung des Ausführungsbeispiels von To illustrate the embodiment of 1a 1a ist in is in 1b 1b ein Querschnitt des Anschlußleitungsrahmens a cross-section of the lead frame 100 100 dargestellt. shown. Der Querschnitt ist entlang einer parallel zu einer Seitenkante der Chipinsel The cross section is taken along a direction parallel to a side edge of the chip island 110 110 verlaufenden Linie entnommen, die sich durch die Mitte der Chipinsel taken extending line extending through the center of the chip island 110 110 er streckt. he stretches. Wie es zu erkennen ist die Chipinsel As can be seen, it is the chip island 110 110 zwischen den jeweiligen Abschnitten des Außenrahmens between the respective portions of the outer frame 114 114 angeordnet. arranged. Auf der Chipinsel On the chip island 110 110 ist der Chip is the chip 124 124 befestigt, der über der Ausnehmung attached to the recess of the 126 126 angeordnet, so daß die Sonde arranged so that the probe 128 128 zentral bezüglich der Ausnehmung centrally with respect to the recess 124 124 angeordnet ist. is arranged.
  • Zur Erzeugen eines Magnetfeldsensors kann die oben beschriebene Anordnung auf die bekannte Weise mit einer Vergußmasse umspritzt werden, so daß dieselbe weitgehend von Umwelteinflüssen geschützt ist, woraufhin die Chipinsel mit den Zuleitungen von dem Außenrahmen For generating a magnetic field sensor, the arrangement described above can be extrusion-coated in the known manner with a casting compound, so that the same is largely protected from environmental influences, after which the chip island with the leads of the outer frame 114 114 des Anschlußleitungsrahmens freigestanzt wird. of the lead frame is punched. Dadurch entsteht ein Magnetfeldsensor, bei dem die Zuleitungen über die Vergußmasse mit der Chipinsel mechanisch gekoppelt sind. This creates a magnetic field sensor in which the leads on the sealing compound with the chip island are mechanically coupled. Dabei sind die Zuleitungen mit Ausnahme der Masse-Zuleitung elektrisch von der Chipinsel isoliert. Here, the feed lines with the exception of the mass-feed line are electrically insulated from the chip island.
  • Im folgenden wird zur Verdeutlichung der durch die Ausnehmung Hereinafter, for clarity of the recess by 126 126 erzeugten Reduktion des Wirbelstromeinflusses unter Bezugnahme auf die Reducing the influence of eddy current generated with reference to the 2 2 - 4 4 Berechnungen des Erfinders hinsichtlich eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds in einem Träger erläutert. Calculations of the inventor explained in a carrier with respect to an induced magnetic field eddy currents. Zur Berechnung wurden dabei idealisierte Träger angenommen, wobei sich die Schaubilder gemäß this idealized slides were assumed for the calculation, where the diagrams according to 2 2 und and 3 3 auf einen scheibenförmigen Träger beziehen, während sich das Schaubild gemäß refer to a disc-shaped carrier, while the diagram in accordance with 4 4 auf einen ringförmigen Träger bezieht. refers to an annular carrier.
  • 2 2 zeigt den Verlauf eines durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfelds bei einem scheibenförmigen Träger. shows the profile of an induced magnetic field, eddy currents in a disc-shaped carrier. In dem Schaubild ist auf der x-Achse eine radiale Position eines Magnetfeldsensors, normiert auf den Radius des kreisförmigen Trägers, aufgetragen. In the graph on the x-axis represents a radial position of a magnetic field sensor, normalized to the radius of the circular beam, plotted. Eine y-Achse des Schaubilds stellt einen Imaginärteil einer durch Wirbelströme hervorgerufenen Magnetfeldkomponente senkrecht zu dem Träger dar. Die Einheiten sind auf eine Feldstärke des Magnetfelds bezogen, das die Wirbelströme erzeugt. A y-axis of the graph represents an imaginary part of a magnetic field caused by eddy currents component perpendicular to the carrier. The units are based on a field strength of the magnetic field which generates eddy currents.
  • Für den Träger wurde eine Kupferlegierung mit einer Leitfähigkeit von 50 MS/m angenommen, wobei die Dicke des Trägers 200 μm und sein Durchmesser 5 mm beträgt. For the carrier, a copper alloy with a conductivity of 50 MS has been accepted / m, wherein the thickness of the support 200 .mu.m and its diameter is 5 mm. Das in der Figur dargestellte wirbelstrominduzierte Magnetfeld entspricht dem Magnetfeld in einer Höhe von 230 μm über dem Träger, wobei zur Berechnung ein wirbelstromerzeugendes Magnetfeld mit einer Frequenz von 1 kHz angenommen wurde. The illustrated in the figure eddy current induced magnetic field corresponds to the magnetic field at a height of 230 microns over the support, wherein an eddy current producing magnetic field with a frequency of 1 kHz was assumed for the calculation. Die Höhe von 230 μm über dem Träger ist realitätsnah gewählt, da ein Siliziumchip und ein zur Befestigung benötigter Kleber typischerweise eine Gesamtdicke von etwa 230 μm aufweisen. The height of 230 microns over the carrier is realistically chosen as a silicon chip and a required for the attachment adhesive typically have a total thickness of about 230 microns.
  • Da die Wirbelströme in erster Näherung eine Phasenverschiebung von –90° gegenüber dem angelegten Magnetfeld aufweisen, ergibt sich ein rein imaginäres wirbelstromerzeugtes Sekundärfeld, weshalb zur Darstellung dieses Sekundärfelds in dem Schaubild von Since the eddy currents have a phase shift of -90 ° with respect to the applied magnetic field in a first approximation, there is a purely imaginary eddy current generated secondary field, which is why the representation of this secondary field in the graph of 2 2 auf der y-Achse der Imaginärteil aufgetragen ist. is plotted on the y-axis the imaginary part.
  • Wie es zu erkennen ist, verursachen die Wirbelströme in dem Chip einen Magnetfeldverlauf, dessen Betrag einen maximalen Wert von etwa 4 % des angelegten Magnetfelds in der Mitte des Trägers aufweist, so daß sich ein maximaler Fehler dieser Größenordnung ergibt. As can be seen, the eddy currents cause the chip in a magnetic field gradient, whose value has a maximum value of about 4% of the applied magnetic field in the center of the carrier, so that there is a maximum error of this magnitude. Gemäß dem Schaubild nimmt der Betrag des wirbelstromerzeugten Magnetfelds mit zunehmendem Abstand von der Mitte des scheibenförmigen Trägers stetig ab, wobei sich bei einem radialen Abstand, der etwa dem 0,9-fachen des Radius a des Trägers entspricht, ein Nulldurchgang des Verlaufs ergibt. According to the graph, the amount of eddy current-generated magnetic field decreases with increasing distance from the center of the disc-shaped carrier steadily, whereby, resulting in a zero crossing of the course at a radial distance which corresponds to approximately 0.9 times the radius a of the carrier. Daraufhin steigt das Magnetfeld bis zu einem Maximalwert bei einer Position von etwa dem 1,05-fachen des Radius a an und nähert sich mit zunehmendem Abstand dem Wert Null an. Then, the magnetic field increases up to a maximum value at a position of approximately 1.05 times of the radius a and approaches the zero value with increasing distance on. Folglich ist es bei dem kreisrunden Träger vorteilhaft, die Magnetfeldsonde in einem Bereich des Nullfelddurchgangs, beispielsweise in dem radialen Bereich, der größer als das 0,6-fache des Radius des Trägers ist, und besonders bevorzugt in dem radialen Bereich, der größer als das 0,8-fache des Radius des Trägers ist, zu plazieren. Consequently, it is advantageous in the circular carrier, the magnetic field probe in a region of zero field passage, for example in the radial area, greater than 0.6 times the radius of the support, and particularly preferably in the radial area, greater than the 0.8 times the radius of the carrier is to be placed. Dies läßt sich auf andere Formen des Trägers verallgemeinern, dahingehend, daß es vorteilhaft ist, die Sonde in der Nähe einer Kante des Trägers und besonders vorteilhaft in der Näher einer Ecke zu plazieren. This can be generalized to other forms of the carrier, to the effect that it is advantageous to place the probe in the vicinity of an edge of the carrier and particularly advantageous in the closer one corner.
  • 3 3 zeigt eine weitere Berechnung eines aufgrund eines scheibenförmigen Trägers erzeugten Wirbelstromfelds, wobei im Gegensatz zu shows a further calculation of an eddy current field generated due to a disc-shaped carrier, which in contrast to 2 2 bei der Berechnung eine Frequenz von 10 kHz sowie ein Abstand von 300 μm über dem kreisrunden Träger angenommen wurde. a frequency of 10 kHz and a distance of 300 microns above the circular support was assumed in the calculation. Für den Träger wurde eine Kupferlegierung mit einer Leitfähigkeit von 50 MS/m angenommen, wobei die Dicke des Trägers 200 μm und sein Durchmesser 5 mm beträgt. For the carrier, a copper alloy with a conductivity of 50 MS has been accepted / m, wherein the thickness of the support 200 .mu.m and its diameter is 5 mm.
  • In dem Schaubild von In the chart of 3 3 ist auf der x-Achse der radiale Abstand in mm aufgetragen. is plotted on the x-axis is the radial distance in mm. Ferner ist bei diesem Schaubild auf der y-Achse ein Betrag des wirbelstrominduzierten Magnetfelds, normiert auf das angelegte Magnetfeld, aufgetragen. Further, in this graph on the y-axis is applied, an amount of the eddy current induced magnetic field, normalized to the applied magnetic field.
  • Entsprechend zu dem in According to the in 2 2 gezeigten Schaubild weist auch hier der Betrag des wirbelstrominduzierten Magnetfelds einen maximalen Wert für r = 0 mm, dh in der Mitte des kreisförmigen Trägers, auf. Diagram shown here, the amount of the eddy current induced magnetic field has a maximum value for r = 0 mm, that is to say in the center of the circular support. Der Maximalwert beträgt hier etwa 36 des angelegten Magnetfelds. The maximum value is about 36 of the applied magnetic field here. Dieser Maximalwert ist im Vergleich zu dem in This maximum value is compared to that in 2 2 gezeigten Maximalwert wesentlich höher, was auf die um einen Faktor 10 höhere Frequenz zurückzuführen ist. Maximum value substantially higher, which is shown due to the higher frequency by a factor of 10.
  • Analog zu dem in Analogous to the 2 2 gezeigten Schaubild nimmt der Betrag des wirbelstrominduzierten Magnetfelds mit zunehmendem Abstand von der Mitte des Trägers ab, wobei ein Minimum, das dem Nulldurchgang von Diagram shown, the magnitude of the eddy current induced magnetic field with increasing distance from the center of the carrier from which the zero crossing of which a minimum, 2 2 entspricht, bei einem Abstand von etwa 2,2 mm auftritt. corresponds to, occurs at a distance of about 2.2 mm. Daraufhin steigt der Verlauf bis zu einem lokalen Maximum bei einem Abstand von etwa 2,6 mm von der Mitte an und fällt daraufhin mit zunehmendem Abstand stetig ab. Thereupon the course increases to a local maximum at a distance of about 2.6 mm from the center and then falls steadily with increasing distance.
  • 4 4 zeigt im Gegensatz dazu einen Verlauf eines Magnetfelds für einen ringförmigen Träger. in contrast, shows a graph of a magnetic field for an annular support. Der ringförmige Träger weist einen Außendurchmesser von 5 mm und einen Innendurchmesser von 4 mm auf. The annular carrier has an outer diameter of 5 mm and an inner diameter of 4 mm. Der bei der Berechnung des Schaubilds von When calculating the graph of 4 4 verwendete ringförmige Träger weist die gleiche Dicke und Leitfähigkeit wie der zur Berechnung des Schaubilds von annular support used has the same thickness and conductivity, such as the for the calculation of the graph of 3 3 angenommene Träger auf. Carrier adopted. Ferner ist auch die Frequenz des Magnetfelds und der Abstand über dem Träger, für den der Verlauf des Magnetfelds berechnet wurde, entsprechend zu dem Schaubild von Further, the frequency of the magnetic field and the distance to the carrier for which the course of the magnetic field was calculated according to the graph of 3 3 gewählt, so daß ein Vergleich der durch die beiden Träger hervorgerufenen Einflüsse auf einen Magnetfeldsensor ermöglicht ist. selected so that a comparison of the evoked by the two carrier influences is provided on a magnetic field sensor.
  • Wie es in As shown in 4 4 zu erkennen ist, weist das Magnetfeld in der Mitte des Rings, dh bei r = 0, einen Wert von etwa 9,5 des angelegten Magnetfelds auf. It can be seen, the magnetic field in the center of the ring, ie, r = 0, a value of about 9.5 of the applied magnetic field. Vergleicht man diesen Wert mit dem in If you compare this value with the in 3 3 vorliegenden Wert von 36%, so ergibt sich in der Mitte eine Reduktion um einen Faktor 3,8. present value of 36%, the result is in the middle of a reduction by a factor of 3.8. Im Gegensatz zu dem Verlauf der in den In contrast to the course of the 2 2 und and 3 3 gezeigten Schaubilder entspricht der Wert des Magnetfelds in der Mitte nicht dem maximalen Wert. Diagrams shown does not reflect the value of the magnetic field in the middle of the maximum value.
  • Wie es zu erkennen ist, steigt der Verlauf des Betrags des Magnetfelds mit zunehmendem Abstand von der Mitte an und nimmt bei einem radialen Abstand von etwa dem 0,75-fachen des äußeren Radius ra2 des ringförmigen Trägers einen Maximalwert von etwa 16% des angelegten Magnetfelds an. As can be seen, the profile of the magnitude of the magnetic field increases with increasing distance from the center and decreases at a radial distance of about 0.75 times the outer radius ra2 of the annular support a maximum value of about 16% of the applied magnetic field at. Daraufhin nimmt der Magnetfeldbetrag stark ab und weist bei einem radialen Abstand von etwa dem 0,95-fachen des äußeren Radius das durch den Nullfelddurchgang hervorgerufene Minimum auf. Then, the magnetic field amount decreases greatly, and has at a radial distance of about 0.95 times the outer radius of the zero field caused by the passage minimum on. Im weiteren Verlauf steigt der Magnetfeldbetrag wieder bis zu einem lokalen Maximum von etwa 6% des angelegten Magnetfelds an, wobei dieses Maximum bei einer Position außerhalb des Trägers, dh genauer bei etwa dem 1,05-fachen des äußeren Radius des Trägers, erreicht wird. In the further course of the magnetic field magnitude rises again up to a local maximum of about 6% of the applied magnetic field, wherein this maximum is reached at a position outside the carrier, ie, more specifically from about 1.05 times the outer radius of the support. Daraufhin fällt der Kurvenverlauf ab, um sich mit zunehmendem Abstand von der Mitte dem Wert 0 anzunähern. Then the curve drops to approach with increasing distance from the center of the 0.
  • Quantitativ kann man für mäßige Frequenzen, dh in dem Frequenzbereich, in dem Wirbelstromeffekte gerade einzusetzen beginnen, das Feld in der Mitte des rotationssymmetrischen Trägers auf die folgende Weise beschreiben: Quantitatively, it is possible for moderate frequencies, ie, starting in the frequency domain, just inserted into the eddy current effects, describe the field in the center of the rotationally symmetrical carrier in the following manner:
    Figure 00160001
  • Bei der obigen Formel ist r der radiale Abstand des Aufpunkts von der Mitte des Trägers, z die Höhe des Aufpunkts über dem Träger, j die imaginäre Einheit, ω die Kreisfrequenz des Magnetfelds, μ 0 die Permeabilitätskonstante, σ die spezifische Leitfähigkeit des Trägermaterials, h die Dicke des Trägers, B 0 die Amplitude des angelegten, dh des zu messenden externen Magnetfelds, r a der Außenradius und r i der Innenradius des scheibenförmigen Trägers. In the above formula, r is the radial distance of the Aufpunkts from the center of the carrier, for the height of the Aufpunkts to the carrier, j the imaginary unit, ω is the angular frequency of the magnetic field, μ 0 is the permeability constant, σ the conductivity of the support material, h the thickness of the carrier, B 0 is the amplitude of the applied, that is, the external magnetic field to be measured, r a is the outer radius and r i the internal radius of the disk shaped carrier. Für kleine Abstände z kann man dies annähern durch For small distances z can approximate this by
    Figure 00160002
  • Daraus ist zu erkennen, daß der durch Wirbelströme verursachte Fehler in der Magnetfeldmessung um so kleiner wird, je geringer die Differenz des Außenradius und des Innenradius wird, dh je weniger Material von dem Träger übrig bleibt. It can be seen that the eddy currents caused by an error in the measurement of magnetic field becomes smaller, the smaller the difference between the outer radius and the inner radius, that is, the less material from the carrier remains. Ferner ist auch der Einfluß der Frequenz zu erkennen, der sich insbesondere bei dem Vergleich der Maximalwerte gemäß den Schaubildern von Further, the influence of the frequency can be seen which, in particular when comparing the maximum values ​​according to the graphs of 2 2 und and 3 3 bemerkbar macht. noticeable. Folglich wird durch eine Ausnehmung in dem Träger ein Magnetfeld in der Mitte reduziert, so daß hier die Mitte des Trägers eine bevorzugte Position zum Anordnen der Sonde ist. Consequently, it is reduced by a recess in the carrier, a magnetic field in the center so that here the center of the carrier is a preferred position for locating the probe. Weiter ist hier auch die Position des Nullfelddurchgangs eine bevorzugte Position zur Anordnung der Sonde, da im Vergleich zu einem massiv ausgebildeten Träger das sekundäre Magnetfeld reduziert ist. Next also the position of the zero-field crossing is a preferred position for the location of the probe, as compared to a solidly formed carrier, the secondary magnetic field is reduced.
  • Nachdem im vorherigen ein Vergleich zwischen einem Träger mit Ausnehmung (ringförmiger Träger) und einem Träger ohne Ausnehmung (scheibenförmiger Träger durchgeführt wurde, werden im folgenden unter Bezugnahme auf die After a comparison between a carrier having recess (annular carrier) and a carrier without a recess (disc-shaped carrier was carried out in the preceding, are described below with reference to the 5 5 bis to 7 7 weitere Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung als eine Weiterbildung des Ausführungsbeispiels gemäß Fig.la erklärt. further embodiments of the present invention will be explained as a refinement of the embodiment shown in Fig.la. Dabei sind gleichartige Elemente in den verschiedenen Ausführungsbeispielen jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Here, similar elements in the different embodiments are provided with the same reference numerals.
  • Unter Bezugnahme auf With reference to 5 5 weist ein Anschlußleitungsrahmen comprises a lead frame 200 200 die Chipinsel the chip island 110 110 auf, die im Unterschied zu dem Anschlußleitungsrahmen , which in contrast to the lead frame 100 100 von from 1a 1a bei diesem Ausführungsbeispiel eine kreisförmige Ausnehmung In this embodiment, a circular recess 210 210 und Schlitze and slots 212a 212a - d d aufweist. having. Ferner weist die Ausnehmung Further, the recess 210 210 in Bezug auf die Ausnehmung with respect to the recess 126 126 des Anschlußrahmens the lead frame 100 100 einen geringeren Durchmesser auf. a smaller diameter. Obwohl bei dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel eine kreisrunde Ausnehmung Although in the embodiment described above, a circular recess 210 210 beschrieben wurde, können bei anderen Ausführungsbeispielen auch andere Formen der Ausnehmung has been described, in other embodiments, other forms of the recess 210 210 , beispielsweise eine ovale Form, vorgesehen sein. , May be provided, for example an oval shape.
  • Die Schlitze the slots 212a 212a - d d sind rechtwinklig zueinander angeordnet, wobei sich die Schlitze are disposed perpendicular to each other, said slots 212a 212a - c c jeweils von dem seitlichen Umfang der Ausnehmung each of the lateral periphery of the recess 210 210 radial zu den jeweiligen Seitenkanten der Chipinsel radially to the respective side edges of the chip island 110 110 erstrecken. extend. Im Unterschied zu den Schlitzen In contrast to the slots 212a 212a - c c erstreckt sich der Schlitz the slot extends 212d 212d lediglich bis zu einem gewissen Abstand zu einer Seitenkante der Chipinsel only up to a certain distance from one side edge of the chip island 110 110 . , Die Schlitze the slots 212a 212a - d d unterteilen die Chipinsel divide the chip island 110 110 in vier Segmente in four segments 214a 214a - d d , wobei die Segmente , Said segments 214c 214c und and 214d 214d aufgrund dessen, daß der Schlitz due to the fact that the slot 212d 212d sich nicht vollständig zu der Seitenkante erstreckt, zusammenhängend sind. does not extend completely to the side edge, are contiguous. Die Segmente the segments 214a 214a und and 214b 214b werden über die Stege be the webs 112a 112a und and 112b 112b von dem Außenrahmen of the outer frame 114 114 gehalten. held. Ferner ist das Segment Further, the segment 214b 214b über die Massezuleitung on the ground lead 116a 116a mit dem Außenrahmen des Anschlußleitungsrahmens with the outer frame of the lead frame 200 200 verbunden. connected.
  • Ein Vorteil dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, daß Wirbelströme mit großem Radius, die um den Chip herum laufen, unterbunden werden. An advantage of this embodiment is that eddy currents are suppressed to a large radius, which run around the chip. Es bilden sich lediglich in jedem der Segmente Are formed only in each of the segments 214a 214a - d d Wirbelströme eddy currents 216 216 mit geringerem Radius aus. with a smaller radius from. Jeder der Wirbelströme weist jedoch einen Mittelpunkt auf, der von der in der Mitte der Chipinsel However, each of the eddy currents has a center point of the chip island in the middle of the 110 110 angeordneten Magnetfeldsonde entfernt ist, so daß sich durch die Wirbelströme sämtlicher Segmente am Ort der Magnetfeldsonde ein sehr geringes Gesamtmagnetfeld ausbildet. arranged magnetic field probe is removed, so that is formed by the eddy currents of all segments at the location of the magnetic field probe, a very low overall magnetic field.
  • Es sei an dieser Stelle bemerkt, daß die Schlitze bei anderen Ausführungsbeispielen auf eine vielfältige Art und Weise angeordnet sein können und eine Vielzahl von Ausgestaltungen annehmen können. It should be noted at this point that the slots may be arranged in other embodiments a variety of ways and may assume a variety of configurations. Insbesondere kann bei Ausführungsbeispielen die Ausnehmung In particular, in embodiments, the recess 210 210 gänzlich entfallen, so daß die Chipinsel entirely dispensed with, so that the chip island 110 110 lediglich die Schlitze zur Reduzierung des Magnetfelds aufweist. has only the slots to reduce the magnetic field.
  • Die Schlitze können ferner so ausgebildet sein, daß die Chipinsel The slots may also be formed such that the chip island 110 110 vollständig in Einzelteile zerfällt, so daß die einzelnen Teile derselben vor dem Umspritzen mit Vergußmasse nur noch durch den Außenrahmen completely disintegrates into individual parts, so that the individual parts of the same before the encapsulation with casting compound only by the outer frame 114 114 zusammengehalten werden. are held together. Nach dem Umspritzen hält die Vergußmasse die abgetrennten Teile des Anschlußleitungsrahmens zusammen, so daß der Außenrahmen auf die herkömmliche Weise abgetrennt werden kann. After the encapsulation potting compound holds the separated parts of the lead frame, so that the outer frame can be separated in the conventional manner.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel kann sich beispielsweise jeder der Schlitze von der Ausnehmung In one embodiment, each of the slots of the recess may, for example 210 210 zu einer jeweiligen Seitenkante der Chipinsel to a respective side edge of the chip island 110 110 erstrecken, so daß die Chipinsel extend, so that the chip island 110 110 vollständig abgetrennte Segmente aufweist. has completely separated segments. Dabei muß jedes der Segmente mit dem Außenrahmen In this case, each of the segments with the outer frame must 114 114 verbunden sein, um von demselben getragen zu werden. be connected to be driven by the same. Ferner kann sich ein oder mehrere Schlitze von einer seitlichen Außenkante der Chipinsel zu der Ausnehmung Furthermore, one or more slots from a lateral outer edge of the chip island can to the recess 210 210 hin erstrecken, ohne mit derselben verbunden zu sein. extend towards, without being connected with the same. Ferner können ein Schlitz auch derart angeordnet sein, daß dieselben weder mit der Ausnehmung Further, a slit can also be arranged such that neither of the recess with the same 210 210 noch mit einer seitlichen Außenkante der Chipinsel even with a lateral outer edge of the chip island 110 110 verbunden sind. are connected.
  • Vorzugsweise sind die Schlitze derart vorzusehen, daß sie den Wirbelstromverlauf maximal behindern bzw. unterbrechen, beispielsweise indem die Schlitze senkrecht zu den Wirbelströmen angeordnet werden, die sich in einer Chipinsel, die die Schlitze nicht aufweist, ausbilden. Preferably, the slits are provided so as to impede the eddy current rise to a maximum or interrupt, for example by the slits are arranged perpendicular to the eddy currents in a chip island which does not have the slits form.
  • Ein besonders bevorzugtes Verfahren zum Erzeugen der Schlitze wird im folgenden erklärt. A particularly preferred method for producing the slots is explained in the following. Die Schlitze werden dabei so angeordnet, daß die größten, schädlichsten Schleifen der Wirbelstromverteilung in dem Träger geöffnet werden, so daß sich nur noch kleinere Schleifen bilden können, die zudem noch möglichst weit weg von der Sonde liegen sollen. The slots are arranged such that the largest, most harmful grinding the eddy current distribution to be opened in the support, so that only can form smaller loops which are also are far away from the probe. Für die exakte Geometrie gibt es unzählige Varianten, die vorzugsweise auf die folgende Weise erzeugt werden: Man setze einen Schnitt, der die größtmögliche Leiterschleife in Träger in zwei möglichst symmetrische Teile auftrennt. For the exact geometry, there are countless variants are preferably produced in the following manner: One set a section which separates the maximum conductor loop in the carrier in two symmetrical parts as possible. Das Verfahren läßt sich mit den verbleibenden größtmöglichen Leiterschleifen iterativ wiederholen und somit beliebig verfeinern. The process can be repeated iteratively with the remaining largest wire loops and thus refine arbitrary. Dabei ist zu beachten, daß dieses Verfahren lediglich funktioniert, wenn die Sonde auf Magnetfelder reagiert, die senkrecht zu der Trägerebene, dh der Chipebene, sind. It should be noted that this method only works if the probe responds to magnetic fields perpendicular to the support plane, ie the chip level.
  • Neben der oben erklärten Wirbelstromthematik weist das oben erklärte Ausführungsbeispiel einen Vorteil hinsichtlich mechanischer Verspannungen des Chips in dem Gehäuse auf, da die Chipinsel in Einzelteile zerfällt und sich die mechanische Spannung lediglich über einen Bruchteil, dh für das Ausführungsbeispiel von In addition to the above-explained eddy current subject has the above-explained embodiment, an advantage in terms of mechanical tension of the chip in the housing, since the chip island is divided into individual parts and the mechanical stress only over a fraction, that is, for the embodiment of 5 5 über jeweils ein Viertel der ursprünglichen Kontaktfläche an der Grenzschicht Chipinsel/Kleber/Chip aufbauen kann. can build up over one quarter of the original contact surface at the interface chip island / adhesive / chip. Dadurch vermindern sich die Normalspannungskomponenten in der Chipebene. Thus, the normal stress components decrease in the chip plane. Es ist jedoch zu beachten, daß die Schubspannungskomponenten ansteigen, wobei diese jedoch in manchen Anwendungen, insbesondere für integrierte Hallsonden, weniger störend sind. It should however be noted that the shear stress components increase, which, however, in some applications, particularly for integrated Hall-effect sensors, are less disruptive. Für diesen Fall ist zu bemerken, daß an der Chipunterseite eine Delaminationsgefahr besteht, wodurch sich ein Zuverlässigkeitsrisiko ergeben kann. In this case, it should be noted that a risk of delamination is on the chip bottom, resulting in a reliability risk may arise.
  • Unter Bezugnahme auf With reference to 6 6 wird im folgenden ein weiteres Ausführungsbeispiel erklärt, bei dem die Chipinsel another embodiment is explained in the following, in which the chip island 110 110 Schlitze slots 310 310 aufweist, die derart angeordnet sind, daß sich in dem Chipaufnahmebereich which are arranged such that in the chip receiving area 122 122 ein mäanderförmiger Bereich a meander-shaped area 308 308 mit Stegen with ridges 312 312 ergibt. results.
  • Durch das Vorsehen des mäanderförmigen Bereichs By providing the meandering portion 308 308 werden die den Magnetfeldsensor umgebenden Wirbelstromschleifen durch die Schlitze are surrounding the magnetic field sensor eddy current loops through the slots 310 310 in der Chipinsel in the chip island 110 110 unterbrochen, so daß sich in dem mäanderförmigen Bereich interrupted so that in the meandering section 308 308 keine starken Wirbelströme ausbilden. do not form strong eddy currents. Wie es in As shown in 6 6 gezeigt ist, können sich in der Chipinsel is shown, in the chip island 110 110 Wirbelstromschleifen Eddy current loops 314a 314a und and 314b 314b ausbilden, die ferner durch horizontale Schlitze (nicht gezeigt) links und rechts eines anzuordnenden Chips entsprechend zu dem Ausführungsbeispiel von form, further by horizontal slots (not shown) to be arranged left and right of a chip according to the embodiment of 5 5 reduziert werden können. can be reduced. Vorzugsweise weist der mäanderförmige Bereich Preferably, the meander-shaped area 308 308 eine solche Größe auf, daß ein Chip vollständig in dem Bereich so angeordnet werden kann, daß der Chip lediglich auf den schmalen Stegen des mäanderförmigen Bereichs aufliegt. of such a size that a chip can be fully positioned in the region so that the chip only rests on the narrow ribs of the meandering portion. Daraus ergeben sich Vorteile bezüglich der mechanischen Zuverlässigkeit, da durch die Flexibilität der dünnen Stege This results in advantages in terms of mechanical reliability since the flexibility of the thin webs 312 312 mechanische Spannungen ausgeglichen werden können. mechanical stresses can be compensated.
  • Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß eine große Freiheit in der Wahl der Plazierung der Sonde besteht, die sowohl in dem Zentrum als auch im gesamten Gebiet über dem Mäander plaziert werden kann, da sich im gesamten mäanderförmigen Bereich keine Wirbelstromschleifen ausbilden können, die ein starkes Sekundärfeld am Ort der Sonde erzeugen. Another advantage is that a great freedom in the choice of placement of the probes which can be placed over the meandering both in the center and in the entire area, as can not form eddy current loops throughout the meandering range, a strong generate secondary field at the location of the probe.
  • Unter Bezugnahme auf With reference to 7 7 wird im folgenden ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Anschlußleitungsrahmens erklärt. a further embodiment of a lead frame will be explained below. Bei diesem Ausführungsbeispiel wird die auf dem Chip In this embodiment, the on-chip is 124 124 an geordnete Sonde to parent probe 128 128 exzentrisch bezüglich einer Mitte eccentrically with respect to a center 408 408 der Chipinsel the chip island 110 110 plaziert. placed. Dies kann einerseits dadurch erreicht werden, daß die Sonde This can be achieved by on the one hand, that the probe 128 128 auf dem Chip exzentrisch und ferner der Chip eccentrically on the chip and further the chip 124 124 bezüglich der Chipinsel with respect to the chip island 110 110 exzentrisch angeordnet ist. is arranged eccentrically. Vorzugsweise wird dabei die Sonde in der Nähe einer Ecke der Chipinsel It is preferable here, the probe in the vicinity of a corner of the chip island 110 110 plaziert, so daß ein großer Abstand der Sonde von der Mitte placed, so that a large distance of the probe from the center 408 408 erreicht werden kann. can be achieved.
  • Unter erneuter Bezugnahme auf das in Referring again to the in 2 2 gezeigte Schaubild nimmt das Sekundärmagnetfeld der Wirbelströme in einem kreisrunden idealisierten Träger mit zunehmendem Abstand von dem Zentrum ab. Diagram shown takes the secondary magnetic field of the eddy currents in an idealized circular carrier with increasing distance from the center. Wie es bereits erklärt wurde, ergibt sich in der Mitte der Scheibe das maximale Magnetfeld, das jedoch mit der Distanz zur Mitte rasch abfällt und bei einer radialen Entfernung von etwa 90% des Scheibenradius einen Nulldurchgang aufweist. As has already been explained, results in the center of the disk, the maximum magnetic field, but rapidly decreases with the distance to the center and has a zero crossing at a radial distance of about 90% of the disc radius. Dieser Nulldurchgang bleibt auch dann erhalten, wenn man in der Mitte des Trägers ein Loch vorsieht, wie es unter Bezugnahme auf This zero crossing is retained even when providing a hole in the middle of the carrier as it is on with reference 4 4 erklärt ist. is explained. Daher wird die Sonde Therefore, the probe is 128 128 vorzugsweise nahe an dem Ort des Nulldurchgangs positioniert. preferably positioned close to the location of the zero crossing.
  • Die in In the 2 2 durchgeführten Berechnungen wurden für einen idealisierten Träger mit einer kreisförmigen Form durchgeführt, da sich lediglich diese Geometrie hinreichend leicht analytisch berechnen läßt. performed calculations were performed for an idealized carrier having a circular form, since only this geometry can sufficiently easily be calculated analytically. Typischerweise weist der Träger jedoch eine rechteckige Form auf, wobei derselbe oftmals Langlöcher und komplizierte Details an jenen Stellen aufweist, an denen die Verbindungsdrähte mit den Zuleitungen verbunden werden. Typically, however, the support has a rectangular shape, wherein the same is often long and complicated details holes having, at those locations at which the connecting wires are connected to the leads. Diese Stellen werden auch als Bondinseln bezeichnet. These bodies are also referred to as bonding pads.
  • Daher wird die Verteilung der Wirbelströme vorzugsweise mit numerischen Methoden, wie beispielsweise einem Finite-Elemente-Verfahren oder einem Boundary-Element-Verfahren berechnet und von diesen Ergebnissen ausgehend der optimale Platz für den Magnetfeldsensor ermittelt. Therefore, the distribution of the eddy currents is preferably calculated by numerical methods, such as a finite element method or a boundary element method, and determined on the basis of these results, the optimum place for the magnetic field sensor. Qualitativ ergibt sich jedoch auch für einen realen Träger, daß die Sonde vor zugsweise relativ nahe am Rand des Trägers positioniert werden soll. Qualitatively, however, results for a real support, that the probe should be positioned relatively close to the edge of the carrier prior preferably.
  • Besonders bevorzugte Gebiete zum Anordnen der Sonde sind nahe den Ecken des Trägers, da dort die Stromdichte der Wirbelströme stark vermindert ist, wodurch der Gradient des Wirbelstromfelds klein wird. Particularly preferred areas for the positioning of the probe near the corners of the carrier, since there the current density of the eddy currents is greatly reduced, whereby the gradient of the eddy current field is small. Dadurch verläuft die Kurve des Magnetfelds als Funktion des Orts flacher und ist unempfindlicher gegenüber Lagetoleranzen, die bei einer Montage unvermeidlich sind. Characterized the curve of the magnetic field is flatter as a function of place and is less sensitive to tolerances, which are inevitable during assembly. Dabei ist zu beachten, daß die mechanische Verspannung des Chips in den Ecken des Trägers besonders groß und inhomogen ist, so daß sich in der Praxis für manche Gehäusetypen zeigen kann, daß es aus Zuverlässigkeitsgründen vorteilhaft ist, einen Minimalabstand vom Chip zur Ecke des Trägers einzuhalten. It should be noted that the mechanical stress of the chip is particularly large and inhomogeneous in the corners of the carrier so that may become apparent in practice for some types of packages, that it is advantageous for reliability reasons to maintain a minimum distance from the chip to the corner of the carrier , Dabei wird folglich keine vollständige Reduktion des Wirbelstromeinflusses durchgeführt. While not a complete reduction of the eddy current influence is consequently performed.
  • Wie es in As shown in 7 7 zu erkennen ist, weist die Chipinsel It can be seen, the chip island 110 110 parallel zu Seitenkanten der Chipinsel parallel to side edges of the chip island 110 110 angeordnete Langlöcher arranged elongated holes 400 400 auf, wie sie teilweise in herkömmlichen Anschlußleitungsrahmen vorgesehen sind. on how they are partially provided in the conventional lead frame. Dabei können durch das Vorsehen zusätzlicher kleiner horizontaler Schlitze In this case, by the provision of additional small horizontal slots 410 410 die unter dem Chip seitlich hervorstehenden Teile der Chipinsel the laterally projecting under the chip parts of the chip island 110 110 für Wirbelströme deaktiviert werden, so daß für die Wirbelströme eine Kante be disabled for eddy currents, so that an edge for the eddy currents 412 412 bereits zum effektiven Rand der Chipinsel For the effective edge of the chip island 110 110 wird. becomes. Dadurch kann der Chip nahe an diesen Rand geführt werden, wodurch der Wirbelstromeinfluß gering gehalten ist. Thereby, the chip can be guided close to this edge, whereby the eddy current effect is kept low. Als eine Weiterbildung kann zusätzlich noch eine Ausnehmung, beispielsweise in der Mitte der Chipinsel vorgesehen werden, um eine zusätzliche Reduktion des sekundären Magnetfelds zu erreichen. As a further development, in addition, a recess may be provided, for example in the middle of the chip island, in order to achieve an additional reduction of the secondary magnetic field. Dabei wird lediglich der Betrag des sekundären Magnetfelds, jedoch nicht die Feldverteilung nahe der Sonde, verändert. In this case, the magnitude of the secondary magnetic field is only, but does not change the field distribution near the probe.
  • Bei einem Ausführungsbeispiel, bei dem die Chipinsel massiv, dh ohne Ausnehmungen, ausgebildet ist, und eine Reduktion des Wirbelstromfelds durch das exzentrische Plazieren der Sonde In one embodiment, wherein the chip island solid, that is without recesses, formed, and a reduction in the eddy current field by the eccentric placement of the probe 128 128 erreicht wird, ergibt sich ein Vorteil dahingehend, daß auf der Chipinsel beliebig große Chips befestigbar sind, während durch eventuelle Ausnehmungen lediglich Chips über einer kritischen Größe auf der Chipinsel is reached, there is an advantage to the effect that on the chip island arbitrarily large chips are fastened, while by any recesses only chips over a critical size on the chip island 110 110 befestigbar sind. are fastened. Vorzugsweise wird die Sonde Preferably, the probe is 128 128 derart angeordnet, daß der Abstand von einem Mittelpunkt einer größten Wirbelstromschleife in der Chipinsel in einem Bereich von 85% bis 95% des Radius der größten Wirbelstromschleife liegt. arranged such that the distance from a midpoint of a greatest eddy current loop in the chip island is the radius of the largest eddy current loop in a range of 85% to 95%. Besonders bevorzugt ist die Sonde in einer radialen Position von 90 des Radius R der größten Wirbelstromschleife positioniert. Particularly preferably, the probe in a radial position of 90 of the radius R of the largest eddy current loop is positioned. Dabei ist die Größe des Chips Here, the size of the chip 124 124 irrelevant, da durch eine asymmetrische Verschiebung die Position der Sonde verändert werden kann. irrelevant, because the position of the probe can be changed by an asymmetrical shift. Dies ist bei dem Ausführungsbeispiel von This is in the embodiment of 7 7 angedeutet, bei dem der Chip indicated, in which the chip 124 124 eine asymmetrische Position bezüglich der Chipinsel an asymmetrical position with respect to the chip island 110 110 aufweist. having. Bei einer Positionierung der Sonde auf dem Chip ist ferner zu beachten, daß unter Umständen ein Minimalabstand zur Chipecke verbleiben sollte, da die Sonde und ihre elektrischen Anschlüsse nahe der Chipecke bei einer thermischen Wechselbelastung durch mechanische Verspannungen verstört werden kann. In a positioning of the probe on the chip should also be noted that under certain circumstances, a minimum distance should remain for chip area, since the probe and its electrical connections may be disturbed near the chip corner at a thermal cycling by mechanical tension.
  • Bei einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung kann eine Reduzierung des Wirbelstromfelds am Ort der Sonde erreicht werden, indem der Träger bzw. die Chipinsel ein Material mit geringer Leitfähigkeit aufweist. In another embodiment of the present invention, a reduction in the eddy current field at the location of the probe can be achieved by the carrier or the chip island comprises a material having low conductivity. Beispielsweise kann das Material eine Leitfähigkeit aufweisen, die geringer als die Leitfähigkeit von Kupfer oder einer Kupferlegierung, die typischerweise im Stand der Technik verwendet wird, ist. For example, the material may have a conductivity that is less than the conductivity of copper or typically used in the prior art of a copper alloy. Die Leitfähigkeit sollte jedoch nicht unter der Eigenleitfähigkeit des Substrats des auf dem Träger vorgesehenen Chips bzw. Substrats, beispielsweise eines Si-Substrats, liegen, da die Leitfähigkeit in der Praxis benötigt wird. However, the conductivity should not be below the intrinsic conductivity of the substrate provided on the carrier chip or substrate, such as a Si substrate, lie, since the conductivity is required in practice. Die Leitfähigkeit sollte folglich bezüglich der im Stand der Technik verwendeten Kupferlegierung lediglich moderat herabgesetzt werden und vorzugsweise in einem Bereich zwischen der Eigenleitfähigkeit des Substrats und der Leitfähigkeit der Kupferlegierung liegen. The conductivity should therefore be reduced with respect to the copper alloy used in the prior art only moderately, and preferably be in a range between the intrinsic conductivity of the substrate and the conductivity of the copper alloy. Eine Beeinflußung der Leitfähigkeit des Materials des Trägers kann beispielsweise derart erfolgen, daß eine gezielte Verunreinigung eines Materials, das beispielsweise Kupfer sein kann, durchgeführt wird. Influencing the conductivity of the material of the carrier can for example be such that a specific impurity of a material which can be, for example copper, is performed.
  • Dabei kann entweder der gesamte Anschlußleitungsrahmen aus einem schlechten Leiter bestehen oder vorzugsweise lediglich ein Teil desselben, da zumindest die elektrischen Zuführungen gut leitend sein sollen. In this case, either the entire lead frame from a bad conductor consist or preferably merely a portion thereof, as at least the electrical leads are intended to be highly conductive. Bei einem Ausführungsbeispiel besteht der Anschlußleitungsrahmen aus zwei unterschiedlichen Materialien, wobei die elektrisch leitenden Zuleitungen einen guten Leiter aufweisen, während ein Basissubstrat eine schlechte Leitfähigkeit aufweist. In one embodiment, the lead frame made of two different materials, wherein the electrically conductive leads having a good conductor, while a base substrate has a poor conductivity. Bei der Montage werden die Zuleitungen und Chips auf das Basissubstrat geklebt, anschließend die Kontakte verbunden und daraufhin das ganze mit einer Vergußmasse umspritzt, wonach die Zuleitungen und möglicherweise auch das Basissubstrat aus dem Außenrahmen des Anschlußleitungsrahmens gestanzt werden. During assembly, the leads and chips are bonded to the base substrate, then connected to the contacts and then injection-molded around the whole with a potting compound, after which the supply lines and possibly also the base substrate are punched out of the outer frame of the lead frame.
  • Eine weitere Möglichkeit zur Reduktion eines Wirbelstromfelds am Ort der Sonde kann erreicht werden, indem der Anschlußleitungsrahmen dünner als im Stand der Technik, dh beispielsweise dünner als etwa 200 μm, ausgeführt wird. A further possibility for reducing an eddy current field at the location of the probe can be achieved by the lead frame thinner than in the prior art, that is carried out, for example, thinner than about 200 microns. Die dadurch erreichte Reduktion ist proportional zu der Reduktion der Trägerdicke, so daß beispielsweise bei einer Halbierung der Trägerdicke eine Halbierung des Wirbelstromfelds erreicht wird. The reduction thus achieved is proportional to the reduction of the beam thickness so that a halving of the eddy current field is achieved, for example, in a halving of the carrier thickness. Vorzugsweise wird dabei die Chipinsel dünner als der Rest des Anschlußleitungsrahmens ausgeführt, da die Zuleitungen in ihrer Dicke ein gewisses Maß nicht überschreiten sollten, um eine gute elektrische Leitung und eine mechanische Stabilität zu gewährleisten. The chip island is preferably carried out thinner than the rest of the lead frame, since the leads in their thickness should not exceed a certain level in order to ensure good electrical conduction and mechanical stability.
  • Im folgenden soll nun ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung erklärt werden, bei dem anstelle eines Anschlußleitungsrahmens ein Träger verwendet wird, der mittels einer Flip-Chip-Technik an einem Substrat befestigt wird. In the following a further embodiment of the present invention will now be explained, in which a carrier is used instead of a lead frame, which is attached to a substrate by means of flip-chip technology. Dabei wird auf die an dem Chip vorgesehene Anschlußflä che ein Höcker aufgebracht, der den Kontakt zu einer Leiterstruktur bzw. Metallisierung, wie beispielsweise eine Cu/Ni/Au-Metallisierung, auf einem Zwischensubstrat oder direkt auf einer Leiterplatte herstellt. In this case, a bump is applied on the surface provided on the chip Anschlußflä, which makes contact to a conductor structure or metallization, such as a Cu / Ni / Au metallization on an intermediate substrate or on a circuit board. Der Höcker, der vorzugsweise ein Löthöcker (solder bump) ist, weist beispielsweise die Form einer Miniaturkugel oder eines flachen Zylinders auf, der beispielsweise einen maximalen Durchmesser von 200 μm und eine Höhe von 50 μm auf weisen kann. The hump, which is preferably a solder bump (solder bump), for example, has the form of a miniature ball or a flat cylinder, which can have, for example a maximum diameter of 200 microns and a height of 50 microns. Diese Technik wird in zunehmendem Maße für integrierte Schaltungen mit sehr vielen Zuleitungen oder bei extremen Hochfrequenzanwendungen verwendet, da man die Kontakte nicht nur am Umfang sondern an der ganzen Unter-/Oberseite des Chips in Matrixanordnung anbringen kann, wodurch die Länge und Induktivität der Zuleitungen klein wird. This technique is increasingly used for integrated circuits with very many leads or at extreme high frequency applications because you can install in matrix arrangement, the contacts not only at the periphery but at the entire upper / top of the chip, thereby increasing the length and inductance of the leads small becomes.
  • In Verbindung mit Magnetfeldsensoren ergibt die Anwendung von Flip-Chip-Techniken einen neuen Vorteil, da das gesamte leitfähige Volumen der Höcker geringer als das Volumen eines herkömmlichen Anschlußleitungsrahmens ausgeführt werden kann. In conjunction with magnetic field sensors, the use of flip-chip techniques results in a new advantage, since the entire volume of the conductive bump can be carried out less than the volume of a conventional lead frame. Besonders vorteilhaft ist dies bei integrierten Schaltungen mit nur wenigen Zuleitungen, wie beispielsweise zwei bis vier Zuleitungen. This is particularly advantageous in integrated circuits with only a few leads, such as two or four leads.
  • Ferner lassen sich die Höcker in einer größeren räumlichen Entfernung zur Sonde auf dem Chip anordnen, so daß der Einfluß der Wirbelströme in den Höckern auf den Magnetfeldsensor reduziert wird. Further, the bumps can be arranged at a greater spatial distance to the probe on the chip, so that the influence of the eddy currents is reduced in the protuberances on the magnetic field sensor. Vorzugsweise werden die Höcker am Umfang des Chips angebracht, so daß man die Sonde in der Mitte des Chips plazieren kann, wodurch die Höcker einen maximalen Abstand von der Mitte aufweisen. Preferably, the bumps are attached to the periphery of the chip so that one can place the probe in the center of the chip, whereby the bumps have a maximum distance from the center. Folglich kann dabei die Sonde an der Stelle belassen werden, an der sie üblicherweise bei herkömmlichen Niederfrequenzanwendungen plaziert ist. Consequently, thereby the probe can be left in place where it is usually placed in conventional low-frequency applications.
  • 8a 8a zeigt ein Ausführungsbeispiel, bei dem auf einem Chip shows an embodiment, wherein the on-chip 500 500 eine Sonde a probe 510 510 in der Mitte des Trägers angeordnet ist. is arranged in the middle of the wearer. Auf dem Chip On-chip 500 500 , der beispielsweise Silizium aufweist, sind vier Höcker Having, for example, silicon, there are four protuberances 512 512 befestigt, die jeweils symmetrisch zu der Sonde attached, each symmetrical to the probe 510 510 nahe der jeweiligen Ecken des Chips near the respective corners of the chips 500 500 befestigt sind. are attached. Die Höcker the humps 512 512 sind ferner mit einem Träger are further provided with a support 514 514 verbunden, der beispielsweise ein Zwischensubstrat oder eine Schaltungsplatine sein kann. connected, which may be, for example, an intermediate substrate or a circuit board. Der Träger the carrier 514 514 weist Leiterstrukturen bzw. Kontaktstrukturen comprises conductor structures or contact structures 516 516 auf, die beispielsweise Leiterbahnen oder Metallisierungen umfassen können. on, which may include, for example, traces or metallizations. Die Leiterstrukturen The conductor structures 516 516 werden vorzugsweise so gewählt, daß die Höcker are preferably chosen so that the bumps 512 512 die jeweils zugeordneten Kontakte direkt kontaktieren, wobei sich dieselben vorzugsweise mit einem großen Abstand zu der Sonde erstrecken, um ein Wirbelstromfeld am Ort der Sonde gering zu halten. contacting the respectively associated contacts directly, wherein they preferably extend with a large distance from the probe, to keep eddy current field at the location of the probe small.
  • Bei diesem Ausführungsbeispiel werden folglich die Höcker In this embodiment, the protuberances thus be 512 512 verwendet, um einen elektrischen Anschluß von dem Chip used to provide an electrical connection from the chip 500 500 zu den Leiterstrukturen the conductor structures 516 516 auf dem Träger on the substrate 514 514 zu erreichen. to reach. Der Vorteil dieses Ausführungsbeispiels besteht darin, daß sich die Höcker in großer räumlicher Entfernung zur Sonde anordnen lassen, wobei sich ferner in den Höckern lediglich sehr geringe Wirbelströme ausbilden können. The advantage of this embodiment is that the bumps can be arranged to the probe in large spatial distance, wherein can form only very small eddy currents also in the protuberances. Dies ermöglicht eine sehr gute Reduzierung der Wirbelstrom-Einflüsse, wobei zur Realisierung auf das Wissen der bekannten Flip-Chip-Technik zurückgegriffen werden kann, wodurch eine schnelle Realisierung einer Produktion erreicht wird. This allows for very good reduction of eddy current effects, which can be resorted to realize the knowledge of the known flip-chip technology, enabling rapid implementation of a production is achieved.
  • 8b 8b zeigt eine Querschnittdarstellung der in shows a cross-sectional view of the in 8a 8a gezeigten Anordnung. Arrangement shown. Wie es zu erkennen ist, sind die Höcker As can be seen, the hump 512 512 derart angeordnet, daß dieselben Anschlußflächen arranged such that the same pads 518 518 des Chips chip 500 500 mit den Leiterstrukturen with the conductor structures 516 516 verbinden. connect. Die Anschlußflächen The pads 518 518 und die Magnetfeldsonde and the magnetic field probe 510 510 sind auf einer Oberfläche are on a surface 500a 500a des Chips chip 500a 500a angeordnet, die dem Träger arranged, which support the 514 514 gegenüberliegt. opposite.
  • Eine quantitative Darstellung der Einflüsse aufgrund der Hökker wird nachfolgend unter Bezugnahme auf A quantitative representation of the influences due to the Hökker is described below with reference to 9 9 näher erklärt. further explained. In dem Schaubild von In the chart of 9 9 ist auf einer x-Achse eine Entfernung des Höckers zu dem Magnetfeldsensor normiert auf einen Radius des Höckers aufgetragen. is normalized to the magnetic field sensor applied to a radius of the bump on an x-axis a distance of the bump. Auf der y-Achse ist ferner ein Imaginärteil des Wirbelstromfelds in die Richtung senkrecht zu der Chipoberfläche normiert auf das angelegte Magnetfeld in einer logarithmischen Auftragung dargestellt. On the y-axis is also an imaginary part of the eddy current field in the direction perpendicular to the chip surface normalized to the applied magnetic field in a logarithmic plot shown. Für den Radius der Höcker wurde ein Wert von a = 100 μm und eine Höhe von 50 μm gewählt, wobei die Leitfähigkeit desselben mit 50 MS/m angenommen wurde. For the radius of the bump, a value of a = 100 microns and a height of 50 micrometers was chosen, with the conductivity thereof to 50 MS / m was adopted. Da die Höcker direkt auf dem Chip befestigt sind, wird bei der Berechnung ein Abstand der Höcker in Richtung senkrecht zu der Chipoberfläche als Null angenommen. Since the bumps are fixed directly on the chip, a distance between the cusp in direction is taken perpendicular to the chip surface than zero in the calculation. Der in in 9 9 gezeigte Verlauf des Sekundärfelds der Wirbelströme wurde für eine Frequenz von 10 kHz des zu messenden Feldes berechnet. The course of the secondary field of the eddy currents shown is computed for a frequency of 10 kHz the field to be measured.
  • In erster Näherung weisen die Wirbelströme eine Phasenverschiebung von –90° gegenüber dem angelegten Feld auf, so daß ihr Sekundärfeld rein imaginär ist. In first approximation, the eddy currents have a phase shift of -90 ° with respect to the applied field, so that their secondary field is purely imaginary.
  • In dem Schaubild von In the chart of 9 9 ist zu erkennen, daß das Magnetfeld aufgrund der Wirbelströme in den Höckern generell sehr klein ist. It can be seen that the magnetic field due to the eddy currents in the bumps is very small in general. Bezogen auf das wirbelstromerzeugende Primär-Magnetfeld liegt das sekundäre Wirbelstromfeld gemäß Based on the eddy current producing the primary magnetic field, the secondary eddy current field is in accordance with 9 9 in einem Bereich von 10 –4 bis 10 –7 bezogen auf das angelegte Magnetfeld. in a range of 10 -4 with respect to the applied magnetic field to 10 -7. Der durch die Wirbelströme der Höcker verursachte Fehler liegt folglich bei Frequenzen bis zu 10 kHz wesentlich unter 1 %, so daß der durch die Höcker hervorgerufene Einfluß für die meisten Anwendungen vernachlässigbar ist. The error caused by the eddy currents of the bump is therefore at frequencies up to 10 kHz substantially less than 1%, so that the influence caused by the bump for most applications is negligible.
  • Da reale Sensoren auf den Mittelwert des Magnetfelds über einen Bereich auf der Oberfläche der integrierten Schaltung reagieren, der bei Hallsonden bei einer einzigen Sonde zumeist ein Quadrat mit 100 μm Seitenlänge, bei einem Sondenquadrupel ein Quadrat von 300 μm Seitenlänge umfaßt, wird das Zentrum der Sonden vorteilhafterweise auf einen Punkt möglichst großer Symmetrie bezüglich der durch die Wirbelströme hervorgerufenen Felder gelegt. Since real sensors react to the average value of the magnetic field over a region on the surface of the integrated circuit, the at Hall probes in a single probe generally a square with 100 microns on a side, with a probe quad a square comprising of 300 .mu.m side length is, the center of the probes advantageously set at a point symmetry with respect to the greatest possible produced by the eddy currents fields. In dem Ausführungsbeispiel gemäß In the embodiment according to 8a 8a ist dieser Symmetriepunkt das Chipzentrum. is this symmetry point, the chip center.
  • Der Symmetriepunkt kann beispielsweise entsprechend zu der Ermittlung eines „Schwerpunkts" erfolgen, so daß der Magnetfeldsensor in dem Punkt angeordnet ist, bei dem die Summe der Quadrate der Abstände von dem Magnetfeldsensor zu den jeweiligen Höckern minimal ist. The symmetry point may be made at the determination of a "center of gravity", for example, accordingly, so that the magnetic field sensor is arranged in the point at which the sum of the squares of the distances of the magnetic field sensor to the respective bumps is minimized.
  • 100 100
    Anschlußleitungsrahmen Lead frame
    110 110
    Chipinsel chip island
    112a 112a
    Steg web
    112b 112b
    Steg web
    114 114
    Außenrahmen outer frame
    116a–d 116a-d
    Zuleitungen leads
    118a–d 118a-d
    Trennbereiche separating regions
    120a–b 120a-b
    Trennbereiche separating regions
    122 122
    Chipaufnahmebereich Chip receiving area
    124 124
    Chip chip
    126 126
    Ausnehmung recess
    128 128
    Sonde probe
    130 130
    Wirbelströme eddy currents
    132 132
    Klebepunkte adhesive dots
    134 134
    Anschlußflächen lands
    136 136
    Draht wire
    200 200
    Anschlußleitungsrahmen Lead frame
    210 210
    Ausnehmung recess
    212a–d 212a-d
    Schlitze slots
    214a–d 214a-d
    Segmente segments
    308 308
    mäanderförmiger Bereich meandering area
    310 310
    Schlitze slots
    312 312
    Stege Stege
    314a 314a
    Wirbelstromschleife Eddy current loop
    314b 314b
    Wirbelstromschleife Eddy current loop
    400 400
    Langlöcher slots
    408 408
    Mitte center
    410 410
    Schlitze slots
    412 412
    Kante edge
    500 500
    Chip chip
    500a 500a
    Oberfläche surface
    510 510
    Sonde probe
    512 512
    Höcker cusp
    514 514
    Träger carrier
    516 516
    Leiterstruktur conductor structure
    518 518
    Anschlußflächen lands

Claims (40)

  1. Anschlußleitungsrahmen für einen in einem Halbleiterchip ( Lead frame for a (in a semiconductor chip 124 124 ) ausgeführte Magnetfeldsonde ( Magnetic field probe executed) ( 128 128 ), wobei der Anschlußleitungsrahmen folgende Merkmale umfaßt: eine leitfähige Chipinsel ( ), Said lead frame comprising: a conductive chip island ( 110 110 ) zur Anbringung des Halbleiterchips ( ) (For mounting the semiconductor chip 124 124 ); ); und Zuleitungen ( and leads ( 116a–d) 116a-d) , die für eine elektrische Verbindung mit Anschlußstrukturen des Halbleiterchips ( That (for electrical connection with connection patterns of the semiconductor chip 124 124 ) vorgesehen sind, wobei die Chipinsel ( ) are provided, wherein the chip island ( 110 110 ) ausgebildet ist, um von einem zu erfassenden Magnetfeld hervorgerufene Wirbelströme zu reduzieren. is formed) to reduce induced by a magnetic field to be detected eddy currents.
  2. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 1, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to claim 1, wherein (the chip island 110 110 ) eine Ausnehmung ( ) Has a recess ( 126 126 ; ; 210 210 , . 212a 212a - d d ; ; 310 310 ; ; 410 410 ) aufweist. ) having.
  3. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem die Ausnehmung ( Lead frame according to claim 1 or 2, wherein (the recess 126 126 ) in einem Bereich der Chipinsel ( ) (In an area of ​​the chip island 110 110 ) angeordnet ist, auf dem der Halbleiterchip ( ) Is arranged, on which the semiconductor chip ( 124 124 ) zur Befestigung vorgesehen ist. ) Is provided for fastening.
  4. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem die Ausnehmung ( Lead frame according to any one of claims 1 to 3, in which (the recess 126 126 ) mittig auf der Chipinsel ( ) In the center (on the chip island 110 110 ) angeordnet ist. ) Is arranged.
  5. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 4, in which (the chip island 110 110 ) eine längliche Ausnehmung ( ) An elongate recess ( 212a 212a - d d ; ; 310 310 ,; ; 410 410 ) aufweist. ) having.
  6. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 5, in which (the chip island 110 110 ) in einzelne Segmente durchtrennt ist. ) Is cut into individual segments.
  7. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 6, in which (the chip island 110 110 ) eine erste Ausnehmung ( ) A first recess ( 126 126 ) und eine zweite längliche Ausnehmung ( ) And a second elongated recess ( 212a 212a - d d ) aufweist. ) having.
  8. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 7, wherein (the chip island 110 110 ) eine Mehrzahl von länglichen Ausnehmungen ( ) A plurality of elongated recesses ( 212a 212a - d d ) aufweist, die die Chipinsel ( ), Which (the chip island 110 110 ) symmetrisch unterteilen. divide) symmetrically.
  9. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 8, wherein (the chip island 110 110 ) eine Mehrzahl von länglichen Ausnehmungen ( ) A plurality of elongated recesses ( 310 310 ) aufweist, die derart angeordnet sind, daß in einem Bereich ( ) Which are arranged such that in a region ( 308 308 ) der Chipinsel ( () Of the chip island 110 110 ) eine Mäanderstruktur ausgebildet ist. ) Is a meander pattern.
  10. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 9, bei dem der Bereich der Mäanderstruktur so ausgestaltet ist, daß ein Halbleiterchip ( Lead frame according to claim 9, wherein the region of the meander pattern is designed such that a semiconductor chip ( 124 124 ) lediglich auf Stegen ( ) Only (on lands 312 312 ) der Mäanderstruktur befestigbar ist. ) Of the meander pattern can be attached.
  11. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 10, wherein (the chip island 110 110 ) eine Ausnehmung ( ) Has a recess ( 210 210 , . 212a 212a - d d ) mit einem konvexen Umfang aufweist. comprises) with a convex screen.
  12. Anschlußleitungsrahmen gemäß Anspruch 11, bei dem die Ausnehmung mit einem konvexen Umfang durch eine erste Ausnehmung ( Lead frame according to claim 11, wherein the recess (having a convex periphery by a first recess 210 210 ) und zweiten länglichen Ausnehmungen ( ) And second elongated recesses ( 212a 212a - d d ; ; 310 310 ) gebildet ist. ) Is formed.
  13. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 12, wherein (the chip island 110 110 ) eine geringere Leitfähigkeit als die Zuleitungen ( ) Has a lower conductivity than the leads ( 116a 116a - d d ) aufweist. ) having.
  14. Anschlußleitungsrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem die Chipinsel ( Lead frame according to any one of claims 1 to 13, wherein (the chip island 110 110 ) eine Dicke aufweist, die geringer als eine Dicke der Zuleitungen ist. ) Has a thickness which is less than a thickness of the leads.
  15. Magnetfeldsensor mit folgenden Merkmalen: einem Halbleiterchip ( Magnetic field sensor having the following features: (a semiconductor chip 500 500 ) mit einer Magnetfeldsonde ( ) (With a magnetic field probe 510 510 ); ); einem Träger ( (A carrier 514 514 ) für den Halbleiterchip ( ) (For the semiconductor chip 500 500 ); ); und einer Verbindungseinrichtung ( and connection means ( 512 512 ) zum Verbinden von mit dem Träger gekoppelten Zuleitungen ( ) (For linking coupled to the support leads 516 516 ) mit dem Halbleiterchip ( ) (With the semiconductor chip 500 500 ), wobei die Magnetfeldsonde ( ), Wherein the magnetic field probe ( 510 510 ) bezüglich der Verbindungseinrichtung ( ) (With respect to the connecting means 512 512 ) so angeordnet ist, daß ein Einfluß von Wirbelströmen aufgrund eines zu erfassenden Magnetfelds reduziert ist. is disposed) so that an influence of eddy currents due to a magnetic field to be detected is reduced.
  16. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15, bei dem die Verbindungseinrichtung einen Höcker ( Magnetic field sensor according to claim 15, wherein the connecting means (a hump 512 512 ) aufweist. ) having.
  17. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15 oder 16, bei dem der Träger ( Magnetic field sensor according to claim 15 or 16, wherein the support ( 514 514 ) für den Halbleiterchip ( ) (For the semiconductor chip 500 500 ) ein Substrat oder eine Leiterplatte umfaßt. includes) a substrate or a circuit board.
  18. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 15 bis 17, bei dem die Verbindungseinrichtung mehrere Höcker ( Magnetic field sensor according to claim 15 to 17, wherein the connecting device (several humps 512 512 ) aufweist, wobei die Magnetfeldsonde so angeordnet ist, daß die Summe der Quadrate der Abstände von dem Magnetfeldsensor zu den jeweiligen Höckern minimal ist. ), Wherein the magnetic field probe is arranged so that the sum of the squares of the distances from the magnetic field sensor to the respective bumps is minimized.
  19. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, bei dem der Träger eine Leiterplatte mit einer Leiterstruktur ( Magnetic field sensor according to one of claims 15 to 18, wherein the support (a circuit board having a conductor structure 516 516 ) aufweist, wobei der Chip auf dem Träger so angeordnet ist, daß der Abstand zu der Leiterstruktur ( ), Wherein the chip on the support is arranged so that the distance to the conductor structure ( 516 516 ) maximal ist. ) Is maximum.
  20. Magnetfeldsensor mit folgenden Merkmalen: einem Halbleiterchip ( Magnetic field sensor having the following features: (a semiconductor chip 124 124 ) mit einer Magnetfeldsonde ( ) (With a magnetic field probe 128 128 ); ); einer leitfähigen Chipinsel ( (A conductive chip island 110 110 ) zur Anbringung des Halbleiterchips ( ) (For mounting the semiconductor chip 124 124 ); ); und Zuleitungen ( and leads ( 116a 116a - d d ), die für eine elektrische Verbindung mit Anschlußstrukturen des Halbleiterchips ( ) Which (for an electrical connection with connection patterns of the semiconductor chip 124 124 ) vorgesehen sind, wobei der Halbleiterchip ( ) are provided, wherein the semiconductor chip ( 124 124 ) auf der Chipinsel ( ) (On the chip island 110 110 ) so angeordnet ist, daß ein Einfluß von Wirbelströmen auf die Magnetfeldsonde ( ) Is arranged so that an influence of eddy currents to the magnetic field probe ( 128 128 ) geringer ist als in einem anderen Bereich der Sonde. is lower) than in another area of ​​the probe.
  21. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 20, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to claim 20, wherein (the chip island 110 110 ) eine Ausnehmung ( ) Has a recess ( 126 126 ; ; 210 210 , . 212a 212a - d d ; ; 310 310 ; ; 410 410 ) aufweist. ) having.
  22. Magnetfeldsensor gemäß Anspruch 20 oder 21, bei dem die Magnetfeldsonde in einem Bereich der Ausnehmung ( Magnetic field sensor according to claim 20 or 21, wherein the magnetic field probe (in a region of the recess 126 126 ) angeordnet ist. ) Is arranged.
  23. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 22, bei dem die Ausnehmung ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 22, wherein (the recess 126 126 ) mittig auf der Chipinsel ( ) In the center (on the chip island 110 110 ) angeordnet ist. ) Is arranged.
  24. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 23, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 23, wherein (the chip island 110 110 ) eine längliche Ausnehmung ( ) An elongate recess ( 212a 212a - d d ; ; 310 310 ; ; 410 410 ) aufweist. ) having.
  25. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 24, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 24, wherein (the chip island 110 110 ) in einzelne Segmente durchtrennt ist. ) Is cut into individual segments.
  26. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 25, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 25, wherein (the chip island 110 110 ) eine erste Ausnehmung ( ) A first recess ( 126 126 ) und eine zweite längliche Ausnehmung ( ) And a second elongated recess ( 212a 212a - d d ) aufweist. ) having.
  27. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 26, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 26, wherein (the chip island 110 110 ) eine Mehrzahl von länglichen Aus nehmungen ( ) From a plurality of elongated recesses ( 212a 212a - d d ) aufweist, die die Chipinsel ( ), Which (the chip island 110 110 ) symmetrisch unterteilen. divide) symmetrically.
  28. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 27, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 27, wherein (the chip island 110 110 ) eine Mehrzahl von länglichen Ausnehmungen ( ) A plurality of elongated recesses ( 310 310 ) aufweist, die derart angeordnet sind, daß in einem Bereich ( ) Which are arranged such that in a region ( 308 308 ) der Chipinsel ( () Of the chip island 110 110 ) eine Mäanderstruktur ausgebildet ist. ) Is a meander pattern.
  29. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 28, bei dem der Halbleiterchip ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 28, wherein the semiconductor chip ( 124 124 ) lediglich auf Stegen ( ) Only (on lands 312 312 ) der Mäanderstruktur befestigt ist. ) Of the meander pattern is attached.
  30. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 29, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 29, wherein (the chip island 110 110 ) eine Ausnehmung ( ) Has a recess ( 210 210 , . 212a 212a - d d ) mit einem konvexen Umfang aufweist. comprises) with a convex screen.
  31. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 30, bei dem die Ausnehmung mit einem konvexen Umfang durch eine erste Ausnehmung ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 30, wherein the recess (having a convex periphery by a first recess 210 210 ) und zweiten länglichen Ausnehmungen ( ) And second elongated recesses ( 212a 212a - d d ; ; 310 310 ) gebildet ist. ) Is formed.
  32. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 31, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 31, wherein (the chip island 110 110 ) eine geringere Leitfähigkeit als die Zuleitungen ( ) Has a lower conductivity than the leads ( 116a 116a - d d ) aufweist. ) having.
  33. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 32, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 32, wherein (the chip island 110 110 ) eine Dicke aufweist, die geringer als eine Dicke der Zuleitungen ist. ) Has a thickness which is less than a thickness of the leads.
  34. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 33, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 33, wherein (the chip island 110 110 ) einen spezifischen Widerstand aufweist, der geringer als 10 –3 Ωcm ist. ) Has a resistivity which is less than 10 -3 ohm-cm.
  35. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 34, bei dem die Magnetfeldsonde ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 34, wherein (the magnetic field probe 128 128 ) an einem Ort angeordnet ist, bei dem der Einfluß der Wirbelströme auf die Magnetfeldsonde ( ) Is disposed in a place in which the influence of the eddy currents (on the magnetic field probe 128 128 ) minimal ist. ) Is minimal.
  36. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Magnetfeldsonde ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 35, wherein (the magnetic field probe 128 128 ) an einer Kante der Chipinsel ( ) (At an edge of the chip island 110 110 ) angeordnet ist. ) Is arranged.
  37. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 35, wherein (the chip island 110 110 ) eine rechteckige Form aufweist und die Magnetfeldsonde ( ) Has a rectangular shape, and the magnetic field probe ( 128 128 ) in einer Ecke der Chipinsel ( ) (In a corner of the chip island 110 110 ) angeordnet ist. ) Is arranged.
  38. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 35, wherein (the chip island 110 110 ) eine runde Form aufweist und die Magnetfeldsonde ( ) Has a round shape and the magnetic field probe ( 128 128 ) so angeordnet ist, daß der Abstand der Magnetfeldsonde ( is disposed) so that the distance the magnetic field probe ( 128 128 ) von der Mitte der Chipinsel ( ) (From the center of the chip island 110 110 ) größer als 60% des Radius der Chipinsel ( ) Is greater than 60% of the radius of the chip island ( 110 110 ) ist. ) Is.
  39. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Chipinsel ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 35, wherein (the chip island 110 110 ) eine runde Form aufweist und die Magnetfeldsonde ( ) Has a round shape and the magnetic field probe ( 128 128 ) so angeordnet ist, daß der Abstand der Magnetfeldsonde ( is disposed) so that the distance the magnetic field probe ( 128 128 ) von der Mitte der Chipinsel ( ) (From the center of the chip island 110 110 ) größer als 80% des Radius der Chipinsel ( ) Is greater than 80% of the radius of the chip island ( 110 110 ) ist. ) Is.
  40. Magnetfeldsensor gemäß einem der Ansprüche 20 bis 35, bei dem die Magnetfeldsonde ( Magnetic field sensor according to one of claims 20 to 35, wherein (the magnetic field probe 128 128 ) derart angeordnet ist, daß der Abstand von einem Mittelpunkt einer größten Wirbelstromschleife in der Chipinsel ( ) is arranged such that the distance from a midpoint of a greatest eddy current loop (in the chip island 110 110 ) in einem Bereich von 85% bis 95% des Radius der größten Wirbelstromschleife liegt. ) Is in a range of 85% to 95% of the radius of the largest eddy current loop.
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004054317A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Mitsubishi Denki K.K. Current measurer has measuring circuit for a current channel on a substrate with a magnetic flux measurer and slots to concentrate the flux
WO2011068653A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors
CN102790037A (en) * 2012-08-03 2012-11-21 无锡红光微电子有限公司 SOT89-3L packaging lead frame
JP2013096789A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Magnetic sensor
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
WO2013109355A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor device having non- conductive die paddle and production method
US8680843B2 (en) 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8717016B2 (en) 2010-02-24 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8760149B2 (en) 2010-04-08 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8785250B2 (en) 2005-11-01 2014-07-22 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for flip-chip-on-lead semiconductor package
US8963536B2 (en) 2011-04-14 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
US8975889B2 (en) 2011-01-24 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US9222992B2 (en) 2008-12-18 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9228860B2 (en) 2006-07-14 2016-01-05 Allegro Microsystems, Llc Sensor and method of providing a sensor
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet
US9476915B2 (en) 2010-12-09 2016-10-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4188605A (en) * 1978-07-21 1980-02-12 Stout Glenn M Encapsulated Hall effect device
US4398342A (en) * 1981-04-14 1983-08-16 International Standard Electric Corporation Method of making a Hall effect device
JPS60244083A (en) * 1984-05-18 1985-12-03 Pioneer Electronic Corp Chip hall element and manufacture thereof
JPH01184885A (en) * 1988-01-13 1989-07-24 Murata Mfg Co Ltd Semiconductor device
US6310387B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-30 Silicon Wave, Inc. Integrated circuit inductor with high self-resonance frequency
US20010052780A1 (en) * 2000-06-19 2001-12-20 Kambiz Hayat-Dawoodi Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents
US20020000639A1 (en) * 2000-06-28 2002-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with inductance element
DE10133123A1 (en) * 2001-07-07 2003-01-23 A B Elektronik Gmbh GMR module

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4188605A (en) * 1978-07-21 1980-02-12 Stout Glenn M Encapsulated Hall effect device
US4398342A (en) * 1981-04-14 1983-08-16 International Standard Electric Corporation Method of making a Hall effect device
JPS60244083A (en) * 1984-05-18 1985-12-03 Pioneer Electronic Corp Chip hall element and manufacture thereof
JPH01184885A (en) * 1988-01-13 1989-07-24 Murata Mfg Co Ltd Semiconductor device
US6310387B1 (en) * 1999-05-03 2001-10-30 Silicon Wave, Inc. Integrated circuit inductor with high self-resonance frequency
US20010052780A1 (en) * 2000-06-19 2001-12-20 Kambiz Hayat-Dawoodi Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents
US20020000639A1 (en) * 2000-06-28 2002-01-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device with inductance element
DE10133123A1 (en) * 2001-07-07 2003-01-23 A B Elektronik Gmbh GMR module

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004054317B4 (en) * 2004-11-10 2014-05-15 Mitsubishi Denki K.K. Current measuring device
DE102004054317A1 (en) * 2004-11-10 2006-05-11 Mitsubishi Denki K.K. Current measurer has measuring circuit for a current channel on a substrate with a magnetic flux measurer and slots to concentrate the flux
US8785250B2 (en) 2005-11-01 2014-07-22 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for flip-chip-on-lead semiconductor package
US9228860B2 (en) 2006-07-14 2016-01-05 Allegro Microsystems, Llc Sensor and method of providing a sensor
US8093670B2 (en) 2008-07-24 2012-01-10 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for integrated circuit having on chip capacitor with eddy current reductions
US8486755B2 (en) 2008-12-05 2013-07-16 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensors and methods for fabricating the magnetic field sensors
US9733279B2 (en) 2008-12-18 2017-08-15 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9222992B2 (en) 2008-12-18 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
DE112010004674B4 (en) * 2009-12-03 2016-06-02 Allegro Microsystems, Llc Method and apparatus for increased frequency response of magnetic sensors
JP2013513104A (en) * 2009-12-03 2013-04-18 アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド METHOD AND APPARATUS increasing the frequency response of the magnetic sensor
WO2011068653A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for enhanced frequency response of magnetic sensors
US9865802B2 (en) 2010-02-24 2018-01-09 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8717016B2 (en) 2010-02-24 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8760149B2 (en) 2010-04-08 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9983238B2 (en) 2010-04-08 2018-05-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors having enhanced current density regions
US8680843B2 (en) 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8679895B2 (en) 2010-08-31 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Method of making thin-wafer current sensors
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors
US9029966B2 (en) 2010-08-31 2015-05-12 Infineon Technologies Ag Thin-wafer current sensors
US9476915B2 (en) 2010-12-09 2016-10-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US9678172B2 (en) 2011-01-24 2017-06-13 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US8975889B2 (en) 2011-01-24 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
US9395423B2 (en) 2011-04-14 2016-07-19 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
US8963536B2 (en) 2011-04-14 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
JP2013096789A (en) * 2011-10-31 2013-05-20 Asahi Kasei Electronics Co Ltd Magnetic sensor
US9299915B2 (en) 2012-01-16 2016-03-29 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
WO2013109355A1 (en) * 2012-01-16 2013-07-25 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor device having non- conductive die paddle and production method
US9620705B2 (en) 2012-01-16 2017-04-11 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US8629539B2 (en) 2012-01-16 2014-01-14 Allegro Microsystems, Llc Methods and apparatus for magnetic sensor having non-conductive die paddle
US9666788B2 (en) 2012-03-20 2017-05-30 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
US9812588B2 (en) 2012-03-20 2017-11-07 Allegro Microsystems, Llc Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material
US9494660B2 (en) 2012-03-20 2016-11-15 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame
CN102790037A (en) * 2012-08-03 2012-11-21 无锡红光微电子有限公司 SOT89-3L packaging lead frame
US9411025B2 (en) 2013-04-26 2016-08-09 Allegro Microsystems, Llc Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet

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