DE10227515A1 - Lichtemissionsdiodengerät - Google Patents

Lichtemissionsdiodengerät

Info

Publication number
DE10227515A1
DE10227515A1 DE2002127515 DE10227515A DE10227515A1 DE 10227515 A1 DE10227515 A1 DE 10227515A1 DE 2002127515 DE2002127515 DE 2002127515 DE 10227515 A DE10227515 A DE 10227515A DE 10227515 A1 DE10227515 A1 DE 10227515A1
Authority
DE
Grant status
Application
Patent type
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE2002127515
Other languages
English (en)
Other versions
DE10227515B4 (de )
Inventor
Kyung Sub Song
Jong Pil Cheon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro-Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L51/00, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49107Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements

Abstract

Es wird ein LED-Gerät beschrieben, das aus einem Keramiksubstrat und einer reflektierenden Metallplatte besteht. Das LED-Gehäuse besteht aus einem ersten Keramiksubstrat, das einen Chipmontagebereich auf seiner Oberfläche aufweist und mit einem vorbestimmten leitenden Muster rund um den Chipmontagebereich versehen ist. Ein oder mehrere LED-Chips sind auf dem Chipmontagebereich des ersten Keramiksubstrats gehaltert und mit dem leitenden Muster verbunden. Ein zweites Keramiksubstrat ist auf der Oberfläche des ersten Keramiksubstrats montiert und weist eine Ausnehmung an einer Position auf, die dem Chipmontagebereich entspricht. Die reflektierende Metallplatte ist in die Ausnehmung des zweiten Keramiksubstrats eingesetzt, um die LED-Chips zu umgeben. Dieses LED-Gehäuse steuert wirksam die Lichtintensität der LED-Chips und die Winkelverteilung der Strahlung. Die reflektierende Metallplatte dient gleichzeitig als Wärmesenke, die wirksam Wärme vom LED-Chip zur Umgebung des LED-Gehäuses verteilt.

Description

  • [0001]
    Die vorliegende Erfindung bezieht sich im Allgemeinen auf Lichtemissionsdiodengerät mit reflektierenden Metallplatten und insbesondere auf ein Lichtemissionsdiodengerät, welches mit einer reflektierenden Metallplatte versehen ist, um einen verbesserten Wärmeverteilungseffekt zu erzielen, in Verbindung mit einer einfachen Kontrolle seiner Lichtabstrahlung und der Winkelverteilung der Lichtabstrahlung.
  • [0002]
    Wie Fachleuten wohl bekannt ist, sind Lichtemissionsdiodengerät (die nachfolgend vereinfacht als "LED-Gerät bezeichnet werden) Halbleitervorrichtungen, welche LED-Chips aufweisen, die als Lichtquellen fungieren und die durch Veränderung der physikalischen und chemischen Charakteristika einiger Verbindungshalbleitermaterialien, wie beispielsweise GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN und AlGaInP hergestellt worden sind und die farbiges Licht von den LED-Chips abstrahlen, wenn sie elektrisch aktiviert werden.
  • [0003]
    Die Charakteristika solcher LED-Geräte werden typischerweise bestimmt in Verbindung mit den Farben des emittierten Lichts, der Lichtstärke und dem Betrachtungswinkel. Derartige Charakteristika von LED-Geräten werden in erster Linie bestimmt durch die physikalischen und chemischen Charakteristika der Verbindungshalbleitermaterialien der LED-Chips und zum zweiten durch die Gehäusestruktur zum Unterbringen der LED-Chips darin. Beim Stand der Technik sind die Charakteristika solcher LED-Geräte wie sie durch die Entwicklung der Verbindungshalbleitermaterialien von LED-Chips erreicht werden, in unerwünschtem Maße begrenzt. Es sind daher verbesserte Strukturen von LED-Geräte in den vergangenen Jahren in großem Umfang untersucht worden, um zusätzlich zum Studium der Halbleitermaterialien der LED-Chips Anstrengungen zu unternehmen, um den Erfordernissen an eine hohe Lichtstärke und einem erwünschten Betrachtungswinkel (man kann sich auch auf eine Winkelverteilung der Lichtstärke beziehen) gerecht zu werden. Dies bedeutet, dass bei der Konstruktion von LED- Geräte in den vergangenen Jahren es mehr darauf ankam, die Verbindungshalbleitermaterialien der LED-Chips als primären Konstruktionsfaktor zu betrachten und die Struktur des LED-Gehäuses nur als zweitrangigen Designfaktor.
  • [0004]
    Insbesondere werden aber sowohl die Lichtstärke als auch eine Winkelverteilung der Lichtstärke von LED-Geräten in erster Linie vom zweiten Designfaktor beeinflusst, das heißt von der Struktur des LED-Gehäuses.
  • [0005]
    Zum Beispiel wird ein LED-Geräte vom konventionellen Lampentyp gemäß Fig. 1a mit einem konventionellen LED-Gerät mit Oberflächenmontage nach Fig. 1b in ihrer Geräte- oder Gehäusestruktur wie folgt verglichen: Im Falle des konventionellen LED-Geräts vom Lampentyp 10 gemäß Fig. 1a mit zwei Leitern 3a und 3b, ist der zweite Leiter 3b an seiner Oberseite mit einer Metallelektrodenfläche versehen, die eingedrückt ist, um eine Vertiefung mit geneigten Seitenflächen mit bestimmten Neigungswinkeln zu bilden. Ein LED-Chip 5 ist in der Vertiefung der Metallelektrodenoberfläche gehaltert. Die beiden Leiter 3a und 3b mit dem LED- Chip 5 sind in einem halbsphärischen Gehäuse 7 aus transparentem Gießharz eingepackt und bilden somit ein lampenartiges LED-Gerät 10. Das LED-Gerät 20 vom herkömmlichen Oberflächenmontagetyp gemäß Fig. 1b besteht aus einem gegossenen Gerätekörper 11 aus Epoxyharz und einem auf der Oberfläche dieses Körpers 11 an einem Chipmontagebereich befestigten LED-Chip 15. Der LED- Chip 15 ist mit einer (nicht gezeigten) Elektrode durch eine Mehrzahl von Drähten 13 verbunden.
  • [0006]
    Beim konventionellen lampenförmigen LED-Gerät 10 wirkt das halbsphärische Gehäuse 7 als Linse, die in der Lage ist, die Winkelverteilung der Lichtabstrahlung zu steuern. Insbesondere steuert das hemisphärische Gehäuse 7 die Winkelverteilung der Lichtabstrahlung derart, dass die Verteilung schmal wird, wodurch die Lichtintensität bei einem vorbestimmten Winkel zunimmt. Darüber hinaus wird das vom LED-Chip 5 abgestrahlte Licht durch die Metallelektrodenoberfläche des zweiten Leiters 3b reflektiert, sodass die Lichtintensität des LED-Chips 5 dadurch vergrößert wird. Im Vergleich zu einem solchen lampenförmigen LED-Gerät 10 weist das oberflächenmontierte LED-Gerät 20 eine breitere Winkelverteilung der Strahlung und eine geringere Strahlungsintensität auf. Man erkennt also, dass die Gerätestruktur Strahlungsintensität und die Winkelverteilung der Strahlung solcher LED-Geräte beeinflusst.
  • [0007]
    Aus diesem Grund ist zur Erreichung der gewünschten Charakteristika von LED- Geräten bereits vorgeschlagen worden, ein oberflächenmontiertes LED-Gerät mit einer zusätzliche Lichtreflexionsfläche zu versehen, die gebildet ist durch Aufbringen eines Metallüberzugs auf eine geneigte Seitenfläche des Chipmontagebereichs des Geräte- und Gehäusekörpers und durch Auswahl eines vorbestimmten Reflexionswinkels.
  • [0008]
    Im Gegensatz zu solchen LED-Geräten mit gegossenem Kunststoffkörper ist es nahezu unmöglich, die Luminanz oder den Verteilungswinkel der Strahlung eines anderen Typs vom LED-Geräten in wünschenswerter Weise zu kontrollieren, die nämlich einen Keramikkörper aufweisen, der aus laminierten Keramiksubstraten besteht und in den vergangenen Jahren in großem Umfang eingesetzt wird. Der Chipmontagebereich eines solchen Keramikkörpers muss durch einen Stanzvorgang, einen Laminiervorgang und einen Schneidvorgang gebildet werden, abweichend von den gegossenen Kunststoffkörpern mit Chipmounting-Bereichen, die während eines Kunststoffinjektionsgießvorgangs erzeugt werden. Es ist sehr schwierig, eine Seitenfläche des Chipmontagebereichs eines Keramikkörpers in der Weise auszuformen, dass die Seitenfläche einen gewünschten Reflexionswinkel aufweist.
  • [0009]
    Die Fig. 2 zeigt einen Schnitt durch ein konventionelles LED-Gerät mit einem solchen Keramikkörper. Wie in der Zeichnung dargestellt ist, besteht der Keramikkörper des LED-Geräts 30 aus zwei Keramiksubstraten 21 und 22, von denen jedes durch Laminieren einer Mehrzahl von Keramikschichten gebildet ist. Von diesen Keramiksubstraten 21 und 22 ist das untere Substrat 21 an seiner Oberseite mit einem Chipmontagebereich zum Aufsetzen eines LED-Chips 25 versehen. Eine Elektrode 23 erstreckt sich außen an der Kante des Chipmontagebereichs zur unteren Oberfläche des unteren Keramiksubstrats 21, um einen Teil dieser Unterseite zu bedecken, nachdem es die Seitenfläche des unteren Keramiksubstrats 21 passiert hat. Der LED-Chip 25 ist elektrisch mit der Elektrode 23 unter Verwendung einer Mehrzahl von Drähten 27 durch ein Drahtverbindungsverfahren verbunden. Das obere keramische Substrat 22 ist mit der Oberfläche des unteren Keramiksubstrats 21 verbunden und bildet eine vorbestimmte Vertiefung, welche den Chipmontagebereich umgibt.
  • [0010]
    Die den Chipmontagebereich des Keramikkörpers umgebende Vertiefung wird durch einen Stanz- oder Schneidprozess gebildet, sodass die Innenfläche des Keramikkörpers, welche die Vertiefung begrenzt, als vertikale Fläche ausgebildet ist. Daher ist es - im Gegensatz zu LED-Geräten mit im Wege eines Gießprozesses gebildeten Kunststoffkörpern - schwierig, eine Metallschicht auf der vertikalen Innenfläche des Keramikkörpers aufzubringen. An der vertikalen inneren Fläche des Keramikkörpers kann eine zusätzliche geneigte Fläche aus Kunststoff angebracht werden, mit einer aufgebrachten Metallschicht auf der geneigten Kunststofffläche, um die vorstehend erwähnten Probleme zu überwinden. Eine derartige geneigte Kunststoffoberfläche kann aber leicht deformiert werden und es ist fast unmöglich, eine gewünschte Reflektorfläche am Keramikkörper anzubringen.
  • [0011]
    Bei den konventionellen LED-Geräten mit Keramikkörpern ist es nur möglich, die Helligkeit und die Winkelverteilung der Strahlung durch Veränderung der Dimension des Chipmontagebereichs und/oder der Dicke des oberen Keramiksubstrats, der die Höhe der Vertiefung bestimmt, zu steuern. Es ist daher schwierig, LED- Geräte mit Keramikkörpern zu schaffen, die die Anforderungen an hohe Lichtintensität und eine gewünschte Winkelverteilung der Strahlung erfüllen. Die Keramiksubstrate derartiger LED-Geräte haben jedoch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einen höheren Wärmeableiteffekt, und lösen damit das Problem der thermischen Alterung von LED-Geräten und thermischer Spannungen der Gerätekörper, wie sie durch die von den LED-Chips ausgestrahlte Hitze verursacht werden. Es ist daher erwünscht, effektivere LED-Geräte vorzuschlagen, welche derartige Keramiksubstrate mit hoher Wärmeleitfähigkeit und einem hohen Wärmeableiteffekt verwenden und dabei die Strukturellen Fehler überwinden, die bisher bei konventionellen LED-Geräten mit Keramikkörpern infolge der vertikalen inneren Flächen des Keramikkörpers auftreten und zu Schwierigkeiten bei der Steuerung der Lichtstärke und der Winkelverteilung der Strahlung von LED-Geräten führen.
  • [0012]
    Demzufolge wurde die vorliegende Erfindung gemacht unter Berücksichtigung der Probleme im Stand der Technik und ein Ziel der vorliegenden Erfindung ist es, ein LED-Gerät zu schaffen, welches einen Keramikkörper, bestehend aus laminierten Keramiksubstraten, aufweist und der eine reflektierende Platte aus einer dünnen Metallfolie besitzt, die an der vertikalen Innenfläche des Keramikkörpers, die die Vertiefung des Chipmontagebereichs bildet, befestigt ist und das auf diese Art und Weise eine verbesserte Wärmeverteilung und zusätzlich eine einfache Steuerung der Lichtstärke und der Winkelverteilung der Lichtstärke bewirkt.
  • [0013]
    Um diese Ziel zu erreichen, sieht die vorliegende Erfindung ein LED-Gerät vor, umfassend: ein erstes keramisches Substrat mit einem Chipmontagebereich auf der Oberseite davon und mit einem vorgegebenen leitenden Muster, das um den Chipmontagebereich angeordnet ist, wenigstens einem LED-Chip, der auf dem Chipmontagebereich des ersten Keramiksubstrats gehaltert ist und mit dem leitenden Muster verbunden ist, ein zweites Keramiksubstrat, das auf dem ersten Keramiksubstrat montiert ist und eine Ausnehmung in einer Position entsprechend dem Chipmontagebereich aufweist und eine reflektierende Platte aus Metall, die in der Ausnehmung des zweiten Keramiksubstrats angeordnet ist, um den LED-Chip zu umfassen.
  • [0014]
    In diesem LED-Gerät hat die reflektierende Platte vorzugsweise eine kegelstumpfförmige Struktur, wobei der Durchmesser am oberen Ende größer ist als am unteren Ende.
  • [0015]
    In einem solchen Fall kann die reflektierende Platte die Winkelverteilung der Lichtstärke des LED-Chips durch Veränderung des Neigungswinkels der Seitenwand der reflektierenden Platte steuern, wobei die Neigung der Seitenwand durch eine Differenz in den Durchmessern zwischen dem oberen Ende und dem unteren Ende der reflektierende Platte bewirkt wird. Zusätzlich kann die reflektierende Platte die Leuchtstärke des LED-Chips durch Veränderung der den LED-Chip umgebenden Fläche steuern. Darüber hinaus kann die reflektierende Platte die Leuchtstärke des LED-Chips dadurch steuern, dass sie aus Metallen ausgewählt wird, die verschiedene Reflektivitäten aufweisen. Die vorliegende Erfindung schafft somit eine Vielzahl von LED-Geräten, die unter Verwendung keramischer Substrate hergestellt werden und eine Leuchtstärke und eine Winkelverteilung der Leuchtstärke besitzen, die jeweils entsprechend den Wünschen des Benutzers gesteuert werden können. Bei einem erfindungsgemäßen LED-Gerät ist die reflektierende Platte bevorzugt an der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats rund um die Oberkante der Ausnehmung montiert, sodass Wärme wirksam zu Außenseite des LED-Geräts verteilt wird. Um es der reflektierenden Platte zu erlauben, effektiv Wärme zur Außenseite des Geräts zu leiten, ist die Montage der reflektierenden Platte an der Oberseite des zweiten Keramiksubstrats bevorzugt durch ein Bindemittel auf Silikonbasis bewerkstelligt, das eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  • [0016]
    Um den Wärmeableitungseffekt des LED-Geräts zu vergrößern, ist der LED-Chip luftdicht durch ein gegossenes Isolationsteil verpackt, das aus transparentem formbarem Material besteht und mit der reflektierenden Platte verbunden ist. In einem solchen Fall wird die Wärme vom LED-Chip wirksam zur reflektierenden Platte verteilt, die eine derart hohe Wärmeleitfähigkeit aufweist. Bei der vorliegenden Erfindung ist das transparente formbare Material des gegossenen oder gespritzten Isolierteils entweder Epoxyharz oder ein Harz auf Silikonbasis. Selbstverständlich ist es auch möglich, andere Kunststoffe mit hoher Leitfähigkeit als transparentes formbares Material des geformten Isolierteils zu verwenden.
  • [0017]
    Noch vorteilhafter ist es, die Oberkante der reflektierenden Platte bis zu einer vorgegebenen Position der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats zu erstrecken, um noch wirksamer Wärme von der reflektierenden Platte zu verteilen.
  • [0018]
    In einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung hat das LED-Gerät eine halbkugelförmige Linse, welche das Oberteil der Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats überdeckt. In diesem Fall ist es möglich, die Winkelverteilung der Lichtstrahlung des LED-Chips durch Verteilung der Krümmung der Linse zu steuern. Die hemisphärische Linse besteht vorzugsweise aus Polymermaterial.
  • [0019]
    Erfindungsgemäß besteht das erste Keramiksubstrat vorzugsweise aus einem Keramiksubstratteil, das eine Wärmeverteilöffnung aufweist, die durchgehend angeordnet ist und einer Keramikplatte, welche die Wärmeverteilöffnung an der Oberfläche des Keramiksubstratteils abdeckt. In diesem Fall sind sowohl der Chipmontagebereich als auch das elektrisch leitende Muster auf der Oberfläche der Keramikplatte angeordnet. Die Wärmeverteildurchgangsöffnung des Keramiksubstratteils ist mit Metallpaste ausgefüllt.
  • [0020]
    Weitere Vorteile, Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels sowie anhand der Zeichnung. Dabei zeigen:
  • [0021]
    Fig. 1a und 1b schematische Ansichten der Konstruktion herkömmlicher LED- Geräte,
  • [0022]
    Fig. 2 einen Schnitt durch ein herkömmliches LED-Gerät aus Keramiksubstraten,
  • [0023]
    Fig. 3 eine perspektivische Explosionsdarstellung der Konstruktion eines LED-Geräts mit einer reflektierenden Platte entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
  • [0024]
    Fig. 4a und 4b Ansicht eines LED-Geräts gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung,
  • [0025]
    Fig. 5 eine perspektivische Explosionsdarstellung der Konstruktion eines LED-Geräts mit einer reflektierenden Platte entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,
  • [0026]
    Fig. 6 einen Schnitt durch ein LED-Gerät entsprechend einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • [0027]
    Fig. 7 eine Ansicht eines LED-Geräts entsprechend einer fünften Ausführungsform der Erfindung und
  • [0028]
    Fig. 8 eine perspektivische Ansicht eines LED-Geräts entsprechend einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • [0029]
    Bei der Bezugnahme auf die Zeichnungen ist anzumerken, dass die gleichen Bezugszeichen in den verschiedenen Zeichnungen jeweils gleiche oder ähnliche Komponenten bezeichnen.
  • [0030]
    Die Fig. 3 ist eine perspektivische Explosionsdarstellung und zeigt die Konstruktion eines LED-Geräts mit einer reflektierenden Platte entsprechend einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Diese Zeichnung zeigt das LED- Gehäuse mit einer reflektierenden Metallplatte 120, die vom Chipmontagebereich des Gehäusekörpers getrennt ist.
  • [0031]
    Die reflektierende Metallplatte 20 besteht aus einer dünnen Metallfolie mit hoher Reflektivität und weist eine Kegelstumpfform auf, wie es in der Zeichnung dargestellt ist. Bei der kegelstumpfförmigen reflektierenden Platte 120 ist der Durchmesser "R" am oberen Ende vorzugsweise größer als der Durchmesser "r" am unteren Ende. Bei der vorliegenden Erfindung ist es möglich, die Strahlungsintensität des LED-Chips etwas zu erhöhen, indem man eine zylindrische reflektierende Platte in den Chipmontagebereich einbringt, ohne dass Durchmesserunterschiede am oberen und am unteren Ende bestehen. Es ist jedoch bevorzugt die reflektierende Platte so auszubilden, dass sie einen Durchmesserunterschied zwischen den Durchmessern "R" und "r" am oberen und unteren Ende aufweist und eine gewünschte Winkelverteilung der Luminanz und eine gewünschte Erhöhung der Strahlungsintensität durch Steuerung der Differenz "R-r" besitzt.
  • [0032]
    Die reflektierende Platte 120 wird vorzugsweise in der Weise hergestellt, dass man ein dünnes Kupferblech einem Extrusionsprozess oder einem Formprozess unterwirft. Es soll jedoch angemerkt werden, dass die reflektierende Platte 120auch aus einem anderen Metallblech anstelle des dünnen Kupferblechs hergestellt werden kann, wenn dieses Metallblech eine gewünschte hohe Reflektivität besitzt und so dünn ist, dass das Blech einfach in die gewünschte zylindrische oder kegelstumpfförmige Gestalt durch einen Extrusionsprozess oder eine Formprozess gebracht werden kann.
  • [0033]
    Während des Herstellverfahrens der reflektierenden Platte 120 soll vorteilhafter Weise ein Stützflansch 120a längs der oberen Kante der reflektierenden Platte 120 angeformt werden. In dem bevorzugten Ausführungsbeispiel ist ein Stützflansch 120a integral und kontinuierlich längs der kreisförmigen oberen Kante der reflektierenden Platte 120 angeformt. Es sollte aber klar sein, dass es auch möglich ist, eine bestimmte Anzahl von Stützflanschen an gewünschten Sektionen der Oberkante der reflektierenden Platte 120 anzuformen, ohne dass dabei die Funktionsweise der erfindungsgemäßen Konstruktion berührt wird. Wenn die reflektierende Metallplatte 120 mit einem solchen Stützflansch 120a in die Ausnehmung oberhalb des Chipmontagebereichs des LED-Geräts bzw. LED-Gehäuses eingesetzt wird, ist es möglich, dass die reflektierende Platte 120 an der Oberseite des Keramiksubstrats mit dem Stützflansch 120a aufliegt. Die reflektierende Platte 120 ist damit stabiler am LED-Gehäuse befestigt. In einem solchen Fall wird bevorzugt ein Bindemittel auf Silikonbasis verwendet, um die reflektierende Platte 120 mit dem LED-Gerät zu verbinden, um die Wärmeverteilwirkung des LED-Gehäuses zu erhöhen, wie nachfolgend im Einzelnen näher erläutert werden soll.
  • [0034]
    Wie in Fig. 3 dargestellt ist, kann die reflektierende Metallplatte 120 einfach in die Ausnehmung oberhalb des Chipmontagebereichs des LED-Gehäuses eingesetzt werden. Das LED-Gehäuse nach der vorliegenden Erfindung soll im Einzelnen wie folgt beschrieben werden: Das LED-Gehäuse unter Verwendung keramischer Substrate gemäß der vorliegenden Erfindung umfasst ein erstes Keramiksubstrat 101, das einen Chipmontagebereich an seiner Oberfläche zum Haltern des LED- Chips 105 darauf aufweist. Eine Elektrode 103 ist auf der Oberfläche des ersten Keramiksubstrats 101 gebildet und mit dem LED-Chip 105 durch eine Mehrzahl von Drähten 107 verbunden. Die Elektrode 103 wird durch ein leitfähiges Muster gebildet. Ein zweites Keramiksubstrat 102 ist auf dem ersten Keramiksubstrat 101montiert und weist eine Ausnehmung an einer Position auf, die dem Chipmontagebereich entspricht. Das erste und das zweite Keramiksubstrat 101 und 102 können vorzugsweise aus Aluminiumoxid oder SiC bestehen. Der Körper des erfindungsgemäßen LED-Geräts besteht aus den beschriebenen keramischen Substraten 101 und 102, sodass die Seitenfläche der Ausnehmung im zweiten keramischen Substrat 102 den Chipmontagebereich des ersten keramischen Substrats 101 umgibt, wobei sie unvermeidlich als vertikale Fläche in gleicher Weise ausgebildet ist, wie dies im Zusammenhang mit dem Stand der Technik bereits beschrieben wurde. Gemäß der vorliegenden Erfindung ist diese vertikale Seitenfläche der Ausnehmung von einer reflektierenden Metallplatte 120 überdeckt. Im Betrieb des LED-Geräts reflektiert die den LED-Chip umgebende reflektierende Platte 120 das vom Chip abgestrahlte Licht, sodass die Lichtintensität des LED- Chips erhöht wird. In einem solchen Fall ist es möglich, eine gewünschte Winkelverteilung der Leuchtdichte des LED-Chips durch Steuerung des Neigungswinkels der Seitenfläche der reflektierenden Platte 120 beim Herstellungsprozess der Platte 120 zu steuern. Um die Reflektivität der reflektierenden Platte 120 zu erhöhen, kann die reflektierende Platte 120 mit einer Beschichtung aus Sn, SnPb oder Ag versehen sein.
  • [0035]
    Bei der vorliegenden Erfindung kann die reflektierende Platte als Wärmesenke zum Verteilen von Hitze vom LED-Chip zur Außenseite des LED-Gehäuses wirken, zusätzlich zu ihrer Originalfunktion zur Steuerung der Leuchtstärke des LED- Chips und der Winkelverteilung der Strahlung. Die reflektierende Metallplatte, die als Wärmesenke dient, ist in den Fig. 4a und 4b anhand eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung gezeigt.
  • [0036]
    Die Fig. 4a zeigt einen Schnitt durch ein LED-Gerät gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. In gleicher Weise wie dies im Zusammenhang mit dem ersten Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 beschrieben worden ist, umfasst das LED-Gerät dieser zweiten Ausführungsform zwei Keramiksubstrate: ein erstes Keramiksubstrat 151 und ein zweites Keramiksubstrat 152, das auf dem ersten Keramiksubstrat 151 montiert ist. Das erste Keramiksubstrat 151 hat einen Chipmontagebereich auf seiner Oberfläche zum Aufsetzen eines LED-Chips 155. Auf der Oberfläche des ersten Keramiksubstrats 151 ist in einer Position um den Chipmontagebereich ein leitendes Muster aufgebracht, das eine Elektrode 153 bildet. Die Elektrode 153 ist mit dem LED-Chip 155 durch eine Mehrzahl von Drähten 157 verbunden, sodass elektrische Ansteuerenergie dem Chip 155 zugeführt werden kann. Bei diesem Ausführungsbeispiel erstreckt sich das leitende Muster der Elektrode 153 vorzugsweise bis zur Unterseite des ersten keramischen Substrats 151 nachdem es über die Seitenfläche des Substrats 151 gezogen worden ist, wie dies in der Zeichnung dargestellt ist. Das leitende Muster der Elektrode 153 besteht vorzugsweise aus einer Ag/Ni/Au-Schicht.
  • [0037]
    Das zweite keramische Substrat 152 weist eine Ausnehmung an der Stelle auf, die dem Chipmontagebereich des ersten keramischen Substrats 151 entspricht. Das zweite keramische Substrat 152 ist auf der Oberseite des ersten keramischen Substrats 151 montiert und bildet einen Chipmontageraum zum Haltern des LED- Chips 155 darin. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist ein Wärmeverteilloch H1 durch das erste keramische Substrat 151 an einer Stelle eingebracht, die dem Chipmontagebereich entspricht, sodass Wärme vom LED-Chip 155 wirkungsvoll zur Außenseite des LED-Gehäuses abgegeben werden kann. In dem LED- Gehäuse mit einem solchen Wärmeverteilloch H1 im ersten keramischen Substrat 151 ist es notwendig, die Oberseite dieses Wärmeverteillochs H1 zur Bildung eines Chipmontagebereich abzudecken. Daher besteht das erste keramische Substrat 151 dieses LED-Gehäuses nach Fig. 4a und 4b aus einem keramischen Substratteil 151a, das das Wärmeverteilloch H1 aufweist und dieses Teil 151a durchsetzt und einer keramischen Folie 151b, welche die Oberfläche des Keramiksubstratteils 151a ebenso wie das Wärmeverteilloch H1 überdeckt. Die Keramikfolie 151b schafft somit den gewünschten Chipmontagebereich und überdeckt die Oberseite des Wärmeverteillochs H1.
  • [0038]
    Wie in Fig. 4b dargestellt ist, die eine Aufsicht auf das LED-Gerät gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung darstellt, ist eine reflektierende Metallplatte 170 in den Chipmontageraum eingesetzt, der durch die Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats 152 gebildet wird und umgibt den LED-Chip 155, der auf dem Chipmontagebereich montiert ist. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel weist die reflektierende Platte 170 einen Stützflansch 170a auf, mit dem die reflektierende Platte 170 auf der Oberfläche des zweiten keramischen Substrats 152 aufsitzt und der mit dem Bereich "A" der Oberfläche des Substrats 152 unter Verwendung eines Klebers auf Silikonbasis mit hoher thermischer Leitfähigkeit verbunden ist. Der Stützflansch 170a der längs der Oberkante der reflektierenden Platte 170 angeformt ist, hat einen eine Breite "P", die es dem Stützflansch 170a erlaubt, wirksamer Wärme von der reflektierenden Platte 170 zur Außenseite des LED-Gehäuses abfließen zu lassen. In einem solchen Fall wird die Wärme primär vom LED-Chip 155 zur reflektierenden Platte transferiert und sekundär über den Stützflansch 170a an die Umgebung des LED-Geräts abgegeben.
  • [0039]
    Ein Isolierharz ist im Chipmontageraum des LED-Gehäuses gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel angeordnet und bildet somit ein Isolierteil 159. Dieses Isolierteil 159 ist mit der reflektierenden Platte 170 verbunden und ermöglicht einen effektiveren Wärmetransfer vom LED-Chip 155 zur reflektierenden Platte 170. Das Isolierteil 159 besteht vorzugsweise aus einem transparenten Epoxyharz oder einem Harz auf Silikonbasis. Es versteht sich aber, dass das Isolierteil 159 auch unter Verwendung anderer formbarer Isoliermaterialien hergestellt werden kann, solange dieses Material transparent ist und eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweist.
  • [0040]
    In dem LED-Gerät nach den Fig. 4a und 4b wird die reflektierende Metallplatte 170 gleichzeitig als Wärmeverteileinrichtung benutzt, die die Wärme vom LED-Chip 155 durch das Isolierteil 159 hindurch erhält und die Wärme an die Umgebung des Geräts über den Stützflansch 170a, der auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats 152 aufsitzt, abgibt.
  • [0041]
    Die Fig. 5 zeigt ein LED-Gerät mit einer reflektierenden Metallplatte 190 entsprechend einem dritten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Im Unterschied zum kreisförmigen Stützflansch 170a der reflektierenden Metallplatte 170 nach dem zweiten Ausführungsbeispiel hat der Stützflansch 190a der reflektierenden Metallplatte 190 bei diesem dritten Ausführungsbeispiel ein rechteckiges Profil ähnlich zu dem des LED-Gehäuses selbst. Die Oberfläche dieses Stützflansches 190a mit Rechteckprofil ist größer als das des Stützflansches 120a gemäß Fig. 3 oder des Stützflansches 170a der Fig. 4a und 4b, sodass dieser Wärme effektiver an die Außenseite des Gehäuses verteilen und abgeben kann. In der vorliegenden Erfindung kann die Form des Stützflansches der reflektierenden Metallplatte frei entsprechend dem Profil des LED-Gehäuses unter einer benötigten Wärmeverteilwirkung abgeändert werden ohne die Funktionsweise der Erfindung zu berühren.
  • [0042]
    Die reflektierende Metallplatte dieser Erfindung kann vorteilhafterweise bei LED- Geräten oder LED-Gehäusen verwendet werden, die unterschiedliche keramische Substratstrukturen aufweisen mit vertikalen Innenflächen zur Bildung eines Chipmontageraums des Gehäuses. Die Fig. 6 ist ein Schnitt durch ein LED-Gerät entsprechend einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • [0043]
    Bei diesem vierten Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 besitzt das LED-Gehäuse ein erstes Keramiksubstrat dessen Struktur unterschiedlich von der nach den Fig. 4a und 4b ist. Das zweite Keramiksubstrat 202 dieses LED-Gehäuses weist eine Ausnehmung in der gleichen Weise auf, wie dies für das zweite Ausführungsbeispiel nach den Fig. 4a und 4b beschrieben worden ist. Das erste Keramiksubstrat 201 dieses vierten Ausführungsbeispiel besteht jedoch aus einem unteren Keramiksubstratteil 201a und einem oberen Keramiksubstratteil 201b. Das untere Keramiksubstratteil 201a weist eine Wärmeverteilöffnung H2 auf, die durch das Substratteil 201a sich hindurch erstreckt und einen relativ großen Durchmesser aufweist. Das obere Keramiksubstratteil 201b hat eine Größe, sodass es im Chipmontageraum, der durch die Ausnehmung des zweiten Keramiksubstratteils 202 gebildet ist, eingesetzt werden kann. Das obere Keramiksubstratteil 201b dient als Keramikschicht oder Keramikfolie, die die Wärmeverteilöffnung H2 oben verschließt und bildet einen Chipmontagebereich zum Aufsetzen eines LED-Chips 205. In diesem vierten Ausführungsbeispiel ist eine kegelstumpfförmige reflektierende Metallplatte 220 in den Chipmontageraum des Gehäuses eingesetzt, sodass die Platte 220 auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats 202 mit ihrem Stützflansch aufliegend montiert ist. Der Durchmesser am oberen Ende der kegelstumpfförmigen reflektierenden Platte 220 ist größer als am unteren Ende.
  • [0044]
    Die Gehäusestruktur gemäß der vorliegenden Erfindung kann vorzugsweise und sehr einfach bei jedem Typ eines LED-Geräts verwendet werden, wenn das LED- Gerät einen Chipmontageraum aufweist, der von einem Keramiksubstrat gebildet ist.
  • [0045]
    Die Fig. 7 ist eine Ansicht eines LED-Geräts entsprechend einem fünften Ausführungsbeispiel der Erfindung. Wie in Fig. 7 gezeigt ist, bleibt die allgemeine Form des LED-Gehäuses 250 dieses fünften Ausführungsbeispiels das Gleiche wie es für das LED-Gehäuse entsprechend dem zweiten Ausführungsbeispiel der Fig. 4a und 4b beschrieben worden ist, jedoch ist die Oberseite des Chipmontageraums mit der reflektierenden Metallplatte 270 von einer hemisphärischen Linse 280 überdeckt. Diese hemisphärische Linse 280 ist unter Berücksichtigung des hemisphärischen Gehäuses gestaltet, wie es bei konventionellen Lampentyp LED- Geräten gemäß Fig. 1a verwendet wird. Die hemisphärische Linse 280 besteht vorzugsweise aus Polymermaterial. Diese hemisphärische Linse 280 wird vorzugsweise benutzt als Mittel zur Steuerung des Lichtaustrittswinkels eines LED- Chips des Geräts 250 durch Veränderung der Verteilung der Krümmung der Linse 280.
  • [0046]
    Die Gehäusestruktur gemäß dieser Erfindung kann vorzugsweise bei LED- Geräten benutzt werden, die eine Mehrzahl von LED-Chips aufweisen. Die Fig. 8 zeigt eine perspektivische Ansicht eines LED-Geräts mit sowohl einer reflektierenden Platte unter einer Mehrzahl von LED-Chips entsprechend einem sechsten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
  • [0047]
    Wie in Fig. 8 dargestellt besteht das LED-Gerät 310 des sechsten Ausführungsbeispiels aus einem ersten Keramiksubstrat 301 und einem zweiten Keramiksubstrat 302 und es enthält vier LED-Chips in seinem Chipmontageraum, der durch die Keramiksubstrate 301 und 302 gebildet wird. Die vier LED-Chips 305a, 305b, 305c und 305d dieses Ausführungsbeispiels sind mit Hilfe einer Mehrzahl von Drähten mit einer Mehrzahl von Elektroden 303 verbunden. In gleicher Weise wie es für das fünfte Ausführungsbeispiel beschrieben worden ist, ist auch hier eine reflektierende Metallplatte 320 in den Chipmontageraum des Gehäuses 310 eingebracht, um die vier LED-Chips 305a, 305b, 305c und 305d zu umgeben.
  • [0048]
    Wie vorstehend beschrieben, schafft die vorliegende Erfindung ein LED-Gehäuse, welches aus keramischen Substraten besteht und eine reflektierende Metallplatte aufweist, die in einem Chipmontageraum eingesetzt ist, der durch die Keramiksubstrate gebildet wird. In dem erfindungsgemäßen LED-Gehäuse wird der Chipmontageraum in die Keramiksubstrate des Gehäuses, wobei der Raum vertikale Seitenflächen aufweist, durch ein Stanzverfahren eingebracht. Es ist aber eine reflektierende Platte aus einer dünnen Metallplatte in den Chipmontageraum eingesetzt, sodass es möglich ist die Lichtintensität des LED-Chips und die Winkelverteilung der Strahlung in gewisser Weise frei zu steuern. Die reflektierende Metallplatte gemäß der Erfindung dient gleichzeitig als Wärmesenke und verteilt Wärme vom LED-Chip wirksam in die Umgebung des LED-Geräts.
  • [0049]
    Obgleich bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung zu deren Illustrierung beschrieben worden sind erkennt ein Fachmann ohne weiteres, dass verschiedene Modifikationen Ergänzungen und Abänderungen möglich sind ohne den Schutzbereich und den Geist der Erfindung wie er in den anliegenden Ansprüchen dargestellt ist zu verlassen.

Claims (21)

1. Lichtemissionsdiodengerät, umfassend:
ein erstes Keramiksubstrat mit einem Chipmontagebereich auf seiner Oberseite und versehen mit einem vorbestimmten leitenden Muster rund um den Chipmontagebereich,
wenigstens einen Lichtemissionsdioden (LED)-Chip der auf dem genannten Chipmontagebereich des ersten Keramiksubstrats aufsitzt und mit dem leitenden Muster verbunden ist,
ein zweites Keramiksubstrat das auf dem ersten Keramiksubstrat montiert ist und eine Ausnehmung an der Stelle aufweist, die dem wenigstens einen Chipmontagebereich entspricht und
eine reflektierende Platte aus Metall, die innerhalb der Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats angeordnet ist, sodass sie den LED-Chip umrahmt.
2. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte eine im Wesentlichen kegelstumpfförmige Gestalt aufweist mit einem Durchmesser am oberen Ende der größer ist als der Durchmesser am unteren Ende.
3. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte die Winkelverteilung der Strahlung des LED- Chips durch Veränderung des Neigungswinkels der Seitenwand der reflektierenden Platte steuert, wobei die Neigung der Seitenwand gebildet wird durch die Differenz im Durchmesser am oberen und unteren Ende der reflektierenden Platte.
4. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte die Strahlungsintensität des LED-Chips durch Veränderung der den LED-Chip umgebenden Oberfläche steuert.
5. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte die Strahlungsintensität des LED-Chips durch Auswahl der reflektierenden Platte aus Metallen mit unterschiedlichen Reflektivitäten steuert.
6. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte mit einer Überzugsschicht auf der inneren Oberfläche versehen ist.
7. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Überzugsschicht aus Sn, SnPb oder Ag besteht.
8. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte an der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats um die Oberkante der genannten Ausnehmung montiert ist.
9. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats unter Verwendung eines Bindemittels auf Silikonbasis mit hoher Wärmeleitfähigkeit montiert ist.
10. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, umfassend zusätzlich ein geformtes Isolierteil aus transparentem gießbarem Material, das den LED-Chip luftdicht verpackt, wobei der genannte Isolierteil mit der reflektierenden Platte verbunden ist.
11. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass das transparente, gießbare Material des gießbaren Isolierteils Epoxyharz oder ein Harz auf Silikonbasis ist.
12. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die reflektierende Platte einen Stützflansch am oberen Ende aufweist und an der Oberseite des zweiten Keramiksubstrats mit diesem Stützflansch aufsitzt.
13. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Stützflansch integral längs der Oberkante der reflektierenden Platte angeformt ist.
14. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass der Stützflansch sich vom oberen Ende der reflektierenden Platte bis zu einer vorbestimmten Position auf der Oberfläche des zweiten Keramiksubstrats erstreckt und dadurch wirksam Wärme von der reflektierenden Platte nach außen verteilt.
15. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Keramiksubstrat aus einem Keramiksubstratteil mit einer durchgehenden Wärmeverteilöffnung und einer Keramikplatte besteht, welche die Wärmeverteilöffnung auf der Oberseite des Keramiksubstratteils überdeckt und dass sowohl der Chipmontagebereich als auch das leitende Muster auf der Oberseite dieser Keramikplatte angeordnet sind.
16. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmeverteilöffnung des Keramiksubstratteils mit Metallpaste ausgefüllt ist.
17. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Keramiksubstrat aus Aluminiumoxid oder SiC besteht.
18. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das leitende Muster sich an der Seitenfläche des ersten keramischen Substrats erstreckt.
19. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das genannte leitende Muster aus einer Ag/Ni/Au-Schicht besteht.
20. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die darüber hinaus eine hemisphärische Linse umfasst, welche die Oberseite der Ausnehmung des zweiten keramischen Substrats überdeckt.
21. Lichtemissionsdiodengerät nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die genannte hemisphärische Linse aus einem Polymermaterial besteht.
DE2002127515 2001-12-24 2002-06-19 Lichtdiode mit Keramiksubstrat und Reflektor Active DE10227515B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20010083876A KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2001-12-24 발광다이오드 패키지
KR01-0083876 2001-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10227515A1 true true DE10227515A1 (de) 2003-07-10
DE10227515B4 DE10227515B4 (de) 2004-04-29

Family

ID=19717477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2002127515 Active DE10227515B4 (de) 2001-12-24 2002-06-19 Lichtdiode mit Keramiksubstrat und Reflektor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6707069B2 (de)
JP (1) JP2003197974A (de)
KR (1) KR100439402B1 (de)
DE (1) DE10227515B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005093853A1 (de) 2004-03-23 2005-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit mehrteiligem gehäusekörper
US7854535B2 (en) 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices

Families Citing this family (178)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003309292A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Citizen Electronics Co Ltd 表面実装型発光ダイオードのメタルコア基板及びその製造方法
US6770498B2 (en) * 2002-06-26 2004-08-03 Lingsen Precision Industries, Ltd. LED package and the process making the same
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) * 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
WO2004034529A1 (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Sanyo Electric Co., Ltd. 発光素子
US20040099875A1 (en) * 2002-11-26 2004-05-27 Lin Jung Kan Structure of surface mount device light emitting diode
US7692206B2 (en) * 2002-12-06 2010-04-06 Cree, Inc. Composite leadframe LED package and method of making the same
US6897486B2 (en) * 2002-12-06 2005-05-24 Ban P. Loh LED package die having a small footprint
WO2004055427A1 (ja) * 2002-12-13 2004-07-01 Sanken Electric Co., Ltd. 半導体発光装置及びその製法並びに線状光源
JP3918858B2 (ja) * 2003-03-18 2007-05-23 住友電気工業株式会社 発光素子搭載用部材およびそれを用いた半導体装置
US6788541B1 (en) * 2003-05-07 2004-09-07 Bear Hsiung LED matrix moldule
US6911731B2 (en) * 2003-05-14 2005-06-28 Jiahn-Chang Wu Solderless connection in LED module
WO2004102685A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-25 Nano Packaging Technology, Inc. Light emitting device, package structure thereof and manufacturing method thereof
JP4203374B2 (ja) * 2003-08-06 2008-12-24 株式会社光波 発光装置
WO2005020338A1 (ja) * 2003-08-26 2005-03-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. 半導体発光素子搭載部材、それを用いた発光ダイオード構成部材、およびそれを用いた発光ダイオード
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US7825421B2 (en) * 2003-09-19 2010-11-02 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device
US20080025030A9 (en) * 2003-09-23 2008-01-31 Lee Kong W Ceramic packaging for high brightness LED devices
US6942360B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
JP2005183531A (ja) * 2003-12-17 2005-07-07 Sharp Corp 半導体発光装置
JP2005191111A (ja) * 2003-12-24 2005-07-14 Kyocera Corp 発光素子収納用パッケージおよび発光装置
DE10361650A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Modul und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2005067063A1 (en) * 2004-01-12 2005-07-21 Asetronics Ag Arrangement with a light emitting device on a substrate
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
JP2005310935A (ja) * 2004-04-20 2005-11-04 Sumitomo Metal Electronics Devices Inc 発光素子収納用パッケージ
WO2005109529A1 (en) * 2004-05-07 2005-11-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting-diode chip package and a collimator
KR100613065B1 (ko) * 2004-05-21 2006-08-16 서울반도체 주식회사 고열전도성 반사체를 이용한 발광 다이오드 패키지 및 그제조방법
US7456499B2 (en) 2004-06-04 2008-11-25 Cree, Inc. Power light emitting die package with reflecting lens and the method of making the same
US7280288B2 (en) * 2004-06-04 2007-10-09 Cree, Inc. Composite optical lens with an integrated reflector
KR101080097B1 (ko) 2004-08-16 2011-11-07 서울반도체 주식회사 세라믹 본체를 채택하는 발광 다이오드 패키지
KR100604469B1 (ko) * 2004-08-25 2006-07-25 박병재 발광소자와 그 패키지 구조체 및 제조방법
DE102004045950A1 (de) * 2004-09-22 2006-03-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7670872B2 (en) * 2004-10-29 2010-03-02 LED Engin, Inc. (Cayman) Method of manufacturing ceramic LED packages
US7772609B2 (en) * 2004-10-29 2010-08-10 Ledengin, Inc. (Cayman) LED package with structure and materials for high heat dissipation
US9929326B2 (en) 2004-10-29 2018-03-27 Ledengin, Inc. LED package having mushroom-shaped lens with volume diffuser
US8816369B2 (en) 2004-10-29 2014-08-26 Led Engin, Inc. LED packages with mushroom shaped lenses and methods of manufacturing LED light-emitting devices
US7473933B2 (en) * 2004-10-29 2009-01-06 Ledengin, Inc. (Cayman) High power LED package with universal bonding pads and interconnect arrangement
US8134292B2 (en) * 2004-10-29 2012-03-13 Ledengin, Inc. Light emitting device with a thermal insulating and refractive index matching material
JP4358092B2 (ja) * 2004-11-26 2009-11-04 アバゴ・テクノロジーズ・イーシービーユー・アイピー(シンガポール)プライベート・リミテッド 発光装置およびその製造方法
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) * 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US9793247B2 (en) * 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7647083B2 (en) 2005-03-01 2010-01-12 Masimo Laboratories, Inc. Multiple wavelength sensor equalization
EP2280430A3 (de) * 2005-03-11 2012-08-29 Seoul Semiconductor Co., Ltd. LED-Kapselung mit einer Gruppe in Reihe geschalteter Leuchtzellen
KR100593935B1 (ko) * 2005-03-24 2006-06-20 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
EP1861876A1 (de) * 2005-03-24 2007-12-05 Tir Systems Ltd. Halbleiter-beleuchtungseinrichtungs-gehäuse
CA2614803C (en) * 2005-04-05 2015-08-25 Tir Technology Lp Electronic device package with an integrated evaporator
JP4744178B2 (ja) * 2005-04-08 2011-08-10 シャープ株式会社 発光ダイオード
KR100827327B1 (ko) * 2005-05-12 2008-05-06 (주) 아모센스 전자부품 패키지
KR100616680B1 (ko) * 2005-05-13 2006-08-21 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
KR100706958B1 (ko) * 2005-05-26 2007-04-11 삼성전기주식회사 발광소자용 반사기와 그 반사기를 사용한 발광소자 모듈 및그 제조방법
KR100665182B1 (ko) * 2005-06-03 2007-01-09 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
KR100689985B1 (ko) * 2005-07-19 2007-03-08 박교양 Led칩 하우징과 이 led칩 하우징의 반사면 가공방법
KR100675217B1 (ko) * 2005-08-11 2007-01-22 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지의 제조방법
KR100621154B1 (ko) * 2005-08-26 2006-08-30 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 제조방법
KR100714602B1 (ko) * 2005-09-29 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
KR100682325B1 (ko) 2005-09-30 2007-02-07 김선정 백라이트 유닛의 방열 코팅제, 방열 코팅층 형성방법, 방열코팅층을 구비한 백라이트 유닛
KR100730076B1 (ko) * 2005-11-29 2007-06-20 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지
KR100769718B1 (ko) * 2005-11-29 2007-10-24 삼성전기주식회사 발광소자용 반사부재 및 이를 사용한 발광다이오드 패키지
DE102005061204A1 (de) * 2005-12-21 2007-07-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Beleuchtungsvorrichtung, Beleuchtungssteuergerät und Beleuchtungssystem
KR101144489B1 (ko) 2005-12-23 2012-05-11 엘지이노텍 주식회사 Led 패키지
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR101283182B1 (ko) * 2006-01-26 2013-07-05 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US20070181897A1 (en) * 2006-02-03 2007-08-09 Been-Yu Liaw High heat dissipating package baseplate for a high brightness LED
US7695581B2 (en) * 2006-03-17 2010-04-13 Elit Fine Ceramics Co., Ltd. LED reflector molding process, construction, and loader thereof
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
KR100796670B1 (ko) * 2006-04-27 2008-01-22 (주)루멘스 발광다이오드 및 그 제조방법
KR100755086B1 (ko) * 2006-05-03 2007-09-03 삼화콘덴서공업주식회사 발광다이오드 패키지
WO2007139781A3 (en) * 2006-05-23 2008-05-15 Led Lighting Fixtures Inc Lighting device
WO2007145074A1 (ja) * 2006-06-15 2007-12-21 Sanyo Electric Co., Ltd. 電子部品
US7906794B2 (en) 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
JP4937845B2 (ja) * 2006-08-03 2012-05-23 日立マクセル株式会社 照明装置および表示装置
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
KR100851194B1 (ko) * 2006-08-24 2008-08-08 엘지이노텍 주식회사 발광 장치 및 그 제조방법, 백 라이트 장치
US20080070413A1 (en) * 2006-09-18 2008-03-20 National Central University Fabrication methods of a patterned sapphire substrate and a light-emitting diode
JP4846498B2 (ja) * 2006-09-22 2011-12-28 株式会社東芝 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法
RU2453948C2 (ru) * 2006-10-31 2012-06-20 Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. Модуль осветительного устройства (варианты)
EP1923922A1 (de) * 2006-11-15 2008-05-21 Lemnis Lighting IP GmbH Verbesserte Leuchtdioden-Beleuchtungsvorrichtung
US7667384B2 (en) * 2006-11-22 2010-02-23 Lighthouse Technology Co., Ltd. High-powered diode holder and a package thereof
JP2008186802A (ja) * 2007-01-04 2008-08-14 Toshiba Corp バックライト装置、液晶表示装置
US9711703B2 (en) * 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8604506B2 (en) * 2007-02-22 2013-12-10 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode and method for manufacturing the same
US8421088B2 (en) * 2007-02-22 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Surface mounting type light emitting diode
JP4798632B2 (ja) * 2007-03-07 2011-10-19 エヴァーライト エレクトロニクス カンパニー リミテッド ソケット型led装置
US8781544B2 (en) * 2007-03-27 2014-07-15 Cercacor Laboratories, Inc. Multiple wavelength optical sensor
KR100901618B1 (ko) 2007-04-19 2009-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 제조방법
US8374665B2 (en) 2007-04-21 2013-02-12 Cercacor Laboratories, Inc. Tissue profile wellness monitor
US8324641B2 (en) * 2007-06-29 2012-12-04 Ledengin, Inc. Matrix material including an embedded dispersion of beads for a light-emitting device
US7967476B2 (en) * 2007-07-04 2011-06-28 Nichia Corporation Light emitting device including protective glass film
US20090008662A1 (en) * 2007-07-05 2009-01-08 Ian Ashdown Lighting device package
US20090014739A1 (en) * 2007-07-09 2009-01-15 Everlight Electronics Co., Ltd. light-emitting diode package structure
US7621752B2 (en) * 2007-07-17 2009-11-24 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnection integrated connector holder package
CN101388161A (zh) * 2007-09-14 2009-03-18 科锐香港有限公司 Led表面安装装置和并入有此装置的led显示器
US7670021B2 (en) 2007-09-27 2010-03-02 Enertron, Inc. Method and apparatus for thermally effective trim for light fixture
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8946987B2 (en) 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
US8368099B2 (en) * 2007-11-07 2013-02-05 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US7524087B1 (en) * 2007-11-16 2009-04-28 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Optical device
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
KR100966744B1 (ko) * 2007-12-14 2010-06-29 엄우식 세라믹 패키지 및 이의 제조 방법
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US7855398B2 (en) * 2008-02-28 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic light emitting device package
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
DE202009004899U1 (de) * 2008-06-09 2009-11-12 LEDRAY Tech. Co., Ltd. Beleuchtungsvorrichtung
US20100059783A1 (en) * 2008-09-08 2010-03-11 Harry Chandra Light Emitting Chip Package With Metal Leads For Enhanced Heat Dissipation
US9252336B2 (en) * 2008-09-26 2016-02-02 Bridgelux, Inc. Multi-cup LED assembly
US7871842B2 (en) * 2008-10-03 2011-01-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Production process for surface-mounting ceramic LED package, surface-mounting ceramic LED package produced by said production process, and mold for producing said package
US8075165B2 (en) * 2008-10-14 2011-12-13 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens and mechanical retention and locating device
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
CN101728469B (zh) 2008-10-27 2012-03-28 富准精密工业(深圳)有限公司 发光二极管及其晶粒
US8791471B2 (en) * 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US20100117106A1 (en) * 2008-11-07 2010-05-13 Ledengin, Inc. Led with light-conversion layer
US7841747B2 (en) * 2008-12-11 2010-11-30 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light emitting device
US8507300B2 (en) * 2008-12-24 2013-08-13 Ledengin, Inc. Light-emitting diode with light-conversion layer
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
JP2010212508A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Sony Corp 発光素子実装用パッケージ、発光装置、バックライトおよび液晶表示装置
CN101894901B (zh) 2009-04-08 2013-11-20 硅谷光擎 用于多个发光二极管的封装
US9345095B2 (en) 2010-04-08 2016-05-17 Ledengin, Inc. Tunable multi-LED emitter module
US9080729B2 (en) * 2010-04-08 2015-07-14 Ledengin, Inc. Multiple-LED emitter for A-19 lamps
US7985000B2 (en) * 2009-04-08 2011-07-26 Ledengin, Inc. Lighting apparatus having multiple light-emitting diodes with individual light-conversion layers
US8220143B2 (en) * 2009-05-22 2012-07-17 Kuang Hong Precision Co., Ltd Method for a plastic lead frame with reflective and conductive layer
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
JP5612355B2 (ja) * 2009-07-15 2014-10-22 株式会社Kanzacc メッキ構造及び電気材料の製造方法
US8598809B2 (en) * 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
KR100965120B1 (ko) * 2009-09-29 2010-06-23 김경동 고신뢰성의 led 패키지용 리드프레임
US8101962B2 (en) * 2009-10-06 2012-01-24 Kuang Hong Precision Co., Ltd. Carrying structure of semiconductor
USD661262S1 (en) 2009-10-26 2012-06-05 Nichia Corporation Light emitting diode
US9839381B1 (en) 2009-11-24 2017-12-12 Cercacor Laboratories, Inc. Physiological measurement system with automatic wavelength adjustment
US8801613B2 (en) 2009-12-04 2014-08-12 Masimo Corporation Calibration for multi-stage physiological monitors
US8303141B2 (en) * 2009-12-17 2012-11-06 Ledengin, Inc. Total internal reflection lens with integrated lamp cover
US8511851B2 (en) 2009-12-21 2013-08-20 Cree, Inc. High CRI adjustable color temperature lighting devices
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8354745B2 (en) 2010-04-20 2013-01-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Electronic assembly
CN102110762B (zh) * 2010-11-26 2012-12-19 陕西科技大学 一种集散热板与电极于一体的散热器件及其制备方法
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
KR20120108437A (ko) 2011-03-24 2012-10-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지
US8858022B2 (en) 2011-05-05 2014-10-14 Ledengin, Inc. Spot TIR lens system for small high-power emitter
JP2012238830A (ja) * 2011-05-09 2012-12-06 Lumirich Co Ltd 発光ダイオード素子
US8513900B2 (en) 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8598793B2 (en) 2011-05-12 2013-12-03 Ledengin, Inc. Tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
US8816512B2 (en) * 2011-07-28 2014-08-26 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device module
CN103000794B (zh) * 2011-09-14 2015-06-10 展晶科技(深圳)有限公司 Led封装结构
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9897284B2 (en) 2012-03-28 2018-02-20 Ledengin, Inc. LED-based MR16 replacement lamp
KR101348097B1 (ko) 2012-09-04 2014-01-08 주식회사 루멘스 발광소자 패키지
KR20140039740A (ko) 2012-09-25 2014-04-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
JP2014082453A (ja) * 2012-09-25 2014-05-08 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置の製造方法
US9234801B2 (en) 2013-03-15 2016-01-12 Ledengin, Inc. Manufacturing method for LED emitter with high color consistency
DE102013207111A1 (de) * 2013-04-19 2014-11-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
JP2015032740A (ja) * 2013-08-05 2015-02-16 豊田合成株式会社 発光装置
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
US9406654B2 (en) 2014-01-27 2016-08-02 Ledengin, Inc. Package for high-power LED devices
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
CN104362132B (zh) * 2014-09-28 2015-10-28 四川广义微电子股份有限公司 芯片封装件
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
JP6256700B2 (ja) * 2014-11-11 2018-01-10 豊田合成株式会社 発光装置
CN107004677A (zh) 2014-11-26 2017-08-01 硅谷光擎 用于温暖调光的且颜色可调谐的灯的紧凑型发射器
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262476A (en) * 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting element
WO2001024281A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Optoelektronisches bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung desselben

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4013915A (en) * 1975-10-23 1977-03-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Light emitting device mounting arrangement
US4826271A (en) * 1984-08-31 1989-05-02 Canon Kabushiki Kaisha Rotational polygon mirror and method of manufacturing the same
US4935665A (en) * 1987-12-24 1990-06-19 Mitsubishi Cable Industries Ltd. Light emitting diode lamp
JPH0343750U (de) * 1989-09-04 1991-04-24
JPH0584861A (ja) * 1991-09-30 1993-04-06 Japan Gore Tex Inc シリコーン樹脂を使用した複合材料
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
US5226723A (en) * 1992-05-11 1993-07-13 Chen Der Jong Light emitting diode display
US5534718A (en) * 1993-04-12 1996-07-09 Hsi-Huang Lin LED package structure of LED display
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
US6121637A (en) * 1997-10-03 2000-09-19 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with increased luminous power
US6548832B1 (en) * 1999-06-09 2003-04-15 Sanyo Electric Co., Ltd. Hybrid integrated circuit device
US6429464B1 (en) * 2001-02-16 2002-08-06 Para Light Electronics Co., Ltd. Light emitting diode
US6984934B2 (en) * 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
US6483161B1 (en) * 2001-08-14 2002-11-19 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Submount with filter layers for mounting a bottom-incidence type photodiode
US6501103B1 (en) * 2001-10-23 2002-12-31 Lite-On Electronics, Inc. Light emitting diode assembly with low thermal resistance

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262476A (en) * 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting element
WO2001024281A1 (de) * 1999-09-30 2001-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Optoelektronisches bauelement mit reflektor und verfahren zur herstellung desselben

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7854535B2 (en) 2003-09-23 2010-12-21 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Ceramic packaging for high brightness LED devices
WO2005093853A1 (de) 2004-03-23 2005-10-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauteil mit mehrteiligem gehäusekörper
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US8735930B2 (en) 2004-03-23 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with multi-part housing body

Also Published As

Publication number Publication date Type
KR20030053853A (ko) 2003-07-02 application
US6707069B2 (en) 2004-03-16 grant
KR100439402B1 (ko) 2004-07-09 grant
DE10227515B4 (de) 2004-04-29 grant
US20030116769A1 (en) 2003-06-26 application
JP2003197974A (ja) 2003-07-11 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007022947A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102007029369A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
EP0933823A2 (de) Ausdehnungskompensiertes optoelektronisches Halbleiter-Bauelement, insbesondere UV-emittierende Leuchtdiode und Verfahren zu seiner Herstellung
DE10251955A1 (de) Einbaumodul mit leistungsstarker LED, insbesondere für ein Kraftfahrzeug
DE10044500A1 (de) Licht emittierendes Verbindungshalbleiter-Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE10314524A1 (de) Scheinwerfer und Scheinwerferelement
DE102005033709A1 (de) Lichtemittierendes Modul
DE10229067A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102004036157A1 (de) Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Leuchtmodul
DE19536454A1 (de) Optoelektronisches Halbleiter-Bauelement
DE102007001706A1 (de) Gehäuse für optoelektronisches Bauelement und Anordnung eines optoelektronischen Bauelementes in einem Gehäuse
DE10245930A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
DE19945919A1 (de) Licht ausstrahlende Halbleiter-Vorrichtung mit einem Reflektor
DE102010025319A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
DE4242842A1 (de)
EP1592074A2 (de) Leuchtdiodenanordnung
DE10244986A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE10234978A1 (de) Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10045043A1 (de) Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007011123A1 (de) Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul
DE19542416A1 (de) Anordnung zum Erzeugen einer gerichteten Lichtabstrahlung aus einer LED
DE102006048592A1 (de) Optoelektronisches Modul und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Moduls
DE19829197A1 (de) Strahlungsaussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement
DE3719338A1 (de) Leuchtdioden-anzeigevorrichtung
DE10117890A1 (de) Verfahren zum Herstellen eines strahlungsempfangenden und/oder emittierenden Halbleiterbauelements und strahlungsempfangendes und/oder -emittierendes Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: LINDNER BLAUMEIER PATENT- UND RECHTSANWAELTE, 9040

8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KYONGGI, KR

8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: ZIMMERMANN & PARTNER, 80331 MUENCHEN

R082 Change of representative

Representative=s name: ZIMMERMANN & PARTNER, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., KR

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KR

Effective date: 20121207

Owner name: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD., SUWON-SI, KR

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG LED CO.,LTD., SUWON, KYONGGI, KR

Effective date: 20121207

R082 Change of representative

Representative=s name: ZIMMERMANN & PARTNER, DE

Effective date: 20121207

Representative=s name: ZIMMERMANN & PARTNER PATENTANWAELTE MBB, DE

Effective date: 20121207