DE10213648A1 - Leistungshalbleitermodul - Google Patents

Leistungshalbleitermodul

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Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit aktiven und passiven Bauelementen, insbesondere ein Stromrichtermodul. Bei der Erhöhung der Leistungsfähigkeit, der Zuverlässigkeit sowie der Lebensdauer bei gleichzeitig verringerten Herstellungskosten sind veränderte Methoden der Aufbautechnologien für die einzelnen Bestandteile eine zwingende Voraussetzung. Bei diesem Leistungshalbleitermodul wird zumindest teilweise auf Bondverbindungen zur elektrischen Verbindung der Leistungshalbleiterbauelemente mit den Kontaktflächen des Substrats verzichet, indem mindestens ein gehaustes Leistungshalbleiterbauelement (40), mit Kontaktelementen (410, 420) verbunden, mit Kontaktflächen (220) eingesetzt wird.

Description

  • Die Erfindung beschreibt ein Leistungshalbleitermodul mit aktiven und/oder passiven Bauelementen, insbesondere ein Stromrichtermodul. Derartige Leistungshalbleitermodule sind mehrfach aus der Literatur bekannt. Bei der Erhöhung der Leistungsfähigkeit, der Zuverlässigkeit sowie der Lebensdauer bei gleichzeitig verringerten Herstellungskosten sind veränderte Methoden der Aufbautechnologien für die einzelnen Bestandteile eine zwingende Voraussetzung.
  • Moderne Leistungshalbleitermodule, die Ausgangspunkt dieser Erfindung sind, sind grundplattenlose Module, wie beispielhaft in der DE 199 03 875 A1 beschrieben, bestehend aus
    • - einem Gehäuse;
    • - einem keramischen Substrat mit darauf angeordneten schaltungsgerecht ausgeführten metallischen Kaschierungen, wie sie z. B. nach dem DCB-(direct copper bonding) Verfahren hergestellt werden;
    • - auf diesem Substrat mittels Löttechnik stoffschlüssig aufgebrachten Bauelementen, wie beispielhaft Dioden, Transistoren, Widerständen oder Sensoren;
    • - Bondverbindungen zur Verbindung der strukturierten Seite der chipförmigen, ungehausten Leistungshalbleiterbauelemente mit weiteren Bauelementen und/oder dem Substrat und/oder nach außen führenden Anschlusselementen.
    • - Einer vorzugsweise aus Silikonkautschuk bestehenden Vergussmasse zur Isolation der einzelnen Bauelemente zueinander.
  • Es hat sich gezeigt, dass sich insbesondere großflächige Lötverbindungen zu einem Kühlbauteil nur sehr schwer qualitätsgerecht beherrschen lassen, worunter die Zuverlässigkeit sowie die Lebensdauer der Leistungshalbleitermodule leiden. Sehr vorteilhaft hat daher sich für derartige Leistungshalbleitermodule die Aufbautechnologie mit Druckkontakt zur thermisch leitenden Verbindung des Moduls mit einem Kühlbauteil erwiesen.
  • Der Druckaufbau in derartigen druckkontaktierten Leistungshalbleitermodulen wird mittels einer mechanisch stabilen Druckplatte erzielt. Je nach weiterer Ausgestaltung kann der erzeugte Druck direkt mittels speziell ausgestalteter Druckstücke der Druckplatte, wie beispielhaft in der DE 196 48 562 C1 gezeigt, oder mittels eines elastischen Druckspeichers nach der DE 199 03 875 A1, auf das Substrat übertragen werden.
  • Den Leistungshalbleitermodulen nach DE 196 48 562 C1 oder DE 199 03 875 A1 haftet der Nachteil an, dass, wie bei modernen Modulen üblich, eine Vielzahl von Leistungshalbleiterbauelementen miteinander und/oder mit dem Substrat kontaktiert werden müssen. Technisch wird dies mittels einer Vielzahl einzelner Drahtbondverbindungen realisiert. Üblich sind hier durchaus bis zu 10 Bondverbindungen pro Bauelement. Da diese Bondverbindungen seriell hergestellt werden, erfordert ihre Herstellung einen erheblichen Zeitaufwand und verursacht damit auch einen wesentlichen Kostenanteil an der Modulherstellung.
  • Die vorliegende Erfindung hat die Aufgabe ein Leistungshalbleitermodul vorzustellen, bei dem zumindest teilweise auf Bondverbindungen zur elektrischen Verbindung der Halbleiterbauelement mit den Kontaktflächen des Substrats verzichtet werden kann.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch die Maßnahmen des Anspruchs 1. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen genannt.
  • Der grundlegende erfinderische Gedanke liegt darin zumindest ein ungehaustes, chipförmiges Leistungshalbleiterbauelement durch ein gehaustes Leistungshalbleiterbauelement zu ersetzen. Gehauste Leistungshalbleiterbauelemente nach dem Stand der Technik weisen die gleichen elektrischen Parameter auf wie die in Leistungshalbleitermodulen eingesetzte Leistungshalbleiterbauelemente. Gehauste Varianten weisen allerdings gegenüber den ungehausten die Vorteil auf, dass Sie über aus dem Gehäuse herausgeführte Anschlusselemente verfügen, mit denen sich die gleichen elektrischen Kontakte herstellen lassen, wie sie nach dem Stand der Technik mittels der Drahtbondverbindungen hergestellt werden. Die gehausten Leistungshalbleiterbauelemente lassen sich ebenso wie die ungehausten mittels vielfältiger Verbindungstechniken mit dem Substrat verbinden.
  • Spezielle Ausgestaltungen erfinderischer Leistungshalbleitermodule werden anhand der Fig. 1 bis 5 näher erläutert.
  • Fig. 1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul nach dem Stand der Technik
  • Fig. 2 zeigt ein erfinderisches Leistungshalbleitermodul.
  • Fig. 3 zeigt ein erfinderisches Leistungshalbleitermodul mit Druckkontaktierung.
  • Fig. 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfinderisches Leistungshalbleitermodul mit Druckkontaktierung ohne Vergussmasse.
  • Fig. 5 zeigt ein weitere Ausgestaltung eines erfinderisches Leistungshalbleitermodul nach Fig. 3
  • Fig. 1 zeigt ein Leistungshalbleitermodul auf einem Kühlkörper (10) nach dem Stand der Technik, wobei das Leistungshalbleitermodul besteht aus einem Substrat (20) mit einer ersten dem Kühlkörper zugewandten flächigen metallischen Kaschierung (210), einer zweiten schaltungsgerecht strukturierten metallischen Kaschierung (220). Auf dieser zweiten metallischen Kaschierung sind ungehauste chipförmige Leistungshalbleiterbauelemente (30) angeordnet und elektrisch leitend mit dieser verbunden. Hierzu dienen verschiedenen Verbindungstechniken, die am häufigsten eingesetzte ist die Lötverbindung, allerdings sind auch Klebeverbindungen mittels leitfähiger Kleber bekannt. Weitere elektrische Verbindungen der dem Substrat abgewandten Seite der Leistungshalbleiterbauelemente (30) werden nach dem Stand der Technik meist mittels Drahtbondverbindungen (310) hergestellt. Zur elektrischen Isolierung der einzelnen Bauelemente ist in das Gehäuse (60) noch eine Vergussmasse (90) eingebracht. Weiterhin dienen elektrische Kontaktierungen als Haupt- (70) und Hilfsanschlüsse (80), die das Substrat mit externen Anschlüssen verbinden. Auf dem Substrat können weitere Bauelemente wie beispielhaft Sensoren (50) angeordnet sein.
  • Fig. 2 zeigt ein erfinderisches Leistungshalbleitermodul, wobei einzelne chipförmige ungehauste Leistungshalbleiterbauelemente (30) durch gehauste Leistungshalbleiterbauelemente (40) ersetzt sind. Diese Bauelemente sind mit der zweiten metallischen Kaschierung (220) des Substrates mittels Lötverbindung oder mittels einer Klebetechnik mit thermisch leitfähigem Kleber verbunden. Wichtig ist hierbei, dass der Wärmeübergang vom Leistungshalbleiterbauelement (40) zur Wärmesenke, dem Kühlbauteil (10), ein der Aufbautechnik nach dem Stand der Technik vergleichbares Maß aufweist. Dies ist beispielhaft durch den Einsatz bekannter gehauster Halbleiterbauelement (40) im "TO-" Gehäuse mit integrierter Wärmespreizung gewährleistet. Die Anschlusselemente (410) des gehausten Leistungshalbleiterbauelements (40) werden durch Lötverbindungen mit den entsprechenden Kontaktflächen, Teilen der metallischen Kaschierung (220) des Substrates, verbundenen. Alle weiteren Komponenten des Leistungshalbleitermoduls nach dem Stand der Technik (vgl. Fig. 1), wie Sensoren (50) und Anschlusselemente (70 und 80) finden sich hier ebenfalls.
  • Fig. 3 zeigt ein erfinderisches Leistungshalbleitermodul mit Druckkontaktierung. Hierbei wird eine Druckkontaktierung nach dem Stand der Technik gezeigt, die mittels einzelner Druckstücke (620) eines separaten Deckels (610) als Teil des Gehäuses (60) das Substrat (20) auf das Kühlbauteil drücken und somit einen sehr wirkungsvollen Wärmeübergang zwischen den Bauelementen des Leistungshalbleitermoduls und dem Kühlbauteil gewährleisten. Diese Druckeinrichtung ist erfinderisch erweitert um Druckstücke (630) zur Druckkontaktierung der gehausten Leistungshalbleiterbauelemente (40a). Somit kann auf eine stoffschlüssige Verbindung, wie eine Lötung, verzichtet werden, um einen thermischen leitenden Kontakt zur Wärmeabführung des Leistungshalbleiterbauelements auf das Substrat bzw. das Kühlbauteil zu ermöglichen. Zwischen Leistungshalbleiterbauelement (40) und Substrat (20), bzw. Kontaktfläche (220), kann zusätzlich ein wärmeleitendes Medium angeordnet sein.
  • Fig. 4 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfinderisches Leistungshalbleitermodul mit Druckkontaktierung ohne Vergussmasse. Hierbei wird die Druckkontaktierung aus Fig. 3 noch einmal erfinderisch erweitert, indem auch auf die Anschlusselemente (410a) des Leistungshalbleiterbauelements (40b) mittels eines Druckstücks (640) Druck eingeleitet wird. Hierdurch kann auf eine Löt- oder Klebekontaktierung dieses Anschlusselements (410a) verzichtet werden. Es wird so ein elektrisch leitender Kontakt zwischen den Anschlusselementen des Leistungshalbleiterbauelements und der entsprechenden Kontaktfläche (220) des Substrats hergestellt. Vorteilhafterweise werden sowohl das Leistungshalbleiterbauelement (40c) als auch dessen Anschlusselemente mittels geeigneter Druckstücke auf das Substrat gedrückt. Somit kann sowohl der thermisch, leitenden Übergang zur Wärmeabführung als auch der elektrisch leitende Übergang zur elektrischen Kontaktierung unter Verzicht auf Lötverbindungen hergestellt werden.
  • Die Druckeinrichtung kann weiterhin durch ein elastisches Kissenelement (660) nach dem Stand der Technik ergänzt werden. Hierbei wird dann der Druck des Druckstücks (650) nicht direkt auf das Leistungshalbleiterbauelement (40d) eingeleitet, sondern auf ein dauerelastisches Druckkissen (660), welches seinerseits den Druck auf das Leistungshalbleiterbauelement (40d) überträgt. Das Druckkissen kann derart ausgestaltet sein, dass es eines oder mehrere Leistungshalbleiterbauelemente überdeckt und darauf Druck überträgt.
  • Fig. 5 zeigt eine weitere Ausgestaltung eines erfinderisches Leistungshalbleitermodul nach Fig. 3. Hier werden andere Bauformen des Leistungshalbleiterbauelements (40e) derart auf dem Substrat angeordnet, dass die Anschlusselemente (420a und 420b) mit den jeweils schaltungsgerechten Kontaktflächen (220) des Substrates (20) verbunden werden. Auch für derartige Leistungshalbleiterbauelement (40e, 40f) bieten sich die bereits oben genannten Möglichkeiten zur thermischen und elektrischen Kontaktierung an. Das Leistungshalbleiterbauelement (40e) wird per stoffschlüssiger Verbindung, beispielhaft einer Lötverbindung kontaktiert, während das Leistungshalbleiterbauelement (40f) mittels einer Druckkontaktierung mit Druckstücken (630) thermisch und elektrisch kontaktiert wird.
  • Der Einsatz ungehauster Leistungshalbleiterbauelemente in erfinderischen Leistungshalbleitermodulen weist folgenden Vorteile gegenüber dem Stand der Technik auf:
    • - Die Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls wird vereinfacht, da keine oder weniger mechanisch empfindliche ungehauste Leistungshalbleiterbauelemente verwendet werden.
    • - Die Herstellung eines erfinderischen Leistungshalbleitermoduls kann mit den gleichen Werkzeigen erfolgen wie sie beim Stand der Technik üblich sind.
    • - Die Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls wird beschleunigt, da auf die aufwändige Drahtbondverbindungen zumindest zum Teil verzichtet werden kann.
    • - Das Leistungshalbleitermodul wird bereits in einem früheren Stadium seiner Herstellung testfähig, da die Isolierung der Bauelemente durch ihr Gehäuse sichergestellt ist und nicht erst durch das Einbringen einer Vergussmasse erreicht wird.
    • - Die gehausten Leistungshalbleiterbauelemente sind direkt einer Druckkontaktierung zugänglich, da ihre Gehäuse selbst mit Druck beaufschlagt werden können.
    • - Auf den Einsatz von Vergussmassen kann verzichtet werden, oder es kann deren Einsatz zumindest verringert werden.
    • - Die Leistungshalbleitermodule werden einer Reparatur zugänglich, da einzelne nicht mit auf das Substrat gelötete defekte Leistungshalbleiterbauelemente ersetzt werden können.
    Bezeichnungsliste 10 Kühlbauteil
    20 Substrat
    210 erste metallische Kaschierung des Substrats 20
    220 zweite metallische Kaschierung des Substrats 20
    30 ungehaustes Leistungshalbleiterbauelement
    310 Drahtbondverbindungen
    40 gehaustes Leistungshalbleiterbauelement
    410 Anschlusselement eines Leistungshalbleiterbauelements 40
    420 Anschlusselement eines Leistungshalbleiterbauelements 40
    50 Sensor
    60 Gehäuse
    610 Deckel des Gehäuses 60
    620 Druckstück zum Druck auf das Substrat 20
    630 Druckstück zum Druck auf das Leistungshalbleiterbauelement 40
    640 Druckstück zum Druck auf Anschlusselemente 410
    650 Druckstück zum Druck auf ein Kissenelement 660
    660 Kissenelement
    70 Anschlusselement
    80 Anschlusselement
    90 Vergussmasse

Claims (5)

1. Leistungshalbleitermodul, zur Montage auf einem Kühlbauteil (10), bestehend aus einem Gehäuse (60), mindestens einem vorzugsweise keramischen Substrat (20), darauf schaltungsgerecht angeordneten strukturierten und elektrisch leitenden Kontaktflächen (220), mindestens einem darauf angeordneten gehausten Leistungshalbleiterbauelement (40), mit Kontaktelementen (410, 420) verbunden mit mindestens einer Kontaktfläche (220), sowie Anschlusselementen (70, 80) zur elektrischen Kontaktierung des Leitungshalbleitermoduls.
2. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 wobei das Gehäuse (60) einen Deckel (610) zur Druckkontaktierung, mit oder ohne Druck speicherndes elastisches Kissenelement (660), aufweist.
3. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 2 wobei der Druck über Druckstücke (620, 630, 640, 650) eingeleitet wird auf das Substrat (20) und/oder auf das Leistungshalbleiterbauelement (40) und/oder auf die Kontaktelemente (410, 420) des Leistungshalbleiterbauelements (40) und/oder ein Kissenelement (660).
4. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2 wobei das Leistungshalbleiterbauelement (40) durch eine stoffschlüssig Verbindung oder eine Druckkontaktierung auf dem Substrat (20, 220) fixiert ist.
5. Leistungshalbleitermodul nach Anspruch 1 oder 2 wobei die Kontaktelemente (410, 420) des Leistungshalbleiterbauelements (40) durch eine stoffschlüssig Verbindung oder durch eine Druckkontaktierung mit den Kontaktflächen (220) des Substrats (20) kontaktiert ist.
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R107 Publication of grant of european patent cancelled

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