DE10209400A1 - Transponder circuit for a transponder has a rectifier circuit with a component that has a coating of organic material - Google Patents

Transponder circuit for a transponder has a rectifier circuit with a component that has a coating of organic material

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Abstract

A rectifier circuit (RC) (300) has four field-effect transistors (FET) (301-304) with an organic coating in a Graetz circuit and a Pentazen coating as a semi-conductive organic material forming a body area for the FET. There is an alternating voltage (AV) at the RC's input (305). The FET convert a negative half-wave for the AV into a positive half-wave, both available at an output (306). An Independent claim is also included for a method for producing a transponder circuit.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie ein Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung. The invention relates to a transponder circuit having a rectifying circuit and a method for producing a transponder circuit comprising a rectifier circuit.
  • Transponder sind elektrische Bauelemente, die ein Signal wie z. Transponders electrical components, a signal such. B. ein Radiofrequenz-Signal erzeugen, das zum Beispiel zur Orts- oder Anwesenheitsbestimmung eines Objekts dienen kann, an denen der Transponder angebracht ist. B. generating a radio frequency signal which can serve for example to the presence of local or determination of an object to which the transponder is attached. Eine potentielles neues Anwendungsgebiet von Transpondern ist deren Einsatz als elektronischer "Barcode" zur Produktkennzeichnung. A potential new area of ​​application of transponders is their use as electronic "barcode" for product identification.
  • Generell ist für die Erzeugung des von einer Transponderschaltung ausgesandten Signals eine elektrische Energiequelle erforderlich. In general, an electric power source is required for the generation of light emitted by a transponder circuit signal. Wird als Energiequelle anstelle einer eigenständigen Energiequelle, z. Is as an energy source instead of a separate power source such. B. einer Batterie, ein elektromagnetisches Wechselfeld genommen, das über die mit der Transponderschaltung gekoppelten Antenne eingekoppelt wird, wird bei derartigen Transponderschaltungen eine Gleichrichterschaltung benötigt, die aus der Wechselspannung eine Gleichspannung erzeugt [vgl. As a battery, taken an electromagnetic alternating field, which is coupled via the circuit coupled to the transponder antenna is required, a rectifier circuit in such transponder circuits, generates a DC voltage from the AC voltage, the [cp. 1; 1; oder Fig. 2]. or Fig. 2]. Herkömmlicherweise wird dabei die gesamte Schaltung einschließlich des elektrischen Energieversorgungsteils in der Form eines Chips mit Standard-Bauelementen auf Siliziumbasis oder anderen anorganischen halbleitenden Verbindungen wie Galliumarsenid hergestellt. Conventionally, while the entire circuit including the electric power supply portion in the form of a chip with standard components is produced based on silicon or other inorganic semiconducting compounds such as gallium arsenide. Nachteilig an solchen üblichen Transponderschaltungen ist der relative hohe Aufwand bei ihrer Herstellung, der ihren Einsatz bei Niedrigpreisanwendungen wie elektronischen Barcodes aus Kostengründen behindert. A disadvantage of such a conventional transponder circuits is the relative high expense in their manufacture, which hinders their use in low-cost applications such as electronic barcodes for cost reasons.
  • Darüber hinaus ist aus [2] die Möglichkeit bekannt, eine Transponderschaltung mit aktiven Bauelementen herzustellen, die organische Halbleitermaterialien verwenden. Moreover, the possibility is known from [2] to produce a transponder circuit having active devices using organic semiconductor materials. Für die Erzeugung der Spannungsversorgung wird in [2] eine extern auf dem Träger der Transponderschaltung aufgebrachte konventionelle Siliziumdiode als Gleichrichterschaltung verwendet. For the generation of the power supply in [2] an externally applied on the carrier of the transponder circuit conventional silicon diode is used as a rectifier circuit.
  • Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Transponderschaltung mit einer alternativen Gleichrichterschaltung bereitzustellen. The invention is based on the problem of providing a transponder circuit with an alternative rectifier circuit.
  • Das Problem wird gelöst durch die Transponderschaltung und das Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen. The problem is solved by the transponder circuit and the method for producing a transponder circuit having the features according to the independent claims.
  • Eine solche Transponderschaltung ist eine Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung, die mindestens ein Bauelement aufweist, das mindestens eine Schicht mit einem organischen Material aufweist. Such a transponder circuit is a transponder circuit comprising a rectifier circuit having at least one component comprising at least one layer with an organic material.
  • Einfach ausgedrückt beruht das vorliegende Verfahren auf der Erkenntnis, dass die Verwendung von elektrischen Bauelementen mit mindestens einer Schicht mit einem organischen Material in einer Gleichrichterschaltung einer Transponderschaltung eine Reihe von Vorteilen birgt. Simply stated, the present method is based on the realization that the use of electrical devices with at least one layer with an organic material in a rectifier circuit of a transponder circuit has a number of advantages. So können derartige Transponderschaltungen mit geringerem prozesstechnischen Aufwand hergestellt werden als Transponderschaltungen, bei denen Gleichrichterschaltungen, dh ein Spannungsversorgungsteil, auf Basis anorganischer Halbleitermaterialien wie Siliziumdioxid eingesetzt werden. Thus, such transponder circuits can be produced with less engineering effort as a transponder circuits in which rectifier circuits, ie, a power supply part, silica are used based on inorganic semiconductor materials such as. Die vorliegende Erfindung eröffnet somit nicht nur eine vereinfachte Herstellung, sondern auch den Weg zu einer Transponderschaltung, die aufgrund der Kostensituation als Einwegprodukt eingesetzt werden kann. The present invention thus not only provides a simplified production but also the way to a transponder circuit which can be used as a disposable product because of the cost situation.
  • Die Schicht mit der organischen Material des mindestens einen Bauelement, das für die Erzeugung der gleichrichtenden Wirkung der hier beschriebenen Gleichrichterschaltung eingesetzt wird, weist im allgemeinen ein halbleitendes Material auf, dh diese Schicht besitzt Halbleitereigenschaften. The layer of organic material of the at least one component which is used for the generation of the rectifying action of the rectifier circuit described herein, generally comprises a semiconducting material, that this layer has semiconducting properties.
  • Diese Schicht des gleichrichtenden Bauelements kann eine Schicht sein, die ein organisches Polymermaterial als ein elektrisch inertes Matrixmaterial aufweist, in das anorganische halbleitende Partikel eingebettet sind. This layer of the rectifying device can be a layer comprising an organic polymer material as an electrically inert matrix material, are embedded in the inorganic semiconductive particles. Bei dieser Schicht werden deren Halbleiter-Eigenschaften folglich von anorganischen halbleitenden Materialien erfüllt. In this layer the semiconductor properties are consequently filled with inorganic semiconducting materials. Für diesen Zweck kann jedes bekannte anorganische halbleitende Material eingesetzt werden. For this purpose any known inorganic semiconducting material can be used. Allerdings finden, unter anderem aus Kostengründen, vorzugsweise gängige Halbleitermaterialien wie Silizium, Siliziumcarbid, Germanium, Galliumarsenid, Galliumnitrid, Indiumphosphid, Cadmiumselenid oder Mischungen davon Anwendung in der vorliegenden Erfindung. However, find, inter alia for reasons of cost, preferably common semiconductor materials such as silicon, silicon carbide, germanium, gallium arsenide, gallium nitride, indium phosphide, cadmium selenide or mixtures thereof are used in the present invention. Ein besonders bevorzugtes Material ist polykristallines Silizium, das unter anderem als Abfall in der Herstellung von Silizium- Einkristallen beim Zonenschmelzen anfällt und das für die Verwendung als anorganisches Halbleitermaterial hier lediglich zerkleinert werden muss. A particularly preferred material is polycrystalline silicon, which is obtained, inter alia as waste in the production of silicon single crystals during the zone melting and need to be crushed for use as the inorganic semiconductor material here only. Das Halbleitermaterial kann dotiert oder undotiert sein. The semiconductor material can be doped or undoped.
  • Die Partikelgröße des verwendeten anorganischen halbleitenden Materials beträgt im allgemeinen zwischen 100 µm und 1 nm, vorzugsweise zwischen 50 µm und 0,1 µm oder 0,05 µm. The particle size of the inorganic semiconducting material used is generally between 100 microns and 1 nm, preferably between 50 microns and 0.1 microns or 0.05 microns. So können z. Thus, can. B. auch n- und p-leitfähige Nanopartikel, wie in [3]) beschrieben, die in eine organische Matrix eingebettet sind, verwendet werden. B. also be n- and p-conductive nanoparticles, as described in [3]), which are embedded in an organic matrix used.
  • Als elektrisch inertes organisches Matrixmaterial kann prinzipiell jedes der Polymermaterialien verwendet werden, die nachfolgend als Polymermaterialien zur Ausbildung des Gate-Dielektrikums bei Transistoren oder als Trägermaterial für die Transponderschaltung genannt werden. As the electrically inert organic matrix material of each of the polymeric materials can be used, which are hereinafter referred to as polymer materials for forming the gate dielectric for the transistors or as a carrier material for the transponder circuit principle.
  • Die Schicht, in der die anorganischen halbleitenden Partikel in ein organisches Matrixmaterial eingebettet sind, kann ferner ein unterstützendes halbleitendes organisches Material (als Matrixmaterial) enthalten. The layer in which the inorganic semiconductive particles are embedded in an organic matrix material may further include a supporting semiconducting organic material (matrix material). Dieses Material können die oben genannten organischen halbleitende Polymere wie Polythiophen, Polyanilin, Poly-p-phenylen und dgl. sein. This material, the organic semiconducting polymers mentioned above such as polythiophene, polyaniline, poly-p-phenylene, and the like. Be. Gleichfalls können auch monomere bzw. niedermolekulare, unterstützende (halbleitende) organische Additive wie Pentazen oder Oligothiophene (beispielsweise mit 1 bis 10 Thiophen-Einheiten, vorzugsweise 6 Thiophen-Einheiten) als derartiges organisches Material enthalten sein. Similarly, monomeric or low molecular weight support (semi-conductive) can (6 thiophene units, for example having 1 to 10 thiophene units, preferably) be included as such an organic material, organic additives such as pentacene or oligothiophene. Der Anteil solcher unterstützenden Polymere und Additive in der halbleitenden Schicht beträgt in der Regel ungefähr 0,5 bis 25 Vol.-%, vorzugsweise maximal 10 Vol.-%. The proportion of such supporting polymers and additives in the semiconducting layer is generally about 0.5 to 25 vol .-%, preferably a maximum of 10 vol .-%.
  • Zum anderen kann die Schicht des Bauelements (der Gleichrichterschaltung) mit der organischen Schicht anstelle des anorganischen Halbleitermaterials ein organisches halbleitendes Material aufweisen. On the other hand, the layer of the component can (the rectifier circuit) having the organic layer in place of the inorganic semiconductor material is an organic semiconducting material. In diesem Fall werden die Halbleitereigenschaften der Schicht durch das organische Material bewirkt. In this case, the semiconductor characteristics of the layer by the organic material can be effected. Hierbei muss die Schicht mit dem organischen Material kein inertes organisches Matrixmaterial aufweisen, allerdings können die nachfolgend offenbarten organischen Halbleitermaterialien auch in eine anorganische Halbleitermaterialien enthaltende Matrix aufgenommen werden. Here, the layer having the organic material must have no inert organic matrix material, but the disclosed hereinafter organic semiconductor materials containing in an inorganic semiconductor materials matrix may be included.
  • In folgenden wird die Erfindung weitestgehend unter Bezugnahme auf Bauelemente mit Schichten, die ein organisches halbleitendes Material aufweisen, erläutert. In the following, the invention will largely be explained with reference to devices having layers comprising an organic semiconducting material. Die nachstehend gemachten Aussagen treffen jedoch selbstverständlich auch für ein Bauelement zu, das eine Schicht aus organischem Matrixmaterial und darin eingebetteten anorganische Halbleiterpartikeln aufweist. However, the statements made below meet course also true for a device that has a layer of organic matrix material and embedded therein inorganic semiconductor particles.
  • Das Bauelement der Gleichrichterschaltung, das die organische Schicht aufweist und nachfolgend auch als Gleichrichter- Bauelement bezeichnet wird, kann sowohl ein passives Bauelement wie eine Diode als auch ein aktives Bauelement wie ein Transistor sein. The device of the rectifier circuit, having the organic layer, and is also referred to as a rectifying device, both a passive component such as a diode and an active device may be such as a transistor. Selbstverständlich kann die Gleichrichterschaltung auch mehrere passive und/oder aktive (Gleichrichter)-Bauelemente mit zumindest einer organischen Schicht aufweisen. Of course, the rectifier circuit may also comprise a plurality of passive and / or active (rectifier) ​​devices with at least one organic layer.
  • Eine in der Gleichrichterschaltung verwendete Diode kann z. A diode used in the rectifier circuit for can. B. nur eine Schicht mit einem n- oder p-halbleitenden organischen Material oder sowohl eine Schicht aus einem n- leitenden und eine Schicht aus einem p-leitenden organischen Halbleitermaterial aufweisen (vgl. [4, 5]). B. only one layer with a n- or p-type semiconducting organic material, or both, a layer of n-type and a layer of a p-type organic semiconductor material (cf.. [4, 5]). Als p- halbleitendes organisches Material kann z. As a p-semiconducting organic material for can. B. das Polymer Polyvinylcarbazol [vgl. As the polymer polyvinyl [see. 4], Polythiophen, insbesondere die regioregulären Vertreter, wie RR-Poly-3-hexylthiophen oder RR-Poyl-3-octylthiophen, Phthalocyanine wie Kupferphthalocyanin oder p-Halbleiter auf der Basis von kondensierten aromatischen Ringsystemen wie Pentazen, Anthracen oder Tetracen verwendet werden. 4], polythiophene, in particular regioregular agents, such as RR-poly-3-hexylthiophene or RR-Acid poly-3-octylthiophene, phthalocyanines such as copper phthalocyanine or p-type semiconductor may be used on the basis of condensed aromatic ring systems such as pentacene, anthracene, or tetracene. Geeignete n- halbleitende organische Materialien basieren z. Suitable n- semiconducting organic materials such based. B. auf elektronenarmen aromatischen Verbindungen. B. at electron deficient aromatic compounds. Beispiele sind die Amidoderivate des Naphthalintetracarbonsäuredianhydrids oder fluorierte Derivate des Phthalocyanins oder Thiophens wie z. Examples are the amido derivatives of Naphthalintetracarbonsäuredianhydrids or fluorinated derivatives of phthalocyanine or thiophene such. B. Bis(N-1,1-Dihydro-pentadecafluorooctyl)naphthalinbisimid bzw. Bis(N-1,1-Dihydroheptafluoroproyl)naphthalinbisimid [6] oder Hexadecaflurokupferphthalocyanin [7]. As bis (N-1,1-dihydro-pentadecafluorooctyl) naphthalinbisimid or bis (N-1,1-Dihydroheptafluoroproyl) naphthalinbisimid [6] or Hexadecaflurokupferphthalocyanin [7].
  • Solchen Dioden können, wie in [4] beschrieben, mit Hilfe von Inkjet-Techniken hergestellt werden. Such diodes can be manufactured using inkjet techniques as described in [4]. Ganz allgemein können diese aber auch durch Standardlithographie- und Metallisierungsverfahren hergestellt werden. but more generally they can be prepared by Standardlithographie- and metallization.
  • In einer bevorzugten Ausgestaltung der hier offenbarten Gleichrichterschaltung wird mindestens ein Feldeffekt- Transistor eingesetzt. In a preferred embodiment of the herein disclosed rectifying circuit at least one field effect transistor is used. Bei dieser Ausgestaltung wird die Erkenntnis ausgenutzt, dass sich ein Feldeffekt-Transistor als Gleichrichter schalten lässt. In this configuration, the knowledge is utilized, that is a field effect transistor can be switched as a rectifier. Dazu wird der Gate- Anschluss des Transistors mit dem Drain-Anschluss verbunden, so dass die Gate-Drain-Spannung auf null festgelegt wird. For this, the gate terminal of the transistor to the drain terminal is connected, so that the gate-drain voltage is set to zero. Bei genügend großem Verhältnis der bei positive bzw. negativer Spannung fließenden Ströme lässt sich, wie es in dieser Ausgestaltung der erfindungsgemäßen Gleichrichterschaltung der Fall ist, dieses unsymmetrische Verhalten ausnutzen, eine zwischen Source und Drain angelegte Wechselspannung über den Transistor oder einer Transistorschaltung in Graetz-Anordnung gleichzurichten. With a sufficiently large ratio of the current flowing in positive and negative voltage currents, can be as is the case in this embodiment, the rectifier circuit according to the invention exploit this asymmetrical behavior, a voltage applied between the source and drain AC voltage across the transistor or a transistor circuit in Graetz assembly rectify.
  • Der Aufbau einer Gleichrichterschaltung mit Hilfe von nachfolgend beschriebenen "Polymer-Transistoren" hat ferner gegenüber dem Einsatz von Dioden auf "Polymer-Basis" den Vorteil, dass die gleichrichtende Wirkung der Schaltung nicht durch direkte pn-Übergänge an entsprechenden Grenzflächen erfolgt. The structure of a rectifier circuit by means of described below, "Polymer transistors" has further relation to the use of diodes to "polymer base" has the advantage that the rectifying effect of the circuit does not occur through direct pn junctions at respective interfaces. Denn bei hier betrachteten Substanzklassen der leitenden Polymere wird der pn-Übergang durch Dotierung mit einem Dopanden erzielt, dessen Position nicht immer stabil ist, sondern der diffundieren kann. For in consideration here substance classes of conductive polymers of the pn junction is achieved by doping with a dopants whose position is not always stable, but which can diffuse. Dies kann zu dem Problem führen, dass eine Grenzfläche zwischen einem n-dotierten organischen Halbleiter und einem p-dotierten organischen Halbleiter ist nicht stabil ist. This can lead to the problem that a boundary surface between an n-type organic semiconductor and a p-type organic semiconductor is not stable. Aufgrund einer fehlenden positionellen Fixierung würden die Dopanden aufeinander zu diffundieren und die Grenzfläche zerstören. Due to a lack of positional fixing, the dopants would diffuse toward each other and destroy the interface. Ein Beispiel dafür ist eine Dotierung einerseits mit Lithium und andererseits mit Iod. One example is a doping with lithium on the one hand and on the other hand with iodine. So kann bei Kombination von mit Li dotiertem Polyacetylen als n-Halbleiter und mit Iod dotiertem Polyacetylen als p-Halbleiter an der Grenzfläche LiJ gebildet werden und dadurch die halbleitenden Eigenschaften und somit der gleichrichtende Effekt beeinträchtigt werden. Thus, in combination with Li doped polyacetylene as an n-type semiconductor and doped polyacetylene with iodine may be formed as p-type semiconductor at the interface LiI and thereby affect the semiconducting properties and thus the rectifying effect. Diese Schwierigkeiten treten bei der hier beschriebenen Verwendung von "Polymer-Transistoren" wie Feldeffekt-Transistoren nicht auf. These difficulties do not occur with the herein described use of "Polymer transistors" such as field effect transistors.
  • In einer ersten auf Feldeffekt-Transistoren beruhenden, bevorzugten Ausgestaltung der Gleichrichterschaltung wird mindestens ein Transistor eingesetzt, bei dem der Body- Bereich ein organisches Material aufweist, das als Matrixmaterial dient und in das anorganische Partikel, wie oben beschrieben, eingebettet sind. In a first to field effect transistors based, preferred embodiment of the rectifier circuit is used, a transistor at least in which the body- portion comprises an organic material serving as the matrix material and are embedded as described above in the inorganic particles.
  • Unter dem Body-Bereich wird im Sinne der Erfindung derjenige Bereich verstanden, in dem sich der Kanal des Transistors ausbilden kann. Under the body region that range is understood in the context of the invention, in which the channel of the transistor can be formed.
  • In einer zweiten bevorzugten Ausgestaltung der Gleichrichterschaltung wird mindestens ein Transistor verwendet, bei dem der Body-Bereich des Transistors von einer Schicht mit einem organischen halbleitenden Material gebildet wird. In a second preferred embodiment of the rectifier circuit, at least one transistor is used, wherein the body region of the transistor is formed by a layer comprising an organic semiconducting material. Vorzugsweise ist ein derartiger Transistor ein sogenannter organischer Dünnfilm-Transistor. Preferably, such a transistor is a so-called organic thin film transistor.
  • Derartige Transistoren sind prinzipiell z. Such transistors are in principle z. B. aus [8] bis [10] bekannt. B. of [8] to [10] are known. Sie können Transistoren sein, bei denen lediglich eine Schicht mit einem halbleitenden organischen Material vorhanden ist, wie die z. They may be transistors, in which only a layer containing a semiconducting organic material is present, such as z. B. in [9] und [10] beschriebenen. B. [9] and [10] described. Bei diesen Transistoren ist auf einem geeigneten Träger zunächst ein metallischer Gatebereich oder eine Gate- Elektrode (z. B. aus Nickel) aufgebracht (vgl. Fig. 1), über der sich eine Schicht aus einem Dielektrikum sowie die Bereiche für Source und Drain befinden. In these transistors, a metallic gate region or a gate electrode (for. Example, of nickel) is on a suitable support is first applied (see. Fig. 1) over which a layer of a dielectric material and the areas for the source and drain are , Das Dielektrikum kann dabei aus einem anorganischen Isolatormaterial wie Siliziumdioxid oder Siliziumnitrid bestehen. The dielectric can be made of an inorganic insulating material such as silicon dioxide or silicon nitride. Allerdings ist es auch möglich, die Schicht des Dielektrikums aus oder mit einem dielektrischen Kunststoffmaterial wie Polyvinylalkohol, Poly-4-hydroxy-styrol, Polyvinylidenfluorid oder Polyvinylphenol auszubilden. However, it is also possible to form the layer of dielectric from a dielectric or plastic material such as polyvinyl alcohol, poly-4-hydroxy-styrene, polyvinylidene fluoride or polyvinyl phenol. Die Bereiche (Elektroden) für Source und Drain können beispielsweise aus Palladium oder Platin hergestellt sein. The areas (electrodes) for source and drain may be made of, for example, palladium or platinum. Zwischen Source und Drain befindet sich (als einzige organische elektrisch aktive Schicht) eine Schicht aus dem organischen Halbleiter Pentazen, die folglich den Body-Bereich des Transistors bildet. Between source and drain is located (as a single organic electrically active layer), a layer of the organic semiconductor, pentacene, thus forming the body region of the transistor. Gegebenenfalls kann über dieser halbleitenden Schicht eine Passivierungsschicht aus einem elektrisch isolierenden anorganischem Material wie Siliziumdioxid oder einem isolierenden Polymermaterial wie Polyvinylalkohol, Polyvinylphenol oder Polyvinylidenfluorid etc. ausgebildet sein. Optionally, may be formed of an electrically insulating inorganic material such as silica or an insulating polymer material such as polyvinyl alcohol, polyvinyl or polyvinylidene fluoride, etc., a passivation layer on the semiconducting layer.
  • Die Transistoren können jedoch auch vollständig aus organischen Materialien, vorzugsweise organischen Polymer- und Oligomer-Materialien gebildet werden. However, the transistors may also be completely made of organic materials, preferably organic polymer and oligomer materials are formed.
  • So können z. Thus, can. B. wie in [8] beschrieben, auf einem Substrat Source, Gate und Drain-Elektrode aus einem elektrisch leitenden Polymermaterial wie Poly( 3 , 4 -ethylendioxythiophen), das mit Polystryolsulfonsäure (PEDOT/PSS) dotiert ist, bestehen. , As described in [8] on a substrate source, gate and drain electrodes of an electrically conductive polymer material such as poly (3, 4 ethylenedioxythiophene), which are made with Polystryolsulfonsäure (PEDOT / PSS) is doped. Der Body/Kanalbereich des Transistors kann wiederum z. The body / channel region of the transistor can turn z. B. aus Pentazen oder einem Oligomermaterial wie Poly(9,9- dioctylfluoren-co-bithiophen) (F8T2) hergestellt sein. B. from pentacene or oligomer material such as poly (9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene) (F8T2) be made.
  • Die Schicht des Gate-Dielektrikums sowohl dieser Transistoren als auch die der zuvor beschriebenen Transistoren, bei denen organische und anorganische Materialien kombiniert werden, kann aus einem dielektrischen organischen Polymermaterial bestehen. The layer of the gate dielectric, both of these transistors as well as those of the transistors previously described in which organic and inorganic materials are combined may be made of a dielectric organic polymer material. Beispiele für hier einsetzbare Polymermaterialien sind gängige dielektrische synthetische Kunststoffe wie Epoxidharze, Polyalkylene wie Polyethylen- oder Polypropylenharze, Polyvinylalkohole, Polystyrole, Polyurethane, Polyimide, Polybenzoxazole, Polythiazole, Polyether, Polyetherketone, Polyacrylate, Polyterephthalate, Polyethylennaphthalat, Polycarbonate aller Art und andere bekannte derartige Kunststoffe, wie sie beispielsweise in [11] beschrieben sind. Examples of usable here polymer materials are common dielectric synthetic plastics such as epoxy resins, polyalkylenes such as polyethylene or polypropylene resins, polyvinyl alcohols, polystyrenes, polyurethanes, polyimides, polybenzoxazoles, polythiazoles, polyether, polyether ketones, polyacrylates, polyterephthalates, polyethylene, polycarbonate all kinds and other known such plastics as they are described for example in [11]. Die verwendeten organischen Polymere können dabei vorzugsweise trockenbare und härtbare Materialien, vorzugsweise IR- und/oder UV-härtbare Polymere wie Polystyrole, Epoxidharze, Polyalkylene, Polyimide, Polybenzoxazole, Polyacrylate sein. The organic polymers used can preferably dryable and curable materials, preferably IR and / or UV-curable polymers as polystyrenes, epoxy resins, polyalkylenes, polyimides, polybenzoxazoles, polyacrylates.
  • Die Verwendung von Transistoren, die zum Teil oder vollständig aus organischen Materialien bestehen, bietet den Vorteil, dass sie und somit auch entsprechende Schaltungen durch Drucktechniken wie Tintenstrahl, Flexo-, Offset-, Tampon, Laserdruck oder anderen bekannten Drucktechniker hergestellt werden können, was eine erhebliche Vereinfachung des Herstellungsprozesses sowie eine Verringerung der Kosten mit sich bringt. The use of transistors in part or consist entirely of organic materials offers the advantage that they, and thus also corresponding circuits can be fabricated by printing techniques such as inkjet, flexographic, offset, tampon printing, laser printing, or other known pressure technician, resulting in a considerable simplification of the manufacturing process and reducing the cost entails. Da bei derartigen Drucktechniken als Trägermaterialien problemlos z. As support materials such problems in such printing techniques. B. Polymaterialien wie Folien aus Polystyrol oder Polyethylennaphthalat oder -terephthalat eingesetzt werden können, ermöglicht es die vorliegende Erfindung, Transponderschaltungen einschließlich ihres Spannungsversorgungsteil mit Hilfe von "Polymer-Elektronik- Bauelementen" wie organische Feldeffekt-Transistoren als "integrierte Schaltungen" kostengünstig herzustellen und dabei zudem auf extern aufgebrachte Bauelemente wie Silizium- Dioden zu verzichten. B. Polymaterialien such as films of polystyrene or polyethylene or may be used terephthalate, allows the present invention, the transponder circuitry including its power supply part with the aid of "Polymer-electronic devices" such as organic field effect transistors inexpensive to manufacture as "integrated circuits", while in addition to waive externally applied elements such as silicon diodes.
  • Als organisches halbleitendes Material kann bei den hier beschriebenen Bauelementen wie Dioden oder Transistoren prinzipiell jedes organische Material eingesetzt werden, das elektrische Eigenschaften und Verhalten eines Halbleiter- Materials zeigt. As the organic semiconducting material in the herein described components such as diodes or transistors of each organic material may be used in principle, showing electrical properties and behavior of a semiconductor material.
  • Vorzugsweise wird das halbleitende organische Material aus der Gruppe ausgewählt, die aus Pentazen, Anthrazen, Tetrazen, Oligothiophen, Polythiophen, Polyanilin, Poly-p-phenylen, Poly-p-phenylvinylen, Polypyrrol, Phthalocyanin, Porphyrin und Derivaten davon besteht. Preferably, the semiconducting organic material is selected from the group consisting of pentacene, anthracene, tetracene, oligothiophene, polythiophene, polyaniline, poly-p-phenylene, poly-p-phenylvinylene, polypyrrole, phthalocyanine, porphyrin and derivatives thereof. Daraus wird ersichtlich, dass das halbleitende Material ein "molekulares System" wie Pentazen, Anthracen, Tetracen, Phthalocyanin, Porphyrin oder Oligothiophen sein kann oder eine "polymeres System" (eine oder mehrere Polymerverbindungen) wie z. This shows that the semiconductive material may be as pentacene, anthracene, tetracene, phthalocyanine, porphyrin or oligothiophene a "molecular system" or a "polymeric system" (one or more polymer compounds) such. B. Polythiophen, Polyanilin, Poly-p-phenylen, Poly-p-phenylvinylen oder Polypyrrol sein kann. As polythiophene, polyaniline, may be poly-p-phenylene, poly-p-phenylvinylene or polypyrrole.
  • Ein weiteres Beispiel für ein in Monomerform oder anders bezeichnet "als molekulares System" vorliegendes Material sind die Fullerene wie C 60 , C 70 , C 76 -(Buckminster)-Fullerene. Another example of an in monomer form or otherwise termed "molecular system" present material are the fullerene such as C 60, C 70, C 76 - (Buckminster) fullerenes. Ein Beispiel für geeignete Derivate eines der oben genannten Materialien sind das zuvor schon genannte Poly(9,9- dioctylfluoren-co-bithiophen), Poly( 3 -alkyltiophene) wie Poly( 3 -hexylthiophen) oder Poly( 3 -octylthiophen). An example of suitable derivatives of the above materials are the previously mentioned poly (9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene), poly (3 -alkyltiophene) such as poly (3 -hexylthiophen) or poly (3 -octylthiophen). Ein Beispiel für Oligothiophene sind Verbindungen mit 1 bis 10 Thiophen-Einheiten, vorzugsweise 6 Thiophen-Einheiten. An example of oligothiophenes are compounds having 1 to 10 thiophene units, preferably 6 thiophene units. Beispiele für halbleitende Phthalocyanine oder Porphyrine sind die entsprechenden (metallorganischen) Komplexe des Kupfers wie Kupferphthalocyanin oder Perfluorokupferphthalocyanin. Examples of semiconducting phthalocyanines or porphyrins are the corresponding (organometallic) complexes of copper such as copper phthalocyanine or Perfluorokupferphthalocyanin. Es ist im Sinne der Erfindung möglich, die halbleitenden organischen Materialien alleine, oder, falls gewünscht, auch als Mischungen aus mindestens zwei solcher Materialien einzusetzen. It is possible according to the invention, the semiconducting organic materials alone, or, if desired, to use as mixtures of at least two such materials.
  • In einer ersten bevorzugten Ausführungsform der Transponderschaltung, die auf Feldeffekt-Transistoren zurückgreift, ist der Feldeffekt-Transistor der Gleichrichterschaltung in "Längsanordnung" angeordnet. In a first preferred embodiment of the transponder circuit, which makes use of field effect transistors, the field-effect transistor of the rectifier circuit is arranged in "longitudinal" arrangement. Unter einer Längsanordnung wird verstanden, dass ein erster Eingangsanschluss der Gleichrichterschaltung mit einem ersten Source/Drain-Anschluss und dem Gatebereich des Transistors gekoppelt ist und der zweite Source/Drainbereich des Transistors mit einem ersten Ausgangsanschluss gekoppelt ist und ferner ein zweiter Eingangsanschluss der Gleichrichterschaltung mit einem zweiten Ausgangsanschluss der Gleichrichterschaltung gekoppelt ist. Under a longitudinal arrangement is meant that a first input terminal of the rectifier circuit is coupled to a first source / drain terminal and the gate region of the transistor and the second source / drain region of the transistor is coupled to a first output terminal, and further a second input terminal of the rectifier circuit with a second output terminal of the rectifier circuit is coupled.
  • In einer zweiten bevorzugten Ausgestaltung der Transponderschaltung ist der Feldeffekt-Transistor der Gleichrichterschaltung parallel zur Last geschaltet. In a second preferred embodiment of the transponder circuit of the field effect transistor of the rectifier circuit is connected in parallel to the load.
  • Dabei ist vorzugsweise ein erster Eingangsanschluss der Gleichrichterschaltung mit einem ersten Ausgangsanschluss der Gleichrichterschaltung sowie mit einem ersten Source/Drain- Anschluss des Transistors gekoppelt und ein zweiter Eingangsanschluss ist mit einem zweiten Ausgangsanschluss sowie mit einem zweiten Source/Drain-Anschluss und dem Gatebereich des Transistors gekoppelt. Preferably, a first input terminal of the rectifier circuit is coupled to a first output terminal of the rectifier circuit and to a first source / drain terminal of the transistor and a second input terminal is coupled to a second output terminal and to a second source / drain terminal and the gate region of the transistor ,
  • In einer dritten bevorzugten Ausgestaltung der Transponderschaltung sind vier Feldeffekt-Transistoren der Gleichrichterschaltung in Graetz-Schaltung angeordnet. In a third preferred embodiment of the transponder circuit, four field effect transistors of the rectifier circuit in Graetz circuit are arranged.
  • In einer bevorzugten Ausführung einer Gleichrichterschaltung, die auf Dioden basiert, sind vier der hier offenbarten Dioden in Graetz-Schaltung angeordnet. In a preferred embodiment of a rectifier circuit based on diodes, four of the herein disclosed diodes are arranged in Graetz circuit.
  • Als Trägermaterial für die Transponderschaltung kann prinzipiell jedes Material eingesetzt werden, auf dem die verschiedenen Bauelemente der Transponderschaltung dauerhaft aufgebracht werden können. As carrier material for the transponder circuit, any material may be used in principle, on which the various components of the transponder circuit may be permanently applied. Beispiele geeigneter Trägermaterialien sind Isolatoren wie Papier, Kunststofffolien, Keramiken, oder Glas, weiterhin mit einem Isolator oder mit Kunststoff beschichtetes Metall. Examples of suitable carrier materials are insulators such as paper, plastic films, ceramics, or glass, further comprising an insulator-coated metal or plastic. Beispiele für Trägermaterialien aus geeigneten organischen Polymermaterialien sind gängige dielektrische synthetische Kunststoffe wie Epoxidharze, Polyalkylene wie Polyethylen- oder Polypropylenharze, Polyester, Polystyrole, substituierte Polystryole wie Poly-o-hydroxystyrol, Polyvinylverbindungen wie Polyvinylalkohole oder Polyvinylcarbazole, Polyurethane, Polyimide, Polybenzoxazole, Polythiazole, Polyether, Polyetherketone, Polyacrylate, Polyterephthalate, Polyethylennaphthalate oder Polycarbonate aller Art. Ebenso sind biologisch abbaubare Materialien wie Polylactate geeignet. Examples of support materials of suitable organic polymeric materials are common dielectric synthetic plastics such as epoxy resins, polyalkylenes such as polyethylene or polypropylene resins, polyesters, polystyrenes, substituted Polystryole such as poly-o-hydroxystyrene, polyvinyl compounds such as polyvinyl alcohols or polyvinyl carbazoles, polyurethanes, polyimides, polybenzoxazoles, polythiazoles, polyether , polyether ketones, polyacrylates, polyterephthalates, polyethylene naphthalates or polycarbonates all kinds. also suitable biodegradable materials such Polylactate.
  • Bei dem hier offenbarten Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer mindestens ein Bauelement aufweisenden Gleichrichterschaltung wird zur Ausbildung des mindestens einen Bauelements der Gleichrichterschaltung mindestens eine Schicht mit einem organischen Material auf einem Trägermaterial aufgebracht. In the methods disclosed herein for producing a transponder circuit having at least one component having rectifying circuit at least one layer comprising an organic material is deposited on a support material to form the at least one component of the rectifier circuit.
  • In einer Weiterbildung des Verfahrens wird als organisches Material ein organisches elektrisch inertes Polymermaterial verwendet, das als Matrixmaterial dient, in das anorganische halbleitende Partikel eingebettet werden. In a further development of the method, an organic electrically inert polymer material is used as the organic material to be embedded in the inorganic semiconductive particles which serves as a matrix material.
  • In einer anderen Weiterbildung wird als organisches Material, ein halbleitendes organisches Material verwendet wird. a semiconductive organic material is used in another refinement, as the organic material.
  • Vorzugsweise wird bei dem Verfahren als das Bauelement der Gleichrichterschaltung, das die Schicht mit dem organischen Material aufweist, ein Feldeffekt-Transistor ausgebildet bzw. verwendet. Preferably, a field effect transistor is formed in the process as the device of the rectifier circuit, having the layer with the organic material or used. Dabei ist bevorzugt, dass die Schicht mit dem organischen Material den Body-Bereich des Transistors bildet. It is preferred that the layer with the organic material constituting the body region of the transistor.
  • Das Verfahren der Erfindung ist vorteilhaft so gestaltet, dass es vollständig mittels Drucktechniken ähnlich dem Tintenstrahldruck und anderen durchgeführt wird. The method of the invention is advantageously designed so that it is completely carried out similarly by means of printing techniques, inkjet printing and other. Dies ist z. This is for. B. der Fall, wenn alle Bauelemente/Einheiten der Transponderschaltung auf organischen Materialien beruhen. As is the case when all components / units of the transponder circuit based on organic materials. Allerdings ist die Verarbeitung von Metallen wie Gold, Nickel z. However, the processing of metals such as gold, nickel z. B. durch Sputtern, Bedampfen oder elektrochemisches Abscheiden problemlos und einfach zu bewerkstelligen und auch mit Drucktechniken vereinbar, was insgesamt zu einem im Vergleich zu Transponderschaltungen mit Gleichrichterschaltungen auf Basis anorganischer Halbleiter zu einer deutlichen Verringerung der Prozessschritte und der Herstellungskosten führt, bei weiterhin ausreichenden Leistungsmerkmalen der hier offenbarten Gleichrichterschaltung bzw. der Transponderschaltung insgesamt. To accomplish as easily and simply by sputtering, vapor deposition or electrochemical deposition, and also compatible with printing techniques, which as compared to transponders circuits with rectifier circuits based on inorganic semiconductors results in an overall in a significant reduction of the process steps and manufacturing cost, in still sufficient performance characteristics of here rectifier circuit or the transponder circuit disclosed overall. Ferner ist es ausreichend, wenn die Metalle in Form einer härtbaren Suspension aufgedruckt werden. Further, it is sufficient if the metals are printed in the form of a curable suspension.
  • In diesem Zusammenhang sei erläutert, wie beispielsweise mit Hilfe des Tintenstrahldrucks ("Drop-on-Demand-Printing") ein solche Transponderschaltung insgesamt oder nur die Gleichrichterschaltung alleine aufgebaut werden kann. It should be explained, such as by means of inkjet printing ( "drop-on-demand printing") one such transponder circuit, the rectifier circuit can be built alone a whole or only.
  • Die Gatestrukturen ( 102 ) (vgl. Fig. 1) werden hergestellt, indem man eine kolloidale Palladiumstarterlösung auf ein Polyethylennaphthalatsubstrat an diejenigen Stellen druckt, an denen später die Gatestrukturen ausgebildet sein sollen. The gate structures (102) (see. Fig. 1) can be produced by printing a palladium colloidal solution onto a polyethylene naphthalate starter at those locations where later the gate structures are to be formed. Nach diesem Druckvorgang werden die aufgedruckten Palladiumkeime mit Nickel stromlos bis auf die gewünschte Schichtdicke verstärkt (ca. 10-50 nm). After this printing, the printed electroless palladium seeds up to the desired layer thickness reinforced with nickel (about 10-50 nm). Das Gatedielektrikum ( 103 ) kann anschließend direkt aufgedruckt werden. The gate dielectric (103) can then be printed directly. Beispielsweise eignet sich hierfür eine Lösung von Poly(-4- hydroxystyrol) in Ethanol. For example, for this purpose, a solution of poly (hydroxystyrene -4-) in ethanol is suitable. Mittels einer Palladiumsuspension (Partikelgröße 1 µm) in Polystyrol werden Source-( 104 ) und Drain ( 105 )-Kontakte ausgebildet. By means of a palladium suspension (particle size 1 micron) in polystyrene are formed source (104) and drain (105) contacts. Der organische Halbleiter ( 106 ) kann anschließend vollflächig ausgebildet werden. The organic semiconductor (106) can then be formed over the entire surface. Wenn die einzelnen Transistoren einen genügend großen Abstand voneinander besitzen, braucht diese Schicht nicht strukturiert zu werden (z. B. Pentazen durch Verdampfen). If the individual transistors have from one another a sufficient distance, this layer need not be patterned (eg. B. pentacene, by evaporation). Möglich ist es auch, die Gleichrichterschaltung z. It is also possible, the rectifier circuit such. B. mit Hilfe von Photomasken herzustellen (vgl. Fig. 6). Prepare example with the aid of photomasks (see. Fig. 6).
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im weiteren näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
  • Es zeigen Show it
  • Fig. 1a bis 1g Feldeffekt-Transistoren, die in einer Gleichrichterschaltung der Erfindung eingesetzt werden kann; Figures 1a to 1g field effect transistors which can be used in a rectifier circuit of the invention.
  • Fig. 2 ein schematisches Schaubild des Eingangsteils einer Transponderschaltung; Fig. 2 is a schematic diagram of the input part of a transponder circuit;
  • Fig. 3 ein Schaltbild eines erstes Ausführungsbeispiel einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung der vorliegenden Erfindung; Fig. 3 is a circuit diagram of a first embodiment of a transponder circuit comprising a rectifier circuit of the present invention;
  • Fig. 4 ein Schaltbild eines weiteres Ausführungsbeispiel einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung der vorliegenden Erfindung; Fig. 4 is a circuit diagram of another embodiment of a transponder circuit comprising a rectifier circuit of the present invention;
  • Fig. 5 ein Schaltbild eines drittes Ausführungsbeispiel einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung der vorliegenden Erfindung; Figure 5 is a circuit diagram of a third embodiment of a transponder circuit comprising a rectifier circuit of the present invention.
  • Fig. 6 eine photolithographische Maske, mittels derer das Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung durchgeführt werden kann. Fig. 6 is a photolithographic mask by means of which the method for producing a transponder circuit according to the present invention can be carried out.
  • Fig. 1 zeigt einen Feldeffekt-Transistor mit einer organischen halbleitenden Schicht, der in der Gleichrichterschaltung einer hier offenbarten Transponderschaltung eingesetzt werden kann. Fig. 1 shows a field effect transistor with an organic semiconductor layer, which can be used in the rectifying circuit of a transponder circuit disclosed herein.
  • Bei dem Feldeffekt-Transistor 100 gemäß Fig. 1a bis Fig. 1c oder gemäß Fig. 1g ist auf einem Träger 101 , das z. In the field effect transistor 100 in accordance with Fig. 1a to Fig. 1c or in accordance with Fig. 1g on a support 101 which z. B. aus Polyethylennaphthalat besteht, ein Gate-Bereich 102 aufgebracht, der aus Nickel besteht. B. consists of polyethylene naphthalate, a gate region 102 is applied, which consists of nickel. Auf dem Gate-Bereich 102 wiederum befindet sich eine Schicht 103 aus einem dielelektrischen Material wie Siliziumdioxid, die den Gatebereich 102 von dem ersten Source/Drain-Bereich 104 und dem zweiten Source/Drain-Bereich 105 , die aus Palladium bestehen, trennt. In the gate region 102, in turn, is a layer 103 of a dielelektrischen material such as silica, the 102 of the first source / drain region 104 and the second source / drain region 105, which consist of palladium, separates the gate region. Zwischen den Source/Drain-Bereichen 104 , 105 befindet sich eine Schicht 106 aus Pentazen als halbleitendem organischen Material. Between the source / drain regions 104, 105 is a layer 106 made of pentacene as a semi-conductive organic material. Die Schicht 106 bildet den Body-Bereich des Transistors 100 . The layer 106 forms the body region of the transistor 100th Alternativ dazu kann der Body-Bereich 106 auch aus einer Schicht aus elektrisch inertem polymeren Matrixmaterial, in das anorganische halbleitende Partikel eingebettet sind, ausgebildet werden. Alternatively, the body region 106 also from a layer of electrically inert polymeric matrix material, are embedded in the inorganic semiconductive particles can be formed.
  • Der Feldeffekt-Transistor 100 gemäß Fig. 1d bis Fig. 1f weist auf dem Träger 101 zunächst eine Schicht 106 aus halbleitendem organischen Material auf. The field effect transistor 100 according to Fig. 1d to Fig. 1f has the carrier 101 to a first layer 106 of semiconducting organic material. Diese den Bodybereich des Transistors 100 bildende Schicht 106 weist z. This the body region of the transistor 100 forming layer 106 has z. B. Tetracen auf. B. tetracene on. Der Transistor 100 weist weiterhin einen ersten und einen zweiten Source/Drain-Bereich 104 , 105 aus Platin auf. The transistor 100 further includes a first and a second source / drain region 104, 105 of platinum. Oberhalb der Source/Drain-Bereiche 104 , 105 bzw. des Bodybereichs 106 befindet sich eine Schicht 103 aus Siliziumdioxid als Dielektrikum, auf der der Gate-Bereich 102 aus Nickel aufgebracht ist. Above the source / drain regions 104, 105 and the body region 106 is a layer 103 of silicon dioxide as a dielectric, on which the gate region is applied from nickel 102nd
  • Die Feldeffekt-Transistoren gemäß Fig. 1 mit der Schicht mit halbleitendem organischen Material bzw. der Schicht mit dem polymeren Matrixmaterial, in das anorganische halbleitende Partikel eingebettet sind, lassen sich mit dem in [9] beschriebenen Verfahren herstellen. The field effect transistors of FIG. 1 with the layer of semiconducting organic material or the layer of the polymeric matrix material, are embedded in the inorganic semiconductive particles can be prepared by the method described in [9] procedures. Dabei erfolgt bei den Ausführungsformen gemäß Fig. 1a, Fig. 1c und Fig. 1e die Abscheidung der Source/Drain-Bereiche 104 , 105 vor der Abscheidung der halbleitenden Schicht 106 , während bei den Ausführungsformen nach Fig. 1b, Fig. 1d und Fig. 1f die halbleitende Schicht 106 vor den Source/Drain-Bereichen 104 , 105 aufgebracht wird. Here, Fig occurs in the embodiments according to Fig. 1a. 1c and Fig. 1e, the deposition of the source / drain regions 104, 105 prior to the deposition of the semiconducting layer 106, while in the embodiments according to Fig. 1b, Fig. 1d and . 1f the semiconducting layer 106 is deposited prior to the source / drain regions 104, 105.
  • Fig. 2 zeigt ein schematisches Schaubild des Eingangsteils einer aus dem Stand der Technik bekannten Transponderschaltung 200 , die eine Gleichrichterschaltung 204 aufweist. Fig. 2 shows a schematic diagram of the input part of a known from the prior art transponder circuit 200 having a rectifier circuit 204. Das von einem Sender 201 emittierte magnetische Wechselfeld induziert im Schwingkreis eine Wechselspannung, deren Frequenz durch die Induktivität der Spule 202 und die Kapazität des Kondensators 203 gegeben ist und auf die die Resonanzfrequenz des Senders 201 abgestimmt ist. The light emitted from a transmitter 201 alternating magnetic field induced in the resonant circuit an alternating voltage whose frequency is given by the inductance of the coil 202 and the capacitance of capacitor 203 and to the resonance frequency of the transmitter is tuned two hundred and first Die Wechselspannung wird durch die Gleichrichterschaltung 204 und den Glättungskondensator 205 in eine Gleichspannung 206 umgewandelt. The AC voltage is converted into a DC voltage 206 through the rectifier circuit 204 and the smoothing capacitor 205th Diese Gleichspannung 206 steht als Versorgungsspannung für die Transponderschaltung 200 zur Verfügung. This DC voltage 206 is available as a supply voltage for the transponder circuit 200 available.
  • Fig. 3 zeigt das Schaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung 300 der vorliegenden Erfindung. Fig. 3 shows the circuit diagram of a first embodiment of a transponder circuit having a rectifying circuit 300 of the present invention.
  • Bei dieser Ausgestaltung der Gleichrichterschaltung 300 sind vier Feldeffekt-Transistoren 301 , 302 , 303 , 304 mit einer organischen Schicht in Graetz-Schalung angeordnet. In this embodiment, the rectifier circuit 300, four field effect transistors 301, 302, 303, 304 arranged with an organic layer in Graetz formwork. Die Feldeffekt-Transistoren 301 bis 304 sind wie in Fig. 1 dargestellt ausgestaltet und weisen eine Schicht 106 aus Pentazen als halbleitendem organischen Material auf, die den Body-Bereich der Transistoren 301 bis 304 bildet. The field effect transistors 301 to 304 are configured as shown in Fig. 1 and have a layer 106 of pentacene as a semi-conductive organic material which constitutes the body region of the transistors 301 to 304. Im Betrieb liegt, wie im Schaltbild gemäß Fig. 3 gezeigt, eine Wechselspannung am Eingang 305 der Gleichrichterschaltung 300 an. Is in operation as in the diagram according to Fig. 3, an AC voltage at the input 305 of the rectifier circuit 300 to. Die negative Halbwelle dieser anliegenden Spannung wird mittels der Feldeffekt-Transistoren in eine positive Halbwelle umgewandelt. The negative half-wave of the applied voltage is converted by means of the field effect transistors in a positive half-wave. Dadurch steht sowohl die positive als auch die negative Halbwelle am Ausgang 306 zur Verfügung und es wird die Energie beider Halbwellen für die Spannungsversorgung der Transponderschaltung genutzt. This provides both the positive and the negative half cycle at the output 306 available and it is used the energy of both half-waves for the power supply of the transponder circuit. Die Gleichrichterschaltung 300 kann z. The rectifier circuit 300 z can. B. unter Verwendung der in Fig. 6 gezeigten photolithographischen Maske 600 erhalten werden. For example, be obtained by using the photolithographic mask 600 shown in Fig. 6. Die vier Transistoren werden in den Bereichen 601 , 602 , 603 und 604 ausgebildet. The four transistors are formed in the areas 601, 602, 603 and 604th
  • In einer alternativen Ausführungsform der Gleichrichterschaltung 300 sind vier Dioden, die Schichten mit organischen halbleitenden Materialien für die Erzeugung der pn-Übergänge aufweisen, in Graetz-Schaltung angeordnet. In an alternative embodiment, the rectifier circuit 300 four diodes, the layers of organic semiconducting materials for forming the pn-junctions are having, arranged in Graetz circuit. Das p-halbleitende organische Dioden-Material ist z. The p-type semiconducting organic diode material is z. B. Polyvinylcarbazol. B. polyvinylcarbazole. Das n-halbleitende organische Material ist z. The n-type semiconducting organic material is z. B. Bis(N-1,1-Dihydro-pentadecafluorooctyl)naphthalinbisimid. As bis (N-1,1-dihydro-pentadecafluorooctyl) naphthalinbisimid.
  • Fig. 4 zeigt als Schaltbild eine weitere Ausführungsform der Gleichrichterschaltung der vorliegenden Erfindung die Gleichrichterschaltung 400 , bei der ein Feldeffekt-Transistor 401 mit einer organischen Schicht in Längsanordnung angeordnet ist. Fig. 4 shows another embodiment of the rectifier circuit of the present invention as a circuit diagram, the rectifier circuit 400 in which a field effect transistor 401 is arranged with an organic layer in a longitudinal arrangement. Dies bedeutet, dass ein erster Eingangsanschluss 404 der Gleichrichterschaltung 401 mit einem ersten Source/Drain-Anschluss 405 und dem Gatebereich 406 des Transistors gekoppelt ist und der zweite Source/Drainbereich 407 des Transistors mit einem ersten Ausgangsanschluss 408 gekoppelt ist und ferner ein zweiter Eingangsanschluss 409 der Gleichrichterschaltung 401 mit einem zweiten Ausgangsanschluss 410 der Gleichrichterschaltung 401 gekoppelt ist. This means that a first input terminal 404 of the rectifier circuit 401 is coupled to a first source / drain terminal 405 and gate region 406 of the transistor and the second source / drain region 407 of the transistor is coupled to a first output terminal 408 and further includes a second input terminal 409 the rectifier circuit 401 is coupled to a second output terminal 410 of the rectifier circuit four hundred and first
  • Der Transistor 401 besitzt einen Aufbau gemäß Fig. 1a mit einer den Bodybereich bildenden Schicht 106 aus Tetrazen. The transistor 401 has a structure shown in Fig. 1a having a forming region of the body layer 106 of tetrazene. Die negative Halbwelle der Wechselspannung, die am Eingang 402 der Schaltung 400 anliegt, wird mittels der Transistors 401 gesperrt, so dass am Ausgang 403 der Gleichrichterschaltung nur die positive Halbwelle zur Verfügung steht und deren Energie für die Spannungsversorgung der Transponderschaltung genutzt wird. The negative half-wave of the AC voltage applied at the input 402 of the circuit 400 is locked by means of the transistor 401, so that the rectifier circuit at the output 403, only the positive half-wave available and their energy is used for the voltage supply of the transponder circuit.
  • Fig. 5 zeigt das Schaltbild eines dritten Ausführungsbeispiel einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung der vorliegenden Erfindung. Fig. 5 shows the circuit diagram of a third embodiment of a transponder circuit comprising a rectifier circuit of the present invention. Bei der Gleichrichterschaltung 500 ist ein Feldeffekt-Transistor 501 mit einem Aufbau gemäß Fig. 1 parallel zur Last geschaltet. In the rectifier circuit 500, a field effect transistor 501 is connected in parallel with the load having a structure of FIG. 1. Bei der Schaltung 500 wird die negative Halbwelle der Eingangsspannung, die am Eingang 502 des Transistors anliegt, über den Transistor kurzgeschlossen. In the circuit 500, the negative half-wave of the input voltage applied at the input 502 of the transistor is short-circuited through the transistor. Dadurch steht am Ausgang 503 der Gleichrichterschaltung 500 nur die positive Halbwelle zur Verfügung. This is available at output 503 of the rectifier circuit 500, only the positive half-shaft. Diese kann wiederum für die Spannungsversorgung der Transponderschaltung herangezogen werden. This in turn can be used for the power supply of the transponder circuit.
  • In diesem Dokument sind folgende Veröffentlichungen zitiert: In this document, the following publications are cited:
    [1] http:/ / rapidttp.co.ta/transponder/ [1] http: / / rapidttp.co.ta / transponder /
    [2] R. Bastiaansen, Polymer Electronics, Philips Research publication, Nov. 1998 [2] R. Bastiaansen, polymer electronics, Philips Research publication, Nov. 1998
    [3] M. Shim, N-Type colloidal Semiconductor Nanocrystals, Nature Vol. 407, S. 981-983, 2000 [3] M. Shim, N-Type colloidal Semiconductor Nanocrystals, Nature Vol. 407, pp 981-983, 2000
    [4] WO 99/39373 [4] WO 99/39373
    [5] WO 99/19900 [5] WO 99/19900
    [6] H. Katz et. [6] H. Katz et. al., A soluble and air-stable organic semiconductor with high electron mobility, Nature Vol. 404, S. 478-481, 2000 al., A soluble and air-stable organic semiconductor with high electron mobility, Nature Vol. 404, pp 478-481, 2000
    [7] B. Crone et. [7] B. Crone et. al. al. Large Scale complementary integrated circiuts based on organic transistors, Nature Vol., 403, S. 521-523, 2000 Large Scale complementary integrated circiuts based on organic transistors, Nature Vol. 403, pp 521-523, 2000
    [8] R. Sirringhaus et al. [8] R. Sirringhaus et al. High-Resolution Inkjet Printing of All-Polymer Transistor Circuits, Science, Vol. 290, S. 2123-2126, Dezember 2000 High Resolution Inkjet Printing of all-polymer transistor circuits, Science, Vol. 290, pp 2123-2126, December 2000
    [9] MG Kane et al. [9] MG Kane et al. Analog and Digital Circuits using Organic Thin-Film Transistors on Polyester Substrate, IEEE Electron Device Letters, Vol. 21, Nr. 11, S. 534-536, 2000 Analog and Digital Circuits using Organic thin-film transistors on polyester substrates, IEEE Electron Device Letters, Vol. 21, No. 11, pp. 534-536, 2000
    [10] CD Sheraw et al. [10] CD Sheraw et al. Fast Organic Circuits an flexible Polymeric Substrates, International Electro Device Meeting Technical Digest, Dezember 2000 Almost Organic Circuits on Flexible Polymeric substrate International Electrotechnical Device Meeting Technical Digest, December 2000
    [11] Kunststoff-Kompendium, Seiten 8 bis 10 und 110 bis 163, 2. Auflage 1988 , Franck/Biederbick, Vogel-Buchverlag Würzburg, ISBN 3-8023-0135-8 Bezugszeichenliste 100 Feldeffekt-Transistor [11] Kunststoff-Kompendium, pages 8 to 10 and 110 to 163 2nd edition, 1988, Franck / Biederbick, Vogel-Verlag Wurzburg, ISBN 3-8023-0135-8 Reference Signs List 100 field effect transistor
    101 Träger 101 support
    102 Gate-Bereich 102 gate region
    103 Schicht aus dilektrischem Material 103 layer of material dilektrischem
    104 Source/Drain-Bereich 104 source / drain region
    105 Source/Drain-Bereich 105 source / drain region
    106 Schicht mit halbleitendem Material 106 layer of semiconducting material
    200 Transponderschaltung 200 transponder circuit
    201 Sender 201 sender
    202 Spule 202 coil
    203 Kondensator 203 capacitor
    204 Gleichrichterschaltung 204 rectifier circuit
    205 Glättungskondensator 205 smoothing capacitor
    206 Gleichspannung 206 DC
    300 Gleichrichterschaltung 300 rectifier circuit
    301 Feldeffekt-Transistor 301 field effect transistor
    302 Feldeffekt-Transistor 302 field effect transistor
    303 Feldeffekt-Transistor 303 field effect transistor
    304 Feldeffekt-Transistor 304 field effect transistor
    305 Eingang der Gleichrichterschaltung 305 input of the rectifier circuit
    306 Ausgang der Gleichrichterschaltung 306 output of the rectifier circuit
    400 Gleichrichterschaltung 400 rectifier circuit
    401 Feldeffekt-Transistor 401 field effect transistor
    402 Eingang der Schaltung 402 input of the circuit
    403 Ausgang der Schaltung 403 output of the circuit
    404 erster Eingangsanschluss 404 first input terminal
    405 erster Source/Drain-Bereich des Transistors 405 first source / drain region of the transistor
    406 Gateberereich des Transistors 406 Gateberereich of transistor
    407 zweiter Source-Drainbreich des Transistors 407 second source of transistor Drainbreich
    408 erster Ausgangsanschluss 408 first output terminal
    409 erster Eingangsanschluss 409 first input terminal
    410 zweiter Ausgangsanschluss 410 second output terminal
    500 Gleichrichterschaltung 500 rectifier circuit
    501 Feldeffekt-Transistor 501 field effect transistor
    502 Eingang der Schaltung 502 input of the circuit
    503 Ausgang der Schaltung 503 output of the circuit
    600 photolithographische Maske 600 photolithographic mask
    601 Bereich 601 area
    602 Bereich 602 area
    603 Bereich 603 area
    604 Bereich 604 area

Claims (15)

1. Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung, die mindestens ein Bauelement aufweist, das mindestens eine Schicht mit einem organischen Material aufweist. 1. Transponder circuit with a rectifier circuit including at least one component comprising at least one layer with an organic material.
2. Transponderschaltung nach Anspruch 1, bei der das organische Material ein organisches inertes Polymermaterial ist, das als Matrixmaterial dient, in das anorganische halbleitende Partikel eingebettet sind. 2. Transponder circuit according to claim 1, wherein the organic material is an organic inert polymer material serving as the matrix material, are embedded in the inorganic semiconductive particles.
3. Transponderschaltung nach Anspruch 1, bei der das organische Material ein halbleitendes organisches Material ist. 3. Transponder circuit according to claim 1, wherein the organic material is a semiconducting organic material.
4. Transponderschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei der das mindestens eine Bauelement der Gleichrichterschaltung, das die Schicht mit dem organischen halbleitenden Material aufweist, eine Diode ist. 4. Transponder circuit according to one of claims 1 to 3, wherein the at least one component of the rectifier circuit, which has the layer containing the organic semiconducting material is a diode.
5. Transponderschaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der das Bauelement der Gleichrichterschaltung, das die Schicht mit dem organischen Material aufweist, ein Feldeffekt-Transistor ist. 5. Transponder circuit according to one of claims 1 to 4, wherein the component of the rectifier circuit, having the layer with the organic material, is a field effect transistor.
6. Transponderschaltung nach Anspruch 5, bei der die Schicht mit dem organischen Material den Body-Bereich des Feldeffekt- Transistor bildet. 6. Transponder circuit according to claim 5, wherein the layer with the organic material constituting the body region of the field effect transistor.
7. Transponderschaltung nach Anspruch 5 oder 6, bei der der Feldeffekt-Transistor der Gleichrichterschaltung in Längsanordnung angeordnet ist. 7. Transponder circuit according to claim 5 or 6, wherein the field effect transistor of the rectifier circuit is disposed in longitudinal arrangement.
8. Transponderschaltung nach Anspruch 5 oder 6, bei der der Feldeffekt-Transistor der Gleichrichterschaltung parallel zur Last geschaltet ist. 8. Transponder circuit according to claim 5 or 6, wherein the field effect transistor of the rectifier circuit is connected in parallel to the load.
9. Transponderschaltung nach Anspruch 5 oder 6, bei der vier Feldeffekt-Transistoren der Gleichrichterschaltung in Graetz-Schaltung angeordnet sind. 9. Transponder circuit according to claim 5 or 6, are arranged in the four field-effect transistors of the rectifier circuit in Graetz circuit.
10. Transponderschaltung nach einem der Ansprüche 3 bis 9, bei der das organische halbleitende Material aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Pentazen, Antrazen, Tetrazen, Oligothiophen, Polythiophen, Polyanilin, Poly-p-phenylen, Poly-p-phenylvinylen, Polypyrrol, Phthalocyanin, Porpyhrin und Derivaten davon besteht. 10. Transponder circuit according to one of claims 3 to wherein the organic semiconducting material is selected from the group consisting of phenylene, poly-p-of pentacene, anthracene, tetracene, oligothiophene, polythiophene, polyaniline, poly-p-phenylvinylene 9, polypyrrole , is phthalocyanine, porphyrin and derivatives thereof.
11. Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer mindestens ein Bauelement aufweisender Gleichrichterschaltung, bei dem zur Ausbildung des mindestens einen Bauelements der Gleichrichterschaltung mindestens eine Schicht mit einem organischen Material auf einem Trägermaterial aufgebracht wird. 11. A method for producing a transponder circuit having at least one component having Direction rectifier circuit, wherein at least one layer comprising an organic material is deposited on a support material to form the at least one component of the rectifier circuit.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem als organisches Material ein organisches elektrisch inertes Polymermaterial verwendet wird, das als Matrixmaterial dient, in das anorganische halbleitende Partikel eingebettet werden. 12. The method according to claim 11, in which the organic material is an organic electrically inert polymer material used, can be embedded in the inorganic semiconductive particles which serves as a matrix material.
13. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem als organisches Material ein halbleitendes organisches Material verwendet wird. 13. The method of claim 11, wherein the semiconducting organic material is used as the organic material.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, bei dem als das Bauelement der Gleichrichterschaltung ein Feldeffekt-Transistor verwendet wird. 14. A method according to any one of claims 11 to 13, wherein a field effect transistor is used as the component of the rectifier circuit.
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem die Schicht mit dem organischen Material den Body- Bereich des Transistors bildet. 15. The method of claim 14, wherein the layer with the organic material forming the body- region of the transistor.
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005064531A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-14 Siemens Aktiengesellschaft Display unit for displaying programmable barcodes
WO2006066559A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic rectifier
EP1719249A2 (en) * 2004-01-15 2006-11-08 Organicid, Inc. Non-quasistatic rectifier circuit
US7786818B2 (en) 2004-12-10 2010-08-31 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising a modulator
US7812343B2 (en) 2005-04-15 2010-10-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer composite body having an electronic function
US7843342B2 (en) 2005-03-01 2010-11-30 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic clock generator
US7847695B2 (en) 2004-08-23 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg External package capable of being radio-tagged
US7846838B2 (en) 2005-07-29 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Method for producing an electronic component
US7940159B2 (en) 2004-12-10 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Identification system
US7940340B2 (en) 2005-07-04 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers
US8315061B2 (en) 2005-09-16 2012-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same
US8463116B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tap Development Limited Liability Company Systems for curing deposited material using feedback control
US8584249B2 (en) 2003-05-16 2013-11-12 Phu Sang Ltd., Llc System for preventing unauthorized use of digital content

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0442123A1 (en) * 1990-01-04 1991-08-21 Neste Oy Method for preparing electronic and electro-optical components and circuits based on conducting polymers
JPH05259434A (en) * 1992-03-13 1993-10-08 Nissha Printing Co Ltd Organic rectifying element
US5733523A (en) * 1990-12-10 1998-03-31 Akzo Nobel N.V. Targeted delivery of a therapeutic entity using complementary oligonucleotides
WO1999030432A1 (en) * 1997-12-05 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
DE19937262A1 (en) * 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Arrangement with transistor function

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0442123A1 (en) * 1990-01-04 1991-08-21 Neste Oy Method for preparing electronic and electro-optical components and circuits based on conducting polymers
US5733523A (en) * 1990-12-10 1998-03-31 Akzo Nobel N.V. Targeted delivery of a therapeutic entity using complementary oligonucleotides
JPH05259434A (en) * 1992-03-13 1993-10-08 Nissha Printing Co Ltd Organic rectifying element
WO1999030432A1 (en) * 1997-12-05 1999-06-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Identification transponder
DE19937262A1 (en) * 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Arrangement with transistor function

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8584249B2 (en) 2003-05-16 2013-11-12 Phu Sang Ltd., Llc System for preventing unauthorized use of digital content
DE10361683A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-28 Siemens Ag Display for displaying programmable barcodes
WO2005064531A1 (en) * 2003-12-30 2005-07-14 Siemens Aktiengesellschaft Display unit for displaying programmable barcodes
JP4685797B2 (en) * 2004-01-15 2011-05-18 オーガニシッド・インコーポレイテッドOrganicid, Inc. Non-quasi-static rectifier circuit
JP2007528688A (en) * 2004-01-15 2007-10-11 オーガニシッド・インコーポレイテッドOrganicid, Inc. Non-quasi-static rectifier circuit
EP1719249A4 (en) * 2004-01-15 2008-06-25 Organicid Inc Non-quasistatic rectifier circuit
EP1719249A2 (en) * 2004-01-15 2006-11-08 Organicid, Inc. Non-quasistatic rectifier circuit
US7847695B2 (en) 2004-08-23 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg External package capable of being radio-tagged
US7940159B2 (en) 2004-12-10 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Identification system
US7786818B2 (en) 2004-12-10 2010-08-31 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic component comprising a modulator
KR101226340B1 (en) * 2004-12-23 2013-01-24 폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게 Organic rectifier
WO2006066559A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic rectifier
US7724550B2 (en) 2004-12-23 2010-05-25 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic rectifier
US7843342B2 (en) 2005-03-01 2010-11-30 Polyic Gmbh & Co. Kg Organic clock generator
US7812343B2 (en) 2005-04-15 2010-10-12 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer composite body having an electronic function
US7940340B2 (en) 2005-07-04 2011-05-10 Polyic Gmbh & Co. Kg Multilayer body with electrically controllable optically active systems of layers
US7846838B2 (en) 2005-07-29 2010-12-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Method for producing an electronic component
US8315061B2 (en) 2005-09-16 2012-11-20 Polyic Gmbh & Co. Kg Electronic circuit with elongated strip layer and method for the manufacture of the same
US8463116B2 (en) 2008-07-01 2013-06-11 Tap Development Limited Liability Company Systems for curing deposited material using feedback control

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