DE102023111044A1 - Doppelseitig emittierende lichtdurchlässige anzeigevorrichtung - Google Patents

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Abstract

Eine Anzeigevorrichtung weist ein erstes Pixel, das Licht in Richtung einer Oberseite emittiert, ein zweites Pixel, das Licht in Richtung einer Unterseite emittiert, eine Mehrzahl von Leitungen und eine Pad-Elektrode auf. Das erste Pixel weist ein erstes lichtemittierendes Element, einen ersten Pixelschaltkreis, der mit dem ersten lichtemittierenden Element und einigen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, und eine untere reflektierende Schicht, die derart unter dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das erste lichtemittierende Element überlappt, und die eine größere Größe aufweist als das erste lichtemittierende Element, auf. Das zweite Pixel weist ein zweites lichtemittierendes Element, einen zweiten Pixelschaltkreis, der mit dem zweiten lichtemittierenden Element und den anderen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, und eine obere reflektierende Schicht, die derart unter dem zweiten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das zweite lichtemittierende Element überlappt, und eine größere Größe aufweist als das zweite lichtemittierende Element, auf.

Description

  • QUERVERWEIS AUF BEZOGENE ANMELDUNGEN
  • Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2022-0053647 , eingereicht am 29. April 2022 an dem Koreanischen Patentamt.
  • HINTERGRUND
  • TECHNISCHES GEBIET
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung. Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung, die einen lichtdurchlässigen Bereich und einen emittierenden Bereich in einem einzelnen Pixel aufweist und die ein Top-Emissionspixel und ein Bottom-Emissionspixel aufweist.
  • DISKUSSION DER BEZOGENEN TECHNIK
  • Zu den Anzeigevorrichtungen, die in Bildschirmen von Computern, Fernsehern und Mobiltelefonen verwendet werden, gehören organische lichtemittierende Anzeigevorrichtungen (OLEDs), die selbständig Licht emittieren, und Flüssigkristallanzeigevorrichtungen (LCDs), die eine separate Lichtquelle benötigen.
  • Anzeigevorrichtungen haben ein breites Spektrum an unterschiedlichen Anwendungen, einschließlich persönlicher digitaler Assistenten sowie Bildschirme von Computern und Fernsehgeräten. Eine Anzeigevorrichtung mit einer großen Anzeigefläche und reduziertem Volumen und Gewicht wird derzeit untersucht.
  • In letzter Zeit ziehen Anzeigevorrichtungen mit LEDs als Anzeigevorrichtung der nächsten Generation die Aufmerksamkeit auf sich. LEDs bestehen aus einem anorganischen Material anstelle eines organischen Materials und sind daher sehr zuverlässig und haben eine längere Lebensdauer als LCDs oder OLEDs. Außerdem können LEDs schnell ein- und ausgeschaltet werden, haben eine hohe Lichtausbeute, sind stoßfest und stabil und können ein sehr helles Bild anzeigen. Daher werden sie als Anzeigevorrichtungen mit verschiedenen Zwecken und Funktionen verwendet. Insbesondere, wenn die LEDs an einer doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung angewendet werden, ist es möglich, ein helles Bild anzuzeigen und dem Anwender genaue Bildinformationen zu liefern.
  • ÜBERBLICK
  • Dementsprechend sind Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung auf eine zweiseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gerichtet, die im Wesentlichen eines oder mehrere der Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen der bezogenen Technik verhindert.
  • Ein Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die lichtdurchlässig wird, wenn sie nicht in Gebrauch ist, um einen Benutzer hindurch den Hintergrund sehen zu lassen, und die eine Anzeigefunktion bereitstellt, wenn sie in Gebrauch ist.
  • Ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die sowohl ein Top-Emissionspixel als auch ein Bottom-Emissionspixel aufweist und somit unterschiedliche Informationen auf ihren beiden Oberflächen anzeigen kann.
  • Wiederum ein weiterer Aspekt der vorliegenden Offenbarung ist es, eine Anzeigevorrichtung bereitzustellen, die anorganische lichtemittierende Elemente verwendet und somit die Zuverlässigkeit und Helligkeit eines Produkts verbessert.
  • Zusätzliche Merkmale und Aspekte werden in der folgenden Beschreibung dargelegt und sind zum Teil aus der Beschreibung ersichtlich oder können durch Anwendung der hierin bereitgestellten erfinderischen Konzepte erlernt werden. Andere Merkmale und Aspekte der erfindungsgemäßen Konzepte können durch die in der schriftlichen Beschreibung besonders hervorgehobene oder davon ableitbare Struktur und die Ansprüche davon sowie die beigefügten Zeichnungen realisiert und erreicht werden.
  • Um diese und andere Aspekte der erfindungsgemäßen Konzepte, wie sie hierin verkörpert und allgemein beschrieben sind, zu erreichen, weist eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung ein erstes Pixel, das Licht in Richtung einer Oberseite, die eine Vorderseite ist, eines Substrats emittiert, ein zweites Pixel, das Licht in Richtung einer Unterseite, die eine Rückseite ist, des Substrats emittiert, eine Mehrzahl von Leitungen, die in dem ersten Pixel und dem zweiten Pixel angeordnet sind, und eine Pad-Elektrode, die mit der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, auf, wobei das erste Pixel ein erstes lichtemittierendes Element, einen ersten Pixelschaltkreis, der mit dem ersten lichtemittierenden Element und einigen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, und eine untere reflektierende Schicht, die derart unter dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das erste lichtemittierende Element überlappt, und eine größere Größe aufweist als das erste lichtemittierende Element aufweist, und das zweite Pixel ein zweites lichtemittierendes Element, einen zweiten Pixelschaltkreis, der mit dem zweiten lichtemittierenden Element und den anderen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, und eine obere reflektierende Schicht, die derart auf dem zweiten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das zweite lichtemittierende Element überlappt, und eine größere Größe aufweist als das zweite lichtemittierende Element, aufweist.
  • In einem weiteren Aspekt weist eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung ein Substrat, das einen emittierenden Bereich, der einen Top-Emissionsbereich und einen Bottom-Emissionsbereich aufweist, einen lichtdurchlässigen Bereich und einen nicht-lichtdurchlässigen Bereich, ein erstes lichtemittierendes Element und ein zweites lichtemittierendes Element, die auf dem Substrat in dem lichtemittierenden Bereich angeordnet sind, eine Mehrzahl von Pixelschaltkreisen, die dazu eingerichtet sind, dass sie dem ersten lichtemittierenden Element und dem zweiten lichtemittierenden Element in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich Ansteuerungsströme zuführen, eine untere reflektierende Schicht, die das erste lichtemittierende Element überlappt, zwischen dem ersten lichtemittierenden Element, das in dem Top-Emissionsbereich angeordnet ist, und dem Substrat, und eine obere reflektierende Schicht, die das zweite lichtemittierende Element überlappt, auf dem zweiten lichtemittierenden Element, das in dem Bottom-Emissionsbereich angeordnet ist, auf.
  • Weitere detaillierte Gegenstände der beispielhaften Ausführungsformen sind in der detaillierten Beschreibung und den Zeichnungen enthalten.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist eine Anzeigevorrichtung ein Top-Emissionspixel und ein Bottom-Emissionspixel auf und kann somit unterschiedliche Bildinformationen auf ihrer Vorderseite und Rückseite bereitstellen.
  • Gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weisen das Top-Emissionspixel und das Bottom-Emissionspixel in zugeordneter Weise derart eine untere reflektierende Schicht und eine obere reflektierende Schicht auf, dass sie ein lichtemittierendes Element überlappen. Sowohl die untere reflektierende Schicht als auch die obere reflektierende Schicht haben eine größere Fläche als das lichtemittierende Element. Somit kann das von dem Top-Emissionspixel emittierte Licht vollständig nach oben ausgegeben werden, und das von dem Bottom-Emissionspixel emittierte Licht kann vollständig nach unten ausgegeben werden.
  • Es versteht sich, dass sowohl die vorangehende allgemeine Beschreibung als auch die folgende detaillierte Beschreibung beispielhaft und erläuternd sind und dazu vorgesehen sind, eine weitere Erklärung der beanspruchten erfinderischen Konzepte bereitzustellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die beigefügten Zeichnungen, die zum weiteren Verständnis der Offenbarung dienen und Bestandteil dieser Anmeldung sind, veranschaulichen Ausführungsformen der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung verschiedener Grundsätze. In den Zeichnungen:
    • 1A ist eine schematische Draufsicht einer doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 1 B ist eine schematische Querschnittsansicht der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 2A, 2B und 3 sind Schaubilder, die jeweils die Anordnung von Pixeln in einem aktiven Bereich darstellen;
    • 4 ist ein Schaubild, das schematisch die Struktur eines ersten Pixels der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 5 ist ein Schaubild, das schematisch die Struktur eines zweiten Pixels einer doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 6 ist ein Schaltplan, der einen in jedem Pixel angeordneten Pixelschaltkreis darstellt;
    • 7 ist eine Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Chips, der in jedem Pixel der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung enthalten ist;
    • 8 ist eine Querschnittsansicht einer ersten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 9 ist eine Querschnittsansicht einer zweiten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung;
    • 10 ist eine Querschnittsansicht, die die Top-Emissionsbedingungen der ersten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt;
    • 11 ist eine Querschnittsansicht, die die Bottom-Emissionsbedingungen der zweiten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt; und
    • 12 ist eine Querschnittsansicht einer doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Vorteile und Merkmale der vorliegenden Offenbarung und ein Verfahren zum Erreichen der Vorteile und Merkmale werden durch Bezugnahme auf beispielhafte Ausführungsformen, die unten im Detail zusammen mit den beigefügten Zeichnungen beschrieben werden, deutlich. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht auf die hierin offengelegten beispielhaften Ausführungsformen beschränkt, sondern kann in verschiedenen Formen implementiert werden. Die beispielhaften Ausführungsformen sind nur beispielhaft dargestellt, damit der Fachmann die Offenbarungen der vorliegenden Offenbarung und den Anwendungsbereich der vorliegenden Offenbarung vollständig verstehen kann.
  • Die in den begleitenden Zeichnungen zum Beschreiben der beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung dargestellten Formen, Größen, Verhältnisse, Winkel, Anzahlen und dergleichen sind lediglich Beispiele, und die vorliegende Offenbarung ist nicht hierauf beschränkt. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen im Allgemeinen über die gesamte Beschreibung hinweg gleiche Elemente. Ferner kann in der folgenden Beschreibung der vorliegenden Offenbarung eine ausführliche Erläuterung bekannter verwandter Technologien weggelassen werden, um zu verhindern, dass der Gegenstand der vorliegenden Offenbarung unnötigerweise verschleiert wird. Die hierin verwendeten Begriffe, wie beispielsweise „einschließlich“, „mit“ und „aufweisend“ sollen im Allgemeinen das Hinzufügen anderer Komponenten ermöglichen, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „nur“ verwendet. Alle Verweise auf die Einzahl können die Mehrzahl einschließen, sofern nicht ausdrücklich anders angegeben.
  • Komponenten werden derart interpretiert, dass sie einen gewöhnlichen Fehlerbereich aufweisen, auch wenn dies nicht ausdrücklich angegeben ist.
  • Wenn die Positionsbeziehung zwischen zwei Teilen unter Verwendung von Begriffen, wie beispielsweise „auf“, „über“, „unter“ und „neben“, beschrieben wird, können ein oder mehrere Teile zwischen den beiden Teilen positioniert sein, es sei denn, die Begriffe werden mit dem Begriff „unmittelbar“ oder „direkt“ verwendet.
  • Wenn ein Element oder eine Schicht „auf“ einem anderen Element oder einer anderen Schicht angeordnet ist, kann es direkt auf dem anderen Element oder der anderen Schicht liegen, oder eine weitere Schicht oder ein weiteres Element kann direkt auf dem anderen Element oder dazwischen angeordnet sein.
  • Obwohl die Begriffe „erste/r/s“, „zweite/r/s“ und Ähnliches zum Beschreiben verschiedener Komponenten verwendet werden, sind diese Komponenten nicht durch diese Begriffe eingeschränkt. Diese Begriffe werden lediglich zum Unterscheiden einer Komponente von den anderen Komponenten verwendet. Daher kann eine erste Komponente, die im Folgenden erwähnt ist, in einem technischen Konzept der vorliegenden Offenbarung eine zweite Komponente sein.
  • Gleiche Bezugsziffern bezeichnen im Allgemeinen über die gesamte Beschreibung hinweg gleiche Elemente.
  • Eine Größe und eine Dicke von jeder in der Zeichnung dargestellten Komponente sind zur Vereinfachung der Beschreibung dargestellt, und die vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Größe und die Dicke der dargestellten Komponente beschränkt.
  • Die Merkmale verschiedener Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können teilweise oder vollständig miteinander verbunden oder miteinander kombiniert sein und können auf technisch verschiedene Weisen ineinandergreifen und betrieben werden, und die Ausführungsformen können unabhängig voneinander oder in Verbindung miteinander ausgeführt werden.
  • Im Folgenden wird eine Anzeigevorrichtung gemäß beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf begleitende Zeichnungen im Detail beschrieben werden.
  • 1A ist eine schematische Draufsicht einer doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 1 B ist eine schematische Querschnittsansicht der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung.
  • Bezugnehmend auf 1A weist eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung 100 ein Anzeigepanel DP und Anzeigepanel-Ansteuerungsschaltkreise GA und 125 auf, die Signale zum Ansteuern des Anzeigepanels DP zuführen. Außerdem weist die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung 100 eine Zeitablaufsteuerung 130 auf, die die Anzeigepanel-Ansteuerschaltkreise GA und 125 steuert.
  • Das Anzeigepanel DP weist einen aktiven Bereich AA, in dem ein Bild angezeigt wird, und einen nicht-aktiven Bereich NA, in dem kein Bild angezeigt wird, auf. Eine Mehrzahl von Pixeln UP ist in dem aktiven Bereich AA angeordnet, und eine Mehrzahl von lichtemittierenden Elementen und eine Mehrzahl von Pixelschaltkreisen sind in jedem der Mehrzahl von Pixeln UP angeordnet.
  • Außerdem können Signalleitungen, die mit der Mehrzahl von Pixeln UP verbunden sind, in der Anzeigepanel DP angeordnet sein. Die Signalleitungen können eine Gate-Leitung, eine Datenleitung, eine Stromzuführungsleitung usw. aufweisen. Die Anzeigepanel-Ansteuerungsschaltkreise GA und 125 führend den Signalleitungen Signale zu. Die Anzeigepanel-Ansteuerungsschaltkreise GA und 125 weisen einen Gate-Ansteuerungsschaltkreis GA, der der Gate-Leitung ein Gate-Signal zuführt, und einen Datenansteuerungsschaltkreis 125, der der Datenleitung ein Datensignal zuführt, auf. Der Gate-Ansteuerungsschaltkreis GA kann direkt auf dem Anzeigepanel DP als die Mehrzahl von Pixelschaltkreisen in dem aktiven Bereich AA gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die Gate-Leitung kann eine Abtastleitung und eine Emissionsleitung aufweisen, und somit kann der Gate-Ansteuerungsschaltkreis GA einen Abtast-Ansteuerungsschaltkreis und einen Emissions-Ansteuerungsschaltkreis aufweisen. Der Abtast-Ansteuerungsschaltkreis kann der Abtastleitung ein Abtastsignal zuführen, und der Emissions-Ansteuerungsschaltkreis kann der Emissionsleitung ein Emissionssignal zuführen. Die Art und Anzahl von Gate-Leitungen kann in Abhängigkeit von der Struktur eines Pixelschaltkreises, der in einem Einheitspixel UP gebildet ist, variieren.
  • Der Datenansteuerungsschaltkreis 125 kann auf einem Film 120 angeordnet sein, der an einem Pad-Bereich PAD befestigt ist, der auf einer Seite des Anzeigepanels DP gemäß einem Chip-auf-Film-Verfahren gebildet ist. Die Anzahl von Datenansteuerungsschaltkreisen 125 kann in Abhängigkeit von der Größe des Anzeigepanels DP variieren. Eine Seite des Films 120, an der der Datenansteuerungsschaltkreis 125 befestigt ist, kann an einer Seite des Anzeigepanels DP befestigt sein, und die andere Seite des Films 120 kann an einer Leiterplatte 130 befestigt sein. Der Leiterplatte 130 werden Zeitsignale und Antriebsenergie zum Betreiben der Anzeigepanel-Ansteuerschaltkreise GA und 125 zugeführt. Die Anzahl an Leiterplatten 130 kann in Abhängigkeit von der Größe des Anzeigepanels DP variieren. Außerdem können ein oder mehrere Filme 120 an einer einzelnen Leiterplatte 130 befestigt sein.
  • 1 B stellt eine Querschnittsansicht des Anzeigepanels DP, des Datensteuerungsschaltkreises 125, des Films 120 mit dem daran befestigten Datensteuerungsschaltkreis 125 und die Leiterplatte 130 dar. In der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weist die Mehrzahl von Pixeln UP, die in dem aktiven Bereich AA angeordnet sind, ein Top-Emissionspixel und ein Bottom-Emissionspixel auf. Das Top-Emissionspixel führt die Top-Emission TE aus, und das Bottom-Emissionspixel führt die Bottom-Emission BE aus. Ein Bild, das dem Top-Emissionspixel zugeführt wird, kann verschieden sein von dem Bild, das dem Bottom-Emissionspixel zugeführt wird. Zum Beispiel können zwei Personen einander gegenüber auf einer Vorderseite bzw. einer Rückseite des Anzeigepanels DP der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100 stehen. In diesem Fall kann die Person, die auf der Vorderseite des Anzeigepanels DP steht, ein Bild sehen, das auf dem Top-Emissionspixel angezeigt wird, und die Person, die auf der Rückseite des Anzeigepanels DP steht, kann ein Bild sehen, das auf dem Bottom-Emissionspixel angezeigt wird.
  • 2A, 2B und 3 sind Schaubilder, die jeweils die Anordnung von Pixeln in dem aktiven Bereich AA zeigen.
  • Die Mehrzahl von Pixeln UP, die in dem aktiven Bereich AA angeordnet sind, weist erste Pixel UP1 und zweite Pixel UP2 auf. Die ersten Pixel UP1 sind Top-Emissionspixel und die zweiten Pixel UP2 sind Bottom-Emissionspixel.
  • Bezugnehmend auf 2A ist die Mehrzahl von Pixeln UP, die in dem Anzeigepanel DP angeordnet sind, nach Zeilen unterteilt, und die in der gleichen Zeile angeordneten Pixel sind von dem gleichen Typ. 2A stellt dar, dass das erste Pixel UP1 und das zweite Pixel UP2 von der Oberseite des Anzeigepanels DP aus abwechselnd nacheinander angeordnet sind. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Das zweite Pixel UP2 und das erste Pixel UP1 können abwechselnd nacheinander angeordnet sein. In diesem Fall kann sich die gleiche Zeile auf eine Zeile beziehen, in der die durch die gleiche Gate-Leitung verbundenen Pixel angeordnet sind.
  • Bezugnehmend auf 2B ist die Mehrzahl von Pixeln UP, die in dem Anzeigepanel DP angeordnet sind, nach Spalten unterteilt, und die in der gleichen Spalte angeordneten Pixel sind von dem gleichen Typ. 2B stellt dar, dass das erste Pixel UP1 und das zweite Pixel UP2 auf dem Anzeigepanel DP abwechselnd von links angeordnet sind. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Das zweite Pixel UP2 und das erste Pixel UP1 können abwechselnd nacheinander angeordnet sein. In diesem Fall kann sich die gleiche Spalte auf eine Spalte beziehen, in der die durch die gleiche Datenleitung verbundenen Pixel angeordnet sind. Die Anordnung verschiedener Pixel, die in abwechselnden Zeilen oder Spalten angeordnet sind, wie in 2A und 2B dargestellt, kann als „zeilenweises“ Muster bezeichnet werden. In diesem Fall können die Zeilen als alternierende Einheiten in der Einzahl oder in der Mehrzahl sein.
  • Bezugnehmend auf 3 ist die Mehrzahl von Pixeln UP, die im dem Anzeigepanel DP angeordnet sind, nach Zeilen unterteilt. Was die in der gleichen Zeile angeordneten Pixel betrifft, so sind das erste Pixel UP1 und das zweite Pixel UP2 auf dem Anzeigepanel DP abwechselnd von links angeordnet. Außerdem ist die Mehrzahl von Pixeln UP, die in dem Anzeigepanel DP angeordnet sind, in Spalten unterteilt. Was die in der gleichen Spalte angeordneten Pixel betrifft, so sind das erste Pixel UP1 und das zweite Pixel UP2 auf dem Anzeigepanel DP abwechselnd von oben angeordnet. Die zweiten Pixel UP2 sind an der Oberseite und Unterseite sowie an der linken Seite und rechten Seite des ersten Pixels UP1 angeordnet, und der gleiche Typ von Pixeln ist in einer diagonalen Richtung angeordnet. Zum Beispiel, wenn das erste Pixel UP1 und das zweite Pixel UP2 in einer ersten Reihe abwechselnd von links angeordnet sind, können das zweite Pixel UP2 und das erste Pixel UP1 in einer zweiten Reihe abwechselnd von links angeordnet sein. Die Anordnung von verschiedenen Pixeln in abwechselnden Pixeln, wie in 3 dargestellt, kann als „Mosaik“-Muster bezeichnet werden. In diesem Fall können die Pixel als alternierende Einheiten einzeln oder in der Mehrzahl sein.
  • 4 ist ein Schaubild, das schematisch die Struktur des ersten Pixels UP1 der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 5 ist ein Schaubild, das schematisch die Struktur des zweiten Pixels UP2 der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt.
  • Unter Bezugnahme auf 4 und 5 weist jedes der Mehrzahl von Pixeln UP1 und UP2, die in dem aktiven Bereich AA der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung angeordnet sind, einen lichtdurchlässigen Bereich TA, einen emittierenden Bereich und einen nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA auf. Wenn ein Nutzer das Anzeigepanel DP von der Vorderseite aus betrachtet, ist der lichtdurchlässige Bereich TA ein lichtdurchlässiger Bereich, durch den der Hintergrund des Anzeigepanels DP gesehen werden kann. Der Emissionsbereich ist ein Bereich, in dem die lichtemittierenden Elemente ELM und ELR angeordnet sind, um ein Bild zum Anzeigen auf der Anzeigevorrichtung bereitzustellen.
  • Die lichtemittierenden Elemente ELM und ELR können lichtemittierende Dioden aus anorganischen Materialien sein und können sich auf Elemente beziehen, die eine Größe von 100 µm oder weniger haben oder von denen ein Wafer-Substrat zum Bilden von lichtemittierenden Dioden entfernt ist. Im Allgemeinen werden solche lichtemittierende Elemente als „Mikro-LEDs“ bezeichnet.
  • Jedes von der Mehrzahl von Pixeln UP1 und UP2 kann eine Mehrzahl von lichtemittierenden Elementen ELM und ELR aufweisen. Die Mehrzahl von lichtemittierenden Elementen ELM und ELR können ein Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und ein Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR aufweisen. Die Mehrzahl von lichtemittierenden Elementen ELM und ELR kann mindestens ein Paar aus einem Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und einem Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR aufweisen, die Licht der gleichen Farbe emittieren.
  • Außerdem kann jedes von der Mehrzahl von Pixeln UP1 und UP2 eine Mehrzahl von Haupt-Lichtemittierende-Elementen ELM und eine Mehrzahl von Hilfs-Lichtemittierende-Elementen ELR aufweisen. Die Mehrzahl von Haupt-Lichtemittierende-Elementen ELM kann ein erstes Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM1, ein zweites Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM2 und ein drittes Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM3 aufweisen. Das erste Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM1 kann ein rotes lichtemittierendes Element sein, das rotes Licht emittiert. Das zweite Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM2 kann ein blaues lichtemittierendes Element sein, das blaues Licht emittiert. Das dritte Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM3 kann ein grünes lichtemittierendes Element sein, das grünes Licht emittiert. Die Mehrzahl von Hilfs-Lichtemittierende-Elementen ELR kann ein erstes Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR1, ein zweites Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR2 und ein drittes Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR3 aufweisen. Das erste Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR1 kann ein rotes lichtemittierendes Element sein, das rotes Licht emittiert. Das zweite Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR2 kann ein blaues lichtemittierendes Element sein, das blaues Licht emittiert. Das dritte Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR3 kann ein grünes lichtemittierendes Element sein, das grünes Licht emittiert.
  • 4 und 5 stellen dar, dass das Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR jeweils drei lichtemittierende Elemente aufweisen. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Das Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR können jeweils vier lichtemittierende Elemente einschließlich eines weißen lichtemittierenden Elements aufweisen. Alternativ kann jedes von dem Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und dem Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR eine Kombination aus drei beliebigen der Farben Rot, Blau, Grün und Weiß aufweisen. Andernfalls kann jedes von dem Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und dem Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR eine Kombination aus mindestens einer anderen Farbe als Rot, Blau, Grün und Weiß aufweisen.
  • Ein Pixelschaltkreis, der dazu eingerichtet ist zu steuern, ob das Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR Licht emittieren und welche Menge an Licht emittiert wird, ist zwischen dem Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und dem Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR angeordnet. Der nicht-lichtdurchlässige Bereich SA ist ein Bereich, der kein Licht durch das Anzeigepanel DP hindurchtreten lässt, und der Pixelschaltkreis ist in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet.
  • Der nicht-lichtdurchlässige Bereich SA kann in der Mitte des Pixels UP1 oder UP2 positioniert sein. Das Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM kann auf einer Seite des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA angeordnet sein, und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR kann auf der anderen Seite des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA angeordnet sein, die der ersteren Seite des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA gegenüberliegt.
  • Signalleitungen, die dem Pixelschaltkreis Signale zuführen, sind in dem Pixel UP1 oder UP2 angeordnet. Die Signalleitungen sind von dem Pad-Bereich PAD des Anzeigepanels DP her gebildet und durch den lichtdurchlässigen Bereich TA des Pixels mit dem Pixelschaltkreis in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA verbunden.
  • Die Signalleitungen können Datenleitungen, Gate-Leitungen und Stromzuführungsleitungen aufweisen. Die Datenleitungen und die Gate-Leitungen können einander überkreuzend auf dem Anzeigepanel DP angeordnet sein. Die Datenleitungen können eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2 und eine dritte Datenleitung DL3 aufweisen. Die Anzahl von Datenleitungen kann in Abhängigkeit von der Anzahl von lichtemittierenden Elemente in jedem von den Pixeln UP1 und UP2 variieren. Zum Beispiel kann die erste Datenleitung DL1 sowohl mit dem ersten Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM1 als auch mit dem ersten Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR1 verbunden sein. Die zweite Datenleitung DL2 kann sowohl mit dem zweiten Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM2 als auch mit dem zweiten Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR2 verbunden sein. Die dritte Datenleitung DL3 kann sowohl mit dem dritten Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM3 als auch mit dem dritten Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR3 verbunden sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. In mindestens einem von den ersten lichtemittierenden Elementen ELM1 und ELR1, den zweiten lichtemittierenden Elementen ELM2 und ELR2 und den dritten lichtemittierenden Elemente ELM3 und ELR3 können ein Haupt-Lichtemittierendes-Element und ein Hilfs-Lichtemittierendes-Element in zugeordneter Weise mit verschiedenen Datenleitungen verbunden sein.
  • Eine Gate-Leitung GL kann sowohl mit einem Haupt-Lichtemittierendes-Element als auch mit einem Hilfs-Lichtemittierendes-Element verbunden sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Das Haupt-Lichtemittierendes-Element und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element können in zugeordneter Weise mit verschiedenen Gate-Leitungen verbunden sein.
  • Stromzuführungsleitungen PL1 und PL2 weisen eine erste Stromzuführungsleitung PL1 und eine zweite Stromzuführungsleitung PL2 auf. Die erste Stromzuführungsleitung PL1 kann parallel zu der Datenleitung angeordnet sein, und die zweite Stromzuführungsleitung PL2 kann parallel zu der Gate-Leitung angeordnet sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Alle von der ersten Stromzuführungsleitung PL1 und der zweiten Stromzuführungsleitung PL2 können parallel zueinander in der gleichen Richtung angeordnet sein. Außerdem kann jede von den Stromzuführungsleitungen PL1 und PL2 mit dem gleichen lichtemittierenden Element innerhalb eines Pixels verbunden sein. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Wenn beispielsweise ein Haupt-Lichtemittierendes-Element und ein Hilfs-Lichtemittierendes-Element mit verschiedenen Datenleitungen verbunden sind, können das Haupt-Lichtemittierendes-Element und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element mit verschiedenen Stromzuführungsleitungen verbunden sein.
  • Bezugnehmend auf 4 ist das erste Pixel UP1 das Top-Emissionspixel, und daher ist eine untere reflektierende Schicht BRL unter dem lichtemittierenden Element angeordnet. Die untere reflektierende Schicht BRL weist eine größere Fläche auf als das lichtemittierende Element, wenn man es von oben betrachtet. Die untere reflektierende Schicht BRL ist unter jedem von den Haupt-Lichtemittierende-Elementen ELM1, ELM2 und ELM3 und den Hilfs-Lichtemittierende-Elementen ELR1, ELR2 und ELR3 angeordnet.
  • Bezugnehmend auf 5 ist das zweite Pixel UP2 das Bottom-Emissionspixel, und daher ist eine obere reflektierende Schicht TRL auf dem lichtemittierenden Element angeordnet. Die obere reflektierende Schicht TRL weist eine größere Fläche auf als das lichtemittierende Element, wenn man es von oben betrachtet. Die obere reflektierende Schicht TRL ist auf jedem von den Haupt-Lichtemittierende-Elementen und den Hilfs-Lichtemittierende-Elementen angeordnet. Die obere reflektierende Schicht TRL kann eine Mehrzahl von Planarisierungsschichten, die die lichtemittierenden Elemente umgeben, durchdringen und mit dem Pixelschaltkreis verbunden sein.
  • 6 ist ein Schaltplan, der einen in jedem Pixel angeordneten Pixelschaltkreis darstellt.
  • Ein Pixelschaltkreis, der dazu eingerichtet ist zu steuern, ob und welche Lichtmenge das lichtemittierende Element Licht emittiert, ist in jedem von den Pixeln UP1 und UP2 angeordnet. Der Pixelschaltkreis kann sowohl mit dem Haupt-Lichtemittierendes-Element als auch mit dem Hilfs-Lichtemittierendes-Element verbunden sein. Andernfalls können das Haupt-Lichtemittierendes-Element und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element jeweils mit verschiedenen Pixelschaltkreisen verbunden sein.
  • Ferner sind die ersten lichtemittierenden Elemente ELM1 und ELR1, die zweiten lichtemittierenden Elemente ELM2 und ELR2 und die dritten lichtemittierenden Elemente ELM3 und ELR3 in zugeordneter Weise mit verschiedenen Pixelschaltkreisen verbunden. Zum Beispiel kann das erste Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM1 mit einem ersten Pixelschaltkreis verbunden sein, und das erste Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR1 kann mit einem zweiten Pixelschaltkreis verbunden sein. Außerdem können das zweite Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM2 und das zweite Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR2 mit einem dritten Pixelschaltkreis verbunden sein, und das dritte Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM3 und das dritte Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR3 können mit einem vierten Pixelschaltkreis verbunden sein. Die gleiche Verbindungsstruktur ist zwischen dem Pixelschaltkreis und jedem von den lichtemittierenden Elementen angewendet. Der dritte Pixelschaltkreis kann derart angeordnet sein, dass er eins-zu-eins der Anzahl von zweiten lichtemittierenden Elementen entspricht, und der vierte Pixelschaltkreis kann derart angeordnet sein, dass er eins-zu-eins der Anzahl der dritten lichtemittierenden Elemente entspricht.
  • 6 stellt eine Verbindungsbeziehung zwischen einem lichtemittierenden Element EL und einem Pixelschaltkreis dar. Der Pixelschaltkreis weist einen Ansteuerungstransistor DTR, einen Schalt-Schaltkreis STC, einen Lichtemissionstransistor ETR und einen Kondensator Cst auf. Die in dem Pixelschaltkreis enthaltenen Transistoren können Dünnschichttransistoren sein, und als Beispiel wird ein P-Kanal-Metalloxid-Halbleiter (PMOS) beschrieben. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Ein N-Kanal-Metalloxid-Halbleiter (NMOS) oder sowohl der PMOS als auch der NMOS können zur Implementierung verwendet werden.
  • Das lichtemittierende Element EL weist eine Anode und eine Kathode auf. Die Anode ist mit einer ersten Stromzuführungsleitung PL 1-1 verbunden, und die Kathode ist mit dem Pixelschaltkreis verbunden. Die erste Stromzuführungsleitung PL1-1 ist eine Hohe-Spannung-Leitung zur Versorgung der Anode mit einer hohen Spannung EVDD. Die erste Stromzuführungsleitung PL1-1 ist in der ersten Stromzuführungsleitung PL1 enthalten. In diesem Fall bezieht sich das lichtemittierende Element EL umfassend auf das Haupt-Lichtemittierendes-Element ELM und das Hilfs-Lichtemittierendes-Element ELR.
  • Der Ansteuerungstransistor DTR weist eine Gate-Elektrode, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode auf. Die Source-Elektrode ist mit der Kathode des lichtemittierenden Elements EL verbunden. Der Ansteuerungstransistor DTR führt dem lichtemittierenden Element EL einen Treiberstrom zu, so dass das lichtemittierende Element EL Licht emittieren kann.
  • Die Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DTR ist mit einer Source-Elektrode des Lichtemissionstransistors ETR verbunden. Eine Drain-Elektrode des Lichtemissionstransistors ETR ist mit einer ersten-zweiten Stromzuführungsleitung PL1-2 verbunden. Die erste-zweite Stromzuführungsleitung PL1-2 ist eine Niedrige-Spannung-Stromleitung zur Versorgung mit einer niedrigen Spannung EVSS. Die erste-zweite Stromzuführungsleitung PL1-2 ist in der ersten Stromzuführungsleitung PL1 enthalten. Eine Gate-Elektrode des Lichtemissionstransistors ETR ist mit einer Emissionsleitung GL2 verbunden und wird durch ein Emissionssignal EM gesteuert. Das Emissionssignal EM steuert einen Einschaltzustand und Ausschaltzustand des Lichtemissionstransistors ETR, so dass das lichtemittierende Element EL in einem Zeitraum außer einem Emissionszeitraum des lichtemittierenden Elements EL kein Licht emittiert.
  • Der Schalt-Schaltkreis STC steuert den Ansteuerungstransistor DTR unter Verwendung einer Datenspannung VDaten, eines Abtastsignals SCAN und einer Referenzspannung Vref. Der Schalt-Schaltkreis STC kann mittels Kombinierens einer Mehrzahl von Transistoren und einer Mehrzahl von Kondensatoren gebildet sein. Der Schalt-Schaltkreis STC ist elektrisch mit dem Ansteuerungstransistor DTR, dem Lichtemissionstransistor ETR, dem Kondensator Cst und dem lichtemittierenden Element EL verbunden. Die Datenspannung VDaten wird durch die Datenleitung DL zugeführt, das Abtastsignal SCAN wird durch die Abtastleitung GL1 zugeführt, und die Referenzspannung Vref wird durch die zweite Stromzuführungsleitung PL2 zugeführt.
  • Der Kondensator Cst ist zwischen die Gate-Elektrode und die Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DTR geschaltet. Somit hält der Kondensator Cst während der Lichtemission eine konstante Spannungsdifferenz zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors DTR aufrecht und hält somit die Lichtemission aufrecht.
  • 7 ist eine Querschnittsansicht eines lichtemittierenden Chips, der in jedem Pixel der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung enthalten ist.
  • Bezugnehmend auf 7 enthält ein lichtemittierender Chip 300 das lichtemittierende Element EL sowie eine erste Elektrode E1 und eine zweite Elektrode E2 zum elektrisch Verbinden des lichtemittierenden Elements EL mit dem Pixelschaltkreis. Das lichtemittierende Element EL emittiert Licht durch Rekombination von Elektronen und Löchern in Abhängigkeit von einem Strom, der zwischen der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2 fließt. Das lichtemittierende Element EL kann eine erste Halbleiterschicht 301, eine aktive Schicht 303 und eine zweite Halbleiterschicht 305 aufweisen.
  • Die erste Halbleiterschicht 301 führt der aktiven Schicht 303 Elektronen zu. Zum Beispiel kann die erste Halbleiterschicht 301 aus einem n-GaN-basierten Halbleitermaterial gebildet sein. Das n-GaN-basierten Halbleitermaterial kann GaN, AlGaN, InGaN oder AllnGaN sein. In diesem Fall können Si, Ge, Se, Te oder C als Verunreinigung zur Dotierung der ersten Halbleiterschicht 301 verwendet werden.
  • Die aktive Schicht 303 ist auf einer Seite der ersten Halbleiterschicht 301 bereitgestellt. Die aktive Schicht 303 weist eine Multi-Quantentopf (MQW)-Struktur mit einer Quantentopf-Schicht und einer Barriereschicht, die eine höhere Bandlücke aufweist als die Quantentopf-Schicht. Zum Beispiel kann die aktive Schicht 303 eine MQW-Struktur, wie beispielsweise InGaN/GaN, aufweisen.
  • Die zweite Halbleiterschicht 305 ist auf der aktiven Schicht 303 bereitgestellt, um der aktiven Schicht 303 Löcher zuzuführen. Zum Beispiel kann die zweite Halbleiterschicht 305 aus einem p-GaN-basierten Halbleitermaterial gebildet sein. Bei dem p-GaN-basierten Halbleitermaterial kann GaN, AlGaN, InGaN oder AllnGaN sein. In diesem Fall können Mg, Zn oder Be als Verunreinigung zur Dotierung der zweiten Halbleiterschicht 305 verwendet werden.
  • Die erste Elektrode E1, die auf der zweiten Halbleiterschicht 305 angeordnet ist, steht mit der zweiten Halbleiterschicht 305 in Kontakt. Die zweite Elektrode E2, die auf der anderen Seite der ersten Halbleiterschicht 301 angeordnet ist, steht mit der ersten Halbleiterschicht 301 in Kontakt. Der lichtemittierende Chip 300 emittiert Licht durch Rekombination von Elektronen und Löchern in Abhängigkeit von dem zwischen der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2 fließenden Strom. Das von dem lichtemittierenden Element EL emittierte Licht wird zum Anzeigen eines Bildes in alle Richtungen ausgegeben. In diesem Fall kann das von dem lichtemittierenden Element EL emittierte Licht jede von der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2 durchdringen. Die erste Elektrode E1 des lichtemittierenden Chips 300 kann als eine Anodenelektrode bezeichnet werden, und die zweite Elektrode E2 kann als eine Kathodenelektrode bezeichnet werden.
  • Nachfolgend wird der Querschnitt des Anzeigepanels DP, in dem der lichtemittierende Chip 300 angeordnet ist, beschrieben.
  • 8 ist eine Querschnittsansicht einer ersten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 9 ist eine Querschnittsansicht einer zweiten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. Sowohl 8 als auch 9 zeigen eine Querschnittsansicht eines Pixelteils, der den lichtdurchlässigen Bereich TA, den emittierenden Bereich EA und den nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA sowie den Pad-Bereich PAD aufweist.
  • 8 stellt eine Querschnittsansicht des lichtdurchlässigen Bereichs TA, des emittierenden Bereichs EA und des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA des ersten Pixels UP1 und des Pad-Bereichs PAD dar. Der lichtemittierende Chip 300 ist in dem emittierenden Bereich EA angeordnet, und der Pixelschaltkreis ist in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet. Außerdem ist eine Pad-Elektrode 400 in dem Pad-Bereich PAD angeordnet. 8 stellt den Ansteuerungstransistor DTR dar, der direkt mit dem lichtemittierenden Element EL des Pixelschaltkreises verbunden ist. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Der dargestellte Transistor kann in Abhängigkeit von dem Pixelschaltkreis ein Schalttransistor oder ein Lichtemissionstransistor sein.
  • Ein Substrat 110 dient als Träger für verschiedene Komponenten, die in dem Anzeigepanel DP enthalten sind, und kann lichtdurchlässig sein, um Licht hindurchtreten zu lassen, und kann aus einem isolierenden Material gebildet sein. Zum Beispiel kann das Substrat 110 aus Glas oder Harz bestehen. Außerdem kann das Substrat 110 ein Polymer oder einen Kunststoff enthalten und kann aus einem Material gebildet sein, das Flexibilität aufweist.
  • Der Ansteuerungstransistor DTR ist auf dem Substrat 110 angeordnet. Der Ansteuerungstransistor DTR weist eine aktive Schicht 201, eine Gate-Elektrode 202, eine Source-Elektrode 203 und eine Drain-Elektrode 204 auf. Die aktive Schicht 201 ist auf dem Substrat 110 angeordnet. Die aktive Schicht 201 kann aus einem Halbleitermaterial, wie beispielsweise einem Oxidhalbleiter, amorphem Silizium oder Polysilizium, gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Eine Pufferschicht kann zwischen dem Substrat 110 und der aktiven Schicht 201 angeordnet sein, und die Pufferschicht kann ein Eindringen von Feuchtigkeit oder Verunreinigungen durch das Substrat 110 verhindern.
  • Eine erste Isolierschicht 111 ist auf der aktiven Schicht 201 angeordnet. Die erste Isolierschicht 111 wird auch als eine Gate-Isolierschicht bezeichnet und dient der Isolierung der aktiven Schicht 201 von der Gate-Elektrode 202. Die erste Isolierschicht 111 kann eine einzelne Schicht oder eine Mehrzahl von Schichten aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Gate-Elektrode 202 ist auf der ersten Isolierschicht 111 angeordnet. Die Gate-Elektrode 202 kann mit dem Schalt-Schaltkreis STC verbunden sein. Die Gate-Elektrode 202 kann aus einem leitfähigen Material, wie beispielsweise Kupfer (Cu), Aluminium (AI), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung davon, hergestellt sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Hierbei ist die Gate-Leitung GL zusammen mit der Gate-Elektrode 202 auf der ersten Isolierschicht 111 angeordnet. Die Gate-Leitung GL kann durch das gleiche Verfahren aus dem gleichen Material gebildet werden wie die Gate-Elektrode 202. Die Gate-Leitung GL kann ein Abtastsignal oder ein Emissionssignal zu dem Schalt-Schaltkreis STC übertragen.
  • Eine zweite Isolierschicht 112 ist auf der Gate-Elektrode 202 angeordnet. Die zweite Isolierschicht 112 und die erste Isolierschicht 111 weisen Kontaktlöcher auf, durch die sowohl die Source-Elektrode 203 als auch die Drain-Elektrode 204 mit der aktiven Schicht 201 verbunden sind. Die zweite Isolierschicht 112 ist eine Passivierungsschicht zum Schützen der Komponenten unter der zweiten Isolierschicht 112. Die zweite Isolierschicht 112 kann eine einzelne Schicht oder eine Mehrzahl von Schichten sein, die aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sind, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Source-Elektrode 203 und die Drain-Elektrode 204, die elektrisch mit der aktiven Schicht 201 verbunden sind, sind auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die Drain-Elektrode 204 kann mit dem Lichtemissionstransistor ETR und dem Schalt-Schaltkreis STC verbunden sein, und die Source-Elektrode 203 kann mit der Kathode des lichtemittierenden Elements EL verbunden sein. Die Source-Elektrode 203 und die Drain-Elektrode 204 können aus einem leitfähigen Material, wie beispielsweise Kupfer (Cu), Aluminium (AI), Molybdän (Mo), Nickel (Ni), Titan (Ti), Chrom (Cr) oder einer Legierung daraus, gebildet sein, sind jedoch nicht hierauf beschränkt. Der Ansteuerungstransistor DTR kann in Abhängigkeit von einem von dem Schalt-Schaltkreis STC zugeführten Signal eingeschaltet oder ausgeschaltet werden.
  • Hierbei sind die Datenleitung DL und die erste Stromzuführungsleitung PL1 zusammen mit der Source-Elektrode 203 und der Drain-Elektrode 204 auf der zweiten Isolierschicht 112 angeordnet. Die Datenleitung DL und die erste Stromzuführungsleitung PL1 können durch den gleichen Prozess aus dem gleichen Material gebildet sein wie die Gate-Elektrode 202, die Source-Elektrode 203 und die Drain-Elektrode 204. Die Datenleitung DL kann durch den Schalt-Schaltkreis STC eine Datenspannung zu dem Ansteuerungstransistor DTR übertragen. Die erste Stromzuführungsleitung PL1 dient zum Übertragen der hohen Spannung EVDD und kann die hohen Spannung EVDD zu dem lichtemittierenden Chip 300 übertragen.
  • Eine dritte Isolierschicht 113 ist auf der Datenleitung DL, dem Ansteuerungstransistor DTR und der ersten Stromzuführungsleitung PL1 angeordnet. Die dritte Isolierschicht 113 dient dazu, die Komponenten unter der dritten Isolierschicht 113 zu schützen. Die dritte Isolierschicht 113 kann eine einzelne Schicht oder eine Mehrzahl von Schichten sein, die aus Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sind, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Außerdem kann die dritte Isolierschicht 113 eine Planarisierungsschicht zum Verringern einer Stufendifferenz einer Struktur unter der dritten Isolierschicht 113 sein.
  • Eine Verbindungselektrode CTE, die elektrisch mit der Source-Elektrode 203 verbunden ist, ist auf der dritten Isolierschicht 113 angeordnet. Die Verbindungselektrode CTE ist durch ein in der dritten Isolierschicht 113 gebildetes Kontaktloch mit der Source-Elektrode 203 verbunden. Die Verbindungselektrode CTE erstreckt sich bis zu dem Emissionsbereich EA und ist unter dem lichtemittierenden Chip 300 angeordnet. Die Elektrode, die unter dem lichtemittierenden Chip 300 angeordnet ist, wird als die untere reflektierende Schicht BRL bezeichnet. Die untere reflektierende Schicht BRL reflektiert das von dem lichtemittierenden Chip 300 emittierte Licht in Richtung einer Oberseite der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100, das heißt von dem lichtemittierenden Chip 300 in eine Richtung entgegengesetzt zu dem Substrat 110. Die untere reflektierende Schicht BRL weist eine größere Fläche auf als die des lichtemittierenden Chips 300, wenn man sie von oben betrachtet. Die untere reflektierende Schicht BRL weist auch eine größere Länge als die des lichtemittierenden Chips 300, wenn man sie im Querschnitt betrachtet. Um das von dem lichtemittierenden Chip 300 emittierte Licht vollständig zu reflektieren, ist die untere reflektierende Schicht BRL derart gebildet, dass ihre untere Fläche größer ist als eine untere Fläche des lichtemittierenden Chips 300. Die Verbindungselektrode CTE und die untere reflektierende Schicht BRL können aus einem Metallmaterial gebildet sein, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, wie beispielsweise Silber (Ag), Aluminium (AI) oder einer Legierung daraus, sind jedoch nicht hierauf beschränkt. Hierbei kann Silber (Ag) mit Sauerstoff oder Stickstoff reagieren, so dass das Reflexionsvermögen herabgesetzt sein kann. Daher kann die untere reflektierende Schicht BRL aus einer Mehrzahl von Schichten aus ITO/Ag/ITO gebildet sein oder kann durch Hinzufügen von Verunreinigungen, wie beispielsweise Palladium (Pd) oder Kupfer (Cu), gebildet sein.
  • Außerdem kann die untere reflektierende Schicht BRL elektrisch mit dem Pixelschaltkreis in dem ersten Pixel UP1 verbunden sein. Die Kathodenelektrode CE kann die untere reflektierende Schicht BRL mit der zweiten Elektrode E2 verbinden. Die untere reflektierende Schicht BRL kann durch Verlängerung der Source-Elektrode 203 des Ansteuerungstransistors DTR gebildet sein. Somit befinden sich die untere reflektierende Schicht BRL und die Source-Elektrode 203 in einem Äquipotentialzustand. Außerdem ist die Source-Elektrode 203 durch die zweite Elektrode E2 elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht 301 verbunden. Somit befinden sich die untere reflektierende Schicht BRL und die erste Halbleiterschicht 301 in einem Äquipotentialzustand. Daher ist es möglich, ein Migrationsphänomen der unteren reflektierenden Schicht BRL zu unterdrücken, das durch eine Potentialdifferenz zwischen einem unteren Abschnitt des lichtemittierenden Chips 300 und der unteren reflektierenden Schicht BRL verursacht wird. Die Beziehung zwischen der unteren reflektierenden Schicht BRL und dem lichtemittierenden Chip 300 wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben werden.
  • Eine Haftschicht 114 ist auf der Verbindungselektrode CTE angeordnet. Die Haftschicht 114 dient dazu, den lichtemittierenden Chip 300 auf dem Substrat 110 zu befestigen und kann die untere reflektierende Schicht BRL, die ein Metallmaterial aufweist, von dem lichtemittierenden Chip 300 elektrisch isolieren. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. In dem lichtemittierenden Element EL können die erste Halbleiterschicht, die aktive Schicht und die zweite Halbleiterschicht vertikal geschichtet sein, und die erste Elektrode kann unter der ersten Halbleiterschicht angeordnet sein, und die zweite Elektrode kann auf der zweiten Halbleiterschicht angeordnet sein. In diesem Fall kann die Haftschicht 114 ein leitendes Material enthalten, so dass die erste Elektrode des lichtemittierenden Elements EL elektrisch mit der unteren reflektierenden Schicht BRL verbunden sein kann.
  • Die Haftschicht 114 kann aus einem wärmehärtenden Material oder einem lichthärtenden Material bestehen. Die Haftschicht 114 kann irgendeines von adhäsiven Polymeren, Epoxidharzen, UV-Harzen, Polyimiden, Acrylaten, Urethanen und Polydimethylsiloxan (PDMS) sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Der lichtemittierende Chip 300 kann auf einem separaten Wachstumssubstrat gebildet werden und dann durch einen Substrattrennprozess auf das Substrat 110 übertragen werden. Der lichtemittierende Chip 300 ist derart angeordnet, dass er die Haftschicht 114 vollständig überlappt. In den Zeichnungen ist der lichtemittierende Chip 300 derart dargestellt, als hätte er eine laterale Struktur, in der die erste Elektrode E1 und die zweite Elektrode E2 horizontal angeordnet sind, ist jedoch nicht notwendigerweise hierauf beschränkt. Zum Beispiel kann der lichtemittierende Chip 300 eine vertikale Struktur aufweisen, in der die erste Elektrode E1 und die zweite Elektrode E2 einander überlappen, oder er kann eine Flip-Struktur aufweisen, in der die erste Elektrode E1 und die zweite Elektrode E2 auf dem Substrat 110 kontaktiert sind.
  • Wie in 8 dargestellt, kann der lichtemittierende Chip 300 eine Verkapselungsschicht EN zum Schützen der ersten Halbleiterschicht 301, der aktiven Schicht 303 und der zweiten Halbleiterschicht 305 aufweisen. Die Verkapselungsschicht EN überdeckt Seitenflächen und Oberseiten des lichtemittierenden Chips 300, überdeckt jedoch nicht Teile der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2. Die Verkapselungsschicht EN kann Kanten der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2 überdecken. Die Teile der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2, die nicht von der Verkapselungsschicht EN überdeckt sind, stehen in Kontakt mit einer Anodenelektrode PE bzw. einer Kathodenelektrode CE. Die Anodenelektrode PE kann die erste Stromzuführungsleitung mit der ersten Elektrode E1 verbinden.
  • Eine vierte Isolierschicht 115 ist auf dem lichtemittierenden Chip 300 angeordnet und kann eine einzelne Schicht oder eine Mehrzahl von Schichten sein. Die vierte Isolierschicht 115 kann aus einem organischen Material, wie beispielsweise Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharzen, Acrylaten usw., gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die vierte Isolierschicht 115 ist derart angeordnet, dass sie die gesamte Oberfläche des Substrats 110 bedeckt. Außerdem ist die vierte Isolierschicht 115 angrenzend an die Seitenflächen des lichtemittierenden Chips 300 angeordnet und kann somit den lichtemittierenden Chip 300 auf dem Substrat 110 fixieren. Des Weiteren kann, während der lichtemittierende Chip 300 auf das Substrat 110 übertragen wird, die Verkapselungsschicht EN teilweise beschädigt werden oder sich ablösen. Somit kann der lichtemittierende Chip 300, bei dem ein Teil der ersten Halbleiterschicht freiliegt, auf dem Substrat 110 angeordnet sein. Die vierte Isolierschicht 115 ist derart gebildet, dass sie die Seitenflächen des lichtemittierenden Chips 300 umgibt, und kann somit die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht des lichtemittierenden Chips 300 elektrisch isolieren.
  • Die vierte Isolierschicht 115 kann Stufenunterschiede zwischen einer Mehrzahl von lichtemittierenden Chips 300, die in dem Anzeigepanel DP angeordnet sind, einebnen. Die vierte Isolierschicht 115 gleicht einen Stufenunterschied auf dem Substrat 110 aus. Somit können die Kathodenelektrode CE und die Anodenelektrode PE reibungslos mit dem lichtemittierenden Chip 300 bzw. der ersten Stromzuführungsleitung PL1 verbunden werden. In diesem Fall kann die Anodenelektrode PE auch als eine Pixelelektrode bezeichnet werden, und die erste Stromzuführungsleitung PL1 kann auch als eine gemeinsame Leitung bezeichnet werden.
  • Die vierte Isolierschicht 115 kann dicker sein als der lichtemittierende Chip 300. Daher kann die vierte Isolierschicht 115 die Oberseite des lichtemittierenden Chips 300 überlappen. Die vierte Isolierschicht 115 kann zwischen der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2 die Verkapselungsschicht EN überdecken.
  • Die vierte Isolierschicht 115 weist ein erstes Kontaktloch H1 zum Verbinden des lichtemittierenden Chips 300 und der Kathodenelektrode CE und ein zweites Kontaktloch H2 zum Verbinden der Kathodenelektrode CE und der Verbindungselektrode CTE auf. Außerdem weist die vierte Isolierschicht 115 ein drittes Kontaktloch H3 zum Verbinden des lichtemittierenden Chips 300 und der Anodenelektrode PE und ein viertes Kontaktloch H4 zum Verbinden der Anodenelektrode PE und der ersten Stromzuführungsleitung PL1 auf. Anders ausgedrückt verbindet die Kathodenelektrode CE den lichtemittierenden Chip 300 und den Ansteuerungstransistor DTR durch das erste Kontaktloch H1 und das zweite Kontaktloch H2. Außerdem verbindet die Anodenelektrode PE den lichtemittierenden Chip 300 und die erste Stromzuführungsleitung PL1 durch das dritte Kontaktloch H3 und das vierte Kontaktloch H4. Das zweite Kontaktloch H2 ist nicht nur in der vierten Isolierschicht 115, sondern auch in der Haftschicht 114 gebildet. Außerdem ist das vierte Kontaktloch H4 nicht nur in der vierten Isolierschicht 115, sondern auch in der Haftschicht 114 und der dritten Isolierschicht 113 gebildet. In diesem Fall können das erste Kontaktloch H1 und das zweite Kontaktloch H2 innerhalb des Emissionsbereichs angeordnet sein, das dritte Kontaktloch H3 kann innerhalb des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA angeordnet sein, und das vierte Kontaktloch H4 kann innerhalb des lichtdurchlässigen Bereichs TA angeordnet sein. Jedoch ist das vierte Kontaktloch H4 nicht hierauf beschränkt und kann innerhalb des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA angeordnet sein.
  • Das erste Pixel UP1 ist das Top-Emissionspixel, das Licht in Richtung einer Oberseite, die eine Vorderfläche ist, des Substrats emittiert, und somit sind die Kathodenelektrode CE und die Anodenelektrode PE aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material gebildet. Das lichtdurchlässige leitfähige Material kann Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Ähnliches sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die Kathodenelektrode CE und die Anodenelektrode PE sind auf der Verkapselungsschicht EN und der vierten Isolierschicht 115 zwischen der ersten Elektrode E1 und der zweiten Elektrode E2 physisch getrennt. Daher sind die erste Halbleiterschicht und die zweite Halbleiterschicht elektrisch isoliert, und somit kann das lichtemittierende Element EL normalerweise Licht emittieren.
  • Eine fünfte Isolierschicht 116 ist auf der vierten Isolierschicht 115 angeordnet. Die fünfte Isolierschicht 116 ist innerhalb des ersten Kontaktlochs H1, des zweiten Kontaktlochs H2, des dritten Kontaktlochs H3 und des vierten Kontaktlochs H4 gebildet und ebnet somit die Oberseite des lichtemittierenden Chips 300 ein. Die fünfte Isolierschicht 116 kann aus einem organischen Material, wie beispielsweise Photoacryl, Polyimid, Benzocyclobutenharzen, Acrylaten usw., gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Die zweite Stromzuführungsleitung PL2 ist auf der fünften Isolierschicht 116 angeordnet. In 8 ist die zweite Stromversorgungsleitung PL2 einfach derart dargestellt, als dass sie mit der Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR verbunden ist, jedoch ist sie hierauf nicht beschränkt. Gemäß dem in 6 dargestellten Pixelschaltkreis ist die zweite Stromzuführungsleitung PL2 nicht direkt mit der Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR verbunden, sondern kann mit dem Schalt-Schaltkreis STC verbunden sein. Außerdem kann in 8 die erste Stromzuführungsleitung PL1 die erste-erste Stromzuführungsleitung PL1-1 sein, der die Hohes-Potential-Spannung EVDD zugeführt wird, und die zweite Stromzuführungsleitung PL2 kann die erste-zweite Stromzuführungsleitung PL1-2 sein, der die Niedriges-Potential-Spannung EVSS zugeführt wird. In diesem Fall kann die zweite Stromzuführungsleitung PL2 direkt mit der Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR verbunden sein, wie in den Zeichnungen dargestellt, kann jedoch ebenso mit dem Lichtemissionstransistor ETR verbunden sein, wie in 6 dargestellt.
  • Die zweite Stromversorgungsleitung PL2 ist in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet. Die zweite Stromzuführungsleitung PL2 kann durch die in der fünften Isolierschicht 116, der vierten Isolierschicht 115, der Haftschicht 114 und der dritten Isolierschicht 113 gebildeten Kontaktlöcher mit dem Ansteuerungstransistor DTR, dem Schalt-Schaltkreis STC oder dem Lichtemissionstransistor ETR verbunden sein. Die zweite Stromzuführungsleitung PL2 dient, wie die Verbindungselektrode CTE, als eine reflektierende Elektrode und kann aus einem Metallmaterial, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, wie beispielsweise Silber (Ag), Aluminium (AI) oder einer Legierung daraus, gebildet sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Hierbei kann reines Silber (Ag) mit Sauerstoff oder Stickstoff reagieren, so dass das Reflexionsvermögen verringert werden kann. Daher kann die untere reflektierende Schicht BRL aus einer Mehrfachschicht aus ITO/Ag/ITO gebildet sein oder mittels Hinzufügens von Verunreinigungen, wie beispielsweise Palladium (Pd) oder Kupfer (Cu), gebildet sein. In dem ersten Pixel UP1 ist die zweite Stromzuführungsleitung PL2 nicht in dem emittierenden Bereich EA angeordnet, und somit kann Licht nach oben ausgegeben werden.
  • Eine Schwarzmatrix BM ist in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet. Die Schwarzmatrix BM ist auf der zweiten Stromzuführungsleitung PL2 angeordnet und kann aus einem isolierenden Material gebildet sein. Ferner kann die Schwarzmatrix BM ein schwarzes Material oder ein lichtabsorbierendes Material aufweisen. Zum Beispiel kann die Schwarzmatrix BM kann aus einer Mischung auf Kohlenstoffbasis gebildet sein und kann insbesondere Ruß aufweisen. Die Schwarzmatrix BM kann Wärme absorbieren, die sich auf die zweite Stromzuführungsleitung PL2 konzentriert, und dann die Wärme nach außen abstrahlen. Daher kann die Lebensdauer der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100 verlängert sein. Außerdem ist die Schwarzmatrix BM derart angeordnet, dass sie den emittierenden Bereich EA umgibt, und kann somit eine Farbmischung zwischen den lichtemittierenden Chips 300 unterdrücken. Daher ist es möglich, die Qualität der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100 zu verbessern.
  • Eine Schutzschicht 117 ist auf der fünften Isolierschicht 116 und der Schwarzmatrix BM angeordnet. Die Schutzschicht 117 dient zum Schützen der Komponenten unter der Schutzschicht 117. Die Schutzschicht 117 kann eine einzelne Schicht oder eine Mehrzahl von Schichten, die aus durchscheinendem Epoxid, Siliziumoxid (SiOx) oder Siliziumnitrid (SiNx) gebildet sind, sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Die vierte Isolierschicht 115, die fünfte Isolierschicht 116 und die Schutzschicht 117 werden schrittweise gebildet. Somit sind Seitenflächen der vierten Isolierschicht 115, der fünften Isolierschicht 116 und der Schutzschicht 117 gegenüber dem Substrat 110 derart abgeschrägt, dass sie einen Stufenunterschied verringern. In einigen Fällen kann die Schutzschicht 117 aus einer Mehrzahl von Schichten gebildet sein und kann derart obere Oberflächen und seitliche Oberflächen der vierten Isolierschicht 115 und der fünften Isolierschicht 116 überdecken, dass ein Eindringen von Feuchtigkeit und Sauerstoff weiter unterdrückt sind.
  • Unter Bezugnahme auf 1A und 1B ist der Pad-Bereich PAD in dem nicht-aktiven Bereich NA auf einer Seite des Anzeigepanels DP angeordnet. 8 stellt eine Querschnittsansicht des Pad-Bereichs PAD dar. Eine Mehrzahl von Pad-Elektroden 400 ist in dem Pad-Bereich PAD angeordnet. Wie oben beschrieben, kann der Film 120, an dem der Ansteuerungsschaltkreis 125 befestigt ist, an der Pad-Elektrode 400 angebracht sein. In dem Pad-Bereich PAD sind die Haftschicht 114, die vierte Isolierschicht 115, die fünfte Isolierschicht 116 und die Schutzschicht 117 nicht angeordnet, und die Pad-Elektrode 400 ist freigelegt. Das bedeutet, dass die Pad-Elektrode 400 von einer Mehrzahl von Planarisierungsschichten freigelegt sein kann. Somit wird dem Pad-Bereich PAD durch die Pad-Elektrode 400 von außen ein Signal zugeführt.
  • Die Pad-Elektrode 400 kann eine erste Pad-Elektrode 401 und eine zweite Pad-Elektrode 403 aufweisen. Die erste Pad-Elektrode 401 kann auf der gleichen Schicht wie die Source-Elektrode 203 und die Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR aus dem gleichen Material gebildet sein. Die zweite Pad-Elektrode 403 kann auf der gleichen Schicht wie die Verbindungselektrode CTE aus dem gleichen Material gebildet sein. Obwohl die Pad-Elektrode derart verkürzt dargestellt ist, als dass sie nur zwei Pad-Elektroden aufweist, kann die Pad-Elektrode in einigen Fällen als eine Dreifachschicht oder mehr gebildet sein.
  • 9 stellt eine Querschnittsansicht des lichtdurchlässigen Bereichs TA, des emittierenden Bereichs EA und des nicht-lichtdurchlässigen Bereichs SA des zweiten Pixels UP2 sowie den Pad-Bereich PAD dar. Der lichtemittierende Chip 300 ist in dem emittierenden Bereich EA angeordnet, und der Pixelschaltkreis ist in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet. Außerdem ist die Pad-Elektrode 400 in dem Padbereich PAD angeordnet. 9 stellt den Ansteuerungstransistor DTR, der direkt mit dem lichtemittierenden Element EL verbunden ist, des Pixelschaltkreises dar. Jedoch ist die vorliegende Offenbarung nicht hierauf beschränkt. Der Transistor kann in Abhängigkeit von der Art des Pixelschaltkreises ein Schalttransistor oder ein Lichtemissionstransistor sein.
  • Die Darstellung der 9 ist im Wesentlichen die gleiche wie die der 8, mit Ausnahme des Vorhandenseins oder Nichtvorhandenseins und der Positionen der unteren reflektierenden Schicht BRL und der oberen reflektierenden Schicht TRL. Daher wird auf eine Beschreibung der sich wiederholenden Komponenten verzichtet.
  • In dem zweiten Pixel UP2 erstreckt sich die Verbindungselektrode CTE nicht bis zu dem Emissionsbereich EA, sondern verbindet nur elektrisch die Source-Elektrode 203 oder Drain-Elektrode des Ansteuerungstransistors DTR mit der Kathodenelektrode CE. Außerdem ist das zweite Pixel UP2 das Bottom-Emissionspixel, das Licht in Richtung einer Unterseite, die eine Rückseite ist, des Substrats emittiert, und somit müssen die auf dem lichtemittierenden Chip 300 angeordneten Elektroden nicht aus einem lichtdurchlässigen leitenden Material gebildet sein. Zum Beispiel sind für die Bequemlichkeit des Prozesses die Kathodenelektrode CE und die Anodenelektrode PE aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material gebildet, wie in dem ersten Pixel UP1, sind jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • Wenn die Kathodenelektrode CE und die Anodenelektrode PE aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material gebildet sind, ist eine reflektierende Elektrode derart auf dem lichtemittierenden Chip 300 angeordnet, dass das von dem lichtemittierenden Chip 300 emittierte Licht nach unten (in Richtung des Substrats 110) reflektiert wird. Insbesondere ist die reflektierende Elektrode in dem emittierenden Bereich EA auf der fünften Isolierschicht 116 angeordnet und wird als „obere reflektierende Schicht TRL“ bezeichnet.
  • Die obere reflektierende Schicht TRL kann elektrisch mit dem Pixelschaltkreis in dem zweiten Pixel UP2 verbunden sein. Die obere reflektierende Schicht TRL ist durch Verlängerung der zweiten Stromzuführungsleitung PL2, die in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet ist, zu dem emittierenden Bereich EA gebildet und überlappt den lichtemittierenden Chip 300. Wie oben beschrieben, kann die zweite Stromzuführungsleitung PL2 mit der Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR verbunden sein. Alternativ kann die zweite Stromzuführungsleitung PL2 mit dem Schalt-Schaltkreis STC verbunden sein, ohne direkt mit der Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR verbunden zu sein. Außerdem kann die erste Stromzuführungsleitung PL1 die erste-erste Stromzuführungsleitung PL1-1 sein, der die Hohes-Potential-Spannung EVDD zugeführt wird, und die zweite Stromzuführungsleitung PL2 kann die erste-zweite Stromzuführungsleitung PL1-2 sein, der die Niedriges-Potential-Spannung EVSS zugeführt wird. In diesem Fall kann die zweite Stromzuführungsleitung PL2 direkt mit der Drain-Elektrode 204 des Ansteuerungstransistors DTR verbunden sein, wie in den Zeichnungen dargestellt, sie kann jedoch auch mit dem Lichtemissionstransistor ETR verbunden sein, wie in 6 gezeigt. Die obere reflektierende Schicht TRL ist nicht schwebend, und es wird an sie eine konstante Spannung angelegt. Somit ist es möglich, eine durch die umgebende Ausstattung der oberen reflektierende Schicht TRL verursachte Potenzialänderung der oberen reflektierende Schicht TRL zu unterdrücken. Des Weiteren kann zum Beispiel, wenn die Niedriges-Potential-Spannung EVSS an die zweite Stromzuführungsleitung PL2 angelegt wird, die obere reflektierende Schicht TRL einen Spannungsabfall der Niedriges-Potential-Spannung EVSS verringern. In diesem Fall kann die Dicke der oberen reflektierende Schicht TRL bei Bedarf erhöht werden. An die zweite Stromzuführungsleitung PL kann eine von der Hohes-Potential-Spannung EVDD, der Niedriges-Potential-Spannung EVSS und der Referenzspannung Vref angelegt werden.
  • Die obere reflektierende Schicht TRL reflektiert das von dem lichtemittierenden Chip 300 emittierte Licht in Richtung einer Unterseite der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100, das heißt von dem lichtemittierenden Chip 300 in Richtung des Substrats 110. Die obere reflektierende Schicht TRL hat eine größere Fläche als die des lichtemittierenden Chips 300, wenn man sie von oben betrachtet. Die obere reflektierende Schicht TRL hat auch eine größere Länge als die des lichtemittierenden Chips 300, wenn man sie von der Seite betrachtet. Um das von dem lichtemittierenden Chip 300 emittierte Licht vollständig zu reflektieren, ist die obere reflektierende Schicht TRL derart gebildet, dass sie eine größere untere Fläche als die untere Fläche des lichtemittierenden Chips 300 aufweist. Die zweite Stromzuführungsleitung PL2 und die obere reflektierende Schicht TRL können aus einem Metallmaterial gebildet sein, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, wie beispielsweise Silber (Ag), Aluminium (AI) oder einer Legierung daraus, sind jedoch nicht hierauf beschränkt. Hierbei kann reines Silber (Ag) mit Sauerstoff oder Stickstoff reagieren, so dass das Reflexionsvermögen verringert werden kann. Daher kann die obere reflektierende Schicht TRL aus einer Mehrfachschicht aus ITO/Ag/ITO oder durch Hinzufügen von Verunreinigungen, wie beispielsweise Palladium (Pd) oder Kupfer (Cu), gebildet sein. Die Beziehung zwischen der oberen reflektierenden Schicht TRL und dem lichtemittierenden Chip 300 wird unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben werden.
  • Die Schwarzmatrix BM ist in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich SA angeordnet. Die Schwarzmatrix BM ist auf der zweiten Stromzuführungsleitung PL2 angeordnet und kann aus einem isolierenden Material gebildet sein. Da das zweite Pixel UP2 das Bottom-Emissionspixel ist, kann die Schwarzmatrix BM in dem Fall des zweiten Pixels UP2 auch in dem emittierenden Bereich EA angeordnet sein.
  • 10 ist eine Querschnittsansicht, die Top-Emissionsbedingungen der ersten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung darstellt. 11 ist eine Querschnittsansicht, die Bottom-Emissionsbedingungen der zweiten Pixelstruktur gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung zeigt.
  • 10 stellt schematisch das erste Pixel UP1 dar, das das lichtemittierende Element EL, die untere reflektierende Schicht BRL, eine erste Zwischenschicht ML1, eine erste unteren Schicht BSUB1 und eine erste obere Schicht USUB1 aufweist. Außerdem stellt 10 das lichtemittierende Element EL, einen optischen Pfad von Licht, das von dem lichtemittierenden Element EL emittiert wird, und eine Beziehung zu der unteren reflektierenden Schicht BRL dar. Insbesondere wird die Beziehung zwischen der unteren reflektierenden Schicht BRL und dem lichtemittierenden Element EL zum Reflektieren von Licht nach oben von dem ersten Pixel UP1 beschrieben.
  • Die erste untere Schicht BSUB1 kann sich umfassend auf alle Schichten unterhalb der unteren reflektierenden Schicht BRL beziehen. Die untere reflektierende Schicht BRL ist auf der ersten unteren Schicht BSUB1 angeordnet, und die erste Zwischenschicht ML1 ist auf der ersten unteren Schicht BSUB1 und der unteren reflektierenden Schicht BRL angeordnet. Das lichtemittierende Element EL ist auf der ersten Zwischenschicht ML1 angeordnet, und die erste obere Schicht USUB1 ist auf dem lichtemittierenden Element EL und der ersten Zwischenschicht ML1 angeordnet. Die untere reflektierende Schicht BRL kann zwischen dem Dünnschichttransistor des Pixelschaltkreises in dem ersten Pixel UP1 und dem lichtemittierenden Element EL angeordnet sein. Die erste obere Schicht USUB1 kann sich umfassend auf alle Schichten auf dem lichtemittierenden Element EL beziehen. In dem ersten Pixel UP1 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die erste Zwischenschicht ML1 die Haftschicht 114 sein, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • In dem ersten Pixel UP1 wird ein Trennungsabstand zwischen der unteren reflektierenden Schicht BRL und dem lichtemittierenden Element EL mit d1 bezeichnet, und eine Dicke des lichtemittierenden Elements EL wird mit t bezeichnet. Außerdem wird ein Abstand von einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL zu einer Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL mit L1 bezeichnet.
  • Von dem lichtemittierenden Element EL emittiertes Licht wird in alle Richtungen ausgegeben. Das Licht weist Licht TE1, das durch die erste obere Schicht USUB1 direkt nach oben ausgegeben wird, Licht TE2, das von der unteren reflektierenden Schicht BRL reflektiert und dann durch die erste obere Schicht USUB1 nach oben ausgegeben wird, und Licht TE3, das durch die Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL hindurchgeht und die erste untere Schicht BSUB1 durchdringt, auf.
  • Da das erste Pixel UP1 das Top-Emissionspixel ist, muss das Licht TE3, das durch die Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL hindurchgeht und die erste untere Schicht BSUB1 durchdringt, reflektiert und nach oben ausgegeben werden, ohne die erste untere Schicht BSUB1 zu durchdringen. Wenn Licht, das von dem lichtemittierenden Element EL emittiert wird, durch die Seitenfläche der unteren reflektierende Schicht BRL hindurchgeht und in die erste untere Schicht BSUB1 einfällt, beträgt ein Einfallswinkel θ1. Das Licht TE3 wird unter der Bedingung der unteren Totalreflexion, die durch die folgende Gleichung 1 wiedergegeben ist, totalreflektiert, ohne die erste untere Schicht BSUB1 zu durchdringen. L 1 = ( d 1 + t ) × tan θ 1
    Figure DE102023111044A1_0001
  • Wenn ein Brechungsindex der ersten unteren Schicht BSUB1, insbesondere der untersten Schicht der ersten unteren Schicht BSUB1, n1 ist, tritt unter der durch die folgende Gleichung 2 dargestellten Bedingung Totalreflexion auf. n 1 × sin θ 1 = 1
    Figure DE102023111044A1_0002
  • Die unterste Schicht in der ersten unteren Schicht BSUB1 kann ein Glas oder eine Antistreuschicht sein. Zum Beispiel beträgt, wenn die erste untere Schicht BSUB1 aus Glas gebildet ist, n1 1,52. Gemäß Gleichung 1 und Gleichung 2 beträgt ein Abstand L1 zwischen der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL und der Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL ungefähr 0,874 x (d1 +t). Der Abstand von der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL zu der Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL entspricht ungefähr der Summe aus einem Abstand von der unteren reflektierenden Schicht BRL zu dem lichtemittierenden Element EL und einer Höhe des lichtemittierenden Elements EL. Gleichung 1 und Gleichung 2 sind die Formeln für den kritischen Winkel für die untere Totalreflexion des Lichts TE3 in dem ersten Pixel UP1. Daher entspricht L1 dem Mindestabstand zwischen der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL und der Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL.
  • Das bedeutet, dass in dem ersten Pixel UP1 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Länge von der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL zu der Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht BRL gleich oder größer als die Summe eines vertikalen Abstands von der unteren reflektierenden Schicht BRL zu dem lichtemittierenden Element EL und einer Höhe des lichtemittierenden Elements EL sein kann. Daher kann das erste Pixel UP1 Licht, das von dem lichtemittierenden Element EL emittiert wird, vollständig nach oben abgeben.
  • 11 stellt schematisch das zweite Pixel UP2 dar, das das lichtemittierende Element EL, die obere reflektierende Schicht TRL, eine zweite Zwischenschicht ML2, eine zweite untere Schicht BSUB2 und eine zweite obere Schicht USUB2 aufweist. Außerdem stellt 11 das lichtemittierende Element EL, einen optischen Pfad des Lichts, das von dem lichtemittierenden Element EL emittiert wird, und eine Beziehung zu der oberen reflektierenden Schicht TRL dar. Insbesondere wird die Beziehung zwischen der oberen reflektierenden Schicht TRL und dem lichtemittierenden Element EL zum Ausgeben von Licht von dem zweiten Pixel UP2 nach unten beschrieben werden.
  • Die zweite untere Schicht BSUB2 kann sich umfassend auf alle Schichten unterhalb des lichtemittierenden Elements EL beziehen. Das lichtemittierende Element EL ist auf der zweiten unteren Schicht BSUB2 angeordnet, und die zweite Zwischenschicht ML2 ist auf der zweiten unteren Schicht BSUB2 und dem lichtemittierenden Element EL angeordnet. Die obere reflektierende Schicht TRL ist auf der zweiten Zwischenschicht ML2 angeordnet, und die zweite obere Schicht USUB2 ist auf der oberen reflektierenden Schicht TRL und der zweiten Zwischenschicht ML2 angeordnet. Die zweite obere Schicht USUB2 kann sich umfassend auf alle Schichten auf der oberen reflektierende Schicht TRL beziehen. In dem zweiten Pixel UP2 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung kann die zweite Zwischenschicht ML2 die vierte Isolierschicht 115 und die fünfte Isolierschicht 116 aufweisen, ist jedoch nicht hierauf beschränkt.
  • In dem zweiten Pixel UP2 ist ein Trennungsabstand zwischen dem lichtemittierenden Element EL und der oberen reflektierenden Schicht TRL mit d2 bezeichnet, und eine Dicke des lichtemittierenden Elements EL ist mit t bezeichnet. Außerdem ist ein Abstand von einer Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL zu einer Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht TRL mit L2 bezeichnet.
  • Licht, das von dem lichtemittierenden Element EL emittiert wird, wird in alle Richtungen ausgegeben. Das Licht weist Licht BE1, das durch die zweite untere Schicht BSUB2 direkt nach unten ausgegeben wird, Licht BE2, das von der oberen reflektierenden Schicht TRL reflektiert und dann durch die zweite untere Schicht BSUB2 nach unten ausgegeben wird, und Licht BE3, das durch die Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht TRL hindurchgeht und die zweite obere Schicht USUB2 durchdringt, auf.
  • Da das zweite Pixel UP2 das Bottom-Emissionspixel ist, muss das Licht BE3, das durch die Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht TRL hindurchgeht und die zweite obere Schicht USUB2 durchdringt, reflektiert und nach unten ausgegeben werden, ohne durch die zweite obere Schicht USUB2 zu gehen. Wenn Licht, das von dem lichtemittierenden Element EL emittiert wird, die Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht TRL durchdringt und in die zweite obere Schicht USUB2 einfällt, beträgt ein Reflexionswinkel θ2. Das Licht BE3 wird unter der Bedingung der oberen Totalreflexion, die durch die folgende Gleichung 3 dargestellt ist, totalreflektiert, ohne die zweite obere Schicht USUB2 zu durchdringen. L 2 = ( d 2 + t ) × tan θ 2
    Figure DE102023111044A1_0003
  • Wenn ein Brechungsindex der zweiten oberen Schicht USUB2, insbesondere der obersten Schicht der zweiten oberen Schicht USUB2, n2 ist, tritt Totalreflexion unter der durch die folgende Gleichung 4 wiedergegebenen Bedingung auf. n 2 × sin θ 2 = 1
    Figure DE102023111044A1_0004
  • Die oberste Schicht, die in der zweiten oberen Schicht USUB2 enthalten ist, kann ein Glas oder eine Antistreuschicht sein. Zum Beispiel beträgt, wenn die zweite obere Schicht USUB2 eine Antistreuschicht ist, n2 1,48. Gemäß Gleichung 3 und Gleichung 4 beträgt ein Abstand L2 zwischen der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL und der Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht TRL ungefähr 0,916 x (d2+t). Der Abstand von der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL zu der Seitenfläche der obersten reflektierenden Schicht TRL entspricht ungefähr der Summe aus einem Abstand von der obersten reflektierenden Schicht TRL zu dem lichtemittierenden Element EL und der Höhe des lichtemittierenden Elements EL. Gleichung 3 und Gleichung 4 sind die Formeln für den kritischen Winkel für obere Totalreflexion von BE3 in dem zweiten Pixel UP2. Daher entspricht L2 dem Mindestabstand zwischen der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL und der Seitenfläche der oberen reflektierende Schicht TRL.
  • Das bedeutet, dass in dem zweiten Pixel UP2 gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Länge von der Seitenfläche des lichtemittierenden Elements EL zu der Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht TRL gleich oder größer als die Summe eines vertikalen Abstands von der oberen reflektierenden Schicht TRL zu dem lichtemittierenden Element EL und einer Höhe des lichtemittierenden Elements EL sein kann. Daher kann das zweite Pixel UP2 das von dem lichtemittierenden Element EL emittierte Licht vollständig nach unten ausgeben.
  • In der Anzeigevorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung weisen das Top-Emissionspixel und das Bottom-Emissionspixel die untere reflektierende Schicht BRL bzw. die obere reflektierende Schicht TRL auf, derart, dass sie das lichtemittierende Element EL überlappen. Außerdem haben sowohl die untere reflektierende Schicht BRL als auch die obere reflektierende Schicht TRL eine größere Fläche oder Größe als das lichtemittierende Element EL. Somit kann Licht, das von dem Top-Emissionspixel emittiert wird, vollständig nach oben ausgegeben werden, und Licht, das von dem Bottom-Emissionspixel emittiert wird, kann vollständig nach unten ausgegeben werden.
  • 12 ist eine Querschnittsansicht einer doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung. 12 ist eine Querschnittsansicht, die zusätzlich zu der Darstellung der 8 eine obere Haftschicht TAL, eine obere Antistreuschicht TASF, eine untere Haftschicht BAL und eine untere Antistreuschicht BASF zeigt. Somit wird die Beschreibung der sich wiederholenden Komponenten weggelassen werden.
  • 12 zeigt eine beispielhafte Ausführungsform des ersten Pixels UP1, kann aber auch auf das zweite Pixel UP2 angewendet werden.
  • Eine Antistreuschicht kann an jedem von dem unteren Abschnitt und dem oberen Abschnitt des Substrats 110 und der Schutzschicht 117 angebracht sein. Die Antistreuschicht kann an einem unteren Abschnitt oder einem oberen Abschnitt des Substrats 110 angebracht sein. Die untere Antistreuschicht BASF kann unter Verwendung der unteren Haftschicht BAL an dem unteren Abschnitt des Substrats 110 befestigt sein. Außerdem kann die obere Antistreuschicht TASF unter Verwendung der oberen Haftschicht TAL an dem oberen Abschnitt der Schutzschicht 117 angebracht sein. Die obere Antistreuschicht TASF kann die externe Lichtreflexion verringern, indem sie den gesamten Bereich mit Ausnahme des Pad-Bereichs PAD überdeckt. Ferner kann die untere Antistreuschicht BASF die externe Lichtreflexion und das Risiko einer Beschädigung des Substrats 110 verringern, indem sie den gesamten Bereich des Substrats 110 überdeckt.
  • Die Antistreuschicht ist gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung an beiden Seiten der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung 100 gleichermaßen angebracht. Somit kann ein Bild sowohl auf der Vorderseite als auch auf der Rückseite der Anzeigevorrichtung gleichermaßen angezeigt werden.
  • Die beispielhaften Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung können auch wie folgt beschrieben werden:
  • Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung weist ein erstes Pixel, das Licht in Richtung einer Oberseite, die eine Vorderseite ist, eines Substrats emittiert, ein zweites Pixel, das Licht in Richtung einer Unterseite, die eine Rückseite ist, des Substrats emittiert, eine Mehrzahl von Leitungen, die in dem ersten Pixel und dem zweiten Pixel angeordnet sind, und eine Pad-Elektrode, die mit der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, auf, wobei das erste Pixel ein erstes lichtemittierendes Element, einen ersten Pixelschaltkreis, der mit dem ersten lichtemittierenden Element und einigen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, und eine untere reflektierende Schicht, die derart unter dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das erste lichtemittierende Element überlappt, und eine größere Größe aufweist als das erste lichtemittierende Element, aufweist, und das zweite Pixel ein zweites lichtemittierendes Element, einen zweiten Pixelschaltkreis, der mit dem zweiten lichtemittierenden Element und den anderen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, und eine obere reflektierende Schicht, die derart auf dem zweiten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das zweite lichtemittierende Element überlappt, und eine größere Größe aufweist als das zweite lichtemittierende Element, aufweist.
  • Die obere reflektierende Schicht kann elektrisch mit dem zweiten Pixelschaltkreis verbunden sein, und die untere reflektierende Schicht ist elektrisch mit dem ersten Pixelschaltkreis verbunden.
  • Das erste lichtemittierende Element kann ein erstes Haupt-Lichtemittierendes-Element und ein erstes Hilfs-Lichtemittierendes-Element aufweisen, und das zweite lichtemittierende Element weist ein zweites Haupt-Lichtemittierendes-Element und ein zweites Hilfs-Lichtemittierendes-Element auf.
  • Der erste Pixelschaltkreis kann derart angeordnet sein, dass er eins-zu-eins der Anzahl des ersten lichtemittierenden Elements entspricht, und der zweite Pixelschaltkreis ist derart angeordnet, dass er eins-zu-eins der Anzahl des zweiten lichtemittierenden Elements entspricht.
  • Die obere reflektierende Schicht und die untere reflektierende Schicht können aus einem Metallmaterial, das ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, gebildet sein.
  • Das erste Pixel und das zweite Pixel können jeweils lichtdurchlässige Bereiche, emittierende Bereiche, in denen das erste lichtemittierende Element und das zweite lichtemittierende Element angeordnet sind, und nicht-lichtdurchlässige Bereiche, in denen der erste Pixelschaltkreis und der zweite Pixelschaltkreis angeordnet sind, aufweisen.
  • Eine Schwarzmatrix kann in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich angeordnet sein.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner eine Mehrzahl von Planarisierungsschichten aufweisen, die das erste lichtemittierende Element und das zweite lichtemittierende Element umgeben, wobei die obere reflektierende Schicht die Mehrzahl von Planarisierungsschichten durchdringt und mit dem Pixelschaltkreis verbunden ist.
  • Die Pad-Elektrode kann von der Mehrzahl der Planarisierungsschichten freigelegt sein.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner eine Haftschicht aufweisen, die zwischen dem ersten Pixelschaltkreis und dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist, wobei die untere reflektierende Schicht unter der Haftschicht angeordnet ist.
  • Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Offenbarung wird eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung bereitgestellt. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung weist ein Substrat, das einen emittierenden Bereich, der einen oberen emittierenden Bereich und einen unteren emittierenden Bereich aufweist, einen lichtdurchlässigen Bereich und einen nicht-lichtdurchlässigen Bereich, ein erstes lichtemittierendes Element und ein zweites lichtemittierendes Element, die in dem emittierenden Bereich auf dem Substrat angeordnet sind, eine Mehrzahl von Pixelschaltkreisen, die dazu eingerichtet sind, dem ersten lichtemittierenden Element und dem zweiten lichtemittierenden Element Ansteuerströme zuzuführen, in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich, eine untere reflektierende Schicht, die das erste lichtemittierende Element überlappt, zwischen dem ersten lichtemittierenden Element, das in dem Top-Emissionsbereich angeordnet ist, und dem Substrat, und eine obere reflektierende Schicht, die das zweite lichtemittierende Element überlappt, auf dem zweiten lichtemittierenden Element, das in dem Bottom-Emissionsbereich angeordnet ist, auf.
  • Die obere reflektierende Schicht kann eine größere Fläche aufweisen als das erste lichtemittierende Element, und die untere reflektierende Schicht weist eine größere Fläche auf als das zweite lichtemittierende Element.
  • Eine Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht kann von einer Seitenfläche des ersten lichtemittierenden Elements in einem Abstand beabstandet sein, der gleich oder größer ist als die Summe eines vertikalen Abstands von der oberen reflektierenden Schicht zu dem ersten lichtemittierenden Element und einer Höhe des ersten lichtemittierenden Elements, und eine Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht ist von einer Seitenfläche des zweiten lichtemittierenden Elements in einem Abstand beabstandet, der gleich oder größer ist als die Summe eines vertikalen Abstands von der unteren reflektierenden Schicht zu dem zweiten lichtemittierenden Element und einer Höhe des zweiten lichtemittierenden Elements.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner einen Antistreufilm aufweisen, der an einem unteren Abschnitt oder einem oberen Abschnitt des Substrats angebracht ist.
  • Jede von der Mehrzahl von Pixelschaltkreisen kann einen Dünnschichttransistor aufweisen, wobei der Dünnschichttransistor eine Gate-Elektrode, eine aktive Schicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist, und die untere reflektierende Schicht zwischen dem Dünnschichttransistor und dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner eine Verbindungselektrode aufweisen, die das erste lichtemittierende Element mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode verbindet, wobei sich die untere reflektierende Schicht von der Verbindungselektrode aus erstreckt.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner eine Kathodenelektrode aufweisen, die das erste lichtemittierende Element mit der Verbindungselektrode verbindet.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode auf dem Substrat aufweisen, wobei das erste lichtemittierende Element eine erste Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht aufweist, die erste Elektrode direkt auf der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, die zweite Elektrode direkt auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist und die Kathodenelektrode die untere reflektierende Schicht mit der zweiten Elektrode verbindet.
  • Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung kann ferner eine erste Stromversorgungsleitung, die auf der gleichen Schicht aus dem gleichen Material gebildet ist wie eine von der Gate-Elektrode, der Source-Elektrode und der Drain-Elektrode, sowie eine Anodenelektrode, die die erste Stromversorgungsleitung mit der ersten Elektrode verbindet, aufweisen.
  • Die Mehrzahl von Pixelschaltkreisen kann mit einer Mehrzahl von zweiten Stromzuführungsleitungen verbunden sein, an die eines von einer Hohe-Potential-Spannung, einer Niedrige-Potential-Spannung und einer Referenzspannung angelegt wird, und die obere reflektierende Schicht ist elektrisch mit einer von der Mehrzahl von zweiten Stromzuführungsleitungen verbunden.
  • Es ist für den Fachmann offensichtlich, dass verschiedene Modifikationen und Variationen in der doppelseitig emittierenden lichtdurchlässigen Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden können, ohne von der technischen Idee oder dem Anwendungsbereich der Offenbarung abzuweichen. Somit ist es beabsichtigt, dass die vorliegende Offenbarung die Modifikationen und Variationen dieser Offenbarung abdeckt, sofern sie in den Anwendungsbereich der beigefügten Ansprüche fallen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020220053647 [0001]

Claims (20)

  1. Eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein erstes Pixel, das Licht in Richtung einer Oberseite, die eine Vorderseite ist, eines Substrats emittiert; ein zweites Pixel, das Licht in Richtung einer Unterseite, die eine Rückseite ist, des Substrats emittiert; eine Mehrzahl von Leitungen, die in dem ersten Pixel und dem zweiten Pixel angeordnet sind; und eine Pad-Elektrode, die mit der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist, wobei das erste Pixel aufweist: ein erstes lichtemittierendes Element; einen ersten Pixelschaltkreis, der mit dem ersten lichtemittierenden Element und einigen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist; und eine untere reflektierende Schicht, die derart unter dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das erste lichtemittierende Element überlappt, und die eine größere Größe aufweist als das erste lichtemittierende Element, und das zweite Pixel aufweist: ein zweites lichtemittierendes Element; einen zweiten Pixelschaltkreis, der mit dem zweiten lichtemittierenden Element und den anderen der Mehrzahl von Leitungen verbunden ist; und eine obere reflektierende Schicht, die derart auf dem zweiten lichtemittierenden Element angeordnet ist, dass sie das zweite lichtemittierende Element überlappt, und eine größere Größe aufweist als das zweite lichtemittierende Element.
  2. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1, wobei die obere reflektierende Schicht elektrisch mit dem zweiten Pixelschaltkreis verbunden ist und die untere reflektierende Schicht elektrisch mit dem ersten Pixelschaltkreis verbunden ist.
  3. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das erste lichtemittierende Element ein erstes Haupt-Lichtemittierendes-Element und ein erstes Hilfs-Lichtemittierendes-Element aufweist, und das zweite lichtemittierende Element ein zweites Haupt-Lichtemittierendes-Element und ein zweites Hilfs-Lichtemittierendes-Element aufweist.
  4. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der erste Pixelschaltkreis derart angeordnet ist, dass er eins-zu-eins der Anzahl des ersten lichtemittierenden Elements entspricht, und der zweite Pixelschaltkreis derart angeordnet ist, dass er eins-zu-eins der Anzahl des zweiten lichtemittierenden Elements entspricht.
  5. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die obere reflektierende Schicht und die untere reflektierende Schicht aus einem Metallmaterial gebildet sind, die ein hohes Reflexionsvermögen aufweist.
  6. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei das erste Pixel und das zweite Pixel jeweils durchlässige Bereiche, emittierende Bereiche, in denen das erste lichtemittierende Element und das zweite lichtemittierende Element angeordnet sind, und nicht-lichtdurchlässige Bereiche, in denen der erste Pixelschaltkreis und der zweite Pixelschaltkreis angeordnet sind, aufweisen.
  7. Die doppelseitige emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 6, wobei eine Schwarzmatrix in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich angeordnet ist.
  8. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 7, ferner aufweisend: eine Mehrzahl von Planarisierungsschichten, die das erste lichtemittierende Element und das zweite lichtemittierende Element umgeben, wobei die obere reflektierende Schicht die mehreren Planarisierungsschichten durchdringt und mit dem Pixelschaltkreis verbunden ist.
  9. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei die Pad-Elektrode von der Mehrzahl von Planarisierungsschichten freigelegt ist.
  10. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner aufweisend: eine Haftschicht, die zwischen dem ersten Pixelschaltkreis und dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist, wobei die untere reflektierende Schicht unter der Haftschicht angeordnet ist.
  11. Eine doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung, aufweisend: ein Substrat, das einen emittierenden Bereich, der einen Top-Emissionsbereich und einen Bottom-Emissionsbereich aufweist, einen lichtdurchlässigen Bereich und einen nicht-lichtdurchlässigen Bereich aufweist; ein erstes lichtemittierendes Element und ein zweites lichtemittierendes Element, die in dem emittierenden Bereich auf dem Substrat angeordnet sind; eine Mehrzahl von Pixelschaltkreisen, die dazu eingerichtet sind, dem ersten lichtemittierenden Element und dem zweiten lichtemittierenden Element Ansteuerungsströme zuzuführen, in dem nicht-lichtdurchlässigen Bereich; eine untere reflektierende Schicht, die das erste lichtemittierende Element überlappt, zwischen dem ersten lichtemittierenden Element, das in dem Top-Emissionsbereich angeordnet ist, und dem Substrat; und eine obere reflektierende Schicht, die das zweite lichtemittierende Element überlappt, auf dem zweiten lichtemittierenden Element, das in dem unteren emittierenden Bereich angeordnet ist.
  12. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 11, wobei die obere reflektierende Schicht eine größere Fläche aufweist als das erste lichtemittierende Element und die untere reflektierende Schicht eine größere Fläche aufweist als das zweite lichtemittierende Element.
  13. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 12, wobei eine Seitenfläche der oberen reflektierenden Schicht von einer Seitenfläche des ersten lichtemittierenden Elements in einem Abstand beabstandet ist, der gleich oder größer ist als die Summe eines vertikalen Abstands von der oberen reflektierenden Schicht zu dem ersten lichtemittierenden Element und einer Höhe des ersten lichtemittierenden Elements, und eine Seitenfläche der unteren reflektierenden Schicht von einer Seitenfläche des zweiten lichtemittierenden Elements in einem Abstand beabstandet ist, der gleich oder größer ist als die Summe eines vertikalen Abstands von der unteren reflektierenden Schicht zu dem zweiten lichtemittierenden Element und einer Höhe des zweiten lichtemittierenden Elements.
  14. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, ferner aufweisend: einen Antistreufilm, der an einem unteren Abschnitt oder oberen Abschnitt des Substrats angebracht ist.
  15. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 14, wobei jeder von der Mehrzahl von Pixelschaltkreisen einen Dünnschichttransistor aufweist, der Dünnschichttransistor eine Gate-Elektrode, eine aktive Schicht, eine Source-Elektrode und eine Drain-Elektrode aufweist, und die untere reflektierende Schicht zwischen dem Dünnschichttransistor und dem ersten lichtemittierenden Element angeordnet ist.
  16. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 15, ferner aufweisend: eine Verbindungselektrode, die das erste lichtemittierende Element mit der Source-Elektrode oder der Drain-Elektrode verbindet, wobei sich die untere reflektierende Schicht von der Verbindungselektrode erstreckt.
  17. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 16, ferner aufweisend: eine Kathodenelektrode, die das erste lichtemittierende Element mit der Verbindungselektrode verbindet.
  18. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 17, ferner aufweisend: eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode auf dem Substrat, wobei das erste lichtemittierende Element eine erste Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und eine zweite Halbleiterschicht aufweist, die erste Elektrode direkt auf der zweiten Halbleiterschicht angeordnet ist, die zweite Elektrode direkt auf der ersten Halbleiterschicht angeordnet ist, und die Kathodenelektrode die untere reflektierende Schicht mit der zweiten Elektrode verbindet.
  19. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß Anspruch 18, ferner aufweisend eine erste Stromversorgungsleitung, die auf der gleichen Schicht aus dem gleichen Material gebildet ist wie die Gate-Elektrode, die Source-Elektrode oder die Drain-Elektrode; und eine Anodenelektrode, die die erste Stromzuführungsleitung mit der ersten Elektrode verbindet.
  20. Die doppelseitig emittierende lichtdurchlässige Anzeigevorrichtung gemäß einem der Ansprüche 11 bis 18, wobei die Mehrzahl von Pixelschaltkreisen mit einer Mehrzahl von zweiten Stromzuführungsleitungen verbunden sind, an die eines von einer Hohes-Potential-Spannung, einer Niedriges-Potential-Spannung und einer Referenzspannung angelegt wird, und die obere reflektierende Schicht elektrisch mit einer der Mehrzahl von zweiten Stromzuführungsleitungen verbunden ist.
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