DE102016120902B4 - Multibeam Teilchenmikroskop - Google Patents

Multibeam Teilchenmikroskop

Info

Publication number
DE102016120902B4
DE102016120902B4 DE102016120902.3A DE102016120902A DE102016120902B4 DE 102016120902 B4 DE102016120902 B4 DE 102016120902B4 DE 102016120902 A DE102016120902 A DE 102016120902A DE 102016120902 B4 DE102016120902 B4 DE 102016120902B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
multiaperturplatte
beam
particle
object
multi
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
DE102016120902.3A
Other languages
German (de)
Other versions
DE102016120902A1 (en
Inventor
Thomas Kemen
Erik Essers
Jörg Jacobi
Dirk Zeidler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Original Assignee
Carl Zeiss Microscopy GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Microscopy GmbH filed Critical Carl Zeiss Microscopy GmbH
Priority to DE102016120902.3A priority Critical patent/DE102016120902B4/en
Publication of DE102016120902A1 publication Critical patent/DE102016120902A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102016120902B4 publication Critical patent/DE102016120902B4/en
Application status is Active legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02Details
    • H01J2237/0203Protection arrangements
    • H01J2237/0206Extinguishing, preventing or controlling unwanted discharges
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/02Details
    • H01J2237/024Moving components not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/04Means for controlling the discharge
    • H01J2237/045Diaphragms
    • H01J2237/0451Diaphragms with fixed aperture
    • H01J2237/0453Diaphragms with fixed aperture multiple apertures
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/10Lenses
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/1502Mechanical adjustments
    • H01J2237/1503Mechanical scanning
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20221Translation
    • H01J2237/20235Z movement or adjustment
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/202Movement
    • H01J2237/20292Means for position and/or orientation registration
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/244Detection characterized by the detecting means
    • H01J2237/2448Secondary particle detectors
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/248Components associated with the control of the tube
    • H01J2237/2482Optical means

Abstract

Vielstrahl-Teilchenmikroskop, umfassend: Multibeam Teilchenmikroskop comprising:
eine Vielstrahl-Teilchenquelle (300), welche dazu konfiguriert ist, eine Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) zu erzeugen; a multi-beam particle source (300) which is configured to generate a plurality of primary particle (3);
eine Objektivlinse (102), welche von Strahlengängen der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) durchsetzt ist und dazu konfiguriert ist, die Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) jeweils auf eine Objektebene (101) zu richten und dort zu fokussieren; an objective lens (102) which is traversed by beam paths of the plurality of primary-particle beams (3) and is configured to direct the plurality of primary-particle beams (3) each on an object plane (101) and to focus there;
eine Detektoranordnung (200), welche dazu konfiguriert ist, Intensitäten einer Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen (9) zu detektieren, wobei ein jeder der Sekundär-Teilchenstrahlen (9) durch Teilchen erzeugbar ist, die durch einen der Primär-Teilchenstrahlen (3) an einem in der Objektebene (101) anordenbaren Objekt (7) hervorgerufen werden, wobei Strahlengänge der Sekundär-Teilchenstrahlen (9) die Objektivlinse (102) durchsetzen; a detector array (200) that is configured to detect intensities of a plurality of secondary particle (9), wherein each of the secondary particle (9) can be produced by particles passing through one of the primary particle beam (3) one can be arranged in the object plane (101) object caused (7), wherein beam paths of the secondary particle (9) pass through the objective lens (102);
eine zwischen der Objektivlinse (102) und der Objektebene (101) angeordnete Multiaperturplatte (11), welche eine Mehrzahl von Öffnungen (37) aufweist, eine Elektrode (21), welche zwischen der Vielstrahl-Teilchenquelle (300) und der Multiaperturplatte (11) angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, und ein Spannungsversorgungssystem (27); arranged a between the objective lens (102) and the object plane (101) Multiaperturplatte (11), which has a plurality of openings (37), an electrode (21) disposed between the multi-beam particle source (300) and the Multiaperturplatte (11) is disposed and having an opening, and a power supply system (27);
wobei verschiedene Öffnungen (37) der Multiaperturplatte (11) von Strahlengängen verschiedener Primär-Teilchenstrahlen (3) durchsetzt sind, wherein different openings (37) of the Multiaperturplatte (11) of optical paths of different primary particle beams (3) are penetrated,
wobei verschiedene Öffnungen (37) der Multiaperturplatte (11) von Strahlengängen verschiedener Sekundär-Teilchenstrahlen (9) durchsetzt sind, wherein different openings (37) of the Multiaperturplatte (11) of optical paths of different secondary particle (9) are penetrated,
wobei die Öffnung der Elektrode (21) von den Strahlengängen der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) und von den Strahlengängen der Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen (9) durchsetzt ist, wherein the opening of the electrode (21) of the beam paths of the plurality of primary-particle beams (3) and of the optical paths of the plurality of secondary particle (9) passing through it,
wobei das Spannungsversorgungssystem (27) dazu konfiguriert ist, einen Teilchenemitter der Vielstrahl-Teilchenquelle (300) auf ein erstes elektrisches Potential (U1) zu setzen, die Elektrode (21) auf ein zweites elektrisches Potential (U2) zu setzen, die Multiaperturplatte (11) auf ein drittes elektrisches Potential (U3) zu setzen, und ein an der Objektebene (101) anordenbares Objekt (7) auf ein viertes elektrisches Potential (U4) zu setzen, und wherein said power supply system (27) is configured to a particle emitter of the multi-beam particle source (300) to a first electrical potential (U1) to be set to set the electrode (21) to a second electric potential (U2), the Multiaperturplatte (11 put () to a third electrical potential U3), and which can be arranged on the object plane (101) the object (7) on a fourth electrical potential (U4) to set, and
wobei gilt: where: 50 50 V< V < | | U1 U1 - U4 U4 | | < < 3 3 kV kV , .
Figure DE102016120902B4_0001

wobei in which

U1 das erste elektrische Potential ist und U1 is the first electric potential and
U4 das vierte elektrische Potential ist. U4 is the fourth electric potential.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Vielstrahl-Teilchenmikroskop. The invention relates to a multi-beam Teilchenmikroskop.
  • Aus Out WO 2012/041464 A1 WO 2012/041464 A1 ist ein Vielstrahl-Teilchenmikroskop bekannt, bei welchem eine Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen eines Bündels aus Primär-Teilchenstrahlen auf ein Objekt fokussiert werden. discloses a multi-beam Teilchenmikroskop, wherein a plurality of primary particle of a bundle of primary-particle beams are focused on an object. Die Primär-Teilchenstrahlen erzeugen an den Orten ihres Auftreffens auf dem Objekt Sekundärelektronen, welche durch ein an das Objekt angelegtes elektrisches Feld von dem Objekt weg beschleunigt und zu Sekundär-Teilchenstrahlen geformt werden, welche auf eine Detektoranordnung mit einer Vielzahl von Detektoren gerichtet werden. The primary particle form at the locations of their impingement on the object secondary electrons accelerated by an applied to the object electric field away from the object and formed into secondary particle beams which are directed onto a detector array having a plurality of detectors. Hierbei erzeugt jeder einzelne Primär-Teilchenstrahl am Ort seines Auftreffens auf dem Objekt einen dem Primär-Teilchenstrahl zugeordneten Sekundär-Teilchenstrahl, und der Sekundär-Teilchenstrahl trifft auf wenigstens einen ihm zugeordneten Detektor der Detektoranordnung, so dass durch Detektieren der auf diesen wenigstens einen Detektor treffenden Teilchenintensität Information zu dem Ort des Objekts gewonnen werden kann, auf welchen der Primär-Teilchenstrahl gerichtet ist. Here, each individual primary particle beam at the point of its impingement on the object generates a associated with the primary particle beam secondary particle beam and the secondary particle beam impinges on at least one assigned to it, the detector of the detector array, so that taken by detecting the on this at least one detector can be obtained particle intensity information about the location of the object, which is directed towards the primary particle beam. Das Bündel aus Primär-Teilchenstrahlen kann durch das Vielstrahl-Teilchenmikroskop abgelenkt werden und das Objekt kann relativ zu dem Vielstrahl-Teilchenmikroskop verlagert werden, um dessen Oberfläche systematisch mit den Primär-Teilchenstrahlen abzutasten und aus den dabei detektierten Intensitäten an Sekundär-Teilchenstrahlen ein elektronenmikroskopisches Bild des Objekts zu gewinnen. The bundle of primary-particle beams can be deflected by the multi-beam Teilchenmikroskop and the object can be displaced relative to the multi-beam Teilchenmikroskop to scan the surface systematically with the primary-particle beams and of the thereby detected intensities of the secondary particle is an electron microscopic picture to win the object.
  • Eine Weiterbildung des aus der A development of the from the WO 2012/041464 A1 WO 2012/041464 A1 bekannten Vielstrahl-Teilchenmikroskops ist in der known multi-beam Teilchenmikroskops's DE 10 2014 008 383 A1 DE 10 2014 008 383 A1 beschrieben. described.
  • Im Vergleich zu einem Teilchenstrahlmikroskop, welches mit lediglich einem Primär-Teilchenstrahl arbeitet, ergibt sich durch die gleichzeitige Verwendung der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen eine Erhöhung des Durchsatzes. Compared to a particle beam microscope, which operates with only one primary particle, the plurality of primary-particle obtained by the simultaneous use of an increase of the throughput. Dabei werden Vielstrahl-Teilchenmikroskope beispielsweise auch zur Gewinnung hochaufgelöster dreidimensionaler Daten von biologischen Objekten mit einer als „serial block-face scanning electron microscopy“ bezeichneten Technik eingesetzt. In this multi-beam Teilchenmikroskope example, be used also for the production of high resolution three-dimensional data of biological objects with a method known as "serial block-face scanning electron microscopy" technique. Allerdings hat sich gezeigt, dass bei einer gegebenen Auslegung einer Teilchenstrahloptik des Vielstrahl-Teilchenmikroskops für ein Bündel von vielen Primär-Teilchenstrahlen, welches einen vorgegebenen Durchmesser aufweist, die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen in dem Bündel nicht beliebig erhöht werden kann. However, it has been found that for a given design of a Teilchenstrahloptik of the multi-beam Teilchenmikroskops for a bundle of many primary particle having a predetermined diameter, the number of primary-particle beams can not be increased in the bundle.
  • Aus Out US 2010/0320382 A1 US 2010/0320382 A1 ist ferner ein Vielstrahl-Teilchenmikroskop bekannt, welches mehre Multiaperturplatten aufweist, die zwischen einer Vielstrahl-Teilchenquelle und einer Objektebene angeordnet sind und jeweils eine Mehrzahl von Öffnungen aufweisen, die von Primär-Teilchenstrahlen und von Sekundär-Teilchenstrahlen durchsetzt sind. Furthermore, a multi-beam Teilchenmikroskop known having several Multiaperturplatten disposed between a multi-beam particle source and an object plane and each having a plurality of apertures which are traversed by the primary particle and the secondary particle. Die mehren Multiaperturplatten wirken auf die Primär-Teilchenstrahlen als Objektivlinsen, indem an die Multiaperturplatten elektrische Potentiale derart angelegt werden, dass die Primär-Teilchenstrahlen beim Durchtritt durch die Öffnungen der Multiaperturplatten an der Objektebene fokussiert werden. The increase Multiaperturplatten act on the primary particle as objective lenses by applying electrical potentials are applied such to the Multiaperturplatten that the primary-particle beams are focused at the object plane when passing through the openings of the Multiaperturplatten.
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskop vorzuschlagen, welches es ermöglicht, eine vergleichsweise große Anzahl von Primär-Teilchenstrahlen bzw. ein Bündel von Primär-Teilchenstrahlen einzusetzen, in welchem die Primär-Teilchenstrahlen einen geringen Abstand voneinander aufweisen. It is an object of the present invention to provide a multi-beam particle beam microscope, which makes it possible to use a relatively large number of primary particle or a bundle of primary particle in which the primary-particle beams have a small distance from each other.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Bereitstellung eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops gelöst, welches die in dem beiliegenden Anspruch 1 angegebenen Merkmale aufweist. This object is achieved by the provision of a multi-beam Teilchenstrahlmikroskops having the features set forth in the appended claim. 1 Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den beiliegenden abhängigen Ansprüchen angegeben. Advantageous embodiments of the invention are indicated in the appended dependent claims.
  • Ein erfindungsgemäßes Vielstrahl-Teilchenmikroskop eine Vielstrahl-Teilchenquelle, welche dazu konfiguriert ist, eine Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen zu erzeugen, eine Objektivlinse, welche von Strahlengängen der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen durchsetzt ist und dazu konfiguriert ist, die Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen jeweils auf eine Objektebene zu richten und dort zu fokussieren, eine Detektoranordnung, welche dazu konfiguriert ist, Intensitäten einer Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen zu detektieren, wobei ein jeder der Sekundär-Teilchenstrahlen durch Teilchen erzeugbar ist, die durch einen der Primär-Teilchenstrahlen an einem in der Objektebene anordenbaren Objekt hervorgerufen werden, wobei ein Strahlengang der Sekundär-Teilchenstrahlen die Objektivlinse durchsetzt. to produce an inventive multi-beam Teilchenmikroskop a multi-beam particle source, which is configured to a plurality of primary-particle beams, an objective lens, which is traversed by beam paths of the plurality of primary-particle beams and is configured to the plurality of primary-particle beams respectively to be directed to an object plane and to focus there, a detector arrangement which is configured to detect intensities of a plurality of secondary-particle beams, wherein each of the secondary-particle beams can be generated by particles one by one of the primary particle in the object plane that can be placed object is caused, wherein a beam path of the secondary particle beam passes through the objective lens.
  • Im Betrieb des Vielstrahl-Teilchenmikroskops erzeugt ein jeder der Primär-Teilchenstrahlen einen von dem Ort des Auftreffens des Primär-Teilchenstrahls an dem Objekt ausgehenden Sekundär-Teilchenstrahl, dessen Intensität durch die Detektoranordnung detektierbar ist. In operation of the multi-beam Teilchenmikroskops each of the primary particle beam generates an outgoing from the location of impingement of the primary particle beam to the object secondary particle beam, the intensity of which is detectable by the detector array. Die Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen trifft an mit Abstand voneinander angeordneten Orten auf das Objekt auf, und die detektierten Intensitäten der den Primär-Teilchenstrahlen zugeordneten Sekundär-Teilchenstrahlen können Informationen über die Struktur des Objekts an den Auftrefforten der Primär-Teilchenstrahlen liefern. The plurality of primary-particle beams meets with spaced apart locations on the object, and the detected intensities of the primary-particle associated secondary-particle beams can provide information about the structure of the object to the impingement of the primary particle. Hierbei ist es möglich, die Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen durch Strahlablenker des Vielstrahl-Teilchenmikroskops abzulenken, um die Primärteilchenstrahlen auf verschiedene Orte des Objekts zu richten und das Objekt mit den Primär-Teilchenstrahlen abzutasten, um ein elektronenmikroskopisches Bild des Objekts zu erhalten. It is possible to deflect the plurality of primary-particle beams by beam deflector of the multibeam Teilchenmikroskops to judge the Primärteilchenstrahlen to different locations of the object and scan the object with the primary particle to obtain an electron microscopic image of the object. Alternativ oder ergänzend zu der Ablenkung der Primär-Teilchenstrahlen durch Strahlablenker ist es möglich, das Objekt relativ zu dem Vielstrahl-Teilchenmikroskop zu verlagern, um die Primär-Teilchenstrahlen ebenfalls auf verschiedene Orte des Objekts zu richten. Alternatively, or in addition to the deflection of the primary particle by beam deflector, it is possible to move the object relative to the multi-beam Teilchenmikroskop to also direct the primary particle beam to different locations of the object.
  • Die Strahlengänge der Primär-Teilchenstrahlen und der Sekundär-Teilchenstrahlen bezeichnen hierbei die Bereiche im Raum, innerhalb derer während des Betriebs des Vielstrahl-Teilchenmikroskops die Teilchen, welche die Primär-Teilchenstrahlen bzw. die Sekundär-Teilchenstrahlen bilden, angetroffen werden können. The beam paths of the primary particle and the secondary particle in this case denote the areas in the room within which the particles constituting the primary particle or the secondary particle may be encountered during operation of the multi-beam Teilchenmikroskops. Ein jeder dieser Strahlengänge ist somit von einer Fläche in der Gestalt eines Schlauches begrenzt, wobei innerhalb dieses Schlauches die Trajektorien der Teilchen des jeweiligen Teilchenstrahls verlaufen. Each of these beam paths is thus bounded by a surface in the shape of a tube, in which extend the trajectories of the particles of the respective particle beam within said tube. Die Anordnung der Strahlengänge im Raum innerhalb des Vielstrahl-Teilchenmikroskops kann durch technische Überlegungen und Simulationen auf der Grundlage von technischen Spezifikationen des Vielstrahl-Teilchenmikroskops bestimmt werden, ohne dass das Vielstrahl-Teilchenmikroskop in Betrieb sein muss. The arrangement of the beam paths in the space within the multi-beam Teilchenmikroskops can be determined by technical considerations and simulations on the basis of technical specifications of the multi-beam Teilchenmikroskops without the multi-beam Teilchenmikroskop must be in operation. Hierbei ist es auch möglich, die Grundlage für die technischen Überlegungen und Simulationen durch experimentelle Erkenntnisse zu ergänzen, welche anhand eines im Betrieb befindlichen Vielstrahl-Teilchenmikroskops gewonnen werden. Here it is also possible to supplement the basis for the technical considerations and simulations by experimental findings, which are produced through a in-use multi-beam Teilchenmikroskops.
  • Das erfindungsgemäße Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfasst ferner eine zwischen der Objektivlinse und der Objektebene angeordnete Multiaperturplatte, welche eine Mehrzahl von Öffnungen aufweist, wobei verschiedene Öffnungen der Multiaperturplatte von Strahlengängen verschiedener Primär-Teilchenstrahlen durchsetzt sind, wobei verschiedene Öffnungen der Multiaperturplatte von Strahlengängen verschiedener Sekundär-Teilchenstrahlen durchsetzt sind, und wobei eine Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen, welche eine gleiche Öffnung der Mehrzahl von Öffnungen der Multiaperturplatte durchsetzen, kleiner ist als eine Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen. The multi-beam Teilchenmikroskop invention further comprises means disposed between the objective lens and the object plane Multiaperturplatte having a plurality of openings, with various openings of the Multiaperturplatte optical paths of different primary-particle beams are interspersed, and various openings of the Multiaperturplatte optical paths of different secondary particle permeated , and wherein a number of primary-particle beams which pass through a same opening of the plurality of openings of the Multiaperturplatte is smaller than a number of the primary particle. Die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen ist hierbei die Gesamtzahl derjenigen Primär-Teilchenstrahlen, welche während des Betriebs des Vielstrahl-Teilchenmikroskops von der Vielstrahl-Teilchenquelle erzeugt werden, die Objektebene erreichen und zur Erzeugung von Sekundär-Teilchenstrahlen, deren Intensitäten durch die Detektoranordnung detektiert werden, genutzt werden. The number of primary-particle beams is in this case the total number of those primary particle beams which are generated during operation of the multi-beam Teilchenmikroskops of the multi-beam particle source, achieve the object plane and for the generation of secondary particle beams whose intensities are detected by the detector arrangement, be used. Insbesondere ist die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen, welche eine gleiche Öffnung der Mehrzahl von Öffnungen der Multiaperturplatte durchsetzen, für alle Öffnungen kleiner als ein 0,1-faches, insbesondere kleiner als ein 0,05-faches und insbesondere kleiner als ein 0,01-faches der Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen. In particular, the number of primary-particle beams which pass through a same opening of the plurality of openings of the Multiaperturplatte, smaller for all of the apertures as a 0.1-fold, in particular less than 0.05-times and especially smaller than a 0.01 -faches the number of primary-particle beams.
  • Die Multiaperturplatte hat eine in dem Bereich, wo die Mehrzahl von Öffnungen vorgesehen ist, sich in einer Ebene erstreckende Struktur. The Multiaperturplatte has, extending in the region where the plurality of apertures is provided in a plane structure. Die Öffnungen darin sind mit Abstand voneinander angeordnet. The apertures therein are spaced from each other. Die Multiaperturplatte kann beispielsweise aus einem Plattenmaterial, wie etwa Silizium, gebildet sein, in welches die Öffnungen beispielsweise durch Ätzen eingebracht wurden. The Multiaperturplatte may be, for example, formed from a plate material, such as silicon, in which the openings have been introduced, for example by etching. Die Multiaperturplatte kann beispielsweise auch als ein Gitter ausgebildet sein, welches beispielsweise miteinander verflochtene oder nicht miteinander verflochtene, sich kreuzende Gitterstege aufweist, welche die Öffnungen definieren bzw. begrenzen. The Multiaperturplatte may for example be formed as a grid, has which, for example, intertwined or interlaced with one another, intersecting grid webs, which define the openings or limit. Die Gestalt der Öffnungen kann beliebig sein. The shape of the openings can be arbitrary. Beispielhafte Gestalten von Öffnungen sind ovale Öffnungen, insbesondere kreisrunde Öffnungen, rechteckige Öffnungen, insbesondere quadratische Öffnungen, hexagonale Öffnungen und dergleichen. Exemplary shapes of openings are oval openings, in particular circular openings, rectangular openings, in particular square holes, hexagonal holes and the like.
  • Durch das Bereitstellen der Multiaperturplatte zwischen der Objektivlinse und der Objektebene können verschiedene Vorteile erreicht werden. By providing the Multiaperturplatte between the objective lens and the object plane, various advantages can be achieved. Beispielsweise führt die Multiaperturplatte dazu, dass ein unmittelbar über dem Objekt entstehendes elektrisches Feld, welches auch dazu verwendet wird, die Teilchen der Sekundär-Teilchenstrahlen von dem Objekt weg zu beschleunigen, wesentlich gleichmäßiger auf alle Primär-Teilchenstrahlen wirkt als ein solches Feld, wie es erzeugt werden könnte, wenn die Multiaperturplatte nicht zur Verfügung stünde. For example, the Multiaperturplatte causes a resulting directly above the object electric field, which is also used to accelerate the particles of the secondary particle away from the object is substantially uniform on all primary particle acts as such a field as it could be generated when the Multiaperturplatte would not be available. Dies führt dazu, dass die Primär-Teilchenstrahlen nicht unmittelbar über dem Objekt durch etwaige Komponenten von elektrischen Feldern, welche quer zur Strahlrichtung der Primär-Teilchenstrahlen bzw. parallel zur Objektebene orientiert sind, von ihren vorgesehenen Trajektorien abgelenkt werden, wodurch die Primär-Teilchenstrahlen nicht an den vorgesehenen Positionen auf das Objekt auftreffen würden. This leads to that the primary-particle beams are deflected from their intended trajectories is not directly above the object by any components of electric fields which are transverse to the beam direction of the primary-particle beams and oriented parallel to the object plane, whereby the primary particle is not would strike at the designated positions on the object. Ferner werden die von dem Objekt weg beschleunigten Sekundär-Teilchenstrahlen im Wesentlichen senkrecht von der Objektebene weg beschleunigt, wodurch sich geringe Querschnitte der Sekundär-Teilchenstrahlen ergeben, deren Intensitäten durch die Detektoranordnung einzeln detektierbar sind, ohne dass Teilchen eines Sekundär-Teilchenstrahls von einem Detektor der Detektoranordnung detektiert werden, welcher einem anderen Sekundär-Teilchenstrahl zugeordnet ist. Further, the off accelerated from the object secondary particle beams are substantially accelerated perpendicularly from the object plane away, resulting in small cross-sections of the secondary particle yield, their intensities are individually by the detector assembly detectable without particles of a secondary particle of by a detector detector arrangement be detected, which is associated with a different secondary particle beam. Ferner kann die Multiaperturplatte das Objekt vor Beschädigung durch elektrische Überschläge schützen, welche ohne Vorhandensein der Multiaperturplatte zwischen der Objektivlinse und dem Objekt und insbesondere zwischen der Objektivlinse und dem Rand mancher Objekte entstehen könnten, wenn starke elektrische Felder dazu verwendet werden, die Teilchen der Sekundär-Teilchenstrahlen von dem Objekt weg zu beschleunigen. Further, the Multiaperturplatte, the object against damage caused by electrical arcing protection, which can occur without the presence of Multiaperturplatte between the objective lens and the object and more particularly between the objective lens and the edge of some objects when high electric fields are used, the particles of the secondary to accelerate particle beams away from the object.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen größer als 50, und die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen, die die gleiche Öffnung der Mehrzahl von Öffnungen der Multiaperturplatte durchsetzen, ist kleiner als 10, insbesondere kleiner als 5 und insbesondere gleich 1. Wenn die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen, die die gleiche Öffnung der Multiaperturplatte durchsetzen, gleich 1 ist, ist einem jeden der Primär-Teilchenstrahlen eine eigene Öffnung der Multiaperturplatte zugeordnet. According to exemplary embodiments, the number of the primary particle is greater than 50, and the number of primary-particle beams, which pass through the same opening of the plurality of openings of the Multiaperturplatte, is less than 10, particularly less than 5 and in particular is equal to 1. If the number of primary-particle beams, which pass through the same opening of the Multiaperturplatte, is equal to 1 is assigned its own opening of Multiaperturplatte each of the primary particle. Insbesondere kann die Anzahl der Öffnungen der Multiaperturplatte gleich der Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen sein. In particular, the number of openings of the Multiaperturplatte may be equal to the number of primary-particle beams. Es ist jedoch auch möglich, dass die Anzahl der Öffnungen der Multiaperturplatte größer ist als die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen. However, it is also possible that the number of openings of the Multiaperturplatte is greater than the number of primary-particle beams. Insbesondere können hierbei in der Multiaperturplatte Öffnungen vorgesehen sein, die zwischen solchen Öffnungen angeordnet sind, die von einander unmittelbar benachbarten Primär-Teilchenstrahlen durchsetzt werden. In particular, openings can be provided in this case in the Multiaperturplatte disposed between such openings, which are penetrated of directly adjacent primary particle beams. Hierbei kann insbesondere ein durch einen Primär-Teilchenstrahl erzeugter Sekundär-Teilchenstrahl mehrere Öffnungen der Multiaperturplatte durchsetzen. Here, in particular, by setting a plurality of openings of a Multiaperturplatte generated by a primary particle beam secondary particle beam.
  • Das erfindungsgemäße Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfasst ferner eine zwischen der Vielstrahl-Teilchenquelle und der Multiaperturplatte angeordnete Elektrode, welche eine Öffnung aufweist, die von den Strahlengängen der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen und von den Strahlengängen der Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen durchsetzt ist. The multi-beam Teilchenmikroskop invention further comprises means disposed between the multi-beam particle source and the Multiaperturplatte electrode having an aperture which is traversed by the beam paths of the plurality of primary-particle beams and the optical paths of the plurality of secondary particle. Diese Elektrode kann beispielsweise durch eine Komponente der Objektivlinse gebildet sein oder als eine Komponente, welche nicht Teil der Objektivlinse ist, ausgebildet sein, welche nahe der Objektivlinse angeordnet ist. This electrode can be formed for example by a component of the objective lens or be formed as a component which is not part of the objective lens, which is arranged near the objective lens. Eine Potentialdifferenz zwischen dem Potential dieser Elektrode und dem Potential der Multiaperturplatte bestimmt ein elektrisches Feld, welches Teilchen der Sekundär-Teilchenstrahlen, welche Öffnungen der Multiaperturplatte durchsetzt haben, hin zu der Detektoranordnung beschleunigt und Teilchen der Primär-Teilchenstrahlen vor dem Durchsetzen der Öffnungen der Multiaperturplatte und dem Auftreffen auf dem Objekt verzögert. A potential difference between the potential of this electrode and the potential of Multiaperturplatte determines an electric field which particles of the secondary particle, which openings have penetrated the Multiaperturplatte accelerated toward the detector array and the particles of the primary particle beam before by setting the openings of the Multiaperturplatte and impinging on the delayed object.
  • Das erfindungsgemäße Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfasst ferner ein Spannungsversorgungssystem, welches dazu konfiguriert ist, einen Teilchenemitter der Vielstrahl-Teilchenquelle auf ein erstes elektrisches Potential zu setzen, die Elektrode auf ein zweites elektrisches Potential zu setzen, die Multiaperturplatte auf ein drittes elektrisches Potential zu setzen, und ein an der Objektebene anordenbares Objekt auf ein viertes elektrisches Potential zu setzen. The multi-beam Teilchenmikroskop invention further comprises a power supply system which is configured to set a particle emitter of the multi-beam particle source to a first electrical potential to set the electrode to a second electrical potential to set the Multiaperturplatte to a third electrical potential, and to put an which can be arranged on the object plane at a fourth electrical potential. Hierbei ist es möglich, dass eines oder mehrere der genannten elektrischen Potentiale ein Massepotential des Vielstrahl-Teilchenmikroskops ist. Here, it is possible that one or more of said electrical potentials is a ground potential of the multi-beam Teilchenmikroskops.
  • Hierbei beträgt die Potentialdifferenz zwischen dem Teilchenemitter der Vielstrahlquelle und dem Objekt, welche Potentialdifferenz die Landeenergie der Teilchen des Primär-Teilchenstrahls bestimmt, zwischen 50 V und 3 kV. Here, the potential difference between the particle emitter of the multi-beam source and the object, which potential difference is determined, the landing energy of the particles of the primary particle beam between 50 V and 3 kV.
  • Gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist die Potentialdifferenz zwischen dem Teilchenemitter der Vielstrahl-Teilchenquelle und der Elektrode, welche Potentialdifferenz die kinetische Energie der Teilchen des Primär-Teilchenstrahls bestimmt, bevor diese in einem elektrischen Feld zwischen der Elektrode und der Multiaperturplatte abgebremst werden, größer als 5 kV. According to other exemplary embodiments, the potential difference between the particle emitter of the multi-beam particle source and the electrode, which potential difference defines the kinetic energy of the particles of the primary particle beam before it is braked in an electric field between the electrode and the Multiaperturplatte, greater than 5 kV ,
  • Gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist die Potentialdifferenz zwischen der Elektrode und der Multiaperturplatte größer als 3 kV, größer als 5 kV, größer als 8 kV, größer als 10 kV oder größer als 20 kV. According to other exemplary embodiments, the potential difference between the electrode and the Multiaperturplatte is greater than 3 kV, higher than 5 kV, is greater than 8 kV, higher than 10 kV or higher than 20 kV.
  • Gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist die Potentialdifferenz zwischen dem elektrischen Potential der Elektrode und dem elektrischen Potential der Multiaperturplatte größer als ein 50-faches, insbesondere größer als ein 100-faches, der Potentialdifferenz zwischen dem elektrischen Potential der Multiaperturplatte und dem elektrischen Potential des Objekts. According to other exemplary embodiments, the potential difference between the electric potential of the electrode and the electric potential of Multiaperturplatte is greater than a 50-fold, in particular greater than a 100-fold, the potential difference between the electric potential of Multiaperturplatte and the electric potential of the object.
  • Gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist die Multiaperturplatte mit einem ersten Abstand von der Elektrode angeordnet, so dass dieser erste Abstand und die Potentialdifferenz zwischen der Multiaperturplatte und der Elektrode eine elektrische Feldstärke E1 an einer der Elektrode zuweisenden Oberflächen der Multiaperturplatte bestimmt. According to other exemplary embodiments, the Multiaperturplatte is arranged at a first distance from the electrode, so that this first distance and the potential difference between the Multiaperturplatte and the electrode an electric field strength E1 determined on one of the facing electrode surfaces of the Multiaperturplatte. Ferner ist die Multiaperturplatte mit einem zweiten Abstand von der Objektebene angeordnet, so dass der zweite Abstand und eine Potentialdifferenz zwischen der Multiaperturplatte und dem Objekt eine elektrische Feldstärke E2 an einer der Objektebene zuweisenden Oberfläche der Multiaperturplatte bestimmt. Further, the Multiaperturplatte is arranged at a second distance from the object plane so that the second distance and a potential difference between the Multiaperturplatte and the object determines an electric field strength E2 at an object plane of the facing surface of the Multiaperturplatte. Gemäß beispielhaften Ausführungsformen gilt für die elektrischen Feldstärken E1 und E2: According to exemplary embodiments applies to the electric field intensities E1 and E2: 0,7 0.7 < < | | E1 E1 / / E2 E2 | | < < 1,5. 1.5.
    Figure DE102016120902B4_0002
  • Unter der Annahme einer ausreichend dünnen Multiaperturplatte ist demnach ein Unterschied zwischen den elektrischen Feldern auf den beiden Seiten der Multiaperturplatte nicht sehr groß, so dass die Aperturen der Platte lediglich eine geringe fokussierende oder defokussierende Wirkung auf die die Aperturen durchsetzenden Teilchenstrahlen haben und diese auf ihrem Weg hin zu dem Objekt bzw. weg von dem Objekt durch die Multiaperturplatte lediglich in geringem Maß beeinflusst werden. Assuming a sufficiently thin Multiaperturplatte therefore a difference between the electric fields on the both sides of the Multiaperturplatte is not very large, so that the apertures of the plate have only a slight focusing or defocusing effect on the apertures penetrating particle beams and these on their way be influenced toward the object or away from the object through the Multiaperturplatte only to a small extent.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist die elektrische Feldstärke E1 an der der Elektrode zuweisenden Oberfläche der Multiaperturplatte größer als 500 V/mm oder größer als 1500 V/mm oder sogar größer als 3000 V/mm. According to exemplary embodiments, the electric field strength E1 of the surface of the electrode facing the Multiaperturplatte greater than 500 V / mm or greater than 1500 V / mm or even greater than 3000 V / mm.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen liegt die elektrische Feldstärke E2 an der der Objektebene zuweisenden Oberfläche der Multiaperturplatte in einem Bereich von 500 V/mm bis 1500 V/mm oder einem Bereich von 500 V/mm bis 3000 V/mm oder einem Bereich von 500 V/mm bis 5000 V/mm. According to exemplary embodiments, the electric field strength E2 at the facing the object plane surface of the Multiaperturplatte in a range of 500 V / mm to 1500 V / mm or a range of 500 V / mm to 3000 V / mm or a range of 500 V / mm to 5000 V / mm.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist der Abstand zwischen der Multiaperturplatte und der Objektebene kleiner als 200 µm und größer als 50 µm oder 1 µm, insbesondere kleiner als 50 µm und größer als 30 µm oder 1 µm, insbesondere kleiner als 30 µm und größer als 20 µm oder 1 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und größer als 10 µm oder 1 µm und insbesondere kleiner als 10 µm und größer als 1 µm. According to exemplary embodiments, the distance between the Multiaperturplatte and the object plane is smaller than 200 microns and larger than 50 microns or 1 micron, especially less than 50 microns and larger than 30 microns or 1 micron, especially less than 30 microns and larger than 20 microns, or 1 .mu.m, in particular smaller than 20 microns and larger than 10 microns or 1 micron, especially less than 10 microns and larger than 1 micrometer. Ein derart kleiner Abstand zwischen der Multiaperturplatte und dem Objekt führt dazu, dass die Teilchen des Primär-Teilchenstrahls nach dem Durchsetzen der Multiaperturplatte nur eine sehr kurze Strecke durchlaufen müssen, bevor sie auf das Objekt treffen. Such a small distance between the Multiaperturplatte and the object causes the particles of the primary particle beam must pass through only a short distance after having traversed the Multiaperturplatte before they hit the object. Deshalb können die Auftrefforte der Primär-Teilchenstrahlen an dem Objekt aufgrund von eventuell vorhandenen Inhomogenitäten von elektrischen Feldern zwischen der Multiaperturplatte und dem Objekt nur geringfügig von ihren Sollpositionen abweichen. Therefore, the impingement of the primary particle can differ on the object due to any existing inhomogeneities of electric fields between the Multiaperturplatte and the object only slightly from their desired positions.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist ein minimaler Abstand von zwei einander benachbarten Primär-Teilchenstrahlen („Pitch“) an der Multiaperturplatte kleiner als 50 µm, insbesondere kleiner als 30 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und insbesondere kleiner als 12 µm. According to exemplary embodiments, a minimum distance of two adjacent primary particle ( "Pitch") at the Multiaperturplatte is less than 50 .mu.m, in particular smaller than 30 .mu.m, in particular smaller than 20 microns and preferably less than 12 microns.
  • Gemäß weiteren beispielhaften Ausführungsformen ist die Dicke der Multiaperturplatte in einer Umgebung um wenigstens eine der Öffnungen bzw. in dem Bereich, wo die Mehrzahl von Öffnungen in der Multiaperturplatte vorgesehen ist, kleiner als 40 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und insbesondere kleiner als 5 µm. According to other exemplary embodiments, the thickness of the Multiaperturplatte is in a neighborhood around at least one of the openings and in the region where the plurality is provided of openings in the Multiaperturplatte, less than 40 microns, especially less than 20 microns and preferably less than 5 microns ,
  • Das Vielstrahl-Teilchenmikroskop kann eine Objekthalterung umfassen, welche dazu konfiguriert ist, das Objekt zu haltern, wobei eine Aktuatoranordnung vorgesehen ist, welche dazu konfiguriert ist, die Objekthalterung relativ zu der Objektivlinse zu verlagern und zu positionieren. The multi-beam Teilchenmikroskop may comprise an object holder which is configured to support the object, wherein an actuator is provided which is configured to displace the object mount relative to the objective lens and to move. Die Positionierung kann insbesondere in drei Raumrichtungen unabhängig eingestellt werden, so dass der Abstand des Objekts von der Multiaperturplatte einstellbar ist und das Objekt in zwei unabhängige Richtungen lateral relativ zu der Richtung der auf das Objekt treffenden Primär-Teilchenstrahlen verlagerbar ist. The positioning can be particularly adjusted independently in three directions in space, so that the distance of the object from the Multiaperturplatte is adjustable, and the object is displaceable in two independent directions laterally relative to the direction of striking the object primary particle beams.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst das Vielstrahl-Teilchenmikroskop eine Steuerung, welche dazu konfiguriert ist, diese Aktuatoranordnung so anzusteuern, dass das Objekt einen vorbestimmten Abstand von der Multiaperturplatte aufweist. According to exemplary embodiments, the multi-beam Teilchenmikroskop comprises a controller which is configured to drive this actuator so that the object has a predetermined distance from the Multiaperturplatte. Dieser vorbestimmte Abstand kann kleiner als ein 10-faches, insbesondere kleiner als ein 5-faches und insbesondere kleiner als ein 1,5-faches eines minimalen Abstands von zwei einander benachbarten Primär-Teilchenstrahlen („Pitch“) an der Multiaperturplatte sein. This predetermined distance may be a 10-fold, in particular less than 5 times and more particularly less than 1.5 times a minimum distance of two adjacent primary particle ( "Pitch") at the Multiaperturplatte smaller. Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist der vorbestimmte Abstand kleiner als 200 µm, insbesondere kleiner als 50 µm, insbesondere kleiner als 30 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und insbesondere kleiner als 10 µm. According to exemplary embodiments, the predetermined distance is less than 200 microns, especially less than 50 .mu.m, in particular smaller than 30 .mu.m, in particular smaller than 20 microns, especially less than 10 microns.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst das Vielstrahl-Teilchenmikroskop ein Abstandsmessmodul, welches dazu konfiguriert ist, ein Messsignal bereitzustellen, welches den momentanen Abstand der Multiaperturplatte von dem Objekt repräsentiert, wobei hierbei die Steuerung die Aktuatoranordnung in Abhängigkeit von dem Messsignal ansteuern kann, um den vorbestimmten Abstand zwischen dem Objekt und der Multiaperturplatte einzustellen. According to exemplary embodiments, the multi-beam Teilchenmikroskop comprises a distance measuring module, which is configured to provide a measurement signal which represents the instantaneous distance of the Multiaperturplatte of the object, in this case, the controller may control the actuator in dependence on the measurement signal between the predetermined distance adjust the object and the Multiaperturplatte.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst das Abstandsmessmodul eine Strahlungsquelle und einen Strahlungsdetektor, wobei die Strahlungsquelle dazu konfiguriert ist, Strahlung einer vorbestimmten Wellenlänge zu emittieren und in einen Spalt zwischen der Multiaperturplatte und dem Objekt zu richten, wobei der Strahlungsdetektor mit Abstand von der Strahlungsquelle angeordnet ist und dazu konfiguriert ist, von der Strahlungsquelle in den Spalt emittierte Strahlung zu detektieren, und wobei das Messsignal eine von dem Strahlungsdetektor detektierte Strahlungsintensität repräsentiert. According to exemplary embodiments, the distance measuring module comprises a radiation source and a radiation detector, wherein the radiation source is configured to emit radiation of a predetermined wavelength and to be directed into a gap between the Multiaperturplatte and the object, wherein the radiation detector at a distance from the radiation source is disposed and to is configured to detect light emitted by the radiation source into the gap radiation, and wherein the measuring signal represents a detected by the radiation detector radiation intensity. Das Messprinzip kann hierbei darauf beruhen, dass der Spalt zwischen dem Objekt und der Multiaperturplatte als ein Hohlleiter für elektromagnetische Strahlung betrachtet wird und entsprechend eine Grenzfrequenz bzw. eine größte Wellenlänge der elektromagnetischen Strahlung existiert, welche sich in diesem Spalt ausbreiten kann. The measuring principle can in this case based on the fact that the gap between the object and the Multiaperturplatte is regarded as a waveguide for electromagnetic radiation and in accordance with a cutoff frequency or a maximum wavelength of electromagnetic radiation exist, which can propagate in this gap. Bei einer gegebenen Wellenlänge der von der Strahlungsquelle emittierten Strahlung kann basierend auf dem Messsignal dann ein vorbestimmter Abstand zwischen der Multiaperturplatte und dem Objekt, welcher nahe dem Abstand liegt, bei welchem die Wellenlänge der Strahlung die Grenzwellenlänge ist, relativ genau eingestellt werden. At a given wavelength of the radiation emitted by the radiation source a predetermined distance between the Multiaperturplatte and the object can be determined based on the measurement signal then, which is close to the distance at which the wavelength of the radiation is the cutoff wavelength, can be set relatively accurately.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist die Multiaperturplatte an der Objektivlinse befestigt. According to exemplary embodiments, the Multiaperturplatte is attached to the objective lens. Gemäß alternativen Ausführungsformen ist die Multiaperturplatte an der Objektivlinse nicht befestigt und kann mittels eines Aktuators, an welchem die Multiaperturplatte bzw. eine Halterung der Multiaperturplatte befestigt ist, in den Strahlengängen der Primär-Teilchenstrahlen und der Sekundär-Teilchenstrahlen angeordnet werden oder aus diesen Strahlengängen entfernt werden. According to alternative embodiments, the Multiaperturplatte is not attached to the objective lens and can by means of an actuator to which the Multiaperturplatte or a holder of Multiaperturplatte is attached, are arranged in the beam paths of the primary particle and the secondary particle or removed from these beam paths , Unabhängig davon, ob die Multiaperturplatte bzw. deren Halterung an der Objektivlinse befestigt ist oder ob die Multiaperturplatte aus den Strahlengängen entfernbar ist, kann ein Anschlagskörper vorgesehen sein, der, wenn die Multiaperturplatte in den Strahlengängen angeordnet ist, zwischen der Objektivlinse bzw. einer Komponente der Objektivlinse und der Multiaperturplatte bzw. der Halterung der Multiaperturplatte angeordnet ist und die Position der Multiaperturplatte relativ zu der Objektivlinse definiert. Regardless of whether the Multiaperturplatte or its mount is attached to the objective lens or whether the Multiaperturplatte of the optical paths can be removed, a stop element may be provided which, when the Multiaperturplatte is arranged in the beam paths between the objective lens or a component of the objective lens and the Multiaperturplatte or the holder of the Multiaperturplatte is arranged and defines the position of the Multiaperturplatte relative to the objective lens. Dieser Anschlagskörper kann ein isolierendes Material umfassen, so dass es möglich ist, die Objektivlinse bzw. die Komponente der Objektivlinse und die Multiaperturplatte auf verschiedene elektrische Potentiale zu setzen. This stop member may comprise an insulating material, so that it is possible to set the objective lens or the component of the objective lens and the Multiaperturplatte to different electrical potentials.
  • Gemäß beispielhaften Ausführungsformen umfasst das Vielstrahl-Teilchenmikroskop wenigstens einen im Strahlengang der Primär-Teilchenstrahlen zwischen der Vielstrahl-Teilchenquelle und der Multiaperturplatte angeordneten Elektronenstrahlablenker, welcher dazu konfiguriert ist, die Primär-Teilchenstrahlen abzulenken. According to exemplary embodiments, the multi-beam Teilchenmikroskop comprises at least one arranged in the beam path of the primary particle beam between the multi-beam particle source and the Multiaperturplatte Elektronenstrahlablenker which is configured to deflect the primary particle beam. Hierdurch ist es möglich, die Auftrefforte der Primär-Teilchenstrahlen an dem Objekt zu variieren und das Objekt mit den Primär-Teilchenstrahlen abzutasten. This makes it possible to vary the impingement of the primary particle beam at the object and scanning the object with the primary particle.
  • Wenn die Multiaperturplatte relativ zu der Objektivlinse fest angeordnet ist, limitiert der Durchmesser der Öffnungen der Multiaperturplatte, welche von den Primär-Teilchenstrahlen durchsetzt werden, das Ausmaß der Auslenkung der Primär-Teilchenstrahlen zum Abtasten des Objekts. When the Multiaperturplatte is positioned relative to the objective lens fixed, limited the diameter of the openings of the Multiaperturplatte which are traversed by the primary particle, the amount of deflection of the primary particle beam for scanning the object. Gemäß beispielhaften Ausführungsformen ist deshalb hierbei vorgesehen, dass das Vielstrahl-Teilchenmikroskop einen Aktuator umfasst, welcher dazu konfiguriert ist, die Multiaperturplatte in eine Richtung, welche parallel zu einer Ebene der Multiaperturplatte orientiert ist, relativ zu der Objektivlinse hin und her zu verlagern. According to exemplary embodiments, it is therefore provided in this case that the multi-beam Teilchenmikroskop comprises an actuator which is configured to the Multiaperturplatte in a direction which is oriented parallel to a plane of Multiaperturplatte to shift relative to the objective lens back and forth. Ein Steuerungsmodul kann dann dazu konfiguriert sein, den Aktuator zur Hin- und Herverlagerung der Multiaperturplatte und den Elektronenstrahlablenker gemeinsam so anzusteuern, dass die Multiaperturplatte derart verlagert wird, dass ein jeder gegebener Primär-Teilchenstrahl die gleiche Öffnung in der Multiaperturplatte unabhängig von einer durch den Elektronenstrahlablenker erzeugten Ablenkung des Primär-Teilchenstrahls durchsetzt und insbesondere im Wesentlichen zentral durchsetzt. A control module may then be configured to drive the actuator for reciprocating Herverlagerung the Multiaperturplatte and Elektronenstrahlablenker together so that the Multiaperturplatte is displaced such that each given primary particle beam the same opening in the Multiaperturplatte independently of one by the Elektronenstrahlablenker interspersed generated deflection of the primary particle beam and in particular substantially centrally penetrated. Bei dieser Ausführungsform ist es dann möglich, den Durchmesser der Öffnungen der Multiaperturplatte noch weiter zu verringern. In this embodiment, it is possible to reduce the diameter of the openings of Multiaperturplatte even further.
  • Ausführungsformen der Erfindung werden nachfolgend anhand von Figuren näher erläutert. Embodiments of the invention are explained in detail below with reference to figures. Hierbei zeigt: Here shows:
    • 1 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung einer Funktionsweise eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops gemäß einer Ausführungsform; a schematic diagram for explaining an operation of a multi-beam Teilchenmikroskops according to an embodiment;
    • 2 2 eine schematische Darstellung eines Teils des Vielstrahl-Teilchenmikroskops der a schematic representation of part of the multi-beam Teilchenmikroskops 1 1 ; ;
    • 3 3 eine schematische Darstellung eines Teils eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops gemäß einer weiteren Ausführungsform; a schematic representation of a portion of a multi-beam Teilchenmikroskops according to another embodiment;
    • 4 4 eine schematische Darstellung zur Erläuterung von Strahlengängen bei einem herkömmlichen Vielstrahl-Teilchenmikroskop; a schematic view showing optical paths in a conventional multi-beam Teilchenmikroskop;
    • 5 5 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines Verfahrens zum Abrastern einer Oberfläche eines Objekts mit einem anhand der is a schematic illustration for explaining a method for scanning a surface of an object with a reference to the 1 1 bis to 3 3 erläuterten Vielstrahl-Teilchenmikroskop; discussed multi-beam Teilchenmikroskop; und and
    • 6 6 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines weiteren Verfahrens zum Abrastern einer Oberfläche eines Objekts mit einem anhand der a schematic diagram for explaining another method for scanning a surface of an object with a reference to the 1 1 bis to 3 3 erläuterten Vielstrahl-Teilchenmikroskop. explained multibeam Teilchenmikroskop.
  • 1 1 ist eine schematische Darstellung eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops, welches mehrere Teilchenstrahlen einsetzt. is a schematic representation of a multi-beam Teilchenmikroskops employing multiple particle beams. Das Vielstrahl-Teilchenmikroskop erzeugt mehrere Primär-Teilchenstrahlen, welche auf ein zu untersuchendes Objekt treffen, um dort Elektronen zu erzeugen, welche von dem Objekt ausgehen und zu Sekundär-Teilchenstrahlen geformt werden, welche nachfolgend detektiert werden. The multi-beam Teilchenmikroskop generates a plurality of primary-particle beams which strike an object to be examined to generate where electrons emanating from the object and formed into secondary particle beams, which are subsequently detected. Das Vielstrahl-Teilchenmikroskop The multi-beam Teilchenmikroskop 1 1 ist vom Rasterelektronenmikroskoptyp („scanning electron microscope“, SEM), welches als Primär-Teilchenstrahlen Elektronenstrahlen 3 einsetzt, die an Orten is from a scanning electron microscope type ( "scanning electron microscope" SEM), which uses as a primary-particle electron beams 3, at locations 5 5 auf einer Oberfläche des Objekts on a surface of the object 7 7 auftreffen und dort mehrere Elektronenstrahlflecken bzw. -spots erzeugen. impinge and there generate a plurality of electron beam spots or -spots. Das zu untersuchende Objekt 7 kann von einer beliebigen Art sein und beispielsweise einen Halbleiter-Wafer, eine biologische Probe und eine Anordnung miniaturisierter Elemente oder dergleichen umfassen. The object to be examined 7 may be of any type and comprise for example a semiconductor wafer, a biological sample, and an array of miniaturized elements or the like. Die Oberfläche des Objekts The surface of the object 7 7 ist in einer Objektebene is in an object plane 101 101 einer Objektivlinse an objective lens 102 102 eines Objektivlinsensystems an objective lens system 100 100 angeordnet. arranged.
  • Der vergrößerte Ausschnitt I 1 der The enlarged section of I 1 1 1 zeigt eine Draufsicht auf die Objektebene 101 mit einem regelmäßigen rechtwinkligen Feld shows a plan view of the object plane 101 with a regular rectangular array 103 103 von Auftrefforten of impingement 5 5 von Primär-Teilchenstrahlen of primary particle 3 3 , welche in der Ebene Which in the plane 101 101 gebildet werden. are formed. In In 1 1 beträgt die Zahl der Auftrefforte is the number of impingement 25 25 , welche als ein 5 × 5-Feld 103 angeordnet sind. Which are arranged as a 5 x 5 array 103rd Die Zahl The number 25 25 an Auftrefforten ist eine aus Gründen der vereinfachten Darstellung gewählte kleine Zahl. at impingement is chosen for reasons of simplified illustration small number. In der Praxis kann die Zahl an Strahlen bzw. Auftrefforten wesentlich größer gewählt werden, wie beispielsweise 20 × 30, 100 × 100 und dergleichen. In practice, the number of impingement jets or can be selected to be considerably larger, such as 20 × 30, 100 × 100, and the like.
  • In der dargestellten Ausführungsform ist das Feld In the illustrated embodiment, the field 103 103 von Auftrefforten of impingement 5 5 ein im Wesentlichen regelmäßiges rechtwinkliges Feld mit einem konstanten Abstand p1 zwischen benachbarten Auftrefforten. a substantially regular rectangular array with a constant pitch p1 between adjacent impingement. Beispielhafte Werte des Abstands p1 sind 50 µm, 30 µm oder 10 µm. Exemplary values ​​of the distance p1 are 50 microns, 30 microns or 10 microns. Es ist jedoch auch möglich, dass das Feld However, it is also possible that the field 103 103 andere Symmetrien aufweist, wie beispielsweise eine hexagonale Symmetrie. has different symmetries, such as a hexagonal symmetry.
  • Ein Durchmesser der in der Objektebene A diameter in the object plane 101 101 geformten Strahlflecken kann klein sein. shaped beam spots can be small. Beispielhafte Werte dieses Durchmessers betragen 1 nm, 5 nm, 10 nm und 30 nm. Das Fokussieren der Partikelstrahlen Exemplary values ​​of this diameter be 1 nm, 5 nm, 10 nm and 30 nm. The focus of the particle beam 3 3 zur Formung der Strahlflecken for forming the beam spots 5 5 erfolgt durch das Objektivlinsensystem is done by the objective lens system 100 100 . ,
  • Die auf das Objekt treffenden Teilchen, welche in dem hier erläuterten Beispiel Elektronen sind, erzeugen wiederum Teilchen, welche im Wesentlichen Elektronen sind, und welche von der Oberfläche des Objekts The incident on the object particles which are electrons in the example explained here, in turn, produce particles which are substantially electrons, and which from the surface of the object 7 7 ausgehen. out. Die von der Oberfläche des Objekts From the surface of the object 7 7 ausgehenden Teilchen werden durch das Objektivlinsensystem outgoing particles are obtained by the objective lens system 100 100 zu Sekundär-Teilchenstrahlen About secondary particle 9 9 geformt, welche in dem hier erläuterten Beispiel Elektronenstrahlen sind. formed which are electron beams in the example explained here. Das Vielstrahl-Teilchenmikroskop The multi-beam Teilchenmikroskop 1 1 stellt einen Sekundär-Elektronenstrahlengang provides a secondary electron beam path 12 12 bereit, um die Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen ready to order the plurality of secondary particle 9 9 einem Detektionssystem a detection system 200 200 zuzuführen. supply. Das Detektionssystem The detection system 200 200 umfasst eine Elektronenoptik mit einem Projektivlinsensystem comprises an electron optics with a Projektivlinsensystem 205 205 , um die Sekundär-Teilchenstrahlen To the secondary-particle beams 9 9 auf einen Elektronen-Multi-Detektor an electron multi-detector 209 209 zu richten. be addressed.
  • Der Ausschnitt I 2 in The excerpt I 2 1 1 zeigt eine Draufsicht auf eine Ebene shows a plan view of a plane 211 211 , in welcher einzelne Detektionsbereiche angeordnet sind, auf welche die Sekundär-Teilchenstrahlen Are arranged in which individual detection areas, in which the secondary particle 9 9 an Orten in places 213 213 auftreffen. incident. Die Auftrefforte the impingement 213 213 bilden ein zweites Feld forming a second field 217 217 mit einem regelmäßigen Abstand p2 der Auftrefforte voneinander. with a regular spacing of the impingement p2 each other. Beispielhafte Werte des Abstands p2 sind 10 µm, 100 µm, 200 µm und 500 µm. Exemplary values ​​of the distance p2 are 10 .mu.m, 100 .mu.m, 200 .mu.m and 500 .mu.m.
  • Die Primär-Teilchenstrahlen The primary particle 3 3 werden durch eine Vielstrahl-Teilchenquelle be a multi-beam particle source 300 300 erzeugt, welche wenigstens eine Elektronenquelle generated which at least one electron source 301 301 mit einem Elektronenemitter, wenigstens eine Kollimationslinse with an electron emitter, at least one collimating lens 303 303 , eine Multi-Aperturanordnung , A multi-aperture assembly 305 305 und ein Feldlinsensystem and a field lens system 307 307 umfasst. includes. Die Elektronenquelle The electron source 301 301 erzeugt aus von dem Elektronenemitter emittierten Elektronen einen divergierenden Elektronenstrahl generated from the light emitted by the electron emitter electron a diverging electron beam 309 309 , welcher durch die Kollimationslinse Formed by the collimating lens 303 303 kollimiert wird, um einen Strahl is collimated to a beam 311 311 zu formen, welcher die Multi-Aperturanordnung form, wherein the multi-aperture assembly 305 305 beleuchtet. illuminated.
  • Der Ausschnitt I 3 in The excerpt I 3 in 1 1 zeigt eine Draufsicht auf die Multi-Aperturanordnung 305. Die Multi-Aperturanordnung shows a plan view of the multi-aperture assembly 305. The multi-aperture assembly 305 305 umfasst eine Multiaperturplatte includes a Multiaperturplatte 313 313 , welche eine Mehrzahl von darin ausgebildeten Öffnungen bzw. Aperturen Which openings or apertures, a plurality formed therein 315 315 aufweist. having. Mittelpunkte midpoints 317 317 der Öffnungen the openings 315 315 sind in einem Feld are in a field 319 319 angeordnet, welches dem Feld arranged that the field 103 103 entspricht, welches durch die Strahlflecken corresponds represented by the beam spots 5 5 in der Objektebene in the object plane 101 101 gebildet wird. is formed. Ein Abstand p3 der Mittelpunkte A distance between the center points p3 317 317 der Aperturen the apertures 315 315 voneinander kann beispielhafte Werte von 5 µm, 100 µm und 200 µm aufweisen. from one another exemplary values ​​of 5 .mu.m, 100 .mu.m and 200 .mu.m may have. Die Durchmesser D der Aperturen The diameter D of the apertures 315 315 sind kleiner als der Abstand p3 der Mittelpunkte der Aperturen voneinander. are smaller than the distance p3 between the center points of the apertures from one another. Beispielhafte Werte der Durchmesser D sind 0,2 × p3, 0,4 × p3 und 0,8 × p3. Exemplary values ​​of the diameters D are 0.2 x p3, p3 × 0.4 and 0.8 × p3.
  • Elektronen des beleuchtenden Strahls Electrons of the illuminating beam 311 311 durchsetzen die Aperturen pass through the apertures 315 315 und bilden Elektronenstrahlen and form electron 3 3 als Primär-Teilchenstrahlen. as a primary particle. Elektronen des beleuchtenden Strahls Electrons of the illuminating beam 311 311 , welche auf die Platte , Which on the plate 313 313 treffen, werden durch diese abgefangen und tragen nicht zur Bildung der Elektronenstrahlen together, getting caught by this and do not contribute to the formation of the electron beams 3 3 bei. at.
  • Die Multi-Aperturanordnung The multi-aperture assembly 305 305 fokussiert die Elektronenstrahlen focuses the electron beams 3 3 derart, dass in einer Ebene such that in a plane 325 325 Strahlfoki Strahlfoki 323 323 gebildet werden. are formed. Ein Durchmesser der Foki A diameter of the foci 323 323 kann beispielsweise 2 nm, 10 nm, 100 nm und 1 µm betragen. may be, for example, 2 nm, 10 nm, 100 nm and 1 micron.
  • Das Feldlinsensystem The field lens system 307 307 , ein Strahlteiler , A beam splitter 400 400 und die Objektivlinse and the objective lens 102 102 stellen eine erste abbildende Teilchenoptik bereit, um die Ebene provide a first imaging particle optics ready to pass the level 325 325 , in der die Foki In which the foci 323 323 gebildet werden, über einen Primär-Strahlengang are formed on a primary beam path 10 10 auf die Objektebene on the object plane 101 101 abzubilden, so dass dort ein Feld map, so that there is a field 103 103 von Auftrefforten of impingement 5 5 bzw. Strahlflecken auf der Oberfläche des Objekts and beam spots on the surface of the object 7 7 gebildet wird. is formed.
  • Die Objektivlinse The objective lens 102 102 , der Strahlteiler , The beam splitter 400 400 und das Projektivlinsensystem and the Projektivlinsensystem 205 205 stellen eine zweite abbildende Teilchenoptik bereit, um die Objektebene provide a second imaging particle optics willing to make the object level 101 101 auf die Detektionsebene to the detection plane 211 211 abzubilden. map. Die Objektivlinse The objective lens 102 102 ist somit eine Linse, welche sowohl Teil der ersten als auch der zweiten Teilchenoptik ist, während das Feldlinsensystem is thus a lens which is part of both the first and the second particle optics, while the field lens system 307 307 nur der ersten Teilchenoptik und das Projektivlinsensystem only the first particle optics and Projektivlinsensystem 205 205 nur der zweiten Teilchenoptik angehört. only the second particle optics belongs. Die Objektivlinse The objective lens 102 102 wird somit sowohl von den Strahlengängen der Primär-Teilchenstrahlen als auch von den Strahlengängen der Sekundär-Teilchenstrahlen durchsetzt. thus passes through both of the beam paths of the primary particle as well as from the beam paths of the secondary particle.
  • Der Strahlteiler The beam splitter 400 400 ist in der ersten Teilchenoptik zwischen der Multi-Aperturanordnung in the first particle optics between the multi-aperture assembly 305 305 und dem Objektivlinsensystem and the objective lens system 100 100 angeordnet. arranged. Der Strahlteiler The beam splitter 400 400 ist auch Teil der zweiten Teilchenoptik und ist dort zwischen dem Objektivlinsensystem is also part of the second particle optics, and is there between the objective lens system 100 100 und dem Detektionssystem and the detection system 200 200 angeordnet. arranged. Der Strahlteiler 400 trennt die Strahlengänge der Primär-Teilchenstrahlen von den Strahlengängen der Sekundär-Teilchenstrahlen. The beam splitter 400 separates the beam paths of the primary particle beam from the beam paths of the secondary particle.
  • Weitergehende Information zu solchen Vielstrahl-Teilchenmikroskopen und darin eingesetzten Komponenten, wie etwa Teilchenquellen, Multiaperturplatten und Linsen, kann aus den internationalen Patentanmeldungen Further information on such a multi-beam Teilchenmikroskopen and inserted therein components such as particle sources, Multiaperturplatten and lenses can be made of international patent applications WO 2005/024881 A2 WO 2005/024881 A2 , . WO 2007/028595 A2 WO 2007/028595 A2 , . WO 2007/028596 A1 WO 2007/028596 A1 und and WO 2007/060017 A2 WO 2007/060017 A2 und den Patentanmeldungen and patent applications US 2015/0083911 A1 US 2015/0083911 A1 , . US 2015/0069235 A1 US 2015/0069235 A1 , . DE 10 2014 008 383 A1 DE 10 2014 008 383 A1 und and US 6,946,655 B2 US 6,946,655 B2 erhalten werden, deren Offenbarung jeweils vollumfänglich durch Inbezugnahme in die vorliegende Anmeldung aufgenommen wird. the disclosures of which are each fully incorporated by reference into the present application are obtained.
  • Das Vielstrahl-Teilchenmikroskop The multi-beam Teilchenmikroskop 1 1 umfasst ferner eine zwischen der Objektivlinse 102 und der Objektebene further comprises a between the objective lens 102 and the object plane 101 101 angeordnete Multiaperturplatte arranged Multiaperturplatte 11 11 , welche als eine plane, dünne Platte ausgebildet ist und eine Vielzahl von Öffnungen Which plane as a thin plate is formed, and a plurality of openings 37 37 aufweist. having. In der in In the in 1 1 erläuterten Ausführungsform sind in der Multiaperturplatte illustrated embodiment are in the Multiaperturplatte 11 11 25 Öffnungen derart vorgesehen, dass im Betrieb des Vielstrahl-Teilchenmikroskops 1 eine jede der Öffnungen 25 openings are provided such that during operation of the multi-beam Teilchenmikroskops 1, each of the openings 37 37 von einem Primär-Teilchenstrahl of a primary particle beam 3 3 und einem Sekundär-Teilchenstrahl and a secondary-particle 9 9 durchsetzt wird. is penetrated.
  • Die Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 hat für den Betrieb des Vielstrahl-Teilchenmikroskops has for the operation of the multi-beam Teilchenmikroskops 1 1 eine vorteilhafte Wirkung, welche nachfolgend erläutert wird. a beneficial effect, which is explained below. Hierzu wird zunächst auf For this purpose, first on 4 4 Bezug genommen, welche Strahlengänge von Primär-Teilchenstrahlen und Sekundär-Teilchenstrahlen bei einem Vielstrahl-Teilchenmikroskops zeigt, welches eine solche Multiaperturplatte zwischen der Objektivlinse und der Objektebene nicht aufweist. Referring which beam paths of primary particle and the secondary particle is in a multi-beam Teilchenmikroskops which does not have such a Multiaperturplatte between the objective lens and the object plane.
  • 4 4 ist eine vergrößerte schematische Darstellung eines Teils eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops, um Effekte, wie sie bei herkömmlichen Vielstrahl-Teilchenmikroskopen (vergleiche beispielsweise is an enlarged schematic illustration of part of a multi-beam Teilchenmikroskops to compare effects as (in conventional multiple-beam Teilchenmikroskopen example WO 2012/041464 A1 WO 2012/041464 A1 ) auftreten können, zu erläutern. may occur) to explain. Der in in 4 4 gezeigte Teil des Vielstrahl-Teilchenmikroskops umfasst innere Enden eines unteren Polschuhs Part of the multi-beam Teilchenmikroskops shown comprises inner ends of a lower pole piece 22 22 einer Objektivlinse an objective lens 102 102 , eines oberen Polschuhs , An upper pole piece 21 21 der Objektivlinse the objective lens 102 102 , und einer Feldtrennelektrode And a field separator electrode 18 18 , sowie eine Objekthalterung And an object holder 17 17 . , Der obere Polschuh The upper pole piece 21 21 und der untere Polschuh and the lower pole piece 22 22 liegen auf unterschiedlichen elektrischen Potentialen, um ein elektrisches Feld zu erzeugen, welches in der Objektivlinse are at different electric potentials to generate an electric field in the objective lens 102 102 die Primärelektronen verzögert und die Sekundärelektronen beschleunigt. the primary electrons and the secondary electrons accelerated delayed. Ein zu untersuchendes Objekt Too object under examination 7 7 ist als ein dreidimensionales Objekt auf der Objekthalterung is provided as a three-dimensional object on the object support 17 17 so angeordnet, dass einige von fünf exemplarischen Primär-Teilchenstrahlen so arranged that some of five exemplary primary particle 3 3 nahe an einer Kante close to an edge 8 8th des Objekts the object 7 7 auf eine Oberfläche on a surface 14 14 des Objekts the object 7 7 treffen, wobei die Oberfläche meet, wherein the surface 14 14 in der Objektebene in the object plane 101 101 des Vielstrahl-Teilchenmikroskops angeordnet ist, so dass die Primär-Teilchenstrahlen of the multi-beam Teilchenmikroskops is arranged so that the primary-particle 3 3 an der Oberfläche on the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 fokussiert sind. are focused. Aus Out 4 4 ist ersichtlich, dass die in der Figur rechten drei Primär-Teilchenstrahlen im Wesentlichen geradlinig auf die Oberfläche It can be seen that the right in the figure, three primary-particle beams is substantially a straight line on the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 zu verlaufen und senkrecht auf dieser auftreffen. to run and strike perpendicular to this. Ebenso verlaufen die in der Figur rechten drei Sekundär-Teilchenstrahlen Also run the right in the figure three secondary-particle beams 9 9 im Wesentlichen senkrecht und geradlinig von der Oberfläche substantially vertically and rectilinearly from the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 weg. path. Der in der The Indian 4 4 linke Primär-Teilchenstrahl left primary particle beam 3 3 verläuft nicht geradlinig auf die Oberfläche is not straight at the surface 14 14 des Objekts zu. the object to. Vielmehr trifft dieser Primär-Teilchenstrahl Rather meets this primary particle beam 3 3 links neben seinem Soll-Auftreffort an der Oberfläche left of his target impact point on the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 auf, wobei der Soll-Auftreffort an dem Schnittpunkt zwischen der Objektebene , whereby the desired impact point at the intersection between the object plane 101 101 und einer gestrichelten Linie and a dashed line 3' 3 ' , angeordnet ist, welche den Strahlengang des linken Primär-Teilchenstrahls Is arranged, which the optical path of the left primary particle beam 3 3 repräsentiert, wenn dieser sich geradlinig auf die Oberfläche represents, when this linearly on the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 zu bewegen würde. would move. Diese Abweichung entsteht durch die Wirkung des elektrischen Feldes über der Oberfläche des Objekts This deviation is caused by the effect of the electric field above the surface of the object 7 7 in der Nähe der Kante in the vicinity of the edge 8 8th . , Dieses elektrische Feld wird im Wesentlichen durch die Geometrien und die elektrischen Potentiale des Objekts This electric field is substantially determined by the geometry and the electric potentials of the object 7 7 , der Objekthalterung , The object holder 17 17 , der Feldtrennelektrode , The field separator electrode 18 18 und der Polschuhe and pole pieces 21 21 , . 22 22 bestimmt. certainly. Dieses elektrische Feld bremst einerseits die Teilchen der Primär-Teilchenstrahlen This electric field decelerates the one hand, the particles of the primary particle 3 3 vor ihrem Auftreffen auf dem Objekt before they impinge on the object 7 7 und beschleunigt andererseits von dem Objekt and accelerated on the other hand from the object 7 7 ausgehende Sekundär-Teilchenstrahlen outgoing secondary particle 9 9 von dem Objekt from the object 7 7 weg. path. Während diese beiden gewünschten Wirkungen von der Komponente des elektrischen Feldes hervorgerufen werden, die parallel zu der Achse While these two desired effects caused by the component of the electric field that is parallel to the axis 15 15 der Objektivlinse orientiert ist, verursacht der Rand the objective lens is oriented to cause the edge 8 8th des dreidimensionalen Objekts the three dimensional object 7 7 auch Feldkomponenten, welche senkrecht zu der Achse 15 der Objektivlinse orientiert sind. even field components that are oriented perpendicular to the axis 15 of the objective lens. Diese Querkomponenten des elektrischen Feldes führen zu der Ablenkung des in This transverse electric field components lead to the deflection of the in 4 4 links dargestellten Primär-Teilchenstrahls shown on the left primary particle beam 3 3 , so dass dieser nicht an dem vorgesehenen Ort auf das Objekt So that it is not at the designated place on the object 7 7 trifft. meets. Deshalb erzeugt das Vielstrahl-Teilchenmikroskop in einer solchen Situation mit diesem Primär-Teilchenstrahl Information von einem Ort des Objekts, welcher verschieden ist von dem Ort, von dem angenommen wird, dass der Primär-Teilchenstrahl auf diesen gerichtet ist. Therefore, the multi-beam Teilchenmikroskop generated in such a situation, with this primary particle beam information from a location of the object, which is different from the place where it is assumed that the primary particle beam is directed to them.
  • Ferner ist aus Furthermore, from 4 4 ersichtlich, dass der in der seen that the in 4 4 links dargestellte Sekundär-Teilchenstrahl shown on the left secondary particle beam 9 9 , welcher in Richtung hin zu dem Detektor (nicht dargestellt in , Which is not shown in the direction (toward the detector in 4 4 ) beschleunigt wird, eine stärker gekrümmte Trajektorie aufweist. ) Is accelerated, has a more curved trajectory. Dies kann dazu führen, dass dieser Sekundär-Teilchenstrahl This can cause these secondary particle beam 9 9 nicht oder nicht vollständig auf den Detektor trifft, welcher zur Detektion dieses Sekundär-Teilchenstrahls vorgesehen ist. Which is not or not completely incident on the detector is provided for detection of this secondary particle beam. Auch aus diesem Grund wird die Information, welche durch diesen Sekundär-Teilchenstrahl über das Objekt For this reason, the information is obtained by this secondary particle beam over the object 7 7 gewonnen wird, verfälscht. is obtained falsified.
  • Diese Querkomponenten des elektrischen Feldes zwischen der Objektivlinse This transverse component of the electric field between the objective lens 102 102 und dem Objekt and the object 7 7 werden durch die Multiaperturplatte are represented by the Multiaperturplatte 11 11 (vergleiche (see 1 1 ), welche zwischen der Objektivlinse ) Interposed between the objective lens 102 102 und der Objektebene and the object plane 101 101 nahe der Objektebene near the object plane 101 101 angeordnet ist, stark reduziert. , Is arranged greatly reduced. Die The 2 2 und and 3 3 erläutern mögliche Strukturen dieser Multiaperturplatte illustrate possible structures of these Multiaperturplatte 11 11 , deren Anordnung relativ zu der Objektivlinse , Their arrangement relative to the objective lens 102 102 und Möglichkeiten, die verschiedenen Komponenten des Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops and opportunities that various components of the multi-beam Teilchenstrahlmikroskops 1 1 auf verschiedene elektrische Potentiale zu setzen. be set to different electrical potentials.
  • 2 2 zeigt in vereinfachter schematischer Darstellung eine Objektivlinse shows a simplified schematic representation of an objective lens 102 102 , welche einen Spulenkörper Which a bobbin 19 19 , einen oberen Polschuh , An upper pole piece 21 21 und einen unteren Polschuh 22 umfasst, so dass zwischen diesen ein Spalt gebildet ist, an dem ein die Primär-Teilchenstrahlen fokussierendes Magnetfeld erzeugt wird. and comprises a lower pole piece 22 so that a gap is formed between them, to which a primary-particle focussing magnetic field is generated. Die Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 ist über eine elektrisch isolierende Halterung is via an electrically insulating support 31 31 an dem unteren Polschuh at the lower pole piece 22 22 der Objektivlinse the objective lens 102 102 gehaltert und an diesen befestigt. supported and secured thereto. Alternativ zu der Befestigung der Multiaperturplatte As an alternative to fixing the Multiaperturplatte 11 11 an der Objektivlinse to the objective lens 102 102 ist es möglich, dass ein Aktuator it is possible that an actuator 23 23 vorgesehen ist, welcher die Aperturplatte aus dem Bereich zwischen der Objektivlinse 102 und der Objektebene is provided, wherein the aperture plate from the region between the objective lens 102 and the object plane 101 101 wahlweise entfernen oder dort anordnen kann, wobei die Multiaperturplatte can selectively remove or arrange therein, wherein the Multiaperturplatte 11 11 bei ihrer Anordnung zwischen der Objektivlinse when arranged between the objective lens 102 102 und der Objektebene and the object plane 101 101 durch einen geeigneten Mechanismus gegen die als Abstandshalter wirkende Halterung by a suitable mechanism against the acting as a spacer holder 31 31 gedrückt wird. is pressed. Der Aktuator the actuator 23 23 wird über eine Steuerleitung is via a control line 25 25 durch eine Steuerung by a controller 27 27 des Vielstrahl-Teilchenmikroskops the multi-beam Teilchenmikroskops 1 1 kontrolliert. controlled.
  • Die Steuerung The control 27 27 umfasst ferner ein Spannungsversorgungssystem, um den Teilchenemitter der Teilchenquelle further comprises a power supply system to the particle emitter of the particle source 301 301 auf ein erstes elektrisches Potential U1 zu setzen, den oberen Polschuh to be set to a first electrical potential U1, the top pole piece 21 21 der Objektivlinse the objective lens 102 102 auf ein zweites elektrisches Potential U2 zu setzen, die Multiaperturplatte to put on a second electric potential U2, the Multiaperturplatte 11 11 auf ein drittes elektrisches Potential U3 zu setzen, die Objekthalterung to rely on a third electrical potential U3, the object holder 17 17 mit dem darauf angeordneten Objekt with the object disposed thereon 7 7 auf ein viertes elektrisches Potential U4 zu setzen und den unteren Polschuh to put on a fourth electrical potential U4 and the lower pole piece 22 22 der Objektivlinse the objective lens 102 102 auf ein fünftes elektrisches Potential U5 zu setzen. to put on a fifth electric potential U5. Zur Zuführung der elektrischen Potentiale U1, U2, U3, U4 und U5 an den Teilchenemitter der Teilchenquelle In order to supply the electric potentials U1, U2, U3, U4 and U5 to the particle emitter of the particle source 301 301 , den oberen Polschuh , The top pole piece 21 21 , die Multiaperturplatte That Multiaperturplatte 11 11 , die Objekthalterung The object holder 17 17 und den unteren Polschuh and the lower pole piece 22 22 sind Potentialzuführungsleitungen 29 zwischen diesen Komponenten und der Steuerung are potential supply lines 29 between these components and the control 27 27 vorgesehen. intended.
  • Ein zwischen dem Ende des oberen Polschuhs One of the upper pole piece between the end 21 21 und dem Ende des unteren Polschuhs and the end of the lower pole piece 22 22 sich in der Objektivlinse erstreckender magnetischer Eisenkreis ist durch einen elektrischen Isolator in the objective lens extending magnetic iron circuit is located by an electrical insulator 24 24 getrennt, welcher es ermöglicht, den oberen und den unteren Polschuh auf unterschiedliche elektrische Potentiale U2 bzw. U5 zu setzen. separated, which makes it possible to set the upper and lower pole piece on different electrical potentials U2 and U5. Der Isolator the insulator 24 24 ist hierbei so gestaltet, dass die beiden an den Isolator is in this case designed so that the two of the insulator 24 24 angrenzenden Teile des Eisenkreises geometrisch überlappen, um einen geringen Widerstand für den magnetischen Fluss zu erreichen. overlap adjacent portions of the magnetic circuit geometry in order to achieve a low resistance to the magnetic flux.
  • Die Differenz zwischen den Potentialen U1 und U4 bestimmt die kinetische Energie, mit welcher die Teilchen des Primär-Teilchenstrahls auf das Objekt treffen. The difference between the potentials U1 and U4 determines the kinetic energy with which meet the particles of the primary particle beam onto the object. Diese Differenz kann beispielsweise Werte zwischen 50 V und 3 kV annehmen. This difference can take, for example, values ​​between 50 V and 3 kV.
  • Im Strahlengang der Primär-Teilchenstrahlen In the beam path of the primary particle 3 3 kann in der Teilchenquelle can in the particle 301 301 oder nachfolgend eine Elektrode (Anode) angeordnet sein, um die Teilchen auf eine große kinetische Energie zu beschleunigen, so dass sie die Strecke bis zur Objektivlinse be disposed an electrode (anode) or below in order to accelerate the particles to a large kinetic energy, so that the distance to the objective lens 102 102 und durch diese hindurch schnell zurücklegen. and quickly put back therethrough. Diese Elektrode kann ebenfalls auf das zweite elektrische Potential U2 gesetzt werden. This electrode can also be set to the second electrical potential U2. Die Differenz zwischen U1 und U2 bestimmt dann die kinetische Energie der Teilchen zwischen der Vielstrahl-Teilchenquelle und dem Objektiv The difference between U1 and U2 will then determine the kinetic energy of the particles between the multi-beam particle source and the objective 102 102 und kann vorteilhafterweise größer als 5 kV, größer als 15 kV oder größer als 25 kV sein. and may advantageously be greater than 5 kV, to be greater than 15 kV or higher than 25 kV. Zwischen dem oberen Polschuh Between the upper pole piece 21 21 , der auf das zweite elektrische Potential U2 gesetzt ist, und dem unteren Polschuh Which is set to the second electrical potential U2, and the lower pole piece 22 22 , der auf das fünfte elektrische Potential U5 gesetzt ist, besteht dann ein elektrisches Feld, welches die Primärteilchen auf ihrem Weg hin zu dem Objekt Which is set to the fifth electric potential U5, then there is an electrical field that the primary particles on their way toward the object 7 7 verzögert und die Sekundärteilchen auf ihrem Weg hin zu dem Detektor beschleunigt. delayed, and the secondary particles accelerated on its way to the detector. Ferner ist die Multiaperturplatte Furthermore, the Multiaperturplatte 11 11 auf das dritte elektrische Potential U3 gesetzt. set to the third electrical potential U3. Die Potentiale U2, U5 und U3, die Abstände zwischen dem oberen Polschuh The potentials U2, U5 and U3, the distances between the upper pole piece 21 21 und dem unteren Polschuh and the lower pole piece 22 22 entlang der Achse along the axis 15 15 und des unteren Polschuhs and the lower pole piece 22 22 und der Multiaperturplatte and Multiaperturplatte 11 11 entlang der Achse along the axis 15 15 sowie die Durchmesser der Öffnungen in dem oberen Polschuh and the diameter of the openings in the upper pole piece 21 21 und dem unteren Polschuh and the lower pole piece 22 22 bestimmen Stärke und Verlauf eines elektrischen Feldes oberhalb der Multiaperturplatte, das auf der optischen Achse 15 eine Feldstärke E1(z) aufweist. determine strength and flow of an electric field above the Multiaperturplatte having on the optical axis 15, a field strength E1 (z). Dieses elektrische Feld verzögert die Teilchen der Primär-Teilchenstrahlen vor dem Durchsetzen der Multiaperturplatte This electric field delays the particles of the primary particle prior to setting the Multiaperturplatte 11 11 . , Eine Differenz zwischen U2 und U3 kann beispielsweise größer als 3 kV, größer als 5 kV, größer als 8 kV, größer als 10 kV oder größer als 20 kV sein. A difference between U2 and U3 may be, for example greater than 3 kV kV, higher than 5 kV, is greater than 8 kV, higher than 10 kV or greater than the twentieth Die elektrische Feldstärke E1(z) kann beispielsweise an einem Ort z nahe oberhalb der Multiaperturplatte The electric field strength E1 (z) can close, for example, at a location above the z Multiaperturplatte 11 11 größer als 500 V/mm, größer als 1500 V/mm oder größer als 3000 V/mm sein. be greater than 500 V / mm, greater than 1500 V / mm or greater than 3000 V / mm.
  • Aufgrund einer Differenz zwischen den elektrischen Potentialen U3 und U4 entsteht zwischen der Multiaperturplatte Due to a difference between the electric potentials U3 and U4 is formed between the Multiaperturplatte 11 11 und dem Objekt and the object 7 7 ein elektrisches Feld mit einer mittleren Feldstärke E2, welches die kinetische Energie der Teilchen der Primär-Teilchenstrahlen vor deren Auftreffen auf dem Objekt an electric field having an average field strength E2 which the kinetic energy of the particles of the primary particle beams prior to their impinging on the object 7 7 weiter verringert. further reduced. Die Feldstärke E2 kann beispielsweise größer als 500 V/mm und kleiner als 1500 V/mm, kleiner als 3000 V/mm oder kleiner als 5000 V/mm sein. The field strength E2 is V / mm and less than 1500 V / mm, less than 3000, for example, be greater than 500 as V / mm or less than 5000 V / mm.
  • Die Feldstärke E1(z) des elektrischen Feldes nahe oberhalb der Multiaperturplatte The field strength E1 (z) of the electric field near above the Multiaperturplatte 11 11 kann gleich der mittleren Feldstärke E2 des elektrischen Feldes zwischen der Multiaperturplatte may equal to the mean field strength E2 of the electric field between the Multiaperturplatte 11 11 und dem Objekt and the object 7 7 sein, oder diese beiden Feldstärken können sich beispielsweise um weniger als 30 % oder weniger als 50 % voneinander unterscheiden, was in etwa auch durch die Relation 0,7 < | be, or these two field strengths can, for example, differ by less than 30% or less than 50% of each other, which is roughly by the relation 0.7 <| E1/E2 | E1 / E2 | < 1,5 ausgedrückt werden kann. <1.5 can be expressed. In diesem Fall erfahren die Primär-Teilchenstrahlen beim Durchsetzen der Öffnungen einer sehr dünnen Multiaperturplatte In this case, the primary particle experienced when passing through the orifices of a very thin Multiaperturplatte 11 11 keine oder lediglich eine geringe fokussierende oder defokussierende Wirkung. no or only a slight focusing or defocusing effect. Der Betrag der Differenz zwischen U2 und U3 kann beispielsweise größer als ein 50-faches oder größer als ein 100-faches des Betrags der Differenz zwischen U3 und U4 sein. The magnitude of the difference between U2 and U3 may be, for example, greater than a 50-fold or greater than a 100-fold the amount of the difference between U3 and U4.
  • 3 3 ist eine der is one of the 2 2 ähnliche, weiter vergrößerte Darstellung des Bereichs um die Multiaperturplatte Similarly, further enlarged view of the area around the Multiaperturplatte 11 11 , um geometrische Relationen zu erläutern. To explain geometric relations. Die Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 weist einen zentralen Bereich einer lateralen Ausdehnung D1 auf, in welchem die Öffnungen has a central region of a lateral extension D1, in which the apertures 37 37 vorgesehen sind, welche von den Primär-Teilchenstrahlen durchgesetzt werden. are provided, which are enforced by the primary particle. In der Schnittdarstellung der In the sectional representation of 3 3 enthält dieser zentrale Bereich in der Schnittebene der Figur fünf Öffnungen this central region in the section plane of the figure contains five apertures 37 37 , die von jeweils einem Primär-Elektronenstrahl That each of a primary electron beam 3 3 durchsetzt werden. are penetrated. In der Praxis kann diese Zahl wesentlich größer sein. In practice, this number may be much larger. Die Ausdehnung D1 kann beispielsweise 50 µm bis 3000 µm und insbesondere 100 µm bis 1000 µm betragen. The extension D1 may be for example 50 microns to 3000 microns and preferably 100 microns to 1000 microns. In dem Bereich der Ausdehnung D1, in welchem die von den Primär-Teilchenstrahlen In the region of the expansion D1, in which the particle beams of the primary 3 3 durchsetzten Öffnungen interspersed openings 37 37 vorgesehen sind, weist die Multiaperturplatte are provided, the Multiaperturplatte 11 11 eine Dicke von beispielsweise weniger als 40 µm, weniger als 20 µm und insbesondere weniger als 5 µm auf. a thickness of for example less than 40 microns, less than 20 microns and especially less than 5 microns. In diesem Bereich erstreckt sich die der Objektebene In this area, the object plane extends 101 101 zuweisende Oberfläche der Multiaperturplatte assigning surface of Multiaperturplatte 11 11 entlang einer Ebene, so dass sämtliche Öffnungen along a plane so that all openings 37 37 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 mit einem gleichen Abstand h1 von der Objektebene with an equal distance h1 from the object plane 101 101 bzw. der Oberfläche and the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 angeordnet sind. are arranged. Dieser Abstand h1 kann beispielsweise Werte von 200 µm, 50 µm, 30 µm, 20 µm und 10 µm aufweisen. This distance h1 may, for example, values ​​of 200 microns, 50 microns, 30 microns, 20 microns and 10 .mu.m.
  • Der Bereich mit den Öffnungen The area with the openings 37 37 , welche von den Primär-Teilchenstrahlen That of the primary particle 3 3 durchsetzt werden, kann von zusätzlichen Öffnungen are traversed, can be of additional openings 38 38 in der Multiaperturplatte in Multiaperturplatte 11 11 umgeben sein, welche beispielsweise eine periodische Fortsetzung eines Musters der von den Primär-Teilchenstrahlen be surrounded, which for example, a periodic continuation of a pattern of the primary particle 3 3 durchsetzten Öffnungen interspersed openings 37 37 bilden können. can form.
  • Da die Multiaperturplatte Since the Multiaperturplatte 11 11 in dem Bereich mit den von den Primär-Teilchenstrahlen 3 durchsetzten Öffnungen in the area with the through by the primary particle openings 3 37 37 sehr dünn ist und sehr nahe an der Objektebene is very thin and very close to the object plane 101 101 angeordnet ist, kann es vorteilhaft sein, diesen Bereich durch einen Halterungsbereich 33 der Multiaperturplatte is arranged, it may be advantageous to this region by a holding portion 33 of the Multiaperturplatte 11 11 zu umgeben, welcher mit einem größeren Abstand h2 von der Objektebene to surround which at a greater distance h2 from the object plane 101 101 angeordnet ist und eine größere Dicke aufweisen kann, um eine größere mechanische Stabilität zu bieten. is arranged, and may have a greater thickness to provide a greater mechanical stability. In diesem Bereich In this area 33 33 liegt auch das Anschlagselement is also the stop element 31 31 an der Multiaperturplatte at the Multiaperturplatte 11 11 an, welches die Multiaperturplatte 11 relativ zu dem unteren Polschuh at which the lower Multiaperturplatte 11 relative to the pole piece 22 22 der Objektivlinse the objective lens 102 102 abstützt. supported.
  • Zwischen dem zentralen Bereich, in dem die Öffnungen Between the central region, in which the openings 37 37 , . 38 38 angeordnet sind und dem Halterungsbereich are arranged and the support portion 33 33 kann ein Übergangsbereich may be a transition area 35 35 angeordnet sein, in welchem die Dicke der Multiaperturplatte be arranged, in which the thickness of Multiaperturplatte 11 11 hin zum Halterungsbereich towards the holding area 33 33 zunimmt und/oder der Abstand zur Objektebene increases and / or the distance to the object plane 101 101 zunimmt. increases. Dieser Übergangsbereich erstreckt sich in einem Ring zwischen dem zentralen Bereich mit dem Durchmesser D2 und dem inneren Rand des Halterungsbereichs This transition region extends in a ring between the central region with the diameter D2 and the inner edge of the support portion 33 33 mit einem Durchmesser D3. with a diameter D3. D2 kann beispielsweise eineinhalbmal größer, zweimal größer oder dreimal größer als D1 sein. D2 may be, for example, one and a half times larger, or greater than three times larger than D1.
  • Der Abstand P1 von Zentren einander benachbarter Öffnungen The pitch P1 of centers of adjacent orifices 37 37 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 („Pitch“) wurde bereits im Zusammenhang mit ( "Pitch") has been associated with 1 1 erläutert. explained. Der Abstand h1 der Multiaperturplatte The distance h1 of Multiaperturplatte 11 11 von der Objektebene from the object plane 101 101 kann beispielsweise kleiner als das 10-fache, kleiner als das 4-fache oder kleiner als das 1,5-fache des Abstands P1 der Öffnungen may for example be less than 10 times, less than 4 times or less than 1.5 times the spacing P1 of the openings 37 37 voneinander sein. from each other.
  • Das Vielstrahl-Teilchenmikroskop umfasst einen Aktuator The multi-beam Teilchenmikroskop includes an actuator 39 39 , welcher die Objekthalterung , Wherein the object holder 17 17 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 verlagert. relocated. Dieser Aktuator ist über eine Steuerleitung This actuator is via a control line 41 41 an eine Steuerung (in to a control (in 3 3 nicht gezeigt) angeschlossen. not shown).
  • Durch Ansteuern des Aktuators By driving the actuator 39 39 kann die Steuerung die Objekthalterung the control, the object holder 17 17 und damit das Objekt and thus the object 7 7 in drei Raumrichtungen relativ zu der Objektivlinse verlagern. move relative to the objective lens in three dimensions. Hierdurch ist es insbesondere möglich, den Abstand h1 der Oberfläche This makes it possible in particular, the distance h1 of the surface 14 14 des Objekts 7 von der Multiaperturplatte of the object 7 from the Multiaperturplatte 11 11 auf einen gewünschten Wert einzustellen. to a desired value. Hierzu ist es wünschenswert, den aktuellen Wert des Abstands h1 zu messen und die Steuerung des Aktuators in Abhängigkeit von dem gemessenen Wert des Abstands h1 durchzuführen, weshalb das Vielstrahl-Teilchenmikroskop For this purpose, it is desirable to measure the actual value of the distance h1 and perform the control of the actuator in dependence on the measured value of the distance h1, which is why the multi-beam Teilchenmikroskop 1 1 ferner ein Abstandsmessmodul umfassen kann. may further comprise a distance measuring module.
  • In dem anhand der In reference to the 3 3 erläuterten Ausführungsbeispiel umfasst das Abstandsmessmodul eine Strahlungsquelle illustrated embodiment, the distance measuring module comprises a radiation source 43 43 und einen Strahlungsdetektor and a radiation detector 45 45 , welcher über eine Signalleitung Which via a signal line 46 46 an die Steuerung to controller 27 27 angeschlossen ist. connected. Die Strahlungsquelle The radiation source 43 43 emittiert Strahlung emits radiation 44 44 in den Spalt zwischen der Multiaperturplatte in the gap between the Multiaperturplatte 11 11 und dem Objekt and the object 7 7 , wobei diese Strahlung Wherein this radiation 44 44 von dem Strahlungsdetektor by the radiation detector 45 45 nach Durchlaufen des Spalts detektiert wird. is detected after passing through the gap. Die von dem Detektor Of the detector 45 45 detektierte Strahlungsintensität hängt von der Breite des Spalts, dh dem Abstand h1 zwischen der Multiaperturplatte detected radiation intensity depends on the width of the gap, ie the distance h1 between the Multiaperturplatte 11 11 und der Oberfläche des Objekts and the surface of the object 7 7 ab. from. Insbesondere ist die Ausbreitung von Strahlung in dem Spalt für Wellenlängen der Strahlung In particular, the propagation of radiation in the gap for wavelengths of radiation 44 44 , welche größer sind als eine Grenzwellenlänge, die gleich zweimal h1 ist, nicht möglich. Which are greater than a cutoff wavelength equal to twice h1, not possible. Deshalb ist es möglich, den Abstand h1 mit hoher Empfindlichkeit so einzustellen, dass er gleich dem 0,5-fachen der Wellenlänge der Strahlung Therefore, it is possible to adjust the distance h1 with high sensitivity so that it is equal to 0.5 times the wavelength of the radiation 44 44 ist. is. Die Strahlungsquelle The radiation source 43 43 wird dann vorteilhafter Weise in Abhängigkeit von dem gewünschten Abstand h1 ausgewählt. then advantageously selected depending upon the desired distance h1. Beispielsweise kann die Strahlungsquelle For example, the radiation source 43 43 ein CO2-Laser sein, dessen emittierte Strahlung eine Wellenlänge von 10,6 µm aufweist. be a CO2 laser whose emitted radiation has a wavelength of 10.6 microns.
  • Alternativ und ergänzend hierzu kann der Abstand h1 auf folgende Weise gemessen werden: Die Steuerung betreibt das Vielstrahl-Teilchenmikroskop zunächst so, dass einer oder mehrere oder sämtliche der Teilchenstrahlen jeweils durch die dem Teilchenstrahl zugeordnete Öffnung Alternatively, and in addition thereto, the distance can be measured h1 in the following manner: The control operates the multi-beam Teilchenmikroskop first so that one or more or all of the particle beams respectively assigned by the particle beam aperture 37 37 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 hindurch auf die Oberfläche pass on the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 treffen. to meet. Dort werden die Teilchenstrahlen fokussiert. There, the particle beams are focused. Das Fokussieren kann beispielsweise dadurch erfolgen, dass mit den Teilchenstrahlen ein kleines Feld auf der Oberfläche des Objekts abgerastert wird, welches Strukturen enthält. The focus may for example take place in that a small field is scanned on the surface of the object with the particle containing structures. Diese Strukturen sind dann in dem elektronenmikroskopischen Bild dieses Felds erkennbar. These structures are then visible in the electron micrograph of this field. Es kann die Fokussierung der Teilchenstrahlen einzeln oder gemeinsam solange verändert werden, bis eine Bildschärfe der Strukturen in dem Bild maximal wird. It may be the focus of the particle beams individually or jointly changed until a maximum image sharpness of the structures is in the image. Es kann angenommen werden, dass in diesem Fall die Fokussierung des oder der Teilchenstrahlen optimal ist. It can be assumed that in this case the focus of the particle or is optimal. Die Fokussierung der Teilchenstrahlen kann mit Hilfe einer geeigneten Autofokus-Routine automatisiert erfolgen. The focus of the particle beams can be automated using a suitable autofocus routine. Basierend auf den aufgenommenen Bildern kann hierbei automatisiert beurteilt werden, bei welcher Einstellung die Bildschärfe maximal ist. Based on the captured images can be judged automatically here as to where the focus is maximum. Das Bestimmen dieser Einstellung ist ein Teil des zur Messung des Abstands durchgeführten Verfahrens. Determining this setting is part of the process performed to measure the distance method. Andere Strategien zur Fokussierung der Teilchenstrahlen sind denkbar. Other strategies to focus the particle beams are also conceivable. Zur Änderung der Fokussierung der Teilchenstrahlen können beispielsweise Einstellungen von Erregungen von fokussierenden Linsen im Strahlengang der Teilchenstrahlen oder von beschleunigenden oder verzögernden elektrischen Feldern in den Strahlengängen der Teilchenstrahlen und dergleichen verändert werden. Amending focusing the particle settings example of excitations of focusing lenses in the beam path of the particle beams or by accelerating or decelerating electric fields in the beam paths of the particle beams and the like are changed can. Die Einstellungen der Erregungen und/oder elektrischen Felder und/oder anderer die Teilchenstrahlen beeinflussender Effekte, bei denen die Fokussierung des oder der Teilchenstrahlen an dem Objekt erreicht wird, werden gespeichert. The settings of the excitations and / or electric fields and / or other particle beams influencing effects where the focusing of the particle or is achieved on the object are stored.
  • Daraufhin betreibt die Steuerung das Vielstrahl-Teilchenmikroskop so, dass einer oder mehrere der Teilchenstrahlen neben die dem jeweiligen Teilchenstrahl zugeordnete Öffnung auf die Multiaperturplatte selbst gerichtet werden und dort nach dem vorangehend erläuterten Verfahren fokussiert werden. Thereafter, the controller operates the multi-beam Teilchenmikroskop so that one or more of the particle beams are directed next to the assigned to the respective opening on the particle Multiaperturplatte itself and there are focused by the above-explained method. Als Struktur, deren Bildschärfe in einem elektronenmikroskopischen Bild ausgewertet werden kann, kann beispielsweise die Kante bzw. der Rand einer Öffnung As a structure, the image sharpness can be evaluated in an electron microscopic image, such as the edge or the edge of an opening can 37 37 in der Multiaperturplatte in Multiaperturplatte 11 11 dienen, oder es können geeignete Strukturen durch Gravieren oder Ätzen oder dergleichen auf der von dem Objekt are used, or suitable structures by engraving or etching or the like on the on the object 7 7 wegweisenden Oberfläche der Multiaperturplatte pioneering surface of Multiaperturplatte 11 11 gezielt angebracht werden. be specifically attached. Auch diese Fokussierung der Teilchenstrahlen kann mit Hilfe einer geeigneten Autofokus-Routine automatisiert erfolgen, wie dies vorangehend erläutert wurde. These focus the particle beams can be automated using a suitable autofocus routine, as discussed above. Basierend auf aufgenommenen Bildern kann hierbei wiederum automatisiert beurteilt werden, bei welcher Einstellung die Bildschärfe maximal ist. Based on recorded images can be judged automated case once again as to where the focus is maximum. Das Bestimmen dieser Einstellung ist ein weiterer Teil des zur Messung des Abstands h1 zwischen der Multiaperturplatte Determining this setting is another part of the measurement of the distance h1 between the Multiaperturplatte 11 11 und dem Objekt and the object 7 7 durchgeführten Verfahrens. process carried out. Die beiden Einstellungen zur Fokussierung des oder der Teilchenstrahlen auf der Multiaperturplatte und zur Fokussierung der Teilchenstrahlen auf dem Objekt unterscheiden sich und können miteinander verglichen werden. The two settings to focus the particle beams or on the Multiaperturplatte and to focus the particle beams on the object are different and can be compared. Bei geeigneter Kalibrierung kann aus diesen Einstellungen und ihren Unterschieden der Abstand h1 der Multiaperturplatte With suitable calibration of Multiaperturplatte can from these settings and their differences, the distance h1 11 11 von der Oberfläche from the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 bestimmt werden. be determined. Sätze von Werten, welche die beiden Einstellungen angeben, oder Sätze von Werten, welche die Unterschiede zwischen den beiden Einstellungen angeben, oder Werte, welche bereits den Abstand h1 zwischen der Multiaperturplatte und dem Objekt in einer geeigneten Längeneinheit angeben, bilden selbst ein Ergebnis der Abstandsmessung und sind deshalb geeignet, ein Abstandsmesssignal bereitzustellen. Sets of values ​​indicative of the two settings, or sets of values ​​indicative of the differences between the two settings, or values ​​which already indicate the distance h1 between the Multiaperturplatte and the object in a suitable length unit, itself form a result of distance measurement and are therefore suitable to provide a distance measuring signal. Die Ansteuerung des Aktuators The control of the actuator 39 39 kann deshalb basierend auf diesem Abstandsmesssignal erfolgen, welches aus der Einstellung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops beim Fokussieren des Teilchenstrahls auf das Objekt und der Einstellung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops beim Fokussieren des Teilchenstrahls auf die Multiaperturplatte bestimmt wird. can therefore be carried out based on this distance-measuring signal, which is determined from the setting of the multi-beam Teilchenmikroskops in focusing the particle beam onto the object and the setting of the multi-beam Teilchenmikroskops in focusing the particle beam onto the Multiaperturplatte. Das Abstandsmessmodul kann somit in der Steuerung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops verkörpert sein, welche den Betrieb des Vielstrahl-Teilchenmikroskops kontrolliert. The distance measuring module can thus be embodied in the controller of the multi-beam Teilchenmikroskops which controls the operation of the multi-beam Teilchenmikroskops.
  • Um mit dem Vielstrahl-Teilchenmikroskop To use the multi-beam Teilchenmikroskop 1 1 ein elektronenmikroskopisches Bild des Objekts an electron microscopic image of the object 7 7 zu gewinnen, müssen die Auftrefforte To win the impingement must 5 5 der Primär-Teilchenstrahlen the primary particle 3 3 systematisch über die Oberfläche systematically over the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 bewegt werden, dh die Oberfläche 14 des Objekts be moved, ie the surface 14 of the object 7 7 muss mit den Primär-Teilchenstrahlen must be the primary particle 3 3 abgerastert werden. be scanned. Hierzu umfasst das Vielstrahl-Teilchenmikroskop For this purpose, includes multi-beam Teilchenmikroskop 1 1 Strahlablenker deflector 49 49 (siehe (please refer 2 2 ), welche beispielsweise innerhalb der Objektivlinse ) Which, for example, within the objective lens 102 102 angeordnet sein können, um das Bündel von Primär-Teilchenstrahlen may be arranged around the bundle of primary particle 3 3 abzulenken, wie dies bei Rasterelektronenmikroskopen üblich ist. distracting, as is usual with scanning electron microscopes. Da die Primär-Teilchenstrahlen die Öffnungen Since the primary-particle beams, the openings 37 37 in der Multiaperturplatte in Multiaperturplatte 11 11 durchsetzen müssen, um auf die Oberfläche have to enforce order on the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 zu gelangen, ist die maximale Strahlauslenkung durch die Durchmesser der Öffnungen to reach the maximum beam deflection is determined by the diameter of the orifices 37 37 begrenzt. limited. Entsprechend können die Bereiche der Oberfläche Accordingly, the areas of the surface can 14 14 des Objekts the object 7 7 , welche nicht unterhalb der Öffnungen Which is not below the openings 37 37 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 angeordnet sind, nicht vollständig abgerastert werden. are arranged, are not completely scanned. Allerdings ist es möglich, das Objekt However, it is possible the object 7 7 mithilfe des Aktuators using the actuator 39 39 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 lateral zu verlagern, um die Oberfläche to shift laterally to the surface 14 14 des Objekts nach und nach vollständig abzurastern, wie dies nachfolgend anhand der Figuren5 und 6 näher erläutert wird. of the object after and abzurastern to complete, as is hereinafter with reference to the Figuren5 and explained in more detail. 6
  • 5 5 zeigt eine dem vergrößerten Ausschnitt I 1 der shows the enlarged detail I 1 of 1 1 entsprechende Draufsicht auf die Objektebene corresponding plan view of the object plane 101 101 , wobei Auftrefforte der Primärteilchenstrahlen, welche durch Ablenker in der Objektivlinse oder andere Ablenker nicht ausgelenkt sind, durch Kreuze Wherein the impingement Primärteilchenstrahlen which are not deflected by deflector in the objective lens or other deflector, by crosses 5 5 dargestellt sind. are shown. Auch in Also in 5 5 werden zur Vereinfachung der Darstellung lediglich 5 × 5 = 25 Primärstrahlen gezeigt. only 5 x 5 = are shown primary radiation 25 for ease of illustration. Wie vorangehend erläutert, kann diese Zahl wesentlich größer sein. As explained above, this number may be much larger. Es sei angenommen, dass die Öffnungen It is assumed that the openings 37 37 in der Multiaperturplatte in Multiaperturplatte 11 11 so groß sind, dass durch Auslenken der Teilchenstrahlen ein Objektfeld are such that by deflecting the particle beams an object field 1151 1151 in der Umgebung des Auftreffortes in the area of ​​impingement 5 5 des nicht ausgelenkten Teilchenstrahls abgerastert werden kann, wobei für lediglich zwei Teilchenstrahlen die Objektfelder the undeflected particle beam can be scanned, wherein the object fields for only two particle beams 1151 1151 in in 5 5 dargestellt sind. are shown. In dem Ausführungsbeispiel der In the embodiment of 5 5 beträgt die Kantenlänge der Objektfelder is the edge length of the object fields 1151 1151 etwas mehr als die Hälfte des in dem vergrößerten Ausschnitt I 1 in slightly more than half of the in in the enlarged section I 1 1 1 dargestellten Abstands p1. Distance represented p1. Es ist ersichtlich, dass bei einem derart kleinen Objektfeld 115 1 mit den Teilchenstrahlen nur ein Bruchteil des in It is apparent that in such a small object field 115 1 with the particle only a fraction of the in 5 5 dargestellten Bereichs der Objektebene Area of ​​the object plane represented 101 101 abgerastert werden kann, wenn das Objekt can be scanned when the object 7 7 nicht relativ zu der Objektivlinse not relative to the objective lens 102 102 verlagert wird. is displaced. Deshalb wird nach dem Abrastern der Objektfelder 115 1 und der Gewinnung der teilchenmikroskopischen Information aus diesen Objektfeldern 115 1 das Objekt Therefore, the object fields 115 1 and the extraction of information from these teilchenmikroskopischen object fields 115 1, after the scanning of the object 7 7 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 so verlagert, dass die in so moved that in 5 5 mit 1152 bezeichneten Felder des Objekts so angeordnet sind, dass die Auftrefforte are arranged at 1152 designated fields of the object so that the impingement 5 5 der nicht ausgelenkten Teilchenstrahlen im Zentrum der Felder the undeflected particle beams in the center of the fields 1152 1152 liegen. lie. Diese Felder these fields 1152 1152 fallen dann mit den Objektfeldern der jeweiligen Teilchenstrahlen zusammen und können abgerastert werden. then coincide with the object fields of each particle and can be scanned. Dieser Vorgang wird wiederholt, indem durch Verlagern des Objekts This process is repeated by moving the object through 7 7 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 nachfolgend die mit 1153 und dann die mit 1154 bezeichneten Felder des Objekts subsequently with 1153 and then the fields denoted by 1154 of the object 7 7 abgerastert werden. be scanned. Da dieses Verfahren parallel mit allen 25 Teilchenstrahlen ausgeführt wird, ist dann die Fläche unterhalb der Multiaperturplatte vollständig abgerastert. Since this method is performed in parallel with all 25 particle, the surface is then completely scanned beneath the Multiaperturplatte. Daraufhin wird das Objekt Then, the object 7 7 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 weit verlagert, um nächste, bislang nicht abgerasterte Felder far shifted to the next, not so far abgerasterte fields 1155 1155 so anzuordnen, dass die Auftrefforte so arranged that the impingement 5 5 der nicht ausgelenkten Teilchenstrahlen in den jeweiligen Zentren der Felder the undeflected particle beams in the centers of the fields 1155 1155 angeordnet sind, so dass die Felder are arranged so that the fields 1155 1155 mit den Objektfeldern der jeweiligen Teilchenstrahlen zusammenfallen und abgerastert werden können. may be coincident with the object fields of the respective particle beams and scanned. Es ist ersichtlich, dass auf diese Weise die Oberfläche It can be seen that in this way the surface 14 14 des Objekts 7 vollständig mit Teilchenstrahlen abgerastert werden kann. of the object 7 can be completely scanned with particle beams. Die Objektfelder The object fields 115 115 haben bevorzugt einander überlappende Randbereiche (in have preferably overlapping peripheral areas (in 5 5 nicht dargestellt). not shown). Dies verringert die Anforderungen an die Positioniergenauigkeit beim Verlagern des Objekts This reduces the demands on positioning during the displacement of the object 7 7 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 . , Die Objektfelder The object fields 115 115 werden mit Hilfe der abgebildeten Strukturen der überlappenden Randbereiche positionskorrigiert aneinandergefügt. are joined position corrected with the aid of the imaged structures of the overlapping edge portions.
  • In dem anhand der In reference to the 5 5 erläuterten Verfahren wird das Objekt relativ zu der Objektivlinse dreimal hintereinander um einen kleinen Schritt, dessen Schrittweite ein Bruchteil des Abstands zwischen zwei benachbarten Teilchenstrahlen in der Ebene der Multiaperturplatte method explained is the object relative to the objective lens three times in succession by a small step, whose increment a fraction of the distance between two adjacent particle in the plane of Multiaperturplatte 11 11 ist, verlagert, um nacheinander die Bereiche 115 1 , 1152, 1153 und 1154 abzuscannen, woraufhin das Objekt um einen großen Schritt verlagert wird, um die Felder 115 5 abzurastern usw.. Die Verlagerung des Objekts relativ zu der Objektivlinse erfolgt somit schrittweise, in verschieden großen Schritten und Schritten in verschiedene Richtungen. is shifted to sequentially scan the areas 115 1, 1152, 1153 and 1154, after which the object is displaced by a large step to scan the fields 115 5 etc .. The displacement of the object is relative to the objective lens thus gradually in different size steps and steps in different directions. Es sei angemerkt, dass in Fällen, in welchen die Größe der Öffnungen It should be noted that in cases in which the size of the openings 37 37 in der Multiaperturplatte in Multiaperturplatte 11 11 kleinere Objektfelder verlangt, anstatt der in smaller object fields required instead of in 5 5 gezeigten vier Felder 115 1 , 115 2 , 115 3 und 115 4 eine größere Zahl von Feldern, beispielsweise 3 × 3 = 9 Feldern oder 3 ×4 = 12 Feldern, mit Verlagerungen in kleinen Schritten abgerastert werden können, um das Objekt shown four fields 115 1, 115 2, 115 3 and 115 4, a larger number of fields, for example, 3 × 3 = 9 fields or 3 x 4 = 12 fields can be scanned with displacements in small increments to the object 7 7 vollständig abzurastern. fully abzurastern.
  • Ein Verfahren, mit welchem große Teile der Oberfläche des Objekts bei einer im Wesentlichen gleichförmigen Bewegung des Objekts relativ zu der Objektivlinse abgerastert werden kann, wird nachfolgend anhand der A method with which large parts of the surface of the object can be scanned at a substantially uniform movement of the object relative to the objective lens is below with reference to 6 6 erläutert. explained. 6 6 ist eine der is one of the 5 5 dahingehend entsprechende Darstellung, dass eine Draufsicht auf die Objektebene the effect representation corresponding to a plan view of the object plane 101 101 gezeigt ist und Auftrefforte von nicht ausgelenkten Teilchenstrahlen durch Kreuze is shown and impingement of undeflected particle by crosses 5 5 dargestellt sind. are shown. Die Auftrefforte the impingement 5 5 der nicht ausgelenkten Teilchenstrahlen sind in einem Rechteckgitter angeordnet, dessen Gittervektoren in the undeflected particle beams are arranged in a rectangular lattice whose lattice vectors in 6 6 durch Pfeile x und y dargestellt sind. are represented by arrows x and y. Die Verlagerung des Objekts relativ zu der Objektivlinse erfolgt in eine Richtung, welche durch einen Pfeil v repräsentiert ist, welcher unter einem Winkel α relativ zu dem Gittervektor x orientiert ist. The displacement of the object relative to the objective lens is performed in a direction represented by an arrow v, x which is oriented at an angle α relative to the grating vector. Während die gleichförmige Bewegung des Objekts While the uniform movement of the object 7 7 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 durchgeführt wird, werden die Teilchenstrahlen jeweils in eine Richtung senkrecht zu dem Vektor v ausgelenkt, so dass ein jeder Teilchenstrahl einen bandförmigen Flächenbereich is carried out, the particle beams are respectively deflected in a direction perpendicular to the vector v, so that each particle beam a band-shaped area 119 119 einer Breite b der Oberfläche a width b of the surface 14 14 des Objekts the object 7 7 abrastert. scans. Der Winkel α ist so bemessen, dass bei einer gegebenen Breite b der bandförmigen Flächenbereiche The angle α is dimensioned such that at a given width b of the strip-shaped surface regions 119 119 der durch den linken Teilchenstrahl der untersten Reihe von Teilchenstrahlen in of the particle beam through the left of the lowermost row of particle beams in 6 6 abgerasterte bandförmige Flächenbereich abgerasterte band-shaped area 119 119 an den von dem rechten Teilchenstrahl in der zweiten Reihe von unten abgerasterten bandförmigen Flächenbereich to the right of the particle beam in the second series of scanned downward band-like surface region 119 119 anschließt oder mit diesem geringfügig überlappt. adjoins or overlaps slightly with this. In In 6 6 sind der Übersichtlichkeit halber lediglich vier der bandförmigen Flächenbereiche for clarity, only four of the strip-shaped surface regions 119 119 dargestellt, es ist allerdings ersichtlich, dass mit einer gleichförmigen Bewegung des Objekts relativ zu der Objektivlinse ein Streifen des Objekts abgerastert werden kann, dessen Breite in etwa der Ausdehnung des Feldes der Auftrefforte shown, however, it is apparent that a strip of the object can be of the objective lens with a uniform movement of the object relative be scanned, its width approximately to the extent of the field of the impingement 5 5 der nicht ausgelegten Teilchenstrahlen entspricht. of not designed particle corresponds. Mehrere solcher nebeneinander liegender oder geringfügig miteinander überlappender Streifen können nacheinander abgerastert werden, um die Oberfläche eines beliebig ausgedehnten Objekts abzurastern. A plurality of such adjacent or slightly overlapping each other strips can be scanned sequentially to scan the surface of an arbitrarily extended object.
  • Die maximale Auslenkung der Primär-Teilchenstrahlen The maximum deflection of the primary particle 3 3 ist insbesondere dann durch die Durchmesser der Öffnungen is particularly by the diameter of the orifices 37 37 begrenzt, wenn die Multiaperturplatte limited when the Multiaperturplatte 11 11 relativ zu der Objektivlinse relative to the objective lens 102 102 fest angeordnet ist. is fixed. In In 3 3 ist eine Alternative hierzu schematisch dargestellt, welche eine laterale Verlagerung der Multiaperturplatte an alternative is for this purpose shown schematically which a lateral displacement of the Multiaperturplatte 11 11 gemeinsam mit der Auslenkung der Primär-Teilchenstrahlen durch die Strahlablenker together with the deflection of the primary particle beams by the beam deflector 49 49 ermöglicht. allows. Ein über eine Steuerleitung A via a control line 51 51 von der Steuerung by the controller 27 27 kontrollierter Aktuator controlled actuator 53 53 ist an den Halterungsbereich is the holding area 33 33 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 gekoppelt, um diese bezüglich der Objektivlinse coupled to this with respect to the objective lens 102 102 lateral hin und her zu verlagern, wie dies in to move laterally back and forth, as in 3 3 durch einen Doppelpfeil by a double arrow 54 54 angedeutet ist. is indicated. Eine solche Verlagerung der Multiaperturplatte Such displacement of the Multiaperturplatte 11 11 ist vor allem bei Ausführungsformen möglich, die die Halterung is possible, especially in embodiments which support the 31 31 , welche den Halterungsbereich That the support area 33 33 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 relativ zu dem unteren Polschuh relative to the lower pole piece 22 22 der Objektivlinse the objective lens 102 102 abstützt, nicht aufweisen. is supported, do not have. Die Steuerung The control 27 27 kontrolliert dann die laterale Verlagerung der Multiaperturplatte then controls the lateral displacement of the Multiaperturplatte 11 11 derart, dass die Öffnungen such that the openings 37 37 der Multiaperturplatte the Multiaperturplatte 11 11 , welche von den Primär-Teilchenstrahlen That of the primary particle 3 3 durchsetzt werden, bei deren Auslenkung durch den Strahlablenker are penetrated, at the deflection by the deflector 49 49 mitbewegt werden. be moved. Es ist dann möglich, die Durchmesser der Öffnungen It is then possible, the diameter of the openings 37 37 kleiner zu wählen. to choose smaller.

Claims (24)

  1. Vielstrahl-Teilchenmikroskop, umfassend: eine Vielstrahl-Teilchenquelle (300), welche dazu konfiguriert ist, eine Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) zu erzeugen; Multibeam Teilchenmikroskop, comprising: a multi-beam particle source (300) which is configured to a plurality of primary-particle beams (3) to produce; eine Objektivlinse (102), welche von Strahlengängen der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) durchsetzt ist und dazu konfiguriert ist, die Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) jeweils auf eine Objektebene (101) zu richten und dort zu fokussieren; an objective lens (102) which is traversed by beam paths of the plurality of primary-particle beams (3) and is configured to direct the plurality of primary-particle beams (3) each on an object plane (101) and to focus there; eine Detektoranordnung (200), welche dazu konfiguriert ist, Intensitäten einer Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen (9) zu detektieren, wobei ein jeder der Sekundär-Teilchenstrahlen (9) durch Teilchen erzeugbar ist, die durch einen der Primär-Teilchenstrahlen (3) an einem in der Objektebene (101) anordenbaren Objekt (7) hervorgerufen werden, wobei Strahlengänge der Sekundär-Teilchenstrahlen (9) die Objektivlinse (102) durchsetzen; a detector array (200) that is configured to detect intensities of a plurality of secondary particle (9), wherein each of the secondary particle (9) can be produced by particles passing through one of the primary particle beam (3) one can be arranged in the object plane (101) object caused (7), wherein beam paths of the secondary particle (9) pass through the objective lens (102); eine zwischen der Objektivlinse (102) und der Objektebene (101) angeordnete Multiaperturplatte (11), welche eine Mehrzahl von Öffnungen (37) aufweist, eine Elektrode (21), welche zwischen der Vielstrahl-Teilchenquelle (300) und der Multiaperturplatte (11) angeordnet ist und eine Öffnung aufweist, und ein Spannungsversorgungssystem (27); arranged a between the objective lens (102) and the object plane (101) Multiaperturplatte (11), which has a plurality of openings (37), an electrode (21) disposed between the multi-beam particle source (300) and the Multiaperturplatte (11) is disposed and having an opening, and a power supply system (27); wobei verschiedene Öffnungen (37) der Multiaperturplatte (11) von Strahlengängen verschiedener Primär-Teilchenstrahlen (3) durchsetzt sind, wobei verschiedene Öffnungen (37) der Multiaperturplatte (11) von Strahlengängen verschiedener Sekundär-Teilchenstrahlen (9) durchsetzt sind, wobei die Öffnung der Elektrode (21) von den Strahlengängen der Vielzahl von Primär-Teilchenstrahlen (3) und von den Strahlengängen der Vielzahl von Sekundär-Teilchenstrahlen (9) durchsetzt ist, wobei das Spannungsversorgungssystem (27) dazu konfiguriert ist, einen Teilchenemitter der Vielstrahl-Teilchenquelle (300) auf ein erstes elektrisches Potential (U1) zu setzen, die Elektrode (21) auf ein zweites elektrisches Potential (U2) zu setzen, die Multiaperturplatte (11) auf ein drittes elektrisches Potential (U3) zu setzen, und ein an der Objektebene (101) anordenbares Objekt (7) auf ein viertes elektrisches Potential (U4) zu setzen, und wobei gilt: wherein different openings (37) of the Multiaperturplatte (11) of optical paths of different primary particle beams (3) are penetrated, with different apertures (37) are interspersed with the Multiaperturplatte (11) of optical paths of different secondary particle (9), wherein the opening of the electrode (21) is passed through by the beam paths of the plurality of primary-particle beams (3) and of the optical paths of the plurality of secondary particle (9), wherein said power supply system (27) is configured to a particle emitter of the multi-beam particle source (300 to set) to a first electrical potential (U1), the electrode (21) to a second electric potential (U2) to put the Multiaperturplatte (11) to a third electrical potential (U3) to set, and a (at the object plane 101) which can be arranged object (7) on a fourth electrical potential (U4) to set, and wherein: 50 50 V< V < | | U1 U1 - U4 U4 | | < < 3 3 kV kV , .
    Figure DE102016120902B4_0003
    wobei U1 das erste elektrische Potential ist und U4 das vierte elektrische Potential ist. where U1 is the first electric potential and U4 is the fourth electric potential.
  2. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 1 claim 1 , wobei die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen größer als 50 ist und die Anzahl der Primär-Teilchenstrahlen (3), die die gleiche Öffnung (37) der Mehrzahl von Öffnungen der Multiaperturplatte (11) durchsetzen, kleiner als 10 ist, insbesondere kleiner als 5 ist und insbesondere gleich 1 ist. Wherein the number of the primary particle is greater than 50 and which pass through the same opening (37) of the plurality of openings of the Multiaperturplatte (11) the number of the primary particle beam (3), is less than 10, especially less than 5 and in particular is equal to 1.
  3. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 1 claim 1 oder or 2 2 , wobei gilt: , Where: 5 5 kV< kV < | | U U 1 1 - U U 2 2 | |
    Figure DE102016120902B4_0004
    oder or 15 15 kV< kV < | | U U 1 1 - U U 2 2 | |
    Figure DE102016120902B4_0005
    oder or 25 25 kV< kV < | | U U 1 1 - U U 2 2 | | , .
    Figure DE102016120902B4_0006
    wobei U1 das erste elektrische Potential ist und U2 das zweite elektrische Potential ist. where U1 is the first electric potential and U2 is the second electric potential.
  4. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 3 3 , wobei gilt: , Where: 3kV< 3 kV < | | U2 U2 - U3 U3 | |
    Figure DE102016120902B4_0007
    oder or 5kV< 5kV < | | U2 U2 - U3 U3 | |
    Figure DE102016120902B4_0008
    oder or 8kV< 8kV < | | U2 U2 - U3 U3 | |
    Figure DE102016120902B4_0009
    oder or 10kV< 10kV < | | U2 U2 - U3 U3 | |
    Figure DE102016120902B4_0010
    oder or 20kV< 20kV < | | U2 U2 - U3 U3 | | , .
    Figure DE102016120902B4_0011
    wobei U2 das zweite elektrische Potential ist und U3 das dritte elektrische Potential ist. wherein U2 is the second electric potential and U3 is the third electrical potential.
  5. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 4 4 , wobei gilt: , Where: 50 50 < < | | U2 U2 - U3 U3 | | / / | | U3 U3 - U4 U4 | |
    Figure DE102016120902B4_0012
    oder or 100 100 < < | | U2 U2 - U3 U3 | | / / | | U3 U3 - U4 U4 | | , .
    Figure DE102016120902B4_0013
    wobei U2 das zweite elektrische Potential ist, U3 das dritte elektrische Potential ist und U4 das vierte elektrische Potential ist. wherein U2 is the second electrical potential, the third electrical potential U3 and U4 is the fourth electric potential.
  6. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 5 5 , wobei die Multiaperturplatte (11) mit einem ersten Abstand von der Elektrode (21) angeordnet ist, die Multiaperturplatte (11) mit einem zweiten Abstand (h1) von der Objektebene (101) angeordnet ist, und das zweite, das dritte und das vierte elektrische Potential so aufeinander abgestimmt sind, dass folgende Relation erfüllt ist: Wherein the Multiaperturplatte (11) is arranged at a first distance from the electrode (21) Multiaperturplatte (11) at a second distance (h1) from the object plane (101) is disposed, and the second, the third and fourth electric potential are matched to one another such that the following relation is satisfied: 0,7 0.7 < < | | E1/E2 E1 / E2 | | < < 1,5 1.5
    Figure DE102016120902B4_0014
    , wobei E1 eine elektrische Feldstärke an einer der Elektrode (21) zuweisenden Oberfläche der Multiaperturplatte (11) ist und E2 eine elektrische Feldstärke an einer der Objektebene (101) zuweisenden Oberfläche der Multiaperturplatte (11) ist. Wherein E1 is an electric field strength at one of the electrode (21) facing surface of the Multiaperturplatte (11) and E2 is an electric field strength on one of the object plane (101) facing surface of the Multiaperturplatte (11).
  7. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 6 claim 6 , wobei gilt: , Where: 500 500 V/mm V / mm < < | | E1 E1 | |
    Figure DE102016120902B4_0015
    oder or 1500 1500 V/mm V / mm < < | | E1 E1 | |
    Figure DE102016120902B4_0016
    oder or 3000V/mm 3000V / mm < < | | E1 E1 | | . ,
    Figure DE102016120902B4_0017
  8. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 6 6 claims oder or 7 7 , wobei gilt: , Where: 500 500 V/mm V / mm < < | | E2 E2 | | < < 1500 1500 V/mm V / mm
    Figure DE102016120902B4_0018
    oder or 500 500 V/mm V / mm < < | | E2 E2 | | < < 3000 3000 V/mm V / mm
    Figure DE102016120902B4_0019
    oder or 500 500 V/mm V / mm < < | | E2 E2 | | < < 5000 5000 V/mm V / mm . ,
    Figure DE102016120902B4_0020
  9. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 6 6 claims bis to 8 8th , wobei der zweite Abstand (h1) kleiner als 200 µm, insbesondere kleiner als 50 µm, insbesondere kleiner als 30 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und insbesondere kleiner als 10 µm ist. Wherein the second distance (h1) is less than 200 microns, especially less than 50 .mu.m, in particular smaller than 30 .mu.m, in particular smaller than 20 microns, especially less than 10 .mu.m.
  10. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 9 9 , wobei ein minimaler Abstand von zwei einander benachbarten Primär-Teilchenstrahlen (3) an der Multiaperturplatte (11) kleiner als 50 µm, insbesondere kleiner als 30 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und insbesondere kleiner als 12 µm ist. , With a minimum distance of two adjacent primary particle beams (3) on the Multiaperturplatte (11) is less than 50 microns, especially less than 30 microns, especially less than 20 microns and preferably less than 12 microns.
  11. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 10 10 , wobei eine Dicke der Multiaperturplatte (11) in einer Umgebung um wenigstens eine der Öffnungen (37) kleiner als 40 µm, insbesondere kleiner als 20 µm, insbesondere kleiner als 5 µm ist. Wherein a thickness of the Multiaperturplatte (11) in a neighborhood around at least one of the openings (37) is less than 40 microns, especially less than 20 .mu.m, in particular smaller than 5 microns.
  12. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 11 11 , ferner umfassend eine Objekthalterung (17), welche dazu konfiguriert ist, das Objekt (7) zu haltern, und eine Aktuatoranordnung (39), welche dazu konfiguriert ist, die Objekthalterung (17) relativ zu der Objektivlinse (102) zu verlagern. Further comprising an object holder (17) which is configured to direct the object (7) to support, and an actuator assembly (39) which is configured to the object holder (17) to move relative to the objective lens (102).
  13. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 12 claim 12 , ferner umfassend eine Steuerung (27), welche dazu konfiguriert ist, die Aktuatoranordnung (39) so anzusteuern, dass das Objekt (7) einen vorbestimmten Abstand (h1) von der Multiaperturplatte (11) aufweist. Further comprising comprising a controller (27) which is configured as to drive the actuator (39) that the object (7) a predetermined distance (h1) from the Multiaperturplatte (11).
  14. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 13 claim 13 , wobei der vorbestimmte Abstand (h1) kleiner ist als ein 10-faches, insbesondere kleiner als ein 5-faches und insbesondere kleiner als ein 1,5-faches eines minimalen Abstands (p1) von zwei einander benachbarten Primär-Teilchenstrahlen (3) an der Multiaperturplatte (11). Wherein the predetermined distance (h1) is less than a 10-fold, in particular less than 5 times and more particularly less than 1.5 times a minimum distance (p1) of two adjacent primary particle beams (3) the Multiaperturplatte (11).
  15. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 13 claim 13 oder or 14 14 , wobei der vorbestimmte Abstand (h1) kleiner als 200 µm, insbesondere kleiner als 50 µm, insbesondere kleiner als 30 µm, insbesondere kleiner als 20 µm und insbesondere kleiner als 10 µm ist. Wherein the predetermined distance (h1) is less than 200 microns, especially less than 50 .mu.m, in particular smaller than 30 .mu.m, in particular smaller than 20 microns, especially less than 10 .mu.m.
  16. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 13 13 claims bis to 15 15 , ferner umfassend ein Abstandsmessmodul, welches dazu konfiguriert ist, ein Messsignal bereitzustellen, welches den Abstand (h1) der Multiaperturplatte (11) von dem Objekt (7) repräsentiert, und wobei die Steuerung (27) die Aktuatoranordnung (39) in Abhängigkeit von dem Messsignal ansteuert. Further comprising providing a measurement signal, a distance measuring module, which is configured to, which represents the distance (h1) of the Multiaperturplatte (11) from the object (7), and wherein the controller (27), the actuator (39) in response to the measuring signal controls.
  17. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 16 claim 16 , wobei das Abstandsmessmodul eine Strahlungsquelle (43) und einen Strahlungsdetektor (45) umfasst, wobei die Strahlungsquelle (43) dazu konfiguriert ist, Strahlung (44) einer vorbestimmten Wellenlänge zu emittieren und in einen Spalt zwischen der Multiaperturplatte (11) und dem Objekt (7) zu richten, wobei der Strahlungsdetektor (45) mit Abstand von der Strahlungsquelle (43) angeordnet ist und dazu konfiguriert ist, von der Strahlungsquelle (43) in den Spalt emittierte Strahlung (44) zu detektieren, und wobei das Messsignal eine von dem Strahlungsdetektor (45) detektierte Strahlungsintensität repräsentiert. Wherein the distance measuring module comprises a radiation source (43) and a radiation detector (45), wherein the radiation source (43) is configured to emit radiation (44) of a predetermined wavelength, and in a gap between the Multiaperturplatte (11) and the object ( to judge 7), wherein the radiation detector (45) is arranged at a distance from the radiation source (43) and is configured (by the radiation source 43) emitted into the gap radiation (44) to be detected, and wherein the measurement signal a from the radiation detector (45) detected radiation intensity represented.
  18. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 16 claim 16 , wobei das Abstandsmessmodul dazu konfiguriert ist, wenigstens einen der Primär-Teilchenstrahlen (3) durch eine der Öffnungen (37) der Multiaperturplatte (11) hindurch auf das Objekt (7) zu richten und dort durch Ändern einer Einstellung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops zu fokussieren, den Primär-Teilchenstrahl (3) neben eine der Öffnungen (37) der Multiaperturplatte (11) auf die Multiaperturplatte (11) selbst zu richten und dort durch Ändern der Einstellung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops zu fokussieren, und das Messsignal basierend auf der ermittelten Einstellung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops beim Fokussieren des Teilchenstrahls auf das Objekt und der ermittelten Einstellung des Vielstrahl-Teilchenmikroskops beim Fokussieren des Teilchenstrahls auf die Multiaperturplatte bereitzustellen. Wherein the distance measuring module is configured to at least one of the primary particle beam (3) through one of the Multiaperturplatte (11) of the openings (37) to be directed through the object (7) and to focus there by changing a setting of the multi-beam Teilchenmikroskops , the primary particle beam (3) adjacent one of the openings (37) of Multiaperturplatte (11) on the Multiaperturplatte (11) itself to direct and focus there by changing the setting of the multi-beam Teilchenmikroskops, and the measurement signal based on the determined setting of the multi-beam Teilchenmikroskops in focusing the particle beam onto the object and the setting of the determined multi-beam Teilchenmikroskops in focusing the particle beam to provide Multiaperturplatte.
  19. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 18 18 , wobei an einem der Objektebene (101) zugewandten Polschuh (22) der Objektivlinse (102) ein Anschlagskörper (31) angebracht ist, an dem eine Halterung (33) der Multiaperturplatte (11) anliegt. Wherein on one of the object plane (101) facing the pole piece (22) of the objective lens (102), a stop body (31) is mounted, on which a holder (33) of the Multiaperturplatte (11).
  20. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 19 claim 19 , wobei der Anschlagskörper (31) ein isolierendes Material umfasst. , Wherein the stop body (31) comprises an insulating material.
  21. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach einem der Multi-beam according to any of Teilchenmikroskop Ansprüche 1 claims 1 bis to 20 20 , ferner umfassend einen Aktuator (53), welcher dazu konfiguriert ist, die Multiaperturplatte (11) in eine Richtung (54), welche parallel zu einer Ebene der Multiaperturplatte (11) orientiert ist, relativ zu der Objektivlinse (102) hin und her zu verlagern. Further comprising an actuator (53) which is configured through the Multiaperturplatte (11) in a direction (54) which is oriented parallel to a plane of Multiaperturplatte (11), relative to the objective lens (102) and forth relocate.
  22. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 21 claim 21 , ferner umfassend einen im Strahlengang der Primär-Teilchenstrahlen (3) zwischen der Vielstrahl-Teilchenquelle (300) und der Multiaperturplatte (11) angeordneten Elektronenstrahlablenker (49), welcher dazu konfiguriert ist, die Primär-Teilchenstrahlen (3) abzulenken. deflect, further comprising an in the beam path of the primary particle beam (3) arranged between the multi-beam particle source (300) and the Multiaperturplatte (11) Elektronenstrahlablenker (49), which is configured for the primary particle beam (3).
  23. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 22 claim 22 , ferner umfassend ein Steuerungsmodul (27), welches dazu konfiguriert ist, den Aktuator (53) und den Elektronenstrahlablenker (49) gemeinsam so anzusteuern, dass die Multiaperturplatte (11) derart verlagert wird, dass ein jeder gegebener Primär-Teilchenstrahl (3) die gleiche Öffnung (37) in der Multiaperturplatte (11) unabhängig von einer durch den Elektronenstrahlablenker (49) erzeugten Ablenkung des Primär-Teilchenstrahls (3) durchsetzt und insbesondere im Wesentlichen zentral durchsetzt. Further comprising a control module (27) which is configured to drive the actuator (53) and the Elektronenstrahlablenker (49) together so that the Multiaperturplatte (11) is displaced such that each given primary particle beam (3) passes through the same opening (37) in the Multiaperturplatte (11) independently of one by the Elektronenstrahlablenker (49) generated deflection of the primary particle beam (3) and in particular substantially centrally penetrated.
  24. Vielstrahl-Teilchenmikroskop nach Multibeam Teilchenmikroskop by Anspruch 23 claim 23 , wobei die Ablenkung des Primärteilchenstrahls (3) durch den Elektronenstrahlablenker (49) so groß ist, dass in der Ebene der Multiaperturplatte (11) eine Ausdehnung einer von dem Primärteilchenstrahl (3) überstrichenen Fläche größer ist als ein Durchmesser der Öffnung (37) der Multiaperturplatte (11). Wherein the deflection of the primary particle beam (3) through the Elektronenstrahlablenker (49) is so great that in the plane of Multiaperturplatte (11) an extension of one of the primary particle beam (3) is swept area larger than a diameter of the opening (37) of the Multiaperturplatte (11).
DE102016120902.3A 2016-11-02 2016-11-02 Multibeam Teilchenmikroskop Active DE102016120902B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016120902.3A DE102016120902B4 (en) 2016-11-02 2016-11-02 Multibeam Teilchenmikroskop

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102016120902.3A DE102016120902B4 (en) 2016-11-02 2016-11-02 Multibeam Teilchenmikroskop

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102016120902A1 DE102016120902A1 (en) 2018-05-03
DE102016120902B4 true DE102016120902B4 (en) 2018-08-23

Family

ID=61912424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102016120902.3A Active DE102016120902B4 (en) 2016-11-02 2016-11-02 Multibeam Teilchenmikroskop

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102016120902B4 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100320382A1 (en) 2007-02-22 2010-12-23 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput sem tool
DE102014008383A1 (en) 2014-06-06 2015-12-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh The particle beam system and method for operating a particle optics

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100320382A1 (en) 2007-02-22 2010-12-23 Applied Materials Israel, Ltd. High throughput sem tool
DE102014008383A1 (en) 2014-06-06 2015-12-31 Carl Zeiss Microscopy Gmbh The particle beam system and method for operating a particle optics

Also Published As

Publication number Publication date
DE102016120902A1 (en) 2018-05-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0274622B1 (en) Detector assembly with detector objective for corpuscular ray instruments
DE19653413C2 (en) wherein a sample is excited in a plurality of sample points simultaneously optically scanning microscope,
EP1068630B1 (en) Scanning electron microscope
DE2822242C2 (en)
EP2197014B1 (en) System for exposure of a substrate with several individually shaped charged particle beams for high resolution lithography of structured patterns
DE10105391B4 (en) Scanning microscope and module for a scanning microscope
EP0294363B1 (en) Method and device for positioning and aligning the image pattern of a mask on a substrate
DE69738276T2 (en) Electron beam exposure apparatus, exposure method and method for generating an object
EP1393116B1 (en) Automatic focussing device for an optical appliance
DE3105359C2 (en)
DE602006000278T2 (en) Repeated circular milling for sample preparation
EP1362361B1 (en) Particle beam system comprising a mirror corrector
DE69937910T2 (en) Apparatus and method for sample analysis using charged particle beams
DE69332995T2 (en) Scanning electron microscope
DE69233067T2 (en) Integrated circuits
DE60007852T2 (en) Method and apparatus for extending the life of an X-ray anode
EP0218920B1 (en) Omega-type electron energy filter
DE19732093B4 (en) Charged particle beam
EP0617451B1 (en) Imaging electron energy filter
DE102014114081A1 (en) The charged particle beam exposure apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
DE19827423C2 (en) Two-dimensional laser diode array
KR20060093324A (en) Particle-optical systems and arrangements and particle-optical components for such systems and arrangements
CH355225A (en) Method and apparatus for controlling and correcting the position of the focal spot produced by a cathode-ray on the X-ray tube anticathode
DE602004005704T2 (en) Exposure system using charged particle beamlets
DE102006043895B4 (en) Electron microscope for inspecting and editing an object with miniaturized structures

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final