DE102015001553B3

DE102015001553B3 - Sensorvorrichtung

Info

Publication number: DE102015001553B3
Application number: DE102015001553.2A
Authority: DE
Inventors: Timo Kaufmann; Jörg Franke
Original assignee: TDK Micronas GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 2014-04-10
Filing date: 2015-02-10
Publication date: 2015-08-27
Anticipated expiration: 2035-02-11
Also published as: US20150293185A1; US10018684B2

Abstract

Sensorvorrichtung zur Unterdrückung eines magnetischen Streufeldes, aufweisend, einen Halbleiterkörper mit einer in einer x-y Ebene ausgebildeten Oberfläche und einer Rückfläche, wobei die x-Richtung und die y-Richtung zueinander orthogonal ausgebildet sind, und eine in einer z-Richtung ausgebildeten Achse, wobei die z-Richtung orthogonal auf der x-y-Ebene ausgebildet ist, und ein Magnet vorgesehen ist, wobei der Magnet eine plane Haupterstreckungsfläche in Richtung der x-y Ebene aufweist, und das IC-Gehäuse von der Haupterstreckungsfläche des Magneten derart beabstandet ist, dass die Oberfläche des Halbleiterkörpers parallel zu der Haupterstreckungsfläche des Magneten ausgerichtet ist und der Magnet in Richtung der x-y-Ebene eine Magnetisierung mit vier Magnetpolen aufweist und zwei Magnetpole als äußere Kreissegmente die beiden innenliegenden Magnetpole als Kreissegmente umschließen, so dass jede Kreishälfte des scheibenförmigen Magneten zwei Magnetpole aufweist und wobei der Magnet gegenüber dem IC-Gehäuse um die z-Richtung drehbar ist, und eine gedachte Verlängerung der Achse den Magneten in dem Flächenschwerpunkt der Haupterstreckungsfläche des Magneten durchdringt, wobei eine erste Pixelzelle und eine zweite Pixelzelle in der Oberfläche des Halbleiterkörpers gemeinsam mit einer Schaltungsanordnung integriert sind, und jede Pixelzelle einen ersten Magnetfeldsensor und einen zweiten Magnetfeldsensor aufweist, und wobei der erste Magnetfeldsensor ein Magnetfeld in x-Richtung und der zweite Magnetfeldsensor ein Magnetfeld in y-Richtung detektiert, und die erste Pixelzelle von der zweiten Pixelzelle entlang einer Verbindungsgeraden beabstandet sind, und die erste Pixelzelle bei einer Projektion entlang der gedachten Verlängerung der Achse innerhalb der beiden innenliegenden Kreissegmente angeordnet ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Sensorvorrichtung gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Aus der EP 0 916 074 B1 ist eine Sensorvorrichtung für eine Bestimmung des Drehwinkel einer Welle bekannt. Des Weiteren ist aus der WO 2010/060607 A2 ein IC-Gehäuse mit einer integrierten Schaltung und einem magnetischen Sensor bekannt. Benachbart zu dem Gehäuse ist ein Permanentmagnet, dessen magnetischer Fluss den Sensor durchdringt, angeordnet. Des Weiteren sind aus der JP 2005-24282 A , der GB 2505226 A , der US 2010/0148764 A1 und der EP 1909 074 A1 Magnetfeldmessvorrichtungen und Anordnungen bekannt.
Vor diesem Hintergrund besteht die Aufgabe der Erfindung darin, eine Vorrichtung anzugeben, die den Stand der Technik weiterbildet.
Die Aufgabe wird durch eine Sensorvorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von Unteransprüchen.
Gemäß dem Gegenstand der Erfindung wird eine Sensorvorrichtung zur Unterdrückung eines magnetischen Streufeldes bereitgestellt, aufweisend einen Halbleiterkörper mit einer in einer x-y Ebene ausgebildeten Oberfläche und einer Rückfläche, wobei die x-Richtung und die y-Richtung zueinander orthogonal ausgebildet sind, und der Halbleiterkörper auf dem Träger angeordnet oder insbesondere die Rückfläche des Halbleiterkörpers mit einem Träger verbunden ist, und eine in einer z-Richtung ausgebildeten Achse, wobei die z-Richtung orthogonal auf der x-y-Ebene ausgebildet ist, und ein Magnet vorgesehen ist, wobei der Magnet eine plane Haupterstreckungsfläche in Richtung der x-y Ebene aufweist, und das IC-Gehäuse von der Haupterstreckungsfläche des Magneten derart beabstandet ist, dass die Oberfläche des Halbleiterkörpers parallel zu der Haupterstreckungsfläche des Magneten ausgerichtet ist und der Magnet in Richtung der x-y-Ebene eine Magnetisierung mit vier Magnetpolen aufweist und zwei Magnetpole als äußere Kreissegmente die beiden innenliegenden Magnetpole als Kreissegmente umschließen, so dass jede Kreishälfte des scheibenförmigen Magneten zwei Magnetpole aufweist und wobei der Magnet gegenüber dem IC-Gehäuse um die z-Richtung drehbar ist, und eine gedachte Verlängerung der Achse den Magneten in dem Flächenschwerpunkt der Haupterstreckungsfläche des Magneten durchdringt, wobei eine erste Pixelzelle und eine zweite Pixelzelle in der Oberfläche des Halbleiterkörpers gemeinsam mit einer Schaltungsanordnung integriert sind, und jede Pixelzelle einen ersten Magnetfeldsensor und einen zweiten Magnetfeldsensor aufweist, und wobei der erste Magnetfeldsensor ein Magnetfeld in x-Richtung und der zweite Magnetfeldsensor ein Magnetfeld in y-Richtung detektiert, und die erste Pixelzelle von der zweiten Pixelzelle entlang einer Verbindungsgeraden beabstandet sind, und die erste Pixelzelle bei einer Projektion entlang der gedachten Verlängerung der Achse innerhalb der beiden innenliegenden Kreissegmente angeordnet ist.
Es sei ausgeführt, dass die Anordnung mit vier Magnetpolen sich als Quatropolanordnung bezeichnen lässt. Des Weiteren versteht sich, dass durch den Magneten in den Magnetfeldsensoren ein von der Stärke des Magnetfeldes abhängiges Signal induziert wird. Wird eine Drehbewegung des IC-Gehäuses gegenüber dem Magnet ausgeführt, weisen die Signale der Magnetfeldsensoren einen sinus- oder kosinusförmigen Verlauf auf.
Ein Vorteil der erfindungsgemäßen Vorrichtung ist es, dass durch die Beabstandung von zwei Pixelzellen mit der jeweiligen zweidimensionalen Ausführung der Magnetfeldsensoren in Verbindung mit der Quatropolanordnung des Magneten sowohl der Drehwinkel einer ruhenden Achse oder insbesondere Welle als auch der Drehwinkel einer sich drehenden Achse oder insbesondere Welle bestimmen lässt. Anders ausgedrückt, die Sensorvorrichtung lässt sich zur Detektion des Drehwinkels der Welle verwenden. Hierzu werden die Signale der Magnetfeldsensoren mit einem differentiellen Auswerteverfahren verarbeitet, d. h. aus den Signalunterschieden zwischen der ersten Pixelzelle und der zweiten Pixelzelle und der vorgegebenen Magnetpolanordnung lässt sich der Drehwinkel der Achse oder insbesondere der Welle bestimmen. Insbesondere bei einer Start-Stop Automatik eines Kraftfahrzeugs lässt sich hierdurch die Stellung der Kurbelwelle bzw. die Stellung der Nockenwelle auch bei einem ruhenden Motor bestimmen. Ein Anschalten des Motors lässt sich hierdurch erleichtern. Ein anderer Vorteil ist, dass sich durch die doppelte Ausführung von den Magnetfeldsensoren sowohl in der X-Richtung als auch in der Y-Richtung sich Streufeldeinwirkungen, beispielsweise durch das Erdmagnetfeld oder von Stromleitungen in Elektro-/Hybridkraftfahrzeugen, welche hohe Ströme beispielsweise oberhalb 10 Ampere aufweisen, auf einfache und zuverlässige Weise unterdrücken lassen. Hierdurch lässt sich die erfindungsgemäße Vorrichtung zur Unterdrückung von magnetischen Gleichfeldanteilen verwenden.
In einer Weiterbildung durchdringt bei der Projektion die Achse den Halbleiterkörper, vorzugsweise in der Nähe der ersten Pixelzelle. In einer anderen Ausführungsform durchdringt bei der Projektion entlang der gedachten Verlängerung die Achse die erste Pixelzelle und/oder des Weiteren ist die zweite Pixelzelle zwischen den beiden innenliegenden Kreissegmenten und den beiden äußeren Kreissegmenten angeordnet.
In einer Weiterbildung umfasst jede Pixelzelle einen dritten Magnetfeldsensor, wobei der dritte Magnetfeldsensor ein Magnetfeld in z-Richtung detektiert und hierbei die z-Richtung orthogonal zu der x-Richtung und orthogonal zu der y-Richtung ausgebildet ist, so dass jede Pixelzelle als ein 3-dimensionaler Magnetfeldsensor ausgeführt ist. Untersuchungen haben gezeigt, dass es vorteilhaft ist, die beiden Pixelzellen jeweils in der Nähe eines äußeren Rands des Halbleiterkörpers anzuordnen, um hierdurch einen großen Abstand zu einander auszubilden. Es zeigt sich nämlich, dass mit einem wachsenden Abstand zwischen den beiden Pixelzellen die Genauigkeit der Winkelbestimmung der Welle erhöhen lässt. In einer anderen Weiterbildung ist auf dem Halbleiterkörper zwischen und/oder neben den beiden Pixelzellen eine integrierte Schaltung ausgebildet, wobei die integrierte Schaltung in einer elektrischen Wirkverbindung mit den beiden Pixelzellen steht. Insbesondere lassen sich mit der integrierten Schaltung die Magnetfeldsensoren mit einem Betriebsstrom versorgen und das durch das anliegende Magnetfeld induzierte Signal auswerten.
In einer bevorzugten Ausführungsform weisen die Magnetfeldsensoren in der Pixelzelle einen gemeinsamen Schwerpunkt auf, um den magnetischen Fluss der jeweiligen Raumrichtung in dem gleichen Punkt zu bestimmen. Unter dem jeweiligen gemeinsamen Schwerpunkt wird vorliegend der Kreuzungspunkt der beiden Magnetfeldsensoren in einer der Pixelzellen verstanden. Es versteh sich, dass der Kreuzungspunkt in der Mitte des jeweiligen Magnetfeldsensors liegt, d. h. die verbleibenden Längen des jeweiligen Sensors sind auf beiden Seiten des Kreuzungspunktes gleich lang. In einer Weiterbildung weisen die Magnetfeldsensoren jeweils eine Haupterstreckungsfläche auf, wobei die Haupterstreckungsflächen der Magnetfeldsensoren zu einander orthogonal oder paarweise zueinander rechtwinklig ausgebildet sind.
Untersuchungen haben gezeigt, dass es vorteilhaft ist, die Magnetfeldsensoren als zueinander orthogonal ausgebildete Hallsensoren auszubilden und hierbei zwei der Hallsensoren als vertikale Hallsensoren anzuordnen, d. h. die Haupterstreckungsfläche der beiden vertikalen Hallsensoren ist jeweils senkrecht zu der Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildet. Vorzugsweise weist der dritte Hallsensor eine parallel zu Oberfläche des Halbleiterkörpers ausgebildete Haupterstreckungsfläche auf. Insbesondere ist es bevorzugt, die Hallsensoren jeweils als Hallplatten auszuführen.
In einer anderen Ausführungsform ist der Magnet in der X-Y-Ebene als Kreis ausgebildet ist, wobei der Radius des Kreises größer als die Hälfte der Länge der Verbindungsgeraden ist oder sofern der Magnet nicht als Ringmagnet der Magnet ausgebildet ist, der Magnet als Quadrat ausgebildet ist und die Hälfte der Diagonale des Quadrats größer als die Hälfte der Länge der Verbindungsgeraden ist oder alternativ der Durchmesser des Kreises oder die Diagonale des Quadrats größer als die Hälfte der Länge der Verbindungsgerade ist. Hierdurch werden die Pixelzellen, in einer Projektion entlang einer gedachten Verlängerung in z-Richtung, von der Fläche des Magneten überdeckt und die Empfindlichkeit der Vorrichtung wird erhöht. Insbesondere ist es vorteilhaft, die zwei äußeren Kreissegmente jeweils gleich groß zueinander und die innenliegenden Kreissegmente jeweils gleich groß zueinander auszuführen.
In einer Ausführungsform ist die erste Pixelzelle bei einer Projektion entlang der Z-Achse innerhalb der beiden innenliegenden als Kreissegmente ausgeführten Magnetpole angeordnet und die zweite Pixelzelle innerhalb des äußeren Kreissegments angeordnet. Hierbei ist es hinreichend, dass der Halbleiterkörper neben der gedachten Verlängerung der Achse angeordnet ist und insbesondere nicht von der gedachten Verlängerung der Achse durchdrungen wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen näher erläutert. Hierbei werden gleichartige Teile mit identischen Bezeichnungen beschriftet. Die dargestellten Ausführungsformen sind stark schematisiert, d. h. die Abstände und die lateralen und die vertikalen Erstreckungen sind nicht maßstäblich und weisen, sofern nicht anders angegeben auch keine ableitbare geometrische Relationen zueinander auf. Darin zeigt:
1 eine Draufsicht auf einen Magneten mit vier Magnetpolen,
2 ein Schnitt entlang einer Achse in einer Z-Richtung,
3 eine Draufsicht auf weitere Ausführungsform,
4 einen Schnitt in einer Z-Richtung der Ausführungsform, dargestellt in 3.
Die Abbildung der 1 zeigt eine Draufsicht auf einen Magneten 10 mit vier Magnetpolen 12, 14, 16, 18, wobei zwei Magnetpole 12, 14 als äußere Kreissegmente die beiden innenliegenden als Kreissegmente ausgeführten Magnetpole 16, 18 umschließen, so dass jede Kreishälfte des scheibenförmigen Magneten 10 zwei Magnetpole 12, 14, 16, 18 aufweist. Es versteht sich, dass bei den vier Magnetpolen 12, 14, 16 und 18 jeweils zwei Magnetpole 12 und 18 als Nordpole und die zwei weiteren Magnetpole 14 und 16 als Südpole ausgeführt sind. Des Weiteren ist eine erste Pixelzelle 20 mit einem in einer X-Richtung ausgebildeten ersten Magnetfeldsensor 24 und einem in einer Y-Richtung ausgebildeten zweiten Magnetfeldsensor 28 und eine zweite Pixelzelle 30 mit einem in der X-Richtung ausgebildeten ersten Magnetfeldsensor 34 und einem in der Y-Richtung ausgebildeten zweiten Magnetfeldsensor 38 ausgebildet. Die jeweils ersten Magnetfeldsensoren 24 und 34 sind orthogonal zu den jeweils zweiten Magnetfeldsensoren 28 und 38 ausgebildet und weisen einen in der ersten Pixelzelle 20 ausgebildeten ersten Schwerpunkt 42 und einen in der zweiten Pixelzelle 30 ausgebildeten weiteren ersten Schwerpunkt 43 auf.
Die Hallplatten weisen jeweils eine in einer Z-Richtung ausgebildete Haupterstreckungsfläche auf, wobei in der dargestellten X-Y-Ebene jeweils nur eine Projektion auf eine schmale Seitenfläche der Hallplatten sichtbar ist. Die erste Pixelzelle 20 und die zweite Pixelzelle 30 sind in der Oberfläche eines Halbleiterkörpers 50 ausgebildet. Hierbei ist die erste Pixelzelle 20 bei einer Projektion entlang der Z-Achse innerhalb der beiden innenliegenden als Kreissegmente ausgeführten Magnetpole 16, 18 angeordnet und die zweite Pixelzelle 30 innerhalb des äußeren Kreissegments angeordnet.
In der Abbildung der 2 ist ein Schnitt entlang einer Achse 45 dargestellt. Hierbei zeigt der Schnitt eine weitere Anordnung des Halbleiterkörpers in Bezug auf die Projektion entlang der Z-Achse. Die Achse 45 ist vorliegend als Welle ausgebildet und in Z-Richtung ausgebildet. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu der Abbildung der 1 erläutert. Vorliegend ist der Magnet 10 an einer Stirnseite der Welle angeordnet. In einer gedachten Verlängerung durchstößt die Längsachse der Welle bzw. die Achse 45 den Magneten 10. Der Halbleiterkörper 50 ist neben der gedachten Verlängerung der Achse 45 angeordnet. Es sei angemerkt, dass hierbei der Halbleiterkörper 50 nicht von der gedachten Verlängerung der Achse 45 durchdrungen wird. Der Halbleiterkörper 50 weist eine Oberfläche 52 und eine Rückfläche 54 auf. Der Halbleiterkörper 50 ist in Richtung der Längsachse von dem Magneten 10 beabstandet. An der Oberfläche 52 des Halbleiterkörpers 50 ist zwischen der ersten Pixelzelle 20 und der zweiten Pixelzelle 30 eine nicht dargestellte integrierte Schaltung ausgebildet. Der Halbleiterkörper 50 ist in einem IC-Gehäuse angeordnet. Es versteht sich, dass der Magnet und/oder das IC-Gehäuse gegeneinander um die Achse 45 verdrehbar sind.
Sobald sich die Achse 45 bzw. vorliegend die Welle mit dem Magneten dreht, wird in den Hallplatten eine Hallspannung induziert, sofern die Hallplatten von einem Betriebsstrom durchflossen sind.
In der Abbildung der 3 ist eine Draufsicht auf weitere Ausführungsform dargestellt. Im Folgenden werden nur die Unterschiede zu den vorangegangenen Ausführungsformen erläutert. Die Achse 45 durchdringt in der gedachten Verlängerung die erste Pixelzelle 20, insbesondere den Schwerpunkt der ersten Pixelzelle 20. Ferner sind die beiden Pixelzellen 20 und 30 derart voreinander beanstandet, dass die zweite Pixelzelle 30 zwischen den beiden innenliegenden Kreissegmenten und den beiden äußeren Kreissegmenten angeordnet ist. Untersuchungen haben gezeigt, dass mit der Anordnung die Feldlinien der Magnetpole 12, 14, 16, 18 parallel zu der Oberfläche des Halbleiterkörpers 50 verlaufen.
Die 4 zeigt einen Schnitt entlang der Achse 45 der Ausführungsform, dargestellt in 3. Die erste Pixelzelle 20 wird von der gedachten Verlängerung der Z-Achse 45 durchdrungen und die zweite Pixelzelle 30 von der gedachten Verlängerung der Projektionslinie entlang der Z-Richtung ausgehend von einem Punkt auf der Grenzlinie zwischen den beiden innenliegenden Magnetpolen 16 und 18 und den beiden außenliegenden Magnetpolen 12 und 14.

Claims

Sensorvorrichtung zur Unterdrückung eines magnetischen Streufeldes, aufweisend, einen Halbleiterkörper (50) mit einer in einer x-y Ebene ausgebildeten Oberfläche (52) und einer Rückfläche (54), wobei die x-Richtung und die y-Richtung zueinander orthogonal ausgebildet sind, und vorzugsweise der Halbleiterkörper (50) auf einem Träger angeordnet ist, und eine in einer z-Richtung ausgebildeten Achse (45), wobei die z-Richtung orthogonal auf der x-y-Ebene ausgebildet ist, und ein Magnet (10) vorgesehen ist, wobei der Magnet (10) eine plane Haupterstreckungsfläche in Richtung der x-y Ebene aufweist, und das IC-Gehäuse von der Haupterstreckungsfläche des Magneten (10) derart beabstandet ist, dass die Oberfläche (52) des Halbleiterkörpers (50) parallel zu der Haupterstreckungsfläche des Magneten (10) ausgerichtet ist und der Magnet (10) in Richtung der x-y-Ebene eine Magnetisierung mit vier Magnetpolen (12, 14, 16, 18) aufweist und zwei Magnetpole (12, 14) als äußere Kreissegmente die beiden innenliegenden Magnetpole (16, 18) als Kreissegmente umschließen, so dass jede Kreishälfte des scheibenförmigen Magneten (10) zwei Magnetpole (12, 14, 16, 18) aufweist und wobei der Magnet (10) gegenüber dem IC-Gehäuse um die z-Richtung drehbar ist, und eine gedachte Verlängerung der Achse (45) den Magneten (10) in dem Flächenschwerpunkt der Haupterstreckungsfläche des Magneten (10) durchdringt, und eine erste Pixelzelle (20) und eine zweite Pixelzelle (30) in der Oberfläche (52) des Halbleiterkörpers (50) gemeinsam mit einer Schaltungsanordnung integriert sind, und die erste Pixelzelle (20) bei einer Projektion entlang der gedachten Verlängerung der Achse (45) innerhalb der beiden innenliegenden Kreissegmente angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass – jede Pixelzelle (20, 30) einen ersten Magnetfeldsensor (24, 34) und einen zweiten Magnetfeldsensor (28, 38) aufweist, und – wobei der erste Magnetfeldsensor (24, 34) ein Magnetfeld in x-Richtung und der zweite Magnetfeldsensor (28, 38) ein Magnetfeld in y-Richtung detektiert, und – die erste Pixelzelle (20) von der zweiten Pixelzelle (30) entlang einer Verbindungsgeraden beabstandet sind.
Sensorvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Projektion die Achse (45) den Halbleiterkörper (50) durchdringt.
Sensorvorrichtung nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass bei der Projektion entlang der gedachten Verlängerung die Achse (45) die erste Pixelzelle (20, 30) durchdringt und/oder die zweite Pixelzelle (30) zwischen den beiden innenliegenden Kreissegmenten und den beiden äußeren Kreissegmenten angeordnet ist.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass jede Pixelzelle (20, 30) einen dritten Magnetfeldsensor umfasst, wobei der dritte Magnetfeldsensor ein Magnetfeld in z-Richtung detektiert und die z-Richtung orthogonal zu der x-Richtung und orthogonal zu der y-Richtung ausgebildet ist, so dass jede Pixelzelle (20, 30) als ein 3-dimensionaler Magnetfeldsensor ausgebildet ist.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf die beiden Pixelzellen (20, 30) jeweils in der Nähe eines äußeren Rands des Halbleiterkörpers (50) ausgebildet sind, um einen großen Abstand zueinander auszubilden.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Halbleiterkörper (50) zwischen und/oder neben den beiden Pixelzellen (20, 30) eine integrierte Schaltung ausgebildet ist und die integrierte Schaltung in einer elektrischen Wirkverbindung mit den beiden Pixelzellen (20, 30) steht.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetfeldsensoren (24, 28) in der ersten Pixelzelle (20), sowie die Magnetfeldsensoren (34, 38) in der zweiten Pixelzelle (30) einen gemeinsamen Schwerpunkt aufweisen, um den magnetischen Fluss in dem jeweils gleichen Punkt je Pixelzelle zu bestimmen.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetfeldsensoren (24, 28, 34, 38) jeweils eine Haupterstreckungsfläche aufweisen und die Haupterstreckungsflächen der Magnetfeldsensoren (24, 28, 34, 38) paarweise zueinander rechtwinklig ausgebildet sind.
Sensorvorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetfeldsensoren (24, 28, 34, 38) als Hallsensoren ausgebildet sind, wobei zwei der Hallsensoren als vertikale Hallsensoren ausgebildet sind und die Haupterstreckungsfläche der beiden vertikalen Hallsensoren jeweils senkrecht zu der Oberfläche (52) des Halbleiterkörpers (50) ausgebildet ist.
Sensorvorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der dritte Magnetfeldsensor je Pixelzelle als Hallplatten ausgebildet ist.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Magnet (10) in der X-Y-Ebene als Kreis ausgebildet ist, wobei der Radius des Kreises größer als die Hälfte der Länge der Verbindungsgeraden ist oder sofern der Magnet (10) als Quadrat ausgebildet ist und die Hälfte der Diagonale des Quadrats größer als die Hälfte der Länge der Verbindungsgeraden ist.
Sensorvorrichtung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die zwei äußeren Kreissegmente jeweils gleich groß und die innenliegenden Kreissegmente jeweils gleich groß ausgebildet sind.
Verwendung der nach einem der vorstehenden Ansprüche ausgebildeten Sensorvorrichtung zur Detektion des Drehwinkels des mit der Achse (45) oder mit einer Welle verbunden Magneten.
Verwendung der nach einem der vorstehenden Ansprüche ausgebildeten Sensorvorrichtung zur Ermittlung des Drehwinkels des mit einer ruhenden Achse (45) oder mit einer Welle verbunden Magneten.
Verwendung der nach einem der vorstehenden Ansprüche ausgebildeten Sensorvorrichtung für einen differentiellen Betrieb zur Detektion des Drehwinkels einer Achse und einer Welle.