DE102014111208B4 - Apparatus and methods for chopper amplifiers - Google Patents

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Abstract

Vorrichtung, die Folgendes umfasst:einen programmierbaren Speicher (9), der dazu konfiguriert ist, ein erstes Steuersignal (CTL1) zu erzeugen; undeinen Zerhackerverstärker (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), der dazu konfiguriert ist, ein Differenz-Eingangsspannungssignal zu verstärken, um ein Ausgangssignal zu erzeugen, wobei der Zerhackerverstärker (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) Folgendes umfasst:eine erste Differentialtransistorreihe (14, 86) mit einer Auswahlschaltung und mehreren Transistoren, wobei die Auswahlschaltung dazu konfiguriert ist, einen ersten Teil der mehreren Transistoren für den Betrieb in einer ersten Transistorgruppe (6a) auf der Basis des ersten Steuersignals (CTL1) auszuwählen, und wobei die Auswahlschaltung ferner dazu konfiguriert ist, einen zweiten Teil der mehreren Transistoren für den Betrieb in einer zweiten Transistorgruppe (6b) auf der Basis des ersten Steuersignals (CTL1) auszuwählen,wobei eine Eingangsversatzspannung des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) auf der Basis einer Auswahl der Transistoren in der ersten und der zweiten Transistorgruppe variiert.An apparatus, comprising: a programmable memory (9) configured to generate a first control signal (CTL1); anda chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) configured to amplify a differential input voltage signal to produce an output signal, the chopper amplifier ( 10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) comprises: a first differential transistor array (14, 86) having a selection circuit and a plurality of transistors, the selection circuit being configured to have a first part of the plurality of transistors for operation in a first transistor group (6a) based on the first control signal (CTL1), and wherein the selection circuit is further configured to connect a second part of the plurality of transistors for operation in a second transistor group (6b ) on the basis of the first control signal (CTL1), wherein an input offset voltage of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) is selected on the basis of a selection of the transistors in the first and the second transistor group varies.

Description

HINTERGRUNDBACKGROUND

Gebietarea

Ausführungsformen der Erfindung beziehen sich auf elektronische Vorrichtungen und insbesondere auf Zerhackerverstärker.Embodiments of the invention relate to electronic devices, and more particularly to chopper amplifiers.

Beschreibung der zugehörigen TechnologieDescription of the associated technology

Ein Verstärker wie z. B. ein Operationsverstärker oder Instrumentierungsverstärker kann eine Zerhackerschaltungsanordnung zum Verringern der Eingangsversatzspannung des Verstärkers umfassen. In einem herkömmlichen Zerhackerverstärker können beispielsweise Eingangszerhackschalter verwendet werden, um das Eingangssignal des Verstärkers während einer Eingangszerhackoperation zu zerhacken oder zu modulieren, wodurch die Frequenz des Eingangssignals des Verstärkers hochgesetzt wird. Außerdem kann der Verstärker ein Filter zum Filtern des Eingangsversatzes des Verstärkers umfassen, das hinsichtlich der Frequenz vom zerhackten Eingangssignal getrennt sein kann. Der Verstärker kann ferner Ausgangszerhackschalter zum Demodulieren oder Herabsetzen der Frequenz des zerhackten Eingangssignals während einer Ausgangszerhackoperation umfassen.An amplifier such. An operational amplifier or instrumentation amplifier may include chopper circuitry for reducing the input offset voltage of the amplifier. For example, in a conventional chopper amplifier, input chopping switches can be used to chop or modulate the input signal of the amplifier during an input chopping operation, thereby increasing the frequency of the amplifier's input signal. In addition, the amplifier may include a filter for filtering the input offset of the amplifier, which may be frequency separated from the chopped input signal. The amplifier may further include output chopping switches for demodulating or reducing the frequency of the chopped input signal during an output chopping operation.

Obwohl der Einschluss einer Zerhackerschaltungsanordnung in einem Verstärker die Eingangsversatzspannung des Verstärkers verringern kann, kann das Zerhacken auch Welligkeiten im Ausgangssignal des Verstärkers bei der Zerhackfrequenz und bei Oberwellen davon erzeugen.Although the inclusion of chopper circuitry in an amplifier can reduce the input offset voltage of the amplifier, chopping can also produce ripples in the output of the amplifier at the chopping frequency and at harmonics thereof.

In der US 6,262,626 B1 wird ein Verstärker offenbart, welcher, um den DC-Offset und das vom Verstärker (AMP) erzeugte Rauschen zu reduzieren, mit einem Paar Choppern versehen ist. Damit eine optimale Geräuschreduzierung erreicht wird, arbeiten die Chopperpaare mit einer hohen Frequenz.In the US 6,262,626 B1 there is disclosed an amplifier which is provided with a pair of choppers to reduce the DC offset and noise generated by the amplifier (AMP). To ensure optimum noise reduction, the chopper pairs operate at a high frequency.

Es besteht ein Bedarf an Verstärkern mit verbesserter Leistung. Außerdem besteht ein Bedarf an Zerhackerverstärkern mit verringerter Eingangsversatzspannung und verringerter Ausgangsspannungswelligkeit.There is a need for amplifiers with improved performance. In addition, there is a need for chopper amplifiers with reduced input offset voltage and reduced output ripple.

ZUSAMMENFASSUNGSUMMARY

In einer Ausführungsform umfasst eine Vorrichtung einen programmierbaren Speicher, der dazu konfiguriert ist, ein erstes Steuersignal zu erzeugen, und einen Zerhackerverstärker, der dazu konfiguriert ist, ein Differenz-Eingangsspannungssignal zu verstärken, um ein Ausgangssignal zu erzeugen. Der Zerhackerverstärker umfasst eine erste Differentialtransistorreihe mit einer Auswahlschaltung und mehreren Transistoren. Die Auswahlschaltung ist dazu konfiguriert, einen ersten Teil der mehreren Transistoren für den Betrieb in einer ersten Transistorgruppe auf der Basis des ersten Steuersignals auszuwählen und einen zweiten Teil der mehreren Transistoren für den Betrieb in einer zweiten Transistorgruppe auf der Basis des ersten Steuersignals auszuwählen. Eine Eingangsversatzspannung des Zerhackerverstärkers variiert auf der Basis einer Auswahl von Transistoren in der ersten und der zweiten Transistorgruppe.In one embodiment, an apparatus includes a programmable memory configured to generate a first control signal and a chopper amplifier configured to amplify a differential input voltage signal to produce an output signal. The chopper amplifier comprises a first differential transistor array with a selection circuit and a plurality of transistors. The selection circuit is configured to select a first portion of the plurality of transistors for operation in a first transistor group based on the first control signal and to select a second portion of the plurality of transistors for operation in a second transistor group based on the first control signal. An input offset voltage of the chopper amplifier varies based on a selection of transistors in the first and second transistor groups.

In einer weiteren Ausführungsform wird ein Verfahren zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers geschaffen. Das Verfahren umfasst das Beobachten einer Eingangsversatzspannung des Zerhackerverstärkers für jede von mehreren ausgewählten Transistorkonfigurationen einer ersten Differentialtransistorreihe des Zerhackerverstärkers. Die erste Differentialtransistorreihe umfasst mehrere Transistoren und die ausgewählten Transistorkonfigurationen umfassen verschiedene Kombinationen der mehreren Transistoren in einer ersten Transistorgruppe und in einer zweiten Transistorgruppe. Das Verfahren umfasst ferner das Auswählen einer Transistorkonfiguration auf der Basis der Beobachtungen der Eingangsversatzspannung und in einem programmierbaren Speicher das Speichern von Daten, die der gewählten Transistorkonfiguration entsprechen.In a further embodiment, a method for calibrating a chopper amplifier is provided. The method includes observing an input offset voltage of the chopper amplifier for each of a plurality of selected transistor configurations of a first differential transistor row of the chopper amplifier. The first differential transistor series comprises a plurality of transistors, and the selected transistor configurations include various combinations of the plurality of transistors in a first transistor group and in a second transistor group. The method further includes selecting a transistor configuration based on the observations of the input offset voltage and in a programmable memory storing data corresponding to the selected transistor configuration.

Figurenlistelist of figures

  • 1A ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Ausführungsform einer integrierten Schaltung (IC) darstellt. 1A Fig. 10 is a schematic block diagram illustrating one embodiment of an integrated circuit (IC).
  • 1B und 1C sind schematische Blockdiagramme einer Differentialtransistorreihe gemäß einer Ausführungsform. 1B and 1C FIG. 12 are schematic block diagrams of a differential transistor array according to an embodiment. FIG.
  • 2-7 sind Schaltpläne von Zerhackerverstärkern gemäß verschiedenen Ausführungsformen. 2-7 FIG. 12 are circuit diagrams of chopper amplifiers according to various embodiments. FIG.
  • 8A-8D sind Schaltpläne von Differentialtransistorreihen gemäß verschiedenen Ausführungsformen. 8A-8D 12 are schematic diagrams of differential transistor arrays according to various embodiments.
  • 9 ist ein Schaltplan einer Implementierung einer Zerhackschaltung. 9 is a circuit diagram of an implementation of a chopper circuit.
  • 10 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers gemäß einer weiteren Ausführungsform. 10 is a circuit diagram of a chopper amplifier according to another embodiment.
  • 11 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers gemäß einer weiteren Ausführungsform. 11 is a circuit diagram of a chopper amplifier according to another embodiment.
  • 12A ist ein Schaltplan einer Zerhack-Differentialtransistorreihe gemäß einer Ausführungsform. 12A FIG. 12 is a circuit diagram of a chopping differential transistor array according to one embodiment. FIG.
  • 12B ist ein Schaltplan einer Zerhack-Differentialtransistorreihe gemäß einer anderen Ausführungsform. 12B FIG. 12 is a circuit diagram of a chopping differential transistor series according to another embodiment. FIG.
  • 13 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers gemäß einer Ausführungsform. 13 FIG. 10 is a flow chart of a method for calibrating a chopper amplifier according to an embodiment. FIG.
  • 14 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers gemäß einer anderen Ausführungsform. 14 FIG. 10 is a flow chart of a method for calibrating a chopper amplifier according to another embodiment.

AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMENDETAILED DESCRIPTION OF EMBODIMENTS

Die folgende ausführliche Beschreibung von bestimmten Ausführungsformen stellt verschiedene Beschreibungen von spezifischen Ausführungsformen der Erfindung dar. Die Erfindung kann jedoch in einer Vielzahl von verschiedenen Weisen verkörpert sein, wie durch die Ansprüche definiert und abgedeckt. In dieser Beschreibung wird auf die Zeichnungen Bezug genommen, in denen gleiche Bezugszeichen identische oder funktional ähnliche Elemente angeben können.The following detailed description of certain embodiments illustrates various descriptions of specific embodiments of the invention. However, the invention may be embodied in a variety of different ways as defined and covered by the claims. In this description, reference is made to the drawings, in which like reference numerals may indicate identical or functionally similar elements.

Für bestimmte Anwendungen wie z. B. eine Verstärkung mit hoher Präzision kann es erwünscht sein, dass ein Verstärker einen niedrigen Eingangsversatz aufweist. Um das Erreichen eines niedrigen Eingangsversatzes zu unterstützen, können bestimmte Verstärker eine automatische Nulleinstellung und/oder Zerhackschemen verwenden.For certain applications such. For example, with high precision amplification, it may be desirable for an amplifier to have a low input offset. To assist in achieving a low input offset, certain amplifiers may use automatic zeroing and / or chopping schemes.

Obwohl die Verwendung einer automatischen Nulleinstellung und/oder von Zerhacken in einem Verstärker den Eingangsversatz verringern kann, können solche Techniken Nachteile aufweisen. Die automatische Nulleinstellung kann beispielsweise eine relativ hohe Niederfrequenzrauschleistungs-Spektraldichte (PSD) aufgrund von Aliasing von Breitbandrauschen im Frequenzband mit automatischer Nulleinstellung erzeugen.Although the use of automatic zero adjustment and / or chopping in an amplifier may reduce input skew, such techniques may have disadvantages. For example, autozeroing may produce a relatively high low-frequency noise power spectral density (PSD) due to broadband noise aliasing in the auto-zero frequency band.

Außerdem kann das Zerhacken den Eingangsversatz des Verstärkers verringern, kann jedoch auch Welligkeiten im Ausgangssignal des Verstärkers aufgrund der Modulation des Eingangsversatzes einführen. Die Eingangszerhackschalter des Zerhackerverstärkers können beispielsweise arbeiten, um das Frequenzspektrum des Eingangssignals um die Zerhackfrequenz zu modulieren oder hochzusetzen, und die Ausgangszerhackschalter des Zerhackerverstärkers können arbeiten, um das Frequenzspektrum des verstärkten Eingangssignals um die Zerhackfrequenz zu demodulieren oder herabzusetzen. Die Eingangsverstärkungsstufe des Verstärkers kann jedoch im Signalpfad des Zerhackerverstärkers nach den Eingangszerhackschaltern angeordnet sein und folglich würde der Eingangsversatz nicht durch die Eingangszerhackschalter moduliert werden. Vielmehr würde der Eingangsversatz in der Frequenz durch die Ausgangszerhackschalter moduliert oder hochgesetzt werden, was zu Welligkeiten im Ausgangssignal mit der Zerhackfrequenz und bei Oberwellen davon führen kann.In addition, chopping may reduce the input offset of the amplifier, but may also introduce ripples in the output of the amplifier due to the modulation of the input offset. For example, the chopper amplifier input chopper switches may operate to modulate or boost the frequency spectrum of the input signal by the chopping frequency, and the chopper amplifier output chopper switches may operate to demodulate or reduce the frequency spectrum of the amplified input signal by the chopping frequency. However, the input gain stage of the amplifier may be placed in the signal path of the chopper amplifier after the input chopping switches, and thus the input offset would not be modulated by the input chopping switches. Rather, the input offset in frequency would be modulated or boosted by the output hack switches, which can result in ripples in the output signal at the chopping frequency and at harmonics thereof.

Obwohl ein Tiefpassfilter im Signalpfad des Zerhackerverstärkers vorgesehen sein kann, um Frequenzkomponenten zu dämpfen, die zum Eingangsversatz gehören, kann das Tiefpassfilter den Eingangsversatz nicht vollständig ausfiltern und/oder kann die Bandbreite des Zerhackerverstärkers unter die Zerhackfrequenz verringern. Selbst wenn die Zerhackfrequenz so ausgewählt wird, dass sie relativ hoch ist, um eine relativ breite Bandbreite bereitzustellen, kann ferner die hohe Zerhackfrequenz auf Ladungsinjektion bezogene Artefakte erhöhen und kann zu einer Verringerung der Verstärkereinschwingzeit mit zugehöriger Erhöhung des Leistungsverbrauchs führen. In anderen Konfigurationen kann die Bandbreite durch Konfigurieren des Zerhackerverstärkers so, dass er mehrere Verstärkungspfade umfasst, erweitert werden. Solche Konfigurationen können jedoch zusätzliche Übertragungsfunktionspole umfassen und/oder können einen Pfad mit hoher Bandbreite umfassen, der einen hohen Leistungsverbrauch aufweist, eine große Menge an Chipfläche belegt und die Konstruktionskomplexität erhöht. Ferner können solche Konfigurationen unter Pfadfehlanpassungsartefakten leiden.Although a low pass filter may be provided in the signal path of the chopper amplifier to attenuate frequency components associated with the input offset, the low pass filter may not completely filter out the input offset and / or may reduce the bandwidth of the chopper amplifier below the chopping frequency. Further, even if the chopping frequency is selected to be relatively high to provide a relatively broad bandwidth, the high chopping frequency may increase charge injection related artifacts and may result in a reduction in amplifier settling time with concomitant increase in power consumption. In other configurations, the bandwidth may be extended by configuring the chopper amplifier to include multiple gain paths. However, such configurations may include additional transfer function poles and / or may include one path with high bandwidth, which has a high power consumption, occupies a large amount of chip area and increases the design complexity. Furthermore, such configurations may suffer from path mismatch artifacts.

Vorrichtungen und Verfahren für Zerhackerverstärker werden hier geschaffen. In bestimmten Konfigurationen umfasst ein Zerhackerverstärker mindestens eine Differentialtransistorreihe wie z. B. eine Reihe, die Differential-Eingangspaartransistoren, Differentiallasttransistoren oder Differentialkascodentransistoren des Verstärkers zugeordnet ist. Jede Differentialtransistorreihe kann eine Auswahlschaltung und mehrere Transistoren umfassen und die Auswahlschaltung kann einen ersten Teil der Transistoren für den Betrieb in einer ersten Transistorgruppe und einen zweiten Teil der Transistoren für den Betrieb in einer zweiten Transistorgruppe auswählen. Während der Kalibrierung kann der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers für verschiedene Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihen beobachtet oder gemessen werden. Obwohl die Transistoren einer speziellen Reihe so ausgelegt sein können, dass sie etwa dieselbe Ansteuerstärke und/oder Geometrie aufweisen, kann der Zerhackerverstärker einen unterschiedlichen Eingangsversatz in verschiedenen Transistorkonfigurationen aufweisen. Vor dem Zerhacken kann der Zerhackerverstärker beispielsweise verschiedene Beträge einer Eingangsversatzspannung in verschiedenen Transistorkonfigurationen aufweisen. Der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers kann sich beispielsweise bei verschiedenen Transistorkonfigurationen aufgrund einer Herstellungsfehlnpassung zwischen Transistoren, wie z. B. einer Herstellungsfehlanpassung, die mit Prozessvariation verbunden ist, ändern.Devices and methods for chopper amplifiers are provided here. In certain configurations, a chopper amplifier includes at least one differential transistor array, such as a transistor. A row associated with differential input pair transistors, differential load transistors or differential cascode transistors of the amplifier. Each differential transistor array may comprise a selection circuit and a plurality of transistors, and the selection circuit may select a first portion of the transistors for operation in a first transistor group and a second portion of the transistors for operation in a second transistor group. During calibration, the input offset of the chopper amplifier can be observed or measured for different transistor configurations of the differential transistor arrays. Although the transistors of a particular row may be designed to have approximately the same drive strength and / or geometry, the chopper amplifier may have a different input offset in different transistor configurations. For example, before chopping, the chopper amplifier may have different amounts of input offset voltage in different transistor configurations. For example, the input offset of the chopper amplifier may be at different transistor configurations due to a manufacturing mismatch between transistors, such as. A manufacturing mismatch associated with process variation.

Obwohl ein Zerhackerverstärker ein relativ kleines Ausmaß an Eingangsversatz aufweisen kann, wenn der Verstärker zerhackt, kann die Eingangsversatzspannung des Verstärkers vor dem Zerhacken durch die Zerhackoperationen in eine Ausgangsspannungswelligkeit umgesetzt werden. Folglich kann es erwünscht sein, dass der Zerhackerverstärker vor dem Zerhacken eine niedrige Eingangsversatzspannung aufweist. Folglich können die Zerhackerverstärker hier programmiert werden, um mit den ausgewählten Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihen zu arbeiten, um den Verstärker mit einem niedrigen Eingangsversatz bereitzustellen.Although a chopper amplifier may have a relatively small amount of input offset when the amplifier chops, the input offset voltage of the amplifier may be converted to output voltage ripple before chopping by the chopping operations. Consequently, it may be desirable for the chopper amplifier to have a low input offset voltage prior to chopping. Thus, the chopper amplifiers can be programmed here to operate with the selected transistor configurations of the differential transistor arrays to provide the amplifier with a low input offset.

Die Zerhackerverstärker hier können einen niedrigen Eingangsversatz mit einer relativ kleinen Auswirkung auf die Größe, den Leistungsverbrauch und/oder die Verstärkungscharakteristiken des Verstärkers relativ zu bestimmten anderen Eingangsversatz-Verringerungsschemen erreichen. Ferner können bestimmte Zerhackerverstärker hier eine kleine Ausgangswelligkeit, einen kleinen Eingangsversatzstrom, eine niedrige Eingangsversatzdrift und/oder ein geringes Funkelrauschen aufweisen.The chopper amplifiers herein can achieve a low input offset with a relatively small effect on the size, power consumption and / or gain characteristics of the amplifier relative to certain other input offset reduction schemes. Further, certain chopper amplifiers herein may have a small output ripple, a small input offset current, a low input offset drift, and / or a low flicker noise.

Überblick über Zerhackerverstärker mit verringertem EingangsversatzOverview of chopper amplifiers with reduced input offset

1A ist ein schematisches Blockdiagramm, das eine Ausführungsform einer integrierten Schaltung (IC) 20 darstellt. Die IC 20 umfasst einen programmierbaren Speicher 9 und einen Zerhackerverstärker 10. 1A FIG. 12 is a schematic block diagram illustrating one embodiment of an integrated circuit (IC). FIG. 20 represents. The IC 20 includes a programmable memory 9 and a chopper amplifier 10 ,

Der programmierbare Speicher 9 kann ein Programmiersignal PGRM empfangen, das verwendet werden kann, um einen Zustand des programmierbaren Speichers 9 zu programmieren. Obwohl 1A den programmierbaren Speicher 9 als ein Programmiersignal empfangend darstellt, kann der programmierbare Speicher 9 zusätzliche Programmiersignale empfangen und/oder das Programmiersignal PGRM kann mehrere Bits umfassen. Der programmierbare Speicher 9 kann ein Steuersignal CTL auf der Basis des Zustandes des programmierbaren Speichers erzeugen. Obwohl 1A den programmierbaren Speicher 9 als ein Steuersignal erzeugend darstellt, kann der programmierbare Speicher 9 zusätzliche Steuersignale erzeugen. In bestimmten Implementierungen kann der programmierbare Speicher 9 mehrere Steuersignale erzeugen und/oder das Steuersignal CTL kann mehrere Bits umfassen.The programmable memory 9 can be a programming signal PGRM which can be used to a state of programmable memory 9 to program. Even though 1A the programmable memory 9 as a programming signal receiving, the programmable memory 9 receive additional programming signals and / or the programming signal PGRM can span several bits. The programmable memory 9 can be a control signal CTL based on the state of the programmable memory. Even though 1A the programmable memory 9 represents as a control signal generating, the programmable memory 9 generate additional control signals. In certain implementations, the programmable memory may be 9 generate a plurality of control signals and / or the control signal CTL can span several bits.

Der dargestellte Zerhackerverstärker 10 umfasst eine Eingangszerhackschaltung 1, eine Ausgangszerhackschaltung 2 und eine Differentialtransistorreihe 4. Der Zerhackerverstärker 10 kann das Steuersignal CTL und ein Eingangssignal, das einer Differenz zwischen einer positiven oder nicht invertierten Eingangsspannung VIN+ und einer negativen oder invertierten Eingangsspannung VIN- entspricht, empfangen. Außerdem kann der Zerhackerverstärker 10 das Eingangssignal verstärken, um eine Ausgangsspannung VOUT zu erzeugen.The illustrated chopper amplifier 10 includes an input chopping circuit 1 , an output chopping circuit 2 and a differential transistor array 4 , The chopper amplifier 10 can the control signal CTL and an input signal that is a difference between a positive or non-inverted input voltage V IN + and a negative or inverted input voltage V IN- corresponds, received. In addition, the chopper amplifier 10 amplify the input signal to an output voltage V OUT to create.

Obwohl 1A eine Konfiguration darstellt, in der der Zerhackerverstärker 10 ein unsymmetrisches Ausgangsspannungssignal erzeugt, kann der Zerhackerverstärker 10 dazu ausgelegt sein, andere Ausgangssignale zu erzeugen, einschließlich beispielsweise eines Differenz-Ausgangsspannungssignals, eines asymmetrischen Ausgangsstromsignals, eines Differenz-Ausgangsstromsignals oder einer Kombination davon. Obwohl 1A den Zerhackerverstärker 10 in einer Konfiguration mit offener Schleife darstellt, kann der Zerhackerverstärker 10 außerdem in geschlossener Schleife verwendet werden.Even though 1A represents a configuration in which the chopper amplifier 10 generates an unbalanced output voltage signal, the chopper amplifier 10 be configured to generate other output signals including, for example, a differential output voltage signal, an asymmetrical output current signal, a differential output current signal, or a combination thereof. Even though 1A the chopper amplifier 10 in an open-loop configuration, the chopper amplifier can 10 also be used in closed loop.

Die Eingangs- und Ausgangszerhackschaltungen 1, 2 können verwendet werden, um Eingangs- bzw. Ausgangszerhackoperationen am Eingangssignal durchzuführen, um den Fehler in der Ausgangsspannung VOUT , der der Eingangsversatzspannung des Zerhackerverstärkers zugeordnet ist, zu verringern. Die Eingangszerhackschaltung 1 kann verwendet werden, um das Eingangssignal zu zerhacken oder zu modulieren, bevor es durch eine Eingangsverstärkungsstufe des Zerhackerverstärkers 10 verstärkt wird. Die Ausgangszerhackschaltung 2 kann verwendet werden, um das verstärkte Differenzeingangssignal zu zerhacken oder zu demodulieren, das weiter verstärkt und/oder anderweitig verarbeitet werden kann, um die Ausgangsspannung VOUT zu erzeugen.The input and output chopping circuits 1 . 2 can be used to perform input or output chopping operations on the input signal to compensate for the error in the output voltage V OUT , which is assigned to the input offset voltage of the chopper amplifier to reduce. The input chopping circuit 1 can be used to chop or modulate the input signal before passing through an input gain stage of the chopper amplifier 10 is reinforced. The output chopping circuit 2 can be used to chop or demodulate the amplified differential input signal, which can be further amplified and / or otherwise processed to the output voltage V OUT to create.

Die Differentialtransistorreihe 4 kann mindestens einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss, eine Auswahlschaltung und mehrere Transistoren umfassen. Die mehreren Transistoren können individuell für den Betrieb in einer ersten Transistorgruppe oder Unterschaltung, die dem ersten Anschluss zugeordnet ist, oder für den Betrieb in einer zweiten Transistorgruppe oder Unterschaltung, die dem zweiten Anschluss zugeordnet ist, ausgewählt werden. Die Differentialtransistorreihe 4 kann entlang des Verstärkungspfades des Zerhackerverstärkers 10 angeordnet sein. In bestimmten Implementierungen kann beispielsweise die Differentialtransistorreihe 4 als Differentialeingangstransistoren, Differentiallasttransitoren oder Differentialkascodentransistoren des Zerhackerverstärkers 10 arbeiten. In bestimmten Implementierungen weisen die Transistoren etwa dieselbe Geometrie an Lithographiemasken auf, die zur Herstellung der IC 20 verwendet werden.The differential transistor series 4 may comprise at least a first terminal, a second terminal, a selection circuit and a plurality of transistors. The plurality of transistors may be individually selected for operation in a first transistor group or subcircuit associated with the first terminal or for operation in a second transistor group or subcircuit associated with the second terminal. The differential transistor series 4 can along the gain path of the chopper amplifier 10 be arranged. For example, in certain implementations, the differential transistor series 4 as differential input transistors, differential load transistors or differential cascode transistors of the chopper amplifier 10 work. In certain implementations, the transistors have approximately the same geometry Lithography masks on which for the production of the IC 20 be used.

Wie in 1A gezeigt, kann die Differentialtransistorreihe 4 ein Steuersignal CTL von einem programmierbaren Speicher 9 empfangen. Das Steuersignal CTL kann verwendet werden, um die Differentialtransistorreihe 4 mit einer speziellen Konfiguration von Transistoren, die mit den Anschlüssen der Reihe gekoppelt sind, zu konfigurieren. Die Auswahlschaltung der Reihe kann beispielsweise das Steuersignal CTL verwenden, um einen ersten Teil der Transistoren für den Betrieb in der ersten Transistorgruppe und einen zweiten Teil der Transistoren für den Betrieb in der zweiten Transistorgruppe auszuwählen.As in 1A shown, the differential transistor series 4 a control signal CTL from a programmable memory 9 receive. The control signal CTL Can be used to drive the differential transistor 4 with a special configuration of transistors that are coupled to the terminals of the series to configure. The selection circuit of the series can, for example, the control signal CTL to select a first portion of the transistors for operation in the first transistor group and a second portion of the transistors for operation in the second transistor group.

Während der Vorrichtungsherstellung kann jeder Transistor von der Differentialtransistorreihe 4 eine willkürliche Versatzspannung erleiden, die mit dem Betriebspunkt wie z. B. der Temperatur, der Versorgungsspannung, dem Vorspannungsstrom und/oder der Gleichtakt-Eingangsspannung variieren kann. Für eine gegebene Transistorkonfiguration kann der gesamte Versatz der Differentialtransistorreihe von selektiv verbundenen Transistoren etwa gleich der Summe aller Versätze der Transistoren in der ersten Transistorgruppe der Reihe minus einer Summe aller Versätze der Transistoren in der zweiten Transistorgruppe der Reihe sein.During device fabrication, each transistor can be driven by the differential transistor array 4 suffer an arbitrary offset voltage, which coincides with the operating point such. As the temperature, the supply voltage, the bias current and / or the common mode input voltage can vary. For a given transistor configuration, the total offset of the differential transistor series of selectively connected transistors may be approximately equal to the sum of all the offsets of the transistors in the first transistor group of the row minus a sum of all the offsets of the transistors in the second transistor group of the row.

In bestimmten Konfigurationen kann der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers 10 während der Kalibrierung für eine Vielfalt von Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihe 4 beobachtet werden. Außerdem können die Daten verwendet werden, um eine spezielle Transistorkonfiguration der Differentialtransistorreihe 4 mit einem niedrigen Eingangsversatz auszuwählen. Außerdem kann der programmierbare Speicher 9 mit Daten programmiert werden, die der ausgewählten Transistorkonfiguration entsprechen, so dass der Zerhackerverstärker 10 mit der ausgewählten Transistorkonfiguration der Differentialtransistorreihe 4 während des Betriebs arbeitet. Beispiele von Kalibrierungsprozessen für einen Zerhackerverstärker wie z. B. den Zerhackerverstärker 10 werden nachstehend mit Bezug auf 13 und 14 weiter beschrieben.In certain configurations, the input offset of the chopper amplifier 10 during calibration for a variety of transistor configurations of the differential transistor array 4 to be observed. In addition, the data can be used to provide a special transistor configuration of the differential transistor array 4 with a low input offset. In addition, the programmable memory 9 be programmed with data corresponding to the selected transistor configuration, so that the chopper amplifier 10 with the selected transistor configuration of the differential transistor series 4 works during operation. Examples of calibration processes for a chopper amplifier such. B. the chopper amplifier 10 will be described below with reference to 13 and 14 further described.

Folglich kann die Differentialtransistorreihe 4 des Zerhackerverstärkers 10 so programmiert werden, dass sie eine Transistorkonfiguration mit verringertem minimalem Eingangsversatz relativ zu anderen möglichen Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihe 4 umfasst. Der niedrige Eingangsversatz kann auch zu einer kleinen Ausgangswelligkeit und/oder einem niedrigen Eingangsversatzstrom führen, der dem Aufladen und Entladen der Eingangskapazität während des Zerhackens zugeordnet ist.Consequently, the differential transistor series 4 of the chopper amplifier 10 be programmed to have a transistor configuration with a reduced minimum input offset relative to other possible transistor configurations of the differential transistor array 4 includes. The low input offset may also result in a small output ripple and / or a low input offset current associated with the charging and discharging of the input capacitance during chopping.

In bestimmten Konfigurationen kann der programmierbare Speicher 9 ein nichtflüchtiger Speicher sein, einschließlich beispielsweise eines Flash-Speichers, eines Festwertspeichers (ROM), eines unter Verwendung von Sicherungen und/oder Antisicherungen implementierten Speichers und/oder einer Magnetspeichervorrichtung. Andere Konfigurationen sind jedoch möglich, wie z. B. Implementierungen, in denen der programmierbare Speicher 9 ein flüchtiger Speicher ist, der während des Einschaltens oder Anschaltens so programmiert wird, dass er Daten umfasst, die der ausgewählten Transistorkonfiguration entsprechen, und/oder der mit den Daten während einer Kalibrierungssequenz programmiert wird.In certain configurations, the programmable memory may be 9 a nonvolatile memory including, for example, a flash memory, a read only memory (ROM), a memory implemented using fuses and / or antifuses, and / or a magnetic memory device. Other configurations are possible, such. B. implementations in which the programmable memory 9 is a volatile memory that is programmed during power up or on to include data that corresponds to the selected transistor configuration and / or that is programmed with the data during a calibration sequence.

Obwohl 1A den Zerhackerverstärker 10 als eine Differentialtransistorreihe umfassend darstellt, sind die Lehren hier auf Konfigurationen anwendbar, in denen ein Zerhackerverstärker zusätzliche Differentialtransistorreihen umfasst. In solchen Konfigurationen kann der programmierbare Speicher 9 dazu konfiguriert sein, zusätzliche Steuersignale für die zusätzlichen Differentialtransistorreihen zu liefern.Even though 1A the chopper amplifier 10 as a differential transistor array, the teachings herein are applicable to configurations in which a chopper amplifier comprises additional differential transistor arrays. In such configurations, the programmable memory 9 be configured to provide additional control signals for the additional differential transistor rows.

1B und 1C sind schematische Blockdiagramme einer Differentialtransistorreihe 8 gemäß einer Ausführungsform. Die Differentialtransistorreihe 8 stellt eine Implementierung der Differentialtransistorreihe 4 von 1A dar. 1B stellt die Differentialtransistorreihe 8 vor der Konfiguration durch ein Steuersignal CTL dar und 1C stellt ein Beispiel der Differentialtransistorreihe 8 nach der Konfiguration durch das Steuersignal CTL dar. 1B and 1C are schematic block diagrams of a differential transistor array 8th according to one embodiment. The differential transistor series 8th represents an implementation of the differential transistor series 4 from 1A represents. 1B represents the differential transistor series 8th before configuration by a control signal CTL and 1C shows an example of the differential transistor series 8th after configuration by the control signal CTL represents.

Die Differentialtransistorreihe 8 umfasst einen ersten Anschluss A, einen zweiten Anschluss B, erste bis zehnte Transistoren 5a-5j und eine Auswahlschaltung 7, die dazu konfiguriert ist, das Steuersignal CTL zu empfangen.The differential transistor series 8th includes a first port A , a second connection B , first to tenth transistors 5a - 5y and a selection circuit 7 that is configured to receive the control signal CTL to recieve.

Die Auswahlschaltung 7 kann das Steuersignal CTL verwenden, um einen ersten Teil der Transistoren 5a-5j für den Betrieb in einer ersten Transistorgruppe 6a auszuwählen und einen zweiten Teil der Transistoren 5a-5j für den Betrieb in einer zweiten Unterschaltung 6b auszuwählen.The selection circuit 7 can the control signal CTL use a first part of the transistors 5a - 5y for operation in a first transistor group 6a select and a second part of the transistors 5a - 5y for operation in a second subcircuit 6b select.

In bestimmten Implementierungen sind die Transistoren 5a-5j so ausgelegt, dass sie im Wesentlichen dieselbe Ansteuerstärke und/oder Geometrie ohne Herstellungsvariation aufweisen, und die Auswahlschaltung 7 ist dazu konfiguriert, eine gleiche Anzahl von Transistoren in der ersten und der zweiten Unterschaltung 6a, 6b aufzunehmen.In certain implementations, the transistors are 5a - 5y designed to have substantially the same drive strength and / or geometry without manufacturing variation, and the selection circuit 7 is configured to have an equal number of transistors in the first and second subcircuit 6a . 6b take.

Während der Herstellung einer IC mit der Differentialtransistorreihe 8 kann jeder der Transistoren 5a-5j eine willkürliche Versatzspannung erleiden. Für eine gegebene Konfiguration der Transistoren in der ersten und der zweiten Unterschaltung 6a, 6b kann der Gesamtversatz der Differentialtransistorreihe 8 etwa gleich der Summe der Versätze der Transistoren in der ersten Unterschaltung 6a minus einer Summe der Versätze der Transistoren in der zweiten Unterschaltung 6b sein.During the fabrication of an IC with the differential transistor series 8th can any of the transistors 5a - 5y to suffer an arbitrary offset voltage. For a given configuration of the transistors in the first and second subcircuits 6a . 6b may be the total offset of the differential transistor array 8th approximately equal to the sum of the offsets of the transistors in the first subcircuit 6a minus a sum of the offsets of the transistors in the second subcircuit 6b his.

Während der Kalibrierung eines Zerhackerverstärkers, der die Differentialtransistorreihe 8 umfasst, können verschiedene ausgewählte Kombinationen von Transistoren in der ersten und der zweiten Unterschaltung 6a, 6b aufgenommen werden und ein Eingangsversatz des Verstärkers kann für jede ausgewählte Transistorkonfiguration beobachtet werden. In bestimmten Konfigurationen wird ein Eingangsversatz des Verstärkers beobachtet, wenn der Verstärker nicht zerhackt. In anderen Konfigurationen wird ein restlicher Eingangsversatz des Verstärkers beobachtet, während der Verstärker zerhackt.During calibration of a chopper amplifier, the differential transistor array 8th may include various selected combinations of transistors in the first and second subcircuits 6a . 6b and an input offset of the amplifier can be observed for each selected transistor configuration. In certain configurations, an input offset of the amplifier is observed if the amplifier does not chop. In other configurations, a residual input offset of the amplifier is observed as the amplifier chops.

Außerdem kann unter Verwendung der Daten eine spezielle Transistorkonfiguration ausgewählt werden, wie z. B. eine Kombination von Transistoren mit dem kleinsten Verstärkereingangsversatz. Außerdem kann ein programmierbarer Speicher wie z. B. der programmierbare Speicher 9 von 1A mit Daten programmiert werden, die der ausgewählten Transistorkonfiguration entsprechen. Der programmierbare Speicher kann das Steuersignal CTL erzeugen, das die Auswahlschaltung 7 verwenden kann, um die Transistoren auszuwählen, die in der ersten und der zweiten Unterschaltung 6a, 6b arbeiten.In addition, using the data, a specific transistor configuration may be selected, such as: B. a combination of transistors with the smallest gain input offset. In addition, a programmable memory such. B. the programmable memory 9 from 1A be programmed with data corresponding to the selected transistor configuration. The programmable memory may be the control signal CTL generate that selection circuit 7 can use to select the transistors in the first and second subcircuits 6a . 6b work.

Im dargestellten Beispiel hat die Auswahlschaltung 7 das Steuersignal CTL verwendet, um den zweiten, den dritten, den fünften und den neunten Transistor 5b, 5c, 5e, 5i für den Betrieb in der ersten Transistorgruppe 6a auszuwählen. Außerdem hat die Auswahlschaltung 7 das Steuersignal CTL verwendet, um den vierten, den sechsten, den siebten und den zehnten Transistor 5d, 5f, 5g, 5j für den Betrieb in der zweiten Transistorgruppe 6b auszuwählen. Ferner wurden im dargestellten Beispiel der erste und der achte Transistor 5a, 5h nicht für den Betrieb in entweder der ersten oder der zweiten Transistorgruppe 6a, 6b ausgewählt.In the example shown, the selection circuit has 7 the control signal CTL used to the second, the third, the fifth and the ninth transistor 5b . 5c . 5e . 5i for operation in the first transistor group 6a select. Besides, the selection circuit has 7 the control signal CTL used to the fourth, the sixth, the seventh and the tenth transistor 5d . 5f . 5g . 5y for operation in the second transistor group 6b select. Furthermore, in the example shown, the first and the eighth transistor 5a . 5h not for operation in either the first or second transistor group 6a . 6b selected.

1C stellt ein Beispiel einer möglichen Verteilung der Transistoren 5a-5j zwischen der ersten und der zweiten Transistorgruppe 6a, 6b dar. Die in 1C dargestellte Verteilung ist jedoch erläuternd und die Differentialtransistorreihe 8 kann in anderen Weisen programmiert werden. 1C provides an example of a possible distribution of the transistors 5a - 5y between the first and second transistor groups 6a . 6b The in 1C however, the distribution shown is illustrative and the differential transistor series 8th can be programmed in other ways.

Obwohl die dargestellte Differentialtransistorreihe 8 zehn Transistoren umfasst, kann eine Differentialtransistorreihe so ausgelegt sein, dass sie mehr oder weniger Transistoren umfasst. In einer Ausführungsform umfasst eine Differentialtransistorreihe zwischen etwa 4 und etwa 24 Transistoren. Andere Konfigurationen sind jedoch möglich.Although the illustrated differential transistor series 8th includes ten transistors, a differential transistor series may be designed to include more or less transistors. In one embodiment, a differential transistor array includes between about 4 and about 24 transistors. Other configurations are possible.

Wie vorstehend beschrieben, kann die Auswahlschaltung 7 das Steuersignal CTL verwenden, um einen ersten Teil der Transistoren 5a-5j auszuwählen, um sie in die erste Transistorgruppe 6a aufzunehmen, und einen zweiten Teil der Transistoren 5a-5j auszuwählen, um sie in die zweite Transistorgruppe 6b aufzunehmen. In der dargestellten Konfiguration werden weniger als alle der Transistoren 5a-5j für den Betrieb in der ersten und der zweiten Transistorgruppe 6a, 6b ausgewählt. Andere Konfigurationen sind jedoch möglich, wie z. B. Implementierungen, in denen jeder der Transistoren 5a-5j in entweder die erste Transistorgruppe 6a oder die zweite Transistorgruppe 6b aufgenommen wird.As described above, the selection circuit 7 the control signal CTL use a first part of the transistors 5a-5j to select them in the first transistor group 6a and a second part of the transistors 5a-5j to select them in the second transistor group 6b take. In the illustrated configuration, less than all of the transistors 5a-5j for operation in the first and second transistor groups 6a . 6b selected. Other configurations are possible, such. B. implementations in which each of the transistors 5a-5j in either the first transistor group 6a or the second transistor group 6b is recorded.

In bestimmten Implementierungen kann die Auswahlschaltung 7 eine Schaltungsanordnung zum selektiven Aufnehmen von irgendeinem speziellen Transistor in entweder die erste Transistorgruppe 6a oder in die zweite Transistorgruppe 6b umfassen. In anderen Konfigurationen können jedoch bestimmte Transistoren selektiv in nur eine spezielle Transistorgruppe aufgenommen werden. In einer Ausführungsform wählt beispielsweise die Auswahlschaltung 7 die erste Transistorgruppe 6a aus einem ersten Satz oder einer ersten Ansammlung von Transistoren aus und wählt die zweite Transistorgruppe 6b aus einem zweiten Satz von Transistoren aus, wobei zumindest ein Teil der Transistoren im ersten und zweiten Satz von Transistoren unterschiedlich ist.In certain implementations, the selection circuit may 7 circuitry for selectively picking up any particular transistor in either the first transistor group 6a or in the second transistor group 6b include. However, in other configurations, certain transistors may be selectively included in only a particular transistor group. For example, in one embodiment, the selection circuit selects 7 the first transistor group 6a from a first set or a first collection of transistors and selects the second transistor group 6b of a second set of transistors, wherein at least a portion of the transistors in the first and second sets of transistors are different.

Die Transistoren 5a-5h können Transistoren einer breiten Vielfalt von Typen entsprechen. In einer Ausführungsform umfassen die Transistoren 5a-5h Feldeffekttransistoren (FETs) wie z. B. Metalloxid-Halbleiter-Transistoren (MOS-Transistoren) oder Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFETs). Andere Konfigurationen sind jedoch möglich, wie z. B. Implementierungen, in denen die Transistoren 5a-5h Bipolartransistoren umfassen.The transistors 5a-5h For example, transistors may correspond to a wide variety of types. In one embodiment, the transistors comprise 5a-5h Field effect transistors (FETs) such. As metal oxide semiconductor transistors (MOS transistors) or junction field effect transistors (JFETs). Other configurations are possible, such. B. implementations in which the transistors 5a-5h Bipolar transistors include.

In bestimmten Konfigurationen sind die in einer speziellen Transistorgruppe enthaltenen Transistoren elektrisch parallel geschaltet. In einer Konfiguration unter Verwendung von FETs können beispielsweise die für den Betrieb in der ersten Unterschaltung 6a ausgewählten Transistoren Drains, die miteinander verbunden sind, Sources, die miteinander verbunden sind, und/oder Gates, die miteinander verbunden sind, aufweisen. Ebenso können die für den Betrieb in der zweiten Unterschaltung 6b ausgewählten Transistoren Drains, die miteinander verbunden sind, Sources, die miteinander verbunden sind, und/oder Gates, die miteinander verbunden sind, aufweisen.In certain configurations, the transistors contained in a particular transistor group are electrically connected in parallel. For example, in a configuration using FETs, those for operation in the first sub-circuit may be 6a selected transistors drain, which are connected to each other, sources that are connected to each other, and / or gates that are connected to each other. Likewise, those for operation in the second subcircuit 6b selected transistors drain, which are connected to each other, sources that are connected to each other, and / or gates that are connected to each other.

Obwohl 1B und 1C die Differentialtransistorreihe 8 als zwei Anschlüsse umfassend darstellen, kann die Differentialtransistorreihe 8 so ausgelegt sein, dass sie zusätzliche Anschlüsse umfasst. In einer Konfiguration unter Verwendung von FETs kann die Differentialtransistorreihe 8 beispielsweise Anschlüsse umfassen, die den Drains, Sources und/oder Gates der Transistoren in der ersten und der zweiten Unterschaltung 6a, 6b zugeordnet sind. Verschiedene Beispiele von Differentialtransistorreihen werden nachstehend weiter im Einzelnen beschrieben. Even though 1B and 1C the differential transistor array 8th as comprising two terminals, the differential transistor array 8th be designed so that it includes additional connections. In a configuration using FETs, the differential transistor series can 8th For example, terminals may include the drains, sources, and / or gates of the transistors in the first and second subcircuits 6a . 6b assigned. Various examples of differential transistor series will be described in more detail below.

2-7 sind Schaltpläne von Zerhackerverstärkern gemäß verschiedenen Ausführungsformen. 2-7 FIG. 12 are circuit diagrams of chopper amplifiers according to various embodiments. FIG.

2 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 50 gemäß einer Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 50 umfasst einen ersten oder nicht invertierenden Eingangsanschluss VIN+ , einen zweiten oder invertierenden Eingangsanschluss VIN- , einen Ausgangsanschluss VOUT , eine Eingangszerhackschaltung 11, eine erste Ausgangszerhackschaltung 12a, eine zweite Ausgangszerhackschaltung 12b, eine Stromquelle 13, eine erste Differentialtransistorreihe 14, erste und zweite Metalloxid-Halbleiter-Lasttransistoren vom p-Typ (PMOS-Transistoren) 21, 22, erste und zweite PMOS-Kascodentransistoren 23, 24, erste und zweite Metalloxid-Halbleiter-Lasttransistoren vom n-Typ (NMOS-Lasttransistoren) 31, 32, erste und zweite NMOS-Kascodentransistoren 33, 34, eine Ausgangsverstärkungsschaltung 41, einen Integrationskondensator 42 und einen Rückkopplungskondensator 43. 2 is a circuit diagram of a chopper amplifier 50 according to one embodiment. The chopper amplifier 50 includes a first or non-inverting input terminal V IN + , a second or inverting input terminal V IN- , an output terminal V OUT , an input chopping circuit 11 , a first output chopping circuit 12a , a second output chopping circuit 12b , a power source 13 , a first differential transistor array 14 , First and Second P-Type Metal Oxide Semiconductor Load Transistors (PMOS Transistors) 21 . 22 , first and second PMOS cascode transistors 23 . 24 , First and Second N-Type Metal Oxide Semiconductor Load Transistors (NMOS Load Transistors) 31 . 32 , first and second NMOS cascode transistors 33 . 34 , an output amplification circuit 41 , an integration capacitor 42 and a feedback capacitor 43 ,

Wie hier verwendet und wie der Fachmann auf dem Gebiet erkennt, können MOS-Transistoren Gates aufweisen, die aus Materialien bestehen, die keine Metalle sind, wie z. B. Polysilizium, und können dielektrische Bereiche aufweisen, die nicht nur mit Siliziumoxid, sondern mit anderen Dielektrika wie z. B. Dielektrika mit hohem k implementiert sind.As used herein, and as one skilled in the art will appreciate, MOS transistors may include gates made of materials other than metals, such as metals. As polysilicon, and may have dielectric regions that not only with silicon oxide, but with other dielectrics such. B. dielectrics with high k are implemented.

Die Eingangszerhackschaltung 11 umfasst einen ersten Eingang, der mit dem nicht invertierten Eingangsanschluss VIN+ elektrisch verbunden ist, einen zweiten Eingang, der mit dem invertierten Eingangsanschluss VIN- elektrisch verbunden ist, einen Takteingang, der dazu konfiguriert ist, ein Zerhacktaktsignal CLKCHOP zu empfangen, einen ersten Ausgang, der mit einem ersten Gateanschluss der ersten Differentialtransistorreihe 14 elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Ausgangsanschluss, der mit einem zweiten Gateanschluss der ersten Differentialtransistorreihe 14 elektrisch verbunden ist. Die Stromquelle 13 ist zwischen einem gemeinsamen Sourceanschluss der ersten Differentialtransistorreihe 14 und einer ersten Versorgungsspannung V1 elektrisch verbunden, die beispielsweise eine niedrige oder Masseleistungsversorgung sein kann. Die Stromquelle 13 kann verwendet werden, um einen Vorspannungsstrom zum gemeinsamen Sourceanschluss der ersten Differentialtransistorreihe 14 zu liefern. Die erste Differentialtransistorreihe 14 umfasst ferner einen Steueranschluss, der dazu konfiguriert ist, ein erstes Steuersignal CTL1 von einem programmierbaren Speicher wie z. B. dem programmierbaren Speicher 9 von 1A zu empfangen. Die erste Differentialtransistorreihe 14 umfasst ferner einen ersten Drainanschluss, der mit einem Drain des ersten PMOS-Lasttransistors 21 und mit einem Source des ersten PMOS-Kascodentransistors 23 elektrisch verbunden ist. Die erste Differentialtransistorreihe 14 umfasst ferner einen zweiten Drainanschluss, der mit einem Drain des zweiten PMOS-Lasttransistors 22 und mit einem Source des zweiten PMOS-Kascodentransistors 24 elektrisch verbunden ist.The input chopping circuit 11 includes a first input connected to the non-inverted input terminal V IN + is electrically connected to a second input connected to the inverted input terminal V IN- is electrically connected, a clock input configured to a Zerhacktaktsignal CLK CHOP to receive a first output connected to a first gate terminal of the first differential transistor array 14 is electrically connected, and a second output terminal connected to a second gate terminal of the first differential transistor array 14 electrically connected. The power source 13 is between a common source of the first differential transistor series 14 and a first supply voltage V 1 electrically connected, which may be, for example, a low or power supply. The power source 13 may be used to apply a bias current to the common source of the first differential transistor array 14 to deliver. The first differential transistor array 14 further comprises a control terminal configured to receive a first control signal CTL1 from a programmable memory such. B. the programmable memory 9 from 1A to recieve. The first differential transistor array 14 further includes a first drain connected to a drain of the first PMOS load transistor 21 and a source of the first PMOS cascode transistor 23 electrically connected. The first differential transistor array 14 further includes a second drain connected to a drain of the second PMOS load transistor 22 and a source of the second PMOS cascode transistor 24 electrically connected.

Der erste PMOS-Lasttransistor 21 umfasst ferner ein Gate, das mit einer ersten Referenzspannung VREF1 und mit einem Gate des zweiten PMOS-Lasttransistors 22 elektrisch verbunden ist. Der erste PMOS-Lasttransistor 21 umfasst ferner einen Source, der mit einer zweiten Versorgungsspannung V2 elektrisch verbunden ist, die beispielsweise eine hohe Leistungsversorgung sein kann. Der zweite PMOS-Lasttransistor 22 umfasst ferner einen Source, der mit der zweiten Versorgungsspannung V2 elektrisch verbunden ist. Der erste PMOS-Kascodentransistor 23 umfasst ferner ein Gate, das mit einer zweiten Referenzspannung VREF2 und mit einem Gate des zweiten PMOS-Kascodentransistors 24 elektrisch verbunden ist. Der erste PMOS-Kascodentransistor 23 umfasst ferner einen Drain, der mit einem ersten Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a elektrisch verbunden ist. Der zweite PMOS-Kascodentransistor 24 umfasst ferner einen Drain, der mit einem zweiten Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a elektrisch verbunden ist. Die erste Ausgangszerhackschaltung 12a umfasst ferner einen Takteingang, der dazu konfiguriert ist, das Zerhacktaktsignal CLKCHOP zu empfangen. Die erste Ausgangszerhackschaltung 12a umfasst ferner einen ersten Ausgang, der mit einem invertierenden Eingang der Ausgangsverstärkungsschaltung 41, mit einem ersten Ende des Rückkopplungskondensators 43 und mit einem ersten Eingang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b elektrisch verbunden ist. Die erste Ausgangszerhackschaltung 12a umfasst ferner einen zweiten Ausgang, der mit einem zweiten Eingang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b, mit einem nicht invertierenden Eingang der Ausgangsverstärkungsschaltung 41 und mit einem ersten Ende des Integrationskondensators 42 elektrisch verbunden ist. Der Integrationskondensator 42 umfasst ferner ein zweites Ende, das mit der ersten Versorgungsspannung V1 elektrisch verbunden ist. Der Rückkopplungskondensator 43 umfasst ferner ein zweites Ende, das mit einem Ausgang der Ausgangsverstärkungsschaltung 41 und mit dem Ausgangsanschluss VOUT elektrisch verbunden ist.The first PMOS load transistor 21 further includes a gate connected to a first reference voltage V REF1 and a gate of the second PMOS load transistor 22 electrically connected. The first PMOS load transistor 21 further comprises a source connected to a second supply voltage V 2 is electrically connected, which may for example be a high power supply. The second PMOS load transistor 22 further includes a source connected to the second supply voltage V 2 electrically connected. The first PMOS cascode transistor 23 further includes a gate connected to a second reference voltage V REF2 and a gate of the second PMOS cascode transistor 24 electrically connected. The first PMOS cascode transistor 23 further includes a drain connected to a first input of the first output chopping circuit 12a electrically connected. The second PMOS cascode transistor 24 further includes a drain connected to a second input of the first output chopping circuit 12a electrically connected. The first output chopping circuit 12a further comprises a clock input configured to receive the chopping clock signal CLK CHOP to recieve. The first output chopping circuit 12a further comprises a first output connected to an inverting input of the output amplifying circuit 41 with a first end of the feedback capacitor 43 and a first input of the second output chopping circuit 12b electrically connected. The first output chopping circuit 12a further comprises a second output coupled to a second input of the second output chopping circuit 12b , with a non-inverting input of the output amplification circuit 41 and a first end of the integration capacitor 42 electrically connected. The integration capacitor 42 further includes a second end connected to the first supply voltage V 1 electrically connected. The feedback capacitor 43 further comprises a second end connected to an output of the output amplifying circuit 41 and with the output terminal V OUT electrically connected.

Die zweite Ausgangszerhackschaltung 12b umfasst ferner einen Takteingang, der dazu konfiguriert ist, das Zerhacktaktsignal CLKCHOP zu empfangen, einen ersten Ausgang, der mit einem Drain des ersten NMOS-Kascodentransistors 33 elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Ausgang, der mit einem Drain des zweiten NMOS-Kascodentransistors 34 elektrisch verbunden ist. Der erste NMOS-Kascodentransistor 33 umfasst ferner ein Gate, das mit einer dritten Referenzspannung VREF3 und mit einem Gate des zweiten NMOS-Kascodentransistors 34 elektrisch verbunden ist. Der erste NMOS-Kascodentransistor 33 umfasst ferner einen Source, der mit einem Drain des ersten NMOS-Lasttransistors 31 elektrisch verbunden ist. Der zweite NMOS-Kascodentransistor 34 umfasst ferner einen Source, der mit einem Drain des zweiten NMOS-Lasttransistors 32 elektrisch verbunden ist. Der erste NMOS-Lasttransistor 31 umfasst ferner einen Source, der mit der ersten Versorgungsspannung V1 elektrisch verbunden ist, und ein Gate, das mit einer vierten Referenzspannung VREF4 und mit einem Gate des zweiten NMOS-Lasttransistors 32 elektrisch verbunden ist. Der zweite NMOS-Lasttransistor 32 umfasst ferner einen Source, der mit der ersten Versorgungsspannung V1 elektrisch verbunden ist.The second output chopping circuit 12b further comprises a clock input configured to receive the chopping clock signal CLK CHOP receive a first output connected to a drain of the first NMOS cascode transistor 33 is electrically connected, and a second output connected to a drain of the second NMOS cascode transistor 34 electrically connected. The first NMOS cascode transistor 33 further includes a gate connected to a third reference voltage V REF3 and a gate of the second NMOS cascode transistor 34 electrically connected. The first NMOS cascode transistor 33 further includes a source connected to a drain of the first NMOS load transistor 31 electrically connected. The second NMOS cascode transistor 34 further includes a source connected to a drain of the second NMOS load transistor 32 electrically connected. The first NMOS load transistor 31 further includes a source connected to the first supply voltage V 1 is electrically connected, and a gate having a fourth reference voltage V REF4 and a gate of the second NMOS load transistor 32 electrically connected. The second NMOS load transistor 32 further includes a source connected to the first supply voltage V 1 electrically connected.

In der dargestellten Konfiguration wird die erste Differentialtransistorreihe 14 verwendet, um als Differetial-Eingangstransistorpaar des Zerhackerverstärkers 50 zu arbeiten. Die erste Differentialtransistorreihe 14 umfasst mehrere Transistoren. Ein erster Teil der Transistoren kann in einer ersten Transistorgruppe arbeiten, die dem ersten Drainanschluss, dem ersten Gateanschluss und dem gemeinsamen Sourceanschluss der Reihe zugeordnet ist, und ein zweiter Teil der Transistoren kann in einer zweiten Transistorgruppe arbeiten, die dem zweiten Drainanschluss, dem zweiten Gateanschluss und dem gemeinsamen Sourceanschluss der Reihe zugeordnet ist. Der erste Teil der Transistoren kann beispielsweise Drains, die mit dem ersten Drainanschluss elektrisch verbunden sind, Gates, die mit dem ersten Gateanschluss elektrisch verbunden sind, und Sources, die mit dem gemeinsamen Sourceanschluss elektrisch verbunden sind, aufweisen. Außerdem kann der zweite Teil der Transistoren Drains, die mit dem zweiten Drainanschluss elektrisch verbunden sind, Gates, die mit dem zweiten Gateanschluss elektrisch verbunden sind, und Sources, die mit dem gemeinsamen Sourceanschluss elektrisch verbunden sind, aufweisen. Zwei Beispielimplementierungen der ersten Differentialtransistorreihe 14 werden nachstehend mit Bezug auf 8A-8B weiter beschrieben.In the illustrated configuration, the first differential transistor array becomes 14 used as a differential input transistor pair of the chopper amplifier 50 to work. The first differential transistor array 14 includes several transistors. A first portion of the transistors may operate in a first transistor group associated with the first drain terminal, the first gate terminal, and the common source terminal of the row, and a second portion of the transistors may operate in a second transistor group connected to the second drain terminal, the second gate terminal and the common source of the series is assigned. The first part of the transistors may include, for example, drains electrically connected to the first drain, gates electrically connected to the first gate, and sources electrically connected to the common source. In addition, the second portion of the transistors may include drains electrically connected to the second drain terminal, gates electrically connected to the second gate terminal, and sources electrically connected to the common source terminal. Two example implementations of the first differential transistor series 14 will be described below with reference to 8A-8B further described.

2 stellt ein Beispiel eines Zerhackerverstärkers dar, der eine Differentialtransistorreihe umfassen kann. Die erste Differentialtransistorreihe 14 kann unter Verwendung des ersten Steuersignals CTL1 programmiert werden, um mit einer speziellen Transistorkonfiguration mit einem niedrigen Eingangsversatz zu arbeiten. Obwohl der Zerhackerverstärker 50 von 2 ein Beispiel eines Zerhackerverstärkers darstellt, der eine Differentialtransistorreihe umfassen kann, sind die Lehren hier auf eine breite Vielfalt von Zerhackerverstärkern anwendbar, einschließlich beispielsweise Zerhackerverstärkern, die unter Verwendung von anderen Schaltungstopologien implementiert werden. 2 FIG. 10 illustrates an example of a chopper amplifier that may include a differential transistor array. The first differential transistor array 14 can be done using the first control signal CTL1 be programmed to work with a special transistor configuration with a low input offset. Although the chopper amplifier 50 from 2 As an example of a chopper amplifier, which may include a differential transistor array, the teachings herein are applicable to a wide variety of chopper amplifiers, including, for example, chopper amplifiers implemented using other circuit topologies.

Obwohl 2 eine Konfiguration darstellt, in der die erste Differentialtransistorreihe 14 Eingangstransistoren vom n-Typ zugeordnet ist, sind die Lehren hier außerdem auf Konfigurationen unter Verwendung von Eingangstransistoren vom p-Typ und/oder einer Kombination von Eingangstransistoren vom n-Typ und vom p-Typ anwendbar.Even though 2 represents a configuration in which the first differential transistor array 14 In addition, the teachings herein are applicable to configurations using p-type input transistors and / or a combination of n-type and p-type input transistors.

3 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 60 gemäß einer anderen Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 60 von 3 ist zum Zerhackerverstärker 50 von 22 ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 60 eine Konfiguration darstellt, in der der erste und der zweite PMOS-Lasttransistor 21, 22 von 2 zugunsten des Einschlusses einer zweiten Differentialtransistorreihe 15 weggelassen wurden, und in der der erste und der zweite NMOS-Lasttransistor 31, 32 von 2 zugunsten des Einschlusses einer dritten Differentialtransistorreihe 16 weggelassen wurden. 3 is a circuit diagram of a chopper amplifier 60 according to another embodiment. The chopper amplifier 60 from 3 is to the chopper amplifier 50 from 22 similar, except that the chopper amplifier 60 illustrates a configuration in which the first and second PMOS load transistors 21 . 22 from 2 in favor of the inclusion of a second differential transistor series 15 and the first and second NMOS load transistors 31 . 32 from 2 in favor of the inclusion of a third differential transistor array 16 were omitted.

Wie in 3 gezeigt, umfasst die zweite Differentialtransistorreihe 15 einen Steueranschluss, der dazu konfiguriert ist, ein zweites Steuersignal CTL2 zu empfangen, einen gemeinsamen Sourceanschluss, der mit der zweiten Versorgungsspannung V2 elektrisch verbunden ist, einen ersten Drainanschluss, der mit dem Source des ersten PMOS-Kascodentransistors 23 elektrisch verbunden ist, einen zweiten Drainanschluss, der mit dem Source des zweiten PMOS-Kascodentransistors 24 elektrisch verbunden ist, und einen gemeinsamen Gateanschluss, der mit der ersten Referenzspannung VREF1 elektrisch verbunden ist. Außerdem umfasst die dritte Differentialtransistorreihe 16 einen Steueranschluss, der dazu konfiguriert ist, ein drittes Steuersignal CTL3 zu empfangen, einen gemeinsamen Sourceanschluss, der mit der ersten Versorgungsspannung V1 elektrisch verbunden ist, einen ersten Drainanschluss, der mit dem Source des ersten NMOS-Kascodentransistors 33 elektrisch verbunden ist, einen zweiten Drainanschluss, der mit dem Source des zweiten NMOS-Kascodentransistors 34 elektrisch verbunden ist, und einen gemeinsamen Gateanschluss, der mit der vierten Referenzspannung VREF4 elektrisch verbunden ist.As in 3 includes the second differential transistor array 15 a control terminal configured to receive a second control signal CTL2 to receive a common source connected to the second supply voltage V 2 is electrically connected, a first drain terminal connected to the source of the first PMOS cascode transistor 23 is electrically connected, a second drain terminal connected to the source of the second PMOS cascode transistor 24 is electrically connected, and a common gate connected to the first reference voltage V REF1 electrically connected. In addition, the third differential transistor array includes 16 a control terminal configured to receive a third control signal CTL3 to receive a common source connected to the first supply voltage V 1 is electrically connected, a first drain terminal connected to the source of the first NMOS cascode transistor 33 is electrically connected, a second drain terminal connected to the source of the second NMOS cascode transistor 34 is electrically connected, and a common gate connected to the fourth reference voltage V REF4 electrically connected.

Das zweite Steuersignal CTL2 kann verwendet werden, um die Transistorkonfiguration der zweiten Differentialtransistorreihe 15 zu steuern. Außerdem kann das dritte Steuersignal CTL3 verwendet werden, um die Transistorkonfiguration der dritten Differentialtransistorreihe 16 zu steuern. Das zweite und das dritte Steuersignal CTL2, CTL3 können durch einen programmierbaren Speicher wie z. B. den programmierbaren Speicher 9 von 1A erzeugt werden. The second control signal CTL2 can be used to control the transistor configuration of the second differential transistor array 15 to control. In addition, the third control signal CTL3 used to control the transistor configuration of the third differential transistor array 16 to control. The second and the third control signal CTL2 . CTL3 can be controlled by a programmable memory such. B. the programmable memory 9 from 1A be generated.

Das Aufnehmen von mehreren Differentialtransistorreihen kann beim weiteren Verringern eines Eingangsversatzes eines Zerhackerverstärkers relativ zu Konfigurationen mit einzelner Reihe unterstützen. In der dargestellten Konfiguration können die erste, die zweite und die dritte Differentialtransistorreihe 14-16 separat unter Verwendung des ersten, des zweiten bzw. des dritten Steuersignals CTL1-CTL3 konfiguriert werden, um den Verstärker mit niedrigem Eingangsversatz zu kalibrieren.The inclusion of multiple differential transistor arrays may assist in further reducing an input offset of a chopper amplifier relative to single row configurations. In the illustrated configuration, the first, second, and third differential transistor arrays may be used 14 - 16 separately using the first, second and third control signals, respectively CTL1 - CTL3 be configured to calibrate the low input offset amplifier.

4A ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 70 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 70 von 7A ist ähnlich zum Zerhackerverstärker 60 von 3, außer dass der Zerhackerverstärker 70 eine Konfiguration darstellt, in der die erste Differentialtransistorreihe 14 von 3 zugunsten des Einschlusses des ersten und des zweiten NMOS-Eingangstransistors 61, 62 weggelassen wurde, die als Differential-Eingangstransistorpaar des Zerhackerverstärkers arbeiten. 4A is a circuit diagram of a chopper amplifier 70 according to a further embodiment. The chopper amplifier 70 from 7A is similar to the chopper amplifier 60 from 3 except that the chopper amplifier 70 represents a configuration in which the first differential transistor array 14 from 3 in favor of the inclusion of the first and second NMOS input transistors 61 . 62 have been omitted, which operate as a differential input transistor pair of the chopper amplifier.

Wie in 4A gezeigt, sind die Sources des ersten und des zweiten NMOS-Eingangstransistors 61, 62 miteinander verbunden und können den Vorspannungsstrom von der Stromquelle 13 empfangen. Außerdem sind die Gates des ersten und des zweiten NMOS-Eingangstransistors 61, 62 mit dem ersten bzw. dem zweiten Ausgang der Eingangszerhackschaltung 11 elektrisch verbunden. Ferner sind die Drains des ersten und des zweiten NMOS-Eingangstransistors 61, 62 mit dem ersten bzw. dem zweiten Drainanschluss der Differentialtransistorreihe 15 elektrisch verbunden.As in 4A are the sources of the first and second input NMOS transistors 61 . 62 connected together and can the bias current from the power source 13 receive. In addition, the gates of the first and second input NMOS transistors 61 . 62 with the first and the second output of the input chopping circuit 11 electrically connected. Further, the drains of the first and second input NMOS transistors 61 . 62 with the first and the second drain terminal of the differential transistor series 15 electrically connected.

Die hier beschriebenen Differentialtransistorreihen können in einer breiten Vielfalt von Anordnungen in einem Zerhackerverstärker enthalten sein. In der dargestellten Konfiguration arbeiten beispielsweise die Differentialtransistorreihen als Lasttransitoren des Zerhackerverstärkers. Die Lehren hier sind jedoch auf eine breite Vielfalt von Konfigurationen anwendbar, einschließlich beispielsweise Konfigurationen, in denen Differentialtransistorreihen als Differential-Eingangspaartransistoren, Differentiallasttransitoren und/oder Differentialkascodentransistoren eines Zerhackerverstärkers arbeiten.The differential transistor arrays described herein may be included in a wide variety of arrangements in a chopper amplifier. For example, in the illustrated configuration, the differential transistor arrays operate as load transducers of the chopper amplifier. However, the teachings herein are applicable to a wide variety of configurations, including, for example, configurations in which differential transistor arrays operate as differential input pair transistors, differential load transistors, and / or differential chopper transistors of a chopper amplifier.

4B ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 75 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 75 von 4B ist ähnlich zum Zerhackerverstärker 70 von 4A, außer dass der Zerhackerverstärker 75 eine Konfiguration darstellt, in der die dritte Differentialtransistorreihe 16 von 4A zugunsten des Einschlusses des ersten und des zweiten NMOS-Lasttransistors 31, 32 weggelassen wurde. 4B is a circuit diagram of a chopper amplifier 75 according to a further embodiment. The chopper amplifier 75 from 4B is similar to the chopper amplifier 70 from 4A except that the chopper amplifier 75 represents a configuration in which the third differential transistor array 16 from 4A in favor of the inclusion of the first and second NMOS load transistors 31 . 32 was omitted.

In bestimmten Implementierungen kann eine Differentialtransistorreihe für PMOS-Lasttransistoren, aber nicht für NMOS-Lasttransistoren verwendet werden oder umgekehrt. Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 75 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.In certain implementations, a differential transistor series may be used for PMOS load transistors, but not for NMOS load transistors, or vice versa. Additional details of the chopper amplifier 75 may be similar to those previously described.

5A ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 80 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 80 von 5A ist zum Zerhackerverstärker 50 von 2 ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 80 eine Konfiguration darstellt, in der die erste Differentialtransistorreihe 14 von 2 zugunsten des Einschlusses des ersten und des zweiten NMOS-Eingangstransistors 61, 62 weggelassen wurde. Außerdem stellt der Zerhackerverstärker 80 eine Konfiguration dar, in der der erste und der zweite PMOS-Kascodentransistor 23, 24 von 2 zugunsten des Einschlusses einer vierten Differentialtransistorreihe 17 weggelassen wurden und in der der erste und der zweite NMOS-Kascodentransistor 33, 34 von 2 zugunsten des Einschlusses einer fünften Differentialtransistorreihe 18 weggelassen wurden. 5A is a circuit diagram of a chopper amplifier 80 according to a further embodiment. The chopper amplifier 80 from 5A is to the chopper amplifier 50 from 2 similar, except that the chopper amplifier 80 represents a configuration in which the first differential transistor array 14 from 2 in favor of the inclusion of the first and second NMOS input transistors 61 . 62 was omitted. In addition, the chopper amplifier provides 80 a configuration in which the first and second PMOS cascode transistors 23 . 24 from 2 in favor of the inclusion of a fourth differential transistor series 17 and the first and second NMOS cascode transistors 33 . 34 from 2 in favor of the inclusion of a fifth differential transistor series 18 were omitted.

Wie in 5A gezeigt, umfasst die vierte Differentialtransistorreihe 17 einen Steueranschluss, der dazu konfiguriert ist, ein viertes Steuersignal CTL4 zu empfangen, einen ersten Sourceanschluss, der mit dem Drain des ersten PMOS-Lasttransistors 21 elektrisch verbunden ist, einen zweiten Sourceanschluss, der mit dem Drain des zweiten PMOS-Lasttransistors 22 elektrisch verbunden ist, einen ersten Sourceanschluss, der mit dem ersten Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a elektrisch verbunden ist, einen zweiten Sourceanschluss, der mit dem zweiten Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a elektrisch verbunden ist, und einen gemeinsamen Gateanschluss, der mit der zweiten Referenzspannung VREF2 elektrisch verbunden ist. Außerdem umfasst die fünfte Differentialtransistorreihe 18 einen Steueranschluss, der dazu konfiguriert ist, ein fünftes Steuersignal CTL5 zu empfangen, einen ersten Sourceanschluss, der mit dem Drain des ersten NMOS-Lasttransistors 31 elektrisch verbunden ist, einen zweiten Sourceanschluss, der mit dem Drain des zweiten NMOS-Lasttransistors 32 elektrisch verbunden ist, einen ersten Drainanschluss, der mit dem ersten Ausgang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b elektrisch verbunden ist, einen zweiten Drainanschluss, der mit dem zweiten Ausgang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b elektrisch verbunden ist, und einen gemeinsamen Gateanschluss, der mit der dritten Referenzspannung VREF3 elektrisch verbunden ist.As in 5A includes the fourth differential transistor array 17 a control terminal configured to receive a fourth control signal CTL4 receive a first source terminal connected to the drain of the first PMOS load transistor 21 is electrically connected, a second source terminal connected to the drain of the second PMOS load transistor 22 is electrically connected, a first source terminal connected to the first input of the first output chopping circuit 12a is electrically connected, a second source terminal connected to the second input of the first output chopping circuit 12a is electrically connected, and a common gate connected to the second reference voltage V REF2 electrically connected. In addition, the fifth differential transistor array includes 18 a control terminal configured to receive a fifth control signal CTL5 receive a first source terminal connected to the drain of the first NMOS load transistor 31 is electrically connected, a second source terminal connected to the drain of the second NMOS load transistor 32 is electrically connected, a first drain terminal connected to the first output of the second output chopping circuit 12b electrically connected, one second drain connected to the second output of the second output chopping circuit 12b is electrically connected, and a common gate connected to the third reference voltage V REF3 electrically connected.

Das vierte Steuersignal CTL4 kann verwendet werden, um die Transistorkonfiguration der vierten Differentialtransistorreihe 17 zu steuern. Außerdem kann das fünfte Steuersignal CTL5 verwendet werden, um die Transistorkonfiguration der fünften Differentialtransistorreihe 18 zu steuern. Das vierte und das fünfte Steuersignal CTL4, CTL5 können durch einen programmierbaren Speicher wie z. B. den programmierbaren Speicher 9 von 1A erzeugt werden. Die dargestellte Konfiguration lässt die erste, die zweite und die dritte Differentialtransistorreihe 14-16 von 3 weg. Die Lehren hier sind jedoch auf eine Vielfalt von Konfigurationen anwendbar, einschließlich beispielsweise Konfigurationen mit irgendeiner Kombination der ersten, der zweiten, der dritten, der vierten und/oder der fünften Differentialtransistorreihe 14-18. Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 80 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.The fourth control signal CTL4 can be used to control the transistor configuration of the fourth differential transistor array 17 to control. In addition, the fifth control signal CTL5 used to control the transistor configuration of the fifth differential transistor array 18 to control. The fourth and the fifth control signal CTL4 . CTL5 can be controlled by a programmable memory such. B. the programmable memory 9 from 1A be generated. The illustrated configuration leaves the first, second, and third differential transistor arrays 14-16 from 3 path. However, the teachings herein are applicable to a variety of configurations, including, for example, configurations having any combination of the first, second, third, fourth, and / or fifth differential transistor series 14-18 , Additional details of the chopper amplifier 80 may be similar to those previously described.

5B ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 85 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 85 von 5B ist zum Zerhackerverstärker 80 von 5A ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 85 eine Konfiguration darstellt, in der die fünfte Differentialtransistorreihe 18 von 5A zugunsten des Einschlusses des ersten und des zweiten NMOS-Kascodentransistors 33, 34 weggelassen wurde. 5B is a circuit diagram of a chopper amplifier 85 according to a further embodiment. The chopper amplifier 85 from 5B is to the chopper amplifier 80 from 5A similar, except that the chopper amplifier 85 represents a configuration in which the fifth differential transistor array 18 from 5A in favor of the inclusion of the first and second NMOS cascode transistors 33 . 34 was omitted.

In bestimmten Implementierungen kann eine Differentialtransistorreihe für PMOS-Kascodentransistoren, aber nicht für NMOS-Kascodentransistoren verwendet werden oder umgekehrt. Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 85 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.In certain implementations, a differential transistor array may be used for PMOS cascode transistors, but not for NMOS cascode transistors, or vice versa. Additional details of the chopper amplifier 85 may be similar to those previously described.

5C ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 84 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 84 umfasst die Eingangszerhackschaltung 11, die erste Ausgangszerhackschaltung 12a, die zweite Ausgangszerhackschaltung 12b, die Stromquelle 13, die Ausgangsverstärkungsschaltung 41, den Integrationskondensator 42, den Rückkopplungskondensator 43 und den ersten und den zweiten NMOS-Eingangstransistor 61, 62, die wie vorher beschrieben sein können. Der Zerhackerverstärker 84 umfasst ferner eine erste Differentialtransistorreihe 86 und eine zweite Differentialtransistorreihe 87. 5C is a circuit diagram of a chopper amplifier 84 according to a further embodiment. The chopper amplifier 84 includes the input chopping circuit 11 , the first output chopping circuit 12a , the second output chopping circuit 12b , the power source 13 , the output amplification circuit 41 , the integration capacitor 42 , the feedback capacitor 43 and the first and second input NMOS transistors 61 . 62 which may be as previously described. The chopper amplifier 84 further includes a first differential transistor array 86 and a second differential transistor array 87 ,

In bestimmten Implementierungen kann eine Differentialtransistorreihe eine Kombination von Kascodentransistoren, eines Lasttransistors und/oder von Eingangstransistoren umfassen, die gruppiert oder gepaart sind.In certain implementations, a differential transistor array may include a combination of cascode transistors, a load transistor, and / or input transistors that are grouped or paired.

In der dargestellten Konfiguration umfasst die erste Differentialtransistorreihe 86 beispielsweise mehrere PMOS-Lasttransitoren und mehrere PMOS-Kascodentransistoren, die miteinander gruppiert sind. Insbesondere werden die mehreren PMOS-Lasttransitoren und die mehreren PMOS-Kascodentransistoren derart implementiert, dass ein Drain eines speziellen PMOS-Lasttransistors an einen Source eines jeweiligen PMOS-Kascodentransistor gebunden ist. Ebenso umfasst die zweite Differentialtransistorreihe 87 mehrere NMOS-Lasttransistoren und mehrere NMOS-Kascodentransistoren, die miteinander gruppiert sind. Insbesondere werden die mehreren NMOS-Lasttransistoren und die mehreren NMOS-Kascodentransistoren derart implementiert, dass ein Drain eines speziellen NMOS-Lasttransistors an einen Source eines jeweiligen NMOS-Kascodentransistors gebunden ist.In the illustrated configuration, the first differential transistor array includes 86 for example, multiple PMOS load transistors and multiple PMOS cascode transistors grouped together. In particular, the plurality of PMOS load transistors and the plurality of PMOS cascode transistors are implemented such that a drain of a particular PMOS load transistor is tied to a source of a respective PMOS cascode transistor. Likewise, the second differential transistor array includes 87 a plurality of NMOS load transistors and a plurality of NMOS cascode transistors grouped together. In particular, the multiple NMOS load transistors and the plurality of NMOS cascode transistors are implemented such that a drain of a particular NMOS load transistor is tied to a source of a respective NMOS cascode transistor.

In der dargestellten Konfiguration kann das Steuersignal CTL4 verwendet werden, um einen ersten Teil der Transistorpaare der ersten Differentialtransistorreihe 86 zur elektrischen Verbindung zwischen dem Drain des ersten NMOS-Eingangstransistors 61 und dem ersten Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a auszuwählen, und einen zweiten Teil der Transistorpaare der ersten Differentialtransistorreihe 86 zur elektrischen Verbindung zwischen dem Drain des zweiten NMOS-Eingangstransistors 62 und dem zweiten Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a auszuwählen. Außerdem kann das Steuersignal CTL5 verwendet werden, um einen ersten Teil der Transistorpaare der zweiten Differentialtransistorreihe 87 zur elektrischen Verbindung zwischen dem ersten Eingang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b und der ersten Versorgungsspannung V1 auszuwählen, und einen zweiten Teil der Transistorpaare der zweiten Differentialtransistorreihe 87 zur elektrischen Verbindung zwischen dem zweiten Eingang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b und der ersten Versorgungsspannung V1 auszuwählen.In the illustrated configuration, the control signal CTL4 be used to a first part of the transistor pairs of the first differential transistor series 86 for electrical connection between the drain of the first NMOS input transistor 61 and the first input of the first output chopping circuit 12a and a second portion of the transistor pairs of the first differential transistor array 86 for electrical connection between the drain of the second NMOS input transistor 62 and the second input of the first output chopping circuit 12a select. In addition, the control signal CTL5 be used to a first part of the transistor pairs of the second differential transistor series 87 for the electrical connection between the first input of the second output chopping circuit 12b and the first supply voltage V 1 and a second portion of the transistor pairs of the second differential transistor array 87 for the electrical connection between the second input of the second output chopping circuit 12b and the first supply voltage V 1 select.

Obwohl im Zusammenhang mit Differentialtransistorreihen mit Transistorgruppen dargestellt, die jeweils einen Kascodentransistor und einen Lasttransistor umfassen, sind andere Konfigurationen möglich. Eine Differentialtransistorreihe kann beispielsweise Kascodentransistoren, Lasttransistoren und/oder Eingangstransitoren umfassen, die gruppiert oder gepaart sind. Ferner sind in einer bestimmten Konfiguration Degenerationswiderstände mit den Transistoren einer Differentialtransistorreihe gruppiert oder gepaart.Although illustrated in the context of differential transistor arrays having transistor groups each comprising a cascode transistor and a load transistor, other configurations are possible. A differential transistor array may include, for example, cascode transistors, load transistors, and / or input transistors that are grouped or paired. Further, in a particular configuration, degeneration resistors are grouped or paired with the transistors of a differential transistor array.

Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 84 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.Additional details of the chopper amplifier 84 may be similar to those previously described.

5D ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 88 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 88 umfasst die Eingangszerhackschaltung 11, die erste Ausgangszerhackschaltung 12a, die zweite Ausgangszerhackschaltung 12b, die Stromquelle 13, die Differentialtransistorreihe 16, den ersten und den zweiten PMOS-Kascodentransistor 23, 24, den ersten und den zweiten NMOS-Kascodentransistor 33, 34, die Ausgangsverstärkungsschaltung 41, den Integrationskondensator 42 und den Rückkopplungskondensator 43, die wie vorher beschrieben sein können. Der Zerhackerverstärker 88 umfasst ferner eine Differentialtransistorreihe 89. 5D is a circuit diagram of a chopper amplifier 88 according to a further embodiment. The chopper amplifier 88 includes the input chopping circuit 11 , the first output chopping circuit 12a , the second output chopping circuit 12b , the power source 13 , the differential transistor array 16 , the first and second PMOS cascode transistors 23 . 24 , the first and second NMOS cascode transistors 33 . 34 , the output amplification circuit 41 , the integration capacitor 42 and the feedback capacitor 43 which may be as previously described. The chopper amplifier 88 further includes a differential transistor array 89 ,

In der dargestellten Konfiguration umfasst die Differentialtransistorreihe 89 mehrere NMOS-Eingangstransistoren und mehrere PMOS-Lasttransistoren, die miteinander gepaart sind. Insbesondere werden die mehreren NMOS-Eingangstransistoren und die mehreren PMOS-Lasttransitoren derart implementiert, dass ein Drain eines speziellen NMOS-Eingangstransistors an einen Drain eines jeweiligen PMOS-Lasttransistors gebunden ist. Außerdem kann das Steuersignal CTL1 verwendet werden, um einen ersten Teil der Transistorpaare der Differentialtransistorreihe 89 zur elektrischen Verbindung zwischen dem ersten Ausgang der Eingangszerhackschaltung 12 und dem Source des ersten PMOS-Kascodentransistors 23 auszuwählen, und einen zweiten Teil der Transistorpaare der Differentialtransistorreihe 89 zur elektrischen Verbindung zwischen dem zweiten Ausgang der Eingangszerhackschaltung 12 und dem Source des zweiten PMOS-Kascodentransistors 24 auszuwählen.In the illustrated configuration, the differential transistor array includes 89 a plurality of NMOS input transistors and a plurality of PMOS load transistors coupled together. In particular, the plurality of NMOS input transistors and the plurality of PMOS load transistors are implemented such that a drain of a particular NMOS input transistor is tied to a drain of a respective PMOS load transistor. In addition, the control signal CTL1 used to form a first portion of the transistor pairs of the differential transistor array 89 for the electrical connection between the first output of the input chopping circuit 12 and the source of the first PMOS cascode transistor 23 and a second portion of the transistor pairs of the differential transistor array 89 for the electrical connection between the second output of the input chopping circuit 12 and the source of the second PMOS cascode transistor 24 select.

Obwohl im Zusammenhang mit einer Differentialtransistorreihe mit Transistorgruppen dargestellt, die jeweils einen Eingangstransistor und einen Lasttransistor umfassen, sind andere Konfigurationen möglich. In einer Ausführungsform umfasst eine Differentialtransistorreihe beispielsweise mehrere Transistorgruppen mit jeweils einem Eingangstransistor und einem Lasttransistor. In einer anderen Ausführungsform umfasst eine Differentialtransistorreihe mehrere Transistorgruppen mit jeweils einem Lasttransistor und einem Kascodentransistor. In noch einer weiteren Ausführungsform umfasst eine Differentialtransistorreihe mehrere Transistorgruppen mit jeweils einem Eingangstransistor, einem Kascodentransistor und einem Lasttransistor.Although illustrated with transistor groups in the context of a differential transistor array, each comprising an input transistor and a load transistor, other configurations are possible. For example, in one embodiment, a differential transistor array includes a plurality of transistor groups each having an input transistor and a load transistor. In another embodiment, a differential transistor array comprises a plurality of transistor groups each having a load transistor and a cascode transistor. In yet another embodiment, a differential transistor array includes a plurality of transistor groups each having an input transistor, a cascode transistor, and a load transistor.

Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 88 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.Additional details of the chopper amplifier 88 may be similar to those previously described.

6 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 90 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 90 von 6 ist zum Zerhackerverstärker 60 von 3 ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 90 eine andere Konfiguration einer Ausgangszerhackschaltungsanordnung darstellt. Im Gegensatz zum Zerhackerverstärker 60 von 3, der die erste und die zweite Ausgangszerhackschaltung 12a, 12b umfasst, umfasst der Zerhackerverstärker 90 beispielsweise eine Ausgangszerhackschaltung 12. 6 is a circuit diagram of a chopper amplifier 90 according to a further embodiment. The chopper amplifier 90 from 6 is to the chopper amplifier 60 from 3 similar, except that the chopper amplifier 90 illustrates another configuration of output chopping circuitry. In contrast to the chopper amplifier 60 from 3 , the first and the second output chopping circuit 12a . 12b includes, includes the chopper amplifier 90 for example, an output chopping circuit 12 ,

Wie in 6 gezeigt, umfasst die Ausgangszerhackschaltung 12 einen ersten Eingang, der mit dem Drain des ersten PMOS-Kascodentransistors 23 und mit dem Drain des ersten NMOS-Kascodentransistors 33 elektrisch verbunden ist, einen zweiten Eingang, der mit dem Drain des zweiten PMOS-Kascodentransistors 24 und mit dem Drain des zweiten NMOS-Kascodentransistors 34 elektrisch verbunden ist, einen Takteingang, der dazu konfiguriert ist, das Zerhacktaktsignal CLKCHOP zu empfangen, einen ersten Ausgang, der mit dem invertierenden Eingang der Ausgangsverstärkungsschaltung 41 und mit dem ersten Ende des Rückkopplungskondensators 43 elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Ausgang, der mit dem nicht invertierenden Eingang der Ausgangsverstärkungsschaltung 41 und mit dem ersten Ende des Integrationskondensators 42 elektrisch verbunden ist.As in 6 includes the output chopping circuit 12 a first input connected to the drain of the first PMOS cascode transistor 23 and to the drain of the first NMOS cascode transistor 33 is electrically connected, a second input connected to the drain of the second PMOS cascode transistor 24 and to the drain of the second NMOS cascode transistor 34 is electrically connected, a clock input configured to the Zerhacktaktsignal CLK CHOP to receive a first output connected to the inverting input of the output amplification circuit 41 and with the first end of the feedback capacitor 43 is electrically connected, and a second output connected to the non-inverting input of the output amplifying circuit 41 and with the first end of the integration capacitor 42 electrically connected.

Wie der Fachmann auf dem Gebiet erkennt, sind die Lehren hier auf eine breite Vielfalt von Eingangs- und Ausgangszerhackkonfigurationen anwendbar. Die Zerhackerverstärker hier können beispielsweise mehrere Eingangs- und/oder Ausgangszerhackschaltungen umfassen. Außerdem können in bestimmten Konfigurationen eine oder mehrere der Eingangs- und/oder Ausgangszerhackschaltungen verschiedene Taktsignale empfangen, wie z. B. Taktsignale mit verschiedenen Verzögerungen, Überlappungen, Nicht-Überlappungen und/oder Phasen.As those skilled in the art will appreciate, the teachings herein are applicable to a wide variety of input and output hack configurations. The chopper amplifiers here may include, for example, multiple input and / or output chopping circuits. In addition, in certain configurations, one or more of the input and / or output chopping circuits may receive different clock signals, such as clock signals. As clock signals with different delays, overlaps, non-overlaps and / or phases.

Wie nachstehend mit Bezug auf 10-12 weiter im Einzelnen beschrieben wird, kann in bestimmten Implementierungen eine Zerhackschaltung ferner mit einer Differentialtransistorreihe integriert sein. Das Integrieren einer Zerhackschaltung und einer Differentialtransistorreihe kann eine Anzahl von Schaltern in einem Signalpfad relativ zu einem Schema verringern, in dem der Zerhackerverstärker eine separate Eingangszerhackschaltung und Differentialtransistorreihe umfasst.As below with reference to 10-12 will be described in more detail, in certain implementations, a chopper circuit may further be integrated with a differential transistor array. The integration of a chopping circuit and a differential transistor array may reduce a number of switches in a signal path relative to a scheme in which the chopper amplifier comprises a separate input chopping circuit and differential transistor array.

7 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 100 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 100 von 7 ist zum Zerhackerverstärker 50 von 2 ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 100 eine andere Konfiguration der ersten und der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12a, 12b darstellt. 7 is a circuit diagram of a chopper amplifier 100 according to a further embodiment. The chopper amplifier 100 from 7 is to the chopper amplifier 50 from 2 similar, except that the chopper amplifier 100 another configuration of the first and the second output chopping circuit 12a . 12b represents.

In der in 7 gezeigten Konfiguration sind beispielsweise der erste und der zweite Eingang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a mit Drains des ersten bzw. des zweiten PMOS-Lasttransistors 21, 22 elektrisch verbunden. Außerdem sind der erste und der zweite Ausgang der ersten Ausgangszerhackschaltung 12a mit Sources des ersten bzw. des zweiten PMOS-Kascodentransistors 23, 24 elektrisch verbunden. Ferner sind der erste und der zweite Eingang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b mit den Sources des ersten bzw. des zweiten NMOS-Kascodentransistors 33, 34 elektrisch verbunden. Außerdem sind der erste und der zweite Ausgang der zweiten Ausgangszerhackschaltung 12b mit den Drains des ersten bzw. des zweiten NMOS-Lasttransistors 31, 32 elektrisch verbunden. Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 100 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.In the in 7 shown configuration, for example, the first and the second input of first output chopping circuit 12a with drains of the first and the second PMOS load transistor 21 . 22 electrically connected. In addition, the first and second outputs of the first output chopping circuit 12a with sources of the first and the second PMOS cascode transistor 23 . 24 electrically connected. Further, the first and second inputs of the second output chopping circuit 12b with the sources of the first and the second NMOS cascode transistor 33 . 34 electrically connected. In addition, the first and second outputs of the second output chopping circuit 12b with the drains of the first and second NMOS load transistors 31 . 32 electrically connected. Additional details of the chopper amplifier 100 may be similar to those previously described.

8A-8D sind Schaltpläne von Differentialtransistorreihen gemäß verschiedenen Ausführungsformen. 8A-8D 12 are schematic diagrams of differential transistor arrays according to various embodiments.

8A ist ein Schaltplan einer Differentialtransistorreihe 150 gemäß einer Ausführungsform. Die Differentialtransistorreihe 150 umfasst einen gemeinsamen Sourceanschluss S, einen ersten Gateanschluss GA, einen zweiten Gateanschluss GB, einen ersten Drainanschluss DA, einen zweiten Drainanschluss DB, erste bis vierte NMOS-Transistoren 121-124, erste bis vierte Drainauswahlschalter 131-134 und erste bis vierte Gateauswahlschalter 141-144. Die Differentialtransistorreihe 150 ist dazu konfiguriert, ein Steuersignal mit einem ersten Steuerbit CTL<1>, einem zweiten Steuerbit CTL<2>, einem dritten Steuerbit CTL<3> und einem vierten Steuerbit CTL<4> zu empfangen. Die Differentialtransistorreihe 150 stellt eine Beispielimplementierung der ersten Differentialtransistorreihe 14 von 2, 3, 6 und 7 dar. 8A is a circuit diagram of a differential transistor series 150 according to one embodiment. The differential transistor series 150 includes a common source S , a first gate connection GA , a second gate terminal GB , a first drain THERE , a second drain connection DB , first to fourth NMOS transistors 121 - 124 , first to fourth drain selection switches 131 - 134 and first to fourth gate selector switches 141 - 144 , The differential transistor series 150 is configured to provide a control signal with a first control bit CTL <1> , a second control bit CTL <2> , a third tax bill CTL <3> and a fourth control bit CTL <4> to recieve. The differential transistor series 150 FIG. 12 illustrates an example implementation of the first differential transistor series. FIG 14 from 2 . 3 . 6 and 7 represents.

In der in 8A gezeigten Konfiguration sind die Sources der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 124-124 mit dem gemeinsamen Sourceanschluss S elektrisch. Außerdem arbeiten die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 131-134 und die ersten bis vierten Gateauswahlschalter 141-144 als Auswahlschaltung, die unter Verwendung des Steuersignals der Reihe gesteuert werden kann. Die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 131-134 können beispielsweise verwendet werden, um die Drains der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 121-124 selektiv entweder mit dem ersten Drainanschluss DA oder dem zweiten Drainanschluss DB auf der Basis des Zustandes des ersten Steuerbits CTL<1>, des zweiten Steuerbits CTL<2>, des dritten Steuerbits CTL<3> bzw. des vierten Steuerbits CTL<4> zu verbinden. Außerdem können die ersten bis vierten Gateauswahlschalter 141-144 verwendet werden, um selektiv die Gates der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 121-124 entweder mit dem ersten Gateanschluss GA oder dem zweiten Gateanschluss GB auf der Basis des Zustandes des ersten Steuerbits CTL<1>, des zweiten Steuerbits CTL<2>, des dritten Steuerbits CTL<3> bzw. des vierten Steuerbits CTL<4> zu verbinden. Der Teil der Transistoren, die mit dem ersten Drainanschluss DA und dem ersten Gateanschluss GA verbunden sind, kann einer ersten Transistorgruppe zugeordnet sein, und der Teil der Transistoren, die mit dem zweiten Drainanschluss DB und dem zweiten Gateanschluss GB verbunden sind, kann einer zweiten Transistorgruppe zugeordnet sein.In the in 8A the configuration shown are the sources of the first to fourth NMOS transistors 124-124 with the common source connection S electric. In addition, the first to fourth drain selection switches operate 131 - 134 and the first to fourth gate selection switches 141 - 144 as a selection circuit that can be controlled using the control signal of the series. The first to fourth drain selection switches 131-134 For example, the drains of the first to fourth NMOS transistors may be used 121-124 selectively with either the first drain THERE or the second drain DB based on the state of the first control bit CTL <1> , the second control bit CTL <2> , the third control bit CTL <3> or the fourth control bit CTL <4> connect to. In addition, the first to fourth gate selection switches 141 - 144 used to selectively gate the first to fourth NMOS transistors 121 - 124 either with the first gate connection GA or the second gate terminal GB based on the state of the first control bit CTL <1> , the second control bit CTL <2> , the third control bit CTL <3> or the fourth control bit CTL <4> connect to. The part of the transistors connected to the first drain THERE and the first gate terminal GA may be associated with a first transistor group, and the part of the transistors connected to the second drain DB and the second gate terminal GB may be associated with a second transistor group.

In bestimmten Implementierungen sind die ersten bis vierten NMOS-Transistoren 121-124 mit derselben Ansteuerstärke und/oder Geometrie entworfen. Die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 131-134 und die ersten bis vierten Gateauswahlschalter 141-144 können verwendet werden, um einen ersten Teil der NMOS-Transistoren 121-124 mit dem ersten Drainanschluss DA und dem ersten Gateanschluss GA zu verbinden und um einen zweiten Teil der NMOS-Transistoren 121-124 mit dem zweiten Drainanschluss DB und dem zweiten Gateanschluss GB zu verbinden. In bestimmten Implementierungen kann die ausgewählte Konfiguration der Transistoren während eines Werktests bestimmt werden und kann in einem programmierbaren Speicher auf dem Chip festhalten werden.In certain implementations, the first to fourth NMOS transistors are 121-124 designed with the same drive strength and / or geometry. The first to fourth drain selection switches 131-134 and the first to fourth gate selection switches 141-144 can be used to make a first part of the NMOS transistors 121-124 with the first drain connection THERE and the first gate terminal GA to connect and to a second part of the NMOS transistors 121-124 with the second drain connection DB and the second gate terminal GB connect to. In certain implementations, the selected configuration of the transistors may be determined during a work test and may be retained in programmable memory on the chip.

Obwohl 8A eine Konfiguration unter Verwendung von vier NMOS-Transistoren und einer zugehörigen Auswahlschaltungsanordnung darstellt, kann die Differentialtransistorreihe so ausgelegt sein, dass sie eine andere Anzahl von Transistoren umfasst. In einer Ausführungsform umfasst die Differentialtransistorreihe 150 zwischen etwa 4 und etwa 24 Transistoren.Even though 8A 1 illustrates a configuration using four NMOS transistors and associated select circuitry, the differential transistor array may be configured to include a different number of transistors. In an embodiment, the differential transistor array comprises 150 between about 4 and about 24 transistors.

8B ist ein Schaltplan einer Differentialtransistorreihe 190 gemäß einer anderen Ausführungsform. Die Differentialtransistorreihe 190 umfasst einen gemeinsamen Sourceanschluss S, einen ersten Gateanschluss GA, einen zweiten Gateanschluss GB, einen ersten Drainanschluss DA, einen zweiten Drainanschluss DB, erste bis vierte NMOS-Transistoren 151-154, fünfte bis achte NMOS-Transistoren 161-164, erste bis vierte Drainauswahlschalter 171-174 und fünfte bis achte Drainauswahlschalter 181-184. Die Differentialtransistorreihe 190 ist dazu konfiguriert, ein Steuersignal mit Steuerbits CTLA<1>, CTLA<2>, CTLA<3>, CTLA<4>, CTLB<1>, CTLB<2>, CTLB<3> und CTLB<4> zu empfangen. Die Differentialtransistorreihe 190 stellt eine weitere Beispielimplementierung der ersten Differentialtransistorreihe 14 von 2, 3, 6 und 7 dar. 8B is a circuit diagram of a differential transistor series 190 according to another embodiment. The differential transistor series 190 includes a common source S , a first gate connection GA , a second gate terminal GB , a first drain THERE , a second drain connection DB , first to fourth NMOS transistors 151-154 , fifth to eighth NMOS transistors 161-164 , first to fourth drain selection switches 171-174 and fifth to eighth drain selector switches 181-184 , The differential transistor series 190 is configured to provide a control signal with control bits CTLA <1> . CTLA <2> . CTLA <3> . CTLA <4> . CTLB <1> . CTLB <2> . CTLB <3> and CTLB <4> to recieve. The differential transistor series 190 illustrates another example implementation of the first differential transistor series 14 from 2 . 3 . 6 and 7 represents.

In der in 8B gezeigten Konfiguration sind die Gates der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 151-154 mit dem ersten Gateanschluss GA elektrisch verbunden, die Gates der fünften bis achten NMOS-Transistoren 161-164 sind mit dem zweiten Gateanschluss GB elektrisch verbunden und die Sources der ersten bis achten NMOS-Transistoren 151-154, 161-164 sind mit dem gemeinsamen Sourceanschluss S elektrisch verbunden. Außerdem können die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 171-174 verwendet werden, um selektiv einen Teil der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 151-154 mit dem ersten Drainanschluss DA zu verbinden, um eine erste Transistorgruppe zu bilden. Außerdem können die fünften bis achten Drainauswahlschalter 181-184 verwendet werden, um selektiv einen Teil der fünften bis achten NMOS-Transistoren 161-164 mit dem zweiten Drainanschluss DB zu verbinden, um eine zweite Transistorgruppe zu bilden. Die ersten bis achten Drainauswahlschalter 171-174, 181-184 können eine spezielle Transistorkonfiguration auf der Basis eines Zustandes der Steuerbits CTLA<1>, CTLA<2>, CTLA<3>, CTLA<4>, CTLB<1>, CTLB<2>, CTLB<3> bzw. CTLB<4> auswählen.In the in 8B the configuration shown are the gates of the first to fourth NMOS transistors 151-154 with the first gate connection GA electrically connected, the gates of the fifth to pay attention to NMOS transistors 161-164 are with the second gate connection GB electrically connected and the sources of the first to eighth NMOS transistors 151-154 . 161-164 are with the common source S electrically connected. In addition, the first to fourth drain selection switches 171-174 be used to selectively part of the first to fourth NMOS transistors 151-154 with the first drain connection THERE to connect to form a first transistor group. In addition, the fifth to eighth drain selection switches 181-184 used to selectively part of the fifth to eighth NMOS transistors 161-164 with the second drain connection DB to connect to form a second transistor group. The first to eighth drain selector switches 171-174 . 181-184 can have a special transistor configuration based on a state of the control bits CTLA <1> . CTLA <2> . CTLA <3> . CTLA <4> . CTLB <1> . CTLB <2> . CTLB <3> or. CTLB <4> choose.

Obwohl 8B eine Konfiguration darstellt, in der die Differentialtransistorreihe vier Transistoren in zwei Sätzen oder Ansammlungen umfasst, können andere Konfigurationen mit mehr oder weniger Transistoren verwendet werden. Ferner kann in bestimmten Implementierungen jeder der Sätze eine unterschiedliche Anzahl von Transistoren umfassen.Even though 8B 1 represents a configuration in which the differential transistor array comprises four transistors in two sets or accumulations, other configurations with more or fewer transistors may be used. Further, in certain implementations, each of the sets may include a different number of transistors.

8C ist ein Schaltplan einer Differentialtransistorreihe 220 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Die Differentialtransistorreihe 220 umfasst einen gemeinsamen Sourceanschluss S, einen gemeinsamen Gateanschluss G, einen ersten Drainanschluss DA, einen zweiten Drainanschluss DB, erste bis vierte NMOS-Transistoren 201-204 und erste bis vierte Drainauswahlschalter 211-214. Die Differentialtransistorreihe 220 ist dazu konfiguriert, ein Steuersignal mit einem ersten Steuerbit CTL<1>, einem zweiten Steuerbit CTL<2>, einem dritten Steuerbit CTL<3> und einem vierten Steuerbit CTL<4> zu empfangen. Die Differentialtransistorreihe 220 stellt eine Beispielimplementierung der dritten Differentialtransistorreihe 16 von 3, 4 und 6 dar. 8C is a circuit diagram of a differential transistor series 220 according to a further embodiment. The differential transistor series 220 includes a common source S , a common gate connection G , a first drain THERE , a second drain connection DB , first to fourth NMOS transistors 201-204 and first to fourth drain selection switches 211-214 , The differential transistor series 220 is configured to provide a control signal with a first control bit CTL <1> , a second control bit CTL <2> , a third tax bill CTL <3> and a fourth control bit CTL <4> to recieve. The differential transistor series 220 FIG. 3 illustrates an example implementation of the third differential transistor array. FIG 16 from 3 . 4 and 6 represents.

In der in 8C gezeigten Konfiguration sind die Sources der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 201-204 mit dem gemeinsamen Sourceanschluss S elektrisch verbunden und die Gates der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 201-204 sind mit dem gemeinsamen Gateanschluss G elektrisch verbunden. Außerdem können die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 211-214 selektiv die Verbindung zwischen den Drains der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 201-204 und dem ersten oder zweiten Drainanschluss DA, DB unter Verwendung des ersten Steuerbits CTL<1>, des zweiten Steuerbits CTL<2>, des dritten Steuerbits CTL<3> bzw. des vierten Steuerbits CTL<4> steuern. Der Teil der Transistoren, die mit dem ersten Drainanschluss DA verbunden sind, kann einer ersten Transistorgruppe zugeordnet sein und der Teil der Transistoren, die mit dem zweiten Drainanschluss DB verbunden sind, kann einer zweiten Transistorgruppe zugeordnet sein. Zusätzliche Details der Differentialtransistorreihe 220 können wie vorher beschrieben sein.In the in 8C the configuration shown are the sources of the first to fourth NMOS transistors 201-204 with the common source connection S electrically connected and the gates of the first to fourth NMOS transistors 201-204 are with the common gate connection G electrically connected. In addition, the first to fourth drain selection switches 211-214 selectively, the connection between the drains of the first to fourth NMOS transistors 201-204 and the first or second drain THERE . DB using the first control bit CTL <1> , the second control bit CTL <2> , the third control bit CTL <3> or the fourth control bit CTL <4> control. The part of the transistors connected to the first drain THERE may be associated with a first transistor group and the part of the transistors connected to the second drain DB may be associated with a second transistor group. Additional details of the differential transistor series 220 can be as previously described.

8D ist ein Schaltplan einer Differentialtransistorreihe 250 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Die Differentialtransistorreihe 250 umfasst einen ersten Sourceanschluss SA, einen zweiten Sourceanschluss SB, einen gemeinsamen Gateanschluss G, einen ersten Drainanschluss DA, einen zweiten Drainanschluss DB, erste bis vierte NMOS-Transistoren 221-224, erste bis vierte Sourceauswahlschalter 231-234 und erste bis vierte Drainauswahlschalter 241-244. Die Differentialtransistorreihe 250 ist dazu konfiguriert, ein Steuersignal mit einem ersten Steuerbit CTL<1>, einem zweiten Steuerbit CTL<2>, einem dritten Steuerbit CTL<3> und einem vierten Steuerbit CTL<4> zu empfangen. Die Differentialtransistorreihe 250 stellt eine Beispielimplementierung der fünften Differentialtransistorreihe 18 von 5A dar. 8D is a circuit diagram of a differential transistor series 250 according to a further embodiment. The differential transistor series 250 includes a first source terminal SA , a second source connection SB , a common gate connection G , a first drain THERE , a second drain connection DB , first to fourth NMOS transistors 221-224 , first to fourth source selectors 231-234 and first to fourth drain selection switches 241-244 , The differential transistor series 250 is configured to provide a control signal with a first control bit CTL <1> , a second control bit CTL <2> , a third tax bill CTL <3> and a fourth control bit CTL <4> to recieve. The differential transistor series 250 FIG. 12 illustrates an example implementation of the fifth differential transistor array 18 of FIG 5A represents.

In der in 8D gezeigten Konfiguration sind die Gates der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 221-224 mit dem gemeinsamen Gateanschluss G elektrisch. Außerdem können die ersten bis vierten Sourceauswahlschalter 231-234 selektiv die Verbindung zwischen den Sources der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 221-224 und des ersten oder zweiten Sourceanschlusses SA, SB unter Verwendung des Steuersignals der Reihe steuern. Außerdem können die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 241-244 selektiv die Verbindung zwischen den Drains der ersten bis vierten NMOS-Transistoren 221-224 und dem ersten oder zweiten Drainanschluss DA, DB unter Verwendung des Steuersignals steuern. Der Teil der NMOS-Transistoren, die mit dem ersten Sourceanschluss SA und dem ersten Drainanschluss DA verbunden sind, kann einer ersten Transistorgruppe zugeordnet sein, und der Teil der NMOS-Transistoren, die mit dem zweiten Sourceanschluss SB und dem zweiten Drainanschluss DB verbunden sind, kann einer zweiten Transistorgruppe zugeordnet sein. Zusätzliche Details der Differentialtransistorreihe 250 können wie vorher beschrieben sein.In the in 8D the configuration shown are the gates of the first to fourth NMOS transistors 221-224 with the common gate terminal G electrical. In addition, the first to fourth source select switches 231-234 selectively, the connection between the sources of the first to fourth NMOS transistors 221-224 and the first or second source terminal SA . SB control using the control signal of the series. In addition, the first to fourth drain selection switches 241-244 selectively, the connection between the drains of the first to fourth NMOS transistors 221-224 and the first or second drain THERE . DB control using the control signal. The part of the NMOS transistors connected to the first source SA and the first drain THERE may be associated with a first transistor group, and the part of the NMOS transistors connected to the second source SB and the second drain terminal DB may be associated with a second transistor group. Additional details of the differential transistor array 250 may be as previously described.

Obwohl 8A-8D Differentialtransistorreihen darstellen, die mehrere Transistoren vom n-Typ umfassen, sind die Lehren hier auf Konfigurationen unter Verwendung von Transistoren vom p-Typ oder einer Kombination von Transistoren vom n-Typ und vom p-Typ anwendbar. In einer Ausführungsform wird beispielsweise die zweite Differentialtransistorreihe 15 von 3, 4 und 6 unter Verwendung einer komplementären PMOS-Konfiguration der NMOS-Differentialtransistorreihe 220 von 8C implementiert. In einer anderen Ausführungsform wird die vierte Differentialtransistorreihe 17 von 5A unter Verwendung einer komplementären PMOS-Konfiguration der NMOS-Differentialtransistorreihe von 8D implementiert. In einer anderen Ausführungsform umfasst der Zerhackerverstärker Differentialeingangstransistoren vom p-Typ und umfasst eine Differentialtransistorreihe, die unter Verwendung einer komplementären PMOS-Konfiguration der NMOS-Differentialtransistorreihe von 8A oder 8B implementiert wird.Even though 8A-8D Representing differential transistor arrays comprising a plurality of n-type transistors, the teachings herein are applicable to configurations using p-type transistors or a combination of n-type and p-type transistors. For example, in one embodiment, the second differential transistor array becomes 15 from 3 . 4 and 6 using a complementary PMOS configuration of the NMOS differential transistor array 220 from 8C implemented. In another embodiment, the fourth differential transistor array 17 from 5A using a complementary PMOS configuration of the NMOS differential transistor array of 8D implemented. In another embodiment, the chopper amplifier includes p-type differential input transistors and includes a differential transistor array that is constructed using a complementary PMOS configuration of the NMOS differential transistor array of FIG 8A or 8B is implemented.

9 ist ein Schaltplan einer Implementierung einer Zerhackschaltung 260. Die Eingangszerhackschaltung umfasst erste bis vierte Zerhackschalter 251-254. Die ersten bis vierten Zerhackschalter 251-254 können verwendet werden, um ein Eingangssignal zu zerhacken, das zwischen einem ersten Eingang IN1 und einem zweiten Eingang IN2 empfangen wird, um ein zerhacktes Ausgangssignal zwischen einem ersten Ausgang OUT1 und einem zweiten Ausgang OUT2 zu erzeugen. Die Zerhackschaltung 260 von 9 stellt eine Beispielimplementierung der hier beschriebenen Eingangs- und Ausgangszerhackschaltungen dar. Andere Konfigurationen sind jedoch möglich. 9 is a circuit diagram of an implementation of a chopper circuit 260 , The input chopping circuit includes first to fourth chopping switches 251-254 , The first to fourth chopper switches 251-254 can be used to chop an input signal between a first input IN1 and a second entrance IN 2 is received to a chopped output signal between a first output OUT1 and a second exit OUT2 to create. The chopping circuit 260 from 9 FIG. 3 illustrates an example implementation of the input and output chopping circuits described herein. However, other configurations are possible.

Die ersten bis vierten Zerhackschalter 251-254 arbeiten unter Verwendung eines Zerhacktaktsignals, das eine erste Zerhacktaktsignalphase (CLK) und eine zweite Zerhacktaktsignalphase (CLK,    ) umfasst. Der erste und der zweite Zerhackschalter 251, 252 können beispielsweise den ersten Eingang IN1 mit dem ersten Ausgang OUT1 und den zweiten Eingang IN2 mit dem zweiten Ausgang OUT2 während der ersten Zerhacktaktsignalphase verbinden. Außerdem können der dritte und der vierte Zerhackschalter 253, 254 den ersten Eingang IN1 mit dem zweiten Ausgang OUT2 und den zweiten Eingang IN2 mit dem ersten Ausgang OUT1 während der zweiten Zerhacktaktsignalphase verbinden. In bestimmten Konfigurationen können die erste Zerhacktaktsignalphase und die zweite Zerhacktaktsignalphase nicht überlappend sein.The first to fourth chopper switches 251-254 operate using a chopping clock signal that includes a first chopping clock signal phase ( CLK ) and a second burst clock signal phase (CLK, ). The first and second chopping switches 251 . 252 for example, the first input IN1 with the first exit OUT1 and the second entrance IN 2 with the second exit OUT2 during the first Zerhacktaktsignalphase connect. In addition, the third and fourth chopper switches 253 . 254 the first entrance IN1 with the second exit OUT2 and the second entrance IN 2 with the first exit OUT1 during the second Zerhacktaktsignalphase connect. In certain configurations, the first chopping clock signal phase and the second chopping clock signal phase may not be overlapping.

In einer Ausführungsform werden die ersten bis vierten Zerhackschalter 251-254 unter Verwendung von MOS-Transistoren wie z. B. NMOS-Transistoren, PMOS-Transistoren oder einer Kombination davon implementiert.In one embodiment, the first to fourth chopping switches 251-254 using MOS transistors such. As NMOS transistors, PMOS transistors or a combination thereof implemented.

10 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 310 gemäß einer weiteren Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 310 von 10 ist zum Zerhackerverstärker 50 von 2 ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 310 eine Konfiguration darstellt, in der die Eingangszerhackschaltung 11 von 2 und die erste Differentialtransistorreihe 14 von 2 zugunsten der Verwendung einer Zerhack-Differentialtransistorreihe 304 weggelassen sind. 10 is a circuit diagram of a chopper amplifier 310 according to a further embodiment. The chopper amplifier 310 from 10 is to the chopper amplifier 50 from 2 similar, except that the chopper amplifier 310 represents a configuration in which the input chopping circuit 11 from 2 and the first differential transistor array 14 from 2 in favor of the use of a chopping differential transistor array 304 are omitted.

Wie in 10 gezeigt, umfasst die Zerhack-Differentialtransistorreihe 304 einen ersten Gateanschluss, der mit dem nicht invertierenden Eingangsanschluss VIN+ elektrisch verbunden ist, einen zweiten Gateanschluss, der mit dem invertierenden Eingangsanschluss VIN- elektrisch verbunden ist, einen Steueranschluss, der dazu konfiguriert ist, das erste Steuersignal CTL1 zu empfangen, einen Taktanschluss, der dazu konfiguriert ist, das Zerhacktaktsignal CLKCHOP zu empfangen, einen gemeinsamen Sourceanschluss, der dazu konfiguriert ist, den Vorspannungsstrom von der Stromquelle 13 zu empfangen, einen ersten Drainanschluss, der mit dem Drain des ersten PMOS-Lasttransistors 21 und mit dem Source des ersten PMOS-Kascodentransistors 23 elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Drainanschluss, der mit dem Drain des zweiten PMOS-Lasttransistors 22 und mit dem Source des zweiten PMOS-Kascodentransistors 24 elektrisch verbunden ist.As in 10 includes the chopping differential transistor array 304 a first gate connected to the non-inverting input terminal V IN + is electrically connected, a second gate terminal connected to the inverting input terminal V IN- is electrically connected, a control terminal configured to the first control signal CTL1 receive a clock port configured to receive the chopping clock signal CLK CHOP to receive a common source, which is configured to the bias current from the power source 13 receive a first drain connected to the drain of the first PMOS load transistor 21 and to the source of the first PMOS cascode transistor 23 is electrically connected, and a second drain connected to the drain of the second PMOS load transistor 22 and to the source of the second PMOS cascode transistor 24 electrically connected.

In bestimmten Implementierungen kann eine Differentialtransistorreihe mit einer Eingangszerhackschaltung integriert sein, um eine Zerhack-Differentialtransistorreihe zu schaffen, die eine Anzahl von Schaltern in einem Signalpfad relativ zu einem Schema, in dem der Zerhackerverstärker eine separate Eingangszerhackschaltung und Differentialtransistorreihe umfasst, verringern kann. Zwei Beispielimplementierungen der Zerhack-Differentialtransistorreihe 304 werden nachstehend mit Bezug auf 12A-12B weiter beschrieben.In certain implementations, a differential transistor array may be integrated with an input chopping circuit to provide a chopping differential transistor array that may reduce a number of switches in a signal path relative to a scheme in which the chopper amplifier includes a separate input chopping circuit and differential transistor array. Two example implementations of the chopping differential transistor series 304 will be described below with reference to 12A-12B further described.

11 ist ein Schaltplan eines Zerhackerverstärkers 320 gemäß einer anderen Ausführungsform. Der Zerhackerverstärker 320 von 11 ist zum Zerhackerverstärker 310 von 10 ähnlich, außer dass der Zerhackerverstärker 310 eine Konfiguration darstellt, in der der erste und der zweite PMOS-Kascodentransistor 23, 24 und die erste Ausgangszerhackschaltung 12a von 10 zugunsten des Einschlusses einer zweiten Zerhack-Differentialtransistorreihe 305 weggelassen wurden, und in der der erste und der zweite NMOS-Lasttransistor 31, 32 und die zweite Ausgangszerhackschaltung 12b von 10 zugunsten des Einschlusses einer dritten Zerhack-Differentialtransistorreihe 306 weggelassen wurden. 11 is a circuit diagram of a chopper amplifier 320 according to another embodiment. The chopper amplifier 320 from 11 is to the chopper amplifier 310 from 10 similar, except that the chopper amplifier 310 illustrates a configuration in which the first and second PMOS cascode transistors 23 . 24 and the first output chopping circuit 12a from 10 in favor of the inclusion of a second chopping differential transistor series 305 and the first and second NMOS load transistors 31 . 32 and the second output chopping circuit 12b from 10 in favor of including a third chopping differential transistor series 306 were omitted.

Wie in 11 gezeigt, können ein Eingang des Zerhackerverstärkers und/oder eine Ausgangszerhackschaltungsanordnung mit einer oder mehreren Differentialtransistorreihen integriert werden, was eine Anzahl von Schaltern im Signalpfad des Zerhackerverstärkers verringern kann. Zusätzliche Details des Zerhackerverstärkers 320 können zu den vorher beschriebenen ähnlich sein.As in 11 As shown, an input of the chopper amplifier and / or an output chopping circuitry may be integrated with one or more differential transistor arrays, which may reduce a number of switches in the signal path of the chopper amplifier. Additional details of the chopper amplifier 320 may be similar to those previously described.

12A ist ein Schaltplan einer Zerhack-Differentialtransistorreihe 330 gemäß einer Ausführungsform. Die Zerhack-Differentialtransistorreihe 330 umfasst einen gemeinsame Sourceanschluss S, einen ersten Gateanschluss GA, einen zweiten Gateanschluss GB, einen ersten Drainanschluss DA, einen zweiten Drainanschluss DB, erste bis vierte NMOS-Transistoren 121-124, erste bis vierte Drainauswahlschalter 131-134, erste bis vierte Gateauswahlschalter 141-144 und erste bis vierte Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 321-324. Die Zerhack-Differentialtransistorreihe 330 ist dazu konfiguriert, ein Zerhacktaktsignal zu empfangen und ein Steuersignal mit einem ersten Steuerbit CTL<1>, einem zweiten Steuerbit CTL<2>, einem dritten Steuerbit CTL<3> und einem vierten Steuerbit CTL<4> zu empfangen. Die Differentialtransistorreihe 330 stellt eine Beispielimplementierung der Zerhack-Differentialtransistorreihe 304 von 10-11 dar. 12A is a circuit diagram of a chopping differential transistor array 330 according to one embodiment. The chopping differential transistor array 330 includes a common source S , a first gate connection GA , a second gate terminal GB , a first drain THERE , a second drain connection DB , first to fourth NMOS transistors 121-124 , first to fourth drain selection switches 131-134 , first to fourth gate selection switches 141-144 and first to fourth chopping clock signal control switches 321-324 , The chopping differential transistor array 330 is configured to receive a chopping clock signal and a control signal having a first control bit CTL <1> , a second control bit CTL <2> , a third tax bill CTL <3> and a fourth control bit CTL <4> to recieve. The differential transistor series 330 FIG. 4 illustrates an example implementation of the chopping differential transistor series 304 from 10-11 represents.

Die Zerhack-Differentialtransistorreihe 330 von 12A ist zur Differentialtransistorreihe 150 von 8A ähnlich, außer dass die Zerhack-Differentialtransistorreihe 330 ferner erste bis vierte Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 321-324 umfasst, die verwendet werden, um die ersten bis vierten Drainauswahlschalter 131-134 und die ersten bis vierten Gateauswahlschalter 141-144 zu steuern. Die ersten bis vierten Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 321-324 arbeiten als Multiplexer. Obwohl eine Implementierung eines Multiplexers dargestellt wurde, erkennt der Fachmann auf dem Gebiet, dass das Multiplexen in anderen Weisen bereitgestellt werden kann.The chopping differential transistor array 330 from 12A is to the differential transistor array 150 from 8A similar except that the chopping differential transistor series 330 Furthermore, first to fourth Zerhacktaktsignal control switch 321-324 which are used to provide the first to fourth drain selection switches 131-134 and the first to fourth gate selection switches 141-144 to control. The first to fourth clocking clock signal control switches 321-324 work as a multiplexer. Although an implementation of a multiplexer has been illustrated, those skilled in the art will recognize that multiplexing may be provided in other ways.

Wie in 12A gezeigt, kann jeder der ersten bis vierten Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 321-324 zwischen einer ersten Zerhacktaktsignalphase (CLK) und einer zweiten Zerhacktaktsignalphase (CLK,    ) des Zerhacktaktsignals auswählen. Der Fachmann auf dem Gebiet erkennt jedoch, dass andere Konfigurationen verwendet werden können.As in 12A Each of the first through the fourth clock signal control switches may be shown 321-324 between a first burst clock signal phase (CLK) and a second clock clock signal phase (CLK, ) of the Zerhacktaktsignals select. However, those skilled in the art will recognize that other configurations may be used.

Der erste Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 321 kann ein erstes Taktsignal CLK<1> durch Auswählen zwischen der ersten und der zweiten Zerhacktaktsignalphase unter Verwendung des ersten Steuerbits CTL<1> erzeugen. Außerdem kann der zweite Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 322 ein zweites Taktsignal CLK<2> durch Auswählen zwischen der ersten und der zweiten Zerhacktaktsignalphase unter Verwendung des zweiten Steuerbits CTL<2> erzeugen. Ferner kann der dritte Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 323 ein drittes Taktsignal CLK<3> durch Auswählen zwischen der ersten und der zweiten Zerhacktaktsignalphase unter Verwendung des dritten Steuerbits CTL<3> erzeugen. Außerdem kann der vierte Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 324 ein viertes Taktsignal CLK<4> durch Auswählen zwischen der ersten und der zweiten Zerhacktaktsignalphase unter Verwendung des vierten Steuerbits CTL<4> erzeugen. Wie in 12A gezeigt, können das erste Taktsignal CLK<1>, das zweite Taktsignal CLK<2>, das dritte Taktsignal CLK<3> und das vierte Taktsignal CLK<4> verwendet werden, um die Schaltoperationen der ersten bis vierten Drainauswahlschalter 131-134 bzw. der ersten bis vierten Gateauswahlschalter 141-144 zu steuern.The first chopping clock signal control switch 321 can be a first clock signal CLK <1> by selecting between the first and second chopping clock signal phases using the first control bit CTL <1> produce. In addition, the second Zerhacktaktsignal control switch 322 a second clock signal CLK <2> by selecting between the first and second chopping clock signal phases using the second control bit CTL <2> produce. Further, the third Zerhacktaktsignal control switch 323 a third clock signal CLK <3> by selecting between the first and second chopping clock signal phases using the third control bit CTL <3> produce. In addition, the fourth Zerhacktaktsignal control switch 324 a fourth clock signal CLK <4> by selecting between the first and second chopping clock signal phases using the fourth control bit CTL <4> produce. As in 12A shown, the first clock signal CLK <1> , the second clock signal CLK <2> , the third clock signal CLK <3> and the fourth clock signal CLK <4> used to switch operations of the first to fourth drain selection switches 131 - 134 or the first to fourth gate selector switch 141-144 to control.

12B ist ein Schaltplan einer Zerhack-Differentialtransistorreihe 350 gemäß einer anderen Ausführungsform. Die Zerhack-Differentialtransistorreihe 350 von 12B ist ähnlich zur Zerhack-Differentialtransistorreihe 330 von 12A, außer dass die Zerhack-Differentialtransistorreihe 350 die ersten bis vierten Zerhacktaktsignal-Steuerschalter 321-324 zugunsten des Einschlusses einer kombinatorischen Logik 355 weglässt. 12B is a circuit diagram of a chopping differential transistor array 350 according to another embodiment. The chopping differential transistor array 350 from 12B is similar to the chopping differential transistor series 330 from 12A except that the chopping differential transistor array 350 the first to fourth chopping clock signal control switches 321 - 324 in favor of the inclusion of combinatorial logic 355 omits.

Zusätzliche Details der Zerhack-Differentialtransistorreihe 350 können zu den vorstehend beschriebenen ähnlich sein.Additional details of the chopping differential transistor series 350 may be similar to those described above.

13 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 500 zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers gemäß einer Ausführungsform. Das Verfahren 500 kann verwendet werden, um beispielsweise irgendeinen der Zerhackerverstärker von 1A, 2-7, 10 oder 11 zu kalibrieren. Selbstverständlich können die hier erörterten Verfahren mehr oder weniger Operationen umfassen. 13 is a flowchart of a method 500 for calibrating a chopper amplifier according to an embodiment. The procedure 500 can be used to, for example, any of the chopper amplifiers of 1A . 2-7 . 10 or 11 to calibrate. Of course, the methods discussed herein may include more or fewer operations.

Das dargestellte Verfahren 500 zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers beginnt im Block 501, in dem ein Eingangsversatz eines Zerhackerverstärkers über eine oder mehrere Betriebsbedingungen für jede von mehreren ausgewählten Transistorkonfigurationen in einer Differentialtransistorreihe beobachtet wird. Der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers kann in einer Vielfalt von Weisen beobachtet werden, einschließlich beispielsweise durch Beobachten der Differenz zwischen dem nicht invertierenden und dem invertierenden Eingang des Verstärkers oder einer verstärkten Version davon, wenn der Verstärker unter Verwendung von negativer Rückkopplung verbunden ist. In bestimmten Implementierungen kann eine solche Spannungsdifferenz beobachtet werden, wenn die Zerhacktakte unter stationären Bedingungen arbeiten. In einer anderen Ausführungsform wird der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers durch Beobachten eines Betrags einer Komponente des Ausgangssignals des Zerhackerverstärkers bei der Zerhackfrequenz beobachtet.The illustrated method 500 to calibrate a chopper amplifier starts in the block 501 in that an input offset of a chopper amplifier is observed over one or more operating conditions for each of a plurality of selected transistor configurations in a differential transistor array. The input offset of the chopper amplifier can be observed in a variety of ways, including, for example, by observing the difference between the non-inverting and inverting inputs of the amplifier or a boosted version thereof when the amplifier is connected using negative feedback. In certain implementations, such a voltage difference can be observed when the chopping clocks are operating under steady state conditions. In another embodiment, the input offset of the chopper amplifier is monitored by observing an amount of a component of the output of the chopper amplifier at the chopping frequency.

In bestimmten Implementierungen wird der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers bei mehreren Betriebsbedingungen beobachtet, einschließlich mindestens zwei oder mehr Werten derselben Betriebsvariable. Das Beobachten des Eingangsversatzes des Zerhackerverstärkers über mehrere Werte mindestens einer Betriebsvariable kann verwendet werden, um zu bestimmen, wie die Eingangsversatzspannung über einen Betriebsbereich variiert. Der Eingangsversatz eines Verstärkers kann beispielsweise mit der Temperatur, der Versorgungsspannung, dem Vorspannungsstrom und der Gleichtakt-Eingangsspannung variieren oder sich ändern. Durch Beobachten der Eingangsversatzspannung über zwei oder mehr Werte mindestens einer Betriebsvariable kann eine Transistorkonfiguration, die eine relativ kleine Eingangsversatzvariation schafft, ausgewählt werden.In certain implementations, the input offset of the chopper amplifier is observed at several operating conditions, including at least two or more values of the same operating variable. Observing the input offset of the chopper amplifier over a plurality of values of at least one operating variable may be used to determine how the input offset voltage is over an operating range varied. For example, the input offset of an amplifier may vary or vary with temperature, supply voltage, bias current, and common mode input voltage. By observing the input offset voltage over two or more values of at least one operating variable, a transistor configuration that provides a relatively small input offset variation can be selected.

Obwohl das Verfahren 500 für den Fall eines Zerhackerverstärkers mit einer Differentialtransistorreihe erläutert wird, kann der Zerhackerverstärker mehrere Differentialtransistorreihen umfassen und der Versatz des Zerhackerverstärkers kann für jede ausgewählte Transistorkonfiguration der Reihen beobachtet werden. In bestimmten Implementierungen wird der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers für verschiedene Transistorkonfigurationen von einer der mehreren Differentialtransistorreihen beobachtet, während die anderen Differentialtransistorreihen sich in einer festen Transistorkonfiguration befinden. Sobald eine spezielle Differentialtransistorreihe konfiguriert wurde, kann sich das Verfahren wiederholen, bis alle Differentialtransistorreihen konfiguriert sind. In anderen Implementierungen wird der Eingangsversatz beobachtet, wenn die Transistorkonfigurationen von zwei oder mehr der mehreren Differentialtransistorreihen geändert werden.Although the procedure 500 for the case of a differential transistor series chopper amplifier, the chopper amplifier may comprise a plurality of differential transistor arrays and the offset of the chopper amplifier may be observed for each selected transistor configuration of the rows. In certain implementations, the input offset of the chopper amplifier is observed for different transistor configurations from one of the several differential transistor arrays, while the other differential transistor arrays are in a fixed transistor configuration. Once a special differential transistor array has been configured, the process may repeat until all differential transistor arrays are configured. In other implementations, the input offset is observed when the transistor configurations of two or more of the plurality of differential transistor arrays are changed.

In einem folgenden Block 502 wird eine spezielle Transistorkonfiguration der Differentialtransistorreihe mit verringertem oder minimalem Versatz über die eine oder die mehreren Betriebsbedingungen ausgewählt. In bestimmten Konfigurationen kann die ausgewählte Transistorkonfiguration einer Transistorkonfiguration mit dem kleinsten Eingangsversatz an einem speziellen Betriebspunkt entsprechen. In anderen Konfigurationen kann jedoch die ausgewählte Transistorkonfiguration einer Transistorkonfiguration entsprechen, die einer relativ kleinen Änderung oder Variation des Eingangsversatzes über mehrere Betriebsbedingungen zugeordnet ist. Die ausgewählte Transistorkonfiguration kann beispielsweise einer Transistorkonfiguration entsprechen, bei der der Eingangsversatz des Verstärkers etwa die kleinste Drift über Änderungen der Temperatur, der Versorgungsspannung, des Vorspannungsstroms und/oder der Gleichtakt-Eingangsspannung aufweist. In einer Ausführungsform entspricht die ausgewählte Transistorkonfiguration einer Transistorkonfiguration mit etwa dem kleinsten mittleren quadratischen Fehler über den Bereich von Betriebsbedingungen.In a following block 502 For example, a particular transistor configuration of the differential transistor series is selected with reduced or minimum offset over the one or more operating conditions. In certain configurations, the selected transistor configuration may correspond to a transistor configuration having the smallest input offset at a particular operating point. However, in other configurations, the selected transistor configuration may correspond to a transistor configuration associated with a relatively small change or variation of the input offset over multiple operating conditions. For example, the selected transistor configuration may correspond to a transistor configuration in which the input offset of the amplifier has approximately the smallest drift over changes in temperature, supply voltage, bias current, and / or common mode input voltage. In one embodiment, the selected transistor configuration corresponds to a transistor configuration having about the smallest mean squared error over the range of operating conditions.

Das Verfahren 500 fährt in einem Block 503 fort, in dem Daten, die der ausgewählten Transistorkonfiguration entsprechen, in einem programmierbaren Speicher gespeichert werden, so dass der Zerhackerverstärker mit der ausgewählten Transistorkonfiguration arbeitet.The procedure 500 drives in a block 503 in which data corresponding to the selected transistor configuration is stored in a programmable memory such that the chopper amplifier operates with the selected transistor configuration.

In bestimmten Implementierungen ist der programmierbare Speicher ein nichtflüchtiger Speicher, der auf dem Chip oder in einem gemeinsamen Baustein mit dem Zerhackerverstärker integriert ist, und der nichtflüchtige Speicher wird während des Werkstests mit den Daten programmiert.In certain implementations, the programmable memory is a nonvolatile memory integrated with the chopper amplifier on the chip or in a common device, and the nonvolatile memory is programmed with the data during the factory test.

Andere Konfigurationen sind jedoch möglich, wie z. B. Implementierungen, in denen der Zerhackerverstärker während des Einschaltens und/oder während eines Kalibrierungszyklus kalibriert wird.Other configurations are possible, such. B. Implementations in which the chopper amplifier is calibrated during power up and / or during a calibration cycle.

14 ist ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens 510 zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers gemäß einer anderen Ausführungsform. Das Verfahren 510 kann verwendet werden, um beispielsweise irgendeinen der Zerhackerverstärker der 1A, 2-7, 10 oder 11 zu kalibrieren. 14 is a flowchart of a method 510 for calibrating a chopper amplifier according to another embodiment. The procedure 510 can be used, for example, any of the chopper amplifier of 1A . 2-7 . 10 or 11 to calibrate.

Das dargestellte Verfahren 510 zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers beginnt im Block 511, in dem ein Eingangsversatz eines Zerhackerverstärkers über mehrere Betriebsbedingungen für jede von mehreren ausgewählten Transistorkonfigurationen einer Differentialtransistorreihe beobachtet wird, wobei die ausgewählten Transistorkonfigurationen weniger als allen möglichen Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihe entsprechen.The illustrated method 510 to calibrate a chopper amplifier starts in the block 511 in which an input offset of a chopper amplifier is observed over several operating conditions for each of a plurality of selected transistor configurations of a differential transistor array, the selected transistor configurations corresponding to less than all possible transistor configurations of the differential transistor array.

Wie vorstehend beschrieben wurde, kann der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers in einer Vielfalt von Weisen beobachtet werden und kann über mehrere Betriebsbedingungen beobachtet werden, einschließlich bei zwei oder mehr Werten oder eines Durchlaufs mindestens einer Betriebsvariable.As described above, the input offset of the chopper amplifier may be observed in a variety of ways and may be observed over multiple operating conditions, including two or more values or one pass of at least one operating variable.

Im dargestellten Verfahren 510 wird der Eingangsversatz für weniger als alle möglichen Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihe beobachtet. Durch Beobachten des Eingangsversatzes für weniger als alle möglichen Transistorkonfigurationen kann die Kalibrierungszeit des Zerhackerverstärkers verringert werden. In einem Beispiel kann das Bestimmen des Eingangsversatzes für alle Transistorkonfigurationen einer Differentialtransistorreihe mit 16 Transistoren 16 über 8 oder 12870 Beobachtungen beinhalten. In einer Ausführungsform wird der Eingangsversatz für mehrere linear unabhängige Transistorkonfigurationen beobachtet.In the illustrated method 510 For example, the input offset is observed for less than all possible transistor configurations of the differential transistor array. By observing the input offset for less than all possible transistor configurations, the calibration time of the chopper amplifier can be reduced. In one example, determining the input offset for all transistor configurations of a 16 transistor differential transistor array 16 contain over 8 or 12870 observations. In one embodiment, the input offset is observed for multiple linearly independent transistor configurations.

Das Verfahren 510 fährt in einem Block 512 fort, in dem Effektdaten, die eine Auswirkung der Transistoren der Reihe auf den Eingangsversatz über die mehreren Betriebsbedingungen angeben, bestimmt werden. In bestimmten Konfigurationen hier kann ein Beitrag jedes Transistors als Vektor gelöst werden. Außerdem kann der Beitrag jedes Transistors weiter in mehrere Effekte zerlegt werden, die selbst Vektoren sein können. In bestimmten Konfigurationen können ein oder mehrere Effekte selektiv minimiert oder verringert werden. In einer Ausführungsform umfassen die Effektdaten mehrere Vektoren mit Daten, die eine Auswirkung der mehreren Transistoren auf die Eingangsversatzspannung für jede der mehreren Betriebsbedingungen darstellen.The procedure 510 drives in a block 512 in which effect data indicating an effect of the series transistors on the input offset over the multiple operating conditions is determined. In certain configurations here, a contribution of each transistor as a vector can be solved. In addition, the contribution of each transistor can be further decomposed into several effects, which themselves can be vectors. In certain configurations, one or more effects may be selectively minimized or reduced. In one embodiment, the effect data includes a plurality of vectors of data representing an effect of the plurality of transistors on the input offset voltage for each of the plurality of operating conditions.

In einem folgenden Block 513 werden die Effektdaten verwendet, um eine spezielle Konfiguration der Differentialtransistorreihe mit verringertem oder minimalem Versatz über die mehreren Betriebsbedingungen auszuwählen. Die ausgewählte Transistorkonfiguration der Differentialtransistorreihe kann einer der Transistorkonfigurationen, für die der Eingangsversatz des Verstärkers beobachtet wurde, oder einer Transistorkonfiguration, für die der Eingangsversatz des Verstärkers nicht beobachtet wurde, entsprechen. In bestimmten Implementierungen wird die ausgewählte Transistorkonfiguration durch Berechnen einer linearen Kombination von verschiedenen Kombinationen der Vektoren der Effektdaten und Bestimmen der linearen Kombination, die die kleinste mittlere quadratische Länge aufweist, ausgewählt.In a following block 513 For example, the effect data is used to select a particular differential transistor array configuration with reduced or minimum offset over the multiple operating conditions. The selected transistor configuration of the differential transistor array may correspond to one of the transistor configurations for which the input offset of the amplifier was observed or a transistor configuration for which the input offset of the amplifier was not observed. In certain implementations, the selected transistor configuration is selected by calculating a linear combination of different combinations of the vectors of the effect data and determining the linear combination having the smallest mean square length.

Das Verfahren 510 kann verwendet werden, um eine Transistorkonfiguration auszuwählen, die einen niedrigen Versatz über mehrere Betriebspunkte schafft, wie z. B. Temperatur, Versorgungsspannung, Vorspannungsstrom und/oder Gleichtakt-Eingangsspannung. Das Verfahren 510 kann weniger Kalibrierungszeit relativ zu einem Schema beinhalten, in dem der Eingangsversatz des Zerhackerverstärkers für jede Transistorkonfiguration einer Differentialtransistorreihe beobachtet wird.The procedure 510 can be used to select a transistor configuration that provides a low offset over multiple operating points, such as, for example. Temperature, supply voltage, bias current and / or common mode input voltage. The procedure 510 may involve less calibration time relative to a scheme in which the input offset of the chopper amplifier is observed for each transistor configuration of a differential transistor array.

Das Verfahren 510 fährt in einem Block 514 fort, in dem Daten, die der ausgewählten Transistorkonfiguration entsprechen, in einem programmierbaren Speicher gespeichert werden, so dass der Zerhackerverstärker mit der ausgewählten Transistorkonfiguration arbeitet.The procedure 510 drives in a block 514 in which data corresponding to the selected transistor configuration is stored in a programmable memory such that the chopper amplifier operates with the selected transistor configuration.

Zusätzliche Details des Verfahrens 510 von 14 können zu den vorher für das Verfahren 500 von 13 beschriebenen ähnlich sein.Additional details of the procedure 510 from 14 can to the before for the procedure 500 from 13 be described similar.

Die vorangehende Beschreibung und die Ansprüche können sich auf Elemente oder Merkmale als miteinander „verbunden“ oder „gekoppelt“ beziehen. Wie hier verwendet, bedeutet „verbunden“, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben, dass ein Element/Merkmal direkt oder indirekt mit einem anderen Element/Merkmal und nicht notwendigerweise mechanisch verbunden ist. Ebenso bedeutet „gekoppelt“, wenn nicht ausdrücklich anders angegeben, dass ein Element/Merkmal direkt oder indirekt mit einem anderen Element/Merkmal und nicht notwendigerweise mechanisch gekoppelt ist. Obwohl die in den Figuren gezeigten verschiedenen Diagramme Beispielanordnungen von Elementen und Komponenten darstellen, können folglich zusätzliche zwischenliegende Elemente, Vorrichtungen, Merkmale oder Komponenten in einer tatsächlichen Ausführungsform vorhanden sein (unter der Annahme, dass die Funktionalität der dargestellten Schaltungen nicht nachteilig beeinflusst wird).The foregoing description and claims may refer to elements or features as being "connected" or "coupled" together. As used herein, "connected", unless expressly stated otherwise, means that one element / feature is directly or indirectly connected to another element / feature and not necessarily mechanically connected. Likewise, unless expressly stated otherwise, "coupled" means that one element / feature is directly or indirectly coupled to another element / feature and not necessarily mechanically linked. Thus, while the various diagrams shown in the figures represent example arrangements of elements and components, additional intervening elements, devices, features, or components may be present in an actual embodiment (assuming that the functionality of the illustrated circuits is not adversely affected).

Anwendungenapplications

Vorrichtungen, die die vorstehend beschriebenen Schemen verwenden, können in verschiedenen elektronischen Vorrichtungen implementiert werden. Beispiele der elektronischen Vorrichtungen können eine medizinische Abbildung und Überwachung, elektronische Verbraucherprodukte, Teile der elektronischen Verbraucherprodukte, eine elektronische Testausrüstung usw. umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt. Beispiele der elektronischen Vorrichtungen können auch Speicherchips, Speichermodule, Schaltungen von optischen Netzen oder anderen Kommunikationsnetzen und Plattentreiberschaltungen umfassen. Die elektronischen Verbraucherprodukte können ein Mobiltelephon, ein Telephon, ein Fernsehgerät, einen Computermonitor, einen Computer, einen in der Hand gehaltenen Computer, einen persönlichen digitalen Assistenten (PDA), ein Mikrowellengerät, einen Kühlschrank, ein Kraftfahrzeug, ein Stereosystem, einen Kassettenrekorder oder ein Kassettenwiedergabegerät, einen DVD-Player, einen CD-Player, einen VCR, einen MP3-Player, ein Radio, einen Camcorder, eine Kamera, eine Digitalkamera, einen tragbaren Speicherchip, eine Waschmaschine, einen Wäschetrockner, einen Waschtrockner, einen Kopierer, ein Faxgerät, einen Scanner, ein Multifunktions-Peripheriegerät, eine Armbanduhr, eine Uhr usw. umfassen, sind jedoch nicht darauf begrenzt. Ferner kann die elektronische Vorrichtung unfertige Produkte umfassen.Devices using the schemes described above may be implemented in various electronic devices. Examples of electronic devices may include, but are not limited to, medical imaging and monitoring, consumer electronic products, electronic consumer product parts, electronic test equipment, etc. Examples of the electronic devices may also include memory chips, memory modules, optical network circuits or other communication networks, and disk drive circuits. The electronic consumer products may include a mobile phone, a telephone, a television, a computer monitor, a computer, a hand-held computer, a personal digital assistant (PDA), a microwave oven, a refrigerator, a motor vehicle, a stereo system, a cassette recorder or a A cassette player, a DVD player, a CD player, a VCR, an MP3 player, a radio, a camcorder, a camera, a digital camera, a portable memory chip, a washing machine, a clothes dryer, a washer-dryer, a copier, a fax machine , a scanner, a multifunction peripheral, a wristwatch, a watch, etc., but are not limited thereto. Furthermore, the electronic device may include unfinished products.

Obwohl diese Erfindung hinsichtlich bestimmter Ausführungsformen beschrieben wurde, liegen andere Ausführungsformen, die für den Fachmann auf dem Gebiet ersichtlich sind, einschließlich Ausführungsformen, die nicht alle hier dargelegten Merkmale und Vorteile bereitstellen, auch innerhalb des Schutzbereichs dieser Erfindung. Überdies können die vorstehend beschriebenen verschiedenen Ausführungsformen kombiniert werden, um weitere Ausführungsformen zu schaffen. Außerdem können bestimmte Merkmale, die im Zusammenhang mit einer Ausführungsform gezeigt sind, ebenso in andere Ausführungsformen eingegliedert werden. Folglich ist der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung nur mit Bezug auf die beigefügten Ansprüche definiert.Although this invention has been described in terms of particular embodiments, other embodiments that will be apparent to those skilled in the art, including embodiments that do not provide all of the features and advantages set forth herein, are also within the scope of this invention. Moreover, the various embodiments described above may be combined to provide further embodiments. In addition, certain features shown in connection with an embodiment may also be incorporated into other embodiments. Thus, the scope of the present invention is defined only with reference to the appended claims.

Claims (23)

Vorrichtung, die Folgendes umfasst: einen programmierbaren Speicher (9), der dazu konfiguriert ist, ein erstes Steuersignal (CTL1) zu erzeugen; und einen Zerhackerverstärker (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), der dazu konfiguriert ist, ein Differenz-Eingangsspannungssignal zu verstärken, um ein Ausgangssignal zu erzeugen, wobei der Zerhackerverstärker (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) Folgendes umfasst: eine erste Differentialtransistorreihe (14, 86) mit einer Auswahlschaltung und mehreren Transistoren, wobei die Auswahlschaltung dazu konfiguriert ist, einen ersten Teil der mehreren Transistoren für den Betrieb in einer ersten Transistorgruppe (6a) auf der Basis des ersten Steuersignals (CTL1) auszuwählen, und wobei die Auswahlschaltung ferner dazu konfiguriert ist, einen zweiten Teil der mehreren Transistoren für den Betrieb in einer zweiten Transistorgruppe (6b) auf der Basis des ersten Steuersignals (CTL1) auszuwählen, wobei eine Eingangsversatzspannung des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) auf der Basis einer Auswahl der Transistoren in der ersten und der zweiten Transistorgruppe variiert.Apparatus comprising: a programmable memory (9) configured to generate a first control signal (CTL1); and a chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) configured to amplify a differential input voltage signal to produce an output signal, the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) comprising: a first differential transistor array (14, 86) having a selection circuit and a plurality of transistors, the selection circuit being configured to select a first portion of the plurality of transistors for operation in a first transistor group (6a) based on the first control signal (CTL1), and wherein the selection circuit is further configured to connect a second portion of the plurality of transistors for operation in a second transistor group (FIG. 6b) based on the first control signal (CTL1), wherein an input offset voltage of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) is selected based on a selection of the transistors in the he and the second transistor group varies. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei ohne Herstellungsvariation eine Ansteuerstärke und/oder eine Geometrie von jedem der mehreren Transistoren im Wesentlichen gleich sind.Device after Claim 1 wherein, without manufacturing variation, a drive strength and / or a geometry of each of the plurality of transistors are substantially equal. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Auswahlschaltung dazu konfiguriert ist, eine gleiche Anzahl von Transistoren in der ersten und der zweiten Transistorgruppe (6a, 6b) auszuwählen.Device after Claim 1 or 2 wherein the selection circuit is configured to select an equal number of transistors in the first and second transistor groups (6a, 6b). Vorrichtung nach Anspruch 1, 2 oder 3, die ferner Folgendes umfasst: eine Eingangszerhackschaltung (1, 11) mit einem ersten Eingang, einem zweiten Eingang, einem Takteingang, einem ersten Ausgang und einem zweiten Ausgang, wobei die Eingangszerhackschaltung dazu konfiguriert ist, das Differenz-Eingangsspannungssignal zwischen dem ersten und dem zweiten Eingang zu empfangen und das Differenz-Eingangsspannungssignal auf der Basis eines Zerhacktaktsignals, das am Takteingang empfangen wird, zu zerhacken, wobei die Differentialtransistorreihe (14, 86) ferner einen ersten Gateeingang, der mit dem ersten Ausgang der Eingangszerhackschaltung elektrisch verbunden ist, und einen zweiten Gateeingang, der mit dem zweiten Ausgang der Eingangszerhackschaltung (1, 11) elektrisch verbunden ist, umfasst.Device after Claim 1 . 2 or 3 further comprising: an input chopping circuit (1,11) having a first input, a second input, a clock input, a first output and a second output, the input chopping circuit configured to convert the differential input voltage signal between the first and second The differential transistor array (14, 86) further comprises a first gate input electrically connected to the first output of the input chopping circuit and a second input terminal Gate input, which is electrically connected to the second output of the input chopping circuit (1, 11) comprises. Vorrichtung nach einem vorangehenden Anspruch, wobei die Auswahlschaltung der ersten Differentialtransistorreihe mehrere Schalter umfasst und wobei die mehreren Schalter dazu konfiguriert sind, eine von einer Eingangszerhackoperation oder einer Ausgangszerhackoperation des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) zu schaffen.The apparatus of any preceding claim, wherein the selection circuit of the first differential transistor series comprises a plurality of switches, and wherein the plurality of switches are configured to perform one of an input chopping operation or an output chopping operation of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85). 88, 90, 310, 320). Vorrichtung nach einem vorangehenden Anspruch, wobei die erste Differentialtransistorreihe entlang eines Verstärkungspfades des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) angeordnet ist, wobei die erste Differentialtransistorreihe als einer von Differentialeingangstransistoren des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), Differentiallasttransistoren des Zerhackerverstärkers oder Differentialkascodentransistoren des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) arbeitet.The device of any preceding claim, wherein the first differential transistor row is disposed along a gain path of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), the first differential transistor row being one of Differential input transistors of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), chopper amplifier differential load transistors or differential chopper transistors of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84 , 85, 88, 90, 310, 320). Vorrichtung nach einem vorangehenden Anspruch, die ferner eine zweite Differentialtransistorreihe (15, 87) umfasst, wobei eine Transistorkonfiguration der zweiten Differentialtransistorreihe auf der Basis eines zweiten Steuersignals (CTL2) vom programmierbaren Speicher (9) gesteuert wird.Apparatus according to any preceding claim, further comprising a second differential transistor array (15, 87), wherein a transistor configuration of said second differential transistor array is controlled by said programmable memory (9) based on a second control signal (CTL2). Vorrichtung nach Anspruch 7, die ferner eine dritte Differentialtransistorreihe umfasst, wobei eine Transistorkonfiguration der dritten Differentialtransistorreihe (16) auf der Basis eines dritten Steuersignals (CTL3) vom programmierbaren Speicher (9) gesteuert wird, wobei die erste Differentialtransistorreihe (14) als Differentialeingangstransistoren des Zerhackerverstärkers arbeitet, wobei die zweite Differentialtransistorreihe (15) als Differentiallasttransistoren des Zerhackerverstärkers arbeitet, und wobei die dritte Differentialtransistorreihe (16) als Differentialkascodentransistoren des Zerhackerverstärkers arbeitet.Device after Claim 7 further comprising a third differential transistor array, wherein a transistor configuration of the third differential transistor array (16) is controlled by the programmable memory (9) based on a third control signal (CTL3), the first differential transistor array (14) operating as differential input transistors of the chopper amplifier second differential transistor array (15) operates as differential load transistors of the chopper amplifier, and wherein the third differential transistor array (16) operates as differential chopper transistors of the chopper amplifier. Vorrichtung nach einem vorangehenden Anspruch, wobei das Ausgangssignal ein unsymmetrisches Ausgangsspannungssignal umfasst.Apparatus according to any preceding claim, wherein the output signal comprises a single-ended output voltage signal. Vorrichtung nach einem vorangehenden Anspruch, die ferner eine integrierte Schaltung (IC) umfasst, wobei die IC den Zerhackerverstärker und den programmierbaren Speicher (9) umfasst.Apparatus according to any preceding claim, further comprising an integrated circuit (IC), the IC comprising the chopper amplifier and the programmable memory (9). Vorrichtung nach Anspruch 10, wobei der programmierbare Speicher (9) darin gespeicherte Daten umfasst, wobei die Daten einem ausgewählten Zustand des ersten Steuersignals (CTL1) zugeordnet sind, wobei der ausgewählte Zustand des ersten Steuersignals (CTL1) einer speziellen Transistorkonfiguration der mehreren Transistoren in der ersten und der zweiten Transistorgruppe mit einem kleineren Eingangsversatz im Vergleich zu mindestens einem zweiten Zustand des ersten Steuersignals (CTL1) entspricht.Device after Claim 10 wherein the programmable memory (9) comprises data stored therein, the data associated with a selected state of the first control signal (CTL1), the selected state of the first control signal (CTL1) of a particular transistor configuration of the plurality of transistors in the first and second Transistor group with a smaller input offset compared to at least a second state of the first control signal (CTL1) corresponds. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der ausgewählte Zustand des ersten Steuersignals (CTL1) einer speziellen Transistorkonfiguration der mehreren Transistoren in der ersten und der zweiten Transistorgruppe mit einem minimalen Eingangsversatz im Vergleich zu allen anderen Zuständen des ersten Steuersignals (CTL1) entspricht. Device after Claim 11 wherein the selected state of the first control signal (CTL1) corresponds to a particular transistor configuration of the plurality of transistors in the first and second transistor groups with a minimum input offset compared to all other states of the first control signal (CTL1). Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die erste Differentialtransistorreihe entlang eines Verstärkungspfades des Zerhackerverstärkers angeordnet ist, wobei die erste Differentialtransistorreihe (14, 86) mehrere Transistorgruppen umfasst, wobei jede der mehreren Transistorgruppen zwei oder mehr eines Eingangstransistors, eines Kascodentransistors oder eines Lasttransistors umfasst.Device after Claim 1 wherein the first differential transistor array is disposed along a gain path of the chopper amplifier, the first differential transistor array (14, 86) comprising a plurality of transistor groups, each of the plurality of transistor groups comprising two or more of an input transistor, a cascode transistor, or a load transistor. Verfahren zum Kalibrieren eines Zerhackerverstärkers, wobei das Verfahren Folgendes umfasst: Beobachten einer Eingangsversatzspannung des Zerhackerverstärkers für jede von mehreren ausgewählten Transistorkonfigurationen einer ersten Differentialtransistorreihe des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), wobei die erste Differentialtransistorreihe mehrere Transistoren umfasst, und wobei die ausgewählten Transistorkonfigurationen verschiedene Kombinationen der mehreren Transistoren in einer ersten Transistorgruppe (6a) und in einer zweiten Transistorgruppe (6b) umfassen; Auswählen einer Transistorkonfiguration auf der Basis der Beobachtungen der Eingangsversatzspannung; und in einem programmierbaren Speicher (9) Speichern von Daten, die der ausgewählten Transistorkonfiguration entsprechen.A method of calibrating a chopper amplifier, the method comprising: Observing an input offset voltage of the chopper amplifier for each of a plurality of selected transistor configurations of a first differential transistor series of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320), the first differential transistor series comprising a plurality of transistors, and wherein the selected transistor configurations comprise different combinations of the plurality of transistors in a first transistor group (6a) and in a second transistor group (6b); Selecting a transistor configuration based on the observations of the input offset voltage; and in a programmable memory (9) storing data corresponding to the selected transistor configuration. Verfahren nach Anspruch 14, wobei die ausgewählten Transistorkonfigurationen weniger als alle möglichen Transistorkonfigurationen der Differentialtransistorreihe umfassen.Method according to Claim 14 wherein the selected transistor configurations comprise less than all possible transistor configurations of the differential transistor array. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, das ferner Folgendes umfasst: Bestimmen von Effektdaten für jeden Transistor der Differentialtransistorreihe unter Verwendung von Beobachtungen der Eingangsversatzspannung, wobei die gewählte Transistorkonfiguration auf der Basis zumindest teilweise der Effektdaten ausgewählt wird.Method according to Claim 14 or 15 and further comprising: determining effect data for each differential transistor array transistor using observations of the input offset voltage, wherein the selected transistor configuration is selected based at least in part on the effect data. Verfahren nach Anspruch 16, wobei die gewählte Transistorkonfiguration nicht aus den mehreren ausgewählten Transistorkonfigurationen stammt.Method according to Claim 16 wherein the selected transistor configuration is not from the plurality of selected transistor configurations. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17, das ferner das Beobachten der Eingangsversatzspannung für jede der mehreren ausgewählten Transistorkonfigurationen für jede von mehreren Betriebsbedingungen umfasst, wobei die mehreren Betriebsbedingungen zwei oder mehr Werte von mindestens einer Betriebsvariable umfassen.Method according to Claim 16 or 17 further comprising observing the input offset voltage for each of the plurality of selected transistor configurations for each of a plurality of operating conditions, the plurality of operating conditions comprising two or more values of at least one operating variable. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Bestimmen der Effektdaten das Bestimmen von mehreren Vektoren mit Daten, die eine Auswirkung der mehreren Transistoren auf die Eingangsversatzspannung für jede der mehreren Betriebsbedingungen darstellen, umfasst.Method according to Claim 18 wherein determining the effect data comprises determining a plurality of vectors with data representing an effect of the plurality of transistors on the input offset voltage for each of the plurality of operating conditions. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Wählen der speziellen Kombination ferner das Bestimmen einer linearen Kombination der Vektoren mit einer kleinsten mittleren quadratischen Länge umfasst.Method according to Claim 19 In addition, selecting the particular combination further comprises determining a linear combination of the least mean square length vectors. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, wobei die mindestens eine Betriebsvariable eine oder mehrere der Temperatur, der Versorgungsspannung, des Vorspannungsstroms oder der Gleichtakt-Eingangsspannung umfasst.Method according to Claim 18 or 19 wherein the at least one operating variable comprises one or more of the temperature, the supply voltage, the bias current, or the common mode input voltage. Verfahren nach Anspruch 14 oder irgendeinem von Anspruch 14 abhängigen Anspruch, das ferner Folgendes umfasst: Abrufen der gespeicherten Daten beim Einschalten der IC (20); und Anwenden der gespeicherten Daten derart, dass der Zerhackerverstärker mit der gewählten Transistorkonfiguration arbeitet.Method according to Claim 14 or any of Claim 14 dependent claim, further comprising: retrieving the stored data when turning on the IC (20); and applying the stored data such that the chopper amplifier operates with the selected transistor configuration. Verfahren nach Anspruch 14 oder irgendeinem von Anspruch 14 abhängigen Anspruch, wobei die erste Differentialtransistorreihe entlang eines Verstärkungspfades des Zerhackerverstärkers (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) angeordnet ist, wobei die erste Differentialtransistorreihe mehrere Transistorgruppen umfasst, wobei jede der mehreren Transistorgruppen zwei oder mehr eines Eingangstransistors, eines Kascodentransistors oder eines Lasttransistors umfasst.Method according to Claim 14 or any of Claim 14 dependent claim, wherein the first differential transistor series along an amplification path of the chopper amplifier (10, 50, 60, 70, 75, 80, 84, 85, 88, 90, 310, 320) is arranged, wherein the first differential transistor series comprises a plurality of transistor groups, each the plurality of transistor groups comprises two or more of an input transistor, a cascode transistor or a load transistor.
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