DE102013106800A1 - Optoelectronic component and method for manufacturing an optoelectronic component, - Google Patents

Optoelectronic component and method for manufacturing an optoelectronic component,

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DE102013106800A1
DE102013106800A1 DE201310106800 DE102013106800A DE102013106800A1 DE 102013106800 A1 DE102013106800 A1 DE 102013106800A1 DE 201310106800 DE201310106800 DE 201310106800 DE 102013106800 A DE102013106800 A DE 102013106800A DE 102013106800 A1 DE102013106800 A1 DE 102013106800A1
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    • H01L51/50Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED];
    • H01L51/52Details of devices
    • H01L51/5262Arrangements for extracting light from the device
    • H01L51/5278Arrangements for extracting light from the device comprising a repetitive electroluminescent unit between one set of electrodes

Abstract

In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein optoelektronisches Bauelement (100) bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement aufweisend: eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur (116); In various embodiments, an optoelectronic component (100) is provided, the optoelectronic component comprising: a first organic functional layer structure (116); eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur (120); a second organic functional layer structure (120); und eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (118) zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur (116) und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur (120), wobei die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (118) aufweist: eine erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (140); and a carrier pair generation layer structure (118) between the first organic functional layer structure (116) and the second organic functional layer structure (120), wherein the charge carrier pair generation layer structure (118) comprises: a first charge carrier pair generation layer (140 ); eine zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (144); a second charge carrier pair generation layer (144); und eine Zwischenschicht-Struktur (142) zwischen der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (140); and an intermediate layer structure (142) between the first pair of charge carrier generation layer (140); und der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (144); and the second carrier pair generation layer (144); und wobei die Zwischenschicht-Struktur (142) wenigstens eine Schicht aufweist mit einer flächig-periodischen, wabenförmigen Gitterstruktur, und wobei die Zwischenschicht-Struktur (142) ein schwebendes elektrisches Potential aufweist oder daraus gebildet ist. and wherein the intermediate layer structure (142) comprises at least one layer with a surface-periodic honeycomb lattice structure, and wherein the intermediate layer structure (142) has a floating electrical potential or is formed therefrom.

Description

  • In verschiedenen Ausführungsformen werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements bereitgestellt. In various embodiments, an optoelectronic device and a method for producing an optoelectronic component are provided.
  • Ein organisches optoelektronisches Bauelement, beispielsweise eine OLED, kann eine Anode und eine Kathode mit einem organischen funktionellen Schichtensystem dazwischen aufweisen. An organic optoelectronic component, for example, an OLED may include an anode and a cathode with an organic functional layer system in between. Das organische funktionelle Schichtensystem kann eine oder mehrere Emitterschicht/en aufweisen, in der/denen elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, eine oder mehrere Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur(en) aus jeweils zwei oder mehr Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichten („charge generating layer”, CGL) zur Ladungsträgerpaarerzeugung, sowie einer oder mehrerer Elektronenblockadeschichten, auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en) („hole transport layer” – HTL), und einer oder mehrerer Lochblockadeschichten, auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en) („electron transport layer” – ETL), um den Stromfluss zu richten. The organic functional layer system can comprise one or more emitter layer / s, in / which electromagnetic radiation is generated, one or more charge carrier pair generation layer structure (s) from two or more charge carrier pair generation layers ( "charge generating layer," CGL) for charge carrier pair generation, and one or more electron-blocking layers, also referred to as a hole transport layer (s) ( "hole transport layer" - HTL), and one or more hole blocking layers, also referred to as an electron transport layer (s) ( "electron transport layer" - ETL) to direct the flow of current.
  • Eine OLED kann mit guter Effizienz und Lebensdauer mittels Leitfähigkeitsdotierung durch Verwendung eines pin (p-dotiert leitfähige Schicht – intrinsisch leitfähige Schicht – n-dotiert leitfähige Schicht) Überganges analog zur herkömmlichen anorganischen LED hergestellt werden. An OLED can with good efficiency and lifetime by doping conductivity by use of a pin junction are prepared analogously to conventional inorganic LED (p-doped conductive layer - n-doped conductive layer - intrinsically conductive layer). Hierbei werden die Ladungsträger aus den p-dotierten bzw. n-dotierten Schichten gezielt in die intrinsische Schicht injiziert, in der die Exzitonen, dh Elektron-Loch-Paare, gebildet werden. Here, the charge carriers from the p-doped or n-doped layers are selectively injected into the intrinsic layer in which the excitons, ie electron-hole pairs are formed. Diese können bei strahlender Rekombination zur Emission eines Photons führen. This can result in radiative recombination to the emission of a photon.
  • Durch Übereinanderstapeln mehrerer intrinsischer Schichten (stacking) können in zweifach oder dreifach gestapelten OLEDs bei praktisch gleicher Effizienz und identischer Leuchtdichte deutlich längere Lebensdauern gegenüber einer OLED mit nur einer intrinsischen Schicht erzielt werden. By stacking a plurality of intrinsic layers (stacking) can significantly longer lifetimes compared to an OLED can be achieved with only an intrinsic layer in two or triple stacked OLEDs with virtually the same efficiency and identical luminance. Bei gleicher Stromdichte kann so die doppelte bis dreifache Leuchtdichte realisiert werden. With the same current density as the double to triple the luminance can be realized. In mehrfach gestapelten OLEDs wird bei gleicher Leuchtdichte die aktive Emitterschicht weniger gestresst als in ungestapelten OLEDs. In multi-stacked OLEDs the active emitter layer is less stressed than in unstacked OLEDs with the same luminance.
  • Für das Übereinanderstapeln werden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichten benötigt, die aus einem hochdotierten pn-Übergang bestehen. For the stacking of carrier pair generation layers are required that consist of a heavily doped pn junction. Eine CGL dient hierbei als Tunnelübergang zwischen den gestapelten Emitterschichten. A CGL serves as a tunnel junction between the emitter layers stacked. Derartige CGLs können auch in organischen Tandem-Solarzellen oder Fotodetektoren eingesetzt werden, bei denen zwei oder mehrere aktive undotierte Bereiche benötigt werden. Such CGLs can also be used in organic tandem solar cells or photodetectors, wherein two or more active undoped areas are needed. Voraussetzung für den Einsatz einer CGL in einem optoelektronischen Bauteil sind ein einfacher Aufbau, dh möglichst wenige Schichten, die möglichst leicht herzustellen sind. Prerequisite for the use of a CGL in an optoelectronic component are a simple structure, that as few layers as easy as possible to manufacture. Weiterhin ist ein geringer Spannungsabfall über die CGL, sowie eine möglichst hohe Transmission der CGL Schichten notwendig, dh möglichst geringe Absorptionsverluste im Spektralbereich, der von der OLED emittierten elektromagnetischen Strahlung. Further, a low voltage drop across the CGL, and the highest possible transmission of CGL layer is necessary, that the smallest possible absorption losses in the spectral range of the light emitted from the OLED electromagnetic radiation.
  • Eine herkömmliche Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (dargestellt in A conventional carrier pair generation layered structure (shown in 4a 4a ) weist herkömmlich eine dotierte lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ) Conventionally has a doped hole-conducting carrier pair generation layer 406 406 und eine dotierte elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and a doped electron-conducting carrier pair generation layer 410 410 , die mittels einer Zwischenschicht-Struktur , By means of a two layer structure 408 408 (Interlayer (Interlayer 408 408 ) in Verbindung zueinander stehen, so dass anschaulich ein pn-Übergang gebildet wird. ) Are connected to each other, so that a pn junction formed clearly.
  • Die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The hole-conducting carrier pair generation layer 410 410 und die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the electron-conducting carrier pair generation layer 406 406 sind jeweils aus einem oder mehreren organischen und/oder anorganischen Stoff/en gebildet. are each formed of one or more organic and / or inorganic material / s. Der jeweiligen Matrix wird herkömmlich in der Herstellung der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ein oder mehrere organische oder anorganische Stoffe (Dotierstoffe) beigemengt, um die Leitfähigkeit der Matrix zu erhöhen. Of the respective matrix is ​​one or more organic or inorganic substances (dopants) added conventionally in the preparation of the carrier pair generation layer to increase the conductivity of the matrix. In einem herkömmlichen Verfahren werden die elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In a conventional method, the electron-conducting carrier pair generation layer are 406 406 aus einer Matrix und einem n-Dotierstoff und die lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht of a matrix and an n-type dopant and the hole-conducting carrier pair generation layer 410 410 aus einer Matrix und einem p-Dotierstoff ausgebildet. formed of a matrix and a p-type dopant. Als n-Dotierstoff werden herkömmlich CsCO 3 , Cs 3 PO 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, NDN-1, NDN-26 verwendet. As n-type dopant conventionally CsCO 3, Cs 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, NDN-1, NDN-26 are used. Als p-Dotierstoff werden herkömmlich Cu(I)pFBz, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, HAT-CN, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz verwendet. As a p-type dopant are conventionally Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, HAT-CN, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz used. CGLs sind heute nur mit wenigen Materialien bekannt (Materialien dargestellt in CGLs are now represented with only a few materials are known (materials in 4b 4b ). ).
  • Die p-dotierte Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The p-doped charge carrier pair generation layer 410 410 und die n-dotierte Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the n-doped charge carrier pair generation layer 406 406 sind für einen effizienten Tunnelübergang hoch dotiert. are highly doped for an efficient tunnel junction. Dadurch sind diese Schichten äußerst reaktiv, was bei einer Abreaktion der Dotierstoffe zu einem hochohmigen Übergangsbereich führen kann. Thus, these layers are extremely reactive, which can lead to a high-impedance transition area at a reaction of the dopants. In einem herkömmlichen Verfahren wird eine dünne Zwischenschicht In a conventional method, a thin intermediate layer 408 408 zwischen die p-dotierte Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht between the p-doped charge carrier pair generation layer 410 410 und die n-dotierte Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the n-doped charge carrier pair generation layer 406 406 eingefügt um die beiden Reaktionspartner voneinander zu trennen, z. inserted to the two reactants to separate such. B. mit einem Material aus der Gruppe der Phthalocyanine (siehe B. (with a material from the group of phthalocyanines see 4b 4b ). ). Dadurch kann eine CGL mit erhöhtem Tunnelstrom und guter Spannungsstabilität während der Belastung mit hohen Stromdichten und hohen Temperaturen ausgebildet werden. Thereby can be formed with an increased tunneling current and good voltage stability during exposure to high current densities and high temperatures, a CGL.
  • Bei einer OLED mit einer oder mehreren CGLs, sollte eine CGL eine möglichst hohe Transmission im Spektralbereich des von der OLED emittierten Lichtes aufweisen, damit Absorptionsverluste des emittierten Lichtes reduziert werden. In an OLED with one or more CGLs, a CGL should have the highest possible transmission in the spectral range of light emitted from the OLED light, so that absorption losses of the emitted light can be reduced. Die herkömmlich verwendeten Phthalocyanin-Derivate der Zwischenschicht The phthalocyanine derivatives of the intermediate layer conventionally used 408 408 weisen eine relativ hohe Absorption auf, wodurch bereits eine Zwischenschicht aus einem Phthalocyanin mit einer Schichtdicke von nur wenigen Nanometern zu Effizienzverlusten der OLED führen kann. have a relatively high absorption, which can already result in an intermediate layer of a phthalocyanine with a layer thickness of only a few nanometers to a loss of efficiency of the OLED.
  • Weiterhin ist aus Furthermore, from ; ; ; ; und and Verfahren zum Ausbilden von großflächigen Graphen-Schichten bekannt. Methods are known for forming large-area graphene layers.
  • Weiterhin ist aus Furthermore, from ein Verfahren zum Ausbilden von Silicen-Schichten bekannt. discloses a method for forming silicene layers.
  • Weiterhin ist aus Furthermore, from ein Verfahren zum Messen von Austrittsarbeiten gezeigt. a method of measuring work function shown.
  • In verschiedenen Ausführungsformen werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist ein effizienteres und stabileres optoelektronisches Bauelement auszubilden. In various embodiments, an optoelectronic device and a method for producing an optoelectronic component provided with which it is possible to form a more efficient and more stable optoelectronic component. Indem die Zwischenschicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur aus Graphen oder Silicen gebildet wird, ist es möglich eine Zwischenschicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur zu realisieren, bei der Spannungsabfall über die Zwischenschicht vernachlässigbar ist, da Graphen und Silicen eine hohe elektrische Leitfähigkeit aufweisen und mit einer dünnen Schichtdicke ausgebildet werden können. By making the intermediate layer a carrier pair generation structure of graphene or silicene is formed, it is possible an intermediate layer of a charge carrier pair generation structure to realize, is negligible when the voltage drop across the intermediate layer, as graphs and silicene have a high electrical conductivity and with can be formed a thin layer thickness. Die geringe Durchlässigkeit bzw. hohe Barrierewirkung von Graphen oder Silicen gegenüber Fremdstoffen ermöglicht eine gute Trennung hochreaktiver p-Dotierstoffe und n-Dotierstoffe der Schichten der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Struktur voneinander. The low permeability or high barrier effect of graphs or silicene against foreign substances allowing good separation of highly reactive p-type dopants and n-type dopants of the layers of the charge carrier pair generation structure from each other. Eine Zwischenschicht aus Graphen oder Silicen Interlayer braucht wegen der guten Barrierewirkung nur wenige Monolagen dick zu sein, wodurch die Zwischenschicht nur wenig Licht absorbiert und die Zwischenschicht somit optisch hochtransparent wird. An intermediate layer of graphene or silicene interlayer needs to be thick, so that the intermediate layer absorbs little light and the intermediate layer is thus highly transparent optical few monolayers because of the good barrier effect. Dadurch wird die Effizienz des optoelektronischen Bauelementes nicht reduziert. This increases the efficiency of the optoelectronic component is not reduced. weiterhin können dadurch mehrere Lagen an Graphen und/oder Silicen übereinander gestapelt werden, beispielsweise in Form von Graphit, sodass mittels einer Zwischenschicht aus Graphen oder Silicen die Barrierewirkung der Zwischenschicht eingestellt werden kann. Furthermore, characterized a plurality of layers of graphene and / or silicene be stacked, for example in the form of graphite, so that it can be adjusted by means of an intermediate layer of graphene or silicene the barrier effect of the intermediate layer.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein optoelektronisches Bauelement bereitgestellt, das optoelektronische Bauelement aufweisend: eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur; In various embodiments, an optoelectronic component is provided, the optoelectronic component comprising: a first organic functional layers structure; eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur; a second organic functional layers structure; und eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur, wobei die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur aufweist: eine erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht; and a carrier pair generation layer structure between the first organic functional layers structure and the second organic functional layer structure, wherein the charge carrier pair generation layer structure: a first charge carrier pair generation layer; eine zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht; a second charge carrier pair generation layer; und eine Zwischenschicht-Struktur zwischen der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht; and an intermediate layer structure between the first carrier pair generation layer; und der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht; and the second carrier pair generation layer; und wobei die Zwischenschicht-Struktur wenigstens eine Schicht aufweist mit einer flächig-periodischen, wabenförmigen Gitterstruktur, und wobei die Zwischenschicht-Struktur ein schwebendes elektrisches Potential aufweist oder derart ausgebildet ist. and wherein the intermediate layer structure comprises at least one layer with a surface-periodic honeycomb lattice structure, and wherein the intermediate layer structure having a floating electrical potential or is configured.
  • In verschiedenen Ausführungsformen kann unter einer elektronenleitenden Schicht eines elektronischen Bauelementes eine Schicht verstanden werden, bei der das chemisches Potential des Stoffs oder des Stoffgemisches der Schicht energetisch dichter am Leitungsband ausgebildet ist als am Valenzband und bei der mehr als die Hälfte der frei beweglichen Ladungsträger Elektronen sind. In various embodiments, a layer can be understood by an electron-conducting layer of an electronic component, in which the chemical potential of the substance or the mixture of materials of the layer formed energetically closer to the conduction band than the valence band and wherein more than half of the mobile charge carriers are electrons ,
  • In verschiedenen Ausführungsformen kann unter einer lochleitenden Schicht eines elektronischen Bauelementes eine Schicht verstanden werden, bei der das chemische Potential des Stoffs oder des Stoffgemisches der Schicht energetisch dichter am Valenzband ausgebildet ist als am Leitungsband und bei der mehr als die Hälfte der frei beweglichen Ladungsträger Löcher, dh freie Orbitalplätze für Elektronen, sind. In various embodiments, one layer can be understood as a hole-conducting layer of an electronic component, in which the chemical potential of the substance or the mixture of materials of the layer formed energetically closer to the valence band than in the conduction band and in which more than half of the mobile charge carriers are holes, ie free orbital locations for electrons.
  • In noch einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur in Richtung parallel zu der Flächennormale der Zwischenschicht-Struktur elektrisch isolierend ausgebildet sein und das Valenzband der Zwischenschicht-Struktur in diese Richtung energetisch über dem Leitungsband der körperlich verbundenen ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht und über dem Valenzband der körperlich verbundenen zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht sein, dh die Ladungsträgerleitung kann durch einen Tunnelstrom erfolgen. In yet one embodiment, the intermediate layer structure in direction parallel to be electrically insulating to the surface normal of the intermediate layer structure and the valence band of the intermediate layer structure in this direction energetically above the conduction band of the first carrier pair generation layer physically connected and the valence band be the second carrier pair generation layer physically connected, ie, the carrier conduction can be performed by a tunnel current.
  • Unter einer Zwischenschicht-Struktur, die ein schwebendes elektrisches Potential aufweist oder derart ausgebildet ist, ist zu verstehen, dass die Zwischenschicht-Struktur keine Verbindung zu einem externen elektrischen Anschluss aufweist, beispielweise um die erste organische funktionelle Schichtenstruktur und die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur elektrisch parallel zu schalten. Under a two-layer structure having a floating electrical potential or is adapted is to be understood that the intermediate layer structure having no connection to an external electrical connection, for example, the first organic functional layers structure and the second organic functional layers structure electrically connected in parallel to switch.
  • Unter einer wabenförmigen Gitterstruktur kann eine wabenförmige Anordnung von Atomen und Molekülen verstanden werden. Under a honeycomb lattice structure, a honeycomb-shaped arrangement of atoms and molecules can be understood. Als wabenförmige Anordnung ist eine wenigstens in eine Ebene projizierte ebene Anordnung zu verstehen, die beispielsweise eine dreieckige, viereckige, rhomboedrische, hexagonale, oktagonale und/oder mehr-eckige Elementarzelle aufweist. As a honeycomb-shaped arrangement a planar array projected at least in a plane is to be understood, for example, has a triangular, square, rhombohedral, hexagonal, octagonal, and / or more-square unit cell.
  • In einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur wenigstens einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: Kohlenstoff, Silizium, Germanium. In one embodiment, the intermediate layer structure may include at least one of the following substances or formed therefrom include: carbon, silicon, germanium.
  • In einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur eine Graphen-Schicht aufweisen oder daraus gebildet sein. In one embodiment, the intermediate layer structure may include a graphene layer or can be formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur zwei oder mehr Teilschichten aufweisen oder daraus gebildet sein. In one embodiment, the intermediate layer structure comprises two or more sub-layers may comprise or may be formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur eine Graphit-Schicht aufweisen oder daraus gebildet sein. In one embodiment, the intermediate layer structure may include a graphite layer or is formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur eine Silicen-Schicht aufweisen oder daraus gebildet sein. In one embodiment, the intermediate layer structure may include a layer or silicene be formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen Dotierstoff in einer Matrix aufweisen. In one embodiment, the first charge carrier pair generation layer may comprise a dopant in a matrix.
  • In einer Ausgestaltung kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen intrinsisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. In one embodiment, the first charge carrier pair generation layer may have an intrinsically conductive material or formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen Dotierstoff in einer Matrix aufweisen. In one embodiment, the second charge carrier pair generation layer may comprise a dopant in a matrix.
  • In einer Ausgestaltung kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen intrinsisch leitfähigen Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. In one embodiment, the second charge carrier pair generation layer may have an intrinsically conductive material or formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht elektronenleitend ausgebildet sein. In one embodiment, the second charge carrier pair generation layer may be formed electron-conductive.
  • In einer Ausgestaltung kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht lochleitend ausgebildet sein. In one embodiment, the second charge carrier pair generation layer may be formed hole-conducting.
  • In einer Ausgestaltung kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht elektronenleitend ausgebildet sein. In one embodiment, the first charge carrier pair generation layer may be formed electron-conductive.
  • In einer Ausgestaltung kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht lochleitend ausgebildet sein. In one embodiment, the first charge carrier pair generation layer may be formed hole-conducting.
  • In einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur lateral strukturiert ausgebildet sein. In one embodiment, the intermediate layer structure can be formed laterally structured.
  • In einer Ausgestaltung kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Struktur zwei oder mehr Zwischenschicht-Strukturen aufweisen, wobei die zwei oder mehr Zwischenschicht-Strukturen an unterschiedlichen Stellen im Schichtenquerschnitt ausgebildet sein können, beispielsweise indem die zwei oder mehr Zwischenschicht-Strukturen für unterschiedliche Schichten als Zwischenschicht-Strukturen wirken. In one embodiment, the charge carrier pair generation structure may have two or more layer structures wherein the two or more layer structures can be formed at different locations in the layer cross-section, for example by two or more intermediate layer patterns for different layers as interlayer structures act.
  • In einer Ausgestaltung kann das optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode eingerichtet sein. In one embodiment, the optoelectronic device may be configured as an organic light emitting diode.
  • In verschiedenen Ausführungsformen wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, das Verfahren aufweisend: Bilden einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur; In various embodiments, a method for producing an optoelectronic component is provided, the method comprising: forming a first organic functional layers structure; Bilden einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur über oder auf der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur; Forming a pair of charge carrier generation layer structure over or on the first organic functional layers structure; und Bilden einer zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur über oder auf der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur, wobei das Bilden der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur aufweist: Bilden einer zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht; and forming a second organic functional layers structure over or on the carrier pair generation layer structure, wherein forming the charge-carrier pair generation layer structure comprising: forming a second charge carrier pair generation layer; Bilden einer Zwischenschicht-Struktur über oder auf der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht; Forming an intermediate layer structure over or on the second carrier pair generation layer; wobei die Zwischenschicht-Struktur wenigstens eine Schicht aufweist mit einer flächig-periodischen, wabenförmigen Gitterstruktur, wobei die Zwischenschicht-Struktur ein schwebendes elektrisches Potential aufweist; wherein the intermediate layer structure comprises at least one layer with a surface-periodic honeycomb lattice structure, wherein the intermediate layer structure having a floating electrical potential; und Bilden einer ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht über oder auf der Zwischenschicht-Struktur. and forming a first charge carrier pair generation layer over or on the intermediate layer structure.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur wenigstens einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet werden: Kohlenstoff, Silizium, Germanium. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure may include at least one of the following substances or are formed from carbon, silicon, germanium.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur eine Graphen-Schicht aufweisend ausgebildet werden oder daraus ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure can be formed a graphene layer comprising or formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur zwei oder mehr Teilschichten aufweisen oder derart ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure comprises two or more sub-layers may comprise or be formed in such a manner.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur eine Graphit-Schicht aufweisend ausgebildet werden oder daraus ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure may be a graphite layer to be formed comprising or formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur als eine Silicen-Schicht aufweisend ausgebildet werden oder daraus ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure can be formed as having a silicene layer or are formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht derart ausgebildet werden, dass die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen Dotierstoff in einer Matrix aufweist oder daraus gebildet wird. In one embodiment of the method, the first carrier pair generation layer may be formed such that the first pair of charge carrier generation layer has a dopant in a matrix or is formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht derart ausgebildet werden, dass die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen intrinsisch leitfähigen Stoff aufweist oder daraus gebildet wird. In one embodiment of the method, the first carrier pair generation layer may be formed such that the first pair of charge carrier generating layer having a intrinsically conductive material or is formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht derart ausgebildet werden, dass die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen Dotierstoff in einer Matrix aufweist oder daraus gebildet wird. In one embodiment of the method the second carrier pair generation layer may be formed such that the second carrier pair generation layer has a dopant in a matrix or is formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht derart ausgebildet werden, dass die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen intrinsisch leitfähigen Stoff aufweist oder daraus gebildet wird. In one embodiment of the method the second carrier pair generation layer may be formed such that the second carrier pair generation layer has an intrinsically conductive material or is formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht elektronenleitend ausgebildet werden. In one embodiment of the method the second carrier pair generation layer may be formed electron-conductive.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht lochleitend ausgebildet werden. In one embodiment of the method the second carrier pair generation layer can be formed hole-conducting.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht elektronenleitend ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the first carrier pair generation layer may be formed electron-conductive.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht lochleitend ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the first carrier pair generation layer can be formed hole-conducting.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur lateral strukturiert ausgebildet werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure can be formed laterally structured.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur strukturiert auf der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht oder der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht aufgebracht werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure can be patterned onto the first carrier pair generation layer or the second charge carrier pair generation layer.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur nach dem Aufbringen auf der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht oder der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht strukturiert werden, beispielsweise indem wenigstens ein Bereich der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht oder der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht unterhalb der Zwischenschicht-Struktur freigelegt wird. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure after being applied to the first carrier pair generation layer or the second charge carrier pair generation layer may be structured, for example by at least a portion of the first carrier pair generation layer or the second charge carrier pair generation layer is exposed beneath the interlayer structure.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur derart ausgebildet werden, dass die Zwischenschicht-Struktur mehrere Teilschichten aufweist oder daraus gebildet ist. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure can be formed such that the intermediate layer structure has a plurality of layers or is formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens können die Teilschichten der Zwischenschicht-Struktur nacheinander über der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht und/oder der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht aufgebracht werden. In one embodiment of the method, the partial layers of the intermediate layer structure may be applied successively over the first carrier pair generation layer and / or the second carrier pair generation layer. Dadurch können beispielsweise Defekte in der kristallinen Ordnung einzelner Teilschichten mittels danach aufgebrachter Teilschichten überdeckt werden und so die Barrierewirkung verstärkt werden. Thereby, for example, defects in the crystalline order of individual sub-layers by means thereafter applied sub-layers can be covered, and thus the barrier properties are enhanced.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Zwischenschicht-Struktur mehrere Teilschichten aufweisend in einem Verfahren über der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht und/oder der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht aufgebracht werden. In one embodiment of the method, the intermediate layer structure can be applied several sublayers comprising, in a procedure for the first carrier pair generation layer and / or the second carrier pair generation layer.
  • In einer Ausgestaltung des Verfahrens kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Struktur zwei oder mehr Zwischenschicht-Strukturen aufweisend ausgebildet werden, wobei die zwei oder mehr Zwischenschicht-Strukturen an unterschiedlichen Stellen im Schichtenquerschnitt ausgebildet werden können, beispielsweise indem die zwei oder mehr Zwischenschicht-Strukturen für unterschiedliche Schichten als Zwischenschicht-Strukturen wirken. In one embodiment of the method the carrier pair generation structure two or more layer structures can be formed comprising, wherein the two or more layer structures can be formed at different locations in the layer cross-section, for example by the two or more inter-layer structures for different layers act as an intermediate layer structures.
  • In noch einer Ausgestaltung des Verfahrens kann das optoelektronische Bauelement als eine organische Leuchtdiode hergestellt werden. In yet an embodiment of the process of the optoelectronic component can be manufactured as an organic light emitting diode.
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. Embodiments of the invention are illustrated in the figures and are explained in more detail below.
  • Es zeigen Show it
  • 1a 1a –c schematische Querschnittansicht eines optoelektronischen Bauelements gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; -c schematic cross-sectional view of an optoelectronic device in accordance with various embodiments;
  • 2a 2a , b eine schematische Querschnittsansicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; , B show a schematic cross-sectional view of a carrier pair generation layer structure of an optoelectronic component according to various embodiments;
  • 3a 3a , b eine schematische Querschnittsansicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen; , B show a schematic cross-sectional view of a carrier pair generation layer structure of an optoelectronic component according to various embodiments; und and
  • 4a 4a , b eine schematische Querschnittsansicht einer herkömmlichen Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelementes und eine Tabelle mit herkömmlichen Materialbeispielen. , B show a schematic cross-sectional view of a conventional charge-carrier pair generation layer structure of an optoelectronic component and a table of conventional material examples.
  • In der folgenden ausführlichen Beschreibung wird auf die beigefügten Zeichnungen Bezug genommen, die Teil dieser bilden und in denen zur Veranschaulichung spezifische Ausführungsformen gezeigt sind, in denen die Erfindung ausgeübt werden kann. In the following detailed description reference is made to the accompanying drawings which form a part hereof and in which specific embodiments are shown by way of illustration in which the invention may be practiced. In dieser Hinsicht wird Richtungsterminologie wie etwa „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vorderes”, „hinteres”, usw. mit Bezug auf die Orientierung der beschriebenen. In this regard, directional terminology, such as "top", "bottom", "front", "rear", "front", "rear", etc., as described with reference to the orientation. Figur(en) verwendet. Figure (s) used. Da Komponenten von Ausführungsformen in einer Anzahl verschiedener Orientierungen positioniert werden können, dient die Richtungsterminologie zur Veranschaulichung und ist auf keinerlei Weise einschränkend. Because components of embodiments can be positioned in a number of different orientations, the directional terminology is used for illustration and is in no way limiting. Es versteht sich, dass andere Ausführungsformen benutzt und strukturelle oder logische Änderungen vorgenommen werden können, ohne von dem Schutzumfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. It is understood that other embodiments may be utilized and structural or logical changes may be made without departing from the scope of the present invention. Es versteht sich, dass die Merkmale der hierin beschriebenen verschiedenen beispielhaften Ausführungsformen miteinander kombiniert werden können, sofern nicht spezifisch anders angegeben. It is understood that the features of the various exemplary embodiments described herein may be combined with each other, unless specifically stated otherwise. Die folgende ausführliche Beschreibung ist deshalb nicht in einschränkendem Sinne aufzufassen, und der Schutzumfang der vorliegenden Erfindung wird durch die angefügten Ansprüche definiert. The following detailed description is, therefore, not to be construed in a limiting sense, and the scope of the present invention is defined by the appended claims.
  • Im Rahmen dieser Beschreibung werden die Begriffe ”verbunden”, ”angeschlossen” sowie ”gekoppelt” verwendet zum Beschreiben sowohl einer direkten als auch einer indirekten Verbindung, eines direkten oder indirekten Anschlusses sowie einer direkten oder indirekten Kopplung. In this specification, the terms "connected," "connected" and "coupled" used to describe both a direct and an indirect connection, a direct or indirect connection and a direct or indirect coupling. In den Figuren werden identische oder ähnliche Elemente mit identischen Bezugszeichen versehen, soweit dies zweckmäßig ist. In the figures, identical or similar elements having identical reference numerals will be provided whenever appropriate.
  • Unter einem optoelektronischen Bauelement kann eine Ausführung eines elektronischen Bauelementes verstanden werden, wobei das optoelektronische Bauelement einen optisch aktiven Bereich aufweist. Under an optoelectronic component, an embodiment of an electronic component can be understood, wherein the optoelectronic component having an optically active region. Der optisch aktive Bereich kann elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren. The optically active area can absorb electromagnetic radiation and form therefrom a photocurrent or emit means of an applied voltage to the optically active region electromagnetic radiation.
  • Unter einem optisch aktiven Bereich eines optoelektronischen Bauelementes kann der Bereich eines optoelektronischen Bauelementes verstanden werden, der elektromagnetische Strahlung absorbieren und daraus einen Fotostrom ausbilden kann oder mittels einer angelegten Spannung an den optisch aktiven Bereich elektromagnetische Strahlung emittieren kann. Under an optically active region of an optoelectronic component, the area of ​​an optoelectronic component can be understood to absorb electromagnetic radiation and can form a photocurrent therefrom or can emit means of an applied voltage to the optically active region electromagnetic radiation.
  • Ein optoelektronisches Bauelement, welches zwei flächige, optisch aktive Seiten aufweist, kann beispielsweise transparent ausgebildet sein, beispielsweise als eine transparente organische Leuchtdiode. An optoelectronic component, which has two planar, optically active sites may, for example, be configured to be transparent, for example as a transparent organic light emitting diode.
  • Der optisch aktive Bereich kann jedoch auch eine flächige, optisch aktive Seite und eine flächige, optisch inaktive Seite aufweisen, beispielsweise eine organische Leuchtdiode, die als Top-Emitter oder Bottom-Emitter eingerichtet ist. However, the optically active region may also be a flat, optically active side and a flat, optically inactive side comprise, for example, an organic light emitting diode, which is configured as a top-emitting or bottom-emitting.
  • Ein organisches (opto-)elektronisches Bauelement kann als eine organische Leuchtdiode (organic light emitting diode – OLED), eine organische Photovoltaikanlage, beispielsweise eine organische Solarzelle, ein organisches Fotometer, ein organischer Feldeffekttransistor (organic field effect transistor OFET) und/oder eine organische Elektronik ausgebildet sein. An organic (opto-) electronic device can be used as an organic light emitting diode (Organic Light Emitting Diode - OLED), an organic photovoltaic system, for example, an organic solar cell, an organic photo meter, an organic field effect transistor (organic field effect transistor OFET) and / or an organic be trained electronics. Bei dem organischen Feldeffekttransistor kann es sich um einen all-OFET handeln, bei dem alle Schichten organisch sind. In the organic field effect transistor may be an all-OFET in which all layers are organic. Ein organisches, elektronisches Bauelement kann ein organisches funktionelles Schichtensystem aufweisen, welches synonym auch als organische funktionelle Schichtenstruktur bezeichnet wird. An organic electronic component may include an organic functional layer system, which is also referred to synonymously as an organic functional layer structure. Die organische funktionelle Schichtenstruktur kann einen organischen Stoff oder ein organisches Stoffgemisch aufweisen oder daraus gebildet sein, der/das beispielsweise zu einem Bereitstellen einer elektromagnetischen Strahlung aus einem bereitgestellten elektrischen Strom und/oder zu einem Bereitstellen eines elektrischen Stromes aus einer bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. The organic functional layer structure may include an organic substance or an organic substance mixture or can be formed therefrom, the / is set for example to a providing an electromagnetic radiation from a provided electrical power and / or to a providing an electrical current from a supplied electromagnetic radiation.
  • Auch wenn im Folgenden die verschiedenen Ausführungsbeispiele anhand einer OLED beschrieben werden, so können diese Ausführungsbeispiele jedoch ohne weiteres auch auf die anderen, oben genannten elektronischen und optoelektronischen Bauelemente angewendet werden. However, although the various embodiments are described using an OLED hereinafter, these embodiments can be readily applied to the other, aforementioned electronic and optoelectronic components.
  • Unter einem organischen Stoff kann eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung des Kohlenstoffs verstanden werden. By an organic substance may comprise one, regardless of their physical state, present, marked by characteristic physical and chemical properties of the carbon compound to be understood in a chemically uniform manner.
  • Unter einem anorganischen Stoff kann eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung ohne Kohlenstoff oder einfacher Kohlenstoffverbindung verstanden werden. Under an inorganic material may comprise one, regardless of their physical state, present, marked by characteristic physical and chemical properties connection be understood without carbon or simple carbon compound in a chemically uniform manner.
  • Unter einem organisch-anorganischen Stoff (hybrider Stoff) kann eine, ungeachtet des jeweiligen Aggregatzustandes, in chemisch einheitlicher Form vorliegende, durch charakteristische physikalische und chemische Eigenschaften gekennzeichnete Verbindung mit Verbindungsteilen die Kohlenstoff enthalten und frei von Kohlenstoff sind, verstanden werden. Under an organic-inorganic substance (hybrid fabric) can have one, regardless of their physical state, present, marked by characteristic physical and chemical properties associated with connecting parts included in a chemically uniform manner, the carbon and are free of carbon, are understood.
  • Der Begriff „Stoff” umfasst alle oben genannten Stoffe, beispielsweise einen organischen Stoff, einen anorganischen Stoff, und/oder einen hybriden Stoff. The term "material" includes all substances mentioned above, for example, an organic material, an inorganic material, and / or a hybrid material. Der Begriff Material ist synonym zu dem Begriff Stoff verwendet. The term material is used synonymously with the term fabric.
  • Unter einem Stoffgemisch kann etwas verstanden werden, was Bestandteile aus zwei oder mehr verschiedenen Stoffen besteht, deren Bestandteile beispielsweise sehr fein verteilt sind. Under a mixture of substances can be somewhat understood what is ingredients from two or more different substances whose constituents are for example very finely divided.
  • Unter Graphen kann ein organischer Stoff verstanden werden, der eine atomar dünne Schicht aus in der Ebene hexagonal angeordneten Kohlenstoffatomen aufweist. Subgraph an organic substance can be understood, having an atomically thin layer of hexagonally arranged in the plane of carbon atoms. Diese Schicht kann auch als ein riesiges zweidimensionales Fullerenmolekül; This layer can also act as a huge two-dimensional fullerene molecule; ein einzelnes unaufgerolltes Kohlenstoffnanoröhrchen oder als eine Schicht einer Lamelle des Graphit-Kristalls aufgefasst werden. unaufgerolltes a single carbon nanotube or to be construed as a layer of a lamella of the graphite crystal.
  • Unter Graphit kann ein organischer Stoff verstanden werden, der wenigstens zwei Lagen Graphen aufweist Unter Silicen kann ein anorganischer Stoff verstanden werden, der eine atomar dünne Schicht aus hexagonal angeordneten Siliziumatomen aufweist. In graphite, an organic material can be understood, having at least two layers of graphene under silicene an inorganic material to be understood, having an atomically thin layer of hexagonally arranged silicon atoms.
  • Die hexagonale Gitterstruktur von Kohlenstoffatomen in Graphen oder Siliziumatomen in Silicen ist dicht gepackt mit Elektronenwolken und kann somit sehr dicht sein hinsichtlich einer Permeabilität von Molekülen. The hexagonal lattice structure of carbon atoms in graphene, or silicon atoms in silicene is densely packed with electron clouds and thus can be very dense in terms of permeability of molecules. Aus Graphen, Graphit und Silicen können daher sehr dichte Barrierestrukturen mit geringer Dicke gebildet werden. very tight barrier structures with a small thickness can thus be formed of graphene, graphite, and silicene.
  • Unter dem Begriff „transluzent” bzw. „transluzente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist, beispielsweise für das von dem lichtemittierenden Bauelement erzeugte Licht, beispielsweise in einem oder mehreren Wellenlängenbereich(en), beispielsweise für Licht in einem Wellenlängenbereich des sichtbaren Lichts (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm). The term "translucent" and "translucent layer" may be understood in various embodiments that a layer for light is transmissive, for example, for the light generated by the light emitting device light, for example in one or more wavelength range (s), for example for light in a wavelength range of visible light (for example at least in a partial area of ​​the wavelength range of 380 nm to 780 nm). Beispielsweise ist unter dem Begriff „transluzente Schicht” in verschiedenen Ausführungsbeispielen zu verstehen, dass im Wesentlichen die gesamte in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppelte Lichtmenge auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird, wobei ein Teil des Lichts hierbei gestreut werden kann For example, "translucent layer" in various exemplary embodiments, the term will be understood that substantially the whole is in a structure (e.g., a layer) injected amount of light also from the structure (for example, layer) coupled with a part of the light can be scattered in this case
  • Unter dem Begriff „transparent” oder „transparente Schicht” kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen verstanden werden, dass eine Schicht für Licht durchlässig ist (beispielsweise zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs von 380 nm bis 780 nm), wobei in eine Struktur (beispielsweise eine Schicht) eingekoppeltes Licht im Wesentlichen ohne Streuung oder Lichtkonversion auch aus der Struktur (beispielsweise Schicht) ausgekoppelt wird. The term "transparent" or "transparent layer" may be understood in various embodiments that a layer for light is transmissive (for example, at least in a partial area of ​​the wavelength range of 380 nm to 780 nm), wherein in a structure (e.g., a layer) light coupled substantially without scattering or light conversion and from the structure (for example, layer) is extracted.
  • Für den Fall, dass beispielsweise ein lichtemittierendes monochromes oder im Emissionsspektrum begrenztes elektronisches Bauelement bereitgestellt werden soll, ist es ausreichend, dass die optisch transluzente Schichtenstruktur zumindest in einem Teilbereich des Wellenlängenbereichs des gewünschten monochromen Lichts oder für das begrenzte Emissionsspektrum transluzent ist. In the event that, for example, a light-emitting monochrome or limited in the emission spectrum electronic component is to be provided, it is sufficient that the optically translucent layer structure is translucent at least in a partial area of ​​the wavelength range of the desired monochromatic light, or for the limited emission spectrum.
  • In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: ein Kasein, ein Glutin, eine Stärke, eine Cellulose, ein Harz, ein Tannin, ein Lignin, einen organischen Stoff mit Sauerstoff. In various embodiments, an adhesive may be have one of the following substances or formed therefrom: a casein, a gluten, a starch, a cellulose, a resin, a tannin, a lignin, an organic material with oxygen. Stickstoff, Chlor und/oder Schwefel; Nitrogen, chlorine and / or sulfur; ein Metalloxid, ein Silikat, ein Phosphat, ein Borat. a metal oxide, a silicate, a phosphate, a borate.
  • In verschiedenen Ausgestaltungen kann ein Klebstoff als ein Schmelzklebstoff, beispielsweise ein Lösemittelhaltiger Nassklebstoff, ein Kontaktklebstoff, ein Dispersionsklebstoff, ein Wasserbasierter Klebstoff, ein Plastisol; In various embodiments, an adhesive may be used as a hot melt adhesive, such as a solvent-containing wet adhesive, a contact adhesive, a dispersion adhesive, a water-based adhesive, a plastisol; ein Polymerisationsklebstoff, beispielsweise ein Cyanacrylat-Klebstoff, ein Methylmethacrylat-Klebstoff, ein anaerob härtender Klebstoff, ein ungesättigter Polyester, ein Strahlenhärtender Klebstoff; a polymerization adhesive, such as a cyanoacrylate adhesive, a methyl methacrylate adhesive, an anaerobic curing adhesive, an unsaturated polyester, a radiation-curing adhesive; ein Polykondensationsklebstoff, beispielsweise ein Phenol-Formaldehydharz-Klebstoff, ein Silikon, ein Silanvernetzender Polymerklebstoff, ein Polyimidklebstoff, ein Polysulfidklebstoff; a Polykondensationsklebstoff, for example, a phenol-formaldehyde resin adhesive, a silicone, a silane-crosslinking polymer adhesive, a polyimide adhesive, a Polysulfidklebstoff; und/oder ein Polyadditionsklebstoff, beispielsweise ein Epoxidharz-Klebstoff, ein Polyurethan-Klebstoff, ein Silikon, ein Haftklebstoff; and / or a Polyadditionsklebstoff, for example an epoxy adhesive, a polyurethane adhesive, a silicone, a pressure sensitive adhesive; aufweisen oder daraus gebildet sein. be or have formed therefrom.
  • Unter der Austrittsarbeit kann die Arbeit verstanden werden, die aufgewendet wird um Elektronen aus einem Festkörper herauszulösen. Of the work function of the work can be understood, expended to extract electrons from a solid body. Der Betrag der dafür aufzuwendenden Arbeit entspricht dem Betrag Energiedifferenz der Fermi-Energie des Elektrons im Festkörper zu der Energie des Elektrons im Vakuum. The amount of this work expended energy difference corresponds to the amount of the Fermi energy of the electron in the solid state to the energy of the electron in vacuum. Die Austrittsarbeit eines Elektrons aus einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht kann beispielsweise gemessen werden wie in The work function of an electron from a carrier pair generation layer can for example be measured as described in beschrieben ist. is described.
  • 1a 1a zeigt eine Querschnittansicht eines optoelektronischen Bauelements shows a cross-sectional view of an optoelectronic device 100 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. according to various embodiments.
  • Dargestellt ist eine schematische Querschnittsansicht eines optoelektronischen Bauelementes Shown is a schematic cross-sectional view of an optoelectronic component 100 100 aufweisend: ein Träger comprising: a carrier 102 102 , eine Barriereschicht , A barrier layer 104 104 , ein elektrisch aktiver Bereich An electrically active region 106 106 mit einer ersten Elektrode a first electrode 110 110 , einer organischen funktionellen Schichtenstruktur , An organic functional layer structure 112 112 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur with a first organic functional layer structure 116 116 , einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichten , A carrier pair generation layers 118 118 und einer zweiten funktionellen Schichtenstruktur and a second functional layer structure 120 120 ; ; und einer zweiten Elektrode and a second electrode 114 114 ; ; einer Barrieredünnschicht a barrier film 108 108 , einer Klebstoffschicht , An adhesive layer 122 122 und einer Abdeckung and a cover 124 124 , wie sie im Folgenden näher beschrieben werden. , As described in more detail below.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische Leuchtdiode (oder auch die lichtemittierenden Bauelemente In various embodiments, the organic light emitting device (or the light emitting devices 100 100 gemäß den oben oder noch im Folgenden beschriebenen Ausführungsbeispielen) als ein so genannter Top- und Bottom-Emitter eingerichtet sein. be arranged according to the above or even below embodiments) as a so-called top and bottom emitter. Ein Top- und Bottom-Emitter kann auch als optisch transparentes Bauelement, beispielsweise eine transparente organische Leuchtdiode, bezeichnet werden. A top and bottom emitter may also be referred to as an optically transparent element, such as a transparent organic light emitting diode.
  • Das optoelektronische Bauelement The optoelectronic component 100 100 kann zu einem Aufnehmen und/oder Bereitstellen elektromagnetischer Strahlung eingerichtet sein, wobei das optoelektronische Bauelement may be adapted to a receiving and / or providing electromagnetic radiation, wherein the optoelectronic component 100 100 eingerichtet ist eine elektrische Energie aus einer aufgenommenen elektromagentischen Strahlung zu erzeugen und/oder eine elektromagnetische Strahlung aus einer bereitgestellten elektrischen Energie zu erzeugen. is set to generate an electric energy from a recorded elec- tromagnetic radiation and / or to generate an electromagnetic radiation from a supplied electric energy.
  • Das optoelektronische Bauelement The optoelectronic component 100 100 in Form eines lichtemittierenden Bauelements, beispielsweise in Form einer organischen Leuchtdiode in the form of a light emitting device, for example in the form of an organic light emitting diode 100 100 , kann ein Träger , A carrier 102 102 aufweisen. respectively. Der Träger the carrier 102 102 kann beispielsweise als ein Trägerelement für elektronische Elemente oder Schichten, beispielsweise lichtemittierende Elemente, dienen. can, for example as a carrier element for electronic elements or layers, such as light emitting elements are used. Beispielsweise kann der Träger For example, the carrier 102 102 Glas, Quarz, und/oder ein Halbleitermaterial oder irgendein anderes geeignetes Material aufweisen oder daraus gebildet sein. comprise glass, quartz, and / or a semiconductor material, or any other suitable material or can be formed therefrom. Ferner kann der Träger eine Kunststofffolie oder ein Laminat mit einer oder mit mehreren Kunststofffolien aufweisen oder daraus gebildet sein. Further, the support may comprise a plastic film or a laminate with one or more plastic films or can be formed therefrom. Der Kunststoff kann ein oder mehrere Polyolefine (beispielsweise Polyethylen (PE) mit hoher oder niedriger Dichte oder Polypropylen (PP)) aufweisen oder daraus gebildet sein. The plastic may be one or more polyolefins (e.g. polyethylene (PE) with high or low density or polypropylene (PP)) comprise or be formed therefrom. Ferner kann der Kunststoff Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS), Polyester und/oder Polycarbonat (PC), Polyethylenterephthalat (PET), Polyethersulfon (PES) und/oder Polyethylennaphthalat (PEN) aufweisen oder daraus gebildet sein. Further, the polyvinyl chloride plastic can (PVC), polystyrene (PS), polyester and / or polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), polyether sulfone (PES) and / or polyethylene naphthalate (PEN) have or be formed therefrom. Das Substrat the substrate 102 102 kann eines oder mehrere der oben genannten Materialien aufweisen. may comprise one or more of the above materials. Das Substrat the substrate 102 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. can be designed translucent or even transparent.
  • Der Träger the carrier 102 102 kann ein Metall aufweisen oder daraus gebildet sein, beispielsweise Kupfer, Silber, Gold, Platin, Eisen, beispielsweise eine Metallverbindung, beispielsweise Stahl. may comprise a metal or be formed from, for example, copper, silver, gold, platinum, iron, such as a metal compound, for example steel.
  • Ein Träger A carrier 102 102 aufweisend ein Metall oder eine Metallverbindung kann auch als eine Metallfolie oder eine metallbeschichtete Folie ausgebildet sein. comprising a metal or a metal compound can also be formed as a metal foil or a metal coated film.
  • Der Träger the carrier 102 102 kann transluzent oder sogar transparent ausgeführt sein. can be designed translucent or even transparent. Bei einem Träger A carrier 102 102 , der ein Metall aufweist, kann das Metall beispielsweise als eine dünne Schicht transparente oder transluzente Schicht ausgebildet sein und/oder das Metall ein Teil einer Spiegelstruktur sein. Comprising a metal, the metal may be part of a mirror structure to be formed for example as a thin layer of transparent or translucent layer and / or the metal.
  • Der Träger the carrier 102 102 kann einen mechanisch rigiden Bereich und/oder einen mechanisch flexiblen Bereich aufweisen oder derart ausgebildet sein. may have a mechanically rigid region and / or a mechanically flexible portion or be constructed such. Ein Träger A carrier 102 102 , der einen mechanisch rigiden Bereich und einen mechanisch flexiblen Bereich aufweist, kann beispielsweise strukturiert sein, beispielsweise indem der rigide Bereich und der flexible Bereich eine unterschiedliche Dicke aufweisen. Having a mechanically rigid region and a flexible region mechanically, for example, can be structured, for example by the rigid region and the flexible region having a different thickness.
  • Ein mechanisch flexibler Träger A mechanically flexible carrier 102 102 oder der mechanisch flexible Bereich kann beispielsweise als eine Folie ausgebildet sein, beispielsweise eine Kunststofffolie, Metallfolie oder ein dünnes Glas. or mechanically flexible portion may be formed for example as a foil, for example a plastic film, metal foil or a thin glass.
  • In einem Ausführungsbeispiel kann der Träger In one embodiment, the carrier may 102 102 als Wellenleiter für elektromagnetische Strahlung des optoelektronischen Bauelementes as a waveguide for electromagnetic radiation of the optoelectronic component 100 100 ausgebildet sein, beispielsweise transparent oder transluzent sein hinsichtlich der bereitgestellten elektromagnetischen Strahlung des optoelektronischen Bauelementes be formed, for example, be transparent or translucent with respect to the supplied electromagnetic radiation of the optoelectronic component 100 100 . ,
  • Auf oder über dem Träger At or above the carrier 102 102 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht can in various embodiments, optionally, a barrier layer 104 104 angeordnet sein, beispielsweise auf der Seite der organischen funktionellen Schichtenstruktur be arranged, for example on the side of the organic functional layers structure 106 106 und/oder auf der Seite, die der organischen funktionellen Schichtenstruktur and / or on the side of the organic functional layers structure 106 106 abgewandt ist. is remote.
  • Auf oder über dem Substrat On or above the substrate 102 102 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen optional eine Barriereschicht can in various embodiments, optionally, a barrier layer 104 104 angeordnet sein. be disposed.
  • Die Barriereschicht The barrier layer 104 104 kann eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, Poly(p-phenylenterephthalamid), Nylon may include one or more of the following materials exhibit or can be formed from alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, poly (p-phenylene terephthalamide), nylon 66 66 , sowie Mischungen und Legierungen derselben. , And mixtures and alloys thereof.
  • In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Barriereschicht In various embodiments, the barrier layer 10 10 mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens (atomic layer deposition – ALD) und/oder einem Moleküllagenabscheideverfahrens (molecular layer deposition – MLD) ausgebildet werden. by means of a Atomlagenabscheideverfahrens (atomic layer deposition - ALD) and / or a Moleküllagenabscheideverfahrens (molecular layer deposition - MLD) are formed.
  • In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Barriereschicht In various embodiments, the barrier layer 104 104 zwei oder mehr gleiche und/oder unterschiedliche Schichten, oder Lagen aufweisen, beispielsweise nebeneinander und/oder übereinander, beispielsweise als eine Barriereschichtstruktur oder ein Barrierestapel, beispielsweise strukturiert. comprise two or more identical and / or different layers, or layers, for example next to each other and / or above each other, for example as a barrier layer structure or a barrier stack, for example patterned. Ferner kann die Barriereschicht Furthermore, the barrier layer 104 104 in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 0,1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 40 nm. in various embodiments, have a layer thickness in a range of about 0.1 nm (one atomic layer) to about 1000 nm, for example, a layer thickness in a range from about 10 nm to about 200 nm, for example a layer thickness of about 40 nm.
  • Auf oder über der Barriereschicht At or above the barrier layer 104 104 (oder, wenn die Barriereschicht (Or, if the barrier layer 104 104 nicht vorhanden ist, auf oder über dem Träger is not present, on or above the support 102 102 ) kann ein elektrisch aktiver Bereich ), An electrically active region 106 106 des lichtemittierenden Bauelements the light emitting device 100 100 angeordnet sein. be disposed. Der elektrisch aktive Bereich The electrically active region 106 106 kann als der Bereich des lichtemittierenden Bauelements can than the range of the light emitting component 100 100 verstanden werden, in dem ein elektrischer Strom zum Betrieb des optoelektronischen Bauelements, beispielsweise des lichtemittierenden Bauelements be understood, in which an electric current for operation of the optoelectronic component, for example, the light emitting device 100 100 fließt. flows.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der elektrisch aktive Bereich In various embodiments, the electrically active region 106 106 eine erste Elektrode a first electrode 110 110 , eine zweite Elektrode , A second electrode 114 114 und dazwischen ein funktionelles Schichtensystem and between a functional layer system 112 112 aufweisen, wie es im Folgenden noch näher erläutert wird. have, as will be explained in more detail below.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barriereschicht (oder, wenn die Barriereschicht nicht vorhanden ist (nicht dargestellt), auf oder über dem Träger In various embodiments, (at or above the barrier layer or, if the barrier layer is not present (not shown), on or above the support 102 102 ) die erste Elektrode ), The first electrode 110 110 (beispielsweise in Form einer ersten Elektrodenschicht (For example in the form of a first electrode layer 110 110 ) aufgebracht sein. ) May be applied.
  • Die erste Elektrode The first electrode 110 110 (im Folgenden auch als untere Elektrode (Hereinafter also referred to as a lower electrode 110 110 bezeichnet) kann aus einem elektrisch leitfähigen Material gebildet werden oder sein, wie beispielsweise aus einem Metall oder einem leitfähigen transparenten Oxid (transparent conductive Oxide, TCO) oder einem Schichtenstapel mehrerer Schichten desselben Metalls oder unterschiedlicher Metalle und/oder desselben TCO oder unterschiedlicher TCOs. hereinafter) can be formed from an electrically conductive material or, as (for example, of a metal or a conductive transparent oxide transparent conductive oxide, TCO) or a layer stack of several layers of the same metal or of different metals and / or of the same TCO or different TCOs. Transparente leitfähige Oxide sind transparente, leitfähige Materialien, beispielsweise Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid, oder Indium-Zinn-Oxid (ITO). Transparent conductive oxides are transparent conductive materials, for example metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide, or indium tin oxide (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO 2 , oder In 2 O 3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise AlZnO, Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 oder In 4 Sn 3 O 12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitfähiger Oxide zu der Gruppe der TCOs und können in verschiedenen Ausführungsbeispielen eingesetzt werden. In addition to binary metal-oxygen compounds, such as ZnO, SnO 2, or In 2 O 3, ternary metal-oxygen compounds, such as AlZnO, Zn 2 SnO 4, CdSnO 3, ZnSnO 3, MgIn 2 O 4, GaInO 3, Zn 2 In 2 O 5 or in 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive oxides, to the group of TCOs and can be used in various embodiments. weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können ferner p-dotiert oder n-dotiert sein. still does not necessarily correspond to the TCOs a stoichiometric composition and may also be n-doped or p-doped.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode In various embodiments, the first electrode 110 110 ein Metall aufweisen; comprise a metal; beispielsweise Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm oder Li, sowie Verbindungen, Kombinationen oder Legierungen dieser Materialien. For example, Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm, or Li, and compounds, combinations or alloys of these materials.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode In various embodiments, the first electrode 110 110 gebildet werden von einem Schichtenstapel einer Kombination einer Schicht eines Metalls auf einer Schicht eines TCOs, oder umgekehrt. are formed by a stack of layers of a combination of a layer of a metal on a layer of TCOs, or vice versa. Ein Beispiel ist eine Silberschicht, die auf einer Indium-Zinn-Oxid-Schicht (ITO) aufgebracht ist (Ag auf ITO) oder ITO-Ag-ITO Multischichten. An example is a silver layer which is applied to an indium tin oxide layer (ITO) (Ag to ITO), or ITO-Ag-ITO multilayers.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode In various embodiments, the first electrode 110 110 eines oder mehrere der folgenden Materialien vorsehen alternativ oder zusätzlich zu den oben genannten Materialien: Netzwerke aus metallischen Nanodrähten und -teilchen, beispielsweise aus Ag; one or more of the following materials provide an alternative or in addition to the materials mentioned above: Networks of metallic nanowires and particles, for example, Ag; Netzwerke aus Kohlenstoff-Nanoröhren; Networks of carbon nanotubes; Graphen-Teilchen und Schichten; Graph particles and layers; Netzwerke aus halbleitenden Nanodrähten. Networks of semiconducting nanowires.
  • Ferner kann die erste Elektrode Further, the first electrode 110 110 elektrisch leitfähige Polymere oder Übergangsmetalloxide oder elektrisch leitfähige transparente Oxide aufweisen. comprise electrically conductive polymers or transition metal oxides or electrically conductive transparent oxides.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen können die erste Elektrode In various embodiments, the first electrode can 110 110 und das Substrat and the substrate 102 102 transluzent oder transparent ausgebildet sein. be made translucent or transparent. In dem Fall, dass die erste Elektrode In the case that the first electrode 110 110 aus einem Metall gebildet wird, kann die erste Elektrode is formed of a metal, the first electrode may 110 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 18 nm. Weiterhin kann die erste Elektrode for example, have a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example a layer thickness of less than or equal to about 18 nm. Further, the first electrode 110 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von größer oder gleich ungefähr 10 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von größer oder gleich ungefähr 15 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektrode for example, have a layer thickness of greater than or equal to about 10 nm, for example a layer thickness of greater than or equal to about 15 nm. In various embodiments, the first electrode 110 110 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 18 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 15 nm bis ungefähr 18 nm. have a layer thickness in a range from about 10 nm to about 25 nm, for example, a layer thickness in a range from about 10 nm to about 18 nm, for example, a layer thickness in a range from about 15 nm to about 18 nm.
  • Weiterhin kann für den Fall, dass die erste Elektrode Further, in case that the first electrode 110 110 aus einem leitfähigen transparenten Oxid (TCO) gebildet wird, die erste Elektrode of a conductive transparent oxide (TCO) is formed, the first electrode 110 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 75 nm bis ungefähr 250 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 100 nm bis ungefähr 150 nm. for example, have a layer thickness in a range from about 50 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 75 nm to about 250 nm, for example, a layer thickness in a range from about 100 nm to about 150 nm.
  • Ferner kann für den Fall, dass die erste Elektrode Further, the first electrode, in the case, 110 110 aus beispielsweise einem Netzwerk aus metallischen Nanodrähten, beispielsweise aus Ag, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, einem Netzwerk aus Kohlenstoff-Nanoröhren, die mit leitfähigen Polymeren kombiniert sein können, oder von Graphen-Schichten und Kompositen gebildet wird, die erste Elektrode from, for example, a network of metallic nanowires, for example of Ag, which may be combined with conductive polymers, is a network of carbon nanotubes, which may be combined with conductive polymers, or formed of graphene layers and composites, the first electrode 110 110 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 250 nm. for example, have a layer thickness in a range from about 1 nm to about 500 nm, for example, a layer thickness in a range from about 10 nm to about 400 nm, for example, a layer thickness in a range from about 40 nm to about 250 nm.
  • Die erste Elektrode The first electrode 110 110 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. may be formed as an anode, so as hole-injecting electrode or as a cathode, ie, as an electron-injecting electrode.
  • Die erste Elektrode The first electrode 110 110 kann einen ersten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein erstes elektrisches Potential (bereitgestellt von einer Energiequelle (nicht dargestellt), beispielsweise einer Stromquelle oder einer Spannungsquelle) anlegbar ist. may have a first electrical terminal to which a first electrical potential (provided (not shown from a power source), such as a current source or a voltage source) can be applied. Alternativ kann das erste elektrische Potential an das Substrat Alternatively, the first electric potential to the substrate 102 102 angelegt werden oder sein und darüber dann mittelbar der ersten Elektrode be created or indirectly and then about the first electrode 110 110 zugeführt werden oder sein. be supplied or to be. Das erste elektrische Potential kann beispielsweise das Massepotential oder ein anderes vorgegebenes Bezugspotential sein. The first electrical potential can be, for example, the ground potential or another predetermined reference potential.
  • Weiterhin kann der elektrisch aktive Bereich Further, the electrically active region 106 106 des lichtemittierenden Bauelements the light emitting device 100 100 ein organisch funktionelles Schichtensystem an organic functional layer system 112 112 , auch bezeichnet als eine organische elektrolumineszente Schichtenstruktur , Also referred to as an organic electroluminescent layer structure 112 112 , aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode Having, on or above the first electrode 110 110 aufgebracht ist oder wird. is applied or will.
  • Die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur The organic electroluminescent layer structure 112 112 kann mehrere organische funktionelle Schichtenstrukturen can more organic functional layers structures 116 116 , . 120 120 aufweisen. respectively. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur In various embodiments, the organic electroluminescent layer structure 112 112 aber auch mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen aufweisen, beispielsweise 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, oder sogar mehr. but also have more than two organic functional layer structures, for example, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10, or even more.
  • In In 1 1 sind eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur are a first organic functional layers structure 116 116 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur and a second organic functional layers structure 120 120 dargestellt. shown.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur In various embodiments, the second organic functional layers structure 120 120 wie eine der Ausgestaltungen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur as one of the embodiments of the first organic functional layers structure 116 116 ausgebildet sein. be formed. Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur The first organic functional layers structure 116 116 und eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur and a second organic functional layers structure 120 120 können gleich oder unterschiedlich ausgebildet sein, beispielsweise ein gleiches oder unterschiedliches Emittermaterial aufweisen. may be formed the same or different, for example, have the same or a different emitter material.
  • Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur The first organic functional layers structure 116 116 kann auf oder über der ersten Elektrode can on or above the first electrode 110 110 angeordnet sein. be disposed.
  • Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur Further, the second organic functional layers structure 120 120 über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur over the first organic functional layer structure 116 116 angeordnet sein, wobei zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur be arranged, wherein organic between the first functional layer structure 116 116 und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur and the second organic functional layers structure 120 120 eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur a charge-carrier pair generation layer structure 118 118 (engl.: Charge Generation Layer, CGL) angeordnet ist. (Engl .: Charge Generation Layer, CGL) is arranged.
  • In Ausführungsbeispielen, in denen mehr als zwei organische funktionelle Schichtenstrukturen vorgesehen sind, kann zwischen jeweils zwei organischen funktionellen Schichtenstrukturen eine jeweilige Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur vorgesehen sein. In embodiments in which more than two organic functional layer structures are provided, a respective pair of charge carrier generation layer structure may be provided between two organic functional layer structures.
  • Wie im Folgenden noch näher erläutert wird kann jede der organischen funktionellen Schichtenstrukturen As will be explained in more detail below, each of the organic functional layer structures 116 116 , . 120 120 jeweils eine oder mehrere Emitterschichten aufweisen, beispielsweise mit fluoreszierenden und/oder phosphoreszierenden Emittern, sowie eine oder mehrere Lochleitungsschichten (in in each case one or more emitter layers comprise, for example, with fluorescent and / or phosphorescent emitters, and one or more hole transport layers (in 1 1 nicht dargestellt) (auch bezeichnet als Lochtransportschicht(en)). not shown) (also referred to as a hole transport layer (s)).
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen können alternativ oder zusätzlich eine oder mehrere Elektronenleitungsschichten (auch bezeichnet als Elektronentransportschicht(en)) vorgesehen sein. In various embodiments, one or more electron transport layers may alternatively or additionally (also referred to as an electron transport layer (s)) may be provided.
  • Beispiele für Emittermaterialien, die in dem lichtemittierenden Bauelement Examples of emitter materials in the light emitting device 100 100 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen für die Emitterschicht(en) eingesetzt werden können, schließen organische oder organometallische Verbindungen, wie Derivate von Polyfluoren, Polythiophen und Polyphenylen (z. B. 2- oder 2,5-substituiertes Poly-p-phenylenvinylen) sowie Metailkomplexe, beispielsweise Iridium-Komplexe wie blau phosphoreszierendes FIrPic (Bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl)iridium III), grün phosphoreszierendes Ir(ppy) 3 (Tris(2-phenylpyridin)iridium III), rot phosphoreszierendes Ru(dtb-bpy) 3 ·2(PF 6 ) (Tris[4,4'-di-tert-butyl-(2,2')-bipyridin]ruthenium(III)komplex) sowie blau fluoreszierendes DPAVBi (4,4-Bis[4-(di-p-tolylamino)styryl]biphenyl), grün fluoreszierendes TTPA (9,10-Bis[N,N-di-(p-tolyl)-amino]anthracen) und rot fluoreszierendes DCM2 (4-Dicyanomethylen)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4H-pyran) als nichtpolymere Emitter ein. can be used according to various embodiments for the emitter layer (s) include organic or organometallic compounds, such as derivatives of polyfluorene, polythiophene, and polyphenylene (z. B. 2- or 2,5-substituted poly-p-phenylene vinylene) and Metailkomplexe, e.g. iridium complexes such as blue phosphorescent FIrpic (bis (3,5-difluoro-2- (2-pyridyl) phenyl- (2-carboxypyridyl) iridium III), green phosphorescent Ir (ppy) 3 (tris (2-phenylpyridine) iridium III ), red phosphorescent Ru (dtb-bpy) 3 * 2 (PF 6) (tris [4,4'-di-tert-butyl- (2,2 ') - bipyridine] ruthenium (III) complex), and blue fluorescent DPAVBi (4,4-bis [4- (di-p-tolylamino) styryl] biphenyl), green fluorescent TTPA (9,10-bis [N, N-di- (p-tolyl) amino] anthracene) and red fluorescent DCM2 (4-dicyanomethylene) -2-methyl-a-6 julolidyl-9-enyl-4H-pyran) as a non-polymeric emitter. Solche nichtpolymeren Emitter sind beispielsweise mittels thermischen Verdampfens abscheidbar. Such non-polymeric emitter can be deposited, for example by means of thermal evaporation. Ferner können Polymeremitter eingesetzt werden, welche insbesondere mittels eines nasschemischen Verfahrens, wie beispielsweise einem Aufschleuderverfahren (auch bezeichnet als Spin Coating), abscheidbar sind. Further, polymer emitter can be used, which (also referred to as spin coating), in particular by means of a wet-chemical process, such as a spin coating method, can be deposited.
  • Die Emittermaterialien können in geeigneter Weise in einem Matrixmaterial eingebettet sein. The emitter materials can be embedded in an appropriate manner in a matrix material.
  • Es ist darauf hinzuweisen, dass andere geeignete Emittermaterialien in anderen Ausführungsbeispielen ebenfalls vorgesehen sind. It should be noted that other suitable emitter materials are also provided in other embodiments.
  • Die Emittermaterialien der Emitterschicht(en) des lichtemittierenden Bauelements The emitter materials of the emitter layer (s) of the light emitting component 100 100 können beispielsweise so ausgewählt sein, dass das lichtemittierende Bauelement can for example be selected so that the light emitting device 100 100 Weißlicht emittiert. White light emitted. Die Emitterschicht(en) kann/können mehrere verschiedenfarbig (zum Beispiel blau und gelb oder blau, grün und rot) emittierende Emittermaterialien aufweisen, alternativ kann/können die Emitterschicht(en) auch aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein, wie einer blau fluoreszierenden Emitterschicht oder blau phosphoreszierenden Emitterschicht, einer grün phosphoreszierenden Emitterschicht und einer rot phosphoreszierenden Emitterschicht. The emitter layer (s) can / can have multiple different colors (for example blue and yellow or blue, green and red) having emitting emitter materials may alternatively / emitter layer (s) may also be constructed from several sub-layers, such as a blue fluorescent emitter layer or blue phosphorescent emitter layer, a green phosphorescent emitter layer and a red phosphorescent emitter layer. Durch die Mischung der verschiedenen Farben kann die Emission von Licht mit einem weißen Farbeindruck resultieren. Due to the mixture of different colors, the emission of light may result in a white color impression. Alternativ kann auch vorgesehen sein, im Strahlengang der durch diese Schichten erzeugten Primäremission ein Konvertermaterial anzuordnen, das die Primärstrahlung zumindest teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung anderer Wellenlänge emittiert, so dass sich aus einer (noch nicht weißen) Primärstrahlung durch die Kombination von primärer Strahlung und sekundärer Strahlung ein weißer Farbeindruck ergibt. Alternatively, can also be provided to arrange a converter material in the beam path of the primary emission produced by these layers, the primary radiation at least partially absorbs and emits a secondary radiation of a different wavelength, so that from a (not white) primary radiation by the combination of primary radiation and secondary radiation, a white color impression is obtained.
  • Auch können die Emittermaterialien verschiedener organischer funktioneller Schichtenstrukturen so gewählt sein oder werden, dass zwar die einzelnen Emittermaterialien Licht unterschiedlicher Farbe (beispielsweise blau, grün oder rot oder beliebige andere Farbkombinationen, beispielsweise beliebige andere Komplementär-Farbkombinationen) emittieren, dass aber beispielsweise das Gesamtlicht, das insgesamt von allen organischen funktionellen Schichtenstrukturen emittiert wird und von der OLED nach außen emittiert wird, ein Licht vorgegebener Farbe, beispielsweise Weißlicht, ist. Also, the emitter material of various organic functional layers, structures can be selected so or that, although the individual emitter materials emit light of different color (for example blue, green or red or any other color combinations, for example, any other complementary color combinations) emit, but that, for example, the total light is emitted from a total of all organic functional layer structures and is emitted from the OLED to the outside, a light of predetermined color, for example white light.
  • Die organischen funktionellen Schichtenstrukturen The organic functional layer structures 116 116 , . 120 120 können allgemein eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen. may generally include one or more electroluminescent layers. Die eine oder mehreren elektrolumineszenten Schichten kann oder können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules”) oder eine Kombination dieser Materialien aufweisen. The one or more electroluminescent layers may or may comprise organic polymers, organic oligomers, organic monomers, organic small non-polymeric molecules ( "small molecules"), or a combination of these materials. Beispielsweise kann die organische elektrolumineszente Schichtenstruktur For example, the organic electroluminescent layer structure 112 112 eine oder mehrere elektrolumineszente Schichten aufweisen, die als Lochtransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in dem Fall einer OLED eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. comprise one or more electroluminescent layers that is designed as a hole transport layer or, so that an effective hole injection in an electroluminescent layer or an electroluminescent region, for example in the case of an OLED is made possible. Alternativ können in verschiedenen Ausführungsbeispielen die organischen funktionellen Schichtenstrukturen Alternatively, in various embodiments, the organic functional layer structures 116 116 , . 120 120 , eine oder mehrere funktionelle Schichten aufweisen, die als Elektronentransportschicht ausgeführt ist oder sind, so dass beispielsweise in einer OLED eine effektive Elektroneninjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich ermöglicht wird. , Having one or more functional layers, which is constructed as an electron transport layer, or are, so that an effective electron injection is possible in an electroluminescent layer or an electroluminescent region, for example, in an OLED. Als Material für die Lochtransportschicht können beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen verwendet werden. As the material for the hole transport layer, for example tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or polyethylene dioxythiophene may be used. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann oder können die eine oder die mehreren elektrolumineszenten Schichten als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt sein. In various exemplary embodiments may or may the one or more electroluminescent layers may be designed as electro-luminescent layer.
  • Auf oder über der organischen elektrolumineszenten Schichtenstruktur On or above the organic electroluminescent layer structure 110 110 oder gegebenenfalls auf oder über der einen oder den mehreren weiteren organischen Funktionsschichten kann die zweite Elektrode or optionally at or above the one or more other organic function layers, the second electrode 114 114 (beispielsweise in Form einer zweiten Elektrodenschicht (For example in the form of a second electrode layer 114 114 ) aufgebracht sein, wie oben beschrieben worden ist. Is as described above may be applied).
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode In various embodiments, the second electrode 114 114 gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektrode according to one of the configurations of the first electrode 110 110 ausgebildet sein, wobei die erste Elektrode be formed, wherein the first electrode 110 110 und die zweite Elektrode and the second electrode 114 114 gleich oder unterschiedlich sein können. may be the same or different. In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind Metalle besonders geeignet. In various embodiments, metals are particularly suitable.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektrode In various embodiments, the second electrode 114 114 (beispielsweise für den Fall einer metallischen zweiten Elektrode (For example, in the case of a metallic second electrode 114 114 ), beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 2000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 1000 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 200 nm, beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 100 nm beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen von kleiner oder gleich ungefähr 50 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 45 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 40 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 35 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 30 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 25 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 20 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleine ), For example have a layer thickness of less than or equal to approximately 2000 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to approximately 1000 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 500 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 200 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 100 nm, for example, have a layer thickness of less than or equal to about 50 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 45 nm, for example a layer thickness of less than or equal to about 40 nm, for example a layer thickness of less or equal to about 35 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 30 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 25 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 20 nm, for example a layer thickness of small r oder gleich ungefähr 15 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von kleiner oder gleich ungefähr 10 nm. r or equal to about 15 nm, for example, a layer thickness of less than or equal to about 10 nm.
  • Die zweite Elektrode The second electrode 114 114 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem oder mehreren der Materialien und mit der jeweiligen Schichtdicke ausgebildet sein oder werden, wie oben im Zusammenhang mit der ersten Elektrode may be formed, or in various embodiments, one or more of the materials and the respective layer thickness, as described above in connection with the first electrode 110 110 beschrieben. described.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen sind die erste Elektrode In various embodiments, the first electrode 110 110 und die zweite Elektrode and the second electrode 114 114 beide transluzent oder transparent ausgebildet. both formed translucent or transparent. Somit kann das in Thus, the in 1 1 dargestellte lichtemittierende Bauelement shown light emitting device 100 100 als Top- und Bottom-Emitter (anders ausgedrückt als transparentes lichtemittierendes Bauelement (As a top and bottom-emitter, in other words as a transparent light-emitting component 100 100 ) eingerichtet sein. ) Be set up.
  • Die zweite Elektrode The second electrode 114 114 kann als Anode, also als löcherinjizierende Elektrode ausgebildet sein oder als Kathode, also als eine elektroneninjizierende Elektrode. may be formed as an anode, so as hole-injecting electrode or as a cathode, ie, as an electron-injecting electrode.
  • Die zweite Elektrode The second electrode 114 114 kann einen zweiten elektrischen Anschluss aufweisen, an den ein zweites elektrisches Potential (welches unterschiedlich ist zu dem ersten elektrischen Potential), bereitgestellt von der Energiequelle, anlegbar ist. may include a second electrical terminal to which a second electrical potential (which is different from the first electric potential) provided by the power source, is applied. Das zweite elektrische Potential kann beispielsweise einen Wert aufweisen derart, dass die Differenz zu dem ersten elektrischen Potential einen Wert in einem Bereich von ungefähr 1,5 V bis ungefähr 230 V aufweist, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 2,5 V bis ungefähr 15 V, beispielsweise einen Wert in einem Bereich von ungefähr 3 V bis ungefähr 12 V. Ein elektrisches Potential bis 230 V kann beispielsweise realisiert werden in dem mehrere organische funktionelle Schichtenstrukturen The second electrical potential may have such example, a value that the difference to the first electric potential has a value in a range from about 1.5 V to about 230 V, for example, a value in a range of about 2.5 V to about 15 V, for example, a value in a range of about 3 V to about 12 V. an electrical potential to 230 V can be realized, for example in which a plurality of organic functional layer structures 116 116 , . 120 120 übereinander gestapelt werden, beispielsweise ungefähr 76. Dadurch ist beispielsweise ein Betrieb des optoelektronischen Bauelementes mit Netzspannung möglich, dh ohne Vorschaltgerät. are stacked, for example, about 76. As a result, an operation of the optoelectronic component with mains voltage is for example possible, that is, without ballast. Auf oder über der zweiten Elektrode On or above the second electrode 114 114 und damit auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich and so on or over the electrically active region 106 106 kann optional noch eine Verkapselung, beispielsweise in Form einer Barrierendünnschicht/Dünnschichtverkapselung can optionally be an encapsulation, for example in the form of a barrier thin-film / thin-film encapsulation 108 108 gebildet werden oder sein. are formed or be.
  • Unter einer „Barrierendünnschicht” bzw. einem „Barriere-Dünnfilm” A "barrier film" or a "barrier thin film" 108 108 kann im Rahmen dieser Anmeldung beispielsweise eine Schicht oder eine Schichtenstruktur verstanden werden, die dazu geeignet ist, eine Barriere gegenüber chemischen Verunreinigungen bzw. atmosphärischen Stoffen, insbesondere gegenüber Wasser (Feuchtigkeit) und Sauerstoff, zu bilden. can be understood in the context of this application, for example, a layer or a layered structure that is adapted to form a barrier to chemical impurities or atmospheric agents, in particular to water (moisture) and oxygen. Mit anderen Worten ist die Barrierendünnschicht In other words, the barrier film 108 108 derart ausgebildet, dass sie von OLED-schädigenden Stoffen wie Wasser, Sauerstoff oder Lösemittel nicht oder höchstens zu sehr geringen Anteilen durchdrungen werden kann. are formed such that they can be penetrated by OLED-depleting substances such as water, oxygen or solvent does not, or at most very small amounts.
  • Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht According to one embodiment, the barrier film 108 108 als eine einzelne Schicht (anders ausgedrückt, als Einzelschicht) ausgebildet sein. as a single layer (in other words, as a single layer) may be formed. Gemäß einer alternativen Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht According to an alternative embodiment, the barrier film 108 108 eine Mehrzahl von aufeinander ausgebildeten Teilschichten aufweisen. comprise a plurality of successive sub-layers formed. Mit anderen Worten kann gemäß einer Ausgestaltung die Barrierendünnschicht In other words, the barrier thin film, according to one embodiment 108 108 als Schichtstapel (Stack) ausgebildet sein. as a layer stack (stack) can be formed. Die Barrierendünnschicht The barrier film 108 108 oder eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht or one or more sub-layers of the barrier film 108 108 können beispielsweise mittels eines geeigneten Abscheideverfahrens gebildet werden, z. can be formed by a suitable deposition method, for example, z. B. mittels eines Moleküllagenabscheideverfahrens (Molecular Layer Deposition (MLD)), eines Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) gemäß einer Ausgestaltung, z. B. means of a Moleküllagenabscheideverfahrens (Molecular Layer Deposition (MLD)), a Atomlagenabscheideverfahrens (Atomic Layer Deposition (ALD)) according to an embodiment, z. B. eines plasmaunterstützten Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) oder eines plasmalosen Atomlageabscheideverfahrens (Plasma-less Atomic Layer Deposition (PLALD)), oder mittels eines chemischen Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) gemäß einer anderen Ausgestaltung, z. B. a plasma-assisted Atomlagenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PEALD)) or a plasma-free Atomlageabscheideverfahrens (plasma-less atomic layer deposition (PLALD)), or by a chemical Gasphasenabscheideverfahrens (Chemical Vapor Deposition (CVD)) in accordance with another embodiment, e.g. , B. eines plasmaunterstützten Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) oder eines plasmalosen Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), oder alternativ mittels anderer geeigneter Abscheideverfahren. B. a plasma-assisted Gasphasenabscheideverfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)) or a plasma-free Gasphasenabscheideverfahrens (plasma-less Chemical Vapor Deposition (PLCVD)), or alternatively by other suitable deposition method.
  • Durch Verwendung eines Atomlagenabscheideverfahrens (ALD) können sehr dünne Schichten abgeschieden werden. By using a Atomlagenabscheideverfahrens (ALD), very thin layers are deposited. Insbesondere können Schichten abgeschieden werden, deren Schichtdicken im Atomlagenbereich liegen. Specifically, layers may be deposited, the layer thicknesses are in the atomic layer area.
  • Gemäß einer Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht According to one embodiment may in a barrier film 108 108 , die mehrere Teilschichten aufweist, alle Teilschichten mittels eines Atomlagenabscheideverfahrens gebildet werden. Having a plurality of sub-layers, all sub-layers are formed by means of a Atomlagenabscheideverfahrens. Eine Schichtenfolge, die nur ALD-Schichten aufweist, kann auch als „Nanolaminat” bezeichnet werden. A layer sequence, which has only ALD layers may also be referred to as "nano-laminate".
  • Gemäß einer alternativen Ausgestaltung können bei einer Barrierendünnschicht According to an alternative embodiment of a barrier thin film may at 108 108 , die mehrere Teilschichten aufweist, eine oder mehrere Teilschichten der Barrierendünnschicht Having a plurality of sub-layers, one or more sub-layers of the barrier film 108 108 mittels eines anderen Abscheideverfahrens als einem Atomlagenabscheideverfahren abgeschieden werden, beispielsweise mittels eines Gasphasenabscheideverfahrens. be deposited as a Atomlagenabscheideverfahren by another deposition process, for example by means of a Gasphasenabscheideverfahrens.
  • Die Barrierendünnschicht The barrier film 108 108 kann gemäß einer Ausgestaltung eine Schichtdicke von ungefähr 0.1 nm (eine Atomlage) bis ungefähr 1000 nm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 10 nm bis ungefähr 100 nm gemäß einer Ausgestaltung, beispielsweise ungefähr 40 nm gemäß einer Ausgestaltung. can (one atomic layer) have to about 1000 nm, for example a layer thickness of about 10 nm to about 100 nm in accordance with an embodiment, for example, about 40 nm according to an embodiment according to an embodiment a layer thickness of about 0.1 nm.
  • Gemäß einer Ausgestaltung, bei der die Barrierendünnschicht According to an embodiment in which the barrier film 108 108 mehrere Teilschichten aufweist, können alle Teilschichten dieselbe Schichtdicke aufweisen. has a plurality of layers all component layers can have the same layer thickness. Gemäß einer anderen Ausgestaltung können die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht According to another embodiment, the individual partial layers of the barrier film can 108 108 unterschiedliche Schichtdicken aufweisen. have different layer thicknesses. Mit anderen Worten kann mindestens eine der Teilschichten eine andere Schichtdicke aufweisen als eine oder mehrere andere der Teilschichten. In other words, at least one of the sub-layers may have a different layer thickness than one or more other of the partial layers.
  • Die Barrierendünnschicht The barrier film 108 108 oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht or the individual component layers of the barrier film 108 108 können gemäß einer Ausgestaltung als transluzente oder transparente Schicht ausgebildet sein. may be formed in accordance with an embodiment as a translucent or transparent layer. Mit anderen Worten kann die Barrierendünnschicht In other words, the barrier film can 108 108 (oder die einzelnen Teilschichten der Barrierendünnschicht (Or the individual partial layers of the barrier film 108 108 ) aus einem transluzenten oder transparenten Material (oder einer Materialkombination, die transluzent oder transparent ist) bestehen. ) (Made of a translucent or transparent material or combination of materials that is translucent or transparent exist).
  • Gemäß einer Ausgestaltung kann die Barrierendünnschicht According to one embodiment, the barrier film 108 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht or (in the case of a stack of layers with a plurality of sub-layers) one or more of the partial layers of the barrier film 108 108 eines der nachfolgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: Aluminiumoxid, Zinkoxid, Zirkoniumoxid, Titanoxid, Hafniumoxid, Tantaloxid Lanthaniumoxid, Siliziumoxid, Siliziumnitrid, Siliziumoxinitrid, Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid, Aluminium-dotiertes Zinkoxid, sowie Mischungen und Legierungen derselben. have one of the following materials or may be formed from alumina, zinc oxide, zirconium oxide, titanium oxide, hafnium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, indium tin oxide, indium zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide, or mixtures and alloys thereof. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Barrierendünnschicht In various embodiments, the barrier film 108 108 oder (im Falle eines Schichtenstapels mit einer Mehrzahl von Teilschichten) eine oder mehrere der Teilschichten der Barrierendünnschicht or (in the case of a stack of layers with a plurality of sub-layers) one or more of the partial layers of the barrier film 108 108 ein oder mehrere hochbrechende Materialien aufweisen, anders ausgedrückt ein oder mehrere Materialien mit einem hohen Brechungsindex, beispielsweise mit einem Brechungsindex von mindestens 2. comprise one or more high refractive materials, in other words one or more materials having a high refractive index, for example having a refractive index of at least the second
  • Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf eine Barrierendünnschicht Furthermore, it should be noted that in various embodiments also completely on a barrier film 108 108 verzichtet werden kann. can be dispensed with. In solch einer Ausgestaltung kann die optoelektronische Bauelementevorrichtung beispielsweise eine weitere Verkapselungsstruktur aufweisen, wodurch eine Barrierendünnschicht In such an embodiment, the optoelectronic devices apparatus may for example comprise a further packaging structure, whereby a barrier film 108 108 optional werden kann, beispielsweise eine Abdeckung, beispielsweise eine Kavitätsglasverkapselung oder metallische Verkapselung. can be optional, for example, a cover, for example a Kavitätsglasverkapselung or metallic encapsulation.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann auf oder über der Barrierendünnschicht In various embodiments, at or above the barrier thin film 108 108 ein Klebstoff an adhesive 122 122 und/oder ein Schutzlack and / or a protective lacquer 122 122 vorgesehen sein, mittels dessen beispielsweise eine Abdeckung be provided by means of which, for example, a cover 124 124 (beispielsweise eine Glasabdeckung, eine Metallfolienabdeckung, eine abgedichtete Kunststofffolien-Abdeckung) auf der Barrierendünnschicht (For example a glass cover, a metal foil cover, a sealed plastic film cover) on the barrier film 108 108 befestigt, beispielsweise aufgeklebt ist. attached, for example glued. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die optisch transluzente Schicht aus Klebstoff In various embodiments, the optically translucent layer of adhesive 122 122 und/oder Schutzlack and / or protective lacquer 122 122 eine Schichtdicke von größer als 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. have a layer thickness of greater than 1 micron, for example a layer thickness of several microns. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff einen Laminations-Klebstoff aufweisen oder ein solcher sein. In various embodiments, the adhesive may comprise a lamination adhesive or be one.
  • In die Schicht des Klebstoffs (auch bezeichnet als Kleberschicht) können in verschiedenen Ausführungsbeispielen noch lichtstreuende Partikel eingebettet sein, die zu einer weiteren Verbesserung des Farbwinkelverzugs und der Auskoppeleffizienz führen können. In the layer of the adhesive (also referred to as adhesive layer) nor light scattering particles may be embedded, which may lead to a further improvement of the color and the angular distortion in extraction efficiency with various embodiments. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können als lichtstreuende Partikel beispielsweise dielektrische Streupartikel vorgesehen sein wie beispielsweise Metalloxide wie z. In various embodiments, for example, dielectric scattering particles can be provided such as metal oxides such as light-scattering particles. B. Siliziumoxid (SiO 2 ), Zinkoxid (ZnO), Zirkoniumoxid (ZrO2), Indium-Zinn-Oxid (ITO) oder Indium-Zink-Oxid (IZO), Galliumoxid (Ga 2 O x ) Aluminiumoxid, oder Titanoxid. As silicon oxide (SiO 2), zinc oxide (ZnO), zirconium oxide (ZrO2), indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), gallium oxide (Ga 2 O x) aluminum oxide, or titanium oxide. Auch andere Partikel können geeignet sein, sofern sie einen Brechungsindex haben, der von dem effektiven Brechungsindex der Matrix der transluzenten Schichtenstruktur verschieden ist, beispielsweise Luftblasen, Acrylat, oder Glashohlkugeln. Other particles may be suitable, provided that they have a refractive index which is different from the effective refractive index of the matrix of the translucent layer structure, for example air bubbles, acrylate, or hollow glass spheres. Ferner können beispielsweise metallische Nanopartikel, Metalle wie Gold, Silber, Eisen-Nanopartikel, oder dergleichen als lichtstreuende Partikel vorgesehen sein. Further, for example, metallic nanoparticles, metals such as gold, silver, iron nanoparticles, or the like provided as light-scattering particles.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann zwischen der zweiten Elektrode In various embodiments, between the second electrode 114 114 und der Schicht aus Klebstoff and the layer of adhesive 122 122 und/oder Schutzlack and / or protective lacquer 122 122 noch eine elektrisch isolierende Schicht (nicht dargestellt) aufgebracht werden oder sein, beispielsweise SiN, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 300 nm bis ungefähr 1,5 μm, beispielsweise mit einer Schichtdicke in einem Bereich von ungefähr 500 nm bis ungefähr 1 μm, um elektrisch instabile Materialien zu schützen, beispielsweise während eines nasschemischen Prozesses. or an electrically insulating layer (not shown) may be applied or may be, for example, SiN, for example, with a layer thickness in a range from about 300 nm to about 1.5 microns, for example with a layer thickness in a range from about 500 nm to about 1 micron to protect electrically unstable materials, such as during a wet chemical process.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Klebstoff derart eingerichtet sein, dass er selbst einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der Abdeckung In various embodiments, the adhesive may be arranged such that, if it has a refractive index which is smaller than the refractive index of the cover 124 124 . , Ein solcher Klebstoff kann beispielsweise ein niedrigbrechender Klebstoff sein wie beispielsweise ein Acrylat, der einen Brechungsindex von ungefähr 1,3 aufweist. Such an adhesive may be, for example, a low refractive index adhesive such as an acrylate having a refractive index of about 1.3. In einer Ausgestaltung kann ein Klebstoff beispielsweise ein hochbrechender Klebstoff sein der beispielsweise hochbrechende, nichtstreuende Partikel aufweist und einen mittleren Brechungsindex aufweist, der ungefähr dem mittleren Brechungsindex der organisch funktionellen Schichtenstruktur entspricht, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1,7 bis ungefähr 2,0. In one embodiment, an adhesive may be for example a high-refraction adhesive having, for example, high refractive index, non-scattering particles and has an average refractive index approximately equal to the average refractive index of the organic functional layers structure, for example in a range from about 1.7 to about 2.0. Weiterhin können mehrere unterschiedliche Klebstoffe vorgesehen sein, die eine Kleberschichtenfolge bilden. Furthermore, a number of different adhesives can be provided which form an adhesive layer sequence.
  • Ferner ist darauf hinzuweisen, dass in verschiedenen Ausführungsbeispielen auch ganz auf einen Klebstoff Furthermore, it should be noted that in various embodiments also quite an adhesive 122 122 verzichtet werden kann, beispielsweise in Ausgestaltungen, in denen die Abdeckung can be dispensed, for example, in embodiments in which the cover 124 124 , beispielsweise aus Glas, mittels beispielsweise Plasmaspritzens auf die Barrierendünnschicht , For example, glass, by means of plasma spraying, for example, on the barrier film 108 108 aufgebracht werden. be applied.
  • Auf oder über dem elektrisch aktiven Bereich On or over the electrically active region 106 106 kann eine Getter-Schicht angeordnet sein (nicht dargestellt) derart, dass die Getter-Schicht den elektrisch aktiven Bereich can be a getter layer arranged (not shown) such that the getter layer of the electrically active region 106 106 hermetisch bezüglich schädlicher Umwelteinflüsse abdichtet, beispielsweise die Diffusionsrate von Wasser und/oder Sauerstoff zu der Barrierendünnschicht hermetically seals with respect to harmful environmental influences, such as the rate of diffusion of water and / or oxygen to the barrier film 108 108 und/oder dem elektrisch aktiven Bereich and / or the electrically active region 106 106 hin reduziert. reduced towards.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Getter-Schicht transluzent, transparent oder opak ausgebildet sein und eine Schichtdicke von größer als ungefähr 1 μm aufweisen, beispielsweise eine Schichtdicke von mehreren μm. In various embodiments, the getter layer may be translucent, transparent or opaque and formed have a layer thickness of greater than about 1 micron, for example a layer thickness of several microns. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Matrix der Getter-Schicht einen Laminations-Klebstoff aufweisen. In various embodiments, the matrix of the getter layer may have a lamination adhesive.
  • Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich eine oder mehrere Entspiegelungsschichten (beispielsweise kombiniert mit der Barrierendünnschicht Further, one or more anti-reflection layers (for example, combined with the barrier film in various embodiments in addition 108 108 ) in dem lichtemittierenden Bauelement ) In the light emitting device 100 100 vorgesehen sein. be provided.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen können/kann die Abdeckung In various embodiments, can / can cover 124 124 und/oder der Klebstoff and / or the adhesive 122 122 einen Brechungsindex (beispielsweise bei einer Wellenlänge von 633 nm) von 1,55 aufweisen. a refractive index (for example, at a wavelength of 633 nm) of 1.55.
  • In einer Ausgestaltung kann die Abdeckung In one embodiment, the cover 124 124 , beispielsweise aus Glas, beispielsweise mittels einer Fritten-Verbindung (engt. glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding) mittels eines herkömmlichen Glaslotes in den geometrischen Randbereichen des organischen optoelektronischen Bauelementes (Concentrated. Glass frit bonding / soldering glass / glass seal bonding), for example made of glass, for example by means of a frit compound by a conventional solder glass in the geometric edge regions of the organic optoelectronic component 100 100 mit der Barrieredünnschicht with the barrier film 108 108 aufgebracht werden. be applied.
  • Ferner können in verschiedenen Ausführungsbeispielen zusätzlich noch eine oder mehrere Ein-/Auskoppelschichten in dem organischen, optoelektronischen Bauelement Further, in addition, in various embodiments, one or more input / coupling-out in the organic optoelectronic component 100 100 ausgebildet sein, beispielsweise eine externe Auskoppelfolie auf oder über dem Träger be formed, for example, an external Auskoppelfolie on or above the support 102 102 (nicht dargestellt) oder eine interne Auskoppelschicht (nicht dargestellt) im Schichtenquerschnitt des optoelektronischen Bauelementes (Not shown) or an internal coupling-out layer (not shown) in the cross-sectional layers of the optoelectronic component 100 100 . , Die Ein-/Auskoppelschicht kann eine Matrix und darin verteilt Streuzentren aufweisen, wobei der mittlere Brechungsindex der Ein-/Auskoppelschicht größer ist als der mittlere Brechungsindex der Schicht, aus der die elektromagnetische Strahlung bereitgestellt wird. The input / decoupling layer may have a matrix and dispersed therein scattering centers, wherein the average refractive index of the inputs is / decoupling layer is greater than the average refractive index of the layer from which the electromagnetic radiation is provided.
  • 1b 1b zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer organischen funktionellen Schichtenstruktur gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. shows a schematic cross-sectional view of an organic functional layer structure in accordance with various embodiments.
  • Dargestellt ist eine organische funktionelle Schichtenstruktur Shown is an organic functional layer structure 112 112 mit einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur with a first organic functional layer structure 116 116 und einer zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur and a second organic functional layer structure 120 120 , die mittels einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur , By means of a carrier pair generation layer structure 118 118 miteinander verbunden sind. are connected together.
  • Die erste organische funktionelle Schichtenstruktur The first organic functional layers structure 116 116 und/oder die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur and / or the second organic functional layer structure 120 120 können eine Lochinjektionsschicht can a hole injection layer 130a 130a , b; , B; eine Lochtransportschicht a hole transport layer 132a 132a , b; , B; eine Emitterschicht an emitter layer 134a 134a , b; , B; eine Elektronentransportschicht an electron transport layer 136a 136a , b und eine Elektroneninjektionsschicht , B and an electron injection layer 138a 138a , b aufweisen. , B have. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können in einer organischen funktionellen Schichtenstruktur In various embodiments, in an organic functional layer structure 112 112 , . 116 116 , . 120 120 eine oder mehrere der genannten Schichten vorgesehen sein, wobei gleiche artige Schichten einen körperlichen Kontakt aufweisen können, nur elektrisch miteinander verbunden sein können oder sogar elektrisch voneinander isoliert ausgebildet sein können, beispielsweise nebeneinander angeordnet sein können. be one or more of said layers, said same-like layers may have a physical contact, can only be electrically connected with each other, or even may be formed electrically isolated from each other, can be arranged for example side by side. In verschiedenen Ausführungsbeispielen können einzelne Schichten der oben genannten Schichten optional sein. In various embodiments, individual layers of the above layers may be optional.
  • Wie in As in 1b 1b dargestellt ist, kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die erste organische funktionelle Schichtenstruktur is illustrated, in various embodiments, the first organic functional layer structure 116 116 eine erste Lochinjektionsschicht a first hole injection layer 130a 130a aufweisen, die auf oder über der ersten Elektrode have, on or above the first electrode 110 110 ausgebildet ist. is trained.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Lochinjektionsschicht In various embodiments, the first hole injection layer 130a 130a eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: one or more of the following materials have or be formed from:
    • • HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc; • HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc;
    • • NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)benzidin); • beta-NPB, N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl,) benzidine); Spiro TPD(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); • spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL TPD-N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); • DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); • spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene);
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; • 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro;
    • • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; • N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine;
    • • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; • 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
    • • Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; • di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane;
    • • 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; • 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; und and
    • • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin. • N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
  • Die erste Lochinjektionsschicht The first hole injection layer 130a 130a kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 1000 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 300 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 200 nm. may have a layer thickness in a range from about 1 nm to about 1000 nm, for example in a range from about 30 nm to about 300 nm, for example in a range from about 50 nm to about 200 nm.
  • Auf oder über der ersten Lochinjektionsschicht On or above the first hole injection layer 130a 130a kann eine erste Lochtransportschicht may include a first hole transport layer 132a 132a ausgebildet sein. be formed.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Lochtransportschicht In various embodiments, the first hole transport layer 132a 132a eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: one or more of the following materials have or be formed from:
    • • NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • beta-NPB, N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl,) benzidine); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); • spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL TPD-N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); • DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); • spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene);
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; • 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro;
    • • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; • N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine;
    • • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluarene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; • 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluarene-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
    • • Di-14-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; • Di-14- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane;
    • • 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; • 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; und and
    • • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin. • N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
  • Die erste Lochtransportschicht The first hole transport layer 132a 132a kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. may have a layer thickness in a range from about 5 nm to about 50 nm, for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Auf oder über der Lochtransportschicht On or above the hole transport layer 132a 132a kann eine erste Emitterschicht , a first emitter layer 134a 134a ausgebildet sein. be formed. Die Emittermaterialien, die beispielsweise für die erste Emitterschicht The emitter materials, for example, for the first emitter layer 134a 134a vorgesehen sein können, sind oben beschrieben. may be provided are described above.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Emitterschicht In various embodiments, the first emitter layer 134a 134a eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. have a layer thickness in a range from about 5 nm to about 50 nm, for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Weiterhin kann auf oder über der ersten Emitterschicht Further, on or above the first emitter layer 134a 134a eine erste Elektronentransportschicht a first electron transport layer 136a 136a angeordnet, beispielsweise abgeschieden, sein. arranged, for example, be deposited.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektronentransportschicht In various embodiments, the first electron transport layer 136a 136a eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: one or more of the following materials have or be formed from:
    • • NET-18 • NET-18
    • • 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); • 2,2 ', 2' '- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole);
    • • 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); • 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP);
    • • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalene-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles;
    • • 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; • 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
    • • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); • 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
    • • 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; • 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole;
    • • Bis (2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; • bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum;
    • • 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; • 6,6'-Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl;
    • • 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; • 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes;
    • • 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; • 2,7-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] -9,9-dimethylfluorene;
    • • 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; • 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
    • • 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; • 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
    • • 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; • 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
    • • Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; • Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane;
    • • 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; • 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline;
    • • Phenyl-dipyrenylphosphine Oxide; • phenyl-dipyrenylphosphine oxides;
    • • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid or its imides;
    • • Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; • perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; und and
    • • Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit. • substances based on siloles with a Silacyclopentadieneinheit.
  • Die erste Elektronentransportschicht The first electron transport layer 136a 136a kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 30 nm, beispielsweise ungefähr 20 nm. may have a layer thickness in a range from about 5 nm to about 50 nm, for example in a range from about 10 nm to about 30 nm, for example about 20 nm.
  • Ferner kann auf oder über der ersten Elektronentransportschicht Further, on or over the first electron-transport layer 136a 136a eine erste Elektroneninjektionsschicht a first electron injection layer 138a 138a ausgebildet sein. be formed.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Elektroneninjektionsschicht In various embodiments, the first electron injection layer 138a 138a eines oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen oder daraus gebildet sein: one or more of the following materials have or be formed from:
    • • NDN-26, MgAg, Cs 2 CO 3 , Cs 3 PO 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; • NDN-26, MgAg, Cs 2 CO 3, Cs 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF;
    • • 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); • 2,2 ', 2' '- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole);
    • • 2-(4-Siphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-dyphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); • 2- (4-Siphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,9-dimethyl-4,7-1,10-phenanthroline dyphenyl-(BCP);
    • • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalene-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles;
    • • 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; • 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
    • • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); • 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
    • • 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; • 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole;
    • • Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; • bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum;
    • • 6,6'-Bis[S-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-okadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; • 6,6'-bis [S- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-okadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl;
    • • 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; • 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes; 9,9-dimethylfluorene; 9,9-dimethylfluorene;
    • • 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; • 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
    • • 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; • 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
    • • 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; • 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
    • • Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; • Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane;
    • • 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; • 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline;
    • • Phenyl-dipyrenylphosphine Oxide; • phenyl-dipyrenylphosphine oxides;
    • • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid or its imides;
    • • Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; • perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; und and
    • • Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit. • substances based on siloles with a Silacyclopentadieneinheit.
  • Die erste Elektroneninjektionsschicht The first electron injection layer 138a 138a kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 5 nm bis ungefähr 200 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 50 nm, beispielsweise ungefähr 30 nm. may have a layer thickness in a range from about 5 nm to about 200 nm, for example in a range from about 20 nm to about 50 nm, for example about 30 nm.
  • Wie oben beschrieben worden ist, bilden die (optionale) Lochinjektionsschicht As described above, the (optional) form hole injection layer 130a 130a , die (optionale) erste Lochtransportschicht , The (optional) first hole transporting layer 132a 132a , die erste Emitterschicht , The first emitter layer 134a 134a , die (optionale) erste Elektronentransportschicht , The (optional) first electron transport layer 136a 136a sowie die (optionale) erste Elektroneninjektionsschicht as well as the (optional) first electron injection layer 138a 138a die erste organische funktionelle Schichtenstruktur the first organic functional layers structure 116 116 . ,
  • Auf oder über der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur On or above the first organic functional layers structure 116 116 ist eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (CGL) is a carrier pair generation layer structure (CGL) 118 118 angeordnet, die im Folgenden noch näher beschrieben wird. arranged, which will be described in more detail below.
  • Auf oder über der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur On or above the charge carrier pair generation layer structure 118 118 ist in verschiedenen Ausführungsbeispielen die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur is in various embodiments, the second organic functional layers structure 120 120 angeordnet. arranged.
  • Wie in As in 1b 1b dargestellt ist, kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur is illustrated, in various embodiments, the second organic functional layer structure 120 120 eine zweite Lochinjektionsschicht a second hole injection layer 130b 130b aufweisen, die zwischen der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur having, between the pair of charge carrier generation layer structure 118 118 und der zweiten Lochtransportschicht and the second hole transport layer 130b 130b ausgebildet sein kann. may be formed.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Lochinjektionsschicht In various embodiments, the second hole injection layer 130b 130b gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Lochinjektionsschicht according to one of the embodiments of the first hole injection layer 130a 130a ausgebildet sein. be formed.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Lochinjektionsschicht In various embodiments, the second hole injection layer 130b 130b optional sein. be optional.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur In various embodiments, the second organic functional layers structure 120 120 eine zweite Lochtransportschicht a second hole transport layer 132b 132b aufweisen, wobei die zweite Lochtransportschicht have, wherein the second hole transport layer 132b 132b auf oder über (dargestellt) der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur (Shown) or through the carrier pair generation layer structure 118 118 angeordnet ist. is arranged. Beispielsweise kann die zweite Lochtransportschicht For example, the second hole transport layer 132b 132b in körperlichem Kontakt mit der Oberfläche der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur in physical contact with the surface of the carrier pair generation layer structure 118 118 sein, anders ausgedrückt, sie können sich eine gemeinsame Grenzfläche teilen. be, in other words, they can share a common interface.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Lochtransportschicht In various embodiments, the second hole transport layer 132b 132b Teil der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur Part of the carrier pair generation layer structure 118 118 sein, die im Folgenden noch näher beschrieben wird. Which is described in more detail below his.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Lochtransportschicht In various embodiments, the second hole transport layer 132b 132b gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Lochtransportschicht according to one of the embodiments of the first hole transport layer 132a 132a ausgebildet sein. be formed.
  • Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur Further, the second organic functional layers structure 120 120 eine zweite Emitterschicht a second emitter layer 134b 134b aufweisen, die auf oder über der zweiten Lochtransportschicht have, on or above the second hole transport layer 132b 132b angeordnet sein kann. may be positioned. Die zweite Emitterschicht The second emitter layer 134b 134b kann die gleichen Emittermaterialien aufweisen wie die erste Emitterschicht can have the same emitter materials as the first emitter layer 134a 134a . , Alternativ können die zweite Emitterschicht Alternatively, the second emitter layer can 134b 134b und die erste Emitterschicht and the first emitter layer 134a 134a unterschiedliche Emittermaterialien aufweisen. have different emitter materials.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Emitterschicht In various embodiments, the second emitter layer 134b 134b derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, gleicher Wellenlängen) emittiert wie die erste Emitterschicht be designed such that it emits electromagnetic radiation, for example light, the same wavelengths) as the first emitter layer 134a 134a . , Alternativ kann die zweite Emitterschicht Alternatively, the second emitter layer 134b 134b derart eingerichtet sein, dass sie elektromagnetische Strahlung, beispielsweise Licht, anderer Wellenlängen) emittiert als die erste Emitterschicht be designed such that it emits electromagnetic radiation, for example light of other wavelengths) as the first emitter layer 134a 134a . , Die Emittermaterialien der zweiten Emitterschicht können Materialien sein, wie sie oben beschrieben worden sind. The emitter materials of the second emitter layer may be materials such as those described above.
  • Andere geeignete Emittermaterialien, beispielsweise anorganische Farbstoffe oder Leuchtstoffe, können selbstverständlich sowohl für die erste Emitterschicht Other suitable emitter materials, such as inorganic dyes or phosphors can of course both the first emitter layer 134a 134a als auch für die zweite Emitterschicht and for the second emitter layer 134b 134b vorgesehen sein. be provided.
  • Weiterhin kann die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur Further, the second organic functional layers structure 120 120 eine zweite Elektronentransportschicht a second electron transport layer 136b 136b aufweisen, die auf oder über der zweiten Emitterschicht have, on or above the second emitter layer 134b 134b angeordnet, beispielsweise abgeschieden, sein kann. arranged for example deposited may be.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektronentransportschicht In various embodiments, the second electron transport layer 136b 136b gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektronentransportschicht according to one of the embodiments of the first electron transport layer 136a 136a ausgebildet sein. be formed.
  • Ferner kann auf oder über der zweiten Elektronentransportschicht Further, on or over the second electron-transport layer 136b 136b eine zweite Elektroneninjektionsschicht a second electron injection layer 138b 138b ausgebildet sein. be formed.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Elektroneninjektionsschicht In various embodiments, the second electron injection layer 138b 138b gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Elektroneninjektionsschicht according to one of the embodiments of the first electron injection layer 138a 138a ausgebildet sein. be formed.
  • Wie oben beschrieben worden ist, bilden die (optionale) zweite Lochinjektionsschicht As described above, the (optional) form second hole injection layer 130b 130b , die (optionale) zweite Lochtransportschicht , The second (optional) hole transport layer 132b 132b , die zweite Emitterschicht , The second emitter layer 134b 134b , die (optionale) zweite Elektronentransportschicht , The second (optional) electron transport layer 136b 136b , sowie die (optionale) zweite Elektroneninjektionsschicht And the second (optional) electron injection layer 138b 138b die zweite organische funktionelle Schichtenstruktur the second organic functional layers structure 120 120 . ,
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine organische funktionelle Schichtenstruktur In various embodiments, an organic functional layer structure 116 116 , . 120 120 also beispielsweise die Summe der Dicken von Lochtransportschicht(en) und Emitterschicht(en) und Elektronentransportschicht(en), etc. eine Schichtdicke aufweisen von maximal ungefähr 1,5 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. Thus, for example, the sum of the thicknesses of the hole transport layer (s) and emitter layer (s) and electron transport layer (s), etc. have a layer thickness of at most about 1.5 micron, for example, a maximum thickness of about 1.2 microns, for example a layer thickness of a maximum of about 1 micron, for example, a maximum thickness of about 800 nm, for example, a maximum thickness of about 500 nm, for example, a maximum thickness of approximately 400 nm, for example, a maximum thickness of about 300 nm.
  • Eine solche organische funktionelle Schichtenstruktur Such an organic functional layers structure 116 116 , . 120 120 gemäß der oben beschriebenen Ausgestaltungen kann auch als eine organische Leuchtdioden-Einheit according to the embodiments described above can also serve as an organic light-emitting diode unit 116 116 , . 120 120 (OLED-Einheit (OLED unit 116 116 , . 120 120 ) bezeichnet werden. are called). In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann eine organische funktionelle Schichtenstruktur In various embodiments, an organic functional layer structure 112 112 einen Stapel von mehreren direkt übereinander angeordneten OLED-Einheiten a stack of several directly stacked OLED units 116 116 , . 120 120 aufweisen, wobei jede OLED-Einheit comprise, each OLED unit 116 116 , . 120 120 beispielsweise eine Schichtdicke aufweisen kann von maximal ungefähr 1,5 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1,2 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 1 μm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 800 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 500 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 400 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von maximal ungefähr 300 nm. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die organische funktionelle Schichtenstruktur for example, may have a maximum thickness of about 1.5 microns, for example, a maximum thickness of about 1.2 microns, for example, a maximum thickness of about 1 micron, for example, a maximum thickness of about 800 nm, for example, a maximum thickness of about 500 nm , for example, a maximum thickness of approximately 400 nm, for example, a maximum thickness of about 300 nm. In various embodiments, the organic functional layer structure 112 112 beispielsweise einen Stapel von zwei, drei oder vier oder mehr direkt übereinander angeordneten OLED-Einheiten For example, a stack of two, three or four or more directly stacked OLED units 116 116 , . 120 120 aufweisen, in welchem Fall beispielsweise die organische funktionelle Schichtenstruktur have, in which case, for example, the organic functional layer structure 112 112 eine Schichtdicke in Abhängigkeit von der Anzahl der OLED-Einheiten a layer thickness depending on the number of OLED units 116 116 , . 120 120 aufweisen kann, beispielsweise von maximal ungefähr 3 μm für eine organische funktionelle Schichtenstruktur may comprise, for example, of at most about 3 microns for an organic functional layer structure 112 112 mit zwei OLED-Einheiten with two OLED units 116 116 , . 120 120 (dargestellt). (Shown).
  • Das lichtemittierende Bauelement The light emitting device 100 100 kann optional allgemein weitere organische Funktionsschichten, beispielsweise. can optionally be generally more organic functional layers, for example. angeordnet auf oder über der einen oder mehreren Emitterschichten oder auf oder über der oder den Elektronentransportschicht(en) aufweisen, die dazu dienen, die Funktionalität und damit die Effizienz des lichtemittierenden Bauelements having disposed on or above the one or more emitter layers, or on or above the or the electron transport layer (s) that serve the functionality, and thus the efficiency of the light emitting component 100 100 weiter zu verbessern, beispielsweise interne oder extern Einkoppel-/Auskoppelstrukturen wie oben bereits beschrieben ist. to further improve, for example, internal or external coupling-in / coupling-out has already been described above.
  • 1c 1c zeigt eine schematische Querschnittansicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur shows a schematic cross-sectional view of a carrier pair generation layer structure 118 118 gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. according to various embodiments. Eine Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur A charge carrier pair generation layer structure 118 118 kann eine erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur may include a first pair of charge carrier generation layer structure 140 140 , eine Zwischenschicht-Struktur , An intermediate layer structure 142 142 und eine zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur and a second carrier pair generation layer structure 144 144 aufweisen, wie sie im Folgenden näher beschreiben werden. have, as they are described in more detail below.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtstruktur In various embodiments, the charge carrier pair generation layer structure 118 118 eine erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht a first charge carrier pair generation layer 140 140 und eine zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and a second carrier pair generation layer 144 144 aufweisen. respectively. Die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The first charge carrier pair generation layer 140 140 kann auf oder über der ersten Elektronentransportschicht can on or over the first electron-transport layer 136a 136a oder der ersten Elektroneninjektionsschicht or the first electron injection layer 138a 138a angeordnet sein, beispielsweise mit dieser in körperlichem Kontakt sein. be arranged, for example, be in physical contact with this. Die zweite Lochinjektionsschicht The second hole injection layer 130b 130b und/oder die zweite Lochtransportschicht and / or the second hole transport layer 132b 132b können/kann auf oder über der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht can / can on or above the second charge carrier pair generation layer 144 144 angeordnet sein, beispielsweise mit dieser in körperlichem Kontakt sein. be arranged, for example, be in physical contact with this.
  • In einem ersten Fall kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In a first case, the first charge carrier pair generation layer 140 140 als erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht as the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 ausgebildet sein und die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht be formed and the second carrier pair generation layer 144 144 als zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht as a second electron-conducting carrier pair generation layer 144 144 . ,
  • In einem zweiten Fall kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In a second case, the first charge carrier pair generation layer 140 140 als erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht as the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 ausgebildet sein und die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht be formed and the second carrier pair generation layer 144 144 als zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht as a second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 . ,
  • Im ersten Fall erfolgt die Trennung von Ladungsträgerpaaren an der Grenzfläche der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In the first case, the separation of charge carrier pairs takes place at the interface of the second carrier pair generation layer 144 144 mit der lochleitenden Schicht darüber, beispielsweise mit der zweiten Lochinjektionsschicht with the hole-conducting layer higher, for example to the second hole injection layer 130b 130b oder der zweiten Lochtransportschicht or the second hole transport layer 132b 132b . , Mit anderen Worten: ist eine lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht ausgebildet kann eine zweite Lochinjektionsschicht In other words, a hole-conducting carrier pair generation layer formed, a second hole injection layer 130b 130b oder eine zweite Lochtransportschicht or a second hole transport layer 132b 132b optional sein. be optional.
  • Das Loch des erzeugten Ladungsträgerpaares kann mittels der Lochtransportschicht The hole of the carrier pair generated, by means of the hole transport layer 132b 132b zur zweiten Emitterschicht the second emitter layer 134b 134b der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur the second organic functional layers structure 120 120 transportiert werden. be transported. Das Elektron des erzeugten Ladungsträgerpaares kann mittels der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The electron of the carrier pair generated, by means of the second carrier pair generation layer 144 144 und der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the first electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 zu der ersten Emitterschicht to the first emitter layer 134a 134a der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur the first organic functional layers structure 116 116 transportiert werden. be transported.
  • Im zweiten. In the second. Fall erfolgt die Trennung von Ladungsträgerpaaren im Übergang von der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht Case, the separation of charge carrier pairs in the transition from the first carrier pair generation layer 140 140 zu der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht to the second carrier pair generation layer 144 144 , beispielsweise über die Zwischenschicht-Struktur , For example, via the intermediate layer structure 142 142 . ,
  • Ähnlich anorganischen Schichten bei hohen Temperaturen in der Fertigung von Halbleiter-Bauelementen, beispielsweise bei Temperaturen größer als 200°C, können organische Schichten während der Fertigung und im Betrieb bereits bei Temperaturen unter 100°C in andere Schichten diffundieren (partielle Schichtinterdiffusion), z. Similarly, inorganic layers at high temperatures in the manufacturing of semiconductor devices, for example at temperatures greater than 200 ° C, organic layers in other layers diffuse (partial layer interdiffusion), for during manufacture and in operation at temperatures below 100 ° C. B. Teile der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht As parts of the second carrier pair generation layer 144 144 in die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht in the first carrier pair generation layer 140 140 einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtstruktur a carrier pair generation layer structure 118 118 und umgekehrt. and vice versa.
  • Bei Anlegen eines elektrischen Feldes an die Ladungsträger-Erzeugende-Schichtstruktur ist mittels der Schichtinterdiffusion ein Spannungsabfall über diese Schichtstruktur messbar. Upon application of an electric field to the charge carrier-generating layer structure, a voltage drop across this layer structure is measured by means of the interdiffusion layer. Dieser Spannungsabfall nimmt mit der Betriebsdauer zu, da die Diffusion leitfähiger organischer Stoffe in einem elektrischen Feld gerichtet werden kann. This voltage drop increases with the operating time, since the diffusion of conductive organic materials can be directed in an electric field. Dies kann die Betriebsdauer organischer optoelektronischer Bauelemente begrenzen. This can limit the service life of organic optoelectronic devices.
  • Um die partielle Schichtinterdiffusion zu unterdrücken (das heißt anschaulich eine Barrierewirkung zu erreichen) kann zwischen die einzelnen organischen Schichten, z. In order to suppress the partial interdiffusion layer (that is to say clearly to achieve a barrier effect) can be between the individual organic layers, for example. B. zwischen die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht For example, between the first charge carrier pair generation layer 140 140 und die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the second carrier pair generation layer 144 144 , die Zwischenschicht-Struktur The intermediate layer structure 142 142 eingefügt werden. be inserted.
  • Die Zwischenschicht-Struktur verhindert dabei die Schichtinterdiffusion, beispielsweise von Dotierstoffen, Matrixstoffen oder intrinsisch leitfähigen Stoffen. The intermediate layer structure prevents the layer interdiffusion, such as dopants, matrix materials or intrinsically conductive materials.
  • Weiterhin kann die Zwischenschicht-Struktur eine Abreaktion der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht Furthermore, the intermediate layer structure may include a reaction of the first electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 mit der zweiten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht with the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 verhindern, dh die Zwischenschicht-Struktur prevent, that the intermediate layer structure 142 142 bildet eine Reaktionsbarriere. forming a reaction barrier. Weiterhin kann die Zwischenschicht-Struktur Furthermore, the intermediate layer structure 142 142 die Grenzflächenrauheit zwischen der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht the interface roughness between the second electron-conducting carrier pair generation layer 144 144 und der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the first electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 reduzieren, indem die Oberflächenrauheit der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht mittels der Zwischenschicht-Struktur reduziert, kompensiert bzw. ausgeglichen wird. reduce, by making the surface roughness of the second electron-conducting carrier pair generation layer reduced offset or compensated by means of the intermediate layer structure.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einem Stoffgemisch, oder aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht of several substances, thus for example a mixture or from a single material compositions (for this reason, the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 auch als undotierte erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht as undoped first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 bezeichnet werden). are called).
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. have a layer thickness in a range from about 1 nm to about 500 nm, for example in a range from about 3 nm to about 100 nm, for example in a range from about 10 nm to about 90 nm, for example in a range from about 20 nm to about 80 nm, for example in a range from about 30 nm to about 70 nm, for example in a range from about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm.
  • Der Stoff, der die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The fabric, which the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht forms, that is, for example, the material from which the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 besteht, kann eine hohe Elektronenleitfähigkeit (beispielsweise eine Elektronenleitfähigkeit in einer Größenordnung beispielsweise besser als ungefähr 10 –7 S/m, beispielsweise besser als ungefähr 10 –6 S/m, beispielsweise besser als ungefähr 10 –5 S/m aufweisen. is a high electron conductivity may have (for example, an electron conductivity of the order, for example, better than about 10 -7 S / m, for example, better than about 10 -6 S / m, for example, better than about 10 -5 S / m.
  • Weiterhin kann der Stoff der ersten intrinsischen oder n-dotierten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht Further, the material of the first intrinsic or n-type doped electron-conducting carrier pair generation layer may 140 140 eine Austrittsarbeit mit einem Betrag von ungefähr 4,5 eV oder größer aufweisen, beispielsweise bis ungefähr 5,5 eV, beispielsweise bis ungefähr 5 eV; a work function with a magnitude of about 4.5 eV or greater, such as to about 5.5 eV, for example, to about 5 eV; und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. have and low absorption of visible light.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, as a material of the first electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 jeder Stoff vorgesehen sein, der diese genannten Bedingungen erfüllt. any substance can be provided which satisfies these conditions mentioned. Für den Fall das die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In the case that the second carrier pair generation layer 144 144 elektronenleitend ist, kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht is electron-conducting, the first electron-conductive carrier pair generation layer may 140 140 , beispielsweise einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , For example, comprise any of the following or may be formed from: In various embodiments, the first carrier pair generation layer 140 140 einen intrinsisch elektronenleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. have an intrinsically electron-conducting material or can be formed therefrom. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Stoff der zweiten intrinsisch elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, NDN-1, MgAg, Cs 2 CO 3 , Cs 3 PO 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF. In various embodiments, the material of the second intrinsically electron-conducting carrier pair generation layer may comprise one of the following substances or formed therefrom include: NDN-26, NDN-1, MgAg, Cs 2 CO 3, Cs 3 PO 4, Na, Ca, K , Mg, Cs, Li, LiF. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the first carrier pair generation layer 140 140 aus einem Stoffgemisch aus Matrix und n-Dotierstoff gebildet sein. be formed from a mixture of matrix and n-type dopant. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Matrix der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the matrix of the first carrier pair generation layer 140 140 einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: have any of the following or may be formed from:
    • • NET-18 • NET-18
    • • 2,2',2''-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole); • 2,2 ', 2' '- (1,3,5-Benzinetriyl) -tris (1-phenyl-1-H-benzimidazole);
    • • 2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole,2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP); • 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP);
    • • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole; • 8-Hydroxyquinolinolato-lithium, 4- (naphthalene-1-yl) -3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazoles;
    • • 1,3-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; • 1,3-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
    • • 4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen); • 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BPhen);
    • • 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole; • 3- (4-biphenylyl) -4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole;
    • • Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium; • bis (2-methyl-8-quinolinolate) -4- (phenylphenolato) aluminum;
    • • 6,6'-Bis[5-(biphenyl-4-yl)-1,3,4-oxadiazo-2-yl]-2,2'-bipyridyl; • 6,6'-Bis [5- (biphenyl-4-yl) -1,3,4-oxadiazo-2-yl] -2,2'-bipyridyl;
    • • 2-phenyl-9,10-di(naphthalen-2-yl)-anthracene; • 2-phenyl-9,10-di (naphthalen-2-yl) anthracenes;
    • • 2,7-Bis[2-(2,2'-bipyridine-6-yl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]-9,9-dimethylfluorene; • 2,7-bis [2- (2,2'-bipyridine-6-yl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] -9,9-dimethylfluorene;
    • • 1,3-Bis[2-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazo-5-yl]benzene; • 1,3-bis [2- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazo-5-yl] benzene;
    • • 2-(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; • 2- (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
    • • 2,9-Bis(naphthalen-2-yl)-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline; • 2,9-bis (naphthalen-2-yl) -4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline;
    • • Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane; • Tris (2,4,6-trimethyl-3- (pyridin-3-yl) phenyl) borane;
    • • 1-methyl-2-(4-(naphthalen-2-yl)phenyl)-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline; • 1-methyl-2- (4- (naphthalen-2-yl) phenyl) -1H-imidazo [4,5-f] [1,10] phenanthroline;
    • • Phenyl-dipyrenylphosphine Oxide; • phenyl-dipyrenylphosphine oxides;
    • • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; • Naphtahlintetracarbonsäuredianhydrid or its imides;
    • • Perylentetracarbonsäuredianhydrid bzw. dessen Imide; • perylenetetracarboxylic dianhydride or its imides; und and
    • • Stoffen basierend auf Silolen mit einer Silacyclopentadieneinheit. • substances based on siloles with a Silacyclopentadieneinheit.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Dotierstoff der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the dopant of the first electron-conducting carrier pair generation layer may 140 140 einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: NDN-26, NDN-1, MgAg, Cs 2 CO 3 , Cs 3 PO 4 , Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF. have any of the following or may be formed from: NDN-26, NDN-1, MgAg, Cs 2 CO 3, Cs 3 PO 4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF.
  • Für den Fall, dass die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In the event that the second carrier pair generation layer 144 144 lochleitend ist, kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht is hole-conducting, the first electron-conductive carrier pair generation layer may 140 140 , beispielsweise einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc. , For example, comprise any of the following or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the second carrier pair generation layer 144 144 eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 500 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 3 nm bis ungefähr 100 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 nm bis ungefähr 90 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 20 nm bis ungefähr 80 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 30 nm bis ungefähr 70 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 40 nm bis ungefähr 60 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 50 nm. have a layer thickness in a range from about 1 nm to about 500 nm, for example in a range from about 3 nm to about 100 nm, for example in a range from about 10 nm to about 90 nm, for example in a range from about 20 nm to about 80 nm, for example in a range from about 30 nm to about 70 nm, for example in a range from about 40 nm to about 60 nm, for example a layer thickness of about 50 nm.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the second carrier pair generation layer 144 144 aus mehreren Stoffen, also beispielsweise einem Stoffgemisch, oder ebenfalls aus einem einzigen Stoff zusammengesetzt sein (aus diesem Grund kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht of several substances, thus for example a mixture of substances, or also of a single material compositions (for this reason, the second carrier pair generation layer 144 144 auch als undotierte zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht as undoped second charge carrier pair generation layer 144 144 bezeichnet werden). are called).
  • In noch einer Ausgestaltung kann der Stoff der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht eine Transmission größer als ungefähr 90% in einem Wellenlängenbereich von ungefähr 450 nm bis ungefähr 650 nm aufweisen. In yet one embodiment of the fabric of the second electron-conducting carrier pair generation layer may have a transmittance greater than about 90% in a wavelength range from about 450 nm to about 650 nm.
  • Im Fall einer elektronenleitenden zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In the case of an electron-conducting second charge carrier pair generation layer 144 144 kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , the second carrier pair generation layer 144 144 einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen mit hoher elektrischer Leitfähigkeit und einem Leitungsband (bzw. Lowest Unoccupied Molecule Orbital, LUMO), das energetisch ungefähr gleich bezüglich des Valenzbandes (bzw. Highest Occupied Molecule Orbital, HOMO) der direkt oder indirekt benachbarten Lochtransportschicht a substance or a substance mixture having high electrical conductivity and a conduction band (or lowest unoccupied molecule orbital, LUMO), the energy approximately equal with respect to the valence band (or highest occupied molecule orbital, HOMO) of directly or indirectly neighboring hole transport layer 132b 132b und des Leitungsbandes der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the conduction band of the first electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 oder des Valenzbandes der ersten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht or the valence band of the first hole-conducting carrier pair generation layer 140 140 ausgebildet ist. is trained.
  • Der Stoff, der die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The fabric, which the second electron-conducting carrier pair generation layer 144 144 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht forms, that is, for example, the material from which the second electron-conducting carrier pair generation layer 144 144 besteht, kann eine hohe Elektronen-Leitfähigkeit haben, beispielsweise eine Leitfähigkeit in einer Größenordnung beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 10 –7 S/m bis ungefähr 10 S/m oder besser. is, can have a high electron conductivity, for example a conductivity on the order, for example, in a range of about 10 -7 S / m to about 10 S / m or better.
  • Weiterhin kann der Stoff der zweiten intrinsischen und/oder n-dotierten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht Further, the material of the second intrinsic and / or n-type doped electron-conducting carrier pair generation layer may 144 144 eine Austrittsarbeit mit einem Betrag von ungefähr 3,0 eV oder kleiner aufweisen und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. have a work function with a magnitude of about 3.0 eV or less, and have a low absorption of visible light. In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, as a material of the second electron-conducting carrier pair generation layer 144 144 jedes Material bzw. jeder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt, beispielsweise HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc. material, or any substance can be provided that fulfills these and the above conditions, for example, HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP -9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
  • Im Fall einer lochleitenden zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In the case of a hole-conducting second charge carrier pair generation layer 144 144 kann die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , the second carrier pair generation layer 144 144 einen Stoff oder ein Stoffgemisch aufweisen mit hoher elektrischer Leitfähigkeit und einem Valenzbandes (Highest Occupied Molecule Orbital, HOMO) das energetisch ungefähr gleich bezüglich des Valenzbandes (Highest Occupied Molecule Orbital, HOMO) der direkt oder indirekt benachbarten Lochtransportschicht a substance or a substance mixture having high electrical conductivity and a valence band (highest occupied molecule orbital, HOMO) energy approximately equal to the valence band with respect to the (highest occupied molecule orbital, HOMO) of directly or indirectly neighboring hole transport layer 132b 132b und des Leitungsband (Lowest Unoccupied Molecule Orbital, LUMO) der ersten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht and the conduction band (lowest unoccupied molecule orbital, LUMO) of the first electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 oder des Valenzbandes (Highest Occupied Molecule Orbital, HOMO) der ersten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht or the valence band (highest occupied molecule orbital, HOMO) of the first hole-conducting carrier pair generation layer 140 140 ausgebildet ist. is trained.
  • Der Stoff, der die zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The fabric, which the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 bildet, das heißt beispielsweise der Stoff, aus dem die zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht forms, that is, for example, the material of which the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 besteht, kann eine hohe Leitfähigkeit (beispielsweise eine Leitfähigkeit in einer Größenordnung in Bereich von beispielsweise ungefähr 10 –5 S/m bis ungefähr 10 –3 S/m oder besser. there is a high conductivity (for example, a conductivity of the order in the range of, for example, about 10 -5 S / m to about 10 -3 S / m or better.
  • Weiterhin kann der Stoff der zweiten intrinsischen und/oder p-dotierten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht Further, the material of the second intrinsic and / or p-doped hole-conducting carrier pair generation layer may 144 144 eine Austrittsarbeit mit einem Betrag von ungefähr 4,5 eV oder größer aufweisen, beispielsweise bis ungefähr 5,5 eV, beispielsweise bis ungefähr 5 eV; a work function with a magnitude of about 4.5 eV or greater, such as to about 5.5 eV, for example, to about 5 eV; und eine geringe Absorption von sichtbarem Licht aufweisen. have and low absorption of visible light.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann als Stoff der zweiten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, as a material of the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 jedes Material bzw. jeder Stoff vorgesehen sein, das bzw. der diese genannten Bedingungen erfüllt, beispielsweise: material, or any substance can be provided that fulfills these and the above conditions, for example:
    • • 1-TNATA • 1-TNATA
    • • NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • beta-NPB, N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl,) benzidine); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); • spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL TPD-N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); • DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); • spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene);
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; • 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro;
    • • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; • N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine;
    • • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; • 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
    • • Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; • di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane;
    • • 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; • 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; und and
    • • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin. • N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 aus einem Stoffgemisch aus Matrix und p-Dotierstoff gebildet sein. be formed from a mixture of matrix and p-type dopant.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die Matrix der zweiten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the matrix of the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: have any of the following or may be formed from:
    • • 1-TNATA • 1-TNATA
    • • NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • beta-NPB N,N'-Bis(naphthalen-2-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); • beta-NPB, N, N'-bis (naphthalen-2-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine); TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl,) benzidine); Spiro TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin); Spiro TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine);
    • • Spiro-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-spiro); • spiro-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -spiro); DMFL-TPD N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); DMFL TPD-N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DMFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-dimethyl-fluoren); • DMFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-dimethyl-fluorene);
    • • DPFL-TPD (N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-TPD (N, N'-bis (3-methylphenyl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • DPFL-NPB (N,N'-Bis(naphthalen-1-yl)-N,N'-bis(phenyl)-9,9-diphenyl-fluoren); • DPFL-NPB (N, N'-bis (naphthalen-1-yl) -N, N'-bis (phenyl) -9,9-diphenyl-fluorene);
    • • Spiro-TAD (2,2',7,7'-Tetrakis(n,n-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren); • spiro-TAD (2,2 ', 7,7'-tetrakis (N, N-diphenylamino) -9,9'-spirobifluorene);
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-biphenyl-4-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N-bis-naphthalen-2-yl-amino)phenyl]-9H-fluoren; • 9,9-bis [4- (N, N-bis-naphthalen-2-yl-amino) phenyl] -9H-fluorene;
    • • 9,9-Bis[4-(N,N'-bis-naphthalen-2-yl-N,N'-bis-phenyl-amino)-phenyl]-9H-fluor; • 9,9-bis [4- (N, N'-bis-naphthalen-2-yl-N, N'-bis-phenyl-amino) -phenyl] -9-fluoro;
    • • N,N'-bis(phenanthren-9-yl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidin; • N, N'-bis (phenanthrene-9-yl) -N, N'-bis (phenyl) benzidine;
    • • 2,7-Bis[N,N-bis(9,9-spiro-bifluorene-2-yl)-amino]-9,9-spiro-bifluoren; • 2,7-bis [N, N-bis (9,9-spiro-bifluorenes-2-yl) amino] -9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis[N,N-bis(biphenyl-4-yl)amino]9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis [N, N-bis (biphenyl-4-yl) amino] 9,9-spiro-bifluorene;
    • • 2,2'-Bis(N,N-di-phenyl-amino)9,9-spiro-bifluoren; • 2,2'-bis (N, N-di-phenyl-amino) 9,9-spiro-bifluorene;
    • • Di-[4-(N,N-ditolyl-amino)-phenyl]cyclohexan; • di- [4- (N, N-ditolyl-amino) -phenyl] cyclohexane;
    • • 2,2',7,7'-tetra(N,N-di-tolyl)amino-spiro-bifluoren; • 2,2 ', 7,7'-tetra (N, N-di-tolyl) amino-spiro-bifluorene; und and
    • • N,N,N',N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidin. • N, N, N ', N'-tetra-naphthalen-2-yl-benzidine.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann der Dotierstoff der zweiten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the dopant of the second hole-conducting carrier pair generation layer may 144 144 einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc. have any of the following or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 einen intrinsisch elektronenleitenden Stoff aufweisen oder daraus gebildet sein. have an intrinsically electron-conducting material or can be formed therefrom.
  • In verschiedenen Ausführungsbeispielen kann die zweite intrinsisch lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht In various embodiments, the second hole intrinsically conductive carrier pair generation layer 144 144 einen der folgenden Stoffe aufweisen oder daraus gebildet sein: HAT-CN, Cu(I)pFBz, MoO x , WO x , VO x , ReO x , F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(III)pFBz, F16CuPc. have any of the following or may be formed from: HAT-CN, Cu (I) pFBz, MoO x, WO x, VO x, ReO x, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi (III) pFBz, F16CuPc.
  • Die Zwischenschicht-Struktur The intermediate layer structure 142 142 kann eine Schichtdicke aufweisen in einem Bereich von ungefähr einer Monolage bis ungefähr 50 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 10 nm, beispielsweise in einem Bereich von ungefähr 1 nm bis ungefähr 5 nm, beispielsweise eine Schichtdicke von ungefähr 3 nm. may have a layer thickness in a range of about one monolayer to about 50 nm, for example in a range from about 1 nm to about 10 nm, for example in a range from about 1 nm to about 5 nm, for example a layer thickness of about 3 nm.
  • Die Ladungsträgerleitung durch die Zwischenschicht-Struktur The carrier conduction through the intermediate layer structure 142 142 kann tunnelnd erfolgen. can be done tunnelnd. Der Stoff oder das Stoffgemisch der Zwischenschicht-Struktur The substance or mixture of substances of the intermediate layer structure 142 142 kann bei einer tunnelnden Ladungsträgerleitung wenigstens in Richtung des Stromflusses ein elektrischer Isolator sein. can be an electrical insulator with a tunneling charge carrier conduit at least in the direction of current flow. Mit anderen Worten: Das HOMO des elektrisch isolierenden Stoffes der Zwischenschicht-Struktur In other words, the HOMO of the electrically insulating material of the intermediate layer structure 142 142 kann höher sein als das LUMO der direkt benachbarten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht und höher als das HOMO der direkt benachbarten lochleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht sein. may be higher than the LUMO of the directly adjacent electron-conducting carrier pair generation layer and higher than the HOMO of the directly adjacent hole-conducting carrier pair generation layer may be. Dadurch kann ein Tunnelstrom durch die Zwischenschicht-Struktur This allows a tunnel current through the intermediate layer structure 142 142 erfolgen. respectively.
  • In verschiedenen Ausgestaltungen kann die Zwischenschicht-Struktur In various embodiments, the intermediate layer structure 142 142 Graphen aufweisen oder daraus gebildet sein. include graphs or formed therefrom.
  • In einer Ausgestaltung kann eine Zwischenschicht-Struktur In one embodiment, an intermediate layer structure 142 142 die Graphen aufweist oder daraus gebildet ist, eine geringe Absorption von Licht aufweisen, beispielsweise indem die Graphen-Schicht eine Dicke in einem Bereich von ungefähr einer Monolage bis ungefähr fünf Monolagen aufweist. having the graph or is formed therefrom, have low absorption of light, for example by the graphene layer has a thickness in a range from about a monolayer to about five monolayers.
  • In einer Ausgestaltung kann eine Zwischenschicht-Struktur In one embodiment, an intermediate layer structure 142 142 , die Graphen aufweist oder daraus gebildet ist, eine hohe elektrische Leitfähigkeit für Löcher und Elektronen aufweisen. Having the graph or is formed therefrom have a high electrical conductivity for holes and electrons.
  • In einer Ausgestaltung kann eine Zwischenschicht-Struktur In one embodiment, an intermediate layer structure 142 142 die Graphen oder Silicen aufweist oder daraus gebildet ist, eine sehr geringe Durchlässigkeit gegenüber Gasen, beispielsweise selbst Helium, und Flüssigkeiten aufweisen, beispielsweise indem die Zwischenschicht-Struktur having the graph or silicene or formed therefrom have a very low permeability to gases, such as helium itself, and comprise liquids, for example by the intermediate layer structure 142 142 einen wenigstens flächigen, dh zweidimensionalen Kristall ausbildet an at least two-dimensional, ie two-dimensional crystal forms
  • In noch einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur In yet one embodiment, the intermediate layer structure 142 142 einen heterogenen Schichtquerschnitt aufweisen. having a heterogeneous layer cross-section.
  • In noch einer Ausgestaltung kann der heterogene Schichtquerschnitt Bereiche unterschiedlicher Kristallinität des Stoffs oder des Stoffgemischs aufweisen oder von diesen gebildet sein. In yet one embodiment of the heterogeneous layer cross-section can have areas of different crystallinity of the substance or the substance mixture or can be formed from these.
  • Die unterschiedlichen heterogenen Bereiche können teilweise oder vollständige Kristallisierungen in einem amorphen Anteil des Stoffs oder des Stoffgemisches der Zwischenschicht-Struktur The different heterogeneous areas may partially or completely crystallizations in an amorphous portion of the substance or the substance mixture of the intermediate layer structure 142 142 sein. his.
  • In noch einer Ausgestaltung kann der heterogene Schichtquerschnitt Bereiche unterschiedlicher Kristallorientierung des Stoffs oder des Stoffgemischs aufweisen oder von diesen gebildet sein. In yet one embodiment of the heterogeneous layer cross-section can have regions of different crystal orientation of the substance or the substance mixture or can be formed from these.
  • Die Barrierewirkung der Zwischenschicht-Struktur The barrier effect of the intermediate layer structure 142 142 kann durch eine wenigstens lokale Orientierung der Moleküle der Zwischenschicht-Struktur can be achieved by at least local orientation of molecules of the interlayer structure 142 142 erhöht werden, beispielsweise wenn die längste Kristallachse der kristallisierten Bereiche parallel zu wenigstens einer Grenzfläche der durch die Zwischenschicht-Struktur be increased, for example, when the longest axis of the crystal crystallized regions parallel to at least one interface of the structure through the intermediate layer 142 142 verbundenen ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht und zweiten elektronenleitenden Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht orientiert ist. associated first carrier pair generation layer and the second electron-conducting carrier pair generation layer is oriented.
  • In noch einer Ausgestaltung kann die längste Kristallachse des kristallisierten Stoffs oder des kristallisierten Stoffgemisches der Zwischenschicht-Struktur In yet an embodiment, the longest crystal axis of the crystallized substance or the crystallized material mixture of the interlayer structure 142 142 parallel zu der Grenzfläche der Zwischenschicht-Struktur parallel to the interface of the intermediate layer structure 142 142 mit der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht orientiert sein. be oriented to the second carrier pair generation layer.
  • In noch einer Ausgestaltung kann die längste Kristallachse des kristallisierten Stoffs oder des kristallisierten Stoffgemisches der Zwischenschicht-Struktur In yet an embodiment, the longest crystal axis of the crystallized substance or the crystallized material mixture of the interlayer structure 142 142 parallel zu der Grenzfläche der Zwischenschicht-Struktur parallel to the interface of the intermediate layer structure 142 142 mit der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht orientiert sein. be oriented with the first carrier pair generation layer.
  • In noch einer Ausgestaltung kann der heterogene Schichtquerschnitt der Zwischenschicht-Struktur In yet an embodiment, the heterogeneous cross-sectional layer of the intermediate layer structure 142 142 zwei oder mehrere Schichten aus jeweils einem Stoff des Stoffgemisches der Zwischenschicht-Struktur two or more layers of one material at the material mixture of the intermediate layer structure 142 142 oder unterschiedliche physikalische Strukturen des Stoffes der Zwischenschicht-Struktur or different physical structures of the material of the intermediate layer structure 142 142 aufweisen. respectively.
  • In noch einer Ausgestaltung kann die physikalische Strukturunterscheidung mindestens einen der folgenden Parameter beinhalten: die Dichte des Stoffs oder des Stoffgemischs, die Kristallinität des Stoffs oder des Stoffgemischs, die Kristallorientierung des Stoffs oder des Stoffgemischs, und/oder die lokale Dotierungsdichte des Stoffs oder des Stoffgemischs. In yet one embodiment, the physical structure of discrimination may include at least one of the following parameters: the density of the substance or the substance mixture, the crystallinity of the substance or the substance mixture, the crystal orientation of the substance or the substance mixture, and / or the local dopant concentration of the substance or substance mixture ,
  • In noch einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur In yet one embodiment, the intermediate layer structure 142 142 eine Schichtdicke von ungefähr einer Monolage bis ungefähr 20 nm aufweisen. have a layer thickness of about one monolayer to about 20 nm.
  • In noch einer Ausgestaltung kann die gemeinsame Grenzfläche der Zwischenschicht-Struktur In yet an embodiment, the common interface of the intermediate layer structure 142 142 mit der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht Planparallelität zu der gemeinsamen Grenzfläche der Zwischenschicht-Struktur with the first carrier pair generation layer plane-parallel to the common interface of said intermediate layer structure 142 142 mit der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht aufweisen. having the second carrier pair generation layer.
  • In noch einer Ausgestaltung sollte die Zwischenschicht-Struktur In yet one embodiment, should the intermediate layer structure 142 142 die optoelektronische Effizienz des optoelektronischen Bauelementes bis maximal ungefähr 10% beeinflussen in einem Wellenlängenbereich von ungefähr 450 nm bis ungefähr 650 nm. the optoelectronic efficiency of the optoelectronic component to a maximum of about 10% influence in a wavelength range from about 450 nm to about 650 nm.
  • In noch einer Ausgestaltung kann die Zwischenschicht-Struktur 142 im Wellenlängenbereich von ungefähr 450 nm bis ungefähr 650 nm eine Transmission größer als ungefähr 90% aufweisen. In yet one embodiment, the intermediate layer structure 142 may include in the wavelength range of about 450 nm to about 650 nm has a transmission greater than about 90%.
  • In noch einer Ausgestaltung kann der Schichtquerschnitt der Zwischenschicht-Struktur In yet an embodiment of the layer cross-section of the intermediate layer structure can 142 142 strukturell bis zu einer Temperatur von bis zu ungefähr 120°C stabil sein. be structurally up to a temperature of up to about 120 ° C stable.
  • Das Ausbilden einer Zwischenschicht-Struktur aus Graphen kann ausgebildet werden wie in Forming an intermediate layer structure of graphene can be formed as in ; ; ; ; gezeigt ist. is shown.
  • Aus Out ist ersichtlich, dass die Transmission einer Zwischenschicht-Struktur aus Graphen mit abnehmender Schichtdicke der Graphen-Schicht zunimmt. It can be seen that the transmission is a two-layer structure of graphene increases with decreasing layer thickness of the graphene layer. Weiterhin ersichtlich ist, dass eine Zwischenschicht-Struktur mit einer Schichtdicke von drei Monolagen oder weniger eine Transmission von elektromagnetischer Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich von über 90% aufweist, wobei eine Monolage Graphen im Wellenlängenbereich elektromagnetischer Strahlung von ungefähr 550 nm sogar eine Transmission von über 97% aufweist oder daraus gebildet ist. will further be appreciated that an intermediate layer structure with a layer thickness of three monolayers or less has a transmission of electromagnetic radiation in the visible wavelength range of more than 90%, with a monolayer of graphene in the wavelength range of electromagnetic radiation from about 550 nm even a transmission of over 97% comprises or is formed therefrom.
  • Das Ausbilden einer Zwischenschicht-Struktur aus Silicen kann ausgebildet werden wie in Forming intermediate layer structure of silicene can be formed as in gezeigt ist, wobei die Übertragung auf ein organisches Substrat beispielsweise gemäß dem in is shown, wherein the transmission to an organic substrate, for example, according to the in gezeigten Verfahren erfolgen kann. can be carried out procedures shown.
  • In einer Ausgestaltung befindet sich eine Graphen-Schicht auf einem großflächigen Polymerträger. In one embodiment, a graphene layer is on a large-area polymeric carrier. Von diesem Polymerträger wird die Graphen-Schicht auf eine der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichten From this polymer supports the graphene layer is formed on one of the carrier pair generation layers 140 140 , . 144 144 in einem thermischen Druckverfahren übertragen. transferred to a thermal printing process. Anschließend können die weiteren Schichten des optolelektronischen Bauelementes mittels Vakuumabscheidung aufgebracht werden. Then the other layers of the optolelektronischen component can be applied by vacuum deposition.
  • 2a 2a , b zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. , B show a schematic cross-sectional view of a carrier pair generation layer structure of an optoelectronic component according to various embodiments.
  • 2a 2a zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur, das jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll. shows a schematic cross-sectional view of an embodiment of a carrier pair generation layer structure which, however, is to have no limiting character. Zur Vereinfachung der Darstellung wurden die organischen funktionellen Schichtenstrukturen nicht dargestellt. For ease of illustration, the organic functional layer structures have not been shown.
  • Als Substrat as the substrate 202 202 kann ein hermetisch dichtes elektrisch leitfähiges Substrat can be a hermetically sealed electrically conductive substrate 202 202 verwendet werden, beispielsweise ein Glas-Träger be used, for example, a glass support 102 102 mit einer Schicht ITO with a layer of ITO 110 110 (nicht dargestellt). (not shown).
  • Auf dem Substrat On the substrate 202 202 kann eine undotierte elektronenleitende Schicht can an undoped electron-conducting layer 204 204 ausgebildet sein, beispielsweise als Elektroneninjektionsschicht be formed, for example, as an electron injection layer 138a 138a und/oder Elektronentransportschicht and / or electron transport layer 136a 136a , beispielsweise in einer zu , For example, in too 1b 1b invertierten Anordnung der Schichten. inverted arrangement of the layers. Die erste Emitterschicht The first emitter layer 134a 134a (nicht dargestellt) auf oder über der elektronenleitenden Schicht (Not shown) on or above the electron-conducting layer 204 204 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Emitterschicht can according to one of the embodiments of the first emitter layer 134a 134a der Beschreibungen der the descriptions of 1b 1b ausgebildet sein. be formed.
  • Über der elektronenleitenden Schicht Over the electron-conducting layer 204 204 kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 ausgebildet sein. be formed. Die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Matrix aufweisen, in der einen n-Dotierstoff verteilt ist. may comprise a matrix in which an n-type dopant is distributed in various embodiments.
  • Auf der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht On the first carrier pair generation layer 140 140 kann eine Zwischenschicht-Struktur an intermediate layer structure 142 142 ausgebildet sein. be formed.
  • Auf der Zwischenschicht-Struktur On the intermediate layer structure 142 142 kann eine zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , a second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 ausgebildet sein. be formed. Die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The second charge carrier pair generation layer 144 144 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen eine Matrix aufweisen, in der einen p-Dotierstoff verteilt ist. may comprise a matrix in which a p-type dopant is distributed in various embodiments.
  • Die zweite Emitterschicht The second emitter layer 134b 134b (nicht dargestellt) auf oder über der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (Not shown) on or above the second charge carrier pair generation layer 144 144 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der zweiten Emitterschicht can according to one of the embodiments of the second emitter layer 134b 134b der Beschreibungen der the descriptions of 1b 1b ausgebildet sein. be formed.
  • Auf der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht On the second carrier pair generation layer 144 144 kann eine undotierte lochleitende Schicht can an undoped hole-conducting layer 206 206 ausgebildet sein, beispielsweise als Lochinjektionsschicht be formed, for example, as a hole injection layer 130b 130b und/oder Lochtransportschicht and / or hole transport layer 132b 132b (siehe (please refer 1b 1b ). ).
  • Auf oder über der undotierten lochleitenden Schicht On or above the undoped hole-conducting layer 206 206 kann die zweite Elektrode the second electrode may 114 114 ausgebildet sein, beispielsweise in Form einer Metallschicht be formed, for example in the form of a metal layer 114 114 oder Metallisierung or metalization 114 114 . ,
  • In einer Ausgestaltung ( In one embodiment ( 2b 2 B ) zu dem Ausführungsbeispiel in ) To the embodiment in 2a 2a , das jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll, weist das optoelektronische Bauelement Which, however, should have no limiting character, shows the optoelectronic component 100 100 folgende Schichten auf: the following layers:
    • – undotierte elektronenleitende Schicht - undoped electron-conducting layer 204 204 : Net-18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 100 nm; : Net-18 with a layer thickness of about 100 nm;
    • – erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht - first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 : NDN-26 Dotierstoff in einer NET-18 Matrix mit einer Schichtdicke von ungefähr 25 nm, wobei das Stoffgemisch einen Anteil von ungefähr 8 Gew.-% an NDN-26 aufweist; : NDN-26 dopant in a NET-18 matrix with a layer thickness of about 25 nm, wherein the mixture has a proportion of about 8 wt .-% of NDN-26;
    • – Zwischenschicht-Struktur - interlayer structure 142 142 : Graphen mit einer Schichtdicke von ungefähr einer Monolage; : Graph with a layer thickness of approximately one monolayer;
    • – zweite lochleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht - second hole-conducting carrier pair generation layer 144 144 : Bi(III)pFBz Dotierstoff in einer HTM-081 Matrix mit einer Schichtdicke von ungefähr 25 nm, wobei das Stoffgemisch einen Anteil von ungefähr 2 Gew.-% an Bi(III)pFBz aufweist; : Bi (III) pFBz dopant in a HTM-081 matrix with a layer thickness of about 25 nm, wherein the mixture has a proportion of about 2 wt .-% of Bi (III) pFBz; und and
    • – undotierte lochleitende Schicht - undoped hole-conducting layer 206 206 : HTM-081 mit einer Schichtdicke von ungefähr 100 nm. : HTM-081 with a layer thickness of about 100 nm.
  • Ferner kann die Metallisierung Furthermore, the metallization 114 114 als eine Silber-Schicht ausgebildet sein. be formed as a silver layer.
  • 3a 3a , b zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelementes gemäß verschiedenen Ausführungsbeispielen. , B show a schematic cross-sectional view of a carrier pair generation layer structure of an optoelectronic component according to various embodiments.
  • 3a 3a zeigt eine schematische Querschnittsansicht eines Ausführungsbeispiels einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur, das jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll. shows a schematic cross-sectional view of an embodiment of a carrier pair generation layer structure which, however, is to have no limiting character. Zur Vereinfachung der Darstellung wurden die organischen funktionellen Schichtenstrukturen nicht dargestellt. For ease of illustration, the organic functional layer structures have not been shown.
  • Als Substrat as the substrate 202 202 kann ein hermetisch dichtes elektrisch leitfähiges Substrat can be a hermetically sealed electrically conductive substrate 202 202 verwendet werden, beispielsweise ein Glas-Träger be used, for example, a glass support 102 102 mit einer Schicht ITO with a layer of ITO 110 110 (nicht dargestellt). (not shown).
  • Auf dem Substrat On the substrate 202 202 kann eine undatierte elektronenleitende Schicht can an undated electron-conducting layer 204 204 ausgebildet sein, beispielsweise als Elektroneninjektionsschicht be formed, for example, as an electron injection layer 138a 138a und/oder Elektronentransportschicht and / or electron transport layer 136a 136a , beispielsweise in einer zu , For example, in too 1b 1b invertierten Anordnung der Schichten. inverted arrangement of the layers. Die erste Emitterschicht The first emitter layer 134a 134a (nicht dargestellt) auf oder über der elektronenleitenden Schicht (Not shown) on or above the electron-conducting layer 204 204 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der ersten Emitterschicht can according to one of the embodiments of the first emitter layer 134a 134a der Beschreibungen der the descriptions of 1b 1b ausgebildet sein. be formed.
  • Über der elektronenleitenden Schicht Over the electron-conducting layer 204 204 kann die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , the first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 ausgebildet sein. be formed. Die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The first charge carrier pair generation layer 140 140 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem intrinsisch (undatierten) elektronenleitenden Stoff gebildet sein. may be formed in various embodiments of an intrinsic (undoped) electron-conducting material.
  • Auf der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht On the first carrier pair generation layer 140 140 kann eine Zwischenschicht-Struktur an intermediate layer structure 142 142 ausgebildet sein. be formed.
  • Auf der Zwischenschicht-Struktur On the intermediate layer structure 142 142 kann eine zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht , a second electron-conducting carrier pair generation layer 144 144 ausgebildet sein. be formed. Die zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht The second charge carrier pair generation layer 144 144 kann in verschiedenen Ausführungsbeispielen aus einem intrinsisch (undatierten) lochleitenden Stoff gebildet sein. may be formed in various embodiments of an intrinsic (undoped) hole-conducting material.
  • Die zweite Emitterschicht The second emitter layer 134b 134b (nicht dargestellt) auf oder über der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht (Not shown) on or above the second charge carrier pair generation layer 144 144 kann gemäß einer der Ausgestaltungen der zweiten Emitterschicht can according to one of the embodiments of the second emitter layer 134b 134b der Beschreibungen der the descriptions of 1b 1b ausgebildet sein. be formed.
  • Auf der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht On the second carrier pair generation layer 144 144 kann eine undotierte lochleitende Schicht can an undoped hole-conducting layer 206 206 ausgebildet sein, beispielsweise als Lochinjektionsschicht be formed, for example, as a hole injection layer 130b 130b und/oder Lochtransportschicht and / or hole transport layer 132b 132b (siehe (please refer 1b 1b ). ).
  • Auf oder über der undotierten lochleitenden Schicht On or above the undoped hole-conducting layer 206 206 kann die zweite Elektrode the second electrode may 114 114 ausgebildet sein, beispielsweise in Form einer Metallschicht be formed, for example in the form of a metal layer 114 114 oder Metallisierung or metalization 114 114 . ,
  • In einer Ausgestaltung ( In one embodiment ( 3b 3b ) zu dem Ausführungsbeispiel in ) To the embodiment in 3a 3a , das jedoch keinerlei einschränkenden Charakter aufweisen soll, weist das optoelektronische Bauelement Which, however, should have no limiting character, shows the optoelectronic component 100 100 folgende Schichten auf: the following layers:
    • – undotierte elektronenleitende Schicht - undoped electron-conducting layer 204 204 : Net-18 mit einer Schichtdicke von ungefähr 100 nm; : Net-18 with a layer thickness of about 100 nm;
    • – erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht - first electron-conductive carrier pair generation layer 140 140 : NDN-26 mit einer Schichtdicke von ungefähr 10 nm; : NDN-26 with a layer thickness of about 10 nm;
    • – Zwischenschicht-Struktur - interlayer structure 142 142 : Graphen mit einer Schichtdicke von ungefähr einer Monolage; : Graph with a layer thickness of approximately one monolayer;
    • – zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht - second electron-conducting carrier pair generation layer 140 140 : HAT-CN mit einer Schichtdicke von ungefähr 5 nm; : HAT-CN with a layer thickness of about 5 nm; und and
    • – undotierte lochleitende Schicht - undoped hole-conducting layer 206 206 : HTM-508 mit einer Schichtdicke von ungefähr 100 nm. : HTM-508 with a layer thickness of about 100 nm.
  • Ferner kann die Metallisierung Furthermore, the metallization 114 114 als eine Silber-Schicht ausgebildet sein. be formed as a silver layer.
  • In einer Ausgestaltung zu dem Ausführungsbeispiel in In one embodiment to the embodiment in 3a 3a (nicht dargestellt), kann außerdem oder anstatt eine Zwischenschicht-Struktur (Not shown) may also, or instead, an intermediate layer structure 142 142 zwischen der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht between the second charge carrier pair generation layer 144 144 und der undatierten lochleitenden Schicht and the undoped hole-conducting layer 206 206 ausgebildet sein. be formed. In diesem Fall kann die undatierte lochleitende Schicht In this case, the undated hole-conducting layer 206 206 als zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht bezeichnet werden und die dargestellte zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht als erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht. be referred to as a second charge carrier pair generation layer and the illustrated second carrier pair generation layer as the first charge carrier pair generation layer. Mit anderen Worten: in Abhängigkeit von der betrachteten Zwischenschicht-Struktur bei einer Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Struktur mit mehreren Zwischenschicht-Strukturen an unterschiedlichen Positionen, kann beispielsweise eine zweite elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht hinsichtlich einer Zwischenschicht-Struktur die erste elektronenleitende Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht einer anderen Zwischenschicht-Struktur sein. In other words, depending on the considered intermediate layer structure with a carrier pair generation structure with a plurality of inter-layer structures at different positions, for example, a second electron-conducting carrier pair generation layer with respect to an interlayer structure, the first electron-conductive carrier pair Erzeugung- be another layer interlayer structure. Die Ladungsträgertrennung an einer Grenzfläche einer als Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht bezeichneten Schicht, die in der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Struktur ausgebildet ist, ist jedoch optional. However, the charge carrier separation at an interface of a layer referred to as a charge carrier pair generation layer, which is formed in the carrier pair generation structure is optional. Eine Ladungsträgertransportschicht und/oder eine Ladungsträgerinjektionsschicht kann auch als Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht bezeichnet werden, wenn sie in der Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Struktur ausgebildet ist, beispielsweise indem eine Zwischenschicht-Struktur an die Ladungsträgertransportschicht und/oder eine Ladungsträgerinjektionsschicht angrenzt. A charge carrier transport layer and / or a charge carrier injection layer can also be referred to as a charge carrier pair generation layer when it is formed in the carrier pair generation structure, for example by adjacent an intermediate layer structure to the charge carrier transport layer and / or a charge carrier injection layer.
  • 4a 4a zeigt eine schematische Querschnittsansicht einer herkömmlichen Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schichtenstruktur eines optoelektronischen Bauelementes. shows a schematic cross-sectional view of a conventional charge-carrier pair generation layer structure of an optoelectronic component.
  • Als Substrat as the substrate 402 402 wird herkömmlich ein hermetisch dichtes elektrisch leitfähiges Substrat is conventionally a hermetically sealed electrically conductive substrate 402 402 verwendet werden, beispielsweise ein Glas-Träger mit einer Schicht ITO. be used, for example, a glass support with a layer of ITO.
  • Über dem Substrat Over the substrate 402 402 ist eine undatierte elektronenleitende Schicht is an electron-conducting layer undated 404 404 ausgebildet. educated. Über der elektronenleitenden Schicht Over the electron-conducting layer 404 404 ist eine erste Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht a first pair of charge carrier generation layer 406 406 ausgebildet. educated. Auf der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht On the first carrier pair generation layer 406 406 ist eine Zwischenschicht an intermediate layer 408 408 ausgebildet. educated. Auf der Zwischenschicht-Struktur On the intermediate layer structure 408 408 ist eine zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht a second charge carrier pair generation layer 410 410 ausgebildet sein. be formed. Auf der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugung-Schicht On the second carrier pair generation layer 410 410 ist eine undotierte lochleitende Schicht is an undoped hole-conducting layer 412 412 ausgebildet. educated. Über der Undatierten lochleitenden Schicht About the Undated hole-conducting layer 412 412 ist eine zweite Elektrode a second electrode 414 414 ausgebildet. educated.
  • 4b 4b zeigt eine Tabelle zu herkömmlich verwendeten Materialien für die lochleitende Schicht shows a table to conventionally used materials for the hole-conducting layer 412 412 , die elektronenleitende Schicht , The electron-conducting layer 404 404 und die Zwischenschicht and the intermediate layer 408 408 . ,
  • Die dargestellten Materialien der lochleitenden Schicht The materials of the hole-conducting layer illustrated 412 412 werden herkömmlich für eine Elektronenblockadeschicht bzw. eine Lochtransportschicht verwendet. conventionally used for an electron blocking layer or a hole transport layer.
  • Die dargestellten Materialien der elektronenleitenden Schicht The materials of the electron-conducting layer illustrated 404 404 werden herkömmlich für eine Lochblockadeschicht bzw. eine Elektronentransportschicht verwendet. conventionally used for a hole blocking layer or an electron transport layer.
  • In verschiedenen Ausführungsformen werden ein optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes bereitgestellt, mit denen es möglich ist ein effizienteres und stabileres optoelektronisches Bauelement auszubilden. In various embodiments, an optoelectronic device and a method for producing an optoelectronic component provided with which it is possible to form a more efficient and more stable optoelectronic component.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. This list of references cited by the applicant is generated automatically and is included solely to inform the reader. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. The list is not part of the German patent or utility model application. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen. The DPMA is not liable for any errors or omissions.
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Claims (13)

  1. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ), aufweisend: • eine erste organische funktionelle Schichtenstruktur ( ), Comprising: • a first organic functional layers structure ( 116 116 ); ); • eine zweite organische funktionelle Schichtenstruktur ( • a second organic functional layers structure ( 120 120 ); ); und • eine Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur ( and • a charge carrier pair generation layer structure ( 118 118 ) zwischen der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur ( ) (Between the first organic functional layer structure 116 116 ) und der zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur ( ) And the second organic functional layers structure ( 120 120 ), wobei die Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur ( ), The charge carrier pair generation layer structure ( 118 118 ) aufweist: – eine erste Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( ) Comprises: - a first pair of charge carrier generation layer ( 140 140 ); ); – eine zweite Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( - a second pair of charge carrier generation layer ( 144 144 ); ); und – eine Zwischenschicht-Struktur ( and - an intermediate layer structure ( 142 142 ) zwischen der ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( ) (Between the first carrier pair generation layer 140 140 ); ); und der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( (And the second charge carrier-generating layer pair 144 144 ); ); und – wobei die Zwischenschicht-Struktur ( and - wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) wenigstens eine Schicht aufweist mit einer flächig-periodischen, wabenförmigen Gitterstruktur, und – wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) Having at least one layer with a surface-periodic honeycomb lattice structure, and - wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) ein schwebendes elektrisches Potential aufweist oder daraus gebildet ist. ) Has a floating electrical potential or is formed therefrom.
  2. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ) gemäß Anspruch 1, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) According to claim 1, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) wenigstens einen der folgenden Stoffe aufweist oder daraus gebildet ist: Kohlenstoff, Silizium, Germanium. ) Comprises at least one of the following materials or is formed from carbon, silicon, germanium.
  3. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) (According to any of claims 1 or 2, wherein the intermediate layer structure 142 142 ) eine Graphen-Schicht aufweist oder daraus gebildet ist. ) Has a graphene layer, or is formed therefrom.
  4. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) (According to any of claims 1 or 2, wherein the intermediate layer structure 142 142 ) zwei oder mehr Teilschichten aufweisend ausgebildet wird. ) Two or more sub-layers is formed comprising.
  5. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ) gemäß Anspruch 4, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) According to claim 4, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) eine Graphit-Schicht aufweist oder daraus gebildet ist. ) Has a graphite layer or is formed therefrom.
  6. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) (According to any of claims 1 or 2, wherein the intermediate layer structure 142 142 ) eine Silicen-Schicht aufweist oder daraus gebildet ist. ) Has a silicene layer or is formed therefrom.
  7. Optoelektronisches Bauelement ( The optoelectronic component ( 100 100 ) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die erste Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( ) (According to any of claims 1 to 6, wherein the first carrier pair generation layer 140 140 ) einen Dotierstoff in einer Matrix aufweist. ) Has a dopant in a matrix.
  8. verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes ( A method of manufacturing an optoelectronic component ( 100 100 ), das Verfahren aufweisend: • Bilden einer ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur ( ), The method comprising: • forming a first organic functional layer structure ( 116 116 ); ); • Bilden einer Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur ( • forming a charge carrier pair generation layer structure ( 118 118 ) über oder auf der ersten organischen funktionellen Schichtenstruktur ( ) Over or on the first organic functional layer structure ( 116 116 ); ); und • Bilden einer zweiten organischen funktionellen Schichtenstruktur ( and • forming a second organic functional layer structure ( 120 120 ) über oder auf der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur ( ) (Above or equal to the charge carrier pair generation layer structure 118 118 ), wobei das Bilden der Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schichtenstruktur ( ), Wherein forming the charge-carrier pair generation layer structure ( 118 118 ) aufweist: – Bilden einer zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( (Forming a second charge carrier pair-generating layer -:) comprises 144 144 ); ); – Bilden einer Zwischenschicht-Struktur ( (Forming an intermediate layer structure - 142 142 ) über oder auf der zweiten Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( ) (Above or on the second carrier pair generation layer 144 144 ); ); – wobei die Zwischenschicht-Struktur ( - wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) wenigstens eine Schicht aufweist mit einer flächig-periodischen, wabenförmigen Gitterstruktur, • wobei die Zwischenschicht-Struktur ( ) Having at least one layer with a surface-periodic honeycomb lattice structure, • the intermediate layer structure ( 142 142 ) ein schwebendes elektrisches Potential aufweist; ) Has a floating electrical potential; und – Bilden einer ersten Ladungsträgerpaar-Erzeugungs-Schicht ( (Forming a first charge carrier-generating layer pair - and 140 140 ) über oder auf der Zwischenschicht-Struktur ( ) Over or on the intermediate layer structure ( 142 142 ). ).
  9. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( The method of claim 8, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) wenigstens einen der folgenden Stoffe aufweist oder daraus gebildet wird: Kohlenstoff, Silizium, Germanium. ) Comprises at least one of the following materials or is formed from carbon, silicon, germanium.
  10. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( A method according to any one of claims 8 or 9, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) eine Graphen-Schicht aufweisend ausgebildet wird oder daraus gebildet wird. ) A graphene layer is formed comprising or formed therefrom.
  11. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( A method according to any one of claims 8 or 9, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) zwei oder mehr Teilschichten aufweisend ausgebildet wird oder daraus gebildet wird. ) Two or more sub-layers is formed comprising or formed therefrom.
  12. Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( The method of claim 11, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) Graphit aufweisend ausgebildet wird oder daraus gebildet wird. ) Graphite is formed comprising or formed therefrom.
  13. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 8 oder 9, wobei die Zwischenschicht-Struktur ( A method according to any one of claims 8 or 9, wherein the intermediate layer structure ( 142 142 ) eine Silicen-Schicht aufweisend ausgebildet wird oder daraus gebildet wird. ) Is formed a silicene layer comprising or formed therefrom.
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