DE102012101116B4 - Molding device and molding method - Google Patents

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Abstract

Formvorrichtung, aufweisend:eine Form (10) mit einem oberen Formteil (101) und einem unteren Formteil (102), welche einen Hohlraum (11) dazwischen bilden, und mit einem Einlauf zum Einführen geschmolzenen Harzes in den Hohlraum (11);eine Plasmaelektrode (12, 13) zum Erzeugen eines Plasmas; undeinen Freigabebolzen (12, 13) zum Freigeben eines geformten Teils von der Form (10),wobei die Form (10) mit einem Plasma-Emissions-Loch (101a, 102a) ausgebildet ist, durch welches das zwischen der Plasmaelektrode (12, 13) und einer Gegenelektrode erzeugte Plasma in den Hohlraum (11) der Form (10) emittiert wird, undwobei die Form (10) mit einem Bolzenloch (101a, 102a) ausgebildet ist, in welches der Freigabebolzen eingeführt ist, wobei das Plasma-Emissions-Loch durch das Bolzenloch (101a, 102a) gebildet ist, undwobei die Plasmaelektrode durch den Freigabebolzen (12, 13) gebildet ist.A molding apparatus comprising: a mold (10) having an upper mold (101) and a lower mold (102) forming a cavity (11) therebetween and a gate for introducing molten resin into the cavity (11); a plasma electrode (12, 13) for generating a plasma; and a release bolt (12, 13) for releasing a molded part from the mold (10), the mold (10) being formed with a plasma emission hole (101a, 102a) through which the plasma between the plasma electrode (12, 13 ) and a counter electrode is emitted into the cavity (11) of the mold (10), andwherein the mold (10) is formed with a bolt hole (101a, 102a) into which the release bolt is inserted, the plasma emission hole is formed by the bolt hole (101a, 102a), and wherein the plasma electrode is formed by the release bolt (12, 13).

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNGBACKGROUND OF THE INVENTION

1. Gebiet der Erfindung1. Field of the Invention

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Formvorrichtung mit einer Form, und ein Formverfahren, welches eine Form verwendet.The present invention relates to a molding apparatus having a mold, and a molding method using a mold.

2. Beschreibung des Standes der Technik2. Description of the Prior Art

Bekannt ist ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterpackung mit einer Struktur bzw. einem Aufbau, bei welcher bzw. welchem eine Schaltkreiskomponente wie beschrieben durch ein Formharz abgedichtet ist, beispielsweise aus der JP H10-74 866 A .There is known a method of manufacturing a semiconductor package having a structure in which a circuit component is sealed by a molding resin as described, for example from US Pat JP H10-74 866 A .

Das in diesem Patentdokument beschriebene Verfahren enthält einen Beschichtungsschritt des Ausbildens eines Beschichtungsfilms auf einer Oberfläche zumindest zwischen einem Halbleiterchip und internen Leitern als Teile der Schaltkreiskomponente, und einen Formschritt des Abdichtens der durch den Beschichtungsfilm bedeckten Schaltkreiskomponente unter Verwendung eines Formharzes.The method described in this patent document includes a coating step of forming a coating film on a surface at least between a semiconductor chip and internal leads as parts of the circuit component, and a molding step of sealing the circuit component covered by the coating film using a molding resin.

Gemäß diesem Verfahren ist der Beschichtungsfilm zum Zwecke des Verhinderns einer Zwischenschicht-Delaminierung und Rissen zwischen der Schaltkreiskomponente und dem Formharz ausgebildet.According to this method, the coating film is formed for the purpose of preventing interlayer delamination and cracks between the circuit component and the molding resin.

In dem Beschichtungsschritt bei dem vorstehenden herkömmlichen Verfahren wird der Beschichtungsfilm durch Ablagern eines Beschichtungsmaterials auf der Oberfläche der Schaltkreiskomponente ausgebildet und dann das abgeschiedene Beschichtungsmaterial einem Härtungsprozess unter Verwendung von äußerer Energie, wie Licht oder Wärme, ausgesetzt. Entsprechend schreitet die Reaktion innerhalb des Beschichtungsmaterials voran, vor das Beschichtungsmaterial mit der Schaltkreiskomponente reagiert, da das Beschichtungsmaterial während des Härtungsprozesses von der Oberfläche bis zum Inneren des Beschichtungsmaterials aktiv wird. Dies kann die Reaktion zwischen der Schaltkreiskomponente und dem Beschichtungsmaterial unterbrechen, und entsprechend kann ein schwach haftender Abschnitt produziert werden. Solch ein schwach haftender Abschnitt kann zu einer Ursache einer Zwischenschicht-Delaminierung und Rissen werden, welche eine Reduktion der Zuverlässigkeit der Packung hervorrufen.In the coating step in the above conventional method, the coating film is formed by depositing a coating material on the surface of the circuit component and then subjecting the deposited coating material to a curing process using external energy such as light or heat. Accordingly, the reaction within the coating material proceeds before the coating material reacts with the circuit component because the coating material becomes active from the surface to the interior of the coating material during the curing process. This can interrupt the reaction between the circuit component and the coating material, and accordingly a weakly adhered portion can be produced. Such a weakly adhered portion may become a cause of interlayer delamination and cracks, which cause a reduction in the reliability of the package.

Währenddessen offenbart die JP 2009-184 236 A eine Formvorrichtung und ein Formverfahren, die eine hervorragende Form-Freigabe-Leistungsfähigkeit zeigen, welche die Notwendigkeit zum Lösen einer Form von der Formvorrichtung beseitigt.Meanwhile, the revealed JP 2009-184 236 A describe a molding apparatus and method that exhibit excellent mold release performance that eliminates the need to release a mold from the molding apparatus.

Gemäß der in diesem Patentdokument offenbarten Formvorrichtung und Verfahren wird ein Plasmabrenner zwischen einem oberen Formteil und einem unteren Formteil einer Form in einem Zustand fortbewegt, bei dem die Form geöffnet ist, und die Formoberfläche wird durch Aufbringen eines von dem Plasmabrenner emittierten Plasmastrahls zu der Formoberfläche fluoriert.According to the molding apparatus and method disclosed in this patent document, a plasma torch is advanced between an upper mold and a lower mold of a mold in a state where the mold is opened, and the mold surface is fluorinated by applying a plasma jet emitted from the plasma torch to the mold surface .

Um die Form zu schließen, wird der Plasmabrenner nach außerhalb der Form zurückgezogen.To close the mold, the plasma torch is retracted outside of the mold.

Die vorstehend beschriebene Formvorrichtung stellt eine hervorragende Form-Freigabe-Fähigkeit bereit, da es möglich ist, die Formoberfläche ohne Lösen der Form von der Formvorrichtung zu fluorieren.The molding device described above provides an excellent mold-releasing ability since it is possible to fluorine the mold surface without detaching the mold from the molding device.

Jedoch weist die vorstehend beschriebene Technologie ein Problem auf, da der Plasmabrenner zwischen dem oberen Formteil und dem unteren Formteil in einem Zustand fortbewegt werden soll, bei dem die Form geöffnet ist, muss der Betrag der Formöffnung ausreichend groß sein und entsprechend muss die Formvorrichtung groß ausgeführt sein.However, the technology described above has a problem that since the plasma torch is to be moved between the upper mold and the lower mold in a state where the mold is opened, the amount of mold opening must be sufficiently large and accordingly the molding apparatus must be made large be.

Darüber hinaus weist die vorstehend beschriebene Technologie ein weiteres Problem auf, da die Formoberfläche in dem Zustand fluoriert werden soll, bei dem die Form geöffnet ist, spritzen Fluor-Radikale, welche von dem Plasmabrenner emittiert werden, nach außerhalb der Form und folglich wird die Effizienz der Fluorierungs-Behandlung gesenkt.In addition, the technology described above has another problem that since the mold surface is to be fluorinated in the state where the mold is opened, fluorine radicals emitted from the plasma torch splash outside of the mold and hence the efficiency decreases of the fluorination treatment.

Weiterer relevanter Stand der Technik ist in den Druckschriften JP H09-246 431A und US 2009 / 0 174 120 A1 offenbart.Further relevant prior art is in the publications JP H09-246 431A and U.S. 2009/0 174 120 A1 disclosed.

KURZFASSUNG DER ERFINDUNGSUMMARY OF THE INVENTION

Die vorstehenden Probleme werden durch die Gegenstände der Ansprüche 1 und 4 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der sich daran anschließenden abhängigen Ansprüche.The above problems are solved by the subject matter of claims 1 and 4. Advantageous developments of the invention are the subject matter of the subsequent dependent claims.

Ein erläuternder, nicht beanspruchter Aspekt der vorliegenden Offenbarung sieht ein Verfahren zum Herstellen einer Packung mit einem Aufbau vor, bei dem eine Schaltkreiskomponente (20) mit einem elektronischen Teil (21) und Leitern (23), welche mit dem elektronischen Teil (21) elektrisch verbunden sind, durch ein Formharz (40) integral abgedichtet ist, aufweisend:

  • einen Beschichtungsschritt zum Ausbilden eines Beschichtungsfilms (30) auf wenigstens einem Teil einer Oberfläche der Schaltkreiskomponente (20), um dem Formharz (40) gegenüberzuliegen, zum Verhindern einer Delaminierung zwischen dem Formharz (40) und der Schaltkreiskomponente (20); und
  • einen Formschritt zum Formen des Formharzes (4), so dass die mit dem Beschichtungsfilm (30) beschichtete Schaltkreiskomponente (20) durch das Formharz (40) integral abgedichtet ist,
  • wobei in dem Beschichtungsschritt ein Beschichtungsmaterial (31) des Beschichtungsfilms (30) einem Plasma (33) ausgesetzt und in einen aktiven Zustand gebracht wird, bevor dieses auf der Oberfläche der Schaltkreiskomponente (20) abgeschieden wird.
An illustrative, unclaimed aspect of the present disclosure provides a method of manufacturing a package having a structure in which a circuit component (20) having an electronic part (21) and conductors (23) electrically connected to the electronic part (21). are integrally sealed by a molding resin (40), comprising:
  • a coating step of forming a coating film (30) on at least a part of a surface of the circuit component (20) to face the molding resin (40) for preventing delamination between the molding resin (40) and the circuit component (20); and
  • a molding step of molding the molding resin (4) so that the circuit component (20) coated with the coating film (30) is sealed integrally by the molding resin (40),
  • wherein in the coating step a coating material (31) of the coating film (30) is exposed to a plasma (33) and brought into an active state before being deposited on the surface of the circuit component (20).

Gemäß dem vorstehenden Aspekt ist es möglich, eine Packung des Typs herzustellen, welcher einen Aufbau besitzt, bei dem eine Schaltkreiskomponente mit einem elektronischen Teil und Leitern, welche mit dem elektronischen Teil elektrisch verbunden und mit einem Beschichtungfilm beschichtet sind, durch ein Formharz integral abgedichtet ist, wobei die Haftfestigkeit zwischen der Schaltkreiskomponente und dem Beschichtungsfilm stark genug ist, um eine Zwischenschicht-Delaminierung und Risse zu vermeiden.According to the above aspect, it is possible to manufacture a package of the type having a structure in which a circuit component including an electronic part and leads electrically connected to the electronic part and coated with a coating film is integrally sealed by a molding resin , wherein the adhesive strength between the circuit component and the coating film is strong enough to avoid interlayer delamination and cracks.

Ein Aspekt der vorliegenden Erfindung sieht eine Formvorrichtung vor, aufweisend:

  • eine Form (10), welche mit einem geschmolzenen Material gefüllt ist; und
  • eine Plasmaelektrode (12, 13) zum Erzeugen eines Plasmas,
  • wobei die Form (10) mit einem Plasma-Emissions-Loch (101a, 102a) ausgebildet ist, durch welches das zwischen der Plasmaelektrode (12, 13) und einer Gegenelektrode erzeugte Plasma in einen inneren Raum bzw. Innenraum (11) der Form (10) emittiert wird.
One aspect of the present invention provides a molding apparatus comprising:
  • a mold (10) filled with a molten material; and
  • a plasma electrode (12, 13) for generating a plasma,
  • wherein the mold (10) is formed with a plasma emission hole (101a, 102a) through which the plasma generated between the plasma electrode (12, 13) and a counter electrode is discharged into an inner space (11) of the mold ( 10) is issued.

Die vorliegende Erfindung sieht ebenso ein Verfahren zum Herstellen eines Formteils unter Verwendung der in einem der Ansprüche 1 bis 3 beschriebenen Formvorrichtung vor, mit einem Plasma-Emissions-Schritt des Emittierens des Plasmas in den Innenraum (11) durch das Plasma-Emissions-Loch (101a, 102a) in einem Zustand, bei dem die Form (10) geöffnet ist.The present invention also provides a method for producing a molded article using the molding apparatus described in any one of claims 1 to 3, comprising a plasma emitting step of emitting the plasma into the inner space (11) through the plasma emitting hole ( 101a, 102a) in a state where the mold (10) is opened.

Gemäß der vorliegenden Erfindung sind eine Formvorrichtung und ein Formverfahren vorgesehen, welche das Emittieren eines Plasmas zu der Oberfläche einer Form in einem Zustand ermöglichen, bei dem die Form geschlossen ist.According to the present invention, there is provided a molding apparatus and method which enable plasma to be emitted to the surface of a mold in a state where the mold is closed.

Weitere Vorteile und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung einschließlich den Abbildungen und Ansprüchen ersichtlich.Further advantages and features of the present invention will become apparent from the following description including figures and claims.

Figurenlistecharacter list

In den beigefügten Abbildungen zeigen:

  • 1 eine Querschnittsansicht einer Packung, welche durch ein Packungsherstellungsverfahren gemäß einem ersten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung hergestellt wird;
  • 2A ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung in einem Vorheiz-Schritt zeigt, welcher in dem Packungsherstellungsverfahren gemäß dem ersten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 2B ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung in einem Beschichtungsschritt zeigt, welcher in dem Packungsherstellungsverfahren gemäß dem ersten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist, und den Beschichtungschritt erläutert;
  • 2C ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung nach Abschluss des Beschichtungschritts zeigt;
  • 2D ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung in einem Formschritt zeigt, welcher in dem Packungsherstellungsverfahren gemäß dem ersten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 3 ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht einer Packung in einem Beschichtungsschritt zeigt, welcher in dem Packungsherstellungsverfahren gemäß einem zweiten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 4A die Querschnittsansicht einer Packung in einem Beschichtungsschritt, welcher in einer Modifikation des Packungsherstellungsverfahrens gemäß dem zweiten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 4B die Draufsicht der Packung in einem Beschichtungsschritt, welcher in der Modifikation des Packungsherstellungsverfahrens gemäß dem zweiten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 5 die Querschnittsansicht einer Packung in einem Beschichtungsschritt, welcher in einem Packungsherstellungsverfahren gemäß einem dritten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 6A ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht einer Packung in einem Vorheiz-Schritt zeigt, welcher in einem Packungsherstellungsverfahren gemäß dem dritten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 6B ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung in einem Beschichtungsschritt zeigt, welcher in dem Packungsherstellungsverfahren gemäß dem dritten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 6C ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung nach Abschluss des Beschichtungschritts zeigt;
  • 6D ein Diagramm, welches die Querschnittsansicht der Packung in einem Formschritt zeigt, welcher in dem Packungsherstellungsverfahren gemäß dem dritten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung enthalten ist;
  • 7 eine Querschnittsansicht einer Einlage-Formvorrichtung als eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 8 ein Flussdiagramm, welches die Schritte eines Einlage-Formverfahrens zeigt, welches unter Verwendung der in 7 gezeigten Einlage-Formvorrichtung durchgeführt wird;
  • 9A bis 9C Diagramme zum Erläutern des Einlage-Formverfahrens, welches unter Verwendung der in 7 gezeigten Einlage-Formvorrichtung durchgeführt wird; und
  • 10 eine Querschnittsansicht einer Einlage-Formvorrichtung als eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
In the attached figures show:
  • 1 12 is a cross-sectional view of a pack manufactured by a pack manufacturing method according to a first illustrative aspect of the present disclosure;
  • 2A 12 is a diagram showing the cross-sectional view of the package in a preheating step included in the package manufacturing method according to the first illustrative aspect of the present disclosure;
  • 2 B 12 is a diagram showing the cross-sectional view of the packing in a coating step included in the packing manufacturing method according to the first illustrative aspect of the present disclosure and explaining the coating step;
  • 2C Fig. 14 is a diagram showing the cross-sectional view of the package after the coating step is completed;
  • 2D 12 is a diagram showing the cross-sectional view of the packing in a molding step included in the packing manufacturing method according to the first illustrative aspect of the present disclosure;
  • 3 12 is a diagram showing the cross-sectional view of a packing in a coating step included in the packing manufacturing method according to a second illustrative aspect of the present disclosure;
  • 4A 12 is a cross-sectional view of a packing in a coating step included in a modification of the packing manufacturing method according to the second illustrative aspect of the present disclosure;
  • 4B 12 is the plan view of the packing in a coating step included in the modification of the packing manufacturing method according to the second illustrative aspect of the present disclosure;
  • 5 12 is a cross-sectional view of a packing in a coating step included in a packing manufacturing method according to a third illustrative aspect of the present disclosure;
  • 6A Fig. 12 is a diagram showing the cross-sectional view of a package in a preheating step used in a package manufacturing method according to the third illustrative aspect of the present disclosure is included;
  • 6B 12 is a diagram showing the cross-sectional view of the packing in a coating step included in the packing manufacturing method according to the third illustrative aspect of the present disclosure;
  • 6C Fig. 14 is a diagram showing the cross-sectional view of the package after the coating step is completed;
  • 6D 12 is a diagram showing the cross-sectional view of the packing in a molding step included in the packing manufacturing method according to the third illustrative aspect of the present disclosure;
  • 7 Fig. 12 is a cross-sectional view of an insert molding apparatus as a first embodiment of the present invention;
  • 8th Figure 12 is a flow chart showing the steps of an insert molding process made using the in 7 insert forming apparatus shown is performed;
  • 9A until 9C Diagrams for explaining the insert molding process, which is performed using the in 7 insert forming apparatus shown is performed; and
  • 10 Fig. 12 is a cross-sectional view of an insert molding apparatus as a second embodiment of the present invention.

BEVORZUGTE AUSFÜHRUNGSFORMEN DER ERFINDUNGPREFERRED EMBODIMENTS OF THE INVENTION

In der nachfolgenden Beschreibung sind gleiche oder äquivalente Teile durch die gleichen Bezugszeichen oder Buchstaben angegeben.In the following description, the same or equivalent parts are denoted by the same reference numerals or letters.

Erster erläuternder AspektFirst explanatory aspect

Zunächst wird der Aufbau einer Packung 10, welche durch ein Packungsherstellungsverfahren gemäß einem ersten erläuternden Aspekt der vorliegenden Offenbarung hergestellt wird, beschrieben.First, the structure of a pack 10 manufactured by a pack manufacturing method according to a first illustrative aspect of the present disclosure will be described.

Wie in 1 gezeigt ist, enthält die Packung 10 eine Schaltkreiskomponente 20, einen Beschichtungsfilm 30, welcher auf wenigstens einem Teil der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 ausgebildet ist, und ein Formharz 40, welches die mit dem Beschichtungsfilm 30 beschichtete Schaltkreiskomponente 20 integral abdichtet, wobei der Teil der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 dem Formharz 40 gegenliegt.As in 1 As shown, the package 10 includes a circuit component 20, a coating film 30 formed on at least a part of the surface of the circuit component 20, and a molding resin 40 which integrally seals the circuit component 20 coated with the coating film 30, the part of the surface of the circuit component 20 faces the molding resin 40 .

Die Schaltkreiskomponente 20 enthält als deren Teile einen elektronischen Teil 21, wie einen IC-Chip, eine Insel 22, auf welcher der elektronische Teil 21 angehaftet ist, Leiter 23 als externe Verbindungsanschlüsse und Verbindungsdrähte 24, welche den elektronischen Teil 21 mit den Leitern 23 elektrisch verbinden.The circuit component 20 includes, as its parts, an electronic part 21 such as an IC chip, an island 22 on which the electronic part 21 is adhered, conductors 23 as external connection terminals, and connecting wires 24 electrically connecting the electronic part 21 to the conductors 23 associate.

Der elektronische Teil 21, die Insel 22, die Verbindungsdrähte 24 und innere Leiter 23a, welche Abschnitte der Leiter 23 zur Verbindung mit den Verbindungsdrähten 24 sind, sind mit dem Formharz 40 bedeckt. Der Beschichtungsfilm 30 ist auf diesen Teilen, bei deren Abschnitten, welche dem Formharz 40 gegenüberstehen, ausgebildet. In 1 kennzeichnet das Referenzzeichen 23b äußere Leiter oder Abschnitte der Leiter 23b, welche nach außerhalb des Formharzes 40 überstehen.The electronic part 21, the island 22, the connecting wires 24 and inner leads 23a which are portions of the conductors 23 for connection to the connecting wires 24 are covered with the molding resin 40. As shown in FIG. The coating film 30 is formed on those parts at their portions which face the molding resin 40 . In 1 Reference numeral 23b denotes outer conductors or portions of the conductors 23b protruding outside of the mold resin 40. FIG.

Nachfolgend ist ein Verfahren zum Herstellen der Packung 10 beschrieben.A method of manufacturing the pack 10 is described below.

Obwohl in den Abbildungen nicht gezeigt, wird die Schaltkreiskomponente 20 durch Formmontage des elektronischen Teils 21 auf der Insel 22 und anschließendes elektrisches Verbinden des elektronischen Teils 21 und der Leiter 23 eines Leitungsrahmens durch die Verbindungsdrähte 24 miteinander hergestellt.Although not shown in the figures, the circuit component 20 is manufactured by mold-mounting the electronic part 21 on the island 22 and then electrically connecting the electronic part 21 and leads 23 of a lead frame by the bonding wires 24 to each other.

Danach wird ein Vorheiz-Schritt durchgeführt, um die Schaltkreiskomponente 20 durch Erhitzen der Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung eines Konstant-Temperatur-Bades 100, wie in 2A gezeigt ist, auf einem hohen Temperaturzustand (ein Zustand, bei dem deren Temperatur höher ist, als bevor diese erhitzt wurde) zu halten.Thereafter, a preheating step is performed to heat the circuit component 20 by heating the circuit component 20 using a constant temperature bath 100 as in FIG 2A shown to be kept in a high temperature state (a state in which its temperature is higher than before it was heated).

Nachfolgend wird die Schaltkreiskomponente 20 in dem hohen Temperaturzustand einem Beschichtungsschritt unterzogen. Bei diesem Beschichtungsschritt wird, wie in 2B gezeigt ist, ein Beschichtungsmaterial 31 unter Verwendung einer Plasma-Spritzvorrichtung 110 auf die Schaltkreiskomponente 20 gespritzt, während dieses aktiviert wird, um den Beschichtungsfilm 30 auszubilden, wie in 2C gezeigt ist. In 2B kennzeichnet das Referenzzeichen 23 das Beschichtungsmaterial, welches aktiviert wird.Subsequently, the circuit component 20 in the high temperature state is subjected to a coating step. In this coating step, as in 2 B 1, a coating material 31 is sprayed onto the circuit component 20 using a plasma sprayer 110 while activating it to form the coating film 30 as shown in FIG 2C is shown. In 2 B reference numeral 23 designates the coating material which is activated.

Bei diesem erläuternden Aspekt verwendet die Plasma-Spritzvorrichtung 110 Atmosphärendruck-Plasma 33. Die Komponente des Plasmas 33, welche dazu verwendet wird, das Beschichtungsmaterial 31 zu aktivieren und zu spritzen, kann Argongas 34 sein. In diesem Fall wird das Argongas 34 in ein Plasmarohr 120 der Plasma-Spritzvorrichtung 110 eingeführt und innerhalb eines Plasma-Erzeugungs-Bereichs 130 mit einer Hochspannung beaufschlagt, um das Argon-reiche Atmosphärendruck-Plasma 33 zu produzieren. Das Beschichtungsmaterial 31 wird integral mit dem Plasmarohr 120 gebildet. Der Spitzenabschnitt des Beschichtungsmaterials 31 wird durch eine Einführdüse 140, welche an der Seite, stromabwärtiger als der Plasma-Erzeugungs-Bereich 130, in das Plasmarohr 120 übersteht bzw. hineinragt, in das Innere des Plasmarohrs 120 eingeführt und wird durch das Plasma 33 aktiviert. Das aktivierte Beschichtungsmaterial 32 wird durch den Strom des Plasmas 33, welches in 2B durch die unterbrochenen Linien gezeigt ist, auf die Schaltkreiskomponente 20 gespritzt. Bei diesem erläuternden Aspekt wird ein flüssiges Epoxidharz, welches keine Füller enthält, als das Beschichtungsmaterial 31 verwendet.In this illustrative aspect, plasma spray apparatus 110 uses atmospheric pressure plasma 33. The component of plasma 33 used to activate and spray coating material 31 may be argon gas 34. In this case, the argon gas 34 is introduced into a plasma tube 120 of the plasma spray device 110 and is applied with a high voltage within a plasma generation region 130 to produce the argon-rich atmospheric pressure to produce plasma 33 . The coating material 31 is formed integrally with the plasma tube 120 . The tip portion of the coating material 31 is introduced into the inside of the plasma tube 120 through an introduction nozzle 140 protruding into the plasma tube 120 on the side more downstream than the plasma generation region 130 and is activated by the plasma 33 . The activated coating material 32 is caused by the flow of the plasma 33, which in 2 B shown by the broken lines is molded onto the circuit component 20 . In this explanatory aspect, a liquid epoxy resin containing no filler is used as the coating material 31 .

Nach Abschluss des Beschichtungsschritts wird ein Formschritt unter Verwendung des Transfer-Formverfahrens durchgeführt, um die mit dem Beschichtungsfilm 30 beschichtete Schaltkreiskomponente 20 integral mit dem Formharz 40, wie einem Epoxidharz, abzudichten, wie in 2D gezeigt ist. Durch eine Hitzeanwendung in dem Formschritt wird der Beschichtungsfilm 30 in einen vollständig ausgehärteten Zustand gebracht. Danach werden unnötige Abschnitte des Leitungsrahmens entfernt und die Leiter 23 gebogen, um die in 1 gezeigte Packung zu vervollständigen.After the completion of the coating step, a molding step is performed using the transfer molding method to seal the circuit component 20 coated with the coating film 30 integrally with the molding resin 40 such as an epoxy resin, as in FIG 2D is shown. By application of heat in the molding step, the coating film 30 is brought into a fully cured state. Thereafter, unnecessary portions of the lead frame are removed and the leads 23 are bent to form the in 1 to complete the pack shown.

Nachfolgend werden Vorteile des Packungsherstellungsverfahrens gemäß diesem erläuternden Aspekt erläutert.Advantages of the package manufacturing method according to this illustrative aspect are explained below.

In dem Beschichtungsschritt wird das Beschichtungsmaterial 30, welches den Beschichtungsfilm 30 bildet, dem Plasma 33 ausgesetzt, bevor dieses auf der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 abgeschieden wird, so dass der Beschichtungsfilm 30 in dem aktivierten Zustand auf der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 abgeschieden wird. Hierbei bedeutet der „aktivierte Zustand“ ein Zustand, bei dem funktionelle Gruppen, wie Carbonylgruppen des Beschichtungsmaterials 31, dem Plasma 33 ausgesetzt sind, um ungepaarte Elektronen zu erzeugen, wodurch sich das Beschichtungsmaterial 31 in dem Radikal-Zustand befindet. Daher bewirkt das Beschichtungsmaterial 32 auf einfache Art und Weise eine Haftungs-Reaktion mit der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20, welche sich aufgrund von Oberflächen-Oxidation in dem Sauerstoffüberschuss-Zustand befindet. Dies ermöglicht es, eine Delaminierung zwischen dem Beschichtungsfilm 30 und der Schaltkreiskomponente 20 zu unterdrücken. Im Übrigen wird das Beschichtungsmaterial 31 leichter in den Zustand gebracht, um mit der Schaltkreiskomponente 20 zu reagieren, da das Plasma 33 Argon enthält, welches keine oxidierenden Eigenschaften besitzt.In the coating step, the coating material 30 forming the coating film 30 is exposed to the plasma 33 before being deposited on the surface of the circuit component 20, so that the coating film 30 is deposited on the surface of the circuit component 20 in the activated state. Here, the “activated state” means a state where functional groups such as carbonyl groups of the coating material 31 are exposed to the plasma 33 to generate unpaired electrons, whereby the coating material 31 is in the radical state. Therefore, the coating material 32 easily causes an adhesion reaction with the surface of the circuit component 20 which is in the oxygen-excessive state due to surface oxidation. This makes it possible to suppress delamination between the coating film 30 and the circuit component 20 . Incidentally, since the plasma 33 contains argon which has no oxidizing property, the coating material 31 is more easily brought into the state to react with the circuit component 20 .

Wie in 2A gezeigt ist, wird bei diesem erläuternden Aspekt der Vorheiz-Schritt durchgeführt, um die Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung des Konstant-Temperatur-Bades 100 zu erwärmen. Entsprechend wird die Haftungs-Reaktions-Energy zwischen der Schaltkreiskomponente 20 und dem auf der Schaltkreiskomponente 20 abgeschiedenen Beschichtungsmaterial 32 höher, als wenn der Vorheiz-Schritt nicht durchgeführt wird. Daher kann die Haftfestigkeit zwischen dem Beschichtungsfilm 30 und der Schaltkreiskomponente 20 erhöht werden.As in 2A 1, in this illustrative aspect, the preheating step is performed to heat the circuit component 20 using the constant temperature bath 100. FIG. Accordingly, the adhesion reaction energy between the circuit component 20 and the coating material 32 deposited on the circuit component 20 becomes higher than when the preheating step is not performed. Therefore, the adhesive strength between the coating film 30 and the circuit component 20 can be increased.

Wie in 2B gezeigt ist, wird bei diesem erläuternden Aspekt das Beschichtungsmaterial 31 unter Verwendung der Plasma-Spritzvorrichtung 110 gespritzt, während dieses aktiviert wird. Bei diesem Beschichtungsschritt wird das Beschichtungsmaterial 32, welches sich in Richtung der Schaltkreiskomponente 20 bewegt, gleichmäßig aktiviert, da das aktivierte Beschichtungsmaterial 32 entlang des Stromes des Plasmas 33 gespritzt wird. Dies ermöglicht es, Ungleichheiten in der Aktivierung des Beschichtungsmaterials 32 zu unterdrücken. Ferner ist es möglich, Packungen unter Verwendung einer einfachen Vorrichtung herzustellen, da Aktivierung und Spritzen des Beschichtungsmaterials 31 gleichzeitig durchgeführt werden können.As in 2 B 1, in this explanatory aspect, the coating material 31 is sprayed using the plasma spray device 110 while activating it. In this coating step, since the activated coating material 32 is spouted along the flow of the plasma 33, the coating material 32 moving toward the circuit component 20 is smoothly activated. This makes it possible to suppress unevenness in the activation of the coating material 32 . Further, since activation and spraying of the coating material 31 can be performed at the same time, it is possible to manufacture packages using a simple apparatus.

Bei diesem erläuternden Aspekt wird ein flüssiges Epoxidharz, welches keine Füller enthält, als das Beschichtungsmaterial 31 verwendet. Der Elastizitätsmodul des gehärteten Beschichtungsfilms 30, welcher keine Füller enthält, ist kleiner als dieser des gehärteten Beschichtungsfilms 30, welcher Füller enthält. Entsprechend ist es gemäß diesem erläuternden Aspekt möglich, dass der Beschichtungsfilm 30 als ein Spannungsrelaxations-Material zwischen der Schaltkreiskomponente 20 und dem Formharz 40 wirkt.In this explanatory aspect, a liquid epoxy resin containing no filler is used as the coating material 31 . The modulus of elasticity of the cured coating film 30 containing no filler is smaller than that of the cured coating film 30 containing filler. Accordingly, according to this explanatory aspect, it is possible for the coating film 30 to act as a stress relaxation material between the circuit component 20 and the molding resin 40 .

Bei diesem erläuternden Aspekt verwendet der Vorheiz-Schritt das Konstant-Temperatur-Bad 100. Jedoch kann als ein Erwärmungs-Werkzeug, um die Schaltkreiskomponente 20 zu erwärmen, eine heiße Platte anstatt des Konstant-Temperatur-Bades 100 verwendet werden. Der Vorheiz-Schritt kann weggelassen werden.In this illustrative aspect, the preheating step uses the constant temperature bath 100. However, as a heating tool to heat the circuit component 20, a hot plate may be used instead of the constant temperature bath 100. The preheating step can be omitted.

Bei diesem erläuternden Aspekt wird ein Argongas als die Komponente des Plasmas 33 zum Aktivieren und Spritzen des Beschichtungsmaterials 31 in dem Beschichtungsschritt verwendet. Jedoch kann die Komponente des Plasmas 33 ein anderes inaktives Gas, wie Helium oder Xenon, sein. Ferner können Kohlenstoffdioxid, Stickstoff oder atmosphärische Luft anstatt des inaktiven Gases verwendet werden. Durch das Hervorrufen, dass Radikalmoleküle des Plasmas gegen die Oberfläche des Beschichtungsmaterials 31 treffen, wird das Beschichtungsmaterial 31 in den aktivierten Zustand gebracht.In this explanatory aspect, an argon gas is used as the component of the plasma 33 for activating and sputtering the coating material 31 in the coating step. However, the component of the plasma 33 may be another inactive gas such as helium or xenon. Further, carbon dioxide, nitrogen or atmospheric air can be used instead of the inactive gas. By causing plasma radical molecules to hit against the surface of the coating material 31, this is Coating material 31 brought into the activated state.

Ferner können Kohlenstoffmonoxid, Ammoniak oder Wasserstoff, welche reduzierende Eigenschaften besitzen, verwendet wird.Further, carbon monoxide, ammonia or hydrogen, which has reducing properties, can be used.

Ferner kann ein Gasgemisch der vorstehenden Gase verwendet werden. In diesem Fall kann die Oberfläche des Beschichtungsmaterials 31 leichter in einen Zustand gebracht werden, um mit der Schaltkreiskomponente 20 zu reagieren, als in einem Fall, bei dem ein Anteil eines Gases, welches oxidierende Eigenschaften besitzt, wie Sauerstoff, in dem Plasma hoch ist. Entsprechend kann in diesem Fall die Haftfestigkeit zwischen der Schaltkreiskomponente 20 und dem Beschichtungsfilm 30 erhöht werden, da die Haftungs-Reaktion zwischen der Schaltkreiskomponente 20 und dem Beschichtungfilm 30 gefördert wird.Further, a mixed gas of the above gases can be used. In this case, the surface of the coating material 31 can be more easily brought into a state to react with the circuit component 20 than in a case where a proportion of a gas having oxidizing properties such as oxygen in the plasma is high. Accordingly, in this case, since the adhesion reaction between the circuit component 20 and the coating film 30 is promoted, the adhesive strength between the circuit component 20 and the coating film 30 can be increased.

Bei diesem erläuternden Aspekt wird ein Atmosphärendruck-Plasma als das Plasma 33 zum Aktivieren und Spritzen des Beschichtungsmaterials 31 in dem Beschichtungsschritt verwendet. Jedoch kann ein Vakuum-Plasma verwendet werden. Wenn das Plasma 33 derart erzeugt wird, dass dieses einen negativen Druck aufweist, ist es einfach das Plasma aus Gasmolekülen zu erzeugen, im Vergleich zu dem Fall, bei dem das Plasma 33 derart erzeugt wird, dass dieses Atmosphärendruck aufweist. Im Falle des Verwendens von Vakuum-Plasma wird ein inaktives Gas, wie Argon, Krypton oder Xenon, oder ein reduzierendes Gas, wie Kohlenstoffmonoxid, Ammoniak oder Wasserstoff in eine Vakuumkammer eingeführt, in welcher die Schaltkreiskomponente 20 angeordnet ist, um das Plasma 33 durch Aufbringen einer Hochspannung zu erzeugen. Danach wird das Beschichtungsmaterial 31 durch die Einführdüse 140 in das Plasmarohr 120 eingeführt und entlang des Stromes des Plasmas 33 auf die Schaltkreiskomponente 20 gespritzt, während dieses durch das Plasma 33 aktiviert wird.In this explanatory aspect, an atmospheric-pressure plasma is used as the plasma 33 for activating and spraying the coating material 31 in the coating step. However, a vacuum plasma can be used. When the plasma 33 is generated to have a negative pressure, it is easy to generate the plasma from gas molecules compared to the case where the plasma 33 is generated to have the atmospheric pressure. In the case of using vacuum plasma, an inactive gas such as argon, krypton, or xenon, or a reducing gas such as carbon monoxide, ammonia, or hydrogen is introduced into a vacuum chamber in which the circuit component 20 is placed to contain the plasma 33 by deposition to generate a high voltage. Thereafter, the coating material 31 is introduced into the plasma tube 120 through the introduction nozzle 140 and sprayed onto the circuit component 20 along the flow of the plasma 33 while being activated by the plasma 33 .

Bei diesem erläuternden Aspekt wird ein flüssiges Epoxidharz als das Beschichtungsmaterial 31 verwendet. Jedoch kann ein haftendes Material, wie Polyamid, Teflon oder Acryl anstatt eines flüssigen Epoxidharzes verwendet werden.In this explanatory aspect, a liquid epoxy resin is used as the coating material 31 . However, an adhesive material such as polyamide, teflon or acrylic can be used instead of a liquid epoxy.

Bei diesem erläuternden Aspekt wird ein nicht erwärmtes, flüssiges Harz als das Beschichtungsmaterial 31 verwendet. Jedoch ist es vorzuziehen, dass das Beschichtungsmaterial 31 durch Erwärmen oder Hinzugeben eines Lösungsmittels derart hergestellt ist, dass dieses eine zum Spritzen geeignete Viskosität aufweist. Falls die Viskosität des Beschichtungsmaterials 31 durch Anwenden von Wärme oder Hinzugeben eines Lösungsmittels gesenkt ist, kann das Beschichtungsmaterial 31 fein gemasert sein, wenn dieses gespritzt wird. Dies ermöglicht es, den Oberflächenbereich des Beschichtungsmaterials 31 zu erhöhen, wodurch das Beschichtungsmaterial 31 wirkungsvoller aktiviert werden kann, wenn dieses dem Plasma 33 ausgesetzt wird.In this explanatory aspect, an unheated liquid resin is used as the coating material 31 . However, it is preferable that the coating material 31 is made to have a viscosity suitable for spraying by heating or adding a solvent. If the viscosity of the coating material 31 is lowered by applying heat or adding a solvent, the coating material 31 may be finely grained when sprayed. This allows the surface area of the coating material 31 to be increased, allowing the coating material 31 to be activated more efficiently when exposed to the plasma 33 .

Bei diesem erläuternden Aspekt ist die Einführdüse 140 zum Einführen des Beschichtungsmaterials 31 integral innerhalb des Plasmarohrs 120 angeordnet. Jedoch kann die Einführdüse 140 getrennt von dem Mechanismus zum Erzeugen des Stromes des Plasmas 33 angeordnet sein, falls es möglich ist, dass Beschichtungsmaterial 31 auf die Schaltkreiskomponente 20 zu spritzen, während das Beschichtungsmaterial 31 aktiviert wird. Vorzugsweise ist der Abstand zwischen dem Plasma-Erzeugungs-Bereich 130 und der Spitze der Einführdüse 140 so klein wie möglich ausgeführt, so dass das Beschichtungsmaterial 31 dem Plasma 33 ausgesetzt werden kann, bevor das durch eine Hochspannungs-Anwendung erzeugte Plasma 33 in einen Nicht-Plasma-Zustand zurückkehrt. In diesem Fall kann das Beschichtungsmaterial 31 im Vergleich dazu, wenn der Abstand zwischen dem Plasma-Erzeugungs-Bereich 130 und der Spitze der Einführdüse 140 größer ist, wirkungsvoller aktiviert werden.In this illustrative aspect, the introduction nozzle 140 for introducing the coating material 31 is integrally arranged inside the plasma tube 120 . However, the introducing nozzle 140 may be arranged separately from the mechanism for generating the flow of the plasma 33 if it is possible to splash the coating material 31 onto the circuit component 20 while the coating material 31 is being activated. Preferably, the distance between the plasma generation region 130 and the tip of the injection nozzle 140 is made as small as possible so that the coating material 31 can be exposed to the plasma 33 before the plasma 33 generated by a high voltage application enters a non- plasma state returns. In this case, the coating material 31 can be activated more efficiently compared to when the distance between the plasma generation region 130 and the tip of the introduction nozzle 140 is longer.

Vor dem Beschichtungsschritt kann ein Schritt des Reinigens und Aktivierens der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung des durch die Plasma-Spritzvorrichtung 110 erzeugten Plasmas 33 vorgesehen sein. In diesem Fall wird das durch den Plasma-Erzeugungs-Bereich 130 erzeugte Plasma 33 ohne Einführen des Beschichtungsmaterials 31 durch die Einführdüse 140 auf die Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 aufgebracht. Gemäß dieser Konfiguration kann die Haftfestigkeit zwischen dem Beschichtungsfilm 30 und der Schaltkreiskomponente 20 erhöht werden, da die Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 neben dem Beschichtungsmaterial 31 aktiviert wird. Im Übrigen kann der Schritt des Reinigens und Aktivierens der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung einer Plasma-Erzeugungs-Quelle durchgeführt werden, welche zum Durchführen des Beschichtungsschrittes verwendet wird. Entsprechend ermöglicht es diese Konfiguration, die verstrichene Zeit von dem Zeitpunkt an, wenn der Schritt des Reinigens und Aktivierens der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 abgeschlossen war, bis zu dem Zeitpunkt, wenn der Beschichtungsschritt gestartet wird, ohne das Hervorrufen zusätzlicher Kosten zu reduzieren.Before the coating step, a step of cleaning and activating the surface of the circuit component 20 using the plasma 33 generated by the plasma spray device 110 may be provided. In this case, the plasma 33 generated by the plasma generation region 130 is applied to the surface of the circuit component 20 through the introduction nozzle 140 without introducing the coating material 31 . According to this configuration, since the surface of the circuit component 20 adjacent to the coating material 31 is activated, the adhesive strength between the coating film 30 and the circuit component 20 can be increased. Incidentally, the step of cleaning and activating the surface of the circuit component 20 can be performed using a plasma generation source used to perform the coating step. Accordingly, this configuration makes it possible to reduce the elapsed time from when the step of cleaning and activating the surface of the circuit component 20 is completed to when the coating step is started without incurring additional costs.

Zweiter erläuternder AspektSecond explanatory aspect

Nachfolgend ist ein zweiter erläuternder Aspekt der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 3 beschrieben. Der Vorheiz-Schritt (2A), der Zustand der Packung nach Abschluss des Beschichtungsschritts (2C) und der Formschritt ( 2D) bei dem zweiten erläuternden Aspekt sind gleich wie diese bei dem ersten erläuternden Aspekt. Entsprechend wird hier lediglich der Beschichtungsschritt beschrieben.The following is a second illustrative aspect of the present disclosure with reference to FIG 3 described. The preheat step ( 2A ), the State of the package after the coating step is completed ( 2C ) and the form step ( 2D ) in the second illustrative aspect are the same as those in the first illustrative aspect. Accordingly, only the coating step is described here.

Bei dem Beschichtungsschritt des vorstehenden ersten erläuternden Aspektswird das Beschichtungsmaterial 31 gespritzt, während dieses aktiviert wird. Bei dem Beschichtungsschritt des zweiten erläuternden Aspekts, wie in 3 gezeigt, wird vor dem Ablagern des von einer Spritzdüse 150 auf die Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 gespritzten Beschichtungsmaterials 31 das Beschichtungsmaterial 32, welches dadurch aktiviert wurde, dass dieses dem von einer Plasmaquelle 160 emittierten Plasma 33 ausgesetzt wurde, auf der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 abgeschieden.In the coating step of the above first illustrative aspect, the coating material 31 is sprayed while being activated. In the coating step of the second illustrative aspect as in 3 As shown, prior to depositing the coating material 31 sprayed from a spray nozzle 150 onto the surface of the circuit component 20, the coating material 32 activated by being exposed to the plasma 33 emitted from a plasma source 160 is deposited onto the surface of the circuit component 20.

Bei dem zweiten erläuternden Aspekt wird das Beschichtungsmaterial in einem zerstäubten Zustand dem Plasma 33 ausgesetzt, bevor dieses auf der Oberfläche 20 der Schaltkreiskomponente 20 abgeschieden wird. Gemäß dem zweiten erläuternden Aspekt kann das Beschichtungsmaterial 31, im Vergleich zu dem Fall, bei dem das Beschichtungsmaterial 31 unter Verwendung des Plasmas 33 zerstäubt wird, beständig zerstäubt werden, da der Strom des für die Zerstäubung des Beschichtungsmaterials 31 verwendeten Gases auf einfache Weise gesteuert werden kann.In the second illustrative aspect, the coating material is exposed to the plasma 33 in an atomized state before being deposited on the surface 20 of the circuit component 20 . According to the second illustrative aspect, since the flow of the gas used for atomizing the coating material 31 can be easily controlled, the coating material 31 can be atomized stably compared to the case where the coating material 31 is atomized using the plasma 33 can.

Modifikationen des zweiten erläuternden Aspekts:Modifications of the second explanatory aspect:

Bei dem zweiten erläuternden Aspekt wird das Plasma 33 durch die einzelne Plasmaquelle 160 erzeugt. Jedoch kann das Plasma 33 durch zwei oder mehrere Plasmaquellen erzeugt werden. Beispielsweise kann der zweite erläuternde Aspekt derart modifiziert werden, dass das Beschichtungsmaterial 31 dadurch aktiviert wird, dass dieses dem von den Plasmaquellen 160, welche, wie in 4A und 4B gezeigt ist, an vier unterschiedlichen Stellen angeordnet sind, emittierten Plasma 33 ausgesetzt wird, bevor das durch die Spritzdüse 150 zerstäubte Beschichtungsmaterial 31 auf der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 abgeschieden wird. Bei dieser Modifikation sind die Plasmaquellen 160 in 90-Grad-Intervallen um die Achse der Spritzdüse 150 angeordnet und diese vier Plasmaquellen 160 emittieren das Plasma 33 mit der gleichen Strömungsgeschwindigkeit, so dass die Vektorsumme der Ströme der von den vier Plasmaquellen 160 emittierten Plasmen 33 parallel zu dem Vektor der Spritzrichtung des Beschichtungsmaterials 31 ist. Entsprechend ist die Bewegungsrichtung des aktivierten Beschichtungsmaterials 32 durch das von den Plasmaquellen 160 emittierten Plasma weniger betroffen. Daher ist es gemäß dieser Modifikation möglich, das Beschichtungsmaterial 32 an der richtigen Stelle und in der richtigen Menge abzulagern, da die Spritzrichtung stabil ist. Ferner ist es möglich, Ungleichheiten der Aktivierung des Beschichtungsmaterials 32 zu reduzieren, da die Plasmaquellen 160 an den rotationssymmetrischen Positionen bezüglich der Achse der Spritzdüse 150 angeordnet sind.In the second illustrative aspect, the plasma 33 is generated by the single plasma source 160 . However, the plasma 33 can be generated by two or more plasma sources. For example, the second illustrative aspect can be modified in such a way that the coating material 31 is activated by being exposed to the plasma sources 160 which, as in FIG 4A and 4B 1, located at four different locations, is exposed to emitted plasma 33 before the coating material 31 atomized by the spray nozzle 150 is deposited on the surface of the circuit component 20. FIG. In this modification, the plasma sources 160 are arranged at 90-degree intervals around the axis of the spray nozzle 150, and these four plasma sources 160 emit the plasma 33 at the same flow rate, so that the vector sum of the currents of the plasmas 33 emitted from the four plasma sources 160 are parallel to the vector of the spraying direction of the coating material 31 . Correspondingly, the direction of movement of the activated coating material 32 is less affected by the plasma emitted from the plasma sources 160 . Therefore, according to this modification, since the spraying direction is stable, it is possible to deposit the coating material 32 at the right place and in the right amount. Further, since the plasma sources 160 are disposed at the rotationally symmetrical positions with respect to the axis of the spray nozzle 150, it is possible to reduce unevenness in the activation of the coating material 32 .

Bei der vorstehenden Modifikation ist die Anzahl der Plasmaquellen 160 gleich vier. Jedoch kann die Anzahl der Plasmaquellen 160 eine andere Zahl als vier sein, falls diese zwei oder mehr ist. Die Gestaltung der Plasmaquellen 160 und die Strömungsgeschwindigkeit des Plasmas 33 kann auf einer Einzelfall-Basis ermittelt werden.In the above modification, the number of plasma sources 160 is four. However, the number of the plasma sources 160 may be a number other than four if it is two or more. The design of the plasma sources 160 and the flow rate of the plasma 33 can be determined on a case-by-case basis.

Der zweite erläuternde Aspekt und dessen Modifikation kann nach dem Vorheiz-Schritt und vor dem Beschichtungsschritt, wie bei dem ersten erläuternden Aspekt, mit einem Schritt des Reinigens und Aktivierens der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung des durch die Plasmaquelle oder -quellen 160 erzeugten Plasmas 33 vorgesehen sein.The second illustrative aspect and its modification may, after the preheating step and before the coating step, as in the first illustrative aspect, include a step of cleaning and activating the surface of the circuit component 20 using the plasma generated by the plasma source or sources 160 33 be provided.

Dritter erläuternder AspektThird explanatory aspect

Nachfolgend ist ein dritter erläuternder Aspekt der vorliegenden Offenbarung mit Bezug auf 5 und 6 beschrieben. Bei den vorstehenden Aspekten wird der Vorheiz-Schritt vor dem Beschichtungsschritt durchgeführt. Bei dem dritten erläuternden Aspekt wird die Schaltkreiskomponente 20 nicht nur bei dem Vorheiz-Schritt, sondern auch bei dem Beschichtungsschritt erwärmt. Ferner ist der dritte erläuternde Aspekt mit einem Halb-Aushärt-Schritt des Erwärmens der Schaltkreiskomponente 20 vorgesehen, um den Beschichtungsfilm 30 nach dem Beschichtungsschritt und vor dem Formschritt in einen halb gehärteten Zustand zu bringen.The following is a third illustrative aspect of the present disclosure with reference to FIG 5 and 6 described. In the above aspects, the preheating step is performed before the coating step. In the third explanatory aspect, the circuit component 20 is heated not only in the preheating step but also in the coating step. Further, the third explanatory aspect is provided with a semi-curing step of heating the circuit component 20 to bring the coating film 30 into a semi-cured state after the coating step and before the molding step.

Zunächst wird der Aufbau einer durch das Verfahren gemäß dem dritten erläuternden Aspekt hergestellten Packung 10 erläutert.First, the structure of a package 10 manufactured by the method according to the third illustrative aspect will be explained.

Wie die durch das Verfahren gemäß dem ersten erläuternden Aspekt hergestellte Packung 10 enthält die in 5 gezeigte Packung 10, welche durch das Verfahren gemäß dem dritten erläuternden Aspekt hergestellt wird, die Schaltkreiskomponente 20, den Beschichtungsfilm 30, welcher auf wenigstens einem Teil der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 ausgebildet ist, und das Formharz 40, welches die mit dem Beschichtungsfilm 30 bedeckte Schaltkreiskomponente 20 integral abdichtet, wobei der Teil der Oberfläche der Schaltkreiskomponente 20 dem Formharz 40 gegenliegt.Like the pack 10 produced by the method according to the first illustrative aspect, the 5 shown package 10 manufactured by the method according to the third illustrative aspect, the circuit component 20, the coating film 30 formed on at least a part of the surface of the circuit component 20, and the molding resin 40 forming the circuit component covered with the coating film 30 20 integrally seals with the part of the surface of the circuit component 20 facing the molding resin 40 .

Die Schaltkreiskomponente 20 enthält als deren Teile den elektronischen Teil 21, wie einen IC-Chip, die Insel 22, auf welcher der elektronische Teil 21 angehaftet ist, die Leiter 23 als externe Verbindungsanschlüsse und die Verbindungsdrähte 24, welche den elektronischen Teil 21 mit den Leitern 23 elektrisch verbinden. Bei diesem erläuternden Aspekt enthält die Schaltkreiskomponente 20 ferner eine wärmeableitende Platte 25, welche auf der Oberfläche der Insel 22, auf der Seite gegenüber dem elektronischen Teil 21, vorgesehen ist. Die wärmeableitende Platte 25 ist auf der Insel 22 angehaftet. Die Oberfläche der wärmeableitenden Platte 25 gegenüberliegend der Insel 22 (diese Oberfläche wird nachfolgend als die Rückseite bezeichnet) wird dem Formharz 40 ausgesetzt.The circuit component 20 includes, as its parts, the electronic part 21 such as a IC chip, the island 22 on which the electronic part 21 is adhered, the leads 23 as external connection terminals, and the connecting wires 24 electrically connecting the electronic part 21 to the leads 23. In this illustrative aspect, the circuit component 20 further includes a heat-dissipating plate 25 provided on the surface of the island 22 on the side opposite to the electronic part 21 . The heat dissipating plate 25 is adhered on the island 22 . The surface of the heat dissipating plate 25 opposite to the island 22 (this surface is hereinafter referred to as the back) is exposed to the molding resin 40. FIG.

Der elektronische Teil 21, die Insel 22, die Verbindungsdrähte 24, die inneren Leiter 23a, welche Abschnitte der Leiter 23 zur Verbindung mit den Verbindungsdrähten 24 sind, und ein Teil der wärmeableitenden Platte 24, ausgenommen die Rückseite, sind mit dem Formharz 40 bedeckt. Der Beschichtungsfilm 30 ist auf diesen Teilen bei deren Abschnitten, welche dem Formharz 40 gegenüberstehen, ausgebildet.The electronic part 21, the island 22, the connecting wires 24, the inner leads 23a which are portions of the leads 23 to be connected to the connecting wires 24, and a part of the heat dissipating plate 24 except the back side are covered with the molding resin 40. The coating film 30 is formed on these parts at their portions which face the molding resin 40 .

Nachfolgend wird ein Verfahren zum Herstellen der Packung 10 gemäß diesem dritten erläuternden Aspekt beschrieben.A method of manufacturing the package 10 according to this third illustrative aspect will be described below.

Obwohl in den Abbildungen nicht gezeigt, wird die Schaltkreiskomponente 20 durch Formmontage des elektronischen Teils 21 auf der Insel 22 und anschließendes elektrisches Verbinden des elektronischen Teils 21 und der Leiter 23 eines Leitungsrahmens durch die Verbindungsdrähte 24 miteinander hergestellt. Danach wird die wärmeableitenden Platte 25 auf der Oberfläche der Insel 22, auf der Seite gegenüberliegend dem elektronischen Teil 21, angehaftet. Im Übrigen kann der Zeitpunkt des Anhaftendes der wärmeableitenden Platte 25 vor oder nach dem Zeitpunkt stattfinden, bei dem der elektronische Teil 21 und die Leiter 23 durch die Verbindungsdrähte 24 miteinander verbunden werden.Although not shown in the figures, the circuit component 20 is manufactured by mold-mounting the electronic part 21 on the island 22 and then electrically connecting the electronic part 21 and leads 23 of a lead frame by the bonding wires 24 to each other. Thereafter, the heat-dissipating plate 25 is adhered on the surface of the island 22 on the side opposite to the electronic part 21. FIG. Incidentally, the timing of the adhering end of the heat dissipation plate 25 may be before or after the timing at which the electronic part 21 and the leads 23 are connected to each other by the bonding wires 24 .

Nachfolgend wird, wie in 6A gezeigt ist, die Schaltkreiskomponente 20, welche mit der wärmeableitenden Platte 25 integriert ist, auf eine heiße Platte 170 gesetzt, so dass die Rückseite der wärmeableitenden Platte 25 in Kontakt mit der heißen Platte 170 steht. In diesem Zustand wird der Vorheiz-Schritt unter Verwendung der heißen Platte 170 durchgeführt.In the following, as in 6A As shown, the circuit component 20 integrated with the heat-dissipating plate 25 is placed on a hot plate 170 so that the back of the heat-dissipating plate 25 is in contact with the hot plate 170. FIG. In this state, the preheating step using the hot plate 170 is performed.

Nachfolgend wird der Beschichtungsschritt in einem Zustand durchgeführt, bei dem die Temperatur der Schaltkreiskomponente 20 durch den Vorheiz-Schritt erhöht ist. Bei diesem Beschichtungsschritt wird der Beschichtungsfilm 30 durch Erwärmen der Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung der heißen Platte 170 ausgebildet, um die Temperatur der Schaltkreiskomponente 20 höher zu halten, als diese vor dem Vorheiz-Schritt, wie in 6B gezeigt ist.Subsequently, the coating step is performed in a state where the temperature of the circuit component 20 is increased by the preheating step. In this coating step, the coating film 30 is formed by heating the circuit component 20 using the hot plate 170 to keep the temperature of the circuit component 20 higher than that before the preheating step as shown in FIG 6B is shown.

Nachfolgend wird der Halb-Aushärt-Schritt unter Verwendung der heißen Platte 170 durchgeführt, um die Schaltkreiskomponente 20 von der Seite der wärmeableitenden Platte 25 zu erwärmen, um den bei dem Beschichtungsschritt ausgebildeten Beschichtungsfilm 30 halb auszuhärten, wie in 6C gezeigt ist.Subsequently, the half-curing step is performed using the hot plate 170 to heat the circuit component 20 from the heat-dissipating plate 25 side to half-cure the coating film 30 formed in the coating step, as shown in FIG 6C is shown.

Nachfolgend wird, wie in 6D gezeigt ist, der Formschritt unter Verwendung des Transfer-Formverfahrens durchgeführt, um die mit dem Beschichtungsfilm 30 beschichtete Schaltkreiskomponente 20 integral mit dem Formharz 40, wie einem Epoxidharz, abzudichten. Durch Wärmeaufbringung bei diesem Formschritt wird der Beschichtungfilm 30 vollständig ausgehärtet. Danach werden unnötige Abschnitte des Leitungsrahmens entfernt und die Leiter 2 werden gebogen, um die in 5 gezeigte Packung 10 zu vervollständigen.In the following, as in 6D As shown, the molding step is performed using the transfer molding method to seal the circuit component 20 coated with the coating film 30 integrally with the molding resin 40 such as an epoxy resin. By applying heat in this molding step, the coating film 30 is fully cured. After that, unnecessary portions of the lead frame are removed, and the leads 2 are bent to form the in 5 to complete pack 10 shown.

Nachfolgend werden Vorteile des Packungsherstellungsverfahren dieses erläuternden Aspekts erläutert.Advantages of the package manufacturing method of this explanatory aspect are explained below.

Wie in 6A gezeigt ist, wird auch bei diesem erläuternden Aspekt der Vorheiz-Schritt durchgeführt, um die Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung der heißen Platte 170 zu erwärmen. Entsprechend ist es in ähnlicher Weise zu dem ersten erläuternden Aspekt gemäß diesem erläuternden Aspekt möglich, die Haftfestigkeit zwischen dem bei dem Beschichtungsschritt ausgebildeten Beschichtungsfilm 30 und der Schaltkreiskomponente 20 zu erhöhen.As in 6A 1, the preheating step is performed to heat the circuit component 20 using the hot plate 170 in this illustrative aspect as well. Accordingly, similarly to the first illustrative aspect, according to this illustrative aspect, it is possible to increase the adhesive strength between the coating film 30 formed in the coating step and the circuit component 20 .

Wie in 6B gezeigt ist, wird bei diesem erläuternden Aspekt der Beschichtungsfilm 30 ausgebildet, während die Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung der heißen Platte 170 bei dem Beschichtungsschritt erwärmt wird. Die Haftungs-Reaktion des Beschichtungsmaterials 32 an der Schaltkreiskomponente 20 steigt im Vergleich zu dem Fall, bei dem der Beschichtungsschritt ohne Erwärmen der Schaltkreiskomponente 20 durchgeführt wird. Daher kann gemäß diesem erläuternden Aspekt die Haftfestigkeit zwischen dem bei dem Beschichtungsschritt ausgebildeten Beschichtungsfilm 30 und der Schaltkreiskomponente 20 erhöht werden.In this explanatory aspect, as shown in FIG. 6B, the coating film 30 is formed while the circuit component 20 is heated using the hot plate 170 in the coating step. The adhesion reaction of the coating material 32 to the circuit component 20 increases compared to the case where the coating step is performed without heating the circuit component 20. Therefore, according to this explanatory aspect, the adhesive strength between the coating film 30 formed in the coating step and the circuit component 20 can be increased.

Wie in 6C gezeigt ist, wird bei diesem erläuternden Aspekt der Halb-Aushärt-Schritt nach dem Beschichtungsschritt und vor dem Formschritt durchgeführt, um den Beschichtungsfilm 30 halb auszuhärten. Dies ermöglicht es, die Haftungs-Reaktion zwischen dem Beschichtungsfilm 30 und der Schaltkreiskomponente 20 im Vorhinein zu fördern, vor der Formschritt durchgeführt wird, um die Schaltkreiskomponente 20 abzudichten. Entsprechend kann gemäß diesem erläuternden Aspekt die Handhabbarkeit im Vergleich zu einem Fall, bei dem der Halb-Aushärt-Schritt nicht durchgeführt wird, erhöht werden. Ferner kann die Haftfestigkeit zwischen dem Beschichtungsfilm 30 und dem Formharz 40 bei dem Formschritt erhöht werden, da der Beschichtungsfilm 30 nicht völlig ausgehärtet ist, sondern in dem halb ausgehärteten Zustand gehalten wird.As in 6C 1, in this explanatory aspect, the semi-curing step is performed after the coating step and before the molding step to semi-cure the coating film 30. FIG. This enables the adhesion reaction between the coating film 30 and the Circuit component 20 to be conveyed in advance before the molding step is performed to seal the circuit component 20. Accordingly, according to this explanatory aspect, workability can be increased compared to a case where the half-curing step is not performed. Further, the adhesive strength between the coating film 30 and the molding resin 40 in the molding step can be increased since the coating film 30 is not fully cured but is kept in the semi-cured state.

Das Verfahren zum Ausbilden des Beschichtungsfilms 30 bei dem bei dem dritten erläuternden Aspekt eingesetzten Beschichtungsschritt ist gleich diesem, welcher bei dem zweiten erläuternden Aspekt eingesetzt wird. Jedoch kann der dritte erläuternde Aspekt das in dem ersten erläuternden Aspekt oder das bei der Modifikation des zweiten erläuternden Aspekts eingesetzte Verfahren einsetzen, um den Beschichtungsfilm auszubilden.The method of forming the coating film 30 in the coating step employed in the third illustrative aspect is the same as that employed in the second illustrative aspect. However, the third illustrative aspect may employ the method employed in the first illustrative aspect or the method adopted in the modification of the second illustrative aspect to form the coating film.

Bei dem dritten erläuternden Aspekt wird die Schaltkreiskomponente 20 während dem Vorheiz-Schritt in Kontakt mit der heißen Platte 170 gehalten. Jedoch kann die Schaltkreiskomponente 20 während dem Vorheiz-Schritt ohne Kontakt mit der heißen Platte 170 gehalten werden. Ferner kann als ein Erwärmungs-Werkzeug, um die Schaltkreiskomponente 20 zu erwärmen, anstatt der heißen Platte 170 ein Konstant-Temperatur-Bad verwendet werden. Ferner kann der Vorheiz-Schritt weggelassen werden.In the third illustrative aspect, the circuit component 20 is kept in contact with the hot plate 170 during the preheating step. However, the circuit component 20 can be kept out of contact with the hot plate 170 during the preheating step. Further, as a heating tool to heat the circuit component 20, instead of the hot plate 170, a constant temperature bath may be used. Furthermore, the preheating step can be omitted.

Bei dem dritten erläuternden Aspekt wird während dem Beschichtungsschritt der Halb-Aushärt-Schritt durchgeführt, um den Beschichtungsfilm 30 durch Erwärmen des Beschichtungsfilms 30 unter Verwendung der heißen Platte 170 halb auszuhärten. Jedoch kann der dritte erläuternde Aspekt dahingehend modifiziert werden, dass lediglich der Erwärmungsschritt oder der Halb-Aushärt-Schritt, welche in dem Beschichtungsschritt enthalten sind, durchgeführt wird.In the third explanatory aspect, during the coating step, the half-curing step is performed to half-cure the coating film 30 by heating the coating film 30 using the hot plate 170 . However, the third explanatory aspect may be modified such that only the heating step or the half-curing step included in the coating step is performed.

Bei dem dritten erläuternden Aspekt wird die Schaltkreiskomponente 20 bei dem Halb-Aushärt-Schritt unter Verwendung der heißen Platte 170 von der Seite der wärmeableitenden Platte 25 erwärmt. Jedoch kann die Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung von Plasma oder UV-Licht anstatt der heißen Platte oder des Konstant-Temperatur-Bades erwärmt werden. In diesem Fall kann die Handhabbarkeit erhöht werden, da lediglich die Oberfläche des Beschichtungsfilms 30 in einer kurzen Zeit halb ausgehärtet wird. Im Übrigen kann in einem Fall, bei dem die Schaltkreiskomponente 20 unter Verwendung von UV-Licht erwärmt wird, die bei dem Beschichtungsschritt verwendete Plasmaquelle 160 verwendet werden.In the third explanatory aspect, the circuit component 20 is heated by using the hot plate 170 from the heat dissipating plate 25 side in the half-curing step. However, the circuit component 20 can be heated using plasma or UV light instead of the hot plate or constant temperature bath. In this case, since only the surface of the coating film 30 is half-cured in a short time, workability can be increased. Incidentally, in a case where the circuit component 20 is heated using UV light, the plasma source 160 used in the coating step can be used.

Bei den vorstehenden erläuternden Aspekten sind der elektronische Teil 31 und die Leiter 23 durch die Verbindungsdrähte 24 miteinander verbunden. Jedoch können der elektronische Teil 31 und die Leiter 23 durch Höcker miteinander verbunden sein.In the above illustrative aspects, the electronic part 31 and the conductors 23 are connected to each other by the connecting wires 24 . However, the electronic part 31 and the conductors 23 may be connected to each other by bumps.

Erste Ausführungsform der vorliegenden ErfindungFirst embodiment of the present invention

7 ist eine Querschnittsansicht einer Einlage-Formvorrichtung als eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Die Einlage-Formvorrichtung ist mit einer Form 10 vorgesehen. Die Form 10 enthält einen oberen Formteil 101 und einen unteren Formteil 102, welche einen Hohlraum 11 (ein Innenraum mit einer Gestalt eines zu formenden Teils) dazwischen ausbilden. 7 Fig. 12 is a cross-sectional view of an insert molding apparatus as a first embodiment of the present invention. The insert molding device is provided with a mold 10 . The mold 10 includes an upper mold 101 and a lower mold 102, which form a cavity 11 (an inner space having a shape of a part to be molded) therebetween.

Obwohl in den Abbildungen nicht gezeigt, ist die Form 10 mit einem Kolben zum unter Druck setzen und Zuführen eines geschmolzenen Harzes (ein geschmolzenes Material) in den Hohlraum 11 verbunden. Ferner ist die Form 10 mit einem Einlauf zum Einführen des geschmolzenen Harzes in den Hohlraum 11 und einem Erwärmer zum Anpassen der Temperatur des Hohlraumes 11 vorgesehen.Although not shown in the figures, the mold 10 is connected to a piston for pressurizing and feeding a molten resin (a molten material) into the cavity 11 . Further, the mold 10 is provided with a gate for introducing the molten resin into the cavity 11 and a heater for adjusting the temperature of the cavity 11.

Der obere Formteil 101 ist mit Bolzenlöchern 101a ausgebildet, durch welche Freigabebolzen (Impuls-Bolzen) 12 eingeführt sind. Der untere Formteil 102 ist mit Bolzenlöchern 102a ausgebildet, durch welche Freigabebolzen (Auswerfer-Bolzen) 13 eingeführt sind.The upper mold part 101 is formed with bolt holes 101a through which release bolts (impulse bolts) 12 are inserted. The lower mold part 102 is formed with bolt holes 102a through which release bolts (ejector bolts) 13 are inserted.

Die Freigabebolzen 12 und 13 und die Bolzenlöcher 101a und 102a sind über den Hohlraum 11 verteilt. Die Freigabebolzen 12 werden durch eine Bolzen-Antriebsvorrichtung 14 angetrieben. Die Freigabebolzen 13 werden durch eine Bolzen-Antriebsvorrichtung 15 angetrieben.The release bolts 12 and 13 and the bolt holes 101a and 102a are distributed over the cavity 11. FIG. The release bolts 12 are driven by a bolt driving device 14 . The release bolts 13 are driven by a bolt driving device 15 .

Der obere Formteil 101 ist mit Plasmakammern 16 vorgesehen, welche die Freigabebolzen 12 als Plasmaelektroden verwenden. Der untere Formteil 102 ist mit Plasmakammern 17 vorgesehen, welche die Freigabebolzen 13 als Plasmaelektroden verwenden.The upper mold part 101 is provided with plasma chambers 16 using the release pins 12 as plasma electrodes. The lower mold part 102 is provided with plasma chambers 17 using the release pins 13 as plasma electrodes.

Die Freigabebolzen 12 und 13 sind mit einer Elektrode einer Plasma-Leistungszuführung 180 verbunden, welche mit der Form 10 an der anderen Elektrode davon verbunden ist. Die Plasmakammern 16 und 17 sind mit der Form 10 elektrisch verbunden. Das heißt, die Form 10 bildet eine Gegenelektrode bezüglich den Freigabebolzen 12 und 13.The release pins 12 and 13 are connected to one electrode of a plasma power lead 180 which is connected to the mold 10 at the other electrode thereof. The plasma chambers 16 and 17 are connected to the mold 10 electrically. That is, the mold 10 forms a counter-electrode with respect to the release pins 12 and 13.

Eine Isolationsdichtung 19 ist bei einem Gleitabschnitt zwischen jeder Plasmakammer 16 unter jedem Freigabebolzen 12 vorgesehen. Eine Isolationsdichtung 20 ist zwischen jeder Plasmakammer 17 und jedem Freigabebolzen 13 vorgesehen.An isolation seal 19 is provided at a sliding portion between each plasma chamber 16 under each release bolt 12 . One Isolation seal 20 is provided between each plasma chamber 17 and each release bolt 13 .

Das Bolzenloch 101a jeder Plasmakammer 101a dient als ein Plasma-Emissions-Loch. Das Bolzenloch 102a jeder Plasmakammer 102a dient als ein Plasma-Emissions-Loch. Entsprechend besitzt jedes der Plasmalöcher 101a und 102a eine derartige Gestalt, dass deren Innendurchmesser an der Seite des Hohlraumes 11 gleich dem Außendurchmesser des Spitzenendes der Freigabebolzen 12 und 13 ist, und deren Durchmesser an der Seite, gegenüberliegend des Hohlraumes 11, größer als der Außendurchmesser des Spitzenendes der Freigabebolzen 12 und 13 ist.The bolt hole 101a of each plasma chamber 101a serves as a plasma emission hole. The bolt hole 102a of each plasma chamber 102a serves as a plasma emission hole. Accordingly, each of the plasma holes 101a and 102a has such a shape that its inner diameter on the cavity 11 side is equal to the outer diameter of the tip end of the release bolts 12 and 13, and its diameter on the side opposite to the cavity 11 is larger than the outer diameter of the Tip end of the release pins 12 and 13 is.

Jede Plasmakammer 16 des oberen Formteils 101 ist mit einer Gasleitung 21 verbunden, durch welche ein inaktives Gas (ein Ar-Gas in dieser Ausführungsform), ein Form-Reformierungs-Gas (ein CF4-Gas in dieser Ausführungsform) und ein Reaktions-aktivierendes Gas (ein H2-Gas in dieser Ausführungsform) darin eingebracht werden.Each plasma chamber 16 of the upper mold 101 is connected to a gas line 21 through which an inactive gas (an Ar gas in this embodiment), a shape reforming gas (a CF4 gas in this embodiment) and a reaction activating gas (an H2 gas in this embodiment) are introduced therein.

Obwohl in den Abbildungen nicht gezeigt, ist außerdem jede Plasmakammer 17 des unteren Formteils 102 mit der Gasleitung verbunden, durch welche das inaktive Gas, das Form-Reformierungs-Gas und das Reaktions-aktivierende Gas darin eingeführt werden.In addition, although not shown in the figures, each plasma chamber 17 of the lower mold part 102 is connected to the gas line through which the inactive gas, the mold-reforming gas and the reaction-activating gas are introduced thereinto.

Die Bolzen-Antriebsvorrichtungen 14 und 15 können die Freigabebolzen 12 und 13 auf eine Position einer Plasma-Emissions-Position, einer Form-Position bzw. einer Freigabe-Position einstellen.The bolt driving devices 14 and 15 can adjust the release bolts 12 and 13 to a position of a plasma emission position, a molding position, and a release position, respectively.

Bei der Plasma-Emissions-Position werden die Spitzenenden der Freigabebolzen 12 und 13 von der Hohlraum-Oberfläche (Formoberfläche) zurückgezogen, so dass die Bolzenlöcher 101a und 102a (Plasma-Emissions-Löcher) geöffnet sind.At the plasma emission position, the tip ends of the release bolts 12 and 13 are retreated from the cavity surface (mold surface) so that the bolt holes 101a and 102a (plasma emission holes) are opened.

Bei der Form-Position sind die Spitzenenden der Freigabebolzen 12 und 13 etwa bündig mit der Hohlraum-Oberfläche (Formoberfläche), so dass die Bolzenlöcher 101a und 102a (Plasma-Emissions-Löcher) verschlossen sind.At the molding position, the tip ends of the release bolts 12 and 13 are approximately flush with the cavity surface (mold surface) so that the bolt holes 101a and 102a (plasma emission holes) are closed.

Bei der Freigabe-Position stehen die Spitzenenden der Freigabebolzen 12 und 13 von der Hohlraum-Oberfläche (Formoberfläche) über.At the release position, the tip ends of the release pins 12 and 13 protrude from the cavity surface (mold surface).

Die Plasma-Leistungszuführung 18 ist vorzugsweise eine Nano-Mikro-Impuls-Leistungszuführung zum Erzeugen eines Atmosphärendruck-Plasmas. In einem Fall, bei dem der Hohlraum vakuumiert werden kann, nachdem die Form geschlossen ist, kann eine DC-Leistungszuführung oder eine AC-Leistungszuführung als die Plasma-Leistungszuführung 18 verwendet werden.The plasma power supply 18 is preferably a nano-micro pulse power supply for generating an atmospheric pressure plasma. In a case where the cavity can be vacuumed after the mold is closed, a DC power supply or an AC power supply can be used as the plasma power supply 18 .

8 ist ein Flussdiagramm, welches ein Einlage-Formverfahren zeigt, welches unter Verwendung der in 7 gezeigten Einlage-Formvorrichtung durchgeführt wird. Dieses Einlage-Formverfahren beginnt bei Schritt S1 (Form-Schließ-Schritt), bei dem die Form 10 in einem Zustand geschlossen ist, bei dem sich die Freigabebolzen 12 und 13 in der Plasma-Emissions-Position befinden. 8th Fig. 12 is a flow chart showing an insert molding method using the in 7 insert molding apparatus shown is performed. This insert molding process starts from step S1 (mold closing step) in which the mold 10 is closed in a state where the release pins 12 and 13 are in the plasma emitting position.

Nachfolgend schreitet das Verfahren zu Schritt S2 (ein Form-Reformierungs-Schritt und eine Plasma-Emissions-Schritt) voran, bei dem ein Form-Reformierungs-Plasma emittiert wird. Insbesondere wird auf die Freigabebolzen 12 und 13 ein elektrisches Feld unter Verwendung der Plasma-Leistungsquelle 18 angewendet, während Ar-Gas als ein inaktives Gas in die Plasmakammern 16 und 17 eingeführt wird. Folglich wird ein Atmosphärendruck-Plasma erzeugt. Nachdem die Erzeugung des Atmosphärendruck-Plasmas stabil wird, wird ein CF4-Gas als ein Form-Reformierungs-Gas zusätzlich zu dem Ar-Gas eingeführt. Folglich werden Fluor-Radikale erzeugt.Subsequently, the process proceeds to step S2 (a shape-reforming step and a plasma-emitting step), at which a shape-reforming plasma is emitted. Specifically, an electric field is applied to the release bolts 12 and 13 using the plasma power source 18 while Ar gas is introduced into the plasma chambers 16 and 17 as an inactive gas. Consequently, an atmospheric pressure plasma is generated. After the generation of the atmospheric-pressure plasma becomes stable, a CF4 gas is introduced as a shape-reforming gas in addition to the Ar gas. Consequently, fluorine radicals are generated.

Die Fluor-Radikale spritzen durch die Bolzenlöcher 101a und 102a (Plasma-Emissions-Löcher) über den Hohlraum 11 und infolgedessen ist die Hohlraum-Oberfläche (Form-Oberfläche) fluoriert. Zu diesem Zeitpunkt kann das Form-Reformierungs-Gas ein anderes Gas als das CF4-Gas sein, falls Fluor-Radikale durch das Plasma erzeugt werden, um Eisenelemente, welche eine Hauptkomponente der Form sind, zu fluorieren.The fluorine radicals splash through the bolt holes 101a and 102a (plasma emission holes) over the cavity 11, and as a result, the cavity surface (mold surface) is fluorinated. At this time, the mold reforming gas may be a gas other than the CF4 gas if fluorine radicals are generated by the plasma to fluorinate iron elements which are a main component of the mold.

Beispielsweise kann das Form-Reformierungs-Gas ein Fluorkohlenstoff enthaltendes Gas, wie C2F6 oder C3F8-Gas, oder ein HF-Gas, oder ein fluoriertes Kohlenwasserstoff enthaltendes Gas, wie SF6 oder SiF4a-Gas, oder ein Fluor enthaltendes Gas, wie SF6 oder SiF4-Gas, oder ein Stickstoff-Fluor enthaltendes Gas, wie ein NF3-Gas sein. Um die Reaktion von Eisen-Fluor zu fördern, kann die Form 10 auf die Temperatur von 100 bis 600 Grad erwärmt werden.For example, the shape-reforming gas may be a fluorocarbon-containing gas such as C2F6 or C3F8 gas, or an HF gas, or a fluorinated hydrocarbon-containing gas such as SF6 or SiF4a gas, or a fluorine-containing gas such as SF6 or SiF4 -gas, or a nitrogen-fluorine containing gas such as a NF3 gas. In order to promote the ferrous-fluorine reaction, the mold 10 can be heated to the temperature of 100 to 600 degrees.

Die Zeitphase um das Plasma zu emittieren hängt von dem Material des Harzes und der Gestalt der Form ab. Jedoch ist es vorzuziehen, das Plasma innerhalb von 10 Sekunden (bevorzugter innerhalb von 3 Sekunden) während einer Zeitphase zu emittieren, um zu warten, bis die Temperatur des Kolbens im Inneren, wo eine Harz-Tafel angeordnet ist, stabil wird.The timing to emit the plasma depends on the material of the resin and the shape of the mold. However, it is preferable to emit the plasma within 10 seconds (more preferably within 3 seconds) during a time period to wait until the temperature of the bulb inside where a resin panel is placed becomes stable.

Es ist vorzuziehen, das Form-Reformierungs-Plasma für jeden Formvorgang zu emittieren. Jedoch kann das Form-Reformierungs-Plasma auf einmal für mehrere Formvorgänge emittiert werden, falls die Freigabe-Wirkung über diese Phase sichergestellt werden kann.It is preferable to emit the mold reforming plasma for each molding process. However, the shape-reforming plasma can be emitted at once for plural moldings if the releasing effect can be secured over this stage.

Nach dem Abschluss von Schritt S2 wird die Form 10 bei Schritt S3 geöffnet. Nachfolgend wird ein Einlegeteil 1 in die Form 10 eingelegt und dann die Form 10 in Schritt S5 (ein Einlegeteil-Einlege-Schritt) erneut geschlossen.After the completion of step S2, the mold 10 is opened at step S3. Subsequently, an insert 1 is set in the mold 10, and then the mold 10 is closed again in step S5 (an insert setting step).

Nachfolgend wird in Schritt S6 (Reaktions-Aktivierungs-Schritt und ein Plasma-Emissions-Schritt) ein Reaktions-Aktivierungs-Plasma emittiert. Insbesondere wird ein durch die Plasma-Leistungsquelle 18 erzeugtes elektrisches Feld auf die Freigabebolzen 12 und 13 angewendet, während das Ar-Gas als ein inaktives Gas in die Plasmakammern 16 und 17 eingeführt wird. Infolgedessen wird ein Atmosphärendruck-Plasma erzeugt.Subsequently, in step S6 (reaction activation step and a plasma emission step), a reaction activation plasma is emitted. Specifically, an electric field generated by the plasma power source 18 is applied to the release bolts 12 and 13 while the Ar gas is introduced into the plasma chambers 16 and 17 as an inactive gas. As a result, atmospheric-pressure plasma is generated.

Nachdem die Erzeugung des Atmosphärendruck-Plasmas stabil wird, wird ein H2-Gas als ein Reaktions-aktivierendes Gas zusätzlich zu dem Ar-Gas eingeführt. Infolgedessen wird die Oberfläche des Einlegeteils 1 reduziert. Das Reaktions-aktivierende Gas kann ein anderes Gas als H2-Gas sein.After the generation of the atmospheric-pressure plasma becomes stable, an H 2 gas is introduced as a reaction-activating gas in addition to the Ar gas. As a result, the surface area of the insert 1 is reduced. The reaction activating gas may be gas other than H2 gas.

Wenn es beispielsweise vorzuziehen ist, die Oberfläche des Einlegeteils 1 zum Verbessern der Haftung zwischen dem Metall und dem Harz zu reduzieren, kann ein Gas von NH3, N2, N2H4, NH (CH3) 2 oder N2H3CH3 als das Reaktions-aktivierende Gas verwendet werden. Wenn es vorzuziehen ist, dass zwischen dem Metall und dem Harz ein Kopplungseffekt besteht, kann einen Silan-enthaltendes Gas, wie ein SiH3CH3-Gas als das Reaktions-aktivierende Gas verwendet werden.For example, when it is preferable to reduce the surface area of the insert 1 to improve the adhesion between the metal and the resin, a gas of NH3, N2, N2H4, NH(CH3)2 or N2H3CH3 can be used as the reaction activating gas. When it is preferable that there is a coupling effect between the metal and the resin, a silane-containing gas such as a SiH3CH3 gas can be used as the reaction-activating gas.

Nach dem Abschluss von Schritt S6 werden die Freigabebolzen 12 und 13 in Schritt S7 zu der Form-Position bewegt und in Schritt S8 (ein Formschritt) wird Formen ausgeführt. Insbesondere wird durch den Kolben 22 ein Druck auf ein geschmolzenes Harz aufgebracht, um das geschmolzene Harz in den Hohlraum 11 zu füllen, und das geschmolzene Harz wird dort gehärtet, wie in 9B gezeigt ist.After the completion of step S6, the release pins 12 and 13 are moved to the molding position in step S7, and molding is performed in step S8 (a molding step). Specifically, a pressure is applied to a molten resin by the plunger 22 to fill the molten resin into the cavity 11, and the molten resin is cured there, as in FIG 9B is shown.

Nachfolgend wird die Form 10 in Schritt S9 geöffnet und die Freigabebolzen 12 und 13 werden in Schritt S10 zu der Freigabe-Position bewegt, um das Formteil von der Form 10 zu lösen, wie in 9C gezeigt ist. Danach werden in Schritt S11 die Freigabebolzen 12 und 13 zu der Plasma-Emissions-Position bewegt. Durch Wiederholen der vorstehenden Schritte können wiederholend Spritzgussteile hergestellt werden.Subsequently, the mold 10 is opened in step S9 and the release pins 12 and 13 are moved to the release position in step S10 to release the molding from the mold 10, as in FIG 9C is shown. Thereafter, in step S11, the release pins 12 and 13 are moved to the plasma emission position. By repeating the above steps, injection molded parts can be produced repeatedly.

Gemäß dieser Ausführungsform ist es möglich, das Plasma auf die Hohlraum-Oberfläche (Formoberfläche) in dem Zustand aufzubringen, bei dem die Form 10 geschlossen ist, da die Bolzenlöcher 101a und 102a als die Plasma-Emissions-Löcher dienen. Entsprechend ist es gemäß dieser Ausführungsform möglich, die Formvorrichtung klein auszuführen, da der Betrag der Formöffnung klein eingestellt werden kann, und es ist möglich, die Reformierungs-Effizienz der Formoberfläche und die Reaktions-Aktivierungs-Effizienz eines Einlegeteils zu erhöhen, da Radikale daran gehindert werden können, von dem Hohlraum 11 heraus zu spritzen.According to this embodiment, since the bolt holes 101a and 102a serve as the plasma emission holes, it is possible to apply the plasma to the cavity surface (mold surface) in the state where the mold 10 is closed. Accordingly, according to this embodiment, it is possible to make the molding apparatus small since the amount of mold opening can be set small, and it is possible to increase the reforming efficiency of the mold surface and the reaction activation efficiency of an insert since radicals are prevented to squirt out from the cavity 11.

Ferner können die Effekte des Reformierens der Formfläche und der Reaktions-Aktivierung des Einlegeteils erhöht werden, da Reformieren der Formoberfläche und Reaktions-Aktivierung eines Einlegeteils unmittelbar vor dem Ausführen des Form-Betriebes durchgeführt werden können.Further, since reforming of the mold surface and reaction-activation of an insert can be performed immediately before performing the molding operation, the effects of reforming of the mold surface and reaction-activation of the insert can be increased.

Ferner kann die Formvorrichtung in dem Aufbau einfach ausgeführt sein, da die Freigabebolzen 12 und 13 als die Plasmaelektroden dienen.Further, since the release pins 12 and 13 serve as the plasma electrodes, the molding apparatus can be made simple in structure.

Im Übrigen ist es vorzuziehen, dass das von jedem Plasma-Emissions-Loch emittierte Plasma nicht direkt auf die Hohlraum-Oberfläche (Formoberfläche) und das Einlegeteil 1 aufgebracht wird.Incidentally, it is preferable that the plasma emitted from each plasma emission hole is not directly applied to the cavity surface (mold surface) and the insert 1 .

Wenn das Plasma emittiert wird, werden nicht nur Radikale, um die Reaktion zu fördern, sondern auch viele Ionen erzeugt. Entsprechend ist es vorzuziehen, wenn das Einlegeteil ein elektronisches Teil ist, um das elektronische Teil daran zu hindern durch die Ionen beschädigt zu werden, jedes Plasma-Emission-Loch derart anzuordnen, dass das emittierte Plasma das elektronische Teil nicht direkt trifft.When the plasma is emitted, not only radicals to promote the reaction but also many ions are generated. Accordingly, when the insert is an electronic part, in order to prevent the electronic part from being damaged by the ions, it is preferable to arrange each plasma emission hole such that the emitted plasma does not hit the electronic part directly.

Es ist ebenso vorzuziehen, den Weg, um das Plasma zu erzeugen, und die Dauer (Lebensdauer der Aktivierung) der Radikale durch Anpassen des durch die Plasma-Leistungsquelle 18 aufgebrachten elektrischen Feldes und den Druck des eingeführten Gases zu steuern, so dass sowohl das Reformieren der Formoberfläche als auch die Reaktions-Aktivierung eines Einlegeteils wirkungsvoll durchgeführt werden.It is also preferable to control the way to generate the plasma and the duration (lifetime of activation) of the radicals by adjusting the electric field applied by the plasma power source 18 and the pressure of the introduced gas so that both the reforming of the mold surface as well as the reaction activation of an insert can be effectively carried out.

Es ist beispielsweise vorzuziehen, das Plasma zum Reformieren der Formoberfläche diffus zu emittieren und das Plasma zur Aktivierungs-Reaktion eines Einlegeteils konvergent zu emittieren. Ferner ist es vorzuziehen, die Lebensdauer der Radikale zum Reformieren der Formoberfläche zu verlängern und die Lebensdauer der Radikale für die Aktivierungs-Reaktion des Einlegeteils zu verkürzen.For example, it is preferable to diffusely emit the plasma for reforming the mold surface and convergently emit the plasma for activation reaction of an insert. Further, it is preferable to prolong the lifetime of the radicals for reforming the mold surface and shorten the lifetime of the radicals for the activation reaction of the insert.

Zweite Ausführungsform der vorliegenden ErfindungSecond embodiment of the present invention

Nachfolgend ist eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. Bei der zweiten Ausführungsform wird eine dielektrische Barriereentladung (stille elektrische Entladung) verwendet, um das Plasma zu erzeugen. Die dielektrische Barriereentladung (stille elektrische Entladung) ist ein Verfahren, um ein Plasma durch Anwenden eines elektrischen Feldes auf ein Dielektrikum zu erzeugen, um Ladungen in dem Dielektrikum zu speichern und dann die gespeicherten Ladungen zu entladen. Dieses Verfahren ist als ein Verfahren zum Erzeugen eines Plasmas zum Fördern von chemischer Reaktion bekannt, da ein Strom lediglich intermittierend fließt und das erzeugte Plasma sich entsprechend nicht auf einer hohen Temperatur befindet.A second embodiment of the present invention is described below. In the second embodiment, a dielectric barrier discharge (silent electrical discharge) is used to generate the plasma. The dielectric Barrier discharge (silent electric discharge) is a method of generating a plasma by applying an electric field to a dielectric to store charges in the dielectric and then discharging the stored charges. This method is known as a method of generating a plasma for promoting chemical reaction, since a current only flows intermittently and the generated plasma is not at a high temperature accordingly.

In dieser Ausführungsform muss die Plasma-Leistungsquelle 18 nicht notwendigerweise eine spezialisierte Leistungsquelle, wie eine DC-Impuls-Leistungsquelle, sein. Diese kann eine gewöhnliche Hochfrequenz-Leistungsquelle sein. In dieser Ausführungsform müssen die Freigabebolzen 12 und 13, welche als die Plasmaelektroden dienen, durch Isolatoren 20 bzw. 21, wie Quarz oder Aluminium, bedeckt sein, wie in 10 gezeigt ist.In this embodiment, the plasma power source 18 does not necessarily have to be a specialized power source such as a DC pulse power source. This can be an ordinary high frequency power source. In this embodiment, the release pins 12 and 13 serving as the plasma electrodes must be covered by insulators 20 and 21, respectively, such as quartz or aluminum, as in FIG 10 is shown.

Andere Ausführungsformen der vorliegenden ErfindungOther embodiments of the present invention

Bei den vorstehenden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden die Bolzenlöcher 101a und 102a der Freigabebolzen 12 und 13 als Plasma-Emissions-Löcher verwendet. Jedoch kann das Loch für einen Schiebekern als das Plasma-Emissions-Loch verwendet werden. Ferner kann die Form 10 mit einem Loch ausgebildet sein, welches für die Plasma-Emission bestimmt ist.In the above embodiments of the present invention, the bolt holes 101a and 102a of the release bolts 12 and 13 are used as plasma emission holes. However, the hole for a slide core can be used as the plasma emission hole. Further, the mold 10 may be formed with a hole dedicated for plasma emission.

Bei den vorstehenden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung sind die Freigabe-Charakteristiken durch Florieren der Formoberfläche verbessert. Jedoch können die Freigabe-Charakteristiken unter Verwendung einer Siloxan-Behandlung durch Aufbringen von Silikon auf die Formoberfläche verbessert werden. In diesem Fall ist die freie Oberflächenenergie gering, da die Formoberfläche durch Methylgruppen bedeckt ist und entsprechend kann eine chemische Verbindung mit anderen Materialien unterdrückt werden.In the above embodiments of the present invention, the release characteristics are improved by flourishing the mold surface. However, the release characteristics can be improved using a siloxane treatment by applying silicone to the mold surface. In this case, since the mold surface is covered by methyl groups, the surface free energy is small, and accordingly chemical bonding with other materials can be suppressed.

Wenn die Formoberfläche mit Hilfe der Siloxan-Behandlung unter Verwendung anderer Stoffe als Silikon, beispielsweise Trimethylsilan oder Tetramethylsilan, behandelt ist, ist es möglich, einen Plasma-CVD-Prozess zu verwenden.When the mold surface is treated by the siloxane treatment using materials other than silicone, such as trimethylsilane or tetramethylsilane, it is possible to use a plasma CVD process.

Claims (8)

Formvorrichtung, aufweisend: eine Form (10) mit einem oberen Formteil (101) und einem unteren Formteil (102), welche einen Hohlraum (11) dazwischen bilden, und mit einem Einlauf zum Einführen geschmolzenen Harzes in den Hohlraum (11); eine Plasmaelektrode (12, 13) zum Erzeugen eines Plasmas; und einen Freigabebolzen (12, 13) zum Freigeben eines geformten Teils von der Form (10), wobei die Form (10) mit einem Plasma-Emissions-Loch (101a, 102a) ausgebildet ist, durch welches das zwischen der Plasmaelektrode (12, 13) und einer Gegenelektrode erzeugte Plasma in den Hohlraum (11) der Form (10) emittiert wird, und wobei die Form (10) mit einem Bolzenloch (101a, 102a) ausgebildet ist, in welches der Freigabebolzen eingeführt ist, wobei das Plasma-Emissions-Loch durch das Bolzenloch (101a, 102a) gebildet ist, und wobei die Plasmaelektrode durch den Freigabebolzen (12, 13) gebildet ist.Molding device comprising: a mold (10) having an upper mold (101) and a lower mold (102) forming a cavity (11) therebetween and a gate for introducing molten resin into the cavity (11); a plasma electrode (12, 13) for generating a plasma; and a release pin (12, 13) for releasing a molded part from the mold (10), wherein the mold (10) is formed with a plasma emission hole (101a, 102a) through which the plasma generated between the plasma electrode (12, 13) and a counter electrode is emitted into the cavity (11) of the mold (10). , and wherein the mold (10) is formed with a bolt hole (101a, 102a) into which the release bolt is inserted, the plasma emission hole being formed by the bolt hole (101a, 102a), and wherein the plasma electrode is formed by the release bolt (12, 13). Formvorrichtung nach Anspruch 1, ferner aufweisend eine Freigabebolzen-Antriebseinrichtung (14, 15), welche in der Lage ist, den Freigabebolzen (12, 13) auf eine ausgewählte Position einer Plasma-Emissions-Position, bei der das Bolzenloch (101a, 102a) nicht durch den Freigabebolzen (12, 13) verschlossen ist, eine Form-Position, bei der das Bolzenloch (101a, 102a) durch den Freigabebolzen (12, 13) verschlossen ist, und eine Freigabe-Position, bei welcher der Freigabebolzen (12, 13) von dem Bolzenloch (101a, 102a) in den Hohlraum (11) hineinragt, einzustellen.molding device claim 1 , further comprising a release bolt driving device (14, 15) capable of driving the release bolt (12, 13) to a selected position of a plasma emission position at which the bolt hole (101a, 102a) does not pass through the release bolt (12, 13) is closed, a mold position at which the bolt hole (101a, 102a) is closed by the release bolt (12, 13), and a release position at which the release bolt (12, 13) of the Bolt hole (101a, 102a) protrudes into the cavity (11) to adjust. Formvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Form (10) die Gegenelektrode bezüglich der Plasmaelektrode (12, 13) bildet.molding device claim 1 or 2 , wherein the mold (10) forms the counter-electrode with respect to the plasma electrode (12, 13). Verfahren zum Herstellen eines Formteils unter Verwendung der in einem der Ansprüche 1 bis 3 beschriebenen Formvorrichtung, aufweisend einen Plasma-Emissions-Schritt des Emittierens des Plasmas in den Hohlraum (11) durch das Bolzenloch (101a, 102a) als das Plasma-Emissions-Loch (101a, 102a) in einem Zustand, bei dem die Form (10) geöffnet ist.Method for producing a molded part using in one of Claims 1 until 3 A molding apparatus as described, comprising a plasma emission step of emitting the plasma into the cavity (11) through the bolt hole (101a, 102a) as the plasma emission hole (101a, 102a) in a state that the mold (10th ) is open. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Plasma-Emissions-Schritt einen Form-Reformierungs-Schritt des Emittierens eines Form-Reformierungs-Plasmas enthält, um die Oberfläche der Form (10) zu reformieren.procedure after claim 4 wherein the plasma emitting step includes a mold reforming step of emitting a mold reforming plasma to reform the surface of the mold (10). Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, wobei der Plasma-Emissions-Schritt einen Reaktions-Aktivierungs-Schritt des Emittierens eines Reaktions-Aktivierungs-Plasmas enthält, um eine Reaktion eines in den Hohlraum (11) eingesetzten Einlegeteils (1) zu aktivieren.procedure after claim 4 or 5 wherein the plasma emitting step includes a reaction activation step of emitting a reaction activation plasma to activate a reaction of an insert (1) inserted into the cavity (11). Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Plasma-Emissions-Schritt einen Form-Reformierungs-Schritt des Emittierens eines Form-Reformierungs-Plasmas, um die Oberfläche der Form (10) zu reformieren, und einen Reaktions-Aktivierungs-Schritt des Emittierens eines Reaktions-Aktivierungs-Plasmas, um die Reaktion eines in den Hohlraum (11) eingesetzten Einlegeteils (1) zu aktivieren, enthält, wobei das Reaktions-Aktivierungs-Plasma bei dem Reaktions-Aktivierungs-Schritt konvergenter emittiert wird als das bei dem Form-Reformierungs-Schritt emittierte Form-Reformierungs-Plasma.procedure after claim 4 wherein the plasma emitting step comprises a mold reforming step of emitting a mold reforming plasma to reform the surface of the mold (10). mix, and a reaction-activating step of emitting a reaction-activating plasma to activate the reaction of an insert part (1) inserted into the cavity (11), the reaction-activating plasma at the reaction-activating -step is more convergently emitted than the shape-reforming plasma emitted in the shape-reforming step. Verfahren nach Anspruch 4, wobei der Plasma-Emissions-Schritt einen Form-Reformierungs-Schritt des Emittierens eines Form-Reformierungs-Plasmas, um die Oberfläche der Form (10) zu reformieren, und einen Reaktions-Aktivierungs-Schritt des Emittierens eines Reaktions-Aktivierungs-Plasmas, um die Reaktion eines in den Hohlraum (11) eingesetzten Einlegeteils (1) zu aktivieren, enthält, wobei eine Lebensdauer von Radikalen, welche durch das Reaktions-Aktivierungs-Plasma bei dem Reaktions-Aktivierungs-Schritt erzeugt werden, länger eingestellt ist, als eine Lebensdauer von Radikalen, welche durch das Form-Reformierungs-Plasma bei dem Form-Reformierungs-Schritt erzeugt werden.procedure after claim 4 , wherein the plasma emitting step comprises a shape reforming step of emitting a shape reforming plasma to reform the surface of the mold (10), and a reaction activating step of emitting a reaction activating plasma, to activate the reaction of an insert (1) inserted into the cavity (11), wherein a lifetime of radicals generated by the reaction activation plasma in the reaction activation step is set longer than one Lifetime of radicals generated by the shape-reforming plasma in the shape-reforming step.
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