DE102011084582B3 - Micromechanical sensor device, particularly micromechanical pressure sensors, microphones, acceleration sensors or optical sensors, has substrate, circuit chip fixed on substrate and mold package, in which circuit chip is packaged - Google Patents

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Abstract

The micromechanical sensor device has a substrate (1), a circuit chip fixed on the substrate and a mold package, in which the circuit chip is packaged. The mold package has a recess located above the circuit chip, in which a sensor chip is formed. The mold package has a through hole at the base of the recess, opened by a laser beam and extending to a metallization area (2). An electrical connection of the sensor chip is guided on the metallization area formed as contact area on the substrate or on the circuit chip. An independent claim is included for a method for manufacturing a micromechanical sensor device.

Description

Die Erfindung betrifft eine mikromechanische Sensorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren.The invention relates to a micromechanical sensor device and a corresponding manufacturing method.

Stand der TechnikState of the art

Obwohl auch beliebige mikromechanische Bauelemente anwendbar sind, werden die vorliegende Erfindung und die ihr zugrundeliegende Problematik anhand von mikromechanischen Drucksensoren bzw. Mikrofonen auf Siliziumbasis erläutert.Although any micromechanical components are applicable, the present invention and its underlying problem will be explained with reference to micromechanical pressure sensors or microphones based on silicon.

Gehäuse für mikromechanische Drucksensoren und Mikrofone benötigen einen offenen Zugang zu einem Erfassungsbereich des Sensorchips, wobei der Erfassungsbereich beispielsweise durch eine Membran gebildet ist. Eine mögliche Realisierung ist ein sogenanntes Premold-Gehäuse bzw. Mold-Premold-Gehäuse. Bei letzteren wird der ASIC-Schaltungschip übermoldet und zugleich eine Kavität beim Molden erzeugt. In die Kavität wird der mikromechanische Sensorchip eingesetzt. Diese Bauform lässt sich sowohl mit SOIC(Small Outline Integrated Circuit)- als auch mit LGA(Land Grid Array)-Verpackungen realisieren. Vorteilhaft am Mold-Premold-Gehäuse im Vergleich zum reinen Premold-Gehäuse ist, dass der ASIC-Schaltungschip übermoldet und somit besser vor mechanischen und Umwelteinflüssen geschützt ist. Daher wird bei Premold-Gehäusen oft Gel zum Schutz der freien Oberfläche des ASIC-Schaltungschips eingesetzt.Housings for micromechanical pressure sensors and microphones require open access to a detection area of the sensor chip, wherein the detection area is formed for example by a membrane. One possible realization is a so-called premold housing or mold-premold housing. In the case of the latter, the ASIC circuit chip is overmolded and, at the same time, a cavity is produced during molding. The micromechanical sensor chip is inserted into the cavity. This design can be realized with SOIC (Small Outline Integrated Circuit) as well as with LGA (Land Grid Array) packaging. An advantage of the Mold-Premold housing compared to the pure Premold housing is that the ASIC circuit chip is overmolded and thus better protected against mechanical and environmental influences. Therefore, in premold packages, gel is often used to protect the free surface of the ASIC circuit chip.

Die DE 10 2009 002 376 A1 beschreibt ein Multichip-Sensormodul und ein entsprechendes Herstellungsverfahren, beispielsweise für ein Sensorelement und einen entsprechenden ASIC-Schaltungschip. Die elektrischen Kontakte der Bauelemente sind in verschiedenen Ebenen angeordnet. Nach oder beim Einbetten in einer Umhüllmasse wird ein Durchkontakt zu den Kontakten des in der Umhüllmasse befindlichen Bauelements geschaffen. Anschließend werden die Bauelemente elektrisch leitend kontaktiert.The DE 10 2009 002 376 A1 describes a multi-chip sensor module and a corresponding manufacturing method, for example for a sensor element and a corresponding ASIC circuit chip. The electrical contacts of the components are arranged in different planes. After or when embedding in a Umhüllmasse a through contact is created to the contacts of the located in the Umhüllmasse device. Subsequently, the components are contacted electrically conductive.

Aus der Schrift DE 10 2009 029 281 A1 ist eine Sensorvorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung bekannt, wobei auf einem Substrat (4) ein Bauelement (2) befestigt und anschließend mit einer Moldmasse (5) umhüllt wird. Beim Umhüllen des Bauelements mit der Moldmasse wird eine das Substrat teilweise freilegende Aussparung (11) ausgespart. Anschließend wird ein weiteres Bauelement (3) auf der (aufgrund der Aussparung) freiliegenden Fläche des Substrats angeordnet und über ein Verbindungselement (8) mit dem Substrat elektrisch verbunden.From the Scriptures DE 10 2009 029 281 A1 a sensor device and a method for its production is known, wherein on a substrate ( 4 ) a component ( 2 ) and then with a molding compound ( 5 ) is wrapped. When enveloping the component with the molding compound, a recess partially exposing the substrate (FIG. 11 ) left out. Subsequently, another component ( 3 ) are arranged on the (due to the recess) exposed surface of the substrate and via a connecting element ( 8th ) electrically connected to the substrate.

Die Schrift DE 10 2007 022 959 A1 beschreibt die Verwendung eines Laserstrahls zum Ausbilden eines Durchgangslochs (4) in einer Vergussmasse (3). Dabei wird nach dem Bilden des mindestens einen Durchgangslochs (4) dessen Boden mit einem Metall oder einem Lötmaterial (11) abgedeckt.The font DE 10 2007 022 959 A1 describes the use of a laser beam to form a through-hole ( 4 ) in a potting compound ( 3 ). In this case, after the formation of the at least one through-hole ( 4 ) its bottom with a metal or a soldering material ( 11 ).

Aus der Schrift DE 10 2005 054 177 A1 ist ein Sensormodul bekannt, bei dem ein Sensorchip und ein mit dem Sensorchip elektrisch verbundener Signalverarbeitungs-Chip auf einem Trägersubstrat angeordnet sind. Auf dem Signalverarbeitungs-Chip und dem Trägermaterial ist ein Verguss-Material vorgesehen, welches eine Ausnehmung aufweist, die so angeordnet ist, dass es wenigstens einen Teil der aktiven Fläche des Sensorchips nicht bedeckt.From the Scriptures DE 10 2005 054 177 A1 a sensor module is known in which a sensor chip and a signal chip electrically connected to the sensor chip are arranged on a carrier substrate. On the signal processing chip and the carrier material, a potting material is provided, which has a recess which is arranged so that it does not cover at least a portion of the active surface of the sensor chip.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, gegenüber den bekannten LGA-Mold-Premold-Gehäusen eine deutliche Verringerung des Footprints zu erreichen.The object of the present invention is to achieve a significant reduction of the footprint compared to the known LGA mold premold housings.

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Die Erfindung schafft eine mikromechanische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1 und ein entsprechendes Herstellungsverfahren nach Anspruch 6.The invention provides a micromechanical sensor device according to claim 1 and a corresponding manufacturing method according to claim 6.

Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.Preferred developments are the subject of the respective subclaims.

Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee beruht darin, dass nach Vorsehen der Moldverpackung mit der Kavität innerhalb der Kavität ein Durchgangsloch in der Moldverpackung mittels eines Lasers geschaffen wird, durch das eine elektrische Verbindung des Sensorchips geführt wird.The idea underlying the present invention is based on the fact that, after provision of the mold package with the cavity inside the cavity, a through hole is created in the mold package by means of a laser, through which an electrical connection of the sensor chip is guided.

Die erfindungsgemäße Vorgehensweise ermöglicht, den Kontaktbereich für die elektrische Verbindung, beispielsweise eine Bondverbindung oder eine Flip-Chip-Verbindung, zu öffnen. Flashfreiheit für die Weiterverarbeitung wird mit geeigneten Öffnungsverfahren, z. B. Lasern, erreicht.The procedure according to the invention makes it possible to open the contact region for the electrical connection, for example a bond connection or a flip-chip connection. Flash freedom for further processing is provided with suitable opening methods, eg. As lasers achieved.

Vorteilhafterweise ermöglicht die vorliegende Erfindung eine deutliche Verringerung des Footprints gegenüber bekannten LGA-Mold-Premold-Gehäusen. Damit verbunden ist eine Kostenreduktion.Advantageously, the present invention allows a significant reduction in footprint over known LGA mold premold packages. This is associated with a cost reduction.

Wird die elektrische Verbindung direkt vom Sensorchip zum ASIC-Schaltungschip geführt, so werden die Verbindungslängen vom Sensorchip zum ASIC-Schaltungschip signifikant kürzer als im Vergleich zum Standard-LGA-Prozess. Somit erfolgt eine Reduktion parasitärer Widerstände, Kapazitäten und Induktivitäten.If the electrical connection is made directly from the sensor chip to the ASIC circuit chip, the connection lengths from the sensor chip to the ASIC circuit chip are significantly shorter than in comparison to the standard LGA process. Thus, parasitic resistances, capacitances and inductances are reduced.

Das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich mit einem relativ einfachen Moldwerkzeug realisieren, wobei die Erzeugung der Kavität und des Übermoldens des ASIC-Schaltungschips im gleichen Schritt erfolgt. Die Flash-Freiheit des Kontaktbereichs der elektrischen Verbindung wird durch die Kontrolle des Laserprozesses sichergestellt. The method according to the invention can be realized with a relatively simple mold tool, the generation of the cavity and overmolding of the ASIC circuit chip taking place in the same step. The flash freedom of the contact area of the electrical connection is ensured by the control of the laser process.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand von Ausführungsformen mit Bezug auf die Figuren erläutert.Further features and advantages of the present invention will be explained below with reference to embodiments with reference to the figures.

Es zeigen:Show it:

1a)–g) schematische Querschnittsansichten zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und 1a ) -G) are schematic cross-sectional views for explaining a micromechanical sensor device and a corresponding manufacturing method according to a first embodiment of the present invention; and

2a)–g) schematische Querschnittsansichten zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2a ) -G) are schematic cross-sectional views for explaining a micromechanical sensor device and a corresponding manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche bzw. funktionsgleiche Elemente.In the figures, like reference numerals designate the same or functionally identical elements.

1a)–g) sind schematische Querschnittsansichten zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 1a ) -G) are schematic cross-sectional views for explaining a micromechanical sensor device and a corresponding manufacturing method according to a first embodiment of the present invention.

In 1a bezeichnet Bezugszeichen 1 ein Substrat für die mikromechanische Sensorvorrichtung, vorliegend eine Drucksensorvorrichtung, in Form einer dünnen Leiterplatte. Auf dem Substrat 1 vorgesehen wird ein Metallisierungsbereich 2, welcher später eine Doppelfunktion erfüllt, nämlich eine Stoppfunktion für einen Laserstrahl und einen Kontaktbereich für die elektrische Verbindung mit dem Sensorchip.In 1a denotes reference numeral 1 a substrate for the micromechanical sensor device, in the present case a pressure sensor device, in the form of a thin printed circuit board. On the substrate 1 a metallization area is provided 2 , which later fulfills a dual function, namely a stop function for a laser beam and a contact region for the electrical connection to the sensor chip.

Gemäß 1b wird ein ASIC-Schaltungschip 3 auf dem Substrat 1 angebracht und mittels einer oder mehrerer Bondverbindungen 3a mit entsprechenden (nicht dargestellten) Kontakten des Substrats 1 verbunden.According to 1b becomes an ASIC circuit chip 3 on the substrate 1 attached and by means of one or more bonds 3a with corresponding contacts (not shown) of the substrate 1 connected.

Anschließend erfolgt mit Bezug auf 1c ein Übermolden des ASIC-Schaltungschips 3 und ein Erzeugen einer Kavität K oberhalb des ASIC-Schaltungschips 3 mittels eines entsprechenden Moldwerkzeugs. Die Größe der Kavität K lässt sich durch das Moldwerkzeug bestimmen. Beispielsweise kann eine Standard-LGA-Moldpresse mit Einsatz im Werkzeug eingesetzt werden.Subsequently, with reference to 1c overmolding the ASIC circuit chip 3 and generating a cavity K above the ASIC circuit chip 3 by means of a corresponding Moldwerkzeugs. The size of the cavity K can be determined by the mold tool. For example, a standard LGA mold press can be used with the tool.

Nach dem Moldprozess sind der ASIC-Schaltungschip 3 sowie die elektrische Verbindung mittels des Bonddrahts 3a vollständig ummoldet.After the molding process are the ASIC circuit chip 3 and the electrical connection by means of the bonding wire 3a completely ummoldet.

Wie in 1d dargestellt, wird anschließend mittels eines Laserstrahls L der Metallisierungsbereich 2 als Kontaktbereich für den zu montierenden Sensorchip geöffnet. Dabei wird vorzugsweise die Through-Mold-Technologie verwendet, die für Package-on-Package-Konzepte etabliert ist. Bei diesem Prozessschritt dient der Metallisierungsbereich 2 als Stoppstruktur für den Laserstrahl L, indem sie den Laserstrahl L reflektiert. Somit lässt sich präzise ein Durchgangsloch 6 erzeugen.As in 1d is shown, then by means of a laser beam L of the metallization 2 opened as a contact area for the sensor chip to be mounted. In this case, preferably the through-mold technology is used, which is established for package-on-package concepts. In this process step, the metallization area is used 2 as a stopping structure for the laser beam L by reflecting the laser beam L. Thus, a through hole can be precisely defined 6 produce.

Wie in 1e dargestellt, wird anschließend innerhalb der Kavität K auf der Moldmasse 4 oberhalb des ASIC-Schaltungschips 3 der mikromechanische Drucksensorchip 7 angebracht, welcher einen Erfassungsbereich S aufweist, beispielsweise mit einer auslenkbaren Membran (nicht dargestellt).As in 1e is then shown within the cavity K on the molding compound 4 above the ASIC circuit chip 3 the micromechanical pressure sensor chip 7 attached, which has a detection area S, for example with a deflectable membrane (not shown).

Wie in 1f dargestellt, wird dann der Drucksensorchip 7 mittels einer Bondverbindung 7a durch das Durchgangsloch 6 mit dem Metallisierungsbereich 2 kontaktiert.As in 1f is shown, then the pressure sensor chip 7 by means of a bond connection 7a through the through hole 6 with the metallization area 2 contacted.

Schließlich mit Bezug auf 1g wird innerhalb der Kavität eine Gelpassivierung 8 vorgesehen, welche den Erfassungsbereich S des Sensorchips 7 frei lässt. Optionalerweise kann in einem weiteren Prozessschritt ein Deckel K auf der Moldmasse 4 angebracht werden, welcher ein Durchgangsloch 9a aufweist, das einen externen Druckzugang zum Erfassungsbereich S des Sensorchips 7 ermöglicht.Finally, with reference to 1g becomes a gel passivation within the cavity 8th provided, which the detection area S of the sensor chip 7 leaves free. Optionally, in a further process step, a lid K on the molding compound 4 be attached, which is a through hole 9a having an external pressure access to the detection area S of the sensor chip 7 allows.

2a)–g) sind schematische Querschnittsansichten zur Erläuterung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung und eines entsprechendes Herstellungsverfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2a ) -G) are schematic cross-sectional views for explaining a micromechanical sensor device and a corresponding manufacturing method according to a second embodiment of the present invention.

Bei der zweiten Ausführungsform liegt der Kontaktbereich für den Anschluss des Sensorchips 7' nicht auf dem Substrat 1, sondern auf dem ASIC-Schaltungschip 3', wie nachstehend erläutert werden wird. Vorteil dieser Variante ist der geringere Footprint.In the second embodiment, the contact area for the connection of the sensor chip 7 ' not on the substrate 1 but on the ASIC circuit chip 3 ' as will be explained below. Advantage of this variant is the lower footprint.

Insbesondere wird nach Bereitstellen des Substrats 1 gemäß 2a der ASIC-Schaltungschip 3' auf dem Substrat 1 angebracht und mittels einer Bondverbindung 3a' mit dem Substrat verbunden. Alternativ kann auch hier die Flip-Chip-Technik eingesetzt werden. Dabei weist der ASIC-Schaltungschip 3' an seiner Oberseite einen Metallisierungsbereich 2' auf, welcher später zum Anschluss an den Sensorchip 7' und als Reflexionsbereich für den Laser dient.In particular, after providing the substrate 1 according to 2a the ASIC circuit chip 3 ' on the substrate 1 attached and by means of a bond connection 3a ' connected to the substrate. Alternatively, the flip-chip technique can also be used here. In this case, the ASIC circuit chip 3 ' at its top a metallization area 2 ' on, which later for connection to the sensor chip 7 ' and serves as a reflection area for the laser.

Mit Bezug auf 2c erfolgt dann das Ummolden des ASIC-Schaltungschips 3' und der Bondverbindung 3a' mit einer Moldmasse 4, wie bereits im Zusammenhang mit 1c erläutert.Regarding 2c then ummolden the ASIC circuit chip 3 ' and the bond connection 3a ' with a molding compound 4 as already related to 1c explained.

In der Kavität K', welche beim Ummolden gebildet wird, wird anschließend mit Bezug auf 2d der Drucksensorchip 7' mit dem Erfassungsbereich S' oberhalb des ASIC-Schaltungschips 3' angebracht.In the cavity K ', which is formed during Ummolden, is subsequently with reference to 2d the pressure sensor chip 7 ' with the detection area S 'above the ASIC circuit chip 3 ' appropriate.

Wie in 2e dargestellt, erfolgt anschließend das Bilden des Durchgangslochs 6' zum Schaffen eines Zugangs zum Metallisierungsbereich 2' mittels der erwähnten Lasertechnik.As in 2e illustrated, then the forming of the through hole 6 ' to provide access to the metallization area 2 ' by means of the mentioned laser technology.

Wie in 2f dargestellt, wird anschließend eine elektrische Verbindung mittels einer Bondverbindung 7a' zwischen dem Sensorchip 7' und dem Metallisierungsbereich 2' auf dem ASIC-Schaltungschip gebildet. Wie sich unmittelbar aus dem Vergleich von 2f mit 1f ergibt, ist die Bondverbindung 7a' wesentlich kürzer als die Bondverbindung 7a.As in 2f is shown, then an electrical connection by means of a bond 7a ' between the sensor chip 7 ' and the metallization area 2 ' formed on the ASIC circuit chip. As can be seen directly from the comparison of 2f With 1f gives, is the bond 7a ' much shorter than the bond 7a ,

Analog zu 1g wird gemäß 2g eine Gelpassivierung 8' innerhalb der Kaverne K' vorgesehen, welche den Erfassungsbereich S' des Sensorchips 7' frei lässt. Abschließend erfolgt das Aufbringen des optionalen Deckels 9 mit dem Durchgangsloch 9a.Analogous to 1g is according to 2g a gel passivation 8th' within the cavern K ', which covers the detection area S' of the sensor chip 7 ' leaves free. Finally, the application of the optional lid 9 with the through hole 9a ,

Obwohl die vorliegende Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt. Insbesondere sind die genannten Materialien und Topologien nur beispielhaft und nicht auf die erläuterten Beispiele beschränkt.Although the present invention has been described in terms of preferred embodiments, it is not limited thereto. In particular, the materials and topologies mentioned are only examples and not limited to the illustrated examples.

Obwohl bei den oben beschriebenen Ausführungsformen die elektrische Verbindung des Sensorchips mit dem Substrat bzw. dem ASIC-Schaltungschip über Bondverbindungen realisiert wurde, ist es ebenfalls möglich, diese in Flip-Chip-Technologie oder mittels Lötbonds zu realisieren.Although in the embodiments described above, the electrical connection of the sensor chip to the substrate or the ASIC circuit chip has been realized via bonds, it is also possible to realize them in flip-chip technology or by means of solder bonds.

Obwohl vorstehend in Bezug auf einen Drucksensor beschrieben, lässt sich die vorliegende Erfindung u. a. auch für Mikrofone, Beschleunigungssensoren, optische Sensoren, Drehratensensoren usw. verwenden, welche einen externen Zugang zur Außenwelt benötigen, aber gegen Umwelteinflüsse geschützt sein müssen.Although described above with respect to a pressure sensor, the present invention can i. a. Also for microphones, acceleration sensors, optical sensors, gyroscopes, etc., which need external access to the outside world, but must be protected against environmental influences.

Claims (8)

Mikromechanische Sensorvorrichtung mit: einem Substrat (1); einem auf dem Substrat (1) angebrachten Schaltungschip (3; 3'); einer Moldverpackung (4), in welcher der Schaltungschip (3; 3') verpackt ist; wobei die Moldverpackung (4) eine Vertiefung (K; K') oberhalb des Schaltungschips (3; 3') aufweist, in der ein Sensorchip (7; 7') ausgebildet ist; und wobei die Moldverpackung (4) am Boden der Vertiefung (K; K') ein bis zu einem Metallisierungsbereich (2; 2') verlaufendes mittels eines Laserstrahls (L) geöffnetes Durchgangsloch (6; 6') aufweist, durch das eine elektrische Verbindung (7a; 7a') des Sensorchips (7; 7') auf den auf dem Substrat (1) oder auf dem Schaltungschip (3; 3') als Kontaktbereich ausgebildeten Metallisierungsbereich (2; 2') geführt ist.Micromechanical sensor device comprising: a substrate ( 1 ); one on the substrate ( 1 ) attached circuit chip ( 3 ; 3 ' ); a mold package ( 4 ), in which the circuit chip ( 3 ; 3 ' ) is packed; the mold package ( 4 ) a depression (K; K ') above the circuit chip ( 3 ; 3 ' ), in which a sensor chip ( 7 ; 7 ' ) is trained; and wherein the mold package ( 4 ) at the bottom of the depression (K; K ') up to a metallization region ( 2 ; 2 ' ) extending through a laser beam (L) opened through hole ( 6 ; 6 ' ), through which an electrical connection ( 7a ; 7a ' ) of the sensor chip ( 7 ; 7 ' ) on the on the substrate ( 1 ) or on the circuit chip ( 3 ; 3 ' ) formed as a contact region metallization region ( 2 ; 2 ' ) is guided. Mikromechanische Sensorvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die elektrische Verbindung (7a; 7a') eine Bondverbindung ist.Micromechanical sensor device according to claim 1, wherein the electrical connection ( 7a ; 7a ' ) is a bond connection. Mikromechanische Sensorvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Vertiefung (K; K') mit einem Deckel (9) verschlossen ist, welcher ein Durchgangsloch (9a) aufweist.Micromechanical sensor device according to one of the preceding claims, wherein the depression (K; K ') is provided with a lid ( 9 ), which has a through hole ( 9a ) having. Mikromechanische Sensorvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in der Vertiefung (K; K') eine Gelpassivierung (8; 8') ausgebildet ist, welche einen Erfassungsbereich (S; S') des Sensorchips (7; 7') ausspart.Micromechanical sensor device according to one of the preceding claims, wherein in the recess (K; K ') a gel passivation ( 8th ; 8th' ) is formed, which a detection range (S; S ') of the sensor chip ( 7 ; 7 ' ) spared. Mikromechanische Sensorvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Sensorchip (7; 7') einen Drucksensor und/oder ein Mikrofon und/oder einen Beschleunigungssensor und/oder einen Drehratensensor und/oder einen optischen Sensor aufweist.Micromechanical sensor device according to one of the preceding claims, wherein the sensor chip ( 7 ; 7 ' ) comprises a pressure sensor and / or a microphone and / or an acceleration sensor and / or a rotation rate sensor and / or an optical sensor. Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Sensorvorrichtung mit den Schritten: Bereitstellen von einem Substrat (1); Anbringen von einem Schaltungschip (3; 3') auf dem Substrat (1); Verpacken des Schaltungschip (3; 3') in einer Moldverpackung (4); Bilden einer Vertiefung (K; K') in der Moldverpackung (4) oberhalb des Schaltungschips (3; 3'); Anordnen eines Sensorchips (7; 7') in der Vertiefung (7; 7') Bilden eines Durchgangslochs (6; 6') durch die Moldverpackung (4) am Boden der Vertiefung (K; K') mittels eines Laserstrahls (L), wobei ein auf dem Substrat (1) oder auf dem Schaltungschip (3; 3') als Kontaktbereich ausgebildeter Metallisierungsbereich (2; 2') als eine den Laserstrahl (L) reflektierende Stoppstruktur eingesetzt wird; und Führen einer elektrischen Verbindung (7a; 7a') des Sensorchips (7; 7') durch das Durchgangsloch auf den Metallisierungsbereich (2; 2').Method for producing a micromechanical sensor device, comprising the steps of: providing a substrate ( 1 ); Attaching a circuit chip ( 3 ; 3 ' ) on the substrate ( 1 ); Packing the circuit chip ( 3 ; 3 ' ) in a mold package ( 4 ); Forming a depression (K, K ') in the mold package ( 4 ) above the circuit chip ( 3 ; 3 ' ); Arranging a sensor chip ( 7 ; 7 ' ) in the depression ( 7 ; 7 ' ) Forming a through-hole ( 6 ; 6 ' ) through the mold package ( 4 ) at the bottom of the depression (K; K ') by means of a laser beam (L), one on the substrate ( 1 ) or on the circuit chip ( 3 ; 3 ' ) as a contact area formed metallization area ( 2 ; 2 ' ) is used as a laser beam (L) reflecting stopper structure; and conducting an electrical connection ( 7a ; 7a ' ) of the sensor chip ( 7 ; 7 ' ) through the through hole on the metallization region ( 2 ; 2 ' ). Verfahren nach Anspruch 6, wobei die elektrische Verbindung (7a; 7a') eine Bondverbindung und/oder eine Flip-Chip Verbindung ist. Method according to claim 6, wherein the electrical connection ( 7a ; 7a ' ) is a bond connection and / or a flip-chip connection. Verfahren nach einem der Ansprüche 6 oder 7, wobei in der Vertiefung (K; K') eine Gelpassivierung (8; 8') ausgebildet wird, welche einen Erfassungsbereich (S; S') des Sensorchips (7; 7') ausspart.Method according to one of claims 6 or 7, wherein in the recess (K; K ') a gel passivation ( 8th ; 8th' ) is formed, which a detection range (S; S ') of the sensor chip ( 7 ; 7 ' ) spared.
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