DE102010013755A1 - Cascaded structures i.e. separators, manufacturing method for manufacturing organic LED displays, involves making surface region of substrate invulnerable, so that bar remains below invulnerable region - Google Patents

Cascaded structures i.e. separators, manufacturing method for manufacturing organic LED displays, involves making surface region of substrate invulnerable, so that bar remains below invulnerable region Download PDF

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Jochen Seeser
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    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/173—Passive-matrix OLED displays comprising banks or shadow masks

Abstract

The method involves applying a vulnerable material (3) on a substrate (1) in a structured manner. A surface region of the substrate is made invulnerable by directed radiation with exclusion of lateral edges for a process material (12), so that a narrow bar of the vulnerable material remains below an invulnerable surface region after aggression of the process material. The substrate is moistened at a region of the bar of cascaded structures (7), and a limited region of the substrate is pretreated in an unlimited manner.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Strukturen mit negativen Flanken nach dem Oberbegriff der Ansprüche 1 oder 5, insbesondere bei der Herstellung von OLED-Displays zum Aufbringen von strukturierten Funktionsschichten.The The invention relates to a process for producing structures with negative edges according to the preamble of the claims 1 or 5, in particular in the production of OLED displays for application of structured functional layers.

Zur Strukturierung von teil- oder ganzflächig auf eine Unterlage (Substrat) aufgebrachten Funktionsschichten eignen sich Strukturen mit negativer Flanke, die auch als Separatoren bezeichnet. Derartige Strukturen sind z. B. bekannt aus der Herstellung von OLED-Displays. Dort wird flächig eine elektrisch leitende Schicht (i. a. Kathode) auf ein OLED-Substrat mit Separatoren aufgedampft, so dass diese Schicht durch die Separatoren in mehrere elektrisch isolierte Bereiche getrennt wird. Ein Beispiel für mit einer Funktionsschicht überzogene Separatoren zeigt 1.Structures of functional layers applied partially or wholly on a support (substrate) are structures with a negative flank, which are also referred to as separators. Such structures are for. B. known from the production of OLED displays. There, an electrically conductive layer (ia cathode) is vapor-deposited onto an OLED substrate with separators, so that this layer is separated by the separators into a plurality of electrically isolated regions. An example of functional layer coated separators is shown 1 ,

Die Herstellung solcher Separatoren erfolgt nach dem Stand der Technik mittels Fotolithographie auf einer speziellen, i. a. ganzflächig auf das Substrat aufgebrachten Lackschicht, die auch als Fotoresist bezeichnet wird. Im Stand der Technik wird zur Strukturierung häufig eine Schutzmaske auf das angreifbare Material aufgebracht, um das Lösen des angreifbaren Materials mit dem Lösungsmittel zu unterbinden. Dies ist jedoch sehr aufwendig und erfordert ein vielschrittiges Lithografieverfahren.The Production of such separators is carried out according to the prior art using photolithography on a special, i. a. the whole area applied to the substrate paint layer, which also referred to as a photoresist becomes. In the prior art is structuring often a protective mask applied to the vulnerable material to the Dissolve the vulnerable material with the solvent to prevent. However, this is very expensive and requires a multi-step lithography process.

Aus der US 2007/0172969 A1 ist ein derartiges digitales Lithografieverfahren bekannt, bei dem eine erste Maskenstruktur auf ein Substrat aufgebracht wird. In die Zwischenräume der ersten Maskenstruktur wird eine zweite Maskenstruktur als Black Matrix eingebracht, die anschließend bspw. thermisch vernetzt oder fotovernetzt wird. Nach dem Vernetzten der Black Matrix wird die erste Maskenstruktur bspw. mittels Lösungsmitteln von dem Substrat gelöst. Hierdurch verbleiben auf dem Substrat Elemente der zweiten Maskenstruktur mit negativer Flanke. Dieses Verfahren ist jedoch recht aufwendig, da nacheinander verschiedene Maskenstrukturen mit einer definierten Struktur aufgebracht werden müssen.From the US 2007/0172969 A1 For example, such a digital lithography method is known in which a first mask pattern is applied to a substrate. In the interstices of the first mask structure, a second mask structure is introduced as a black matrix, which is then, for example, thermally crosslinked or photocrosslinked. After the crosslinking of the black matrix, the first mask structure is, for example, dissolved by means of solvents from the substrate. As a result, elements of the second mask structure with a negative edge remain on the substrate. However, this method is quite complicated, because successively different mask structures must be applied with a defined structure.

Die US 7,498,119 B2 beschreibt ein ähnliches digitales Lithografieverfahren, bei dem auf ein Substrat eine fotoresistive Schicht aufgebracht und gehärtet wird. Auf diese gehärtete Schicht wird eine strukturierte Maske aufgebracht, bspw. aufgedruckt. Anschließend wird in einem Entwicklungsvorgang ein Teil der fotoresistiven Schicht derart entfernt, dass auch eine bestimmte Menge des fotoresistiven Materials von unterhalb der Maske mit entfernt wird, wobei die Maske das fotoresistive Material davor schützt, unter der Maske vollständig abgetragen zu werden. Auf dem Substrat verbleibt also eine stufenartige Erhöhung der Maske mit einer negativen Flanke am Rand bestehen. Auf diese Struktur wird anschließend eine Funktionsschicht, bspw. eine metallische Schicht, aufgebracht, die gleichmäßig über das Substrat verteilt ist, jedoch im Bereich der negativen Flanke des Materials ausläuft. Die Funktionsschicht auf dem Substrat und die Funktionsschicht auf der Maske stehen dabei nicht in Verbindung. Auch dieses Verfahren ist jedoch aufwendig, da zu Erzeugung der Strukturen mit negativen Flanken ein aufwendiges Lithografieverfahren eingesetzt werden muss, bei dem eine fotoresisitve Schicht großflächig gelöst werden muss.The US Pat. No. 7,498,119 B2 describes a similar digital lithography process in which a photoresistive layer is applied and cured onto a substrate. On this cured layer, a structured mask is applied, for example, printed. Subsequently, in a development process, a portion of the photoresistive layer is removed such that a certain amount of the photoresistive material is also removed from underneath the mask, the mask protecting the photoresistive material from being completely eroded under the mask. Thus, a step-like increase of the mask with a negative edge at the edge remains on the substrate. A functional layer, for example a metallic layer, which is uniformly distributed over the substrate but which expires in the region of the negative flank of the material, is subsequently applied to this structure. The functional layer on the substrate and the functional layer on the mask are not connected. However, this method is also expensive, since to produce the structures with negative edges, a complex lithography process must be used, in which a photoresistive layer must be solved over a large area.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Verfahren der eingangs genannten Art vorzuschlagen, bei dem Strukturen mit negativen Flanken (Separatoren) einfacher hergestellt werden können.task The invention is therefore a method of the aforementioned To propose type in which structures with negative flanks (separators) can be made easier.

Mit den im Folgenden allgemein beschriebenen, erfindungsgemäßen Verfahren entsprechend den Merkmalen 1 und 5 können die Separatoren ohne aufwändige Fotolithographie hergestellt werden.With the invention generally described below Method according to the features 1 and 5, the Separators made without elaborate photolithography become.

Bei dem ersten erfindungsgemäßen Verfahren wird vorgeschlagen, dass das angreifbare Material strukturiert auf das Substrat aufgebracht und dessen oberer Oberflächenbereich bzw. oberer Strukturteil durch gerichtete Bestrahlung mit Ausnahme oder zumindest weitgehender Ausnahme der seitlichen Kanten für das Prozessmaterial unangreifbar gemacht wird, so dass nach dem Angriff des Prozessmaterials unter dem unangreifbaren, d. h. unangreifbar gemachten Oberflächenbereich ein in seiner Breite schmalerer Steg des angreifbaren Materials übrig bleibt. Durch das strukturierte Aufbringen und gezielte Unangreifbarmachen des an sich angreifbaren Materials in dessen oberen Oberflächenbereich kann somit auf den aufwendigen Einsatz einer zusätzlichen Maske verzichtet werden.at the first method according to the invention is proposed that the vulnerable material is applied structured on the substrate and its upper surface portion and upper structural portion, respectively by directional irradiation with the exception or at least more Exception of the lateral edges for the process material made invulnerable, so after the attack of the process material under the unassailable, d. H. unassailable surface area a narrower in its width web of vulnerable material left remains. Through the structured application and targeted invulnerability the intrinsically vulnerable material in its upper surface area can thus on the elaborate use of an additional mask be waived.

Nach der Behandlung kann der Steg aus dem angreifbaren Material durch Behandlung unangreifbar gemacht, insbesondere thermisch gehärtet oder strahlungsgehärtet, werden. Hierfür kommen also eine Bestrahlung oder Tempern, z. B. UV-Vernetzung oder thermische Vernetzung, in Frage.To The treatment of the bridge can be made of the vulnerable material Treatment made invulnerable, especially thermally cured or radiation-hardened. So come for that an irradiation or tempering, z. B. UV crosslinking or thermal Networking, in question.

Erfindungsgemäß kann das angreifbare Material im Druckverfahren aufgebracht werden. Dies ermöglicht eine sehr genaue Strukturierung in einem technisch einfach handhabbaren Verfahren.According to the invention the vulnerable material can be applied by printing. this makes possible a very precise structuring in a technically easy to handle Method.

Die Bildung der Separatoren, d. h. der insbesondere stufenförmigen Strukturen mit den negativen Flanken, kann erfindungsgemäß weiter begünstigt werden, indem das Substrat im Bereich des Stegs der Strukturen benetzend und der angerenzende Bereich des Substrats nicht-benetzend vorbehandelt wird. Dadurch wird das später aufgebrachte, angreifbare Material auf den benetzend vorbehandelten Bereich des Substrats konzentriert. Dies begünstigt die Bildung der negativen Flanken. Sofern das Substrat im nicht vorbehandelten Zustand bereits benetzend oder nicht-benetzend ist, ist es erfindungsgemäß für die Realisierung der Erfindung natürlich ausreichend, nur den jeweils anderen Bereich nicht-benetzend oder benetzend vorzubehandeln. Dies gilt auch für die nachfolgend beschriebene Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die sich die benetzenden und die nicht-benetzenden Eigenschaften der Substratoberfläche zu Nutze macht.According to the invention, the formation of the separators, ie the particular step-shaped structures having the negative flanks, can be further promoted by pretreating the substrate in the region of the web of the structures and by pretreating the non-wetting area of the substrate becomes. As a result, the later applied, vulnerable material is concentrated on the wetted pretreated area of the substrate. This favors the formation of the negative flanks. If the substrate in the non-pretreated state is already wetting or non-wetting, it is of course sufficient for the realization of the invention to pretreat only the respective other area non-wetting or wetting. This also applies to the embodiment of the present invention described below, which makes use of the wetting and non-wetting properties of the substrate surface.

Bei diesem Verfahren zur Herstellung von insbesondere stufenförmigen Strukturen mit negativer Flanke auf einem Substrat wird ein Material lokal, d. h. strukturiert, auf das Substrat aufgebracht, wobei das Material wie bei der ersten Ausführungsform über einen Steg unter Bildung der negativen Flanke mit dem Substrat verbunden wird. Erfindungsgemäß wird das Substrat, insbesondere die zu beschichtende Substratoberfläche, im Bereich des Steges der Strukturen zuvor benetzend (soweit das Substrat nicht auch unbehandelt bereits wie gewünscht benetzend ist) und der Bereich neben den benetzenden Bereichen nicht-benetzend (soweit das Substrat nicht auch unbehandelt bereits wie gewünscht nicht-benetzend ist) gemacht. Anschließend wird die Menge des aufzubringenden Materials derart gewählt, dass nach vollständiger Härtung des aufgebrachten Materials die Strukturen mit negativen Flanken entstehen. Auch bei dieser Verfahrensvariante wird daher das Material strukturiert aufgebracht. Die negativen Flanken bilden sich auch hier ohne Anwendung zusätzlicher Masken, so dass der Herstellungsprozess erheblich vereinfacht ist.at this process for the preparation of particular stepped Negative edge structures on a substrate become a material locally, d. H. structured, applied to the substrate, wherein the Material as in the first embodiment a web connected to the substrate to form the negative edge becomes. According to the invention, the substrate, in particular the substrate surface to be coated, in the area of Wedge of the structures previously wetting (as far as the substrate is not also untreated already wetting as desired) and the area next to the wetting areas non-wetting (as far as the substrate not untreated even if not already unwanted as desired its done. Subsequently, the amount of the applied Materials chosen so that after complete Curing the applied material with the structures negative flanks arise. Also in this process variant is therefore the material is applied in a structured way. The negative flanks also form here without the use of additional masks, so that the manufacturing process is considerably simplified.

Zur Ausbildung der benetzenden und der nicht-benetzenden Bereiche kann das von Hause aus insbesondere nicht-benetzende Substrat erfindungsgemäß strukturiert mit einer benetzenden Beschichtung versehen werden.to Training of wetting and non-wetting areas can the substrate, in particular non-wetting substrate, is structured according to the invention be provided with a wetting coating.

Es ist auch möglich, eine Oberfläche oder eine Oberflächenbeschichtung, insbesondere aus einem Fotoresist-Material, des Substrats durch eine Ionen-, UV, Plasma- oder Laserstrahlbehandlung lokal vorzubehandeln, um die benetzenden und die nicht-benetzenden Bereiche zu erzeugen.It is also possible a surface or a surface coating, in particular of a photoresist material, of the substrate pretreating an ion, UV, plasma or laser beam treatment locally, to create the wetting and non-wetting areas.

Aufgrund der auf der Substratoberfläche ausgebildeten benetzenden und nicht-benetzende Bereiche kann das die Separatoren bildende Material einfacher als eine lokale Beschichtung mit dem Material durch Sprüh- oder Tauchverfahren erfolgen.by virtue of the wetting formed on the substrate surface and non-wetting areas may be that forming the separators Material easier than a local coating with the material done by spraying or dipping.

Die mit dem vorstehend beschriebenen Verfahren erzeugten Strukturen mit negativen Flanken auf dem Substrat können insbesondere zur Trennung einer elektrisch leitenden Schicht in voneinander isolierte Bereiche verwendet werden.The structures produced by the method described above in particular with negative flanks on the substrate for the separation of an electrically conductive layer in mutually isolated Areas are used.

Der Vorteil der vorgeschlagenen Verfahren gegenüber der konventionellen Herstellungsmethode mittels aufwendiger Fotolithographie liegt insbesondere darin, dass keine Fotomaske nötig ist, eine vollflächige Belackung mit einer später weitestgehend wieder entfernten Lackschicht entfällt (damit Materialersparnis), eine hohe Flexibilität bei Layout und kleinen Stückzahlen bzw. Mustern erreicht werden kann und der Herstellungsprozess mittels Drucktechniken (z. B. Ink-Jet) besonders schnell ist. Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens führt also zu einer Kostenersparnis.Of the Advantage of the proposed method over the conventional Production method by means of complex photolithography is in particular in that no photomask is needed, a full-surface Belackung with a later largely removed again Lacquer layer is omitted (thus saving material), a high Flexibility in layout and small quantities or patterns can be achieved and the manufacturing process by means of Printing techniques (eg ink-jet) is particularly fast. The application of the The method according to the invention thus leads at a cost savings.

Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen und der Zeichnung. Dabei bilden alle beschriebenen oder bildlich dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der vorliegenden Erfindung, auch unabhängig von ihrer Rückbeziehung in den Ansprüchen oder deren Rückbezügen.Further Advantages, features and applications of the invention result from the following description of exemplary embodiments and the drawing. All form or pictorial illustrated features alone or in any combination the subject of the present invention, also independently from their relationship in the claims or their remittances.

Es zeigen:It demonstrate:

1 eine stufenförmige Struktur mit negativen Flanken, die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt ist, mit einer aufgedampften Funktionsschicht; 1 a stepped structure with negative flanks, which is produced by the process according to the invention, with a vapor-deposited functional layer;

2a–c schematisch die Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einer ersten Ausführungsform; 2a C shows schematically the execution of the method according to the invention according to a first embodiment;

3 eine optionale Vorbehandlung des Substrats bei der Anwendung des Verfahrens gemäß der ersten Ausführungsform und 3 an optional pretreatment of the substrate in the application of the method according to the first embodiment, and

4 schematisch die Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß einer zweiten Ausführungsform. 4 schematically the execution of the method according to a second embodiment.

In 1 ist ein bspw. OLED-Substrat 1 bekannt, das ein stufenförmige Struktur 7 (Separatoren) aufweist, von denen in 1 nur ein Separator 7 neben zwei unmittelbar auf dem Substrat angeordneten Funktionsbereichen vorgesehen ist. Die Funktionsbereiche sind durch Bedampfen in Richtung der parallelen Pfeile aufgebrachtes Kathodenmaterial 8 erzeugt. Durch die Ausbildung der Separatoren 7 mit ihren negativen Flanken 13 auf dem Substrat 1 sind die verschiedenen Bereiche des Kathodenmaterials 8 voneinander getrennt, so dass diese zur getrennten Ansteuerung der verschiedenen Pixel verwendet werden können.In 1 is an example. OLED substrate 1 known to be a stepped structure 7 (Separators), of which in 1 only one separator 7 is provided adjacent to two directly arranged on the substrate functional areas. The functional areas are cathode material applied by vapor deposition in the direction of the parallel arrows 8th generated. By training the separators 7 with their negative flanks 13 on the substrate 1 are the different areas of the cathode material 8th separated so that they can be used to separately drive the different pixels.

In einer ersten Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens zur Herstellung von Strukturen mit negativen Flanken ist nur das strukturierte Aufbringen einer Schicht 11 eines Materials 3 erforderlich, wie die 2a bis 2c zeigen.In a first embodiment of the invention The method according to the invention for producing structures with negative flanks is only the structured application of a layer 11 of a material 3 required, like the 2a to 2c demonstrate.

Bevor die Figuren im Einzelnen beschrieben werden, wird das Verfahren zusammenfassend kurz erläutert. Die z. B. gedruckte Schicht 11 besteht aus einem angreifbaren Material 3, welches durch gerichtete Einwirkung von Energie (z. B. UV-Licht oder Ionenbeschuß) im Wesentlichen auf der Oberfläche und weit weniger auf den seitlichen Kanten gehärtet werden kann. Durch Einwirken eines flüssigen oder gasförmigen Mediums kann dann eine seitliche Unterätzung erfolgen.Before the figures are described in detail, the method is briefly explained in summary. The z. B. printed layer 11 consists of an attackable material 3 which can be cured by directional action of energy (eg, UV light or ion bombardment) substantially on the surface and much less on the lateral edges. By the action of a liquid or gaseous medium, a lateral undercutting can then take place.

2a stellt dar, dass auf das (gereinigte) Substrat 1 mit optionaler Oberflächenbeschichtung 2 (z. B. transparent leitende oder isolierende Schicht oder Schicht geeigneter Benetzung für das aufzubringende angreifbare Material 3, einzeln oder als Multilager-Schicht) das Separatormaterial 3 strukturiert aufgebracht wird, z. B. im Druck- oder Sprühverfahren. Das Material 3, z. B. negativ arbeitender Fotoresist, hat die Eigenschaft, dass es von der Oberfäche in die Tiefe gehend durch Einwirkung von Energie (z. B. UV-Licht oder Ionenbeschuss) gehärtet, z. B. vernetzt, werden kann. Bei geeignetem Profil einer mit dem Material 3 erzeugten Struktur und bei gerichtetem Energieeintrag, wie er in 2b durch die gestrichelten Pfeile dargestellt ist, kann eine solche Struktur im Wesentlichen oben und weit weniger auf den seitlichen Flanken gehärtet werden, wobei die Härtung z. B. bis zu einer Tiefe von etwa 30% bis 60% der Strukturhöhe gehen kann. Die gehärteten Bereiche sind in den 2b und 2c schwarz dargestellt. Durch anschließendes Einwirken eines flüssigen oder gasförmigen Prozessmaterials 12 (Mediums), wie in 2c gezeigt, erfolgt dann eine seitliche Unterätzung derart, dass die Struktur 7 mit negativer Flanke 13 entsteht. Danach kann optional eine Schlusshärtung z. B. durch optische oder thermische Bestrahlung erfolgen. 2a represents that on the (purified) substrate 1 with optional surface coating 2 (eg, transparent conductive or insulating layer or layer of suitable wetting for the attackable material to be applied 3 , individually or as a multilayer layer) the separator material 3 is applied structured, z. B. in the printing or spraying. The material 3 , z. Negative photoresist, has the property of being cured from the surface in depth by exposure to energy (eg, UV light or ion bombardment), e.g. B. can be networked. With suitable profile one with the material 3 generated structure and directed energy input, as in 2 B shown by the dashed arrows, such a structure can be cured substantially above and far less on the lateral flanks, wherein the cure z. B. can go to a depth of about 30% to 60% of the structural height. The hardened areas are in the 2 B and 2c shown in black. By subsequent action of a liquid or gaseous process material 12 (Mediums), as in 2c shown, then carried out a lateral undercutting such that the structure 7 with negative edge 13 arises. Thereafter, optionally a final hardening z. B. by optical or thermal irradiation.

Die oben genannte, optionale Oberflächenbeschichtung 2, z. B. aus Photoresist-Material bestehend, kann insbesondere zur Einstellung der Benetzungsfähigkeit des Substrats 1 verwendet werden. Dies ist in 3 skizziert. Die optionale Oberflächenbeschichtung 2 kann in einer besonderen Ausführung z. B. mit Ionen- oder UV- oder Laserstrahlbehandlung oder Plasmabehandlung lokal so vorbehandelt werden, dass die Fläche für den Sockelbereich der Struktur 7 mit negativen Flanken 13 für das gedruckte Material 3 benetzend und der angrenzende Flächenbereich nicht benetzend wird. Der benetzende Bereich unter dem Material 3 ist durchgestrichen fett, der nicht-benetzende Bereich ist punktiert dargestellt.The above optional surface coating 2 , z. B. consisting of photoresist material, in particular for adjusting the wettability of the substrate 1 be used. This is in 3 outlined. The optional surface coating 2 can in a particular embodiment z. B. with ion or UV or laser beam treatment or plasma treatment locally pretreated so that the area for the base region of the structure 7 with negative flanks 13 for the printed material 3 wetting and the adjacent area is not wetting. The wetting area under the material 3 is crossed out bold, the non-wetting area is dotted.

Eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zur Herstellung von Strukturen 7 mit negativer Flanke 13 (4) besteht darin, dass die zu beschichtende Substratoberfläche strukturiert mit einer benetzenden Beschichtung 5, bspw. durch Aufdrucken, versehen wird. Alternativ und frei austauschbar kann das Erzeugen benetzender und nicht-benetzender Bereiche auf dem Substrat 1 auch wie vorbeschrieben durch lokale Vorbehandlung z. B. mit Ionen- oder Laserstrahlen so erfolgen, dass die Fläche für den Sockelbereich der Struktur 7 mit negativen Flanken 13 benetzend (z. B. hydrophil) für das gedruckte Material und der angrenzende Flächenbereich nicht benetzend (z. B. hydrophob) für das gedruckte Material gemacht wird.Another embodiment of the method for producing structures 7 with negative edge 13 ( 4 ) is that the substrate surface to be coated is structured with a wetting coating 5 , For example, by printing, provided. Alternatively and freely interchangeable may be the generation of wetting and non-wetting areas on the substrate 1 also as described above by local pretreatment z. B. with ion or laser beams so that the area for the base region of the structure 7 with negative flanks 13 wetting (eg hydrophilic) for the printed material and the adjacent area not wetting (eg hydrophobic) for the printed material.

Das in geeigneter Menge aufgebrachte Material 4 nimmt bei geeignet gewählter Oberflächenspannung eine im Querschnitt tropfenartige Struktur an, die anschließend gehärtet werden kann. Dabei werden der benetzende Bereich der Beschichtung 5 und die Flüssigkeitsmenge des Separatormaterials 4 so aufeinander abgestimmt, dass nach vollständiger thermischer Härtung oder Strahlungshärtung des Materials 4 eine Struktur 7 mit negativen Flanken 13 entsteht.The appropriately applied material 4 assumes a suitably selected surface tension on a drop-like structure in cross-section, which can then be cured. This will be the wetting area of the coating 5 and the liquid amount of the separator material 4 coordinated so that after complete thermal curing or radiation hardening of the material 4 a structure 7 with negative flanks 13 arises.

Mit einer bereichsweise benetzenden und einer bereichsweise nicht benetzenden Vorbehandlung der Oberfläche des Substrats 1 kann z. B. auf einen Druckprozess für das strukturierte Auftragen de Materials 3 oder 4 verzichtet werden, indem man das Substrat 1 mit dem Material 3 oder 4 z. B. besprüht oder in einer Wanne mit dem Material 3 oder 4 im Tauchverfahren beschichtet und anschließend abtropfen lässt, so dass nur das Material 3 oder 4 an den benetzend vorbehandelten Stellen des Substrats 1 übrig bleibt.With a partially wetting and a partially non-wetting pretreatment of the surface of the substrate 1 can z. B. on a printing process for the structured application of de material 3 or 4 be dispensed with by the substrate 1 with the material 3 or 4 z. B. sprayed or in a tub with the material 3 or 4 coated by dipping and then allowed to drain, leaving only the material 3 or 4 at the wetting pretreated sites of the substrate 1 remains.

Als Druckprozesse kommen z. B. Ink-Jet-, Flexo-, Sieb- oder Gravurdruck in Frage.When Printing processes come z. As inkjet, flexo, screen or gravure printing in question.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - US 2007/0172969 A1 [0004] US 2007/0172969 A1 [0004]
  • - US 7498119 B2 [0005] - US 7498119 B2 [0005]

Claims (9)

Verfahren zur Herstellung von insbesondere stufenförmigen Strukturen (7) mit negativer Flanke (13) auf einem Substrat (1), bei dem ein für ein Prozessmaterial (12) angreifbares Material (3) auf das Substrat (1) aufgebracht und entsprechend einer vorgegebenen Strukturierung durch das Prozessmaterial (12) zur Erzeugung der Strukturen (7) auf dem Substrat (1) entfernt wird, dadurch gekennzeichnet, dass das angreifbare Material (3) strukturiert auf das Substrat (1) aufgebracht und dessen Oberflächenbereich durch gerichtete Bestrahlung mit weitgehender Ausnahme der seitlichen Kanten für das Prozessmaterial (12) unangreifbar gemacht wird, so dass nach dem Angriff des Prozessmaterials (12) unter dem unangreifbaren Oberflächenbereich ein in seiner Breite schmalerer Steg des angreifbaren Materials (3) übrig bleibt.Process for the production of in particular stepped structures ( 7 ) with negative edge ( 13 ) on a substrate ( 1 ), in which one for a process material ( 12 ) vulnerable material ( 3 ) on the substrate ( 1 ) and according to a predetermined structuring by the process material ( 12 ) for generating the structures ( 7 ) on the substrate ( 1 ), characterized in that the vulnerable material ( 3 ) structured on the substrate ( 1 ) and its surface area by directional irradiation with the substantial exception of the lateral edges for the process material ( 12 ) is made invulnerable, so that after the attack of the process material ( 12 ) under the unimpeachable surface area a narrower in its width web of the vulnerable material ( 3 ) remains. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Steg (3) aus dem angreifbaren Material (3) durch Behandlung unangreifbar gemacht, insbesondere thermisch gehärtet oder strahlungsgehärtet, wird.Method according to claim 1, characterized in that the web ( 3 ) from the vulnerable material ( 3 ) rendered unassailable by treatment, in particular thermally cured or radiation cured. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass das angreifbare Material (3) im Druckverfahren aufgebracht wird.Method according to one of claims 1 or 2, characterized in that the vulnerable material ( 3 ) is applied in the printing process. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) im Bereich des Stegs der Strukturen (7) benetzend und der angerenzende Bereich des Substrats (1) nicht-benetzend vorbehandelt wird.Method according to one of the preceding claims, characterized in that the substrate ( 1 ) in the region of the web of the structures ( 7 wetting) and the bordering region of the substrate ( 1 ) is pretreated non-wetting. Verfahren zur Herstellung von insbesondere stufenförmigen Strukturen (7) mit negativer Flanke (13) auf einem Substrat (1), bei dem ein Material (4) lokal auf das Substrat (1) aufgebracht wird, wobei das Material (4) über einen Steg unter Bildung der negativen Flanke (13) mit dem Substrat (1) verbunden wird, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1), insbesondere die zu beschichtende Substratoberfläche, im Bereich des Steges der Strukturen (7) zuvor benetzend und der Bereich neben den benetzenden Bereichen nicht-benetzend gemacht wird und dass die Menge des aufzubringenden Materials (4) derart gewählt wird, dass nach vollständiger Härtung des Materials (4) die Strukturen (7) mit negativen Flanken (13) entstehen.Process for the production of in particular stepped structures ( 7 ) with negative edge ( 13 ) on a substrate ( 1 ), where a material ( 4 ) locally on the substrate ( 1 ) is applied, wherein the material ( 4 ) via a web to form the negative edge ( 13 ) with the substrate ( 1 ), characterized in that the substrate ( 1 ), in particular the substrate surface to be coated, in the area of the web of the structures ( 7 ) and the area next to the wetting areas is made non-wetting and that the amount of material to be applied ( 4 ) is selected such that after complete curing of the material ( 4 ) the structures ( 7 ) with negative edges ( 13 ) arise. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat (1) strukturiert mit einer benetzenden Beschichtung (5) versehen wird.Method according to claim 5, characterized in that the substrate ( 1 ) structured with a wetting coating ( 5 ). Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass eine Oberflächenbeschichtung (2), insbesondere aus einem Photoresist-Material, des Substrats (1) durch eine Ionen-, UV, Plasma- oder Laserstrahlbehandlung lokal vorbehandelt wird.Method according to claim 5 or 6, characterized in that a surface coating ( 2 ), in particular of a photoresist material, of the substrate ( 1 ) is locally pretreated by ion, UV, plasma or laser beam treatment. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die lokale Beschichtung mit dem Material (4) durch Sprüh- oder Tauchverfahren erfolgt.Method according to one of claims 5 to 7, characterized in that the local coating with the material ( 4 ) by spraying or dipping. Verfahren nach den vorangehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass die Strukturen (7) mit negativen Flanken (13) auf dem Substrat (1) zur Trennung einer elektrisch leitenden Schicht in voneinander isolierte Bereiche verwendet werden.Method according to the preceding claims, characterized in that the structures ( 7 ) with negative edges ( 13 ) on the substrate ( 1 ) are used to separate an electrically conductive layer into mutually isolated regions.
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