DE102009030303A1 - Method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate by a plasma-enhanced chemical vapor deposition, comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit - Google Patents

Method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate by a plasma-enhanced chemical vapor deposition, comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit

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Abstract

The method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate (30) by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit formed between two high-voltage electrodes (20) and producing plasma between a self-moving substrate that is supported by a counter electrode (50), and the high-voltage electrode. The plasma presets a plasma zone with standard, where the plasma is processed at atmospheric pressure and/or approximate atmospheric pressure. The method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate (30) by a plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit formed between two high-voltage electrodes (20) and producing plasma between a self-moving substrate that is supported by a counter electrode (50), and the high-voltage electrode. The plasma presets a plasma zone with standard, where the plasma is processed at atmospheric pressure and/or approximate atmospheric pressure and a volume dose of the plasma of 2x 10 5>to 2x 10 7>Ws/m 3>is kept in the plasma zone. The plasma zone is worked with dielectric barrier discharge. The gas speed of the gas mixture is selected so that a time spent of the plasma in the plasma zone is 5-500 ms. The PECVD process is carried out so that the plasma zone comprises a pre-ionization area with decreased deposition rate and deposition area and the pre-ionization is partially carried out in gap. A reflection reduction is achieved to 2.5% in a wavelength range of 200 nm per coated substrate surface related to the uncoated substrate. The substrate has a reflexion reduction of 2.5% in the range of 300-1000 nm. A further layer is deposited on a layer that forms antireflexion layer. A layer influencing the wetting of the surface is deposited as a further layer. A layer improving the scraper stability of the surface is deposited as a further layer. The glass is float glass or cast glass. The substrate is optical transparent plastic. An independent claim is included for an antireflexion coating on a substrate.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Antireflexschicht-bildenden Beschichtungen auf einem Substrat sowie eine Antireflexbeschichtung auf einem Substrat. The invention relates to a process for the preparation of anti-reflection layer-forming coatings on a substrate and an antireflective coating on a substrate.
  • Es ist bekannt, dass heutzutage transparente Kunststoffe und Glas mit einer Antireflex-Schicht versehen werden, um die Verluste durch die Reflexion an den Oberflächen zu minimieren. It is known that nowadays transparent plastics and glass are provided with an anti-reflective layer to minimize the losses due to reflection at the surfaces. Für z. For z. B. Brillengläser und Fensterscheiben werden dazu hauptsächlich Schichtkombinationen eingesetzt, die mindestens eine hochbrechende Schicht enthalten. As spectacle lenses and window panes are used for this main layer combinations that contain at least one high refractive index layer. Diese Multilagenschichten werden hauptsächlich über PVD-Prozesse, wie Sputtern oder Aufdampfen, hergestellt ( These multilayer coatings are mainly produced via PVD processes such as sputtering or evaporation, ( EP 1 206 715 A1 EP 1206715 A1 ) bzw. über PECVD/PICVD-Verfahren ( () Or via PECVD / PICVD process DE 102 50 564 A1 DE 102 50 564 A1 ). ). Allerdings sind diese Mehrschicht-Antireflexbeschichtungen nur für Anwendungen geeignet, bei denen die spektrale Bandbreite der Entspiegelung kleiner als eine Oktave sein darf ( However, this multi-layer antireflection coatings are only suitable for applications where the spectral bandwidth of the anti-reflective coating may be less than an octave ( ). ). Für eine breitbandige Entspiegelung, wie sie z. For a broadband antireflection coating as such. B. für solare Anwendungen benötigt wird, können diese Verfahren daher nicht eingesetzt werden. As is required for solar applications, this process can therefore not be used. Zudem sind die Vielschichtsysteme für viele Anwendungen zu teuer. In addition, the multilayer systems are too expensive for many applications.
  • Um eine wirksame Erhöhung der solaren Transmission zu erreichen, muss der Brechungsindex des Substratmaterials (n S ≅ 1,5) an denjenigen von Luft (n L = 1) über ein sehr niedrigbrechendes Dünnschichtsystem (n D < 1,3) angepasst werden. To achieve an effective increase of the solar transmittance, the refractive index of the substrate material (n S ≅ 1.5) to that of air (n L = 1) via a very low refractive index thin-film system (n D <1.3) must be adjusted. Dies ist mit den klassischen Beschichtungstechnologien als dichte Filme nicht erzielbar. This is not achievable with the traditional coating technologies as dense films. Allerdings sind eine Reihe von Verfahren für die breitbandige Transmissionserhöhung von Acrylglas und Floatglas bereits untersucht worden ( However, been a number of methods for broadband transmission enhancement of acrylic glass and float glass been studied ( ), die auf porösen bzw. mikrostrukturierten Materialien beruhen, bei denen ein Festkörper mit Luft gemischt wird. ) Based on porous or micro-structured materials, in which a solid is mixed with air. Die Poren bzw. Strukturen müssen fein genug sein, damit Sie von der einfallenden Strahlung nicht aufgelöst werden. The pores or structures must be fine enough so that you are not resolved by the incident radiation.
  • Im Bereich der Solaranwendungen werden solche Antireflex-Eigenschaften auf Glas über Sol-Gel-Schichten (Centrosolar, In the field of solar applications such anti-reflective properties on glass (sol-gel layers CentroSolar, EP 1 328 483 B1 EP 1328483 B1 , . EP 1 181 256 B1 EP 1181256 B1 ) und geätzte Oberflächen (SUNARC) schon angeboten. ) And etched surfaces (SUNARC) already offered. Eine weitere Möglichkeit ist die Abscheidung solcher porösen Schichten mittels PECVD-Verfahren unter Niederdruckbedingungen, wie es in A further possibility is the deposition of such porous layers by means of PECVD under low pressure conditions, as described in DE 199 12 737 DE 199 12 737 beschrieben ist. is described.
  • Wenn Kunststoffe entspiegelt werden sollen, werden dazu häufig Strukturen in die Oberfläche geprägt oder es wird durch Plasmaätzen die Oberfläche strukturiert ( If plastics are to be reflective, are often influenced to structures in the surface or it is structured by plasma etching the surface ( DE 103 18 566 DE 103 18 566 ). ).
  • In jüngster Zeit werden immer häufiger Plasmen eingesetzt, die bei Umgebungsdruck arbeiten. Recently, plasmas are increasingly used that operate at ambient pressure. Mit kalten, bei Atmosphärendruck betriebenen, im technischen Sprachgebrauch auch. With cold, operating at atmospheric pressure, in technical parlance. als „Corona-Entladungen” bezeichneten dielektrisch behinderten Entladungen („(dielektrische) Barrierenentladungen”) ist es möglich, mittels PECVD ebenfalls Schichten abzuscheiden. as a "corona discharge" referred to dielectrically barrier discharges ( "(dielectric) barrier discharges"), it is possible also to deposit films by PECVD. Hierbei können ebenfalls gezielt poröse Schichten hergestellt werden, die als Antireflex-Schicht eingesetzt werden können. Here, specifically, porous layers may also be prepared, which can be used as an antireflective layer. In In EP 1 342 810 EP 1342810 , . EP 1 819 843 A EP 1819843 A , . WO 08/045226 A WO 08/045226 A wird dies über den Einsatz von Organosiloxanen auf Kunststoffen erreicht. this is achieved through the use of organosiloxanes on plastics. Bei at und and ist die Bildung von porösen Schichten mittels Silan als Monomer beschrieben. the formation of porous layers by means of silane is described as a monomer.
  • Alle diese Schichten bzw. porösen Materialien zeigen einen sehr ähnlichen, optisch nahezu gleichen Verlauf der Transmission bzw. Reflexion. All of these layers or porous materials exhibit a very similar, optically almost the same course of the transmission or reflection. Sie können über die Schichtdicke und den Brechungsindex in einem begrenzten spektralen Bereich auf eine gute Transmission bzw. geringe Reflexion optimiert werden. They can be optimized over the layer thickness and the refractive index in a limited spectral range, to a good transmission and low reflection. Eine breitbandige Entspiegelung kann damit aber nicht erreicht werden. but a broadband antireflection coating can therefore not be achieved.
  • Ausgehend hiervon ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine kostengünstige, breitbandige Entspiegelung von Substraten zu ermöglichen, wobei auch die Brechungsindices der benachbarten Schichten angepasst sein sollen. Starting herefrom, it is an object to provide an inexpensive, broadband antireflection coating of substrates of the present invention, wherein the refractive indices of the adjacent layers should be adjusted.
  • Diese Aufgabe wird durch das Verfahren mit den Merk malen des Anspruchs 1 gelöst. This object is achieved by the method having the characteristics set of claim 1. Anspruch 23 betrifft eine Antireflexbeschichtung. Claim 23 relates to an antireflective coating. Weitere vorteilhafte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen enthalten. Further advantageous embodiments are contained in the dependent claims.
  • Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Herstellung mindestens einer eine Antireflexschicht bildenden Beschichtung auf einem sich bewegenden Substrat, mittels eines PECVD-Verfahrens bereitgestellt, wobei eine Gasmischung umfassend mindestens ein Arbeits-, Träger- sowie Balancegas durch mindestens einen zwischen mindestens zwei Hochspannungselektroden bildenden Spalt geführt wird und mindestens zwischen dem sich bewegenden Substrat, das von mindestens einer Gegenelektrode getragen wird, und den Hochspannungselektroden ein Plasma erzeugt wird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe, dass bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruck gearbeitet wird und eine Volumendosis des Plasmas von 10 5 bis 10 8 Ws/m 3 in der Plasmazone eingehalten wird. According to the invention a method for producing at least one of an antireflection layer forming coating on a moving substrate, provided by means of a PECVD process, in which a gas mixture at least one working, carrier as well as balance gas is passed through at least one forming between at least two high-voltage electrode gap comprising and a plasma is generated at least between which is supported by at least one counter electrode to the moving substrate, and the high-voltage electrodes, which specifies a plasma zone, with the proviso, that is carried out at atmospheric pressure or approximative atmospheric pressure and a volume dose of plasma from 10 5 to 10 8 Ws / m is maintained in the plasma zone. 3
  • Unter annäherndem Atmosphärendruck wird erfindungsgemäß ein Druck zwischen 0,9 und 1,1 bar verstanden. Approximative under atmospheric pressure, a pressure between 0.9 and 1.1 bar according to the invention is understood. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, über einen PECVD-Prozess bei Atmosphärendruck (bzw. annäherndem Atmosphärendruck) eine sehr breitbandige (mehrere 100 nm) Entspiegelung bzw. Erhöhung der Transmission zu erreichen. With the inventive method it is possible to use a very wide band to reach a PECVD process at atmospheric pressure (or approximative atmospheric pressure) (several 100 nm) anti-reflective coating or increasing the transmittance. Dazu wurde die Anordnung eines Elektrodensystems mit einem Gaseinlass und mehreren Hochspannungselektroden dahingehend optimiert, dass die in einem Schritt, dh bei nur einer Passage der zu entspiegelnden Scheibe durch eine Beschichtungsvorrichtung, abgeschiedene Schicht unterschiedliche Brechungsindices enthält. For this purpose, the arrangement of an electrode system with a gas inlet and a plurality of high voltage electrodes has been optimized, ie that with only one passage of the antireflection to slice through a coating apparatus, containing deposited layer in one step, different refractive indices. Wichtig ist dabei, dass die Anzahl der Elektroden sowie die Gaszufuhr und Gasabfuhr genau auf das Monomer abgestimmt wer den, um die optimalen optischen Eigenschaften zu erhalten. It is important that the number of electrodes and the gas supply and gas discharge tailored to the monomer who the order to obtain the optimum optical properties.
  • Bevorzugt liegt die Volumendosis im Bereich von 2 × 10 5 bis 2 × 10 7 Ws/m 3 . Preferably, the dose volume is in the range of 2 × 10 5 to 2 x 10 7 Ws / m 3. Dadurch wird eine optimale Beschichtung des Substrates ermöglicht. This allows for optimum coating of the substrate. So ist es möglich, eine Oberfläche zu erhalten, die möglichst gleichmäßig beschichtet ist. So it is possible to obtain a surface which is coated evenly as possible. Die Volumendosis setzt sich dabei aus der Leistung pro Volumen und der Verweilzeit des Prozessgases in der Plasmazone in dem Volumen zusammen. The volume dose is in this case composed of the power per unit volume and the residence time of the process gas in the plasma zone in the volume. Sie ist ein Maß für den Umsetzungsgrad des Precursors. It is a measure of the degree of conversion of the precursor.
  • Weiterhin kann in dem erfindungsgemäßen Verfahren mit einer dielektrischen Barriereentladung gearbeitet werden. Furthermore, can be used in the inventive process with a dielectric barrier discharge.
  • Die Gasgeschwindigkeit der Gasmischung kann dabei so gewählt werden, dass eine Verweildauer des Plasmas in der Plasmazone von 1 ms bis 1000 ms eingehalten wird. The gas velocity of the gas mixture can be chosen such that a residence time of the plasma in the plasma zone of 1 ms to 1000 ms is maintained. Dies ermöglicht eine homogene Beschichtung der Oberfläche in Abhängigkeit von den eingesetzten Substraten wie auch dem Arbeits-, Träger- sowie Balancegas. This allows a homogeneous coating of the surface, depending on the substrates used, as well as the labor, as well as balance carrier gas. Vorteilhaft ist eine Verweildauer von 5 ms bis 500 ms. is advantageously a residence time of 5 ms to 500 ms.
  • Alternativ kann das PECVD-Verfahren so betrieben werden, dass die Plasmazone einen Vorionisationsbereich mit verminderter Abscheiderate und einen Abscheidebereich umfasst. Alternatively, the PECVD process can be operated so that the plasma zone comprises a Vorionisationsbereich with reduced deposition rate and a separation zone.
  • Bevorzugt wird das PECVD-Verfahren so betrieben, dass die Vorionisation mindestens teilweise im Spalt erfolgt. PECVD process is preferably operated such that the pre-ionization is effected at least partially in the gap. Dabei kann die Anordnung für das Verfahren aus z. In this case, the arrangement for the method of z. B. einer Gaszufuhr in der Mitte und mindestens einer oder mehrerer beliebig breiter Elektroden auf je der Seite der Gaszufuhr bestehen, wodurch auch eine gezielte Absaugung des Gases so realisiert werden kann. B. a gas supply in the middle and at least one or more arbitrarily wider electrodes are made depending on the side of the gas supply, which can be realized also as a selective extraction of the gas. Durch eine geeignete elektrische Anordnung kann die Vorionisation auch zwischen den Elektroden erfolgen, so dass auf dem Substrat nur die Abscheidung erfolgt. By an appropriate electrical arrangement of the pre-ionization may also occur between the electrodes so that on the substrate deposition takes place only. Im Bereich der Vorionisation wird üblicherweise nur eine geringfügige Schicht abgeschieden, wohingegen in der Abscheidungszone die eigentliche Abscheidung erfolgt. In the field of pre-ionization only a slight layer is usually deposited, whereas in the deposition zone the actual separation takes place.
  • Vorteilhafterweise wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren pro beschichteter Substratoberfläche, bezogen auf das unbeschichtete Substrat, eine Reflektionsminderung um mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereich von mindestens 200 nm erreicht. Advantageously, a reflection loss is, the inventive method per coated substrate surface, based on the uncoated substrate reaches at least 2.5% in a wavelength range of at least 200 nm. Dieser Bereich kann variabel zwischen 200 nm und 1500 nm eingestellt werden und z. This range may be variably set between 200 nm and 1500 nm, and z. B. zwischen 300 nm und 500 nm, 400 nm und 600 nm oder 500 nm und 700 nm liegen. For example, between 300 nm and 500 nm, 400 nm and 600 nm or 500 nm and 700 nm.
  • Beim Durchgang eines Lichtstrahls durch eine Scheibe wird das Licht an Grenzflächen reflektiert und in den Materialien absorbiert; During the passage of a light beam by a disc the light is reflected at interfaces and absorbed into the materials; aus Gründen der Energieerhaltung ist die transmittierte Intensität, bezogen auf eine einfallende Intensität von 100%, gegeben durch T = 100% – R – A, wobei R und A die „Energieverluste” durch Reflexion und Absorption bezeichnen. for reasons of energy conservation is the transmitted intensity, relative to an incident intensity of 100%, is given by T = 100% - R - A, wherein R and A denote the "energy loss" by reflection and absorption. Wenn es gelingt, durch Entspiegelung einer Grenzfläche des ursprünglich unbeschichteten Glases die Reflexion um x% zu verringern, steigt T um x% an. If it is possible to reduce by antireflection an interface of the original uncoated glass, the reflection by x%, T increases by x%. Die theoretisch maximal mögliche Entspiegelung einer Grenzfläche eines Materials mit dem Brechungsindex n s beträgt dabei [(n s – 1)/(n s + 1)] 2 , bei gewöhnlichem Glas mit n s ≈ 1,5 also 4,0%. The theoretically maximum possible antireflection an interface of a material with the refractive index n s amounts to [(n s - 1) / (n s + 1)] 2, wherein ordinary glass with n s ≈ 1.5 therefore 4.0%.
  • Das Substrat weist bevorzugt im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderung von mindestens 2,5% auf. The substrate preferably comprises in the range of 300 to 1000 nm a reflection reduction of at least 2.5%. Dies umfasst folglich nicht nur den Bereich des sichtbaren Lichtes, sondern auch einen Teil des nahen Infrarot-Bereichs sowie auch des UV-Lichtes. This therefore includes not only the range of visible light, but also a portion of the near-infrared range as well as the UV light. Somit ist das erfindungsgemäße Verfahren für eine große spektrale Bandbreite und damit verbundenen, verschiedenen Anforderungen einsetzbar. Thus, the method according to the invention for a large spectral bandwidth, and related, various requirements can be used.
  • Es kann auch mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine eine Antireflexschicht bildende Beschichtung abgeschieden werden. It may also be deposited with the inventive method, a layer forming an antireflection coating.
  • Weiterhin kann auf der mindestens einen Schicht, die eine Antireflexschicht bildet, mindestens eine weitere Schicht abgeschieden werden. Furthermore, at least one further layer can be applied to the at least one layer constituting an antireflection layer are deposited.
  • Vorteilhafterweise kann als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung der Oberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden werden. Advantageously, as at least one further layer is a wetting of the surface-influencing layer are deposited. Dies kann eine hydrophobe Schicht sein, die z. This can be a hydrophobic layer such. B. mittels Hexamethylcyclotrisiloxan, Hexamethyldisiloxan oder einer Fluorverbindung (cC 4 F 8 oder CF 4 ) unter inerten Bedingungen (Ar, He, N 2 als Trägergas) abgeschieden werden kann und einen Wasserrandwinkel über 90° aufweist. B. means hexamethylcyclotrisiloxane, hexamethyldisiloxane, or a fluorine compound (cC 4 F 8 or CF 4) under inert conditions can be deposited (Ar, He, N 2 as carrier gas) and has a water contact angle above 90 °.
  • Bevorzugt wird als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeit der Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden. as at least one further layer is a scratch resistance of the surface improving layer is preferably deposited. Dies ermöglicht einen Einsatz der Substrate auch unter extremeren Umgebungsbedingungen, wie z. This allows the use of substrates, even under extreme environmental conditions such. B. im Außenbereich. B. outdoors. Dies kann eine glasartige SiO x -Schicht sein, wie sie im Beispiel 3 beschrieben ist. This can be a glass-like SiO x layer, as described in Example 3. FIG.
  • Als Arbeitsgas wird bevorzugt mindestens ein Precursor ausgewählt aus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen, Organosilazanen, Alkoxysilanen, fluorhaltigen Monomeren und/oder Mischungen hiervon eingesetzt. As the working gas, at least one precursor is preferably selected from silanes, organosilanes, organosiloxanes, organosilazanes, alkoxysilanes, fluorine-containing monomers and / or mixtures thereof used.
  • Hierbei ist das Organosilan ausgewählt aus Substanzen wie z. Here, the organosilane is selected from substances such. B. Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon. B. tetramethylsilane, trimethylsilane or mixtures thereof. Hierbei ist das Organosiloxan ausgewählt aus Substanzen wie z. Here, the organosiloxane is selected from substances such. B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungen hiervon. As hexamethyldisiloxane, octamethyltrisiloxane or mixtures thereof. Hierbei ist das Organosilazan ausgewählt aus Substanzen wie z. Here, the organosilazane selected from substances such. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungen hiervon. As hexamethyldisilazane, octamethyltrisilazane, or mixtures thereof. Hierbei ist das Alkoxysilan ausgewählt aus Substanzen wie z. Here, the alkoxysilane is selected from substances such. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilan oder Mischungen hiervon. As tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane or mixtures thereof.
  • Der Begriff „Arbeitsgas” beinhaltet eine reaktive Substanz, die bei Standard-Bedingungen (Raumtemperatur, Normaldruck) gasförmig sein kann und polymerisierbar ist, so dass sie auf dem Substrat eine Beschichtung bilden kann. The term "working gas" includes a reactive substance, which at standard conditions (room temperature, normal pressure) may be gaseous, and is polymerized, so that it can form a coating on the substrate.
  • Je nach Precursor können die Hydrophilie der Oberfläche erhöht werden oder hydrophobe Schichten aufgebracht werden bzw. die Kratzfestigkeit und damit die Stabilität der Schichten erhöht werden. Depending on the precursor, the hydrophilicity of the surface can be increased or hydrophobic layers are applied and the scratch resistance, and thus the stability of the layers can be increased. Ein Maß für den Umsetzungsgrad des Precursors in der Plasmazone ist die bereits genannte Volumendosis. A measure of the degree of conversion of the precursor into the plasma zone is the aforementioned volume dose.
  • Bevorzugt ist das Balancegas ausgewählt aus Luft, CO 2 , O 2 , NH 3 , N 2 O, He, N 2 , Ar. Preferably, the balance gas is selected from air, CO 2, O 2, NH 3, N 2 O, He, N 2, Ar. Das Balancegas ist erfindungsgemäß ein reaktives oder nicht reaktives Gas, das dem Trägergas und Arbeitsgas vor der Plasmazone beigemischt wird. The balance gas according to the invention, a reactive or non-reactive gas that is mixed with the carrier gas and working gas before the plasma zone.
  • Das Trägergas ist vorzugsweise ausgewählt aus Edelgasen oder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon und Stickstoff. The carrier gas is preferably selected from rare gases or inert gases, especially helium, argon and nitrogen. Trägergase sind Gase, die das Arbeitsgas in die Plasmazone trägt. Carrier gases are gases which carries the working gas into the plasma zone.
  • Vorteilhafterweise wird als Substrat Glas, insbesondere Floatglas oder Gussglas, eingesetzt. Advantageously, as a substrate of glass, especially float glass or rolled glass, are used. Somit sind diese Schichten hervorragend ua für den Einsatz im Bereich Verglasung und solare Anwendung geeignet. Thus, these layers are excellent suitable, inter alia glazing and solar application for use in the field. Mit diesem Verfahren können alle möglichen planaren Substrate, wie Folien, Platten oder Scheiben aus Glas, Silizium, Gummi oder Kunststoff beschichtet werden. With this method all possible planar substrates, such as films, plates or disks made of glass, silicon, rubber or plastic may be coated. Weiterhin kann durch eine dynamische Beschichtung, dh durch Bewegung des Substrates oder des Elektrodenkopfes, eine besonders gute Beschichtung und damit eine breitbandige Entspiegelung erreicht werden. Furthermore, it can be achieved by a dynamic coating, ie, by moving the substrate or the electrode head, a particularly good coating and a broadband antireflection coating.
  • Als Substrat können ferner auch Polymere, insbesondere optisch transparente Kunststoffe, eingesetzt werden. As the substrate can also further polymers, in particular optically transparent plastics are used.
  • Weiterhin ist eine durch eines der bisher beschriebenen Verfahren herstellbare Antireflexbeschichtung auf einem Substrat erfindungsgemäß. Furthermore, a producible by one of the processes described to date anti-reflective coating on a substrate according to the invention.
  • Anhand der nachfolgenden Based on the following 1 1 bis to 5 5 sowie der Beispiele 1 bis 3 soll der anmeldungsgemäße Gegenstand näher erläutert werden, ohne diesen auf diese speziellen Varianten einzuschränken. as well as the Examples 1 to 3 will be explained in more detail without limiting it to these particular variants of the object according to the application.
  • 1 1 zeigt die berechnete Reflexion eines mit porösen SiO 2 -Schichten beidseitig entspiegelten Floatglases. shows the calculated reflectance of a non-reflective with porous SiO 2 layers float glass.
  • 2A 2A zeigt den schematischen Aufbau zur Beschichtung von Substraten. shows the schematic structure of coating substrates.
  • 2B 2 B zeigt die Schichtdicke sowie den Brechungsindex in Abhängigkeit von der Messposition. shows the layer thickness and the refractive index depending on the measuring position.
  • 3A 3A zeigt die Abhängigkeit der Reflexion von der Wellenlänge. shows the dependence of the reflectance on the wavelength.
  • 3B 3B zeigt die Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge. shows the dependence of the transmittance on the wavelength.
  • 4A 4A zeigt eine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung, wobei das Substrat breiter ist als der Bereich der Gaszufuhr bzw. des Gasauslasses und der Hochspannungselektroden. shows a possible arrangement for the separation of wide-band anti-reflection coating, wherein the substrate is wider than the area of ​​the gas supply and the gas outlet and the high voltage electrodes.
  • 4B 4B zeigt eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung, wobei hier das Substrat schmaler ist als die Summe aus Hochspannungselektroden und Gaszufuhr bzw. Auslass. shows another possible arrangement for the separation of wide-band anti-reflection coating, in which case the substrate is narrower than the sum of the high voltage electrodes and the gas supply and outlet, respectively.
  • 4C 4C zeigt eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung, wobei die Gaszufuhr zwischen den zwei Hochspannungselektroden erfolgt und der Auslass links bzw. rechts neben den Hochspannungselektroden angeordnet ist. shows another possible arrangement for the separation of the broadband anti-reflective coating, wherein the gas supply between the two high voltage electrodes takes place and the outlet is arranged adjacent to the high voltage electrodes left or right.
  • 5A 5A zeigt den Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation und der Abscheidung, wobei die Hochspannung auf beiden Elektroden gleichphasig geschaltet ist. shows the influence of the electrical arrangement on the portions of the pre-ionization and deposition, wherein the high voltage is switched in phase on both electrodes.
  • 5B 5B zeigt den Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation und der Abscheidung, wobei die Hochspannung gegenphasig geschaltet ist. shows the influence of the electrical arrangement on the portions of the pre-ionization and deposition, wherein the high voltage is switched in antiphase.
  • 1 1 zeigt die berechnete Reflexion eines mit po rösen SiO 2 -Schichten beidseitig entspiegelten Floatgases. shows the calculated reflectance of a po with Rösen SiO 2 layers non-reflective float gas. Der effektive Brechungsindex n = 1,24 und die Schichtdicke beträgt 150 nm. Die berechnete Reflexion steigt im Bereich von 250 bis 400 nm auf 9% und fällt bis zu einer Wellenlänge von 700 nm wieder auf 0 ab. The effective refractive index n = 1.24 and the layer thickness is 150 nm. The calculated reflection increases in the range of 250 to 400 nm at 9%, and falls to 0 again up to a wavelength of 700 nm from. Danach erhöht sich der Wert für die berechnete Reflexion in einem Wellenlängen-Bereich von 700 bis 1.500 nm nahezu linear und nähert sich im darauf folgenden einem Maximum von 7% an. Thereafter, the value for the calculated reflection increases almost linearly in a wavelength range of 700 to 1500 nm, and approaches in the following a maximum of 7%.
  • In In 2A 2A ist der Aufbau für das erfindungsgemäße Beschichtungsverfahren dargestellt. the structure of the inventive coating method is shown. Der Gaseinlass The gas inlet 10 10 erfolgt zwischen den zwei Hochspannungselektroden takes place between the two high voltage electrodes 20 20 auf das Glassubstrat on the glass substrate 30 30 . , Das Glassubstrat The glass substrate 30 30 ist hierbei auf der Gegenelektrode here is on the counter electrode 50 50 angeordnet. arranged. Mit den Ziffern Use the number 1 1 bis to 5 5 sind verschiedene Messpositionen, die sich auf dem Glassubstrat are different measurement positions on the glass substrate 30 30 befinden, bezeichnet. are called.
  • 2B 2 B zeigt die Abhängigkeit der Schichtdicke sowie der Brechungsindices von der Messposition shows the dependence of the layer thickness and the refractive indices of the measuring position 1 1 bis to 5 5 . , Die Schichtdicke liegt bei Messposition The film thickness is measured position 1 1 bis to 3 3 im Bereich von 50 nm und bei Messposition in the range of 50 nm and in the measuring position 4 4 und and 5 5 im Bereich von 350 nm. Der Brechungsindex liegt für Messposition in the range of 350 nm. The refractive index is located for measuring position 1 1 bei 1,125 und für Messposition at 1.125 and for measuring position 2 2 und and 3 3 im Bereich von 1,05. in the range of 1.05. Für die Messpositionen For the measurement positions 4 4 und and 5 5 liegt der Brechungsindex bei 1,2 bzw. 1,1525. is the refractive index at 1.2 or 1.1525. In In 2b 2 B ist der Brechungsindex und Schichtdickenverlauf einer statischen Beschichtung mit Silan dargestellt. the refractive index and layer thickness profile of a static coating is shown with silane.
  • 3A 3A zeigt die Reflexion in Abhängigkeit von der Wellenlänge bei einer erfindungsgemäßen, beidseitigen Antireflexbeschichtung auf Floatglas, wobei das Substrat oder der Elektrodenkopf bewegt wird. shows the reflectance as a function of wavelength for an inventive, double-sided anti-reflective coating on float glass, wherein the substrate or the electrode head is moved. die Reflexion der Antireflexschicht liegt im Bereich von 0 bis 600 nm bei 1% und sinkt in einem Bereich bis ca. 800 nm auf 0,5% ab. the reflection of the antireflection layer is in the range from 0 to 600 nm at 1% and falls in a range up to approximately 800 nm to 0.5% at. Danach folgt ein Anstieg der Reflexion, der im Bereich von 2.000 bis 2.500 gegen ein Maximum, hier 5%, geht. After that, an increase of reflection that goes in the range from 2000 to 2500 to a maximum 5% here follows. Die Referenz (unbeschichtetes Floatglas) weist im Bereich von 0 bis 100 nm einen Anstieg der Reflexion von 5,5 auf 8,5% auf. The reference (uncoated float glass) has in the region of 0 to 100 nm to an increase in reflection of 5.5 to 8.5%. Danach sinkt die prozentuale Reflexion geringfügig, liegt aber über den ganzen gemessenen Wellenlängenbereich deutlich über der Reflexion der erfindungsgemäßen Antireflexschicht. Thereafter, the percent reflectance decreases slightly, but it is over the whole measured wavelength range significantly higher than the reflectivity of the antireflection layer of the invention.
  • 3B 3B zeigt die Transmission einer Referenz sowie der erfindungsgemäßen Antireflexbeschichtung in Abhängigkeit von der Wellenlänge. shows the transmission of a reference as well as the anti-reflective coating according to the invention as a function of wavelength. Die Kurven für die Transmission verlaufen nahezu parallel, wobei für die erfindungsgemäße Antireflexbeschichtung die Transmission durchgängig über den ganzen gemessenen Wellenlängenbereich einen höheren Wert aufweist als für die Referenz (unbeschichtetes Floatglas). The curves for the transmission are nearly parallel, wherein for the inventive anti-reflective coating, the transmission over the measured wavelength range has consistently a higher value than for the reference (uncoated float glass).
  • 4A 4A zeigt eine mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen Antireflexbeschichtung. shows a possible arrangement for the separation of wide-band anti-reflection coating. Hier sind die Hochspannungselektroden Here are the high-voltage electrodes 20 20 links und rechts von der Gaszufuhr left and right of the gas supply 40 40 angeordnet. arranged. Das Substrat the substrate 30 30 liegt dieser Anordnung gegenüber. this arrangement is opposite. Auf der Gegenelektrode On the counter electrode 50 50 ist das Substrat is the substrate 30 30 angeordnet. arranged. Der Pfeil unterhalb der Gegenelektrode zeigt die Bewegungsrichtung von Gegenelektrode The arrow below the counter electrode shows the direction of movement from counter-electrode 50 50 und dem darauf befindlichen Substrat and the substrate thereon 30 30 an. at.
  • 4B 4B zeigt eine weitere mögliche Anordnung zur Abscheidung der breitbandigen erfindungsgemäßen Antireflexbeschichtung. shows another possible arrangement for the separation of the broadband antireflection coating according to the invention. Das Substrat the substrate 30 30 ist auf der Gegenelektrode is on the counter electrode 50 50 angeordnet, die der Gaszufuhr arranged that the gas supply 40 40 gegenüber liegt. Located opposite. Die Gaszufuhr The gas supply 40 40 ist zwischen zwei Hochspannungselektroden is between two high voltage electrodes 20 20 angeordnet. arranged. Der Pfeil unterhalb der Gegenelektrode The arrow below the counter electrode 50 50 zeigt die Bewegungs richtung des Substrates shows the moving direction of the substrate 30 30 an. at.
  • 4C 4C zeigt eine weitere Variante zur Abscheidung der Antireflexbeschichtung. shows a further variant for the deposition of anti-reflective coating. Hier ist die Gaszufuhr Here's the gas supply 40 40 zwischen zwei Hochspannungselektroden between two high voltage electrodes 20 20 oberhalb des Substrates above the substrate 30 30 angeordnet. arranged. Der Gasauslass the gas outlet 45 45 ist links bzw. rechts der Hochspannungselektroden is left or right of the high-voltage electrodes 20 20 angeordnet. arranged. Das Substrat the substrate 30 30 befindet sich auf der Gegenelektrode Located on the counter electrode 50 50 , die in Pfeilrichtung bewegt wird. That is moved in the arrow direction.
  • 5A 5A zeigt eine weitere mögliche Anordnung, wobei hier der Einfluss der elektrischen Anordnung auf die Bereiche der Vorionisation shows a further possible arrangement, in which case the influence of the electrical arrangement on the portions of the preionization 60 60 und der Abscheidung and deposition 70 70 dargestellt ist. is shown. Die Hochspannung ist auf beiden Hochspannungselektroden The high voltage is on two high-voltage electrodes 20 20 gleichphasig geschaltet. connected in phase. Hier befindet sich das Substrat Here is the substrate 30 30 auf der Gegenelektrode on the counter electrode 50 50 . , Dieser Anordnung gegenüber ist die Gaszufuhr This arrangement over the gas supply 40 40 , die zwischen den beiden Hochspannungselektroden That between the two high voltage electrodes 20 20 erfolgt, angeordnet. occurs arranged.
  • In In 5B 5B ist die Hochspannung der Hochspannungselektroden is the high voltage of the high voltage electrodes 20 20 gegenphasig geschaltet. connected in opposite phase. Dadurch zündet das Plasma auch zwischen den Elektroden Thus, the plasma ignites between the electrodes 20 20 und die Vorionisation and the pre-ionization 60 60 befindet sich nicht direkt auf der Substratoberfläche is not located directly on the substrate surface 30 30 . , Die Gaszufuhr The gas supply 40 40 erfolgt zwischen den zwei Hochspannungselektroden takes place between the two high voltage electrodes 20 20 auf das Substrat to the substrate 30 30 , das auf der Gegenelektrode That on the counter electrode 50 50 angeordnet ist. is arranged. Durch den Pfeil unterhalb der Gegenelektrode By the arrow below the counter electrode 50 50 ist die Bewegungsrichtung des Substrates is the direction of movement of the substrate 30 30 dargestellt. shown.
  • Diese verschiedenen Anordnungen sind beliebig kombinierbar in Abhängigkeit von den Substraten wie auch den gewünschten Oberflächeneigenschaften. These various configurations can be combined, depending on the substrates as well as the desired surface properties.
  • Beispiel 1 example 1
  • Antireflex-Beschichtung eines Floatglases (dynamisch) Anti-reflective coating of a float glass (dynamic)
  • Ein Beschichtungssystem mit einem zentralen Gaseinlass und je einer Hochspannungselektrode auf jeder Seite wird verwendet. A coating system with a central gas inlet and a respective high voltage electrode at each side is used. Die Gasgeschwindigkeit wird so gewählt, dass eine Verweilzeit von 12 ms erreicht wird, mit einer Mischung aus Helium, Kohlendioxid, Ammoniak und Silan. The gas velocity is selected so that a dwell time of 12 ms is reached, with a mixture of helium, carbon dioxide, ammonia and silane. Es wird eine dielektrische Barrierenentladung betrieben, so dass eine Volumendosis von 6·10 5 W·s/m 3 erreicht wird. A dielectric barrier discharge operated so that a volume dose of 6 × 10 5 W · s / m is achieved. 3 Ein sich bewegendes Glassubstrat wird so einseitig mit einer Geschwindigkeit von 1 mm/s beschichtet. A moving glass substrate is coated on one side with a speed of 1 mm / s. Danach wird die Probe gedreht und mit den gleichen Parametern auf der Rückseite beschichtet. Then the sample is rotated and coated with the same parameters on the back. Bei der mittels UV-VIS-Spektroskopie vermessenen Probe reduziert sich die Reflexion im Bereich von 300 bis 1000 nm auf etwa 1%. When measured by UV-VIS spectroscopy sample the reflection reduced in the region of 300 to 1000 nm to about 1%.
  • Beispiel 2 example 2
  • Antireflex-Beschichtung eines Floatglases (statisch) Anti-reflective coating of a float glass (static)
  • Ein Beschichtungsreaktor mit zwei Glasplatten (10 × 30 cm 2 ) und Kupferband als planare Elektroden (5 × 25 cm 2 ) wird von einer Seite mit einer Gasmischung aus Helium, Distickstoffoxid, Ammoniak und Silan gespült. A coating reactor having two glass plates (10 x 30 cm 2) and copper tape as planar electrodes (5 x 25 cm 2) is flushed from one side with a gas mixture of helium, nitrous oxide, ammonia and silane. Die Gesamtverweilzeit im Reaktor beträgt 360 ms und die gesamte Volumendosis 2·10 5 Ws/m 3 . The total residence time in the reactor is 360 ms and the total volume dose of 2 x 10 5 Ws / m 3. Es zeigt sich, dass nach einer Verweilzeit von ca. 5 ms die Schichtabscheidung einer Antireflex-Schicht beginnt und aufgrund der gewählten Volumendosis diese bis zu einer Verweilzeit von ca. 140 ms als Antireflex-Schicht reicht. It is found that after a residence time of approximately 5 ms, the layer deposition of an antireflection coating and begins due to the selected volume dose this to a residence time of about 140 ms is sufficient as an antireflective layer. Danach ist der Precursor nahezu vollständig abreagiert. Thereafter, the precursor is virtually fully depleted.
  • Beispiel 3 example 3
  • Antireflex und Antikratz-Beschichtung Anti-reflection and anti-scratch coating
  • Ein Floatglas wird zuerst mit den in Beispiel 1 beschriebenen Parametern mit einer Antireflex-Schicht beschichtet. A float glass is first coated with the parameters described in Example 1 with an antireflection layer. Allerdings wird diese Schicht bei einer Geschwindigkeit von 2 mm/s abgeschieden. However, this layer is deposited at a rate of 2 mm / s. Im Anschluss wird mit einer identischen Anordnung mit dem Precursor TMOS (Tetramethoxysilan) sowie Stickstoff und Ammoniak als Prozessgasen die Gasgeschwindigkeit so gewählt, dass eine Verweilzeit von 10 ms und eine Volumendosis von 5·10 5 Ws/m 3 und einer Geschwindigkeit von 4 mm/s betrieben. In connection with an identical arrangement with the precursor TMOS (tetramethoxysilane) as well as nitrogen and ammonia, is chosen as the process gases, the gas velocity so that a residence time of 10 ms and a volume dose of 5 x 10 5 Ws / m 3 and a speed of 4 mm / s operated. Diese Schichtkombination zeigt neben der Antireflex-Wirkung auch eine verbesserte Kratzstabilität. This layer combination also exhibits improved scratch stability in addition to the anti-reflective effect.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDED IN THE DESCRIPTION
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Claims (23)

  1. Verfahren zur Herstellung mindestens einer eine Antireflexschicht bildenden Beschichtung auf einem sich bewegenden Substrat, mittels eines PECVD-Verfahrens, wobei eine Gasmischung umfassend mindestens ein Arbeits-, Träger- sowie Balancegas durch mindestens einen zwischen mindestens zwei Hochspannungselektroden bildenden Spalt geführt wird und mindestens zwischen dem sich bewegenden Substrat, das von mindestens einer Gegenelektrode getragen wird, und den Hochspannungselektroden ein Plasma erzeugt wird, das eine Plasmazone vorgibt mit der Maßgabe, dass: a) bei Atmosphärendruck bzw. annäherndem Atmosphärendruck gearbeitet wird und b) eine Volumendosis des Plasmas von 10 5 bis 10 8 Ws/m 3 in der Plasmazone eingehalten wird. A process for producing at least one of an antireflection layer forming coating on a moving substrate, by means of a PECVD process, in which a gas mixture at least one working, carrier as well as balance gas is passed through at least one forming between at least two high-voltage electrode gap comprising and at least between which moving substrate, which is supported by at least one counter electrode and the high voltage electrodes, a plasma is generated which defines a plasma zone, with the proviso that: a) is carried out at atmospheric pressure or approximative atmospheric pressure, and b) a volume dose of plasma from 10 5 to m is observed in the plasma zone 3 10 8 Ws /.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Volumendosis im Bereich von 2 × 10 5 bis 2 × 10 7 Ws/m 3 liegt. A method according to claim 1, characterized in that the volume of dose in the range of 2 × 10 5 to 2 x 10 7 Ws / m. 3
  3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass mit einer dielektrischen Barriereentladung gearbeitet wird. The method of claim 1 or 2, characterized in that working with a dielectric barrier discharge.
  4. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasgeschwindigkeit der Gasmischung so gewählt wird, dass eine Verweildauer des Plasmas in der Plasmazone von 1 ms bis 1000 ms eingehalten wird. A method according to any one of claims 1 to 3, characterized in that the gas velocity of the gas mixture is chosen so that a residence time of the plasma in the plasma zone of 1 ms to 1000 ms is maintained.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass eine Verweildauer von 5 ms bis 500 ms eingehalten wird. A method according to claim 4, characterized in that a residence time of 5 ms to 500 ms is maintained.
  6. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das PECVD-Verfahren so betrieben wird, dass die Plasmazone einen Vorionisationsbereich mit verminderter Ab scheiderate und einen Abscheidebereich umfasst. A method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the PECVD process is operated so that the plasma zone a deposition rate Vorionisationsbereich with reduced Ab and comprises a separation zone.
  7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass das PECVD-Verfahren so betrieben wird, dass die Vorionisation mindestens teilweise im Spalt erfolgt. A method according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the PECVD process is operated so that the pre-ionization is effected at least partially in the gap.
  8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass pro beschichtete Substratoberfläche bezogen auf das unbeschichtete Substrat eine Reflektionsminderung um mindestens 2,5% in einem Wellenlängenbereich von mindestens 200 nm erreicht wird. A method according to any one of claims 1 to 7, characterized in that on the uncoated substrate has a reflectance reduction is achieved by at least 2.5% in a wavelength range of at least 200 nm is per coated substrate surface.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat im Bereich von 300 bis 1000 nm eine Reflektionsminderung von mindestens 2,5% aufweist. A method according to claim 8, characterized in that the substrate is in the range of 300 to 1000 nm has a reflection reduction of at least 2.5%.
  10. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass eine eine Antireflexschicht bildende Beschichtung abgeschieden wird. A method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that an anti-reflection layer-forming coating is deposited.
  11. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf der mindestens einen Schicht, die eine Antireflexschickt bildet, mindestens eine weitere Schicht abgeschieden wird. A method according to any one of claims 1 to 9, characterized in that at least one further layer is deposited on the at least one layer constituting an antireflection Sends.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eine weitere Schicht eine die Benetzung der Oberfläche beeinflussende Schicht abgeschieden wird. A method according to claim 11, characterized in that as at least one further layer is a wetting of the surface-influencing layer is deposited.
  13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass als mindestens eine weitere Schicht eine die Kratzfestigkeit der Oberfläche verbessernde Schicht abgeschieden wird. The method of claim 11 or 12, characterized in that as at least one further layer is a scratch resistance of the surface improving layer is deposited.
  14. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass als Arbeitsgas mindestens ein Precursor ausgewählt aus Silanen, Organosilanen, Organosiloxanen, Organosilazanen, Alkoxysilanen, fluorhaltigen Monomeren und/oder Mischungen hiervon eingesetzt wird. A method according to any one of claims 1 to 13, characterized in that as the working gas, at least one precursor selected from silanes, organosilanes, organosiloxanes, organosilazanes, alkoxysilanes, fluorine-containing monomers and / or mixtures thereof is used.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Organosilan ausgewählt ist aus Substanzen, wie z. A method according to claim 14, characterized in that the organosilane is selected from substances such. B. Tetramethylsilan, Trimethylsilan oder Mischungen hiervon. B. tetramethylsilane, trimethylsilane or mixtures thereof.
  16. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Organosiloxan ausgewählt ist aus Substanzen wie z. A method according to claim 14, characterized in that the organosiloxane is selected from substances such. B. Hexamethyldisiloxan, Octamethyltrisiloxan oder Mischungen hiervon. As hexamethyldisiloxane octamethyltrisiloxane or mixtures thereof.
  17. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Organosilazan ausgewählt ist aus Substanzen wie z. A method according to claim 14, characterized in that said organosilazane is selected from substances such. B. Hexamethyldisilazan, Octamethyltrisilazan oder Mischungen hiervon. As hexamethyldisilazane, octamethyltrisilazane, or mixtures thereof.
  18. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Alkoxysilan ausgewählt ist aus Substanzen wie z. A method according to claim 14, characterized in that the alkoxysilane is selected from substances such. B. Tetramethoxysilan, Tetraethoxysilan, Aminopropyltrimethoxysilan oder Mischungen hiervon. As tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane or mixtures thereof.
  19. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass das Balancegas ausgewählt ist aus Luft, CO 2 , O 2 , NH 3 , N 2 O, He, N 2 , Ar. A method according to any one of claims 1 to 18, characterized in that the balance gas is selected from air, CO 2, O 2, NH 3, N 2 O, He, N 2, Ar.
  20. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Trägergas ausgewählt ist aus Edelgasen oder Inertgasen, insbesondere Helium, Argon und Stickstoff. A method according to any one of claims 1 to 19, characterized in that the carrier gas is selected from rare gases or inert gases, especially helium, argon and nitrogen.
  21. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Glas, insbesondere Floatglas oder Gussglas, eingesetzt wird. A method according to any one of claims 1 to 20, characterized in that is used as a substrate of glass, especially float glass or rolled glass.
  22. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass als Substrat Polymere, insbesondere optisch transparente Kunststoffe, eingesetzt werden. A method according to any one of claims 1 to 20, characterized in that are used as the substrate polymers, in particular optically transparent plastics.
  23. Antireflexbeschichtung auf einem Substrat, herstellbar durch ein Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 22. Anti-reflective coating on a substrate produced by a method according to any one of claims 1 to 22nd
DE200910030303 2009-06-24 2009-06-24 Method for the production of a coating having antireflexion layer on a movable substrate by a plasma-enhanced chemical vapor deposition, comprises providing a gas mixture having process-, carrier- and/or balance gas through a slit Ceased DE102009030303A1 (en)

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