DE102009016063A1 - Mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren, sowie Projektionsbelichtungsanlage - Google Patents

Mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren, sowie Projektionsbelichtungsanlage Download PDF

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Markus Dr. Knuefermann
Markus Dr. Deguenther
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Carl Zeiss SMT GmbH
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70566Polarisation control

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Ein Verfahren weist folgende Schritte auf: Bereitstellen eines Substrats (111), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist, Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung (101) und einem Projektionsobjektiv (102), wobei die Beleuchtungseinrichtung (101) einen Polarisationsmanipulator (115, 200, 800, 900, 950) mit einem ersten Bereich (210, 810, 910, 951) und wenigstens einem zweiten Bereich (220, 820, 920, 952) aufweist, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen, und Projizieren, in wenigstens zwei Projektionsschritten, jeweils einer Maskenstruktur auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage, wobei in einem dieser Projektionsschritte nur der erste Bereich und in dem anderen dieser Projektionsschritte nur der zweite Bereich wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung angeordnet wird.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage. Insbesondere betrifft die Erfindung ein mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren und eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage, welche eine flexible und schnelle Anpassung der Polarisationsverteilung an unterschiedliche abzubildende Strukturen ermöglichen.
  • Stand der Technik
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z. B. ein Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • Es ist bekannt, in einem auch als „Doppelbelichtung” bezeichneten Verfahren den Wafer unmittelbar aufeinanderfolgend unter Verwendung unterschiedlicher (z. B. horizontaler und vertikaler) Maskenstrukturen zu belichten. Ferner sind verschiedene Ansätze bekannt, zur Optimierung des Abbildungskontrastes gezielt bestimmte Polarisationsverteilungen insbesondere in der Pupillenebene der Beleuchtungseinrichtung oder in der Retikelebene einzustellen.
  • Aus WO 2005/069081 A2 ist u. a. ein polarisationsbeeinflussendes optisches Element bekannt, welches aus einem optisch aktiven Kristall besteht und ein in Richtung der optischen Achse des Kristalls variierendes Dickenprofil aufweist. Eine schematische Darstellung dieses polarisationsbeeinflussenden optischen Elementes ist in 11 (welche dieser Offenlegungsschrift entnommenen ist) wiedergegeben und wird im Weiteren noch detaillierter erläutert.
  • Aus WO 2006/040184 A2 ist es u. a. bekannt, zur Anpassung der Polarisationsrichtung an unterschiedliche Maskenstrukturen in der Beleuchtungseinrichtung einer Projektionsbelichtungsanlage eine Vorrichtung zur Drehung der Polarisationsrichtung um einen beliebigen, gewünschten Winkel anzuordnen, wobei diese Vorrichtung z. B. eine Lambda/2-Platte oder eine Anordnung aus zwei gekreuzten Lambda/2-Platten umfassen kann.
  • Aus WO 2006/097135 A1 ist es u. a. bekannt, in der Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage einen Polarisationsmanipulator anzuordnen, welcher z. B. einen Polarisationsrotator zur Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung mit einer um die optische Systemachse rotierenden Lambda/4-Platte aufweisen kann, deren Drehung gemeinsam mit der Drehung eines rotierenden Pupillenfilters derart mit einer Scanrate der Scanvorrichtung koordiniert wird, dass unterschiedliche Muster auf der Maske mit unterschiedlichen Beleuchtungssettings von jeweils unterschiedlicher Polarisationsvorzugsrichtung beleuchtet werden.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren sowie eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage bereitzustellen, welche eine flexible und schnelle Anpassung der Polarisationsverteilung an unterschiedliche abzubildende Strukturen ermöglichen.
  • Diese Aufgabe wird durch das Verfahren gemäß den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1 sowie die Vorrichtung gemäß den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 18 gelöst.
  • Ein mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren weist folgende Schritte auf:
    • – Bereitstellen eines Substrats, auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist;
    • – Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung einen Polarisationsmanipulator mit einem ersten und wenigstens einem zweiten Bereich aufweist, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen; und
    • – Projizieren, in wenigstens zwei Projektionsschritten, jeweils einer Maskenstruktur auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage, wobei in einem dieser Projektionsschritte nur der erste Bereich und dem anderen dieser Projektionsschritte nur der zweite Bereich wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung angeordnet wird.
  • Da der erfindungsgemäße Polarisationsmanipulator wenigstens zwei Bereiche mit voneinander verschiedener Polarisationswirkung aufweist, wird es infolge der Verwendung dieses Polarisationsmanipulators ermöglicht, in einer kontinuierlichen Relativbewegung zwischen den Bereichen des Polarisationsmanipulators einerseits und dem die Beleuchtungseinrichtung durchlaufenden Lichtbündel andererseits einen raschen Wechsel der durch den Polarisationsmanipulator eingestellten Polarisationsverteilung herbeizuführen und damit eine flexible und schnelle Anpassung der Polarisationsverteilung an unterschiedliche abzubildende Strukturen zu realisieren, was insbesondere ohne Unterbrechung oder Störung des Lithographieprozesses erfolgen kann.
  • Aufgrund dieses erfindungsgemäß ermöglichten, kontinuierlichen Bewegungsablaufes können die etwa bei einem Austausch des gesamten Polarisationsmanipulators anfallenden Reaktionszeiten z. B. infolge wiederholten Anfahrend und Anhaltens von Austauschvorrichtungen vermieden werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform kann zwischen den Projektionsschritten (welche sowohl unmittelbar aufeinander folgen können oder zwischen denen eine oder mehrere weitere Projektionsschritte liegen können) ein Wechsel einer auf die lichtempfindliche Schicht zu projizierenden Maskenstruktur erfolgen. Insbesondere kann bei diesem Wechsel der auf die lichtempfindliche Schicht zu projizierenden Maskenstruktur ein Wechsel der mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske durchgeführt werden. Hierbei wird es durch die Erfindung insbesondere ermöglicht, mittels Koordination bzw. Synchronisierung der o. g. Relativbewegung mit dem Wechsel der zu projizierenden Maskenstruktur die für den letztgenannten Wechsel ohnehin erforderlichen Zeitintervalle dazu zu nutzen, zwischen den unterschiedlichen polarisationsbeeinflussenden Bereichen des Polarisationsmanipulators hin- und herzuschalten und hiermit unmittelbar den zu der jeweiligen Maskenstruktur jeweils optimalen Polarisationszustand einzustellen.
  • Die Erfindung betrifft ferner eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Beleuchtungseinrichtung einen Polarisationsmanipulator mit einem ersten Bereich und wenigstens einem zweiten Bereich aufweist, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen, und wobei der Polarisationsmanipulator derart ausgestaltet ist, dass ein Wechsel zwischen einem ersten Beleuchtungsmodus, in welchem nur der erste Bereich wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung angeordnet ist, und einem zweiten Beleuchtungsmodus, in welchem nur der zweite Bereich wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung angeordnet ist, durchführbar ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist der Polarisationsmanipulator eine im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung drehbare Platte auf, auf welcher der erste Bereich und/oder der zweite Bereich angeordnet sind.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist ferner eine Wechselvorrichtung zum Wechsel der auf die lichtempfindliche Schicht zu projizierenden Maskenstruktur vorgesehen. Des Weiteren ist gemäß einer Ausführungsform ferner eine Steuereinrichtung vorgesehen, welche den Wechsel zwischen dem ersten und zweiten Beleuchtungsmodus mit dem Betrieb der Wechselvorrichtung synchronisiert.
  • Zu weiteren bevorzugten Ausgestaltungen und Vorteilen der Vorrichtung wird auf die obigen Ausführungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Verfahren Bezug genommen.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Es zeigen:
  • 1 eine schematische Darstellung des Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;
  • 2a–b schematische Darstellungen des Aufbaus eine erfindungsgemäßen Polarisationsmanipulators in Draufsicht (2a) bzw. in Seitenansicht (2b);
  • 35 schematische Darstellungen zur Erläuterung der Wirkungsweise des in 11 gezeigten polarisationsbeeinflussenden optischen Elementes bei unterschiedlichen Eingangspolarisationsverteilungen;
  • 67 schematische Darstellungen zur Erläuterung eines typischen Ablaufes eines mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren gemäß der Erfindung;
  • 8a–b schematische Darstellungen einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Polarisationsmanipulators in Draufsicht (8a) bzw. in Seitenansicht (8b);
  • 9 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Polarisationsmanipulators in perspektivischer Darstellung;
  • 10 eine weitere Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Polarisationsmanipulators in Draufsicht; und
  • 11 ein im Stand der Technik bekanntes polarisationsbeeinflussendes Element in perspektivischer Darstellung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • 1 zeigt in lediglich schematischer Darstellung den prinzipiellen Aufbau einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Die mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage weist eine Beleuchtungseinrichtung 101 und ein Projektionsobjektiv 102 auf. Die Beleuchtungseinrichtung 101 dient zur Beleuchtung einer Struktur tragenden Maske (Retikel) 103 mit Licht von einer Lichtquelleneinheit 104, welche beispielsweise einen ArF-Laser für eine Arbeitswellenlänge von 193 nm sowie eine ein paralleles Lichtbündel erzeugende Strahlformungsoptik umfasst. Das parallele Lichtbüschel der Lichtquelleneinheit 104 trifft zunächst auf ein diffraktives optisches Element 105, welches über eine durch die jeweilige beugende Oberflächenstruktur definierte Winkelabstrahlcharakteristik in einer Pupillenebene P1 eine gewünschte Intensitätsverteilung (z. B. Dipol- oder Quadrupolverteilung) erzeugt. In Lichtausbreitungsrichtung nach dem diffraktiven optischen Element 105 befindet sich eine optische Einheit 106, welche ein ein paralleles Lichtbündel mit variablem Durchmesser erzeugendes Zoom-Objektiv sowie ein Axikon aufweist. Mittels des Zoom-Objektives in Verbindung mit dem vorgeschalteten diffraktiven optischen Element 105 werden in der Pupillenebene P1 je nach Zoom-Stellung und Position der Axikon-Elemente unterschiedliche Beleuchtungskonfigurationen erzeugt. Die optische Einheit 106 umfasst im dargestellten Beispiel ferner einen Umlenkspiegel 107.
  • In der Pupillenebene P1 befindet sich gemäß dem Ausführungsbeispiel von 1 ein polarisationsbeeinflussendes optisches Element 10 mit dem in 11 dargestellten und aus WO 2005/069081 A2 bekannten Aufbau. Unmittelbar vor dem Element 10 befindet sich ein Polarisationsmanipulator 115, der in Kombination mit dem Element 10 unterschiedliche Polarisationsverteilungen einstellt und für den unterschiedliche Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf 2, 8, 9 und 10 detaillierter noch erläutert werden.
  • In Lichtausbreitungsrichtung nach der Pupillenebene P1 befindet sich im Strahlengang eine Lichtmischeinrichtung 108, welche z. B. in für sich bekannter Weise eine zur Erzielung einer Lichtmischung geeignete Anordnung aus mikrooptischen Elementen aufweisen kann. Auf die Lichtmischeinrichtung 108 folgt in Lichtausbreitungsrichtung eine Linsengruppe 109, hinter der sich eine Feldebene F1 mit einem Retikel-Maskierungssystem (REMA) befindet, welches durch ein in Lichtausbreitungsrichtung nachfolgendes REMA-Objektiv 110 auf die Struktur tragende, in der Feldebene F2 angeordnete Maske (Retikel) 103 abgebildet wird und dadurch den ausgeleuchteten Bereich auf dem Retikel begrenzt. Die Struktur tragende Maske 103 wird mit dem Projektionsobjektiv 102, welches im dargestellten Beispiel zwei Pupillenebenen PP1 und PP2 aufweist, auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht versehenes Substrat 111 bzw. einen Wafer abgebildet.
  • Gemäß 1 erfolgt die Einstellung einer jeweils gewünschten Polarisationsverteilung in dem dargestellten Ausführungsbeispiel durch die kombinierte Wirkung des noch detaillierter beschriebenen Polarisationsmanipulators 115 mit dem Element 10 von 11, weshalb im Weiteren zunächst die Funktionsweise des letztgenannten Elementes 10 unter Bezugnahme auf 3 bis 5 kurz beschrieben wird.
  • Dieses Element 10, welches aus kristallinem Quarz mit in Richtung der Elementachse EA orientierter Kristallachse hergestellt ist, weist ein Dickenprofil auf, das gemäß 11 nur von einem auf eine Referenzachse RA bezogenen Azimutwinkel Θ abhängig ist, wobei die Referenzachse RA die Elementachse EA senkrecht schneidet. Dabei bleibt die Dicke des Elementes 10 in radialer Richtung konstant. In Zentrum des Elementes 10, also im Bereich kleiner Radien, befindet sich ein lediglich aus fertigungstechnischen Gründen belassenes Loch 11, innerhalb dessen die Polarisation unverändert bleibt. Infolge der optischen Aktivität des kristallinen Quarz bewirkt das Element 10 für auftreffendes Licht mit linearer Eingangspolarisation eine zur Dicke des Elementes 10 proportionale Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung.
  • Das Element 10 ermöglicht insbesondere die Umformung einer linearen Polarisationsverteilung mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in eine tangentiale Polarisationsverteilung oder eine radiale Polarisationsverteilung. In 3, 4 und 5 sind für drei verschiedene Eingangspolarisationen die jeweiligen Polarisationsverteilungen bei Austritt aus dem Element 10 dargestellt.
  • Im Einzelnen wandelt das Element 10 gemäß 3 eine lineare Polarisationsverteilung 310 mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in y-Richtung (im eingezeichneten Koordinatensystem) in eine tangentiale Polarisationsverteilung 320 um, bei welcher die Polarisationsvorzugsrichtung jeweils senkrecht zum auf die (in z-Richtung orientierte) optische Systemachse gerichteten Radius verläuft. Gemäß 4 wandelt das Element 10 eine lineare Polarisationsverteilung 410 mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in x-Richtung in eine radiale Polarisationsverteilung 420 um, bei welcher die Polarisationsvorzugsrichtung jeweils parallel zum auf die (in z-Richtung orientierte) optische Systemachse gerichteten Radius verläuft. Schließlich lässt das Element eine Polarisationsverteilung 510, welche unpolarisiertem Licht entspricht, unverändert, d. h. die Polarisationsverteilung 520 bei Austritt aus dem Element entspricht ebenfalls derjenigen von unpolarisiertem Licht.
  • Erfindungsgemäß weist nun die Beleuchtungseinrichtung 101 gemäß 1 in der ersten Pupillenebene P1 das Element 10 mit dem vorstehend unter Bezugnahme auf 11 beschriebenen Aufbau auf. Des Weiteren weist die erfindungsgemäße Beleuchtungseinrichtung 101 gemäß 1 in Lichtausbreitungsrichtung vor dem Element 10 (d. h. stromaufwärts des Elementes 10) einen Polarisationsmanipulator 115 auf, welcher die Einstellung von wenigstens zwei unterschiedlichen Polarisationsverteilungen des auf das Element 10 auftreffenden Lichtes ermöglicht und für den im Weiteren unter Bezugnahme auf 2, 8 und 9 verschiedene Ausführungsformen erläutert werden.
  • Gemeinsames Merkmal der in 2, 8 und 9 dargestellten Polarisationsmanipulatoren ist, dass diese jeweils wenigstens zwei Bereiche aufweisen, welche den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen und deren Relativposition zu dem die Beleuchtungseinrichtung 101 durchlaufenden Strahlenbündel veränderlich ist. Genauer sind die Polarisationsmanipulatoren von 2, 8 und 9 jeweils so ausgestaltet, dass mittels einer kontinuierlichen Relativbewegung zwischen den besagten, den Polarisationszustand in unterschiedlicher Weise beeinflussen Bereichen einerseits und dem die Beleuchtungseinrichtung 101 durchlaufenden Strahlenbündel andererseits der jeweils im Beleuchtungsstrahlengang angeordnete Bereich wechselt, wobei jeweils immer nur einer der Bereiche ganz oder teilweise im Beleuchtungsstrahlengang liegt.
  • Es ist zu beachten, dass die vorliegende Erfindung nicht auf das Vorhandensein des Elementes 10 im Beleuchtungsstrahlengang beschränkt ist. Vielmehr kann je nach den gewünschten Polarisationsverteilungen bzw. je nach konkreter Ausführung des Polarisationsmanipulators 115 auch lediglich der Polarisationsmanipulator 115 mit seinen den Polarisationszustand in unterschiedlicher Weise beeinflussenden Bereichen (ohne das Element 10) eingesetzt werden.
  • Gemäß 2a–b weist ein Polarisationsmanipulator 200 in einer ersten Ausführungsform eine um die in z-Richtung verlaufende optische Systemachse OA drehbar angeordnete Platte 205 auf, welche zur Ausbildung von den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen Bereichen 210, 220 mit zwei kreissegmentförmigen Ausschnitten versehen ist, wobei ein erster Bereich 210 aus optisch aktivem, kristallinen Quarz hergestellt ist und eine solche Dicke aufweist, dass er für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt. Der zweite Bereich 220 lässt die Polarisationsvorzugsrichtung unverändert und kann somit insbesondere als materialfreier Ausschnitt bzw. Loch ausgestaltet sein. Alternativ kann der Bereich 220 ebenfalls aus optisch aktivem, kristallinen Quarz hergestellt sein und eine solche Dicke aufweisen, dass er effektiv den Polarisationszustand unverändert lässt, also beispielsweise für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 180° oder ein geradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt. Bei Verwendung von synthetischem, optisch aktivem kristallinen Quarz mit einem spezifischen Drehvermögen α von etwa 323.1°/mm bei einer Wellenlänge von 193 nm und einer Temperatur von 21.6°C entspricht diese Bedingung (für eine 180°-Drehung) einer Dicke des Bereichs 220 von etwa d ≈ 557 μm.
  • Die Drehung der Platte 205 erfolgt, wie in 2b schematisch angedeutet, über einen Aktuator 230, welcher über eine ebenfalls nur angedeutete Steuereinrichtung 240 ansteuerbar ist. Gemäß 2b liegt jeweils nur einer der Bereiche 210, 220 ganz oder teilweise im Beleuchtungsstrahlengang, d. h. im Bereich des von der mit L bezeichneten Lichtquelle ausgesandten Lichtbündels.
  • Wie aus den vorstehenden Ausführungen zu 2 bis 5 unmittelbar deutlich wird, entsteht durch die gemeinsame Wirkung von Element 10 und Polarisationsmanipulator 200 für den beispielhaften Fall, dass das auf den Polarisationsmanipulator 200 auftreffende Licht ursprünglich linear in y-Richtung polarisiert ist, entweder gemäß 3 radial polarisiertes Licht (wenn sich der erste Bereich 210 im Beleuchtungsstrahlengang befindet) oder gemäß 4 tangential polarisiertes Licht (wenn sich der zweite Bereich 220 im Beleuchtungsstrahlengang befindet). Dabei entsprechen die Polarisationsverteilungen 310 bzw. 410 jeweils denjenigen Polarisationsverteilungen, die nach Austritt aus dem Polarisationsmanipulator 200 bzw. vor Eintritt in das Element 10 vorliegen.
  • Die anhand von 2a–b beschriebene Drehbarkeit der Platte 205 bzw. die damit einhergehende kontinuierliche Relativbewegung zwischen den den Polarisationszustand in unterschiedlicher Weise beeinflussen Bereichen 210, 220 einerseits und dem die Beleuchtungseinrichtung 101 durchlaufenden Strahlenbündel andererseits wird nun erfindungsgemäß dazu genutzt, eine Änderung der Polarisationsverteilung so vorzunehmen, dass diese Änderung mit einem im Betrieb der Projektionsbelichtungsanlage vorgenommenen Wechsel der Maske koordiniert wird, wie im Weiteren unter Bezugnahme auf 6 und 7 erläutert wird.
  • Dabei zeigt 7 in schematischer Darstellung eine Maskenwechselvorrichtung 705 mit einer ersten Maske 710 und einer zweiten Maske 720, welche linear in der durch den Doppelpfeil angedeuteten Richtung verfahrbar sind. Dabei wird lediglich beispielhaft davon ausgegangen, dass die bei Beleuchtung der ersten Maske 710 idealerweise verwendete Polarisationsverteilung eine radiale Polarisationsverteilung ist, wohingegen die bei Beleuchtung der zweiten Maske 720 idealerweise verwendete Polarisationsverteilung eine tangentiale Polarisationsverteilung ist.
  • Erfindungsgemäß können nun die zur Realisierung eines Wechsels von der ersten Maske 710 auf die zweite Maske 720 ohnehin vorhandenen Zeitintervalle dazu genutzt werden, mittels Rotation der Platte 205 zwischen den die Polarisation unterschiedlich beeinflussenden Bereichen 210, 220 zu wechseln. Bei geeigneter Synchronisation des Betriebs der Maskenwechselvorrichtung 705 einerseits und des Polarisationsmanipulators 200 andererseits wird der Ablauf des Lithographieprozesses dabei nicht unterbrochen bzw. gestört. Ein lediglich beispielhaftes Zeitschema für den obigen Ablauf ist in Tabelle 1 dargestellt, wobei die Maske 710 beispielsweise dem Retikel R1 und die Maske 720 beispielsweise dem Retikel R2 entspricht, und wobei die durch die Bereiche 210, 220 erzeugten Polarisationsverteilungen mit „Polarisation 1” bzw. „Polarisation 2” bezeichnet sind. Tabelle 1:
    Schritt Vorgang am Retikel Polarisationseinstellung Dauer
    1 Belichtung Retikel R1 Polarisation 1 60 ms
    2 Retikelwechsel Polarisationswechsel 10 ms
    3 Belichtung Retikel R2 Polarisation 2 60 ms
    4 Schritt Polarisation 2 60 ms
    5 Belichtung Retikel R2 Polarisation 2 60 ms
    6 Retikelwechsel Polarisationswechsel 10 ms
    7 Belichtung Retikel R1 Polarisation 1 60 ms
    8 Schritt Polarisation 1 60 ms
    Zurück zu Schritt 1
  • Aus Tabelle 1 ist ersichtlich, dass in dem gewählten Ausführungsbeispiel ein Polarisationswechsel jeweils nach 190 ms zu erfolgen hat und dann eine Zeitdauer von 10 ms erfordert. Wenngleich die Erfindung selbstverständlich nicht auf konkrete Zeitdauern beschränkt ist, liegen typische Zeitintervalle, für welche nur der erste Bereich und/oder nur der zweite Bereich wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung angeordnet ist, im Bereich von 50 bis 200 Millisekunden. Des Weiteren kann die Zeitdauer, während der ein Wechsel der zu projizierenden Maskenstruktur bzw. des Retikels vorgenommen wird, beispielsweise im Bereich von 5 bis 20 Millisekunden liegen. Eine Synchronisation des mittels Rotation der Platte 205 realisierten Wechsels zwischen den die Polarisation unterschiedlich beeinflussenden Bereichen 210, 220 mit dem Wechsel der zu projizierenden Maskenstruktur wird jeweils durch geeignete Abstimmung der geometrischen Abmessungen der Bereiche 210, 220 sowie der zwischen diesen auf der Platte 205 verbleibenden Zwischenräume und der Drehgeschwindigkeit und Winkelorientierung der Platte 205 erzielt, wobei über die Steuerungseinrichtung 240 eine dauerhafte Synchronisierung sichergestellt werden kann.
  • 6 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichung der vorstehend erläuterten, synchronisierten Wechsel von Maske bzw. Retikel einerseits und Polarisationsverteilung andererseits.
  • Wenngleich der Wechsel der Polarisationsverteilung beispielhaften anhand eines Wechsels von einer radialen Polarisationsverteilung während der Beleuchtung der ersten Maske 710 zu einer tangentialen Polarisationsverteilung während der Beleuchtung der zweiten Maske 720 beschrieben wurde, ist die Erfindung nicht auf konkrete Polarisationsverteilungen beschränkt.
  • Um in Verbindung mit dem zuvor beschriebenen und gemäß dem Ausführungsbeispiel in der Beleuchtungseinrichtung 101 verbleibenden Element 10 zwischen einer radialen Polarisationsverteilung, einer tangentialen Polarisationsverteilung oder unpolarisiertem umschalten zu können, lassen sich insbesondere die in Tabelle 2 dargestellten Wechsel zwischen der für die erste Maske 710 und der für die zweite Maske 720 verwendeten Polarisationsverteilung realisieren. Hierbei ist mit Polarisation „X” eine lineare Polarisationsverteilung mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in x-Richtung und mit Polarisation „Y” eine lineare Polarisationsverteilung mit konstanter Polarisationsvorzugsrichtung in y-Richtung bezeichnet. Tabelle 2:
    Bezeichnung Polarisation 1 Polarisation 2
    A X Y
    B X Unpolarisiert
    C Y Unpolarisiert
    A' Y X
    B' unpolarisiert X
    C' unpolarisiert Y
  • 8a–b zeigen schematische Darstellungen einer weiteren Ausführungsform eines erfindungsgemäßen Polarisationsmanipulators in Draufsicht (8a) bzw. Seitenansicht (8b). In dieser Ausführungsform sind den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussende Bereiche 810, 820 in Form von zueinander senkrecht bzw. rechtwinklig angeordneten Platten realisiert, die an einem um eine zur (in z-Richtung verlaufenden) optischen Systemachse senkrechte Drehachse drehbaren Zylinder 805 angebracht sind, wobei sich je nach Drehstellung des Zylinders 805 die eine oder die andere der beiden Platten wenigstens teilweise im Beleuchtungsstrahlengang befindet und wobei jeweils Öffnungen an der den Platten gegenüberliegenden Positionen im Zylinder 805 vorgesehen sind.
  • Die die Bereiche 810, 820 ausbildenden Platten können analog zur Ausführungsform von 2 aus optisch aktivem, kristallinen Quarz ausgestaltet sein. Insbesondere kann – insoweit analog zu dem Ausführungsbeispiel von 2 – die den Bereich 810 ausbildende Platte für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 90° oder ein ungeradzahliges Vielfaches hiervon bewirken, und die den Bereich 820 ausbildende Platte kann eine solche Dicke aufweisen, dass sie effektiv den Polarisationszustand unverändert lässt, also beispielsweise für hindurchtretendes, linear polarisiertes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung um 180° oder ein geradzahliges Vielfaches hiervon bewirkt.
  • Die Erfindung ist nicht auf die Verwendung von optisch aktivem Material beschränkt. Alternativ können beide Platten oder auch nur eine dieser Platten auch aus Material hergestellt sein, welches anstelle der zirkularen Doppelbrechung lineare Doppelbrechung aufweist, also z. B. aus einem optisch einachsigen Kristallmaterial wie Magnesium-Fluorid (MgF2).
  • Die Erfindung ist ferner nicht auf die anhand von 2 und 8 beschriebene Drehung der den Polarisationszustand unterschiedlich beeinflussenden Bereiche beschränkt. Da es zur Erzielung der gewünschten Wirkung nur auf eine Relativbewegung zwischen diesen Bereichen einerseits und dem die Beleuchtungseinrichtung 101 durchlaufenden Lichtstrahl bzw. Lichtbündel andererseits ankommt, kann alternativ oder zusätzlich auch die Position des Lichtbündels selbst geändert werden.
  • Ein entsprechendes Ausführungsbeispiel, in welchem die Position des Lichtbündels selbst geändert innerhalb der Beleuchtungseinrichtung geändert wird, ist in 9 gezeigt. Hierbei befindet sich innerhalb eines von einem konischen Hohlspiegel 905 umgebenen Bereichs ein im Ausführungsbeispiel an einem keilförmigen Element ausgebildeter Umlenkspiegel 906, welcher um die (wiederum in z-Richtung verlaufende) optische Systemachse rotiert und so eine Rotation des an der Innenseite des Hohlspiegels 905 reflektierten Lichtstrahls auf einem Kreisumfang bewirkt, so dass der Lichtstrahl abwechselnd von zwei den Polarisationszustand unterschiedlich beeinflussenden Bereichen 910, 920, welche wiederum auf einer Platte 907 angeordnet sind, entweder nur den einen Bereich 910 oder nur den anderen Bereich 920 durchlauft. Die Platte 907 bzw. die Bereiche 910, 920 selbst verbleiben somit gemäß diesem Ausführungsbeispiel innerhalb der Beleuchtungseinrichtung ortsfest an Ort und Stelle. Durch eine in Lichtausbreitungsrichtung auf die Platte 907 folgende analoge Anordnung (nicht dargestellt) aus einem zweiten konischen Hohlspiegel sowie einem mit dem ersten Umlenkspiegel 906 synchron rotierenden und auf einem entsprechenden keilförmigen Element angeordneten zweiten Umlenkspiegel kann der Lichtstrahl wieder zurück auf die ursprüngliche Achse gelenkt werden.
  • Wenngleich bei den vorstehend anhand von 2, 8 und 9 beschriebenen Ausführungsformen insbesondere eine konstante Drehgeschwindigkeit der den Polarisationszustand unterschiedlich beeinflussenden Bereiche (in 2 und 8) bzw. des Lichtstrahls (in 9) gewählt werden kann, was u. a. im Hinblick auf die Vermeidung von Beschleunigungen in der jeweiligen Tragstruktur und damit einhergehender dynamischer Anregungen sowie im Hinblick auf die Lebensdauer des Systems vorteilhaft ist, ist die Erfindung hierauf nicht beschränkt. So kann je nach dem konkret gewünschten Zeitschema der einzustellenden Polarisationszustände bzw. der Maskenstrukturwechsel das Geschwindigkeitsprofil der jeweiligen Drehbewegung in geeigneter Weise, insbesondere zeitlich periodisch, modifiziert werden, indem ein (z. B. periodisches) Abbremsen bzw. ein Beschleunigen der jeweiligen Drehbewegung erfolgt.
  • Des Weiteren ist die Erfindung nicht auf das Vorhandensein von genau zwei den Polarisationszustand unterschiedlich beeinflussenden Bereichen beschränkt. Vielmehr können, wie in 10 schematisch dargestellt, auch drei oder mehr solcher Bereiche vorgesehen sein, wobei 10 lediglich beispielhaft drei Bereiche 951, 952, 953 mit jeweils unterschiedlicher Polarisationswirkung zeigt, die kreisumfangförmig in einer periodisch wiederholten Anordnung auf einer in einer zur Lichtausbreitungsrichtung senkrechten Ebene rotierenden Platte 950 vorliegen.
  • Ein Wechsel der möglichen Kombination von Polarisationseinstellungen kann durch Änderung der polarisationsoptischen Eigenschaften der durchleuchteten Bereiche erzielt werden. Hierzu können beispielsweise die die jeweiligen Bereiche ausbildenden Teilelemente oder auch der gesamte Polarisationsmanipulator ausgetauscht werden. Des Weiteren kann, um ein auch vorübergehendes Stoppen der Drehbewegung zu vermeiden, eine solche Umstellung auch mittels eines Spurwechsels oder einer Änderung des ausgeleuchteten Bereichs auf einer Platte, auf welcher eine Vielzahl von Bereichen unterschiedlicher Polarisationswirkung (beispielsweise konzentrisch oder auch nebeneinander) angeordnet sind, realisiert werden. Ferner lassen sich die bisher dargestellten Ausführungsformen der Erfindung derart modifizieren, dass ein vor Durchtritt durch wenigstens einen Bereich des Polarisationsmanipulators etwa linear polarisierter Projektionsbelichtungsstrahl nach Passieren des wenigstens einen Bereichs des Polarisationsmanipulators einen zirkularen oder elliptischen Polarisationsanteil aufweist, oder zirkular bzw. elliptisch polarisiert ist. Dies kann z. B. mittel einer 1/4-Platte erzeilt werden, welche aus linear polarisiertem Licht zirkular polarisiertes Licht macht.
  • Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z. B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - WO 2005/069081 A2 [0004, 0030]
    • - WO 2006/040184 A2 [0005]
    • - WO 2006/097135 A1 [0006]

Claims (21)

  1. Mikrolithographisches Projektionsbelichtungsverfahren, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: • Bereitstellen eines Substrats (111), auf das zumindest teilweise eine Schicht aus einem lichtempfindlichen Material aufgebracht ist; • Bereitstellen einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung (101) und einem Projektionsobjektiv (102), wobei die Beleuchtungseinrichtung (101) einen Polarisationsmanipulator (115, 200, 800, 900, 950) mit einem ersten Bereich (210, 810, 910, 951) und wenigstens einem zweiten Bereich (220, 820, 920, 952) aufweist, wobei der erste Bereich (210, 810, 910, 951) und der zweite Bereich (220, 820, 920, 952) den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen; und • Projizieren, in wenigstens zwei Projektionsschritten, jeweils einer Maskenstruktur auf einen Bereich der Schicht mit Hilfe der Projektionsbelichtungsanlage, wobei in einem dieser Projektionsschritte nur der erste Bereich (210, 810, 910, 951) und dem anderen dieser Projektionsschritte nur der zweite Bereich (220, 820, 920, 952) wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung (101) angeordnet wird.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die in diesen Projektionsschritten projizierten Maskenstrukturen voneinander verschieden sind.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen diesen Projektionsschritten eine die jeweils zu projizierende Maskenstruktur tragende Maske (103, 710, 720) ausgewechselt wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen diesen Projektionsschritten eine kontinuierliche Relativbewegung zwischen wenigstens einem der Bereiche (210, 220, 810, 820, 910, 920, 951, 952) des Polarisationsmanipulators (200, 800, 900, 950) und einem die Beleuchtungseinrichtung (101) durchlaufenden Lichtbündel erfolgt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass diese Relativbewegung eine Drehbewegung wenigstens eines der Bereiche (210, 220, 810, 820, 951, 952) des Polarisationsmanipulators (200, 800, 951, 952) umfasst.
  6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass diese Relativbewegung eine Drehbewegung beider Bereiche (210, 220, 810, 820, 951, 952) des Polarisationsmanipulators (200, 800, 950) um eine gemeinsame Drehachse umfasst.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 4 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass diese Drehbewegung wenigstens zeitweise mit konstanter Drehgeschwindigkeit erfolgt.
  8. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass diese Drehbewegung zwischen den Projektionsschritten wenigstens zeitweise beschleunigt wird.
  9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass ein Beschleunigen der Drehbewegung zeitlich periodisch wiederholt wird.
  10. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass diese Projektionsschritte in einer Mehrzahl von Zyklen wiederholt durchgeführt werden.
  11. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein Übergang von einer wenigstens teilweisen Anordnung des ersten Bereichs im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung zur einer wenigstens teilweisen Anordnung des zweiten Bereichs im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung mit einem Wechsel der auf die lichtempfindliche Schicht zu projizierenden Maskenstruktur synchronisiert wird.
  12. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass einer der beiden Bereiche (210, 220, 810, 820, 910, 920, 951, 952) den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht unverändert lässt.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens einer der beiden Bereiche (210, 220, 810, 820, 910, 920, 951, 952) für hindurchtretendes Licht eine Drehung der Polarisationsvorzugsrichtung bewirkt.
  14. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationsmanipulator (200, 800, 900, 950) in wenigstens einem der beiden Bereiche (210, 220, 810, 820, 910, 920, 951, 952) optisch aktives Material aufweist.
  15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste Zeitdauer, für welche nur der erste Bereich (210, 810, 910, 951) und/oder nur der zweite Bereich (220, 820, 920, 952) wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung (101) angeordnet ist, im Bereich von 50 bis 200 Millisekunden liegt.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass eine zweite Zeitdauer, während der die die jeweils zu projizierende Maskenstruktur tragende Maske (103, 710, 720) ausgewechselt wird, im Bereich von 5 bis 20 Millisekunden liegt.
  17. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationsmanipulator (950) ferner einen dritten Bereich (953) aufweist, wobei der erste Bereich (951), der zweite Bereich (952) und dritte Bereich (953) den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht jeweils in unterschiedlicher Weise beeinflussen.
  18. Mikrolithographisch e Projektionsbelichtungsanlage, mit: • einer Beleuchtungseinrichtung (101) und einem Projektionsobjektiv (102), • wobei die Beleuchtungseinrichtung (101) einen Polarisationsmanipulator (115, 200, 800, 900) mit einem ersten Bereich (210, 810, 910) und wenigstens einem zweiten Bereich (220, 820, 920) aufweist, wobei der erste Bereich (210, 810, 910) und der zweite Bereich (220, 820, 920) den Polarisationszustand von hindurchtretendem Licht in unterschiedlicher Weise beeinflussen; und • wobei der Polarisationsmanipulator (115, 200, 800, 900) derart ausgestaltet ist, dass ein Wechsel zwischen einem ersten Beleuchtungsmodus, in welchem nur der erste Bereich (210, 810, 910) wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung (101) angeordnet ist, und einem zweiten Beleuchtungsmodus, in welchem nur der zweite Bereich (210, 810, 910) wenigstens teilweise im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung (101) angeordnet ist, durchführbar ist.
  19. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass der Polarisationsmanipulator (200, 800) eine im Strahlengang der Beleuchtungseinrichtung (101) drehbare Platte aufweist, auf welcher der erste Bereich (210, 810) und/oder der zweite Bereich (220, 820) angeordnet sind.
  20. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass ferner eine Wechselvorrichtung zum Wechsel der auf die lichtempfindliche Schicht zu projizierenden Maskenstruktur vorgesehen ist.
  21. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass ferner eine Steuereinrichtung vorgesehen ist, welche den Wechsel zwischen dem ersten und zweiten Beleuchtungsmodus mit dem Betrieb der Wechselvorrichtung synchronisiert.
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