DE102009012896A1

DE102009012896A1 - Magnetsensorbauelement und -verfahren

Info

Publication number: DE102009012896A1
Application number: DE102009012896A
Authority: DE
Inventors: Sebastian Koss
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2008-03-20
Filing date: 2009-03-12
Publication date: 2009-09-24
Also published as: US8519703B2; US20090237075A1

Abstract

Ein Magnetowiderstandssensor weist eine erste magnetische Schicht auf, die die Polarität ansprechend auf ein externes magnetisches Feld ändert, und eine zweite magnetische Schicht, die eine feste magnetische Polarität aufweist, die in einer Referenzrichtung ausgerichtet ist. Eine variierende Spannung wird angelegt, um ein variierendes magnetisches Vorspannungsfeld in der Referenzrichtung einzurichten. Eine Bewertungsschaltung berechnet die Differenz zwischen maximalem und minimalem Widerstandswert, die ansprechend auf das externe magnetische Feld festgelegt sind.

Description

Der Widerstand von Sensoren, die auf Magnetowiderstand (MR) basieren, wie z. B. Giant-Magnetowiderstands-(GMR-) oder Tunnel-Magnetowiderstands-(TMR-)Sensoren, variiert, wenn ein externes Magnetfeld an das Sensorbauelement angelegt wird. GMR/TMR-„Spinventil”-Sensoren weisen typischerweise zwei magnetische Schichten auf, die durch eine nichtmagnetische Schicht getrennt sind. Die beiden magnetischen Schichten sind aus Materialien hergestellt, die unterschiedliche Hysteresekurven aufweisen, so dass eine Schicht („weiche” Schicht) die Polarität ändert, während die andere („harte” Schicht) eine feste Polarität aufweist.
Ein Messbereich, der so groß wie möglich ist, ist wünschenswert, zusammen mit einer hohen Genauigkeit. In der Praxis kann die Genauigkeit von bekannten GMR/TMR-Bauelementen jedoch durch Hysterese begrenzt sein, und der Messbereich kann durch die Sättigungsfeldstärke begrenzt sein.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Halbleiterbauelement, ein elektronisches System, ein Magneterfassungsverfahren sowie ein Sensorsystem mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
Die Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Ein elektronisches Bauelement umfasst einen Magnetoresistanzsensorstapel mit einer ersten magnetischen Schicht, die die Polarität ansprechend auf ein externes magnetisches Feld ändert, und einer zweiten magnetischen Schicht, die eine feste magnetische Polarität aufweist, die in einer Referenz richtung ausgerichtet ist. Leitfähige Anschlüsse sind nahe der ersten und der zweiten magnetischen Schicht angeordnet, zum Empfangen einer Wechselspannung, um ein wechselndes Magnetvorspannungsfeld in der Referenzrichtung einzurichten. Eine Auswertungsschaltung berechnet die Differenz zwischen maximalem und minimalem Widerstandswert, die ansprechend auf das externe magnetische Feld eingerichtet werden.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind besser verständlich mit Bezugnahme auf die folgenden Zeichnungen. Die Elemente der Zeichnungen sind nicht notwendigerweise maßstabsgerecht zueinander. Gleiche Bezugszeichen bezeichnen entsprechende ähnliche Teile.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
1 ein Blockdiagramm, das Aspekte eines Ausführungsbeispiels eines Erfassungssystems konzeptionell darstellt;
2 eine Seitenschnittansicht, die Abschnitte eines Ausführungsbeispiels eines Magnetowiderstandssensors konzeptionell darstellt;
3 eine Ausgabekurve für einen Magnetowiderstandssensor dar;
4 eine Ausgabekurve für einen Magnetowiderstandssensor ohne Anisotropie;
5 eine schematische Draufsicht, die ein Ausführungsbeispiel eines Magnetowiderstandssensors konzeptionell darstellt;
6 eine schematische perspektivische Ansicht, die ein Ausführungsbeispiel eines Magnetowiderstandssensors konzeptionell darstellt;
7 ein Blockdiagramm, das den Betrieb eines Ausführungsbeispiels eines Magnetowiderstandssensors konzeptionell darstellt;
8 ein Diagramm, das Amplitudenkurven für verschiedene Vorspannungspegel darstellt;
9 ein Diagramm, das Empfindlichkeitskurven für verschiedene Vorspannungspegel darstellt;
10 ein Diagramm, das Fehlerkurven für verschiedene Vorspannungspegel darstellt;
11 ein Blockdiagramm, das Abschnitte eines Sensorsystems mit zwei Magnetowiderstandssensoren darstellt; und
12 ein Schaltbild, das Sensoren in einer Brückenkonfiguration darstellt.
In der folgenden detaillierten Beschreibung wird auf die beiliegenden Zeichnungen Bezug genommen, die einen Teil derselben bilden und in denen durch Darstellung spezifische Ausführungsbeispiele gezeigt sind, in denen die Erfindung praktiziert werden kann. Diesbezüglich wird Richtungsterminologie wie z. B. „oben”, „unten”, „vorne”, „hinten”, „vordere”, „hintere” etc. verwendet mit Bezugnahme auf die Ausrichtung der beschriebenen Figur(en). Weil Komponenten von Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung in einer Anzahl von unterschiedlichen Ausrichtungen positioniert sein können, wird die Richtungsterminologie zu Darstellungszwecken verwendet und ist auf keinen Fall begrenzend. Es ist klar, dass andere Ausführungsbeispiele verwendet werden können und strukturelle oder logische Änderungen durchgeführt werden können, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Die folgende detaillierte Beschreibung ist daher nicht in einem begrenzenden Sinne zu sehen und der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung ist durch die angehängten Ansprüche definiert.
1 ist ein Blockdiagramm, das Aspekte eines Erfassungssystems 10 gemäß Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung konzeptionell darstellt. Das System 10 umfasst ein Substrat 12 und einen Magnetowiderstands-(MR-)Sensor 100, wie z. B. einen GMR- oder TMR-Sensor, der auf dem Substrat 12 befestigt ist. Der Sensor 100 ist typischerweise in einer integrierten Schaltung implementiert und umfasst eine planare Sensoroberfläche 102.
2 ist eine Seitenschnittansicht, die Abschnitte eines Ausführungsbeispiels des Sensors 100 konzeptionell darstellt. Bei dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist der Sensor 100 ein GMR/TMR-„Spinventil”-Sensor. Der Sensor 100 umfasst einen Stapel 104 mit einer ersten und einer zweiten magnetischen Schicht 110, 112, die durch eine nichtmagnetische Schicht 114 getrennt sind. Die beiden magnetischen Schichten sind aus ferromagnetischem Material hergestellt, wobei eine Schicht („weiche” Schicht) 114 die Polarität mit einem externen magnetischen Feld ändert, während die andere Schicht („harte” Schicht) 112 eine feste Referenzpolarität aufweist. Eine Antiferromagnetschicht 116 ist angeordnet, um die Magnetisierung der zweiten Schicht 112 in dem dargestellten Ausführungsbeispiel festzulegen. Die Richtung der festen Polarität wird als die „Referenzrichtung” 120 bezeichnet. Bei einigen Ausführungsbeispielen hat der Sensor 100 eine Formanisotropie.
Leiter 122 sind mit den magnetischen Schichten 112, 114 gekoppelt, zum Verbinden des Sensors 100 mit elektrischen Leitungen 124, und ein Pfeil 126 zeigt den elektrischen Stromfluss an. In dieser Offenbarung sind die Begriffe gekop pelt und verbunden zusammen mit Ableitungen und anderen ähnlichen Begriffen dazu gedacht, anzuzeigen, dass die relevanten Elemente zusammenarbeiten oder interagieren, unabhängig davon, ob dieselben in direktem physikalischen oder elektrischen Kontakt sind.
Sensoren, wie z. B. der Sensor 100, können verwendet werden, um den Winkel oder die Amplitude eines externen magnetischen Feldes zu messen. Falls die Amplitude gemessen wird, ist das externe magnetische Feld typischerweise parallel zu der Referenzrichtung angelegt, und eine Anisotropieachse ist senkrecht zu der Referenzrichtung angeordnet. 3 stellt eine typische Ausgabekurve konzeptionell dar. Ohne die Anisotropie würde der Sensor bei einem definierten Feldwert schalten, wie es in 4 dargestellt ist. Je höher der Wert der Anisotropie, um so flacher ist die Neigung der Widerstand-über-Feld-Kurve des Sensors. Eine hohe Anisotropie reduziert auch die Hysterese. Die Anisotropie kann beispielsweise durch ein externes Vorspannungsfeld erzeugt werden. Der dynamische Bereich des Sensors ist dann hat dann die gleiche Größe wie das Vorspannungsfeld.
5 und 6 sind eine schematische Drauf- bzw. perspektivische Ansicht, die Ausführungsbeispiele des Sensors 100 konzeptionell darstellen, bei denen ein externes magnetisches Feld 130 im Allgemeinen senkrecht zu dem Referenzfeld 120 angelegt ist. 7 ist ein Blockdiagramm, das den Betrieb des Sensors 100 konzeptionell darstellt. Eine Spannungsquelle 150 ist mit einem leitfähigen Bauglied 128 gekoppelt, um ein variierendes oder wechselndes magnetisches Vorspannungsfeld 132 einzurichten, das in der Richtung des Referenzfelds 120 angelegt wird. Das Vorspannungsfeld 132 ist im Allgemeinen parallel, obwohl nicht notwendigerweise genau parallel, zu der Referenzrichtung 120 angelegt. Das leitfähige Bauglied 128 ist nahe, aber elektrisch getrennt von dem Sensorstapel 104 angeordnet. Bei einigen Ausführungsbeispielen verläuft das leitfähige Bauglied 128 unter dem Sensorstapel 104 und kann in die integrierte Schaltung eingebaut werden, die den Sensor 100 umfasst. Das externe Feld 130 liefert somit Anisotropie. Das variierende Vorspannungsfeld 132 erzeugt ein Signal, von dem die Empfindlichkeit und das Messfeld bestimmt werden können.
Anschlüsse 122 sind mit den Sensorstapel 104 gekoppelt, und basierend auf dem variierenden Vorspannungsfeld 132 werden Widerstandsmessungen in Block 152 von 7 durchgeführt, und der maximale und minimale Widerstandswert des Sensors 100 werden in Block 154 bestimmt. Eine analoge oder digitale Bewertungsschaltung 140 ist mit den Ausgabeanschlüssen 122 gekoppelt, um die Widerstandsmessungen zu implementieren. Die Bewertungsschaltung 140 kann in diskreten Schaltungen, teilweise integrierten Schaltungen oder vollständig integrierten Schaltungen und/oder Software implementiert sein. Die Differenz zwischen dem maximalen und minimalen Widerstandswert wird in Block 156 berechnet und als ein Ausgangssignal 158 geliefert. Diese Differenz zwischen dem maximalen und minimalen Widerstandswert ist eine Funktion des externen magnetischen Felds 130, das senkrecht oder beinahe senkrecht zu der Referenzrichtung 120 ist. Das externe Magnetfeld 130 senkrecht zu der Referenzrichtung 120 kann daher mit dem Sensor 100 gemessen werden. Die Zeitperiode zum Messen des minimalen und maximalen Widerstandwerts ist die gleiche wie die Periode des variierenden Vorspannungsfelds 132 in bestimmten Ausführungsbeispielen.
Das variierende Vorspannungsfeld 132 erzeugt ein hohes Sättigungsfeld. Das Bestimmen des Widerstands unter Verwendung der Differenzmessung reduziert die Effekte der Hysterese und der Messbereich und die Messgenauigkeit sind nicht hauptsächlich durch die magnetischen Parameter begrenzt.
Idealerweise ist das Ausgangssignal wie folgt definiert:
wobei H_Mess und H_Bias das externe bzw. das Vorspannungssignal sind. 8 stellt Amplituden für verschiedene Ausgangssignale dar, die variierenden Vorspannungssignalen entsprechen, wobei die Kurven 201, 202 und 203 Vorspannungssignalen von 0,1 mT, 1 mT bzw. 10 mT entsprechen (bei einer angenommenen Sättigung = 0). Da die Differenz zwischen dem maximalen und minimalen Signal an den Anschlüssen bewertet wird, ist das Ausgangssignal hysteresefrei.
Die Empfindlichkeit hängt von der Amplitude des Vorspannungsfelds ab und kann somit für den gewünschten Messbereich angepasst werden. 9 stellt Empfindlichkeiten für unterschiedliche Vorspannungspegel dar, wobei die Kurven 211, 212 und 213 Vorspannungssignalen von 0,1 mT, 1 mT bzw. 10 mT entsprechen. 10 stellt relative Fehler 221, 222 und 223 für Vorspannungssignale von 0,1 mT, 1 mT bzw. 10 mT dar, bei angenommenen 0,1% Widerstandsmessauflösung. Dies kann mit einer Bewertungsschaltung mit höherer Auflösung verbessert werden.
Der Messbereich kann variiert werden durch Betreiben der Leistungsquelle 150, um die Amplitude des wechselnden Vorspannungsfeldes einzustellen. Dies kann beispielsweise während der Kalibrierung oder konstant während des Betriebs des Sensors erreicht werden. Außerdem kann das variierende Vorspannungsfeld mit einem Versatz versehen sein, um jede Asymmetrie oder jeden Versatz der Signalkurve in der Referenzrichtung auszugleichen.
Bei bestimmten Ausführungsbeispielen ist ein zusätzliches konstantes oder variierendes Vorspannungsfeld in der Richtung des externen Felds 132 eingerichtet, wodurch der Nullpunkt verschoben wird, so dass der niedrige Empfindlichkeitsbereich nahe Null nicht erreicht wird. Dieses zusätzliche Vorspannungsfeld kann beispielsweise erzeugt werden durch Anlegen einer Spannung an einen zusätzlichen leitfähigen Streifen oder durch einen Permanentmagneten. Falls ein Versatz vorgesehen ist, wie es oben angemerkt ist, ermöglicht das zusätzliche Vorspannungsfeld eine Selbstkalibrierung des Sensors.
Verschiedene Schemata zum Messen des Sensorwiderstands werden in Betracht gezogen. 11 stellt beispielsweise Abschnitte eines Ausführungsbeispiels dar, das zwei Sensoren 100a und 100b umfasst, die im Allgemeinen Seite an Seite auf einem Substrat 12 angeordnet sind. Eine allgemein U-förmige Stromleitung 210 verläuft unter den Sensoren 100a und 100b, wobei die Pfeile 212a und 212b einen Stromfluss durch die Stromleitung 210 anzeigen, um das externe Feld 130 einzurichten, das sich im Allgemeinen senkrecht zu dem Stromfluss 212a, 212b erstreckt, mit unterschiedlichen Polaritäten.
Bei herkömmlichen Sensoren, die ein konstantes Vorspannungsfeld verwenden, wäre die durchschnittliche Ausgabe der Sensoren 100a und 100b null, da die Sensoren externe Felder mit entgegengesetzten Polaritäten messen. Wie es hierin offenbart ist, wird jedoch ein wechselndes magnetisches Vorspannungsfeld angelegt, so dass der absolute Wert des externen Felds erfasst wird, und nicht die Richtung des Felds. Durch Mitteln der Ausgaben der beiden Sensoren 100a, 100b können die absoluten Werte des externen Felds 130 gemessen werden.
12 stellt ein Ausführungsbeispiel dar, wo eine Mehrzahl von Sensoren in einer Brückenkonfiguration 160 angeordnet sind. 12 stellt eine Wheatstone-Brücke 160 mit vier Sensoren 100a, 100b, 100c, 100d dar. Das Vorspannungsfeld 132 ist für die Sensoren 100b und 100d um eine halbe Periode phasenverschoben. Alternativ können feste Widerstände eingesetzt werden für die Sensoren 100b und 100d, dann ist keine Phasenverschiebung des Vorspannungsfelds 132 erforderlich. Bei anderen Ausführungsbeispielen sind zwei Sensoren seriell verbunden in einer Halbbrücke und das Vorspannungsfeld 132 ist für einen der Sensoren um eine halbe Periode phasenverschoben.
Obwohl hierin spezifische Ausführungsbeispiele dargestellt und beschrieben wurden, ist es für Durchschnittsfachleute auf diesem Gebiet klar, dass für die spezifischen gezeigten und beschriebenen Ausführungsbeispiele eine Vielzahl alternativer und/oder äquivalenter Implementierungen eingesetzt werden kann, ohne von dem Schutzbereich der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Diese Anmeldung soll alle Anpassungen oder Variationen der hierin erörterten spezifischen Ausführungsbeispiele abdecken. Daher ist diese Erfindung nur durch die Ansprüche und die Äquivalente derselben begrenzt.

Claims

Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale umfasst: eine erste magnetische Schicht (110), die angepasst ist, um ansprechend auf ein externes magnetisches Feld (130) die Polarität zu ändern; eine zweite magnetische Schicht (112), die eine feste magnetische Polarität aufweist, die in einer Referenzrichtung ausgerichtet ist; und ein leitfähiges Bauglied, das nahe der ersten und zweiten magnetischen Schicht (110, 112) angeordnet ist, das angepasst ist, um eine variierende Spannung zu empfangen, um ein variierendes magnetisches Vorspannungsfeld in der Referenzrichtung einzurichten.
Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1, das ferner eine Bewertungsschaltung umfasst, die mit der ersten und zweiten magnetischen Schicht (110, 112) gekoppelt ist und konfiguriert ist, um eine Differenz zwischen maximalem und minimalem Widerstandswert zu bestimmen.
Halbleiterbauelement gemäß Anspruch 1 oder 2, das ferner eine nichtmagnetische Schicht (114) umfasst, die die erste (110) und zweite magnetische Schicht (112) trennt.
Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, das ferner eine antiferromagnetische Schicht (116) umfasst, die angepasst ist, um die Magnetisierung der zweiten Schicht (112) festzulegen.
Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 2 bis 4, das ferner einen ersten Anschluss, der mit der ersten magnetischen Schicht (110) gekoppelt ist, und einen zweiten Anschluss, der mit der zweiten magnetischen Schicht (112) gekoppelt ist, umfasst, die angepasst sind, um die Bewertungsschaltung mit der ersten (110) und der zweiten magnetischen Schicht (112) zu koppeln.
Halbleiterbauelement gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das leitfähige Bauglied, das nahe der ersten und zweiten magnetischen Schicht (110, 112) angeordnet ist, elektrisch getrennt ist von der ersten und zweiten magnetischen Schicht (110, 112).
Elektronisches System, das folgende Merkmale umfasst: einen Magnetowiderstandssensor (100); ein leitfähiges Bauglied (128), das nahe dem Magnetowiderstandssensor (100) angeordnet ist; eine Spannungsquelle (150), die mit dem leitfähigen Bauglied (128) gekoppelt ist, um ein variierendes Vorspannungsfeld (132) in einer Referenzrichtung (120) einzurichten, wobei der Magnetowiderstandssensor (100) konfiguriert ist, so dass ein Widerstand des Magnetowiderstandssensors (100) ansprechend auf ein externes magnetisches Feld (130) variiert; und eine Bewertungsschaltung (140), die mit dem Magnetowiderstandssensor (100) gekoppelt ist, der konfiguriert ist, um ansprechend auf das externe magnetische Feld (130) eine Differenz zwischen maximalem und minimalem Widerstandswert zu bestimmen.
Elektronisches System gemäß Anspruch 7, bei dem der Magnetowiderstandssensor (100) folgende Merkmale umfasst: eine erste magnetische Schicht (110), die angepasst ist, um ansprechend auf das externe magnetische Feld (130) die Polarität zu ändern; und eine zweite magnetische Schicht (112), die eine feste magnetische Polarität aufweist, die in der Referenzrichtung ausgerichtet ist.
Elektronisches System gemäß Anspruch 8, das ferner eine nichtmagnetische Schicht (114) umfasst, die die erste (110) und die zweite magnetische Schicht (112) trennt.
Elektronisches System gemäß Anspruch 8 oder 9, das ferner eine antiferromagnetische Schicht (116) umfasst, die angepasst ist, um die Magnetisierung der zweiten Schicht (112) festzulegen.
Elektronisches System gemäß einem der Ansprüche 7 bis 10, bei dem der Magnetowiderstandssensor (100) auf einem Substrat (12) befestigt ist.
Elektronisches System gemäß einem der Ansprüche 7 bis 11, bei dem der Magnetowiderstandssensor (100) eine Formanisotropie aufweist.
Elektronisches System gemäß einem der Ansprüche 8 bis 12, bei dem der Magnetowiderstandssensor (100) einen ersten und einen zweiten Magnetowiderstandssensor (100) umfasst und bei dem die Bewertungsschaltung wirksam ist, um Ausgaben des ersten und zweiten Magnetowiderstandssensors (100) zu mitteln.
Elektronisches System gemäß einem der Ansprüche 8 bis 13, bei dem der Magnetowiderstandssensor (100) einen ersten und einen zweiten Magnetowiderstandssensor (100) umfasst, die in einer Brückenkonfiguration angeordnet sind.
Magneterfassungsverfahren, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen eines Magnetowiderstandssensors (100); Anlegen eines variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132) in einer Referenzrichtung; Anlegen eines externen magnetischen Felds (130) senkrecht zu der Referenzrichtung; Bestimmen eines maximalen Widerstandswerts des Sensors ansprechend auf das externe magnetische Feld (130); Bestimmen eines minimalen Widerstandswerts des Sensors ansprechend auf das externe magnetische Feld (130); und Bestimmen der Differenz zwischen dem maximalen und minimalen Widerstandswert.
Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das Anlegen des variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132) das Anlegen einer variierenden Spannung an einen Leiter umfasst, der nahe dem Magnetowiderstandssensor (100) angeordnet ist.
Verfahren gemäß Anspruch 15 oder 16, bei dem eine Zeitperiode zum Messen des minimalen und maximalen Widerstandswerts gleich ist wie die Periode des variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132).
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, das ferner das Anlegen eines zusätzlichen Vorspannungsfelds in der Richtung des externen magnetischen Felds (130) umfasst.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, bei dem das Anlegen des variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132) das Bereitstellen eines Versatzes umfasst.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 15 bis 19, bei dem das Bereitstellen des Magnetowiderstandssensors (100) das Bereitstellen eines Magnetowiderstandssensors (100) mit einer ersten und zweiten magnetischen Schicht (110, 112) umfasst, wobei die erste Schicht (110) die Polarität ansprechend auf das externe magnetische Feld (130) ändert und die zweite magnetische Schicht (112) eine feste magnetische Polarität aufweist, die in der Referenzrichtung ausgerichtet ist.
Magneterfassungsverfahren, das folgende Schritte umfasst: Bereitstellen einer ersten magnetischen Schicht (110), die die Polarität ansprechend auf ein externes magnetisches Feld (130) ändert; Bereitstellen einer zweiten magnetischen Schicht (112), die eine feste magnetische Polarität aufweist, die in einer Referenzrichtung ausgerichtet ist; Trennen der ersten (110) und zweiten magnetischen Schicht (112) mit einer nichtmagnetischen Schicht (114); Anlegen einer variierenden Spannung an ein leitfähiges Bauglied (128), das nahe dem ersten und zweiten Leiter angeordnet ist, um ein variierendes Vorspannungsfeld (132) in einer Referenzrichtung einzurichten; Anlegen des externen magnetischen Felds (130) senkrecht zu der Referenzrichtung; Bestimmen eines maximalen Widerstandswerts ansprechend auf das externe magnetische Feld (130); Bestimmen eines minimalen Widerstandswerts ansprechend auf das externe magnetische Feld (130); und Bestimmen der Differenz zwischen dem maximalen und minimalen Widerstandswert.
Verfahren gemäß Anspruch 21, bei dem eine Zeitperiode zum Messen des minimalen und maximalen Widerstandswerts gleich ist wie eine Periode des variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132).
Verfahren gemäß Anspruch 21 oder 22, das ferner das Anlegen eines zusätzlichen Vorspannungsfelds (132) in der Richtung des externen magnetischen Felds (130) umfasst.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 21 bis 23, bei dem das Anlegen des variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132) das Bereitstellen eines Versatzes umfasst.
Sensorsystem, das folgende Merkmale umfasst: einen Magnetowiderstandssensor (100); eine Einrichtung zum Anlegen eines variierenden magnetischen Vorspannungsfelds (132) in einer Referenzrichtung; eine Einrichtung zum Anlegen eines externen magnetischen Felds (130) senkrecht zu der Referenzrichtung; und eine Einrichtung zum Bestimmen eines maximalen und minimalen Widerstandswerts des Sensors ansprechend auf das externe magnetische Feld (130) und zum Bestimmen der Differenz zwischen dem maximalen und minimalen Widerstandswert.