DE102009010480A1 - Semiconductor-light emitting apparatus i.e. LED-device, for use as e.g. backlight unit of large TV, has contact hole connected with semiconductor layer and extending from surface of electrode layer to part of semiconductor layer - Google Patents

Semiconductor-light emitting apparatus i.e. LED-device, for use as e.g. backlight unit of large TV, has contact hole connected with semiconductor layer and extending from surface of electrode layer to part of semiconductor layer Download PDF

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Abstract

The apparatus (100) has a conductive substrate (150), and an exposed region formed on a boundary surface between an electrode layer (120) and a conductivity type semiconductor layer (111) that includes another electrode layer (140) and a contact hole (114). The contact hole is electrically connected with another conductivity type semiconductor layer (113), and located opposite to the former conductivity type semiconductor layer and active layers (112). The contact hole extends from a surface of the latter electrode layer to a part of the latter conductivity type semiconductor layer. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor-light emitting apparatus.

Description

Hintergrund der ErfindungBackground of the invention

Gebiet der ErfindungField of the invention

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, ein Verfahren zum Herstellen derselben sowie eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, die diese verwendet, und insbesondere eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die eine maximale Lichtemissionsfläche gewährleistet, um die Lichtausbeute zu maximieren und gleichmäßige Stromverteilung unter Verwendung einer Elektrode mit kleiner Fläche durchzuführen, und die Massenproduktion zu niedrigen Kosten bei hoher Zuverlässigkeit und hoher Qualität ermöglicht, ein Verfahren zum Herstellen derselben sowie eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, die diese verwendet.The The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a method of manufacturing the same and a semiconductor light emitting device assembly, using them, and more particularly a semiconductor light emitting device, which ensures a maximum light emission area to the light output to maximize and even current distribution using a small area electrode, and mass production at low cost with high reliability and high quality allows a method of manufacturing the same and a semiconductor light emitting device assembly, which uses these.

Beschreibung der verwandten TechnikDescription of the related technology

Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen enthalten Materialien, die Licht emittieren. So sind Leuchtdioden (LED) Vorrichtungen, bei denen Dioden eingesetzt werden, die mit Halbleitern verbunden sind, die Energie, die durch eine Kombination aus Elektronen und Defektelektronen, sogenannten Löchern, erzeugt wird, in Licht umwandeln und Licht emittieren. Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen werden verbreitet als Leuchten, Anzeigevorrichtungen und Lichtquellen eingesetzt, und die Entwicklung von Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen ist beschleunigt worden.Semiconductor light emitting devices contain materials that emit light. So are light emitting diodes (LED) Devices using diodes with Semiconductors are connected to the energy through a combination made of electrons and holes, called holes will convert to light and emit light. The semiconductor light emitting devices are widely used as lights, displays and light sources used, and the development of semiconductor light emitting devices has been accelerated.

Insbesondere trägt der verbreitete Einsatz von Mobiltelefon-Tastaturen, Klappdisplays (side viewers) und Kamera-Blitzleuchten, bei denen Leuchtdioden auf GaN-Basis eingesetzt werden, und die aktiv entwickelt und in den letzten Jahren verbreitet eingesetzt worden sind, zur aktiven Entwicklung von Leuchtquellen im Allgemeinen bei, bei denen Leuchtdioden eingesetzt werden. Vorrichtungen, bei den Leuchtdioden eingesetzt werden, wie beispielsweise Hintergrundbeleuchtungseinheiten großer Fernsehgeräte, Scheinwerfer von Fahrzeugen und Leuchtquellen im Allgemeinen, haben sich von kleinen tragbaren Erzeugnissen zu großen Erzeugnissen mit hoher Leistung, hohem Wirkungsgrad und hoher Zuver lässigkeit entwickelt. Daher besteht ein Bedarf nach Lichtquellen, die für die entsprechenden Erzeugnisse erforderliche Eigenschaften aufweisen.Especially wears the widespread use of mobile phone keyboards, folding displays (side viewers) and camera flashing lights, in which light emitting diodes based on GaN be used and actively developed and in recent years have been widely used for the active development of light sources in general, in which light-emitting diodes are used. devices, be used in the light-emitting diodes, such as backlight units greater Televisions, Headlights of vehicles and light sources in general, have from small portable products to large high-end products Performance, high efficiency and high reliability. Therefore There is a need for light sources for the corresponding products have required properties.

Im Allgemeinen hat eine Halbleiterübergangs-Lichtemissionsvorrichtung einen Aufbau, bei dem p- und n-leitende Halbleiter miteinander verbunden sind. Bei der Halbleiterübergangsstruktur kann Licht durch Wiedervereinigung von Elektronen und Löchern in einem Bereich emittiert werden, in dem die zwei Typen von Halbleitern miteinander verbunden sind. Um die Lichtemission zu aktivieren, kann eine aktive Schicht zwischen den zwei Halbleitern ausgebildet sein. Die Halbleiterübergangs-Lichtemissionsvorrichtung enthält entsprechend der Position von Elektroden von Halbleiterschichten eine horizontale Struktur und eine vertikale Struktur. Die vertikale Struktur schließt eine Struktur mit oben liegender aktiver Schicht (epi-up structure) und eine Flip-Chip-Struktur ein. Strukturelle Eigenschaften von Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungen, die entsprechend den Eigenschaften einzelner Erzeugnisse erforderlich sind, werden, wie oben beschrieben, gebührend berücksichtigt.in the Generally, it has a semiconductor junction light emitting device a structure in which p- and n-type semiconductors are interconnected are. In the semiconductor junction structure can light through reunification of electrons and holes in be emitted in an area where the two types of semiconductors connected to each other. To activate the light emission, For example, an active layer may be formed between the two semiconductors be. The semiconductor junction light emitting device contains according to the position of electrodes of semiconductor layers a horizontal structure and a vertical structure. The vertical one Structure closes a structure with an upper active layer (epi-up structure) and a flip-chip structure. Structural properties of Semiconductor light-emitting devices, which correspond to the characteristics individual products are required, as described above, due consideration.

1A und 1B sind Ansichten, die eine horizontale Lichtemissionsvorrichtung gemäß der verwandten Technik zeigen. 1C ist eine Schnittansicht, die eine vertikale Lichtemissionsvorrichtung gemäß der verwandten Technik zeigt. Im Folgenden geht, um die Erläuterung zu vereinfachen, in 1A bis 1C eine Beschreibung davon aus, dass eine n-leitende Halbleiterschicht in Kontakt mit einem Substrat ist und eine p-leitende Halbleiterschicht auf einer aktiven Schicht ausgebildet ist. 1A and 1B FIG. 11 is views showing a horizontal light emitting device according to the related art. FIG. 1C Fig. 10 is a sectional view showing a vertical light emitting device according to the related art. In the following, in order to simplify the explanation, in 1A to 1C a description that an n-type semiconductor layer is in contact with a substrate and a p-type semiconductor layer is formed on an active layer.

Unter Bezugnahme auf 1A wird zunächst eine horizontale Lichtemissionsvorrichtung mit einer Struktur mit oben liegender aktiver Schicht beschrieben. In 1A wird bei der Beschreibung davon ausgegangen, dass eine Halbleiterschicht, die am äußersten Rand ausgebildet ist, eine p-leitende Halbleiterschicht ist. Eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 1 enthält ein nicht leitendes Substrat 13, eine n-leitende Halbleiterschicht 12, eine aktive Schicht 11 und eine p-leitende Halbleiterschicht 10. Eine n-leitende Elektrode 15 und eine p-leitende Elektrode 14 sind auf der n-leitenden Halbleiterschicht 12 bzw. der p-leitenden Halbleiterschicht 10 ausgebildet und mit einer externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbunden, die eine Spannung an die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 1 anlegt.With reference to 1A First, a horizontal light emitting device having a top active layer structure will be described. In 1A In the description, it is assumed that a semiconductor layer formed at the outermost edge is a p-type semiconductor layer. A semiconductor light emitting device 1 contains a non-conductive substrate 13 , an n-type semiconductor layer 12 , an active layer 11 and a p-type semiconductor layer 10 , An n-type electrode 15 and a p-type electrode 14 are on the n-type semiconductor layer 12 or the p-type semiconductor layer 10 and connected to an external power source (not shown) that supplies a voltage to the semiconductor light emitting device 1 invests.

Wenn eine Spannung über die Elektroden 14 und 15 an die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 1 angelegt wird, bewegen sich Elektronen aus der n-leitenden Halbleiterschicht 12, und Löcher bewegen sich aus der p-leitenden Halbleiterschicht 10. Licht wird durch Wiedervereinigung der Elektronen und der Löcher emittiert. Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrich tung 1 enthält die aktive Schicht 11, und Licht wird aus der aktiven Schicht 11 emittiert. In der aktiven Schicht 11 wird die Lichtemission der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 1 aktiviert, und Licht wird emittiert. Um eine elektrische Verbindung herzustellen, befinden sich die n-leitende Elektrode und die p-leitende Elektrode auf der n-leitenden Halbleiterschicht 12 bzw. der p-leitenden Halbleiterschicht 10, die den niedrigsten Kontaktwiderstand aufweist.When a voltage across the electrodes 14 and 15 to the semiconductor light emitting device 1 is applied, electrons move from the n-type semiconductor layer 12 , and holes are moving out the p-type semiconductor layer 10 , Light is emitted by reunification of the electrons and the holes. The semiconductor Lichtemissionsvorrich device 1 contains the active layer 11 , and light gets out of the active layer 11 emitted. In the active layer 11 becomes the light emission of the semiconductor light emitting device 1 activated, and light is emitted. To make an electrical connection, the n-type electrode and the p-type electrode are on the n-type semiconductor layer 12 or the p-type semiconductor layer 10 which has the lowest contact resistance.

Die Position der Elektroden kann sich entsprechend dem Typ des Substrats ändern. Wenn beispielsweise das Substrat 13 ein Saphir-Substrat ist, bei dem es sich um ein nicht leitendes Substrat handelt, kann die Elektrode der n-leitenden Halbleiterschicht 12 nicht auf dem nicht leitenden Substrat 13 ausgebildet werden, sondern muss sich auf der n-leitenden Halbleiterschicht 12 befinden.The position of the electrodes may change according to the type of the substrate. For example, if the substrate 13 a sapphire substrate which is a non-conductive substrate, the electrode may be the n-type semiconductor layer 12 not on the non-conductive substrate 13 but must be on the n-type semiconductor layer 12 are located.

Daher werden, wie unter Bezugnahme auf 1A zu sehen ist, wenn die n-leitende Elektrode 15 auf dem n-leitenden Halbleiter 12 ausgebildet wird, Teile der p-leitenden Halbleiterschicht 10 und der aktiven Schicht 12, die an der Oberseite ausgebildet sind, verbraucht und bilden einen Ohm'schen Kontakt. Die Ausbildung der Elektrode führt zu einer Verringerung von Lichtemissionsfläche der Halbleiterlicht-Emissionsvorrichtung 1, und dadurch nimmt auch die Lichtausbeute ab.Therefore, as with reference to 1A can be seen if the n-type electrode 15 on the n-type semiconductor 12 is formed, parts of the p-type semiconductor layer 10 and the active layer 12 , which are formed on the top consumes and form an ohmic contact. The formation of the electrode leads to a reduction of the light emission area of the semiconductor light emitting device 1 , and thereby the light output decreases.

In 1B ist eine horizontale Lichtemissionsvorrichtung dargestellt, die eine Struktur aufweist, durch die die Lichtausbeute zunimmt. Die in 1B gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ist eine Flip-Chip-Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 2. Ein Substrat 23 befindet sich an der Oberseite. Elektroden 24 und 25 sind mit Elektrodenkontakten 26 bzw. 27 in Kontakt, die auf einem leitenden Substrat 28 ausgebildet sind. Licht, das von einer aktiven Schicht 21 emittiert wird, wird unabhängig von den Elektroden 24 und 25 über das Substrat 23 emittiert. Daher kann die Verringerung der Lichtausbeute, die bei der in 1A gezeigten Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung verursacht wird, verhindert werden.In 1B a horizontal light emitting device is shown having a structure by which the light output increases. In the 1B The semiconductor light emitting device shown is a flip chip semiconductor light emitting device 2 , A substrate 23 is at the top. electrodes 24 and 25 are with electrode contacts 26 respectively. 27 in contact, on a conductive substrate 28 are formed. Light coming from an active layer 21 is emitted, is independent of the electrodes 24 and 25 over the substrate 23 emitted. Therefore, the reduction of the light output, which in the in 1A caused semiconductor light emitting device is prevented can be prevented.

Trotz der hohen Lichtausbeute der Flip-Chip-Lichternissionsvorrichtung 2 müssen bei der Lichtemissionsvorrichtung 2 die n-leitende Elektrode und die p-leitende Elektrode in der gleichen Ebene angeordnet sein und in der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 2 verbunden sein. Nachdem sie verbunden bzw. gebondet worden sind, ist es wahrscheinlich, dass die n-leitende Elektrode und die p-leitende Elektrode von den Elektrodenkontakten 26 und 27 getrennt werden. Daher sind teure Präzisionsbearbeitungseinrichtungen erforderlich.Despite the high luminous efficacy of the flip-chip light emitting device 2 need in the light emission device 2 the n-type electrode and the p-type electrode are arranged in the same plane and in the semiconductor light emitting device 2 be connected. After being bonded, it is likely that the N-type electrode and the P-type electrode are off the electrode contacts 26 and 27 be separated. Therefore, expensive precision machining equipment is required.

Dadurch nehmen die Herstellungskosten zu, die Produktivität verringert sich, die Ausbeute nimmt ab, und die Zuverlässigkeit der Erzeugnisse verringert sich.Thereby increase manufacturing costs, reduce productivity The yield decreases and the reliability of the products is reduced yourself.

Um eine Reihe von Problemen einschließlich der oben beschriebenen Probleme zu lösen, ist eine vertikale Lichtemissionsvorrichtung, bei der ein leitendes Substrat und nicht das nicht leitende Substrat eingesetzt wird, entwickelt worden. Eine in 1C gezeigte Lichtemissionsvorrichtung 3 ist eine vertikale Lichtemissionsvorrichtung. Wenn ein leitendes Substrat 33 verwendet wird, kann eine n-leitende Elektrode 35 auf dem Substrat 33 ausgebildet werden. Das leitende Substrat 33 kann aus einem leitenden Material, beispielsweise Si, bestehen. Im Allgemeinen ist es aufgrund von Gitter-Fehlanpassung (lattice-mismatching) schwierig, Halbleiterschichten auf dem leitenden Substrat auszubilden. Daher werden Halbleiterschichten unter Verwendung eines Substrats gezüchtet, das leichtes Wachstum der Halbleiterschichten ermöglicht, und dann wird ein leitendes Substrat gebondet, nachdem das Substrat zum Aufwachsen entfernt worden ist.In order to solve a number of problems including the problems described above, a vertical light emitting device using a conductive substrate and not the non-conductive substrate has been developed. An in 1C shown light emitting device 3 is a vertical light emission device. If a conductive substrate 33 can be used, an n-type electrode 35 on the substrate 33 be formed. The conductive substrate 33 may be made of a conductive material such as Si. In general, due to lattice mismatching, it is difficult to form semiconductor layers on the conductive substrate. Therefore, semiconductor layers are grown using a substrate that allows easy growth of the semiconductor layers, and then a conductive substrate is bonded after the substrate is removed for growth.

Wenn das nicht leitende Substrat entfernt wird, wird das leitende Substrat 33 auf der n-leitenden Halbleiterschicht 32 ausgebildet, so dass die Lichtemissionsvorrichtung 3 eine vertikale Struktur aufweist. Wenn das leitende Substrat 33 verwendet wird, kann, da eine Spannung über das leitende Substrat 33 an die n-leitende Halbleiterschicht 32 angelegt werden kann, eine Elektrode auf dem Substrat 33 ausgebildet werden. Daher wird, wie in 1C gezeigt, die n-leitende Elektrode 35 auf dem leitenden Substrat 33 ausgebildet, und die p-leitende Elektrode 34 wird auf der p-leitenden Halbleiterschicht 30 ausgebildet, so dass die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit der vertikalen Struktur hergestellt werden kann.When the non-conductive substrate is removed, the conductive substrate becomes 33 on the n-type semiconductor layer 32 formed so that the light emitting device 3 has a vertical structure. When the conductive substrate 33 can be used because a voltage across the conductive substrate 33 to the n-type semiconductor layer 32 can be applied, an electrode on the substrate 33 be formed. Therefore, as in 1C shown the n-type electrode 35 on the conductive substrate 33 formed, and the p-type electrode 34 is on the p-type semiconductor layer 30 is formed so that the semiconductor light-emitting device having the vertical structure can be manufactured.

Wenn jedoch eine Hochleistungs-Lichtemissionsvorrichtung mit großer Fläche hergestellt wird, muss ein Flächenverhältnis der Elektrode zu dem Substrat zur Stromverteilung hoch sein. Daher ist die Lichtentnahme begrenzt, es kommt zu Lichtverlust durch optische Absorption und die Lichtausbeute nimmt ab und die Zuverlässigkeit des Erzeugnisses verringert sich.If however, a large area high power light emitting device was manufactured is, must be an area ratio of Be high electrode to the substrate for power distribution. thats why the light is limited, it comes to light loss by optical Absorption and light output decreases and reliability of the product decreases.

Zusammenfassung der ErfindungSummary of the invention

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung werden eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die eine maximale Lichtemissionsfläche gewährleistet, um die Lichtausbeute zu maximieren und gleichmäßige Stromverteilung unter Verwendung einer Elektrode mit kleiner Fläche durchzuführen, und die Massenproduktion zu geringen Kosten, mit hoher Zuver lässigkeit und hoher Qualität ermöglicht, sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben und eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe geschaffen, die diese verwendet.According to one Aspect of the present invention will be a semiconductor light emitting device, the a maximum light emission area guaranteed to maximize light output and uniform current distribution below Using a small area electrode, and mass production at low cost, with high reliability and high quality allows and a method of manufacturing the same and a semiconductor light emitting device package created using these.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung geschaffen, die eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht, eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Elektrodenschicht und eine Isolierschicht, eine erste Elektrodenschicht und ein leitendes Substrat aufweist, die aufeinanderfolgend geschichtet sind, wobei die zweite Elektrodenschicht einen freiliegenden Bereich an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps hat und die erste Elektrodenschicht wenigstens ein Kontaktloch umfasst, das elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.According to one Aspect of the present invention is a semiconductor light emitting device which comprises a semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second electrode layer and an insulating layer, a first one Electrode layer and a conductive substrate, which successively layered, the second electrode layer being exposed Area at the interface between the second electrode layer and the semiconductor layer of the second conductivity type and the first electrode layer comprises at least one contact hole, electrically connected to the semiconductor layer of the first conductivity type is connected to the Semiconductor layer of the second conductivity type and the active Layer is electrically isolated and separated from a surface of first electrode layer to at least a part of the semiconductor layer of the first conductivity type extends.

Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung kann des Weiteren eine Elektroden-Anschlusseinheit enthalten, die an dem freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht ausgebildet ist.The Semiconductor light emitting device may further include an electrode terminal unit included at the exposed portion of the second electrode layer is trained.

Der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht kann eine Zone sein, die über ein Durchgangsloch freiliegt, das durch die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps, die aktive Schicht und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps hindurch ausgebildet ist.Of the Exposed portion of the second electrode layer may be a zone be over a through hole exposed through the semiconductor layer of second conductivity type, the active layer and the semiconductor layer of the second conductivity type is formed through.

Der Durchmesser des Durchgangslochs kann in einer Richtung von der zweiten Elektrodenschicht zu der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps hin zunehmen.Of the Diameter of the through hole may be in one direction from the second Electrode layer to the semiconductor layer of the first conductivity type increase.

Eine Isolierschicht kann an einer Innenfläche des Durchgangslochs ausgebildet sein.A Insulating layer may be formed on an inner surface of the through hole be.

Der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht kann am Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ausgebildet sein.Of the exposed area of the second electrode layer may be at the edge be formed of the semiconductor light emitting device.

Die zweite Elektrodenschicht kann von der aktiven Schicht erzeugtes Licht reflektieren.The second electrode layer may be generated by the active layer Reflect light.

Die zweite Elektrodenschicht kann ein Metall enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Ag, Al und Pt besteht.The second electrode layer may include a metal consisting of a Group selected which consists of Ag, Al and Pt.

Ein unregelmäßiges Muster kann an der Oberfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet sein.One irregular pattern can be on the surface be formed of the semiconductor layer of the first conductivity type.

Das unregelmäßige Muster kann eine Photonenkristallstruktur aufweisen.The irregular pattern may have a photonic crystal structure.

Das leitende Substrat kann ein Metall enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Au, Ni, Cu und W besteht.The conductive substrate may contain a metal that consists of a group selected which consists of Au, Ni, Cu and W.

Das leitende Substrat kann ein Material enthalten, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Si, Ge und GaAs besteht.The conductive substrate may contain a material that consists of a group selected which consists of Si, Ge and GaAs.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung geschaffen, wobei das Verfahren einschließt:
aufeinanderfolgendes Schichten einer Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht, einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Elektrodenschicht, einer Isolierschicht, einer ersten Elektrodenschicht und eines leitenden Substrats; Ausbilden eines freiliegenden Bereiches an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps; und Ausbilden wenigstens eines Durchgangslochs 114 in der ersten Elektrodenschicht, wobei das Kontaktloch elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of fabricating a semiconductor light emitting device, the method including:
successively laminating a semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second electrode layer, an insulating layer, a first electrode layer and a conductive substrate; Forming an exposed region at the interface between the second electrode layer and the second conductivity type semiconductor layer; and forming at least one through-hole 114 in the first electrode layer, wherein the contact hole is electrically connected to the semiconductor layer of the first conductivity type, is electrically insulated from the semiconductor layer of the second conductivity type and the active layer and extends from one surface the first electrode layer extends to at least a part of the semiconductor layer of the first conductivity type.

Das Ausbilden eines freiliegenden Bereiches der zweiten Elektrodenschicht kann Mesa-Ätzen der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, der aktiven Schicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps einschließen.The Forming an exposed region of the second electrode layer may mesa etching of the semiconductor layer of the first conductivity type, the active layer and the semiconductor layer of the second conductivity type lock in.

Das leitende Substrat kann mit einem Plattierungsverfahren ausgebildet und geschichtet werden. Das leitende Substrat kann mit einem Substrat-Bonding-Verfahren laminiert werden.The conductive substrate may be formed by a plating method and be layered. The conductive substrate may be formed by a substrate bonding method be laminated.

Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe geschaffen, die enthält:
einen Körper der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, an dessen Oberseite ein vertiefter Teil ausgebildet ist; einen ersten Leiterrahmen und einen zweiten Leiterrah men, die an dem Körper der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe angebracht sind, an einer Unterseite des vertieften Teils freiliegen und um einen vorgegebenen Abstand voneinander getrennt sind; eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die an dem ersten Leiterrahmen angebracht ist, wobei die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht, eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Elektrodenschicht, eine Isolierschicht, eine erste Elektrodenschicht und ein leitendes Substrat aufweist, die aufeinanderfolgend geschichtet sind, die zweite Elektrodenschicht einen freiliegenden Bereich an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst und die erste Elektrodenschicht wenigstens ein Kontaktloch umfasst, das elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.In accordance with another aspect of the present invention, there is provided a semiconductor light emitting device package including:
a body of the semiconductor light emitting device assembly, on the upper side of which a recessed part is formed; a first lead frame and a second lead frame, which are attached to the body of the semiconductor light-emitting device assembly, exposed at a bottom of the recessed part and separated by a predetermined distance from each other; a semiconductor light emitting device mounted on the first lead frame, the semiconductor light emitting device comprising a semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second electrode layer, an insulating layer, a first electrode layer, and a conductive substrate; which are sequentially stacked, the second electrode layer includes an exposed region at the interface between the second electrode layer and the second conductivity type semiconductor layer, and the first electrode layer comprises at least one contact hole electrically connected to the first conductivity type semiconductor layer opposite to the second semiconductor layer Conductive type and the active layer is electrically insulated and from a surface of the first electrode layer to at least a portion of the semiconductor layer of the first Leit skill type.

Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung kann des Weiteren eine Elektroden-Anschlusseinheit enthalten, die an dem freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht ausgebildet ist, und die Elektroden-Anschlusseinheit ist elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmen verbunden.The Semiconductor light emitting device may further include an electrode terminal unit included at the exposed portion of the second electrode layer is formed, and the electrode terminal unit is electrically connected to the second lead frame.

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

Die oben beschriebenen und weitere Aspekte, Merkmale und andere Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden ausführlichen Beschreibung im Zusammenhang mit den beigefügten Zeichnungen besser verständlich, wobei:The described above and other aspects, features and other advantages The present invention will become more apparent from the following detailed Description in conjunction with the attached drawings, better understandable, in which:

1A eine Schnittansicht ist, die eine horizontale Lichtemissionsvorrichtung darstellt: 1A is a sectional view illustrating a horizontal light emitting device:

1B eine Schnittansicht ist, die die horizontale Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 1B is a sectional view illustrating the horizontal light-emitting device.

1C eine Schnittansicht ist, die eine vertikale Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 1C is a sectional view illustrating a vertical light emitting device.

2 eine Perspektivansicht ist, die eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 2 FIG. 10 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG.

3 eine Draufsicht ist, die die in 2 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 3 is a plan view, the in 2 represents a semiconductor light emitting device shown.

4A eine Schnittansicht entlang der Linie A-A' ist, die die in 3 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 4A is a sectional view along the line AA ', the in 3 represents a semiconductor light emitting device shown.

4B eine Schnittansicht entlang der Linie B-B' ist, die die in 3 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 4B is a sectional view along the line BB ', the in 3 represents a semiconductor light emitting device shown.

4C eine Schnittansicht entlang der Linie C-C' ist, die die in 3 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 4C is a sectional view along the line CC ', the in 3 represents a semiconductor light emitting device shown.

5 eine Ansicht ist, die Lichtemission bei der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die ein unregelmäßiges Muster an ihrer Oberfläche aufweist, gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 5 is a view illustrating light emission in the semiconductor light emitting device having an irregular pattern on its surface according to the embodiment of the present invention.

6 eine Ansicht ist, die eine zweite Elektrodenschicht, die am Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung freiliegt, gemäß einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 6 is a view illustrating a second electrode layer exposed at the periphery of the semiconductor light emitting device according to another embodiment of the present invention.

7 eine Schnittansicht ist, die eine Halbleiter-Lichtemissions-Baugruppe gemäß einer weiteren anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. 7 FIG. 10 is a sectional view illustrating a semiconductor light emitting assembly according to still another embodiment of the present invention. FIG.

8 ein Diagramm ist, das eine Beziehung zwischen Lichtausbeute und Stromdichte einer Lichtemissionsfläche darstellt. 8th FIG. 12 is a graph illustrating a relationship between luminous efficacy and current density of a light emitting surface. FIG.

Ausführliche Beschreibung der bevorzugten AusführungsformDetailed description of the preferred embodiment

Beispielhafte Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung werden im Folgenden ausführlich unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben. Die Erfindung kann jedoch in vielen unterschiedlichen Formen ausgeführt werden und sollte nicht als auf die hier dargestellten Ausführungsformen beschränkt verstanden werden. Vielmehr dienen diese Ausführungsformen dazu, Gründlichkeit und Vollständigkeit der Offenbarung zu gewährleisten und stellen den Schutzumfang der Erfindung für den Fachmann vollständig dar.exemplary embodiments The present invention will be described below in detail with reference to FIG on the attached Drawings described. However, the invention can be many different Molds executed and should not be considered as in the embodiments shown here limited understood become. Rather, these embodiments are used to thoroughness and completeness to ensure the revelation and fully set forth the scope of the invention to those skilled in the art.

2 ist eine Perspektivansicht, die eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der Erfindung darstellt. 3 ist eine Draufsicht, die die in 2 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. Es folgt eine Beschreibung unter Bezugnahme auf 2 und 3. 2 FIG. 10 is a perspective view illustrating a semiconductor light emitting device according to an exemplary embodiment of the invention. FIG. 3 is a plan view which in 2 represents a semiconductor light emitting device shown. The following is a description with reference to FIG 2 and 3 ,

Eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführung der Erfindung enthält eine Halbleiterschicht 111 eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht 112, eine Halbleiterschicht 113 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Elektrodenschicht 120, eine erste Isolierschicht 130, eine erste Elektrodenschicht 140 und ein leitendes Substrat 150, die aufeinanderfolgend geschichtet sind. Dabei weist die zweite Elektrodenschicht 120 einen freiliegenden Bereich an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht 120 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps auf. Die erste Elektrodenschicht 140 enthält wenigstens ein Kontaktloch 141. Das Kontaktloch 141 ist elektrisch mit der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden, gegenüber der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht 112 elektrisch isoliert und erstreckt sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht 140 zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps.A semiconductor light emitting device 100 According to the exemplary embodiment of the invention contains a semiconductor layer 111 a first conductivity type, an active layer 112 , a semiconductor layer 113 a second conductivity type, a second electrode layer 120 , a first insulating layer 130 , a first electrode layer 140 and a conductive substrate 150 which are successively layered. In this case, the second electrode layer 120 an exposed area at the interface between the second electrode layer 120 and the semiconductor layer 113 of the second conductivity type. The first electrode layer 140 contains at least one contact hole 141 , The contact hole 141 is electrically connected to the semiconductor layer 111 of the first conductivity type connected to the semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 electrically insulated and extends from a surface of the first electrode layer 140 to at least a part of the semiconductor layer 111 of the first conductivity type.

Bei der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 führen die Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps, die aktive Schicht 112 und die Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps Lichtemission durch. Im Folgenden werden sie als eine Lichtemissions-Schichtung 110 bezeichnet. Das heißt, die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 enthält die Lichtemissions-Schichtung 110, die erste Elektrodenschicht 140 und die erste Isolierschicht 130. Die erste Elektrodenschicht 140 ist elektrisch mit der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden. Die zweite Elektrodenschicht 120 ist elektrisch mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden. Die erste Isolierschicht 130 isoliert die elektrischen Schichten 120 und 140 elektrisch voneinander. Des Weiteren ist das leitende Substrat 150 als ein Substrat zum Aufwachsen oder Tragen der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 enthalten.In the semiconductor light emitting device 100 lead the semiconductor layer 111 of the first conductivity type, the active layer 112 and the semiconductor layer 113 of the second conductivity type light emission. In the following, they are called a light emission stratification 110 designated. That is, the semiconductor light emitting device 100 contains the light emission layering 110 , the first electrode layer 140 and the first insulating layer 130 , The first electrode layer 140 is electrically connected to the semiconductor layer 111 connected to the first conductivity type. The second electrode layer 120 is electrically connected to the semiconductor layer 113 connected to the second conductivity type. The first insulating layer 130 isolates the electrical layers 120 and 140 electrically from each other. Furthermore, the conductive substrate 150 as a substrate for growing or supporting the semiconductor light emitting device 100 contain.

Jede der Halbleiterschichten 111 und 113 kann aus einem Halbleiter, wie beispielsweise einem Halbleiter auf GaN-Basis, einem Halbleiter auf ZnO-Basis, einem Halbleiter auf GaAs-Basis, einem Halbleiter auf GaP-Basis und einem Halbleiter auf GaAsP-Basis bestehen. Die Halbleiterschicht kann beispielsweise unter Verwendung von Molekularstrahlepitaxie (molecular beam epitaxy – MBE) ausgebildet werden. Des Weiteren kann jede der Halbleiterschichten aus jedem beliebigen Halbleiter bestehen, so beispielsweise einem Halbleiter der Gruppen III–V, einem Halbleiter der Gruppen II–VI, und Si. Jede der Halbleiterschichten 111 und 113 wird ausgebildet, indem der oben beschriebene Halbleiter unter Berücksichtigung des Leitfähigkeitstyps mit geeigneten Störstellen dotiert wird.Each of the semiconductor layers 111 and 113 may be made of a semiconductor such as a GaN-based semiconductor, a ZnO-based semiconductor, a GaAs-based semiconductor, a GaP-based semiconductor, and a GaAsP-based semiconductor. The semiconductor layer may be formed using, for example, molecular beam epitaxy (MBE). Further, each of the semiconductor layers may be made of any semiconductor such as group III-V semiconductor, group II-VI semiconductor, and Si. Each of the semiconductor layers 111 and 113 is formed by doping the above-described semiconductor with suitable impurities in consideration of the conductivity type.

Die aktive Schicht 112 ist eine Schicht, in der Lichtemission aktiviert wird. Die aktive Schicht 112 besteht aus einem Material, das einen geringeren Energieabstand hat als jeweils die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps und die Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps. Wenn beispielsweise die Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps und die Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps jeweils aus einer Verbindung auf GaN-Basis ausgebildet wird, kann die aktive Schicht 112 unter Verwendung eines Verbindungshalbleiters auf InAlGaN-Basis ausgebildet werden, der einen kleineren Energieabstand hat als GaN. Das heißt, die aktive Schicht 112 kann InxAlyGa(1-x-y)N enthalten (wobei 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1, 0 ≤ x + y ≤ 1).The active layer 112 is a layer in which light emission is activated. The active layer 112 It is made of a material having a smaller energy gap than the semiconductor layer of the first conductivity type and the semiconductor layer, respectively 113 of the second conductivity type. If, for example, the semiconductor layer 111 of the first conductivity type and the semiconductor layer 113 each of the second conductivity type is formed of a GaN-based compound, the active layer 112 can be formed using an InAlGaN-based compound semiconductor having a smaller energy gap than GaN. That is, the active layer 112 can contain In x Al y Ga (1-xy) N (where 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x + y≤1).

Angesichts der Eigenschaften der aktiven Schicht 112 wird die aktive Schicht 120 vorzugsweise nicht mit Störstellen dotiert. Eine Wellenlänge des emittierten Lichtes kann gesteuert werden, indem ein Molverhältnis der Bestandteile reguliert wird. Daher kann die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 je nach den Eigenschaften der aktiven Schicht 112 infrarotes Licht, sichtbares Licht und UV-Licht emittieren.Given the properties of the active layer 112 becomes the active layer 120 preferably not doped with impurities. A wavelength of the emitted light can be controlled by regulating a molar ratio of the components. Therefore, the semiconductor light emitting device can 100 depending on the properties of the active layer 112 emit infrared light, visible light and UV light.

Jede der Elektrodenschichten 120 und 140 wird ausgebildet, um eine Spannung an die Halbleiterschicht des gleichen Leitfähigkeitstyps anzulegen. Daher können die Elektrodenschichten 120 und 140 im Sinne der elektrischen Leitfähigkeit aus Metall bestehen. Das heißt, die Elektrodenschichten 120 und 140 enthalten Elektroden, die die Halbleiterschichten 111 und 113 elektrisch mit einer externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbinden. Die Elektrodenschichten 120 und 140 können beispielsweise Ti als eine n-leitende Elektrode und Pd oder Au als eine p-leitende Elektrode enthalten.Each of the electrode layers 120 and 140 is formed to apply a voltage to the semiconductor layer of the same conductivity type. Therefore, the electrode layers 120 and 140 exist in the sense of electrical conductivity of metal. That is, the electrode layers 120 and 140 contain electrodes, which are the semiconductor layers 111 and 113 electrically connect to an external power source (not shown). The electrode layers 120 and 140 For example, Ti may include Ti as an n-type electrode and Pd or Au as a p-type electrode.

Die erste Elektrodenschicht 140 ist mit der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden, und die zweite Elektrodenschicht 120 ist mit der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps verbunden. Das heißt, da die erste und die zweite Halbleiterschicht 140 und 120 mit den Halbleiterschichten verbunden sind, die voneinander verschiedene Leitfähigkeit aufweisen, sind die erste und die zweite Schicht 120 und 140 durch die erste Isolierschicht 130 elektrisch voneinander getrennt. Vorzugsweise besteht die erste Isolierschicht 130 aus einem Material mit geringer elektrischer Leitfähigkeit. Die erste Isolierschicht 130 kann beispielsweise ein Oxid, wie z. B. SiO2, enthalten.The first electrode layer 140 is with the semiconductor layer 111 of the first conductivity type, and the second electrode layer 120 is with the semiconductor layer 113 connected to the second conductivity type. That is, because the first and second semiconductor layers 140 and 120 are connected to the semiconductor layers having different conductivity from each other, the first and the second layer 120 and 140 through the first insulating layer 130 electrically isolated from each other. Preferably, the first insulating layer 130 made of a material with low electrical conductivity. The first insulating layer 130 For example, an oxide, such as. As SiO 2 included.

Vorzugsweise reflektiert die zweite Elektrodenschicht 120 von der aktiven Schicht 112 erzeugtes Licht. Da sich die zweite Elektrodenschicht 120 unter der aktiven Schicht 112 befindet, befindet sich die zweite Elektrodenschicht 120 in einer Richtung, in der die Halblei ter-Lichtemissionsvorrichtung 100 Licht auf Basis der aktiven Schicht 112 emittiert, an der anderen Seite. Licht, das sich von der aktiven Schicht 112 auf die zweite Elektrodenschicht 120 zu bewegt, hat eine Richtung, die entgegengesetzt zu der Richtung ist, in der die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 Licht emittiert. Daher muss das Licht, das sich auf die zweite Elektrodenschicht 120 zu bewegt, reflektiert werden, um die Lichtausbeute zu erhöhen. Daher bewegt sich das reflektierte Licht, wenn die zweite Elektrodenschicht 120 Licht-Reflektionsvermögen aufweist, auf eine Lichtemissionsfläche zu, um so die Lichtausbeute der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 zu erhöhen.Preferably, the second electrode layer reflects 120 from the active layer 112 generated light. Since the second electrode layer 120 under the active layer 112 is located, there is the second electrode layer 120 in a direction in which the semiconductor light emitting device 100 Light based on the active layer 112 emitted, on the other side. Light that is different from the active layer 112 on the second electrode layer 120 is moved, has a direction opposite to the direction in which the semiconductor light emitting device 100 Emitted light. Therefore, the light that is on the second electrode layer must be 120 to be moved, reflected to increase the luminous efficacy. Therefore, the reflected light moves when the second electrode layer 120 Having light reflectance toward a light emitting surface, so as to increase the luminous efficiency of the semiconductor light emitting device 100 to increase.

Um das von der aktiven Schicht 112 erzeugte Licht zu reflektieren, besteht die zweite Elektrodenschicht 120 vorzugsweise aus einem Metall, das in dem Bereich sichtbarer Strahlen weiß erscheint. Das weiße Metall kann beispielsweise Ag, Al und Pt sein.To that of the active layer 112 to reflect generated light, there is the second electrode layer 120 preferably of a metal which appears white in the region of visible rays. The white metal may be, for example, Ag, Al and Pt.

Die zweite Elektrodenschicht 120 enthält einen freiliegenden Bereich an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht 120 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps. Eine Unterseite der ersten Elektrodenschicht 140 ist in Kontakt mit dem leitenden Substrat 150, und die erste Elektrodenschicht 140 ist über das leitende Substrat 150 elektrisch mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbunden. Die zweite Elektrodenschicht 120 erfordert jedoch einen separaten Verbindungsabschnitt, um Verbindung mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) herzustellen. Daher enthält die zweite Elektrodenschicht 120 einen Bereich, der freigelegt wird, indem die Lichtemissions-Schichtung 110 teilweise weggeätzt wird.The second electrode layer 120 contains an exposed area at the interface between the second electrode layer 120 and the semiconductor layer 113 of the second conductivity type. A bottom of the first electrode layer 140 is in contact with the conductive substrate 150 , and the first electrode layer 140 is over the conductive substrate 150 electrically connected to the external power source (not shown). The second electrode layer 120 however, requires a separate connection section to connect to the external power source (not shown). Therefore, the second electrode layer contains 120 an area that is exposed by the light emission stratification 110 partially etched away.

In 2 ist ein Beispiel eines Durchgangslochs 114 dargestellt. Das Durchgangsloch 114 wird ausgebildet, indem die Mitte der Lichtemissions-Schichtung 110 geätzt wird, um einen freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht 120 auszubilden. Eine Elektroden-Anschlusseinheit 160 kann des Weiteren in dem freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht 120 ausgebildet sein. Die zweite Elektrodenschicht 120 kann über ihren freiliegenden Bereich elektrisch mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbunden sein. Dabei wird die zweite Elektrodenschicht 120 unter Verwendung der Elektroden-Anschlusseinheit 160 elektrisch mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbunden. Die zweite Elektrodenschicht 120 kann mittels eines Drahtes oder dergleichen elektrisch mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbunden werden. Zur bequemen Verbindung mit der externen Stromquelle nimmt der Durchmesser des Durchgangslochs 114 vorzugsweise von der zweiten Elektrodenschicht zu der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps hin zu.In 2 is an example of a through hole 114 shown. The through hole 114 is formed by the center of the light emission layering 110 is etched to an exposed portion of the second electrode layer 120 train. An electrode connection unit 160 may further be in the exposed area of the second electrode layer 120 be educated. The second electrode layer 120 may be electrically connected to the external power source (not shown) via its exposed area. In this case, the second electrode layer 120 using the electrode connection unit 160 electrically connected to the external power source (not shown). The second electrode layer 120 can be electrically connected to the external power source (not shown) by means of a wire or the like. For convenient connection with the external power source, the diameter of the through hole decreases 114 preferably from the second electrode layer to the semiconductor layer of the first conductivity type toward.

Das Durchgangsloch 114 wird durch selektives Ätzen ausgebildet. Im Allgemeinen wird nur die Lichtemissions-Schichtung 110, die die Halbleiter enthält, geätzt, und die zweite Elektrodenschicht 120, die das Metall enthält, wird nicht geätzt. Der Durchmesser des Durchgangslochs 114 kann durch den Fachmann unter Berücksichtigung der Lichtemissionsfläche, der Effektivität der elektrischen Verbindung und der Stromverteilung in der zweiten Elektrodenschicht 120 in geeigneter Weise bestimmt werden.The through hole 114 is formed by selective etching. In general, only the light emission stratification becomes 110 etched with the semiconductors, and the second electrode layer 120 that contains the metal is not etched. The diameter of the through hole 114 can be determined by the person skilled in the art taking into account the light emission surface, the effectiveness of the electrical connection and the current distribution in the second electrode layer 120 be determined appropriately.

Die erste Elektrodenschicht 140 enthält wenigstens ein Kontaktloch 141. Das Kontaktloch 141 ist elektrisch mit der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden, gegenüber der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht 112 elektrisch isoliert und erstreckt sich zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps. Die erste Elektrodenschicht 140 enthält wenigstens ein Kontaktloch 141, um die Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) zu verbinden. Das Kontaktloch 141 ist durch die zweite Elektrodenschicht 120 zwischen der ersten Elektrodenschicht 140 und der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps, die Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und die aktive Schicht 112 hindurch ausgebildet und erstreckt sich zu der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps. Des Weiteren besteht das Durchgangsloch 114 aus einem Elektrodenmaterial.The first electrode layer 140 contains at least one contact hole 141 , The contact hole 141 is electrically connected to the semiconductor layer 111 of the first conductivity type connected to the semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 electrically insulated and extends to at least a portion of the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. The first electrode layer 140 contains at least one contact hole 141 to the semiconductor layer 111 of the first conductivity type to the external power source (not shown) to connect. The contact hole 141 is through the second electrode layer 120 between the first electrode layer 140 and the semiconductor layer 113 of the second conductivity type, the semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 formed therethrough and extends to the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. Furthermore, there is the through hole 114 from an electrode material.

Wenn das Kontaktloch 141 nur für die elektrische Verbindung verwendet wird, kann die erste Elektrodenschicht 140 ein Kontaktloch 141 enthalten. Um jedoch einen Strom, der zu der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps übertragen wird, gleichmäßig zu verteilen, kann die erste Elektrodenschicht 140 eine Vielzahl von Kontaktlöchern 141 an vorgegebenen Positionen enthalten.If the contact hole 141 is used only for the electrical connection, the first electrode layer 140 a contact hole 141 contain. However, a current leading to the semiconductor layer 111 the first conductivity type is transmitted to distribute evenly, the first electrode layer 140 a variety of contact holes 141 contained at predetermined positions.

Das leitende Substrat 150 ist in Kontakt mit der ersten Elektrodenschicht 140 ausgebildet und elektrisch mit ihr verbunden. Das leitende Substrat 150 kann ein Substrat aus Metall oder ein Halbleitersubstrat sein. Wenn das leitende Substrat 150 aus Metall besteht, kann das Metall Au, Ni, Cu und W sein. Des Weiteren kann das Halbleitersubstrat, wenn das leitende Substrat 150 das Halbleitersubstrat ist, aus Si, Ge und GaAs bestehen. Das leitende Substrat 150 kann ein Aufwachssubstrat sein. Als Alternative dazu kann das leitende Substrat 150 ein Trägersubstrat sein. Nachdem ein nicht leitendes Substrat, wie beispielsweise ein Saphir-Substrat, das geringe Gitter-Fehlanpassung aufweist, als ein Aufwachssubstrat verwendet worden ist und das nicht leitende Substrat entfernt worden ist, wird das Trägersubstrat gebondet.The conductive substrate 150 is in contact with the first electrode layer 140 trained and electrically connected to her. The conductive substrate 150 may be a substrate of metal or a semiconductor substrate. When the conductive substrate 150 is metal, the metal may be Au, Ni, Cu and W. Furthermore, the semiconductor substrate may be when the conductive substrate 150 the semiconductor substrate is made of Si, Ge and GaAs. The conductive substrate 150 may be a growth substrate. Alternatively, the conductive substrate 150 be a carrier substrate. After a non-conductive substrate such as a sapphire substrate having low lattice mismatch has been used as a growth substrate and the non-conductive substrate has been removed, the carrier substrate is bonded.

Wenn das leitende Substrat 150 das Trägersubstrat ist, kann es unter Verwendung eines Plattierverfahrens oder eines Substrat-Bonding-Verfahrens ausgebildet werden. Zu Beispielen für ein Verfahren zum Ausbilden des leitenden Substrats 150 in der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 gehören beispielsweise ein Plattierverfahren, bei dem eine Plattier-Keimschicht ausgebildet wird, um ein Substrat auszubilden, sowie ein Substrat-Bonding-Verfahren, bei dem das leitende Substrat 150 separat gefertigt wird und das leitende Substrat 150 unter Verwendung eines leitenden Klebstoffs, wie beispielsweise Au, Au-Sn und Pb-Sr, gebondet wird.When the conductive substrate 150 is the carrier substrate, it may be formed using a plating method or a substrate bonding method. Examples of a method of forming the conductive substrate 150 in the semiconductor light emitting device 100 For example, a plating method in which a plating seed layer is formed to form a substrate, and a substrate bonding method in which the conductive substrate 150 is manufactured separately and the conductive substrate 150 using a conductive adhesive, such as Au, Au-Sn and Pb-Sr.

3 ist eine Draufsicht, die die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 darstellt. Das Durchgangsloch 114 ist in einer Oberseite der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 ausgebildet, und die Elektroden-Anschlusseinheit 160 ist in dem freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht 120 angeordnet. Des Weiteren sind, obwohl in der Oberseite der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 nicht dargestellt, um die Positionen der Kontaktlöcher 141 zu zeigen, die Kontaktlöcher 141 als unterbrochene Linie dargestellt, um die Positionen der Kontaktlöcher 141 zu zeigen. Die erste Isolierschicht 130 kann sich um das Kontaktloch 141 herum erstrecken und es umgeben, so dass das Kontaktloch 141 elektrisch von der zweiten Elektrodenschicht 120, der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht 112 getrennt ist. Dies wird ausführlicher unter Bezugnahme auf 4B und 4C beschrieben. 3 FIG. 10 is a plan view illustrating the semiconductor light emitting device. FIG 100 represents. The through hole 114 is in a top of the semiconductor light emitting device 100 formed, and the electrode connection unit 160 is in the exposed area of the second electrode layer 120 arranged. Furthermore, although in the top of the semiconductor light emitting device 100 not shown to the positions of the contact holes 141 to show the contact holes 141 shown as a broken line to the positions of the contact holes 141 to show. The first insulating layer 130 can be about the contact hole 141 extend around and surround it, leaving the contact hole 141 electrically from the second electrode layer 120 , the semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 is disconnected. This will be explained in more detail with reference to 4B and 4C described.

4A ist eine Schnittansicht entlang der A-A', die die in 3 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 4B ist eine Schnittansicht entlang der Linie B-B', die die in 3 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. 4C ist eine Schnittansicht entlang der Linie C-C', die die in 3 gezeigte Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt. Die Linie A-A' verläuft so, dass ein Schnitt durch die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 gezeigt wird. Die Linie B-B' verläuft so, dass ein Schnitt gezeigt wird, der die Kontaktlöcher 141 und das Durchgangsloch 114 enthält. Die Linie C-C' verläuft so, dass ein Schnitt gezeigt wird, der nur die Kontaktlöcher 141 enthält. In der folgenden Beschreibung wird auf 4A bis 4C Bezug genommen. 4A is a sectional view taken along the A-A ', the in 3 represents a semiconductor light emitting device shown. 4B is a sectional view taken along the line B-B ', the in 3 represents a semiconductor light emitting device shown. 4C is a sectional view taken along the line C-C ', the in 3 represents a semiconductor light emitting device shown. The line AA 'is such that a section through the semiconductor light emitting device 100 will be shown. The line BB 'runs so that a section is shown that the contact holes 141 and the through hole 114 contains. The line CC 'runs so that a section is shown, which only the contact holes 141 contains. In the following description is on 4A to 4C Referenced.

In 4A ist weder das Kontaktloch 141 noch das Durchgangsloch 114 dargestellt. Da das Kontaktloch 141 nicht unter Verwendung einer separaten Verbindungsleitung verbunden wird, sondern über die erste Elektrodenschicht 140 elektrisch verbunden ist, ist das Kontaktloch 141 in dem Schnitt in 3 nicht dargestellt.In 4A is neither the contact hole 141 still the through hole 114 shown. Because the contact hole 141 is not connected using a separate connection line, but via the first electrode layer 140 is electrically connected, is the contact hole 141 in the cut in 3 not shown.

Das Kontaktloch 141 erstreckt sich, wie unter Bezugnahme auf 4B und 4C zu sehen ist, von der Grenzfläche zwischen der ersten Elektrodenschicht 140 und der zweiten Elektrodenschicht 120 in das Innere der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps hinein. Das Kontaktloch 141 verläuft durch die Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und die aktive Schicht 112 hindurch und erstreckt zu der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps. Das Kontaktloch 141 erstreckt sich wenigstens bis zu der Grenzfläche zwischen der aktiven Schicht 112 und der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps. Vorzugsweise erstreckt sich das Kontaktloch 141 zu einem Teil der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps. Das Kontaktloch 141 dient jedoch der elektrischen Verbindung und der Stromverteilung. Wenn das Kontaktloch 141 in Kontakt mit der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps ist, muss sich das Kontaktloch 141 nicht bis zu der Außenfläche der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps erstrecken.The contact hole 141 extends as with reference to 4B and 4C can be seen from the interface between the first electrode layer 140 and the second electrode layer 120 into the interior of the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. The contact hole 141 passes through the Semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 and extends to the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. The contact hole 141 extends at least to the interface between the active layer 112 and the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. Preferably, the contact hole extends 141 to a part of the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. The contact hole 141 but serves the electrical connection and the power distribution. If the contact hole 141 in contact with the semiconductor layer 111 of the first conductivity type, the contact hole must be 141 not up to the outer surface of the semiconductor layer 111 of the first conductivity type.

Das Kontaktloch 141 ist so ausgebildet, dass es den Strom in der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps verteilt. Daher ist eine vorgegebene Anzahl von Kontaktlöchern 141 ausgebildet, und jedes der Kontaktlöcher 141 hat eine Fläche, die klein genug ist, um gleichmäßige Stromausbreitung in der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps zuzulassen. Eine kleine Anzahl an Kontaktlöchern 141 kann Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften aufgrund von Problemen beim Durchführen von Stromverteilung verursachen. Eine große Anzahl von Kontaktlöchern 141 kann zu Problemen beim Ausbilden der Kontaktlöcher 141 sowie zu einer Verringerung der Lichtemissionsfläche aufgrund einer Verringerung der Fläche der aktiven Schicht führen. Daher ist jedes der Kontaktlöcher 141 so ausgebildet, dass es eine kleinstmögliche Fläche hat und gleichmäßige Stromverteilung zulässt.The contact hole 141 is designed to be the current in the semiconductor layer 111 of the first conductivity type distributed. Therefore, a predetermined number of contact holes 141 formed, and each of the contact holes 141 has an area small enough to uniform current propagation in the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. A small number of contact holes 141 may cause deterioration of electrical characteristics due to problems in performing power distribution. A large number of contact holes 141 can cause problems when forming the contact holes 141 and lead to a reduction in the light emission area due to a reduction in the area of the active layer. Therefore, each of the contact holes 141 designed so that it has the smallest possible surface and allows even current distribution.

Das Kontaktloch 141 erstreckt sich von der zweiten Elektrodenschicht 120 in das Innere der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps hinein. Da das Kontaktloch 141 ausgebildet ist, um den Strom in der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps zu verteilen, muss das Kontaktloch 141 elektrisch von der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht 112 getrennt sein. So ist das Kontaktloch 141 vorzugsweise elektrisch von der zweiten Elektrodenschicht 120, der Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht 112 getrennt. Daher kann sich die erste Isolierschicht 130 so erstrecken, dass sie das Kontaktloch 141 umgibt. Die elektrische Trennung kann unter Verwendung eines isolierenden Materials, wie beispielsweise eines Dielektrikums, durchgeführt werden.The contact hole 141 extends from the second electrode layer 120 into the interior of the semiconductor layer 111 of the first conductivity type. Because the contact hole 141 is formed to distribute the current in the semiconductor layer of the first conductivity type, the contact hole 141 electrically from the semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 be separated. That's the contact hole 141 preferably electrically from the second electrode layer 120 , the semiconductor layer 113 of the second conductivity type and the active layer 112 separated. Therefore, the first insulating layer 130 so that they extend the contact hole 141 surrounds. The electrical isolation may be performed using an insulating material, such as a dielectric.

In 4B ist der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht 120 so ausgebildet, dass die zweite Elektrodenschicht 120 elektrisch mit der externen Stromquelle (nicht dargestellt) verbunden ist. Die Elektroden-Anschlusseinheit 160 kann in dem freiliegenden Bereich angeordnet sein. Dabei kann eine zweite Isolierschicht 170 an einer Innenfläche des Durchgangsloch 114 so ausgebildet sein, dass die Lichtemissions-Schichtung 110 und die Elektroden-Anschlusseinheit 160 elektrisch voneinander getrennt werden können.In 4B is the exposed area of the second electrode layer 120 formed so that the second electrode layer 120 electrically connected to the external power source (not shown). The electrode connection unit 160 may be located in the exposed area. In this case, a second insulating layer 170 on an inner surface of the through hole 114 be formed so that the light emission stratification 110 and the electrode terminal unit 160 can be electrically separated from each other.

Da die erste Elektrodenschicht 140 und die zweite Elektrodenschicht 120, wie in 4A gezeigt, in der gleichen Ebene ausgebildet sind, weist die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 Eigenschaften der horizontalen Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 auf. Da die Elektroden-Anschlusseinheit 160, wie in 4B gezeigt, an der Oberfläche der Halbleiterschicht 120 des zweiten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist, kann die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 Eigenschaften der vertikalen Lichtemissionsvorrichtung haben. Daher hat die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 einen Aufbau, in den die vertikale Struktur und die horizontale Struktur integriert sind.As the first electrode layer 140 and the second electrode layer 120 , as in 4A shown formed in the same plane, the semiconductor light emitting device 100 Properties of the horizontal semiconductor light emitting device 100 on. Because the electrode connection unit 160 , as in 4B shown on the surface of the semiconductor layer 120 is formed of the second conductivity type, the semiconductor light emitting device 100 Have properties of vertical light emission device. Therefore, the semiconductor light emitting device has 100 a structure in which the vertical structure and the horizontal structure are integrated.

In 4A bis 4C kann die Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps eine n-leitende Halbleiterschicht sein, und die erste Elektrodenschicht 140 kann eine n-leitende Elektrode sein. In diesem Fall kann die Halbleiterschicht 113 des zweiten Leitfähigkeitstyps eine p-leitende Halbleiterschicht sein, und die zweite Elektrodenschicht 120 kann eine p-leitende Elektrode sein. Daher können die erste Elektrodenschicht 140, die aus der n-leitenden Elektrode besteht, und die zweite Elektrodenschicht 120, die aus der p-leitenden Elektrode besteht, mit der dazwischen befindlichen Isolierschicht 130 elektrisch voneinander isoliert sein.In 4A to 4C can the semiconductor layer 111 of the first conductivity type may be an n-type semiconductor layer, and the first electrode layer 140 may be an n-type electrode. In this case, the semiconductor layer 113 of the second conductivity type may be a p-type semiconductor layer, and the second electrode layer 120 may be a p-type electrode. Therefore, the first electrode layer 140 consisting of the n-type electrode and the second electrode layer 120 consisting of the p-type electrode, with the insulating layer therebetween 130 be electrically isolated from each other.

5 ist eine Ansicht, die Lichtemissionen in einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung darstellt, die gemäß einer beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein an ihrer Oberfläche ausgebildetes unregelmäßiges Muster aufweist. Die Beschreibung der bereits beschriebenen Komponenten wird weggelassen. 5 FIG. 12 is a view illustrating light emissions in a semiconductor light emitting device having an irregular pattern formed on its surface according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. The description of the components already described is omitted.

Bei der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform der Erfindung bildet die Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps den äußersten Rand in einer Richtung, in der sich emittiertes Licht bewegt. Daher kann ein unregelmäßiges Muster mittels eines bekannten Verfahrens, wie beispielsweise Fotolithografie, einfach an der Oberfläche ausgebildet werden. In diesem Fall tritt das von der aktiven Schicht 112 emittierte Licht durch das unregelmäßige Muster 180 hindurch, das an der Oberfläche der Halbleiterschicht 111 des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist, und dann wird das Licht entnommen. Das unregelmäßige Muster 130 bewirkt eine Zunahme des Lichtausbeutewirkungsgrades.In the semiconductor light emitting device 100 According to the exemplary embodiment of the invention, the semiconductor layer forms 111 of the first conductivity type, the outermost edge in a direction in which emitted light moves. Therefore, an irregular pattern can be easily formed on the surface by a known method such as photolithography. In this case, this occurs from the active layer 112 emitted light through the irregular pattern 180 at the surface of the semiconductor layer 111 is formed of the first conductivity type, and then the light is removed. The irregular pattern 130 causes an increase in the light yield efficiency.

Das unregelmäßige Muster 180 kann eine Photonenkristallstruktur haben. Photonenkristalle enthalten unterschiedliche Medien, die unterschiedliche Brechungsindizes haben und wie Kristalle regelmäßig angeordnet sind. Die Photonenkristalle können den Lichtausbeutungswirkungsgrad erhöhen, indem Licht in einer Längeneinheit gesteuert wird, die einem Vielfachen einer Wellenlänge von Licht entspricht.The irregular pattern 180 may have a photonic crystal structure. Photonic crystals contain different media that have different refractive indices and how crystals are regularly arranged. The photonic crystals can increase the light exploitation efficiency by controlling light in a unit length which is a multiple of a wavelength of light.

6 ist eine Ansicht, die eine zweite Elektrodenschicht darstellt, die am Rand einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführung der vorliegenden Erfindung freiliegt. 6 FIG. 12 is a view illustrating a second electrode layer exposed at the periphery of a semiconductor light emitting device according to another exemplary embodiment of the present invention. FIG.

Gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung geschaffen. Das Verfahren schließt sequenzielles Schichten einer Halbleiterschicht 211 eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht 212, einer Halbleiterschicht 213 eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Elektrodenschicht 220, einer Isolierschicht 230, einer ersten Elektrodenschicht 240 und eines leitenden Substrats 250, Ausbilden eines freiliegenden Bereiches an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht 220 und der Halbleiterschicht 213 des zweiten Leitfähigkeitstyps sowie Ausbilden wenigstens eines Durchgangslochs 114 241 in der Halbleiterschicht 213 des zweiten Leitfähigkeitstyps ein, wobei das Kontaktloch 241 elektrisch mit der Halbleiterschicht 211 des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht 213 des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht 212 elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der Elektrodenschicht 240 bis wenigstens zu einem Teil der Halbleiterschicht 211 des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.According to another exemplary embodiment of the present invention, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device is provided. The method includes sequential layering of a semiconductor layer 211 a first conductivity type, an active layer 212 , a semiconductor layer 213 a second conductivity type, a second electrode layer 220 , an insulating layer 230 , a first electrode layer 240 and a conductive substrate 250 Forming an exposed area at the interface between the second electrode layer 220 and the semiconductor layer 213 of the second conductivity type and forming at least one through-hole 114 241 in the semiconductor layer 213 of the second conductivity type, wherein the contact hole 241 electrically with the semiconductor layer 211 of the first conductivity type is connected to the semiconductor layer 213 of the second conductivity type and the active layer 212 is electrically isolated and extending from a surface of the electrode layer 240 to at least part of the semiconductor layer 211 of the first conductivity type.

Dabei kann der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht 220 ausgebildet werden, indem das Durchgangsloch 214 in einer Lichtemissions-Schichtung 210 ausgebildet wird (siehe 2). Als Alternative dazu kann, wie in 6 gezeigt, der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht 220 durch Mesa-Ätzen der Lichtemissions-Schichtung 210 ausgebildet werden. Bei der vorliegenden Ausführungsform wird die Beschreibung der gleichen Komponenten wie derjenigen der Ausführungsform, die bereits unter Bezugnahme auf 2 beschrieben worden ist, weggelassen.In this case, the exposed region of the second electrode layer 220 be formed by the through hole 214 in a light emission stratification 210 is formed (see 2 ). As an alternative, as in 6 shown, the exposed portion of the second electrode layer 220 by mesa etching the light emission layer 210 be formed. In the present embodiment, the description will be made of the same components as those of the embodiment already described with reference to FIG 2 has been omitted.

Ein Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 200 ist, wie unter Bezugnahme auf 6 zu sehen ist, Mesa-Ätzen unterzogen worden. Der Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 200 wird geätzt, um die zweite Elektrodenschicht 220 an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht 220 und der Halbleiterschicht 213 des zweiten Leitfähigkeitstyps freizulegen. Der freigelegte Bereich der zweiten Halbleiterschicht 220 ist am Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 200 ausgebildet. Ein Prozess zum Ausbilden des freiliegenden Bereiches am Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 200 ist einfacher als der Prozess des Ausbildens des Durchgangslochs in der oben beschriebenen Ausführungsform und ermöglicht es auch, einen anschließenden Prozess der elektrischen Verbindung einfach auszuführen.An edge of the semiconductor light emitting device 200 is as with reference to 6 can be seen, has undergone mesa etching. The edge of the semiconductor light emitting device 200 is etched to the second electrode layer 220 at the interface between the second electrode layer 220 and the semiconductor layer 213 of the second conductivity type. The exposed area of the second semiconductor layer 220 is at the edge of the semiconductor light emitting device 200 educated. A process for forming the exposed area at the periphery of the semiconductor light emitting device 200 is simpler than the process of forming the through-hole in the above-described embodiment, and also makes it possible to easily carry out a subsequent process of electrical connection.

7 ist eine Schnittansicht, die eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe 300 gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung darstellt. Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe 300 enthält einen Körper 360a, 360b und 360c der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe mit einer Oberseite, in der ein vertiefter Teil ausgebildet ist, einen ersten Leiterrahmen 370a und einen zweiten Leiterrahmen 370b, die an dem Körper 360a, 360b und 360c der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe angebracht sind, an einer Unterseite des vertieften Teils freiliegen und voneinander um einen vorgegebenen Abstand getrennt sind, sowie eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 310 und 320, die an dem ersten Leiterrahmen 370a angebracht ist. Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 310 und 320 ist die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung mit dem Durchgangsloch in ihrer Mitte gemäß der beispielhaften Ausführungsform der Erfindung, die unter Bezugnahme auf 2 beschrieben worden ist. Die Beschreibung der gleichen Komponenten, die bereits beschrieben worden sind, wird weggelassen. 7 FIG. 10 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device package. FIG 300 according to another embodiment of the present invention. The semiconductor light emitting device package 300 contains a body 360a . 360b and 360c the semiconductor light-emitting device assembly having a top surface in which a recessed part is formed, a first lead frame 370a and a second lead frame 370b attached to the body 360a . 360b and 360c the semiconductor light emitting device assembly are mounted, exposed at a bottom of the recessed portion and separated from each other by a predetermined distance, and a semiconductor light emitting device 310 and 320 attached to the first lead frame 370a is appropriate. The semiconductor light emitting device 310 and 320 FIG. 12 is the semiconductor light emitting device with the through hole at its center according to the exemplary embodiment of the invention described with reference to FIG 2 has been described. The description of the same components already described will be omitted.

Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 310 und 320 enthält eine Lichtemissionseinheit 310 sowie ein leitendes Substrat 320. Die Lichtemissionseinheit 310 enthält eine erste und eine zweite Halbleiterschicht, eine aktive Schicht und Elektrodenschichten. Ein Durchgangsloch ist in der Lichtemissionseinheit 310 ausgebildet, und die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 310 und 320 enthält des Weiteren eine Elektroden-Anschlusseinheit 330 an einem freiliegenden Bereich. Das leitende Substrat 320 ist elektrisch mit dem ersten Leiterrahmen 370a verbunden, und die Elektroden-Anschlusseinheit 330 ist über einen Draht 340 oder dergleichen elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmen 370b verbunden.The semiconductor light emitting device 310 and 320 contains a light emission unit 310 and a conductive substrate 320 , The light emission unit 310 includes a first and a second semiconductor layer, an active layer and electrode layers. A through hole is in the light emission unit 310 formed, and the semiconductor light emitting device 310 and 320 further includes an electrode termination unit 330 at an exposed area. The conductive substrate 320 is electrically connected to the first lead frame 370a connected, and the electrode connection unit 330 is over a wire 340 or the like electrically connected to the second lead frame 370b connected.

Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung 310 und 320 wird durch Drahtbondverbindung 340 elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmen 370b verbunden, an dem die Halbleiter-Licht emissionsvorrichtung 310 und 320 nicht angebracht ist. Daher kann die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung hohe Lichtausbeute erzielen und hat eine vertikale Struktur. Die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ist, wie in 7 gezeigt, an dem Leiterrahmen 370a durch Die-Bonden und an dem Leiterrahmen 370b durch Drahtbonden angebracht. Daher kann der Prozess zu relativ niedrigen Kosten durchgeführt werden.The semiconductor light emitting device 310 and 320 is made by wire bond connection 340 electrically with the second lead frame 370b connected to the semiconductor light emission device 310 and 320 not appropriate. Therefore, the semiconductor light emitting device can achieve high luminous efficacy and has a vertical structure. The semiconductor light emitting device is, as in 7 shown on the ladder frame 370a by die bonding and on the lead frame 370b attached by wire bonding. Therefore, the process can be carried out at a relatively low cost.

8 ist ein Diagramm, das die Beziehung zwischen Lichtausbeute und Stromdichte einer Lichtemissionsoberfläche darstellt. Wenn die Stromdichte ungefähr 10 A/cm2 oder mehr beträgt, d. h. die Stromdichte gering ist, ist die Lichtausbeute hoch, und wenn die Stromdichte hoch ist, ist die Lichtausbeute niedrig. 8th Fig. 12 is a graph showing the relationship between luminous efficacy and current density of a light emitting surface. When the current density is about 10 A / cm 2 or more, that is, the current density is low, the luminous efficacy is high, and when the current density is high, the luminous efficacy is low.

Die Beziehung zwischen der Stromdichte und der Lichtausbeute sowie der Lichtemissionsfläche sind in Tabelle 1 in Zahlen dargestellt. (Tabelle 1) Lichtemissionsfläche (cm2) Stromdichte (A/cm2) Lichtausbeute (lm/W) Verbesserung (%) 0,0056 62,5 46,9 100 0,0070 50,0 51,5 110 0,0075 46,7 52,9 113 0,0080 43,8 54,1 115 The relationship between the current density and the light output as well as the light emitting area are shown in Table 1 in numbers. (Table 1) Light emission area (cm 2 ) Current density (A / cm 2 ) Luminous efficacy (lm / W) Improvement (%) 0.0056 62.5 46.9 100 0.0070 50.0 51.5 110 0.0075 46.7 52.9 113 0.0080 43.8 54.1 115

Aus 8 und Tabelle 1 geht hervor, dass, wenn die Lichtemissionsfläche zunimmt, die Lichtausbeute zunimmt. Um jedoch die Lichtemissionsfläche zu gewährleisten, muss die Fläche der verteilten Elektroden reduziert werden, wodurch die Stromdichte der Lichtemissionsfläche reduziert wird. Die Reduzierung der Stromdichte der Lichtemissionsfläche kann elektrische Eigenschaften der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung verschlechtern.Out 8th and Table 1 shows that as the light emitting area increases, the luminous efficacy increases. However, to ensure the light emitting area, the area of the distributed electrodes must be reduced, thereby reducing the current density of the light emitting area. The reduction of the current density of the light emitting surface may degrade electrical characteristics of the semiconductor light emitting device.

Dieses Problem kann jedoch gelöst werden, indem Stromverteilung unter Verwendung von Kontaktlöchern gemäß den Ausführungsformen der Erfindung gewährleistet wird. Daher kann die Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften, die möglicherweise durch die Reduzierung der Stromdichte verursacht wird, unter Verwendung eines Verfahrens zum Ausbilden von Kontaktlöchern in der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung verhindert wer den, die sich zur Stromverteilung nicht bis zu der Lichtemissionsfläche erstrecken, sondern darin ausgebildet sind. Daher führt die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung gemäß den Ausführungsformen der Erfindung gewünschte Stromverteilung durch und gewährleistet maximale Lichtemissionsfläche, um eine vorteilhafte Lichtausbeute zu erzielen.This Problem can be solved by applying current distribution using contact holes according to the embodiments of the invention becomes. Therefore, the deterioration of electrical properties, possibly caused by the reduction in current density, using a method of forming contact holes in the semiconductor light emitting device prevents those who do not extend to the light emission surface for power distribution, but are formed therein. Therefore, the semiconductor light emitting device performs according to the embodiments the invention desired Power distribution through and guaranteed maximum light emission area, to achieve a favorable light output.

Gemäß beispielhaften Ausführungsformen der Erfindung kann, wie oben aufgeführt, die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung verhindern, dass emittiertes Licht durch Elektroden reflektiert oder absorbiert wird, und gewährleistet die maximale Lichtemissionsfläche, indem sie die Elektroden der Halbleiterschichten, die sich in einer Lichtemissionsrichtung befinden, bis auf einen Teil der Elektroden unterhalb einer aktiven Schicht anordnet, um so die Lichtausbeute zu maximieren.According to exemplary embodiments As mentioned above, according to the invention, the semiconductor light emitting device can prevent emitted light from reflecting through electrodes or absorbed, and guaranteed the maximum light emission area, by placing the electrodes of the semiconductor layers, which are in one Light emission direction, except for a portion of the electrodes below an active layer, so the light output to maximize.

Des Weiteren ist wenigstens ein Kontaktloch in der Elektrode ausgebildet, um die Stromverteilung ungehindert durchzuführen, so dass gleichmäßige Stromverteilung mit der Elektrode mit kleiner Fläche durchgeführt werden kann.Of Furthermore, at least one contact hole is formed in the electrode, to carry out the power distribution unhindered, so that even current distribution with the electrode with a small area carried out can be.

Des Weiteren ist, da das Durchgangsloch an der Oberseite der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ausgebildet ist, Ausrichtung während des Die-Bondens nicht erforderlich, und Drahtbonden kann leicht durchgeführt werden. Weiterhin können, da die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung eine vertikale Struktur hat, Drahtbonden und Die-Bonden, die einfach zu niedrigen Kosten durchgeführt werden können, zusammen angewendet werden, wenn eine Baugruppe hergestellt wird. So kann Massenherstellung zu niedrigen Kosten erreicht werden.Of Further, since the through hole is formed at the top of the semiconductor light emitting device is, alignment during The die bonding is not required, and wire bonding can be done easily carried out become. Furthermore, since the semiconductor light emitting device has a vertical structure has, wire bonding and die bonding, which are easy to low cost carried out can be be applied together when an assembly is made. So mass production can be achieved at low cost.

Daher kann gemäß den Ausführungsformen der Erfindung Massenproduktion von Lichtemissionsvorrichtungen zu niedrigen Kosten mit hoher Zuverlässigkeit und hoher Qualität realisiert werden.Therefore can according to the embodiments to the invention mass production of light emitting devices low cost realized with high reliability and high quality become.

Obwohl die vorliegende Erfindung in Verbindung mit den beispielhaften Ausführungsformen dargestellt und beschrieben worden ist, liegt für den Fachmann auf der Hand, dass Abwandlungen und Veränderungen vorgenommen werden können, ohne vom Geist und vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, wie sie durch die beigefügten Ansprüche definiert werden.Even though the present invention in conjunction with the exemplary embodiments has been shown and described, is obvious to the skilled person, that made modifications and changes can be without departing from the spirit and scope of the invention, such as you through the attached claims To be defined.

Claims (18)

Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht, eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Elektrodenschicht und eine Isolierschicht, eine erste Elektrodenschicht und ein leitendes Substrat aufweist, die aufeinanderfolgend geschichtet sind, wobei die zweite Elektrodenschicht einen freiliegenden Bereich an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps hat, und die erste Elektrodenschicht wenigstens ein Kontaktloch umfasst, das elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.Semiconductor light-emitting device comprising a Semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second electrode layer and an insulating layer, a first electrode layer and a conductive one Substrate, which are successively layered, in which the second electrode layer has an exposed area on the interface between the second electrode layer and the semiconductor layer of the second conductivity type has, and the first electrode layer at least one contact hole electrically connected to the semiconductor layer of the first conductivity type is connected, opposite the semiconductor layer of the second conductivity type and the active Layer is electrically isolated and separated from a surface of first electrode layer to at least a part of the semiconductor layer of the first conductivity type extends. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, die des Weiteren eine Elektroden-Anschlusseinheit umfasst, die an dem freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht ausgebildet ist.A semiconductor light emitting device according to claim 1, which further comprises an electrode terminal unit, the formed on the exposed portion of the second electrode layer is. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht ein Bereich ist, der über ein Durchgangsloch freiliegt, das durch die Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, die aktive Schicht und die Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps hindurch ausgebildet ist.A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the exposed portion of the second electrode layer an area is over a through hole exposed through the semiconductor layer of first conductivity type, the active layer and the semiconductor layer of the second conductivity type is formed through. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei der Durchmesser des Durchgangslochs in einer Richtung von der zweiten Elektrodenschicht zu der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps hin zunimmt.A semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein the diameter of the through-hole in a direction of the second electrode layer to the semiconductor layer of the first conductivity type increases. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 3, wobei eine Isolierschicht an einer Innenfläche des Durchgangslochs ausgebildet ist.A semiconductor light emitting device according to claim 3, wherein an insulating layer is formed on an inner surface of the through hole is. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der freiliegende Bereich der zweiten Elektrodenschicht am Rand der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung ausgebildet ist.A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the exposed portion of the second electrode layer is formed on the edge of the semiconductor light emitting device. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die zweite Elektrodenschicht von der aktiven Schicht erzeugtes Licht reflektiert.A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the second electrode layer produced by the active layer Light reflected. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 7, wobei die zweite Elektrodenschicht ein Metall umfasst, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Ag, Al und Pt besteht.A semiconductor light emitting device according to claim 7, wherein the second electrode layer comprises a metal, the selected from a group which consists of Ag, Al and Pt. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei ein unregelmäßiges Muster an der Oberfläche der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps ausgebildet ist.A semiconductor light emitting device according to claim 1, being an irregular pattern on the surface the semiconductor layer of the first conductivity type is formed. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 9, wobei das unregelmäßige Muster eine Photonenkristallstruktur hat.A semiconductor light emitting device according to claim 9, the irregular pattern has a photonic crystal structure. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das leitende Substrat ein Metall umfasst, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Au, Ni, Cu und W besteht.A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the conductive substrate comprises a metal consisting of a Group selected which consists of Au, Ni, Cu and W. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei das leitende Substrat ein Material umfasst, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Si, Ge und GaAs besteht.A semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the conductive substrate comprises a material consisting of a Group selected which consists of Si, Ge and GaAs. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, wobei das Verfahren umfasst: aufeinanderfolgendes Schichten einer Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, einer aktiven Schicht, einer Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, einer zweiten Elektrodenschicht, einer Isolierschicht, einer ersten Elektrodenschicht und eines leitenden Substrats; Ausbilden eines freiliegenden Bereiches an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps; und Ausbilden wenigstens eines Kontaktlochs in der ersten Elektrodenschicht, wobei das Kontaktloch elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.Method of manufacturing a semiconductor light emitting device the method comprising: successive layers a semiconductor layer of a first conductivity type, an active one Layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second electrode layer, an insulating layer, a first one Electrode layer and a conductive substrate; Form an exposed area at the interface between the second electrode layer and the semiconductor layer of the second conductivity type; and Form at least one contact hole in the first electrode layer, wherein the contact hole electrically with the semiconductor layer of the first conductivity type is connected, opposite the semiconductor layer of the second conductivity type and the active Layer is electrically isolated and separated from a surface of first electrode layer to at least a part of the semiconductor layer of the first conductivity type extends. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Ausbilden eines freiliegenden Bereiches der zweiten Elektrodenschicht Mesa-Ätzen der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps, der aktiven Schicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst.The method of claim 13, wherein forming an exposed portion of the second electrode layer mesa etching the Semiconductor layer of the first conductivity type, the active layer and the semiconductor layer of the second conductivity type. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das leitende Substrat mit einem Plattierverfahren ausgebildet und geschichtet wird.The method of claim 13, wherein the conductive substrate is formed with a plating process and layered. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das leitende Substrat mit einem Substrat-Bonding-Verfahren geschichtet wird.The method of claim 13, wherein the conductive substrate layered by a substrate bonding method. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, die umfasst: einen Körper der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe, an dessen Oberseite ein vertiefter Teil ausgebildet ist; einen ersten Leiterrahmen und einen zweiten Leiterrahmen, die an dem Körper der Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe angebracht sind, an einer Unterseite des vertieften Teils freiliegen und um einen vorgegebenen Abstand voneinander getrennt sind; eine Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung, die an dem ersten Leiterrahmen angebracht ist, wobei die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung eine Halbleiterschicht eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Schicht, eine Halbleiterschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Elektrodenschicht, eine Isolierschicht, eine erste Elektrodenschicht und ein leitendes Substrat hat, die aufeinanderfolgend geschichtet sind, die zweite Elektrodenschicht einen freiliegenden Bereich an der Grenzfläche zwischen der zweiten Elektrodenschicht und der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps umfasst, und die erste Elektrodenschicht wenigstens ein Kontaktloch umfasst, das elektrisch mit der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps verbunden ist, gegenüber der Halbleiterschicht des zweiten Leitfähigkeitstyps und der aktiven Schicht elektrisch isoliert ist und sich von einer Fläche der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einem Teil der Halbleiterschicht des ersten Leitfähigkeitstyps erstreckt.Semiconductor light emitting device assembly, which includes: a body the semiconductor light emitting device assembly, at the top thereof a recessed part is formed; a first ladder frame and a second lead frame attached to the body of the semiconductor light emitting device assembly are attached, exposed at a bottom of the recessed part and separated by a predetermined distance; a Semiconductor light emitting device attached to the first lead frame is appropriate, wherein the semiconductor light emitting device a semiconductor layer of a first conductivity type, an active layer, a semiconductor layer of a second conductivity type, a second electrode layer, an insulating layer, a first electrode layer and a conductive one Substrate that is stacked consecutively, the second electrode layer has an exposed area at the interface between the second electrode layer and the semiconductor layer of the second conductivity type includes, and the first electrode layer at least one contact hole electrically connected to the semiconductor layer of the first conductivity type is connected, opposite the semiconductor layer of the second conductivity type and the active Layer is electrically isolated and separated from a surface of first electrode layer to at least a part of the semiconductor layer of the first conductivity type extends. Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtungs-Baugruppe nach Anspruch 17, wobei die Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung des Weiteren eine Elektroden-Anschlusseinheit umfasst, die an dem freiliegenden Bereich der zweiten Elektrodenschicht ausgebildet ist, und die Elektroden-Anschlusseinheit elektrisch mit dem zweiten Leiterrahmen verbunden ist.Semiconductor light emitting device assembly according to claim 17, wherein the semiconductor light emitting device further comprises an electrode terminal unit attached to the formed exposed area of the second electrode layer and the electrode terminal unit is electrically connected to the second Lead frame is connected.
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